專利名稱：配線電路基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到配線電路基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
在硬盤驅(qū)動裝置等驅(qū)動裝置中采用有致動器。這種致動器
包括能夠旋轉(zhuǎn)地設(shè)置在旋轉(zhuǎn)軸上的臂；以及安裝在臂上的磁頭用懸桂基板。懸掛基板是用于將磁頭定位在磁盤的期望的磁道上的配線電路基板。
圖IO是例如日本特開2004-133988號公報(bào)中所示的現(xiàn)有懸掛基板的縱剖視圖。
在該懸掛基板910中，在金屬基板902上形成有第一絕緣層904。在第一絕緣層904上以隔開距離L1的方式形成有寫入用配線圖案W2和讀取用配線圖案R2。
在第 一 絕緣層904上以覆蓋寫入用配線圖案W2和讀取用配線圖案R2的方式形成有第二絕緣層905。在第二絕緣層905上，在讀取用配線圖案R2的上方位置形成有寫入用配線圖案Wl,在寫入用配線圖案W2的上方位置形成有讀取用配線圖案Rl。
位于上下位置的讀取用配線圖案R1和寫入用配線圖案W2之間的距離、以及位于上下位置的讀取用配線圖案R2和寫入用配線圖案Wl之間的距離均為L2。
在具有上述結(jié)構(gòu)的懸掛基板910中，寫入用配線圖案W1、W2與讀取用配線圖案Rl之間的距離與寫入用配線圖案Wl 、W2與讀取用配線圖案R2之間的距離分別大致相等。由此，可以認(rèn)為，在寫入電流流過寫入用配線圖案W1、 W2中時，在讀取用配線圖案R1、 R2中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢的大小是大致相等的。因此，能夠降低寫入用配線圖案W1、 W2和讀取用配線圖案R1、 R2之間的串?dāng)_(cross talk )。
然而，近年來，為了使電子設(shè)備的耗電量降低而期望降低寫入用配線圖案的傳輸損失。此外，為了防止在彎曲時寫入用配線圖案和讀取用配線圖案受到損傷，期望提高寫入用配線圖案和讀取用配線圖案的強(qiáng)度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠保持傳輸特性良好，并且能夠提高強(qiáng)度的配線電路基板及其制造方法。
(1)本發(fā)明的一個技術(shù)方案所述的配線電路基板包括第一絕緣層；第一配線層，其形成在第一絕緣層上；第二絕緣層，其以覆蓋第一配線層的方式形成在第一絕緣層上；第二配線層，其形成在第二絕緣層上的第一配線層的上方，該第二配線層與第一配線層構(gòu)成信號線路對；以及第一加強(qiáng)層，其具有導(dǎo)電性，其至少形成在第二配線層的上表面，且該第一加強(qiáng)層
不形成在第一配線層的上表面和第二配線層的下表面上，第一配線層的寬度比第一配線層的厚度大，第二配線層的寬度比第二配線層的厚度大。
在該配線電路基板中，第二配線層被配置在第一配線層的上方。由此，在第一配線層和第二配線層中流過方向互逆的電流時，在趨近效應(yīng)的作用下電流沿著第一配線層的上表面和第二配線層的下表面集中。
這種情況下，由于第一配線層的寬度比第一配線層的厚度大，且第二配線層的寬度比第二配線層的厚度大，因此與將第一配線層和第二配線層配置在相同平面上的情況相比，能夠降
6低第一配線層和第二配線層的傳輸損失。由此，能夠提高第一 配線層和第二配線層的傳輸特性。
此外，在第一配線層的上表面和第二配線層的下表面不形 成第一加強(qiáng)層而至少在第二配線層的上表面上形成有導(dǎo)電性的 第一加強(qiáng)層。這種情況下，即使由外部對配置在上側(cè)的第二配 線層施加應(yīng)力，通過導(dǎo)電性的第一加強(qiáng)層對第二配線層的加強(qiáng) 作用，也能夠在確保導(dǎo)電性的狀態(tài)下防止第二配線層的損傷。
此外，由于在第一配線層的上表面和第二配線層的下表面 上未形成有第一加強(qiáng)層，因此電流不會在趨近效應(yīng)作用下集中 于第一加強(qiáng)層中而流動。因此，即使是第一加強(qiáng)層具有較高的 電阻率的情況下，也不會因第 一 加強(qiáng)層而產(chǎn)生傳輸損失。
具有這些優(yōu)點(diǎn)的結(jié)果，能夠保持第一配線層和第二配線層 的傳輸特性良好，且能夠防止第二配線層的損傷。
(2) 優(yōu)選第一加強(qiáng)層具有比第二配線層高的剛性，且具 有比第二配線層高的電阻率。
這種情況下，通過至少在第二配線層的上表面上形成導(dǎo)電 性的第 一 加強(qiáng)層，能夠充分防止第二配線層的損傷。
此外，由于在第一配線層的上表面和第二配線層的下表面 未形成具有較高電阻率的第一加強(qiáng)層，因此不會因第一加強(qiáng)層 而產(chǎn)生傳輸損失。
(3) 優(yōu)選第一配線層和第二配線層中含有銅，第一加強(qiáng) 層含有銅和錫的合金。這種情況下，由于第一配線層和第二配 線層含有銅，因此能夠充分地確保第一配線層和第二配線層的 導(dǎo)電性。此外，由于第一加強(qiáng)層含有銅和錫的合金，因此能夠 充分確保第 一加強(qiáng)層的剛性。
(4) 優(yōu)選配線電路基板在第一絕緣層或者第二絕緣層上
還具有隔開間隔地形成的、構(gòu)成信號線路對的第三配線層和第
7四配線層。
這種情況下，在將配線電路基板用作硬盤驅(qū)動裝置等驅(qū)動 裝置的懸掛基板時，能夠?qū)⒌谝慌渚€層和第二配線層用于進(jìn)行 磁盤信息的寫入，并且能夠?qū)⒌谌渚€層和第四配線層用于進(jìn)
^^茲iH言息的讀耳夂。
此外，通過將第三配線層和第四配線層配置在相同平面上， 與將第三配線層和第四配線層上下地進(jìn)行配置的情況相比，能 夠提高第三配線層和第四配線層的阻抗。因此，能夠通過第三 配線層和第四配線層良好地進(jìn)行對磁盤信息的讀取。
(5) 優(yōu)選配線電路基板至少還包括形成在第三配線層 的至少一個表面上的導(dǎo)電性的第二加強(qiáng)層；以及形成在第四配 線層的至少 一個表面上的導(dǎo)電性的第三加強(qiáng)層。
這種情況下，通過導(dǎo)電性的第二加強(qiáng)層加強(qiáng)第三配線層， 通過導(dǎo)電性的第三加強(qiáng)層加強(qiáng)第四配線層。由此，能夠在確保 導(dǎo)電性的狀態(tài)下分別防止第三配線層和第四配線層的損傷。
(6) 優(yōu)選第二加強(qiáng)層和第三加強(qiáng)層具有比第三配線層和 第四配線層高的剛性。這種情況下，能夠充分地分別防止第三 配線層和第四配線層的損傷。
(7) 優(yōu)選第三配線層和第四配線層的間隔為10 n m~ 100
M m。
這種情況下，通過使第三配線層和第四配線層的間隔為IO ym以上，能夠抑制由于趨近效應(yīng)而使傳輸損失增大。此外， 通過使第三配線層和第四配線層的間隔為100 p m以下，能夠抑 制第三配線層和第四配線層的配置空間增大。
(8) 優(yōu)選配線電路基板還包括長條狀的金屬基板；和 磁頭部，其設(shè)在金屬基板上，用于進(jìn)行信號的讀寫，第一絕緣 層形成在金屬基板上，第一~第四配線層與磁頭部電連接，在通過磁頭部進(jìn)行信號寫入時電流流過第 一 配線層和第二配線 層，在通過磁頭部進(jìn)行信號讀取時電流流過第三配線層和第四 配線層。
這種情況下，能夠?qū)⑴渚€電路基板用作硬盤驅(qū)動裝置等的 驅(qū)動裝置的懸掛基板。并且，能夠通過第一配線層和第二配線 層進(jìn)行磁盤信息的寫入，并且能夠通過第三配線層和第四配線 層進(jìn)行》茲盤信息的讀取。
(9)本發(fā)明的另 一技術(shù)方案的配線電路基板的制造方法，
其包括在第一絕緣層上形成第一配線層的工序；以覆蓋第一 配線層的方式在第一絕緣層上形成第二絕緣層的工序；在第二 絕緣層上的第一配線層的上方形成第二配線層的工序，其中， 該第二配線層與第 一 配線層構(gòu)成信號線路對；以及在第 一 配線 層的上表面和第二配線層的下表面不形成第一加強(qiáng)層而至少在 第二配線層的上表面上形成導(dǎo)電性的第一加強(qiáng)層的工序，第一 配線層的寬度比第一配線層的厚度大，第二配線層的寬度比第 二配線層的厚度大。
在該制造方法中，第二配線層被配置在第一配線層的上方。 由此，在第一配線層和第二配線層中流過互逆的方向的電流時， 在趨近效應(yīng)的作用下電流沿著第 一 配線層的上表面和第二配線 層的下表面集中。
這種情況下，由于第一配線層的寬度比第一配線層的厚度 大，且第二配線層的寬度比第二配線層的厚度大，因此與將第 一配線層和第二配線層配置在相同平面上的情況相比，能夠降 低第一配線層和第二配線層的傳輸損失。由此，能夠提高第一 配線層和第二配線層的傳輸特性。
此外，在第一配線層的上表面和第二配線層的下表面上不 形成第一加強(qiáng)層而至少在第二配線層的上表面上形成有導(dǎo)電性的第一加強(qiáng)層。這種情況下，即使由外部對配置在上側(cè)的第二 配線層施加應(yīng)力，通過導(dǎo)電性的第一加強(qiáng)層對第二配線層的加 強(qiáng)作用，也能夠在確保導(dǎo)電性的狀態(tài)下防止第二配線層的損傷。
此外，由于在第一配線層的上表面和第二配線層的下表面 上未形成第一加強(qiáng)層，因此電流不會在趨近效應(yīng)作用下集中于 第一加強(qiáng)層中而流動。因此，即使是第一加強(qiáng)層具有較高的電 阻率的情況下，也不會因第一加強(qiáng)層而產(chǎn)生傳輸損失。
具有這些優(yōu)點(diǎn)的結(jié)果，能夠保持第一配線層和第二配線層 的傳輸特性良好，且能夠防止第二配線層的損傷。
根據(jù)本發(fā)明，通過將第一配線層和第二配線層上下地進(jìn)行 配置，降低了第一配線層和第二配線層的傳輸損失。并且，第 二配線層不產(chǎn)生傳輸損失地被第一加強(qiáng)層加強(qiáng)。由此，能夠保 持第一配線層和第二配線層的傳輸特性良好，且能夠防止第二 配線層的損傷。


圖l是本實(shí)施方式的懸掛基板的俯視圖。
圖2是圖1的懸掛基板的A-A縱剖視圖。 圖3是表示懸掛基板的制造工序的縱剖視圖。 圖4是表示懸掛基板的制造工序的縱剖視圖。 圖5是用于說明寫入用配線圖案的構(gòu)成例的剖視圖。 圖6是表示模擬在差動模式輸入和差動模式輸出中的增益 的結(jié)果的圖。
圖7是用于說明讀取用配線圖案的構(gòu)成例的剖視圖。 圖8是表示模擬在差動模式輸入和差動模式輸出中的增益 的結(jié)果的圖。
圖9是表示模擬在差動模式輸入和差動模式輸出中的增益
10的結(jié)果的圖。
圖IO是以往的懸掛基板的縱剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式的配線電路基板及其 制造方法進(jìn)行i兌明。以下，作為本發(fā)明的實(shí)施方式的配線電3各 基板，對用于硬盤驅(qū)動裝置的致動器中的懸掛基板的結(jié)構(gòu)及其 制造方法進(jìn)4亍i兌明。
(1)懸掛基板的結(jié)構(gòu)
圖l是本實(shí)施方式的懸掛基板的俯視圖。如圖l所示，懸掛
基板l具有由金屬制的長條狀基板形成的懸掛主體部IO。在懸 掛主體部10上，如粗虛線所示，形成有寫入用配線圖案W1、 W2和讀取用配線圖案R1、 R2。寫入用配線圖案W1、 W2和讀 取用配線圖案R1、 R2分別形成信號線路對。
在懸掛主體部10的前端部通過形成U字形狀的開口部ll而 設(shè)有磁頭搭載部(以下稱作舌部)12。舌部12在虛線R的部位 處被彎折加工成與懸掛主體部10成規(guī)定角度。在舌部12的端部 形成有四個電才及焊盤21、 22、 23、 24。
在懸掛主體部10的另 一端部形成有四個電極焊盤31、 32、 33、 34。舌部12上的電極焊盤21 ~ 24和懸掛主體部IO的另一 端部的電極焊盤31 ~ 34分別由寫入用配線圖案W1、 W2和讀取 用配線圖案R1、 R2電連接。此外，在懸掛主體部10上形成有 多個孔部H。
在具有懸掛基板l的未圖示的硬盤裝置中，在對磁盤進(jìn)行 信息寫入時使電流流過一對寫入用配線圖案W1、 W2。此外， 在對磁盤進(jìn)行信息讀取時使電流流過一對讀取用配線圖案R1、 R2。接著，對懸掛基板l的寫入用配線圖案W1、 W2和讀取用配
線圖案R1、 R2的詳細(xì)內(nèi)容進(jìn)行說明。圖2是圖1的懸掛基板1的 A-A縱剖視圖。
如圖2所示，在中央部具有開口部的懸掛主體部IO上形成 有第一絕緣層41。懸掛主體部10沿第一絕緣層41的周緣部延伸 地形成。在第一絕緣層41上形成寫入用配線圖案W1。并且以 覆蓋寫入用配線圖案W1的方式在第 一絕緣層41上形成第二絕 緣層42。
在第二絕緣層42上形成寫入用配線圖案W2和讀取用配線 圖案R1、 R2。寫入用配線圖案W2配置在寫入用配線圖案W1 的上方，并與寫入用配線圖案W1平行地延伸。此外，讀取用配 線圖案R1、 R2相互隔開間隔地平行延伸。
寫入用配線圖案W2包含導(dǎo)體層W2a和加強(qiáng)用合金層 W2b、 W2c。加強(qiáng)用合金層W2b、 W2c以覆蓋導(dǎo)體層W2a的上 表面和#)面的方式依次形成。
此外，讀取用配線圖案Rl包含導(dǎo)體層Rla和加強(qiáng)用合金層 Rlb、 Rlc,讀取用配線圖案R2包含導(dǎo)體層R2a和加強(qiáng)用合金 層R2b、 R2c。加強(qiáng)用合金層Rlb、 Rlc以覆蓋導(dǎo)體層Rla的上 表面和側(cè)面的方式依次形成，加強(qiáng)用合金層R2b、 R2c以覆蓋導(dǎo) 體層R2a的上表面和側(cè)面的方式依次形成。
加強(qiáng)用合金層W2b、 W2c、 Rlb、 Rlc、 R2b、 R2c由比導(dǎo) 體層W2a、 Rla、 R2a具有高的剛性和高的電阻率的材料構(gòu)成。 例如，導(dǎo)體層W2a、 Rla、 R2a由銅構(gòu)成，加強(qiáng)用合金層W2b、 W2c、 Rlb、 Rlc、 R2b、 R2c由包含銅和錫的合金構(gòu)成。
在第二絕緣層42上，以覆蓋寫入用配線圖案W2和讀取用 配線圖案R1、 R2的方式形成有第三絕緣層43。 (2)懸掛基板的制造方法對懸掛基板l的制造方法進(jìn)行說明。其中，省略對圖l的舌
部12、電極焊盤21 ~ 24、 31 ~ 34以及孔部H的形成工序的說明。 圖3和圖4是表示懸掛基板1的制造工序的縱剖視圖。 首先，如圖3的(a)所示，在由例如不銹鋼形成的懸掛主
體部10上使用粘著劑層疊由例如聚酰亞胺構(gòu)成的第 一 絕緣層41。
懸掛主體部IO的厚度例如為5 ju m ~ 50 ia m,優(yōu)選為10 ia m 30jam。作為懸掛主體部IO,也可以替代不銹鋼而采用鋁 等其他金屬或者合金等形成。
第 一絕緣層41的厚度例如為1 n m ~ 15 ia m,優(yōu)選為2 |i m 5jam。作為第一絕緣層41,也可以替代聚酰亞胺而采用環(huán) 氧樹脂等其他絕緣材料形成。
接著，如圖3的(b)所示，在第一絕緣層41上形成由例如 銅構(gòu)成的寫入用配線圖案W1。寫入用配線圖案W1可以采用例 如半添加法形成，也可以采用減去法等其他方法形成。
寫入用配線圖案W1的厚度例如為3 n m ~ 16 ja m,優(yōu)選為6 ia m ~ 13 ym。此外，寫入用配線圖案Wl的寬度例如為10 y m ~ 500 ju m, 優(yōu)選為15 ja m ~ 100 ja m。
寫入用配線圖案W1并不限于銅，也可以采用金(Au)、鋁 等其他金屬、或者銅合金、鋁合金等合金構(gòu)成。
接著，如圖3的(c)所示，在第一絕緣層41上以覆蓋寫入 用配線圖案W1的方式形成有由例如聚酰亞胺構(gòu)成的第二絕緣 層42。
第二絕緣層42的厚度例如為4p m~ 26p m,優(yōu)選為8" m ~ 21 y m。第二絕緣層42也可以替代聚酰亞胺而采用環(huán)氧樹 脂等其他絕緣材料形成。
接著，如圖3的(d)所示，在第二絕緣層42上形成由例如
13銅構(gòu)成的導(dǎo)體層W2a、 Rla、 R2a。導(dǎo)體層W2a、 Rla、 R2a可 以采用例如半添加法形成，也可以采用減去法等其他方法形成。
導(dǎo)體層W2a的厚度例如為1 jum 15jam,優(yōu)選為3ium 12|um。此外，導(dǎo)體層W2a的寬度例如為10 n m ~ 500 ia m,優(yōu) 選為15 ia m ~ 100 ja m。
導(dǎo)體層Rla、 R2a的厚度例如分別為1 p m ~ 15 ja m，優(yōu)選 為3jum 12iam。此外，導(dǎo)體層Rla、 R2a的寬度例如分別為 10 ju m ~ 500 in m, 優(yōu)選為15 ju m ~ 100 ja m。
導(dǎo)體層W2a、 Rla、 R2a并不限于銅，也可以采用金(Au)、 鋁等其他金屬、或者銅合金、鋁合金等合金構(gòu)成。
接著，如圖4的(e)所示，以覆蓋導(dǎo)體層W2a的方式依次 形成加強(qiáng)用合金層W2b、 W2c,以覆蓋導(dǎo)體層Rla的方式依次 形成加強(qiáng)用合金層Rlb、 Rlc,以覆蓋導(dǎo)體層R2a的方式依次形 成加強(qiáng)用合金層R2b、 R2c,由此形成寫入用配線圖案W2和讀 取用配線圖案R1、 R2。
加強(qiáng)用合金層W2b、 W2c、 Rlb、 Rlc、 R2b、 R2c可以是 例如通過電解電鍍形成，也可以通過無電解電鍍或者蒸鍍等其 4也方法形成。
如上所述，加強(qiáng)用合金層W2b、 W2c、 Rlb、 Rlc、 R2b、 R2c例如包含銅和錫。此外，優(yōu)選加強(qiáng)用合金層W2b、 Rlb、 R2b中所含的銅的比例比加強(qiáng)用合金層W2c、 Rlc、 R2c中所含 的銅的比例大。這種情況下，在導(dǎo)體層W2a、 Rla、 R2a中不 會產(chǎn)生內(nèi)部應(yīng)力，能夠在導(dǎo)體層W2a、 Rla、 R2a的表面上形 成加強(qiáng)用合金層W2b、 W2c、 Rlb、 Rlc、 R2b、 R2c。
在加強(qiáng)用合金層W2b、 Rlb、 R2b中，錫與銅的比例例如 為1/99~ 47/53。此外，在加強(qiáng)用合金層W2c、 Rlc、 R2c中， 錫與銅的比例例如為47/53以下。另夕卜，由銅和錫構(gòu)成的銅錫合
14金以Cu41Sn11、 CulOSn3、 CullSn9、 Cu3Sn、 Cu6Sn5、 Cu39Snl1、 Cu8lSn22等組成式表示。這種情況下，在組成式 CuxSny中，x/y > 1.11。
加強(qiáng)用合金層W2b、 Rlb、 R2b的厚度分另'j為0.001 w m~ 1.5|um,優(yōu)選為0.2ju m~ 0.8|u m。加強(qiáng)用合金層W2c、 Rlc、 R2c的厚度分別為0.001 |a m ~ 1.5 iu m,優(yōu)選為0.2 ja m ~ 0.8 ju m。
此外，讀耳又用配線圖案R1、 R2的間隔例如為10 iu m ~ 100 jam，優(yōu)選為30y m 80M m。這種情況下，能夠在抑制讀取用 配線圖案R1、 R2的配置空間增大的同時，抑制讀取用配線圖案 Rl、 R2之間的趨近效應(yīng)的影響。由此，能夠減少讀取用配線圖 案R1、 R2的傳輸損失。
另外，加強(qiáng)用合金層W2b、 Rlb、 R2b的材料也可以替代 銅和錫的合金而采用例如銀等。此外，加強(qiáng)用合金層W2c、 Rlc、 R2c的材料也可以替代銅和錫的合金而采用例如銀等。
此外，只要是能夠充分地提高寫入用配線圖案W2和讀取用 配線圖案R1、 R2的強(qiáng)度，也可以使加強(qiáng)用合金層W2b、 Rlb、 R2b中的銅和錫的比例以及加強(qiáng)用合金層W2c、 Rlc、 R2c中的 銅和錫的比例相等。
接著，如圖4的(f)所示，以覆蓋加強(qiáng)用合金層W2c、 Rlc、 R2c的方式在第二絕緣層42上形成由例如聚酰亞胺構(gòu)成的第三 絕緣層43。
第三絕緣層43的厚度例如為1 ja m ~ 30 n m，優(yōu)選為2 ja m~ 20 u m。第三絕緣層43也可以替代聚酰亞胺樹脂而采用環(huán) 氧樹脂等其他絕緣材料形成。 (3)效果
在寫入用配線圖案W1、 W2中流過方向相反的電流時，由于趨近效應(yīng)，電流分別沿著寫入用配線圖案W1、 W2的相互對 置的面集中。其中，將寫入用配線圖案W1、 W2配置在相同的 平面上的話，電流沿著寫入用配線圖案W1、 W2的相互對置的 側(cè)面集中而流動。
在本實(shí)施方式所述的懸掛基板l中，寫入用配線圖案W2被 配置在寫入用配線圖案W1的上方。這種情況下，電流沿寫入用 配線圖案W1的上表面和寫入用配線圖案W2的下表面集中而流 動。寫入用配線圖案W1、 W2的上表面和下表面的面積比側(cè)面 的面接更大。因此，與將寫入用配線圖案W1、 W2配置在相同 的平面的情況相比，降低了寫入用配線圖案W1、 W2的傳輸損 失。由此，提高了寫入用配線圖案W1、 W2的傳輸特性。
此外，相對于在寫入用配線圖案W1上形成第二絕緣層42 和第三絕緣層43，在寫入用配線圖案W2上僅形成第三絕緣層 43。由此，與寫入用配線圖案W1相比，容易從外部對寫入用 配線圖案W2施加應(yīng)力。
因此，在本實(shí)施方式中，寫入用配線圖案W1、 W2中的配 置在上方的寫入用配線圖案W2包含有導(dǎo)體層W2a和加強(qiáng)用合 金層W2b、 W2c。加強(qiáng)用合金層W2b、 W2c以覆蓋導(dǎo)體層W2a 的上表面和側(cè)面的方式形成。由此，能夠有效地防止寫入用配 線圖案W2的損傷。
此外，在這種情況下，在寫入用配線圖案W1的上表面和寫 入用配線圖案W2的下表面上未設(shè)置電阻比銅高的加強(qiáng)用合金 層，因此即使電流沿寫入用配線圖案W1的上表面和寫入用配線 圖案W2的下表面集中而流動，寫入用配線圖案W1、 W2的傳輸 損失也不會增大。結(jié)果，能夠良好得保持寫入用配線圖案W1、 W2的傳輸特性并且能夠提高寫入用配線圖案W2的強(qiáng)度。
另一方面，為了從磁盤中讀取信息，要求讀取用配線圖案Rl、 R2具有高阻抗。因此，在本實(shí)施方式中，讀取用配線圖案 Rl、 R2形成在相同平面上。這種情況下，與將讀取用配線圖案 Rl、 R2上下配置的情況相比，能夠保持讀取用配線圖案R1、 R2的高阻抗。
此外，讀取用配線圖案R1、 R2分別包含有加強(qiáng)用合金層 Rlb、 Rlc、 R2b、 R2c,由此提高了讀取用配線圖案Rl 、 R2 的強(qiáng)度。由此，能夠防止讀取用配線圖案R1、 R2的損傷。
(4)傳輸損失的測定
(4-1)寫入用配線圖案的傳輸損失
制作各種結(jié)構(gòu)的寫入用配線圖案W1、 W2對傳輸損失的不 同進(jìn)行了調(diào)查。圖5是用于說明寫入用配線圖案W1、 W2的結(jié)構(gòu) 例的剖視圖。另外，圖5的(b )的例子相當(dāng)于本發(fā)明的實(shí)施例， 圖5的(a)和圖5的(c)的例子相當(dāng)于比較例。
在圖5的(a)的例子中，在由不銹鋼構(gòu)成的金屬基板61上 形成了由聚酰亞胺構(gòu)成的絕緣層62。絕緣層62的厚度為5ju m。 接著，在絕緣層62上形成了由銅構(gòu)成的寫入用配線圖案W1。 寫入用配線圖案Wl的厚度為4nm。接著，以覆蓋寫入用配線 圖案W1的方式在絕緣層62上形成了由聚酰亞胺構(gòu)成的絕緣層 63。寫入用配線圖案W1上的絕緣層63的厚度為5 ia m。
接著，在絕緣層63上形成了由銅構(gòu)成的寫入用配線圖案 W2。寫入用配線圖案W2的厚度為7p m。接著，以覆蓋寫入用 配線圖案W2的方式在絕緣層63上形成了由聚酰亞胺構(gòu)成的絕 緣層64。寫入用配線圖案W2上的絕緣層64的厚度為4 u m。
圖5的(b )的例子與圖5的(a )的例子的不同點(diǎn)如下所述。 在圖5的(b)的例子中，寫入用配線圖案W2包括導(dǎo)體層W2a 和加強(qiáng)用合金層W2b、 W2c。在絕緣層63上形成了由銅構(gòu)成的 導(dǎo)體層W2a之后，以覆蓋導(dǎo)體層W2a的上表面和側(cè)面的方式，
17依次形成了銅與錫的比例為99: l的加強(qiáng)用合金層W2b和銅與 錫的比例為41: 11的加強(qiáng)用合金層W2c。另外，導(dǎo)體層W2a的 厚度為4.9ium,加強(qiáng)用合金層W2b的厚度為1.5 m m，加強(qiáng)用 合金層W2c的厚度為0.6 n m。并且，以覆蓋寫入用配線圖案 W2的方式形成有絕緣層64。，
圖5的(c)的例子與圖5的(a)的例子的不同點(diǎn)如下所述。 在圖5 ( c)的例子中，寫入用配線圖案Wl包括導(dǎo)體層Wla和加 強(qiáng)用合金層Wlb、 Wlc。在絕緣層62上形成了由銅構(gòu)成的導(dǎo)體 層Wla后，以覆蓋導(dǎo)體層Wla的上表面和側(cè)面的方式，依次形 成銅與錫的比例為99: 1的加強(qiáng)用合金層Wlb和銅與錫的比例 為41: ll的加強(qiáng)用合金層Wlc。另外，導(dǎo)體層Wla的厚度為1.9 Him,加強(qiáng)用合金層Wlb的厚度為1.5y m，加強(qiáng)用合金層Wlc 的厚度為0.6pm。并且，以覆蓋寫入用配線圖案W1的方式形 成有絕緣層63。
在圖5的(a) ~圖5的(c)的寫入用配線圖案W1、 W2中， 對差動模式輸入和差動模式輸出(Sdd21)中的增益進(jìn)行了調(diào) 查。另外，負(fù)的增益表示損失。
圖6中表示了模擬差動模式輸入和差動模式輸出中的增益 的結(jié)果。在圖6中，縱軸表示增益，橫軸表示信號的頻率。如 圖6所示，圖5的(a)和圖5的(b)的寫入用配線圖案W1、 W2的損失比圖5的(c)的寫入用配線圖案W1、 W2的損失小。
根據(jù)該結(jié)果可知，在位于上側(cè)的寫入用配線圖案W 2具有加 強(qiáng)用合金層W2b、 W2c的情況下，能夠得到與寫入用配線圖案 Wl 、 W2均不具有加強(qiáng)用合金層的情況相同的傳輸特性。
另 一方面，可以知道在位于下側(cè)的寫入用配線圖案W1具有 加強(qiáng)用合金層Wlb、 Wlc的情況下，與寫入用配線圖案W1、 W2均不具有加強(qiáng)用合金層的情況相比，傳輸損失變大。
18因而，通過寫入用配線圖案W2具有加強(qiáng)用合金層W2b、 W2c，能夠良好地保持寫入用配線圖案W1、 W2的傳輸特性， 并且防止寫入用配線圖案W2的損傷。
(4-2)讀取用配線圖案的傳輸損失
制作各種結(jié)構(gòu)的讀取用配線圖案R1、 R2,對傳輸損失的不 同進(jìn)行了調(diào)查。圖7是用于說明讀取用配線圖案R1、 R2的結(jié)構(gòu) 例的剖—見圖。
在圖7的(a)的例子中，在由不銹鋼構(gòu)成的金屬基板71上 形成有由聚酰亞胺構(gòu)成的絕緣層72。絕緣層72的厚度為10 y m。接著，在絕緣層72上隔開15 ia m的間隔形成由銅構(gòu)成的讀 取用配線圖案R1、 R2。讀取用配線圖案R1、 R2的厚度分別為 12jum,讀取用配線圖案R1、 R2的寬度分別為80ja m。接著， 以覆蓋讀耳又用配線圖案R1、 R2的方式在絕纟彖層72上形成由聚 酰亞胺構(gòu)成的絕緣層73。讀取用配線圖案R1、 R2上的絕緣層 73的厚度為5 m m。
圖7的(b)的例子與圖7的(a)的例子的不同點(diǎn)如下所述。 在圖7的(b)的例子中，讀取用配線圖案Rl包括導(dǎo)體層Rla和 加強(qiáng)用合金層Rlb、 Rlc。在絕緣層72上形成了由銅構(gòu)成的導(dǎo) 體層Rla后，以覆蓋導(dǎo)體層Rla的上表面和側(cè)面的方式依次形 成了銅與錫的比例為99: 1的加強(qiáng)用合金層Rlb和銅與錫的比例 為41: ll的加強(qiáng)用合金層Rlc。另外，導(dǎo)體層Rla的厚度為9.9 nm，加強(qiáng)用合金層Rlb的厚度為1.5 u m,加強(qiáng)用合金層Rlc 的厚度為0.6ju m。
此外，讀取用配線圖案R2包括導(dǎo)體層R2a和加強(qiáng)用合金層 R2b、 R2c。在絕緣層72上形成由銅構(gòu)成的導(dǎo)體層R2a后，以覆 蓋導(dǎo)體層R2a的上表面和側(cè)面的方式依次形成了銅與錫的比例 為99: l的加強(qiáng)用合金層R2b和銅與錫的比例為41: ll的加強(qiáng)用合金層R2c。另外，導(dǎo)體層R2a的厚度為9.9y m,加強(qiáng)用合 金層R2b的厚度為1.5 n m,加強(qiáng)用合金層R2c的厚度為0.6y m。 并且，以覆蓋讀取用配線圖案R1、 R2的方式形成了絕緣層73。
圖7的(c)的例子除了讀取用配線圖案R1、 R2的間隔為 50ym之外，與圖7的(a)的例子是相同的。
圖7的(d)的例子除了讀取用配線圖案R1、 R2的間隔為 50nm之外，與圖7的(b)的例子是相同的。
在圖7的(a) ~圖7的(d)的讀取用配線圖案R1、 R2中， 對差動模式輸入和差動模式輸出(Sdd21)中的增益進(jìn)行了調(diào) 查。另外，負(fù)的增益表示損失。
在圖8和圖9中表示了模擬差動模式輸入和差動模式輸出 中的增益的結(jié)果。圖8表示圖7的(a)和圖7的(b)的例子的 模擬結(jié)果，圖9表示圖7的(c)和圖7的(d)的例子的模擬結(jié) 果。另外，在圖8和圖9中，縱軸表示增益，橫軸表示信號的頻率。
如圖8所示，圖7的(b)的讀取用配線圖案R1、 R2的損失 比圖7的(a)的讀取用配線圖案R1、 R2的損失大。另一方面， 如圖9所示，圖7的(d)的讀取用配線圖案R1、 R2的損失與圖 7的(c)的讀取用配線圖案R1、 R2的損失相比基本不變。
此外，如圖8和圖9所示，圖7的(c)的讀取用配線圖案R1、 R2的損失比圖7的(a)的讀取用配線圖案R1、 R2的損失小， 圖7的(d)的讀取用配線圖案R1、 R2的損失比圖7的(b)的 讀取用配線圖案R1、 R2的損失小。
根據(jù)該結(jié)果可知，在讀取用配線圖案R1、 R2具有加強(qiáng)用合 金層Rlb、 Rlc、 R2b、 R2c的情況下，通過使讀取用配線圖案 Rl、 R2之間的間隔為50 ju m，與使讀取用配線圖案R1、 R2之 間的間隔為15 ia m的情況相比，能夠得到良好的傳輸特性。因而，通過使讀取用配線圖案R1、 R2具有加強(qiáng)用合金層 Rlb、 Rlc、 R2b、 R2c，并使讀取用配線圖案R1、 R2之間的間 隔為30 u m ~ 80 ju m,從而能夠良好地保持讀耳又用配線圖案 Rl、 R2的傳輸特性，并且防止讀取用配線圖案R1、 R2的損傷。
(5 )其他實(shí)施方式
在上述實(shí)施方式中，讀取用配線圖案R1、 R2形成在第二絕 緣層42上，但是也可以將讀取用配線圖案R1、 R2形成在第一 絕緣層41上。此外，也可以使讀取用配線圖案R1、 R2形成為 與寫入用配線圖案W1、 W2均不同的高度。
此外，在上述實(shí)施方式中，以覆蓋寫入用配線圖案W2的導(dǎo) 體層W2a的上表面和側(cè)面的方式形成加強(qiáng)用合金層W2b、 W2c, 然而只要是在寫入用配線圖案W1的上表面?zhèn)群蛯?dǎo)體層W 2 a的 下表面?zhèn)炔恍纬杉訌?qiáng)用合金層而至少包括寫入用配線圖案W2 的導(dǎo)體層W2a的上表面的區(qū)域，也能夠在其他區(qū)域中形成同樣 的加強(qiáng)用合金層。
此外，在上述實(shí)施方式中，以覆蓋讀取用配線圖案R1、 R2 的導(dǎo)體層Rla、 R2a的上表面和側(cè)面的方式形成有加強(qiáng)用合金 層Rlb、 Rlc、 R2b、 R2c,然而也可以在導(dǎo)體層Rla、 R2a的 任意區(qū)域形成同樣的加強(qiáng)用合金層。
(6 )權(quán)利要求的各構(gòu)成要素與實(shí)施方式的各部分的對應(yīng)
關(guān)系
以下，對權(quán)利要求的各構(gòu)成要素與實(shí)施方式的各部分對應(yīng) 的例子進(jìn)行說明，本發(fā)明并不限于下述例子。
在上述實(shí)施方式中，寫入用配線圖案W1為第一配線層的例 子，導(dǎo)體層W2a為第二配線層的例子，導(dǎo)體層Rla為第三配線 層的例子，導(dǎo)體層R2a為第四配線層的例子，加強(qiáng)用合金層 Wlb、 Wlc為第一加強(qiáng)層的例子，加強(qiáng)用合金層Rlb、 Rlc為第
21二加強(qiáng)層的例子，加強(qiáng)用合金層R2b、 R2c為第三加強(qiáng)層的例子，懸掛主體部10為金屬基板的例子，舌部12為磁頭部的例子。
權(quán)利要求的各構(gòu)成要素可以采用具有權(quán)利要求所記載的結(jié)構(gòu)或者功能的其他各種要素。
2權(quán)利要求
1.一種配線電路基板，其包括第一絕緣層；第一配線層，其形成在所述第一絕緣層上；第二絕緣層，其以覆蓋所述第一配線層的方式形成在所述第一絕緣層上；第二配線層，其形成在所述第二絕緣層上的所述第一配線層的上方，該第二配線層與所述第一配線層構(gòu)成信號線路對；和第一加強(qiáng)層，其具有導(dǎo)電性，其至少形成在所述第二配線層的上表面上，且該第一加強(qiáng)層不形成在所述第一配線層的上表面和所述第二配線層的下表面上，所述第一配線層的寬度比所述第一配線層的厚度大，所述第二配線層的寬度比所述第二配線層的厚度大。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的配線電路基板，其特征在于， 所述第一加強(qiáng)層具有比所述第二配線層高的剛性，且具有比所述第二配線層高的電阻率。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的配線電路基板，其特征在于， 所述第一配線層和第二配線層中含有銅，所述第一加強(qiáng)層含有銅和錫的合金。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的配線電路基板，其特征在于， 在所述第一絕緣層或者所述第二絕緣層上還具有隔開間隔地形成的、構(gòu)成信號線路對的第三配線層和第四配線層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的配線電路基板，其特征在于，該配線電路基板至少還包括形成在所述第三配線層的至少 一 個表面上的導(dǎo)電性的第二 加強(qiáng)層；以及形成在所述第四配線層的至少 一個表面上的導(dǎo)電性的第三加強(qiáng)層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的配線電路基板，其特征在于， 所述第二加強(qiáng)層和第三加強(qiáng)層具有比所述第三配線層和所述第四配線層高的剛性。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的配線電路基板，其特征在于， 所述第三配線層和所述第四配線層的間隔為10 w m ~ 100ju m。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的配線電路基板，其特征在于， 該配線電路基板還包括長條狀的金屬基板；以及磁頭部，其設(shè)在所述金屬基板上，用于進(jìn)行信號的讀寫， 所述第一絕緣層形成在所述金屬基板上， 所述第——第四配線層與所述》茲頭部電連接， 在通過所述磁頭部進(jìn)行信號寫入時電流流過第一配線層和第二配線層，在通過所述磁頭部進(jìn)行信號讀取時電流流過第三配線層和第四配線層。
9. 一種配線電路基板的制造方法，其包括 在第一絕緣層上形成第一配線層的工序； 以覆蓋所述第一配線層的方式在所述第一絕緣層上形成第二絕緣層的工序；在所述第二絕緣層上的所述第一配線層的上方形成第二配 線層的工序，該第二配線層與所述第一配線層構(gòu)成信號線路對； 以及在所述第一配線層的上表面和所述第二配線層的下表面不 形成第一加強(qiáng)層而至少在所述第二配線層的上表面上形成導(dǎo)電 性的第一加強(qiáng)層的工序，所述第一配線層的寬度比所述第一配線層的厚度大，所述 第二配線層的寬度比所述第二配線層的厚度大。
全文摘要
本發(fā)明提供一種配線電路基板及其制造方法。在懸掛主體部上形成有第一絕緣層。在第一絕緣層上形成有寫入用配線圖案。以覆蓋寫入用配線圖案的方式在第一絕緣層上形成有第二絕緣層。在第二絕緣層上形成寫入用配線圖案和讀取用配線圖案。寫入用配線圖案被配置在寫入用配線圖案的上方。寫入用配線圖案包含導(dǎo)體層和加強(qiáng)用合金層。以覆蓋導(dǎo)體層的上表面和側(cè)面的方式依次形成有加強(qiáng)用合金層。
文檔編號G11B5/48GK101667428SQ20091016729
公開日2010年3月10日 申請日期2009年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月3日
發(fā)明者井上真彌, 文逸何, 田中壯宗, 馬丁·約翰·麥卡斯林 申請人:日東電工株式會社