專利名稱：磁盤用基板及磁盤的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及磁盤用基板及磁盤。
背景技術：
作為設置在硬盤驅動裝置(HDD裝置)的磁記錄媒體有磁盤。磁 盤使用在由鋁-鎂合金等構成的金屬板上覆蓋了 NiP膜的基板、玻璃基 板或陶瓷基板，在其上層積磁性層和保護層進行制造的。由近年的市 場的需要及微細加工技術的進步，磁盤的小型化及高密度化正在進展， 目前，在例如1. 8英寸的磁盤中在兩面達到40GB的存儲容量。
伴隨這樣的HDD裝置中的記錄密度的提高，記錄和寫入用磁頭(以 下稱"磁頭，，)和磁盤的間隔(以下稱"上浮量")在數十nm到數 nm，為非常狹窄。為此，在該磁盤存在微小的凹凸缺陷時，磁盤和磁 頭接觸，成為HDD裝置故障的原因。該微小凹凸缺陷是盤基板素材以 某種形態(tài)損傷的損傷系列缺陷、為提高磁盤用基板的平坦性進行研磨 時發(fā)生的磨料殘?；蛟谙礈鞎r和干燥時等附著/殘留的異物的異物系 列缺陷。特別是后者在基板的端面加工時附著的顆粒/污染物等在后工 序的洗滌工序中從表面脫離、再附著在玻璃基板表面成為損傷的原因。
以防止這樣在該端面中的污染物作為原因而引起的異物系列缺陷 為目的，提出了通過把玻璃基板用刀具和鉆進行形狀加工后研磨端面、 在玻璃基板的端面難以殘留異物/污染物的提案(例如，參照特開平 11-221742號公報)。
另外，如上所述提高了記錄容量的磁盤，根據其用途有時存在只 用單面的存儲容量(例如20GB)就足夠的情況，存在這種需求。在使 用只把單面作為磁記錄面的磁盤(以下，稱"單面磁盤")的HDD裝
置，只用一個磁頭就可以，這是因為與把兩面作為磁記錄面的磁盤(以下，稱"兩面磁盤")相比可實現薄型化、輕量化且低價格化的緣故。 另外，為制造單面磁盤，由于只在作為磁記錄面使用的面(以下，稱
"A面，，)層積/磁性層等就可以，所以具有在制造工序上也比兩面磁 盤簡略化的優(yōu)點。
另外，對于單面磁盤用基板，因為在作為磁記錄面不使用的面(以 下，稱"B面")中允許微小的凹凸缺陷，所以與兩面有孩吏小凹凸缺 陷而成為次品的原因的兩面磁盤相比可提高材料利用率。
如上所述，單面磁盤用基板的B面中的微小凹凸缺陷由于不能成 為磁盤和磁頭接觸的原因，所以不能成為產生次品的原因。但是，在 單面磁盤用基板的兩主表面的研磨時發(fā)生的磨料殘粒，或者洗滌時、 干燥時等附著的異物(以下，總稱為"異物")存在于B面時，這些 異物在A面上層積磁性層等之前的洗滌基板之時，(1)有可能由洗滌 中的異物的再附著而污染A面，還有(2)有可能異物污染洗滌機。另 外，得到的磁盤，B面上的異物由盤旋轉而飛散，在A面的搜尋試驗 其飛散物附著在磁頭上，有時導致R/W錯誤。另外，在對已成膜磁性 層等的磁盤進行實際檢查工序中，當在B面也設定檢查頭之際、在B 面上殘存大量異物時，通過檢查頭接近B面，也可能污染、或者損傷 檢查磁頭。

發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于上述課題而提出的。
本發(fā)明的目的在于提供在單面磁盤的制造工序中，能夠防止洗 滌基板時污染作為磁記錄面而使用的面的磁盤用基板。
本發(fā)明的另一目的在于提供在單面磁盤的制造工序中，能夠防 止洗滌基板時污染洗滌機的磁盤用基板。
本發(fā)明的又一個目的在于提供在單面磁盤的制造工序中，能夠 減少對磁盤進行搜尋試驗中的R/W錯誤的磁盤用基板。
本發(fā)明的再一個目的在于提供在單面磁盤的制造工序中，能夠 減少檢查磁頭污染和損傷的磁盤用基板。為實現上述目的，本發(fā)明人認識到即使是不成膜磁性層等的單面
磁盤用基板的B面，通過把其面上的異物的數量抑制為預先確定的數 量，在單面磁盤的制造工序中，能夠實現(1 )防止污染作為磁記錄面 而使用的面；(2)防止污染洗滌機;(3)減少對磁盤的搜尋試驗中 的R/W錯誤；(4)減少檢查磁頭的污染和損傷。
即，本發(fā)明的磁盤用基板，是具有第1及第2主表面的圓環(huán)狀的 磁盤用基板，在第l及第2主表面間通過(1)以2"m見方、用具有 256x256象素的清晰度的原子間力顯微鏡測定的表面粗糙度，及/或 (2 )在檢測以激光功率25mW的波長405nm的激光在5 p m的光點徑照 射時從所迷基板的散射光時以0. 1 jam以上1. Opm以下的尺寸檢測出 的異物的個數不同，只是第1主表面作為磁記錄面，具有能夠使用的 表面質量，且在檢測第2主表面中的上述激光功率25mW的波長405認 的激光在5pm的光點徑照射時從所述基板的散射光時以0. lym以上 1. Oym以下的尺寸檢測出的異物在每30cn^有400個以下。
另外，本發(fā)明的磁盤具備上述磁盤用基板、和在所述磁盤用基板 的所述第1主表面形成的至少含磁性層的層積膜。
在這種情況下，在第2主表面上也可以不形成膜。
另外，在第2主表面上，形成用于抵消在所述第1主表面上成膜 所述層積膜時產生的膜應力的抵消膜是優(yōu)選的。
另外，磁盤用基板由多成分系列的玻璃構成，在所述第2主表面 上，形成防止構成所述多成分系列的玻璃的離子向基板表面溶出的防 止溶出膜是優(yōu)選的。


圖1是表示本發(fā)明實施方式的磁盤用基板的構造的圖， 圖2是表示本發(fā)明實施方式的磁盤用基板的B面中的異物的數量 和A面的磁頭污染等級之間的關系的圖，
圖3是表示檢測磁盤用基板上異物的裝置的概略構成的圖。
具體實施例方式
以下，用圖、實施例等說明本發(fā)明的實施方式。另外，這些圖、 實施例等及說明是例示本發(fā)明的，不是制限本發(fā)明范圍的。只要符合 本發(fā)明宗旨的其他的實施方式當然也屬于本發(fā)明的范疇。
圖1是表示本發(fā)明實施方式的磁盤用基板10的構造的立體圖。本 實施方式的磁盤用基板10是具有圓孔10a的圓環(huán)狀的單面磁盤用基 板。磁盤用基板10具有為基本上平坦的第l主表面的、作為磁記錄 面使用的第l主表面ll，為基本上平坦的第2主表面的、不作為磁記 錄面使用的第2主表面12，作為外周端部的外周端面13，以及作為內 周端部的內周端面14。以下，把第1主表面11稱為A面，把第2主 表面12稱為B面。在外周端面13及內周端面14與A面11及B面12 之間分別形成倒角面15。
A面11是作為磁記錄面使用的面，在磁盤中層積磁性層等，在HDD 裝置中，是記錄和寫入用磁頭在其上上浮行進的面。
為此，A面11上的凹凸缺陷被除去，以達到對磁頭的上浮行進不 產生障礙的程度。另外，B面12是不作為磁記錄面使用的面。因此， B面12上的凹凸缺陷，多少能夠允許存在一些。但是，B面12上的異 物應成為不能達到預先確定的數量，以不影響磁盤的制造工序。
作為磁盤用基板10的材料，可采用硅酸鋁玻璃、堿石灰玻璃、硅 酸硼玻璃和鋁-鎂合金等。
特別是，在可施行化學強化、另外可提供在主表面11、 12的平坦 性及基板強度中優(yōu)良的磁盤用基板10這一點來說，作為磁盤用基板 10的材料使用硅酸鋁玻璃是優(yōu)選的。在本實施方式中，以磁盤用基板 10是玻璃基板的情況進行說明。
磁盤用基板10的制造工序包含以下工序素材加工工序及第1 研磨工序；端部形狀工序(形成孔部的鉆孔工序、在端部(外周端部及 /或內周端部)形成倒角面的倒角工序(倒角面形成工序))；端面研 磨工序(外周端部及內周端部)；第2研磨工序；主表面研磨工序(第 l及第2研磨工序)；化學強化工序等。以下，對磁盤用基板IO制造工序的各工序進行說明。另外，各工
序的順序也可以適當變更。
(1) 素材加工工序及第1研磨工序
首先，在素材加工工序中，對板狀玻璃的表面進行研磨(lapping) 加工作成玻璃母材，切斷該玻璃母材，切出玻璃盤。作為板狀玻璃可 使用各式各樣的板狀玻璃。該板狀玻璃，例如把溶融玻璃作為材料， 用擠壓法和浮法、下拉拔法、多級拉伸法和熔融法等公知的制造方法 制造，這些方法中，若采用擠壓法，可廉價制造板狀玻璃。
在第l研磨工序中，對板狀玻璃的A面11及B面12的兩主表面 進行研磨加工，作成盤狀的玻璃基材。該研磨加工可通過利用行星齒 輪機構的兩面研磨裝置，用礬土系游離磨粒進行。具體地講，在板狀 玻璃的兩面從上下按壓研磨定盤，在板狀玻璃的主表面上供給含游離 磨粒的研磨液，使它們相對移動進行研磨加工。通過該研磨加工，可 得到具有平坦主表面的玻璃基板。
(2) 端部形狀工序(形成孔部的鉆孔工序、在端部(外周端部及 內周端部)形成倒角面的倒角工序(形成倒角面工序))
在鉆孔工序中，例如，使用圓筒狀的金剛石鉆頭，在該玻璃基板 的中心部形成內孔10a,作成圓環(huán)狀的玻璃基板10。在倒角工序中， 用金剛石磨石研磨內周端面14及外周端面13,實施規(guī)定的倒角15加 工。
(3) 第2研磨工序
在第2研磨工序中，對得到的玻璃基板10的兩主表面11、 12進 行與第l研磨工序同樣的第2研磨加工。通過進行該第2研磨工序， 在作為前工序的切出工序和端面研磨工序中，可以預先除去形成在主 表面11、 12上微細的凹凸形狀，可以在短時間完成對后續(xù)的主表面 11、 12的研磨工序。
(4) 端面研磨工序
在端面研磨工序中，對玻璃基板10的外周端面13及內周端面14 用拋光研磨方法進行鏡面研磨。此時，作為研磨磨粒例如可以采用含有氧化鈰磨粒的漿料(游離磨粒)。通過該端面研磨工序，玻璃基板
10的端面成為可防止發(fā)生鈉、鉀析出的鏡面狀態(tài)。 (5 )主表面研磨工序(笫1研磨工序) 作為主表面研磨工序，首先施行第l研磨工序。第l研磨工序是 以除去在上述的研磨工序殘留在兩主表面11、 12的缺陷、變形為主要 目的的工序。在該第l研磨工序中，用具有行星齒輪機構的兩面研磨 裝置，采用硬質樹脂拋光機，對兩主表面進行研磨。作為研磨劑可采 用氧化鈰磨粒。
完成第l研磨工序的玻璃基板，用中性洗滌劑、純水、IPA等洗滌。
(6 )主表面研磨工序(最終研磨工序)
接著，作為最終研磨工序，施行第2研磨工序。第2研磨工序是 以把兩主表面11、 12精加工成鏡面狀為目的的工序。在第2研磨工序 中，用具有行星齒輪機構的兩面研磨裝置，使用軟質發(fā)泡樹脂拋光機， 對兩主表面進行鏡面研磨。
作為漿料，可以使用比在第1研磨工序使用的氧化鈰磨粒更微細 的氧化鈰磨?；蚰z態(tài)硅石等。
在該最終研磨工序中，把設置在兩面研磨裝置狀態(tài)的玻璃基坂10 向下的面作成單面磁盤用基板10的A面(即是，作為磁記錄面使用的 面)ll是優(yōu)選的。
其理由是，由于設置在兩面研磨裝置的玻璃基板10的上面在研磨 環(huán)境中由浮游物等的咬入產生損傷，或由操作等產生的處理面的損傷 等的可能性比下面高，所以預先把上面作為B面12,在制造單面磁盤 上出次品的概率少的緣故。
在這之前的工序中，至(5)主表面研磨工序(第l研磨工序)， 對玻璃基板的兩主表面11、 12沒有區(qū)別地進行處理，在(6)主表面 研磨工序(最終研磨工序)以后，如上所述，對玻璃基板的兩主表面 的A面11和B面12有區(qū)別地進行處理。
完成了第2研磨工序的玻璃基板10用中性洗滌劑、純水和IPA等洗滌。
(7) 化學強化工序
在化學強化工序中，對完成了上述的研磨(lapping)工序及研磨 工序的玻璃基板IO施行化學強化。用于化學強化的化學強化液，例如 可以使用硝酸鉀(60%)和硝酸鈉(40%)的混合溶液等。在化學強化 中，通過把化學強化液加熱到300°C ~ 400°C，把洗滌完成的玻璃基板 IO預熱到200°C ~ 300X:，在化學強化溶液中浸漬3小時~4小時來進 行。在該浸漬時，為了使玻璃基板10的兩表面11、 12整體被化學強 化，把多個玻璃基板10以端面保持，以放置在夾具上的狀態(tài)是優(yōu)選的。
這樣，由在化學強化溶液中進行浸漬處理，玻璃基板10的表層的 鋰離子及鈉離子分別被化學強化溶液中的的離子半徑相對大的鈉離子 及鉀離子置換，玻璃基板10被強化。
化學強化了的玻璃基板10，在用硫酸洗滌后，用純水、IPA等洗滌。
(8) 檢查工序
本發(fā)明人等著眼于B面12中的異物的數量與A面ll側的檢查磁 頭的污染之間的關系。
圖2是表示在B面12中的異物的數量與A面ll側的檢查磁頭的 污染(磁頭污染等級)之間關系的特性圖。另外，磁頭污染等級是下 滑試驗前的檢查磁頭上的污染指標。
如圖2所表明的，B面12上的異物的個數(統(tǒng)計數)以420為磁 頭污染等級是2， B面12上的異物的個數(統(tǒng)計數)以650為磁頭污 染等級3。即，即使在A面11是不存在異物的狀態(tài)，在B面12存在 一定數量的異物時，由洗滌工序再附著異物而污染A面11。
為此，對于用于在B面12中的異物進行調整的異物的個數(統(tǒng)計 數)，根據磁頭污染等級確定是優(yōu)選的。例如，為滿足磁頭污染等級 1，把B面12上的異物的個數(統(tǒng)計數)控制在400以下的是優(yōu)選的。 為這樣調整B面12的異物的個數(統(tǒng)計數)，例如，酸/堿/洗滌劑洗 滌等的藥液洗滌和純水洗滌等的階段地組合進行的條件下進行洗滌。另外，B面12的異物的個數(統(tǒng)計數)是在磁記錄面(A面)11
至少成膜含磁性層的層積膜前的洗滌前的階段的異物的個數。另外， 該個數可用如圖3所示的光學式缺陷檢查裝置(Optical Surface Analyzer: OSA)進行統(tǒng)計。在如圖3所示裝置中具有缺陷檢測用探頭 激光器21和檢測激光照射到基板10時大體全方向的散射光的檢測器 22。在圖3所示裝置中，通過把激光光點尺寸例如設為5|am，由于激 光波長短、功率大，所以可提高缺陷檢測感度。
更具體地說，對于A面11、 B面12上的異物的個數(統(tǒng)計數)， 用圖3所示的裝置，基于把激光功率25mW、波長405nm的激光以5 ja m 的光點尺寸照射時從所述基板10的散射光檢測的、規(guī)定尺寸的異物的 個數進行判斷。具體地，作為B面12的判定基準，判斷檢測出0. 1 m m以上1. Oiam以下大小的異物是否為每lcn^約13個以下(2. 5英寸 大小的磁盤每一面400個以下)。(該例，相當于外形65mm，內徑20mm 的磁盤的每單側的面積(約30. 04cm2))
通過統(tǒng)計在這樣條件下的異物數量，可以看到本申請的B面12 的異物數量和A面11的污染狀態(tài)等的相關關系。
在此，如上所述，檢測異物使用規(guī)定的裝置正確進行是重要的， 對于異物尺寸，例如，考慮在2. 5英寸尺寸的磁盤要求單面U0GB以 上的高記錄密度的磁盤的磁特性等時為0. ljam以上l.Ojjm以下是優(yōu) 選的。另外，作為A面11的判定基準，必須是形成磁記錄膜(垂直磁 記錄層)，滿足磁盤要求的質量(異物尺寸和個數)，A面11比B面 12可得到極高的質量(清凈度)。
(9 )磁盤制造工序(記錄層等形成工序)
在經上述的工序得到的玻璃基板10的A面11，通過順序成膜例 如附著層、軟磁性層、非磁性基底層、垂直磁記錄層、保護層及潤滑 層，制造垂直磁記錄盤。
作為構成附著層的材料，可舉出Cr合金等。作為構成軟磁性層的 材料，可舉出CoTaZr基合金等。
作為非磁性基底層，可舉出微粒非磁性層等。作為垂直磁記錄層，可舉出微粒磁性層等。
作為構成保護層的材料，可舉出氫化碳等。
作為構成潤滑層的材料，可舉出氟樹脂等。例如，這些記錄層等，
更具體地說，采用串行型陰極真空噴鍍裝置，在玻璃基板io上順序成
膜CrTi的附著層、CoTaZr/Ru/CoTaZr的軟磁性層、CoCrSi02的非磁 性微?；讓?、CoCrPt-Si02 ， Ti02的微粒磁性層和氫化碳保護膜，進
而，用浸潰法成膜全氟聚醚潤滑層。
另外，在B面12側也可以不形成膜。但是，在A面11形成含磁 性層的層積膜，而在B面12不形成膜時，由在A面形成的層積膜中所 用的材料而產生在A面ll和B面12之間的膜應力的平衡^皮石皮壞而磁 盤翹曲的情況。
考慮到這樣的情況，在B面12形成抵消在基板10上成膜層積膜 時產生的膜應力的抵消膜是優(yōu)選的。
作為構成抵消膜的材料，為構成在A面11形成的層的材料，例如 可舉出Cr合金等。另外，膜厚只要是可發(fā)揮上述功能的程度即可。
另外，特別在磁盤用基板10由多成分系列玻璃構成的情況下，在 第2主表面(B面)12上，形成防止構成多成分系列玻璃的離子向基 板表面溶出的防止溶出膜是優(yōu)選的。
作為構成防止溶出膜的材料，可舉出Ti、 Cr、碳等。另外，膜厚 只要是能發(fā)揮上述功能的程度即可。
另外，也可以并用上述抵消膜和防止溶出膜。
在這樣的工序制造的磁盤用基板10的B面12上殘存的異物，還 存在在成膜前的洗滌中一次除去后再次附著在基板10上，或在磁頭拋 光中不能完全除掉而殘存在基板IO上，在下滑試驗和驗證試驗損傷檢 查磁頭的可能性。在本發(fā)明中，由于把這樣的殘存在B面12的異物的 數量控制在預先確定的數量以下，所以能夠減少在單面磁盤的制造工 序中的、洗滌機的污染和檢查磁頭的污染和損傷。另外，能夠減少對 磁盤的搜尋試驗中的R/W錯誤。
接著，對為明確本發(fā)明效果而實行的實施例進行說明。另外，在此，對作為磁盤用基板10用玻璃基板的情況進行說明。
(實施例)
首先，把溶融了的硅酸鋁玻璃通過使用上模、下模、體模的直接 壓力機成模為盤形狀，得到非結晶的板狀玻璃素材(坯料)。在該時
刻坯料的直徑為66mm。接著，對該坯料的兩主表面進行第1研磨加工 后，用圓筒狀的孔鉆，在該玻璃基板的中心部形成孔部10a，對圓環(huán) 狀的玻璃基板10實施加工(鉆孔)，然后實施在端部(外周端部13 及內周端部14)形成倒角面15的倒角工序(倒角面形成工序))， 其后進行第2研磨加工。
接著，對玻璃基板10的外周端部13，用拋光研磨方法進行鏡面 研磨。此時，作為研磨磨粒，使用含氧化鈰磨粒的漿料(游離磨粒)。
另外，對完成了鏡面研磨工序的玻璃基板10用水洗滌。由此，玻 璃基板10的外形為65mm，內徑為20mm，制成用于2. 5英寸型磁盤的 基板。
接著，作為主表面研磨工序，對玻璃基坂10的兩主表面11、 12 實施第l研磨工序。在第l研磨工序中，作為研磨裝置使用兩面研磨 機。作為在該研磨裝置中的研磨墊，采用軟質瑞典墊。另外，作為研 磨劑采用鈰研磨劑。另外，作為研磨條件，加工面壓設為130g/cm2， 加工轉速為22rpm。由此，玻璃基板的算術平均粗糙度Ra約為1. 5nm。
接著，在把不作為玻璃基板10的記錄面使用的第2主表面(B面) 12掩蔽的狀態(tài)，只對作為記錄面使用的第1主表面(A面)11實施了 第2研磨處理。在第2研磨工序中，作為研磨裝置，使用兩面研磨機。 作為該研磨裝置中的研磨墊，使用軟質瑞典墊(阿斯卡C硬度54，壓 縮變形量476 pim以上，密度0. 53g/cm3以下)。另外，作為研磨劑 使用平均粒徑100nm的鈰研磨劑。另外，作為研磨條件，加工面壓設 為60g/cm2，加工轉速設為20rpm。作為玻璃基板10的記錄面使用的 第1主表面(A面)11的算術平均粗糙度(以2 jam見方用具有256x256 象素的清晰度的原子間力顯微鏡測定的表面粗糙度)Ra為0. 12mn。
把完成了該第2研磨工序的玻璃基板10，浸漬在KOH溶液中，施酸及所述堿洗滌液進行洗滌后，進行IPA (異丙醇)的蒸氣干燥。
接著，對完成了上述第2研磨工序的玻璃基板10實施化學強化。 化學強化，準備混合硝酸鉀(60%)和硝酸鈉"0%)的化學強化溶液， 通過把該化學強化溶液加熱到380'C、在其中把洗滌完的玻璃基板10 浸漬約4小時進行。另外，對完成了該化學強化的玻璃基板IO按順序 進行酸洗滌、堿洗滌及純水洗滌。
特別是對玻璃基板10的B面12,進行在例如酸/堿/洗滌劑洗滌 等的藥液洗滌和純水洗滌等的階段組合的條件下的洗滌。
如此，制造》茲盤用玻璃基板10。
對得到的玻璃基板10，用圖3所示的裝置統(tǒng)計A面11、 B面12 各自的異物(把激光功率25mW的波長405nm的激光照射到5jam的光 點徑時檢測從基板10的散射光時檢測出0. 1 iam以上1. Ojam以下的尺 寸的異物。以下相同)的個數。其結果，存在于A面11的異物個數為 每一面為0個，存在于B面12的異物個數每一面約300個。
對磁盤用玻璃基板IO，作為成膜前洗滌，再次順序進行酸洗滌、 堿洗滌及純水洗滌。其后，同樣用如圖3所示的裝置統(tǒng)計A面11、 B 面12各自的異物個數。其結果，存在于A面11的異物個數每一面為 2個，存在于B面12的異物個數每一面約300個。
在該玻璃基板10的A面11上順序層積附著層、軟磁性層、非磁 性基底層、垂直磁記錄層、保護層及潤滑層，在玻璃基板10的B面 12上，作為防止溶出膜形成厚度為10nm的鈦層制造了磁盤。
對該磁盤的A面11進行帶拋光，在此采用磁頭拋光。此時，磁頭 拋光按外周端—內周端—外周端(r-l2. 5咖~ 32. Om邁，磁頭中心位置) 進行。其后，把拋光磁頭表面用顯微鏡觀察，統(tǒng)計磁頭上成為帶狀的 異物(拖尾Smear)的數量后，異物的數量不足3個，磁頭污染等級 為1級。
即，能夠認為在存在于玻璃基板10的B面12的異物個數每一面 約300個的情況下，對該玻璃基板10進行洗滌也幾乎不會污染A面
1311。
(比較例)
通過改變洗滌條件，制造了存在于A面11的異物個數每一面為0 個、存在于B面12的異物個數每一面約為500個的磁盤用玻璃基板 10。
對該玻璃基板IO,順序進行作為成膜前洗滌的酸洗滌、堿洗滌及 純水洗滌。其后，同樣用圖3所示的裝置統(tǒng)計A面11、 B面12各自的 異物個數。其結果，存在于A面11的異物個數每一面為10個，存在 于B面12的異物個數每一面約490個。
在該玻璃基板10的A面11上，與實施例同樣順序層積附著層、 軟磁性層、非磁性基底層、垂直磁記錄層、保護層及潤滑層，在玻璃 基板10的B面12上，形成作為防止溶出膜的厚度為IO認的鈦層來制 造磁盤。
在該磁盤的A面11進行帶拋光，在此釆用磁頭拋光。此時，磁頭 拋光按外周端—內周端—外周端(r-12. 5mm~ 32. Omm，磁頭中心位置) 進行。其后，用顯微鏡觀察拋光磁頭表面，統(tǒng)計磁頭上成為帶狀的異 物(拖尾Smear)的數量。其結果，異物的數量為3個以上、不足6 個，磁頭污染等級為2級。
另外，對于磁頭污染等級，用顯微鏡觀察拋光磁頭表面，磁頭上 成為帶狀的異物(拖尾Smear)的數量不足3時定為1級，3以上、 不足6時定為2級，6以上、不足10時定為3級。
另外，對在實施例、比較例得到的磁盤裝入HDD裝置，實施搜尋 試驗(4000萬次搜尋，統(tǒng)計其間的讀出/寫入錯誤(R/W錯誤)數量)。 其結果，對實施例的磁盤統(tǒng)計為3個，對比較例的磁盤統(tǒng)計為20。
本發(fā)明不限于上述實施方式，可進行適當變更實施。例如，在上 述的實施方式，作為磁盤用基板，例示了用玻璃基板的例子，但不限 于此，例如也可以是由鋁-鎂合金等構成的金屬板等。
另外，上述實施方式中的材料、尺寸、處理順序和檢查方法等為 一例，在發(fā)揮本發(fā)明效果的范圍內可進行各種變更實施。另外，只要不脫離本發(fā)明的目的范圍，可進行適當變更實施。
權利要求
1.磁盤用基板，其是具有第1及第2主表面的圓環(huán)狀的磁盤用基板，其特征在于，在第1及第2主表面間通過(1)以2μm見方、用具有256×256象素的清晰度的原子間力顯微鏡測定的表面粗糙度，及/或(2)在檢測以激光功率25mW的波長405nm的激光在5μm的光點徑照射時從所述基板的散射光時以0.1μm以上1.0μm以下的尺寸檢測出的異物的個數不同，只是第1主表面作為磁記錄面，具有能夠使用的表面質量，且在檢測第2主表面中的上述激光功率25mW的波長405nm的激光在5μm的光點徑照射時從所述基板的散射光時以0.1μm以上1.0μm以下的尺寸檢測出的異物在每30cm2有400個以下。
2. 磁盤，其特征在于，具有權利要求1所迷的磁盤用基板、和只在所述磁盤用基板的所述第1主表面形成的至少含磁性層的層積膜。
3. 如權利要求2所述的磁盤，其特征在于，在所述第2主表面上不形成膜。
4. 如權利要求2所述的磁盤，其特征在于，在第2主表面上，形成用于抵消在所迷笫1主表面上成膜所述層積膜時產生的膜應力的抵消膜。
5. 如權利要求2所迷的磁盤，其特征在于，所述磁盤用基板由多成分系列玻璃構成，在所述第2主表面上，形成防止構成所述多成分系列玻璃的離子向基板表面溶出的防止溶出膜。
全文摘要
本發(fā)明提供具有第1及第2主表面的圓環(huán)狀的磁盤用基板，在第1及第2主表面間通過(1)以2μm見方、用具有256×256象素的清晰度的原子間力顯微鏡測定的表面粗糙度，及/或(2)在檢測以激光功率25mW的波長405nm的激光在5μm的光點徑照射時從所述基板的散射光時以0.1μm以上1.0μm以下的尺寸檢測出的異物的個數不同；只是第1主表面作為磁記錄面，具有能夠使用的表面質量，且在檢測第2主表面中的上述激光功率25mW的波長405nm的激光在5μm的光點徑照射時從所述基板的散射光時以0.1μm以上1.0μm以下的尺寸檢測出的異物在每30cm²有400個以下。
文檔編號G11B5/73GK101685640SQ20091017871
公開日2010年3月31日 申請日期2009年9月25日 優(yōu)先權日2008年9月26日
發(fā)明者友永忠, 西森賢一 申請人:Hoya株式會社;Hoya玻璃磁盤(泰國)公司