專利名稱：磁記錄介質(zhì)和磁記錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)和磁記錄裝置，尤其涉及適合利用熱輔助磁記錄來記錄信
息的用途的磁記錄介質(zhì)和磁記錄裝置。
背景技術(shù)：
在硬盤驅(qū)動器(HDD)等的磁記錄裝置的大容量、低成本化中，記錄介質(zhì)中的記錄 密度的提高是必不可少的。HDD是用作為記錄層的磁性薄膜上的磁性粒子(由一個或多個 晶粒構(gòu)成的磁性團簇)的磁化狀態(tài)作為數(shù)據(jù)的位信息的裝置，但為了提高記錄密度，需要 縮小磁性粒子。但是，如果磁性粒子過于縮小，則熱穩(wěn)定性大幅度降低，記錄的磁化方向會 發(fā)生紊亂，記錄的信息會消失，所以把磁性粒子縮小是有限度的，而且認為現(xiàn)狀是已經(jīng)接近 其極限。 如果設(shè)磁各向異性能為Ku、磁性粒子的體積為V，則磁性粒子的磁能用Ku *V表示。 如果與熱能KB *T (KB :玻耳茲曼常數(shù)、T :溫度)相比，磁能足夠大，則保證磁性粒子的磁化的 熱穩(wěn)定性，所以也認為通過在記錄層中使用磁各向異性能Ku比現(xiàn)有技術(shù)大的磁性材料可以 促進磁性粒子的進一步縮小。此時，由于磁各向異性能與磁性粒子的矯頑力成比例，所以此 時為了記錄必須把由磁頭產(chǎn)生的記錄磁場強度增大到現(xiàn)有技術(shù)以上。但是，即使增大記錄 磁場強度，記錄磁場強度現(xiàn)在也已經(jīng)接近其技術(shù)上的極限。 于是，為了解決該問題，近年來開始研究熱輔助磁記錄方式。它是這樣一種記錄方 式，即，利用磁性材料的矯頑力在成為高溫時降低的現(xiàn)象，通過使用磁各向異性能大的磁性 材料并在記錄時用激光等加熱磁性粒子，即使用現(xiàn)有程度的記錄磁場強度也能夠進行磁記 錄，通過隨后的冷卻以高的矯頑力保證了熱穩(wěn)定性。但為了使熱輔助磁記錄方式實用化，問 題也很多(參照非專利文獻1)?！捶菍＠墨I1>莊野敬二、押木滿雅，"熱輔助磁記錄的現(xiàn)狀和問題"，日本應(yīng)用磁 學會會刊，2005年，第29巻第l期，第5 13頁。 為了使熱輔助磁記錄方式實用化，有效的磁性粒子的加熱、冷卻法是特別重要的 問題。如果解決不了該問題，則加熱、記錄后的磁性粒子保持高溫而降低熱穩(wěn)定性，或者熱 還傳導到為了記錄而加熱了的磁性粒子周邊的磁性粒子而使周邊磁性粒子的熱穩(wěn)定性降 低，記錄的信息消失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決上述問題而提出的，其目的在于提供在使用熱輔助記錄方式 的HDD用磁記錄介質(zhì)中，為了磁記錄而高效率地加熱、冷卻記錄層內(nèi)的磁性粒子，且確保記 錄時被加熱的磁性粒子及該磁性粒子的周邊磁性粒子的熱穩(wěn)定性，抑制磁記錄消失，且高 密度、高可靠性的磁記錄介質(zhì)和使用了它的磁記錄裝置。 本發(fā)明的使用熱輔助記錄方式的HDD用磁記錄介質(zhì)，在記錄層的上部配置由具有 不同熱傳導率的多個材料構(gòu)成的熱傳導層，此時，在記錄層的數(shù)據(jù)記錄區(qū)上部配置由多個材料中的熱傳導率最高的材料構(gòu)成的薄膜。然后，在熱傳導層內(nèi)，在由高熱傳導率材料構(gòu)成 的薄膜之間配置由與多個材料中的熱傳導率最高的材料相比熱傳導率相對較低的材料構(gòu) 成的薄膜。 由此，在用激光等加熱時，把熱有效地傳導到數(shù)據(jù)記錄區(qū)，在非加熱時從數(shù)據(jù)記錄 區(qū)有效地除去熱。 根據(jù)本發(fā)明，能夠提供在使用熱輔助記錄方式的HDD用磁記錄介質(zhì)中，為了磁記 錄而高效率地加熱、冷卻記錄層內(nèi)的磁性粒子，且確保記錄時被加熱的磁性粒子及該磁性 粒子的周邊磁性粒子的熱穩(wěn)定性，抑制磁記錄消失，且高密度、高可靠性的磁記錄介質(zhì)和使 用了它的磁記錄裝置。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的磁記錄介質(zhì)的徑向的剖面圖。
圖2是磁記錄介質(zhì)8的平面圖。 圖3是示出整面介質(zhì)中的記錄層3的樣子的平面圖。 圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的磁記錄介質(zhì)的熱傳導層的平面圖(其一 )。 圖5是在圖1所示的磁記錄介質(zhì)中，在由高熱傳導率的材料構(gòu)成的薄膜6與由低
熱傳導率的材料構(gòu)成的薄膜7的界面上設(shè)置了擴散阻擋層300時的剖面圖。 圖6是在圖1所示的磁記錄介質(zhì)中，在襯底1與基底層2之間設(shè)置了籽層時的剖面圖。 圖7是在圖6所示的磁記錄介質(zhì)中的基底層2中，構(gòu)成為在第一基底層100與第 二基底層101之間夾著記錄磁化穩(wěn)定化層10時的剖面圖。 圖8是在圖1所示的磁記錄介質(zhì)中，在保護膜5中設(shè)置了由高熱傳導率的材料構(gòu) 成的薄膜6時的剖面圖。 圖9是在圖1所示的磁記錄介質(zhì)中，在保護膜5中設(shè)置了由低熱傳導率的材料構(gòu) 成的薄膜7時的剖面圖。 圖IO是在圖l所示的磁記錄介質(zhì)中，熱傳導層4兼具保護膜5的功能并省略了保 護膜5時的剖面圖。 圖11是根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的磁記錄介質(zhì)的熱傳導層的平面圖(其二)。
圖12是用來說明根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的磁記錄介質(zhì)的制造工序的剖面圖 (其一)。 圖13是用來說明根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的磁記錄介質(zhì)的制造工序的剖面圖 (其二)。 圖14是用來說明根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的磁記錄介質(zhì)的制造工序的剖面圖 (其三)。 圖15是用來說明根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的磁記錄介質(zhì)的制造工序的剖面圖 (其四)。 圖16是包括根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的磁記錄介質(zhì)的磁記錄裝置的立體圖。
圖17是根據(jù)本發(fā)明的實施方式2的磁記錄介質(zhì)的徑向的剖面圖(其一 )。
圖18是根據(jù)本發(fā)明的實施方式2的磁記錄介質(zhì)的徑向的剖面圖(其二 )。
圖19是根據(jù)本發(fā)明的實施方式2的磁記錄介質(zhì)的徑向的剖面圖(其三)。
圖20是根據(jù)本發(fā)明的實施方式2的磁記錄介質(zhì)的徑向的剖面圖(其四)。
圖21是根據(jù)本發(fā)明的實施方式2的磁記錄介質(zhì)的徑向的剖面圖(其五)。
圖22是根據(jù)本發(fā)明的實施方式2的磁記錄介質(zhì)的徑向的剖面圖(其六)。
圖23是根據(jù)本發(fā)明的實施方式2的磁記錄介質(zhì)的徑向的剖面圖(其七)。
圖24是示出離散磁道介質(zhì)中的記錄層的樣子的平面圖。
圖25是根據(jù)本發(fā)明的實施方式3的磁記錄介質(zhì)的徑向的剖面圖(其一 )。
圖26是根據(jù)本發(fā)明的實施方式3的磁記錄介質(zhì)的徑向的剖面圖(其二 )。
圖27是根據(jù)本發(fā)明的實施方式4的磁記錄介質(zhì)的徑向的剖面圖(其一 )。
圖28是根據(jù)本發(fā)明的實施方式4的磁記錄介質(zhì)的徑向的剖面圖(其二 )。
圖29是示出已構(gòu)圖的介質(zhì)中的記錄層的樣子的平面圖。 圖30是根據(jù)本發(fā)明的實施方式5的磁記錄介質(zhì)的圓周方向的剖面圖(其一 )。
圖31是根據(jù)本發(fā)明的實施方式5的磁記錄介質(zhì)的圓周方向的剖面圖(其二 )。
圖32是根據(jù)本發(fā)明的實施方式6的磁記錄介質(zhì)的圓周方向的剖面圖(其一 )。
圖33是根據(jù)本發(fā)明的實施方式6的磁記錄介質(zhì)的圓周方向的剖面圖(其二 )。
(附圖標記說明) 1 :襯底;2、21、100、101、200、201 :基底層;3、22 :記錄層;4 :熱傳導層；5、保護膜;6 :高熱傳導率薄膜；7 :低熱傳導率薄膜；8 :磁記錄介質(zhì)；9 :籽層；10、27 :記錄磁化穩(wěn)定化層；11 :光刻膠；12 :低熱傳導率材料埋入用溝部；13 :主軸；14 :滑塊；15 :懸臂；16 :音圈馬達；17 :信號處理用LSI ;18 :半導體激光用封裝；19 :波導；20、24、26 :軟磁性層；23 :預(yù)涂層；25 :磁耦合層;28、30 :記錄磁道;29、31 :記錄磁道以外的磁道;32、33 :記錄區(qū)；34 :記錄區(qū)以外的區(qū)域；300 :擴散阻擋層。
具體實施例方式
下面，用圖1 33說明根據(jù)本發(fā)明的各實施方式。
(實施方式1) 下面，用圖1 16說明根據(jù)本發(fā)明的實施方式1。 圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的磁記錄介質(zhì)的徑向的剖面圖。 圖2是磁記錄介質(zhì)8的平面圖。 圖3是示出整面介質(zhì)中的記錄層3的樣子的平面圖的一部分。 圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的磁記錄介質(zhì)的熱傳導層的平面圖(其一 )。 圖5是在圖1所示的磁記錄介質(zhì)中，在由高熱傳導率的材料構(gòu)成的薄膜6與由低
熱傳導率的材料構(gòu)成的薄膜7的界面上設(shè)置了擴散阻擋層300時的剖面圖。 圖6是在圖1所示的磁記錄介質(zhì)中，在襯底1與基底層2之間設(shè)置了籽層時的剖面圖。 圖7是在圖6所示的磁記錄介質(zhì)中的基底層2中，構(gòu)成為在第一基底層100與第二基底層101之間夾著記錄磁化穩(wěn)定化層10時的剖面圖。 圖8是在圖1所示的磁記錄介質(zhì)中，在保護膜5中設(shè)置了由高熱傳導率的材料構(gòu)成的薄膜6時的剖面圖。
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圖9是在圖1所示的磁記錄介質(zhì)中，在保護膜5中設(shè)置了由低熱傳導率的材料構(gòu)成的薄膜7時的剖面圖。 圖IO是在圖l所示的磁記錄介質(zhì)中，熱傳導層4兼具保護膜5的功能并省略了保護膜5時的剖面圖。 圖11是根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的磁記錄介質(zhì)的熱傳導層的平面圖(其二 )。
圖12 15是用來說明根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的磁記錄介質(zhì)的制造工序的剖面圖。 圖16是包括根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的磁記錄介質(zhì)的磁記錄裝置的立體圖。 本實施方式的基本的磁記錄介質(zhì)形成為圓片狀，其徑向的剖面圖如圖1所示。它
是圖2的平面圖中的沿A-A'的剖面的一部分。圖l所示的磁記錄介質(zhì)，在襯底l上具有基
底層2，在該基底層2上具有記錄層3。另外，在該記錄層3上形成熱傳導層4，在該熱傳導
層4上形成保護膜5。另外，在保護膜5上涂敷了潤滑材料，但圖中省略了。 如作為其平面圖的一部分的圖3所示，記錄層3的整個面由磁性體構(gòu)成(暫時把
它稱為"整面介質(zhì)")。 另外，熱傳導層4，其特征在于，像表示圖4的磁記錄介質(zhì)的熱傳導層的平面圖的一部分所示那樣，由具有熱傳導率相互不同的多個材料構(gòu)成，在記錄層3內(nèi)的進行數(shù)據(jù)記錄的磁道上部具有由多個材料中的熱傳導率最高的材料構(gòu)成的薄膜(以下也簡稱為"高熱傳導率薄膜")6，熱傳導層內(nèi)的其它部分由多個材料中的熱傳導率比高傳導率材料相對較低的材料構(gòu)成的薄膜(以下也簡稱為"低熱傳導率薄膜")7構(gòu)成。此時，如圖4所示，有高熱傳導率薄膜6被配置成在圓片狀的磁記錄介質(zhì)的徑向上離散而在圓周方向上連續(xù)。由此，通過該高熱傳導率薄膜6，為了記錄數(shù)據(jù)而加熱時把熱有效地傳導到數(shù)據(jù)記錄區(qū)，在非加熱時有效地除去熱。另外，在除了具有記錄時被加熱了的區(qū)域的磁道以外的磁道上，因為在磁道上部的高熱傳導率薄膜6之間配置的低熱傳導率薄膜7而難以傳導熱，可以確保磁性粒子的磁記錄的熱穩(wěn)定性，抑制磁記錄消失。 在此，襯底1是例如玻璃襯底、鋁襯底、鋁合金襯底等。記錄層3由CoCrPt、CoCrPt-Si(^等、磁性合金、磁性合金與氧化物等的顆粒膜、或者向它們添加了添加元素得到的材料等構(gòu)成。另外，基底層2，優(yōu)選地，由包含Cr、W、Mo等、具有體心立方結(jié)構(gòu)的材料構(gòu)成。由此，提供記錄層3的磁性原子的容易磁化軸相對于襯底面在水平方向上取向、水平磁各向異性強、穩(wěn)定的水平磁記錄介質(zhì)。另外，保護膜5由包含類金剛石碳、氧化硅、氮化硅、氧化鋁等的材料形成。另外，由多個材料構(gòu)成的熱傳導層4內(nèi)的高熱傳導率薄膜6由包含銅、銀、金、鋁、金剛石、類金剛石碳、碳納米管等的材料形成，低熱傳導率薄膜7由包含氧化硅、氮化硅、氧化銅、氧化鋁等的材料形成。另外，優(yōu)選地，高熱傳導率薄膜6的材料的熱傳導率比記錄層3的構(gòu)成材料高，低熱傳導率薄膜7的材料的熱傳導率比記錄層3的構(gòu)成材料低。由此，可以有效地進行加熱和記錄后的除熱。另外，優(yōu)選地，熱傳導層4具有例如1 10nm的膜厚。 其次，作為熱傳導層4的另一構(gòu)成，也可以在高熱傳導率薄膜6與低熱傳導率薄膜7的界面區(qū)域、或熱傳導層4與記錄層3的界面區(qū)域、或熱傳導層4與保護膜5的界面區(qū)域中的一個或多個界面上，為了抑制構(gòu)成熱傳導層的材料的擴散而形成擴散阻擋層。例如，在圖1所示的磁記錄介質(zhì)中，在高熱傳導率薄膜6與低熱傳導率薄膜7的整個界面上形成擴散阻擋層300時的徑向的剖面圖如圖5所示。另外，該擴散阻擋層300，例如，由包含氮化鈦、氮化鉭、鎢、釕等的材料構(gòu)成。另外，優(yōu)選地，擴散阻擋層300具有例如1 10nm的膜厚。
其次，本實施方式中的磁記錄介質(zhì)的另一構(gòu)成，也可以是，像圖6中示出其徑向的剖面那樣，在襯底1上具有籽層9，在該籽層9上具有基底層2，在基底層2上具有記錄層3。此時，與沒有籽層9時相比，基底層2的體心立方結(jié)構(gòu)的(100)晶面容易與襯底面平行地生長，因此基底層上的記錄層的磁性原子的容易磁化軸也容易相對于襯底面在水平方向上取向。另外，籽層9由Ni合金等構(gòu)成。或者，也可以是，像圖7中示出其徑向的剖面那樣，在襯底1上具有籽層9，在該籽層9上具有第一基底層IOO，在該第一基底層100上具有由磁性材料構(gòu)成的記錄磁化穩(wěn)定化層IO，而且在該記錄磁化穩(wěn)定化層IO上具有第二基底層101的結(jié)構(gòu)。此時，第二基底層101還起到磁耦合層的作用，通過使記錄磁化穩(wěn)定化層10的磁矩與記錄層3的磁矩反鐵磁性耦合，可以成為熱穩(wěn)定性更好的磁記錄介質(zhì)。另外，雖然圖中未示出，也可以在基底層100上交替地具有多層記錄磁化穩(wěn)定化層和非磁性的磁耦合層。
其次，本實施方式的磁記錄介質(zhì)的保護膜5的另一構(gòu)成，也可以是，像圖8中示出其徑向的剖面那樣，作為保護膜5，使用低熱傳導率的包含氧化硅、氮化硅、氧化鋁等的材料，與熱傳導層4的低熱傳導率薄膜成為一體的結(jié)構(gòu)；像圖9中示出其徑向的剖面那樣，作為保護膜5，使用高熱傳導率的類金剛石碳等的材料，與熱傳導層4的高熱傳導率薄膜成為一體的結(jié)構(gòu)；像圖10中示出其徑向的剖面那樣，作為熱傳導層的高熱傳導率薄膜6的材料，使用能夠兼作保護膜5的類金剛石碳等的材料，作為低熱傳導率薄膜7的材料，使用能夠兼作保護膜的包含氧化硅、氮化硅、氧化鋁等的材料的結(jié)構(gòu)。這些圖8 圖10的結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)，與圖1所示的磁記錄介質(zhì)相比，具有能夠減小工藝的工序數(shù)目的優(yōu)點。
其次，本實施方式中的磁記錄介質(zhì)的另一構(gòu)成，也可以是，像圖11的表示磁記錄介質(zhì)的熱傳導層4的一部分的平面圖所示那樣，熱傳導層4由多個材料構(gòu)成，將記錄層3內(nèi)的進行數(shù)據(jù)記錄的磁道在圓周方向上離散地區(qū)分成磁記錄區(qū)和其它區(qū)域，在磁記錄區(qū)上部具有多個材料中的高熱傳導率薄膜6，熱傳導層4的其它部分由低熱傳導率薄膜7構(gòu)成。此時，如圖11所示，在磁記錄介質(zhì)的徑向、圓周方向上都離散地配置有高熱傳導率薄膜6，能夠僅對于數(shù)據(jù)記錄磁道的磁記錄區(qū)特別有效地加熱、除熱。另外，即使在同一磁道內(nèi)，因為在除了被加熱了的磁記錄區(qū)以外的記錄區(qū)上，在記錄區(qū)上部的高熱傳導率薄膜6之間配置的低熱傳導率薄膜7而難以傳導熱，可以進一步提高磁性粒子的磁記錄的熱穩(wěn)定性。
下面，說明本實施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法的一例。在此，用圖12 圖15說明具有圖6的結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)的制造方法。首先，在襯底1上用鍍敷法、濺射法、CVD(化學汽相沉積)法等形成籽層9。然后，用濺射法、CVD法等依次形成基底層2、記錄層3。此時，為了使各層平坦，也可以用CMP(化學機械拋光)法等。然后，用濺射法、CVD法等，如圖12所示，在記錄層3上形成熱傳導層的高熱傳導率薄膜6，涂敷構(gòu)圖用的光刻膠11 。
然后，用光刻、顯影，如圖13所示，除去要用蝕刻除去的高熱傳導率薄膜6上部的光刻膠ll。然后，如圖14所示，進行蝕刻之后，用丙酮等的溶液除去殘留的光刻膠11。然后，如圖15所示，在形成的溝部12中用濺射法、CVD法等埋入低熱傳導率薄膜7，用CMP法等進行表面的平坦化。然后，用濺射法、CVD法等，形成保護膜5，制造圖6所示的磁記錄介質(zhì)。另外，在實際的制造工藝中，隨后在圖6的介質(zhì)上涂敷潤滑材料，但圖中省略了。
本實施方式的適合熱輔助記錄方式的磁記錄介質(zhì)，以例如圖16所示的方式作為磁記錄裝置使用。圖16具有本實施方式的磁記錄介質(zhì)8、主軸13、磁頭、搭載了加熱元件的滑塊14?；瑝K14被保持在懸臂15上，利用音圈馬達16針對磁盤上的所希望的磁道進行定位。用信號處理用LSI 17處理向磁頭發(fā)送的記錄信號或用磁頭讀出的再生信號。在懸臂上固定半導體激光用封裝18，利用波導19把由它產(chǎn)生的激光傳送到加熱元件，利用由加熱元件產(chǎn)生的近場光加熱磁記錄介質(zhì)的所希望的記錄磁道。
(實施方式2) 下面，用圖17 圖23說明根據(jù)本發(fā)明的實施方式2。 圖17 圖23是根據(jù)本發(fā)明的實施方式2的磁記錄介質(zhì)的徑向的剖面圖。 實施方式1假設(shè)的是，記錄層內(nèi)的磁性原子的容易磁化軸相對于襯底面在水平方
向上取向、記錄磁化朝著水平方向的所謂水平磁記錄方式。 與此相對，本實施方式用于記錄層內(nèi)的磁性原子的容易磁化軸相對于襯底面在垂直方向上取向、記錄磁化朝著垂直方向的所謂垂直磁記錄方式。 本實施方式的基本的磁記錄介質(zhì)形成為圓片狀，其徑向的剖面如圖17所示。它是圖2的平面圖中的沿A-A'的剖面的一部分。圖17所示的磁記錄介質(zhì)，在襯底1上具有軟磁性層20，在軟磁性層20上具有基底層21，在該基底層21上具有記錄層22，然后，在記錄層22上形成有熱傳導層4，在熱傳導層4上形成有保護膜5。另外，在保護膜5上涂敷了潤滑材料，但圖中省略了。 記錄層22是實施方式1的圖3所示的、整個面由磁性體構(gòu)成的整面介質(zhì)。
熱傳導層4，像表示圖4的磁記錄介質(zhì)的熱傳導層4的一部分的平面圖所示那樣，具有與實施方式1的熱傳導層4同樣的結(jié)構(gòu)，通過高熱傳導率薄膜6，為了記錄數(shù)據(jù)而加熱時把熱有效地傳導到數(shù)據(jù)記錄區(qū)，在非加熱時有效地除去熱。另外，在除了具有記錄時被加熱了的區(qū)域的磁道以外的記錄磁道上，因為在記錄磁道上部的高熱傳導率薄膜6之間配置的低熱傳導率薄膜7而難以傳導熱，可以確保磁性粒子的磁記錄的熱穩(wěn)定性，抑制磁記錄消失。襯底1是例如玻璃襯底、鋁襯底、鋁合金襯底等。軟磁性層20由NiFe、FeTaC、CoTaZr等、鐵合金、鎳合金、鈷合金等構(gòu)成。另外，記錄層22由CoCrPt、CoCrPt-Si02等、磁性合金、磁性合金與氧化物等的顆粒膜、或者向它們添加了添加元素得到的材料等構(gòu)成。另外，基底層21，優(yōu)選地，由包含Ru、0s、Re等、具有密排六方結(jié)構(gòu)的材料構(gòu)成。由此，提供記錄層的磁性原子的容易磁化軸相對于襯底面在垂直方向上取向、垂直磁各向異性強、穩(wěn)定的垂直磁記錄介質(zhì)。另外，保護膜5由包含類金剛石碳、氧化硅、氮化硅、氧化鋁等的材料形成。另外，優(yōu)選地，熱傳導層4是與實施方式1同樣的材料構(gòu)成。由此，可以有效地進行加熱和記錄后的除熱。另外，優(yōu)選地，熱傳導層4具有例如1 10nm的膜厚。 其次，作為熱傳導層4的另一構(gòu)成，也可以在高熱傳導率薄膜6與低熱傳導率薄膜7的界面區(qū)域、或熱傳導層4與記錄層3的界面區(qū)域、或熱傳導層4與保護膜5的界面區(qū)域中的一個或多個界面上，為了抑制構(gòu)成熱傳導層的材料的擴散而形成擴散阻擋層。另外，該擴散阻擋層，例如，由包含氮化鈦、氮化鉭、鎢、釕等的材料構(gòu)成。另外，優(yōu)選地，擴散阻擋層具有例如1 10nm的膜厚。 其次，本實施方式中的磁記錄介質(zhì)的另一構(gòu)成，也可以是，像圖18中示出其徑向的剖面那樣，在襯底1上具有預(yù)涂層23，在該預(yù)涂層23上具有軟磁性層20，在該軟磁性層20上具有基底層21，在該基底層上具有記錄層22，然后在記錄層22上形成有熱傳導層4，在熱傳導層4上形成有保護膜5的結(jié)構(gòu)。在襯底1是玻璃襯底時，預(yù)涂層23是NiTa、NiTaZr等的合金；在襯底1是鋁襯底、鋁合金襯底時，由與這些襯底材料組成不同的鋁合金等構(gòu)成。此時，與沒有預(yù)涂層23時相比，提高與襯底的緊密結(jié)合性。 其次，本實施方式中的磁記錄介質(zhì)的另一構(gòu)成，也可以是，像圖19中示出其徑向的剖面圖那樣，在襯底1上具有預(yù)涂層23，在該預(yù)涂層23上具有第一軟磁性層24，在該第一軟磁性層24上具有磁耦合層25，在該磁耦合層25上具有第二軟磁性層26，在該第二軟磁性層26上具有基底層21，在該基底層21上具有記錄層22，然后在記錄層22上形成有熱傳導層4，在該熱傳導層4上形成有保護膜5的結(jié)構(gòu)。此時，通過使第一軟磁性層24的磁矩與第二軟磁性層26的磁矩反鐵磁性耦合，能夠降低來自軟磁性層的磁噪聲。另外，上述磁耦合層25由包含Ru、Os、Re等的非磁性材料構(gòu)成。另外，雖然圖中未示出，也可以在預(yù)涂層23上交替地具有多層軟磁性層和磁耦合層。 其次，本實施方式中的磁記錄介質(zhì)的另一構(gòu)成，也可以是，像圖20中示出其徑向的剖面圖那樣，在第一基底層200上具有由磁性材料構(gòu)成的記錄磁化穩(wěn)定化層27，在該記錄磁化穩(wěn)定化層27上具有第二基底層201的結(jié)構(gòu)。此時，第二基底層201還起到磁耦合層的作用，通過使記錄磁化穩(wěn)定化層27的磁矩與記錄層22的磁矩反鐵磁性耦合，可以成為熱穩(wěn)定性更好的磁記錄介質(zhì)。另外，雖然圖中未示出，也可以在第一基底層200上交替地具有多層記錄磁化穩(wěn)定化層和非磁性的磁耦合層。 其次，本實施方式的磁記錄介質(zhì)的保護膜5的另一構(gòu)成，在圖17所示的記錄介質(zhì)的構(gòu)成中，也可以是，像圖21中示出其徑向的剖面圖那樣，作為保護膜5，使用低熱傳導率的包含氧化硅、氮化硅、氧化鋁等的材料，與熱傳導層的低熱傳導率薄膜成為一體的結(jié)構(gòu)；像圖22中示出其徑向的剖面那樣，作為保護膜5，使用高熱傳導率的類金剛石碳等的材料，與熱傳導層的高熱傳導率薄膜成為一體的結(jié)構(gòu)；像圖23中示出其徑向的剖面那樣，作為熱傳導層的高熱傳導率薄膜6的材料，使用能夠兼作保護膜的類金剛石碳等的材料，作為低熱傳導率薄膜7的材料，使用能夠兼作保護膜的包含氧化硅、氮化硅、氧化鋁等的材料的結(jié)構(gòu)。另外，這些圖21 圖23的結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)，與圖17所示的磁記錄介質(zhì)相比，具有能夠減小工藝的工序數(shù)目的優(yōu)點。 另外，本實施方式中的磁記錄介質(zhì)，也可以是，像圖11的表示磁記錄介質(zhì)的熱傳導層4的一部分的平面圖所示那樣，熱傳導層4由多個材料構(gòu)成，將記錄層22內(nèi)的進行數(shù)據(jù)記錄的磁道在圓周方向上區(qū)分成磁記錄區(qū)和其它區(qū)域，在磁記錄區(qū)上部具有多個材料中的高熱傳導率薄膜6，熱傳導層4的其它部分由上述多個材料中的低熱傳導率薄膜7構(gòu)成。此時，具有能夠僅對于數(shù)據(jù)記錄磁道的磁記錄區(qū)特別有效地加熱、除熱的優(yōu)點。另外，即使在同一磁道內(nèi)，在除了被加熱了的磁記錄區(qū)以外的記錄區(qū)上，因為在記錄區(qū)上部的高熱傳導率薄膜之間配置的低熱傳導率材料而難以傳導熱，可以進一步提高磁性粒子的磁記錄的熱穩(wěn)定性。 本實施方式的磁記錄介質(zhì)能夠用例如，與實施方式1中記載的方法類似的制造方法制造。另外，本實施方式的磁記錄介質(zhì)，與實施方式1同樣地，以例如圖16所示的方式作為磁記錄裝置使用。[OOSS](實施方式3) 下面，用圖24 圖26說明根據(jù)本發(fā)明的實施方式3。
圖24是示出離散磁道介質(zhì)中的記錄層的樣子的平面圖的一部分。 圖25和圖26是根據(jù)本發(fā)明的實施方式3的磁記錄介質(zhì)的徑向的剖面圖。 實施方式1中，磁記錄介質(zhì)以水平磁記錄方式記錄，由記錄層3全部用磁性體構(gòu)成
的整面介質(zhì)構(gòu)成。 與此相對，本實施方式是，以水平磁記錄方式記錄，由在記錄層3內(nèi)，記錄磁道的
部分用磁性材料、記錄磁道以外的區(qū)域用非磁性材料的所謂離散磁道介質(zhì)構(gòu)成。 首先，用圖24簡單地說明離散磁道介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。 離散磁道介質(zhì)是，記錄層3的記錄中使用的記錄磁道28用磁性材料、它們之間的 溝狀的記錄磁道以外的部分29用非磁性材料而構(gòu)成的圓片狀的介質(zhì)。該離散磁道介質(zhì)，由 于記錄磁道被磁氣分離地形成，所以能夠減輕相鄰磁道的磁影響和熱波動現(xiàn)象，能夠期待 高的記錄密度。 本實施方式的基本的磁記錄介質(zhì)形成為圓片狀，其徑向的剖面如圖25所示。它是 圖2的平面圖中的沿A-A'的剖面的一部分。本實施方式的磁記錄介質(zhì)成為如下結(jié)構(gòu)與 實施方式1的圖1所示的磁記錄介質(zhì)相比，記錄層3以外的部分相同，記錄層3的部分如圖 25所示，成為如下結(jié)構(gòu)記錄磁道28由磁性材料構(gòu)成，記錄磁道以外的磁道29由非磁性材 料構(gòu)成，且成為這些材料在圓周方向上連續(xù)的所謂離散磁道結(jié)構(gòu)。此時，由于記錄磁道間被 磁氣分離，能夠更加降低周邊磁道的記錄磁化造成的磁氣作用(噪聲)。記錄磁道28由與 實施方式1中的記錄層3同樣的材料構(gòu)成。從工藝簡單化、減少層間剝離的角度出發(fā)，優(yōu)選 地，由非磁性材料構(gòu)成的記錄磁道以外的磁道29由具有與基底層2同樣結(jié)構(gòu)的材料構(gòu)成， 或者由與低熱傳導率薄膜7同樣的材料構(gòu)成。 其次，本實施方式中的磁記錄介質(zhì)的另一構(gòu)成，也可以是，像圖26中示出其徑向 的剖面那樣，除了記錄磁道28上部以外在記錄磁道28側(cè)部也具有高熱傳導率薄膜6的結(jié) 構(gòu)。此時，可以比圖25的結(jié)構(gòu)更加有效地對記錄磁道加熱、除熱。 另外，本實施方式的磁記錄介質(zhì)，也可以是，在實施方式1的圖5 圖10中所示的 任一個磁記錄介質(zhì)中，記錄層3以外的部分相同，記錄層3的部分是如圖25或圖26所示的 結(jié)構(gòu)。 另外，本實施方式中的磁記錄介質(zhì)，也可以是，像圖11的表示熱傳導層的一部分 的平面圖所示那樣，熱傳導層4由多個材料構(gòu)成，記錄磁道28在圓周方向上區(qū)分成記錄區(qū) 和其它區(qū)域，在記錄區(qū)上部具有由多個材料中的熱傳導率最高的材料6構(gòu)成的薄膜，熱傳 導層4的其它部分由多個材料中的低熱傳導率薄膜7構(gòu)成的結(jié)構(gòu)；或者，在記錄區(qū)上部和側(cè) 部(記錄層3內(nèi)的記錄區(qū)鄰接部)都具有高熱傳導率薄膜6的結(jié)構(gòu)。在這些情況下，具有 能夠僅對于記錄磁道的記錄區(qū)特別有效地加熱、除熱的優(yōu)點。另外，即使在同一磁道內(nèi)，在 除了被加熱了的記錄區(qū)以外的記錄區(qū)上，因為在記錄區(qū)上部的高熱傳導率薄膜6之間配置 的低熱傳導率薄膜7而難以傳導熱，可以進一步提高磁性粒子的磁記錄的熱穩(wěn)定性。
本實施方式的磁記錄介質(zhì)能夠用例如與實施方式1中記載的方法類似的制造方 法制造。另外，本實施方式的磁記錄介質(zhì)，與實施方式1同樣地，以例如圖16所示的方式作 為磁記錄裝置使用。
(實施方式4) 下面，用圖27和圖28說明根據(jù)本發(fā)明的實施方式4。
圖27和圖28是根據(jù)本發(fā)明的實施方式4的磁記錄介質(zhì)的徑向的剖面圖。 實施方式2中，磁記錄介質(zhì)以垂直磁記錄方式記錄，由記錄層22全部用磁性體構(gòu)
成的整面介質(zhì)構(gòu)成。 與此相對，本實施方式是，圓片狀的磁記錄介質(zhì)以垂直磁記錄方式記錄，由在記錄 層22內(nèi)，記錄磁道的部分用磁性材料、記錄磁道以外的區(qū)域用非磁性材料的所謂離散磁道 介質(zhì)構(gòu)成。 本實施方式的基本的磁記錄介質(zhì)形成為圓片狀，其徑向的剖面圖如圖27所示。它 是圖2的平面圖中的沿A-A'的剖面的一部分。本實施方式的磁記錄介質(zhì)，與實施方式2的 圖17所示的磁記錄介質(zhì)相比，記錄層3以外的部分相同，記錄層3的部分是如圖27所示那 樣，記錄磁道30由磁性材料構(gòu)成、記錄磁道以外的磁道31由非磁性材料構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，是這 些材料在圓周方向上連續(xù)的所謂離散磁道結(jié)構(gòu)。此時，由于記錄磁道間被磁氣分離，能夠更 加降低周邊磁道的記錄磁化造成的磁氣作用(噪聲)。記錄磁道30由與實施方式2中的記 錄層22同樣的材料構(gòu)成。從工藝簡單化、減少層間剝離的角度出發(fā)，優(yōu)選地，由非磁性材料 構(gòu)成的記錄磁道以外的磁道31由具有與基底層2同樣結(jié)構(gòu)的材料構(gòu)成，或者由與低熱傳導 率薄膜7同樣的材料構(gòu)成。 其次，本實施方式中的磁記錄介質(zhì)的另一構(gòu)成，也可以是，像圖28中示出其徑向 的剖面那樣，除了記錄磁道上部以外在記錄磁道側(cè)部也具有高熱傳導率薄膜6的結(jié)構(gòu)。此 時，可以比圖27的結(jié)構(gòu)更加有效地對記錄磁道加熱、除熱。 另外，本實施方式的磁記錄介質(zhì)，也可以是，在實施方式2的圖18 圖23中所示 的任一個磁記錄介質(zhì)中，除記錄層22以外的部分相同，記錄層22的部分是如圖27或圖28 所示的結(jié)構(gòu)。 另外，本實施方式中的磁記錄介質(zhì)，也可以是，像圖ll的表示熱傳導層4的一部分 的平面圖所示那樣，熱傳導層4由多個材料構(gòu)成，記錄磁道30在圓周方向上區(qū)分成記錄區(qū) 和其它區(qū)域，在記錄區(qū)上部具有多個材料中的高熱傳導率薄膜6，熱傳導層4內(nèi)的其它部分 由多個材料中的低熱傳導率薄膜7構(gòu)成的結(jié)構(gòu)；或者，在記錄區(qū)上部和側(cè)部(記錄層內(nèi)的記 錄區(qū)鄰接部)都具有高熱傳導率薄膜6的結(jié)構(gòu)。在這些情況下，具有能夠僅對于記錄磁道 的記錄區(qū)特別有效地加熱、除熱的優(yōu)點。另外，即使在同一磁道內(nèi)，在除了被加熱了的記錄 區(qū)以外的記錄區(qū)上，因為在記錄區(qū)上部的高熱傳導率薄膜6之間配置的低熱傳導率薄膜7 而難以傳導熱，可以進一步提高磁性粒子的磁記錄的熱穩(wěn)定性。 本實施方式的磁記錄介質(zhì)能夠用例如與實施方式1中記載的方法類似的制造方 法制造。另外，本實施方式的磁記錄介質(zhì)，與實施方式1同樣地，以例如圖16所示的方式作 為磁記錄裝置使用。
(實施方式5) 下面，用圖29 圖31說明根據(jù)本發(fā)明的實施方式5。 圖29是示出已構(gòu)圖的介質(zhì)中的記錄層3的樣子的平面圖的一部分。 圖30和圖31是根據(jù)本發(fā)明的實施方式5的磁記錄介質(zhì)的圓周方向的剖面圖。 實施方式3中，磁記錄介質(zhì)以水平磁記錄方式記錄，由在記錄層3內(nèi)的記錄磁道的
部分用磁性材料、記錄磁道以外的區(qū)域用非磁性材料的所謂離散磁道介質(zhì)構(gòu)成。 與此相對，本實施方式是，以水平磁記錄方式記錄，由在記錄層3內(nèi)，具有記錄區(qū)的磁道的記錄區(qū)離散地使用磁性材料，而具有記錄區(qū)的磁道的記錄區(qū)以外的區(qū)域用非磁性 材料的所謂已構(gòu)圖的介質(zhì)構(gòu)成。 首先，用圖29簡單地說明已構(gòu)圖的介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。 已構(gòu)圖的介質(zhì)是，在記錄層3的記錄磁道上離散地配置磁性材料，除此之外的部 分由非磁性材料構(gòu)成的圓片狀的介質(zhì)。該已構(gòu)圖的介質(zhì)，雖然制造方法復(fù)雜，但與離散磁道 介質(zhì)相比，能夠更加減輕來自周邊記錄區(qū)的磁影響和熱波動現(xiàn)象，能夠期待高的記錄密度。
本實施方式的磁記錄介質(zhì)，與實施方式3的圖25所示的磁記錄介質(zhì)相比，記錄層3 以外的部分相同，記錄層3的部分，如果像圖29那樣沿記錄區(qū)中的A-A'剖切則其徑向的剖 面圖與圖25相同，但圓周方向的剖面圖(圖2所示的磁記錄介質(zhì)8的平面圖中的沿B-B' 的剖面的一部分)，在具有記錄區(qū)的磁道(圖29的C-C'剖面)上在徑向同樣像圖30那樣 記錄區(qū)成為離散的，在沒有記錄區(qū)的磁道(圖29的D-D'剖面)上是像圖31那樣的結(jié)構(gòu)的 所謂已構(gòu)圖的介質(zhì)結(jié)構(gòu)。此時，記錄區(qū)3，除了磁道間以外，在磁道內(nèi)也被磁氣分離，與離散 磁道介質(zhì)相比，能夠更加降低周邊記錄區(qū)的記錄磁化造成的磁氣作用(噪聲)，對提高密度 有效。 其次，本實施方式中的磁記錄介質(zhì)的另一構(gòu)成，也可以是，如果像圖29那樣沿記 錄區(qū)中的A-A'剖切則其徑向的剖面圖是實施方式3的圖26所示的結(jié)構(gòu)；圓周方向的剖面 圖，在具有記錄區(qū)的磁道上是圖30所示的結(jié)構(gòu)，在沒有記錄區(qū)、具有有記錄區(qū)的磁道之間 的非磁性層29的磁道上是圖31所示的結(jié)構(gòu)，在具有記錄區(qū)的磁道側(cè)部也具有高熱傳導率 薄膜6的結(jié)構(gòu)。 另外，本實施方式中的磁記錄介質(zhì)，也可以是，像圖ll的表示熱傳導層4的一部分 的平面圖所示那樣，熱傳導層4由多個材料構(gòu)成，在記錄層3的記錄區(qū)上部具有多個材料中 的高熱傳導率薄膜6，熱傳導層4的其它部分由多個材料中的低熱傳導率薄膜7構(gòu)成。此時， 記錄層3，如果像圖29那樣沿記錄區(qū)中的A-A'剖切則其徑向的剖面圖與圖25相同，圓周 方向的剖面圖，在具有記錄區(qū)的磁道上在徑向同樣像圖25那樣記錄區(qū)和高熱傳導率薄膜6 被離散地配置，在沒有記錄區(qū)的磁道上是像圖31那樣，具有能夠僅對于記錄區(qū)32特別有效 地加熱、除熱的優(yōu)點。另外，即使在同一磁道內(nèi)，在除了被加熱了的記錄區(qū)以外的記錄區(qū)上， 因為在記錄區(qū)上部的高熱傳導率薄膜6之間配置的低熱傳導率薄膜7而難以傳導熱，可以 進一步提高磁性粒子的磁記錄的熱穩(wěn)定性。 其次，本實施方式中的磁記錄介質(zhì)的另一構(gòu)成，也可以是，如果像圖29那樣沿記 錄區(qū)中的A-A'剖切則其徑向的剖面是圖26所示的結(jié)構(gòu)；圓周方向的剖面圖中，在具有記 錄區(qū)的磁道上在徑向同樣像圖26那樣，在沒有記錄區(qū)、具有有記錄區(qū)的磁道之間的非磁性 層29的磁道上是圖31所示的結(jié)構(gòu)，記錄區(qū)上部和側(cè)面部全都與高熱傳導率薄膜6相接，記 錄區(qū)被高熱傳導率薄膜6包圍的結(jié)構(gòu)。此時，可以更加有效地對記錄區(qū)加熱、除熱。
另外，本實施方式的磁記錄介質(zhì)，也可以是，在實施方式1的圖5 圖10中所示的 任一個磁記錄介質(zhì)中，記錄層3以外的部分相同，對于記錄層3的部分，如果像圖29那樣沿 記錄區(qū)中的A-A'剖切則其徑向的剖面圖是圖25或圖26所示的結(jié)構(gòu)；圓周方向的剖面圖 為，在具有記錄區(qū)的磁道上是圖30、圖25或圖26所示的結(jié)構(gòu)，在沒有記錄區(qū)的磁道上是圖 31所示的結(jié)構(gòu)。 本實施方式的磁記錄介質(zhì)能夠用例如與實施方式1中記載的方法類似的制造方
13法制造。另外，本實施方式的磁記錄介質(zhì)，與實施方式1同樣地，以例如圖16所示的方式作
為磁記錄裝置使用。(實施方式6) 下面，用圖32和圖33說明根據(jù)本發(fā)明的實施方式6。 圖32和圖33是根據(jù)本發(fā)明的實施方式6的磁記錄介質(zhì)的圓周方向的剖面圖。 實施方式4中，磁記錄介質(zhì)以垂直磁記錄方式記錄，由在記錄層22內(nèi)的記錄磁道
的部分用磁性材料、記錄磁道以外的區(qū)域用非磁性材料的所謂離散磁道介質(zhì)構(gòu)成。 與此相對，本實施方式是，以垂直磁記錄方式記錄，由在記錄層22內(nèi)，具有記錄區(qū)
的磁道的離散的記錄區(qū)使用磁性材料，而具有記錄區(qū)的磁道的記錄區(qū)以外的區(qū)域用非磁性
材料的所謂已構(gòu)圖的介質(zhì)構(gòu)成。 本實施方式的磁記錄介質(zhì)，與實施方式4的圖27所示的磁記錄介質(zhì)相比，記錄層 22以外的部分相同，記錄層22的部分，如果像圖29那樣沿記錄區(qū)中的A-A'剖切則其徑向 的剖面圖與圖27相同，但圓周方向的剖面圖(圖2所示的本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)8的平面圖 中的沿B-B'的剖面的一部分)，在具有記錄區(qū)的磁道(圖29的C-C'剖面)上在徑向同 樣像圖32那樣記錄區(qū)成為離散，在沒有記錄區(qū)的磁道(圖29的D-D'剖面)上是像圖33 那樣的結(jié)構(gòu)的所謂已構(gòu)圖的介質(zhì)結(jié)構(gòu)。此時，記錄區(qū)，除了磁道間以外在磁道內(nèi)也被磁氣分 離，能夠更加降低周邊記錄區(qū)的記錄磁化造成的磁氣作用(噪聲)，對提高密度有效。
其次，本實施方式中的磁記錄介質(zhì)的另一構(gòu)成，也可以是，如果像圖29那樣沿記 錄區(qū)中的A-A'剖切則其徑向的剖面圖是實施方式4的圖28所示的結(jié)構(gòu)；圓周方向的剖面 圖，在具有記錄區(qū)的磁道上是圖32所示的結(jié)構(gòu)，在沒有記錄區(qū)、具有記錄區(qū)之間的非磁性 層31的磁道上是圖33所示的結(jié)構(gòu)，在具有記錄區(qū)的磁道側(cè)部也具有高熱傳導率材料的結(jié) 構(gòu)。 另外，本實施方式中的磁記錄介質(zhì)，也可以是，像圖ll的表示熱傳導層4的一部分 的平面圖所示那樣，熱傳導層4由多個材料構(gòu)成，在記錄層22的記錄區(qū)上部具有多個材料 中的高熱傳導率薄膜6，熱傳導層4內(nèi)的其它部分由多個材料中的低熱傳導率薄膜7構(gòu)成。 此時，記錄層22，如果像圖29那樣沿記錄區(qū)中的A-A'剖切則其徑向的剖面圖與圖27相 同，圓周方向的剖面圖為，在具有記錄區(qū)的磁道上在徑向同樣像圖27那樣記錄區(qū)和高熱傳 導率薄膜6被離散地配置，在沒有記錄區(qū)的磁道上是像圖33那樣，具有能夠僅對于記錄區(qū) 特別有效地加熱、除熱的優(yōu)點。另外，即使在同一磁道內(nèi)，在除了被加熱了的記錄區(qū)以外的 記錄區(qū)上，因為在記錄區(qū)上部的高熱傳導率薄膜6之間配置的低熱傳導率薄膜7而難以傳 導熱，可以進一步提高磁性粒子的磁記錄的熱穩(wěn)定性。 其次，本實施方式中的磁記錄介質(zhì)也可以是，如果像圖29那樣沿記錄區(qū)中的 A-A'剖切則其徑向的剖面圖是圖28所示的結(jié)構(gòu)；圓周方向的剖面圖為，在具有記錄區(qū)的 磁道上在徑向同樣像圖28那樣，在沒有記錄區(qū)、具有記錄區(qū)之間的非磁性層31的磁道上是 圖33所示的結(jié)構(gòu)，記錄區(qū)上部和側(cè)面部全都與高熱傳導率薄膜6相接，記錄區(qū)被高熱傳導 率材料包圍的結(jié)構(gòu)。此時，可以更加有效地對記錄區(qū)加熱、除熱。 另外，本實施方式的磁記錄介質(zhì)，也可以是，在實施方式2的圖17 圖23中所示 的任一個磁記錄介質(zhì)中，記錄層22以外的部分相同，記錄層22的部分，如果像圖29那樣沿 記錄區(qū)中的A-A'剖切則其徑向的剖面圖是圖27或圖28所示的結(jié)構(gòu)；圓周方向的剖面圖在具有記錄區(qū)的磁道上是圖32、圖27或圖28所示的結(jié)構(gòu)，在沒有記錄區(qū)的磁道上是圖33 所示的結(jié)構(gòu)。 本實施方式的磁記錄介質(zhì)能夠用例如，與實施方式1中記載的方法類似的制造方 法制造。另外，本實施方式的磁記錄介質(zhì)，與實施方式1同樣地，以例如圖16所示的方式作 為磁記錄裝置使用。
權(quán)利要求
一種磁記錄介質(zhì)，是在襯底上具有基底層，在上述基底層上具有記錄層的磁記錄介質(zhì)，其特征在于在上述記錄層上配置有熱傳導層，該熱傳導層由具有不同熱傳導率的多個材料構(gòu)成的薄膜形成，在上述記錄層的一部分磁道上配置有由上述多個材料中的熱傳導率最高的材料構(gòu)成的第一薄膜，在上述熱傳導層內(nèi)，在上述第一薄膜之間配置有由熱傳導率比上述第一薄膜相對較低的材料構(gòu)成的第二薄膜。
2. 如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于 上述第一薄膜離散地配置在上述記錄層的一部分磁道上。
3. —種磁記錄介質(zhì)，是在襯底上具有基底層、在上述基底層上具有記錄層的圓片狀的 磁記錄介質(zhì)，其特征在于上述記錄層的記錄磁道由在徑向上離散、在圓周方向上連續(xù)的磁性材料形成，上述記 錄層的除上述記錄磁道以外的區(qū)域由非磁性材料形成，在上述記錄層上配置有熱傳導層，該熱傳導層由具有不同熱傳導率的多個材料構(gòu)成的 薄膜形成，在上述記錄層的上述記錄磁道上配置有由上述多個材料中的熱傳導率最高的材料構(gòu) 成的第一薄膜，在上述熱傳導層內(nèi)，在上述第一薄膜之間配置有由熱傳導率比上述第一薄膜相對較低 的材料構(gòu)成的第二薄膜。
4. 如權(quán)利要求3所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于 上述第一薄膜離散地配置在上述記錄層的上述記錄磁道上。
5. —種磁記錄介質(zhì)，是在襯底上具有基底層，在上述基底層上具有記錄層的圓片狀的磁記錄介質(zhì)，其特征在于上述記錄層的記錄磁道的記錄區(qū)在徑向、圓周方向上都由磁性材料離散地形成，上述 記錄層的除上述記錄區(qū)以外的區(qū)域由非磁性材料形成，在上述記錄層上配置有熱傳導層，該熱傳導層由具有不同熱傳導率的多個材料構(gòu)成的 薄膜形成，在上述記錄層的上述記錄磁道上配置有由上述多個材料中的熱傳導率最高的材料構(gòu) 成的第一薄膜，在上述熱傳導層內(nèi)，在上述第一薄膜之間配置有由熱傳導率比上述第一薄膜相對較低 的材料構(gòu)成的第二薄膜。
6. 如權(quán)利要求5所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于 上述第一薄膜配置在上述記錄區(qū)上。
7. 如權(quán)利要求3所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于上述第一薄膜除了配置在上述記錄磁道上方以外，還配置在上述記錄磁道的側(cè)面上。
8. 如權(quán)利要求3所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于上述第一薄膜除了配置在上述記錄磁道上以外，還離散地配置在上述記錄磁道的側(cè)面上。
9. 如權(quán)利要求6所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于上述第一薄膜除了配置在上述記錄磁道上以外，還配置在上述記錄區(qū)的側(cè)面上。
10. 如權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于 上述第一薄膜和上述第二薄膜分別具有1 10nm的膜厚。
11. 如權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于上述第一薄膜由包含銅、銀、金、鋁、金剛石、類金剛石碳、碳納米管中的任一種的材料 形成，上述第二薄膜由包含氧化硅、氮化硅、氧化銅、氧化鋁中的任一種的材料形成。
12. 如權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于在上述熱傳導層中的上述第一薄膜與上述第二薄膜的界面區(qū)域、上述熱傳導層與上述 記錄層的界面區(qū)域、上述熱傳導層與保護膜的界面區(qū)域中的一個或多個界面上，具有擴散 阻擋層。
13. 如權(quán)利要求12所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于 上述擴散阻擋層具有1 10nm的膜厚。
14. 如權(quán)利要求12所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于 上述擴散阻擋層由包含氮化鈦、氮化鉭、鎢、釕中的任一種的材料形成。
15. —種磁記錄裝置，其特征在于包括如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)。
全文摘要
提供一種磁記錄介質(zhì)和磁記錄裝置，在使用熱輔助記錄方式的HDD用磁記錄介質(zhì)中，為了磁記錄而高效率地對記錄層內(nèi)的磁性粒子進行加熱、除熱，且確保記錄時被加熱的磁性粒子及該磁性粒子的周邊磁性粒子的熱穩(wěn)定性，抑制磁記錄消失，為此，在記錄層的上部配置由具有不同熱傳導率的多個材料構(gòu)成的熱傳導層，此時，在記錄層的數(shù)據(jù)記錄區(qū)上部配置由多個材料中的熱傳導率最高的材料構(gòu)成的薄膜。然后，在熱傳導層內(nèi)，在由高熱傳導率材料構(gòu)成的薄膜之間配置由與由多個材料中的熱傳導率最高的材料構(gòu)成的薄膜相比熱傳導率相對較低的材料構(gòu)成的薄膜。
文檔編號G11B5/65GK101783145SQ20101000381
公開日2010年7月21日 申請日期2010年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月15日
發(fā)明者鐘江義晴 申請人:株式會社日立制作所