專(zhuān)利名稱(chēng)：只讀存儲(chǔ)器單元陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種只讀存儲(chǔ)器單元陣列，尤其涉及使用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET) 構(gòu)成的只讀存儲(chǔ)器單元陣列。
背景技術(shù)：
程序化只讀存儲(chǔ)器(ROM)陣列芯片中，應(yīng)用(或移除)被選取的存儲(chǔ)單元里特定部分的接觸墊、介質(zhì)孔、有源區(qū)以及/或金屬，以設(shè)定每個(gè)只讀存儲(chǔ)器(ROM)中的單元(簡(jiǎn)稱(chēng)只讀存儲(chǔ)器單元)開(kāi)啟(on)或截止(off)的狀態(tài)。每一只讀存儲(chǔ)器單元可存儲(chǔ)一二進(jìn)制位元的數(shù)據(jù)，即根據(jù)只讀存儲(chǔ)器單元的位元線至較低電源供應(yīng)線(Vss)間的路徑為電性連接或是電性短路來(lái)存儲(chǔ)邏輯狀態(tài)的“0”或“ 1 ”。設(shè)計(jì)者應(yīng)用一簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，例如一單端電路(反相器)檢測(cè)只讀存儲(chǔ)器單元里的數(shù)據(jù)狀態(tài)。如果在一個(gè)讀取周期內(nèi)，只讀存儲(chǔ)器單元的位元線有一可識(shí)別的壓降(例如一個(gè)較初始狀態(tài)低的電壓)，即代表一邏輯狀態(tài)“1”。當(dāng)只讀存儲(chǔ)器單元的位元線保持在與初始狀態(tài)差不多的較高電壓，即代表一邏輯狀態(tài)“0”。設(shè)計(jì)者可切換“0”以及“1”的定義。無(wú)論如何，驅(qū)動(dòng)電流、漏電流、穩(wěn)定性以及存儲(chǔ)單元的位元線的總?cè)葜?，決定了高低電壓之間的壓差。如何改善上述影響壓差的因素為關(guān)系未來(lái)尺寸的挑戰(zhàn)。對(duì)于元件的驅(qū)動(dòng)電流、漏電流以及穩(wěn)定度的改善，一鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET) 應(yīng)用于只讀存儲(chǔ)器單元的元件中最佳的選擇。這是因?yàn)轹捠綀?chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)外加的側(cè)壁元件寬度(用以改善離子的表現(xiàn))，以及對(duì)于臨界電壓漏電流和匹配表現(xiàn)兩者的較佳的短溝道控制。總而言之，當(dāng)技術(shù)跨越到更高的封裝密度的新工藝時(shí)代，元件的效能以及可靠度為其中的關(guān)鍵。因此只讀存儲(chǔ)器單元需要一個(gè)新的結(jié)構(gòu)與方法，用以滿足和改善在高階單元應(yīng)用中的問(wèn)題和多個(gè)鰭式單元的尺寸。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種只讀存儲(chǔ)器單元陣列，包括多個(gè)鰭式有源區(qū)、多個(gè)柵極以及多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元。鰭式有源區(qū)形成于半導(dǎo)體基板上，沿著第一方向延伸。柵極形成于鰭式有源區(qū)，沿著第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向。只讀存儲(chǔ)器單元由鰭式有源區(qū)以及柵極形成，并且編碼只讀存儲(chǔ)器單元，使得只讀存儲(chǔ)器單元的第一子集中每一個(gè)具有源極電性連接至較低電源供應(yīng)線以及只讀存儲(chǔ)器單元第二子集中每一個(gè)具有電性絕緣的源極。第一子集的每一只讀存儲(chǔ)器單元，包括漏極接觸墊具有第一接觸墊區(qū)域，以及源極接觸墊具有第二接觸墊區(qū)域，第二接觸墊區(qū)域至少大于第一接觸墊區(qū)域百分之三十。本發(fā)明另提供一種只讀存儲(chǔ)器單元陣列，包括多個(gè)鰭式有源區(qū)、多個(gè)柵極以及多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元。鰭式有源區(qū)，形成于一半導(dǎo)體基板上并且位于一第一方向。柵極，形成于鰭式有源區(qū)并且位于一第二方向，第二方向垂直于第一方向。只讀存儲(chǔ)器單元，用以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，由鰭式有源區(qū)以及柵極形成，編碼多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元，使得只讀存儲(chǔ)器單元的一第一子集中的每一個(gè)具有一源極電性連接至一較低電源供應(yīng)線以及只讀存儲(chǔ)器單元的一第二子集中的每一個(gè)具有電性絕緣的一源極，每一只讀存儲(chǔ)器單元包括至少兩個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，分別形成于鰭式有源區(qū)以及分別位于鰭式有源區(qū)與柵極的交會(huì)點(diǎn)，其中每一只讀存儲(chǔ)器單元包括一第一間距位于兩個(gè)相鄰的只讀存儲(chǔ)器單元內(nèi)的鰭式有源區(qū)之間，以及一第二間距位于兩個(gè)相鄰的只讀存儲(chǔ)器單元間的鰭式有源區(qū)之間，第一及第二間距之間具有一間距比例，間距比例大于1. 5。每一鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括一柵極電性連接至一字元線， 以及一源極電性連接至一位元線。本發(fā)明另提供一種只讀存儲(chǔ)器單元陣列，包括多個(gè)鰭式有源區(qū)、多個(gè)柵極、多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元以及至少兩個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。鰭式有源區(qū)，形成于一半導(dǎo)體基板上并且位于一第一方向。柵極，形成于鰭式有源區(qū)并且位于一第二方向，第二方向垂直于第一方向。只讀存儲(chǔ)器單元，用以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，由鰭式有源區(qū)以及柵極形成，編碼多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元，使得只讀存儲(chǔ)器單元的一第一子集中的每一個(gè)具有一源極電性連接至一較低電源供應(yīng)線以及只讀存儲(chǔ)器單元的一第二子集中的每一個(gè)具有電性絕緣的一源極。每一只讀存儲(chǔ)器單元包括一第一間距位于兩個(gè)相鄰的只讀存儲(chǔ)器單元內(nèi)的鰭式有源區(qū)之間，以及一第二間距位于兩個(gè)相鄰的只讀存儲(chǔ)器單元間的鰭式有源區(qū)之間，第一及第二間距之間具有一間距比例，其間距比例大于1.5。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，分別形成于鰭式有源區(qū)以及分別位于鰭式有源區(qū)與柵極的交會(huì)點(diǎn)，其中至少兩個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的兩個(gè)漏極借由形成于硅外延上的一硅化物結(jié)構(gòu)而彼此電性連接。本發(fā)明可降低接觸墊阻抗以及改善良率。


本發(fā)明能夠以實(shí)施例伴隨所附附圖而被理解，所附附圖也為實(shí)施例的一部分。公知本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)能知悉本發(fā)明專(zhuān)利保護(hù)范圍應(yīng)被寬廣地認(rèn)定以涵括本發(fā)明的實(shí)施例及其變型，其中圖1為本發(fā)明實(shí)施例的一種只讀存儲(chǔ)器單元陣列的圖示。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的一種只讀存儲(chǔ)器單元的圖示。圖3、圖4為本發(fā)明實(shí)施例的一種兩個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元的圖示。圖5-圖8為本發(fā)明實(shí)施例的一種只讀存儲(chǔ)器單元陣列的俯視圖。圖9為本發(fā)明實(shí)施例的一種兩個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元陣列的俯視圖。圖10為本發(fā)明實(shí)施例的一種兩個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元陣列的部分圖示。其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下50、70、80、100、120 只讀存儲(chǔ)器單元陣列52、72、74 只讀存儲(chǔ)器單元54J4a-d、86 較低電源供應(yīng)線56、56a_d 字元線58、58a_d 位元線60 單元范圍62 第一接觸墊
64 第二接觸墊75a-d,84a-b 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管76、116 介質(zhì)孔82、巧4 絕緣結(jié)構(gòu)N、N+l、N+2、N+3 行Χ、Χ+1、Χ+2、Χ+3 列102、122、156、158、159 鰭式有源區(qū)104 柵極106 虛擬柵極Sl 第一間距S2 第二間距108 漏極接觸墊110 源極接觸墊112、lUa-d、113、118a-g 金屬線124 絕緣柵極150 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)152 半導(dǎo)體基板160 柵極介電層162 柵極電極164 第一區(qū)域166 第二區(qū)域X 第二方向Y 第一方向
具體實(shí)施例方式以下將詳細(xì)討論本發(fā)明各種實(shí)施例的制造及使用方法。然而值得注意的是，本發(fā)明所提供的許多可行的發(fā)明概念可實(shí)施在各種特定范圍中。這些特定實(shí)施例僅用于舉例說(shuō)明本發(fā)明的制造及使用方法，但非用于限定本發(fā)明的范圍。對(duì)于高速應(yīng)用，本發(fā)明使用多鰭改善只讀存儲(chǔ)器ROM單元的電流以及元件匹配性。本發(fā)明揭示一多種間距的鰭式(multiple-space fin)結(jié)構(gòu)用以縮小單元面積。前述多種間距的鰭式結(jié)構(gòu)在單元內(nèi)具有一較小的鰭間距，而在相鄰單元間具有一較大的鰭間距。 較小的鰭式間距應(yīng)用一硅化物層的硅外延達(dá)成單元內(nèi)源極間或漏極間的連接關(guān)系。為了降低位元線的容值，本發(fā)明使用源極端與不對(duì)稱(chēng)接觸墊(或是介質(zhì)孔)結(jié)構(gòu)編碼，用以降低編碼端的容值、接觸墊阻值以及增加編碼端的穩(wěn)定性。溝道元件的漏極端使用一正方形(或正圓形)單端接觸墊當(dāng)作位元線至溝道元件的連接路徑。但溝道元件的源極端使用較長(zhǎng)的接觸墊形狀，用以降低接觸墊阻抗以及改善良率。如圖1所示的一只讀存儲(chǔ)器單元陣列50，包括多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元52用以組成一 2維陣列。在一實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元陣列50包括四列(Χ、Χ+1、Χ+2和X+3)以及四行 (Ν、Ν+1、Ν+2和N+3)。只讀存儲(chǔ)器單元52由多個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFETs)構(gòu)成。在本發(fā)明揭示的一實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元52為多個(gè)掩模式只讀存儲(chǔ)器單元。在另一實(shí)施例中，一個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元包括多于一個(gè)的晶體管。在一實(shí)施例中，每一鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管為一溝道元件。公知的只讀存儲(chǔ)器技術(shù)中，每一只讀存儲(chǔ)器單元只有一個(gè)晶體管。在另一實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元52利用多個(gè)N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管以獲得高載流子移動(dòng)率的元件效能。只讀存儲(chǔ)器單元陣列50包括多種互連結(jié)構(gòu)，用以構(gòu)成有用的多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元，以便進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與提取。各種的互連結(jié)構(gòu)包括垂直互連的接觸墊和介質(zhì)孔，以及水平互連的金屬線。在一實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元陣列50包括多個(gè)較低電源供應(yīng)線(Vss)M 用以連接只讀存儲(chǔ)器單元52中晶體管的源極，較低電源供應(yīng)線M作為只讀存儲(chǔ)器單元的供應(yīng)電壓(例如接地)。只讀存儲(chǔ)器單元陣列50也包括多個(gè)字元線56a、56b、56c以及56d 用以連接只讀存儲(chǔ)器單元52中晶體管的柵極，例如字元線56a、56b、56c以及56d分別連接至N、N+UN+2和N+3行的只讀存儲(chǔ)器單元。只讀存儲(chǔ)器單元陣列50也包括多個(gè)位元線 58a.58b.58c以及58d用以連接只讀存儲(chǔ)器單元52中晶體管的漏極，例如位元線58a、58b、 58c以及58d分別連接至Χ、Χ+1、Χ+2和X+3列的只讀存儲(chǔ)器單元。多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元可根據(jù)不同的應(yīng)用制作出不同的邏輯狀態(tài)“0”以及“1”。每一只讀存儲(chǔ)器單元陣列50的只讀存儲(chǔ)器單元包括不對(duì)稱(chēng)的接觸墊以及不同的間距，進(jìn)一步的說(shuō)明可參考圖2。圖2為本發(fā)明的只讀存儲(chǔ)器單元的一實(shí)施例，其中只讀存儲(chǔ)器單元52的單元范圍 (cell boundary) 60為虛線所示的范圍。只讀存儲(chǔ)器單元52包括平行設(shè)置的多個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。上述多個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管由多個(gè)鰭式有源區(qū)所組成。如圖2所示，平行設(shè)置的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有電性連接的多個(gè)源極、電性連接的多個(gè)漏極以及電性連接的多個(gè)柵極。本實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元52包括兩個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，如兩個(gè)N型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(nFinFETs)。具體而言，只讀存儲(chǔ)器單元52中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的兩個(gè)源極彼此電性連接，且耦接至較低電源供應(yīng)線54。只讀存儲(chǔ)器單元52中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的兩個(gè)漏極彼此電性連接，且耦接至位元線58。只讀存儲(chǔ)器單元52還包括一第一接觸墊62用以將只讀存儲(chǔ)器單元52中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極耦接至位元線58，以及一第二接觸墊64用以將只讀存儲(chǔ)器單元52中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極耦接至較低電源供應(yīng)線M。第一以及第二接觸墊為導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)， 用以連接摻雜結(jié)構(gòu)(或柵極)至多個(gè)金屬線。第一接觸墊62以及第二接觸墊64設(shè)計(jì)為不同尺寸。俯視第一接觸墊62以及第二接觸墊64，第一接觸墊62具有一第一接觸墊區(qū)域Al， 而第二接觸墊64具有一第二接觸墊區(qū)域A2，并且第二接觸墊區(qū)域A2的面積大于第一接觸墊區(qū)域Al。在一實(shí)施例中，第二接觸墊區(qū)域A2至少大于第一接觸墊區(qū)域Al百分之三十。 在此實(shí)施例中，第二接觸墊面積與第一接觸墊面積的接觸墊比例即A2/A1大于1. 3。俯視第一接觸墊62以及第二接觸墊64，定義兩個(gè)相互垂直的第一方向Y以及第二方向X。第一接觸墊62包括沿著第二方向X的第一尺寸以及沿著第一方向Y的第二尺寸，第一尺寸以及第二尺寸大致相同。舉例而言，俯視第一接觸墊62以及第二接觸墊64，第一接觸墊62包括沿著第二方向X的第三尺寸以及沿著第一方向Y的第四尺寸，第三尺寸以及第四尺寸不同。特別是第三尺寸(較長(zhǎng)尺寸)大體上大于第四尺寸(較短尺寸)。在一實(shí)施例中，第三尺寸至少大于第四尺寸百分之三十。換句話說(shuō)，第二接觸墊64的較長(zhǎng)尺寸以及較短尺寸之間的比例大于1. 3。例如俯視而言，第二接觸墊64所具有的幾何形狀為一矩形或一橢圓形。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極使用一長(zhǎng)形接觸墊形狀降低接觸墊的阻抗以及改善良率。在另一實(shí)施例中，第二接觸墊64的較長(zhǎng)尺寸以及較短尺寸之間的尺寸比例大于 1.5。接著，在另一實(shí)施例中，第二接觸墊64的較長(zhǎng)尺寸以及較短尺寸之間的尺寸比例大于 2。圖3為本發(fā)明的只讀存儲(chǔ)器單元陣列的另一實(shí)施例。如圖所示，只讀存儲(chǔ)器單元陣列70具有兩個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元，分別為只讀存儲(chǔ)器單元72以及只讀存儲(chǔ)器單元74。只讀存儲(chǔ)器單元72以及只讀存儲(chǔ)器單元74的單元范圍60為虛線所示。在本發(fā)明的實(shí)施例中，不同的只讀存儲(chǔ)器單元被設(shè)計(jì)以及被編碼為不同的邏輯狀態(tài)。在一實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元72用以設(shè)計(jì)為一邏輯狀態(tài)“1”而只讀存儲(chǔ)器單元 74用以設(shè)計(jì)為一邏輯狀態(tài)“0”。只讀存儲(chǔ)器單元72包括平行設(shè)置的多個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在一實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元72包括兩個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，分別為鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75a以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75b。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75a以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75b 分別包括一源極、一漏極以及一柵極。進(jìn)一步而言，只讀存儲(chǔ)器單元72中，鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管7 以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管7 的源極均電性耦接至較低電源供應(yīng)線54。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75a以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75b的漏極均電性耦接至位元線58。只讀存儲(chǔ)器單元72包括一第一接觸墊62耦接鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75a以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75b的漏極至位元線58，以及一第二接觸墊64耦接鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75a以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管7 的源極至較低電源供應(yīng)線M。第一接觸墊62以及第二接觸墊64 設(shè)計(jì)為不同的幾何形狀。俯視第一接觸墊62以及第二接觸墊64，定義兩個(gè)相互垂直的第一方向Y以及第二方向X。鰭式有源區(qū)以沿著第一方向Y為方向。第一接觸墊62包括沿著第二方向X的第一尺寸以及沿著第一方向Y的第二尺寸，第一尺寸以及第二尺寸大致相同， 舉例而言，第一接觸墊62所具有的幾何形狀為一正方形或一正圓形。第二接觸墊64包括沿著第二方向X的第三尺寸以及沿著第一方向Y的第四尺寸，第三尺寸以及第四尺寸不同。 特別是第三尺寸大體上大于第四尺寸。在一實(shí)施例中，第三尺寸至少大于第四尺寸百分之三十。舉例而言，在俯視圖中，第二接觸墊64所具有的幾何形狀為一矩形或一橢圓形。只讀存儲(chǔ)器單元74包括平行設(shè)置的多個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在一實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元74包括兩個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，分別為鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75c以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75d。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75c以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75d分別包括一源極、一漏極以及一柵極。進(jìn)一步而言，只讀存儲(chǔ)器單元72中，鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75c以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75d的源極彼此電性絕緣，并且與較低電源供應(yīng)線M斷路。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75c 以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75d的柵極均電性耦接至字元線56。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75c以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75d的漏極均電性耦接至位元線58。在上述的狀態(tài)下，只讀存儲(chǔ)器單元 72被編碼為邏輯狀態(tài)“1”，而只讀存儲(chǔ)器單元74被編碼為邏輯狀態(tài)“0”。由上述可知只讀存儲(chǔ)器單元74源極不具有接觸墊，即無(wú)耦接至電源。只讀存儲(chǔ)器單元陣列70還包括多個(gè)介質(zhì)孔76用以耦接至位元線58以及多個(gè)漏極。介質(zhì)孔76是垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)用以耦接不同的金屬層。在此例中，較低電源供應(yīng)線M以及字元線56形成于一第一金屬層中，并且以一方向(例如第二方向X)為延伸方向，以及位元線58形成于一第二金屬層中并且以另一方向(例如第一方向Y)為延伸方向。在一實(shí)施例中，第二金屬層在第一金屬層上方。因此，鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75a、75b、75c以及75d的漏極可經(jīng)由介質(zhì)孔76耦接至位元線58。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75a、75b、75c以及75d的漏極形成于不同的鰭式有源區(qū)上。在一實(shí)施例中，多個(gè)鰭式有源區(qū)以第一方向Y為延伸方向。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75a以及75b 形成于只讀存儲(chǔ)器單元72中平行設(shè)置的兩個(gè)鰭式有源區(qū)上。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75c以及 75d形成于只讀存儲(chǔ)器單元74中平行設(shè)置的兩個(gè)鰭式有源區(qū)上。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管7 及 75b所相關(guān)的兩個(gè)鰭式有源區(qū)與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75c及75d所相關(guān)的兩個(gè)鰭式有源區(qū)是相分離的。圖4為本發(fā)明的只讀存儲(chǔ)器單元陣列的另一實(shí)施例。如圖所示，只讀存儲(chǔ)器單元陣列80具有兩個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元，分別為只讀存儲(chǔ)器單元72以及只讀存儲(chǔ)器單元74。只讀存儲(chǔ)器單元陣列80相似于圖3的只讀存儲(chǔ)器單元陣列70。舉例而言，不同的只讀存儲(chǔ)器單元被設(shè)計(jì)以及被編碼為不同的邏輯狀態(tài)。在此實(shí)施例中，相似于只讀存儲(chǔ)器單元陣列70， 只讀存儲(chǔ)器單元72被編碼為邏輯狀態(tài)“1”，而只讀存儲(chǔ)器單元74被編碼為邏輯狀態(tài)“0”。 只讀存儲(chǔ)器單元72以及只讀存儲(chǔ)器單元74的說(shuō)明可參考上述圖3的敘述。只讀存儲(chǔ)器單元陣列80不同于只讀存儲(chǔ)器單元陣列70之處如下所述。舉例而言，只讀存儲(chǔ)器單元陣列80包括一絕緣結(jié)構(gòu)82以及其它特色結(jié)構(gòu)，如下所述。絕緣結(jié)構(gòu)82 包括一個(gè)或多個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管介于包括鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管7 以及7 的只讀存儲(chǔ)器單元72和包括鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75c以及75d的只讀存儲(chǔ)器單元74之間，用以隔絕只讀存儲(chǔ)器單元72以及74。在一實(shí)施例中，絕緣結(jié)構(gòu)82包括兩個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管84a以及 84b。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管84a以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管84b分別包括一源極、一漏極以及一柵極。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管84a以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管84b的柵極均電性耦接至接地。舉例而言，鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管84a以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管84b的柵極均電性耦接至較低電源供應(yīng)線86。只讀存儲(chǔ)器單元陣列80包括一個(gè)或多個(gè)長(zhǎng)型鰭式有源區(qū)自第一只讀存儲(chǔ)器單元 72沿著第一方向Y延伸至第二只讀存儲(chǔ)器單元74。在一實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元陣列80 包括第一長(zhǎng)型鰭式有源區(qū)以及第二長(zhǎng)型鰭式有源區(qū)(無(wú)圖示)。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75a、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75c以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管8 形成于第一長(zhǎng)型鰭式有源區(qū)。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管8 將鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75a以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75c彼此隔絕。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75b、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75d以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管84b形成于第二長(zhǎng)型鰭式有源區(qū)。 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管84b將鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75b以及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管75d彼此隔絕。圖5-圖8為本發(fā)明中只讀存儲(chǔ)器單元陣列在不同狀態(tài)下的俯視圖。在一實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元陣列100是只讀存儲(chǔ)器單元陣列50的俯視圖。只讀存儲(chǔ)器單元陣列 100包括多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元，用以當(dāng)作一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及提取的陣列。在一實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元陣列100中由四行四列總共16個(gè)的多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元構(gòu)成。其中四行分別為“Ν”、“Ν+1”、“Ν+2” 以及“Ν+3”，四列分別為“Χ”、“Χ+1”、“Χ+2” 以及“Χ+3”?！癗” 以及“X” 可為適當(dāng)?shù)恼麛?shù)。因此，只讀存儲(chǔ)器單元陣列100可為另一只讀存儲(chǔ)器單元陣列的一子集。 舉例而言，一只讀存儲(chǔ)器單元52具有一單元范圍60。每一只讀存儲(chǔ)器單元包括多個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，例如多個(gè)N型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在此實(shí)施例中，每一只讀存儲(chǔ)器單元包括兩個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。只讀存儲(chǔ)器單元陣列100包括多個(gè)鰭式有源區(qū)102。每一只讀存儲(chǔ)器單元包括兩個(gè)或多個(gè)鰭式有源區(qū)，全部或部分位于只讀存儲(chǔ)器單元中，用以形成兩個(gè)或多個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。鰭式有源區(qū)全部或部分位于一只讀存儲(chǔ)器單元可視為單元內(nèi)鰭式有源區(qū)。相對(duì)地，位于不同的只讀存儲(chǔ)器單元的兩個(gè)相鄰鰭式有源區(qū)可視為單元間鰭式有源區(qū)。在一實(shí)施例中，單元內(nèi)鰭式有源區(qū)沿著平行方向構(gòu)成。在本發(fā)明的實(shí)施例中，單元內(nèi)鰭式有源區(qū)可跨越一只讀存儲(chǔ)器單元或者延伸至相鄰的只讀存儲(chǔ)器單元。在此實(shí)施例中，每一只讀存儲(chǔ)器單元(例如只讀存儲(chǔ)器單元5 包括兩個(gè)鰭式有源區(qū)102，用以形成兩個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管于每一只讀存儲(chǔ)器單元中。兩個(gè)單元內(nèi)鰭式有源區(qū)穿越兩個(gè)相鄰的只讀存儲(chǔ)器單元沿著第一方向Y延伸，如圖5所示。兩個(gè)不同的間距沿著第一方向Y構(gòu)成鰭式有源區(qū)102，上述間距可視為兩個(gè)相鄰鰭式有源區(qū)的一距離，且沿著一與鰭式有源區(qū)延伸方向垂直的方向延伸。在此例中，上述間距是兩個(gè)相鄰鰭式有源區(qū)之間在第二方向X上的距離。單元內(nèi)鰭式有源區(qū)包括一第一間距Si，單元間鰭式有源區(qū)包括一第二間距S2。第二間距S2實(shí)際上大于第一間距Si。在一實(shí)施例中，第二間距S2與第一間距Sl的間距比例大于1.5。只讀存儲(chǔ)器陣列100包括多個(gè)柵極104形成于多個(gè)鰭式有源區(qū)102上，用以構(gòu)成多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元。只讀存儲(chǔ)器陣列100的多個(gè)柵極104在與鰭式有源區(qū)102垂直的方向上平行延伸。在此實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元陣列100的多個(gè)柵極104平行延伸于第二方向X上。每一柵極可延伸至多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元上。舉例而言，每一柵極104延伸穿過(guò)四列只讀存儲(chǔ)器單元。在一實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元陣列100還包括虛擬柵極106位于絕緣結(jié)構(gòu)上，用以統(tǒng)一模式、加速制造以及/或改善元件性能。虛擬柵極106沿著具有功能的柵極104相同的方向延伸。具有功能的柵極104以及虛擬柵極106各包括一柵極介電層以及位于柵極介電層中的一柵極電極。在一實(shí)施例中，柵極介電層包括氧化硅，而柵極電極包括多晶硅摻雜。在另一實(shí)施例中，柵極介電層包括一高介電系數(shù)材料層的金屬層(稱(chēng)之為高介電系數(shù)金屬層)，而柵極電極包括一金屬。柵極介電層還可包括一介面層，例如氧化硅層。柵極電極還可包括一金屬或金屬合金層對(duì)于各鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(例如N型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)具有適當(dāng)?shù)墓δ?，使得鰭式?chǎng)效應(yīng)晶體管具有一最小臨界電壓且改善元件性能。具有高介電系數(shù)金屬層與金屬層的柵極可經(jīng)由一柵極取代工藝所形成。如圖6所示，只讀存儲(chǔ)器單元陣列100還包括多種接觸墊形成于多種只讀存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)上。在一實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元陣列100包括多個(gè)漏極接觸墊108落于漏極上，以及多個(gè)源極接觸墊110落于源極上。漏極接觸墊108以及源極接觸墊110為不同尺寸以及 /或形狀。漏極接觸墊108具有一第一接觸墊區(qū)域Al，源極接觸墊110具有一第二接觸墊區(qū)域A2，且第二接觸墊區(qū)域A2大于第一接觸墊區(qū)域Al。在一實(shí)施例中，第二接觸墊區(qū)域A2 至少大于第一接觸墊區(qū)域Al百分之三十。如上述實(shí)施例，第二接觸墊區(qū)域A2與第一接觸墊區(qū)域Al的接觸墊比例(即A2/A1)大于1. 3。漏極接觸墊108相似于圖2的第一接觸墊62，而源極接觸墊110相似于圖2的第二接觸墊64。俯視圖中，漏極接觸墊108包括一第一尺寸延伸于在柵極方向(第二方向X) 以及一第二尺寸延伸于鰭式有源區(qū)方向(第一方向Y)。第一以及第二尺寸實(shí)際上是相同的。換句話說(shuō)，漏極接觸墊108具有一對(duì)稱(chēng)的幾何形狀在第一方向Y以及第二方向X上。 舉例而言，在俯視圖中的漏極接觸墊108包括一正方形的幾何形狀。在另一例中，俯視圖中的漏極接觸墊108也包括一正圓形的幾何形狀。在俯視圖中，源極接觸墊110包括一第三尺寸跨越在柵極方向(第二方向X)上，以及一第四尺寸跨越在鰭式有源區(qū)方向(第一方向 Y)上。第三以及第四尺寸的大小不同。進(jìn)一步而言，第三尺寸實(shí)際上大于第四尺寸。換句話說(shuō)，源極接觸墊110具有一非對(duì)稱(chēng)的幾何形狀在第一方向Y以及第二方向X上。舉例來(lái)說(shuō)，俯視圖中的源極接觸墊110為一矩形。在另一例中，俯視圖中的源極接觸墊110為一橢圓形。在一實(shí)施例中，第三尺寸以及第四尺寸的尺寸比例大于1.5。只讀存儲(chǔ)器單元由源極接觸墊編碼為邏輯狀態(tài)“1”，或不具有源極接觸墊則編碼為邏輯狀態(tài)“0”。因此，只讀存儲(chǔ)器單元陣列100中一只讀存儲(chǔ)器單元的一子集根據(jù)編碼源極而包括編碼的多個(gè)源極接觸墊110。因此，接觸墊的形狀或接觸墊的掩模是根據(jù)特定只讀存儲(chǔ)器的源極編碼而特別設(shè)計(jì)的。例如圖6所示，借由源極接觸墊110，X列N行的只讀存儲(chǔ)器單元被編碼為邏輯狀態(tài)“ 1 ”，并且借由沒(méi)有接觸墊的源極，X列N+3行的只讀存儲(chǔ)器單元被編碼為邏輯狀態(tài)“0”。因此，只讀存儲(chǔ)器單元陣列100的編碼借由一接觸層定義多個(gè)源極接觸墊110，使得對(duì)應(yīng)的只讀存儲(chǔ)器單元被編碼為邏輯狀態(tài)“1”以及其余的只讀存儲(chǔ)器單元?jiǎng)t被編碼為邏輯狀態(tài)“0”。此外，接觸墊光掩模根據(jù)特定只讀存儲(chǔ)器的源極編碼而特別設(shè)計(jì)的。其余的光掩模形狀為一般的設(shè)計(jì)。此外，一只讀存儲(chǔ)器單元中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極彼此電性連接，以及一只讀存儲(chǔ)器單元中鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極也彼此電性連接。在一實(shí)施例中，多個(gè)單元內(nèi)接觸可借由本身的硅化物結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。更進(jìn)一步的實(shí)施例中，半導(dǎo)體基板包括硅晶，以及硅化物形成于源極(以及/或漏極)上用以降低接觸阻抗。若一硅外延形成于源極(以及/或漏極) 上，當(dāng)較短的第一間距Sl設(shè)置在兩個(gè)相鄰的鰭式有源區(qū)之間與一只讀存儲(chǔ)器單元內(nèi)，在只讀存儲(chǔ)器單元中的源極(以及/或漏極)將合并在一起。因此，一連續(xù)的硅化物結(jié)構(gòu)形成于單元內(nèi)的源極(以及/或漏極)上。在一實(shí)施例中，接觸墊結(jié)構(gòu)由下述的程序形成，其程序包括沉積一外延層、蝕刻外延層用以形成接觸墊孔，以及用一金屬(例如鎢、鋁或銅)填入接觸墊孔。依舊參考圖6，只讀存儲(chǔ)器單元陣列100還包括多個(gè)金屬線形成于一第一金屬層中，并分別耦接至接觸墊。在此實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元陣列100包括平行設(shè)置的多個(gè)金屬線llh、112b、112c以及112d，并且沿著一方向(例如平行于柵極的第二方向X)延伸。 更具體而言，金屬線11 至112d為較低電源供應(yīng)線，且直接連接至源極接觸墊110。具有邏輯狀態(tài)“1”的只讀存儲(chǔ)器單元的源極經(jīng)由對(duì)應(yīng)的源極接觸墊110以及金屬線112電性耦接至較低電源供應(yīng)線。只讀存儲(chǔ)器單元陣列100也包括金屬線113連接至漏極接觸墊108。 金屬線113可形成于第一金屬層內(nèi)。在一實(shí)施例中，金屬層內(nèi)的金屬線由一金屬鑲嵌工藝所制造，例如一單金屬鑲嵌工藝或一雙金屬鑲嵌工藝。當(dāng)使用金屬鑲嵌工藝時(shí)，金屬線11 到112b以及113其材料為銅，或者金屬線11 到112b以及113其材料為鋁，例如借由金屬沉淀以及金屬層圖案所形成的鋁銅合金。如圖7所示，只讀存儲(chǔ)器單元陣列100包括多個(gè)介質(zhì)孔116，用以連接第一金屬層內(nèi)的多個(gè)金屬線。介質(zhì)孔116可借由一金屬鑲嵌工藝形成。舉例而言，介質(zhì)孔116借由一單金屬鑲嵌工藝形成。在另一例中，介質(zhì)孔116借由一雙金屬鑲嵌工藝形成，其中同時(shí)形成介質(zhì)孔以及覆蓋金屬線。每一介質(zhì)孔116分別落于第一金屬層內(nèi)的金屬線上。如圖8所示，只讀存儲(chǔ)器單元陣列100包括多個(gè)金屬線118a到118g，用以連接多個(gè)介質(zhì)孔116金屬線118a到118g形成于一第二金屬層，第二金屬層位于第一金屬層之上，并且經(jīng)由介質(zhì)孔116耦接至第一金屬層。金屬線118a到118g可借由相似于金屬線11 至112d的結(jié)構(gòu)以及成分的一金屬鑲嵌工藝所形成。在一例子中，金屬線118a為一較低電源供應(yīng)線，并且分別經(jīng)由介質(zhì)孔116耦接至金屬線11 至112d。在本實(shí)施例中，每一只讀存儲(chǔ)器單元包括沿著正交方向延伸、形成在不同的金屬層內(nèi)且彼此電性耦接的兩條低電源供應(yīng)線。在另一實(shí)施例中，金屬線118b為一位元線，并且經(jīng)由對(duì)應(yīng)的介質(zhì)孔116耦接至只讀存儲(chǔ)器單元的漏極、第一金屬層的金屬線Il3以及漏極接觸墊108。圖9為本發(fā)明中只讀存儲(chǔ)器單元陣列的另一實(shí)施例的俯視圖。只讀存儲(chǔ)器單元陣列120為本發(fā)明的只讀存儲(chǔ)器單元陣列50的俯視圖。只讀存儲(chǔ)器單元陣列120包括多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元用以構(gòu)成陣列以及存儲(chǔ)和提取數(shù)據(jù)。在本實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元陣列 120的只讀存儲(chǔ)器單元由四行四列總共16個(gè)的多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元構(gòu)成。其中四行分別為 “Ν”、“Ν+1”、“Ν+2” 以及“Ν+3”，四列分別為“Χ”、“Χ+1”、“Χ+2” 以及“Χ+3”?！癗” 以及“X”可為適當(dāng)?shù)恼麛?shù)。因此只讀存儲(chǔ)器單元陣列120可為另一只讀存儲(chǔ)器單元陣列的一子集。舉例而言，一只讀存儲(chǔ)器單元52具有一單元范圍60。每一只讀存儲(chǔ)器單元包括多個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，例如多個(gè)N型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。只讀存儲(chǔ)器單元陣列120相似于圖8所示的只讀存儲(chǔ)器單元陣列100，除了以下的討論為只讀存儲(chǔ)器單元陣列120與只讀存儲(chǔ)器單元陣列100的不同處。只讀存儲(chǔ)器單元陣列120包括多個(gè)鰭式有源區(qū)122。每一只讀存儲(chǔ)器單元包括兩個(gè)或多個(gè)鰭式有源區(qū)，全部或部分位于只讀存儲(chǔ)器單元，用以分別形成兩個(gè)或多個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管于只讀存儲(chǔ)器單元中。鰭式有源區(qū)122穿過(guò)多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元沿著鰭式方向 (第一方向Y)延伸。在本實(shí)施例中，鰭式有源區(qū)122穿過(guò)四個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元沿著第一方向Y延伸，因此可視為連續(xù)鰭式有源區(qū)(或是長(zhǎng)形鰭式有源區(qū))。對(duì)照?qǐng)D8的鰭式有源區(qū) 102可是為短鰭式有源區(qū)(短形鰭式有源區(qū))。單元內(nèi)鰭式有源區(qū)122沿著一平行方向構(gòu)成。在此實(shí)施例中，每一只讀存儲(chǔ)器單元(例如只讀存儲(chǔ)器單元52)包括兩個(gè)鰭式有源區(qū)122，形成兩個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管于每一只讀存儲(chǔ)器單元中。鰭式有源區(qū)122沿著第一方向Y，并且具有兩個(gè)不同的間距。一間距可視為兩個(gè)相鄰鰭式有源區(qū)122的一距離，且沿著一第二方向X延伸。單元內(nèi)鰭式有源區(qū)包括一第一間距Si，單元間鰭式有源區(qū)包括一第二間距S2。第二間距S2實(shí)際上大于第一間距Si。只讀存儲(chǔ)器單元陣列120包括多個(gè)柵極104，形成于多個(gè)鰭式有源區(qū)122上，用以構(gòu)成多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元。只讀存儲(chǔ)器單元陣列120的多個(gè)柵極104在與鰭式有源區(qū)122 垂直的方向上平行延伸。在此實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元陣列100的多個(gè)柵極104平行延伸于第二方向X上。每一柵極可延伸至多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元上。舉例而言，每一柵極104 穿過(guò)只讀存儲(chǔ)器單元的四列延伸。只讀存儲(chǔ)器單元陣列120還包括虛擬柵極106位于絕緣結(jié)構(gòu)內(nèi)，用以統(tǒng)一模式、加速制造以及/或改善元件性能。虛擬柵極106沿著具有功能的柵極104相同的方向延伸。只讀存儲(chǔ)器單元陣列120包括一個(gè)或多個(gè)絕緣柵極IM位于連續(xù)的鰭式有源區(qū) 122之上，作為絕緣之用。本實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器單元陣列120包括一絕緣柵極IM沿著與鰭式有源區(qū)122垂直的方向延伸，并且絕緣柵極IM位于連續(xù)鰭式有源區(qū)122的上方，用以形成多個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(也可視為絕緣元件)，每一絕緣柵極1 與一連續(xù)鰭式有源區(qū)122相關(guān)。進(jìn)一步的實(shí)施例中，絕緣柵極IM用以耦接至一接地電位，所以對(duì)應(yīng)的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管因電性絕緣而偏向截止?fàn)顟B(tài)。因此，對(duì)應(yīng)的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管也可視為絕緣元件。每一具有功能的柵極104、虛擬柵極106以及絕緣柵極IM包括一柵極介電層以及位于柵極介電層上的一柵極電極。在一實(shí)施例中，柵極介電層包括氧化硅，而柵極電極包括多晶硅摻雜。在另一實(shí)施例中，柵極介電層為一高介電系數(shù)金屬層以及柵極電極為一金屬。 柵極介電層還可為一介面層，例如氧化硅層。柵極電極還可為一金屬或金屬合金層對(duì)于各鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(例如N型鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)具有適當(dāng)?shù)墓δ?，使得鰭式?chǎng)效應(yīng)晶體管具有一最小臨界電壓且改善元件性能。柵極為一高介電系數(shù)金屬層以及一金屬層，經(jīng)由柵極取代工藝形成。只讀存儲(chǔ)器單元陣列120包括多個(gè)漏極接觸墊108落于漏極上，以及源極接觸墊 110落于源極上。漏極接觸墊108相似于圖2的第一接觸墊62，以及源極接觸墊110相似于圖2的第二接觸墊64。漏極接觸墊108以及源極接觸墊110為不同的尺寸以及/或幾何形狀。漏極接觸墊具有一第一接觸墊區(qū)域Al，以及源極接觸墊110具有一第二接觸墊區(qū)域 A2，且第二接觸墊區(qū)域A2大于第一接觸墊區(qū)域Al。在一實(shí)施例中，第二接觸墊區(qū)域A2至少大于第一接觸墊區(qū)域Al百分之三十。如上述實(shí)施例，第二接觸墊區(qū)域A2與第一接觸墊區(qū)域Al的接觸墊比例(即A2/A1)大于1. 3。圖10為本發(fā)明中的一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖，此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為只讀存儲(chǔ)器單元陣列的一部分。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)150包括一半導(dǎo)體基板152。半導(dǎo)體基板152包括硅晶，或者包括鍺、硅化鍺或其他適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體材料。半導(dǎo)體基板152包括多個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)154，例如淺凹溝絕緣(STI)，形成于基板上用以分隔各種元件。半導(dǎo)體基板152也包括多個(gè)摻雜區(qū)，例如N 阱區(qū)以及P阱區(qū)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)150包括多個(gè)鰭式有源區(qū)156、158以及159。鰭式有源區(qū)156、158以及159沿著平行方向延伸。上述鰭式有源區(qū)以及淺凹溝絕緣(STI)結(jié)構(gòu)可依一工藝順序所形成，包括首先在半導(dǎo)體基板152上形成溝槽以及將介電材料填入部分溝槽，或者將介電材料填入全部溝槽。然后，進(jìn)行一拋光工藝，例如化學(xué)機(jī)械拋光工藝(CMP)，用以移除多余的介電材料以及磨平表面。其后用一選擇性蝕刻(例如氫氟酸濕蝕刻)移除部分形成的淺凹溝絕緣(STI)形成鰭式有源區(qū)。具體而言，工藝順序包括在半導(dǎo)體基板152上蝕刻溝槽以及將一個(gè)或多個(gè)介電材料填入溝槽中，上述介電材料例如氧化硅、氮化硅或其他化合物。已填入介電材料的溝槽可具有一多層結(jié)構(gòu)，例如一熱氧化襯墊層和氮化硅均填入溝槽中。再進(jìn)一步的本實(shí)施例中，淺凹溝絕緣(STI)結(jié)構(gòu)由以下工藝順序所形成，例如長(zhǎng)(形成)一墊氧化層、形成一低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)氮化物層、利用光致抗蝕劑以及掩模形成淺凹溝絕緣(STI)形狀、在基板上蝕刻一溝槽、選擇性地長(zhǎng)一熱氧化溝槽襯墊以改善溝槽介面、 將化學(xué)氣相沉積氧化物填入溝槽、用化學(xué)機(jī)械拋光工藝(CMP)反蝕刻，以及利用氮化物剝除技術(shù)去除淺凹溝絕緣(STI)結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體基板152也包括多個(gè)P阱區(qū)形成于多個(gè)鰭式有源區(qū)上。接著，進(jìn)一步于鰭式有源區(qū)之上形成多個(gè)柵極。一柵極結(jié)構(gòu)為一柵極介電層 160(例如氧化硅)以及一柵極電極162(例如多晶硅摻雜)位于柵極介電層160上。在另一實(shí)施例中，為了電路性能以及生產(chǎn)良率，柵極結(jié)構(gòu)可以再加入其他適當(dāng)?shù)牟牧匣蛘哌x擇加入其他適當(dāng)?shù)牟牧?。舉例而言，柵極介電層160可為一高介電系數(shù)的介電金屬層。柵極電極可為了對(duì)應(yīng)的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管為具有適當(dāng)功能的一金屬。由于一柵極堆疊包括高介電系數(shù)的介電材料以及金屬，柵極可借由一后柵極工藝或者一高介電系數(shù)后柵極工藝(一完整后柵極工藝)所形成。在揭示的本實(shí)施例中，半導(dǎo)體基板152包括一第一只讀存儲(chǔ)器單元的一第一區(qū)域 164(圖10中只顯示部分第一只讀存儲(chǔ)器單元)、一第一間距以及第二只讀存儲(chǔ)器單元的一第二區(qū)域166。特別式單元內(nèi)鰭式有源區(qū)包括一第一間距Sl以及單元間鰭式有源區(qū)包括一第二間距S2。第二間距S2實(shí)際上大于第一間距Si。在另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體基板152具有嵌入的一柵極介電層(無(wú)圖示)用以作絕緣之用，可視為半導(dǎo)體絕緣體(SOI)。上述半導(dǎo)體絕緣體結(jié)構(gòu)借由一適當(dāng)?shù)募夹g(shù)形成，例如氧注入隔離(SIMOX)或結(jié)合晶片至半導(dǎo)體材料內(nèi)的介電層。舉例而言，介電層可為氧化硅。在另一實(shí)施例中，鰭式有源區(qū)包括外延結(jié)構(gòu)形成在源極/漏極區(qū)域中。在一實(shí)施例中，外延結(jié)構(gòu)包括一半導(dǎo)體材料，上述半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體基板相同，例如硅晶。在另一實(shí)施例中，外延結(jié)構(gòu)形成在兩個(gè)相鄰單元內(nèi)鰭式有源區(qū)并且由于側(cè)外延生長(zhǎng)以及較短的第一間距Sl而合并。硅化物可形成于合并的外延結(jié)構(gòu)上，用以電性連接兩個(gè)相鄰單元內(nèi)鰭式有源區(qū)的源極(以及/或漏極)。在另一實(shí)施例中，為了應(yīng)變作用外延結(jié)構(gòu)可為不同的半導(dǎo)體材料。在各種實(shí)施例中揭示的只讀存儲(chǔ)器單元陣列滿足了多種先前技術(shù)提到的問(wèn)題。例如采用不對(duì)稱(chēng)接觸墊結(jié)構(gòu)，降低編碼端的位元線容值以及接觸墊阻抗。特別地，溝道元件的漏極端為正方形或是正圓形的單一接觸墊，用以當(dāng)作位元限制溝道元件的接觸路徑。溝道元件的源極端為長(zhǎng)形的接觸墊形狀用以降低接觸墊阻抗以及改善良率。不對(duì)稱(chēng)接觸墊結(jié)構(gòu)提供增強(qiáng)的只讀存儲(chǔ)器單元速度以及縮小只讀存儲(chǔ)器單元尺寸。在另一實(shí)施例中，在不同間距中使用多鰭式，用以降低只讀存儲(chǔ)器尺寸。值得注意的是，多個(gè)鰭式有源區(qū)包括一較小的第一間距Sl在相鄰的鰭式有源區(qū)的單元內(nèi)之間，以及一較大的第二間距S2在相鄰的鰭式有源區(qū)的單元間之間。在另一實(shí)施例中，只讀存儲(chǔ)器電路還包括一帶狀只讀存儲(chǔ)器單元構(gòu)成在兩個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元陣列之間。帶狀只讀存儲(chǔ)器單元包括一第一金屬線耦接至一帶狀柵極以及一第二金屬線耦接至一帶狀阱形區(qū)。由此可知不同的實(shí)施例具有不同的優(yōu)點(diǎn)， 但對(duì)于任何實(shí)施例均無(wú)特別的優(yōu)點(diǎn)要求。
權(quán)利要求
1.一種只讀存儲(chǔ)器單元陣列，包括多個(gè)鰭式有源區(qū)，形成于一半導(dǎo)體基板上，并且沿著一第一方向延伸；多個(gè)柵極，形成于上述鰭式有源區(qū)，并且沿著一第二方向延伸，上述第二方向垂直于上述第一方向；以及多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元，由上述鰭式有源區(qū)以及上述柵極形成，編碼上述只讀存儲(chǔ)器單元，使得上述只讀存儲(chǔ)器單元的一第一子集中的每一個(gè)具有一源極電性連接至一較低電源供應(yīng)線以及上述只讀存儲(chǔ)器單元的一第二子集中的每一個(gè)具有電性絕緣的一源極，其中上述第一子集的每一上述只讀存儲(chǔ)器單元，包括一漏極接觸墊具有一第一接觸墊區(qū)域以及一源極接觸墊具有一第二接觸墊區(qū)域，上述第二接觸墊區(qū)域至少大于上述第一接觸墊區(qū)域百分之三十。
2.如權(quán)利要求1所述的只讀存儲(chǔ)器單元陣列，其中上述源極接觸墊包括一第一尺寸位于上述第一方向以及一第二尺寸位于上述第二方向，上述第二尺寸至少大于上述第一尺寸百分之三十。
3.如權(quán)利要求1所述的只讀存儲(chǔ)器單元陣列，其中每一上述只讀存儲(chǔ)器單元包括多個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的只讀存儲(chǔ)器單元陣列，其中每一上述只讀存儲(chǔ)器單元包括一第一較低電源供應(yīng)線以及一第二較低電源供應(yīng)線，上述第一較低電源供應(yīng)線與上述第二較低電源供應(yīng)線位于互相垂直的方向、形成于不同的金屬層內(nèi)并且彼此電性耦接。
5.一種只讀存儲(chǔ)器單元陣列，包括多個(gè)鰭式有源區(qū)，形成于一半導(dǎo)體基板上并且位于一第一方向；多個(gè)柵極，形成于上述鰭式有源區(qū)并且位于一第二方向，上述第二方向垂直于上述第一方向；以及多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元，用以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，由上述鰭式有源區(qū)以及上述柵極形成，編碼上述多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元，使得上述只讀存儲(chǔ)器單元的一第一子集中的每一個(gè)具有一源極電性連接至一較低電源供應(yīng)線以及上述只讀存儲(chǔ)器單元的一第二子集中的每一個(gè)具有電性絕緣的一源極，每一上述只讀存儲(chǔ)器單元包括至少兩個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，分別形成于上述鰭式有源區(qū)以及分別位于上述鰭式有源區(qū)與上述柵極的交會(huì)點(diǎn)，其中每一上述只讀存儲(chǔ)器單元包括一第一間距位于兩個(gè)相鄰的上述只讀存儲(chǔ)器單元內(nèi)的上述鰭式有源區(qū)之間，以及一第二間距位于兩個(gè)相鄰的上述只讀存儲(chǔ)器單元間的上述鰭式有源區(qū)之間，上述第一及第二間距之間具有一間距比例，上述間距比例大于1. 5 ；并且每一上述鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括一柵極電性連接至一字元線，以及一源極電性連接至一位元線。
6.如權(quán)利要求5所述的只讀存儲(chǔ)器單元陣列，其中上述第一子集的每一上述只讀存儲(chǔ)器單元包括一漏極接觸墊具有一第一接觸墊區(qū)域以及一源極接觸墊具有一第二接觸墊區(qū)域，上述第二接觸墊區(qū)域大于上述第一接觸墊區(qū)域，并且每一只讀存儲(chǔ)器單元包括兩個(gè)漏極借由一硅外延彼此電性連接，以及一硅化物結(jié)構(gòu)形成于上述硅外延上。
7.一種只讀存儲(chǔ)器單元陣列，包括多個(gè)鰭式有源區(qū)，形成于一半導(dǎo)體基板上并且位于一第一方向；多個(gè)柵極，形成于上述鰭式有源區(qū)并且位于一第二方向，上述第二方向垂直于上述第一方向；以及多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元，用以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，由上述鰭式有源區(qū)以及上述柵極形成，編碼上述多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元，使得上述只讀存儲(chǔ)器單元的一第一子集中的每一個(gè)具有一源極電性連接至一較低電源供應(yīng)線以及上述只讀存儲(chǔ)器單元的一第二子集中的每一個(gè)具有電性絕緣的一源極，以及每一上述只讀存儲(chǔ)器單元包括一第一間距位于兩個(gè)相鄰的上述只讀存儲(chǔ)器單元內(nèi)的上述鰭式有源區(qū)之間，以及一第二間距位于兩個(gè)相鄰的上述只讀存儲(chǔ)器單元間的上述鰭式有源區(qū)之間，上述第一及第二間距之間具有一間距比例，上述間距比例大于1. 5 ；以及至少兩個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，分別形成于上述鰭式有源區(qū)以及分別位于上述鰭式有源區(qū)與上述柵極的交會(huì)點(diǎn)，其中上述至少兩個(gè)鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的兩個(gè)漏極借由形成于上述硅外延上的一硅化物結(jié)構(gòu)而彼此電性連接。
8.如權(quán)利要求7所述的只讀存儲(chǔ)器單元陣列，其中每一上述只讀存儲(chǔ)器單元包括至少三個(gè)上述的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管分別形成于至少三個(gè)上述鰭式有源區(qū)上，并且上述至少三個(gè)上述鰭式有源區(qū)中任何兩個(gè)相鄰的上述鰭式有源區(qū)相隔上述第一間距；以及上述只讀存儲(chǔ)器單元陣列由一接觸層所編碼，上述接觸層定義上述第一子集的上述只讀存儲(chǔ)器單元中的多個(gè)源極接觸墊。
9.如權(quán)利要求7所述的只讀存儲(chǔ)器單元陣列，還包括一絕緣柵極位于上述鰭式有源區(qū)上方以及電性連接至一較低電源供應(yīng)線，借此形成上述鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管絕緣的截止?fàn)顟B(tài)。
10.如權(quán)利要求7所述的只讀存儲(chǔ)器單元陣列，還包括一帶狀只讀存儲(chǔ)器單元，上述帶狀只讀存儲(chǔ)器單元設(shè)置于上述只讀存儲(chǔ)器單元陣列以及另一只讀存儲(chǔ)器單元陣列之間，其中上述帶狀只讀存儲(chǔ)器單元包括一第一金屬線耦接至一帶狀柵極，以及一第二金屬線耦接至一帶狀阱區(qū)。
全文摘要
一種只讀存儲(chǔ)器單元陣列，包括多個(gè)鰭式有源區(qū)、多個(gè)柵極以及多個(gè)只讀存儲(chǔ)器單元。鰭式有源區(qū)形成于半導(dǎo)體基板上，沿著第一方向延伸。柵極形成于鰭式有源區(qū)，沿著第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向。只讀存儲(chǔ)器單元由鰭式有源區(qū)以及柵極形成，并且編碼只讀存儲(chǔ)器單元，使得只讀存儲(chǔ)器單元的第一子集中每一個(gè)具有源極電性連接至較低電源供應(yīng)線以及只讀存儲(chǔ)器單元第二子集中每一個(gè)具有電性絕緣的源極。第一子集的每一只讀存儲(chǔ)器單元，包括漏極接觸墊具有第一接觸墊區(qū)域，以及源極接觸墊具有第二接觸墊區(qū)域，第二接觸墊區(qū)域至少大于第一接觸墊區(qū)域百分之三十。本發(fā)明可降低接觸墊阻抗以及改善良率。
文檔編號(hào)G11C7/12GK102314931SQ20111002506
公開(kāi)日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者廖忠志 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司