專利名稱：盤驅(qū)動器撓曲件的制作方法
盤驅(qū)動器撓曲件
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及用在諸如個人電腦之類的信息處理裝置中盤驅(qū)動器中的撓曲件。硬盤驅(qū)動器(HDD)用在諸如個人電腦之類的信息處理裝置中。硬盤驅(qū)動器包括可 圍繞心軸旋轉(zhuǎn)的磁盤、可圍繞樞軸轉(zhuǎn)動的托架等。盤驅(qū)動器懸架設(shè)置在托架的臂上。盤驅(qū)動器懸架包括基板和負載梁。撓曲件定位在負載梁上。浮塊安裝在形成在撓 曲件遠端附近的萬向架部分上。浮塊設(shè)有用于訪問數(shù)據(jù)、即讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)的構(gòu)件(換能 器)。懸架、撓曲件等構(gòu)成磁頭萬向節(jié)組件。撓曲件是根據(jù)所要求的規(guī)格使用的各種可用類型中的任何一種。具有導(dǎo)體的撓曲 件是一種已知的實例。具有導(dǎo)體的撓曲件包括由薄不銹鋼板制成的金屬基部、由諸如聚酰 亞胺的電絕緣樹脂制成的樹脂層、多個銅導(dǎo)體等。樹脂層形成在金屬基部上。導(dǎo)體形成在 樹脂層上。每個導(dǎo)體的一端連接到盤驅(qū)動器的放大器等上每個導(dǎo)體的另一端連接到浮塊的 構(gòu)件(例如MR構(gòu)件)上。期望撓曲件的導(dǎo)體電路部分的電阻減小而與放大器和浮塊的構(gòu)件匹配并降低能 耗。還期望降低電感。此外，對于較高的數(shù)據(jù)傳輸，需要即使在高頻帶內(nèi)衰減也很低的那種 特性(低衰減特性)。具有包括多軌傳輸線的導(dǎo)體的撓曲件可有效地符合這些要求。設(shè)有多軌傳輸線的 電路也稱為交錯電路。美國專利第5，717，547號中披露了具有交錯電路的撓曲件。該類型 的撓曲件由于其在高頻時衰減低而適用于高速數(shù)據(jù)傳輸。圖16示出常規(guī)交錯電路的實例。交錯電路包括第一至第四交錯導(dǎo)體201至204。 第一和第二交錯導(dǎo)體201和202從第一導(dǎo)體構(gòu)件211分叉。第三和第四交錯導(dǎo)體203和 204從第二導(dǎo)體構(gòu)件212分叉。因此，第二和第四交錯導(dǎo)體202和204在交叉點220處三維地交叉。此外，第二和 第三交錯導(dǎo)體202和203在交叉點221處三維地交叉。具有電絕緣涂層的連接線230和 231用于防止交叉點220和221短路。如果連接線230和231用于交叉點220和221，如圖16中現(xiàn)有技術(shù)實例中那樣，則 它們不可避免地相對于交錯電路垂直突出，從而不能有利地減小交錯電路的厚度。而且，由 于除了交錯導(dǎo)體201至204之外，還需要連接線230和231，所以，還有部件數(shù)量增加的問題。其發(fā)明人進行了將高頻數(shù)據(jù)傳輸?shù)綀D16中所示交錯電路的測試。在該測試中，測 量流過交錯導(dǎo)體201和202的相應(yīng)中點ml和m2的電流波形的相應(yīng)相位。因此，發(fā)現(xiàn)如圖 17所示在當(dāng)時波形Wl和W2之間產(chǎn)生相當(dāng)大的相位差和由交互作用等引起的性能變動。還 發(fā)現(xiàn)，根據(jù)連接線230和231的安裝狀態(tài)，尤其是高頻衰減會很高，而阻礙高速數(shù)據(jù)傳輸。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種盤驅(qū)動器撓曲件，該撓曲件具有諸如較低的高頻衰減之類的優(yōu)良 電特性，并構(gòu)造成可防止交錯電路變厚。
本發(fā)明是一種盤驅(qū)動器懸架，其包括金屬基部，該金屬基部由金屬板制成；電絕 緣樹脂層，該電絕緣樹脂層形成在金屬基部上并包括與金屬基部接觸的第一表面和與金屬 基部相對定位的第二表面；第一導(dǎo)體件，該第一導(dǎo)體件設(shè)置在樹脂層的第二表面上；以及 第二導(dǎo)體件，該第二導(dǎo)體件平行于第一導(dǎo)體件設(shè)置在樹脂層的第二表面上。第一導(dǎo)體件包括放大器側(cè)第一導(dǎo)體，其連接到放大器；磁頭側(cè)第一導(dǎo)體，其連接 到磁頭；第一交錯導(dǎo)體，其形成于放大器側(cè)第一導(dǎo)體與磁頭側(cè)第一導(dǎo)體之間，通過第一導(dǎo)體 分支部分連接到放大器側(cè)第一導(dǎo)體，并通過第一導(dǎo)體連結(jié)部分連接到磁頭側(cè)第一導(dǎo)體；以 及第二交錯導(dǎo)體，其平行于第一交錯導(dǎo)體延伸，并通過第一交錯連結(jié)部分與磁頭側(cè)第一導(dǎo) 體連接。第二導(dǎo)體件包括放大器側(cè)第二導(dǎo)體，其連接到放大器；磁頭側(cè)第二導(dǎo)體，其連接 到磁頭；第三交錯導(dǎo)體，其形成于放大器側(cè)第二導(dǎo)體與磁頭側(cè)第二導(dǎo)體之間，通過第二導(dǎo)體 分支部分連接到放大器側(cè)第二導(dǎo)體，并通過第二導(dǎo)體連結(jié)部分連接到磁頭側(cè)第二導(dǎo)體；以 及第四交錯導(dǎo)體，其位于第一交錯導(dǎo)體與第二交錯導(dǎo)體之間，并平行于第一交錯導(dǎo)體和第 二交錯導(dǎo)體，并通過第二導(dǎo)體分支部分與放大器側(cè)第二導(dǎo)體連接。本發(fā)明的撓曲件還包括第一跨接導(dǎo)體，該第一跨接導(dǎo)體在樹脂層的第一表面上 形成成與金屬基部平齊，并與金屬基部電絕緣，通過相對于樹脂層厚度方向穿透樹脂層的 第一端子與第一導(dǎo)體分支部分連接，并通過相對于樹脂層厚度方向穿透樹脂層的第二端子 與第二交錯導(dǎo)體連接；以及第二跨接導(dǎo)體，該第二跨接導(dǎo)體在樹脂層的第一表面上形成成 與金屬基部平齊，并與金屬基部電絕緣，通過相對于樹脂層厚度方向穿透樹脂層的第三端 子與第二導(dǎo)體連結(jié)部分連接，并通過相對于樹脂層厚度方向穿透樹脂層的第四端子與第四 交錯導(dǎo)體連接。第一跨接導(dǎo)體和第二跨接導(dǎo)體分別相對于沿每個交錯導(dǎo)體的接線方向延伸 的軸線成小于45°的角。根據(jù)該布置，與金屬基部平齊的第一和第二跨接導(dǎo)體相對于沿每個交錯導(dǎo)體的接 線方向延伸的軸線成45°或更小的角度。因此，可減小高頻衰減，且可實現(xiàn)適于高速數(shù)據(jù)傳 輸?shù)慕诲e電路。此外，放大器側(cè)第一導(dǎo)體和第二交錯導(dǎo)體通過與金屬基部平齊的第一跨接導(dǎo)體彼 此導(dǎo)電。此外，磁頭側(cè)第二導(dǎo)體和第四交錯導(dǎo)體通過與金屬基部平齊的孤立的第二跨接導(dǎo) 體彼此導(dǎo)電。因此，跨接導(dǎo)體并未相對于交錯電路的厚度向外突出。如果跨接導(dǎo)體通過部 分蝕刻金屬基部形成，可不增加用于跨接導(dǎo)體的部件的數(shù)量，且跨接導(dǎo)體的相應(yīng)表面可做 成與金屬基部的表面平齊。較佳的是，在本發(fā)明中，第一和第二跨接導(dǎo)體中的每個是通過部分蝕刻金屬基部 形成的孤立部分。此外，較佳的是，第一和第二跨接導(dǎo)體的相應(yīng)角度相等。在本發(fā)明中，撓曲件還可包括第一彎曲部分，該第一彎曲部分形成在第一導(dǎo)體分 支部分與第一交錯導(dǎo)體之間并相對于軸線與第一跨接導(dǎo)體相反地彎曲；以及第二彎曲部 分，該第二彎曲部分形成在第二導(dǎo)體連結(jié)部分與第三交錯導(dǎo)體之間并相對于軸線與第二跨 接導(dǎo)體相反地彎曲。此外，形成在交錯電路一端部分上的交錯分支部分和形成在交錯電路的另一端部 上的交錯連結(jié)部分可相對于交錯電路的縱向中點點對稱。在下面的說明書中將提出本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點，這些其它目的和優(yōu)點部分地將從說明書中變得明顯，或可通過對本發(fā)明的實踐來學(xué)到。借助于在下文中特別指出的手 段和組合，可實現(xiàn)和達到本發(fā)明的目的和優(yōu)點。


包含于此并構(gòu)成本說明書一部分的附圖示出本發(fā)明的實施例，它與上面給出的總 體描述和下面給出的對實施例的詳細描述一起用來揭示本發(fā)明的原理。圖1是示出具有懸架的盤驅(qū)動器的實例的立體圖；圖2是圖1所示盤驅(qū)動器的局部剖視圖；圖3是包括根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的磁盤驅(qū)動器撓曲件的磁頭萬向架組件的 平面圖；圖4是圖3所示盤驅(qū)動器撓曲件的交錯電路的局部放大平面圖；圖5沿圖4的線F5-F5截取的交錯電路部分的剖視圖；圖6沿圖4的線F6-F6截取的交錯分支部分的剖視圖；圖7沿圖4的線F7-F7截取的交錯接頭部分的剖視圖；圖8是典型地示出圖4所示交錯電路的電路圖；圖9是示出流過圖8所示交錯電路的第一和第二交錯導(dǎo)體的電流相位的曲線圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的交錯電路的局部平面圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的交錯電路的局部平面圖；圖12是示出第一比較實例的交錯電路的局部平面圖；圖13是示出第二比較實例的交錯電路的局部平面圖；圖14是示出第三比較實例的交錯電路的局部平面圖；圖15是示出跨接導(dǎo)體的帶寬與角度之間關(guān)系的曲線圖；圖16是典型地示出常規(guī)交錯電路的電路連線圖；以及圖17是示出圖16所示交錯電路的電流之間相位差的曲線圖。
具體實施例方式現(xiàn)將參照圖1至9描述本發(fā)明的第一實施例。圖1中所示的硬盤驅(qū)動器(此后稱為“硬盤”)包括殼體2、磁盤4、托架6、定位電 動機7。磁盤4可圍繞心軸3旋轉(zhuǎn)。托架6可圍繞樞軸5轉(zhuǎn)動。定位電動機7使托架6轉(zhuǎn) 動。殼體2由蓋(未示出)覆蓋。圖2是典型地示出盤驅(qū)動器1的一部分的剖視圖。如圖2所示，托架6包括多個 (例如三個)致動臂8。各懸架10分別安裝在致動臂8的相應(yīng)遠端部分上。構(gòu)成磁頭的浮 塊11設(shè)置在每個懸架10的遠端上。如果磁盤4圍繞心軸3高速旋轉(zhuǎn)，則在磁盤4與浮塊11之間形成空氣軸承。如果 通過定位電動機7移動托架6，則每個浮塊11移動到盤4的所要求的軌道。浮塊11包括諸 如MR構(gòu)件之類的能夠進行電信號與磁信號之間轉(zhuǎn)換的構(gòu)件?？山柚谶@些構(gòu)件訪問數(shù)據(jù)， 即在盤4的記錄表面寫入或讀取數(shù)據(jù)。圖3示出包括懸架10的磁頭萬向架組件的實例。懸架10包括基板20、負載梁21 和由薄彈簧板形成的鉸接件22?；?0的凸臺部分20a固定到致動臂8。
懸架10設(shè)有具有導(dǎo)體的撓曲件30。此后具有導(dǎo)體的撓曲件30簡稱為撓曲件30。 撓曲件30沿負載梁21定位。撓曲件30和負載梁21的交疊部分30a通過諸如激光焊接的 固定方法彼此固定。用作萬向架部分的舌狀件31形成在撓曲件30的遠端附近。浮塊11 安裝在該舌部31上。撓曲件30的后部(尾部)30b朝向放大器35延伸，該放大器位于基 板20后面。撓曲件30包括相對于其縱向(或沿圖3中箭頭L所指示的方向)延伸的導(dǎo)電的 電路部分40。電路部分40的一端通過電路板或連結(jié)電路(未示出)電連接到盤驅(qū)動器1 的放大器35(圖3)。電路部分40的另一端電連接到用作磁頭的浮塊11的構(gòu)件。交錯電路41形成在導(dǎo)體電路部分40的縱向部分上。圖4示出交錯分支部分42和交錯連結(jié)部分43。交錯分支部分42形成在交錯電 路41的一端部分上。交錯連結(jié)部分43形成在交錯電路41的另一端部分上。稍后將詳細 描述交錯分支部分42和交錯連結(jié)部分43。圖5是示出撓曲件30的導(dǎo)電電路部分40的一部分的剖視圖。導(dǎo)體電路部分40包 括由金屬板制成的金屬基部50、電絕緣樹脂層51、用于寫入的第一和第二導(dǎo)體件55和56、 覆蓋層57等。樹脂層51形成在金屬基部50上。覆蓋層57由諸如聚酰亞胺的電絕緣樹脂 制成并覆蓋導(dǎo)體件55和56。圖5中箭頭Z表示金屬基部50、樹脂層51以及導(dǎo)體件55和 56的厚度方向。圖3所示的撓曲件30省略了覆蓋層57的一部分。金屬基部50由諸如不銹鋼板之類的金屬板制成。金屬基部50比負載梁21薄，且 例如為15至20 μ m厚。負載梁21例如為30至62 μ m厚。樹脂層51具有與金屬基部50接觸的第一表面51a和從金屬基部50反面定位的第 二表面51b。第一和第二導(dǎo)體件55和56彼此平行地形成在樹脂層51的第二表面51b上。 樹脂層51的厚度的實例是10 μ m,而覆蓋層57的厚度約為3 μ m。第一和第二導(dǎo)體件55和56由諸如沉積的銅之類的高導(dǎo)電金屬制成。導(dǎo)體件55 和56分別通過沿樹脂層51的第二表面51b蝕刻而形成預(yù)定圖案?；蛘?，導(dǎo)體件55和56 可通過不涉及蝕刻的電鍍形成預(yù)定圖案。第一和第二導(dǎo)體件55和56相對于撓曲件30是 縱向連續(xù)的。導(dǎo)體件55和56中每個的厚度實例是10 μ m。撓曲件30還包括一對讀取導(dǎo)體 (未示出)。交錯電路41形成在導(dǎo)電電路部分40的縱向部分上。圖4示出交錯分支部分42 和交錯連結(jié)部分43。交錯分支部分42形成在交錯電路41的一端部分上。交錯連結(jié)部分 43形成在交錯電路41的另一端部分上。交錯分支和連結(jié)部分42和43布置成相對于交錯 電路41的縱向中點C(圖4)大致對稱。圖4所示的第一導(dǎo)體件55包括放大器側(cè)第一導(dǎo)體55a、磁頭側(cè)第一導(dǎo)體55b、第一 交錯導(dǎo)體61以及第二交錯導(dǎo)體62。放大器側(cè)第一導(dǎo)體55a連接到放大器35 (圖3)。磁頭 側(cè)第一導(dǎo)體55b連接到磁頭(浮塊11)的構(gòu)件。第二導(dǎo)體件56包括連接到放大器35的放大器側(cè)第二導(dǎo)體56a、連接到磁頭(浮 塊11)的構(gòu)件的磁頭側(cè)第二導(dǎo)體56b、第三交錯導(dǎo)體63以及第四交錯導(dǎo)體64。交錯導(dǎo)體63 至64彼此平行布置。交錯電路41具有相對于交錯導(dǎo)體61至64(或參考接線方向)縱向 延伸的軸線X。交錯導(dǎo)體61至64沿軸線X相對于撓曲件30縱向延伸。第一交錯導(dǎo)體61形成于放大器側(cè)第一導(dǎo)體55a與磁頭側(cè)第一導(dǎo)體55b之間。第
7一交錯導(dǎo)體61通過第一導(dǎo)體分支部分71與放大器側(cè)第一導(dǎo)體55a連接。此外，第一和第 二交錯導(dǎo)體61和62通過第一導(dǎo)體連結(jié)部分72與磁頭側(cè)第一導(dǎo)體55b連接。第三交錯導(dǎo)體63形成于放大器側(cè)第二導(dǎo)體56a與磁頭側(cè)第二導(dǎo)體56b之間。第 三交錯導(dǎo)體63通過第二導(dǎo)體分支部分75與放大器側(cè)第二導(dǎo)體56a連接。此外，第三交錯 導(dǎo)體63通過第二導(dǎo)體分支部分76與磁頭側(cè)第二導(dǎo)體56b連接。第四交錯導(dǎo)體64通過第 二導(dǎo)體分支部分75與放大器側(cè)第二導(dǎo)體56a連接。第四交錯導(dǎo)體64定位在第一和第二交錯導(dǎo)體61和62之間并平行于第一和第二 交錯導(dǎo)體61和62。第二交錯導(dǎo)體62定位在第三和第四交錯導(dǎo)體63和64之間并平行于第 三和第四交錯導(dǎo)體63和64。圖6是示出交錯分支部分42的剖視圖。在圖6所示的實例中，并不存在相對于撓 曲件30厚度方向的負載梁21。但是，根據(jù)交錯電路41的位置，也可能存在相對于撓曲件 30厚度方向的負載梁21。交錯分支部分42包括由導(dǎo)電材料制成的第一和第二端子81和82以及第一跨接 導(dǎo)體91。第一和第二端子81和82分別相對于樹脂層51的厚度方向穿透樹脂層51。端子 81和82與通過電鍍形成的導(dǎo)體件55和56同時形成。具體地說，端子81和82由與導(dǎo)體件 55和56相同的材料制成。但是，替代地，端子81和82也可通過沉積而由與導(dǎo)體件55和 56不同的材料制成。第一跨接導(dǎo)體91在樹脂層51的第一表面51a上形成為與金屬基部50平齊。第一 跨接導(dǎo)體91由與金屬基部50共用的金屬材料(不銹鋼板)制成。該導(dǎo)體91是孤立的且 與金屬基部50電絕緣。第一跨接導(dǎo)體91通過第一端子81與第一導(dǎo)體分支部分71導(dǎo)電。 此外，導(dǎo)體91通過第一端子82與第二交錯導(dǎo)體62導(dǎo)電。圖7是示出交錯連結(jié)部分43的剖視圖。在圖7所示的實例中，存在相對于撓曲件 30厚度方向的負載梁21。但是，根據(jù)交錯電路41的位置，也可能不存在相對于撓曲件30 厚度方向的負載梁21。交錯連結(jié)部分43形成在撓曲件30的與負載梁21交疊的整個縱向 長度的部分30a處。交錯連結(jié)部分43包括由導(dǎo)電材料制成的第三和第四端子83和84以 及第二跨接導(dǎo)體92。第三和第四端子83和84分別相對于樹脂層51的厚度方向穿透樹脂層51。端子 83和84例如由與通過電鍍形成的導(dǎo)體件55和56相同的材料來制成。但是，替代地，端子 83和84也可通過沉積由與導(dǎo)體件55和56不同的材料制成。第二跨接導(dǎo)體92像第一跨接導(dǎo)體91那樣在樹脂層51的第一表面51a上形成為 與金屬基部50平齊。第二跨接導(dǎo)體92由與金屬基部50共用的金屬材料(不銹鋼板)制 成。該導(dǎo)體92是孤立的且與金屬基部50電絕緣。第二跨接導(dǎo)體92通過第三端子83與第 二導(dǎo)體連結(jié)部分76導(dǎo)電。此外，導(dǎo)體92通過第四端子84與第四交錯導(dǎo)體64導(dǎo)電。如圖7所示，交錯連結(jié)部分43形成在撓曲件30的與負載梁21交疊的部分30a處。 因此，負載梁21在與第二跨接導(dǎo)體92相對的位置形成有凹陷100。凹陷100用于確保第二 跨接導(dǎo)體92和負載梁21之間的電絕緣空間G。通過例如半蝕刻負載梁21的一部分而形成 凹陷100。還可相對于厚度方向穿透負載梁21形成開口(通孔)來代替形成凹陷100。第一和第二跨接導(dǎo)體91和92分別通過部分蝕刻金屬基部50來形成。具體地說， 如相對于金屬基部50垂直觀察的那樣，通過連續(xù)的環(huán)形狹槽95和96限定導(dǎo)體91和92的相應(yīng)輪廓。因此，與金屬基部50電絕緣的孤立的跨接導(dǎo)體91和92通過部分蝕刻作為金屬 基部50的材料的不銹鋼板來形成。在該情況下，每個跨接導(dǎo)體91和92與金屬基部50 — 樣厚。因而，導(dǎo)體91和92的相應(yīng)表面與金屬基部50的表面平齊。因此，導(dǎo)體91和92并 未相對于金屬基部50的厚度向外突出。如圖4所示，第一跨接導(dǎo)體91相對于交錯電路41的軸線X成30°的θ 1角度。 軸線X相對于交錯電路41(或沿基準(zhǔn)接線方向)縱向延伸。第一彎曲部分111形成于第一 交錯導(dǎo)體61與第一導(dǎo)體分支部分71之間。第一彎曲部分111相對于軸線X背向第一跨接 導(dǎo)體91彎曲。第二跨接導(dǎo)體92也相對于軸線X成30°的θ 2角度。第二彎曲部分112形成于 第三交錯導(dǎo)體63與第二導(dǎo)體連結(jié)部分76之間。第二彎曲部分112相對于軸線X背向第二 跨接導(dǎo)體92彎曲。在這樣構(gòu)造的交錯電路41中，第一和第二跨接導(dǎo)體91和92通過部分蝕刻金屬基 部50形成獨立的孤立形狀。因此，盡管布置了跨接導(dǎo)體91和92，也可防止交錯電路41變厚。圖8是典型地示出本實施例的交錯電路的電路連線圖。交錯電路41包括第一和 第二交錯導(dǎo)體61和62的相應(yīng)的中點Ml和Μ2。圖9示出分別在中點Ml和Μ2測得的電流 波形Al和Α2。本實施例的交錯電路41的波形與常規(guī)交錯電路的波形(圖17)相比，具有 包括較小相位差的更好的電特性。圖10示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的交錯電路41。在該實施例的情況下，第一和 第二跨接導(dǎo)體91和92的角度0 1和0 2是0°。由于交錯電路41的其它構(gòu)造與第一實施 例的構(gòu)造相同，所以使用共同的附圖標(biāo)記來標(biāo)示第一和第二實施例的共同部分，并省略對 這些部分的描述。圖11示出根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的交錯電路41。在該實施例的情況下，第一和 第二跨接導(dǎo)體91和92的角度Θ1和Θ2是45°。由于交錯電路41的其它構(gòu)造與第一實 施例的構(gòu)造相同，所以使用共同的附圖標(biāo)記來標(biāo)示第一和第三實施例的共同部分，并省略 對這些部分的描述。圖12示出根據(jù)第一比較實例的交錯電路41'的交錯分支部分42。交錯連結(jié)部分 (未示出)形成成與交錯分支部分42點對稱。第一比較實例的跨接導(dǎo)體91和92的角度 θ 1 禾口 θ 2 是 60°。圖13示出根據(jù)第二比較實例的交錯電路41'的交錯分支部分42。交錯連結(jié)部分 (未示出)形成成與交錯分支部分42點對稱。第二比較實例的跨接導(dǎo)體91和92的角度 θ 1 禾口 θ 2 是 90°。圖14示出根據(jù)第三比較實例的交錯電路41'的交錯分支部分42。交錯連結(jié)部分 (未示出)形成成與交錯分支部分42點對稱。第三比較實例的跨接導(dǎo)體91和92的角度 θ 1 禾口 θ 2 是 120°。圖15示出跨接導(dǎo)體91和92的角度θ 1和θ 2與允許傳輸損失為3dB的帶寬之 間的關(guān)系。帶寬越高，可能的數(shù)據(jù)傳輸?shù)拿芏仍礁?。在上述實施例之外，角度?1和θ 2為 0°的第二實施例(圖10)的帶寬高約23.0GHz，代表適于高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娞匦?。此外，在角度?1和θ 2為30°的第一實施例(圖4)的情況下獲得了更高的帶
9寬。此外，在角度θ 1和θ 2為45°的第三實施例(圖11)的情況下獲得了 23GHz或更高 的帶寬。另一方面，在角度Θ1和Θ2為60°的第一比較實例(圖12)中，帶寬比第一至第 三實施例(θ 1和θ 2為45° )中低得多。θ 1和θ 2為90°的第二比較實例(圖13)中 的帶寬大致等于第一比較實例中的帶寬。θ 1和θ 2為120°的第三比較實例(圖14)中 的帶寬比第一和第二比較實例中的帶寬更低。因此，跨接導(dǎo)體91和92相對于交錯導(dǎo)體61至64的接線方向延伸的軸線X以小 于45°的其相應(yīng)角度Θ1和θ 2彎曲是理想的。在第一至第三實施例的交錯電路41中，跨 接導(dǎo)體91和92相對于軸線X以其小于45°的相應(yīng)角度Θ1和θ 2傾斜。此外，第一和第 二跨接導(dǎo)體91和92的角度Θ1和Θ2相等。因而，第一至第三實施例的交錯電路41適于 在高頻帶內(nèi)進行數(shù)據(jù)傳輸。 在第一至第三實施例中，第一跨接導(dǎo)體91形成為與金屬基部50平齊，金屬基部50 與交錯導(dǎo)體61和64相對布置，樹脂層51在金屬基部50與交錯導(dǎo)體61和64之間。第二 跨接導(dǎo)體92也形成為與金屬基部50平齊，金屬基部50與交錯導(dǎo)體61和64相對布置，樹 脂層51在金屬基部50與交錯導(dǎo)體61和64之間。因此，包括跨接導(dǎo)體91和92的導(dǎo)電路 徑分別曲拐成通過跨接導(dǎo)體91和92的高頻電流與不通過跨接導(dǎo)體91和92的高頻電流之 間產(chǎn)生相位差。因此，在第一至第三實施例中，用于使相應(yīng)導(dǎo)電路徑延伸的第一彎曲部分111形 成于第一交錯導(dǎo)體61與第一導(dǎo)體分支部分71之間。此外，第二彎曲部分112形成于第三 交錯導(dǎo)體63與第二導(dǎo)體連結(jié)部分76之間。因此，可減小該相位差。根據(jù)如上所述本發(fā)明的交錯電路41，可降低高頻衰減，且所獲得的撓曲件30適于 高速數(shù)據(jù)傳輸。此外，放大器側(cè)第一導(dǎo)體55a和第二交錯導(dǎo)體62通過與金屬基部50平齊 的第一跨接導(dǎo)體91彼此導(dǎo)電。此外，磁頭側(cè)第二導(dǎo)體56b和第四交錯導(dǎo)體64通過與金屬 基部50平齊的第二跨接導(dǎo)體92彼此導(dǎo)電。因此，跨接導(dǎo)體91和92并未相對于交錯電路 41的厚度向外突出。此外，因為跨接導(dǎo)體91和92通過部分蝕刻金屬基部50形成，所以不 需要用于導(dǎo)體91和92的專用部件。此外，導(dǎo)體91和92的相應(yīng)表面可做成與金屬基部50 的表面平齊。應(yīng)當(dāng)理解，在實施本發(fā)明時，包括第一和第二導(dǎo)體件、交錯分支和連結(jié)部分、交錯 導(dǎo)體等以及構(gòu)成撓性件的金屬基部和樹脂層在內(nèi)的本發(fā)明構(gòu)成部件可實施為各種更改形 式而不偏離本發(fā)明的范圍和精神。對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說還可易于有其它優(yōu)點和更改。因此，本發(fā)明在其更廣泛 方面并不限于本文所示和所述的具體細節(jié)和代表性實施例。因而，可進行各種更改而不偏 離所附權(quán)利要求書和其同等物所限定的總體發(fā)明概念的精神和范圍。
權(quán)利要求
一種盤驅(qū)動器撓曲件，其特征在于，包括金屬基部(50)，所述金屬基部(50)由金屬板制成；電絕緣樹脂層(51)，所述電絕緣樹脂層(51)形成在所述金屬基部(50)上并包括與所述金屬基部(50)接觸的第一表面(51a)和與所述金屬基部(50)相對定位的第二表面(51b)第一導(dǎo)體件(55)，所述第一導(dǎo)體件(55)設(shè)置在所述樹脂層(51)的所述第二表面(51b)上；以及第二導(dǎo)體件(56)，所述第二導(dǎo)體件(56)平行于所述第一導(dǎo)體件(55)設(shè)置在所述樹脂層(51)的所述第二表面(51b)上。所述第一導(dǎo)體件(55)包括放大器側(cè)第一導(dǎo)體(55a)，所述放大器側(cè)第一導(dǎo)體(55a)連接到放大器(35)；磁頭側(cè)第一導(dǎo)體(55b)，所述磁頭側(cè)第一導(dǎo)體(55b)連接到磁頭(11)；第一交錯導(dǎo)體(61)，所述第一交錯導(dǎo)體(61)形成于所述放大器側(cè)第一導(dǎo)體(55a)與所述磁頭側(cè)第一導(dǎo)體(55b)之間，通過第一導(dǎo)體分支部分(71)連接到所述放大器側(cè)第一導(dǎo)體(55a)，并通過第一導(dǎo)體連結(jié)部分(72)連接到所述磁頭側(cè)第一導(dǎo)體(55b)；以及第二交錯導(dǎo)體(62)，所述第二交錯導(dǎo)體(62)平行于所述第一交錯導(dǎo)體(61)延伸并通過所述第一導(dǎo)體連結(jié)部分(72)連接到所述磁頭側(cè)第一導(dǎo)體(55b)所述第二導(dǎo)體件(56)包括放大器側(cè)第二導(dǎo)體(56a)，所述放大器側(cè)第二導(dǎo)體(56a)連接到所述放大器(35)；磁頭側(cè)第二導(dǎo)體(56b)，所述磁頭側(cè)第二導(dǎo)體(56b)連接到所述磁頭(11)；第三交錯導(dǎo)體(63)，所述第三交錯導(dǎo)體(63)形成于所述放大器側(cè)第二導(dǎo)體(56a)與所述磁頭側(cè)第二導(dǎo)體(56b)之間，通過第二導(dǎo)體分支部分(75)連接到所述放大器側(cè)第二導(dǎo)體(56a)，并通過第二導(dǎo)體連結(jié)部分(76)連接到所述磁頭側(cè)第二導(dǎo)體(56b)；以及第四交錯導(dǎo)體(64)，所述第四交錯導(dǎo)體(64)位于所述第一交錯導(dǎo)體(61)與所述第二交錯導(dǎo)體(62)之間、并平行于所述第一交錯導(dǎo)體(61)和所述第二交錯導(dǎo)體(62)并通過所述第二導(dǎo)體分支部分(75)連接到所述放大器側(cè)第二導(dǎo)體(56a)；所述撓曲件還包括第一跨接導(dǎo)體(91)，所述第一跨接導(dǎo)體(91)在所述樹脂層的所述第一表面(51a)上形成為與所述金屬基部(50)平齊，并與所述金屬基部(50)電絕緣，通過相對于所述樹脂層(51)的厚度方向穿透所述樹脂層(51)的第一端子(81)與所述第一導(dǎo)體分支部分(71)連接，并通過相對于所述樹脂層(51)的厚度方向穿透所述樹脂層(51)的第二端子(82)與所述第二交錯導(dǎo)體(62)連接；以及第二跨接導(dǎo)體(92)，所述第二跨接導(dǎo)體(92)在所述樹脂層的所述第一表面(51a)上形成為與所述金屬基部(50)平齊，并與所述金屬基部(50)電絕緣，通過相對于所述樹脂層(51)的厚度方向穿透所述樹脂層(51)的第三端子(83)與所述第二導(dǎo)體連結(jié)部分(76)連接，并通過相對于所述樹脂層(51)的厚度方向穿透所述樹脂層(51)的第四端子(84)與所述第四交錯導(dǎo)體(64)連接；所述第一跨接導(dǎo)體(91)和所述第二跨接導(dǎo)體(92)分別相對于沿每個所述交錯導(dǎo)體(61-64)的接線方向延伸的軸線(X)成小于45°的角度(θ1，θ2)。
2.如權(quán)利要求1所述的盤驅(qū)動器撓曲件，其特征在于，所述第一和第二跨接導(dǎo)體(91， 92)中的每個導(dǎo)體都是所述金屬基部(50)的部分蝕刻的孤立部分。
3.如權(quán)利要求1所述的盤驅(qū)動器撓曲件，其特征在于，所述第一跨接導(dǎo)體(91)的所述 角度(θ 1)與所述第二跨接導(dǎo)體(92)的所述角度(θ 2)相等。
4.如權(quán)利要求2所述的盤驅(qū)動器撓曲件，其特征在于，所述第一跨接導(dǎo)體(91)的所述 角度(θ 1)與所述第二跨接導(dǎo)體(92)的所述角度(θ 2)相等。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的盤驅(qū)動器撓曲件，其特征在于，還包括第一彎曲 部分(111)，所述第一彎曲部分(111)形成于所述第一導(dǎo)體分支部分(71)與所述第一交錯 導(dǎo)體(61)之間并相對于所述軸線⑴背向所述第一跨接導(dǎo)體(91)彎曲；以及第二彎曲部 分(112)，所述第二彎曲部分形成于所述第二導(dǎo)體連結(jié)部分(76)與所述第三交錯導(dǎo)體(63) 之間并相對于所述軸線(X)背向所述第二跨接導(dǎo)體(92)彎曲。
全文摘要
第一導(dǎo)體件(55)包括放大器側(cè)第一導(dǎo)體(55a)、磁頭側(cè)第一導(dǎo)體(55b)、以及第一和第二交錯導(dǎo)體(61，62)。第二導(dǎo)體件(56)包括放大器側(cè)第二導(dǎo)體(56a)、磁頭側(cè)第二導(dǎo)體(55b)、以及第三和第四交錯導(dǎo)體(63，64)。第二交錯導(dǎo)體(62)通過第一跨接導(dǎo)體(91)與放大器側(cè)第一導(dǎo)體(55a)連接。第四交錯導(dǎo)體(64)通過第二跨接導(dǎo)體(92)與磁頭側(cè)第二導(dǎo)體(56b)連接?？缃訉?dǎo)體(91，92)通過部分蝕刻金屬基部(50)而形成?？缃訉?dǎo)體(91，92)分別相對于沿每個所述交錯導(dǎo)體(61-64)的接線方向延伸的軸線(X)成小于45°或更小的角度。
文檔編號G11B5/48GK101887731SQ20101018351
公開日2010年11月17日 申請日期2010年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月15日
發(fā)明者荒井肇 申請人:日本發(fā)條株式會社