專利名稱：用于制造半導體裝置的印模、掩?；蚰０宓纳a(chǎn)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造用于制造半導體裝置的基底的方法，以及使用主盤制作過程生產(chǎn)
一套印模或掩模(也被稱為模板)的方法。
背景技術(shù)：
在例如凸版印刷、壓印或光刻等半導體制造過程中，通過重復地應用基本工序把 多個圖形層疊加在基底上。對于所創(chuàng)建裝置的適當功能來說，在連續(xù)過程步驟中精確覆蓋 是非常重要的。這往往通過在連續(xù)過程步驟中所使用的掩?；蛴∧Ｖ屑尤雽蕵擞?，以及 使掩模/印模的位置與在前面步驟中的基底/裝置上所留下的類似特征相關(guān)來實現(xiàn)。
對于在印?；蜓谀Ｉ闲纬山Y(jié)構(gòu)，可以使用從光學介質(zhì)的主盤生產(chǎn)中已知的設備和 過程。通常，主盤的生產(chǎn)包括步驟清洗基底，例如玻璃基底；以及應用輻射敏感材料層到 基底表面；通過在基底上移動聚焦激光光斑，按期望的圖形照射基底上的敏感材料；以及 使敏感材料層顯影。敏感材料可以是感光材料或相變層。按預定義的圖形通過照射輻射敏 感材料層而在盤上寫入信息通常在激光束記錄儀中完成。對于大多數(shù)的光學介質(zhì)，通過旋 轉(zhuǎn)基底，以及相對于基底徑向地平移激光光斑，用坑和/或槽記錄螺旋線或同心圓。利用當 前的激光束記錄儀，能夠達到小于10nm的徑向位置精度，以及非常精確的切向位置。
從W0 03/042985A2中已知制造在小封裝(SFF)光學數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的制造中所使 用的印模的方法，其中，在單個主板上提供帶螺旋狀或同心狀信息儲存道的系列區(qū)域，各個 區(qū)域的中心位于主板旋轉(zhuǎn)軸線以外。通過相對于支撐結(jié)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)軸線偏心地固定主板，以 及繞支撐結(jié)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)附連有主板的支撐結(jié)構(gòu)，在主板上依次地寫不同區(qū)域。從這 樣生產(chǎn)的主板得到的印模可以被用來同時生產(chǎn)大量對應主盤上區(qū)域的復制品。
在半導體裝置的生產(chǎn)中，一些層隨后必須在相同基底上在各其他層頂部成形，用 于在不同層中形成結(jié)構(gòu)的不同模板的正確對準是非常重要的。因此，在不同印?；蜓谀Ｉ?的結(jié)構(gòu)的高相對位置精度必須被保證。 更多的現(xiàn)有技術(shù)公開在JP-A-07 014 218、 US 6 638 692B1、 US2006/286355A1、 EP-A-0 355 925、JP-A-04 095 243、WO 2006/045332A和JP-A-07 320 305中。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目標是提供制造在其上不同區(qū)域中帶有結(jié)構(gòu)的基底的方法，這些 區(qū)域具有非常高的相對位置精度，即，不同區(qū)域中的圖形相互之間應該是非常好的參考。本 發(fā)明進一步的目標是提供制造一套使用基底制造半導體裝置的印模或掩模的方法。在后續(xù) 過程步驟中高精度地對準不同印模或掩模應該是可能的。
這些目標通過權(quán)利要求的特征來達到。 本發(fā)明基于用已知主盤制作設備在一個基底的不同區(qū)域?qū)懡Y(jié)構(gòu)的思想。不同區(qū)域 里的結(jié)構(gòu)可以是用于制造半導體裝置的不同印模或掩模的結(jié)構(gòu)。任選地，一個或多個對準 標記可以在各個區(qū)域中的相同相對位置形成。在激光束記錄儀的一次單掃描中記錄安排在一個基底上的不同區(qū)域中的結(jié)構(gòu)。這可通過螺旋地移動激光光斑，或通過按同心圓移動 激光光斑以及步進地改變圓半徑以便在整個基底上移動激光光斑來完成。由于軌道間距控 制和旋轉(zhuǎn)控制非常好，在不同區(qū)域的優(yōu)選地對應不同印?；蜓谀５膱D形互相之間是非常好 的參考。例如，如果不同區(qū)域是圓形地排列在基底上，則所有區(qū)域的記錄準確地在相同的半 徑處開始，因此，被寫的結(jié)構(gòu)的位置和對準標記(如果可用)以非常高的相對位置精度被確 定。通過在激光束或e-束(電子束)記錄儀(LBR)(如用于創(chuàng)建光學記錄的主盤的記錄 儀)的一輪運行中制造一套將在連續(xù)過程步驟中使用的掩模或印模，能夠創(chuàng)建一致的具有 非常好對準位置的掩模或印模。 在不同區(qū)域中的結(jié)構(gòu)可以具有任意期望的圖形，并且不需要是圓形結(jié)構(gòu)的，但是 可以在x-y方向上具有結(jié)構(gòu)，例如具有行和列的圖形。由于根據(jù)本發(fā)明通過在基底上圓形 地移動激光光斑來寫結(jié)構(gòu)，因此使用軟件程序?qū)⒁獙懺诨咨系臄?shù)據(jù)進行坐標轉(zhuǎn)換是必 要的。此外，區(qū)域可以具有任意期望的形狀，例如圓形或矩形。 為了準備模板，S卩印?；蜓谀?，基底上的不同區(qū)域被分開，以便以圖形化基底元件 的形式得到模板。 任何已知方法可以被用于在主盤制作設備中寫結(jié)構(gòu)。因此，應用到基底的輻射 敏感材料層可以是光敏層，即，光刻膠層或相變材料層。在后一種情況中，根據(jù)將要形成 的結(jié)構(gòu)例如通過應用激光脈沖在敏感材料中引起熱誘導相變。相變敏感材料的例子是 ZnS-Si0x。


在下文中，參照附圖更詳細地描述本發(fā)明。 圖1原理性地示出安排在使用根據(jù)本發(fā)明的方法制造的單個基底上四個印模的 結(jié)構(gòu)安排。 圖2示出帶掩模和標記細節(jié)的結(jié)構(gòu)的SEM顯微圖。
具體實施例方式
圖1圖示出四個分開區(qū)域2a到2d在基底上的示范安排，每一個區(qū)域包括將要被 制造的印模圖形。不同區(qū)域2a到2d中的圖形可以相同或者不同。根據(jù)本發(fā)明使用的基底 1可以是標準基底，例如在生產(chǎn)CD或DVD產(chǎn)品的主盤時使用的玻璃基底。如圖1中所示，在 四個區(qū)域2a到2d的每一個中，寫入對準標記3a到3d。而優(yōu)選地，在各個區(qū)域中寫入多于 一個的對準標記，以便在壓印光刻過程中對準不同印模時提高精度。 根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選地是，定位不同區(qū)域2a到2d的相對位置，使得在各個區(qū)域2a到 2d中的各自結(jié)構(gòu)離基底的中心4具有相同的距離，例如，相對于基底1的中心4對稱地定 位，如圖l中所示。因此，優(yōu)選地安排四個區(qū)域2a到2d在基底l的圓上。利用這種特別安 排，當在激光束記錄儀中將信息寫在基底1上時，能夠?qū)崿F(xiàn)以離基底1的中心4相同的距離 r在相同的軌道5開始寫入不同區(qū)域2a到2d。這是因為通過在基底1上圓形地移動激光 光斑寫入信息，例如通過在激光束記錄儀中繞中心4旋轉(zhuǎn)基底1。此外，寫在每一個區(qū)域2a 到2d中的對準標記3a到3d被安排在各個區(qū)域2a到2d中的相同相對位置上，以及，如能 夠從圖1中所看到的，所述對準標記相對于基底1的中心4也是對稱的。從而，當在基底上寫結(jié)構(gòu)時，對準標記3a到3d的邊界的寫入也在相同的軌道開始，因此所制造印模上的對準 標記3a到3d的相對位置以非常高的位置精度被確定。 圖2示出使用本發(fā)明方法生產(chǎn)的圖形的掃描電鏡(SEM)顯微圖。具體地，圖2示 出矩形結(jié)構(gòu)的角10和對準標記20。對準十字形式的對準標記20被置于接近矩形圖形的角 10。
權(quán)利要求
一種制造基底(1)的方法，基底包括在制造半導體裝置的基底表面上具有相同或不同圖形的至少兩個區(qū)域(2a到2d)，所述方法包括步驟(a)提供基底(1)；(b)在基底(1)上應用輻射敏感材料層；(c)通過在整個基底(1)上的一次掃描中移動聚焦記錄光斑在輻射敏感材料層中記錄至少兩個區(qū)域(2a到2d)的圖形；以及(d)使輻射敏感材料層顯影。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中沿螺旋線或沿同心圓在整個基底(1)上移動記錄光 斑，同時依次改變圓的半徑。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中記錄光斑是聚焦激光束光斑或聚焦電子束光斑。
4. 如權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其中圖形對應至少兩個印模或掩模的結(jié)構(gòu)。
5. 如前述權(quán)利要求中任意一項所述的方法，其中輻射敏感材料是光敏材料或熱敏材 料，例如相變材料。
6. 如前述權(quán)利要求中任意一項所述的方法，其中不同區(qū)域(2a到2d)安排在基底(1) 上的圓上。
7. 如前述權(quán)利要求中任意一項所述的方法，其中在每一個不同區(qū)域(2a到2d)中記錄 至少一個對準標記(3a到3d)，在各個區(qū)域(2a到2d)中的相同相對位置形成對應對準標記 (3a到3d)。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中每一個不同區(qū)域(2a到2d)中的對應對準標記(3a 到3d)在基底(1)上具有相同徑向位置。
9. 一種制造使用主盤制作過程制造半導體裝置的至少兩個印模或掩模的方法，該方法 包括步驟(a) 用根據(jù)前述權(quán)利要求中任意一項的方法制造基底(1);以及(b) 分開基底(1)的至少兩個區(qū)域(2a到2d)來得到圖形化基底元件形式的至少兩個 印?；蜓谀！?br> 全文摘要
本發(fā)明提供制造基底的方法，該基底包括在基底表面上帶相同或不同圖形的至少兩個區(qū)域。該過程包括步驟提供基底；在基底上應用輻射敏感材料層；通過在整個基底(1)上的一次掃描中圓形地移動聚焦記錄光斑，在至少兩個區(qū)域(2a到2d)上的輻射敏感材料層中記錄圖形，通過在整個基底上的一次掃描中移動聚焦激光光斑，在敏感材料層中記錄圖形；以及，使敏感材料層顯影。本發(fā)明進一步提供制造用于使用主盤制作過程制造半導體裝置的至少兩個印?；蜓谀５姆椒?。
文檔編號G11B7/26GK101779164SQ200880100347
公開日2010年7月14日 申請日期2008年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月25日
發(fā)明者J·弗蘭斯 申請人:單一控制股份有限公司