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光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法

文檔序號(hào):6769357閱讀:197來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)一種燒錄光盤標(biāo)簽的方法,尤其關(guān)于光速寫光盤的標(biāo)簽面,利用讀取頭在光盤標(biāo)簽面燒錄標(biāo)簽的方法。
背景技術(shù)
光速寫光盤(Light Scribe Disc)是在標(biāo)簽面涂敷加熱變色的材料,直接利用光驅(qū)的讀取頭,照射高功率的激光,局部改變標(biāo)簽面的對(duì)比度,形成使用者需求的標(biāo)簽圖案, 以裝飾及標(biāo)示光盤內(nèi)容標(biāo)題。如圖1所示,為已知光驅(qū)燒錄標(biāo)簽的示意圖。已知光驅(qū)利用移動(dòng)讀取頭1,承載及驅(qū)動(dòng)物鏡2,將激光聚焦投射至光盤3的標(biāo)簽面4。由于標(biāo)簽面4涂料對(duì)激光的反射率不足, 無(wú)法如同光盤3的數(shù)據(jù)面5可通過反射光所形成的聚焦誤差,閉回路控制激光的焦點(diǎn)自動(dòng)鎖定在標(biāo)簽面4。因此,已知光驅(qū)利用預(yù)設(shè)的聚焦曲線6,驅(qū)動(dòng)物鏡2沿著聚焦曲線6順著標(biāo)簽面4外形移動(dòng),使投射的高功率激光焦點(diǎn)盡量接近標(biāo)簽面4,以燒錄標(biāo)簽。由于燒錄標(biāo)簽的對(duì)比度隨激光功率加大而增加,標(biāo)簽面4需要高激光功率才能獲得清楚的標(biāo)簽,而越高功率的激光所需的電流越大,且更容易增加光驅(qū)的溫度。因此光驅(qū)燒錄標(biāo)簽一段時(shí)間后會(huì)升高溫度,激光的波長(zhǎng)亦會(huì)隨著溫度增加改變,降低激光輸出的功率, 影響燒錄標(biāo)簽的加熱效果,導(dǎo)致標(biāo)簽的對(duì)比度(Contrast)降低,形成對(duì)比度不均勻的標(biāo)簽。針對(duì)燒錄標(biāo)簽對(duì)比度不均勻的問題,美國(guó)公開US2008019711專利案,提出利用調(diào)高激光功率,以改善標(biāo)簽的對(duì)比度。然而,已知光驅(qū)為了避免過大的電流損壞讀取頭,縮短讀取頭的使用壽命,預(yù)先設(shè)定電流限制(Current Limit),到達(dá)電流限制后,無(wú)法再提高激光功率,以保護(hù)讀取頭。因此前述利用調(diào)高激光功率改善標(biāo)簽對(duì)比度的先前技術(shù),不僅對(duì)已用高功率燒錄標(biāo)簽的激光, 極易造成讀取頭到達(dá)電流限制,且對(duì)于隨著溫度升高而逐漸降低的激光功率,因電流限制無(wú)法再提高功率,以致后續(xù)燒錄的標(biāo)簽對(duì)比度降低,不均勻標(biāo)簽不僅影響美觀,甚至無(wú)法清楚辨識(shí)標(biāo)簽。先前技術(shù)顯然無(wú)法使用在電流限制的狀況,而有其使用上限制。因此,光盤在燒錄標(biāo)簽上,仍有對(duì)比度不均的問題亟待解決。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法,通過動(dòng)態(tài)補(bǔ)償聚焦偏移,維持光盤標(biāo)簽的對(duì)比度,以提升燒錄標(biāo)簽質(zhì)量。本發(fā)明另一目的在于提供一種光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法,利用選擇補(bǔ)償工作區(qū),將聚焦曲線偏移至初聚焦偏移設(shè)定偏移模式,作為正常燒錄標(biāo)簽,以獲得目標(biāo)對(duì)比度。本發(fā)明再一目的在于提供一種光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法,在燒錄標(biāo)簽中檢測(cè)激光功率未降低時(shí),保持不需聚焦補(bǔ)償?shù)钠颇J綗洏?biāo)簽,以維持標(biāo)簽的對(duì)比度。本發(fā)明又一目的在于提供一種光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法,在燒錄標(biāo)簽中檢測(cè)激光功率降低時(shí),對(duì)于聚焦補(bǔ)償后聚焦偏移在補(bǔ)償工作區(qū)域內(nèi)采偏移補(bǔ)償模式,而補(bǔ)償后聚焦偏移超出補(bǔ)償工作區(qū)域采上限補(bǔ)償模式,以維持標(biāo)簽的對(duì)比度。為了達(dá)到前述發(fā)明的目的,本發(fā)明光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法,由對(duì)比度曲線選擇補(bǔ)償工作區(qū),在偏移模式燒錄標(biāo)簽;檢測(cè)激光功率下降,利用聚焦偏移補(bǔ)償公式計(jì)算聚焦偏移補(bǔ)償,補(bǔ)償下限聚焦偏移1 形成補(bǔ)償后聚焦偏移,補(bǔ)償后聚焦偏移在補(bǔ)償工作區(qū)內(nèi), 采用偏移補(bǔ)償模式燒錄標(biāo)簽,超出補(bǔ)償工作區(qū)則采用上限補(bǔ)償模式燒錄標(biāo)簽,利用動(dòng)態(tài)補(bǔ)償聚焦偏移,以維持光盤標(biāo)簽的對(duì)比度。其中補(bǔ)償工作區(qū)由一對(duì)比度曲線,選擇對(duì)比度與聚焦偏移約成正比的區(qū)域。而對(duì)比度曲線以聚焦曲線為起點(diǎn),針對(duì)每一聚焦偏移距離,利用標(biāo)簽燒錄的預(yù)設(shè)激光功率實(shí)測(cè)燒錄標(biāo)簽所產(chǎn)生的對(duì)比度,以對(duì)比度對(duì)聚焦偏移坐標(biāo)所形成。補(bǔ)償工作區(qū)的上限聚焦偏移最接近標(biāo)簽面,對(duì)比度最大。本發(fā)明的偏移模式是將聚焦曲線直接偏移至下限聚焦偏移,以獲得下限對(duì)比度為目標(biāo)對(duì)比度,利用預(yù)設(shè)功率作為正常燒錄標(biāo)簽。偏移補(bǔ)償模式是以聚焦偏移補(bǔ)償補(bǔ)償下限聚焦偏移,將聚焦曲線偏移至補(bǔ)償后聚焦偏移,以下降功率燒錄標(biāo)簽。上限補(bǔ)償模式是以補(bǔ)償工作區(qū)最大的補(bǔ)償,將聚焦曲線偏移至上限聚焦偏移,以下降功率燒錄標(biāo)簽。


圖1為已知光驅(qū)燒錄標(biāo)簽的示意圖。圖2為本發(fā)明光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償?shù)氖疽鈭D。圖3為本發(fā)明對(duì)比度曲線的坐標(biāo)圖。圖4為本發(fā)明對(duì)比度曲線的補(bǔ)償說(shuō)明輔助線。圖5為本發(fā)明光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法的流程圖。[主要元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明]10光驅(qū)
11光盤
12標(biāo)簽面
13聚焦曲線
14讀取頭
15物鏡
具體實(shí)施例方式有關(guān)本發(fā)明為達(dá)成上述目的,所采用的技術(shù)手段及其功效,茲舉較佳實(shí)施例,并配合圖式加以說(shuō)明如下。請(qǐng)同時(shí)參考圖2及圖3,圖2為本發(fā)明光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償?shù)氖疽鈭D,圖3為本發(fā)明對(duì)比度曲線的坐標(biāo)圖。圖2中本發(fā)明光驅(qū)10在光盤11的標(biāo)簽面12燒錄標(biāo)簽時(shí),雖然預(yù)設(shè)聚焦曲線13,但并不會(huì)利用聚焦曲線13控制讀取頭14移動(dòng)物鏡15聚焦,而是將聚焦曲線13移動(dòng)一預(yù)定距離!^,進(jìn)行所謂聚焦偏移燒錄標(biāo)簽,以獲得目標(biāo)對(duì)比度及預(yù)留調(diào)整聚焦的空間。前述聚焦偏移的決定方式,首先針對(duì)光驅(qū)10的每一聚焦偏移距離(設(shè)聚焦曲線13 為起點(diǎn)且向下為負(fù)),利用標(biāo)簽燒錄的預(yù)設(shè)激光功率實(shí)測(cè)燒錄標(biāo)簽所產(chǎn)生的對(duì)比度,形成圖CN 102543135 A
3所示的對(duì)比度曲線。由對(duì)比度曲線顯示,隨著聚焦偏移由-ο μ m移至-50 μ m,焦點(diǎn)逐漸接近標(biāo)簽面12,對(duì)比度由25跟著逐漸增加至最大約30。當(dāng)聚焦偏移由-50 μ m移至-120 μ m, 焦點(diǎn)越過且逐漸遠(yuǎn)離標(biāo)簽面12,對(duì)比度由30跟著逐漸降低至最小約0。因此由對(duì)比度曲線同時(shí)顯示,在相同激光功率下,調(diào)整聚焦偏移亦可相對(duì)的調(diào)整對(duì)比度。為了能夠發(fā)揮激光加熱效果,且能獲得較佳的標(biāo)簽對(duì)比度,由對(duì)比度曲線選擇較適宜的對(duì)比度,以下限對(duì)比度Ca至上限對(duì)比度Cb的對(duì)比度范圍,與相對(duì)下限聚焦偏移1 至上限聚焦偏移冊(cè),其對(duì)比度與聚焦偏移約成正比,作為補(bǔ)償工作區(qū)。例如本實(shí)例選擇的補(bǔ)償工作區(qū),為下限對(duì)比度Ca = 25至上限對(duì)比度Cb = 30的范圍,相對(duì)的下限聚焦偏移h =-20 μ m至上限聚焦偏移1 = -40 μ m的范圍。接著設(shè)定聚焦曲線13偏移至下限聚焦偏移1 = -20 μ m,使標(biāo)簽面12以獲得下限對(duì)比度Ca的標(biāo)簽為目標(biāo)對(duì)比度,并作為正常燒錄標(biāo)簽的偏移模式。而將聚焦偏移1 = -20μπι至1 = -40 μ m,可增加對(duì)比度的范圍,作為激光功率下降時(shí),調(diào)整聚焦偏移的補(bǔ)償Fe。如圖4所示,為對(duì)比度曲線的補(bǔ)償說(shuō)明輔助線。當(dāng)開始燒錄標(biāo)簽時(shí),光驅(qū)設(shè)定偏移模式燒錄標(biāo)簽,將聚焦曲線偏移至下限聚焦偏移,利用標(biāo)簽燒錄預(yù)設(shè)功率Pl燒錄標(biāo)簽一段時(shí)間后,光驅(qū)的溫度上升或達(dá)到電流限制,激光功率將降低至功率P2。由于激光的功率強(qiáng)度與對(duì)比度成正比,當(dāng)激光降為功率P2時(shí),聚焦偏移未變下,在補(bǔ)償工作區(qū)降低功率P2的對(duì)比度曲線,相對(duì)標(biāo)簽燒錄預(yù)設(shè)功率Pl的對(duì)比度曲線,對(duì)比度均會(huì)降低一定的比例,亦即在下限聚焦偏移Fa,對(duì)比度下降Ca- Δ Ca,上限聚焦偏移1 的對(duì)比度則下降Cb- Δ Cb。在下限聚焦偏移i^a,利用標(biāo)簽燒錄預(yù)設(shè)功率Pl可獲得的下限對(duì)比度Ca,作為對(duì)比度對(duì)燒錄功率的變化率,可獲得對(duì)比度的下降A(chǔ)Ca= (Ca/Pl) X (P1-P2)。同樣在上限聚焦偏移冊(cè),利用標(biāo)簽燒錄預(yù)設(shè)功率Pl可獲得的下限對(duì)比度Cb,作為對(duì)比度對(duì)燒錄功率的變化率,可獲得對(duì)比度的下降 ACb = (Cb/Pl) X (P1-P2)。當(dāng)激光功率下降至P2時(shí),在下限聚焦偏移1 的對(duì)比度跟著下降至Ca- Δ Ca。如要在不變激光功率Ρ2,維持目標(biāo)對(duì)比度Ca,必需給予初聚焦偏移1 一偏移補(bǔ)償Fe,在下降激光功率P2的對(duì)比度曲線上,調(diào)整聚焦偏移為i^a+Fc,獲得目標(biāo)對(duì)比度Ca。因下降激光功率 P2與標(biāo)簽燒錄預(yù)設(shè)功率Pl的對(duì)比度曲線成比例降低,得到[ (Fa+Fc) -Fa] (Fa-Fb)= [ (Ca- Δ Ca) -Ca] [ (Cb- Δ Cb) - (Ca- Δ Ca)]整理后,可獲得下降至激光功率P2后,維持目標(biāo)對(duì)比度Ca,所需的聚焦偏移補(bǔ)償公式Fc = (Fa-Fb) X Δ Ca/ [ (Cb- Δ Cb) - (Ca- Δ Ca)]其中ACa = (Ca/Pl) X (P1-P2)ACb = (Cb/Pl) X (P1-P2)在燒錄標(biāo)簽時(shí),可通過光驅(qū)的激光輸出電壓,檢測(cè)激光的功率及下降,在不調(diào)整下降的激光功率下,利用聚焦偏移補(bǔ)償公式,獲得維持目標(biāo)對(duì)比度的聚焦偏移補(bǔ)償Fe。因聚焦偏移補(bǔ)償公式是針對(duì)補(bǔ)償工作區(qū)的對(duì)比度曲線比例特性導(dǎo)出,當(dāng)求出的聚焦偏移補(bǔ)償Fe, 補(bǔ)償下限聚焦偏移Fa,使補(bǔ)償后聚焦偏移i^+Fc,在下限聚焦偏移1 至上限聚焦偏移1 的補(bǔ)償工作區(qū)內(nèi),當(dāng)然適用聚焦偏移補(bǔ)償公式計(jì)算的聚焦偏移補(bǔ)償Fe,將聚焦曲線偏移至補(bǔ)償后聚焦偏移i^a+Fc,以偏移補(bǔ)償模式,繼續(xù)燒錄標(biāo)簽。當(dāng)補(bǔ)償后聚焦偏移i^+Fc超出在補(bǔ)
權(quán)利要求
1.一種光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法,其步驟包含(1)選擇補(bǔ)償工作區(qū),決定下限對(duì)比度Ca至上限對(duì)比度Cb的范圍,及相對(duì)的下限聚焦偏移1 至上限聚焦偏移1 的范圍;(2)在偏移模式,將聚焦曲線偏移至下限聚焦偏移Fa,利用預(yù)設(shè)激光功率Pl燒錄標(biāo)簽;(3)檢測(cè)激光功率是否下降?假如激光功率未下降,回至步驟O),假如激光功率下降為功率P2,則至步驟(4);(4)利用下列聚焦偏移補(bǔ)償公式計(jì)算聚焦偏移補(bǔ)償Fe,補(bǔ)償下限聚焦偏移!^形成補(bǔ)償后聚焦偏移,F(xiàn)c = (Fa-Fb) X Δ Ca/ [ (Cb- Δ Cb) - (Ca- Δ Ca)]其中 ACa = (Ca/Pl) X (P1-P2)ACb = (Cb/Pl) X (P1-P2);(5)檢查補(bǔ)償后聚焦偏移是否在補(bǔ)償工作區(qū)內(nèi)?假如在補(bǔ)償工作區(qū)內(nèi),就進(jìn)入步驟 (6),假如補(bǔ)償后聚焦偏移超出補(bǔ)償工作區(qū),則進(jìn)入步驟(7);以及(6)采用偏移補(bǔ)償模式,以聚焦偏移補(bǔ)償Fc補(bǔ)償下限聚焦偏移!^燒錄標(biāo)簽;以及(7)采用上限補(bǔ)償模式,以上限聚焦偏移冊(cè),燒錄標(biāo)簽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法,其中該偏移模式燒錄標(biāo)簽以獲得下限對(duì)比度Ca為目標(biāo)對(duì)比度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法,其中該補(bǔ)償工作區(qū)由一對(duì)比度曲線選擇。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法,其中該對(duì)比度曲線以聚焦曲線為起點(diǎn),針對(duì)每一聚焦偏移距離,利用標(biāo)簽燒錄的預(yù)設(shè)激光功率實(shí)測(cè)燒錄標(biāo)簽所產(chǎn)生的對(duì)比度形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法,其中該補(bǔ)償工作區(qū)的對(duì)比度與聚焦偏移成正比。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法,其中該上限聚焦偏移冊(cè)最接近標(biāo)簽面,對(duì)比度最大。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法,其中該偏移補(bǔ)償模式,將聚焦曲線偏移至補(bǔ)償后聚焦偏移,以下降功率P2燒錄標(biāo)簽。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法,其中該上限補(bǔ)償模式將聚焦曲線偏移至上限聚焦偏移冊(cè),以下降功率P2燒錄標(biāo)簽。
全文摘要
一種光盤標(biāo)簽面對(duì)比度補(bǔ)償方法,由對(duì)比度曲線選擇補(bǔ)償工作區(qū),在偏移模式燒錄標(biāo)簽;檢測(cè)激光功率下降,利用聚焦偏移補(bǔ)償公式計(jì)算聚焦偏移補(bǔ)償,補(bǔ)償下限聚焦偏移形成補(bǔ)償后聚焦偏移,補(bǔ)償后聚焦偏移在補(bǔ)償工作區(qū)內(nèi),采用偏移補(bǔ)償模式燒錄標(biāo)簽,超出補(bǔ)償工作區(qū)則采用上限補(bǔ)償模式燒錄標(biāo)簽,利用動(dòng)態(tài)補(bǔ)償聚焦偏移,以維持光盤標(biāo)簽的對(duì)比度。
文檔編號(hào)G11B23/40GK102543135SQ20101060746
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月27日
發(fā)明者賴俊文, 郭起祥, 黃識(shí)忠 申請(qǐng)人:廣明光電股份有限公司
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