專利名稱：光信息記錄介質(zhì)用記錄層、光信息記錄介質(zhì)及濺射靶的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及光信息記錄介質(zhì)用的記錄層、光信息記錄介質(zhì)及對該記錄層的形成有用的濺射靶。
背景技術：
光信息記錄介質(zhì)(光盤)以⑶、DVD、BD等光盤為代表，根據(jù)記錄再生方式，大致分為再生專用型、追記型及重寫型這3種。其中，追記型光盤的記錄方式主要分為使記錄層發(fā)生相變化的相變化方式、使多個記錄層發(fā)生反應的層間反應方式、使構成記錄層的化合物分解的方式、在記錄層上局部形成孔及坑等記錄標記的開孔方式。在所述相變化方式中，作為記錄層的材料提出了一種利用了基于記錄層的結(jié)晶化的光學特性的變化的材料。例如在專利文獻1中，提出了含有Te-0-M(M是從金屬元素、半金屬元素及半導體元素中選出的至少1種元素)的記錄層，在專利文獻2中提出了含有Sb 及Te的記錄層。作為所述層間反應方式的光信息記錄介質(zhì)的記錄層，例如在專利文獻3中提出了如下記錄層，其中，第一記錄層為由含有^i-O-(Ni、Mn、Mo)的合金構成的層，且第二記錄層為由含有％及/或Te元素、0(氧)、及從Ti、Pd、Zr中選出的一個元素的合金構成的層。 另外，在專利文獻4中提出了層疊第一記錄層以化為主成分的金屬、以及第二記錄層含有屬于5B族或6B族的至少1種元素的氧化物以外的金屬或非金屬，通過基于加熱的反應或合金化來進行記錄。作為使構成所述記錄層的化合物分解的方式的記錄層，例如在專利文獻5中示出了以氮化物為主成分的記錄層，并研討了通過加熱使該氮化物分解而進行記錄的材料及有機色素材料。作為所述開孔方式的記錄層，研討了由低熔點金屬材料構成的記錄層。例如在專利文獻6中提出了由在Sn合金中添加了 :3B族、4B族、5B族的元素的合金構成的記錄層。在專利文獻7中提出了由含有1 50原子％的范圍的Ni及/或Co的Sn基合金構成的記錄層。另外，在專利文獻8中示出了由含有20 65原子％的Co的h合金、以及在此基礎上還含有19原子％以下的從Sn、Bi、Ge、Si中選出的1種以上的元素的h合金構成的記錄層。進而，在專利文獻9中示出了實質(zhì)上由Pd、Ag、0構成，且限定了這些Pd、Ag、0的原子數(shù)的比率的記錄層。在先技術文獻專利文獻專利文獻1 日本國特開2005-135568號公報專利文獻2 日本國特開2003-331461號公報專利文獻3 日本國特開2003-3^848號公報專利文獻4 日本國專利第3499724號公報
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專利文獻5 國際公開第2003/101750號文件專利文獻6 日本國特開2002-225433號公報專利文獻7 日本國特開2007-196683號公報專利文獻8 日本國專利第4110194號公報專利文獻9 日本國特開2005-238516號公報作為光信息記錄介質(zhì)所追求的要求特性，主要追求具有足以再生的反射率、能夠以實用性的記錄激光功率進行記錄、記錄信號具有足以再生的信號振幅(高調(diào)制度)等。但是，作為現(xiàn)有技術而公開的記錄材料，難以由記錄材料單體滿足這些要求特性， 在所述相變化方式中，由于單獨記錄層的反射率低，所以為了提高光盤狀態(tài)下的反射率需要設置反射膜，且為了增加調(diào)制度，在記錄層上下還需要設置SiS-SiO2等電介質(zhì)層，從而構成光盤的層數(shù)增多。另外，在所述層間反應方式中也需要設置多個記錄層，所以構成光盤的層數(shù)增多。因此存在膜層數(shù)增多而使得生產(chǎn)率下降的問題。與此相對，在所述開孔方式中， 記錄層自身的反射率高，而且還能夠確保大的調(diào)制度，所以能夠減少構成光盤的層的數(shù)目， 但為了達到更高的記錄靈敏度還需要進一步的研討。另外，像專利文獻9那樣只是形成Pd 或^Vg的氧化物的話，難以獲得穩(wěn)定且進一步提高記錄特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而實現(xiàn)的，其目的在于提供在減少光盤層數(shù)的同時滿足上述要求特性，從而能夠提高光信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)率的光信息記錄介質(zhì)用記錄層、具備該記錄層的光信息記錄介質(zhì)、及對該記錄層的形成有用的濺射靶。本發(fā)明包括以下方式。(1) 一種光信息記錄介質(zhì)用記錄層，其通過激光的照射進行記錄，其特征在于，含有氧化物相對于Imol氧的標準生成自由能的絕對值比Pd及Ag大的X金屬的氧化物、氧化Pd及氧化Ag，相對于記錄層中所含的X金屬原子、Pd原子及Ag原子的合計量，Pd原子的比率為10 60原子％，Ag原子的比率為5 45原子％，且Pd原子和Ag原子的合計量的比率為75原子％以下。(2)根據(jù)上述(1)所述的光信息記錄介質(zhì)用記錄層，其特征在于，所述X金屬是從由h、Sn、ai、Bi、Ge、Co、W、Cu及Al構成的群中選擇的1種以上。(3)根據(jù)上述( 所述的光信息記錄介質(zhì)用記錄層，其特征在于，所述X金屬是^1。(4)根據(jù)上述(1) (3)中任一項所述的光信息記錄介質(zhì)用記錄層，其特征在于，在照射激光的部分生成氣泡，發(fā)生體積變化而進行記錄。(5) 一種光信息記錄介質(zhì)，其具備上述(1) 中任一項所述的記錄層。(6)根據(jù)上述(5)所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，具備與所述記錄層鄰接而形成的電介質(zhì)層。(7) 一種濺射靶，其是上述(1) (4)中任一項所述的光信息記錄介質(zhì)用記錄層形成用的濺射靶，其特征在于，相對于濺射靶中所含的X金屬原子、Pd原子及Ag原子的合計量，Pd原子的比率為 10 60原子％，Ag原子的比率為5 45原子％，且Pd原子和Ag原子的合計量的比率為75原子％以下。(8)根據(jù)上述(7)所述的濺射靶，其特征在于，所述X金屬是從由h、Sn、ai、Bi、Ge、Co、W、Cu及Al構成的群中選擇的1種以上。(9)根據(jù)上述⑶所述的濺射靶，其特征在于，所述X金屬是h。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可提供能夠以實用性的比較低的記錄激光功率實現(xiàn)高調(diào)制度的(以下，有時稱這種特性為“記錄靈敏度優(yōu)異”)光信息記錄介質(zhì)用記錄層(特別是追記型光信息記錄介質(zhì)用記錄層)、及具備該記錄層的光信息記錄介質(zhì)(特別是追記型光信息記錄介質(zhì))。另外，根據(jù)本發(fā)明，可提供對上述記錄層的形成有用的濺射靶。
具體實施例方式本發(fā)明者為了實現(xiàn)與現(xiàn)有的記錄層相比記錄靈敏度優(yōu)異的光信息記錄介質(zhì)用記錄層而進行了銳意研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn)，若不同于現(xiàn)有的記錄層，形成含有氧化物相對于Imol 氧的標準生成自由能的絕對值比Pd及Ag大的金屬(以下，稱為X金屬)的氧化物、氧化Pd 及氧化Ag的記錄層，則在向該記錄層照射激光時，X金屬的氧化物中所含的所述氧化Pd和氧化Ag，因照射激光而被加熱，發(fā)生分解而釋放氧，使記錄層的組織穩(wěn)定地變化，具體說就是在被照射激光的部分生成氣泡，進行不可逆的記錄，這樣一來相比以往能夠顯著提高記錄靈敏度。在上述記錄層的記錄方式中，在激光照射前的記錄層的結(jié)構為非晶，激光照射后也為非晶這一點上，與利用了非晶體因激光照射而變化為晶體這一特性的相變化方式不同。作為本發(fā)明的記錄層的記錄靈敏度優(yōu)異的理由，可以認為是因為在因激光照射而產(chǎn)生氣泡的部分，與沒有產(chǎn)生氣泡的部分相比，透過率增加(即，反射率下降)，從而能夠加大調(diào)制度。為了充分發(fā)現(xiàn)上述效果，需要滿足如下情況，即，相對于記錄層中所含的X金屬原子、Pd原子及Ag原子的合計量，.Pd原子的比率10 60原子％，.Ag原子的比率5 45原子％，以及· Pd原子和Ag原子的合計量75原子％以下。若上述Pd原子的比率低于10原子％，則激光照射時分解的氧化Pd少，從而釋放出的氧量不充分，生成的氣泡不足，記錄靈敏度提高的效果小。另外，若只是氧化Ag，則釋放氧的形態(tài)變化不充分，所以需要一定程度的氧化Pd?；谶@些觀點，本發(fā)明中Pd原子的比率設為10原子％以上。Pd原子的比率優(yōu)選15原子％以上。進而，在本發(fā)明中，通過含有上述氧化Pd的同時還含有氧化Ag，能夠利用氧化Ag 的還原釋放氧而充分提高氧化Pd所起到的提高記錄靈敏度的效果。為了發(fā)揮這種效果，Ag 原子的比率設為5原子％以上。Ag原子優(yōu)選8原子％以上。 另一方面，通過在含有氧化Pd及氧化Ag的同時還含有X金屬的氧化物，如后所述，能夠使激光照射所帶來的記錄部分的形態(tài)變化最佳化。如此，在本發(fā)明中，與氧化Pd及氧化Ag—起，X金屬的氧化物的存在也很重要，所以Pd原子的上限設為60原子％ (優(yōu)選上限為50原子％，更優(yōu)選上限為45原子％ )，Ag原子的上限設為45原子％ (優(yōu)選上限為 40原子％ )，并且Pd原子及Ag原子的合計量的上限設為75原子％( S卩，X金屬原子相對于X金屬原子、Pd原子及Ag原子的合計量的比率的下限為25原子％ )。Pd原子及Ag原子的合計量的上限優(yōu)選60原子％。若上述氧化Pd是特別含有一氧化Pd和二氧化Pd的物質(zhì)，則能夠更加充分地提高記錄靈敏度，故優(yōu)選。作為其理由可以認為如下兩點相比一氧化Pd不穩(wěn)定的二氧化Pd因激光照射而容易分解釋放出氧；以及，通過使相比二氧化Pd穩(wěn)定的一氧化Pd中存在二氧化 Pd而抑制該二氧化Pd的自然分解，能夠得到穩(wěn)定的記錄層。為了提高上述二氧化Pd的分解所產(chǎn)生的釋放氧量而得到記錄所帶來的足夠的反射率變化，優(yōu)選二氧化Pd相對于所述一氧化Pd和二氧化Pd的合計量之比為3摩爾％以上。 更優(yōu)選5摩爾％以上。另一方面，若二氧化Pd相對于一氧化Pd過多，則二氧化Pd無法穩(wěn)定地存在，記錄層的制作困難，所以優(yōu)選二氧化Pd相對于所述一氧化Pd和二氧化Pd的合計量之比為70 摩爾％以下。更優(yōu)選60摩爾％以下。本發(fā)明的記錄層如上所述，與上述氧化Pd及氧化^Vg—起，還以氧化物相對于Imol 氧的標準生成自由能的絕對值比Pd及Ag大的金屬(X金屬)的氧化物為必須成分。如此， 通過使比氧化Pd和氧化Ag穩(wěn)定的金屬氧化物(X金屬的氧化物)與氧化Pd及氧化Ag — 起共存，能夠使該氧化Pd和氧化Ag分解時的氧釋放所帶來的形態(tài)變化明了且變大，從而能夠?qū)崿F(xiàn)記錄所帶來的足夠的反射率變化即高調(diào)制度。作為相比Pd和Ag氧化物相對于Imol氧的標準生成自由能的絕對值大的金屬(X 金屬)，可舉出化、311、&1、8丨、66、(0、1、01^1(室溫下氧化物相對于Imol氧的標準生成自由能，Pd 約為-150kJ/mol，Ag 為 _40kJ/mol，相對于此，In、Sn、Zn、Bi、Ge、Co、W、Cu、Al 分別為-500、-520、-640、-330、-420、-420、-500、-270、-1050kJ/mol)。其中，優(yōu)選 In、Bi，即作為與所述氧化Pd及氧化Ag —起含有的X金屬的氧化物，優(yōu)選氧化^和氧化Bi。此外，在本發(fā)明的記錄層中，有時除了所述X金屬的氧化物、所述氧化Pd及所述氧化Ag之外，還可以含有金屬Pd。另外，還可以含有制作時不可避免地混入的不可避免的雜質(zhì)。但是，本發(fā)明的記錄層的成分組成還不至于對這些不可避免地混入的微量成分進行限定，只要不損害本發(fā)明的上述特性，則允許這些不可避免的雜質(zhì)的微量混入。另外，本發(fā)明的記錄層也可以以吸收率的提高及折射率的控制為目的，例如以氧化物的形式含有合計約30原子％以下的范圍內(nèi)的Sn、Al、Bi、Cu、Nb、Ti、Si、Ta。記錄層的膜厚還取決于在記錄層的上下插入電介質(zhì)層及光學調(diào)整層等其它層等的光信息記錄介質(zhì)的結(jié)構，但在記錄層以單層使用的情況下(不設置上述電介質(zhì)層及光學調(diào)整層等的情況下)，優(yōu)選記錄層的膜厚設為5 lOOnm。這是因為，若記錄層的膜厚比5nm 小，則可能難以獲得記錄所帶來的足夠的反射率變化。更優(yōu)選IOnm以上，進一步優(yōu)選20nm 以上，特別優(yōu)選25nm以上。另一方面，若記錄層的膜厚比IOOnm大，則膜的形成耗費時間，生產(chǎn)率下降，并且記錄所需的激光功率可能會變大，所以并不優(yōu)選。記錄層的膜厚更優(yōu)選70nm 以下，進一步優(yōu)選60nm以下。
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本發(fā)明的記錄層優(yōu)選通過濺射法形成。作為濺射條件，可舉出Ar流量10 lOOsccm、氧流量10 lOOsccm。另外，濺射法中的其它條件可以采用通用的濺射條件，可舉出將氣壓控制在例如0. 1 1. OPa的范圍，將濺射電力控制在例如0. 5 20W/cm2的范圍。在通過所述濺射法形成本發(fā)明的記錄層時，作為濺射靶(以下，有時簡稱“靶”)， 采用相對于濺射靶中所含的X金屬原子(優(yōu)選從由^1、311、&1、81、66、0)、1、01及41構成的群中選擇的1種以上，更優(yōu)選h)、Pd原子及Ag原子的合計量，滿足如下條件的物質(zhì).Pd原子的比率10 60原子％，.Ag原子的比率5 45原子％，以及· Pd原子和Ag原子的合計量75原子％以下。作為上述靶的具體方式，可舉出X金屬以氧化物的形式含有(即，X金屬的氧化物)、Pd原子以金屬Pd及/或氧化Pd的形式含有、且Ag原子以金屬Ag及/或氧化Ag的形式含有的靶。作為其它方式，可舉出X金屬原子、Pd原子及Ag原子均為金屬，即由含有這些元素的合金構成的靶。此外，在上述元素(X金屬原子、Pd原子、Ag原子)以氧化物的形態(tài)存在于靶中時， 上述元素的比率表示通過除去氧化物中的氧原子之后的原子換算求出的值。作為上述靶，在生產(chǎn)率、形成的薄膜的組成的面內(nèi)均勻性及厚度控制的方面，特別是優(yōu)選采用將X金屬的氧化物、金屬Pd及金屬Ag的粉末混合并燒結(jié)而成的靶。在上述靶中可含有制造時不可避免地混入的不可避免的雜質(zhì)。但是，本發(fā)明的濺射靶的成分組成還不至于限定到這些不可避免地混入的微量成分，只要不損害本發(fā)明的上述特性，則允許這些不可避免的雜質(zhì)的微量混入。在記錄層的形成中，除了采用上述靶進行濺射之外，例如還可以舉出采用X金屬靶、金屬Pd靶(純Pd金屬靶)及金屬Ag靶(純Ag金屬靶)，對這些靶同時放電來進行多元濺射。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)雖然具有體現(xiàn)上述優(yōu)異的特性的記錄層，但為了確保在高溫高濕環(huán)境下也能夠維持上述優(yōu)異的特性的優(yōu)異的耐久性，優(yōu)選與記錄層鄰接而形成有電介質(zhì)層的結(jié)構。作為耐久性下降的原因可認為，在上述高溫高濕環(huán)境下，沒有照射激光 (即，沒有進行記錄)的部分的氧化Pd及氧化^Vg逐漸還原而釋放出氧，其結(jié)果光學特性發(fā)生變化，導致反射率下降。但是，通過形成電介質(zhì)層，能夠抑制氧化Pd(特別是二氧化Pd) 及氧化Ag的不需要的分解而穩(wěn)定地保持。作為上述“與記錄層鄰接而形成電介質(zhì)層”的方式，例如可舉出在基板和記錄層之間與記錄層鄰接而形成的情況、及/或在記錄層和后述的光透過層之間與記錄層鄰接而形成的情況。上述電介質(zhì)層也可通過作為氧壁壘層發(fā)揮作用而提高耐久性。對此可認為，通過防止因氧化Pd及氧化Ag的分解而產(chǎn)生的氧的逃散，能夠防止反射率的變化(特別是反射率的下降)，能夠確保作為記錄層所需要的反射率。通過進一步形成電介質(zhì)層還可以提高記錄特性?？烧J為這是由于，通過電介質(zhì)層使入射的激光的熱擴散受到最優(yōu)控制，能夠防止記錄部分的泡變得過大、或氧化Pd的分解過度而導致泡破滅，使泡的形狀最佳化。作為所述電介質(zhì)層的原材料，可舉出氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物或它們的混合物，作為所述氧化物，可舉出從由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi 及Mg構成的群中選擇的1種以上元素的氧化物(優(yōu)選從由^KSruSijr及Si構成的群中選擇的1種以上元素的氧化物)。作為所述氮化物，可舉出從由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、 Mo、Ti及Si構成的群中選擇的1種以上元素的氮化物(優(yōu)選Si及/或Ge的氮化物)，作為所述硫化物可舉出Si硫化物。作為所述碳化物，可舉出從由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、 Zr.Ta及W構成的群中選擇的1種以上元素的碳化物(優(yōu)選從由Si、Ti及W構成的群中選擇的1種以上元素的碳化物)，作為所述氟化物，可舉出從由Si、Al、Mg、Ca及La構成的群中選擇的1種以上元素的氟化物。作為它們的混合物，可舉出SiS-SiO2等。其中，優(yōu)選含有^uZru Sn、Al、Si、Ti、Mg中的1種以上的上述化合物(氧化物等)或其混合物，更優(yōu)選含有In、ai、Sn、Al的1種以上的上述化合物或其混合物。電介質(zhì)層的膜厚優(yōu)選為1 40nm。這是因為，若小于lnm，則可能難以充分發(fā)揮上述電介質(zhì)層的效果(特別是作為氧壁壘的效果)。更優(yōu)選3nm以上。另一方面，若電介質(zhì)層的膜厚過厚，則可能難以產(chǎn)生激光照射所帶來的記錄層的變化，有時導致記錄特性下降，故不優(yōu)選。因而，電介質(zhì)層的膜厚優(yōu)選為40nm以下，更優(yōu)選35nm以下。本發(fā)明還不至于對所述電介質(zhì)層的形成方法還進行限定，但優(yōu)選同所述記錄層一樣通過濺射法來形成。在通過濺射法形成所述電介質(zhì)層時，作為濺射條件，在使Ar流量例如在10 lOOsccm的范圍內(nèi)，如下所述采用金屬靶的情況下，可舉出使氧化物層形成時的氧流量例如在5 60SCCm的范圍內(nèi)，使氮化物層形成時的氮流量例如在5 80SCCm的范圍內(nèi)的情況。 另外，還可以舉出使氣壓例如在0. 1 1. OPa的范圍內(nèi)，使濺射電力例如在0. 5 50W/cm2 的范圍內(nèi)的情況。作為所述電介質(zhì)層的形成中所采用的濺射靶，除了由上述化合物(氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物)構成的靶之外，可以采用含有該化合物中的氧、氮、硫、碳、氟以外的構成元素的金屬靶(由純金屬或合金構成的靶)。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的特征在于具備上述記錄層這一點，優(yōu)選進一步具備電介質(zhì)層。除了上述記錄層和電介質(zhì)層以外，可以采用光信息記錄介質(zhì)的領域中公知的構成。作為光信息記錄介質(zhì)(光盤)，其結(jié)構可舉出在刻有激光的導向用的槽的基板上層疊記錄層，再在記錄層上層疊光透過層的結(jié)構。例如，作為所述基板的原材料，可舉出聚碳酸酯樹脂、聚降冰片烯系樹脂、環(huán)狀烯烴系共聚物、非晶質(zhì)聚烯烴等。另外，作為所述光透過層，可以使用聚碳酸酯或紫外線硬化樹脂。作為光透過層的材質(zhì)，優(yōu)選相對于進行記錄再生的激光具有高的透過率，且光吸收率小的材質(zhì)。所述基板的厚度可舉出例如0.5 1.2mm。另外，所述光透過層的厚度可舉出例如 0. 1 1. 2mm。本發(fā)明的記錄層是體現(xiàn)出高的反射率，且記錄層單獨體現(xiàn)出優(yōu)異的記錄特性的層，但也可以為了根據(jù)需要進一步提高作為光盤的反射率，而在基板和記錄層之間進一步設置光學調(diào)整層。作為所述光學調(diào)整層的原材料，可例示Ag、AU、CU、Al、Ni、Cr、Ti等或它們的合金等。另外，所述光學調(diào)整層的厚度，通常作為完全反射膜為50 150nm左右。
此外，上述情況示出了記錄層及光透過層分別各形成1層的1層光盤，但不限定于此，也可以是記錄層及光透過層多層層疊的2層以上的光盤。在具備多層所述記錄層的情況下，也可以在由記錄層和根據(jù)需要層疊的光學調(diào)整層或電介質(zhì)層構成的記錄層群與其它記錄層群之間，具有例如由紫外線硬化樹脂等構成的透明中間層。本發(fā)明的特征在于采用了前述的記錄層(優(yōu)選還有電介質(zhì)層)這一點，對該記錄層及電介質(zhì)層以外的基板或光透過層、進而光學調(diào)整層或透明中間層等的形成方法沒有特殊限定，只要按照通常進行的方法形成而制造光信息記錄介質(zhì)即可。作為光信息記錄介質(zhì)，可舉出CD、DVD、或BD，作為具體例舉出能夠?qū)⒗绮ㄩL約 380nm 450nm、優(yōu)選約405nm的藍色激光照射到記錄層上，進行數(shù)據(jù)的記錄及再生的BD-R。實施例以下，舉出實施例對本發(fā)明更具體地進行說明，但下述實施例并不限制本發(fā)明，還可以在不脫離前、后述的宗旨的范圍內(nèi)適當追加變更來實施，這也包含在本發(fā)明的技術范圍內(nèi)。(1)光盤的制作作為盤基板，使用聚碳酸酯基板(厚度1. 1mm，直徑120mm，磁道間距0. 32 μ m， 槽深度25nm)，在該基板上，通過DC磁控濺射法形成由氧化In、氧化Pd及氧化Ag構成的各種記錄層。記錄層的膜厚為40nm。上述記錄層通過進行純化金屬靶、純Pd金屬靶及純 Ag金屬靶這三個靶(表1的No. 5、8為其中的兩個靶)的同時放電下的多元濺射而形成。用于形成上述記錄層的濺射條件為Ar流量IOsccm,氧流量IOsccm,氣壓 0. 4Pa、DC濺射功率100 200W、基板溫度室溫。成膜的記錄層的成分組成[相對于In原子+Pd原子+Ag原子的h原子的比率 (原子％ )、Pd原子的比率(原子％ )、Ag原子的比率(原子％ )]，透過熒光X射線分析法或ICP發(fā)光分析法測定而求出。接著，對于表1的No. 1 6、8，通過DC磁控濺射法，使用氧化h靶，作為電介質(zhì)層而形成IOnm的氧化h層。用于形成該電介質(zhì)層的濺射條件為Ar流量dOsccm、氣壓 0. 2Pa、DC濺射功率100 200W、基板溫度室溫。然后，在電介質(zhì)層上(對于No. 7是在記錄層上)，旋涂紫外線硬化性樹脂(日本化藥社制“BRD-864”)之后，照射紫外線而形成膜厚約0. Imm的光透過層，得到光盤。需要說明的是，對于表1的No. 6來說，在形成上述記錄層時，作為靶使用純h金屬靶、純Pd金屬靶及純Cu金屬靶這三個靶進行濺射，形成了由氧化In、氧化Pd及氧化Cu 構成的記錄層。(2)光盤的評價對制作出的光盤如下進行了評價。即，使用光盤評價裝置('義 W”工業(yè)社制“0DU-1000”)，記錄激光中心波長設為405nm，并使用了 NA(數(shù)值孔徑)0. 85的透鏡。下述所示的反射率是使用上述裝置將激光照射到磁道上，根據(jù)光盤中的未記錄部分的激光的回光強度求出。使用上述光盤評價裝置，在線速4. 92m/s、基準時鐘66MHz的條件下，以各種記錄激光功率(記錄功率)記錄了 2T 8T的隨機信號。然后，求出使用橫河電機社制夕^
9二 4 > ^-^-JiT f 7 4廿一 TA810測定出的抖動值(表示再生激光功率0. 3mW下的記錄再生時的再生信號的時間軸上的波動的值)為最小的記錄激光功率(記錄功率)(抖動最小值及記錄功率如表1所示)。根據(jù)下述式(1)求出該抖動為最小的記錄功率下的調(diào)制度(反射率的變化率)，將上述抖動最小值小于7%且該調(diào)制度為0. 40以上的情況記為合格。調(diào)制度(反射率的變化率)二(未記錄部分的反射率-記錄部分的反射率)/(未記錄部分的反射率)··· (1)將上述結(jié)果一并記入表1。[表 1]
權利要求
1.一種光信息記錄介質(zhì)用記錄層，其特征在于，是通過激光的照射進行記錄的光信息記錄介質(zhì)用記錄層，其中，含有氧化物相對于Imol氧的標準生成自由能的絕對值比Pd及Ag大的X金屬的氧化物、氧化Pd及氧化Ag，相對于記錄層中所含的X金屬原子、Pd原子及Ag原子的合計量，Pd 原子的比率為10 60原子％，Ag原子的比率為5 45原子％，且Pd原子和Ag原子的合計量的比率為75原子％以下。
2.根據(jù)權利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)用記錄層，其特征在于，所述X金屬是從由^uSru Si、Bi、Ge、Co、W、Cu及Al構成的群中選擇的1種以上的元ο
3.根據(jù)權利要求2所述的光信息記錄介質(zhì)用記錄層，其特征在于，所述X金屬是h。
4.根據(jù)權利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)用記錄層，其特征在于，在照射激光的部分生成氣泡，發(fā)生體積變化而進行記錄。
5.一種光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，具備權利要求1 4中任一項所述的記錄層。
6.根據(jù)權利要求5所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，具備與所述記錄層鄰接而形成的電介質(zhì)層。
7.一種濺射靶，其特征在于，是權利要求1 4中任一項所述的光信息記錄介質(zhì)用記錄層形成用的濺射靶，其中，相對于濺射靶中所含的X金屬原子、Pd原子及Ag原子的合計量，Pd原子的比率為10 60原子％，Ag原子的比率為5 45原子％，且Pd原子和Ag原子的合計量的比率為75原子％以下。
8.根據(jù)權利要求7所述的濺射靶，其特征在于，所述X金屬是從由In、Sn、Zn、Bi、Ge、Co、W、Cu及Al構成的群中選擇的1種以上的元ο
9.根據(jù)權利要求8所述的濺射靶，其特征在于，所述X金屬是h。
全文摘要
本發(fā)明提供記錄特性優(yōu)異的光信息記錄介質(zhì)用記錄層、具備該記錄層的光信息記錄介質(zhì)、及對上述記錄層的形成有用的濺射靶。該光信息記錄介質(zhì)用記錄層是通過激光的照射進行記錄的記錄層，含有相對于1mol氧的氧化物的標準生成自由能的絕對值比Pd及Ag大的X金屬的氧化物、氧化Pd及氧化Ag，相對于記錄層中所含的X金屬原子、Pd原子及Ag原子的合計量，Pd原子的比率為10～60原子％，Ag原子的比率為5～45原子％，且Pd原子和Ag原子的合計量的比率為75原子％以下。
文檔編號G11B7/243GK102483939SQ20108004066
公開日2012年5月30日 申請日期2010年9月17日 優(yōu)先權日2009年9月18日
發(fā)明者志田陽子, 曾根康宏, 田內(nèi)?；?申請人:株式會社神戶制鋼所, 索尼株式會社