專利名稱：具雙向傳輸機(jī)制的移位緩存器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及 一 種移位緩存器電路，尤其涉及 一 種具雙向傳輸機(jī)制的 移位緩存器電路。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display; LCD)是目前廣泛使用的一種平面 顯示器，其具有外型輕薄、省電以及無輻射等優(yōu)點(diǎn)。液晶顯示裝置的工作原 理是利用改變液晶層兩端的電壓差來改變液晶層內(nèi)的液晶分子的排列狀態(tài)， 用以改變液晶層的透光性，再配合背光模塊所提供的光源以顯示影像。 一般 而言，液晶顯示裝置包含有多個像素單元、柵極驅(qū)動器以及源極驅(qū)動器。源 極驅(qū)動器用來提供多個數(shù)據(jù)信號到多個像素單元。柵極驅(qū)動器包含移位緩存 器電路，用來提供多個柵極信號以控制多個數(shù)據(jù)信號寫入到多個像素單元。 因此，移位緩存器電路即為控制數(shù)據(jù)信號寫入操作的關(guān)鍵性組件。
圖1為現(xiàn)有的移位緩存器電路100的示意圖。如圖1所示，移位緩存器電路 IOO包含多級移位緩存器。為方便說明，移位緩存器電路100只顯示第N-1級移 位緩存器lll、第N級移位緩存器112、以及第N+1級移位緩存器113。第N級移 位緩存器112用來根據(jù)第一頻率CKl、第二頻率CK2及啟始脈沖信號STn-l產(chǎn)生 柵極信號SGn與啟始脈沖信號STn。柵極信號SGn經(jīng)由柵極線GLn饋入到像素 陣列101的對應(yīng)像素單元103，用以控制數(shù)據(jù)線DLi的數(shù)據(jù)信號的寫入操作。啟 始脈沖信號STn則饋入到第N+l級移位緩存器113，用來使能第N+1級移位緩存 器113以輸出具有高電壓準(zhǔn)位的柵極信號SGn+l。
在移位緩存器電路100的運(yùn)作中，多級移位緩存器只能依啟始脈沖信號下 傳模式進(jìn)行單向掃描而依序輸出高電壓準(zhǔn)位脈沖的柵極信號，如此較容易導(dǎo)致顯示畫面的云紋效應(yīng)(Mura effect),換句話說，現(xiàn)有的移位緩存器電路IOO 的單向掃描運(yùn)作模式并無法用來提供高畫面質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，其揭露一種具雙向傳輸機(jī)制的移位緩存器電路， 用以提供多個柵極信號到多個柵極線，可以抑制云紋效應(yīng)(Mura effect)，從而
改善畫面質(zhì)量。
所述移位緩存器電路包含多級移位緩存器，其中第N級移位緩存器包含上 拉單元、進(jìn)位單元、進(jìn)位控制單元、輸入單元、控制單元、第一下拉單元、 以及第二下拉單元。
上拉單元電連接于第N柵極線，用來根據(jù)驅(qū)動控制電壓與第一頻率以上拉 第N柵極信號，其中第N柵極線用來傳輸?shù)贜柵極信號。進(jìn)位單元用來根據(jù)驅(qū) 動控制電壓與第一頻率產(chǎn)生前置啟始脈沖信號。進(jìn)位控制單元電連接于進(jìn)位 單元以接收前置啟始脈沖信號，用來根據(jù)第一偏壓與第二偏壓將前置啟始脈 沖信號輸出為第N下傳啟始脈沖信號或第N上傳啟始脈沖信號。輸入單元電連 接于第N-1級移位緩存器與第N+1級移位緩存器以接收第N-1下傳啟始脈沖信 號與第N+1上傳啟始脈沖信號，用來將具高電壓準(zhǔn)位的第N-1下傳啟始脈沖信 號或第N+1上傳啟始脈沖信號輸入為驅(qū)動控制電壓。控制單元用來根據(jù)第一頻 率、第N柵極信號與驅(qū)動控制電壓產(chǎn)生控制信號。第一下拉單元電連接于控制 單元、第N柵極線與進(jìn)位單元，用來根據(jù)控制信號、第二頻率、或第四頻率以 下拉第N柵極信號，以及用來根據(jù)第四頻率以下拉前置啟始脈沖信號。第二下 拉單元電連接于輸入單元與第N柵極線，用來根據(jù)第三頻率以下拉驅(qū)動控制電 壓與第N柵極信號。
依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，其另揭露了一種具雙向傳輸機(jī)制的移位緩存器電 路，用以提供多個柵極信號至多個柵極線。所述移位緩存器電路包含多級移 位緩存器，其中第N級移位緩存器包含上拉單元、下傳進(jìn)位單元、上傳進(jìn)位單元、輸入單元、控制單元、第一下拉單元、以及第二下拉單元。
上拉單元電連接于第N柵極線，用以根據(jù)驅(qū)動控制電壓與第一頻率以上拉
第N柵極信號，其中第N柵極線用來傳輸?shù)贜柵極信號。下傳進(jìn)位單元用來根 據(jù)驅(qū)動控制電壓將第一信號輸出為第N下傳啟始脈沖信號。上傳進(jìn)位單元用來 根據(jù)驅(qū)動控制電壓將第二信號輸出為第N上傳啟始脈沖信號。輸入單元電連接 于第N-1級移位緩存器與第N+1級移位緩存器以接收第N-1下傳啟始脈沖信號 與第N+1上傳啟始脈沖信號，用來將具高電壓準(zhǔn)位的第N-1下傳啟始脈沖信號 或第N+1上傳啟始脈沖信號輸入為驅(qū)動控制電壓?？刂茊卧脕砀鶕?jù)第一頻 率、第N柵極信號與驅(qū)動控制電壓產(chǎn)生控制信號。第一下拉單元電連接于控制 單元、第N柵極線、上傳進(jìn)位單元與下傳進(jìn)位單元，用來根據(jù)控制信號、第二 頻率、或第四頻率以下拉第N柵極信號，以及用來根據(jù)第四頻率以下拉第N下 傳啟始脈沖信號與第N上傳啟始脈沖信號。第二下拉單元電連接于輸入單元與 第N柵極線，用來根據(jù)第三頻率以下拉驅(qū)動控制電壓與第N柵極信號。
本發(fā)明移位緩存器電路具有雙向傳輸機(jī)制，可降低顯示畫面的云紋效應(yīng) 以改善畫面質(zhì)量，而每一級移位緩存器并不需要利用上一級或下一級移位緩 存器所產(chǎn)生的信號以輔助下拉柵極信號與驅(qū)動控制電壓，因此可顯著縮減各 級移位緩存器之間的走線布局面積以降低成本。此外，由于使用四個頻率以 執(zhí)行相關(guān)電路運(yùn)作，所以可降低移位緩存器電路的操作頻率以降低功率損耗， 并可據(jù)以延長電路操作壽命。
此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步 解，構(gòu)成本申請的一部 分，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限定。在附圖中 圖l為現(xiàn)有的移位緩存器電路的示意圖。 圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的移位緩存器電路的示意圖。 圖3為圖2所示的移位緩存器電路的工作相關(guān)信號波形圖，其中橫軸為時間軸。
圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的移位緩存器電路的示意圖。
圖5為圖4所示的移位緩存器電路的工作相關(guān)信號波形圖，其中橫軸為時 間軸。
附圖標(biāo)號
100、 200、 500移位緩存器電路
101、 201、 501像素陣列
103、 205、 206、 207、 505、 506、 507像素單元
111、 211、 511第N-1級移位緩存器
112、 212、 512第N級移位緩存器
113、 213、 513第N+1級移位緩存器
220、 520上拉單元
221、 521第一晶體管 230進(jìn)位單元
231、 526第四晶體管 235進(jìn)位控制單元
236、 531第五晶體管
237、 551第六晶體管
240、 540輸入單元
241、 541第二晶體管
242、 542第三晶體管
245、 545儲能單元
246、 546電容
250、 550控制單元
251、 552第七晶體管
252、 553第八晶體管253、561第九晶體管
260、560第一下拉單元
261、562第十晶體管
262、563第十一晶體管
263、564第十二晶體管
264、565第十三晶體管
270、570第二下拉單元
271、571第十四晶體管
272、572第十五晶體管
273、573第十六晶體管
274、574第十七晶體管
525下傳進(jìn)位單元 530上傳進(jìn)位單元 CK1第一頻率 CK2第二頻率 CK3第三頻率 CK4第四頻率 CKB第二信號 CKF第一信號 DLi數(shù)據(jù)線
GLn-l、 GLn、 GLn+l柵極線 SCn控制信號
SGn-l、 SGn、 SGn+l柵極信號
STBn-l、 STBn、 STBn+l、 STBn+2上傳啟始脈沖信號 STFn-2、 STFn-l、 STFn、 STFn+l下傳啟始脈沖信號 STn-l、 STn、 STn+l啟始脈沖信號TF1、 TF2、 TF3、 TF4、 TF5、 TF6下傳時段
TB1、 TB2、 TB3、 TB4、 TB5、 TB6上傳時段
Vbiasl第一偏壓
Vbias2第二偏壓
Vhl第一高電壓
Vh2第二高電壓
VQn驅(qū)動控制電壓
具體實(shí)施例方式
為讓本發(fā)明更顯而易懂，下文依本發(fā)明具雙向傳輸機(jī)制的移位緩存器電 路，特舉實(shí)施例配合附圖作詳細(xì)說明，但所提供的實(shí)施例并非用以限制本發(fā) 明所涵蓋的范圍。
圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的移位緩存器電路200的示意圖。如圖2所示，移 位緩存器電路200包含多級移位緩存器。為方便說明，移位緩存器電路200只 顯示第N-1級移位緩存器211、第N級移位緩存器212及第N+1級移位緩存器 213， N為正整數(shù)，其中只有第N級移位緩存器212顯示內(nèi)部功能單元電路架構(gòu)， 其余多級移位緩存器類同于第N級移位緩存器212，所以不另贅述。第N-1級移 位緩存器211用以提供柵極信號SGn-l、下傳啟始脈沖信號STFn-l與上傳啟始 脈沖信號STBn-l，第N級移位緩存器212用以提供柵極信號SGn、下傳啟始脈 沖信號STFn與上傳啟始脈沖信號STBn，第N+l級移位緩存器213用以提供柵極 信號SGn+l、下傳啟始脈沖信號STFn+l與上傳啟始脈沖信號STBn+l。每一級 移位緩存器的電路運(yùn)作均受控于第一頻率CK1、第二頻率CK2、第三頻率CK3 與第四頻率CK4。
柵極信號SGn-l經(jīng)由柵極線GLn-l饋入到像素陣列201的像素單元205，以 控制數(shù)據(jù)線DLi的數(shù)據(jù)信號寫入像素單元205。柵極信號SGn經(jīng)由柵極線GLn 饋入到像素陣列201的像素單元206，用以控制數(shù)據(jù)線DLi的數(shù)據(jù)信號寫入到像素單元206。柵極信號SGn+l經(jīng)由柵極線GLn+l饋入到像素陣列201的像素單元 207，用以控制數(shù)據(jù)線DLi的數(shù)據(jù)信號寫入到像素單元207。每一級移位緩存器 所產(chǎn)生的下傳啟始脈沖信號用以使能下一級移位緩存器，譬如第N級移位緩存 器212所產(chǎn)生的下傳啟始脈沖信號STFn用以使能第N+l級移位緩存器213。每
一級移位緩存器所產(chǎn)生的上傳啟始脈沖信號用以使能上一級移位緩存器，譬 如第N級移位緩存器212所產(chǎn)生的上傳啟始脈沖信號STBn用以使能第N-l級移 位緩存器211。
第N級移位緩存器212包含上拉單元220、儲能單元245、輸入單元240、進(jìn) 位單元230、進(jìn)位控制單元235、控制單元250、第一下拉單元260、以及第二 下拉單元270。上拉單元220電連接于柵極線GLn，根據(jù)驅(qū)動控制電壓VQn與第 一頻率CK1以上拉柵極線GLn的柵極信號SGn。輸入單元240電連接于第N-1級 移位緩存器211以接收下傳啟始脈沖信號STFn-l，以及電連接于第N+1級移位 緩存器213以接收上傳啟始脈沖信號STBn+l并將具高電壓準(zhǔn)位的下傳啟始脈 沖信號STFn-l或上傳啟始脈沖信號STBn+l輸入到驅(qū)動控制電壓VQn。儲能單 元245電連接于上拉單元220、輸入單元240與進(jìn)位單元230，用來根據(jù)下傳啟 始脈沖信號STFn-l或上傳啟始脈沖信號STBn+l執(zhí)行充電程序，并提供驅(qū)動控 制電壓VQn到上拉單元220與進(jìn)位單元230。進(jìn)位單元230電連接于輸入單元 240與儲能單元245，根據(jù)驅(qū)動控制電壓VQn與第一頻率CKl產(chǎn)生前置啟始脈沖 信號STPn。進(jìn)位控制單元235電連接于進(jìn)位單元230以接收前置啟始脈沖信號 STPn，根據(jù)第一偏壓Vbiasl與第二偏壓Vbias2將前置啟始脈沖信號STPn輸出 為下傳啟始脈沖信號STFn或上傳啟始脈沖信號STBn。
控制單元250電連接于儲能單元245，用來根據(jù)第一頻率CK1、柵極信號 SGn與驅(qū)動控制電壓VQn產(chǎn)生控制信號SCn。第一下拉單元260電連接于控制 單元250、柵極線GLn與進(jìn)位單元230，以及第一下拉單元260根據(jù)控制信號 SCn、第二頻率CK2、或第四頻率CK4將柵極信號SGn下拉至低電源電壓Vss 并且根據(jù)第四頻率CK4將前置啟始脈沖信號STPn下拉至低電源電壓Vss。第二下拉單元270電連接于輸入單元240與柵極線GLn，根據(jù)第三頻率CK3將驅(qū)動控 制電壓VQn與柵極信號SGn下拉至低電源電壓Vss并且根據(jù)柵極信號SGn將下 傳啟始脈沖信號STFn-l與上傳啟始脈沖信號STBn+l下拉至低電源電壓Vss。
在圖2所示的實(shí)施例中，上拉單元220包含第一晶體管221，輸入單元240 包含第二晶體管241與第三晶體管242，儲能單元245包含電容246，進(jìn)位單元 230包含第四晶體管231，進(jìn)位控制單元235包含第五晶體管236與第六晶體管 237，控制單元250包含第七晶體管251、第八晶體管252與第九晶體管253，第 一下拉單元260包含第十晶體管261、第十一晶體管262、第十二晶體管263與 第十三晶體管264，以及第二下拉單元270包含第十四晶體管271、第十五晶體 管272、第十六晶體管273與第十七晶體管274。第一晶體管221至第十七晶體 管274為薄膜晶體管(Thin Film Transistor)、金氧半場效晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)或接面場效晶體管(Junction Field Effec t Transistor)。
第二晶體管241包含第一端、第二端與柵極端，其中第一端用以接收下傳 啟始脈沖信號STFn-l，柵極端電連接于第一端，以及第二端電連接于電容246。 第三晶體管242包含第一端、第二端與柵極端，其中第一端用以接收上傳啟始 脈沖信號STBn+l，柵極端電連接于第一端，以及第二端電連接于第二晶體管 241的第二端。第二晶體管241的電路功能類同于二極管，所以第一端與第二 端實(shí)質(zhì)上等效于二極管的陽極(Anode)與陰極(Cathode)。當(dāng)下傳啟始脈沖信號 STFn-l為高電壓準(zhǔn)位時，則第二晶體管241處于導(dǎo)通狀態(tài)將下傳啟始脈沖信號 STFn-l從其第一端接收后由第二端輸出，當(dāng)下傳啟始脈沖信號STFn-l為低電 壓準(zhǔn)位時，則第二晶體管241處于截止?fàn)顟B(tài)。第三晶體管242的電路功能類同 于第二晶體管241。
第一晶體管221包含第一端、第二端與柵極端，其中第一端用以接收第一 頻率CK1，柵極端電連接于第二晶體管241的第二端，以及第二端電連接于柵 極線GLn。電容246包含第一端與第二端，其中第一端電連接于第 晶體管221的柵極端以及第二端電連接于第一晶體管221的第二端。第四晶體管23l包 含第一端、第二端與柵極端，其中第一端用以接收第一頻率CK1，柵極端電連 接于第二晶體管241的第二端，以及第二端用以輸出前置啟始脈沖信號STPn。 第五晶體管236包含第一端、第二端與柵極端，其中第一端電連接于第四晶體 管231的第二端以接收前置啟始脈沖信號STPn，柵極端用以接收第一偏壓 Vbiasl，以及第二端用以輸出上傳啟始脈沖信號STBn。第六晶體管237包含第 一端、第二端與柵極端，其中第一端電連接于第四晶體管231的第二端以接收 前置啟始脈沖信號STPn，柵極端用以接收第二偏壓Vbias2，以及第二端用以 輸出下傳啟始脈沖信號STFn。第七晶體管251包含第一端、第二端與柵極端， 其中第一端電連接于電容246的第一端以接收驅(qū)動控制電壓VQn，第二端電連 接于柵極線GLn，以及柵極端用以接收第一頻率CK1。第八晶體管252包含第 一端、第二端與柵極端，其中第一端用以接收第一頻率CK1，柵極端電連接于 第一端，以及第二端用以輸出控制信號SCn。第九晶體管253包含第一端、第 二端與柵極端，其中第一端電連接于第八晶體管252的第二端，柵極端電連接 于第七晶體管251的第二端，以及第二端用以接收低電源電壓Vss。
第十晶體管261包含第一端、第二端與柵極端，其中第一端電連接于柵極 線GLn，柵極端電連接于第八晶體管252的第二端以接收控制信號SCn，以及 第二端用以接收低電源電壓Vss。第十一晶體管262包含第一端、第二端與柵 極端，其中第一端電連接于柵極線GLn，柵極端用以接收第二頻率CK2，以及 第二端用以接收低電源電壓Vss。第十二晶體管263包含第一端、第二端與柵 極端，其中第一端電連接于柵極線GLn，柵極端用以接收第四頻率CK4，以及 第二端用以接收低電源電壓Vss。第十三晶體管264包含第一端、第二端與柵 極端，其中第一端電連接于第四晶體管231的第二端，柵極端用以接收第四頻 率CK4，以及第二端用以接收低電源電壓Vss。第十四晶體管271包含第一端、 第二端與柵極端，其中第一端電連接于電容246的第一端，柵極端用以接收第 三頻率CK3，以及第二端用以接收低電源電壓Vss。第十五晶體管272包含第一端、第二端與柵極端，其中第一端電連接于柵極線GLn，柵極端用以接收第三 頻率CK3，以及第二端用以接收低電源電壓Vss。第十六晶體管273包含第一端、 第二端與柵極端，其中第一端電連接于第二晶體管241的第一端，柵極端電連 接于柵極線GLn以接收柵極信號SGn，以及第二端用以接收低電源電壓Vss。 第十七晶體管274包含第一端、第二端與柵極端，其中第一端電連接于第三晶 體管242的第一端，柵極端電連接于柵極線GLn以接收柵極信號SGn，以及第 二端用以接收低電源電壓Vss。由于每一級移位緩存器均包含對應(yīng)下拉機(jī)制以 下拉其前置啟始脈沖信號，所以在另一實(shí)施例中，第十六晶體管273與第十七 晶體管274可省略。
相較于現(xiàn)有的移位緩存器電路，移位緩存器電路200具有雙向傳輸機(jī)制， 用來降低顯示畫面的云紋效應(yīng)以改善畫面質(zhì)量，而每一級移位緩存器并不需 要利用上一級或下一級移位緩存器所產(chǎn)生的信號以輔助下拉柵極信號、驅(qū)動 控制電壓與前置啟始脈沖信號，因此可顯著縮減各級移位緩存器之間的走線 布局面積以降低成本。此外，由于使用第一頻率CK1至第四頻率CK4以執(zhí)行每 一級移位緩存器的相關(guān)電路運(yùn)作，所以可降低移位緩存器電路200的操作頻率 以減少功率損耗，并可據(jù)以延長電路操作壽命。
圖3為圖2所示的移位緩存器電路的工作相關(guān)信號波形圖，其中橫軸為時 間軸。在圖3中，由上往下的信號分別為第一頻率CK1、第二頻率CK2、第三 頻率CK3、第四頻率CK4、柵極信號SGn-l、上傳啟始脈沖信號STBn-l、下傳 啟始脈沖信號STFn-l、驅(qū)動控制電壓VQn、柵極信號SGn、上傳啟始脈沖信號 STBn、下傳啟始脈沖信號STFn、柵極信號SGn+l、上傳啟始脈沖信號 STBn+l、下傳啟始脈沖信號STFn+l、第一偏壓Vbiasl、以及第二偏壓Vbias2。 如圖3所示，移位緩存器電路200的電路運(yùn)作包含下傳運(yùn)作模式與上傳運(yùn)作模 式。
當(dāng)移位緩存器電路200執(zhí)行下傳運(yùn)作模式時，第一偏壓Vbiasl保持在低準(zhǔn) 位且第二偏壓Vbias2保持在高于頻率高準(zhǔn)位的電壓準(zhǔn)位，用以使第五晶體管236保持在截止?fàn)顟B(tài)并使第六晶體管237保持在導(dǎo)通狀態(tài)。在下傳時段TF1內(nèi)， 柵極信號SGn-l由低準(zhǔn)位上升至高準(zhǔn)位，而下傳啟始脈沖信號STFn-l也由低準(zhǔn) 位上升至高準(zhǔn)位，所以第二晶體管241切換至導(dǎo)通狀態(tài)以使驅(qū)動控制電壓VQn 也跟著從低電壓上升至第一高電壓Vhl。在下傳時段TF2內(nèi)，下傳啟始脈沖信 號STFn-l由高準(zhǔn)位降至低準(zhǔn)位以使第二晶體管241切換至截止?fàn)顟B(tài)，此時由于 第一頻率CK1切換至高準(zhǔn)位，所以可藉由第一晶體管221與第四晶體管231的組 件電容的耦合作用將驅(qū)動控制電壓VQn由第一高電壓Vhl上拉至第二高電壓 Vh2，并導(dǎo)通第一晶體管221與第四晶體管231將柵極信號SGn與前置啟始脈沖 信號STPn由低準(zhǔn)位上拉至高準(zhǔn)位，進(jìn)而將具高準(zhǔn)位的前置啟始脈沖信號STPn 經(jīng)由第六晶體管237輸出成為下傳啟始脈沖信號STFn，也就是說，使下傳啟始 脈沖信號STFn由低準(zhǔn)位切換至高準(zhǔn)位。另外，此時第一頻率CK1也導(dǎo)通第七 晶體管251，所以具高準(zhǔn)位的驅(qū)動控制電壓VQn與柵極信號SGn可導(dǎo)通第九晶 體管253，用來將控制信號SCn下拉至低電源電壓Vss以截止第十晶體管261。 再者，具高準(zhǔn)位的柵極信號SGn也可導(dǎo)通第十六晶體管273與第十七晶體管 274，用以將下傳啟始脈沖信號STFn-l與上傳啟始脈沖信號STBn+l下拉至低 電源電壓Vss。
在下傳時段TF3內(nèi)，第二頻率CK2切換至高準(zhǔn)位，所以第十一晶體管262 導(dǎo)通以下拉柵極信號SGn至低電源電壓Vss。當(dāng)柵極信號SGn由高準(zhǔn)位切換至 低準(zhǔn)位時，可藉由第一晶體管221的組件電容與電容246的耦合作用，將驅(qū)動 控制電壓VQn由第二高電壓Vh2下拉至約為第一高電壓Vhl，此時因驅(qū)動控制 電壓VQn仍可導(dǎo)通第一晶體管221，所以具低準(zhǔn)位的第一頻率CK1可輔助下拉 柵極信號SGn。再者，第N+1級移位緩存器213在下傳時段TF2內(nèi)被下傳啟始脈 沖信號STFn所使能，因此柵極信號SGn+l與下傳啟始脈沖信號STFn+l均在下 傳時段TF3內(nèi)上升為高準(zhǔn)位。在下傳時段TF4內(nèi)，第三頻率CK3切換至高準(zhǔn)位， 用以導(dǎo)通第十四晶體管271與第十五晶體管272，進(jìn)而將驅(qū)動控制電壓VQn與 柵極信號SGn下拉至低電源電壓Vss。在下傳時段TF5內(nèi)，第四頻率CK4切換至高準(zhǔn)位，以導(dǎo)通第十二晶體管263與第十三晶體管264，進(jìn)而將柵極信號SGn 與前置啟始脈沖信號STPn下拉至低電源電壓Vss，且下傳啟始脈沖信號STFn 也就跟著切換為低準(zhǔn)位。在下傳時段TF6內(nèi)，第一頻率CK1切換至高準(zhǔn)位，所 以第八晶體管252導(dǎo)通以產(chǎn)生具高準(zhǔn)位的控制信號SCn，用來導(dǎo)通第十晶體管 261以下拉柵極信號SGn至低電源電壓Vss，另夕卜，由于第七晶體管251也導(dǎo)通， 因此可以下拉驅(qū)動控制電壓VQn。其后，在柵極信號SGn持續(xù)低準(zhǔn)位的狀態(tài)下， 第一頻率CKl至第四頻率CK4用以周期性地下拉柵極信號SGn、驅(qū)動控制電壓 VQn與前置啟始脈沖信號STPn。
當(dāng)移位緩存器電路200執(zhí)行上傳運(yùn)作模式時，第二偏壓Vbias2保持在低準(zhǔn) 位且第一偏壓Vbiasl保持在高于頻率高準(zhǔn)位的電壓準(zhǔn)位，用以使第六晶體管 237保持在截止?fàn)顟B(tài)并使第五晶體管236保持在導(dǎo)通狀態(tài)。在上傳時段TB1內(nèi)， 柵極信號SGn+l由低準(zhǔn)位上升至高準(zhǔn)位，而上傳啟始脈沖信號STBn+l也由低 準(zhǔn)位上升至高準(zhǔn)位，所以第三晶體管242切換至導(dǎo)通狀態(tài)，使驅(qū)動控制電壓 VQn也跟著從低電壓上升至第一高電壓Vhl。在上傳時段TB2內(nèi)，上傳啟始脈 沖信號STBn+l由高準(zhǔn)位降至低準(zhǔn)位使第三晶體管242切換至截止?fàn)顟B(tài)，此時由 于第一頻率CK1切換至高準(zhǔn)位，所以可藉由第一晶體管221與第四晶體管231 的組件電容耦合作用將驅(qū)動控制電壓VQn由第一高電壓Vhl上拉至第二高電 壓Vh2，并且導(dǎo)通第一晶體管221與第四晶體管231將柵極信號SGn與前置啟始 脈沖信號STPn由低準(zhǔn)位上拉至高準(zhǔn)位，進(jìn)而將具高準(zhǔn)位的前置啟始脈沖信號 STPn經(jīng)由第五晶體管236輸出為上傳啟始脈沖信號STBn，也就是說，使上傳 啟始脈沖信號STBn由低準(zhǔn)位切換至高準(zhǔn)位。另外，由于此時第一頻率CK1也 導(dǎo)通第七晶體管251，所以具高準(zhǔn)位的驅(qū)動控制電壓VQn與柵極信號SGn可導(dǎo) 通第九晶體管253，用來將控制信號SCn下拉至低電源電壓Vss以截止第十晶體 管261。此外，具高準(zhǔn)位的柵極信號SGn可導(dǎo)通第十六晶體管273與第十七晶體 管274，用以將下傳啟始脈沖信號STFn-l與上傳啟始脈沖信號STBn+l下拉至 低電源電壓Vss。在上傳時段TB3內(nèi)，第四頻率CK4切換至高準(zhǔn)位，用以導(dǎo)通第十二晶體管 263與第十三晶體管264，進(jìn)而將柵極信號SGn與前置啟始脈沖信號STPn下拉 至低電源電壓Vss，而且上傳啟始脈沖信號STBn也跟著切換至低準(zhǔn)位。當(dāng)柵極 信號SGn由高準(zhǔn)位切換至低準(zhǔn)位時，可藉由第一晶體管221的組件電容與電容 246的耦合作用將驅(qū)動控制電壓VQn由第二高電壓Vh2下拉至約為第一高電壓 Vhl，此時因驅(qū)動控制電壓VQn仍可導(dǎo)通第一晶體管221，所以具低準(zhǔn)位的第 一頻率CKl也可輔助下拉柵極信號SGn。此外，第N-1級移位緩存器211在上傳 時段TB2內(nèi)被上傳啟始脈沖信號STBn所使能，因此柵極信號SGn-l與上傳啟始 脈沖信號STBn-l均在上傳時段TB3內(nèi)上升為高準(zhǔn)位。在上傳時段TB4內(nèi)，第三 頻率CK3切換至高準(zhǔn)位，用以導(dǎo)通第十四晶體管271與第十五晶體管272，進(jìn)而 將驅(qū)動控制電壓VQn與柵極信號SGn下拉至低電源電壓Vss。在上傳時段TB5 內(nèi)，第二頻率CK2切換至高準(zhǔn)位，所以第十一晶體管261導(dǎo)通以下拉柵極信號 SGn至低電源電壓Vss。在上傳時段TB6內(nèi)，第一頻率CK1切換至高準(zhǔn)位，所 以第八晶體管252導(dǎo)通以產(chǎn)生具高準(zhǔn)位的控制信號SCn，用來導(dǎo)通第十晶體管 261以下拉柵極信號SGn至低電源電壓Vss，再者，由于第七晶體管251也導(dǎo)通， 因此可以下拉驅(qū)動控制電壓VQn。其后，在柵極信號SGn持續(xù)低準(zhǔn)位的狀態(tài)下， 第一頻率CKl至第四頻率CK4用以周期性地下拉柵極信號SGn、驅(qū)動控制電壓 VQn與前置啟始脈沖信號STPn。
圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的移位緩存器電路500的示意圖。如圖4所示，移 位緩存器電路500包含多級移位緩存器。為方便說明，移位緩存器電路500只 顯示第N-1級移位緩存器511、第N級移位緩存器512及第N+1級移位緩存器 513， N為正整數(shù)，其中只有第N級移位緩存器512顯示內(nèi)部功能單元電路架構(gòu)， 其余多級移位緩存器類同于第N級移位緩存器512，所以不另贅述。第N-1級移 位緩存器511用以提供柵極信號SGn-l、下傳啟始脈沖信號STFn-l與上傳啟始 脈沖信號STBn-l，第N級移位緩存器512用以提供柵極信號SGn、下傳啟始脈 沖信號STFn與上傳啟始脈沖信號STBn，第N+l級移位緩存器513用以提供柵極信號SGn+l、下傳啟始脈沖信號STFn+l與上傳啟始脈沖信號STBn+l。
每一級移位緩存器的電路運(yùn)作均受控于第一頻率CK1、第二頻率CK2、第 三頻率CK3與第四頻率CK4。柵極信號SGn-l經(jīng)由柵極線GLn-l饋入到像素陣 列501的像素單元505，用以控制數(shù)據(jù)線DLi的數(shù)據(jù)信號寫入到像素單元505。 柵極信號SGn經(jīng)由柵極線GLn饋入到像素陣列501的像素單元506，用以控制數(shù) 據(jù)線DLi的數(shù)據(jù)信號寫入到像素單元506。柵極信號SGn+l經(jīng)由柵極線GLn+l 饋入到像素陣列501的像素單元507，用以控制數(shù)據(jù)線DLi的數(shù)據(jù)信號寫入到像 素單元507。每一級移位緩存器所產(chǎn)生的下傳啟始脈沖信號用以使能下一級移 位緩存器，而每一級移位緩存器所產(chǎn)生的上傳啟始脈沖信號用以使能上一級 移位緩存器。
第N級移位緩存器512包含上拉單元520、儲能單元545、輸入單元540、下 傳進(jìn)位單元525、上傳進(jìn)位單元530、控制單元550、第一下拉單元560、以及 第二下拉單元570。上拉單元520電連接于柵極線GLn，根據(jù)驅(qū)動控制電壓 VQn與第一頻率CKl用以上拉柵極線GLn的柵極信號SGn。輸入單元540電連 接于第N-l級移位緩存器511以接收下傳啟始脈沖信號STFn-l，以及電連接于 第N+l級移位緩存器513以接收上傳啟始脈沖信號STBn+l，并將具高電壓準(zhǔn)位 的下傳啟始脈沖信號STFn-l或上傳啟始脈沖信號STBn+l輸入為驅(qū)動控制電 壓VQn。儲能單元545電連接于上拉單元520、輸入單元540、下傳進(jìn)位單元 525與上傳進(jìn)位單元530，并根據(jù)下傳啟始脈沖信號STFn-l或上傳啟始脈沖信 號STBn+l執(zhí)行充電程序，并提供驅(qū)動控制電壓VQn至上拉單元520、下傳進(jìn)位 單元525與上傳進(jìn)位單元530。下傳進(jìn)位單元525電連接于輸入單元540與儲能 單元545 ，根據(jù)驅(qū)動控制電壓VQn將第一信號CKF輸出為下傳啟始脈沖信號 STFn。上傳進(jìn)位單元530電連接于輸入單元540與儲能單元545，根據(jù)驅(qū)動控制 電壓VQn將第二信號CKB輸出至上傳啟始脈沖信號STBn。
控制單元550電連接于儲能單元545，根據(jù)第一頻率CK1、柵極信號SGn 與驅(qū)動控制電壓VQn產(chǎn)生控制信號SCn。第一下拉單元560電連接于控制單元550、柵極線GLn、下傳進(jìn)位單元525與上傳進(jìn)位單元530，根據(jù)控制信號SCn、
第二頻率CK2、或第四頻率CK4將柵極信號SGn下拉至低電源電壓Vss，以及
根據(jù)第四頻率CK4將下傳啟始脈沖信號STFn與上傳啟始脈沖信號STBn下拉
至低電源電壓Vss。第二下拉單元570電連接于輸入單元540與柵極線GLn,根
據(jù)第三頻率CK3將驅(qū)動控制電壓VQn與柵極信號SGn下拉至低電源電壓Vss，
以及根據(jù)柵極信號SGn將下傳啟始脈沖信號STFn-l與上傳啟始脈沖信號
STBn+l下拉至低電源電壓Vss。
在圖4所示的實(shí)施例中，上拉單元520包含第一晶體管521，輸入單元540 包含第二晶體管541與第三晶體管542，儲能單元545包含電容546，下傳進(jìn)位 單元525包含第四晶體管526，上傳進(jìn)位單元530包含第五晶體管531，控制單 元550包含第六晶體管551、第七晶體管552與第八晶體管553，第一下拉單元 560包含第九晶體管561、第十晶體管562、第十一晶體管563、第十二晶體管 564與第十三晶體管565，第二下拉單元570包含第十四晶體管571、第十五晶 體管572、第十六晶體管573與第十七晶體管574。第一晶體管521至第十七晶 體管574為薄膜晶體管、金氧半場效晶體管或接面場效晶體管。
第二晶體管541包含第一端、第二端與柵極端，其中第一端用以接收下傳 啟始脈沖信號STFn-l，柵極端電連接于第一端，以及第二端電連接于電容546。 第三晶體管542包含第一端、第二端與柵極端，其中第一端用以接收上傳啟始 脈沖信號STBn+l，柵極端電連接于第一端，以及第二端電連接于第二晶體管 541的第二端。第二晶體管541與第三晶體管542的電路功能均類同于二極管。 第一晶體管521包含第一端、第二端與柵極端，其中第一端用以接收第一頻率 CK1，柵極端電連接于第二晶體管541的第二端，以及第二端電連接于柵極線 GLn。電容546包含第一端與第二端，其中第一端電連接于第一晶體管521的柵 極端以及第二端電連接于第一晶體管521的第二端。第四晶體管526包含第一 端、第二端與柵極端，其中第一端用以接收第一信號CKF，柵極端電連接于 第二晶體管541的第二端，以及第二端用以輸出下傳啟始脈沖信號STFn。第五晶體管531包含第一端、第二端與柵極端，其中第一端用以接收第二信號CKB， 柵極端電連接于第二晶體管541的第二端，以及第二端用以輸出上傳啟始脈沖 信號STBn。第六晶體管551包含第一端、第二端與柵極端，其中第一端電連接于電容 546的第一端以接收驅(qū)動控制電壓VQn，第二端電連接于柵極線GLn，以及柵 極端用以接收第一頻率CK1。第七晶體管552包含第一端、第二端與柵極端， 其中第一端用以接收第一頻率CK1，柵極端電連接于第一端，以及第二端用以 輸出控制信號SCn。第八晶體管553包含第一端、第二端與柵極端，其中第一 端電連接于第七晶體管552的第二端，柵極端電連接于第六晶體管551的第二 端，以及第二端用以接收低電源電壓Vss。第九晶體管561包含第一端、第二端與柵極端，其中第一端電連接于柵極 線GLn，柵極端電連接于第七晶體管552的第二端以接收控制信號SCn，以及 第二端用以接收低電源電壓Vss。第十晶體管562包含第一端、第二端與柵極 端，其中第一端電連接于柵極線GLn，柵極端用以接收第二頻率CK2，以及第 二端用以接收低電源電壓Vss。第十一晶體管563包含第一端、第二端與柵極 端，其中第一端電連接于柵極線GLn，柵極端用以接收第四頻率CK4，以及第 二端用以接收低電源電壓Vss。第十二晶體管564包含第一端、第二端與柵極 端，其中第一端電連接于第四晶體管526的第二端，柵極端用以接收第四頻率 CK4，以及第二端用以接收低電源電壓Vss。第十三晶體管565包含第一端、第 二端與柵極端，其中第一端電連接于第五晶體管531的第二端，柵極端用以接 收第四頻率CK4，以及第二端用以接收低電源電壓Vss。第十四晶體管571包含 第一端、第二端與柵極端，其中第一端電連接于電容546的第一端，柵極端用 以接收第三頻率CK3，以及第二端用以接收低電源電壓Vss。第十五晶體管 572包含第一端、第二端與柵極端，其中第一端電連接于柵極線GLn，柵極端 用以接收第三頻率CK3，以及第二端用以接收低電源電壓Vss。第十六晶體管 573包含第一端、第二端與柵極端，其中第一端電連接于第二晶體管541的第一端，柵極端電連接于柵極線GLn以接收柵極信號SGn，以及第二端用以接收 低電源電壓Vss。第十七晶體管574包含第一端、第二端與柵極端，其中第一 端電連接于第三晶體管542的第一端，柵極端電連接于柵極線GLn以接收柵極 信號SGn，以及第二端用以接收低電源電壓Vss。由于每一級移位緩存器均包 含對應(yīng)下拉機(jī)制以下拉其產(chǎn)生的下傳啟始脈沖信號與上傳啟始脈沖信號，所 以在另一實(shí)施例中，第十六晶體管573與第十七晶體管574可省略。相較于現(xiàn)有的移位緩存器電路，移位緩存器電路500具有雙向傳輸機(jī)制， 用來降低顯示畫面的云紋效應(yīng)以改善畫面質(zhì)量，而每一級移位緩存器并不需 要利用上一級或下一級移位緩存器所產(chǎn)生的信號以輔助下拉柵極信號、驅(qū)動 控制電壓、下傳啟始脈沖信號與上傳啟始脈沖信號，因此可顯著縮減各級移 位緩存器之間的走線布局面積以降低成本。此外，由于使用第一頻率CK1至第 四頻率CK4以執(zhí)行每一級移位緩存器的相關(guān)電路運(yùn)作，所以可降低移位緩存器 電路500的操作頻率以減少功率損耗，并可據(jù)以延長電路操作壽命。圖5為圖4所示的移位緩存器電路的工作相關(guān)信號波形圖，其中橫軸為時 間軸。在圖5中，由上往下的信號分別為第一頻率CK1、第二頻率CK2、第三 頻率CK3、第四頻率CK4、柵極信號SGn-l、上傳啟始脈沖信號STBn-l、下傳 啟始脈沖信號STFn-l、驅(qū)動控制電壓VQn、柵極信號SGn、上傳啟始脈沖信號 STBn、下傳啟始脈沖信號STFn、柵極信號SGn+l、上傳啟始脈沖信號 STBn+l、下傳啟始脈沖信號STFn+l、第一信號CKF、以及第二信號CKB。如 圖5所示，移位緩存器電路500的電路運(yùn)作包含下傳運(yùn)作模式與上傳運(yùn)作模式。當(dāng)移位緩存器電路500執(zhí)行下傳運(yùn)作模式時，第五晶體管531的第一端保 持在浮置狀態(tài)或用以接收低電源電壓Vss，至于第一信號CKF則實(shí)質(zhì)上同于第 一頻率CK1。在下傳時段TF1內(nèi)，柵極信號SGn-l由低準(zhǔn)位上升至高準(zhǔn)位以及 下傳啟始脈沖信號STFn-l也由低準(zhǔn)位上升至高準(zhǔn)位，表示第二晶體管541切換 至導(dǎo)通狀態(tài)，使驅(qū)動控制電壓VQn也跟著從低電壓上升至第一高電壓Vhl。在 下傳時段TF2內(nèi)，下傳啟始脈沖信號STFn-l由高準(zhǔn)位降至低準(zhǔn)位使得第二晶體200910160666.2 管541切換至截止?fàn)顟B(tài)，此時由于第一頻率CK1切換至高準(zhǔn)位，所以可藉由第 一晶體管521與第四晶體管526的組件電容的耦合作用將驅(qū)動控制電壓VQn由 第一高電壓Vhl上拉至第二高電壓Vh2，以及藉由導(dǎo)通第一晶體管521與第四 晶體管526將柵極信號SGn與下傳啟始脈沖信號STFn由低準(zhǔn)位上拉至高準(zhǔn)位。 另由于此時第一頻率CK1也導(dǎo)通第六晶體管551，所以具高準(zhǔn)位的驅(qū)動控制電 壓VQn與柵極信號SGn可導(dǎo)通第八晶體管553，用來將控制信號SCn下拉至低 電源電壓Vss以截止第九晶體管561。此外，具高準(zhǔn)位的柵極信號SGn也可導(dǎo)通 第十六晶體管573與第十七晶體管574，用以將下傳啟始脈沖信號STFn-l與上 傳啟始脈沖信號STBn+l下拉至低電源電壓Vss。在下傳時段TF3內(nèi)，第二頻率CK2切換至高準(zhǔn)位，所以第十晶體管562導(dǎo) 通以下拉柵極信號SGn至低電源電壓Vss。當(dāng)柵極信號SGn由高準(zhǔn)位切換至低 準(zhǔn)位時，可藉由第一晶體管521的組件電容與電容546的耦合作用將驅(qū)動控制 電壓VQn由第二高電壓Vh2下拉至約為第一高電壓Vhl，此時因驅(qū)動控制電壓 VQn仍導(dǎo)通第一晶體管521與第四晶體管526，所以具低準(zhǔn)位的第一頻率CK1 可輔助下拉柵極信號SGn，同時具低準(zhǔn)位的第一信號CKF可輔助下拉下傳啟始 脈沖信號STFn。此外，第N+1級移位緩存器513在下傳時段TF2內(nèi)被下傳啟始 脈沖信號STFn所使能，因此柵極信號SGn+l與下傳啟始脈沖信號STFn+l均在 下傳時段TF3內(nèi)上升為高準(zhǔn)位。在下傳時段TF4內(nèi)，第三頻率CK3切換至高準(zhǔn) 位，以導(dǎo)通第十四晶體管571與第十五晶體管572，進(jìn)而將驅(qū)動控制電壓VQn 與柵極信號SGn下拉至低電源電壓Vss。在下傳時段TF5內(nèi)，第四頻率CK4切換 至高準(zhǔn)位，用以導(dǎo)通第十一晶體管563、第十二晶體管564與第十三晶體管565， 進(jìn)而將柵極信號SGn、下傳啟始脈沖信號STFn與上傳啟始脈沖信號STBn下拉 至低電源電壓Vss。在下傳時段TF6內(nèi)，第一頻率CK1切換至高準(zhǔn)位，所以第 七晶體管552導(dǎo)通以產(chǎn)生具高準(zhǔn)位的控制信號SCn，以及該高準(zhǔn)位的控制信號 SCn用來導(dǎo)通第九晶體管561以下拉柵極信號SGn至低電源電壓Vss，再者第六 晶體管551也同時導(dǎo)通，因此可以下拉驅(qū)動控制電壓VQn。其后，在柵極信號SGn持續(xù)低準(zhǔn)位的狀態(tài)下，第一頻率CK1至第四頻率CK4用以周期性地下拉柵 極信號SGn、驅(qū)動控制電壓VQn、下傳啟始脈沖信號STFn與上傳啟始脈沖信 號STBn。當(dāng)移位緩存器電路500執(zhí)行上傳運(yùn)作模式時，第四晶體管526的第一端保 持在浮置狀態(tài)或用以接收低電源電壓Vss，至于第二信號CKB則實(shí)質(zhì)上同于第 一頻率CK1。在上傳時段TB1內(nèi)，柵極信號SGn+l由低準(zhǔn)位上升至高準(zhǔn)位，而 上傳啟始脈沖信號STBn+l也由低準(zhǔn)位上升至高準(zhǔn)位，所以第三晶體管542切換 至導(dǎo)通狀態(tài)，使驅(qū)動控制電壓VQn也跟著從低電壓上升至第一高電壓Vhl。在 上傳時段TB2內(nèi)，上傳啟始脈沖信號STBn+l由高準(zhǔn)位降至低準(zhǔn)位使第三晶體 管542切換至截止?fàn)顟B(tài)，此時由于第一頻率CK1切換至高準(zhǔn)位，所以可藉由第 一晶體管521與第五晶體管531的組件電容的耦合作用將驅(qū)動控制電壓VQn由 第一高電壓Vhl上拉至第二高電壓Vh2，以及藉由導(dǎo)通第一晶體管521與第五 晶體管531將柵極信號SGn與上傳啟始脈沖信號STBn由低準(zhǔn)位上拉至高準(zhǔn)位。 再者，此時第一頻率CK1也導(dǎo)通第六晶體管551，所以具高準(zhǔn)位的驅(qū)動控制電 壓VQn與柵極信號SGn可導(dǎo)通第八晶體管553，用來將控制信號SCn下拉至低 電源電壓Vss以截止第九晶體管561。此外，具高準(zhǔn)位的柵極信號SGn也可導(dǎo)通 第十六晶體管573與第十七晶體管574，用以將下傳啟始脈沖信號STFn-l與上 傳啟始脈沖信號STBn+l下拉至低電源電壓Vss。在上傳時段TB3內(nèi)，第四頻率CK4切換至高準(zhǔn)位，用以導(dǎo)通第十一晶體管 563、第十二晶體管564與第十三晶體管565，進(jìn)而將柵極信號SGn、下傳啟始 脈沖信號STFn與上傳啟始脈沖信號STBn下拉至低電源電壓Vss。當(dāng)柵極信號 SGn由高準(zhǔn)位切換至低準(zhǔn)位時，可藉由第一晶體管521的組件電容與電容546 的耦合作用將驅(qū)動控制電壓VQn由第二高電壓Vh2下拉至約為第一高電壓 Vhl，此時因驅(qū)動控制電壓VQn仍可導(dǎo)通第一晶體管521與第五晶體管531，所 以具低準(zhǔn)位的第一頻率CKl可輔助下拉柵極信號SGn，同時具低準(zhǔn)位的第二信 號CKB也可輔助下拉上傳啟始脈沖信號STBn。此外，第N-1級移位緩存器511在上傳時段TB2內(nèi)被上傳啟始脈沖信號STBn所使能，因此柵極信號SGn-l與上 傳啟始脈沖信號STBn-l均在上傳時段TB3內(nèi)上升為高準(zhǔn)位。在上傳時段TB4 內(nèi)，第三頻率CK3切換至高準(zhǔn)位，用以導(dǎo)通第十四晶體管571與第十五晶體管 572，進(jìn)而將驅(qū)動控制電壓VQn與柵極信號SGn下拉至低電源電壓Vss。在上傳 時段TB5內(nèi)，第二頻率CK2切換至高準(zhǔn)位，所以第十晶體管562導(dǎo)通以下拉柵 極信號SGn至低電源電壓Vss。在上傳時段TB6內(nèi)，第一頻率CK1切換至高準(zhǔn) 位，所以第七晶體管552導(dǎo)通以產(chǎn)生具高準(zhǔn)位的控制信號SCn，以及其高準(zhǔn)位 的控制信號SCn用來導(dǎo)通第九晶體管561以下拉柵極信號SGn至低電源電壓 Vss，再者，第六晶體管551也導(dǎo)通，因此可下拉驅(qū)動控制電壓VQn。其后， 在柵極信號SGn持續(xù)低準(zhǔn)位的狀態(tài)下，第一頻率CK1至第四頻率CK4用以周期 性地下拉柵極信號SGn、驅(qū)動控制電壓VQn、下傳啟始脈沖信號STFn與上傳 啟始脈沖信號STBn。綜上所述，本發(fā)明移位緩存器電路具有雙向傳輸機(jī)制，用來降低顯示畫 面的云紋效應(yīng)以改善畫面質(zhì)量，而每一級移位緩存器并不需要利用上一級或 下一級移位緩存器所產(chǎn)生的信號以輔助下拉柵極信號與驅(qū)動控制電壓，因此 可顯著縮減各級移位緩存器之間的走線布局面積以降低成本。此外，由于使 用四個頻率以執(zhí)行相關(guān)電路運(yùn)作，所以可降低移位緩存器電路的操作頻率以 降低功率損耗，并可據(jù)以延長電路操作壽命。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何具有 本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可 作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求范圍所界定 者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種具雙向傳輸機(jī)制的移位緩存器電路，其特征在于，所述移位緩存器電路用以提供多個柵極信號至多個柵極線；其中，所述移位緩存器電路包含多級移位緩存器，所述移位緩存器的一第N級移位緩存器包含一上拉單元，電連接于所述柵極線的一第N柵極線，用來根據(jù)一驅(qū)動控制電壓與一第一頻率以上拉所述柵極信號的一第N柵極信號，其中所述第N柵極線用以傳輸所述第N柵極信號；一進(jìn)位單元，用以根據(jù)所述驅(qū)動控制電壓與所述第一頻率產(chǎn)生一前置啟始脈沖信號；一進(jìn)位控制單元，電連接于所述進(jìn)位單元以接收所述前置啟始脈沖信號，用來根據(jù)一第一偏壓與一第二偏壓將所述前置啟始脈沖信號輸出為一第N下傳啟始脈沖信號或一第N上傳啟始脈沖信號；一輸入單元，電連接于所述移位緩存器的一第N-1級移位緩存器與一第N+1級移位緩存器以接收一第N-1下傳啟始脈沖信號與一第N+1上傳啟始脈沖信號，用來將具高電壓準(zhǔn)位的所述第N-1下傳啟始脈沖信號或所述第N+1上傳啟始脈沖信號輸入為所述驅(qū)動控制電壓；一控制單元，用來根據(jù)所述第一頻率、所述第N柵極信號與所述驅(qū)動控制電壓產(chǎn)生一控制信號；一第一下拉單元，電連接于所述控制單元、所述第N柵極線與所述進(jìn)位單元，用來根據(jù)所述控制信號、一第二頻率、或一第四頻率以下拉所述第N柵極信號以及根據(jù)所述第四頻率以下拉所述前置啟始脈沖信號；以及一第二下拉單元，電連接于所述輸入單元與所述第N柵極線，用來根據(jù)一第三頻率以下拉所述驅(qū)動控制電壓與所述第N柵極信號；其中N為一正整數(shù)。
2、如權(quán)利要求l所述的移位緩存器電路，其特征在于，所述移位緩存器電路進(jìn)一步包含一儲能單元，電連接于所述上拉單元、所述輸入單元與所述進(jìn)位單元， 用來根據(jù)所述第N-1下傳啟始脈沖信號或所述第N+1上傳啟始脈沖信號執(zhí)行一 充電程序，以提供所述驅(qū)動控制電壓至所述上拉單元與所述進(jìn)位單元。
3、 如權(quán)利要求2所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述儲能單元包含一電容，用以執(zhí)行所述充電程序與儲存所述驅(qū)動控制電壓。
4、 如權(quán)利要求l所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述輸入單元包含一第一晶體管，包含一第一端，電連接于所述第N-1級移位緩存器以接收所述第N-1下傳啟始脈沖信號； 一柵極端，電連接于所述第一晶體管的第一端；以及 一第二端，電連接于所述上拉單元與所述進(jìn)位單元；以及 一第二晶體管，包含一第一端，電連接于所述第N+1級移位緩存器以接收所述第N+1上傳啟始脈沖信號； 一柵極端，電連接于所述第二晶體管的第一端；以及 一第二端，電連接于所述第一晶體管的第二端。
5、 如權(quán)利要求l所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述上拉單 元包含一晶體管，所述晶體管包含一第一端，用以接收所述第一頻率；一柵極端，電連接于所述輸入單元以接收所述驅(qū)動控制電壓；以及 一第二端，電連接于所述第N柵極線。
6、 如權(quán)利要求l所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述進(jìn)位單 元包含一晶體管，所述晶體管包含一第一端，用以接收所述第一頻率；一柵極端，電連接于所述輸入單元以接收所述驅(qū)動控制電壓；以及 一第二端，電連接于所述進(jìn)位控制單元，用以輸出所述前置啟始脈沖信 號。
7、 如權(quán)利要求l所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述進(jìn)位控制單元包含一第一晶體管，包含一第一端，電連接于所述進(jìn)位單元以接收所述前置啟始脈沖信號；一柵極端，用以接收所述第一偏壓；以及 一第二端，用以輸出所述第N上傳啟始脈沖信號；以及 一第二晶體管，包含一第一端，電連接于所述進(jìn)位單元以接收所述前置啟始脈沖信號； 一柵極端，用以接收所述第二偏壓；以及 一第二端，用以輸出所述第N下傳啟始脈沖信號。
8、 如權(quán)利要求l所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述控制單 元包含一第一晶體管，包含一第一端，電連接于所述輸入單元以接收所述驅(qū)動控制電壓； 一柵極端，用以接收所述第一頻率；以及 一第二端，電連接于所述第N柵極線；一第二晶體管，包含-一第一端，用以接收所述第一頻率； 一柵極端，電連接于所述第二晶體管的第一端；以及 一第二端，用以輸出所述控制信號；以及 一第三晶體管，包含一第一端，電連接于所述第二晶體管的第二端； 一柵極端，電連接于所述第一晶體管的第二端；以及一第二端，用以接收一低電源電壓。
9、 如權(quán)利要求l所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述第一下拉單元包含一第一晶體管，包含一第一端，電連接于所述第N柵極線；一柵極端，電連接于所述控制單元以接收所述控制信號；以及 一第二端，用以接收一低電源電壓；一第二晶體管，包含-一第一端，電連接于所述第N柵極線； 一柵極端，用以接收所述第二頻率；以及 一第二端，用以接收所述低電源電壓；一第三晶體管，包含一第一端，電連接于所述第N柵極線；一柵極端，用以接收所述第四頻率；以及一第二端，用以接收所述低電源電壓；以及 一第四晶體管，包含一第一端，電連接于所述進(jìn)位單元以接收所述前置啟始脈沖信號；一柵極端，用以接收所述第四頻率；以及 一第二端，用以接收所述低電源電壓。
10、 如權(quán)利要求l所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述第二下 拉單元進(jìn)一步包含根據(jù)所述第N柵極信號以下拉所述第N-1下傳啟始脈沖信號 與所述第N+1上傳啟始脈沖信號。
11、 如權(quán)利要求10所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述第二下拉單元包含一第一晶體管，包含一第一端，電連接于所述輸入單元以接收所述驅(qū)動控制電壓；一柵極端，用以接收所述第三頻率；以及 一第二端，用以接收一低電源電壓；一第二晶體管，包含一第一端，電連接于所述第N柵極線；一柵極端，用以接收所述第三頻率；以及 一第二端，用以接收所述低電源電壓；一第三晶體管，包含一第一端，用以接收所述第N-1下傳啟始脈沖信號；一柵極端，電連接于所述第N柵極線以接收所述第N柵極信號；以及 一第二端，用以接收所述低電源電壓；以及 一第四晶體管，包含一第一端，用以接收所述第N+1上傳啟始脈沖信號；一柵極端，電連接于所述第N柵極線以接收所述第N柵極信號；以及一第二端，用以接收所述低電源電壓。
12、 一種具雙向傳輸機(jī)制的移位緩存器電路，其特征在于，所述移位緩 存器電路用以提供多個柵極信號至多個柵極線；其中，所述移位緩存器電路包含多級移位緩存器，所述移位緩存器的一第N級移位緩存器包含一上拉單元，電連接于所述柵極線的一第N柵極線，用來根據(jù)一驅(qū)動控制 電壓與一第一頻率以上拉所述柵極信號的一第N柵極信號，其中所述第N柵極線用以傳輸所述第N柵極信號；一下傳進(jìn)位單元，用以根據(jù)所述驅(qū)動控制電壓將一第一信號輸出為一第N下傳啟始脈沖信號；一上傳進(jìn)位單元，用以根據(jù)所述驅(qū)動控制電壓將一第二信號輸出為一第N上傳啟始脈沖信號；一輸入單元，電連接于所述移位緩存器的一第N-1級移位緩存器與一第N+1級移位緩存器以接收一第N-1下傳啟始脈沖信號與一第N+1上傳啟始脈沖 信號，用來將具高電壓準(zhǔn)位的所述第N-1下傳啟始脈沖信號或所述第N+1上傳 啟始脈沖信號輸入為所述驅(qū)動控制電壓；一控制單元，用來根據(jù)所述第一頻率、所述第N柵極信號與所述驅(qū)動控制 電壓產(chǎn)生一控制信號；一第一下拉單元，電連接于所述控制單元、所述第N柵極線、所述上傳進(jìn)位單元與所述下傳進(jìn)位單元，用來根據(jù)所述控制信號、 一第二頻率、或一第 四頻率以下拉所述第N柵極信號，另用來根據(jù)所述第四頻率以下拉所述第N下 傳啟始脈沖信號與所述第N上傳啟始脈沖信號；以及一第二下拉單元，電連接于所述輸入單元與所述第N柵極線，用來根據(jù)一 第三頻率以下拉所述驅(qū)動控制電壓與所述第N柵極信號；其中N為一正整數(shù)。
13、 如權(quán)利要求12所述的移位緩存器電路，其特征在于，所述移位緩存 器電路進(jìn)一步包含一儲能單元，電連接于所述上拉單元、所述輸入單元、所述下傳進(jìn)位單 元與所述上傳進(jìn)位單元，用來根據(jù)所述第N-1下傳啟始脈沖信號或所述第N+1 上傳啟始脈沖信號執(zhí)行一充電程序，以提供所述驅(qū)動控制電壓至所述上拉單 元、所述下傳進(jìn)位單元與所述上傳進(jìn)位單元。
14、 如權(quán)利要求13所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述儲能 單元包含一電容，用以執(zhí)行所述充電程序與儲存所述驅(qū)動控制電壓。
15、 如權(quán)利要求12所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述輸入 單元包含一第一晶體管，包含一第一端，電連接于所述第N-1級移位緩存器以接收所述第N-1下傳啟始脈沖信號； 一柵極端，電連接于所述第一晶體管的第一端；以及一第二端，電連接于所述上拉單元、所述下傳進(jìn)位單元與所述上傳進(jìn)位單元；以及 一第二晶體管，包含一第一端，電連接于所述第N+1級移位緩存器以接收所述第N+1上傳啟始脈沖信號； 一柵極端，電連接于所述第二晶體管的第一端；以及 一第二端，電連接于所述第一晶體管的第二端。
16、 如權(quán)利要求12所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述上拉 單元包含一晶體管，所述晶體管包含-一第一端，用以接收所述第一頻率；一柵極端，電連接于所述輸入單元以接收所述驅(qū)動控制電壓；以及 一第二端，電連接于所述第N柵極線。
17、 如權(quán)利要求12所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述下傳 進(jìn)位單元包含一晶體管，所述晶體管包含一第一端，用以接收所述第一信號；一柵極端，電連接于所述輸入單元以接收所述驅(qū)動控制電壓；以及 一第二端，用以輸出所述第N下傳啟始脈沖信號；其中當(dāng)所述移位緩存器電路執(zhí)行下傳運(yùn)作時，所述第一信號實(shí)質(zhì)上同于 所述第一頻率，當(dāng)所述移位緩存器電路執(zhí)行上傳運(yùn)作時，所述第一信號為一 浮置信號或一低電源電壓。
18、 如權(quán)利要求12所述的移位緩存器電路，其中所述上傳進(jìn)位單元包含 一晶體管，所述晶體管包含:一第一端，用以接收所述第二信號；一柵極端，電連接于所述輸入單元以接收所述驅(qū)動控制電壓；以及 一第二端，用以輸出所述第N上傳啟始脈沖信號；其中當(dāng)所述移位緩存器電路執(zhí)行上傳運(yùn)作時，所述第二信號實(shí)質(zhì)上同于所述第一頻率，當(dāng)所述移位緩存器電路執(zhí)行下傳運(yùn)作時，所述第二信號為一 浮置信號或一低電源電壓。
19、 如權(quán)利要求12所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述控制單元包含一第一晶體管，包含一第一端，電連接于所述輸入單元以接收所述驅(qū)動控制電壓；一柵極端，用以接收所述第一頻率；以及一第二端，電連接于所述第N柵極線； 一第二晶體管，包含一第一端，用以接收所述第一頻率；一柵極端，電連接于所述第二晶體管的第一端；以及一第二端，用以輸出所述控制信號；以及 一第三晶體管，包含一第一端，電連接于所述第二晶體管的第二端；一柵極端，電連接于所述第一晶體管的第二端；以及一第二端，用以接收一低電源電壓。
20、 如權(quán)利要求12所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述第一 下拉單元包含一第一晶體管，包含一第一端，電連接于所述第N柵極線；一柵極端，電連接于所述控制單元以接收所述控制信號；以及 一第二端，用以接收一低電源電壓； 一第二晶體管，包含一第一端，電連接于所述第N柵極線； 一柵極端，用以接收所述第二頻率；以及 一第二端，用以接收所述低電源電壓；一第三晶體管,l山一第一順: 一柵極端:一第一頓, 一第四晶體管-AA* 上山一第一頓，信號； 一柵極端, 一第j而,一第五晶體管，一笛一結(jié) 果 頓，信號；一柵極端，Ayy —上山一第j而，包含電連接于所述第N柵極線； 用以接收所述第四頻率；以及 用以接收所述低電源電壓； 包含電連接于所述下傳進(jìn)位單元以接收所述第N下傳啟始脈沖用以接收所述第四頻率；以及 用以接收所述低電源電壓；以及 包含-電連接于所述上傳進(jìn)位單元以接收所述第N上傳啟始脈沖用以接收所述第四頻率；以及 用以接收所述低電源電壓。
21、如權(quán)利要求12所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述第二下拉單元進(jìn)一步包含根據(jù)所述第N柵極信號以下拉所述第N-l下傳啟始脈沖f 號與所述第N+1上傳啟始脈沖信號。
22、如權(quán)利要求21所述的移位緩存器電路，其特征在于，其中所述第. 下拉單元包含一第一晶體管，包含一第一端，電連接于所述輸入單元以接收所述驅(qū)動控制電壓； 一柵極端，用以接收所述第三頻率；以及 一第二端，用以接收一低電源電壓； 一第二晶體管，包含一第一端，電連接于所述第N柵極線；一柵極端，用以接收所述第三頻率；以及一第二端，用以接收所述低電源電壓；一第三晶體管，包含一第一端，用以接收所述第N-1下傳啟始脈沖信號；一柵極端，電連接于所述第N柵極線以接收所述第N柵極信號；以及一第二端，用以接收所述低電源電壓；以及 一第四晶體管，包含一第一端，用以接收所述第N+1上傳啟始脈沖信號；一柵極端，電連接于所述第N柵極線以接收所述第N柵極信號；以及 一第二端，用以接收所述低電源電壓。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種移位緩存器電路，所述移位緩存器電路包含多級移位緩存器以提供多個柵極信號，每一級移位緩存器包含上拉單元、進(jìn)位單元、進(jìn)位控制單元、輸入單元與下拉單元。上拉單元用來根據(jù)驅(qū)動控制電壓及第一頻率以上拉柵極信號。進(jìn)位單元根據(jù)驅(qū)動控制電壓及第一頻率產(chǎn)生前置啟始脈沖信號。進(jìn)位控制單元用以將前置啟始脈沖信號輸出為下傳啟始脈沖信號或上傳啟始脈沖信號。輸入單元用以將啟始脈沖信號輸入為驅(qū)動控制電壓。下拉單元用來下拉柵極信號、前置啟始脈沖信號與驅(qū)動控制電壓。本發(fā)明移位緩存器電路具有雙向傳輸機(jī)制，可以降低顯示畫面的云紋效應(yīng)以改善畫面質(zhì)量，并可顯著縮減各級移位緩存器之間的走線布局面積以降低成本。
文檔編號G11C19/00GK101615429SQ20091016066
公開日2009年12月30日 申請日期2009年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月29日
發(fā)明者林志隆, 涂俊達(dá), 陳勇志 申請人:友達(dá)光電股份有限公司