技術(shù)編號：6770869
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例是有關(guān)于多層單元式(multi-level cell, MLC)存儲器裝置的編程，且特別是有關(guān)于，用以增加關(guān)于MLC存儲器裝置的編程速度并對讀取窗口進(jìn)行控制。背景技術(shù)已知的快閃存儲單元將電荷儲存在可能譬如是摻雜多晶硅的浮動?xùn)艠O上。內(nèi)儲電荷改變存儲單元的閾值電壓(Vt)。在「讀取」操作中，是將讀取電壓施加至存儲單元的柵極，而存儲單元是否導(dǎo)通的相對應(yīng)指示(例如，傳導(dǎo)電流)表示存儲單元的編程狀態(tài)。舉例而言，在「讀取」操作期間傳導(dǎo)電流的存儲單元可能被...
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