專利名稱：利用電可擦可編程只讀存儲器的缺陷表制造存儲器模塊的方法
技術領域：
本發(fā)明大體而言涉及存儲器模塊的制造。更具體而言，本發(fā)明涉及通過部份良好
存儲器芯片制造存儲器模塊。
背景技術：
存儲器模塊廣泛地應用于各種電子系統(tǒng)，特別是應用于個人計算機中。存儲器模 塊是遵照工業(yè)標準制定的規(guī)則所構建，以確保廣大潛在的市場。高容量生產及競爭已大幅 地降低模塊的成本，因而使各種電子系統(tǒng)的購買者受益。 存儲器模塊可制造成多種不同的尺寸及容量，例如舊型30支接腳(pin)及72支 接腳的單列存儲器模i央(single-inline memory module, SIMM)以及新型168支接腳、184 支接腳及240支接腳的雙列存儲器模塊(dual inline memory module, DIMM)。這些接腳是 自模塊邊緣所延伸的原始接腳，具有金屬觸板或引線，如今，大多數(shù)的模塊是無引線的。小 尺寸的模塊的長約為3至5英寸，高約為1至1. 5英寸。 模塊包含小型印刷電路板(printed-circuit board, PCB)基板，尤其是指具 有玻璃纖維絕熱體(fiberglass insulation)及鋁箔的交互迭層或金屬互連層的多層 板(multi-layer board)。模塊表面上安裝的組件，例如動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)芯片及電容，是被焊接于基板的其中一表面或雙面。
圖1描繪出全緩沖存儲器模塊。存儲器模塊10包含基板，例如多層印刷電路板， 基板的前表面或側邊則安裝表面貼裝動態(tài)隨機存取存儲器芯片22，如圖1所示，較多的動 態(tài)隨機存取存儲器芯片22，則被安裝至機板的后側或后表面(圖未繪示)。存儲器模塊10 可為全緩沖雙列存儲器模塊(fully-bufferd dual-inlinememory module,FB-DI匪)，通過 存儲器模塊10上的先進存儲器緩沖(AdvancedMemory Buffer, AMB)芯片(圖未繪示)來 達到全緩沖。先進存儲器緩沖芯片使用差分信號及數(shù)據包來達到高速率傳輸數(shù)據。
同樣地，不具有先進存儲器緩沖芯片的存儲器模塊也會被制造。這種不具有緩沖 的存儲器模塊通過觸板12直接將地址、數(shù)據及控制信號從母板傳遞至動態(tài)隨機存取存儲 器芯片22。有些存儲器模塊使用簡單緩沖來緩沖或鎖存部份信號，而不使用全緩沖雙列存 儲器模塊中較為復雜的串行數(shù)據包接口。 金屬觸板12沿著模塊前后兩面的底部邊緣安置，金屬觸板12與模塊插座相抵觸， 使得模塊電氣連接至個人計算機的母板。孔16會出現(xiàn)在某些種類的模塊上，以確保模塊正 確地被安置在插座內。缺口 14也用于確保模塊正確地插入。安裝于基板表面的電容或其 它分離的組件則用于過濾來自于動態(tài)隨機存取存儲器芯片22的雜訊。
某些存儲器模塊在存儲器模塊基板上包含串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲 器(serial-presence-detect electrically-erasable programmable read-onlymemory， SPD-EEPROM)。用于存儲器模塊的配置信息存儲于串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器 130中，例如速率、深度及存儲器模塊上的存儲器配置。
動態(tài)隨機存取存儲器芯片可具有較大的容量，例如512百萬位(Mbits)或一半的 10億位(giga-bit)。大量的存儲器單元、個別存儲單元的小型化及整體大.面積的動態(tài)隨 機存取存儲器芯片(die)導致某些常見的制造缺陷。動態(tài)隨機存取存儲器芯片在未切割及 封裝前，于晶片上檢測，但晶片揀選檢測無法發(fā)現(xiàn)全部的缺陷。使用探針卡接觸晶片上的各 個芯片則會使檢測環(huán)境相當嘈雜。因此晶片揀選檢測限制住檢測速度，而阻礙發(fā)現(xiàn)更多缺 陷的較詳盡檢測。 如此一來，某些已封裝動態(tài)隨機存取存儲器芯片是含有缺陷的。成本有效地快速 執(zhí)行進一步檢測已封裝動態(tài)隨機存取存儲器芯片，將可在已封裝動態(tài)隨機存取存儲器芯片 中識別出缺陷動態(tài)隨機存取存儲器芯片并丟棄。然而，丟棄已封裝動態(tài)隨機存取存儲器芯 片是有點浪費的，因為通常只有一個單獨的缺陷出現(xiàn)。例如一個缺陷可能只會導致五億分 之一個存儲器單元失效。幾乎五億個存儲器單元正確地工作于具有一缺陷的動態(tài)隨機存取 存儲器芯片上，然而此芯片通常是被丟棄的。 某些動態(tài)隨機存取存儲器芯片是可修復的。于晶片揀選檢測期間，芯片上的熔絲 可通過激光熔化或其它方法。嘗試并執(zhí)行這種修復，以決定哪個動態(tài)隨機存取存儲器芯片 是良好的以及哪個是不良的，且修復可以是一個分離的步驟。當修復成功時，通常使存儲器 全部面積得以作用。例如修復512百萬位動態(tài)隨機存取存儲器上不良的存儲器單元可讓 整個512Mbit得以作用，這是因為不良的存儲器單元于修復期間被多余的存儲器單元所取 代。 除了修復芯片，某些芯片制造業(yè)者會降低動態(tài)隨機存取存儲器芯片的容量，例如 可將部份良好、已封裝且具有缺陷的10億位動態(tài)隨機存取存儲器芯片作為512百萬位動態(tài) 隨機存取存儲器售出。 存儲器模塊的制造業(yè)者可以購買經過多種層次檢測的已封裝動態(tài)隨機存取存儲 器。成本將因購買未經過全面檢測已封裝動態(tài)隨機存取存儲器而降低。存儲器模塊的制造 業(yè)者可將這些購入的動態(tài)隨機存取存儲器芯片做更完整的檢測，以移除具有單一缺陷的動 態(tài)隨機存取存儲器芯片。 圖2A-圖2B呈現(xiàn)位于部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片上的缺陷。圖2A中，動 態(tài)隨機存取存儲器芯片具有高地址位A13，高地址位A13將存儲器分為二個半等份Hl， H2。 二個半等份Hl， H2可為邏輯上的二等份而非動態(tài)隨機存取存儲器芯片上的分離實體陣列。 當?shù)刂稟13二 1時，半等份H2被選定，而當A13二0時，半等份H1被選定。當A13 = 1時， 缺陷56出現(xiàn)且位于H2半等份552。因為當A13 = 0時，所有位皆是良好的，故Hl半等份 554是可用于存儲器模塊的良好等分。 有時候會有二個或更多的缺陷出現(xiàn)。當缺陷出現(xiàn)在二個半等份552,554時，二個 半等分皆不能使用。然而，動態(tài)隨機存取存儲器芯片可更進一步分成四個象限。圖2B中， 高地址位A12， A13具有新增的四等份562，564，566，568的四個可能值，并標記Q4， Q3， Q2， Ql。舉例來說，當存儲器單元地址為A13 = 1且A12 = O，則Q3象限564被選定。
當缺陷出現(xiàn)在四個象限中的其中的二個象限，剩余的二個象限可組合成一半大小 的動態(tài)隨機存取存儲器。舉例來說，當缺陷出現(xiàn)在Q3及Q2象限564，566，剩余的Q4及Ql 象限562,568可作為一半大小的存儲器使用。 圖3描繪出先前技術在制造存儲器模塊的芯片制程流程。動態(tài)隨機存取存儲器芯片在工廠或晶片制程廠制造，且檢測及封裝成動態(tài)隨機存取存儲器芯片22。某些晶片揀選 檢測可被執(zhí)行，以決定哪個芯片需封裝以及決定哪個芯片需丟棄。 已封裝動態(tài)隨機存取存儲器芯片22被放入檢測插座用以初步檢測，檢測插座連 接至自動檢測設備(automated-test-equipment,ATE)的自動檢測設備檢測頭(head) 102。 自動檢測設備相當昂貴，通常是百萬美元的機器。于自動檢測設備檢測頭102上通過檢測 的動態(tài)隨機存取存儲器芯片22插入至存儲器芯片預燒板106上的檢測插座。當裝入較多的 動態(tài)隨機存取存儲器芯片22時，存儲器芯片預燒板106插入預燒爐104中持續(xù)數(shù)個小時、 數(shù)天或數(shù)個星期的作用應力。 于預燒爐104中，通過存儲器芯片預燒板106，應力電壓可作用于電源或其它動態(tài) 隨機存取存儲器芯片22的接腳上。因此動態(tài)隨機存取存儲器芯片22由高溫及高電壓所壓 制，例如125t:及5.5伏特。作用電壓于信號接腳可切換電壓高低以加入應力。
于預燒爐104 —段時間后，將存儲器芯片預燒板106自預燒爐104移出，以及將動 態(tài)隨機存取存儲器芯片22自存儲器芯片預燒板106上的插座移出。然后動態(tài)隨機存取存儲 器芯片22于自動檢測設備檢測頭102重新檢測，且將故障的芯片丟棄。如果放置于預燒爐 104的時間充足的話，故障或稱為早期故障可被篩選出，以增加剩余動態(tài)隨機存取存儲器芯 片22的可靠性。 通過自動檢測設備檢測頭102上后，預燒檢測的動態(tài)隨機存取存儲器芯片22于存 儲器模塊10組裝期間焊接至基板。接著，存儲器模塊可通過自動檢測設備檢測頭102或另 外的檢測機檢測，然后裝運并送至顧客處。 單一存儲器模塊可包含許多動態(tài)隨機存取存儲器芯片，例如一個模塊具有8個或 更多個動態(tài)隨機存取存儲器芯片。在放入于預燒爐104前，8個或更多個動態(tài)隨機存取存儲 器芯片中的每一個都必須插入至存儲器芯片預燒板106上的檢測插座，并自預燒爐104移 出后，8個或更多個動態(tài)隨機存取存儲器芯片中的每一個都必須自存儲器芯片預燒板106 上的檢測插座移出。將動態(tài)隨機存取存儲器芯片插入至存儲器芯片預燒板106上的檢測插 座及自其中移出的步驟可由人工執(zhí)行，但這步驟是繁瑣且耗費時間的。
預燒程序的缺點是每一個具有8個動態(tài)隨機存取存儲器芯片的存儲器模塊就需 要8次的插入及8次的移出，換言之，具有8個動態(tài)隨機存取存儲器芯片模塊總共需要16 次的插入/移出步驟。操作員一次只可能插入或移出一個動態(tài)隨機存取存儲器芯片。
發(fā)明內容
因此，所需要的是可由部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片構成的存儲器模塊。也 需要一種制造及檢測的方法，用以自部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片中制造存儲器模 組。以及，需要一種程序，用以于存儲器模塊上檢測部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片、存 儲缺陷表及使用部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片。 本發(fā)明提供一種通過部份良好存儲器芯片制造部份良好存儲器模塊的制造方法， 包含接收部份已檢測存儲器芯片，其中所述部份已檢測存儲器芯片是未經過全面檢測探 測出全部缺陷的封裝片；通過運用于所述部份已檢測存儲器芯片的初步檢測模式，預先檢 測所述部份已檢測存儲器芯片，其中所述初步檢試模式是用于檢測缺陷存儲塊；計數(shù)于預 先檢測時通過初步檢測模式探測出的缺陷存儲塊數(shù)量；丟棄預先檢測時缺陷存儲塊數(shù)量大于檢測閾值的存儲器芯片；將預先檢測時缺陷存儲塊數(shù)量小于檢測閾值的存儲器芯片視為 部份良好存儲器芯片；對于所述部份良好存儲器芯片，將所述部份良好存儲器芯片焊接至 存儲器模塊基板上，形成部份良好存儲器模塊；將非揮發(fā)性存儲器芯片焊接至所述部份良 好存儲器模塊；通過模塊檢測模式檢測所述部份良好存儲器模塊定位缺陷存儲器位置；創(chuàng) 建缺陷表，所述缺陷表用于表示通過模塊檢測模式由所述部份良好存儲器模塊中定位的缺 陷存儲器位置；將所述缺陷表編程到所述非揮發(fā)性存儲器芯片，形成已編程部份良好存儲 器模塊；將所述已編程部份良好存儲器模塊插入到目標檢測系統(tǒng)上的模塊檢測插座；以及 通過將所述非揮發(fā)性存儲器芯片的缺陷表初步復制到所述目標檢測系統(tǒng)及通過于所述目 標檢測系統(tǒng)上初步執(zhí)行檢測程序，所述目標系統(tǒng)檢測所述可編程部份良好存儲器模塊，所 述檢測程序于所述非揮發(fā)性存儲器芯片產生存取訪問，所述目標檢測系統(tǒng)重新導向存取訪 問，以通過所述缺陷表識別所述缺陷存儲器位置；藉此，部份良好存儲器芯片組成所述部份 良好存儲器模塊，目標系統(tǒng)從所述部份良好存儲器模塊上的非揮發(fā)性存儲器芯片讀取所述 缺陷表。 本發(fā)明另提供一種由上述的制造方法所制造部份良好存儲器模塊。 本發(fā)明還提供一種生產部份良好存儲器模塊的方法，包含將具有缺陷存儲塊的
存儲器芯片焊接到基板并將非揮發(fā)性存儲器芯片焊接到基板，以裝配存儲器模塊，其中存
儲器芯片于全面檢測及燒制前焊接到所述基板；通過讀寫所述存儲器模塊中存儲器芯片上
的全部可存取存儲器位置的檢測模式，檢測所述存儲器模塊以定位缺陷存儲器位置；創(chuàng)建
缺陷表，所述缺陷表用于表示缺陷存儲器位置；將缺陷表編程到所述非揮發(fā)性存儲器芯片；
以及通過將所述存儲器模塊插入到目標檢測系統(tǒng)的檢測模塊插座，以目標檢測所述存儲器
模塊，目標系統(tǒng)從非揮發(fā)性存儲器芯片讀取所述缺陷表并將讀寫無缺陷存儲器位置的檢測
模式應用于所述存儲器模塊的存儲器芯片上，其中所述無缺陷存儲器位置是未被缺陷表識
別的存儲器位置。
圖1是全緩沖存儲器模塊的示意圖； 圖2A-圖2B是呈現(xiàn)部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片上缺陷的示意圖；
圖3是先前技術中制造存儲器模組的預燒檢測流程圖； 圖4是強調預燒已組裝存儲器模塊而非個別部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片 的檢測流程圖； 圖5是使用部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片的制造程序流程圖； 圖6A-圖6B是兩種存儲于串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器的缺陷表，用于
識別存儲器模塊上部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片的缺陷存儲器位置； 圖7是具有部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片的存儲器模塊示意圖； 圖8是使用無預燒部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片的簡單制造程序的流程圖； 圖9是存儲器模塊于預燒室/檢測機的透視圖； 圖10是由個人計算機母板構建的存儲器模塊檢測機的示意圖；及 圖11是錯誤校正自動檢測設備的示意圖，其具有由存儲器模塊上的串行存在檢
測電可擦可編程只讀存儲器編程的配置。
具體實施例方式
本發(fā)明大體而言涉及一種改良的存儲器模塊制造。以下說明用以使所屬技術領域 的技術人員得以實施及使用本發(fā)明，如下文所述的實施態(tài)樣及其需求，在最佳的實施例的 各種變化可被所屬技術領域的技術人員輕易知悉，以及一般原理可應用于其它實施例中。 故本發(fā)明的實施方式并非用來限制本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的權利范圍應根據在此說明的原 理及特征作最寬的解釋。 圖4是強調預燒已組裝存儲器模塊而非個別部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片 的檢測流程。良好及部份良好晶片動態(tài)隨機存取存儲器芯片封裝成封裝體，例如球柵陣列 封裝(ball-grid-array， BGA)或薄型小尺寸封裝(thin-small outlin印ackages， TS0P)， 并將其運送至存儲器模塊制造業(yè)者。已封裝部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片插入至自動 檢測設備檢測頭102上的檢測插座，接著執(zhí)行初步檢測。初步檢測是有限制的，使得每一個 動態(tài)隨機存取存儲器芯片置于自動檢測設備檢測頭102上的時間是最短的，以最小化每一 芯片的檢測成本。初步檢測包含直流電檢測，例如開路、短路、功率及一些限制功能檢測。然 而，具有相當多樣化的檢測模式的全功能檢測不會在此階段執(zhí)行。 動態(tài)隨機存取存儲器芯片具有10%以下的缺陷存儲器位置是作為部份良好動態(tài) 隨機存取存儲器且和100%良好動態(tài)隨機存取存儲器一起通過初步檢測。通過檢測的動態(tài) 隨機存取存儲器芯片焊接至模塊基板以構建成存儲器模塊10。這些動態(tài)隨機存取存儲器芯 片還未通過預燒檢測且其中某些具有幾乎10%的缺陷存儲器單元。某些早期失效(infant mortality)可能出現(xiàn)。然而，當成品率是高的時候，即故障數(shù)目夠少，以節(jié)省檢測成本來補 償任何的返工成本。將缺陷存儲器單元的位置對映至缺陷表并編程至存儲器模塊上的串行 存在檢測電可擦可編程只讀存儲器內。 已組裝存儲器模塊可于簡易存儲器模塊檢測機上檢測，簡易存儲器模塊檢測的成 本相較于自動檢測設備檢測頭102是非常低的。將已組裝存儲器模塊插入至存儲器模塊預 燒板116上的存儲器模塊插槽110。接著將存儲器模塊預燒板116插入至預燒爐114，以熱 度及電壓壓制存儲器模塊。 于預燒爐114 一段時間后，將存儲器模塊預燒板116自預燒爐114中移出，及將存 儲器模塊10自存儲器模塊預燒板116上移出。接著存儲器模塊10于存儲器模塊檢測機上 擴大檢測。執(zhí)行功能檢測模式作為最后檢測，功能檢測模式用以檢測存儲器模板上全部動 態(tài)隨機存取存儲器芯片的全部存儲器位置。 因為每一個存儲器模塊包含數(shù)個動態(tài)隨機存取存儲器芯片，例如8個動態(tài)隨機存 取存儲器芯片，這8個動態(tài)隨機存取存儲器芯片同時平行地檢測。相對于執(zhí)行相同的檢測 模式于插在自動檢測設備檢測頭102上的個別動態(tài)隨機存取存儲器芯片，平行檢測將縮短 檢測時間。不只如此，基于個人計算機母板的低成本存儲器模塊檢測機可取代百萬美元等 級的自動檢測設備。因此檢測成本可以大量地降低。 在此檢測流程中， 一個完整的存儲器模塊插入至存儲器模塊預燒板116上的存儲 器模塊插座110。預燒只需要一次插入及一次移出的操作動作。存儲器模塊包含許多動態(tài) 隨機存取存儲器芯片，例如8個動態(tài)隨機存取存儲器芯片。 一次插入及移出允許動態(tài)隨機 存取存儲器芯片同時被燒制以及檢測。相對之下，如圖3所示，8個個別的動態(tài)隨機存取存儲器芯片需要自存儲器芯片預燒板做8次的插入及8次的移出。 因此，使用圖4所示的流程可以比圖2所示的流程減少7次的插入步驟及7次的 移出步驟。這個結果可以大量地節(jié)省操作的時間及處理的成本。即使使用自動化插入/移 出裝置，圖4所示的流程依舊可節(jié)省裝置的成本及使用時間。 于最后功能檢測的期間，將缺陷存儲器單元的位置對映至缺陷表。缺陷表被編程 至存儲器模塊上的串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器。接著，存儲器模塊于目標系統(tǒng) 重新檢測，通過目標系統(tǒng)自串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器讀取缺陷表并寫入及讀 取無缺陷的存儲器位置。通過缺陷表識別出的缺陷存儲器位置則略過或重新對映至良好存 儲器位置而不檢測。 圖5呈現(xiàn)使用部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片的制造程序流程圖。于步驟302， 自晶片制程廠或鑄造廠接收部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片。這些部份良好動態(tài)隨機存 取存儲器芯片可于晶片廠經先經過初步檢測，通過晶片揀選檢測機器標示或丟棄極差芯片 的，或者盲目地封裝。于步驟304，制造業(yè)者或承包商在輸入交流電/直流電檢測期間，檢測 已封裝部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片。輸入檢測包含直流電檢測，例如開路、短路、功 率消耗以及執(zhí)行具有些許個檢測模式的簡易交流電檢測。 典型的交流電檢測中，檢測因第一次故障發(fā)生時而停止。然而，于步驟304中的交 流電檢測則持續(xù)進行直到找到缺陷存儲器位置，并記錄缺陷存儲器位置的數(shù)量。 一旦檢測 結束，將缺陷存儲器位置的數(shù)量與一檢測閾值(例如10% )比較。當缺陷存儲器位置的數(shù) 量大于檢測閾值(例如10%)時，將已封裝部份良好動態(tài)隨機存取存儲器視為不良并丟棄， 即步驟305。 于步驟314，將具有缺陷小于檢測閾值的部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片焊接 至存儲器模塊基板以構成存儲器模塊。于步驟315，使用一簡易檢測預先檢測這些具有部份 良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片的存儲器模塊，簡易檢測包含開路、短路、功率消耗及其它檢 測模式，以探測出缺陷。將找到的缺陷對映以產生缺陷表并編程至串行存在檢測電可擦可 編程只讀存儲器內。 于步驟306中，將存儲器模塊置入預燒板，接著置入預燒爐。可能會使用到圖9所 示的預燒板、模式生成器及預燒爐。預燒爐壓制存儲器模塊以導致早期故障。未故障的存 儲器模塊則擁有較高的可靠性。于一段時間后，將存儲器模塊自預燒爐及預燒板中移出，即 步驟308。置于預燒爐中的整體時間可根據存儲器模塊的預期可靠性而使其改變。
步驟318 ，于燒制后，將存儲器模塊擴大地檢測并通過檢測模式探測出缺陷存儲器 位置。將缺陷存儲器位置編排至缺陷表中，并編程至串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲 器。 接著，于目標系統(tǒng)重新檢測存儲器模塊，通過目標系統(tǒng)自串行存在檢測電可擦可 編程只讀存儲器讀取缺陷表，并根據缺陷表所識別出的缺陷存儲器區(qū)塊的地址將存儲器的 存取重新對映至備用地址位置，即步驟316。功能檢測可執(zhí)行于基于母板檢測機(例如圖 10中所示)。母板被改裝成具有存儲器控制器、操作系統(tǒng)、基本輸入輸出系統(tǒng)(basic input output system, BIOS)或固件，用以自存儲器模塊上的串行存在檢測電可擦可編程只讀存 儲器中讀取缺陷表，然后將存儲器存取重新導向至缺陷存儲器位置。 步驟320，選擇性地執(zhí)行最后環(huán)境檢測于存儲器模塊。于檢測期間，溫度及電壓皆可改變。根據這些檢測，將存儲器模塊以不同等級裝箱。當缺陷表使用出現(xiàn)故障時，可重新
讀取缺陷表數(shù)次，然后根據需求而重新編程，接著自步驟316或320重復步驟318。 圖6A-圖6B呈現(xiàn)可存儲于串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器的兩種不同的
缺陷表，用以識別存儲器模塊上部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片中的缺陷存儲器位置。
于圖6A，列表中列出不良區(qū)塊的地址。同時可固定不良區(qū)塊的大小，例如4千個區(qū)塊，或者
列出不良存儲器位置的范圍。不良區(qū)塊位置可依據存儲器順序列出或依據其它順序列出。
之后，主機系統(tǒng)可將不良區(qū)塊的列表重新排序成序列順序。 于圖6B，區(qū)塊表作為缺陷表使用并存儲于串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器 中。在此選擇中，二維度的表得以存儲。在缺陷表中，每一個X-Y交叉點皆存儲一位(bit)， 用以指出哪一個區(qū)塊是良好的或者是不良的。在此例子中，0表示此區(qū)塊中至少具有一個缺 陷位。而l表示具有全部存儲器單元皆良好的良好區(qū)塊。于初始化或開機期間，主機系統(tǒng) 可自串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器拷貝缺陷表，然后對缺陷表的副本執(zhí)行查表以 決定哪個存儲器地址是對映至不良區(qū)塊。當缺陷表具有一個0且對映至一地址時，主機的 存儲器控制器、操作系統(tǒng)、基本輸入輸出系統(tǒng)或固件將此地址重新對映至良好區(qū)塊中的備 用地址。 圖7A-圖7B顯示具有部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片的存儲器模塊。于圖7A， 部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片644與串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器130 —起 焊接于存儲器模塊的基板。因部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片644具有缺陷，因此降低 存儲器模塊610的深度。 舉例來說，當存儲器模塊610具有部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片644及64 位的數(shù)據總線時，如果部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片644的部份良好范圍為64Mx8至 32Mx8，則存儲器模塊610的部份良好范圍為64Mx64至32Mx64。 在本實施例中，所有焊接于存儲器模塊610的基板的全部動態(tài)隨機存取存儲器芯 片皆是部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片644。走線(trace)布局是相當簡單的，因為針對 全部動態(tài)隨機存取存儲器芯片地址輸入皆是相同的。然而，不良存儲器位置是對映并存儲 于串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器，使得系統(tǒng)不會存取這些不良位置。
于圖7B，只有一個動態(tài)隨機存取存儲器芯片是良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片。部 份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片644的部份良好大小與良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片48 的整體大小一致。舉例來說，部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片644可具有部份良好范圍 是從512百萬位至256百萬位。良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片48 —樣是256Mbit，且具有 與部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片644相同的深度及數(shù)據寬度。 良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片48比起部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片644可 能需要一些不同的走線布局。當只有少數(shù)的部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片644可使用 時，混合大小的存儲器模塊600是有用的，例如對于小型制造廠或具有相當高成品率的動 態(tài)隨機存取存儲器芯片。 圖8顯示簡易制造程序的流程圖，簡易制造程序使用未經過預燒的部份良好動態(tài) 隨機存取存儲器芯片。自圖5中將預燒步驟刪去，以降低制造成本。同時，也降低完成的存 儲器模塊的可靠性。 于步驟302中，自晶片廠或鑄造廠接收部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片。這些
12部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片可于晶片廠先經過初步檢測，通過晶片揀選機器標示及 丟棄極差的不良芯片，或者盲目地封裝。于步驟304，存儲器模塊制造業(yè)者或承包商使用輸 入交流電/直流電檢測來檢測已封裝部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片。輸入檢測包含直 流檢測，例如開路、短路、功率消耗以及執(zhí)行具有一些檢測模試的交流檢測。
典型的交流電檢測中，檢測因第一次故障發(fā)生時而停止。然而，于步驟304中的交 流電檢測則持續(xù)進行直到找到缺陷存儲器位置，并記錄缺陷存儲器位置的數(shù)量。 一旦檢測 結束，將缺陷存儲器位置的數(shù)量與一檢測閾值(例如10% )比較。當缺陷存儲器位置的數(shù) 量大于檢測閾值(例如10%)時，將已封裝部份良好動態(tài)隨機存取存儲器視為不良并丟棄， 即步驟305。 于步驟314，將具有缺陷數(shù)量小于檢測閾值的部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片 焊接至存儲器模塊基板以構成存儲器模塊。于步驟315，使用一簡易檢測預先檢測這些具有 部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片的存儲器模塊，簡易檢測包含開路、短路、功率消耗及其 它檢測模式，以探測出缺陷。將找到的缺陷對映并產生缺陷表并編程至串行存在檢測電可 擦可編程只讀存儲器內。 于步驟318，將存儲器模塊擴大地檢測并通過檢測模式檢測出缺陷存儲器位置。將 缺陷存儲器位置編排至缺陷表中，并編程至串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器。
接著，目標系統(tǒng)重新檢測存儲器模塊，通過目標系統(tǒng)自串行存在檢測電可擦可編 程只讀存儲器讀取缺陷表，并根據缺陷表所識別出的缺陷存儲器區(qū)塊的地址將存儲器的存 取重新對映至備用地址位置，即步驟316。功能檢測可執(zhí)行于基于母板檢測機(例如圖10 中所示)中。母板改裝成具有存儲器控制器、操作系統(tǒng)、基本輸入輸出系統(tǒng)或固件，用以自 存儲器模塊上的串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器中讀取缺陷表，然后將存儲器存取 重新導向至缺陷存儲器位置。 步驟320，選擇性地執(zhí)行最后環(huán)境檢測于存儲器模塊。于檢測期間，溫度及電壓皆 可改變。根據這些檢測，將存儲器模塊以不同等級裝箱。
圖9是存儲器模塊預燒室。 圖9是存儲器模塊于預燒室/檢測機的透視圖。預燒室，如同圖4所示的預燒爐 114，用以接收插于存儲器預燒板中的存儲器模塊。舉例來說，存儲器模塊預燒室也會執(zhí)行 一些存儲器模塊的檢測，如同在美國專利第6，910，162號所述的預燒爐內。高溫氣體可吹 入至高溫室的底部或側面，升起通過的模塊母板30以提高插入于存儲器模塊插座20的存 儲器模塊102的溫度。模塊母板30可相當于圖4的存儲器模塊預燒板。
底板28提供從模式生成器卡44至每一個模塊母板30的電氣連接，并提供某些程 度的絕熱。泡沫絕緣層附屬于底板28或高溫室86的側面。通過底板28將背部區(qū)40與加 熱室86分離，模式生成器卡44保持比模塊母板30冷卻。 冷空氣吹過模式生成器卡44，然而熱空氣通過加熱室并吹過模塊母板30。模式生 成器卡44上的模式生成器42可保持比存儲器模塊10冷卻，使模式生成器42具有更長的 壽命及更佳的電流驅動。 底板28、模式生成器卡44及模塊母板30可安裝于圍繞加熱室的一機架上。在較 大型預燒裝置罩(burn-in unit enclosure)內，多個機架可互相安裝于彼此的頂部或于另 一個的側邊。熱空氣從裝置的底部或側邊吹入。也可使用局部加熱器、熱電偶或其它溫度傳
13感器利于更好地調節(jié)及控制加熱。裝置可被轉動、旋轉、翻轉或另外重新更改方向。冷卻、 濕度或其它環(huán)境檢測也可被執(zhí)行。 底板28傳遞電源及接地至所有模式生成器卡44及所有模塊母板30。監(jiān)測及控制
信號也可通過底板傳遞，例如傳遞重置信號至模式生成器42或自模式生成器傳遞結果或
狀態(tài)數(shù)據至主機的中央控制器或網絡接口。 圖10是基于個人計算機存儲器模塊檢測器。 當預燒結束，存儲器模塊自存儲器模塊預燒板移出后，于模塊上執(zhí)行大量的功能 性檢測。圖IO顯示由個人計算機母板所構建成的存儲器模塊檢測器。參考例子可參閱美 國專利第6， 357， 022號、第6， 251， 827號及第6， 642， 144號。 雖然存儲器模塊可手動地插入至檢測器上的存儲器模塊檢測插座，使用存儲器處 理機自動插入及移除存儲器模塊才是理想的。處理機60安裝在使用處理機擴充板50的個 人計算機母板的背部的附近。因為處理機60是個人計算機母板的好幾倍大，而處理機60 沒有依照比例繪出。 處理機60通過反向附屬而安裝于個人計算機母板的焊接面而非個人計算機母板 的組件面。移除于個人計算機母板的組件面上的存儲器模塊插座，并自背面將處理機擴充 板裝入至個人計算機母板上的孔，作為存儲器模塊插座。處理機擴充板是環(huán)氧玻璃電路板， 被設計用以連接處理機至個人計算機母板。 當機械人手臂76將被檢測模塊(module-under-test， MUT) 70推入至用于檢測的 位置，處理機60中的接觸接腳66鉗住被檢測模塊70邊緣的無引線焊接點。接觸接腳66 包含足夠的接腳用于被測模塊上的電源、接地及輸入輸出引線。 接觸接腳66電性連接至處理機60背部的連接器。這些連接器是側邊式的連接器， 通常與高速檢測器相連接。典型上有兩個連接器。這些公型連接器嵌入安裝于處理機擴充 板50上的母型連接器54。處理機擴充板50含有金屬布線的走線于其中，用以自連接器54 傳遞信號至擴充接腳52，擴充接腳52自處理機擴充板50的另一側伸出。
擴充接腳52可直接焊接于個人計算機母板基板80，利用存儲器模塊插座移除后 的空孔，或者擴充接腳52可插入至焊接于個人計算機母板焊接面的母型接腳。母型接腳55 具有可嵌進透孔的擴充，透孔通過移除單列存儲器模塊插座所曝露，但依舊具有杯形容器， 用以接收擴充接腳52。使用母型接腳55可使處理機擴充板50更方便自底板80移出。
—旦被檢測模塊70通過個人計算機母板上的檢測程式所檢測完畢，揀選被檢測 模塊70并下放至良好箱72或不良箱74。揀選是響應自個人計算機母板上所執(zhí)行的檢測程 序的通過/失敗信號。 個人計算機母板的底板80是傳統(tǒng)的多層環(huán)氧玻璃纖維電路板。組件92， 94被安 裝至底板80的組件面。存儲器模塊87嵌入存儲器模塊插座88，其具有穿過基板80上的孔 的金屬接腳。這些接腳焊接于基板80的焊接面，以堅固地依附于個人計算機母板的插座。 擴充卡96插入至安裝于基板80的組件面82的擴充插座。插入于擴充卡98的電纜96連 接至周邊設備，例如用于個人計算機的硬碟機、視頻顯示器、多媒體設備。
因為存儲器模塊檢測器是由廉價個人計算機母板所構建的，所以檢測器的成本相 對于自動檢測設備的成本是少了好幾位的。因此通過使用基于個人計算機母板檢測器，大 量地降低檢測成本。許多不同的檢測模式可運用于被測存儲器模塊。于執(zhí)行象限檢測時，
14可改變電壓及溫度。熱空氣及冷空氣可通過噴嘴(圖未繪示)吹入被測存儲器模塊，然而，
可通過處理機擴充板50或個人計算機母板調整運用于被測存儲器模塊的電壓。 圖11顯示錯誤校正先進存儲器緩沖器，具有其配置編程于存儲器模塊中的串行
存在檢測電可擦可編程只讀存儲器。許多存儲器模塊包含串行存在檢測電可擦可編程只讀
存儲器130。串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器130存儲用于存儲器模塊的配置訊息，
例如速度、深度及存儲器模塊上的存儲器配置。此外，串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲
器130還用于存儲缺陷表，其指示缺陷位于哪個存儲器模塊的存儲器空間中。 于初始化期間，主機處理器自串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器130且通過
系統(tǒng)管理(system management, SM)總線192讀取配置，如同串行數(shù)據。缺陷表也一樣自串
行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器130讀取并載入至主機的存儲器控制器、操作系統(tǒng)、
基本輸入輸出系統(tǒng)或固件，將存儲器存取缺陷表指出的缺陷位置重新對映至其它未含有缺
陷的存儲器位置。 串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器130也存儲用于存儲器模塊上的錯誤校 正碼(error-correcting code)控制器的錯誤校正碼。于制造期間，將理想的錯誤校正碼 作為錯誤校正配置132寫于串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器130中。當每次存儲器 模塊通電或重新初始化時，將錯誤校正配置132傳送至錯誤校正配寄存器768。系統(tǒng)管理總 線接口 134自串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器130且通過系統(tǒng)管理總線192讀取錯 誤校正配置132。 錯誤校正先進存儲器緩沖器100包含動態(tài)隨機存取存儲器控制器750。動態(tài)隨機 存取存儲器控制器750產生動態(tài)隨機存取存儲器控制信號，以讀取并寫入數(shù)據至存儲器模 塊10(圖1)上的動態(tài)隨機存取存儲器芯片22，并且自存儲器模塊10上的動態(tài)隨機存取存 儲器芯片22讀取及寫取數(shù)據。于傳送期間，數(shù)據暫時存儲于先進先出(first in first out，F(xiàn)IF0)758。將來自先進先出的數(shù)據壓縮至幀(frame)，并通過金屬觸板12內不同線路 發(fā)送。在重新傳送之前，重新定時及重新同步緩沖器(re_timing and re-synchronizing buffer) 754以還原自輸入緩沖器752接收的差分信號的時序。輸入緩沖器752及輸出緩沖 器756包含差分接收器及傳送器，用于被重新定時及重新同步緩沖器754緩沖的往南通道。
通過錯誤校正先進存儲器緩沖器將所指定的當前存儲器模塊的幀拷貝至自先進 先出758并處理。例如，于寫入架構時，通過錯誤校正先進存儲器緩沖器將來自先進先出 758的數(shù)據寫入至存儲器模塊上的動態(tài)隨機存取存儲器芯片22。于讀取幀時，將自動態(tài)隨 機存取存儲器芯片22讀取的數(shù)據存儲于先進先出758。錯誤校正先進存儲器緩沖器100建 立幀并將其送達至往南重新定時及重新同步緩沖器764及通過往南通道自差分輸出緩充 器發(fā)送出。輸入緩沖器766及輸出緩沖器762包含差分接收器及傳送器，用于被重新定時 及重新同步緩沖器754緩沖的往南通道。 當錯誤校正碼控制器700開啟時，錯誤校正碼控制器700檢查先進先出758內的 寫入數(shù)據在數(shù)據通過動態(tài)隨機存取存儲器寫入至存儲器芯片前。錯誤校正碼控制器700產 生用于寫入數(shù)據的錯誤校正碼位，以及寫入這些產生的錯誤校正碼位至先進先出758或另 一存儲器(圖未繪示)或將錯誤校正碼位送達至動態(tài)隨機存取存儲器控制器750，使得錯誤 校正碼位可被動態(tài)隨機存取存儲器控制器750寫入至存儲器芯片。 當通過動態(tài)隨機存取存儲器控制器750自存儲器芯片讀取數(shù)據時，已存儲的錯誤校正碼位也可通過動態(tài)隨機存取存儲器控制器75自存儲器芯片讀取。讀取數(shù)據及錯誤校 正碼位自動態(tài)隨機存取存儲器控制器750送達至錯誤校正碼控制器700，俾使錯誤校正碼 控制器700可產生校驗子(syndrome)及檢查錯誤?？蓢L試錯誤校正，且如果成功的話，通 過錯誤校正碼控制器700將已校正的數(shù)據寫入至先進先出758。 另一方面，動態(tài)隨機存取存儲器控制器750可將讀取數(shù)據及錯誤校正碼位兩者都 寫入先進先出758。然后，錯誤校正碼控制器700自先進先出758讀取此讀取數(shù)據及錯誤校 正碼位及執(zhí)行檢查及校正。動態(tài)隨機存取存儲器控制器750及錯誤校正碼控制器700可管 道式地于不同的時間運行數(shù)據。
備選實施例。 由發(fā)明人所設想的幾個其它實施例。例如，缺陷表內存儲器區(qū)塊的容量可為1千 位、4千位、256位或其它值。當提及象限時，可檢測較小的存儲器分割及為了 l縮減容量而 合并。當提及半容量縮減時，可使用較高的縮減比例，例如從S個字元縮減至S/4個字元， 或從S個字元縮減至S/8個字元。象限、分割或區(qū)塊不須要符合動態(tài)隨機存取存儲器芯片 內的實體分割，但可為邏輯分割。 雖然標示動態(tài)隨機存取存儲器芯片已描述過，例如打印零件號或容量于封裝上， 但標示不一定要存在。動態(tài)隨機存取存儲器芯片可由檢測結果控制檢測器或處理設備以揀 選至分離箱。分離箱內的芯片可直接焊接至存儲器模塊的基板，不需通過小心地記錄分離 箱而標示任何一個芯片。 實際上的檢測閾值可自10%變化，例如5%、1%、20%等。檢測閾值可表示成檢測 序列中可允許故障的數(shù)目，而不是存儲器單元的百分率。 未通過功能檢測的存儲器模塊可被重做或可能地修復，例如置換動態(tài)隨機存取存 儲器芯片或重新焊接松動連接。小部份的模塊，例如1%，可能需要重做。然而，有時候來 自晶片廠的動態(tài)隨機存取存儲器芯片的成品率是低的且故障是更常見的。成品率篩選法 (yield-sampling method)可作為另一選擇，用以探測偶然收到的一批低成品率動態(tài)隨機 存取存儲器芯片。此篩選法也探測封裝程序中的問題。 串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器130可被并入至先進存儲器緩沖器或另 一緩沖芯片。重新對映邏輯線路可被并入先進存儲器緩沖器或另一緩沖芯片。串行存在檢 測電可擦可編程只讀存儲器130可能不會出現(xiàn)在某些型式的存儲器模塊。本發(fā)明可運用于 不具緩沖的存儲器模塊、緩沖存儲器模塊、全緩沖雙列存儲器模塊及其它種類的存儲器模 塊，包含使用未來標準的存儲器模塊。 雖然已描述動態(tài)隨機存取存儲器，但可用其它種類的存儲器代替，例如靜態(tài)隨 機存取存儲器(static random access memory, S廳)、非揮發(fā)性存儲器(麗-volatile memory)或其它種類的存儲器。本發(fā)明可結合制造業(yè)者執(zhí)行的芯片層級冗余及修復。機內 檢測(built-in-self-test, BIST)可用于檢測。 可使用不同的控制信號。走線可由金屬走線于存儲器模塊表面上構成，或者由多 層印刷電路板內層的內部走線構成。通孔(Vias)、跨接線(wire jumper)或其它接線可構 成部份導電通道?？稍黾与娮琛㈦娙莼蚋鼜碗s濾波器以及其它組件。舉例來說，增加電源至 接地旁路電容(power_to_groimd bypass capacitor)于存儲器模塊。
可增加多路轉換器(Mux)及開關(switch)，以使回送檢測盡可能如同標準操作。未來存儲器模塊標準及存儲器模塊標準的延伸可由本發(fā)明中獲益。 某些檢測流程可使用多目標轉移或檢測程序中的條件語句而非如圖示的分離步 驟。步驟可依各種方式重新排列及增加額外步驟。部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片的初 步預先篩選以及預燒可略過。 上述的實施例僅用來描述及說明本發(fā)明，并非用來詳盡無遺或限制本發(fā)明的確切 型式揭露。諸多修改及變化方式可根據以上的敘述達到。本發(fā)明的權利范圍不局限于此的 詳細敘述，應以申請專利的權利要求為準。
權利要求
一種通過部份良好存儲器芯片制造部份良好存儲器模塊的制造方法，其特征在于包含接收部份已檢測存儲器芯片，其中所述部份已檢測存儲器芯片是未經過全面檢測探測出全部缺陷的封裝片；通過運用于所述部份已檢測存儲器芯片的初步檢測模式，預先檢測所述部份已檢測存儲器芯片，其中所述初步檢試模式是用于檢測缺陷存儲塊；計數(shù)于預先檢測時通過初步檢測模式探測出的缺陷存儲塊數(shù)量；丟棄預先檢測時缺陷存儲塊數(shù)量大于檢測閾值的存儲器芯片；將預先檢測時缺陷存儲塊數(shù)量小于檢測閾值的存儲器芯片視為部份良好存儲器芯片；對于所述部份良好存儲器芯片，將所述部份良好存儲器芯片焊接至存儲器模塊基板上，形成部份良好存儲器模塊；將非揮發(fā)性存儲器芯片焊接至所述部份良好存儲器模塊；通過模塊檢測模式檢測所述部份良好存儲器模塊定位缺陷存儲器位置；創(chuàng)建缺陷表，所述缺陷表用于表示通過模塊檢測模式由所述部份良好存儲器模塊中定位的缺陷存儲器位置；將所述缺陷表編程到所述非揮發(fā)性存儲器芯片，形成已編程部份良好存儲器模塊；將所述已編程部份良好存儲器模塊插入到目標檢測系統(tǒng)上的模塊檢測插座；以及通過將所述非揮發(fā)性存儲器芯片的缺陷表初步復制到所述目標檢測系統(tǒng)及通過于所述目標檢測系統(tǒng)上初步執(zhí)行檢測程序，所述目標系統(tǒng)檢測所述可編程部份良好存儲器模塊，所述檢測程序于所述非揮發(fā)性存儲器芯片產生存取訪問，所述目標檢測系統(tǒng)重新導向存取訪問，以通過所述缺陷表識別所述缺陷存儲器位置；藉此，部份良好存儲器芯片組成所述部份良好存儲器模塊，目標系統(tǒng)從所述部份良好存儲器模塊上的非揮發(fā)性存儲器芯片讀取所述缺陷表。
2. 根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于將所述非揮發(fā)性存儲器芯片的缺陷表 初步復制到所述目標檢測系統(tǒng)的步驟包含重新啟動所述目標檢測系統(tǒng)及于所述目標檢測系統(tǒng)上執(zhí)行啟動代碼，使所述目標檢測 系統(tǒng)從所述非揮發(fā)性存儲器芯片中讀取所述缺陷表；藉此，所述目標檢測系統(tǒng)于重新啟動時讀取所述缺陷表。
3. 根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于丟棄預先檢測時缺陷存儲塊數(shù)量大于 檢測閾值的存儲器芯片的步驟包含丟棄10%以上的存儲塊是缺陷存儲塊的存儲器芯片，其中所述檢測閾值相當于存儲器 芯片上全部存儲塊數(shù)量的10%，每個存儲塊包含多重存儲器單元。
4. 根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于從所述非揮發(fā)性存儲器芯片的缺陷表 初步復制到所述目標檢測系統(tǒng)的步驟包含從所述非揮發(fā)性存儲器芯片讀取串行數(shù)據流； 藉此，所述非揮發(fā)性存儲器芯片是串行存儲器。
5. 根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于所述非揮發(fā)性存儲器芯片是串行存在 檢測電可擦可編程只讀存儲器。
6. 根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于所述部份良好存儲器芯片是動態(tài)隨機 存取存儲器。
7. 根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于還包含將所述已編程部份良好存儲器模塊插入到存儲器模塊預燒板上的模塊插座； 將所述存儲器模塊預燒板放入預燒爐內；于預燒時，通過所述預燒爐加熱所述已編程部份良好存儲器模塊，壓制所述已編程部 份良好存儲器模塊及部份良好存儲器芯片，所述部份良好存儲器芯片焊接于所述已編程部 份良好存儲器模塊的存儲器模塊基板上；于預燒后，從所述預燒爐移除所述存儲器模塊預燒板，并從所述存儲器模塊預燒板抽 出所述已編程部份良好存儲器模塊，以作為已燒制存儲器模塊；通過擴大檢測模式，全面檢測已燒制存儲器模塊；其中所述擴大檢測模式是用于檢測所述部份良好存儲器芯片的未檢測可能缺陷； 藉此，部份良好存儲器芯片焊接到已燒制且已全面檢測的程序部份良好存儲器模塊。
8. 根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于還包含于所述已燒制存儲器模塊應用擴大檢測模式時，通過升高已燒制存儲器模塊的溫度及 電壓條件，進行環(huán)境檢測；藉此，燒制已環(huán)境檢測存儲器模塊。
9. 根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于還包含于預燒時，通過升高所述已編程部份良好存儲器模塊的輸入電壓，加熱所述預燒爐中 的已編程部份良好存儲器模塊，以電壓壓制所述已編程部份良好存儲器模塊； 于預燒時，將檢測模式輸入應用于所述已編程部份良好存儲器模塊； 其中所述已編程部份良好存儲器模塊還通過檢測模式輸入壓制，檢測模式輸入運作于 所述已編程部份良好存儲器模塊上的部份良好存儲器芯片。
10. 根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于全面檢測已燒制存儲器模塊的步驟 包含將所述已燒制存儲器模塊插入到檢測插座，所述檢測插座電氣連接到所述目標系統(tǒng)的 適應個人計算機母板上的存儲器總線；運行所述適應個人計算機母板上的檢測程序，所述檢測程序通過所述存儲器總線及所 述檢測插座讀寫存儲器位置，所述存儲器位置位于焊接到所述燒制存儲器模塊的部份良好 存儲器芯片上；藉此，所述適應個人計算機母板是用于檢測所述已燒制存儲器模塊。
11. 根據權利要求io所述的制造方法，其特征在于通過運用于部份已檢測存儲器芯片的初步檢測模式，預先檢測部份已檢測存儲器芯片的步驟還包含通過插入所述部份已檢測存儲器芯片到自動檢測設備檢測機，對所述部份已檢測存儲 器芯片進行初步篩選檢測，其中所述自動檢測設備檢測機的成本io倍于所述適應個人計 算機母板的成本，所述適應個人計算機母板是用于檢測所述已燒制存儲器模塊；藉此，廉價的檢測機是用于檢測存儲器模塊。
12. 根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于還包含重做于全面檢測所述已燒制存儲器模塊時未通過擴大檢測模式的存儲器模塊，其中重做存儲器模塊包含將存儲器上的缺陷部份良好存儲器芯片以另一個部份良好存儲器芯片 取代，以產生裝配存儲器模塊；藉此，于重做時置換缺陷部份良好存儲器芯片。
13. 根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于還包含 通過選取部份已檢測存儲器芯片樣本，以抽樣所述部份已檢測存儲器芯片； 全面檢測所述部份已檢測存儲器芯片樣本并產生成品率，所述成品率是顯示未通過檢測的樣本比例；比較所述成品率與成品率閾值；當所述成品率小于所述成品率閾值時，于所述部份已檢測儲器芯片焊接到所述存儲器 模塊基板前，全面檢測整批部份已檢測存儲器芯片；當所述成品率大于所述成品率閾值時，將所述部份已檢測存儲器芯片焊接到所述存儲 器模塊基板，同時不需全面檢測整批部份已檢測存儲器芯片中剩余的部份已檢測存儲器芯 片；藉此，整批部份已檢測存儲器芯片通過抽樣，決定何時所述成品率是小于所述成品率 閾值。
14. 一種部份良好存儲器模塊，其特征在于由權利要求1所述的制造方法所制造。
15. —種生產部份良好存儲器模塊的方法，其特征在于包含將具有缺陷存儲塊的存儲器芯片焊接到基板并將非揮發(fā)性存儲器芯片焊接到基板，以 裝配存儲器模塊，其中存儲器芯片于全面檢測及燒制前焊接到所述基板；通過讀寫所述存儲器模塊中存儲器芯片上的全部可存取存儲器位置的檢測模式，檢測 所述存儲器模塊以定位缺陷存儲器位置；創(chuàng)建缺陷表，所述缺陷表用于表示缺陷存儲器位置；將缺陷表編程到所述非揮發(fā)性存儲器芯片；以及通過將所述存儲器模塊插入到目標檢測系統(tǒng)的檢測模塊插座，以目標檢測所述存儲器 模塊，目標系統(tǒng)從非揮發(fā)性存儲器芯片讀取所述缺陷表并將讀寫無缺陷存儲器位置的檢測 模式應用于所述存儲器模塊的存儲器芯片上，其中所述無缺陷存儲器位置是未被缺陷表識 別的存儲器位置。
16. 根據權利要求15所述生產部份良好存儲器模塊的方法，其特征在于還包含 于目標檢測前預燒所述存儲器模塊，包含 將所述存儲器模塊插入到存儲器模塊預燒板上的插座； 將所述存儲器模塊預燒板放入預燒爐；通過提升溫度及電壓，壓制所述預燒爐的存儲器模塊預燒板上的存儲器模塊； 將所述存儲器模塊預燒板從所述預燒爐移出，并將所述存儲器模塊從所述存儲器模塊 預燒板上移出。
17. 根據權利要求16所述生產部份良好存儲器模塊的方法，其特征在于還包含 于焊接到基板前初步篩選存儲器模塊，包含 將初步檢測模式應用于讀寫存儲器芯片的存儲器位置； 計數(shù)于初步檢測模式時未通過檢測的數(shù)量； 丟棄未通過檢測的數(shù)量大于檢測閾值的存儲器芯片。
18. 根據權利要求17所述生產部份良好存儲器模塊的方法，其特征在于所述檢測閾值 包含大于一個缺陷及小于10%的全部存儲器芯片上的存儲器位置。
19. 根據權利要求18所述生產部份良好存儲器模塊的方法，其特征在于所述目標檢測 包含于檢測模式被運用時，加熱所述存儲器模塊到已提高溫度，并運用低于標準電源電壓 的下降電源電壓。
20. 根據權利要求19所述生產部份良好存儲器模塊的方法，其特征在于還包含 選擇存儲器芯片樣本；通過比初步檢測模式可檢測出更多缺陷的檢測模式，檢測所述存儲器芯片樣本，初步 檢測模式是用于部份檢測所述存儲器芯片，直到初步篩選出包含開路及短路接腳的缺陷存 儲器芯片；根據未通過檢測存儲器芯片的數(shù)量，決定樣本的成品率；比較所述成品率與目標值，在含有大量樣本的情況下，決定何時應用抽樣檢測模式檢 測剩余的存儲器芯片及決定何時應用初步檢測模式檢測剩余的存儲器芯片； 藉此，由抽樣得到存儲器芯片的成品率。
全文摘要
本發(fā)明是一種利用電可擦可編程只讀存儲器的缺陷表制造存儲器模塊的方法，通過焊接部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片于存儲器模塊基板以制造存儲器模塊。部份良好動態(tài)隨機存取存儲器芯片具有數(shù)量低于檢測閾值(例如10％)的缺陷存儲器單元。已封裝動態(tài)隨機存取存儲器芯片經過隨意地預先篩選后，當發(fā)現(xiàn)缺陷的數(shù)目少于前述檢測閾值時，則視為通過檢測。在檢測期間，產生缺陷表并將其寫入至存儲器模塊上的串行存在檢測電可擦可編程只讀存儲器。于開機時，借助目標系統(tǒng)檢測器讀取缺陷表，存儲器模塊于目標系統(tǒng)檢測器上做最后檢測，并將存儲器存取缺陷表所識別的缺陷存儲器位置重新導向。存儲器可通過燒制或于不同溫度及電壓下檢測以增加可靠性。
文檔編號G11C29/00GK101794621SQ20091000380
公開日2010年8月4日 申請日期2009年2月1日 優(yōu)先權日2009年2月1日
發(fā)明者D·孫, M·陳, R·S·柯 申請人:金士頓科技(上海)有限公司