專利名稱：一種存儲(chǔ)器裝置的編程方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例是有關(guān)于多層單元式(multi-level cell, MLC)存儲(chǔ)器裝置的編程，且特別是有關(guān)于一種存儲(chǔ)器裝置的編程方法，用以增加關(guān)于MLC存儲(chǔ)器裝置的編程速度并對(duì)讀取窗口進(jìn)行控制。
背景技術(shù)：
已知的快閃存儲(chǔ)單元將電荷儲(chǔ)存在可能譬如是摻雜多晶硅的浮動(dòng)?xùn)艠O上。內(nèi)儲(chǔ)電荷改變存儲(chǔ)單元的閾值電壓(Vt)。在「讀取」操作中，是將讀取電壓施加至存儲(chǔ)單元的柵極，而存儲(chǔ)單元是否導(dǎo)通的相對(duì)應(yīng)指示(例如，傳導(dǎo)電流)表示存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)。舉例而言，在「讀取」操作期間傳導(dǎo)電流的存儲(chǔ)單元可能被指定為「1」的數(shù)字值，而在「讀取」操作期間并未傳導(dǎo)電流的存儲(chǔ)單元可能被指定為「0」的數(shù)字值。可將電荷添加至浮動(dòng)?xùn)艠O， 并將電荷移離浮動(dòng)?xùn)艠O，用以編程并擦除存儲(chǔ)單元(例如，用以將存儲(chǔ)單元數(shù)值從「1J改變成「0」)。另一種型式的存儲(chǔ)器使用一種電荷捕捉構(gòu)造，而非使用于浮動(dòng)?xùn)艠O裝置中的導(dǎo)電柵材料。電荷捕捉構(gòu)造可具有一個(gè)或多個(gè)單元(cell)，每一單元包含一電荷捕捉層與一非導(dǎo)電層。當(dāng)此種型式的構(gòu)造被編程時(shí)，可能在電荷捕捉層中捕捉到一電荷，以能使其不會(huì)移動(dòng)通過非導(dǎo)電層。電荷可能通過電荷捕捉層而被維持，直到擦除存儲(chǔ)單元為止，以在不需要施加一種連續(xù)的電力源的情況下維持?jǐn)?shù)據(jù)狀態(tài)。這些電荷捕捉單元可被操作為雙面單元 (two-sided cells) 0換言之，因?yàn)殡姾刹⑽匆苿?dòng)通過非導(dǎo)電電荷捕捉層，所以可將電荷局部控制在不同的電荷捕捉地段。因此，可能構(gòu)建所謂的多位單元(multi-bit cell, MBC), 其可增加可被儲(chǔ)存于存儲(chǔ)器裝置中的數(shù)據(jù)量而不需要浪費(fèi)更多空間。起初MBC可具有一種擦除狀態(tài)Vt分布，且存儲(chǔ)器的每個(gè)位可能接著被編程至一種目標(biāo)的編程狀態(tài)。目標(biāo)編程狀態(tài)的Vt分布可具有一種相關(guān)的編程確認(rèn)(PV)電平(例如， 下邊界)。為了具有編程位的緊密的Vt分布，可將關(guān)于目標(biāo)編程狀態(tài)的預(yù)先PV電平可能設(shè)定成低于PV電平，并可執(zhí)行包含一粗糙編程操作(rough program operation)與一精細(xì)編程操作(fin印rogram operation)的兩步驟的編程操作。然而，編程一般只聚焦在下邊界的位置上，而不需要留意上邊界，而上邊界可能影響較快速位。因此，可能期望發(fā)展一種用以增加關(guān)于MLC存儲(chǔ)器裝置的編程速度與控制讀取窗口的程序，用以使對(duì)編程分布的負(fù)面影響最小化。

發(fā)明內(nèi)容
因此，提供本發(fā)明的實(shí)施例，其可致能一種用以編程一存儲(chǔ)器裝置(例如，MLC存儲(chǔ)器裝置)的方法的提供，此存儲(chǔ)器裝置會(huì)留意上邊界的位置。因此，舉例而言，當(dāng)增加編程速度時(shí)，可能控制讀取窗口裕度(read windowmargins)。在某些實(shí)施例中，可能通過增加在慢速位的編程期間所施加的偏壓，以減少最快速位的過度編程的可能性，同時(shí)仍然增加編程慢速位的速度而更快速地編程慢速位。
在一實(shí)施示范例中，提供一種存儲(chǔ)器裝置的編程方法。存儲(chǔ)器裝置可包含多個(gè)位， 每個(gè)位具有多個(gè)編程狀態(tài)，于其中每個(gè)編程狀態(tài)具有一對(duì)應(yīng)的編程確認(rèn)(program verify, PV)電平。此方法可包括施加一第一順序的編程擊發(fā)(program shot)用以利用具有對(duì)應(yīng)于被編程的各個(gè)編程狀態(tài)的一最大值的一偏壓來編程存儲(chǔ)器裝置的最快速位，降低偏壓以施加一第二順序的編程擊發(fā)以編程存儲(chǔ)器裝置的快速位到達(dá)N個(gè)編程擊發(fā)，以及增加供大于 N的編程擊發(fā)用的偏壓以編程存儲(chǔ)器裝置的慢速位。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解到上述的一般說明與下述的詳細(xì)說明是僅具有例示的目的，且并未意圖限制本發(fā)明的范疇。為了對(duì)本發(fā)明的上述及其它方面有更佳的了解，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下


圖1顯示依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施示范例的存儲(chǔ)器陣列的電荷捕捉存儲(chǔ)器的一般結(jié)構(gòu)；圖2顯示依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施示范例的圖1的電荷捕捉存儲(chǔ)器的每個(gè)儲(chǔ)存?zhèn)鹊腣t
窗口 ；圖3顯示首先采用粗糙編程階段，緊接著精細(xì)編程階段的例子的兩步驟編程；圖4顯示依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施示范例的留意高邊界的位置的示范編程順序；圖5顯示依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施示范例的關(guān)于圖2中的每個(gè)編程狀態(tài)對(duì)每一側(cè)的編程操作Vd偏壓(或BL偏壓)與編程脈沖擊發(fā)；圖6顯示依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施示范例的關(guān)于圖2所顯示的每個(gè)編程狀態(tài)對(duì)每一側(cè)的示范程序流程圖；以及圖7為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施示范例的與增加關(guān)于MLC存儲(chǔ)器裝置的編程速度與控制讀取窗口的一示范方法相關(guān)的操作流程圖。主要元件符號(hào)說明10:電荷捕捉存儲(chǔ)單元12 襯底14、16:區(qū)域18,22 氧化層區(qū)域20:電荷捕捉層24 柵極26 左儲(chǔ)存?zhèn)?8 右儲(chǔ)存?zhèn)?00、110、150、160、170 分布120 =Vt 分布200、202、204、206、208、210、212、214、216、300、305、310、330 操作步驟
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參考附圖更完全說明本發(fā)明的某些實(shí)施例于下，其中顯示本發(fā)明的某些實(shí)施例而非所有可實(shí)施的態(tài)樣。的確，本發(fā)明的各種不同的實(shí)施例可能以許多不同的形式被具體化，且不應(yīng)被解釋為受限于于此所提出的實(shí)施例；相反地，這些實(shí)施例的提供是能使這個(gè)說明書將滿足適用的法律需求。舉例而言，于此可能針對(duì)例如垂直、水平、對(duì)角線、右、左、 前、后、側(cè)面等等的方向與方位作出參考基準(zhǔn)；然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)注意到任何方向與方位參考基準(zhǔn)只是例子，且任何特定方向或方位可取決于特定物體，及/或特定物體的方位，利用其可作出方向或方位參考基準(zhǔn)。本發(fā)明的某些實(shí)施例可提供一種用以增加關(guān)于MLC存儲(chǔ)器裝置的編程速度與控制讀取窗口的程序，用以使對(duì)編程分布的負(fù)面影響最小化。圖1顯示一種電荷捕捉存儲(chǔ)單元10的一例子。如圖1所示，電荷捕捉存儲(chǔ)單元10可包含一柵極M以及與一半導(dǎo)體通道或襯底12連通的對(duì)稱源極/漏極區(qū)域(例如，S/D區(qū)域14與16)。襯底12與柵極M可能通過絕緣層(例如，分別為氧化層區(qū)域18與22)而與一電荷捕捉層20分離。于此例子組態(tài)中，電荷捕捉層20的左儲(chǔ)存?zhèn)壬蚩赡鼙痪幊?，而電荷捕捉?0的右儲(chǔ)存?zhèn)扔^可能被編程。所顯示的左儲(chǔ)存?zhèn)壬蚺c右儲(chǔ)存?zhèn)?8可能被編程至四個(gè)狀態(tài)(亦即，狀態(tài)00、01、 10與11)的其中一個(gè)，以儲(chǔ)存兩個(gè)位的數(shù)據(jù)。因?yàn)殡姾傻睦鄯e為多位編程的一項(xiàng)重要特征 (有更精確的電荷配置在電荷捕捉層20中)，所以可能正確達(dá)到較高的位數(shù)與狀態(tài)數(shù)。一般可譬如通過施加一電位至柵極M而編程一特定位，其中S/D區(qū)域14與16的其中一個(gè)(例如，區(qū)域16)用以作為一漏極，而S/D區(qū)域14與16的另一個(gè)(例如，區(qū)域14)用以作為一源極。位于特定側(cè)的電荷的累積改變左儲(chǔ)存?zhèn)?6或右儲(chǔ)存?zhèn)扔^的閾值電壓(threshold voltage)。舉例而言，為了讀取數(shù)值01(又稱為電平1)，所施加的電位可能在電平1分布的最右邊的點(diǎn)與電平2分布的最左邊的點(diǎn)之間。電位可能必須遵從這些基準(zhǔn)的數(shù)值的區(qū)域或窗口被稱為「讀取窗口」。圖2顯示依據(jù)一實(shí)施示范例的每個(gè)儲(chǔ)存?zhèn)鹊腣t窗口。如顯示于圖2中，于每一側(cè)有四個(gè)狀態(tài)(01、00、10與11)。此外，每個(gè)狀態(tài)具有包含一下邊界(PV)與一上邊界(或高邊界)(PV')的分布。關(guān)于可靠的讀取操作，讀取確認(rèn)電壓(RD1、RD2、RD3)可基于關(guān)于數(shù)值01、00、10與11的分布的上邊界與下邊界而被動(dòng)態(tài)調(diào)整。圖3顯示首先采用粗糙編程階段緊接著精細(xì)編程階段的示范兩步驟編程。如圖3 所示，在粗糙編程階段中，多個(gè)位被編程至一預(yù)先PV電平，其是低于PV電平某些偏移。在粗糙編程階段期間，在一些編程擊發(fā)之后，存儲(chǔ)器的位是被編程以具有Vt分布，于其中某些位具有至少與目標(biāo)編程狀態(tài)的預(yù)先PV電平一樣高的Vt電平，而其它位具有低于預(yù)先PV 電平的Vt電平。此存儲(chǔ)器可記錄通過的位，而未通過的那些位可能通過使用精細(xì)編程階段而更進(jìn)一步地被編程。在精細(xì)編程階段中，可能施加更細(xì)微偏壓以確定所有位通過PV電平，以便維持相當(dāng)緊密的Vt分布。在圖3中，分布100表示未被編程狀態(tài)的Vt分布，分布110表示在粗糙編程階段之后的Vt分布，而分布120表示在精細(xì)編程階段之后的Vt分布。如圖3所示， 在粗糙編程階段之后，最快速位可能被編程并影響高邊界，直到通過PV電平為止。這些最快速位由于它們正被編程亦可影響編程分布。因此，依據(jù)此例，高邊界的位置并未十分被留意，而緊密分布幾乎完全憑靠精細(xì)編程階段。圖4顯示依據(jù)一實(shí)施示范例的留意高邊界的位置的示范編程順序。如圖4所示，在粗糙編程與精細(xì)編程兩者之后，高邊界(PV’)是相同的。在這點(diǎn)上，分布150表示未被編程狀態(tài)的Vt分布，分布160表示在粗糙編程階段之后的Vt分布，而分布170表示在精細(xì)編程階段之后的Vt分布。圖4的Vt分布160是相對(duì)于圖3的Vt分布120而更加緊密。在粗糙編程階段期間，由于通過PV’電平的那些位，最快速位可能在正好一個(gè)或兩個(gè)擊發(fā)中被編程。在精細(xì)編程階段期間，可能相對(duì)于只有未通過PV電平的存儲(chǔ)器的位執(zhí)行編程。雖然高邊界會(huì)被留意，但在精細(xì)編程階段期間，高邊界仍然可能被影響且編程速度可能略微較慢。如果產(chǎn)生高邊界改變，則可能難以控制讀取窗口。因此，通過動(dòng)態(tài)調(diào)整讀取確認(rèn)電平，實(shí)施示范例可達(dá)到供MLC存儲(chǔ)器用的可靠的讀取比率的增加。圖5顯示關(guān)于圖2中的每個(gè)編程狀態(tài)(例如，10,00與01)對(duì)每一側(cè)的編程操作 Vd偏壓(或BL偏壓)與編程脈沖擊發(fā)。如可在圖5中看到的，最快速位可利用被施加而相繼增加的Vd偏壓而被編程以在一個(gè)或兩個(gè)擊發(fā)中通過PV’。當(dāng)編程其它較快速位時(shí)，Vd 偏壓可減少并可維持相當(dāng)?shù)碾娖?，直到N個(gè)編程擊發(fā)已被執(zhí)行為止，于此N可被編程速度所控制。同時(shí)，Vd偏壓可維持于相當(dāng)?shù)偷碾娖剑靡詼p少影響高邊界的這些較快速位的概率。 關(guān)于慢速位的編程，可能增加所施加的編程Vd偏壓以便增加速度。然而，如圖5所示，在慢速位的編程期間所施加的Vd的最高數(shù)值無法超過在最快速位的編程期間所施加的Vd的最高數(shù)值。通過采用圖5所顯示的程序，可能降低于先前編程確認(rèn)操作失敗的的過度編程的較快速位的可能性，且可能增加編程速度。圖6顯示關(guān)于圖2所顯示的每個(gè)編程狀態(tài)(例如10、00與01)對(duì)每一側(cè)的示范程序流程圖。如圖6所示，所有位首先可能被檢查以查看它們是否于操作步驟200中通過PV， 藉以采用一預(yù)先編程確認(rèn)檢查以決定是否有需要被編程的位。如果所有位通過，則不需要執(zhí)行更進(jìn)一步的編程。然而，如果某些位并未通過，則此程序可能繼續(xù)進(jìn)行至可能執(zhí)行粗糙編程的操作步驟202。于操作步驟202下，可能增加一粗糙編程脈沖以采用一粗糙Vd編程分布圖(BL偏壓)，直到存在有通過PV’的一個(gè)位為止，且編程擊發(fā)數(shù)目是受限于一個(gè)或兩個(gè)擊發(fā)。關(guān)于是至少一位否通過PV’的檢查可能于操作步驟204下被達(dá)成。于此編程位群組中被編程的位(或多個(gè)位)為最快速位。一種粗糙Vd或Vg編程分布圖的選擇可能以試圖確保通過的至少一位很靠近PV’電平的方式被達(dá)成。在一個(gè)位通過PV’之后，于操作步驟206下，可能增加第一精細(xì)Vd編程脈沖，且可能維持下BL偏壓，直到編程脈沖擊發(fā)的數(shù)目于操作步驟208下到達(dá)數(shù)值N為止。編程速度可由N個(gè)脈沖擊發(fā)的數(shù)值的選擇所控制。在這段期間，可能編程其它快速位。在編程其它快速位之后，可能于操作步驟210通過增加一第二精細(xì)編程脈沖并提高或增加Vd (BL偏壓) 的數(shù)值來編程較慢速位。于操作步驟212，可能再做出確保至少一位通過PV的檢查。如果至少一位已于操作步驟212被編程，則經(jīng)由第二精細(xì)編程脈沖增加的慢速位編程可能于操作步驟214繼續(xù)，其是通過維持BL偏壓直到一項(xiàng)檢查于操作步驟216通過用以確認(rèn)所有位通過PV為止。同時(shí)，如果至少一位并未于操作步驟212被編程，則可能增加BL偏壓，其是通過經(jīng)由操作步驟210的重新循環(huán)直到一位是被編程并通過PV為止。因此，某些實(shí)施示范例可控制供快閃存儲(chǔ)裝置用的讀取窗口裕度并增加編程速度。最快速位可能通過使用一個(gè)或兩個(gè)編程擊發(fā)而被編程，直到一個(gè)位通過PV’為止，然后， 可能減少并維持BL偏壓同時(shí)編程其它快速位，直到N個(gè)編程擊發(fā)(N是被選擇以控制編程速度)為止。通過降低BL偏壓，可能降低使較快速位促成高邊界的可能性。然后，慢速位編程可能通過增加BL偏壓，但同時(shí)使最大BL偏壓維持在用來編程最快速位的BL偏壓之下而達(dá)成。因此，可能降低過度編程的較快速位的可能性，且可能增加編程速度。圖7為依據(jù)一實(shí)施示范例的與增加關(guān)于MLC存儲(chǔ)器裝置的編程速度與控制讀取窗口的一示范方法相關(guān)的操作流程圖。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解流程圖的每個(gè)方塊以及流程圖中的方塊的組合可通過各種不同的機(jī)制(例如在一操作員的控制之下或經(jīng)由硬件、韌體， 及/或包含一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序指令的軟件)而實(shí)施。舉例而言，于此所說明的一個(gè)或多個(gè)程序可能通過計(jì)算機(jī)程序指令的執(zhí)行(具有或不具有來自操作人員的貢獻(xiàn))而具體化。在這點(diǎn)上，將上述程序的計(jì)算機(jī)程序指令具體化，是可能通過存儲(chǔ)器而儲(chǔ)存并通過處理器而執(zhí)行。如將明白的，任何這樣的計(jì)算機(jī)程序指令可能被加載至計(jì)算機(jī)或其它可編程設(shè)備(亦即，硬件)之上以產(chǎn)生一機(jī)器，以使在計(jì)算機(jī)或其它可編程設(shè)備上執(zhí)行的指令構(gòu)建用以執(zhí)行流程圖方塊中所詳載的功能的裝置。這些計(jì)算機(jī)程序指令亦可被儲(chǔ)存于一計(jì)算機(jī)可讀取電子儲(chǔ)存存儲(chǔ)器，其可指示一計(jì)算機(jī)或其它可編程設(shè)備以一特定方式產(chǎn)生功能，以使儲(chǔ)存于計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)器的指令產(chǎn)生包含實(shí)現(xiàn)流程圖方塊中所詳載的功能的指令手段的制造的物品。計(jì)算機(jī)程序指令亦可被加載至計(jì)算機(jī)或其它可編程設(shè)備之上，用以使一系列的操作在計(jì)算機(jī)或其它可編程設(shè)備上執(zhí)行以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)施程序，以使在計(jì)算機(jī)或其它可編程設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用以執(zhí)行流程圖方塊中所詳載的功能的操作。因此，流程圖的方塊支持用以執(zhí)行特定功能的裝置的組合，用以執(zhí)行特定功能的操作的組合，以及用以執(zhí)行特定功能的程序指令裝置。本領(lǐng)域技術(shù)人員亦將理解到流程圖的一個(gè)或多個(gè)方塊以及流程圖中的方塊的組合可通過特殊目的硬件式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)(其執(zhí)行特定功能或操作，或特殊目的硬件與計(jì)算機(jī)指令的組合)而實(shí)現(xiàn)。如圖7所示，依據(jù)一個(gè)例子的用以增加關(guān)于MLC存儲(chǔ)器裝置的編程速度與控制讀取窗口的方法可包含于操作步驟300下，施加一第一順序的編程擊發(fā)以利用具有對(duì)應(yīng)于被編程的各個(gè)編程狀態(tài)的最大值的偏壓來編程存儲(chǔ)器裝置的最快速位；于操作步驟310 下，降低偏壓用以施加一第二順序的編程擊發(fā)以編程存儲(chǔ)器裝置的快速位達(dá)到N個(gè)編程擊發(fā)；以及于操作步驟330下，增加對(duì)于大于N的編程擊發(fā)的偏壓以編程存儲(chǔ)器裝置的慢速位。在某些實(shí)施例中，上述操作可能如下所述被修正或被放大。此外，在某些情況下， 除了上述討論的那些以外，可能實(shí)施更進(jìn)一步的操作，其中的一例是以虛線顯示于圖7中。 某些或所有的修改、放大及/或額外操作可能以任何順序與以每個(gè)可能的組合而在某些實(shí)施例中結(jié)合。舉例而言，在某些情況下，此方法可更包含在繼續(xù)第二順序的操作步驟310之前，于操作步驟305下檢查以查看一個(gè)位是否通過一上部編程確認(rèn)邊界(PV’)。在某些實(shí)施例中，增加關(guān)于大于N的編程擊發(fā)的偏壓可包含使偏壓增加了第一累進(jìn)數(shù)量并決定額外位是否通過PV。在一實(shí)施示范例中，增加對(duì)于大于N的編程擊發(fā)的偏壓可包含只要附加位通過PV，就維持第一累進(jìn)數(shù)量。在某些實(shí)施例中，增加關(guān)于大于N的編程擊發(fā)的偏壓可包含使偏壓增加了第二累進(jìn)數(shù)量，以因應(yīng)沒有通過PV的額外位。在一實(shí)施示范例中，增加關(guān)于大于N的編程擊發(fā)的偏壓可包含使偏壓增加，直到增加了各個(gè)累進(jìn)數(shù)值為止，但使偏壓維持在對(duì)應(yīng)于被編程的各個(gè)編程狀態(tài)的最大值以下。N的數(shù)值可能基于一期望的編程速度而被選擇。存儲(chǔ)器裝置可能是一多層單元式(MLC)存儲(chǔ)器裝置或一電荷捕捉存儲(chǔ)器裝置。在某些情況下，施加第一順序的編程擊發(fā)可包含施加一個(gè)或兩個(gè)編程擊發(fā)。在一實(shí)施示范例中，施加第一順序的編程擊發(fā)可包含施加偏壓，以使偏壓增加，而使在第一順序的編程擊發(fā)中所施加的每一個(gè)編程擊發(fā)到達(dá)最大值。在某些實(shí)施例中，施加第一順序的編程擊發(fā)可包含采用一粗糙編程操作，降低偏壓以施加第二順序的編程擊發(fā)可包含采用一第一精細(xì)編程操作，以及增加關(guān)于大于N的編程擊發(fā)的偏壓可包含采用一第二精細(xì)編程操作。本領(lǐng)域技術(shù)人員當(dāng)知，于此所提出的實(shí)施例的修改與其它實(shí)施例，仍可具有上述說明與相關(guān)圖式中所提供的教導(dǎo)的益處。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解到本發(fā)明并非受限于所揭露的具體實(shí)施例，且修改型式與其它實(shí)施例是亦包含在隨附權(quán)利要求范圍之內(nèi)。此外，雖然上述說明與相關(guān)圖式在元件及/或功能的某些例示組合的上下文中說明例示實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白元件及/或功能的不同的組合可能在不背離隨附權(quán)利要求范圍之下通過替代實(shí)施例而被提供。在這點(diǎn)上，舉例而言，除上述所詳細(xì)說明的那些以外的元件及/或功能的不同的組合亦被考慮可能在某些隨附權(quán)利要求范圍中被提出。雖然于此采用特定的用語，但它們只為了限制的目的與不為了限制的目的而以一種普通且描述性意義被使用。綜上所述，雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視隨附權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)器裝置的編程方法，該存儲(chǔ)器裝置包含多個(gè)位，每個(gè)位具有多個(gè)編程狀態(tài)， 每個(gè)編程狀態(tài)具有一對(duì)應(yīng)的編程確認(rèn)(PV)電平，該方法包括施加一第一順序(first sequence)的一個(gè)或多個(gè)編程擊發(fā)(program shot)，用以利用具有對(duì)應(yīng)于被編程的各個(gè)編程狀態(tài)的一最大值的一偏壓來編程該存儲(chǔ)器裝置的多個(gè)最快速位(fastest bits)；降低該偏壓以施加一第二順序(second sequence)的一個(gè)或多個(gè)編程擊發(fā)，以編程該存儲(chǔ)器裝置的多個(gè)快速位(fast bits)達(dá)到N個(gè)編程擊發(fā)；以及增加關(guān)于大于N的多個(gè)編程擊發(fā)的該偏壓以編程該存儲(chǔ)器裝置的多個(gè)慢速位(slow bits) ο
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，增加關(guān)于大于N的多個(gè)編程擊發(fā)的該偏壓包括使該偏壓增加了一第一累進(jìn)數(shù)量并決定一額外位是否通過PV。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，增加關(guān)于大于N的該些編程擊發(fā)的該偏壓包括只要該附加位通過PV，就維持該第一累進(jìn)數(shù)量。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，增加關(guān)于大于N的該些編程擊發(fā)的該偏壓包括使該偏壓增加了一第二累進(jìn)數(shù)量，以因應(yīng)沒有通過PV的額外位。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，增加關(guān)于大于N的該些編程擊發(fā)的該偏壓包括使該偏壓增加了各個(gè)累進(jìn)數(shù)值，但使該偏壓維持在對(duì)應(yīng)于被編程的各該個(gè)編程狀態(tài)的該最大值以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，N的數(shù)值是基于一期望的編程速度而被選定。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該存儲(chǔ)器裝置為一多層單元式 (multi-level cell, MLC)存儲(chǔ)器裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該存儲(chǔ)器裝置為一電荷捕捉存儲(chǔ)器裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，施加該第一順序的編程擊發(fā)包括只施加一個(gè)或兩個(gè)編程擊發(fā)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，施加該第一順序的編程擊發(fā)包括施加該偏壓，以使該偏壓增加，而使在該第一順序的編程擊發(fā)中所施加的各該編程擊發(fā)到達(dá)該最大值。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，更包括在繼續(xù)該第二順序之前檢查，以查看一個(gè)位是否通過一上部編程確認(rèn)邊界(PV’ )。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，施加該第一順序的編程擊發(fā)包括采用一粗糖編禾呈操作(rough programming operation)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，降低該偏壓以施加該第二順序的編程擊發(fā)包括采用一第一精細(xì)編程操作(first fineprogramming operation)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，增加關(guān)于大于N的該些編程擊發(fā)的該偏壓包括采用一第二精細(xì)編程操作(second fineprogramming operation)
全文摘要
本發(fā)明公開了一種存儲(chǔ)器裝置的編程方法，存儲(chǔ)器裝置包含多個(gè)位，每個(gè)位具有多個(gè)編程狀態(tài)，于其中每個(gè)編程狀態(tài)具有一對(duì)應(yīng)的編程確認(rèn)(PV)電平。此方法包括施加一第一順序的編程擊發(fā)以利用具有對(duì)應(yīng)于被編程的各個(gè)編程狀態(tài)的一最大值的一偏壓來編程存儲(chǔ)器裝置的最快速位；降低偏壓以施加一第二順序的編程擊發(fā)以編程存儲(chǔ)器裝置的快速位達(dá)到N個(gè)編程擊發(fā)；以及增加關(guān)于大于N的編程擊發(fā)的偏壓以編程存儲(chǔ)器裝置的慢速位。
文檔編號(hào)G11C16/10GK102592673SQ201110021528
公開日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2011年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月13日
發(fā)明者劉建宏, 蔡富凱 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司