專利名稱：存儲裝置及于該存儲裝置進行源極端感測的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于存儲裝置的感測電路，特別是關(guān)于存儲裝置及于該存儲裝置進行源 極端感測的方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今存在許多利用電荷儲存存儲單元型態(tài)的非易失存儲器，包括存儲單元儲存電 荷于一場效晶體管的通道與柵極之間。所儲存的電荷數(shù)量影響了晶體管的閾值電壓，其可 以被感測以指示數(shù)據(jù)。一種型態(tài)的電荷儲存存儲單元被稱為浮動?xùn)艠O存儲單元。在浮動?xùn)艠O存儲單元 中，電荷被儲存在一電性導(dǎo)電層介于場效晶體管的通道與柵極之間。閾值電壓的改變通過 施加一合適的電壓于此存儲單元自此電性導(dǎo)電層儲存或移除電荷。另一種型態(tài)的存儲單元 被稱為電荷捕捉存儲單元，其使用一介電電荷捕捉層取代浮動?xùn)艠O。在讀取操作時，是施加合適的電壓以自此存儲單元的漏極端誘發(fā)電流至源極端。 此電流是取決于晶體管的閾值電壓，因此指示儲存于其中的數(shù)據(jù)。讀取儲存在一選取存儲單元中的數(shù)據(jù)值可以利用感測流經(jīng)此存儲單元漏極端 (“漏極端感測”)的電流，或是感測流經(jīng)此存儲單元源極端(“源極端感測”)的電流來進 行。在漏極端感測時，一數(shù)據(jù)線(例如位線)連接至所選取存儲單元中的漏極端且與 一感測電路耦接。合適的電壓被施加至此存儲單元以自數(shù)據(jù)線誘發(fā)電流經(jīng)由此存儲單元 的漏極端至源極端。此感測電路感測存儲單元自數(shù)據(jù)線導(dǎo)入的電流，且將此感測的電流與 一合適的參考值作比較以決定儲存在存儲單元中的數(shù)據(jù)。可參見舉例而言，美國專利第 7295471、6272043、7339846、6731542 及 6771543 號。在源極端感測時，一數(shù)據(jù)線連接至所選取存儲單元中的源極端且與一感測電路耦 接。合適的電壓被施加至此存儲單元以自數(shù)據(jù)線誘發(fā)一讀取電流自此存儲單元的漏極端至 源極端而流至此數(shù)據(jù)線。此感測電路感測此數(shù)據(jù)線上的讀取電流，且將此感測的電流與一 合適的參考值作比較以決定儲存在存儲單元中的數(shù)據(jù)。對源極端感測而言，此感測電路通 常在具有電壓為地或是接近地電位的節(jié)點處感測讀取電流。此讀取電流可以使用讀取電流對一電容進行充電來感測，其可以模擬成一個在此 感測電路感測放大器的感測輸入的一等效負載電容。感測輸入的電壓改變是與讀取電流相 關(guān)，且因此可以指示儲存在所選取存儲單元中的數(shù)據(jù)。在源極端感測時，感測放大器的感測輸入與存儲單元中的源極端耦接。其結(jié)果是， 因為源極端的電壓也會根據(jù)讀取電流的增加而增加會產(chǎn)生一特定的問題。源極端電壓的增 加減少了漏極至源極的電壓且增加了所選取存儲單元的主體效應(yīng)。如此則會減少由存儲單 元所提供的讀取電流。因為操作的環(huán)境變動的關(guān)系，也會因為材料及工藝條件變動的關(guān)系，此存儲單元 的閾值電壓會在陣列之間變動。此變動會造成陣列間儲存相同數(shù)據(jù)時讀取電流的變動，包括因為源極電壓增加所導(dǎo)致的讀取電流改變的差值。因此，具有源極電壓增加的一數(shù)量與 讀取電流相關(guān)，結(jié)果會是感測放大器的感測輸入的電壓或電流一個較廣的分布，其增加了 感測感測電路的復(fù)雜程度或是所需的時間及復(fù)雜程度。因此，需要提供一種感測電路，其可以解決在讀取時因為源極電壓變動所產(chǎn)生的 問題，及操作此種電路的方法。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的是提供一種存儲裝置及于該存儲裝置進行源極端感 測的方法。此處所描述的源極端感測技術(shù)根據(jù)自此存儲單元源極終端所讀取的電流與自該 讀取電流所導(dǎo)入的吸入電流(sink current)之間的差值來決定儲存于存儲單元中的數(shù)據(jù) 值。此吸入電流可以被調(diào)節(jié)使得其基本上與讀取電流無關(guān)。使用讀取電流與吸入電流之間的差值，而不是整個讀取電流，會減少在感測操作 時存儲單元源極終端的電壓變動。如此則會在此陣列中的存儲單元之間進行源極端感測時 減少讀取電流的變動。其結(jié)果是，于此陣列間存儲單元中的感測節(jié)點的電壓或電流分布會 變得較為緊縮。此處所描述的存儲裝置包括一存儲陣列可自該存儲陣列中的一選取存儲單元的 一源極終端提供一讀取電流至一數(shù)據(jù)線。一參考電流源，可提供一參考電流至一參考線。一 與該數(shù)據(jù)線耦接的調(diào)節(jié)吸入電流源，該吸入電流源安排為可自該數(shù)據(jù)線導(dǎo)入一具有一調(diào)節(jié) 大小的吸入電流。在此處所描述的實施例也包含可自該參考線導(dǎo)入一具有一調(diào)節(jié)大小的吸 入電流。一感測放大電路在一感測節(jié)點與該數(shù)據(jù)線耦接，該感測放大電路響應(yīng)該讀取電流 與該吸入電流之間的一差值，而產(chǎn)生一用來指示儲存于該選取存儲單元中的一數(shù)據(jù)值的輸 出信號。該感測放大電路可以根據(jù)比較根據(jù)該參考電流與自參考線所導(dǎo)入的該吸入電流之 間的一差值而得的參考感測電流與根據(jù)該讀取電流與自數(shù)據(jù)線所導(dǎo)入的該吸入電流之間 的一差值而得的讀取感測電流兩者而操作。此處所描述的調(diào)節(jié)吸入電流源維持該吸入電流的大小而與該數(shù)據(jù)線上的該讀取 電流無關(guān)。此處所描述的調(diào)節(jié)吸入電流源維持該吸入電流的大小而與該參考電流相關(guān)，其 基本上與讀取電流的大小無關(guān)。此處所描述的調(diào)節(jié)吸入電流源包括一電流鏡，該電流鏡具有一輸出以提供該吸入 電流，及一輸入與一鏡像輸入電流源耦接。此鏡像輸入電流源在某些實施例中可以是參考 電流源，或是其它可以響應(yīng)、模擬或是與參考電流大小相關(guān)的電流源，以提供此鏡像輸入電流。此鏡像輸入電流源可以組態(tài)為包括一取樣及保持電路，其于一取樣區(qū)間時取樣該 參考電流的大小以產(chǎn)生一取樣偏壓條件，且在該感測區(qū)間時保持該取樣偏壓條件。一調(diào)節(jié)吸入電流源可以包含一運算放大器或是其它電路，調(diào)節(jié)該吸入電流源的一 輸出或多個輸出的一電壓階級。在調(diào)節(jié)吸入電流源包含電流鏡的實施例中，運算放大器的 一第一輸入與該調(diào)節(jié)吸入電流源的一反饋節(jié)點耦接，且運算放大器的一第二輸入與例如是 地的一參考電壓源耦接。此處所描述的存儲裝置包括一存儲陣列，可自該存儲陣列中的一選取存儲單元的 一源極終端提供一讀取電流至一數(shù)據(jù)線。一參考電流源，可提供一參考電流。一與該數(shù)據(jù)線耦接的吸入電流源，以響應(yīng)該參考電流的大小自該數(shù)據(jù)線導(dǎo)入一吸入電流。此裝置更包 含一感測放大電路，其具有一感測節(jié)點與該數(shù)據(jù)線耦接。該感測放大電路響應(yīng)該讀取電流 與該吸入電流之間的一差值，而產(chǎn)生一用來指示儲存于該選取存儲單元中的一數(shù)據(jù)值的輸 出信號。此裝置更包含一電路以設(shè)置與該參考電流大小無關(guān)的一參考電壓于參考節(jié)點上， 其中該感測放大電路響應(yīng)于參考節(jié)點與感測節(jié)點之間的電壓差，而產(chǎn)生該輸出信號。在如 此情況下，到達參考電壓所需的時間會小于使用參考電流來對參考節(jié)點充電所需的時間， 可允許高速的操作。此處所描述的一種于一存儲陣列進行源極端感測的方法，包含自一選取存儲單元 的一源極終端提供一讀取電流至一數(shù)據(jù)線，及提供一參考電流于一參考線。此方法也包含 自該數(shù)據(jù)線汲該參考線導(dǎo)入一調(diào)節(jié)吸入電流以產(chǎn)生一讀取感測電流，以響應(yīng)在該數(shù)據(jù)線上 的該讀取電流與該調(diào)節(jié)吸入電流之間的一差值，且響應(yīng)在該參考線上的該參考電流與該調(diào) 節(jié)吸入電流之間的一差值而產(chǎn)生的一參考感測電流。則響應(yīng)該讀取感測電流與該參考感測 電流之間的一電流差值，而可以決定該選取存儲單元中的一數(shù)據(jù)值。此調(diào)節(jié)吸入電流源可 以由可以響應(yīng)、模擬或是與參考電流的電流源所產(chǎn)生，使得此參考感測電流可以很小。此 外，此調(diào)節(jié)吸入電流源可以使用電流鏡電路，且于一取樣區(qū)間時根據(jù)該參考電流的大小取 樣鏡像偏壓條件，在該感測區(qū)間時保持該取樣偏壓條件，以將該調(diào)節(jié)吸入電流與參考電流 在感測區(qū)間時隔離。此處所描述的一種感測一存儲單元的方法，該方法包含施加一偏壓至該存儲單元 以自該存儲單元誘發(fā)一讀取電流。自一參考電流源提供一參考電流，且響應(yīng)該參考電流的 大小而自該讀取電流導(dǎo)入一吸入電流。提供在一感測節(jié)點上的該讀取電流與該吸入電流之 間的一電流差值。及根據(jù)該電流差值決定儲存于該存儲單元中的一數(shù)據(jù)值。本發(fā)明的目的，特征，和實施例，會在下列實施方式的章節(jié)中搭配圖式被描述。


本發(fā)明是由權(quán)利要求范圍所界定。這些和其它目的，特征，和實施例，會在下列實 施方式的章節(jié)中搭配圖式被描述，其中圖1顯示一現(xiàn)有技術(shù)的使用源極端感測機制的存儲裝置的實施示意圖。圖2為感測放大器的感測輸入的電壓改變與時間的關(guān)系圖。圖3顯示一集成電路的簡要方塊示意圖，在其中包含本發(fā)明所描述的使用于源極 端感測技術(shù)的吸入電流電路。圖4顯示此存儲陣列中的一選取存儲單元進行源極端感測操作的一方法的流程 圖。圖5顯示一吸入電流電路于源極端感測所選取存儲單元時的簡要示意圖。圖6顯示操作圖5中所示的吸入電流電路于源極端感測操作時的時序圖。圖7顯示本發(fā)明第一實施例的吸入電流電路的簡要示意圖。圖8為一實施例中將圖7的吸入電流電路與存儲陣列耦接的示意圖。圖9顯示本發(fā)明第二實施例的吸入電流電路的簡要示意圖。圖10顯示本發(fā)明第三實施例的吸入電流電路的簡要示意圖。
圖11顯示本發(fā)明第四實施例的吸入電流電路的簡要示意圖。圖12顯示本發(fā)明第五實施例的吸入電流電路的簡要示意圖。圖13顯示本發(fā)明第六實施例的吸入電流電路的簡要示意圖。圖14顯示本發(fā)明第七實施例的吸入電流電路的簡要示意圖。圖15為另一實施例中將吸入電流電路與存儲陣列耦接的示意圖，其包括一取樣 和保持鏡像輸入電流源。圖16顯示適用于圖15的一實施例中鏡像輸入的示意圖。圖17提供于圖16電路中的一控制信號的時序圖。圖18顯示本發(fā)明另一實施例的吸入電流電路的簡要示意圖，其具有一參考輸入 是與參考電流無關(guān)。圖19顯示本發(fā)明另一實施例的吸入電流電路的簡要示意圖，其具有一參考輸入 是根據(jù)用來產(chǎn)生參考電流的分離參考陣列相關(guān)。主要元件符號說明100 存儲裝置105,320,820 存儲陣列110,510 選取存儲單元112、114 源/漏極終端120-1,120-2,220 字線125:列譯碼器/驅(qū)動器130-1、130-2、130-3、130-4、132、230、232 位線135:行譯碼器/驅(qū)動器140 地址信號150 數(shù)據(jù)線160 感測電路170,570,830 感測放大器172,590 感測輸入174,595 參考輸入176、596 感測輸出180 參考電流源300 集成電路310、520 吸入電流電路324 字線322、344 列譯碼器328 位線332 數(shù)據(jù)總線326,342 行譯碼器330:源極端感測放大器/ I改據(jù)輸入結(jié)構(gòu)340、840 參考陣列343 參考位線
；345:參考字線346、350 總線352 數(shù)據(jù)輸入線354 數(shù)據(jù)輸出線360:其它電路368 調(diào)整偏壓供應(yīng)電壓369 控制器511、561 漏極終端512、562 源極終端520:吸入電流源560 參考單元522:吸入電流源輸出572 感測輸入574 參考輸入576 感測輸出信號700,900 運算放大器702 第一輸入703,901 負升壓器704 第二輸入710、720、910、912、920 晶體管719:連接器730 設(shè)置晶體管732、1402 設(shè)置信號750、760、950、960 放電晶體管755 放電信號1010、1020、1110、1120、1400 晶體管810:規(guī)范的吸入電流源826,842,871 行譯碼器850:取樣和保持電流源870 吸入陣列851、958、959 線913 參考線951、952、953、954、957 :p 通道晶體管955,956 :n通道晶體管
具體實施例方式本發(fā)明實施例搭配以下圖1到圖19進行詳細描述。圖1顯示一現(xiàn)有技術(shù)的使用源極端感測機制的存儲裝置100的實施示意圖，其可 以感測儲存在一選取存儲單元110中的數(shù)據(jù)值。此裝置100包括一存儲陣列105，在此范例中為虛擬接地組態(tài)。此存儲陣列105包括多條字線，其中字線120-1和120-2延伸于一第 一方向上且與存儲陣列105的存儲單元的柵極終端耦接。字線120-1和120-2與列譯碼器 /驅(qū)動器125進行電性溝通。此存儲陣列105也包括多條位線，其中位線130-1到130_4延伸于一第二方向上 且與存儲陣列105的存儲單元的源極和漏極終端耦接。位線130-1到130-4與行譯碼器/ 驅(qū)動器135進行電性溝通。存儲單元110是一存儲陣列中的代表性存儲單元，字線120-2與存儲單元110的 柵極終端耦接。位線130-2、130-3與存儲單元110的第一和第二終端112、114耦接。此第 一和第二終端112、114是根據(jù)電流在存儲單元110中的方向而作為存儲單元110的源極或 漏極終端。在讀取或感測儲存在存儲單元110中數(shù)據(jù)的操作時，列譯碼器/驅(qū)動器125響應(yīng) 地址信號140而施加讀取電壓Vwl至字線120-2，且行譯碼器/驅(qū)動器135響應(yīng)地址信號140 而施加讀取電壓I至位線130-2，及將位線130-3與感測電路160的數(shù)據(jù)線150耦接。施 加至字線120-2和位線130-2的讀取電壓會誘發(fā)一讀取電流Ie皿自漏極終端112至源極終 端114及進入位線130-3。所選取存儲單元110自源極終端114至位線130-2上的讀取電流Ic皿經(jīng)由數(shù)據(jù)線 150被提供至感測放大器170的感測輸入172。此讀取電流Ie皿對感測放大器170的感測 輸入172—節(jié)點電容Cumdi充電，導(dǎo)致感測電壓(CMI)的改變是與在此讀取操作時間中的讀 取電流Ic皿成正比。因此，感測輸入172的電壓會改變的較快，假如此存儲單元110在一較 低的臨界狀態(tài)而不是在一較高的臨界狀態(tài)。圖2為在存儲單元110在感測操作時感測輸入172的電壓改變與時間的關(guān)系簡要 示意圖，此存儲單元110具有兩個狀態(tài)之一。曲線200顯示假如存儲單元110是在一較低臨 界狀態(tài)時感測輸入172的電壓改變，而曲線210顯示假如存儲單元110是在一較高臨界狀 態(tài)時感測輸入172的電壓改變。于感測時段中曲線200和210之間的差異是用以區(qū)分此存 儲單元是在一較低還是較高臨界狀態(tài)的感測邊界。為了可靠地區(qū)分較高與較低臨界狀態(tài)， 必須維持一個相對大的感測邊界。重新回到圖1，在此感測操作中，一參考電流源180提供一參考電流Ikef至感測放 大器170的參考輸入174。此參考電流Ikef在此感測放大器170的參考輸入174來對一節(jié) 點電容Cuwd2充電，導(dǎo)致參考輸入174的電壓轉(zhuǎn)換此參考電流Ikef為一參考電壓。圖2所示 的曲線220為參考輸入174的電壓改變與時間的關(guān)系圖。感測致能信號SEN施加至感測放大器170以在所選取存儲單元讀取操作時定義感 測時段。此感測放大器170響應(yīng)感測輸入172與參考輸入174之間的電壓差值，而產(chǎn)生用 來指示儲存于該選取存儲單元110中的一輸出信號176。因為感測輸入172是與存儲單元110的源極終端114耦接，源極終端114的電壓 也會根據(jù)讀取電流而增加。源極終端114電壓的增加則會減少漏極至源極的電壓且增 加存儲單元110的主體效應(yīng)，其因此減少了讀取電流ICE『此存儲單元的閾值電壓會因為操作環(huán)境、工藝條件及材料變動的關(guān)系而在陣列 105中有所變動。這些變動會導(dǎo)致陣列105中儲存相同數(shù)據(jù)值的存儲單元具有不同的讀取 電流I·，及由源極電壓的增加所產(chǎn)生不同的讀取電流I·改變。因此，具有根據(jù)讀取電流Icell的源極電壓的增加導(dǎo)致一個較廣的感測輸入172的電壓或電流分布，其增加了感測所 需的時間及復(fù)雜程度。圖3顯示一集成電路300的簡要方塊示意圖，在其中包含本發(fā)明所描述的使用于 一存儲陣列320中的吸入電流電路310，其可以用來進行源極端感測。列譯碼器322與多條沿著此存儲陣列320列方向上排列的字線3M耦接。行譯碼 器326與多條沿著此存儲陣列320行方向上排列的位線3 耦接，以自此陣列320的存儲 單元中進行感測、編程和擦除。在方塊330中的感測放大器及數(shù)據(jù)輸入結(jié)構(gòu)在此范例中經(jīng) 由數(shù)據(jù)總線332與行譯碼器3 耦接。此存儲陣列320中的存儲單元可以串連地、平行地 或是虛擬接地的方式排列。會于以下更詳細地描述，吸入電流電路310與數(shù)據(jù)總線322耦接以導(dǎo)入吸入電流 而在此存儲陣列320中的存儲單元的源極端感測時響應(yīng)、模擬或是與參考電流Ikff大小相 關(guān)的電流。吸入電流電路310也在此存儲陣列320中的存儲單元的源極端感測時，提供參 考電壓Vkef至方塊330中的感測放大器的參考輸入174。在此例示實施例中，參考電流Ikef使用一參考陣列340中參考單元所產(chǎn)生的參考 電流Ikef經(jīng)由總線346和行譯碼器342提供給吸入電流電路310。替代地也可以使用其它 的技術(shù)來產(chǎn)生參考電流IKFF。舉例而言，參考電流Ikef可以通過根據(jù)超過一個以上的參考單 元的參考電流。在其它的實施例中，如同以下所描述的，參考電流Ikef并沒有提供給吸入電 流電路310。列譯碼器344與沿著此參考陣列340列方向上排列的字線345耦接。行譯碼器342 與沿著此參考陣列340行方向上排列的位線343耦接。在此例示實施例中，參考陣列340 與存儲陣列320是分開的，且包括分別的列及行譯碼器344、342。替代地，參考陣列340可 以是在存儲陣列320中的一部分，且在陣列320、340中分享譯碼器。于源極端感測時，讀取電流I。·與吸入電流Isiffi之間的電流差提供至一感測節(jié) 點，因此于此感測節(jié)點設(shè)置一電流或電壓。方塊330中的感測放大器具有一感測輸入與此 感測節(jié)點耦接，且響應(yīng)感測節(jié)點的電流或電壓以產(chǎn)生指示儲存在所選取存儲單元中的一數(shù) 據(jù)值的輸出信號。因為感測放大器感測輸入的電壓是與讀取電流I?！づc吸入電流Isink之間的差值 而不是整個讀取電流Ie^相關(guān)，在所選取存儲單元源極終端的電壓變動會減少。如此則會 進而降低在源極端感測時，讀取電流于陣列320存儲單元之間的變動。其結(jié)果是，方塊 330中的感測放大器感測輸入的電壓或電流于陣列320存儲單元之間的分布會變得較為緊縮。地址是透過總線350提供至行譯碼器326、342及列譯碼器322、344。數(shù)據(jù)是由集 成電路300上的輸入/輸出端口透過數(shù)據(jù)輸入線352傳送至方塊330的數(shù)據(jù)輸入結(jié)構(gòu)。在 此例示的實施例中，其它電路360也包括在此集成電路300內(nèi)，例如通用目的處理器或特殊 用途電路，或是由此存儲陣列所支持的組合模塊以提供單芯片系統(tǒng)功能。數(shù)據(jù)是由方塊330 中的感測放大器，透過數(shù)據(jù)輸出線354，傳送至集成電路300上的輸入/輸出端或其它集成 電路300內(nèi)或外的數(shù)據(jù)目的地。此集成電路300包含控制器369以讀取、編程和擦除存儲陣列320存儲單元與參 考陣列340中的參考單元。此控制器369，在此范例中為一偏壓調(diào)整狀態(tài)機構(gòu)，控制由區(qū)塊368中產(chǎn)生的偏壓調(diào)整供應(yīng)電壓或提供至區(qū)塊368中的讀取、編程或擦除電壓。此控制器 369的應(yīng)用可以使用，業(yè)界所熟知的技術(shù)，如特殊目的邏輯電路來實施。在另一實施例中，該 控制器369包含一通用目的處理器，其可以實施在相同集成電路上，其執(zhí)行一計算機程序 以控制該裝置的操作。在另一實施例中，特殊目的邏輯電路和一通用目的處理器的組合可 以被用來實施該控制器369。圖4顯示此存儲陣列320中的一選取存儲單元進行源極端感測操作的一方法400 的流程圖。必須理解的是，圖4中的某些方塊可以合并或平行地執(zhí)行。在方塊410，施加一讀取偏壓至該被選取的存儲單元以自該被選取的存儲單元的 一源極終端誘發(fā)一讀取電流IeE『在方塊420，自一參考電流源提供一參考電流IKEF。在圖3的例示實施例中，此參 考電流Ikef是通過施加合適的偏壓電壓至參考單元誘發(fā)此參考電流Ikef而提供。在方塊430，自讀取電流ICEll由吸入電流電路310所導(dǎo)入的吸入電流Isiffi響應(yīng)此 參考電流Ikef或是其它方式模擬或校正的大小。此外，在某些實施例中，吸入電流Isink是自 參考電流所導(dǎo)入。在方塊440，介于讀取電流與吸入電流Isiffi之間的電流差是提供至與方塊330 中的感測放大器的一感測輸入耦接的一感測節(jié)點。在方塊450，根據(jù)讀取電流與該吸入電流Isiffi之間的電流差值決定儲存于該 被選取存儲單元中的數(shù)據(jù)值。圖5顯示本發(fā)明第一實施例的使用于一存儲陣列320中吸入電流電路310的簡要 示意圖，其可以用來感測儲存在存儲陣列320所選取存儲單元510中的數(shù)據(jù)值。如圖5中所示，字線32 與所選取存儲單元510的柵極耦接。位線3^a、328b分 別與存儲單元510的漏極終端511和源極終端512耦接。在此存儲單元510的一源極端感 測操作時，行譯碼器3 將位線328b與數(shù)據(jù)線33 耦接。在此例示的范例中，吸入電流電路310在參考線346a上所接收的參考電流Ikef是 由參考陣列340的參考單元560所提供。如同之前所討論的，替代實施例中也可以使用其 它的技術(shù)來提供參考電流IKEF。位線343a、34!3b分別與參考單元560的漏極終端561和源 極終端562耦接。于源極端感測時，行譯碼器342將位線34 與參考線346a耦接。此吸入電流電路310包括與數(shù)據(jù)線33 耦接的吸入電流源520。此吸入電流源 520自讀取電流導(dǎo)入一吸入電流ISIffi。如同此處所描述的實施例所示，此吸入電流源 520可以利用一電流鏡實施，提供此吸入電流Isink具有一大小其為直接與例如是參考電流 Ikef或是其它電流源大小，之電流鏡輸入源大小成正比(或反比)的關(guān)系。舉例而言，吸入 電流Isiffi的一大小可以大致與參考電流Ikef大小相當。也可以使用其它的技術(shù)來實施此吸 入電流源520。此吸入電流電路也具有一輸出522提供參考電壓Vtkef以偏壓參考節(jié)點595。參考 節(jié)點595與感測放大器570的參考節(jié)點TREF 574耦接。讀取電流與吸入電流ISINK2間的差值是感測電流Isense，提供至感測節(jié)點590。 感測節(jié)點590與感測放大器570的感測節(jié)點CMI 572耦接。感測電流Isense通過對節(jié)點電容Cumi充電而在感測節(jié)點590轉(zhuǎn)換而成一電壓。感 測放大器570響應(yīng)介于感測節(jié)點590與感測節(jié)點CMI 572耦接以及參考節(jié)點595與參考節(jié)點TREF 574耦接之間的電壓差，而產(chǎn)生輸出信號576以指示所選取存儲單元510的臨界狀 態(tài)。因為感測放大器570感測節(jié)點CMI 572的電壓是與讀取電流I·與吸入電流Isink 之間的差值而不是整個吸入電流Isink相關(guān)，在所選取存儲單元510源極終端512的電壓變 動減少。如此則會進而降低在源極端感測時，讀取電流I。皿于陣列320存儲單元之間的變 動。其結(jié)果是，感測放大器570感測節(jié)點CMI 572的電壓分布會變得較為緊縮。此外，使用吸入電流電路310來偏壓參考節(jié)點595，而不是使用參考電流Ikef來對 節(jié)點電容C_2充電，允許較高的操作速度。當使用參考電流Ikef來對參考節(jié)點595充電，到達參考電壓所需的時間與參考存 儲單元的臨界狀態(tài)相關(guān)。因此，感測操作必須在參考節(jié)點獲得參考電壓值的一段特定時間 之后進行。通過使用吸入電流電路310來偏壓參考節(jié)點595，到達參考電壓所需的時間較使 用參考電流Ikef來對參考節(jié)點595充電所需的時間更短。圖6顯示操作圖5中所示結(jié)構(gòu)以使用此處所描述的源極端感測技術(shù)感測儲存在此 所選取存儲單元510中的數(shù)據(jù)值的一時序圖。可以理解的是，圖6中的時序圖是經(jīng)過簡化 的且并未等比例繪示。在時間Tl，列譯碼器322響應(yīng)地址信號而施加一讀取偏壓Vmad至與該被選取的 存儲單元510柵極耦接的字線32 ，行譯碼器3 響應(yīng)地址信號而施加一讀取偏壓VBHiEAD 至與該被選取的存儲單元510漏極終端511耦接的位線3^a，及將位線328b與數(shù)據(jù)線33 耦接。施加至字線32 及位線328a的偏壓誘發(fā)一讀取電流Ι。Ε&自漏極終端511至源極終 端512，且進入位線32 與數(shù)據(jù)線33加。列譯碼器344響應(yīng)地址信號而施加一讀取偏壓Vmf至與該被選取的參考單元 560柵極耦接的字線34 ，行譯碼器342響應(yīng)地址信號而施加一讀取偏壓VBMiEF至與該被選 取的參考單元560漏極終端561耦接的位線343a，及將位線34 與數(shù)據(jù)線346a耦接。施 加至字線34 及位線343a的電壓誘發(fā)一參考電流Ikef自漏極終端561至源極終端562，至 位線；34北而進入字線:346a。吸入電流電路310中的吸入電流源520與數(shù)據(jù)線33 耦接。此吸入電流源520自讀取電流導(dǎo)入該吸入電流ISIffi。讀取電流與吸入電流ISINK2間的差值是感測電流Isense，提供至感測節(jié)點590。 感測節(jié)點590與感測放大器570的感測輸入CMI 572耦接。此感測電流Isense是由將等效負載電容Cltjadl充電而轉(zhuǎn)換成感測節(jié)點測輸入590的 一電壓。因此，感測節(jié)點590及感測輸入CMI 572測輸入590上的電壓會在沿著曲線600 假如此被選取存儲單元510是在一較低臨界狀態(tài)時較，而會沿著曲線610假如此被選取存 儲單元510是在一較高臨界狀態(tài)時改變的更快。在圖6中，感測輸入CMI 572上的電壓會 沿著曲線600假如此被選取存儲單元510是在一較低臨界狀態(tài)時，而會沿著曲線610假如 此被選取存儲單元510是在一較高臨界狀態(tài)時。雖然在圖6中僅顯示兩條曲線，但是可以 理解的是在多接位操作中可以獲取超過兩條曲線。在時間T2，感測放大器570為了響應(yīng)與感測輸入CMI 572耦接的感測節(jié)點590以 及與參考輸入TREF 574耦接的參考節(jié)點595的參考電壓Vkef兩者之間的電壓差，會產(chǎn)生用 來指示該選取存儲單元510中的數(shù)據(jù)值得一輸出信號Vot 576。在圖6中，Vot是一第一電壓620假如此被選取存儲單元510是在一較低臨界狀態(tài)時，而是一第二電壓630假如此被 選取存儲單元510是在一較高臨界狀態(tài)時。在此例示實施例中，感測操作決定存儲單元510是否在兩個狀態(tài)之一。更一般而 言，此處所描述的感測方法可以應(yīng)用在被編程至超過兩個閾值電壓狀態(tài)的多階位存儲單 元。舉例而言，在一多階位的實施例中，可以使用多個參考電流或電壓。圖7顯示電流吸入電路310第一實施例的示意圖。此電流吸入電路310包括一電 流鏡及一運算放大器700用來偏壓參考電壓Vtkef的參考節(jié)點595。此運算放大器700具有 一第一輸入702與例如是地的參考電壓源耦接，及具有一第二輸入704與晶體管710的漏 極在參考節(jié)點595耦接。其結(jié)果是，在參考節(jié)點595的參考電壓Vtkef由運算放大器700被 偏壓至接近地，且參考電壓Vtkef與參考電流Ikef無關(guān)。在此例示實施例中，參考電壓Vtkef是 地。替代地，其它的偏壓或技術(shù)也可以用來偏壓參考節(jié)點595。供應(yīng)電壓Vdd和負升壓器703提供偏壓電壓至運算放大器700。在此例示實施例中的吸入電流源520有一輸入端與一鏡像輸入電流源耦接，在此 實施例中其是參考電流元以提供Ikef，及具有一輸出端提供Isink至數(shù)據(jù)線33加。此輸入端 及輸出端分別使用晶體管710和720構(gòu)成，連接成電流鏡安排。晶體管710具有一第一導(dǎo) 通終端與數(shù)據(jù)線346a及參考節(jié)點595連接以接收由參考單元560所提供的參考電流IKEF。 晶體管720具有一第一導(dǎo)通終端與感測節(jié)點590連接以自該讀取電流導(dǎo)入一吸入電流 Isink以響應(yīng)該參考電流Ikef的一大小。晶體管710和720的第二導(dǎo)通終端共同連接至運算放大器700的輸出。晶體管710 和720的柵極共同連接至一設(shè)置晶體管730。于進行感測操作之前，設(shè)置信號732開啟設(shè)置 晶體管730以偏壓晶體管710和720的柵極至一合適的偏壓電壓。在此例示實施例中，晶體 管710和720的柵極被偏壓至地。替代地，也可以使用其它的偏壓。運算放大器700的輸 出提供一反饋電壓，其是規(guī)范晶體管710和720的漏極至源極電壓，以提供吸入電流ISINK， 而同時將漏極終端接近于地。在圖7中也顯示放電晶體管750和760與數(shù)據(jù)線346a及感測節(jié)點590耦接。放 電晶體管750和760的柵極共同耦接至一放電信號755以將參考節(jié)點595及感測節(jié)點590 在進行感測操作之前接地。圖8為將圖7的電路與存儲陣列320耦接的示意圖。如圖8所示的示意圖中，晶 體管710可以連接至電流吸入電路310中的一電流鏡安排之中的每一個晶體管720-0到 720-n。晶體管720-0到720_n是用來自區(qū)塊330中的n+1個感測放大器每一個的各自的感 測輸入CMIO到CMh導(dǎo)入吸入電流Isinki到Isiffiin以響應(yīng)通過晶體管710的該參考電流Ikef 的一大小。圖8中也顯示，運算放大器700提供參考電壓Vtkef至區(qū)塊330中的n+1個感測 放大器每一個的參考輸入。替代地，其它的組態(tài)也可以用來感測放大器的參考輸入，以自感 測輸入導(dǎo)入吸入電流及提供參考電流。圖9顯示電流吸入電路310第二實施例的示意圖。在圖9中省略了圖7中的設(shè)置 晶體管730，且晶體管710為由連接器719的二極管連接方式。圖10顯示電流吸入電路310第三實施例的示意圖。在圖10中，電流鏡的輸入端 包含與二極管連接的晶體管IOlOa和IOlOb安排成串連以導(dǎo)入?yún)⒖茧娏鱅KEF。輸出端包含 串聯(lián)安排的晶體管1020a和1020b。晶體管1020a和1020b的柵極各自與二極管連接方式的晶體管IOlOa和IOlOb耦接，且晶體管1020a和1020b導(dǎo)入吸入電流Ism以響應(yīng)該參考電流Ieef的一大小。圖11顯示電流吸入電路310第四實施例的示意圖。串連安排的晶體管IllOa和 IllOb導(dǎo)入由參考單元提供的參考電流IKFF。晶體管IllOa的柵極與一合適的偏壓電壓VBias 1130耦接，且晶體管IllOb的柵極與由運算放大器700提供參考電壓Vtkef耦接。晶體管 1120a和1120b的柵極各自與晶體管IllOa和IllOb的柵極耦接。串連安排的晶體管1120a 和1120b導(dǎo)入吸入電流Isiffi以響應(yīng)該參考電流Ikef的一大小。圖12顯示電流吸入電路310第五實施例的示意圖。在圖12中，運算放大器700的 第一輸入702是使用放電晶體管1200選擇性地與一偏壓電壓(在此例中為地)耦接。如 此提供就在感測之前運算放大器輸入上任何節(jié)點電容的放電。圖13顯示電流吸入電路310第六實施例的示意圖。在圖13中，省略了圖7中的 設(shè)置晶體管，且晶體管710的柵極系直接與地耦接。圖14顯示吸入電流電路310第七實施例的示意圖。在圖14中，晶體管710使用 設(shè)置晶體管1400選擇性地變成二極管連接方式。于執(zhí)行感測操作之前，設(shè)置信號1402開 啟晶體管1400以偏壓晶體管710和720的柵極至參考電壓VTKEF。于執(zhí)行感測操作時，設(shè)置 信號1402關(guān)閉晶體管1400，如此晶體管710和720的柵極在感測操作時與晶體管710的漏 極解除耦接。圖15為存儲裝置的示意圖，其包括一規(guī)范的吸入電流源810以響應(yīng)鏡像輸入電流 源可以與由參考陣列840所產(chǎn)生的參考線解除耦接。如此可以將噪聲源例如是自運算放大 器900的負升壓器901，與參考電流及吸入電流在感測放大器操作時隔離，或是在如此電流 下維持相同的噪聲相位。此存儲裝置包含與行譯碼器擬6耦接的一存儲陣列820。多個感測 放大器830自此陣列中820的存儲單元源極終端與各自的數(shù)據(jù)線耦接。一具有對應(yīng)的行譯 碼器842的參考陣列840用來產(chǎn)生參考電流IKEF。如同以上所描述過的，放電晶體管960-0 到960-n與感測放大器830的感測節(jié)點耦接以在感測操作之前預(yù)充電這些感測節(jié)點。一個 對應(yīng)的放電晶體管950與感測放大器830的參考節(jié)點耦接。此放電晶體管響應(yīng)放電時序信 號。在此實施例中的鏡像輸入電流源包含一取樣和保持電流源850，其與參考電流源 是經(jīng)由線851耦接。此取樣和保持電流源850于一取樣區(qū)間響應(yīng)此參考電流而對一偏壓條 件取樣，且在感測區(qū)間時在與參考電流流解除耦接之后為此感測放大器保持此偏壓條件。 如此取樣和保持電流源850的一實施例顯示于圖16之中。在此例示實施例中的規(guī)范吸入電流源包括一電流鏡，其有一輸入端自取樣和保持 電流源850接收一鏡像輸入電流ISINK_IN，及具有多個輸出端，包括一個輸出端提供吸入電流 ISM-IN至參考線913，及每一條數(shù)據(jù)線的一個輸出端提供吸入電流ISIffi_c至各自的數(shù)據(jù)線。在此例示中，此輸入端使用晶體管912具有一柵極和漏極耦接在一起，及一源極 與運算放大器900的一輸出耦接。此外，晶體管912的漏極與運算放大器900的一第一輸 入耦接。此運算放大器因此規(guī)范晶體管912的漏極至源極電壓以使得漏極終端維持在接近 于地。在圖15的電路中，規(guī)范吸入電流源810的電流鏡的輸出端包括晶體管910與參考 線913耦接，及晶體管920-0到920-n經(jīng)由感測節(jié)點CMIO到CMh與各自的數(shù)據(jù)線耦接。晶體管910及晶體管920-0到920-n的柵極與晶體管912的柵極連接，且晶體管910及晶體 管920-0到920-n的源極與運算放大器900的輸出耦接以維持柵極至源極電壓相等的通過晶體管。在圖16之中顯示一取樣和保持電流源850的示意圖。此范例中的此取樣和保持 電流源850包括一迭接電流鏡，具有一包括串聯(lián)于供應(yīng)電位與導(dǎo)通參考電流Ikef的η通道晶 體管955之間的ρ通道晶體管953和954的一輸入端。在此范例中，晶體管953的柵極與 晶體管％4的源極經(jīng)由線958耦接。取樣和保持電流源850包括一輸出端提供電流ISINK_IN， 其包括串聯(lián)于供應(yīng)電位與圖15中的規(guī)范吸入電流源810之間輸入的ρ通道晶體管951和 952。晶體管951和952的柵極耦接在一起，且至一偏壓電壓源所提供的電壓VS1，來偏壓 此迭接電流鏡。一傳輸開關(guān)包含并聯(lián)介于晶體管951和953柵極間的η信道晶體管956與 P信道晶體管957。控制信號SEN和SENB分別與η信道晶體管956與ρ信道晶體管957的 柵極連接?？刂菩盘朣EN和SENB可以是與圖1和圖5中的SEN信號不同。晶體管955的 柵極與控制信號BLA連接。此控制信號BLA控制此參考陣列中參考單元源極端的偏壓。因 此，參考陣列與線959耦接，其中參考電流Ikef經(jīng)由參考陣列(未示于圖16中)提供給規(guī) 范吸入電流源。此傳輸開關(guān)是于一取樣區(qū)間用來連接晶體管951和953的柵極，而在此感測放大 電路的感測區(qū)間用來解除與晶體管951和953柵極的連接。圖17提供一時序圖。一讀取致能信號RD-EN于讀取循環(huán)開始時產(chǎn)生脈沖960。控 制信號SEN和SENB在時間961和962切換以開啟傳輸開關(guān)。在時間963和964切換控制 信號SEN和SENB以關(guān)閉傳輸開關(guān)。因此，介于時間965和966的區(qū)間建立一偏壓條件而對 此電流鏡的輸出端取樣，而在當傳輸開關(guān)關(guān)閉時保持此偏壓條件。由線968所代表的感測 區(qū)間表示感測電路為此陣列在保持此偏壓條件時感測，且電流鏡的輸出端與輸入端解除耦 接。當讀取致能信號RD-EN的下一個脈沖967產(chǎn)生后，此傳輸開關(guān)再度開啟以執(zhí)行此取樣 與保持序列。圖18顯示提供一鏡像輸入電流ISIffi_IN的電流鏡860與參考線解除耦接的一個更 一般情況的示意圖。此圖中與圖15相同的元件則不會改變其標號。在較佳實施例中，可以 控制鏡像輸入電流ISINK-IN的大小，使得所產(chǎn)生的吸入電流可以模擬或是與參考電流Ikef相 關(guān)，但也可以視實施例的不同而調(diào)整大小。圖19顯示另一實施例的示意圖，其中用來提供一鏡像輸入電流ISIffi_IN的電流源包 括吸入?yún)⒖缄嚵?70及行譯碼器871。此吸入?yún)⒖缄嚵?70具有與參考陣列840類似的特 性，如此鏡像輸入電流ISIffi_IN可以在與參考電流Ikef解除耦接時模擬其狀況。雖然本發(fā)明已參照實施例來加以描述，然本發(fā)明創(chuàng)作并未受限于其詳細描述內(nèi) 容。替換方式及修改樣式已于先前描述中所建議，且其它替換方式及修改樣式將為本領(lǐng)域 技術(shù)人員所思及。特別是，所有具有實質(zhì)上相同于本發(fā)明的構(gòu)件結(jié)合而達成與本發(fā)明實質(zhì) 上相同結(jié)果者，皆不脫離本發(fā)明的精神范疇。因此，所有此等替換方式及修改樣式是意欲落 在本發(fā)明于隨附權(quán)利要求范圍及其均等物所界定的范疇之中。
權(quán)利要求
1.一種存儲裝置，其特征在于，包含一存儲陣列，可自該存儲陣列中的一選取存儲單元的一源極終端提供一讀取電流至一 數(shù)據(jù)線；一參考電流源，可提供一參考電流；一與該數(shù)據(jù)線耦接的調(diào)節(jié)吸入電流源，該吸入電流源安排為可自該數(shù)據(jù)線導(dǎo)入一具有 一調(diào)節(jié)大小的吸入電流；以及一感測放大電路在一感測節(jié)點與該數(shù)據(jù)線耦接，該感測放大電路響應(yīng)該讀取電流與該 吸入電流之間的一差值，而產(chǎn)生一用來指示儲存于該選取存儲單元中的一數(shù)據(jù)值的輸出信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該調(diào)節(jié)吸入電流源控制該吸入電流的大 小而與該數(shù)據(jù)線上的該讀取電流無關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該調(diào)節(jié)吸入電流源控制該吸入電流的大 小而與該參考電流的大小相關(guān)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該調(diào)節(jié)吸入電流源包括一電流鏡，該電流 鏡具有一輸出以提供該吸入電流，及一輸入與一鏡像輸入電流源耦接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，該鏡像輸入電流源響應(yīng)該參考電流。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，該鏡像輸入電流源包括一切換開關(guān)在一 第一狀態(tài)時將該參考電流源與該鏡像輸入電流源的一控制終端耦接，且在一第二狀態(tài)時將 該參考電流源自該控制終端解除耦接。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，該感測放大電路于一感測區(qū)間時感測該 數(shù)據(jù)值，該鏡像輸入電流源包括一取樣及保持電路，其于一取樣區(qū)間時取樣該參考電流的 大小以產(chǎn)生一取樣偏壓條件，且在該感測區(qū)間時保持該取樣偏壓條件。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，該鏡像輸入電流源為該參考電流源。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該感測放大電路響應(yīng)該參考節(jié)點上電壓 或電流與該感測節(jié)點上電壓或電流之間的一差值，而產(chǎn)生該輸出信號。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，更包含調(diào)節(jié)該吸入電流源的一輸出的一 電壓階級的電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該調(diào)節(jié)吸入電流源包含一運算放大器， 其具有一第一輸入與該調(diào)節(jié)吸入電流源的一反饋節(jié)點耦接，且具有一第二輸入與一參考電 壓耦接。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該調(diào)節(jié)吸入電流源包含一電流鏡，該電 流鏡具有一輸出以提供該吸入電流源，及一輸入與一鏡像輸入電流源耦接，且包括調(diào)節(jié)該 電流鏡的該輸出的一電壓階級的電路。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該調(diào)節(jié)吸入電流源包含一電流鏡，該電 流鏡具有一輸出以作為該吸入電流源，及一輸入與一鏡像輸入電流源耦接，及一運算放大 器，其具有一第一輸入與該電流鏡的該輸入耦接，且具有一第二輸入與一參考電壓源耦接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，該參考電壓源提供一接地電位至該第 二輸入。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該參考電流源包含一參考單元。
16.一種存儲裝置，其特征在于，包含一存儲陣列，可自該存儲陣列中的一選取存儲單元的一源極終端提供一讀取電流至一 數(shù)據(jù)線；一參考電流源，可提供一參考電流至一參考線；一吸入電流鏡，該吸入電流鏡具有輸出以提供一數(shù)據(jù)線吸入電流至該數(shù)據(jù)線及一參考 線吸入電流至該參考線，一輸入與一鏡像輸入電流源耦接，及一運算放大器，其具有一第一 輸入與該電流鏡的該輸入耦接，一第二輸入與一參考電壓源耦接，及具有一輸出提供一反 饋電壓至該吸入電流鏡；以及一感測放大電路與該數(shù)據(jù)線及該參考線耦接，該感測放大電路響應(yīng)該讀取電流、該參 考電流及該數(shù)據(jù)線吸入電流與該參考線吸入電流，而產(chǎn)生一用來指示儲存于該選取存儲單 元中的一數(shù)據(jù)值的輸出信號，其中該感測放大電路于一感測區(qū)間時感測該數(shù)據(jù)值，該鏡像輸入電流源包括一取樣及 保持電路，其于一取樣區(qū)間時取樣該參考電流的大小以產(chǎn)生一取樣偏壓條件，且在該感測 區(qū)間時保持該取樣偏壓條件。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于，該鏡像輸入電流源包括一電流鏡，具有 一輸入以在該取樣區(qū)間時與該參考電流耦接，及一輸出以在該感測區(qū)間時提供一鏡像輸入 電流至該吸入電流鏡。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于，該吸入電流鏡包括一輸出端包括至少 一晶體管具有一源極節(jié)點，且該反饋電壓被施加至該源極節(jié)點。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于，該吸入電流鏡包括一輸入端包括一具有柵極的輸入端晶體管，且該運算放大器的該第一輸入與該輸入端 晶體管的該柵極耦接；一輸出端包括一輸出端晶體管，具有一柵極且與該輸入端晶體管的該柵極耦接，及一 源極；以及其中該反饋電壓被施加以調(diào)節(jié)該輸入端晶體管及該輸出端晶體管的柵極至源極電壓。
20.一種于一存儲陣列進行源極端感測的方法，其特征在于，包含自一選取存儲單元的一源極終端提供一讀取電流至一數(shù)據(jù)線；提供一參考電流于一參考線；自該數(shù)據(jù)線汲該參考線導(dǎo)入一調(diào)節(jié)吸入電流以產(chǎn)生一讀取感測電流，以響應(yīng)在該數(shù)據(jù) 線上的該讀取電流與該調(diào)節(jié)吸入電流之間的一差值，且響應(yīng)在該參考線上的該參考電流與 該調(diào)節(jié)吸入電流之間的一差值而產(chǎn)生的一參考感測電流；以及響應(yīng)該讀取感測電流與該參考感測電流，而決定該選取存儲單元中的一數(shù)據(jù)值。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種存儲裝置及于該存儲裝置進行源極端感測的方法，此處所描述的源極端感測技術(shù)根據(jù)自此存儲單元源極終端所讀取的電流與自該讀取電流所導(dǎo)入的吸入電流之間的差值來決定儲存于存儲單元中的數(shù)據(jù)值。此吸入電流響應(yīng)一個由例如是參考單元的參考電流源所提供的參考電流大小而導(dǎo)入。
文檔編號G11C7/06GK102044298SQ20101024738
公開日2011年5月4日 申請日期2010年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月9日
發(fā)明者洪俊雄, 陳漢松, 陳重光 申請人:旺宏電子股份有限公司