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信息記錄介質(zhì)、信息向信息記錄介質(zhì)的記錄方法、信息從信息記錄介質(zhì)的再生方法及信息...的制作方法

文檔序號(hào):6770407閱讀:123來源:國知局
專利名稱:信息記錄介質(zhì)、信息向信息記錄介質(zhì)的記錄方法、信息從信息記錄介質(zhì)的再生方法及信息 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種在對信息記錄介質(zhì)記錄信息時(shí),用于存儲(chǔ)對記錄脈沖進(jìn)行控制用 的信息(記錄再生控制信息)的技術(shù)。
背景技術(shù)
以往,信息記錄介質(zhì)中記載有對信息記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄時(shí)的記錄再生控制信息。例如,在光盤中,如專利文獻(xiàn)1所記載那樣,在Blu-rayDiSC( “藍(lán)光盤”;以下簡稱 為“BD”)的情況下,記載有包括被稱為“盤信息(以下簡稱為DI) ”的記錄再生控制信息的
fn息ο而在DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、DVD-R、DVD+R的情況下,“物理的格式信息(以下 簡稱為PFI) ”相當(dāng)于上述DI。另外,即使在介質(zhì)中記載有記錄再生控制信息的情況下,有時(shí)也以與上述DI、PFI 相同的形式、或者遵照上述DI、PFI的形式,利用信息記錄介質(zhì)的記錄再生裝置向信息記錄 介質(zhì)內(nèi)的被許可的區(qū)域記錄、或者保持到記錄再生裝置的內(nèi)部存儲(chǔ)器等中。這里以BD的DI為例,對記錄再生控制信息進(jìn)行說明。圖1表示BD的構(gòu)造的示意圖。在只具有一個(gè)對信息進(jìn)行記錄的層的單層媒介的情況下,僅1個(gè)的記錄層成為圖 1的構(gòu)造,在信息記錄層為2個(gè)以上的多層媒介的情況下,各層中具有圖1的構(gòu)造、或者至少 1個(gè)以上的層成為圖1的構(gòu)造。根據(jù)專利文獻(xiàn)1,DI在圖1所示的BD構(gòu)造圖內(nèi)的、被稱為讀入?yún)^(qū)域11的區(qū)域中至 少記載有1個(gè)以上。根據(jù)專利文獻(xiàn)1,DI為112字節(jié),1個(gè)DI中記載有與1個(gè)層、1個(gè)倍速對應(yīng)的1個(gè) 記錄脈沖形狀。圖2表示DI的示意圖。DI由頭部信息(header information) 21、記錄再生控制信息22和腳注信息(” ,夕情報(bào))23構(gòu)成。而且,記錄再生控制信息由記載有與盤類型、盤構(gòu)造相關(guān)的信息的盤控 制部24、對記錄時(shí)或再生時(shí)的功率進(jìn)行控制的功率信息部25、和對記錄時(shí)的記錄脈沖形狀 進(jìn)行控制的記錄脈沖信息部26構(gòu)成。在光盤中,用于形成記錄標(biāo)記的記錄脈沖,由表示各脈沖的功率電平的功率信息、 和表示各脈沖的位置或脈沖寬度的記錄脈沖信息構(gòu)成。將上述的記錄脈沖稱為寫入策略(Write Strategy ;有時(shí)也記述為“WS” )。寫入策略的功率信息被記載于功率信息部25,記錄脈沖信息被記載于記錄脈沖信 息部26。利用圖3所示的記錄脈沖形狀的一例,對功率信息和記錄脈沖信息進(jìn)行說明。圖3表示了相對于信道時(shí)鐘T,用于形成成為T的8倍長度( = 8T)的標(biāo)記的記錄脈沖形狀 的一例。在圖3的情況下,功率信息包括如峰值功率(peak power)Pw31、空白功率(space power)Ps32、7令卻功率(cooling power)Pc33、最小功率(bottom power)Pb34 那樣的,與記 錄脈沖的振幅方向的參數(shù)相關(guān)的信息。記錄脈沖信息包括如最高脈沖寬度Ttop35、最高脈沖開始位置dTtop36、多脈沖 寬度Tmp37、末尾脈沖寬度38、冷卻脈沖結(jié)束位置dTs39那樣的,與記錄脈沖的時(shí)間軸方向 的參數(shù)相關(guān)的信息。這些參數(shù)被以例如圖4那樣的形式保存在DI中。另外,這樣的記錄再生控制信息 有時(shí)也以與圖4同樣的形式、或者按照圖4的形式,被信息記錄介質(zhì)的記錄再生裝置記錄到 信息記錄介質(zhì)內(nèi)的許可區(qū)域。此外,信息記錄介質(zhì)的記錄再生裝置有時(shí)還將記錄再生控制信息保持到內(nèi)部存儲(chǔ)
嬰坐由 研寸T ο除了上述的記錄再生控制信息之外,由于記錄的高倍速化、高密度化等,標(biāo)記間的 熱干涉的影響依賴于位于標(biāo)記之前或者之后的空白(space)的長度。在觀察到上述那樣的現(xiàn)象時(shí),如果對所有的前或者后空白長度以相同的記錄脈沖 信息進(jìn)行記錄,則由于位于記錄標(biāo)記的前或者后的空白的長度不同,導(dǎo)致記錄標(biāo)記長度變 化。因此,不是只根據(jù)各標(biāo)記長度,有時(shí)還根據(jù)與位于標(biāo)記之前或者之后的空白長度 的關(guān)系,定義各個(gè)記錄脈沖信息。專利文獻(xiàn)1特開2006-313621號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)1圖解藍(lán)光盤課本才一A公司近年來,基于信息記錄介質(zhì)的高密度化,記錄標(biāo)記的最短標(biāo)記長度已接近依賴于 檢測系統(tǒng)的分辨率的界限。例如,在信息記錄介質(zhì)是光盤介質(zhì)的情況下,依賴于檢測系統(tǒng)的分辨率是指基于 會(huì)聚激光而出現(xiàn)的光斑大小的光學(xué)分辨率。由于該分辨率的界限,導(dǎo)致碼間干涉的增大及SNR(Signal Noise Ratio)的劣化 更加顯著。下面,例如以使用了具有405nm波長的藍(lán)色激光的12cm的光盤介質(zhì)進(jìn)行說明。根據(jù)非專利文獻(xiàn)1,在使用了藍(lán)色激光的光盤介質(zhì)中,激光會(huì)聚后的光斑尺寸為 390nm,在記錄代碼使用了 RLL(1,7)的每一個(gè)記錄層的記錄容量為25GB的情況下,最短標(biāo) 記的長度為149nm。而且,在該光盤介質(zhì)中,當(dāng)將每一層的記錄容量設(shè)為33. 3GB時(shí),最短標(biāo)記的長度 為112nm。如果想要實(shí)現(xiàn)更高的密度化,則最短標(biāo)記的長度進(jìn)一步變短。在使用了相同檢測系統(tǒng)的情況下,如圖5(a)所示,在記錄容量為25GB時(shí),是在光 斑51中進(jìn)入2. 6個(gè)最短標(biāo)記的大小,如圖5(b)所示,在記錄容量為33. 3GB時(shí),成為在光斑 51中進(jìn)入3. 5個(gè)最短標(biāo)記的大小,相對于成為光盤介質(zhì)的檢測系統(tǒng)的標(biāo)記,光斑尺寸的長 度變短。因此,進(jìn)入到光斑尺寸的標(biāo)記與空白的組合,不僅僅是一個(gè)標(biāo)記與一個(gè)位于之前 或者之后的空白的圖案,而成為具有多個(gè)標(biāo)記和空白的圖案。
下面,針對當(dāng)前時(shí)刻i的標(biāo)記,在圖6中表示與含有多個(gè)標(biāo)記或者空白的圖案的關(guān) 系的一例。圖6(a)表示了當(dāng)前時(shí)刻i的標(biāo)記,與時(shí)刻i_l的前空白、時(shí)刻i+Ι的后空白的組
口 O圖6(b)表示了當(dāng)前時(shí)刻i的標(biāo)記,與時(shí) 刻i_2的前標(biāo)記、時(shí)刻i_l的前空白的組
π ο圖6 (c)表示了當(dāng)前時(shí)刻i的標(biāo)記,與時(shí)刻i+Ι的后空白、時(shí)刻i+2的后標(biāo)記的組
π ο圖6(d)表示了當(dāng)前時(shí)刻i的標(biāo)記,與時(shí)刻i_l的前空白、時(shí)刻i+Ι的后空白、時(shí)刻 i+2的后標(biāo)記的組合。圖6(e)表示了當(dāng)前時(shí)刻i的標(biāo)記,與時(shí)刻i_2的前標(biāo)記、時(shí)刻i_l的前空白、時(shí)刻 i+Ι的后空白的組合。因此,在記錄密度被高密度化的情況下,記錄脈沖信息不僅僅由標(biāo)記與前或者后 空白的組合定義,可考慮還通過圖6所示那樣的前后空白、前標(biāo)記和前空白、后標(biāo)記和后空 白、前后空白和前標(biāo)記、前后空白和后標(biāo)記的組合來定義。并且,為了進(jìn)行高密度記錄,還可以考慮通過提高記錄脈沖信息的分辨率,來確保 記錄性能。如上所述,通過進(jìn)行高密度化,能夠預(yù)見記錄脈沖信息被擴(kuò)展,記錄再生控制信息 的信息量增加。由于信息量增加,會(huì)引起DI、PFI那樣的信息,無法收納到信息量被確定的記錄再 生控制信息保存部這一課題。針對上述課題,可以考慮變更記錄再生控制信息保存部的形式,但通過變更形式, 會(huì)導(dǎo)致下位互換或過去互換(過去互換)消失。另外,還可以考慮分成2個(gè)以上的記錄再生控制信息保存部來保存增加的信息。 但是,由于分成2個(gè)以上,會(huì)導(dǎo)致信息的讀出變慢、DI、PFI的數(shù)量增加,因此產(chǎn)生讀入?yún)^(qū)域 的容量受壓迫的課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決上述以往的課題而提出,其目的在于,提供在高密度化的信息記 錄介質(zhì)的記錄再生控制信息增加的情況下,能夠以存在下位互換、過去互換的形式,將記錄 再生控制信息收納為規(guī)定的信息量的信息記錄介質(zhì)的記錄再生控制信息構(gòu)成方法、以及信 息記錄介質(zhì)記錄再生裝置。本發(fā)明涉及的信息記錄介質(zhì)能夠記錄將標(biāo)記和空白組合而得到的數(shù)據(jù)列,所述信 息記錄介質(zhì)具有至少1個(gè)信息記錄層,所述至少1個(gè)信息記錄層具有用于記錄信息的信息 記錄區(qū)域、和用于對所述至少1個(gè)信息記錄層進(jìn)行記錄再生的控制信息區(qū)域,所述控制信 息區(qū)域具有至少1個(gè)控制信息,所述至少1個(gè)控制信息具有保存了作為基準(zhǔn)值而被使用的 信息的第1記錄脈沖信息、和保存了作為偏差值而被使用的信息的第2記錄脈沖信息,所述 偏差值的信息量為所述基準(zhǔn)值的信息量的2分之1以上。所述第1記錄脈沖信息具有與前或者后的空白的長度為5T以上(T 信道時(shí)鐘)時(shí)的記錄脈沖相關(guān)而作為基準(zhǔn)值使用的信息。在所述第1記錄脈沖信息中,到nT以下(η:整數(shù))的標(biāo)記長度為止,在各標(biāo)記長 度下定義作為至少1個(gè)基準(zhǔn)值而使用的信息。在所述第2記錄脈沖信息中,可以僅針對最短的標(biāo)記定義按前空白和后空白分類 的被作為偏差值而使用的信息。本發(fā)明涉及的方法用于向上述的信息記錄介質(zhì)記錄信息,包括從所述控制信息 區(qū)域讀出所述控制信息的步驟;根據(jù)讀出的所述控制信息中含有的所述第1記錄脈沖信息 和所述第2記錄脈沖信息,調(diào)整用于 向所述信息記錄區(qū)域記錄的記錄波形的步驟;和根據(jù) 調(diào)整后的所述記錄波形,向所述信息記錄區(qū)域記錄數(shù)據(jù)列的步驟。本發(fā)明涉及的方法用于從上述的信息記錄介質(zhì)再生信息,包括向所述信息記錄 區(qū)域照射激光的步驟;和基于根據(jù)所述控制信息中含有的所述第1記錄脈沖信息和所述第 2記錄脈沖信息而被調(diào)整后的記錄波形,再生所述信息記錄區(qū)域中記錄的數(shù)據(jù)列的步驟。本發(fā)明涉及的方法用于制造能夠記錄將標(biāo)記與空白組合而得到的數(shù)據(jù)列的信息 記錄介質(zhì),具有在基板上層疊信息記錄層,在所述信息記錄層上層疊透明保護(hù)層的步驟; 在所述信息記錄層上形成用于記錄信息的信息記錄區(qū)域的步驟;在所述信息記錄層上形成 用于記錄控制信息的控制信息區(qū)域的步驟,所述控制信息是用于進(jìn)行記錄再生的信息;和 向所述控制信息區(qū)域記錄所述控制信息的步驟;所述控制信息具有保存了作為基準(zhǔn)值而 被使用的信息的第1記錄脈沖信息、保存了作為偏差值而被使用的信息的第2記錄脈沖信 息,所述偏差值的信息量為所述基準(zhǔn)值的信息量的2分之1以上。本發(fā)明涉及的方法用于向通過上述制造方法而制造的信息記錄介質(zhì)記錄信息,包 括從所述控制信息區(qū)域讀出所述控制信息的步驟;根據(jù)讀出的所述控制信息中含有的所 述第1記錄脈沖信息和所述第2記錄脈沖信息,調(diào)整用于向所述信息記錄區(qū)域記錄的記錄 波形的步驟;和根據(jù)調(diào)整后的所述記錄波形,向所述信息記錄區(qū)域記錄數(shù)據(jù)列的步驟。本發(fā)明涉及的方法用于從通過上述制造方法制造的信息記錄介質(zhì)再生信息,包 括向所述信息記錄區(qū)域照射激光的步驟;和基于根據(jù)所述控制信息中含有的所述第1記 錄脈沖信息和所述第2記錄脈沖信息而被調(diào)整后的記錄波形,再生所述信息記錄區(qū)域中記 錄的數(shù)據(jù)列的步驟。本發(fā)明涉及的信息記錄介質(zhì)能夠記錄將標(biāo)記與空白組合而得到的數(shù)據(jù)列,所述信 息記錄介質(zhì)具有至少1個(gè)信息記錄層,所述至少1個(gè)信息記錄層具有用于記錄信息的信息 記錄區(qū)域、和用于對所述至少1個(gè)信息記錄層進(jìn)行記錄再生的控制信息區(qū)域,所述控制信 息區(qū)域具有至少1個(gè)控制信息,所述至少1個(gè)控制信息具有保存了作為基準(zhǔn)值而被使用的 信息的第1記錄脈沖信息、和保存了作為偏差值而被使用的信息的第2記錄脈沖信息,所述 偏差值的信息量在能夠以IT (Τ:信道時(shí)鐘)的η分之1(η:正整數(shù))的精度定義記錄脈沖的 脈沖寬度或者脈沖位置時(shí),是能夠定義至少η分之2的范圍的信息量。所述第1記錄脈沖信息具有與前或者后的空白的長度為5Τ以上(Τ 信道時(shí)鐘)時(shí) 的記錄脈沖相關(guān)而作為基準(zhǔn)值使用的信息。在所述第1記錄脈沖信息中,到nT以下(η:整數(shù))的標(biāo)記長度為止,在各標(biāo)記長 度下定義作為至少1個(gè)基準(zhǔn)值而使用的信息。在所述第2記錄脈沖信息中,可以僅針對最短的標(biāo)記定義按前空白和后空白分類的被作為偏差值而使用的信息。
本發(fā)明涉及的方法用于向上述的信息記錄介質(zhì)記錄信息,包括從所述控制信息 區(qū)域讀出所述控制信息的步驟;根據(jù)讀出的所述控制信息中含有的所述第1記錄脈沖信息 和所述第2記錄脈沖信息,調(diào)整用于向所述信息記錄區(qū)域記錄的記錄波形的步驟;和根據(jù) 調(diào)整后的所述記錄波形,向所述信息記錄區(qū)域記錄數(shù)據(jù)列的步驟。本發(fā)明涉及的方法用于從上述的信息記錄介質(zhì)再生信息,包括向所述信息記錄 區(qū)域照射激光的步驟;和基于根據(jù)所述控制信息中含有的所述第1記錄脈沖信息和所述第 2記錄脈沖信息而被調(diào)整后的記錄波形,再生所述信息記錄區(qū)域中記錄的數(shù)據(jù)列的步驟。本發(fā)明涉及的方法用于制造能夠記錄將標(biāo)記與空白組合而得到的數(shù)據(jù)列的信息 記錄介質(zhì),具有在基板上層疊信息記錄層,在所述信息記錄層上層疊透明保護(hù)層的步驟; 在所述信息記錄層上形成用于記錄信息的信息記錄區(qū)域的步驟;在所述信息記錄層上形成 用于記錄控制信息的控制信息區(qū)域的步驟,所述控制信息是用于進(jìn)行記錄再生的信息;和 向所述控制信息區(qū)域記錄所述控制信息的步驟;所述控制信息具有保存了作為基準(zhǔn)值而 被使用的信息的第1記錄脈沖信息、和保存了作為偏差值而被使用的信息的第2記錄脈沖 信息,所述偏差值的信息量在能夠以1T(T 信道時(shí)鐘)的η分之1 (η 正整數(shù))的精度定義 記錄脈沖的脈沖寬度或者脈沖位置時(shí),是能夠定義至少η分之2的范圍的信息量。本發(fā)明涉及的方法用于向通過上述制造方法而制造的信息記錄介質(zhì)記錄信息,包 括從所述控制信息區(qū)域讀出所述控制信息的步驟;根據(jù)讀出的所述控制信息中含有的所 述第1記錄脈沖信息和所述第2記錄脈沖信息,調(diào)整用于向所述信息記錄區(qū)域記錄的記錄 波形的步驟;和根據(jù)調(diào)整后的所述記錄波形,向所述信息記錄區(qū)域記錄數(shù)據(jù)列的步驟。本發(fā)明涉及的方法用于從通過上述制造方法而制造的信息記錄介質(zhì)再生信息,包 括向所述信息記錄區(qū)域照射激光的步驟;和基于根據(jù)所述控制信息中含有的所述第1記 錄脈沖信息和所述第2記錄脈沖信息而被調(diào)整后的記錄波形,再生所述信息記錄區(qū)域中記 錄的數(shù)據(jù)列的步驟。根據(jù)本發(fā)明,在具有多個(gè)軌道、通過激光向所述軌道的脈沖照射而形成標(biāo)記,將信 息作為標(biāo)記與空白交替排列的數(shù)據(jù)列而記錄的信息記錄介質(zhì)中,所述信息記錄介質(zhì)具有至 少1個(gè)用于記錄信息的信息記錄層,所述信息記錄層具有用于記錄信息的信息記錄區(qū)域, 在至少1個(gè)所述信息記錄層中具有用于進(jìn)行記錄再生的控制信息區(qū)域,在所述控制信息區(qū) 域中具有至少1個(gè)控制信息,1個(gè)所述控制信息具有第1記錄脈沖信息和第2記錄脈沖信 息,能夠僅根據(jù)所述第1記錄脈沖信息、或者根據(jù)所述第1記錄脈沖信息與所述第2記錄脈 沖信息雙方進(jìn)行信息的記錄,如果僅使用所述第1記錄脈沖信息,則即使在與擴(kuò)展后的記 錄脈沖不對應(yīng)的信息記錄再生裝置中也能夠進(jìn)行記錄,在與擴(kuò)展后的記錄脈沖對應(yīng)的信息 記錄再生裝置中,即便是高密度記錄,也能考慮碼間干涉、熱干涉的影響,通過擴(kuò)展后的記 錄脈沖得到SNR更良好的記錄質(zhì)量。


圖1是BD的構(gòu)造示意圖。圖2是BD的DI信息的示意圖。圖3是表示記錄脈沖形狀的一例的圖。
圖4是DI信息的一例。圖5(a)及(b)是表示記錄容量不同的光盤中的、光斑尺寸與標(biāo)記長度的關(guān)系的一 例的圖。圖6(a) (e)是表示光斑尺寸與包含多個(gè)標(biāo)記或者空白的圖案的關(guān)系的一例的 圖。圖7是表示城堡式寫入策略(矢Y ? 7卟型,4卜7卜,歹夕=Castle type Write Strategy)的一例的圖。圖8是表示具有頭部信息部811、記錄再生控制信息部812和腳注信息部813的盤 信息的圖。

圖9(a) (C)是表示擴(kuò)展后的城堡式寫入策略的記錄再生控制信息的構(gòu)成的一 例的圖。圖10是表示實(shí)施方式1涉及的光盤裝置1000的圖。圖11是表示N-I型寫入策略的一例的圖。圖12是表示具有頭部信息部811、記錄再生控制信息部812和腳注信息部813的 盤信息的圖。圖13(a) (c)是表示擴(kuò)展后的N_1型寫入策略的記錄再生控制信息的構(gòu)成的一 例的圖。圖14是表示N/2型寫入策略的一例的圖。圖15是表示N/2型寫入策略的記錄再生控制信息的構(gòu)成的一例的圖。圖16是實(shí)施方式4中的信息記錄介質(zhì)的俯視圖。圖17是表示控制信息區(qū)域的格式的一例的圖。圖18是表示城堡式寫入策略的記錄脈沖形狀的一例的圖。圖19是表示DI201中的DI201-1的各信息的配置例的圖。圖20是表示DI201中的DI201-2的各信息的配置例的圖。圖21是BD的區(qū)域構(gòu)造的示意圖。圖22是BD的DI的示意圖。圖23是表示記錄脈沖形狀的一例的圖。圖24是表示DI中的保存形式的一例的圖。圖25(a)及(b)是表示記錄容量不同的光盤中的、光斑尺寸與標(biāo)記長度的關(guān)系的 一例的圖。圖26是表示光斑2001的尺寸與包含多個(gè)標(biāo)記或者空白的圖案的關(guān)系的一例的 圖。圖27是DI的分離圖案的說明圖。圖28是表示以現(xiàn)有的密度進(jìn)行記錄的信息記錄介質(zhì)的DI的一例的圖。圖29是表示進(jìn)行高密度記錄的信息記錄介質(zhì)的第一個(gè)DI的一例的圖。圖30是表示進(jìn)行高密度記錄的信息記錄介質(zhì)的第二個(gè)DI的一例的圖。圖31是表示將與標(biāo)記始端相關(guān)的參數(shù)保存到第一個(gè)DI時(shí)的保存例的圖。圖32是表示將與標(biāo)記終端相關(guān)的參數(shù)保存到第二個(gè)DI時(shí)的保存例的圖。圖33是表示將字節(jié)數(shù)多的參數(shù)保存到第一個(gè)DI時(shí)的第一個(gè)DI的保存例的圖。
圖34是表示將字節(jié)數(shù)多的參數(shù)保存到第一個(gè)DI時(shí)的第二個(gè)DI的保存例的圖。 圖35是表示控制信息區(qū)域的格式的一例的圖。圖36是表示不足DI有無信息223的構(gòu)成例的圖。圖37是表示多層盤的一般的構(gòu)成例的圖。圖38是表示單層盤的構(gòu)成例的圖。圖39是表示二層盤的構(gòu)成例的圖。圖40是表示三層盤的構(gòu)成例的圖。圖41是表示四層盤的構(gòu)成例的圖。圖42是表示實(shí)施方式6涉及的光盤1的物理構(gòu)成的圖。圖43 (A)是表示25GB的BD的例子的圖,(b)是表示記錄密度比25GB的BD高的 光盤的例子的圖。圖44是表示對記錄在軌道上的標(biāo)記列照射光束的樣子的圖。圖45是表示25GB記錄容量時(shí)的OTF與最短記錄標(biāo)記的關(guān)系的曲線圖。圖46是表示最短標(biāo)記(2T)的空間頻率比OTF截止頻率高、且2T的再生信號(hào)的振 幅為0時(shí),信號(hào)振幅與空間頻率的關(guān)系的一例的曲線圖。圖47是表示多脈沖型策略的第1記錄波形的圖。圖48是表示多脈沖型策略的第2記錄波形的圖。圖49是表示多脈沖型策略的第3記錄波形的圖。圖中901_擴(kuò)展后的城堡式寫入策略的記錄脈沖信息部的冷卻脈沖開始位置擴(kuò) 展dTc ;902-擴(kuò)展后的城堡式寫入策略的記錄脈沖信息部的最高脈沖開始位置擴(kuò)展dTtop ; 903-擴(kuò)展后的城堡式寫入策略的記錄脈沖信息部的最高脈沖寬度擴(kuò)展Ttop ;904-擴(kuò)展后 的城堡式寫入策略的記錄脈沖信息部的末尾脈沖寬度擴(kuò)展Tlp ;905-擴(kuò)展后的城堡式寫入 策略的記錄脈沖信息部的冷卻脈沖結(jié)束位置擴(kuò)展dTs ;906_擴(kuò)展后的城堡式寫入策略的 記錄脈沖信息部的空閑信息;914-擴(kuò)展后的城堡式寫入策略的記錄再生控制信息的盤控 制部;915-擴(kuò)展后的城堡式寫入策略的記錄再生控制信息的功率信息部;916-擴(kuò)展后的 城堡式寫入策略的記錄再生控制信息的記錄脈沖信息部;917-擴(kuò)展后的城堡式寫入策略 的記錄再生控制信息的記錄脈沖信息的基本部;918-擴(kuò)展后的城堡式寫入策略的記錄再 生控制信息的記錄脈沖信息的擴(kuò)展部;1000-光盤裝置;1001-信息記錄介質(zhì);1002-光頭 部;1003-激光控制部;1004-記錄脈沖生成部;1005-再生信號(hào)處理部;1006-數(shù)據(jù)處理部; 1007-控制器部;1008-存儲(chǔ)器部。
具體實(shí)施例方式下面,參照附圖,對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。針對同樣的構(gòu)成要素賦予同樣的 參照編碼,并省略同樣重復(fù)說明。在以下的實(shí)施方式1、2及4中,與申請發(fā)明的說明相關(guān)聯(lián)地對各種寫入策略進(jìn)行 說明。除此之外,在實(shí)施方式6中也對寫入策略的細(xì)節(jié)進(jìn)行了說明。(實(shí)施方式1)首先,對第1實(shí)施方式涉及的信息記錄介質(zhì)的記錄再生控制信息的構(gòu)成方法進(jìn)行 說明。
圖10是表示本實(shí)施方式涉及的光盤裝置1000的圖。 光盤裝置1000從所搭載的信息記錄介質(zhì)1001進(jìn)行信息的再生,或者向信息記錄 介質(zhì)1001進(jìn)行信息的記錄。信息記錄介質(zhì)1001例如是光盤。光盤裝置1000具備光頭部1002、激光控制部1003、記錄脈沖生成部1004、再生 信號(hào)處理部1005、數(shù)據(jù)處理部1006、控制器部1007和存儲(chǔ)器部1008。首先,對光盤裝置1000的再生動(dòng)作進(jìn)行說明。光頭部1002使通過物鏡后的激光會(huì)聚到信息記錄介質(zhì)1001的記錄層,并接收其 反射光,生成對信息記錄介質(zhì)1001中記錄的信息進(jìn)行表示的模擬再生信號(hào)。從信息記錄介質(zhì)1001再生的模擬再生信號(hào)被再生信號(hào)處理部1005進(jìn)行信號(hào)處 理。再生信號(hào)處理部1005將2值化信號(hào)傳遞給數(shù)據(jù)處理部1006。數(shù)據(jù)處理部1006根據(jù)接收到的2值化信號(hào)生成再生數(shù)據(jù)并將其傳遞給控制器部 1007。接著,對光盤裝置1000的記錄動(dòng)作進(jìn)行說明??刂破鞑?007將記錄數(shù)據(jù)和記錄再生控制信息傳遞給記錄脈沖生成部1004。該記錄再生控制信息被記錄于信息記錄介質(zhì)1001。記錄脈沖生成部1004根據(jù)接收到的記錄數(shù)據(jù)和記錄條件,生成記錄信號(hào)。記錄脈 沖生成部1004將記錄信號(hào)傳遞給激光控制部1003。接收到生成的記錄信號(hào)的激光控制部1003,根據(jù)記錄信號(hào)對光頭部中搭載的激光 的發(fā)光進(jìn)行控制,在信息記錄介質(zhì)1001上形成標(biāo)記。由此,數(shù)據(jù)被記錄。接著,對記錄時(shí)的記錄脈沖形狀的一例進(jìn)行說明。圖7表示被稱為城堡(Castle)型的寫入策略。作為一例,表示了在記錄代碼使用 了 RLL(1,7)時(shí),從成為最短標(biāo)記的2T標(biāo)記(T為信道時(shí)鐘)到8T標(biāo)記、和形成加上了用于 檢測出數(shù)據(jù)開始位置等定時(shí)的Sync圖案所使用的9T標(biāo)記的記錄標(biāo)記時(shí)的記錄脈沖形狀。圖7所示的城堡式寫入策略的2T標(biāo)記具有將2T-dTtop706的時(shí)點(diǎn)作為開始時(shí) 間,在由2T-Top705定義的時(shí)間中以峰值功率Pw701進(jìn)行激光發(fā)光的最高脈沖;和在從該最 高脈沖的下降時(shí)間,到從由2T-dTs707定義的冷卻功率Pc704向空白功率Ps703的上升時(shí) 間為止的期間,以冷卻功率Pc704進(jìn)行激光發(fā)光的冷卻脈沖。圖7所示的城堡式寫入策略的3T標(biāo)記具有將3T-dTtop709的時(shí)點(diǎn)作為開始時(shí) 間,在由3T-Top708定義的時(shí)間中以峰值功率Pw701進(jìn)行激光發(fā)光的最高脈沖;和在從該最 高脈沖的下降時(shí)間,到從由2T-dTs707定義的冷卻功率Pc704向空白功率Ps703的上升時(shí) 間為止的期間,以Pc704進(jìn)行激光發(fā)光的冷卻脈沖。圖7所示的城堡式寫入策略的nT標(biāo)記(這里的η表示4以上9以下的整數(shù))具 有將nT-dTtop713的時(shí)點(diǎn)作為開始時(shí)間,在由nT_Top712定義的時(shí)間中以峰值功率Pw701 進(jìn)行激光發(fā)光的最高脈沖;將nT-dTc715的時(shí)間作為結(jié)束時(shí)間,在由ηΤ-Τ1ρ714定義的時(shí)間 中以峰值功率Pw701進(jìn)行激光發(fā)光的末尾脈沖;在從該最高脈沖的下降時(shí)間開始,到末尾 脈沖的上升時(shí)間為止的期間,以中等功率Pm702進(jìn)行激光發(fā)光的中等脈沖;和在從該末尾 脈沖下降時(shí)間,到從由nT-dTs716定義的冷卻功率Pc704向空白功率Ps703的上升時(shí)間為 止的期間,以Pc704進(jìn)行激光發(fā)光的冷卻脈沖。
其中,形成nT標(biāo)記的各參數(shù)在η從4 9時(shí)分別為不同的值,但在η為某一數(shù)以 上時(shí)可以為相同的值。接下來,利用圖8,對具有圖7中說明的城堡式寫入策略的記錄再生控制信息的盤 信息的構(gòu)成的一例進(jìn)行說明。圖8表示具有頭部信息部811、記錄再生控制信息部812和腳注信息部813的盤信 息。盤信息構(gòu)成為將112Bytes作為1個(gè)單位。而且,記錄再生控制信息部812具有盤控制部814、功率信息部815和記錄脈沖 信息部816。圖8的記錄脈沖信息部816所具有的參數(shù)中,與記錄標(biāo)記的前空白側(cè)相關(guān)的參數(shù) dTtop802及Ttop803構(gòu)成為,相對前空白的長度能夠進(jìn)行記錄脈沖調(diào)整。下面對記錄脈沖信息部816的細(xì)節(jié)進(jìn)行說明。
圖8的記錄脈沖信息部816中含有的所有參數(shù)分別具有IByte的信 息量。城堡式寫入策略的dTcSOl被分類成3T標(biāo)記、4T標(biāo)記、5T標(biāo)記以上這3類,總共具 有3Bytes的信息量。城堡式寫入策略的dTtop802被分類成2T標(biāo)記、3T標(biāo)記、4T標(biāo)記以上。所劃分的 各記錄標(biāo)記分別被分類成前2T空白、前3T空白、前4T空白以上這3類,總共具有9Bytes
的信息量。城堡式寫入策略的Ttop803被分類成2T標(biāo)記、3T標(biāo)記、4T標(biāo)記以上。所劃分的各 記錄標(biāo)記分別被分類成前2T空白、前3T空白、前4T空白以上這3類,總共具有9Bytes的
fn息里。城堡式寫入策略的Tlp804僅由4Τ標(biāo)記以上定義,具有IByte的信息量。城堡式寫入策略的dTcSOl被分類成3T標(biāo)記、4T標(biāo)記、5T標(biāo)記以上。所分類的各 記錄標(biāo)記總共具有3Bytes的信息量。而且,記錄脈沖信息部816具有19Bytes的空閑信息 806。其中,空閑信息806可以將所有的位表現(xiàn)為0或者1,也可以取代空閑信息806而
保存其他信息。圖5 (a)表示確保了 25GB的記錄容量時(shí)的最短標(biāo)記(2T標(biāo)記)與光斑51的尺寸 的關(guān)系,圖5 (b)表示確保了 33. 3GB的記錄容量時(shí)的最短標(biāo)記(2T標(biāo)記)與光斑51的尺寸 的關(guān)系。都是本實(shí)施方式涉及的信息記錄介質(zhì)1001中記錄了 2T標(biāo)記時(shí)的一例。若將25GB 時(shí)的記錄標(biāo)記,與33. 3GB這一高密度記錄時(shí)的記錄標(biāo)記進(jìn)行比較,則后者的記錄標(biāo)記的物 理長度大約為前者的75%。例如,在圖5(a)及(b)所示的2T標(biāo)記的例子中,相對于25GB 記錄時(shí)的記錄標(biāo)記的長度為149nm,33. 3GB記錄時(shí)的記錄標(biāo)記的長度為112nm。鑒于此,為了在本實(shí)施方式的信息記錄介質(zhì)1001中進(jìn)行高密度記錄,考慮以下的 方面,來構(gòu)成圖7及圖8中說明的城堡式寫入策略的記錄再生控制信息??紤]的第一點(diǎn)是由于記錄標(biāo)記的物理長度變短,所以在記錄標(biāo)記形成時(shí),受到由 之前的標(biāo)記形成時(shí)、之后的標(biāo)記形成時(shí)對信息記錄介質(zhì)1001照射的激光所賦予的熱影響 的熱干涉這一現(xiàn)象,會(huì)對更長的信道時(shí)鐘的標(biāo)記造成影響。鑒于此,將各參數(shù)的分類擴(kuò)展成記錄標(biāo)記的長度為2T標(biāo)記、3T標(biāo)記、4T標(biāo)記、5T標(biāo) 記以上。
考慮的第二點(diǎn)是由于基于高密度化,記錄標(biāo)記的物理長度相對本實(shí)施方式的裝 置的檢測系統(tǒng)、即激光的光斑尺寸相對變小,所以再生信號(hào)檢測時(shí)的碼間干涉除了之前的 空白之外,還根據(jù)其他的空白及標(biāo)記的組合而不同。其他的空白及標(biāo)記的組合是指前后空 白、前標(biāo)記與前空白、后標(biāo)記與后空白、前后空白與前標(biāo)記、前后空白與后標(biāo)記。尤其是越短 的標(biāo)記,碼間干涉的影響越顯著。鑒于此,將記錄脈沖的參數(shù)分類從只有前空白擴(kuò)展成由前空白、前后空白、前標(biāo)記 與前空白、后標(biāo)記與后空白、前后空白與前標(biāo)記、前后空白與后標(biāo)記的組合構(gòu)成的分類。
該擴(kuò)展對于最短的2T標(biāo)記進(jìn)行。而且,通過前后的標(biāo)記、空白止于2T標(biāo)記與3T 以上標(biāo)記的分類、及2T空白與3T以上空白的分類,會(huì)減輕參數(shù)信息量過度增大。圖9表示進(jìn)行了上述的擴(kuò)展和分類后的盤信息的構(gòu)成方法。以下,對圖9詳細(xì)進(jìn)行說明。首先,為了使高密度化前后的盤信息構(gòu)成具有互換性,設(shè)頭部信息部811、記錄再 生控制信息部812及腳注信息部813的構(gòu)成、以及各自的Byte數(shù)固定。由于前述的記錄脈沖信息的擴(kuò)展,必要的記錄脈沖信息的信息量會(huì)增大。鑒于此,通過削減在記錄再生控制信息部812內(nèi)的盤控制部914、功率信息部915 中確保的區(qū)域、或?qū)λ鼈兯3值男畔⑦M(jìn)行壓縮或者削減,來確保因擴(kuò)展而使得信息量增 加的記錄脈沖信息部916的區(qū)域。盤控制部914及功率信息部915的區(qū)域的削減例如是指削減各自的信息部的未 使用區(qū)域。另外,盤控制部914、功率信息部915所保持的信息的壓縮或者削減是指通過降 低設(shè)定值的分辨率,來減少使用bit數(shù)、減少信息量;或?qū)⒈3至硕鄠€(gè)參數(shù)的內(nèi)容至少減去 1。后者例如可被舉出在再生時(shí)的激光發(fā)光功率按每個(gè)不同的再生速度而設(shè)置時(shí),減去其中 的至少1個(gè)。作為其他的例子,是當(dāng)根據(jù)發(fā)光方法的不同(DC發(fā)光和高頻疊加發(fā)光)而設(shè) 置了不同的發(fā)光功率的信息時(shí),減去其中的至少1個(gè)。以下,對圖9(a)的記錄脈沖控制部916的各參數(shù)的分類詳細(xì)進(jìn)行說明。在圖 9(a) (c)中,設(shè)所有的參數(shù)分別具有IByte的信息量。本實(shí)施方式涉及的為了應(yīng)對高密度記錄而擴(kuò)展的記錄脈沖控制部916具有基本 部917和擴(kuò)展部918。圖9(b)表示基本部917的詳細(xì)的參數(shù)分類。基本部917具有基本dTc921、基本 dTtop922、基本 Ttop923、基本 Tlp924、基本 dTs925。基本部917中保持有不依賴于記錄標(biāo)記的前后的空白、前后的標(biāo)記長度的參數(shù)。 能夠只根據(jù)基本部917的記錄脈沖信息,生成未擴(kuò)展的城堡式寫入策略。S卩,通過僅基于基本部917的城堡式寫入策略實(shí)現(xiàn)的記錄,與通過擴(kuò)展后的城堡 式寫入策略實(shí)現(xiàn)的記錄相比,存在因熱干涉、碼間干涉使得SNR惡化的可能性。但是,根據(jù) 僅基于基本部917的城堡式寫入策略,如過去的信息記錄再生裝置、下位的信息記錄再生 裝置那樣的、不與生成被擴(kuò)展的城堡式寫入策略對應(yīng)的裝置,可以向能夠高密度記錄的信 息記錄介質(zhì)記錄信息。圖9(c)表示擴(kuò)展部918的詳細(xì)的參數(shù)分類。擴(kuò)展部918如以下那樣構(gòu)成。城堡式寫入策略的擴(kuò)展dTc901在3T標(biāo)記、4T標(biāo)記、5T標(biāo)記以上時(shí),針對各個(gè)記錄標(biāo)記在后2T空白的情況下擴(kuò)展,總共具有3Bytes的信息量。城堡式寫入策略的擴(kuò)展dTtop902與擴(kuò)展Ttop903如以下那樣構(gòu)成。針對3T標(biāo)記、4T標(biāo)記、5T標(biāo)記以上的各個(gè)記錄標(biāo)記,在前2T空白的情況下擴(kuò)展了 寫入策略。針對各個(gè)記錄標(biāo)記,在擴(kuò)展dTtop902和擴(kuò)展Ttop903中被分配了 3Bytes的信
息里ο與2T標(biāo)記相關(guān)的參數(shù)分類由多個(gè)標(biāo)記及空白的組合規(guī)定。即,通過前2T標(biāo)記-前 2T空白、前3T標(biāo)記以上-前2T空白、前3T空白以上這樣的分類,與后2T空白-后2T標(biāo) 記、后2T空白-后3T標(biāo)記以上、后3T空白以上這樣的分類的組合,規(guī)定了參數(shù)分類。其中, 在圖9(c)中,將“前3T標(biāo)記以上”記載為“前彡3T標(biāo)記”等。與這些記錄標(biāo)記相關(guān)的擴(kuò)展 dTtop902和擴(kuò)展Ttop903的參數(shù)分類,每個(gè)分別被分配了 SBytes的信息量。其中,在前3T 空白以上與后3T空白以上的組合的情況下,可應(yīng)用與基本dTtop922及基本Ttop923相同 的設(shè)定值。城堡式寫入策略的擴(kuò)展Tlp904針對4Τ標(biāo)記、5Τ標(biāo)記以上的各個(gè)記錄標(biāo)記,在后 2Τ空白的情況下寫入策略被擴(kuò)展。與這些記錄標(biāo)記相關(guān)的參數(shù)分類總共被分配了 2Bytes
的信息量。城堡式寫入策略的擴(kuò)展dTs905針對3T標(biāo)記、4T標(biāo)記、5T標(biāo)記以上的各個(gè)記錄標(biāo) 記,在后2T空白的情況下寫入策略被擴(kuò)展。與這些記錄標(biāo)記相關(guān)的參數(shù)分類總共被分配了 3Bytes的信息量。 與2T標(biāo)記相關(guān)的參數(shù)分類和擴(kuò)展dTtop902等同樣,由多個(gè)標(biāo)記及空白的組合規(guī) 定。即,通過前2T空白、前3T空白以上這一分類;與后2T空白-后2T標(biāo)記、后2T空白-后 3T標(biāo)記以上、后3T空白以上這一分類的組合,規(guī)定了參數(shù)分類。與2T標(biāo)記相關(guān)的參數(shù)分 類總共被分配了 5Bytes的信息量。其中,在前3T空白以上與后3T空白以上的組合的情況 下,可應(yīng)用基本dTs925的設(shè)定值。由此,能夠與用于進(jìn)行高密度化記錄的擴(kuò)展后的記錄脈沖信息對應(yīng),并且將盤控 制部914、功率信息部915和記錄脈沖信息部916的信息量的合計(jì)保持為一定。如上所述,根據(jù)本實(shí)施方式,在對信息記錄介質(zhì)進(jìn)行高密度記錄時(shí),即使在與被擴(kuò) 展了的記錄脈沖不對應(yīng)的信息記錄再生裝置中,也能夠根據(jù)記錄再生控制信息進(jìn)行記錄。 并且,與被擴(kuò)展了的記錄脈沖對應(yīng)的信息記錄再生裝置,在考慮了成為再生信號(hào)的SNR惡 化主要原因的熱干涉、碼間干涉的影響的基礎(chǔ)上,將為了高密度記錄而擴(kuò)展的記錄再生控 制信息收納到固定的信息量內(nèi)。由此,能夠在實(shí)現(xiàn)信息量的壓縮的同時(shí),形成與下位或過去 的信息記錄再生裝置及下位或過去的信息記錄介質(zhì)確保了互換性的構(gòu)成。另外,在本實(shí)施方式中,記錄代碼采用了 RLL(1,7),但本發(fā)明并不限定于此。此外,在本實(shí)施方式中,圖9所示的記錄脈沖信息部916、基本部917、擴(kuò)展部918 內(nèi)的各參數(shù)的順序并不限定于此。而且,在本實(shí)施方式中,記錄再生控制信息被記載于信息記錄介質(zhì),但不一定必須 記載于信息記錄介質(zhì)。例如,也可以由光盤裝置1000內(nèi)的存儲(chǔ)器部1008保持記錄再生控 制信息。并且,存儲(chǔ)器部1008中保持的記錄再生控制信息可以不保持圖9(a)中記載的盤 控制部、功率信息部、記錄脈沖信息部的全部,而保持其一部分。另外,在本實(shí)施方式中,對城堡式寫入策略進(jìn)行了說明,但本發(fā)明并不限定于城堡式寫入策略。例如,也能夠在圖11和圖12所示的N-I型寫入策略、或圖14和圖15所示的 被稱為N/2型的寫入策略中應(yīng)用。此外,在本實(shí)施方式中,以具體的數(shù)值對標(biāo)記長度、空白長度的分類進(jìn)行了說明, 但本發(fā)明并不限定于此。例如,也可以在形成從2T到9T的記錄標(biāo)記時(shí),成為2T、3T、4T、5T、 6Τ以上這一分類。而且,在本實(shí)施方式中,選擇 了基于更長的前后的空白、前后的標(biāo)記對記錄脈沖信 息的基本部進(jìn)行了分類的參數(shù),但本發(fā)明并不限定于此。例如,在形成3Τ標(biāo)記的記錄脈沖 信息的dTc中,基本部可以作為后空白2Τ情況下的參數(shù),擴(kuò)展部作為后3Τ空白以上情況下 的參數(shù)。(實(shí)施方式2)接著,對本實(shí)施方式涉及的光盤裝置進(jìn)行說明。本實(shí)施方式涉及的光盤裝置的構(gòu)成與圖10所示的光盤裝置1000的構(gòu)成相同。因 此,在對本實(shí)施方式涉及的光盤裝置進(jìn)行說明時(shí),繼續(xù)參照圖10。對于本實(shí)施方式涉及的光盤裝置而言,在其處理的一部分中,與圖10所示的光盤 裝置1000不同。下面,對不同的處理進(jìn)行說明。其中,對于和實(shí)施方式1關(guān)聯(lián)說明的光盤 裝置的處理步驟中,在本實(shí)施方式中也同樣應(yīng)用的處理步驟省略說明。圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的光盤裝置1000的圖。圖11表示被稱為N-I型的寫入策略。作為一例,表示了記錄代碼采用了 RLL (1,7) 時(shí),從最短標(biāo)記的2T標(biāo)記(T為信道時(shí)鐘)到8T標(biāo)記、和形成加上了用于檢測出數(shù)據(jù)開始 位置等定時(shí)的Sync圖案所使用的9T標(biāo)記的記錄標(biāo)記時(shí)的記錄脈沖形狀。圖11所示的N-I型寫入策略的2T標(biāo)記具有將2T_dTtopll06的時(shí)點(diǎn)作為開始時(shí) 間,在由2T-Topll05定義的時(shí)間中以峰值功率PwllOl進(jìn)行激光發(fā)光的最高脈沖;和在從最 高脈沖的下降時(shí)間,到從由2T-dTsll07定義的冷卻功率Pcll03向空白功率Psll02的上升 時(shí)間為止的期間,以冷卻功率Pcll03進(jìn)行激光發(fā)光的冷卻脈沖。圖11所示的N-I型寫入策略的3T標(biāo)記具有將3T_dTtopll09的時(shí)點(diǎn)作為開始時(shí) 間,在由3T-Topll08定義的時(shí)間中以峰值功率PwllOl進(jìn)行激光發(fā)光的最高脈沖;將NRZI 的2Τ后作為開始時(shí)間,在由3Τ-Τ1ρ1110定義的時(shí)間中以峰值功率PwllOl進(jìn)行激光發(fā)光的 末尾脈沖;在從最高脈沖的下降時(shí)間開始到末尾脈沖的上升時(shí)間為止的期間,以最小功率 Pbll04進(jìn)行激光發(fā)光的最小脈沖;和在從末尾脈沖下降時(shí)間開始,到從由3T-dTsllll定義 的冷卻功率Pcll03向空白功率Psll02的上升時(shí)間為止的期間,以Pcll03進(jìn)行激光發(fā)光的 冷卻脈沖。圖11所示的N-I型寫入策略的nT標(biāo)記(這里的η表示4以上9以下的整數(shù)) 具有將nT-dTtop 1113的時(shí)點(diǎn)作為開始時(shí)間,在由nT-Top 1112定義的時(shí)間中以峰值功率 PwllOl進(jìn)行激光發(fā)光的最高脈沖;從NRZI的2Τ后到NRZI的(η_1)Τ為止,將與NRZI的信 道時(shí)鐘同步的時(shí)間作為開始時(shí)間,在由Tmpllie定義的時(shí)間中以峰值功率PwllOl進(jìn)行激光 發(fā)光、在到接下來的以峰值功率Pw發(fā)光為止的期間中,以最小功率Pbll04進(jìn)行激光發(fā)光 的多脈沖;將NRZI的(n-1)T后作為開始時(shí)間,在由ηΤ-Τ1ρ1114定義的時(shí)間中以峰值功率 PwllOl進(jìn)行激光發(fā)光的末尾脈沖;和在從末尾脈沖下降時(shí)間,到從由nT-dTslll5定義的冷 卻功率Pcll03向空白功率Psll02的上升時(shí)間為止的期間,以Pcll03進(jìn)行激光發(fā)光的冷卻脈沖。其中,形成nT標(biāo)記的各參數(shù)可以在η為4 9時(shí)是分別不同的值,也可以在η為某 一數(shù)以上時(shí)為相同的值。
另外,在圖11中,成為最小功率Pbll04 <冷卻功率Pcll03,但本發(fā)明并不限定于 此。例如,也可以為Pb = Pc或Pb > Pc。
接下來,利用圖12,表示圖11中說明的N-I型寫入策略的記錄再生控制信息的構(gòu) 成的一例。圖12是具有頭部信息部811、記錄再生控制信息部812和腳注信息部813的盤信 息,以112Bytes作為1個(gè)單位。而且,記錄再生控制信息部1212具有盤控制部1214、功率信息部1215和記錄脈 沖信息部1216。圖12的記錄脈沖信息部1216的參數(shù)中的,與記錄標(biāo)記的前空白側(cè)相關(guān)的參數(shù) dTtopl202及Ttopl203,針對前空白的長度能夠進(jìn)行記錄脈沖的調(diào)整。而且,表示多脈沖寬度的Tmpl201、表示最高脈沖寬度的Ttopl203、表示末尾脈沖 寬度的Tlpl204,保持了以信道時(shí)鐘T的分頻時(shí)鐘定義脈沖寬度的脈沖寬度、和由固定時(shí)鐘 定義的脈沖寬度這兩方參數(shù)。其中,只要使用上述基于分頻時(shí)鐘的脈沖寬度與基于固定時(shí) 鐘的脈沖寬度中的任意一方即可。在圖12中,分頻時(shí)鐘為以信道時(shí)鐘的16分之1定義時(shí)的信息量。下面,對記錄脈沖信息部1216的細(xì)節(jié)進(jìn)行說明。N-I型寫入策略的Tmpl201不與2T標(biāo)記及3T標(biāo)記相關(guān)而設(shè)置,而只與4T以上的 標(biāo)記相關(guān)設(shè)置。這意味著只有4T以上的標(biāo)記使用多脈沖來形成。Tmpl201中記述有對位于 最高脈沖和末尾脈沖之間的多脈沖的一個(gè)脈沖的寬度進(jìn)行表示的值。該值與4T以上的標(biāo) 記相關(guān)而被公用。另外,Tmpl201中記述有對基于分頻時(shí)鐘的脈沖寬度進(jìn)行表示的值、和對 基于固定時(shí)鐘的脈沖寬度進(jìn)行表示的值。各個(gè)值被以4bit的信息量保持,總共成為IByte 的信息量。N-I型寫入策略的dTtopl202被分類為2T標(biāo)記、3T標(biāo)記、4T標(biāo)記以上。各個(gè)記錄 標(biāo)記被分類成前2T空白、前3T空白、前4T空白、前5T空白以上,總共具有12Bytes的信息量。N-I型寫入策略的Ttopl203被分類成2T標(biāo)記、3T標(biāo)記、4T標(biāo)記以上。而且,針對 該分類分別確保了用于記述與基于分頻時(shí)鐘的脈沖寬度相關(guān)的參數(shù)的信息部、和用于記述 與基于固定時(shí)鐘的脈沖寬度相關(guān)的參數(shù)的信息部。由此,Ttopl203被大幅劃分,分成6類。這6個(gè)分類的每一類分別進(jìn)一步按前2T空白、前3T空白、前4T空白、前5T空白 以上的記錄標(biāo)記被分類。與各記錄標(biāo)記相關(guān)地分配的信息量為lByte,Ttopl203總共具有 24Bytes的信息量。N-I型寫入策略的Tlpl204以3Τ標(biāo)記、4Τ標(biāo)記以上被分類。關(guān)于各記錄標(biāo)記,基 于分頻時(shí)鐘的脈沖寬度、和基于固定時(shí)鐘的脈沖寬度分別被分配4bit的信息量,Tlpl204 總共具有2Bytes的信息量N-I型寫入策略的dTsl205被分類成2T標(biāo)記、3T標(biāo)記、4T標(biāo)記以上,總共具有 3Bytes的信息量。而且,記錄脈沖信息部1216具有2Bytes的空閑信息1206。
另外,空閑信息1206可以將所有的位表現(xiàn)為0或者1,也可以取代空閑信息806而
保存其他信息。圖5 (a)表示確 保了 25GB的記錄容量時(shí)的最短標(biāo)記(2T標(biāo)記)與光斑51的尺寸 的關(guān)系,圖5 (b)表示確保了 33. 3GB的記錄容量時(shí)的最短標(biāo)記(2T標(biāo)記)與光斑51的尺寸 的關(guān)系。都是本實(shí)施方式涉及的信息記錄介質(zhì)1001中記錄了 2T標(biāo)記時(shí)的一例。若將25GB 時(shí)的記錄標(biāo)記,與33. 3GB這一高密度記錄時(shí)的記錄標(biāo)記進(jìn)行比較,則后者的記錄標(biāo)記的物 理長度大約為前者的75%。例如,在圖5(a)及(b)所示的2T標(biāo)記的例子中,相對于25GB 記錄時(shí)的記錄標(biāo)記的長度為149nm,33. 3GB記錄時(shí)的記錄標(biāo)記的長度為112nm。鑒于此,為了在本實(shí)施方式的信息記錄介質(zhì)1001中進(jìn)行高密度記錄,考慮以下的 方面,來構(gòu)成圖11及圖12中說明的N-I型寫入策略的記錄再生控制信息。考慮的第一點(diǎn)是由于記錄標(biāo)記的物理長度變短,所以在記錄標(biāo)記形成時(shí),受到由 之前的標(biāo)記形成時(shí)、之后的標(biāo)記形成時(shí)對信息記錄介質(zhì)1001照射的激光所賦予的熱量影 響的熱干涉這一現(xiàn)象,會(huì)對更長的信道時(shí)鐘的標(biāo)記造成影響。鑒于此,將各參數(shù)的分類擴(kuò)展成記錄標(biāo)記的長度為2T標(biāo)記、3T標(biāo)記、4T標(biāo)記、5T標(biāo) 記以上??紤]的第二點(diǎn)是由于基于高密度化,記錄標(biāo)記的物理長度相對本實(shí)施方式的裝 置的檢測系統(tǒng)、即激光的光斑尺寸相對變小,所以再生信號(hào)檢測時(shí)的碼間干涉除了之前的 空白之外,還根據(jù)其他的空白及標(biāo)記的組合而不同。其他的空白及標(biāo)記的組合是指前后空 白、前標(biāo)記與前空白、后標(biāo)記與后空白、前后空白與前標(biāo)記、前后空白與后標(biāo)記。尤其是越短 的標(biāo)記,碼間干涉的影響越顯著。鑒于此,將記錄脈沖的參數(shù)分類從只有前空白擴(kuò)展成由前空白、前后空白、前標(biāo)記 與前空白、后標(biāo)記與后空白、前后空白與前標(biāo)記、前后空白與后標(biāo)記的組合構(gòu)成的分類。這里,為了將再生記錄標(biāo)記時(shí)的信號(hào)的SNR最佳化,與參數(shù)的設(shè)定值對應(yīng)的SNR惡 化的靈敏度最高,對2T標(biāo)記進(jìn)行前述的記錄脈沖信息的擴(kuò)展。另外,雖然與脈沖寬度相關(guān) 的參數(shù)Tmp、Ttop、Tlp具有基于分頻時(shí)鐘和固定時(shí)鐘的2種參數(shù),但由于實(shí)際使用的是任意 一方,所以只采用分頻時(shí)鐘,來壓縮參數(shù)信息量。進(jìn)一步,按照下述方式來壓縮信息量。針對前后的空白、前后的標(biāo)記,形成相同標(biāo)記長度的各參數(shù)(dTtop、Ttop, Tip、 dTs)以相同的信息量定義。鑒于此,將各參數(shù)的代表值作為基準(zhǔn)值,使針對前后的空白、前后的標(biāo)記的參數(shù)的 值,以與基準(zhǔn)值有偏差的偏差值這一形式設(shè)置。這里,“基準(zhǔn)值”是指對偏離脈沖的信道時(shí)鐘的延遲量、或最高脈沖、末尾脈沖、冷 卻脈沖等各脈沖的寬度進(jìn)行表示的值。而“偏差值”是指脈沖的寬度或延遲量相對基準(zhǔn)值 的差量的值。其中,“基準(zhǔn)值”可以取正負(fù)或者0值。例如,在記錄脈沖寬度的情況下,只能取正 的值和0,但記錄脈沖位置(上升或者下降)除了正的值和0之外,還包括負(fù)的值?;鶞?zhǔn)值由IByte表示,而偏差值例如由一半的4bit (0000b 1111b)表示。在分 頻時(shí)鐘為信道時(shí)鐘的16分之1的情況下,當(dāng)沒有代碼(全部為正數(shù))時(shí)能夠由0 15表 示,當(dāng)帶代碼(最上位bit為1時(shí)設(shè)為負(fù))時(shí),能夠由-8 7表示,可以定義IT量的偏差。另外,在分頻時(shí)鐘為信道時(shí)鐘的32分之1的情況下,能夠定義0. 5T量的偏差。 在本實(shí)施方式中,由于記錄標(biāo)記的長度從2T道9T,按每IT進(jìn)行了定義,所以如果 記錄脈沖錯(cuò)移0. 5T以上,則認(rèn)為被誤識(shí)別為長IT的標(biāo)記、或者短IT的標(biāo)記的可能性非常 高。因此,即使將對于前后的空白、前后的標(biāo)記的參數(shù)值縮小為4bit這一信息量,作為從基 準(zhǔn)值偏離的偏差值來保持,也難以認(rèn)為其成為使記錄標(biāo)記再生時(shí)的SNR大幅惡化的主要原 因。圖13(a) (C)表示進(jìn)行了上述的擴(kuò)展或分類后的盤信息的構(gòu)成方法。下面,對圖13詳細(xì)進(jìn)行說明。首先,為了使高密度化前后的盤信息結(jié)構(gòu)具有互換性,對于頭部信息部811、記錄 再生控制信息部812及腳注信息部813的構(gòu)成而言,設(shè)各自的Byte數(shù)固定。基于前述的記錄脈沖信息的擴(kuò)展,記錄脈沖信息的信息量增大。鑒于此,通過削減記錄再生控制信息部812內(nèi)的盤控制部1214、功率信息部1215 中確保的區(qū)域、或者對它們保持的信息進(jìn)行壓縮或者削減,來確保因擴(kuò)展而增加了信息量 的記錄脈沖信息部1216的區(qū)域。盤控制部1214及功率信息部1215的區(qū)域的削減例如是削減各自的信息部的未使 用區(qū)域。而對盤控制部1214、功率信息部1215所保持的信息進(jìn)行壓縮或者削減是通過降 低設(shè)定值的分辨率,來降低使用bit數(shù)、減少信息量;或?qū)⒈3侄鄠€(gè)參數(shù)的內(nèi)容至少減去1。 后者例如可以舉出在再生時(shí)的激光發(fā)光功率按每個(gè)不同的再生速度設(shè)置時(shí),減少其中的至 少1個(gè)。作為其他的例子,是在根據(jù)發(fā)光方法的不同(DC發(fā)光和高頻疊加發(fā)光)而設(shè)置了 不同的發(fā)光功率的信息時(shí),減去其中的至少1個(gè)。下面,對圖13(a)的記錄脈沖控制部1316的各參數(shù)的分類詳細(xì)進(jìn)行說明。本實(shí)施方式涉及的、為了應(yīng)對高密度記錄而擴(kuò)展的記錄脈沖控制部1316具有基 本部1317和擴(kuò)展部1318。圖13(a) (c)中,在所有的參數(shù)中,將基本部1317中保持的1個(gè)基準(zhǔn)值設(shè)為 IByte的信息量、將擴(kuò)展部1318保持的1個(gè)偏差值設(shè)為0. 5Byte(4bit)?;静?317 具有Tmpl301、基本 dTtopl321、基本 Ttopl322、基本 Tlpl323、基本 dTsl324。在基本部1317中保持有不依賴于記錄標(biāo)記的前后的空白、前后的標(biāo)記長度的參 數(shù)。能夠只根據(jù)基本部1317的記錄脈沖信息,生成未擴(kuò)展的N-I型寫入策略。S卩,由僅基于基本部1317的城堡式寫入策略實(shí)現(xiàn)的記錄,與由被擴(kuò)展的N-I型寫 入策略實(shí)現(xiàn)的記錄相比,存在因熱干涉、碼間干涉使得SNR惡化的可能性。但是,根據(jù)僅基 于基本部1317的城堡式寫入策略,如過去的信息記錄再生裝置、下位的信息記錄再生裝置 那樣的不與生成被擴(kuò)展的城堡式寫入策略對應(yīng)的裝置,可以向能夠高密度記錄的信息記錄 介質(zhì)記錄信息。圖13(c)表示擴(kuò)展部1318的詳細(xì)的參數(shù)分類。擴(kuò)展部1318構(gòu)成如下。由于N_1 型寫入策略的Tmpl301與基本部1317的設(shè)定值相同,所以沒有向擴(kuò)展部的記載。N-I型寫入策略的擴(kuò)展dTtopl302與擴(kuò)展Ttopl303被分類成2T標(biāo)記、3T標(biāo)記、 4T標(biāo)記、5T標(biāo)記以上。其中的3T標(biāo)記、4T標(biāo)記、5T標(biāo)記以上的各個(gè)記錄標(biāo)記在前2T空白、前3T空白、前4T空白的情況下,參數(shù)分類被擴(kuò)展。在前5Τ空白以上的情況下,應(yīng)用基 本dTtopl321或者基本Ttopl322的設(shè)定值。而且,在其他的情況下,由從基本dTtopl321 或者基本Ttopl322偏離的偏差值表示。在擴(kuò)展dTtopl302和擴(kuò)展Ttopl303中分別具有 4. 5Bytes的信息量。與2T標(biāo)記相關(guān)的參數(shù)分類和擴(kuò)展dTtopl302等同樣,由多個(gè)標(biāo)記及空白的組合規(guī) 定。即,通過前2T標(biāo)記-前2T空白、前3T標(biāo)記以上-前2T空白、前3T空白、前4T空白、 前5T空白 以上這一分類;和后2T空白-后2T標(biāo)記、后2T空白-后3T標(biāo)記以上、后3T空 白以上這一分類的組合,規(guī)定了參數(shù)分類。而且,在前5T空白以上-后3T空白以上的組合 的情況下,可應(yīng)用基本dTtopl321或者基本Ttop 1322的設(shè)定值,在此外的情況下,可應(yīng)用從 基本dTtopl321或者基本Ttopl322偏離的偏差值。擴(kuò)展dTtopl302及擴(kuò)展Ttopl303分別 具有7Bytes的信息量。N-I型寫入策略的擴(kuò)展Tlpl304被分類成3Τ標(biāo)記、4Τ標(biāo)記、5Τ標(biāo)記以上。各自的 記錄標(biāo)記被分類成后2Τ空白、后3Τ空白、后4Τ空白、后5Τ空白以上。在后5Τ空白以上的 情況下可應(yīng)用基本Τ1ρ1323,在此外的情況下,可應(yīng)用從基本Τ1ρ1323偏離的偏差值。擴(kuò)展 Tlpl304總共具有4. 5Bytes的信息量。N-I型寫入策略擴(kuò)展后的dTsl305被分類成2T標(biāo)記、3T標(biāo)記、4T標(biāo)記、5T標(biāo)記以 上。其中的3T標(biāo)記、4T標(biāo)記、5T標(biāo)記以上的各個(gè)記錄標(biāo)記被分類成后2T空白、后3T空白、 后4T空白、后5T空白以上。其中,在后5T空白以上的情況下,可應(yīng)用基本dTsl324,在此外 的情況下,可應(yīng)用從基本dTs 1324偏離的偏差值。dTsl305的3T標(biāo)記、4T標(biāo)記、5T標(biāo)記以上 的參數(shù)分類總共被分配了 4. 5Bytes的信息量。與2T標(biāo)記相關(guān)的參數(shù)分類由多個(gè)標(biāo)記及空白的組合規(guī)定。即,在通過前2T空白、 前3T空白以上這一分類;與后2T空白-后2T標(biāo)記、后2T空白-后3T標(biāo)記以上、后3T空 白以上這一分類的組合,規(guī)定了參數(shù)分類的前3T空白以上-后3T空白以上的組合的情況 下,可應(yīng)用基本dTsl324,在此外的情況下,可應(yīng)用從基本dTsl324偏離的偏差值。dTsl305 的2T標(biāo)記的參數(shù)分類總共具有2. 5Bytes的信息量。由此,能夠與為了進(jìn)行高密度化記錄而擴(kuò)展后的記錄脈沖信息對應(yīng),同時(shí)將盤控 制部1314、功率信息部1315和記錄脈沖信息部1316的信息量的合計(jì)保持為一定。如上所述,根據(jù)實(shí)施方式2,在對信息記錄介質(zhì)進(jìn)行高密度記錄時(shí),即使在不與擴(kuò) 展后的記錄脈沖對應(yīng)的信息記錄再生裝置中,也能根據(jù)記錄再生控制信息進(jìn)行記錄,進(jìn)而, 與擴(kuò)展后的記錄脈沖對應(yīng)的信息記錄再生裝置在考慮了成為再生信號(hào)的SNR惡化主要原 因的熱干涉、碼間干涉的影響的基礎(chǔ)上,將為了高密度記錄而擴(kuò)展的記錄再生控制信息收 納到固定的信息量內(nèi)。由此,能夠成為在實(shí)現(xiàn)信息量的壓縮的同時(shí),與下位、過去的信息記 錄再生裝置及下位、過去的信息記錄介質(zhì)保持了互換性的構(gòu)成。另外,在本實(shí)施方式中,記錄代碼采用了 RLL (1,7),但本發(fā)明不限定于此。而且,在本實(shí)施方式中,圖13所示的記錄脈沖信息部1316、基本部1317、擴(kuò)展部 1318內(nèi)的各參數(shù)的順序不限定于此。另外,在本實(shí)施方式中,記錄再生控制信息被記載于信息記錄介質(zhì),但并不一定必 須記載于信息記錄介質(zhì)。例如,也可以保持在光盤裝置1000內(nèi)的存儲(chǔ)器部1008。而且,存 儲(chǔ)器部1008中保持的記錄再生控制信息可以不保持盤控制部、功率信息部、記錄脈沖信息部的全部,而只保持其一部分。此外,在本實(shí)施方式中,將分頻時(shí)鐘定義為信道時(shí)鐘的16分之1,但本發(fā)明不限定 于此。例如,也可以設(shè)為8分之1或20分之1。而且,在本實(shí)施方式中,說明了 N-I型寫入策略,但不限定于N-I型寫入策略。例 如,也可以在圖7和圖8所示的城堡式寫入策略、或圖14和圖15所示的被稱為N/2型的寫 入策略中應(yīng)用。另外,在本實(shí)施方式中,通過表示具體的數(shù)值來說明了標(biāo)記長度、空白長度的分 類,但本發(fā)明不限定于此。例如,也可以在形成從2T 9T的記錄標(biāo)記時(shí),進(jìn)行2T、3T、4T、 5Τ、6Τ以上這一分類。(實(shí)施方式3)在本實(shí)施方式中,對與實(shí)施方式2涉及的光盤裝置不同的光盤裝置進(jìn)行說明。首先,本實(shí)施方式涉及的光盤裝置的構(gòu)成與圖10所示的光盤裝置1000的構(gòu)成相 同。因此,在對本實(shí)施方式涉及的光盤裝置進(jìn)行說明時(shí),繼續(xù)參照圖10。對本實(shí)施方式涉及的光盤裝置而言,在其處理的一部分中與實(shí)施方式1及2涉及 的光盤裝置不同。以下,對不同的處理進(jìn)行說明。其中,省略與實(shí)施方式1關(guān)聯(lián)說明的光盤 裝置的處理步驟中,在本實(shí)施方式中也同樣適用的處理步驟的說明。圖10是表示本實(shí)施方式涉及的光盤裝置1000的圖。設(shè)從信息記錄介質(zhì)1001讀出的盤信息中記載的被擴(kuò)展量的記錄脈沖信息的各參 數(shù),每1個(gè)參數(shù)具有IByte的信息。而且,在2個(gè)盤信息中,記錄再生控制信息被分離。此時(shí),控制器部1007分類成圖13所示那樣的基本部1317、和擴(kuò)展部1318的構(gòu)成。 而且,對于擴(kuò)展部1318的參數(shù),控制器部1007計(jì)算從基本部1317的基準(zhǔn)值偏離的偏差值, 設(shè)為比基本部1317中保持的信息量少的信息量、例如4bits。存儲(chǔ)器部1008保持由控制器部1007計(jì)算出的基本部1317和擴(kuò)展部1318的參數(shù)。 或者,基本部1317和擴(kuò)展部1318的參數(shù)記錄在信息記錄介質(zhì)1001內(nèi)的被許可的區(qū)域。如上所述,根據(jù)本實(shí)施方式,通過將為了高密度記錄而擴(kuò)展的記錄再生控制信息 收納到固定的信息量內(nèi),能夠在實(shí)現(xiàn)信息量的壓縮的同時(shí),形成與下位、過去的信息記錄再 生裝置及下位、過去的信息記錄介質(zhì)保持了互換性的構(gòu)成。如上所述,根據(jù)實(shí)施方式1 3,能夠得到具有多個(gè)軌道,并通過激光向各軌道的 脈沖照射形成標(biāo)記,將信息作為標(biāo)記與空白交替排列的數(shù)據(jù)列進(jìn)行記錄的信息記錄介質(zhì)。 更具體而言,信息記錄介質(zhì)具有至少1個(gè)用于記錄信息的信息記錄層。該信息記錄層具有 用于記錄信息的信息記錄區(qū)域,具有用于對至少1個(gè)信息記錄層進(jìn)行記錄再生的控制信息 區(qū)域。該控制信息區(qū)域具有至少1個(gè)控制信息。該至少1個(gè)控制信息具有第1記錄脈沖信 息和第2記錄脈沖信息。僅根據(jù)第1記錄脈沖信息、或者根據(jù)第1記錄脈沖信息和第2記 錄脈沖信息雙方,來記錄信息。(實(shí)施方式4)本實(shí)施方式涉及一種用于通過照射激光來進(jìn)行信息的記錄的信息記錄介質(zhì),尤其 涉及一種信息記錄介質(zhì)中預(yù)先記錄的用于進(jìn)行記錄再生的控制信息的配置。 首先,在進(jìn)入本實(shí)施方式的說明之前,重新對記錄再生控制信息進(jìn)行說明。下面, 以BD的DI為例進(jìn)行說明。
圖21是BD的構(gòu)造示意圖,在專利文獻(xiàn)1中,被稱為讀入?yún)^(qū)域601的區(qū)域中至少記 載有1個(gè)以上DI。在專利文獻(xiàn)1中,DI為112字節(jié),1個(gè)DI中記載有與1個(gè)層、1個(gè)倍速對 應(yīng)的1個(gè)記錄脈沖形狀。接著,圖22表示BD的DI的示意圖。在圖22中,DI由頭部信息1601、記錄再生控 制信息1602、腳注信息1603構(gòu)成,記錄再生控制信息1602由記載有與盤類型、盤構(gòu)造相關(guān) 的信息的盤信息部1604、對記錄時(shí)或再生時(shí)的功率進(jìn)行控制的功率信息部1605、對記錄時(shí) 的記錄脈沖形狀進(jìn)行控制的記錄脈沖信息部1606構(gòu)成。在光盤中,用于形成記錄標(biāo)記的記錄脈沖由表示各脈沖的功率電平的功率信息、 和表示各脈沖的位置和脈沖寬度的記錄脈沖信息構(gòu)成。如上所述,將功率信息和記錄脈沖 信息匯總稱為寫入策略。
接著,利用圖23,對功率信息和記錄脈沖信息進(jìn)行說明。圖23是記錄脈沖形狀的 一例,表示了相對于信道時(shí)鐘T,用于形成成為T的8倍長度(=8T)的標(biāo)記的記錄脈沖形 狀的一例。在圖23的情況下,作為功率信息,包括如峰值功率Pwl701、空白功率Psl702、冷卻 功率Pcl703、最小功率Pbl704那樣的,與記錄脈沖的振幅方向的參數(shù)相關(guān)的信息。而且,作 為記錄脈沖信息,包括如最高脈沖寬度Ttopl705、最高脈沖寬度開始位置dTtopl706、多脈 沖寬度Tmpl707、末尾脈沖寬度1708、冷卻脈沖結(jié)束位置dTsl709那樣的,與記錄脈沖的時(shí) 間軸方向的參數(shù)相關(guān)的信息。這些參數(shù)例如以如圖24那樣的形式被保存在DI中。另外,這些記錄再生控制信 息有時(shí)以與圖24同樣的形式、或者遵照圖24的形式,被信息記錄介質(zhì)的記錄再生裝置記錄 在信息記錄介質(zhì)內(nèi)的規(guī)定區(qū)域;或者有時(shí)被保持在記錄再生裝置的內(nèi)部存儲(chǔ)器等中。并且,除了上述的記錄再生控制信息之外,由于記錄的高倍速化、高密度化等,標(biāo) 記間的熱干涉的影響依賴于位于標(biāo)記的前或者后的空白的長度。當(dāng)看到上述那樣的現(xiàn)象 時(shí),如果對所有的前或者后空白長度以同樣的記錄脈沖信息進(jìn)行記錄,則基于位于記錄標(biāo) 記的前或者后的空白的長度,導(dǎo)致記錄標(biāo)記長度改變。因此,不是僅僅根據(jù)各標(biāo)記長度,還根據(jù)與位于標(biāo)記的前或者后的空白長度的關(guān) 系,來定義各記錄脈沖信息。近年來,由于信息記錄介質(zhì)的高密度化,記錄標(biāo)記的最短標(biāo)記長接近取決于檢測 系統(tǒng)的分辨率的界限。例如在信息記錄介質(zhì)為光盤介質(zhì)的情況下,取決于檢測系統(tǒng)的分辨 率是指由激光會(huì)聚后的光斑的大小決定的光學(xué)分辨率,但由于分辨率的界限,碼間干涉的 增大及SNR(Signal Noise Ratio)的劣化更顯著。下面,以使用了具有405nm波長的藍(lán)色激光的12cm的光盤介質(zhì)進(jìn)行說明。根據(jù) 非專利文獻(xiàn)1,在使用了藍(lán)色激光的光盤介質(zhì)中,激光會(huì)聚后的光斑尺寸為390nm,在記錄 代碼使用了 RLL(1,7)的每一個(gè)記錄層的記錄容量為25GB的情況下,最短標(biāo)記的長度為 149nm。而且,在該光盤介質(zhì)中,當(dāng)將每一層的記錄容量設(shè)為33. 3GB時(shí),最短標(biāo)記的長度為 112nm。如果想要實(shí)現(xiàn)更高的密度化,則最短標(biāo)記的長度進(jìn)一步變短。在使用了相同檢測系統(tǒng)的情況下,如圖25(a)所示,在記錄容量為25GB時(shí),是在光 斑1901中進(jìn)入2. 6個(gè)最短標(biāo)記/空白的大小,如圖25(b)所示,在記錄容量為33. 3GB時(shí), 成為在光斑1901中進(jìn)入3. 5個(gè)最短標(biāo)記/空白的大小,標(biāo)記相對于作為光盤介質(zhì)檢測系統(tǒng)的光斑尺寸的長度變短。因此,進(jìn)入到光斑尺寸的標(biāo)記與空白的組合,不僅僅是一個(gè)標(biāo)記與一個(gè)位于之前 或者之后的空白的圖案,而成為具有多個(gè)標(biāo)記和空白的圖案。下面,利用圖26進(jìn)行說明。圖26是表示光斑2001的尺寸與含有多個(gè)標(biāo)記或者空 白的圖案的關(guān)系的一例的圖,針對當(dāng)前時(shí)刻i的標(biāo)記,表示了與含有多個(gè)標(biāo)記或者空白的 圖案的關(guān)系,圖26(a)表示了當(dāng)前時(shí)刻i的標(biāo)記,與時(shí)刻i_l的前空白、時(shí)刻i+1的后空白 的組合。圖26(b)表示了當(dāng)前時(shí)刻i的標(biāo)記,與時(shí)刻i_2的前標(biāo)記、時(shí)刻i_l的前空白的組 合。圖26(c)表示了當(dāng)前時(shí)刻i的標(biāo)記,與時(shí)刻i+Ι的后空白、時(shí)刻i+2的后標(biāo)記的組合。圖26(d)表示了當(dāng)前時(shí)刻i的標(biāo)記,與時(shí)刻i_l的前空白、時(shí)刻i+1的后空白、時(shí)刻 i+2的后標(biāo)記的組合。圖26(e)表示了當(dāng)前時(shí)刻i的標(biāo)記,與時(shí)刻i_2的前標(biāo)記、時(shí)刻i_l 的前空白、時(shí)刻i+Ι的后空白的組合。在記錄密度被如此高密度化的情況下,除了記錄脈沖信息由標(biāo)記和前或者后空白 的組合定義之外,還需要由圖26所示那樣的前后空白、前標(biāo)記與前空白、后標(biāo)記與后空白、 前后空白與前標(biāo)記、前后空白與后標(biāo)記的組合,分別定義記錄條件,而且需要提高這些 記錄 條件的分辨率、細(xì)致地設(shè)定記錄條件。為了避免以上那樣的細(xì)致的記錄條件的設(shè)定,可以考慮通過使激光的波長變短 等,來減小光斑尺寸,但為此需要開發(fā)新的光學(xué)系統(tǒng),尤其在使用波長不同的激光的情況 下,除了初始特性之外,還需要克服溫度特性、時(shí)效特性、成品率提高等眾多課題,需要相當(dāng) 多的時(shí)間。并且,還需要確認(rèn)新的光學(xué)系統(tǒng)中的相對以往密度的信息記錄介質(zhì)的記錄再生 互換性。另一方面,在使用以往的光學(xué)系統(tǒng)的情況下,雖然不需要確認(rèn)與以往密度的信息 記錄介質(zhì)的記錄再生互換性,但伴隨著記錄密度的高密度化而增大的記錄再生控制信息向 信息記錄介質(zhì)的保存方法尚不明確。鑒于此,在本實(shí)施方式中,對即使在伴隨著記錄密度的高密度化、記錄介質(zhì)的多層 化,使得記錄再生控制信息增大的情況下,也能夠恰當(dāng)?shù)刈x出記錄再生控制信息,并根據(jù)讀 出的記錄再生控制信息準(zhǔn)確地記錄用戶數(shù)據(jù)的信息記錄介質(zhì)等進(jìn)行說明。另外,說明對以 往密度的信息記錄介質(zhì)的記錄再生控制信息進(jìn)行再生的情況、和對高密度的信息記錄介質(zhì) 的記錄再生控制信息進(jìn)行再生的情況下,按照能夠使再生算法的變更為最小限度的方式, 保存了記錄再生控制信息的信息記錄介質(zhì)。下面,參照附圖,對本實(shí)施方式涉及的信息記錄介質(zhì)進(jìn)行說明。圖16是本實(shí)施方 式中的信息記錄介質(zhì)的俯視圖。在圖16中,信息記錄介質(zhì)具有控制信息區(qū)域101和信息記 錄區(qū)域102。圖17是控制信息區(qū)域的格式的一例。在圖17中,控制信息區(qū)域101具有DI201 及202、頭部信息203、第1記錄再生控制信息204、第1盤信息部205、第1功率信息部206、 第1記錄脈沖信息部207、腳注信息208、頭部信息209、第2記錄再生控制信息210、第2盤 信息部211、第2功率信息部212、第2記錄脈沖信息部213和腳注信息214。其中,DI201與DI202的內(nèi)容相同,即使因反復(fù)進(jìn)行記錄,使得DI201因劃傷等而 劣化,通過再生DI202,也能夠取得記錄再生控制信息。另外,在本實(shí)施方式中,DI201、DI202是城堡式寫入策略的DI,但DI也可以不限定于城堡式寫入策略??梢栽贒I201與DI202之間的區(qū)域例如記錄N-I型寫入策略的DI,也 可以記錄虛擬數(shù)據(jù),例如記錄如“O”那樣的特定數(shù)據(jù)。另外,預(yù)先在頭部信息203與頭部信息209中記錄相同的信息,通過發(fā)現(xiàn)頭部信 息,可以立即認(rèn)識(shí)到存在記錄再生控制信息。同樣,預(yù)先在腳注信息208與腳注信息214中 記錄有相同的信息,通過發(fā)現(xiàn)腳注信息,可以立即認(rèn)識(shí)到存在記錄再生控制信息。

在盤信息部205、盤信息部211中與盤容量、能夠記錄的記錄層的層數(shù)、跟蹤伺服 的極性等一同記錄有DI是否完結(jié)的完結(jié)判定信息。因此,在本實(shí)施方式中,盤信息部205 的完結(jié)判定信息表示沒有完結(jié),盤信息部211的完結(jié)判定信息表示已完結(jié)。另外,除了這些信息以外,還可以記錄表示記錄在哪個(gè)層的層信息、表示以什么 倍速記錄的倍速信息、表示DI的總數(shù)的DI個(gè)數(shù)信息、和表示當(dāng)前正在再生的DI是整體的 第幾個(gè)DI的信息。在功率信息部206、功率信息部212中預(yù)先記錄有城堡式寫入策略的功率信息,在 記錄脈沖信息部207、記錄脈沖信息部213中記錄有城堡式寫入策略的記錄脈沖信息。下面,利用圖18進(jìn)行說明。圖18是城堡式寫入策略的記錄脈沖形狀的一例,是相 對于信道時(shí)鐘T,用于形成成為T的2倍長度(=2T)的標(biāo)記、成為T的3倍長度(=3T) 的標(biāo)記、成為T的8倍長度(=8T)的標(biāo)記的記錄脈沖形狀。作為功率信息,有寫入功率Pw301、中等功率Pm302、空白功率Ps303、冷卻功率 Pc304。作為記錄脈沖信息,存在以下信息對記錄2T標(biāo)記時(shí)的寫入功率的開始位置進(jìn) 行規(guī)定的2T-dTtop306、對寫入功率的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行規(guī)定的2T-Ttop305、對冷卻功率的 結(jié)束位置進(jìn)行規(guī)定的2T-dTs307、對記錄3T標(biāo)記時(shí)的寫入功率的開始位置進(jìn)行規(guī)定的 3T-dTtop309、對寫入功率的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行規(guī)定的3T-Ttop308、對中等功率的結(jié)束位置進(jìn)行 規(guī)定的3T-dTc310、對冷卻功率的結(jié)束位置進(jìn)行規(guī)定的3T-dTs311、對記錄8T標(biāo)記時(shí)的開頭 脈沖的寫入功率的開始位置進(jìn)行規(guī)定的8T-dTtop313、對開頭脈沖的寫入功率的發(fā)光時(shí)間 進(jìn)行規(guī)定的8T-Ttop312、對最后尾的脈沖的寫入功率的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行規(guī)定的8Τ-Τ1ρ314、 對最后尾的脈沖的寫入功率的結(jié)束位置進(jìn)行規(guī)定的8T-dTc315、對冷卻功率的結(jié)束位置進(jìn) 行規(guī)定的8T-dTs316。另外,在本實(shí)施方式中,標(biāo)記的長度設(shè)為2T 8T,但不限定于此。而且,在本實(shí)施 方式中,2T僅基于寫入功率的發(fā)光進(jìn)行了記錄,3T基于寫入功率與中等功率下的發(fā)光進(jìn)行 記錄,4T 8T基于開頭的寫入功率下的發(fā)光、緊接其后的中等功率下的發(fā)光、和緊接其后 的寫入功率下的發(fā)光進(jìn)行記錄,但并不限定于此。接著,參照圖19。圖19是DI201中的DI201-1的各信息的配置例,圖18所示的各 參數(shù)的值按照規(guī)定的配置被記錄。在本實(shí)施方式中,針對dTc401能夠在4T標(biāo)記和5T以上 的標(biāo)記設(shè)定不同的值,在5T以上的標(biāo)記設(shè)定共通的值。而且,針對dTtop402,在4T以上的標(biāo)記設(shè)定了共通的值,針對Ttop403,在4T以上 的標(biāo)記設(shè)定了共通的值。并且,針對Tlp404,在4T以上的標(biāo)記設(shè)定了共通的值,針對dTs405,在4Τ以上的 標(biāo)記設(shè)定了共通的值。另外,針對dTtop402,關(guān)于4T以上的標(biāo)記、3T標(biāo)記、2T標(biāo)記,分別在之前的空白為 2T空白的情況、為3T空白的情況、和為4T空白以上的情況下,能夠設(shè)定不同的值。
而且,針對Ttop403,關(guān)于4T以上的標(biāo)記、3Τ標(biāo)記、2Τ標(biāo)記,分別在之前的空白為 2Τ空白的情況、為3Τ空白的情況、和為4Τ空白以上的情況下,能夠設(shè)定不同的值。

另外,在本實(shí)施方式中,針對dTc401,能夠在4Τ標(biāo)記和5T以上的標(biāo)記設(shè)定不同的 值,在5T以上的標(biāo)記設(shè)定了共通的值,但并不限定于此。同樣,對于dTtop402,在4T以上的標(biāo)記設(shè)定了共通的值,對于Ttop403,在4T以上 的標(biāo)記設(shè)定了共通的值,但并不限定于此。同樣,對于Tlp404,在4T以上的標(biāo)記設(shè)定了共通的值,對于dTs405,在4Τ以上的 標(biāo)記設(shè)定了共通的值,但并不限定于此。另外,針對dTtop402,關(guān)于4T以上的標(biāo)記、3T標(biāo)記、2T標(biāo)記,能夠分別對之前的空 白為2T空白的情況、為3T空白的情況、和為4T空白以上的情況設(shè)定不同的值,但并不限定 于此。同樣,針對Ttop403,關(guān)于4T以上的標(biāo)記、3T標(biāo)記、2T標(biāo)記,能夠分別對之前的空白 為2T空白的情況、為3T空白的情況、和為4T空白以上的情況設(shè)定不同的值,但并不限定于 此。接著,參照圖20。圖20是DI201中的DI201-2的各信息的配置例,圖18所示的各 參數(shù)的值按照規(guī)定的配置被記錄。在DI201-2中,對于DI201-1中設(shè)定了共通的值的部位, 能夠根據(jù)相鄰的前后的空白進(jìn)行不同的設(shè)定。另外,例如也可以是將5T標(biāo)記設(shè)定與6T以 上的標(biāo)記不同的值等,本實(shí)施方式以外的追加設(shè)定。而且,在本實(shí)施方式中,不進(jìn)行功率信 息部的追加設(shè)定,因此,在功率信息部206和功率信息部212中記錄有共通的值。在本實(shí)施方式中,針對由dTc401設(shè)定的3T標(biāo)記、4T標(biāo)記、5T以上的標(biāo)記,能夠分 別對在dTc501中之后的空白為2T空白的情況、為3T空白的情況、和為4T以上的空白的情 況,設(shè)定不同的值。另外,在dTc501中,雖然例如在3T標(biāo)記之后的空白為2T空白的情況、為3T空白 的情況、和為4T以上空白的情況下能夠設(shè)定不同的值,但也可以使dTc401中的3T標(biāo)記的 值與dTc501中的3個(gè)中的1個(gè)、例如4T以上空白的值相同,也可以將dTc501的3T標(biāo)記的 值作為從dTc401的值偏離的差量。需要說明的是,以下的參數(shù)也同樣對待。而且,針對由dTtop402設(shè)定的之前空白為2T空白時(shí)的2T標(biāo)記,能夠?qū)υ?dTtop502中2T空白之前的標(biāo)記為2T標(biāo)記的情況、為3T標(biāo)記的情況、和為4T以上的標(biāo)記的 情況,設(shè)定不同的值。并且,針對由Ttop403設(shè)定的之前空白為2T空白時(shí)的2T標(biāo)記,能夠?qū)υ赥top503 中2T空白之前的標(biāo)記為2T標(biāo)記的情況、為3T標(biāo)記的情況、和為4T以上的標(biāo)記的情況,設(shè) 定不同的值。另外,針對由Tlp404設(shè)定的4T以上的標(biāo)記,能夠?qū)υ赥lp504中之后的空白為2Τ 空白的情況、為3Τ空白的情況、和為4Τ以上的空白的情況,設(shè)定不同的值。而且,針對由dTs405設(shè)定的2T標(biāo)記、3T標(biāo)記、4T以上的標(biāo)記,能夠分別對在 dTs505中之后的空白為2T空白的情況、為3T空白的情況、和為4T以上的空白的情況,設(shè)定 不同的值。并且,針對之后的空白為2T空白的情況,能夠?qū)?T空白之后的標(biāo)記為2T標(biāo)記的 情況和為3T標(biāo)記以上的標(biāo)記的情況,設(shè)定不同的值。
另外,在本實(shí)施方式中,針對由dTc401設(shè)定的3T標(biāo)記、4T標(biāo)記、5T以上的標(biāo)記,能 夠分別對在dTc501中之后的空白為2T空白的情況、為3T空白的情況、和為4T以上的空白 的情況,設(shè)定不同的值,但并不限定于此。同樣,針對由dTtop402設(shè)定的之前空白為2T空白時(shí)的2T標(biāo)記,能夠?qū)υ?dTtop502中2T空白之前的標(biāo)記為2T標(biāo)記的情況、為3T標(biāo)記的情況、和為4T以上的標(biāo)記的 情況,設(shè)定不同的值,但并不限定于此。同樣,針對由Ttop403設(shè)定的之前空白為2T空白時(shí)的2T標(biāo)記,能夠?qū)υ赥top503 中2T空白之前的標(biāo)記為2T標(biāo)記的情況、為3T標(biāo)記的情況、和為4T以上的標(biāo)記的情況,設(shè) 定不同的值,但并不限定于此。同樣,針對由Tlp404設(shè)定的4T以上的標(biāo)記,能夠?qū)υ赥lp504中之后的空白為2Τ 空白的情況、為3Τ空白的情況、和為4Τ以上的空白的情況,設(shè)定不同的值,但并不限定于 此。同樣,針對由dTs405設(shè)定的2T標(biāo)記、3T標(biāo)記、4T以上的標(biāo)記,能夠分別對在 dTs505中之后的空白為2T空白的情況、為3T空白的情況、和為4T以上的空白的情況,設(shè)定 不同的值,但并不限定于此。并且,針對之后的空白為2T空白的情況,能夠?qū)?T空白之后 的標(biāo)記為2T標(biāo)記的情況和為3T標(biāo)記以上的標(biāo)記的情況,設(shè)定不同的值,但并不限定于此。在本實(shí)施方式中,DI201-1是按以往的密度記錄時(shí)需要進(jìn)行分類的參數(shù),DI202-2 是按高密度記錄時(shí)需要進(jìn)行分類的參數(shù)。即,利用DI202-2的參數(shù),防止了因高密度化,使 得標(biāo)記間的熱干涉的影響受到位于標(biāo)記之前或者之后的空白的長度的熱干涉的影響,尤其 在空白的長度為2T時(shí)進(jìn)一步受到與該空白相鄰的標(biāo)記的長度的熱干涉的影響,導(dǎo)致記錄 標(biāo)記的邊緣位置偏移。另外,在本實(shí)施方式中,針對dTtop402、Ttop403,在DI201-1中進(jìn)行了與空白的長 度對應(yīng)的設(shè)定,但在以往的密度下的記錄時(shí)熱干涉的影響小時(shí),與空白的長度對應(yīng)的設(shè)定 也可以全部配置于DI202-2。此外,在本實(shí)施方式中,由DI202-2追加的只是記錄脈沖信息部,但也可以例如只 在記錄標(biāo)記為2T時(shí)變更寫入功率等、對功率信息部也進(jìn)行高密度記錄用的追加。而且,在本實(shí)施方式中,完結(jié)判定信息218表示沒有完結(jié)的情況,完結(jié)判定信息 222表示完結(jié)了的情況,但也可以在這些信息以外,例如由完結(jié)判定信息218表示功率信 息、記錄脈沖信息中的哪個(gè)信息沒有完結(jié)。通過表示哪個(gè)信息沒有完結(jié),只要僅對該信息進(jìn) 行再生即可,能夠縮短對其余的DI進(jìn)行再生的時(shí)間。并且,在本實(shí)施方式中,DI202被分離成以往的參數(shù)和已追加的參數(shù)這2個(gè)DI,但 分離的DI的數(shù)量不限于2個(gè)而可以為3個(gè)以上。而且,表示全部的DI數(shù)量或當(dāng)前的DI是 第幾個(gè)的信息也可以由完結(jié)判定信息表示。由此,能夠更可靠地再生被追加的DI。另外,在本實(shí)施方式中,對于功率信息部不進(jìn)行追加設(shè)定,在功率信息部206和功 率信息部212中記錄了共通的值,但也可以在不進(jìn)行追加設(shè)定時(shí),向功率信息部212記錄虛 擬數(shù)據(jù),例如可以記錄如“0”那樣的特定數(shù)據(jù)。通過記錄虛擬數(shù)據(jù)、特定的數(shù)據(jù),能夠準(zhǔn)確 地把握記錄裝置沒有高密度用的追加設(shè)定。而且,在本實(shí)施方式中,針對功率信息部不進(jìn)行追加設(shè)定,在功率信息部206和功 率信息部212中記錄有共通的值,但也可以在不進(jìn)行追加設(shè)定時(shí)將功率信息部自身刪除。通過刪除,能夠縮短對其余的DI進(jìn)行再生的時(shí)間。如本實(shí)施方式這樣,通過將DI202-1設(shè)為當(dāng)按以往的密度記錄時(shí)需要進(jìn)行分類的 參數(shù),不需要在按以往的密度進(jìn)行記錄的信息記錄介質(zhì)的DI再生時(shí),變更記錄裝置側(cè)的再 生算法,能夠使與高密度的信息記錄介質(zhì)的DI再生時(shí)的算法的差異最小限度。即,記錄裝 置在裝載了按以往的密度進(jìn)行記錄的信息記錄介質(zhì)時(shí),對與DI202-1相當(dāng)?shù)囊酝腄I進(jìn)行 再生,在裝載了以高密度進(jìn)行記錄的信息記錄介質(zhì)時(shí),通過利用以往的再生算法對DI202-1 進(jìn)行再生,接著對DI202-2進(jìn)行再生,能夠只追加DI202-2的再生算法即可。例如當(dāng)存在對按以往的密度進(jìn)行記錄的信息記錄介質(zhì)的DI實(shí)施再生,將DI的規(guī) 定的字節(jié)寫入到記錄裝置的規(guī)定區(qū)域的序列(sequence)時(shí),本序列對于以高密度進(jìn)行記 錄的信息記錄介質(zhì)也同樣能夠使用,只要僅對DI的追加的信息使用新的序列,實(shí)施DI的再 生、向記錄裝置的規(guī)定區(qū)域的寫入即可。而且,如本實(shí)施方式這樣,通過在DI202-1中配置按以往的密度記錄時(shí)需要進(jìn)行 分類的參數(shù),在DI202-2中配置當(dāng)以高密度記錄時(shí)需要進(jìn)一步細(xì)致分類的參數(shù),在將來基 于光學(xué)系統(tǒng)的開發(fā)而使得光斑尺寸變小的情況下,通過只再生DI202-1的參數(shù),能夠以高 密度進(jìn)行記錄,可以縮短對其余的DI進(jìn)行再生的時(shí)間。另外,在本實(shí)施方式中,按照以往密度下的記錄所需要的參數(shù)、和高密度下的記錄 所需要的追加參數(shù)這一分類,進(jìn)行了分離成2個(gè)DI的分類,但分離的方法不限定于此。此外,記錄裝置可以將本實(shí)施方式的DI信息的全部或者一部分記錄到信息記錄 介質(zhì)的規(guī)定區(qū)域。該情況下,可以根據(jù)DI信息,記錄考慮了記錄裝置的特性偏差而被變更 的值。由此,通過下次對規(guī)定區(qū)域中記錄了的DI信息進(jìn)行再生,能夠迅速地進(jìn)行數(shù)據(jù)的記 錄。另外,也可以將本實(shí)施方式的DI信息的全部或者一部分記錄到記錄裝置的規(guī)定 存儲(chǔ)器中。該情況下,可以根據(jù)DI信息,記錄考慮了記錄裝置的特性偏差而被變更的值。由 此,通過下次對規(guī)定存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的DI信息進(jìn)行再生,能夠迅速地進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄。而且,如本實(shí)施方式這樣,通過在DI202-1中配置按以往的密度記錄時(shí)需要進(jìn)行 分類的參數(shù),在DI202-2中配置以高密度記錄時(shí)需要進(jìn)一步細(xì)致分類的參數(shù),在DI的記錄 密度與以往的信息記錄介質(zhì)相同的情況下,即使在對以往的信息記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄的以往 的記錄裝置中,也能夠再生DI,可以識(shí)別是迅速進(jìn)行高密度記錄的信息記錄介質(zhì)。另外,在本實(shí)施方式中,按照以往密度下的記錄所需要的參數(shù)、和高密度下的記錄 所需要的追加參數(shù)這一分類,進(jìn)行了分離成2個(gè)DI的分類,但分離的方法不限定于此。下 面,參照圖27。圖27是DI的分離模式的說明圖。(1)是上述的實(shí)施方式中說明的情況,第一個(gè)DI中保存按以往的密度記錄時(shí)需要 進(jìn)行分類的參數(shù),第二個(gè)DI中保存以高密度記錄時(shí)需要進(jìn)行分類的參數(shù)。通過構(gòu)成如(1)那樣的保存模式,在按以往的密度進(jìn)行記錄的信息記錄介質(zhì)的DI 再生時(shí),不需要變更記錄裝置側(cè)的再生算法,能夠使與高密度的信息記錄介質(zhì)的DI再生時(shí) 的算法的差異為最小限度。并且,通過構(gòu)成如(1)那樣的保存模式,在將來基于光學(xué)系統(tǒng)的開發(fā)使得光斑尺 寸變小的情況下,通過僅對第二個(gè)DI進(jìn)行再生,能夠以高密度進(jìn)行記錄,可以縮短對其余 的DI進(jìn)行再生的時(shí)間。
進(jìn)而,通過構(gòu)成如(1)那樣的保存模式,在對以往的信息記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄的以 往的記錄裝置中也能再生DI,可以識(shí)別為迅速進(jìn)行高密度記錄的信息記錄介質(zhì)。(2)是使按以往的密度進(jìn)行記錄的信息記錄介質(zhì)的DI與參數(shù)的排列共通的情況。 圖觀表示按以往的密度進(jìn)行記錄的信息記錄介質(zhì)的DI的一例。而圖四表示進(jìn)行高密度 記錄的信息記錄介質(zhì)的第一個(gè)DI的一例,圖30表示第二個(gè)DI的一例。通過構(gòu)成如(2)那樣的保存模式,例如dTtop等參數(shù)不會(huì)被分散,能夠降低對信息 記錄介質(zhì)的母盤、”、乂 進(jìn)行剪切(力^〒^ >夕‘)時(shí)信息的輸入錯(cuò)誤。而且,通過不將dTtop等1個(gè)參數(shù)分割成第一和第二,能夠降低記錄裝置中的DI 再生時(shí)的讀取錯(cuò)誤。(3)是劃分了與標(biāo)記始端相關(guān)的參數(shù)、和與標(biāo)記終端相關(guān)的參數(shù)的情況,圖31表 示第一個(gè)DI的一例,圖32表示第二個(gè)DI的一例。如圖31、圖32所示那樣,在第一個(gè)DI中 保存與標(biāo)記始端相關(guān)的參數(shù),在第二個(gè)DI中保存與標(biāo)記終端相關(guān)的參數(shù)。通過構(gòu)成如( 那樣的保存模式,由于一般熱干涉對標(biāo)記始端部造成影響,所以 通過先行配置對記錄造成影響的參數(shù),可以提高在第二個(gè)DI無法再生的情況下也能夠進(jìn) 行數(shù)據(jù)的最低限度的記錄的概率。(4)是將字節(jié)數(shù)多的參數(shù)保存到第一個(gè)DI的情況,圖33表示第一個(gè)DI的例子,圖 34表示第二個(gè)DI的例子。在圖33中,dTtop為11字節(jié),Ttop為11字節(jié),在圖34中,dTc 為9字節(jié),Tlp為3字節(jié),dTs為10字節(jié)。字節(jié)數(shù)多的參數(shù)一般是被要求控制精度的參數(shù),通過構(gòu)成如(4)那樣的保存模 式,可以提高在第二個(gè)DI無法再生的情況下也能進(jìn)行數(shù)據(jù)的最低限度的記錄的概率。另外,本實(shí)施方式中,在圖34中按照dTc、Tip、dTs的順序進(jìn)行了保存,但也可以按 照字節(jié)數(shù)大的dTs、dTc、Tip的順序進(jìn)行保存。而且,除了圖27所示的方式以外,還可以通過第一個(gè)DI和第二個(gè)DI,按照不依賴 于標(biāo)記也不依賴于空白的參數(shù)、僅依賴于標(biāo)記的參數(shù)、依賴于標(biāo)記和空白雙方的參數(shù)的順 序進(jìn)行保存?;诓捎眠@樣的保存方法,通過從簡單的參數(shù)逐漸向復(fù)雜的參數(shù)緩緩過渡,能 夠在對信息記錄介質(zhì)的母盤進(jìn)行剪切之際的信息輸入時(shí),通過整齊排列來降低輸入錯(cuò)誤。 另外,在從復(fù)雜的參數(shù)向簡單的參數(shù)過渡的情況下也同樣。另外,也可以當(dāng)通過第一個(gè)DI和第二個(gè)DI,按照不依賴于標(biāo)記也不依賴于空白的 參數(shù)、僅依賴于標(biāo)記的參數(shù)、和依賴于標(biāo)記和空白雙方的參數(shù)的順序進(jìn)行保存時(shí),在各個(gè)劃 分中按時(shí)間從早到晚的順序進(jìn)行保存。例如當(dāng)在同一劃分中存在dTtop和Ttop時(shí),先保存 d Ttop,當(dāng)存在Tlp和dTs時(shí),先保存Tip。通過按時(shí)間從早到晚的順序進(jìn)行保存,能夠在同 一劃分內(nèi)按時(shí)間順序整齊排列參數(shù),由此可降低對信息記錄介質(zhì)的母盤進(jìn)行剪切時(shí)的信息 的輸入錯(cuò)誤。另外,即使在不分成上述那樣的劃分而按時(shí)間順序排列了參數(shù)的情況下,通過參 數(shù)按時(shí)間順序整齊排列,能夠降低對信息記錄介質(zhì)的母盤進(jìn)行剪切時(shí)的信息的輸入錯(cuò)誤。接著,參照圖35。圖35是控制信息區(qū)域的格式的一例。在圖35中,控制信息區(qū) 域101具有DI201及202、頭部信息203、第1記錄再生控制信息204、第1盤信息部205、第 1功率信息部206、第1記錄脈沖信息部207、腳注信息208、頭部信息209、第2記錄再生控 制信息210、第2盤信息部211、第2功率信息部212、第2記錄脈沖信息部213和腳注信息214。其中,DI201與DI202的內(nèi)容相同,即使因被反復(fù)記錄而使得DI201因劃傷等而劣 化,通過再生DI202,也能夠取得記錄再生控制信息。這里,DI201、DI202是城堡式寫入策略的DI,但DI并不限定于城堡式寫入策略。 可以在DI201與DI202之間的區(qū)域記錄例如圖23所示那樣的類型的DI,也可以記錄層不同 的城堡式寫入策略的DI、或記錄倍速不同的城堡式寫入策略的DI。其中,在頭部信息203和頭部信息209中記錄有相同的信息,通過查找頭部信息, 能夠在之后立即認(rèn)識(shí)到存在記錄再生控制信息。同樣,在腳注信息208和腳注信息214中 記錄有相同的信息,通過查找腳注信息,能夠在之前立即認(rèn)識(shí)到存在記錄再生控制信息。

在盤信息部205、盤信息部211中,與盤容量、能夠記錄的記錄層的層數(shù)、跟蹤伺服 的極性等一同記錄有DI是否完結(jié)的完結(jié)判定信息。因此,在本實(shí)施方式中,盤信息部205 的完結(jié)判定信息表示沒有完結(jié),盤信息部211的完結(jié)判定信息表示完結(jié)了。另外,除了這些信息以外,還可以記錄表示在哪一層記錄的層信息、表示以怎樣的 倍速記錄的倍速信息、表示DI的總數(shù)的DI個(gè)數(shù)信息、表示當(dāng)前正在再生的DI是整體的第 幾個(gè)DI的信息。而且,可以在盤信息部205中還記錄不足DI有無信息。在不足DI信息223和不 足DI信息2M中記錄有相同的信息,當(dāng)在DI201與DI202之間的區(qū)域記錄有必要的所有DI 時(shí),在不足DI有無信息223、不足DI有無信息224中記錄有沒有不足的DI信息這一標(biāo)志。另一方面,當(dāng)在DI201與DI202之間除了區(qū)域中記錄的DI以外還存在DI信息時(shí), 在不足DI有無信息2M中記錄有控制信息區(qū)域101中存在不足的DI信息這一標(biāo)志、不足 的DI的個(gè)數(shù)信息、不足的DI的記錄地址的信息。圖36表示不足DI有無信息223的構(gòu)成 例。在圖36中,2101是不足DI有無標(biāo)志,2102是不足DI記錄目的地信息,2103是不足DI 個(gè)數(shù)信息。如圖21所示,在讀入?yún)^(qū)域中能夠記錄N個(gè)DI,但基于盤制作技術(shù)的進(jìn)步使得盤的 層數(shù)增加、或者基于馬達(dá)技術(shù)的進(jìn)步使得轉(zhuǎn)速提高,由此會(huì)使記錄倍速提高,存在DI數(shù)不 足的可能性。另一方面,由于與確保DI的區(qū)域無關(guān)地未被使用的場所,可記錄虛擬數(shù)據(jù)、如 “0”那樣的特定數(shù)據(jù),所以從數(shù)據(jù)區(qū)域增加的觀點(diǎn)出發(fā),優(yōu)選DI用的區(qū)域?yàn)楸匾淖畹拖?度。鑒于此,在本實(shí)施方式中,當(dāng)不足DI有無信息223、不足DI有無信息2M中記錄有控制 信息區(qū)域101中存在不足的DI這一標(biāo)志時(shí),將控制信息區(qū)域101中沒有記錄的DI疊加記 錄到與控制信息區(qū)域101不同的區(qū)域、例如軌道的擺動(dòng)區(qū)(wobble)。另外,在本實(shí)施方式 中,用于記錄不足DI的信息的區(qū)域設(shè)置于盤信息部205、盤信息部211雙方,但也可以設(shè)置 于任意一方。而且,在本實(shí)施方式中,將控制信息區(qū)域101中無法記錄的DI記錄到不同的區(qū)域, 但也可以將控制信息區(qū)域101中記錄的DI,與控制信息區(qū)域101中沒有記錄的不足量的DI 雙方的DI,記錄到不同的區(qū)域。并且,在本實(shí)施方式中,將控制信息區(qū)域101中無法記錄的DI疊加記錄到不同的 控制信息區(qū)域、軌道的擺動(dòng)信息中,但也可以記錄到設(shè)置在比控制信息區(qū)域101靠內(nèi)側(cè)的 BCA(Burst Cutting Area)區(qū)域、或其以外的區(qū)域。另外,在本實(shí)施方式中,不足DI有無信息被記錄在控制信息區(qū)域,但不足DI信息也可以記錄到其以外的區(qū)域,例如記錄到BCA區(qū)域中。BCA區(qū)域可以在只有聚焦伺服進(jìn)入的 狀態(tài)下再生,能夠以更高的精度并在更早的階段把握不足DI的有無信息。此外,在將控制信息區(qū)域中無法記錄的DI記錄到不同的區(qū)域時(shí),即使在由不足DI 記錄地址信息2102指定的區(qū)域中,也確保DI用的區(qū)域,但該情況下,也可以在產(chǎn)生了未被 使用的區(qū)域時(shí),通過記錄虛擬數(shù)據(jù)、“0”那樣的特定數(shù)據(jù),而有可能無法有效使用原來的區(qū) 域。鑒于此,希望在與記錄DI的控制信息區(qū)域不同的區(qū)域中,能夠選擇即使在不存在 不足DI的情況下也確保不足DI用的區(qū)域的格式、和在不存在不足DI的情況下不確保不足 DI用的區(qū)域的格式,對選擇哪一個(gè)進(jìn)行指定的標(biāo)志可記錄到不足DI有無信息中。如本實(shí)施方式這樣,通過記錄不足DI有無信息,能夠僅在規(guī)定的控制信息區(qū)域內(nèi) DI不足時(shí),迅速地把握DI不足這一情況,可取得不同的區(qū)域中記錄的DI。另外,如本實(shí)施方式這樣設(shè)置不足DI有無信息、將不足量記錄到不同的區(qū)域的方 式,對于控制信息區(qū)域的消耗增大而將1個(gè)記錄條件分成多個(gè)DI記載的情況特別有效。如以上所述,根據(jù)本發(fā)明,即使在由于將來的信息記錄介質(zhì)的高密度化而使記錄 脈沖信息擴(kuò)展,引起記錄再生控制信息的信息量增大的情況;由于信息記錄介質(zhì)的層數(shù)增 加,使得記錄再生控制信息的總信息量增大的情況;或由于馬達(dá)的轉(zhuǎn)速增加,使得信息記錄 介質(zhì)的記錄倍速模式增加,使得記錄再生控制信息的總信息量增大的情況下,也能夠恰當(dāng) 地讀出記錄再生控制信息,并根據(jù)讀出的記錄再生控制信息準(zhǔn)確地記錄用戶數(shù)據(jù)。本實(shí)施方式涉及的信息記錄介質(zhì)具有多個(gè)軌道,通過激光向軌道的脈沖照射來記 錄信息。而且,該信息記錄介質(zhì)具有用于記錄信息的信息記錄區(qū)域、和用于進(jìn)行記錄再生 的控制信息區(qū)域。控制信息區(qū)域具有第1控制信息和第2控制信息,根據(jù)第1控制信息、或 者第1控制信息與第2控制信息雙方的控制信息進(jìn)行信息的記錄。由此,在對以往密度的信息記錄介質(zhì)的記錄再生控制信息進(jìn)行再生的情況、和對 高密度的信息記錄介質(zhì)的記錄再生控制信息進(jìn)行再生的情況下,能夠使再生算法的變更為 最小限度。而且,本實(shí)施方式涉及的信息記錄介質(zhì)具有用于記錄信息的信息記錄區(qū)域、和記 錄有用于進(jìn)行記錄再生的控制信息的控制信息區(qū)域。信息以向信息記錄介質(zhì)的至少兩組 (set)激光的脈沖照射條件而被記錄。該脈沖照射條件被記載于控制信息區(qū)域。該控制信 息區(qū)域具有當(dāng)能夠記錄信息的激光的脈沖照射條件的組數(shù),比控制信息區(qū)域中記載的脈沖 照射條件的組數(shù)多時(shí),表示在控制信息區(qū)域內(nèi)沒有記載所有脈沖照射條件的標(biāo)志。根據(jù)上述的信息記錄介質(zhì),即使在由于將來的信息記錄介質(zhì)的高密度化而使記錄 脈沖信息擴(kuò)展,引起記錄再生控制信息的信息量增大的情況;由于信息記錄介質(zhì)的層數(shù)增 加,使得記錄再生控制信息的總信息量增大的情況;或由于馬達(dá)的轉(zhuǎn)速增加,使得信息記錄 介質(zhì)的記錄倍速模式增加,使得記錄再生控制信息的總信息量增大的情況下,也能夠恰當(dāng) 地讀出記錄再生控制信息,并根據(jù)讀出的記錄再生控制信息準(zhǔn)確地記錄用戶數(shù)據(jù)。(實(shí)施方式5)作為能夠應(yīng)用本發(fā)明的記錄介質(zhì)的一例,有藍(lán)光盤(BD)或其他規(guī)格的光盤。由于 在上述的實(shí)施方式1 4中以BD為例進(jìn)行了說明,所以下面對BD的構(gòu)成進(jìn)行簡要說明?!粗饕獏?shù)〉
根據(jù)記錄膜的特性,BD具有作為再生專用型的BD-R0M、作為追加記錄型/一次寫 入型的BD-R、作為重寫記錄型的BD-RE等類型,本發(fā)明在BD或其他規(guī)格光盤中的R(追記 型/ 一次寫入型)、RE (重寫型)任意一個(gè)類型的記錄介質(zhì)中都能應(yīng)用。對于藍(lán)光盤的主要 光學(xué)常數(shù)和物理格式,在“藍(lán)光盤讀本”(才一 A公司出版)、藍(lán)光協(xié)會(huì)的主頁(http://Ww. blu-raydisc. com/)所刊登的白皮書中已公開。在BD中,使用了波長大致為405nm(如果相對標(biāo)準(zhǔn)值405nm將誤差范圍的允許 值設(shè)為士5nm,則為400 4IOnm)的激光及數(shù)值孔徑(NA Numerical Aperture)大致為 0.85(如果相對標(biāo)準(zhǔn)值0.85將誤差范圍的允許值設(shè)為士0.01,則為0.84 0.86)的物 鏡。BD的軌道間距大致為0. 32 μ m(如果相對標(biāo)準(zhǔn)值0. 320 μ m將誤差范圍的允許值設(shè)為 士 0. 010 μ m,則為0. 310 0. 330 μ m),記錄層設(shè)有1層或者2層。記錄層的記錄面從激光 入射側(cè)起是單面1層或者單面2層的構(gòu)成,從BD的保護(hù)層的表面到記錄面,距離為75 μ m 100 μ m0記錄信號(hào)的調(diào)制方式利用17PP調(diào)制,所記錄的標(biāo)記的最短標(biāo)記(2T標(biāo)記T是 基準(zhǔn)時(shí)鐘的周期(以規(guī)定的調(diào)制規(guī)則記錄標(biāo)記時(shí)的調(diào)制的基準(zhǔn)周期))的標(biāo)記長度為 0. 149ym(^0. 138 μ m)(信道比特長:T為74. 50nm(或69. OOnm))。記錄容量為單面單層 25GB (或27GB)(更詳細(xì)為25. 025GB (或27. 020GB))、或者單面2層50GB (或MGB)(更詳 細(xì)為 50. 050GB (或 54. 040GB))。信道時(shí)鐘頻率在標(biāo)準(zhǔn)速度(BDlx)的傳輸率下為66MHz (信道比特率66. OOOMbit/ s),在4倍速(BD4x)的傳輸率下為264MHz (信道比特率264. 000Mbit/s),在6倍速(BD6x) 的傳輸率下為396MHz (信道比特率396. OOOMbit/s),在8倍速(BD8x)的傳輸率下為 528MHz (信道比特率 528. 000Mbit/s)。標(biāo)準(zhǔn)線速度(基準(zhǔn)線速度、Ix)為4. 917m/sec (或4. 554m/sec)。2倍(2x)、4倍 0χ)、6 倍(6x)及 8 倍(8x)的線速度分別為 9. 834m/sec、19. 668m/secJ9. 502m/sec 及 39. 336m/sec0比標(biāo)準(zhǔn)線速度高的線速度一般是標(biāo)準(zhǔn)線速度的正整數(shù)倍,但不限于整數(shù),也 可以是正的實(shí)數(shù)倍。而且,也能夠定義0.5倍(0.5x)等比標(biāo)準(zhǔn)線速度慢的線速度。另外,雖然上述內(nèi)容涉及已經(jīng)商品化的、主要每1層約為25GB (或約27GB)的1層 或2層的BD,但作為進(jìn)一步的大容量化,每1層的記錄容量大致為32GB或大致為33. 4GB的 高密度BD、層數(shù)為3層或4層的BD也在研究中,下面對這些情況也加以說明。<關(guān)于多層>如果是從保護(hù)層一側(cè)入射激光來再生及/或記錄信息的單面盤,則在將記錄層設(shè) 為二層以上的情況下,可在基板與保護(hù)層之間設(shè)置多個(gè)記錄層,圖37表示該情況下的多層 盤的一般構(gòu)成例。圖示的光盤由(n+1)層的信息記錄層2202構(gòu)成(η為0以上的整數(shù))。 若對其構(gòu)成具體說明,則在光盤中,從激光2205入射一側(cè)的表面依次層疊有覆蓋層2201、 (n+1)個(gè)的信息記錄層(L η L 0層)2202、和基板2200。而且,在(n+1)個(gè)的信息記錄層 2202的層間,插入有作為光學(xué)緩沖器件發(fā)揮功能的中間層2203。即,在從光入射面隔開規(guī) 定距離的最內(nèi)側(cè)位置(距離光源最遠(yuǎn)的位置)設(shè)置基準(zhǔn)層(L 0),按照從基準(zhǔn)層(L 0)向光 入射面?zhèn)仍黾訉拥姆绞綄盈B了記錄層(L UL 2、…、L η)。這里,在與單層盤比較的情況下,可以使多層盤中的從光入射面到基準(zhǔn)層L 0為 止的距離與單層盤中的從光入射面到記錄層為止的距離大致相同(例如0.1mm程度)。通過這樣與層數(shù)無關(guān)而使到最內(nèi)層(最遠(yuǎn)層)為止的距離一定(即,設(shè)為與單層盤的情況大 致相同的距離),無論單層還是多層,都能確保與向基準(zhǔn)層的訪問相關(guān)的互換性。而且,能夠 抑制與層數(shù)的增加相伴的傾斜影響的增加。能夠抑制傾斜影響的增加的原因在于,雖然最 內(nèi)層最容易受傾斜的影響,但通過將到最內(nèi)層為止的距離設(shè)成與單層盤大致相同的距離, 即使層數(shù)增加,到最內(nèi)層為止的距離也不增加。另外,關(guān)于斑點(diǎn)的行進(jìn)方向(或者也可以稱為軌道方向、盤旋方向),可以為同向 傳遞(parallel pass),也可以為反向傳遞(opposite pass)。對于同向傳遞,在所有的層中,再生方向相同。即,斑點(diǎn)的行進(jìn)方向在所有層中從 內(nèi)周向外周的方向、或在所有層中從外周向內(nèi)周的方向行進(jìn)。另一方面,對于反向傳遞,在某一層和與該層相鄰的層中,再生方向相反。S卩,在基 準(zhǔn)層(L 0)中的再生方向是從內(nèi)周向外周的方向時(shí),記錄層L 1中的再生方向是從外周向 內(nèi)周的方向,在記錄層L 2中是從內(nèi)周向外周的方向。即,再生方向在記錄層L m(m為0及 偶數(shù))中是從內(nèi)周向外周的方向,在記錄層L m+1中是從外周向內(nèi)周的方向?;蛘?,在記錄 層L m(m為0及偶數(shù))中是從外周向內(nèi)周的方向,在記錄層L m+1中是從內(nèi)周向外周的方 向。保護(hù)層(覆蓋層)的厚度伴隨著通過數(shù)值孔徑NA提高而使得焦點(diǎn)距離變短,被設(shè) 定得更薄,以抑制因傾斜引起的斑點(diǎn)形變的影響。數(shù)值孔徑NA在CD中為0. 45,在DVD中為 0. 65,與之相對,在BD中被設(shè)定為約0. 85。例如可以在記錄介質(zhì)的總厚度1. 2mm左右中,將 保護(hù)層的厚度設(shè)為10 200μπι。更具體而言,在1. Imm左右的基板中,如果是單層盤,則設(shè) 置0. Imm左右的透明保護(hù)層,如果是二層盤,則可以對0. 075mm左右的保護(hù)層設(shè)置0. 025mm 左右的中間層(Spacer Layer) 0如果是三層以上的盤,則保護(hù)層及/或中間層的厚度可以 減一步變薄。<1層 4層的各構(gòu)成例〉這里,圖38表示單層盤的構(gòu)成例,圖39表示二層盤的構(gòu)成例,圖40表示三層盤的 構(gòu)成例,圖41表示四層盤的構(gòu)成例。如上所述,當(dāng)從光照射面到基準(zhǔn)層L 0的距離一定時(shí), 在圖39 圖41的任意一個(gè)中,盤的總厚度都約為1. 2mm(在還包含標(biāo)簽印刷等的情況下, 優(yōu)選設(shè)為1. 40mm以下),基板2200的厚度約為1. Imm,從光照射面到基準(zhǔn)層L 0的距離約 為0. 1mm。在圖38的單層盤(圖37中η = 0的情況)中,覆蓋層22011的厚度約為0. Imm, 而在圖39的二層盤(圖37中η = 1的情況)中,覆蓋層22012的厚度約為0. 075mm、中間 層22032的厚度約為0. 025mm,另外在圖40的三層盤(圖37中η = 2的情況)、圖41的四 層盤(圖37中η = 3的情況)中,覆蓋層22013、22014的厚度、及/或中間層22033、22034 的厚度進(jìn)一步變薄。<光盤的制造方法>這些單層或多層盤(具有k層記錄層的盤,k為1以上的整數(shù))可以通過以下那 樣的工序制造。S卩,在厚度約為1. Imm的基板上形成借助數(shù)值孔徑為0. 84以上、0. 86以下的物鏡, 來照射波長為400nm以上、410nm以下的激光,從而能夠再生信息的k個(gè)記錄層。接著,在記錄層與記錄層之間形成k-Ι個(gè)中間層。其中,在單層盤的情況下由于k =1,所以k_l = 0,不形成中間層。
接著,從基板側(cè)開始數(shù),在第k個(gè)記錄層(多層盤的情況下,是與基板最遠(yuǎn)的記錄 層)上形成厚度為0. Imm以下的保護(hù)層。然后,在形成記錄層的工序中,當(dāng)從基板側(cè)開始數(shù),形成第i個(gè)(i為1以上、k以 下的奇數(shù))記錄層時(shí),按照再生方向從盤的內(nèi)周側(cè)變?yōu)橥庵軅?cè)的方向的方式,形成同心圓 狀或盤旋狀的軌道。而且,當(dāng)從基板側(cè)開始數(shù),形成第j個(gè)(j為1以上、k以下的偶數(shù))記 錄層時(shí),按照再生方向從盤的外周側(cè)變?yōu)閮?nèi)周側(cè)的方向的方式,形成同心圓狀或盤旋狀的 軌道。其中,在單層盤的情況下,由于k = 1,所以滿足k = 1中的1以上、k以下的奇數(shù)i 只存在“1”,因此,作為第i個(gè)記錄層,只能形成1個(gè)記錄層,而且由于滿足k = 1中的1以 上、k以下的偶數(shù)j不存在,所以不會(huì)形成第j個(gè)記錄層。而且,能夠在記錄層中的軌道分配各種區(qū)域。在本發(fā)明中,尤其是作為實(shí)施方式1 4中敘述的用于將控制信息所含有的記錄 脈沖信息向控制信息區(qū)域記錄的記錄方法,也能夠通過以下的制造方法執(zhí)行。即,還能夠作為下述的信息記錄介質(zhì)的制造方法執(zhí)行,所述信息記錄介質(zhì)能夠記 錄將標(biāo)記和空白組合而得到的數(shù)據(jù)列,所述信息記錄介質(zhì)的制造方法包括層疊基板,并在所述基板上層疊信息記錄層,在所述信息記錄層上層疊透明保護(hù) 層的層疊步驟;在所述信息記錄層中形成用于記錄信息的信息記錄區(qū)域的步驟;為了進(jìn)行記錄再生,在所述信息記錄層中形成用于記錄作為信息的控制信息的控 制信息區(qū)域的步驟;和向所述控制信息區(qū)域記錄所述控制信息的步驟。而且,所述控制信息具有以基準(zhǔn)值保存了信息的第1記錄脈沖信息、和以偏差值 保存了信息的第2記錄脈沖信息,所述偏差值的信息量為所述基準(zhǔn)值的信息量的2分之1 以上。及/或,所述控制信息具有以基準(zhǔn)值保存了信息的第1記錄脈沖信息、和以偏差 值保存了信息的第2記錄脈沖信息,所述偏差值的信息量在能夠以1T(T 信道時(shí)鐘)的η分 之l(n 正整數(shù))的精度定義記錄脈沖的脈沖寬度、脈沖位置時(shí),成為能夠定義至少η分之2 的范圍的信息量。<光盤的再生裝置/方法>這樣的具有單層或多層的盤(具有k層記錄層的盤,k為1以上的整數(shù))的再生, 可通過具有以下那樣的構(gòu)成的再生裝置進(jìn)行。作為盤的構(gòu)成,具有厚度近似為1. Imm的基板、形成在所述基板上的k個(gè)記錄層、 形成在記錄層與記錄層之間的k-Ι個(gè)中間層(其中,在單層盤的情況下,由于k= 1,所以 k-1 = 0、不存在中間層)、和從基板側(cè)開始算起形成在第k個(gè)記錄層(在多層盤的情況下, 是與基板最遠(yuǎn)的記錄層)上且厚度為0. Imm以下的保護(hù)層。k個(gè)記錄層上分別形成有軌道, 能夠在其中的至少1個(gè)軌道上分配各種區(qū)域。而且,利用從所述保護(hù)層的表面?zhèn)冉柚鷶?shù)值 孔徑為0. 84以上、0. 86以下的物鏡,照射波長為400nm以上、410nm以下的激光的光頭,能 夠從k個(gè)記錄層分別再生信息。而且,在從基板側(cè)起算第i個(gè)(i為1以上、k以下的奇數(shù))記錄層中,形成同心圓 狀或盤旋狀的軌道,通過利用在從盤的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)的方向進(jìn)行再生的控制部,對再生方向進(jìn)行控制,可以從第i個(gè)記錄層再生信息。另外,在從基板側(cè)開始算起第j個(gè)(j為1以上、k以下的奇數(shù))記錄層中,形成同 心圓狀或盤旋狀的軌道,通過利用從盤的外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)的方向進(jìn)行再生的控制部,對再 生方向進(jìn)行控制,可以從第j個(gè)記錄層再生信息。在本發(fā)明的情況下,作為實(shí)施方式1 4中敘述的保存記錄脈沖信息的信息記錄 介質(zhì)的再生方法、或通過上述的制造方法制造的信息記錄介質(zhì)的再生方法,包括向所述信息記錄區(qū)域照射激光的步驟;和基于根據(jù)所述控制信息中含有的所述第1記錄脈沖信息和所述第2記錄脈沖信息 而被調(diào)整后的記錄波形,對記錄到所述信息記錄區(qū)域的數(shù)據(jù)列進(jìn)行再生的步驟。〈調(diào)制〉 接著,對記錄信號(hào)的調(diào)制方式進(jìn)行說明。在將數(shù)據(jù)(原始的源數(shù)據(jù)/調(diào)制前的二進(jìn) 制數(shù)據(jù))向記錄介質(zhì)記錄的情況下,將其分割成規(guī)定的尺寸,進(jìn)而將分割成規(guī)定尺寸后的 數(shù)據(jù)分割成規(guī)定長度的幀,并按每幀插入規(guī)定的同步碼(〉> 々二一 K )/同步代碼列(幀 同步區(qū)域)。被分割成幀的數(shù)據(jù)作為按照與記錄介質(zhì)的記錄再生信號(hào)特性相符的規(guī)定調(diào)制 規(guī)則而調(diào)制的數(shù)據(jù)代碼列被記錄(幀數(shù)據(jù)區(qū)域)。這里,作為調(diào)制規(guī)則,可以是標(biāo)記長被限制的RLL(Run Length Limited)編碼方式 等,在表述為RLL (d,k)的情況下,意味著在1與1之間出現(xiàn)的0最小為d個(gè),最大為k個(gè)(d 及k是滿足d < k的自然數(shù))。例如在d = 1,k = 7的情況下,如果將T設(shè)為調(diào)制的基準(zhǔn)周 期,則成為最短為2T、最長為8T的記錄標(biāo)記及空白。另外,也可以作為對RLL(1,7)調(diào)制進(jìn)一 步加入了下述[1] [2]的特征的 1-7PP 調(diào)制。1-7PP 的“PP”是 Parity preserve/Prohibit Repeated Minimum Transition Length 的縮寫,[1]作為最初的 P 的 Parity preserve 意 味著調(diào)制前的源數(shù)據(jù)位“1”的個(gè)數(shù)的奇偶(即Parity)、和與之對應(yīng)的調(diào)制后位圖案的“ 1” 的個(gè)數(shù)的奇偶一致;[2]作為后面的 P 的 Prohibit Repeated Minimum Transition Length 意味著對調(diào)制后的記錄波形上的最短標(biāo)記及空白的重復(fù)次數(shù)進(jìn)行限制(具體將2T的重復(fù) 次數(shù)限制為最大6次)的構(gòu)造。另外,根據(jù)以上的各種格式和方式,若記錄密度提高,則產(chǎn)生存在多個(gè)記錄密度的 可能性。但是,也可以基于記錄密度的不同而采用其一部分,不采用一部分而采用其他的格 式或方式。(實(shí)施方式6)圖42表示本實(shí)施方式涉及的光盤1的物理構(gòu)成。圓盤狀的光盤1中例如以同心 圓狀或者盤旋狀形成有多個(gè)軌道2,各軌道2中形成有被細(xì)分的多個(gè)扇區(qū)。其中,如后所述, 在各軌道2中以預(yù)先決定的尺寸的區(qū)塊3為單位記錄數(shù)據(jù)。本實(shí)施方式涉及的光盤1與以往的光盤(例如25GB的BD)相比,信息記錄層每1 層的記錄容量被擴(kuò)展。記錄容量的擴(kuò)展通過提高記錄線密度來實(shí)現(xiàn),例如通過使光盤中記 錄的記錄標(biāo)記的標(biāo)記長更短來實(shí)現(xiàn)。這里“提高記錄線密度”意味著縮短信道比特長。該 信道比特是指與基準(zhǔn)時(shí)鐘的周期T(根據(jù)規(guī)定的調(diào)制規(guī)則記錄標(biāo)記時(shí)調(diào)制的基準(zhǔn)周期T)相 當(dāng)?shù)拈L度。另外,光盤1也可以多層化。不過,下面為了便于說明,僅對1個(gè)信息記錄層的 情況進(jìn)行說明。而在設(shè)置了多個(gè)信息記錄層的情況下,即使當(dāng)設(shè)置于各信息記錄層的軌道 的寬度相同時(shí),標(biāo)記長也按每一層而不同,通過標(biāo)記長在同一層中一樣,可以使記錄線密度按每一層各異。軌道2按數(shù)據(jù)的每個(gè)記錄單位64kB(千字節(jié))被分成區(qū)塊,并被按順序分配了區(qū) 塊地址值。區(qū)域被分割成規(guī)定長度的子區(qū)塊,由3個(gè)子區(qū)塊構(gòu)成了 1個(gè)區(qū)塊。子區(qū)塊從前 到后按順序被分配了 0 2的子區(qū)塊編號(hào)?!搓P(guān)于記錄密度〉接著,利用圖43、圖44及圖45對記錄密度進(jìn)行說明。圖43 (A)表示25GB的BD的例子。在BD中,激光123的波長為405nm,物鏡220的 數(shù)值孑L徑(Numerical Aperture ;ΝΑ)為 0. 85。與DVD同樣,在BD中,記錄數(shù)據(jù)也作為物理變化的標(biāo)記列2320、2321被記錄在光 盤的軌道2上。將該標(biāo)記列中長度最短的稱為“最短標(biāo)記”。在圖中,標(biāo)記2321是最短標(biāo)記。在25GB記錄容量的情況下,最短標(biāo)記2321的物理長度為0. 149 μ m。這相當(dāng)于DVD 的約1/2. 7,即使改變光學(xué)系統(tǒng)的波長參數(shù)G05nm)和NA參數(shù)(0. 85),使激光的分辨率提 高,光束也接近于能夠識(shí)別記錄標(biāo)記的界限、即光學(xué)分辨率的界限。圖44表示向軌道上記錄的標(biāo)記列照射了光束的樣子。在BD中,基于上述光學(xué)系 統(tǒng)參數(shù),光斑2330約為0. 39 μ m左右。在光學(xué)系統(tǒng)的構(gòu)造不改變、使記錄線密度提高的情 況下,由于記錄標(biāo)記相對于光斑2330的斑點(diǎn)徑相對變小,所以再生的分辨率變差。例如圖43 (B)表示記錄密度比25GB的BD高的光盤的例子。在該盤中,也是激光 2323的波長為405nm,物鏡2420的數(shù)值孔徑(Numerical Aperture ;ΝΑ)為0. 85。該盤的 標(biāo)記列2325,2324中最短標(biāo)記2325的物理長度為0. 1115 μ m。若與圖43(A)比較,則斑點(diǎn) 徑相同,約為0. 39μπι,另一方面,由于記錄標(biāo)記相對變小、且標(biāo)記間隔也變窄,所以再生的 分辨率變差。利用光束再生記錄標(biāo)記時(shí)的再生信號(hào)的振幅隨著記錄標(biāo)記變短而降低,在光學(xué)分 辨率的界限下成為零。將該記錄標(biāo)記的周期的倒數(shù)稱為空間頻率,將空間頻率與信號(hào)振幅 的關(guān)系稱為OTF (Optical Transfer Function)。信號(hào)振幅隨著空間頻率變高而近似直線地 降低。將信號(hào)振幅為零的再生的界限頻率稱為OTF截止(cutoff)。圖45是表示25GB記錄容量時(shí)的OTF與最短記錄標(biāo)記的關(guān)系的曲線圖。BD的最短 標(biāo)記的空間頻率相對OTF截止為80%左右,接近于OTF截止。而且可知,最短標(biāo)記的再生 信號(hào)的振幅也會(huì)變得非常小而達(dá)到能夠檢測的最大振幅的約10%左右。BD的最短標(biāo)記的 空間頻率非常接近于OTF截止的情況、即幾乎沒有再生振幅時(shí)的記錄容量,在BD中相當(dāng)于 約31GB。若最短標(biāo)記的再生信號(hào)的頻率位于OTF截止頻率附近、或者是超過其的頻率,則 達(dá)到激光的分辨率的界限、或者有時(shí)也超過該界限,使得再生信號(hào)的再生振幅變小,稱為SN 比急劇劣化的區(qū)域。因此,圖43(B)的高記錄密度光盤的記錄線密度可以設(shè)想是從再生信號(hào)的最短標(biāo) 記的頻率為OTF截止頻率附近時(shí)(還包括雖然為OTF截止頻率以下但不大幅小于OTF截止 頻率的情況)起,到OTF截止頻率以上的情況。圖46是表示最短標(biāo)記QT)的空白頻率比OTF截止頻率高、且2T的再生信號(hào)的振 幅為0時(shí)信號(hào)振幅與空白頻率的關(guān)系的一例的曲線圖。在圖46中,最短標(biāo)記長的2T的空 間頻率為OTF截止頻率的1. 12倍。
<波長、數(shù)值孔徑與標(biāo)記長的關(guān)系>另外,高記錄密度的盤B中的波長、數(shù)值孔徑與標(biāo)記長/空白長的關(guān)系如下所述。當(dāng)將最短標(biāo)記長設(shè)為T Mnm、將最短空白長設(shè)為T S nm時(shí),若用“P”表示(最短標(biāo) 記長+最短空白長),則P為(τ M+T S)nm。在17調(diào)制的情況下,P = 2T+2T = 4T。當(dāng)采用 激光波長 λ (405nm士5nm、即 400 4IOnm)、數(shù)值孔徑 NA (0. 85士0. 01 即 0. 84 0. 86)、最 短標(biāo)記+最短空白長P (在17調(diào)制的情況下,由于最短長為2T,所以P = 2T+2T = 4T)這3 個(gè)參數(shù)時(shí),若在P < λ /2ΝΑ之前,基準(zhǔn)T變小,則最短標(biāo)記的空間頻率超過OTF截止頻率。NA = O. 85,λ = 405時(shí)的與OTF截止頻率相當(dāng)?shù)幕鶞?zhǔn)Τ,為T = 405Λ2χ 0.85)/4 =59. 558nm(另外,反過來在P > λ /2ΝΑ的情況下,最短標(biāo)記的空間頻率比OTF截止頻率 低)。這樣,即使提高記錄線密度,由于光學(xué)分辨率的界限,SN比也劣化。因此,因信息 記錄層的多層化引起的SN比劣化在系統(tǒng)容限的觀點(diǎn)下,有時(shí)也無法允許。尤其如上所述, 從最短記錄標(biāo)記的頻率超過OTF截止頻率的附近開始,SN比劣化變得顯著。另外,以上將最短標(biāo)記的再生信號(hào)的頻率與OTF截止頻率比較,對記錄密度進(jìn)行 了闡述,但在進(jìn)一步高密度化的情況下,可以根據(jù)第二短的標(biāo)記(第三短的標(biāo)記(第二短的 標(biāo)記以上的記錄標(biāo)記))的再生信號(hào)的頻率與OTF截止頻率的關(guān)系,基于和以上同樣的原 理,設(shè)定分別對應(yīng)的記錄密度(記錄線密度、記錄容量)。<記錄密度及層數(shù)>這里,作為具有波長405nm、數(shù)值孔徑0. 85等規(guī)格的BD中的每1層的具體記錄容 量,在最短標(biāo)記的空間頻率位于OTF截止頻率附近的情況下,例如可設(shè)想大致^GB (例如 29. OGB士0. 5GB,或者^GB士 IGB等)或其以上、或大致30GB (例如30. OGB士0. 5GB,或者 30GB士 IGB等)或其以上、或大致31GB (例如31. OGB士0. 5GB,或31GB士 IGB等)或其以上、 或大致32GB (例如32. OGB 士 0. 5GB,或者32GB 士 IGB等)或其以上等。另外,作為最短標(biāo)記的空白頻率為OTF截止頻率以上的每1層的記錄容量,例如 可設(shè)想大致32GB (例如32. OGB士0. 5GB,或者32GB士 IGB等)或其以上、或大致33GB (例如 33. OGB士0. 5GB,或者 33GB士 IGB 等)或其以上、或大致 33. 3GB (例如 33. 3GB士0. 5GB,或者 33. 3GB士 IGB 等)或其以上、或大致 33. 4GB (例如 33. 4GB士0. 5GB,或者 33. 4GB士 IGB 等)或 其以上、或大致:34GB (例如34. OGB士0. 5GB,或者:34GB 士 IGB等)或其以上、或大致35GB (例 如;35. OGB 士 0. 5GB,或者:35GB 士 IGB等)或其以上等。尤其在記錄密度大致為33. 3GB的情況下,由3層可實(shí)現(xiàn)約100GB (99. 9GB)的記 錄容量,如設(shè)為大致33. 4GB,則由3層可實(shí)現(xiàn)100GB以上(100. 2GB)的記錄容量。這與將 25GB的BD設(shè)為4層時(shí)的記錄容量大致相同。例如,在將記錄密度設(shè)為33GB時(shí),為33x3 = 99GB,與100GB的差為IGB (1GB以下);在設(shè)為34GB時(shí),為3乜3 = 102GB,與100GB的差為 2GB(2GB 以下);在設(shè)為 33. 3GB 時(shí),為 33. 3x3 = 99. 9GB,與 100GB 的差為 0. IGB(0. IGB 以 下);在設(shè)為 33. 4GB 時(shí),為 33. 4x3 = 100. 2GB,與 100GB 的差為 0. 2GB (0. 2GB 以下)。另外,若記錄密度大幅擴(kuò)展,則如先前敘述那樣,基于最短標(biāo)記的再生特性的影 響,難以實(shí)現(xiàn)精密的再生。鑒于此,作為抑制記錄密度的大幅擴(kuò)展、且實(shí)現(xiàn)100GB以上的記 錄密度,現(xiàn)實(shí)情況大致為33. 4GB。這里,產(chǎn)生了使盤的構(gòu)成成為每1層為25GB的4層構(gòu)造、或每1層為33 34GB
36的3層構(gòu)造的選項(xiàng)。在多層化的情況下,伴隨著各記錄層中的再生信號(hào)振幅降低(SN比的 劣化)、多層雜散光(來自相鄰的記錄層的信號(hào))的影響等。因此,通過成為33 34GB的 3層盤而不是25GB的4層盤,能夠極力抑制這樣的雜散光的影響、即以更少的層數(shù)(不是4 層而是3層)實(shí)現(xiàn)約100GB。因此,想要極力避免多層化而實(shí)現(xiàn)約100GB的盤的制造者能夠 選擇33 34GB的3層化。另一方面,想要保持以往的格式(記錄密度25GB)不變而實(shí)現(xiàn) 約100GB的盤制造者,能夠選擇25GB的4層化。這樣,具有不同目的的制造者能夠通過分 別不同的構(gòu)成實(shí)現(xiàn)各自的目的,從而可對盤的設(shè)計(jì)賦予自由度。另外,如果將每1層的記錄密度設(shè)為30 32GB左右,則通過3層盤雖然不能達(dá)到 100GB (90 96GB左右),但通過4層盤可實(shí)現(xiàn)120GB以上。其中,如果將記錄密度設(shè)為大 致32GB,則通過4層盤可實(shí)現(xiàn)約U8GB的記錄容量。該1 這一數(shù)字也是和便于計(jì)算機(jī)處 理的2的乘方O的7次冪)相匹配的數(shù)值。而且,與通過3層盤實(shí)現(xiàn)約100GB的記錄密度 的光盤相比,針對最短標(biāo)記的再生特性相對不嚴(yán)格。由此,當(dāng)記錄密度擴(kuò)展時(shí),通過設(shè)計(jì)多種記錄密度(例如大致32GB和大致33. 4GB 等),并利用多種記錄密度與層數(shù)的組合,能夠?qū)ΡP的制造者賦予設(shè)計(jì)的自由度。例如,對 于想要抑制多層化的影響、并實(shí)現(xiàn)大容量化的制造者而言,可提供通過33 34GB的3層化 來制造約100GB的3層盤這一選項(xiàng),對于想要抑制再生特性的影響、并實(shí)現(xiàn)大容量化的制造 者,可以提供通過30 32GB的4層化來制造約120GB以上的4層盤的選項(xiàng)。另外,此前說明的記錄波形只是一例。上述的本發(fā)明所涉及的實(shí)施方式1 5中 應(yīng)用的、即能夠應(yīng)用本發(fā)明的記錄波形不限于此。其中,這里對前述的3個(gè)記錄波形(N-1 型、N/2型、城堡式寫入策略)進(jìn)行補(bǔ)充說明。向光盤的記錄通過按照規(guī)定的調(diào)制規(guī)則,對要記錄的數(shù)據(jù)(源數(shù)據(jù))進(jìn)行調(diào)制,生 成多個(gè)記錄調(diào)制代碼,并照射脈沖狀的光束,形成具有與所述多個(gè)記錄調(diào)制代碼分別對應(yīng) 的長度的多個(gè)記錄標(biāo)記、及空白(記錄標(biāo)記與記錄標(biāo)記間的空白)來進(jìn)行。這里,對于根據(jù) 怎樣的記錄波形發(fā)出脈沖狀的光束,下面說明3個(gè)寫入策略的例子。為了便于說明,在圖 47 圖49的每一個(gè)中,都采用最短標(biāo)記為2T(T為基準(zhǔn)時(shí)鐘、調(diào)制的基準(zhǔn)周期)的情況,但 并不限定于此。<Ν-1型寫入策略>圖47是表示第1記錄波形的圖。該第1記錄波形包含多脈沖型的策略、即多個(gè)脈 沖(多脈沖),由多個(gè)脈沖中配置在開頭的最初脈沖(寬度Ttop)、配置在最后尾的末尾脈 沖(寬度Tip)、和配置在最初脈沖與末尾脈沖之間的中間脈沖(寬度Tmp)構(gòu)成。其中,作 為與記錄功率相關(guān)的參數(shù),Pw表示記錄功率,PW表示最小功率,Pc表示冷卻功率(制冷功 率),I3S及Pe表示偏置功率(追記型Ts表示空白功率,重寫型Pe表示消去功率)。用于記錄最短標(biāo)記QT)的記錄波形中不含有末尾脈沖和中間脈沖,用于記錄第 二短標(biāo)記(3T)的記錄波形中不含有中間脈沖。中間脈沖從用于記錄第三短標(biāo)記GT)的記 錄波形開始含有,每增加1T,中間脈沖的脈沖數(shù)也增加1個(gè)。該第1記錄波形的特征之一在 于,用于記錄nT標(biāo)記(η為自然數(shù))的記錄波形所含有的脈沖數(shù)為(n-1)個(gè)。這里,設(shè)定了各種參數(shù),但也可以如下所述,根據(jù)記錄標(biāo)記、相鄰的空白的長度而 分類設(shè)定。首先,作為最初脈沖的上升位置的dTtop、作為寬度的Ttop,例如被分類成記錄標(biāo)記的長度為“2T”、“3T”、“4T以上”這三類,或者/進(jìn)而分類設(shè)定成相鄰的先行空白的長度 為 “2Τ”、“3Τ”、“4Τ”、“5Τ 以上”這 4 類。另外,作為末尾脈沖的寬度的Tlp例如被設(shè)定分類成記錄標(biāo)記的長度為“3Τ”、“4Τ 以上”這2個(gè)。而且,作為設(shè)定冷卻功率電平Pc的結(jié)束位置(偏置功率電平設(shè)定I3S及Pe的開 始位置)的dTs,例如可以分類設(shè)定成記錄標(biāo)記的長度為“2Τ”、“3Τ”、“4Τ以上”這三類。<Ν/2型寫入策略>圖48是表示第2記錄波形的圖。該第2記錄波形也是多脈沖型的策略。而且,用 于記錄最短標(biāo)記OT)及第二短標(biāo)記(3Τ)的記錄波形中不含有末尾脈沖和中間脈沖,用于 記錄第三短標(biāo)記GT)及第四短標(biāo)記(5Τ)的記錄波形中不含有中間脈沖。中間脈沖從用于 記錄第5短的標(biāo)記(6Τ)的記錄波形開始含有,每增加2Τ,中間脈沖的脈沖數(shù)增加1個(gè)。該 第2記錄波形的特征之一在于,用于記錄m T標(biāo)記(m為自然數(shù))的記錄波形中含有的脈沖 數(shù)為(m+2)的商數(shù)。這里設(shè)定了各種參數(shù),但也可以如下所述,根據(jù)記錄標(biāo)記的長度來分類設(shè)定。首先,作為最初脈沖的上升位置的dTtop、作為寬度的Ttop例如被分類設(shè)定成記 錄標(biāo)記的長度為 “ 2T ”、“ 3T ”、“ 4T、6T、8T ”、“ 5T、7T、9T ” 這 4 類。另外,作為中間脈沖的上升位置的dTmp例如可以被設(shè)定分類成記錄標(biāo)記的長度 為“6T、8T”、“7T、9T”這2類。并且,例如在前者的分類中,可以與基準(zhǔn)時(shí)鐘位置一致,在后 者的分類中,可以從基準(zhǔn)時(shí)鐘位置錯(cuò)移Τ/2。而且,作為末尾脈沖的上升位置的dTlp、作為寬度的Tlp例如可以分類設(shè)定成記 錄標(biāo)記的長度為“4T、6T、8T”、“5T、7T、9T”這2類。并且,關(guān)于dTlp,例如在前者的分類中 可以與基準(zhǔn)時(shí)鐘位置一致,在后者的分類中可以從基準(zhǔn)時(shí)鐘位置錯(cuò)移T/2。另外,作為設(shè)定冷卻功率電平Pc的結(jié)束位置(偏置功率電平設(shè)定I3S及Pe的開 始位置)的dTs,例如可以分類設(shè)定成記錄標(biāo)記的長度為“2T”、“3T”、“4T、6T、8T”、“5T、7T、 9Τ”這4類。<城堡式寫入策略>圖49是表示第3記錄波形的圖。該第3記錄波形與作為多脈沖型的策略的第1、 2記錄波形不同,成為使設(shè)定記錄功率Pw的脈沖間的功率電平不降低到最小功率Hrn,采取 一定的中間功率Rii的形狀(城堡式寫入策略)。由配置在開頭的最初脈沖(寬度Ttop)、 配置在最后尾的末尾脈沖(寬度Tip)、和配置在最初脈沖與末尾脈沖之間的中間脈沖構(gòu) 成。其中,作為與記錄功率相關(guān)的參數(shù),Pw表示記錄功率,Rii表示中間功率,Pc表示冷卻功 率(制冷功率),I3S及Pe表示偏置功率(追記型Ps表示空白功率,重寫型Pe表示消去 功率)。用于記錄最短標(biāo)記QT)的記錄波形中不含有末尾脈沖和中間脈沖,用于記錄第 二短標(biāo)記(3T)的記錄波形中不含有末尾脈沖,從用于記錄第三短標(biāo)記GT)以上的記錄標(biāo) 記的記錄波形開始,都含有末尾脈沖和中間脈沖。而且,(用于記錄3T以上的記錄標(biāo)記的 記錄波形中的)最初脈沖的結(jié)束位置與中間脈沖的開始位置一致,(用于記錄4T以上的記 錄標(biāo)記的記錄波形中的)中間脈沖的結(jié)束位置與末尾脈沖的開始位置一致。需要說明的是,城堡式的策略中有幾種形狀。
其中之一是所謂的城堡形狀(castle-shape)?!俺潜ば螤睢笔侨缦滤龅挠涗洸?形,即用于形成記錄標(biāo)記的記錄脈沖由1個(gè)脈沖構(gòu)成,并具有包括從所述記錄脈沖的開始 位置設(shè)定第一功率電平(記錄功率Pw)的第一區(qū)間、從所述第一區(qū)間的結(jié)束位置設(shè)定比所 述第一功率電平低的第二功率電平(中間功率Pm)的第二區(qū)間、和從所述第二區(qū)間的結(jié)束 位置設(shè)定比所述第二功率電平高且與所述第一功率電平相同的功率電平(記錄功率Pw)或 低的功率電平的第三區(qū)間的形狀。或者,還公知一種具有使第三區(qū)間的功率電平與第二區(qū) 間的功率電平相同的形狀的記錄波形,即L形狀(L-shape)。并且,還公知一種具有使第一 區(qū)間、第二區(qū)間和第三區(qū)間的功率電平全都相同的形狀的記錄波形,即單一脈沖形狀(Mono pulse-shape)。另外,在圖49中為了便于說明,使第一區(qū)間的功率電平與第三區(qū)間的功率電平一 致,但也可以設(shè)定不同的電平。在先前的說明中,將設(shè)定了第一區(qū)間的功率電平的脈沖表 現(xiàn)為最初脈沖,將設(shè)定了第二區(qū)間的功率電平的脈沖表現(xiàn)為中間脈沖,將設(shè)定了第三區(qū)間 的功率電平的脈沖表現(xiàn)為末尾脈沖,在以后的說明中,也采用先前說明(最初脈沖、中間脈 沖、末尾脈沖)的表現(xiàn)。這里設(shè)定了各種參數(shù),但也可以如下所述,根據(jù)記錄標(biāo)記、相鄰的空白的長度來分 類設(shè)定。首先,作為最初脈沖的上升位置的dTtop、作為寬度的Ttop例如可分類成記錄標(biāo) 記的長度為“2T”、“3T”、“4T以上”這3類,或者/進(jìn)而例如分類設(shè)定成相鄰的先行空白的 長度為“2Τ”、“3Τ”、“4Τ以上”這3類。另外,作為末尾脈沖的寬度的Tlp例如可以分類設(shè)定成記錄標(biāo)記的長度為“4Τ以 上”這1類(在含有末尾脈沖的4Τ以上情況下全都設(shè)定相同的寬度)。而且,作為設(shè)定冷卻功率電平Pc的開始位置的dTc例如可以分類設(shè)定成記錄標(biāo)記 的長度為“3T”、“4T”、“5T以上”這3類。并且,作為設(shè)定冷卻功率電平Pc的結(jié)束位置(偏置功率電平設(shè)定I3S及Pe的開 始位置)的dTs,例如可以分類設(shè)定成記錄標(biāo)記的長度為“2Τ”、“3Τ”、“4Τ以上”這3類。其中,為了便于說明,以上利用與本發(fā)明的分類例不同的例子,說明了各分類的設(shè) 定。例如,是僅基于記錄標(biāo)記的長度的分類、或基于記錄標(biāo)記的長度和與之相鄰的一個(gè)空白 的長度的組合的分類例。但當(dāng)然可以按照本發(fā)明的各分類例進(jìn)行分類。而且,也可以根據(jù)記錄密度(每1層為25GB、和每1層為32GB及/或33. 4GB)、記 錄介質(zhì)的類型(再生專用型、追記記錄型、重寫記錄型等),使該分類的方法不同。并且,在設(shè)定各脈沖、設(shè)定各功率電平時(shí),其位置、寬度在第1 3記錄波形的任意 一個(gè)中,也可以Τ/16為單位進(jìn)行調(diào)整?;蛘撸軌蛞愿?xì)微的Τ/32為單位。另外,還可以 基于記錄密度(每1層為25GB、和每1層為32GB及/或33. 4GB)、記錄介質(zhì)的類型(追記 記錄型,重寫記錄型等),使該調(diào)整單位不同。這里,關(guān)于各記錄波形與記錄速度的關(guān)系,可以說第2記錄波形比第1記錄波形更 適于高速的記錄,第3記錄波形比第2記錄波形更適于高速的記錄。其原因在于,第2記錄 波形與第3記錄波形相比、第1記錄波形與第2記錄波形相比,記錄功率Pw的發(fā)光次數(shù)變 多,即脈沖的上升時(shí)間和下降時(shí)間所需要的累積變多,對高速處理造成影響。在考慮該點(diǎn)向 光盤保存記錄條件的情況下,可以如下所述。
首先,在保存與記錄速度Ix對應(yīng)的記錄條件的情況下,例如必須保存與第1記錄 波形相關(guān)的參數(shù),可以選擇進(jìn)行與第2記錄波形相關(guān)的參數(shù)的保存。并且,在記錄速度lx 的情況下,例如可以不使用第3記錄波形。另外,在保存與記錄速度2x對應(yīng)的記錄條件的情況下,例如可以將與第1記錄波 形相關(guān)的參數(shù)的保存作為選項(xiàng),將與第2記錄波形相關(guān)的參數(shù)的保存作為選項(xiàng)、將與第3記 錄波形相關(guān)的參數(shù)的保存作為選項(xiàng)。并且,例如也可以是必須保存與第1記錄波形相關(guān)的 參數(shù)、和與第2記錄波形相關(guān)的參數(shù)的至少一方。而在保存與記錄速度 對應(yīng)的記錄條件的情況下,例如可以是必須保存與第3 記錄波形相關(guān)的參數(shù)。并且,在記錄速度4x的情況下,例如可以不使用第1及2記錄波形。而且,在保存與記錄速度6x對應(yīng)的記錄條件的情況下,例如可以是必須保存與 第3記錄波形相關(guān)的參數(shù)。并且,在記錄速度6x的情況下,例如可以不使用第1及2記錄 波形。另外,在保存與記錄速度8x以上對應(yīng)的記錄條件的情況下,例如可以是必須保 存與記錄速度4x及6x相同的條件、即與第3記錄波形相關(guān)的參數(shù),并且,在記錄速度6x 的情況下,例如可以不使用第1及2記錄波形。而且,關(guān)于上述記錄條件的保存,在HTL(High to Low 記錄部的反射率比未記錄 部的反射率低)的情況、和LTH (Low to High:記錄部的反射率比未記錄部的反射率高)的 情況下,無論保存相同的內(nèi)容,還是保存不同的內(nèi)容都沒問題。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明在對信息記錄介質(zhì)進(jìn)行高密度的記錄的技術(shù)領(lǐng)域特別有用。而且,根據(jù)本發(fā)明,即使在伴隨著記錄密度的高密度化、記錄介質(zhì)的多層化,使得 記錄再生控制信息增大的情況下,由于也能夠恰當(dāng)?shù)刈x出記錄再生控制信息,所以通過降 低盤格式的變更風(fēng)險(xiǎn),可以對實(shí)現(xiàn)通用的高密度信息記錄介質(zhì)做出貢獻(xiàn)。另外,根據(jù)本發(fā)明,即使在按以往密度進(jìn)行記錄的信息記錄介質(zhì),與以高密度進(jìn)行 記錄的信息記錄介質(zhì)混合存在的情況下,由于也能夠使DI的再生算法的差異為最小限度, 所以有助于實(shí)現(xiàn)高密度的信息記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種信息記錄介質(zhì),能夠記錄將標(biāo)記和空白組合而得到的數(shù)據(jù)列,其特征在于, 所述信息記錄介質(zhì)具有至少1個(gè)信息記錄層,所述至少1個(gè)信息記錄層具有用于記錄信息的信息記錄區(qū)域;和用于對所述至少1 個(gè)信息記錄層進(jìn)行記錄再生的控制信息區(qū)域, 所述控制信息區(qū)域具有至少1個(gè)控制信息,所述至少1個(gè)控制信息具有保存了作為基準(zhǔn)值而被使用的信息的第1記錄脈沖信息; 和保存了作為偏差值而被使用的信息的第2記錄脈沖信息,所述偏差值的信息量在能夠以IT的η分之1的精度定義記錄脈沖的脈沖寬度或者脈 沖位置時(shí),是能夠定義至少η分之2的范圍的信息量,其中,T為信道時(shí)鐘,η為正整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì),其特征在于,所述第1記錄脈沖信息具有與前或者后的空白的長度為5Τ以上時(shí)的記錄脈沖相關(guān)而 被作為基準(zhǔn)值使用的信息,其中,T為信道時(shí)鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì),其特征在于,在所述第1記錄脈沖信息中,到ηΤ以下的標(biāo)記長度為止,在各標(biāo)記長度下定義了作為 至少1個(gè)基準(zhǔn)值而被使用的信息,其中η為整數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì),其特征在于,在所述第2記錄脈沖信息中,僅針對最短的標(biāo)記定義了以前空白和后空白分類的作為 偏差值而使用的信息。
5.一種記錄方法,用于向權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)記錄信息,其特征在于,包括從所述控制信息區(qū)域讀出所述控制信息的步驟;根據(jù)讀出的所述控制信息中含有的所述第1記錄脈沖信息和所述第2記錄脈沖信息, 調(diào)整用于向所述信息記錄區(qū)域記錄的記錄波形的步驟;和根據(jù)調(diào)整后的所述記錄波形,向所述信息記錄區(qū)域記錄數(shù)據(jù)列的步驟。
6.一種再生方法,用于從權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)再生信息,其特征在于,包括向所述信息記錄區(qū)域照射激光的步驟;和基于根據(jù)所述控制信息中含有的所述第1記錄脈沖信息和所述第2記錄脈沖信息而被 調(diào)整后的記錄波形,再生所述信息記錄區(qū)域中記錄的數(shù)據(jù)列的步驟。
7.一種信息記錄介質(zhì)的制造方法,用于制造能夠記錄將標(biāo)記與空白組合而得到的數(shù)據(jù) 列的信息記錄介質(zhì),其特征在于,具有在基板上層疊信息記錄層,在所述信息記錄層上層疊透明保護(hù)層的步驟; 在所述信息記錄層形成用于記錄信息的信息記錄區(qū)域的步驟; 在所述信息記錄層形成用于記錄控制信息的控制信息區(qū)域的步驟,所述控制信息是用 于進(jìn)行記錄再生的信息;和向所述控制信息區(qū)域記錄所述控制信息的步驟;所述控制信息具有保存了作為基準(zhǔn)值而被使用的信息的第1記錄脈沖信息和保存了 作為偏差值而被使用的信息的第2記錄脈沖信息,所述偏差值的信息量在能夠以IT的η分之1的精度定義記錄脈沖的脈沖寬度或者脈沖位置時(shí),是能夠定義至少η分之2的范圍的信息量,其中,T為信道時(shí)鐘,η為正整數(shù)。
8.—種記錄方法,用于向通過權(quán)利要求7所述的制造方法而制造的信息記錄介質(zhì)記錄 信息,其特征在于,包括從所述控制信息區(qū)域讀出所述控制信息的步驟;根據(jù)讀出的所述控制信息中含有的所述第1記錄脈沖信息和所述第2記錄脈沖信息, 調(diào)整用于向所述信息記錄區(qū)域記錄的記錄波形的步驟;和根據(jù)調(diào)整后的所述記錄波形,向所述信息記錄區(qū)域記錄數(shù)據(jù)列的步驟。
9.一種再生方法,用于從通過權(quán)利要求7所述的制造方法而制造的信息記錄介質(zhì)再生 信息,其特征在于,包括向所述信息記錄區(qū)域照射激光的步驟;和基于根據(jù)所述控制信息中含有的所述第1記錄脈沖信息和所述第2記錄脈沖信息而被 調(diào)整后的記錄波形,再生所述信息記錄區(qū)域中記錄的數(shù)據(jù)列的步驟。
10.一種信息記錄介質(zhì),能夠記錄將標(biāo)記與空白組合而得到的數(shù)據(jù)列,其特征在于, 所述信息記錄介質(zhì)具有至少1個(gè)信息記錄層,所述至少1個(gè)信息記錄層具有用于記錄信息的信息記錄區(qū)域;和用于對所述至少1個(gè) 信息記錄層進(jìn)行記錄再生的控制信息區(qū)域, 所述控制信息區(qū)域具有至少1個(gè)控制信息,所述至少1個(gè)控制信息具有保存了作為基準(zhǔn)值而被使用的信息的第1記錄脈沖信息、 和保存了作為偏差值而被使用的信息的第2記錄脈沖信息,所述偏差值的信息量為所述基準(zhǔn)值的信息量的2分之1以上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的信息記錄介質(zhì),其特征在于,所述第1記錄脈沖信息具有與前或者后的空白的長度為5Τ以上時(shí)的記錄脈沖相關(guān)而 作為基準(zhǔn)值使用的信息,其中,T為信道時(shí)鐘。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的信息記錄介質(zhì),其特征在于,在所述第1記錄脈沖信息中,到ηΤ以下的標(biāo)記長度為止,在各標(biāo)記長度下定義了作為 至少1個(gè)基準(zhǔn)值而被使用的信息,其中,η為整數(shù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的信息記錄介質(zhì),其特征在于,在所述第2記錄脈沖信息中,僅針對最短的標(biāo)記定義了以前空白和后空白分類的被作 為偏差值而使用的信息。
14.一種記錄方法,用于向權(quán)利要求10所述的信息記錄介質(zhì)記錄信息,其特征在于,包括從所述控制信息區(qū)域讀出所述控制信息的步驟;根據(jù)讀出的所述控制信息中含有的所述第1記錄脈沖信息和所述第2記錄脈沖信息, 調(diào)整用于向所述信息記錄區(qū)域記錄的記錄波形的步驟;和根據(jù)調(diào)整后的所述記錄波形,向所述信息記錄區(qū)域記錄數(shù)據(jù)列的步驟。
15.一種再生方法,用于從權(quán)利要求10所述的信息記錄介質(zhì)再生信息,其特征在于,包括向所述信息記錄區(qū)域照射激光的步驟;和基于根據(jù)所述控制信息中含有的所述第1記錄脈沖信息和所述第2記錄脈沖信息而被調(diào)整后的記錄波形,再生所述信息記錄區(qū)域中記錄的數(shù)據(jù)列的步驟。
16.一種信息記錄介質(zhì)的制造方法,用于制造能夠記錄將標(biāo)記與空白組合而得到的數(shù) 據(jù)列的信息記錄介質(zhì),其特征在于,具有在基板上層疊信息記錄層,在所述信息記錄層上層疊透明保護(hù)層的步驟;在所述信息記錄層形成用于記錄信息的信息記錄區(qū)域的步驟;在所述信息記錄層形成用于記錄控制信息的控制信息區(qū)域的步驟,所述控制信息是用 于進(jìn)行記錄再生的信息;和向所述控制信息區(qū)域記錄所述控制信息的步驟;所述控制信息具有保存了作為基準(zhǔn)值而被使用的信息的第1記錄脈沖信息;和保存 了作為偏差值而被使用的信息的第2記錄脈沖信息,所述偏差值的信息量為所述基準(zhǔn)值的信息量的2分之1以上。
17.—種記錄方法,用于向通過權(quán)利要求16所述的制造方法而制造的信息記錄介質(zhì)記 錄信息,其特征在于,包括從所述控制信息區(qū)域讀出所述控制信息的步驟;根據(jù)讀出的所述控制信息中含有的所述第1記錄脈沖信息和所述第2記錄脈沖信息, 調(diào)整用于向所述信息記錄區(qū)域記錄的記錄波形的步驟;和根據(jù)調(diào)整后的所述記錄波形,向所述信息記錄區(qū)域記錄數(shù)據(jù)列的步驟。
18.—種再生方法,用于從通過權(quán)利要求16所述的制造方法而制造的信息記錄介質(zhì)再 生信息,其特征在于,包括向所述信息記錄區(qū)域照射激光的步驟;和基于根據(jù)所述控制信息中含有的所述第1記錄脈沖信息和所述第2記錄脈沖信息而被 調(diào)整后的記錄波形,再生所述信息記錄區(qū)域中記錄的數(shù)據(jù)列的步驟。
全文摘要
在高密度化的信息記錄介質(zhì)的記錄再生控制信息增加的情況下,能夠?qū)⒂涗浽偕刂菩畔⒁韵挛换Q、過去互換的某一形式收納為確定的信息量。信息記錄介質(zhì)中能夠記錄將標(biāo)記與空白組合而得到的數(shù)據(jù)列。信息記錄介質(zhì)具有至少1個(gè)信息記錄層。至少1個(gè)信息記錄層具有用于記錄信息的信息記錄區(qū)域和用于對至少1個(gè)信息記錄層進(jìn)行記錄再生的控制信息區(qū)域??刂菩畔^(qū)域具有至少1個(gè)控制信息。該控制信息含有保存了作為基準(zhǔn)值而被使用的信息的第1記錄脈沖信息、和保存了作為偏差值而被使用的信息的第2記錄脈沖信息。偏差值的信息量在能夠以1T(T信道時(shí)鐘)的n分之1(n正整數(shù))的精度定義記錄脈沖的脈沖寬度或者脈沖位置時(shí),是能夠定義至少n分之2的范圍的信息量。
文檔編號(hào)G11B7/0045GK102077280SQ201080001960
公開日2011年5月25日 申請日期2010年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月9日
發(fā)明者東海林衛(wèi), 中村敦史, 伊藤基志, 伊藤清貴, 宮川直康, 日野泰守 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
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