專利名稱：：磁頭用基板、磁頭以及記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及硬盤驅(qū)動(dòng)器或磁帶驅(qū)動(dòng)器等記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)裝置、使用于此的磁頭以及為了形成作為磁頭的基材的滑塊的磁頭用基板。
背景技術(shù)：
：近年來，向記錄介質(zhì)記錄的磁記錄的高密度化急速發(fā)展。一般作為錄放雙用的磁頭，使用在記錄介質(zhì)上懸浮運(yùn)行的滑塊上搭載了電磁轉(zhuǎn)換元件的磁頭。用于這種磁頭的滑塊，除了機(jī)械加工性及耐磨耗性優(yōu)越以外，還要求與記錄介質(zhì)等對(duì)置且借助空氣而受到浮力的懸浮面的表面平滑性優(yōu)越。作為一例能夠通過以下的步驟制作磁頭。首先，在Al203-TiC系陶瓷構(gòu)成的陶瓷基板上，通過濺射法形成由非晶質(zhì)狀的氧化鋁構(gòu)成的絕緣膜，在該絕緣膜上形成多個(gè)電磁轉(zhuǎn)換元件。電磁轉(zhuǎn)換元件為使用了磁阻效應(yīng)的元件，例如為MR(MagnetroResistive)元j牛、GMR(GiantMagnetroResistive)元^牛、TMR(TunnelMagnetroResistive)元件或AMR(AnisotropicMagnetroResistive)元件。例示的電磁轉(zhuǎn)換元件通過以一種或多種希望的間隔形成在絕緣膜上，搭載在滑塊上。然后，使用切割機(jī)或切割鋸(dicingsaw)將搭載有電磁轉(zhuǎn)換元件的陶瓷基板切斷成長(zhǎng)方形。此時(shí)，在與長(zhǎng)方形的陶瓷基板的厚度方向平行地切斷，對(duì)截面進(jìn)行拋光而成為鏡面后，通過離子銑削加工法或反應(yīng)性離子蝕刻法除去鏡面的一部分。此后，將切斷成長(zhǎng)方形的陶瓷基板分割成片狀，由此得到在滑塊上搭載了電磁轉(zhuǎn)換元件的磁頭。在該磁頭中，在鏡面除去的部分成為流道面，在鏡面未被除去而保留下的部分成為懸浮面。流道面為使空氣通過的面，通過在和記錄介質(zhì)之間形成的狹窄的空間空氣流入-流出而發(fā)生的浮力使磁頭不與記錄介質(zhì)接觸。這樣的搭載了磁頭的硬盤驅(qū)動(dòng)器等的記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)裝置期望進(jìn)一步增加其記錄容量，要求進(jìn)一步提高記錄密度。如果要順應(yīng)該要求，就必須使磁頭距離作為記錄介質(zhì)的磁盤的懸浮高度(懸浮量)極小至lOnm以下。然而，若為該10nm以下的懸浮高度(懸浮量)，則如上述制作的磁頭容易與記錄介質(zhì)接觸，由該接觸產(chǎn)生的沖擊會(huì)使下述的問題顯著，即，構(gòu)成磁頭的滑塊的組成物的晶粒發(fā)生脫粒，磁頭的特性劣化。因此，對(duì)于作為構(gòu)成磁頭的滑塊的基材的磁頭用基板，要求其組成物的晶粒為不容易脫粒的材料，要求晶粒間的結(jié)合力的提高，即，燒結(jié)性的提高。為了響應(yīng)這樣的要求，組成物的晶粒的微?；惶接懷芯?。例如，在由氧化鋁及碳化鈦構(gòu)成的作為燒結(jié)體的磁頭滑塊用材料中，在截面的氧化鋁晶粒及碳化鈦晶粒所占的面積中，晶體粒徑為200nm以上且350nm以下的氧化鋁晶粒及碳化鈦晶粒所占的面積比率設(shè)為80%以上(例如參照專利文獻(xiàn)1)。在專利文獻(xiàn)1的實(shí)施例中，記載了優(yōu)選氧化鋁晶粒及碳化鈦晶粒的各平均晶體粒徑分別為0.250.31pm以及0.250.32pm的范圍。專利文獻(xiàn)1:日本特開2007-4934號(hào)公報(bào)。然而，在含有碳化鈦晶粒及氧化鋁晶粒的磁頭滑塊用材料中，如果碳化鈦晶粒的個(gè)數(shù)比率低，則有時(shí)難以通過TiC晶粒抑制Ai203晶粒的晶粒生長(zhǎng)。因此，如果燒結(jié)時(shí)氧化鋁晶粒發(fā)生了異常的晶粒生長(zhǎng)，則在將磁頭用基板切斷成長(zhǎng)方形，或通過離子銑削加工法或反應(yīng)性離子蝕刻法形成流道面的加工時(shí)，不能夠充分防止晶粒的脫粒。如果氧化鋁晶粒發(fā)生了異常的晶粒生長(zhǎng)，則還具有切屑(chipping)的尺寸也變大的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的課題在于抑制在磁頭用基板的加工時(shí)(切斷、銑削或蝕刻)的脫粒及從磁頭的滑塊的脫粒。本發(fā)明涉及一種包括氧化鋁為60質(zhì)量％以上且70質(zhì)量％以下的范圍、碳化鈦為30質(zhì)量％以上且40質(zhì)量％以下的范圍的燒結(jié)體的磁頭用基板。本發(fā)明還涉及一種在包括將磁頭用基板分割成片狀而形成的燒結(jié)體的滑塊上形成了電磁轉(zhuǎn)換元件的磁頭。本發(fā)明還涉及一種記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)裝置，該記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)裝置具有在包括將磁頭用基板分割成片狀而形成的燒結(jié)體的滑塊上形成了電磁轉(zhuǎn)換元件的磁頭；具有通過該磁頭進(jìn)行信息的記錄及再生的磁記錄層的記錄介質(zhì)；驅(qū)動(dòng)該記錄介質(zhì)的電動(dòng)機(jī)。在所述燒結(jié)體的截面的任意的10pm以上的直線上存在的所述碳化鈦晶粒的個(gè)數(shù)的比率相對(duì)于在所述直線上存在的所述碳化鈦晶粒的個(gè)數(shù)及所述氧化鋁晶粒的個(gè)數(shù)的合計(jì)為55%以上且70%以下。本發(fā)明的磁頭用基板及磁頭的滑塊包括八1203為60質(zhì)量％以上且70質(zhì)量％以下的范圍、TiC為30質(zhì)量％以上且40質(zhì)量％以下的范圍的燒結(jié)體。進(jìn)而，在所述磁頭用基板及所述磁頭的滑塊中，在所述燒結(jié)體的截面的任意的10pm以上的直線上存在的所述TiC晶粒的個(gè)數(shù)的比率相對(duì)于在所述直線上存在的所述TiC晶粒的個(gè)數(shù)及所述A1203晶粒的個(gè)數(shù)的合計(jì)為55%以上且70%以下。因此，因?yàn)門iC晶粒比A1203晶粒硬度高且適當(dāng)分散，所以抑制A1203晶粒的異常的晶粒生長(zhǎng)，并且作為對(duì)A1203晶粒帶來錨定效果的晶粒發(fā)揮作用。其結(jié)果，在本發(fā)明的磁頭用基板中，使用切割機(jī)或切割鋸切斷成長(zhǎng)方形，或通過離子銑削加工法或反應(yīng)性離子蝕刻法形成流道面時(shí)，能夠抑制晶粒脫粒。另一方面，在本發(fā)明的磁頭中，因?yàn)槟軌蛞种圃趹腋r(shí)組成物的晶粒從滑塊脫粒，所以能夠抑制起因于脫粒的晶粒的記錄介質(zhì)的損傷。進(jìn)而，在本發(fā)明的磁頭中，能夠抑制滑塊的微裂紋的發(fā)生，有效地防止從滑塊的脫粒。因此，本發(fā)明也能夠適宜地用于飛母托滑塊(femtoslider)或阿托滑塊(attoslider)等小型化的滑塊。圖1是表示本發(fā)明的記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)裝置的一例的俯視圖。圖2是圖i的沿n-n線的剖視圖。圖3是圖i的沿ni-m線的剖視圖。圖4是放大表示記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)裝置的周圍的立體圖。圖5是從背面?zhèn)扔^察本發(fā)明的磁頭的一例的整體立體圖。圖6A及6B是表示磁頭用基板的例子的整體立體圖。圖7是表示將成形體配置在加壓燒結(jié)裝置中的狀態(tài)的加壓燒結(jié)裝置的主要部分的俯視圖。圖8是為了說明將電磁轉(zhuǎn)換元件形成在磁頭用基板上的工序的立體圖。圖9A及9B是為了說明切斷磁頭用基板而得到長(zhǎng)方形片材的工序的立體圖。圖IOA及10B是為了說明從長(zhǎng)方形片材得到磁頭的工序的立體圖。圖中:1—硬盤驅(qū)動(dòng)器(記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)裝置)，2—磁頭，20—(磁頭的)電磁轉(zhuǎn)換元件，21—(磁頭的)滑±央，23—(滑塊的)流道面，3A、3B一磁盤(記錄介質(zhì))，40—電動(dòng)機(jī)，7、7'—磁頭用基板具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體說明。由圖1圖3所示的硬盤驅(qū)動(dòng)器1相當(dāng)于記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)裝置的一例的裝置，其為在外殼10的內(nèi)部收容了磁頭2、磁盤3A、3B及旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)4的裝置。磁頭2是為了訪問任意的磁道，進(jìn)行信息的記錄及再生的元件。磁頭2經(jīng)由懸掛臂50被支撐于執(zhí)行器5，并在磁盤3A、3B上以非接觸的狀態(tài)移動(dòng)。更加具體而言，磁頭2能夠以執(zhí)行器5為中心，在磁盤3A、3B的半徑方向旋轉(zhuǎn)，并且在上下方向往返移動(dòng)。磁頭2具備電磁轉(zhuǎn)換元件20及滑塊21。如圖4及圖5所示，電磁轉(zhuǎn)換元件20為發(fā)揮磁阻效應(yīng)的元件，作為例如MR(MagnetroResistive)元件、GMR(GiantMagnetroResistive)元件或TMR(TunnelMagnetroResistive)元件而構(gòu)成。電磁轉(zhuǎn)換元件20形成于設(shè)置在滑塊21的端面的絕緣層24的表面?；瑝K21為形成磁頭2的基材的部件，具有懸浮面22及流道面23。懸浮面22為與磁盤3A、3B對(duì)置的面，被形成鏡面。驅(qū)動(dòng)磁頭2時(shí)的懸浮面22的懸浮量例如為10nm以下。流道面23作為使空氣通過的流道發(fā)揮作用，該空氣是為了使磁頭2懸浮的空氣。通過離子銑削加工法或反應(yīng)性離子蝕刻法，流道面23的從懸浮面的深度例如形成為1.52.5pm，表面的算術(shù)平均高度(Ra)例如設(shè)為15nm以下((^m除外)。磁頭2的懸浮特性受到形成在滑塊21的流道面23的表面性質(zhì)的影響。當(dāng)以作為表面性質(zhì)的指標(biāo)的一個(gè)算術(shù)平均高度(Ra)為基準(zhǔn)考慮，如果流道面23的算術(shù)平均高度(Ra)小，則空氣的湍流不容易在流道面23發(fā)生，懸浮特性穩(wěn)定。因此，通過將流道面23的算術(shù)平均高度(Ra)設(shè)為微小的15nm以下，能夠抑制在流道面23的湍流的發(fā)生，穩(wěn)定磁頭2的懸浮特性。在此，磁頭2的懸浮特性是指磁頭2的左右搖擺(rolling)及前后俯仰(pitching)。左右搖擺是指在圖4中箭頭01所示方向的懸浮特性。前后俯仰是指圖4中箭頭02所示方向的懸浮特性。流道面23的算術(shù)平均高度(Ra)通過使用原子力顯微鏡，依據(jù)JISB0601-2001能夠測(cè)定。但是，在滑塊21(流道面23)的尺寸小的情況下，可以設(shè)定評(píng)價(jià)長(zhǎng)度為10|im。圖1圖3所示的磁盤3A、3B為相當(dāng)于記錄介質(zhì)的一例的部件，具有磁記錄層(省略圖示)。這些磁盤3A、3B形成為具有貫通孔30A、30B的圓板狀。旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)4是為了使磁盤3A、3B旋轉(zhuǎn)的部件，具有電動(dòng)機(jī)40及旋轉(zhuǎn)軸41。電動(dòng)機(jī)40是為了對(duì)旋轉(zhuǎn)軸41給予旋轉(zhuǎn)力的部件，固定于外殼10的底壁11。旋轉(zhuǎn)軸41是被電動(dòng)機(jī)40旋轉(zhuǎn)的部件，并且是支撐磁盤3A、3B的部件。相對(duì)于該旋轉(zhuǎn)軸固定了襯套(hub)42。襯套42是和旋轉(zhuǎn)軸一同旋轉(zhuǎn)的部件，具有插入部43及凸緣部44。在磁盤3A、3B的貫通孔30A、30B插入插入物43的狀態(tài)下，通過間隔件45、46、47，磁盤3A、3B層疊于凸緣部44。進(jìn)而，通過用螺釘48將夾鉗49固定于間隔件47，磁盤3A、3B被固定于襯套42，進(jìn)而被固定于旋轉(zhuǎn)軸41。在這樣的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)4中，通過由電動(dòng)機(jī)40使旋轉(zhuǎn)軸41旋轉(zhuǎn)，使襯套42旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而使磁盤3A、3B旋轉(zhuǎn)。其次，參照?qǐng)D6圖10，對(duì)磁頭2的制造方法進(jìn)行說明。首先，準(zhǔn)備圖6A或圖6B所示的磁頭用基板7、7'。圖6A所示的磁頭用基板7為在圖6B所示的圓板狀的磁頭用基板7'上形成了定位邊70的基板。定位邊70是用于在將電磁轉(zhuǎn)換元件20搭載在滑塊21上時(shí)或?qū)⒋蓬^用基板7'切斷成長(zhǎng)方形時(shí)的定位的標(biāo)記。該定位邊70能夠通過以切割鋸將圖6B所示的磁頭用基板7'的一部分切除而形成。當(dāng)然，使用圖6B所示的磁頭用基板7'也可形成磁頭2。磁頭用基板7、7'例如是直徑D為102153mm，厚度T為1.22mm的燒結(jié)體。該磁頭用基板7、7'為含有作為主成分的氧化鋁(八1203)的晶粒及作為副成分的碳化鈦(TiC)的晶粒的復(fù)合燒結(jié)體。Al203是為了確保燒結(jié)體(磁頭用基板7、7')的機(jī)械特性、耐磨性及耐熱性的材料。燒結(jié)體的機(jī)械加工性例如能夠通過測(cè)定拋光加工的單位時(shí)間的拋光量進(jìn)行評(píng)價(jià)。燒結(jié)體的Al203含有量設(shè)為60質(zhì)量％以上且70質(zhì)量%以下。TiC為調(diào)整燒結(jié)體(磁頭用基板7、7')的導(dǎo)電性及斷裂韌性的材料。燒結(jié)體的導(dǎo)電性例如可以作為體積電阻率進(jìn)行評(píng)價(jià)。體積電阻率依據(jù)JISC2141-1992能夠測(cè)定。燒結(jié)體的導(dǎo)電性作為體積電阻率，優(yōu)選為2xl0—1Q-m以下，尤其適宜為2xl(^Q"m以下。燒結(jié)體的TiC含有量設(shè)為30質(zhì)量%以上且40質(zhì)量％以下。當(dāng)燒結(jié)體的TiC含有量為30質(zhì)量％以上時(shí)，能夠確保較高的導(dǎo)電性。因此，在用磁頭用基板7、7'形成的磁頭2中，電荷帶電于電磁轉(zhuǎn)換元件時(shí)，能夠迅速除去電荷。另一方面，當(dāng)燒結(jié)體的TiC含有量為40質(zhì)量％以下時(shí)，在之后說明的燒結(jié)工程中，能夠抑制微小的氣孔(例如直徑為100nm500nm的氣孔)在燒結(jié)體的內(nèi)部發(fā)生。因此，能夠在燒結(jié)工序后的加工，例如進(jìn)行切斷、離子銑削加工法、反應(yīng)性離子蝕刻法時(shí)抑制晶粒脫粒。燒結(jié)體的A1203及TiC的比率能夠通過使用x射線熒光分析法或ICP(InductivityCoupledPlasma)發(fā)射光譜分析法求出Al元素及Ti元素的比率而得到。關(guān)于Al203可以通過將Al元素的比率換算成氧化物，關(guān)于TiC可以通過將Ti元素的比率換算成碳化物而求出。優(yōu)選燒結(jié)體(磁頭用基板7、7')的TiC晶粒的平均晶體粒徑小于0.25]im((^m除外)。如果燒結(jié)體的TiC晶粒的平均晶體粒徑小于0.25pm，則能夠抑制Al203晶粒的異常生長(zhǎng)，抑制燒結(jié)體的晶粒的脫粒。另一方面，從抑制燒結(jié)體的脫粒的觀點(diǎn)來說，優(yōu)選燒結(jié)體的Al203護(hù)曰粒的平均晶體粒徑(DA)相對(duì)于TiC晶粒的平均晶體粒徑(DT)為1倍以上且2倍以下。進(jìn)而，從抑制燒結(jié)體的脫粒的觀點(diǎn)來說，優(yōu)選燒結(jié)體(磁頭用基板7、7')的晶粒的平均晶體粒徑為0.25pm以下(0iLim除外)，最大晶體粒徑為lpm以下((^m除外)。燒結(jié)體的TiC晶粒及A1203晶粒的平均晶體粒徑及晶粒的最大晶體粒徑能夠通過圖像處理軟件(例如"Image-ProPlus",NihonVisualScience株式會(huì)社制)對(duì)用掃描型電子顯微鏡(SEM)拍攝的圖像進(jìn)行分析而求到。在燒結(jié)體的截面的任意的lO)am以上的直線上存在的TiC晶粒的個(gè)數(shù)的比率相對(duì)于在所述直線上存在的所述TiC晶粒的個(gè)數(shù)及所述A1203晶粒的個(gè)數(shù)的合計(jì)設(shè)為55%以上且75°/。以下。如果任意的直線上的TiC晶粒的個(gè)數(shù)的比率為55%以上，則能夠通過TiC晶粒抑制A1203晶粒的異常的晶粒生長(zhǎng)，并且由于硬度比Al203晶粒高的TiC晶粒分散于在燒結(jié)體中，TiC晶粒作為對(duì)Al203晶粒適當(dāng)?shù)貛礤^定效果的材料而起作用。因此，即使用切割機(jī)或切割鋸將磁頭用基板7、7'切斷成長(zhǎng)方形，或通過離子銑削加工法或反應(yīng)性離子蝕刻法形成流道面75(23)，也能夠抑制晶粒的脫粒。另外，如果截面的任意的直線上的TiC晶粒的個(gè)數(shù)的比率為55。/。以上，因?yàn)樵跓Y(jié)體(磁頭用基板7、7')中能夠維持較高的導(dǎo)電性，所以能夠在電荷帶電于磁頭2時(shí)迅速除去電荷。另一方面，如果截面的任意的直線上的TiC晶粒的個(gè)數(shù)的比率為75%以下，因?yàn)樵跓Y(jié)工序中的八1203燒結(jié)不容易受到阻礙，所以能夠使燒結(jié)體致密化。在此，為了求出TiC晶粒的個(gè)數(shù)的比率而將燒結(jié)體的截面的任意的直線長(zhǎng)度設(shè)為l(Vm以上，是因?yàn)榭紤]到例如燒結(jié)體的晶粒的平均晶體粒徑為0.25pm以下，如果在這樣的范圍的平均晶體粒徑，直線的長(zhǎng)度為l(Him以上，則能夠以較高的精度求出TiC晶粒及Al203晶粒的個(gè)數(shù)。需要說明的是，為了在確保測(cè)定的精度的同時(shí)而不過分地使用勞力和時(shí)間，將其任意的直線的長(zhǎng)度的上限設(shè)為100pm以下為佳。另外，關(guān)于相對(duì)于在任意的lO^im以上的長(zhǎng)度的直線上存在的TiC晶粒的個(gè)數(shù)及Al203晶粒的個(gè)數(shù)的合計(jì)，TiC晶粒的個(gè)數(shù)的比率能夠按照以下的步驟求出。首先，用金剛石磨粒對(duì)磁頭用基板7、7'的任意的面進(jìn)行拋光加工而成為鏡面后，再以磷酸對(duì)該面進(jìn)行數(shù)十秒左右的蝕刻處理。其次，用掃描型電子顯微鏡(SEM)，在從進(jìn)行了蝕刻處理的面中選擇任意的部位，得到以倍率為10,00013,000倍左右拍攝的圖像(以下,將該圖像稱為SEM圖像)。將得到的SEM圖像例如用叫做"Jtrim"的自由軟件進(jìn)行圖像處理。具體而言，將SEM圖像轉(zhuǎn)換為灰度等級(jí)，其后通過濾波器除去細(xì)小的雜音，求出比SEM圖像更加強(qiáng)調(diào)了對(duì)比度的圖像。其次，在對(duì)強(qiáng)調(diào)了對(duì)比度的圖像進(jìn)行強(qiáng)調(diào)亮度(明暗)的處理后，進(jìn)行二值化處理。在通過該處理而得到的圖像中，將晶粒所占的面積作為像素?cái)?shù)進(jìn)行表示。需要說明的是，二值化處理是指將圖像的濃度轉(zhuǎn)換為黑或白的兩個(gè)值的處理，例如使Al203晶粒作為黑色，使TiC晶粒作為白色處理。然后，例如用叫做"畫像力4面積(中文:從圖像至面積)"(制作者.'赤尾鐵平)的自由軟件，從表示的像素?cái)?shù)轉(zhuǎn)換成TiC晶粒及A1203晶粒分別占有的面積。將這些晶粒所占有的面積的合計(jì)設(shè)為100,2，分別算出TiC晶粒及Al203晶粒的面積。其次，將算出的各自的晶粒的面積所占的部分作為正方形，求出該正方形的邊長(zhǎng)，再通過以各自的平均晶體粒徑相除，則能夠求出TiC晶粒及Al203晶粒的個(gè)數(shù)。然后，通過將得到的各自的晶粒的個(gè)數(shù)分別用這些個(gè)數(shù)的合計(jì)相除，則能夠求出存在于各正方形的一邊的TiC晶粒及八1203晶粒的各自的個(gè)數(shù)。其結(jié)果，能夠算出相對(duì)于在任意的10pm的直線上存在的TiC晶粒的個(gè)數(shù)及A1203晶粒的個(gè)數(shù)的合計(jì)的TiC晶粒的個(gè)數(shù)的比率。需要說明的是，在尋求在任意的10pm以上且100|_im以下的直線上存在的TiC晶粒的比率的情況下，因?yàn)樵揟iC晶粒的個(gè)數(shù)的比率基本上不論在什么部位都不會(huì)發(fā)生變化，所以所述的晶粒的占有面積的合計(jì)設(shè)為100|11112100{^1112的范圍即可。另外，優(yōu)選燒結(jié)體(磁頭用基板7、7')的抗彎強(qiáng)度為800MPa以上，熱導(dǎo)率為19W/(m.k)以上。如果燒結(jié)體(磁頭用基板7、7')的抗彎強(qiáng)度為800MPa以上，即使將磁頭用基板7、7'分割成片狀，也能夠抑制微裂紋的發(fā)生，抑制隨微裂紋的發(fā)生而發(fā)生晶粒的脫粒。因此，如果用磁頭用基板7、7'，則能夠得到具有良好的CSS(接觸啟停contacfstart'stop)特性的磁頭2。這樣的隨微裂紋的發(fā)生而發(fā)生晶粒的脫粒的抑制效果對(duì)于小型化的滑塊(例如飛母托滑塊或阿托滑塊)也能夠有用地發(fā)揮。另一方面，如果磁頭用基板7、7'的熱導(dǎo)率為19W/(irrk)以上，則能夠?qū)碾姶呸D(zhuǎn)換元件20發(fā)生的熱迅速放到滑塊21。因此，如果使用這的熱傳導(dǎo)性優(yōu)越的磁頭用基板形成磁頭2，則能夠抑制在紀(jì)錄介質(zhì)中保存的紀(jì)錄被熱毀壞。在此，抗彎強(qiáng)度可依據(jù)JISR1601-1995以三點(diǎn)彎曲強(qiáng)度進(jìn)行評(píng)價(jià)。但是，在無法從磁頭用基板7、7'切下在該JIS規(guī)格規(guī)定的試驗(yàn)片的情況下，使磁頭用基板7、7'的厚度T作為試驗(yàn)片的厚度也可以。另一方面，熱導(dǎo)率可依據(jù)JISR1611-1997來測(cè)定。優(yōu)選燒結(jié)體(磁頭用基板7、7')的平均氣孔直徑小于200nm，優(yōu)選燒結(jié)體的氣孔的面積占有率小于0.03%。當(dāng)燒結(jié)體的氣孔的平均氣孔直徑小于200nm，則在磁頭用基板7、7'的切斷、離子銑削加工法、反應(yīng)性離子蝕刻法等加工中，裂紋不容易傳播到在氣孔的周圍存在的粒子間耦合較弱的粒子。另外，如果燒結(jié)體的氣孔的面積占有率小于0.03%，則氣孔的存在的概率極小，所以能夠抑制在所述的磁頭用基板7、7'的加工時(shí)氣孔成起點(diǎn)發(fā)生的松裂紋(loosecrack)。因此，如果設(shè)燒結(jié)體的氣孔的平均氣孔直徑小于200nm，或設(shè)燒結(jié)體的氣孔的面積占有率小于0.03%，則能夠減少晶粒的脫粒。另外，氣孔不是存在于A1203晶?；騎iC晶粒的三相點(diǎn)或兩面界的晶界，而是存在于晶粒內(nèi)部為佳，氣孔不是凝集在粒子界面或粒子內(nèi)部而是分散為更佳。通過氣孔存在于晶粒的內(nèi)部，能夠進(jìn)一步減少晶粒的脫粒的危險(xiǎn)性。通過氣孔不凝集而分散，能夠降低以氣孔成起點(diǎn)發(fā)生的裂紋的影響，進(jìn)一步降低脫粒的危險(xiǎn)性。這樣的磁頭用基板7、7'例如通過使用了將材料粉末進(jìn)行混合"粉碎、造粒而得到的顆粒的加壓燒結(jié)而制作。作為材料粉末，含有60質(zhì)量％以上且70質(zhì)量％以下的氧化鋁，及0.2質(zhì)量％以上且10質(zhì)量％以下的作為燒結(jié)助劑的TK)2粉末，剩余部分使用TiC粉末的材料。除了這些材料粉末以外，為了促進(jìn)燒結(jié)，使燒結(jié)體更加致密，也可以使用在0.1質(zhì)量°/。以上且0.6質(zhì)量％以下的范圍添加了Yb203粉末、Y203粉末及MgO粉末的至少一種的材料。材料粉末的混合例如使用球磨機(jī)、振動(dòng)研磨機(jī)、膠體研磨機(jī)、超微磨碎機(jī)、快速攪拌機(jī)來進(jìn)行。材料粉末的粉碎優(yōu)選使用例如直徑為2.8mm以下的粉碎用玻璃珠。由此，能夠形成材料粉末的平均粒徑為0.5!iim以下(0pm除外)，燒結(jié)體的平均晶體粒徑為小于0.25|um。粉碎后的材料粉末的平均粒徑能夠通過液相沉降法、光透過離心沉降法、激光衍射散射法或激光多普勒法等進(jìn)行測(cè)定。顆粒的造粒能夠在粉碎的材料粉末中添加結(jié)合劑、分散劑等成形助劑并均一地混合后，使用公知的造粒機(jī)進(jìn)行。作為造粒機(jī)，例如可以用滾筒造粒機(jī)、噴霧干燥機(jī)或壓縮造粒機(jī)。顆粒例如形成平均粒徑為100pm以下。將顆粒的平均粒徑形成為100pm以下是為了防止被粉碎的原料凝聚，或構(gòu)成原料的組成分離。加壓燒結(jié)例如將使顆粒成形為希望的形狀的成形體配置于加壓燒結(jié)裝置內(nèi)而進(jìn)行。如圖7所示，在加壓燒結(jié)裝置8中，成形體80例如以從兩個(gè)正面隔著碳質(zhì)的隔離部件81被石墨制間隔件82所夾持并堆疊的狀態(tài)配置。在加壓燒結(jié)裝置8中，在成形體80的周圍配置了含有碳質(zhì)材料的屏蔽部件83。在加壓燒結(jié)裝置8中，由于隔著碳質(zhì)的隔離部件81，Ti02在燒成工序中被還原而產(chǎn)生的二氧化碳(C02)容易從燒結(jié)體中排出，所以能夠控制磁頭用基板7、7，的密度偏差。如果將含有碳質(zhì)材料的屏蔽部件83配置在成形體80的周圍進(jìn)行加壓燒結(jié)，則能夠防止從TiC粒子向Ti02粒子的變質(zhì)，獲得機(jī)械特性優(yōu)越的磁頭用基板7、7'。將成形體80配置于加壓燒結(jié)裝置8后，在氬、氦、氖或真空等氣氛中，以溫度為14001700°C、加壓力為30MPa以上進(jìn)行加壓燒結(jié)能夠得到圖6B所示的圓板狀的磁頭用基板7'。另外，用切割鋸將圖6B所示的圓板狀的磁頭用基板7'的一部分切除，能夠形成圖6A所示的磁頭用基板7。在此，如果將加壓燒結(jié)溫度設(shè)為1400170(TC的范圍，則不會(huì)發(fā)生燒結(jié)不充分，在將TiC晶粒適當(dāng)?shù)胤稚⒌耐瑫r(shí)，TiC晶粒不過分地生長(zhǎng)。因此，燒結(jié)體的結(jié)晶組織均一，能夠充分發(fā)揮TiC本來所具備的功能。另外，如果將燒結(jié)時(shí)的加壓力設(shè)為30MPa以上，則促進(jìn)燒結(jié)體的致密化，能夠得到作為磁頭用基板7、7'所要求的強(qiáng)度。如此得到的燒結(jié)體(磁頭用基板7、7')成為主成分及副成分分別是Ab03及TiC的復(fù)合燒結(jié)體。在這樣的復(fù)合燒結(jié)體中，在截面的任意的l(^m以上的直線上存在的TiC晶粒的個(gè)數(shù)的比率相對(duì)于在直線上存在的TiC晶粒的個(gè)數(shù)及A1203晶粒的個(gè)數(shù)的合計(jì)為55%以上且75%以下。在此，作為燒結(jié)助劑如果使用Ti02，則在燒成工序中燒成氣氛中含有的微量的一氧化碳(CO)的作用下，該Ti02以反應(yīng)方程式(l)所示的方式被還原成TiO。被還原的TiO如反應(yīng)方程式(2)所示，固溶于TiC，進(jìn)一步生成71<^(^^+丫<1、且乂〉:^)。需要說明的是，乂=0.850.9々=0.10.15。[反應(yīng)方程式1]Ti02+CO—TiO+C(V■■(1)TiO+TiC—TiCxOy(x+y<l、且x〉》y)'■'(2)生成的TiCxOy根據(jù)TiO的固溶量y而密度不同，當(dāng)將固溶量y設(shè)為0.15，則燒結(jié)體(磁頭用基板7、7')的密度成為最大。作為燒結(jié)助劑的TiO2的大部分變?yōu)門iCxOy。在x^0.850.9、y-0.10.15的范圍中，由于TiO向TiC的固溶，因此內(nèi)部發(fā)生的直徑為100500nm的氣孔的發(fā)生減少，可抑制氣孔的凝聚。其結(jié)果，能夠設(shè)燒結(jié)體的氣孔的平均氣孔直徑小于200nm，則燒結(jié)體的氣孔的面積占有率小于0.03%。在加壓燒結(jié)后，根據(jù)需要也可以進(jìn)行熱等靜壓燒結(jié)(HIP)。通過熱等靜壓燒結(jié)(HIP)，使燒結(jié)體(磁頭用基板7、7')的抗彎強(qiáng)度容易地成為800MPa以上。如圖8所示，燒結(jié)結(jié)束后，形成電磁轉(zhuǎn)換元件72。在磁頭用基板7(7')上通過濺射法形成由非晶質(zhì)狀的氧化鋁構(gòu)成的絕緣膜71后，將電磁轉(zhuǎn)換元件72形成在絕緣膜71上。電磁轉(zhuǎn)換元件72作為使用了磁阻效應(yīng)的MR元件、GMR元件、TMR元件或AMR元件形成。其次，如圖9A所示，將搭載了電磁轉(zhuǎn)換元件72的磁頭用基板7(7')切斷而得到長(zhǎng)方形片材73。磁頭用基板7(7')的切斷可用切割機(jī)或切割鋸進(jìn)行。其次，如圖9B所示，長(zhǎng)方形片材73在滑塊21上將需要成為懸浮面22(參照?qǐng)D5)的面拋光形成鏡面。該拋光例如可用公知的拋光裝置進(jìn)行。其次，如圖10A所示，在長(zhǎng)方形片材73的拋光面74形成凹部(流道面)75。凹部75作為使磁頭2漂浮的空氣通過的流道面23(參照?qǐng)D5)發(fā)揮作用。拋光面74的未被除去的保持鏡面原狀態(tài)的部分為成為在磁頭2與磁記錄介質(zhì)對(duì)置的漂浮面22(參照?qǐng)D5)的部件。凹部75例如通過離子銑削加工法或反應(yīng)性離子蝕刻法形成所需要的形狀、深度及表面粗糙度。相對(duì)于拋光面74(漂浮面22)(參照?qǐng)D5)，凹部75的深度例如設(shè)為1.5pm以上且2.5,以下。凹部75的表面的算術(shù)平均高度(Ra)例如設(shè)為15nm以下(0nm除外)。如果在這樣的表面粗糙度上形成凹部75，則因?yàn)榇蓬^2的流道面23(參照?qǐng)D5)的平滑性提高，能夠控制空氣的流動(dòng)，所以能夠使磁頭2的懸浮特性穩(wěn)定。需要說明的是，要將凹部75的算術(shù)平均高度(Ra)設(shè)為15nm以下，在離子銑削加工法或反應(yīng)性離子蝕刻法中選擇適宜的加工條件即可。例如，在通過離子銑削加工法形成凹部75的情況下，使用Ar離子，設(shè)加速電壓為600V、銑削速率為18nm/分，進(jìn)行75125分鐘加工即可。另一方面，在利用反應(yīng)性離子蝕刻法形成凹部75的情況下，例如使用Ar氣體及CF4氣體，設(shè)流量分別為3.4xl0-2pa'mVs及1.7x10-2Pa'm3/s，在混合的氣體氣氛中，設(shè)該氣體的壓力為0.4Pa進(jìn)行加工即可。最后，如圖10B所示，通過切割形成有凹部75的長(zhǎng)方形片材73，可得到如圖5所示的片狀的磁頭2。在上述制造方法中得到的磁頭用基板7、7'及磁頭2的滑塊21中，在燒結(jié)體的截面的任意的lOpm以上的直線上存在的TiC晶粒的個(gè)數(shù)的比率相對(duì)于在所述直線上存在的TiC晶粒的個(gè)數(shù)及A1203晶粒的個(gè)數(shù)的合計(jì)為55%以上且75%以下。因此，即使用切割機(jī)或切割鋸將磁頭用基板7、7'切斷成長(zhǎng)方形或通過離子銑削加工法或反應(yīng)性離子蝕刻法形成凹部75(流道面23)，晶粒都基本上不脫粒。在通過磁頭用基板7、7'得到的磁頭2中，因?yàn)樵谟涗浗橘|(zhì)上懸浮運(yùn)行時(shí)從流道面23的脫粒受到抑制，所以能夠抑制基于脫粒的晶粒使記錄介質(zhì)發(fā)生損傷而特性劣化。實(shí)施例以下，具體說明本發(fā)明的實(shí)施例。但是，本發(fā)明不受以下的實(shí)施例限制。15(實(shí)施例1)在本實(shí)施例中，對(duì)十四種磁頭用基板(試料Nol14)探討了"203及TiC的質(zhì)量比率、導(dǎo)電性、密度、TiC晶粒的個(gè)數(shù)比率及機(jī)械加工性。磁頭用基板在調(diào)制規(guī)定的料漿形成成形體后，通過加壓燒結(jié)制作。漿料通過將Al203粉末、TiC粉末、Ti02粉末、￥13203粉末、成形用粘合劑及分散劑按規(guī)定量投入至玻璃珠研磨機(jī)，并使用以表1所示的值為平均粒徑的粉碎用玻璃珠來制作。用在JISZ8823-2:2004規(guī)定的光透過離心沉降法測(cè)定了料漿中原料的粉碎粒徑的平均粒徑。原料的粉碎粒徑的測(cè)定結(jié)果如表1所示。成形體通過以噴霧干燥法將料漿形成顆粒后進(jìn)行干式加壓成形來形成。如圖7所示將得到的成形體按每個(gè)需要制作的試料分14段配置，在真空氣氛中設(shè)溫度為1600'C、加壓力為40MPa、升溫速率為10°C/min、保持時(shí)間為60min進(jìn)行加壓燒結(jié)。然后，進(jìn)行熱等靜壓燒結(jié)(HIP)，制作直徑為152.4mm，厚度為3mm的試料No.114的磁頭用基板。磁頭用基板的質(zhì)量比率的測(cè)定使用x射線熒光分析裝置("RigakuZSX100e"，理學(xué)電機(jī)工業(yè)株式會(huì)社制)進(jìn)行。更加具體而言，首先，用上述的x射線熒光分析裝置測(cè)定了相對(duì)于構(gòu)成磁頭用基板的元素100質(zhì)量。/。(碳(C)及氧(0)除外。)的Al及Ti的各比率。然后，關(guān)于A1，換算成氧化物，關(guān)于Ti，換算成碳化物，算出了各試料的Al203及TiC的質(zhì)量比率。質(zhì)量比率的測(cè)定結(jié)果如表1所示。需要說明的是，關(guān)于Yb203，因?yàn)樵谌我獾脑嚵现卸紴樾∮?質(zhì)量％的微量，所以未在表1中記載。磁頭用基板的導(dǎo)電性依據(jù)JISC2141-1992作為體積電阻率進(jìn)行評(píng)價(jià)。體積電阻率的測(cè)定結(jié)果如表1所示。將磁頭用基板的體積電阻率為4xlO"Q.m以下視為合格，將磁頭用基板的體積電阻率大于4xlO"Q'm視為不合格。將磁頭用基板的體積電阻率大于4xlO"Q'm視為不合格是因?yàn)樵趶倪@樣的磁頭用基板形成的磁頭中不能夠迅速除去帶電于電磁轉(zhuǎn)換元件的電荷。磁頭用基板的密度依據(jù)JISR1634-1996進(jìn)行測(cè)定。密度的測(cè)定結(jié)果表示在表l。將密度為4.26g/cm3以上的視為合格，小于4.26g/cn^的視為不合格。將密度小于4.26g/cm3的情況視為不合格是因?yàn)樵趶倪@樣的磁頭用基板形成磁頭的情況下，凹部(流道面)容易發(fā)生氣孔，在記錄介質(zhì)上懸浮運(yùn)行時(shí)，A1203晶粒從氣孔的外圍脫粒的可能性變大。TiC晶粒的個(gè)數(shù)比率作為TiC晶粒的個(gè)數(shù)相對(duì)于在磁頭用基板的截面的任意10,以上的直線上存在的TiC晶粒的個(gè)數(shù)及A1203晶粒的個(gè)數(shù)的合計(jì)的比率，用以下的步驟進(jìn)行評(píng)價(jià)。首先，將磁頭用基板的表面用金剛石磨粒進(jìn)行拋光加工形成鏡面后，將該面用磷酸進(jìn)行數(shù)十秒蝕刻處理。其次，在蝕刻處理的面中選擇任意的部位，用掃描型電子顯微鏡(SEM)以倍率13，OOO倍進(jìn)行拍攝，得到SEM圖像。使用叫做"Jtrim"的自由軟件和叫做"畫象加b面積"(制作者:赤尾鐵平)的自由軟件，從得到的SEM圖像求出各自的晶粒的面積，將各自的晶粒的面積看作正方形，通過用各自的晶體粒徑算出其一邊，求出在任意的10,直線上的TiC晶粒及A1203晶粒各自的個(gè)數(shù)。根據(jù)這樣的個(gè)數(shù)的測(cè)定結(jié)果，求出TiC晶粒的個(gè)數(shù)相對(duì)于在任意的10pm以上的直線上存在的TiC晶粒及A1203晶粒的個(gè)數(shù)的合計(jì)的比率。關(guān)于TiC晶粒的個(gè)數(shù)、A1203晶粒的個(gè)數(shù)以及TiC晶粒的個(gè)數(shù)比率的測(cè)定結(jié)果，如表1所示。關(guān)于磁頭用基板的機(jī)械加工性，以切屑的最大值的形式進(jìn)行了評(píng)價(jià)。切屑的最大值以下述的方法測(cè)定，即，使用金屬顯微鏡以倍率為400倍測(cè)定了從一個(gè)磁頭用基板切出10根長(zhǎng)方形片材時(shí)的各個(gè)長(zhǎng)方形片材的截面。使用具備了金剛石刀片的切割機(jī)，切出長(zhǎng)度為70mm，寬度為3mm，厚度為2mm的長(zhǎng)方形片材。作為金剛石刀片使用了"SD1200"。在磁頭用基板的切斷時(shí)，設(shè)金剛石刀片的旋轉(zhuǎn)數(shù)為10000rpm，進(jìn)給速度為100mm/分，一次的進(jìn)刀量為2mm。切屑的最大值的測(cè)定結(jié)果如表1所示。將長(zhǎng)方形片材的切屑的最大值為8pm以上視為不合格，小于8pm視為合格。將長(zhǎng)方形片材的切屑的最大值為8|_im以上的情況視為不合格是因?yàn)榇嬖诖蓬^的漂浮高度發(fā)生偏差的可能性。(表1)<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>如表1所示，在試料No.lll中，因?yàn)轶w積電阻率為4xlO"Q,m以下，密度為4.26g/cm3以上，所以體積電阻率(導(dǎo)電性)及密度達(dá)到合格的基準(zhǔn)。但是，在試料No.13、5中，切屑的最大值為8pm以上，機(jī)械加工性沒有達(dá)到合格基準(zhǔn)，為不合格。這可以考慮為以下的原因，S卩，因?yàn)門iC晶粒的個(gè)數(shù)的比率比55%低，燒成時(shí)A1203晶粒發(fā)生了異常的晶粒生長(zhǎng)，在進(jìn)行磁頭用基板的切出加工時(shí)，該A1203晶粒脫粒了。對(duì)此，試料No.4、611中，因?yàn)榍行嫉淖畲笾敌∮?,，所以機(jī)械加工性達(dá)到合格基準(zhǔn)。考慮到在這些試料中，因?yàn)門iC為在30質(zhì)量％以上且40質(zhì)量％以下的本發(fā)明的范圍內(nèi)，所以導(dǎo)電性(體積電阻率)及機(jī)械加工性(切屑的最大值)都變好。進(jìn)一步，可知在試料No.4、611中，在截面的任意的lO^im以上的直線上存在的TiC晶粒的個(gè)數(shù)的比率為55%以上且75%以下，密度被較高地致密化，基于切割機(jī)的切出發(fā)生的切屑也較小。在本發(fā)明的范圍外的試料No.1214中，因?yàn)榍行嫉淖畲笾禐?^irn以上，所以不是滿足合格基準(zhǔn)的試料，機(jī)械加工性為不合格。在機(jī)械加工性為不合格的試料No.12、13中，因?yàn)門iC為25質(zhì)量％與TiC為30質(zhì)量％相比較少，所以相對(duì)于TiC晶粒的個(gè)數(shù)及A1203晶粒的個(gè)數(shù)的合計(jì)，TiC晶粒的個(gè)數(shù)相對(duì)較少。因此，可認(rèn)為TiC晶粒的個(gè)數(shù)的比率比55%變低，燒成時(shí)Al203晶粒發(fā)生了異常的晶粒生長(zhǎng)，切出加工時(shí)八1203晶粒發(fā)生脫粒。在機(jī)械加工性不合格的試料No.14中，因?yàn)門iC晶粒的個(gè)數(shù)的比率比75%高，所以可認(rèn)為在燒結(jié)工序Al203的燒結(jié)被阻礙，不能致密化，切割機(jī)的切出導(dǎo)致A1203晶粒從存在于試料的氣孔的外圍發(fā)生脫粒。(實(shí)施例2)在本實(shí)施例中，關(guān)于磁頭用基板，確認(rèn)了TiC晶粒的平均晶體粒徑與機(jī)械加工性之間的關(guān)系?；旧弦耘c實(shí)施例l相同的條件制作了磁頭用基板。但是，在本實(shí)施例中，使用在實(shí)施例1中使用的試料No.8(參照表l)的原料制作5種料漿，如表2所示，該5種料漿的粉碎時(shí)間不同。從這些料漿制作磁頭用基板(No.159)。通過將用掃描型電子顯微鏡(SEM)以倍率13，000倍拍攝的5Kimx8pm的范圍的圖像用圖像處理軟件(Image-ProPlus,NihonVisualScience株式會(huì)社制)進(jìn)行分析而求出磁頭用基板的TiC晶粒的平均晶體粒徑。平均晶體粒徑的測(cè)定結(jié)果表示在表2。磁頭用基板的機(jī)械加工性基本上與實(shí)施例1相同以切屑的最大值的方式進(jìn)行評(píng)價(jià)。但是，作為金剛石刀片雖然和實(shí)施例1使用同一規(guī)格的刀片，但金剛石刀片的進(jìn)給速度為140mm/分，比實(shí)施例1設(shè)定了更加嚴(yán)格的加工條件。關(guān)于切屑的最大值，選擇了截面的長(zhǎng)方形片材的長(zhǎng)度方向的尺寸為最大的值，表示在表2。(表2)_<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>如表2所示，與試料No.15、16的機(jī)械加工特性不能達(dá)到合格基準(zhǔn)為不合格相對(duì)，即使將試料No.1719的金剛石刀片的進(jìn)給速度設(shè)為140mm/分，使加工條件更加嚴(yán)格，切屑的最大值也為較小的5,，達(dá)到機(jī)械加工性的合格基準(zhǔn)。在試料No.1719中，TiC晶粒的平均晶體粒徑小于0.25(_im。因此可知，當(dāng)TiC晶粒的平均晶體粒徑小于0.25(xm，則機(jī)械加工性優(yōu)越。(實(shí)施例3)在本實(shí)施例中，關(guān)于磁頭用基板，確認(rèn)了抗彎強(qiáng)度和機(jī)械加工性的關(guān)系?；旧弦耘c實(shí)施例l相同的條件制作了磁頭用基板。但是，在本實(shí)施例中，使用在實(shí)施例1中使用的試料No.8(參照表l)的原料，加壓燒結(jié)成形體后，以表3所示的溫度進(jìn)行熱等靜壓燒結(jié)(HIP)l小時(shí)，制作了磁頭用基板(No.2022)。磁頭用基板的抗彎強(qiáng)度依據(jù)JISR1601-1995以三點(diǎn)彎曲強(qiáng)度進(jìn)行了測(cè)定。三點(diǎn)彎曲強(qiáng)度的測(cè)定結(jié)果如表3所示。磁頭用基板的機(jī)械加工性基本上與實(shí)施例1相同以切屑的最大值的形式進(jìn)行評(píng)價(jià)。但是，作為金剛石刀片使用和實(shí)施例1同一規(guī)格的刀片，但將金剛石刀片的進(jìn)給速度設(shè)為180mm/分，比實(shí)施例l、2設(shè)定了更加嚴(yán)格的加工條件。關(guān)于切屑的最大值，選擇截面的長(zhǎng)方形片材的長(zhǎng)度方向的尺寸中最大的值，表示在表3。(表3)<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>如表3所示，在試料No.21、22中，即使金剛石刀片的進(jìn)給速度為加工條件更加嚴(yán)格的180mm/分，但是由于三點(diǎn)彎曲強(qiáng)度為較高的800MPa，發(fā)生的切屑的最大值比No.20小，因而可知不容易脫粒。(實(shí)施例4)在本實(shí)施例中，關(guān)于磁頭，確認(rèn)了凹部(流道面)的算術(shù)平均高度(Ra)與磁頭的漂浮高度的偏差之間的關(guān)系。以與在實(shí)施例1中使用的試料(No.8灘同的條件，使用磁頭用基板制作磁頭。將磁頭用基板切斷成長(zhǎng)方形片材后實(shí)行鏡面加工，通過使用離子銑削裝置("AP-MIED型"，日本電子株式會(huì)社制)除去鏡面的一部分形成了凹部(流道面)。關(guān)于離子銑削加工法，設(shè)加速電壓為600V，使用氬離子以與表4所示不同的銑削速率進(jìn)行加工，一直加工到深度成為0.2|am為止，由此形成表面粗糙度不同的凹部。通過用金剛石刀片將微調(diào)后的長(zhǎng)方形片材切斷，形成磁頭(No.2325)。磁頭的滑塊是長(zhǎng)度為0.85mm、寬度為0.7mm、厚度為0.23mm的飛母托滑塊。凹部(流道面)的算術(shù)平均高度(Ra)通過用原子力顯微鏡，依據(jù)JISB0601-2001來測(cè)定。但是，設(shè)評(píng)價(jià)長(zhǎng)度為10|im。磁頭的懸浮高度(懸浮量)通過飛行高度測(cè)試儀(Flyingheighttester)測(cè)定。在基于該飛行高度測(cè)試儀的測(cè)定中，使沒有裝上磁記錄層的透明玻璃21基板旋轉(zhuǎn)且使磁頭在玻璃基板上懸浮。設(shè)玻璃基板的周向速度為12.44mm，每5秒測(cè)定1次，共計(jì)測(cè)定10次磁頭2的懸浮高度。關(guān)于磁頭的懸浮高度的測(cè)定結(jié)果，以10次測(cè)定的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差的形式示于表4。<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>如表4所示，在凹部(流道面)的算術(shù)平均高度(Ra)為15nm以下的試料No.23、24的磁頭中，可知懸浮高度(懸浮量)的平均值為較低的10nm以下，標(biāo)準(zhǔn)偏差也為較小的0.05nm，懸浮特性穩(wěn)定。(實(shí)施例5)在本實(shí)施例中，對(duì)于磁頭用基板，確認(rèn)了平均氣孔直徑及氣孔的面積占有率和機(jī)械加工性的關(guān)系?；旧弦耘c實(shí)施例l相同的條件制作了磁頭用基板。但是，在本實(shí)施例中，使用在實(shí)施例1中使用的試料No.9(參照表l)的原料，如表5所示制作7種料漿，該7種料槳的粉碎粒徑不同，從這些料漿制作了磁頭用基板(No.2632)。將燒結(jié)體的截面用，，截面拋光機(jī)(crossSectionPolisher)"(日本電子株式會(huì)社制)進(jìn)行鏡面加工后，根據(jù)使用掃描型電子顯微鏡而得到的SEM圖像進(jìn)行測(cè)定。SEM圖像是以15視場(chǎng)(12.6pmx8.8^im)選擇鏡面加工面的任意部位，并設(shè)倍率為10，OOO進(jìn)行拍攝。平均氣孔直徑為從得到的SEM圖像測(cè)定全氣孔的最大長(zhǎng)軸，算出其平均值而得到。平均氣孔直徑的測(cè)定結(jié)果如表5所示。在氣孔的面積占有率的測(cè)定中，首先用叫做"Jtrim"的自由軟件和叫做"畫像力4面積"(制作者:赤尾鐵平)的自由軟件從得到的SEM圖像求出氣孔的面積，算出15視場(chǎng)的氣孔的總面積。進(jìn)而，求出相對(duì)于15視場(chǎng)份的SEM圖像的總面積(12.6^imx8.8nmxl5)的氣孔的總面積的比率，演算出氣孔的面積占有率。氣孔的面積占有率的測(cè)定結(jié)果如表5所示。磁頭用基板的機(jī)械特性基本上與實(shí)施例1相同地以切屑的最大值的形式進(jìn)行評(píng)價(jià)。但是，金剛石刀片使用與實(shí)施例l相同規(guī)格的刀片，而與實(shí)施例2相同地設(shè)金剛石刀片的進(jìn)給速度為140mm/分，設(shè)定了比實(shí)施例1更加嚴(yán)格的加工條件。關(guān)于切屑的最大值，選擇了截面的長(zhǎng)方形片材的長(zhǎng)度方向的尺寸為最大的尺寸，表示于表5。(表5)<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>如表5所示，在平均氣孔直徑小于200nm的試料No.2832中，即使設(shè)定金剛石刀片的進(jìn)給速度為加工條件嚴(yán)格的140mm/分，切屑的最大值也為較小的6pm，為機(jī)械加工性優(yōu)越的部件。尤其在平均氣孔直徑小于100nm的試料No.31、32中，切屑的最大值為3|im以下，可知機(jī)械加工特性良好。在氣孔的面積占有率小于0.03n/。的試料No.2832中，切屑的最大值為較小的6pm，機(jī)械加工性優(yōu)越。尤其在氣孔的面積占有率小于0.02%的試料No.3132中，切屑的最大值為3jiim以下，可知機(jī)械加工性良好。從實(shí)施例15的結(jié)果可知，如果使用本發(fā)明的磁頭用基板，則在為了制作磁頭而切斷加工成長(zhǎng)方形片材時(shí)或加工凹部(流道面)時(shí)，能夠防止晶粒的脫粒，并抑制切屑。因此，確認(rèn)凹部(流道面)的平滑性能夠得到提高，也可使磁頭的漂浮高度變低，且使高度的偏差變小。如果使用本發(fā)明的磁頭制作本發(fā)明的記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)裝置，則磁頭的漂浮高度被抑制低，而且漂浮高度的偏差也穩(wěn)定，所以適宜成為記錄密度高的記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)裝置。權(quán)利要求1.一種磁頭用基板，該磁頭用基板包括氧化鋁在60質(zhì)量％以上且70質(zhì)量％以下的范圍、碳化鈦在30質(zhì)量％以上且40質(zhì)量％以下的范圍的燒結(jié)體，其特征在于，在所述燒結(jié)體的截面的任意10μm以上的直線上存在的所述碳化鈦晶粒的個(gè)數(shù)的比率相對(duì)于在所述直線上存在的所述碳化鈦晶粒的個(gè)數(shù)及所述氧化鋁晶粒的個(gè)數(shù)的合計(jì)為55％以上且75％以下。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭用基板，其特征在于，所述燒結(jié)體的所述碳化鈦晶粒的平均晶體粒徑小于0.25pm，0,除外。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭用基板，其特征在于，所述燒結(jié)體的氧化鋁的平均晶體粒徑(DA)與碳化鈦的平均晶體粒徑(DT)之比(DA/DT)為1以上且2以下。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭用基板，其特征在于，所述燒結(jié)體的晶粒的平均晶體粒徑為0.25pm以下，0,除外。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭用基板，其特征在于，所述燒結(jié)體的晶粒的最大晶體粒徑為lpm以下，Opm除外。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭用基板，其特征在于，所述燒結(jié)體的氣孔的平均氣孔直徑小于200nm。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁頭用基板，其特征在于，所述燒結(jié)體的氣孔的平均氣孔直徑小于100nm。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭用基板，其特征在于，所述燒結(jié)體的氣孔的面積占有率小于0.03%。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁頭用基板，其特征在于，所述燒結(jié)體的氣孔的面積占有率小于0.02%。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭用基板，其特征在于，所述燒結(jié)體的抗彎強(qiáng)度為800MPa以上。11.一種磁頭，該磁頭在將磁頭用基板分割成片狀而成的滑塊上形成了電磁轉(zhuǎn)換元件，其特征在于，所述磁頭用基板包括氧化鋁在60質(zhì)量％以上且70質(zhì)量％以下的范圍、碳化鈦為30質(zhì)量％以上且40質(zhì)量以下的范圍的燒結(jié)體，并且，在所述燒結(jié)體的截面的任意10pm以上的直線上存在的所述碳化鈦晶粒的個(gè)數(shù)的比率相對(duì)于在所述直線上存在的所述碳化鈦晶粒的個(gè)數(shù)及所述氧化鋁晶粒的個(gè)數(shù)的合計(jì)為55%以上且75%以下。12.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的磁頭，其特征在于，所述滑塊具有懸浮面和使空氣通過的流道面，所述流道面的算術(shù)平均高度(Ra)為15nm以下。13.—種記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)裝置，具有在將磁頭用基板分割成片狀而成的滑塊形成了電磁轉(zhuǎn)換元件的磁頭；具有通過所述磁頭進(jìn)行信息的記錄及再生的磁記錄層的記錄介質(zhì)；驅(qū)動(dòng)該記錄介質(zhì)的電動(dòng)機(jī)，其特征在于，所述磁頭包括氧化鋁為60質(zhì)量°/。以上且70質(zhì)量°/。以下的范圍、碳化鈦為30質(zhì)量％以上且40質(zhì)量以下的范圍的燒結(jié)體，并且，在所述燒結(jié)體的截面的任意的10pm以上的直線上存在的所述碳化鈦晶粒的個(gè)數(shù)的比率相對(duì)于在所述直線上存在的所述碳化鈦晶粒的個(gè)數(shù)及所述氧化鋁晶粒的個(gè)數(shù)的合計(jì)為55%以上且75%以下。全文摘要本發(fā)明提供一種磁頭用基板，該磁頭用基板包括Al₂O₃為60質(zhì)量％以上且70質(zhì)量％以下的范圍、TiC為30質(zhì)量％以上且40質(zhì)量％以下的范圍的燒結(jié)體。在磁頭用基板7、7’中，在燒結(jié)體的截面的任意10μm以上的直線上存在的TiC晶粒的個(gè)數(shù)的比率相對(duì)于在所述直線上存在的TiC晶粒的個(gè)數(shù)及Al₂O₃晶粒的個(gè)數(shù)的合計(jì)為55％以上且75％以下。本發(fā)明還提供一種能夠從所述磁頭用基板得到的磁頭及具有所述磁頭的記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)裝置。文檔編號(hào)G11B5/31GK101689374SQ200880021589公開日2010年3月31日申請(qǐng)日期2008年6月27日優(yōu)先權(quán)日2007年6月27日發(fā)明者中尾裕也,中澤秀司,堀內(nèi)伸起,源通拓哉,王雨叢申請(qǐng)人:京瓷株式會(huì)社