專利名稱：光學元件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及例如CD或DVD的光拾取用光學元件及其制造方法。
背景技術：
例如，在以下的專利文獻1中公開了在光拾取用光學元件的凸部(峰 部)表面以及凹部(谷部)表面上形成有反射防止結(jié)構(gòu)的發(fā)明。
以往，如專利文獻1的
欄中所述，在光學元件上形成介電膜從 而形成反射防止涂層，但在凹部底面尤其難于使上述介電膜形成規(guī)定膜厚， 在專利文獻1中，如專利文獻1的圖8所示，在凸部(峰部)的上表面以 及凹部(谷部)的底面涂敷抗蝕劑，利用例如電子束(EB)曝光，在上述 抗蝕劑上形成規(guī)定圖案，然后通過實施蝕刻，在上述凸部上表面以及凹部 底面上形成納米結(jié)構(gòu)的反射防止結(jié)構(gòu)(專利文獻1的
欄
欄)。
專利文獻1日本特開2006-185562公報
專利文獻2:日本特開2003-75602號公報
專利文獻3;日本特開2003-315521號公報
但是，為實現(xiàn)光拾取設備的小型化以及高分辨率化，需要有按照每個 波長具有良好對比度的衍射光柵，為了以特定波長得到高衍射效率，優(yōu)選 使衍射圖案中的上述凸部與凹部之間的階梯差變大。
但是，在現(xiàn)有的技術中，對于上述凸部與凹部之間的階梯差為超過lpm
的深槽結(jié)構(gòu)，不能夠在凸部上表面以及凹部底面的雙方上都適當?shù)匦纬煞?射防止結(jié)構(gòu)。而且，在上述專利文獻中沒有公開針對這樣的深槽結(jié)構(gòu)適當 地形成反射防止結(jié)構(gòu)的具體的制法。
另外，在利用鑄模制造具備上述深槽結(jié)構(gòu)的衍射圖案的成形品時，需 要使上述凸部上表面與上述凹部底面之間的側(cè)面形成為傾斜面，來提高分 型性，在上述專利文獻中沒有公開具備上述傾斜面的光學元件的優(yōu)選反射 防止結(jié)構(gòu)，另外，當然也沒有公開其制造方法。另外，在上述專利文獻中沒有公開對于曲率半徑小于10mm的透鏡而 言優(yōu)選的反射防止結(jié)構(gòu)，另外，當然也沒有公開其制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明用于解決上述現(xiàn)有的課題，其目的在于提供一種光學元 件及其制造方法，尤其對于1.5pm以上的深槽的衍射圖案，或者具備高度 為50pm以上且曲率半徑小于10mm的陡峭突出的曲面狀的凸部，能夠適 當?shù)靥岣叻瓷浞乐剐Ч?br> 本發(fā)明的光學元件，其特征在于，在表面形成有凹凸形狀的衍射圖案， 上述衍射圖案的凸部和凹部之間的階梯差為1.5pm以上，位于上述凸部的 上表面和上述凹部的底面之間的側(cè)面至少在接近上述底面的部分，具有上 述凸部的寬度尺寸朝向上述凹部的底面方向逐漸變寬的傾斜面，在上述凸 部的上表面、上述凹部的底面以及上述傾斜面的表面形成有微小凹凸形狀 的反射防止結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的光學元件中，由于至少在接近上述凹部底面的部分上設置 用于提高分型性的傾斜面，所以能夠高精度地形成1.5pm以上的深槽的衍 射圖案，并且還在凸部上表面、凹部底面以及上述傾斜面形成有上述反射 防止結(jié)構(gòu)，因此能夠進一步適當?shù)靥岣叻瓷浞乐剐Ч瑥亩軌蜻m當?shù)靥?高衍射光柵的性能。
或者，在本發(fā)明中，形成有表面突出為曲面狀的凸部，從上述凸部的 底部至上述凸部的頂點的高度為50拜以上，并且曲率半徑小于10mm，在
上述曲面狀的凸部表面形成有微小凹凸形狀的反射防止結(jié)構(gòu)。
在上述那樣的突出為曲面狀的凸部表面上也能夠適當?shù)匦纬煞瓷浞乐?br> 結(jié)構(gòu)，從而能夠適當?shù)靥岣叻瓷浞乐剐Ч?br> 在本發(fā)明中，在上述微小凹凸形狀中的微小凸部的間距為250nm以下
時，能夠更加適當?shù)靥岣叻瓷浞乐剐Ч?，是?yōu)選的。
本發(fā)明的光學元件的制造方法的特征在于具有以下工序，艮P，
(a) 在基板表面形成凹凸形狀的衍射圖案，此時使上述衍射圖案的凸 部和凹部之間的階梯差形成為1.5^m以上的工序；
(b) 從上述凸部的上表面至上述凹部的底面蒸鍍抗蝕劑(rasist)的工序；
(c) 沿著上述凸部的上表面至上述凹部的底面的階梯形狀，驅(qū)動進行
電子束曝光時的電子槍進行曝光，從而在上述抗蝕劑上形成微小凹凸形狀
的反射防止結(jié)構(gòu)的圖案的工序；
(d) 對沒有被上述抗蝕劑覆蓋的上述基板表面進行蝕刻，在上述凸部 的上表面以及上述凹部的底面形成上述反射防止結(jié)構(gòu)的工序；以及
(e) 除去上述抗蝕劑的工序。
通過上述(b)工序，能夠適當?shù)乩谜翦兛刮g劑覆蓋階梯差為1.5pm 以上的深槽結(jié)構(gòu)的凸部上表面至凹部底面，在(c)工序中，沿著階梯形狀 驅(qū)動進行電子束曝光時的電子槍進行曝光，由此能夠在凸部上表面以及凹 部底面的雙方上適當?shù)匦纬煞瓷浞乐菇Y(jié)構(gòu)的圖案，因此，能夠適當且容易 地在深槽結(jié)構(gòu)的凸部上表面以及凹部底面上形成反射防止結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明中，優(yōu)選上述(c)工序時，將對形成在上述凸部和上述凹部 之間的階梯部附近的上述抗蝕劑層進行曝光的曝光寬度設定為比對離開上 述階梯部附近的位置上的上述抗蝕劑層進行曝光的曝光寬度窄。
能夠利用曝光寬度校正由階梯部附近產(chǎn)生的電荷充電引起的過曝光狀 態(tài)，由此，即使在階梯部附近也能夠適當?shù)匦纬煞瓷浞乐菇Y(jié)構(gòu)。另外，例 如在專利文獻2和專利文獻3中公開了通過調(diào)整劑量(dose)而進行的曝 光方法，但在這樣的曝光方法中曝光時間長，與此相對，在如本發(fā)明那樣 調(diào)整曝光寬度的曝光方法中，與通過調(diào)整劑量而進行的曝光方法相比，能 夠縮短曝光時間，從而能夠使制造方法容易化。
另外，在本發(fā)明中，在上述(c)工序中，對在凸部上表面或凹部底面 的其中一個區(qū)域上形成的抗蝕劑進行電子束曝光，接著，對在另外一個區(qū) 域上形成的抗蝕劑進行電子束曝光，這樣能夠高效率地進行曝光，是優(yōu)選 的。
另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選在上述(a)工序時，使位于上述衍射圖案的 凸部上表面和凹部底面之間的側(cè)面形成為至少接近上述底面的部分為上述 凸部的寬度尺寸朝向上述凹部底面方向逐漸變寬的傾斜面，在上述(b)工 序中，從上述凸部的上表面至上述傾斜面的表面以及上述凹部的底面蒸鍍 抗蝕劑，在上述(d)工序中，在上述凸部的上表面、上述凹部的底面以及
7上述傾斜面的表面上形成上述反射防止結(jié)構(gòu)。
如上所述，在傾斜面上也能夠適當?shù)匦纬煞瓷浞乐菇Y(jié)構(gòu)，由此，能夠 適當且簡單地制造反射防止效果好的光學元件。這樣在本發(fā)明中，能夠在 上述傾斜面上形成反射防止結(jié)構(gòu)，因此與以往相比，從分型性的觀點出發(fā) 能夠易于自由地設定上述傾斜面的傾斜角度，從而能夠使制造方法容易化。
另外，在本發(fā)明中，也可以是將經(jīng)上述(a)工序至上述(e)工序形 成的基板作為母模，利用上述基板形成鑄模，利用上述鑄模，在光學元件 材料的表面上轉(zhuǎn)印上述衍射圖案以及上述反射防止結(jié)構(gòu)，從而制造光學元件。
另外，在本發(fā)明中，也可以是將經(jīng)上述(a)工序至上述(e)工序形 成的基板作為鑄模，利用上述鑄模，在光學元件材料的表面上轉(zhuǎn)印上述衍 射圖案以及上述反射防止結(jié)構(gòu)，從而制造光學元件。
在本發(fā)明中，如上所述，利用鑄模能夠適當且容易地制造為衍射圖案 的階梯差為1.5pm以上的深槽結(jié)構(gòu)而且在凸部上表面、凹部底面以及傾斜 面表面形成有反射防止結(jié)構(gòu)的光學元件。而且，由于鑄模的凸部上表面和 凹部底面之間的至少接近上述底面的部分形成為傾斜面，由此能夠利用鑄 模制造分型性良好的成形品。
另外，本發(fā)明的光學元件的制造方法的特征在于具有以下的工序。
(f) 在基板表面形成突出為曲面狀的凸部，此時形成為從上述凸部的 底部至上述凸部的頂點的高度為50|am以上且曲率半徑小于10mm的工序；
(g) 在上述曲面狀的凸部表面上蒸鍍抗蝕劑的工序；
(h) 沿著上述凸部表面的曲面形狀驅(qū)動進行電子束曝光時的電子槍進 行曝光，在上述抗蝕劑上形成微小凹凸形狀的反射防止結(jié)構(gòu)的圖案的工序;
(i) 對沒有被上述抗蝕劑覆蓋的上述凸部表面進行蝕刻，在上述凸部 表面形成上述反射防止結(jié)構(gòu)的工序；以及
(j)除去上述抗蝕劑的工序。 根據(jù)上述的(g)工序，能夠利用蒸鍍抗蝕劑適當?shù)馗采w曲面狀的凸部 表面，沿著曲面形狀驅(qū)動進行電子束曝光時的電子槍來進行(h)工序中的 曝光，由此，能夠在凸部的表面上適當?shù)匦纬煞瓷浞乐菇Y(jié)構(gòu)的圖案，因此 能夠在上述凸部表面適當且容易地形成反射防止結(jié)構(gòu)。另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選在上述(h)工序時，將對形成在上述凸部表 面的底部側(cè)的抗蝕劑進行曝光的曝光寬度設定為比對形成在上述凸部表面 的頂點側(cè)的抗蝕劑進行曝光的曝光寬度窄，來適當?shù)卦谏鲜鐾共勘砻嫘纬?反射防止結(jié)構(gòu)。
另外，在本發(fā)明中，也可以是將經(jīng)上述(f)工序至上述(j)工序形成 的基板作為母模，利用上述基板形成鑄模，利用上述鑄模，在光學元件材 料的表面上轉(zhuǎn)印曲面狀的凸部以及上述反射防止結(jié)構(gòu)，來制造光學元件。 由此，能夠利用鑄模適當且容易地制造從凸部的底部至上述凸部的頂點的
高度為50pm以上且曲率半徑小于10mm的、在上述凸部表面上形成有反 射防止結(jié)構(gòu)的光學元件。
另外，優(yōu)選上述反射防止結(jié)構(gòu)的微小凸部的間距形成為250nm以下。
發(fā)明效果
對于本發(fā)明的光學元件，由于在衍射圖案的凸部上表面和凹部底面之 間的至少接近上述底面的部分，設置有用于提高分型性的傾斜面，所以能 夠高精度地形成1.5pm以上的深槽的衍射圖案，并且，由于在凸部上表面、 凹部底面以及上述傾斜面上也能夠形成上述反射防止結(jié)構(gòu)，所以能夠更加 合適地提高反射防止效果，從而能夠適當?shù)靥岣咦鳛檠苌涔鈻诺男阅堋?br> 另外，在本發(fā)明的光學元件中，在高度為5(^m以上且曲率半徑小于 10mm的曲面狀的凸部表面上也能夠適當?shù)匦纬煞瓷浞乐菇Y(jié)構(gòu)，從而能夠 適當?shù)靥岣叻瓷浞乐剐Ч?br> 另外，根據(jù)本發(fā)明的光學元件的制造方法，由于具有利用蒸鍍抗蝕劑 覆蓋階梯差為1.5pm以上的深槽結(jié)構(gòu)的凸部上表面至凹部底面，或者覆蓋 高度為5(Him以上且曲率半徑小于10mm的曲面狀的凸部表面的工序，和 沿著階梯形狀驅(qū)動進行電子束曝光時的電子槍進行曝光的工序，所以能夠 在深槽結(jié)構(gòu)的凸部上表面以及凹部底面，或者上述曲面狀的凸部表面上適 當且容易地形成反射防止結(jié)構(gòu)。


圖1是從膜厚方向剖切本實施方式的光學元件(衍射光柵)而得到的 局部剖視圖。圖2是從膜厚方向剖切本實施方式的光學元件(透鏡)而得到的局部 剖視圖。
圖3是表示構(gòu)成圖1所示的衍射光柵的第一成形體的制造方法的一個
工序圖(局部剖視圖)。
圖4是圖3之后進行的一個工序圖(局部剖視圖)。 圖5是圖4之后進行的一個工序圖(局部剖視圖)。 圖6是在圖5所示的基板表面上形成的第二抗蝕劑層的各區(qū)域形成反
射防止結(jié)構(gòu)的圖案時，綜合考慮階梯差等而通過計算求出的曝光寬度(計
算值)的示意圖。
圖7是表示將經(jīng)圖3至圖5的工序而形成的基板作為母模，利用上述 基板形成鑄模的工序的剖視圖。
圖8是表示利用根據(jù)圖7形成的鑄模在光學元件材料的表面沖壓加工 衍射圖案以及反射防止結(jié)構(gòu)時的工序的剖視圖。
圖9是表示圖2所示的透鏡的制造方法的一個工序圖(局部剖視圖)。
圖10是圖9之后進行的一個工序圖(局部剖視圖)。
圖11是圖IO之后進行的一個工序圖(局部剖視圖)。
圖12是表示在階梯部附近也適當?shù)匦纬捎蟹瓷浞乐菇Y(jié)構(gòu)的情況的基于 FIB (聚焦離子束)的剖面圖像(實施例)。
圖13是表示在階梯部附近沒有形成反射防止結(jié)構(gòu)的情況的基于FIB (聚焦離子束)的剖面圖像(比較例)。
附圖標記說明
1衍射光柵
2第一成形體
5衍射圖案
6、 16、 22凸部
6a (凸部的)上表面
7、 23凹部
7a (凹部的)底面
8、 17反射防止結(jié)構(gòu)
9、 18微小凸部10、 24傾斜面 12、 26垂直面 15透鏡 16a底部 16b頂點 20基板
21第一抗蝕劑層 25第二抗蝕劑層 30電子槍 31、 32曝光區(qū)域 40鑄模
50光學元件材料 51抗蝕劑層 Hl、 H3階梯差
具體實施例方式
圖1是從膜厚方向剖切本實施方式的光學元件(衍射光柵)而得到的 局部剖視圖。
圖1所示的衍射光柵1具備第一成形體2、支撐體3和第二成形體4。 第一成形體2緊固在上述支撐體3的一個面3a上，第二成形體4緊固在上 述支撐體2的另一個面3b上。
上述第一成形體2、支撐體3以及第二成形體4分別由樹脂或玻璃等形成。
如圖1所示，在上述第一成形體2的表面，形成有凹凸形狀的衍射圖 案5。
上述衍射圖案5的凸部6與凹部7之間的階梯差Hl為1.5pm以上。 另外，上述凸部6之間的最小間隔T1為5 20pm左右。
另外，如圖1所示，在上述凸部6的上表面6a以及上述凹部7的底面 7a分別形成有微小的凹凸形狀的反射防止結(jié)構(gòu)8。在此，上述衍射圖案5 的凸部6與凹部7之間的階梯差Hl例如通過形成在上述凸部6的上表面
ii6a上的上述反射防止結(jié)構(gòu)8的微小凸部9的頂點與形成在上述凹部7的底 面7a上的上述反射防止結(jié)構(gòu)8的微小凸部9的頂點之間的高度尺寸來規(guī)定。
如圖1所示，位于上述凸部6的上表面6a與上述凹部7的底面7a之 間的側(cè)面具有從上述凸部6的上表面6a的兩側(cè)朝向下方向(凹部7的底 面7a方向)形成的垂直面12;以及形成在上述垂直面12的下端部與上述 凹部7的底面7a之間(上述側(cè)面的底部)的傾斜面IO。上述寬度尺寸T2 的最小值，即上述凸部6的上表面6a處的寬度尺寸為5 20pm左右。從 上述凹部7的底面7a朝向上方至與上述垂直面12的下端部接觸的位置， 以高度尺寸H4形成上述傾斜面10。上述高度尺寸H4為0.1 0.5pm。
在上述傾斜面10的相對于膜厚方向(相對于支撐體3表面的垂直方向) 的傾角ei如圖所示僅形成在底邊部的情況下，能夠?qū)⒃搩A角設定為1 45° 的較寬范圍。傾斜面10也可以形成在從凸部的上表面至凹部的底面的整個
范圍上，此時的ei優(yōu)選在i io。的范圍內(nèi)。
上述傾斜面10是為了例如在利用鑄模將衍射圖案5以及反射防止結(jié)構(gòu) 8轉(zhuǎn)印在第一成形體2的表面之后容易從鑄模拔出上述第一成形體2而設置 的。例如，如果在上述凹部7的接近底面7a的部分上沒有形成傾斜面10， 而上述整個側(cè)面為垂直面12時，則分型性惡化，因此不能高精度形成1.5pm 以上的深槽的衍射圖案5，而僅能夠形成小于1.5拜的淺槽的衍射圖案。 相對于此，在本實施方式中，通過設置傾斜面10提高分型性，由此高精度 地形成1.5(im以上的深槽的衍射圖案5。
上述傾斜面10的從圖1所示的膜厚方向觀察的剖面形狀呈現(xiàn)直線狀或 曲面狀。
如圖1所示，在上述傾斜面10也形成有微小的凹凸形狀的反射防止結(jié) 構(gòu)8。
在如圖1所示的實施方式中，上述反射防止結(jié)構(gòu)8形成在凸部6的上 表面6a、凹部7的底面7a以及傾斜面10的表面上。此外，上述反射防止 結(jié)構(gòu)8不形成在上述垂直面12上。在此，上述反射防止結(jié)構(gòu)8除了形成在 凸部6的上表面6a、凹部7的底面7a以及傾斜面10的表面的整個面上之 外，還可以形成在各面的一部分上。
另外，上述反射防止結(jié)構(gòu)8可以是上述微小凸部9隔開間距T3在垂直于紙面方向上較長地延伸而成為波狀的結(jié)構(gòu)，或者可以是上述微小凸部9 以大量的點狀形成的結(jié)構(gòu)。上述微小凸部9的從圖1所示的膜厚方向觀察 的剖面形狀可以是矩形、梯形、半圓形等，但由于前端尖的三角形能夠提 高反射防止效果所以優(yōu)選。
上述反射防止結(jié)構(gòu)8的微小凸部9的間距T3 (微小凸部9的頂點間距 離)設定在250nm以下。此外，優(yōu)選上述間距T3在50nm以上250nm以 下。由此能夠提高反射防止效果。
在圖1所示的實施方式中，在上述第二成形體4的表面也形成有反射 防止結(jié)構(gòu)8。
在圖l所示的衍射光柵l中，在凸部6的上表面6a和凹部7的底面7a 之間設置有用于提高分型性的傾斜面10，因此，能夠高精度地形成1.5pm 以上的深槽的衍射圖案5，并且，不僅在凸部6的上表面6a以及凹部7的 底面7a還在上述傾斜面10上形成微小凸部9的間距T3為250nm以下的 反射防止結(jié)構(gòu)8，因此能夠進一步適當?shù)靥岣叻瓷浞乐剐Ч?，從而能夠適當 地提高衍射光柵的性能。
在圖1所示的衍射光柵1中，能夠利用特定波長得到高衍射效率，由 此，例如在光拾取的設備上搭載上述衍射光柵1時，能夠?qū)崿F(xiàn)上述設備小 型化以及高分辨率化。
圖1所示的衍射光柵1可以由第一成形體2構(gòu)成，或者可以由第一成 形體2和支撐體3構(gòu)成，或者可以由第一成形體2和第二成形體4構(gòu)成。
另外，上述傾斜面10可以形成在上述凸部6的上表面6a和凹部7的 底面7a之間的整個側(cè)面上，但如圖1所示，僅在接近上述底面7a的部分 上形成上述傾斜面IO方式能夠適當?shù)鼐S持衍射光柵1的性能從而優(yōu)選。
圖2是從膜厚方向剖切本實施方式的光學元件(透鏡)而得到的局部 剖視圖。
圖2所示的透鏡15例如由Si (硅)形成。如圖2所示，在上述透鏡 15的表面15a形成有突出為曲面狀的凸部16。從上述凸部16的底部16a 至上述凸部16的頂點16b的高度尺寸H2形成為50pm以上。另外，上述 凸部16的曲率半徑小于10mm。
如圖2所示，在上述凸部16的表面形成有微小的凹凸形狀的反射防止結(jié)構(gòu)17。在此，上述凸部16的高度尺寸H2通過形成在上述凸部16的最 高位置上的構(gòu)成上述反射防止結(jié)構(gòu)17的微小凸部18的頂點至上述底部16a (上述凸部16的寬度尺寸最寬的位置的端部)為止的高度尺寸來規(guī)定。
另外，在圖2所示的實施方式中，上述微小凸部18的間距T3與圖1 相同，形成為250nm以下，優(yōu)選在50nm以上250nm以下。
在圖2所示的實施方式中，在上述透鏡15的背面15b，在膜厚方向與 上述凸部16相對置的位置上也形成有反射防止結(jié)構(gòu)19。
在圖2所示的方式中，在突出成曲面狀的凸部16的表面上也能夠適當 地形成反射防止結(jié)構(gòu)17，從而能夠可靠地提高反射防止效果。
說明構(gòu)成圖1的衍射光柵1的第一成形體2的制造方法。圖3至圖5 是與圖1同樣從膜厚方向剖切第一成形體2的制造過程中的形態(tài)進行表示 的剖視圖。
圖3所示的附圖標記20是例如由Si形成的基板。如圖3所示，通過 旋涂法(spin coat)在上述基板20的整個表面20a上涂敷第一抗蝕劑層21 。 然后，對上述第一抗蝕劑層21進行曝光顯影，從而上述第一抗蝕劑層21 作為衍射圖案形狀留下。
上述第一抗蝕劑層21的兩側(cè)側(cè)面21a為垂直面。接著，通過例如反應 離子蝕刻(RIE)切削沒被上述第一抗蝕劑層21覆蓋的基板20的部分。沿 著圖3所示的虛線部分切削基板20。
由此，在上述基板20的表面20a上，形成凸部22和凹部23交替反復 而成的衍射圖案。
在圖3所示的工序中，以使上述凸部22和上述凹部23之間的階梯差 H3為1.5pm以上的方式蝕刻基板20。
此時，在位于上述凸部22的上表面和凹部23的底面之間的側(cè)面上， 在接近上述凹部23的底面的部分上，形成上述凸部22的寬度尺寸朝向上 述凹部23的底面方向逐漸變寬的傾斜面24。另外，從上述凸部22的上表 面至上述傾斜面23的上端部為止的上述側(cè)面形成為垂直面26。
例如，在通過RIE將上述凸部22和上述凹部23之間的階梯差形成為 lpm以上之后，在60'C的20%KOH水溶液中浸漬一分鐘，蝕刻約0.5jim 左右，此時，在與上述凹部23底面接近的Si基板的[lll]面突出的部位，能夠形成傾斜面24。另外，由于上述凸部22和上述凹部23之間的階梯差 H3為1.5|am以上的深槽，所以在例如干刻中，上述凸部22的上表面和凹 部23的底面之間的側(cè)面成為陰影(陰影效應)，由此接近上述凹部23底 面的部分變得難于切削，從而接近上述凹部23底面的部分形成為傾斜面 24。
上述傾斜面24能夠設定為相對于基板20的膜厚方向(相對于基板20 的表面20a的垂直方向)在1 45。的較寬范圍。隨著在側(cè)面上傾斜面24的 起始點越高(作為凹部越淺)該角度越小，在以整個側(cè)面為傾斜面時，優(yōu)
選傾斜角度ei形成為1 10°。
接著，在除去上述第一抗蝕劑層21后，在圖4所示的工序中，在上述 凸部22的上表面22a、凹部23的底面23a、垂直面26以及傾斜面24的表 面上，蒸鍍聚苯乙烯、a-甲基苯乙烯、杯芳烴(calixarene)、固醇(sterol) 類等芳香族的低分子量高分子材料，來形成第二抗蝕劑層25。在本實施方 式中，上述第二抗蝕劑層25例如為負性。
由于這樣通過蒸鍍形成上述第二抗蝕劑層25，所以即使凸部22和凹部 23之間的階梯差H3是1.5pm以上的深槽結(jié)構(gòu)，也能夠通過上述第二抗蝕 劑層25適當?shù)馗采w凸部22的上表面22a、垂直面26的表面、傾斜面24 的表面以及凹部23的底面23a的整體。上述第二抗蝕劑層25的平均膜厚 為0.05 0.2pm左右。此外，形成在上述垂直面26的表面上的上述第二抗 蝕劑層25的膜厚也比其他部位薄。另外，第二抗蝕劑層25可以不形成在 上述垂直面26的表面。
接著，利用電子束曝光裝置，在上述第二抗蝕劑層25形成微小的凹凸 形狀的反射防止結(jié)構(gòu)的圖案。
如圖5所示，在將上述電子束曝光裝置的電子槍30在基板20的表面 的上方進行驅(qū)動而對上述第二抗蝕劑層25進行曝光時，上述電子槍30的 高度由Z軸臺架進行調(diào)整，為了與凸部22的上表面22a至凹部23的底面 23a的階梯形狀相對應地驅(qū)動上述電子槍30，沿著圖5的(1) (9)的 各空間區(qū)域中的軌跡A驅(qū)動上述電子槍30。此外，(1) (9)的各空間 區(qū)域中的電子槍30的驅(qū)動順序可以是(1) (9)的順序，也可以不同于 該順序。優(yōu)選后述的驅(qū)動順序。
15在圖5所示的(1)、 (5)、 (9)的各區(qū)域中都是電子槍30位于凹 部23的底面23a的上方，在(2) 、 (4) 、 (6) 、 (8)的各區(qū)域中都是 電子槍30位于傾斜面24的上方，在(3) 、 (7)的各區(qū)域中都是電子槍 30位于凸部22的上表面22a的上方，在各區(qū)域中，電子槍30與基板20 的表面之間的距離大致保持一定。
在本實施方式中，將從形成在上述凹部23的底面23a的階梯部附近至 傾斜面24以及凸部22的上表面22a的階梯部附近的第二抗蝕劑層25的曝 光寬度設定為比形成在上述凹部23的底面23a的中央部或上述凸部22的 上表面22a的中央部上的第二抗蝕劑層25的曝光寬度窄。
圖6是通過電子束曝光裝置曝光在圖5所示的基板20表面上形成的第 二抗蝕劑層25的各區(qū)域時，綜合考慮階梯差等通過計算求出的曝光寬度(計 算值)。在此，值得注意的是，上述曝光寬度(計算值)并不是表示實際 對凹部23、傾斜面24以及凸部22的各面上的第二抗蝕劑層25進行曝光時 的寬度。上述曝光寬度(計算值)被設定在電子束曝光裝置中，根據(jù)該曝 光寬度(計算值)通過電子槍30對第二抗蝕劑層25進行曝光，但如后述 那樣，在階梯部附近會成為過曝光狀態(tài)，因此實際上，在階梯部附近的曝 光寬度大于計算值。以下的曝光區(qū)域31、 32的寬度尺寸T6、 T7都是上述 的計算值。
如圖6所示，將對位于上述凹部23的底面23a的階梯部附近的側(cè)部上 的第二抗蝕劑層25進行曝光的曝光區(qū)域31的寬度尺寸T6設定為比對上述 凹部23的底面23a的中央部上的第二抗蝕劑層25進行曝光的曝光區(qū)域32 的寬度尺寸T7窄。
同樣，將對位于上述凸部22的上表面22a的階梯部附近的側(cè)部上的第 二抗蝕劑層25進行曝光的曝光區(qū)域31的寬度尺寸T6設定為比對上述凸部 22的上表面22a的中央部上的第二抗蝕劑層25進行曝光的曝光區(qū)域32的 寬度尺寸T7窄。
將對上述傾斜面24上的抗蝕劑層25進行曝光的曝光區(qū)域31設定為與 上述凸部22以及凹部23的側(cè)部上的曝光區(qū)域31 —樣窄。
曝光區(qū)域31、 32的寬度尺寸T6、 T7能夠根據(jù)通過曝光區(qū)域31、 32 內(nèi)的電子槍30的曝光掃描次數(shù)自由地進行設定。上述電子槍30的電子束直徑為曝光區(qū)域31的寬度尺寸T6以下，還小于曝光區(qū)域32的寬度尺寸 T7。在沿圖示Y方向驅(qū)動電子槍30按照上述電子束直徑進行曝光之后， 向圖示X方向微小地使電子槍30進給，再次沿圖示Y方向進行驅(qū)動，按 照上述電子束直徑進行曝光。通過這樣反復，在寬度方向上曝光區(qū)域擴大。 例如，在將形成寬的寬度尺寸T7的曝光區(qū)域32時的電子槍30的曝光掃描 次數(shù)設為3次的情況下，為了形成窄的寬度尺寸T6的曝光區(qū)域31，使電 子槍30的曝光掃描次數(shù)為2次。
例如，在將寬的曝光區(qū)域32的寬度尺寸T7設為1時，以0.5 0.7的 比例設定窄的曝光區(qū)域31的寬度尺寸T6。
階梯部附近因電荷充電(electric charge)而成為過曝光狀態(tài)，因此， 實際對第二抗蝕劑層25進行曝光的曝光區(qū)域31的寬度尺寸寬于T6。但是， 在本實施方式中，由于預先較窄地設定電子槍30的曝光區(qū)域31的寬度尺 寸T6，所以即使寬度尺寸T6變寬而對第二抗蝕劑層25進行曝光，也能夠 對凹部23的底面23a的側(cè)部、傾斜面24的表面以及凸部22的上表面22a 的側(cè)部上的過曝光狀態(tài)進行校正，從而能夠在凹部23的底面23a的側(cè)部、 傾斜面24的表面以及凹部22的上表面22a的側(cè)部適當?shù)匦纬煞瓷浞乐菇Y(jié) 構(gòu)的圖案。
另外，在利用劑量進行調(diào)整的曝光方法中程序非常復雜，對第二抗蝕 劑層25進行曝光的曝光時間非常長，相反，在本實施方式中，例如如上所 述，僅通過改變對曝光區(qū)域31、 32進行曝光的電子槍30的曝光掃描次數(shù) 就能夠簡單地將曝光寬度調(diào)整為規(guī)定寬度，從而能夠縮短曝光時間。
另外，由于通過蒸鍍抗蝕劑形成的第二抗蝕劑層25的曝光靈敏度低， 所以可以預先向整個第二抗蝕劑層25較弱地照射電子射線，使上述第二抗 蝕劑層25的電子射線交聯(lián)進行某個程度，然后真正地形成圖6所示的曝光 區(qū)域31、 32。由此，能夠降低圖6所示的曝光時的電子槍30的照射量，從 而能夠縮短曝光時間。
另外，例如，使電子槍30在圖5的(3) 、 (7)的區(qū)域中移動，對形 成在凸部22的上表面22a上的第二抗蝕劑層25進行曝光，然后，使電子 槍30在圖5的(1) 、 (5) 、 (9)的區(qū)域中進行移動，對形成在凹部23 的底面23a上的第二抗蝕劑層25進行曝光，然后，使電子槍30在圖5的(2) 、 (6)的區(qū)域中移動，對形成在傾斜方向相同的傾斜面24上的第二抗蝕劑層25進行曝光，最后，使電子槍30在圖5的(4) 、 (8)的區(qū)域移動，對形成在傾斜方向相同的傾斜面24上的第二抗蝕劑層25進行曝光。
通過這樣對形成在高度相同的面或傾斜方向相同的面上的每個第二抗蝕劑層25分別進行曝光，能夠使電子槍30在Z軸方向的驅(qū)動減少，從而能夠高效地進行曝光，能夠縮短曝光時間，并且能夠高精度地進行曝光。
或者，如圖6所示，在將曝光寬度(計算值)設定為不同值的情況下，可以按照設定成相同曝光寬度的區(qū)域進行曝光。
在對第二抗蝕劑層25曝光后，通過進行顯影除去圖5的虛線部分的第二抗蝕劑層25，從而上述第二抗蝕劑層25作為反射防止結(jié)構(gòu)的圖案形狀留下。此外，在本實施方式中，調(diào)整反射防止結(jié)構(gòu)的圖案之間的間隔，使反射防止結(jié)構(gòu)的微小凸部之間的間距為250nm以下。
此外，如上所述，在本實施方式中，第二抗蝕劑層25為負性，因此通過曝光顯影，被曝光的位置作為圖案殘留下，而沒有被曝光的位置被除去。
接著，例如，通過反應離子蝕刻(RIE)切削沒有被上述第二抗蝕劑層25覆蓋的基板20表面。由此，能夠在上述凸部22的上表面22a、凹部23的底面23a以及傾斜面24的表面形成與圖1相同的微小的凹凸形狀的反射防止結(jié)構(gòu)8。另外，此時，能夠使上述反射防止結(jié)構(gòu)8的微小凸部之間的間距T3成為250nm以下。然后，除去上述第二抗蝕劑層25。此外，在上述垂直面26的表面沒有被上述第二抗蝕劑層25覆蓋時，上述垂直面26也有可能受到上述反應離子蝕刻的影響，但原本僅是略微進行用于形成反射防止結(jié)構(gòu)的反應離子蝕刻，而且是各向異性蝕刻，因此，與其他部位相比，蝕刻的影響非常小，對上述垂直面26的削除量很小。
以上，在本實施方式中，通過圖4所示的蒸鍍抗蝕劑，能夠?qū)⒌诙刮g劑層25適當?shù)馗采w在1.5拜以上的深槽結(jié)構(gòu)的凸部22的上表面22a至凹部23的底面23a以及傾斜面24上，進一步，沿著階梯形狀驅(qū)動電子束曝光時的電子槍30，進行圖5的工序中的曝光，從而適當且容易地在深槽結(jié)構(gòu)的凸部22的上表面22a、傾斜面24的表面以及凹部23的底面23a形成反射防止結(jié)構(gòu)。
尤其，在本實施方式中，如圖6說明的那樣，通過預先較窄地設定對階梯部附近進行曝光的曝光區(qū)域31，能夠適當?shù)馗淖円蛟陔A梯部附近產(chǎn)生的電荷充電而形成的過曝光狀態(tài)，由此，即使在階梯部附近也能夠適當?shù)匦纬煞瓷浞乐菇Y(jié)構(gòu)。
另外，在如圖6那樣調(diào)整曝光寬度(計算值)時，例如可以將曝光寬度(計算值)設定為從凸部22側(cè)向凹部23側(cè)逐漸變窄。另外，在使上述反射防止結(jié)構(gòu)8的微小凸部9為點狀時，可以將階梯部附近的曝光直徑(=曝光寬度)設定為小于離開上述階梯部附近的區(qū)域中的曝光直徑。
可以將經(jīng)圖3至圖6所示的工序形成的基板20原樣作為圖1所示的第一成形體2，或者，將上述基板20作為母模，如圖7所示，例如利用Ni電鑄或SiC形成在表面上形成有衍射圖案以及反射防止結(jié)構(gòu)的鑄模40。在從鑄模40除去上述基板20后，如圖8所示，使鑄模40沖壓軟化狀態(tài)的玻璃或熱可塑性樹脂等光學元件材料50的表面，從而轉(zhuǎn)印衍射圖案以及反射防止結(jié)構(gòu)。然后使溫度下降，上述光學元件材料50硬化之后，從上述鑄模40取開上述光學元件材料50。由此，能夠形成圖l所示的第一成形體2。
在從鑄模40分離出在上述光學元件材料50的表面轉(zhuǎn)印衍射圖案以及反射防止結(jié)構(gòu)而成的第一成形體2時，與圖l所示的方式相同，在衍射圖案5的凸部6的上表面6a和凹部7的底面7a之間的側(cè)面中接近上述底面7a的部分，形成傾斜面IO，由此易于分型。
使上述傾斜面10的傾斜角度ei變緩就能夠提高分型性，但以往，對于衍射圖案的階梯差為1.5^以上的深槽結(jié)構(gòu)，沒有能夠在接近上述底面7a的部分形成的傾斜面10上形成反射防止結(jié)構(gòu)的例子，因此，若使上述傾斜面10的傾斜角度ei變緩，則存在由上述傾斜面10沒有形成反射防止結(jié)構(gòu)而引起的反射防止效果惡化的問題。因此，以往，不能夠使上述傾斜面
io的傾斜角度ei變緩，這樣分型性就會變差，從而不能夠成為將衍射圖案
的階梯差形成1.5^m以上的深槽結(jié)構(gòu)，因此，以往，沒有在衍射圖案的階梯差為1.5拜以上的深槽結(jié)構(gòu)中，在凸部22的上表面22a、凹部23的底面23a以及傾斜面24的表面形成有反射防止結(jié)構(gòu)的光學元件。
對此，在本實施方式中，在衍射圖案為1.5|Am以上的深槽結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)中，還能夠在接近上述底面7a的部分上形成的傾斜面10上也形成反射防止結(jié)構(gòu)8，因此能夠使上述傾斜面10的傾斜角度01在1 45。的范圍內(nèi)變緩并，由此能夠提高分型性，并且能夠制造反射防止效果好的衍射光柵。
此外，可以將通過圖3至圖6的工序形成的基板20作為鑄模，與圖8所示的工序相同，通過沖壓加工，在光學元件材料50的表面轉(zhuǎn)印衍射圖案以及反射防止結(jié)構(gòu)，從而制造衍射光柵。
此外，在圖3至圖6所示的衍射光柵的制造方法中，還能夠使位于圖1所示的凸部6的上表面6a和凹部7的底面7a之間的整個側(cè)面形成為垂直面。另一方面，還能夠使上述整個側(cè)面形成為傾斜面，但為了得到高性能的衍射光柵1，優(yōu)選使接近上述傾斜面的凸部6的上表面6a的一側(cè)形成為垂直面，使接近上述凹部23的底面23a的一側(cè)形成為傾斜面。
圖2所示的透鏡15根據(jù)圖3至圖6所示的衍射光柵的制造方法制造的。圖9至圖11是表示與圖2相同地從膜厚方向剖切制造工序中的透鏡的形態(tài)的剖視圖。
首先，準備圖9所示的形狀的透鏡15。上述透鏡15由例如Si (硅)形成。
如圖9所示，在上述透鏡15的表面15a上形成有突出為曲面狀的凸部16。從上述凸部16的底部16a至上述凸部16的頂點16b的高度尺寸H2形成為50pm以上。另外，上述凸部16的曲率半徑小于10mm。
接著，在圖IO所示的工序中，與圖4的工序相同，通過蒸鍍，在上述透鏡15的表面15a形成抗蝕劑層51。由此，能夠使從上述凸部16的表面向其兩側(cè)擴展的整個平面適當?shù)馗街刮g劑層51。
接著，在圖ll所示的工序中，與圖5的工序相同，利用電子束曝光裝置在上述抗蝕劑層51描繪反射防止結(jié)構(gòu)的圖案。
此時，在透鏡表面15a的上方驅(qū)動上述電子束曝光裝置的電子槍對上述抗蝕劑層51進行曝光時， 一邊通過Z軸臺架調(diào)整上述電子槍的高度，一邊沿著凸部16的曲面形狀驅(qū)動上述電子槍。
另外，在電子束曝光時，將形成在上述底部16a附近的抗蝕劑層51的曝光寬度設定為小于形成在上述凸部16表面的頂點16b附近的抗蝕劑層51的曝光寬度，由此能夠?qū)σ蛏鲜龅撞?6a附近的電荷充電所引起的過曝光狀態(tài)進行校正，從而能夠跨及上述凸部16的頂點16b至底部16a適當?shù)匦纬煞瓷浞乐菇Y(jié)構(gòu)。
20在電子束曝光后，通過顯影工序，利用留下的抗蝕劑層51，如圖11所示，在凸部16的表面形成反射防止結(jié)構(gòu)的圖案，利用例如反應離子蝕刻(RIE)切削沒有被上述抗蝕劑層51覆蓋的上述凸部16的表面，由此，如圖2所示，在上述凸部16的表面形成由微小的凹凸形狀形成的、微小凸部18的間距T3為250nm以下的反射防止結(jié)構(gòu)17。
并且，在除去上述抗蝕劑層51時，完成了在圖2所示的凸部16表面形成有反射防止結(jié)構(gòu)17的透鏡15。
如上所述，可以基于圖9至圖ll所示的工序，形成作為最終產(chǎn)品的透鏡15,或者可以通過圖9至圖11所示的工序，首先形成與圖2形狀相同的母模，然后與圖7所說明的一樣，利用上述母模形成鑄模，然后與圖8所說明的一樣，使上述鑄模沖壓軟化狀態(tài)的玻璃或熱可塑性樹脂等光學元件材料50的表面，來轉(zhuǎn)印衍射圖案以及反射防止結(jié)構(gòu)，形成上述透鏡15。
另外，基于圖9至圖11，可以首先在形成母模時，通過機械加工等使例如Cu基板形成圖9的形態(tài)，接著，在上述基板的表面形成例如Si膜，再通過圖10 圖11的工序在上述Si膜上形成反射防止結(jié)構(gòu)。
實施例
圖12是在將對蒸鍍抗蝕劑進行曝光的曝光寬度(計算值)設定為在階梯部附近較窄的情況下，在衍射圖案的階梯差形成為1.5pm的Si基板的凸部上表面以及凹部底面形成的反射防止結(jié)構(gòu)的基于FIB (聚焦離子束)的剖面圖像。在將中央部的曝光寬度(計算值)設為1時，以0.5的比例形成階梯部附近的曝光寬度(計算值)。
如圖12所示，可知還能夠在凸部的上表面以及凹部的底面的階梯部附近也適當?shù)匦纬晌⑿“纪剐螤畹姆瓷浞乐菇Y(jié)構(gòu)。
圖13是在不管是不是階梯部附近都將對蒸鍍抗蝕劑進行曝光的曝光寬度(計算值)設定為一定的情況下，在衍射圖案的階梯差形成為1.5pm的Si基板的凸部上表面以及凹部底面形成的反射防止結(jié)構(gòu)的基于FIB (聚焦離子束)的剖面圖像。如圖13的圓圈所包圍的部分所示，可知在凹部底面的階梯部附近不形 成反射防止結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種光學元件，在表面形成有凹凸形狀的衍射圖案，上述衍射圖案的凸部和凹部之間的階梯差為1.5μm以上，其特征在于，位于上述凸部的上表面和上述凹部的底面之間的側(cè)面至少在接近上述底面的部分，具有上述凸部的寬度尺寸朝向上述凹部的底面方向逐漸變寬的傾斜面，在上述凸部的上表面、上述凹部的底面以及上述傾斜面的表面上形成有微小凹凸形狀的反射防止結(jié)構(gòu)。
2. —種光學元件，其特征在于，形成有表面突出為曲面狀的凸部，從上述凸部的底部至上述凸部的頂 點的高度為50,以上，并且曲率半徑小于10mm，在上述曲面狀的凸部表 面上形成有微小凹凸形狀的反射防止結(jié)構(gòu)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學元件，其特征在于， 上述微小凹凸形狀中的微小凸部的間距為250nm以下。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學元件，其特征在于， 上述微小凹凸形狀中的微小凸部的間距為250nm以下。
5. —種光學元件的制造方法，其特征在于，包括(a) 在基板表面形成凹凸形狀的衍射圖案，此時使上述衍射圖案的凸 部和凹部之間的階梯差形成為1.5pm以上的工序；(b) 在上述凸部的上表面至上述凹部的底面上蒸鍍抗蝕劑的工序；(c) 沿著上述凸部的上表面至上述凹部的底面的階梯形狀驅(qū)動進行電 子束曝光時的電子槍進行曝光，從而在上述抗蝕劑上形成微小凹凸形狀的 反射防止結(jié)構(gòu)的圖案的工序；(d) 對沒有被上述抗蝕劑覆蓋的上述基板表面進行蝕刻，在上述凸部 的上表面以及上述凹部的底面上形成上述反射防止結(jié)構(gòu)的工序；以及(e) 除去上述抗蝕劑的工序。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 在上述(c)工序時，將對形成在上述凸部和上述凹部之間的階梯部附近的上述抗蝕劑層進行曝光的曝光寬度設定為比對離開上述階梯部附近的位置上的上述抗蝕劑層進行曝光的曝光寬度窄。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 在上述(c)工序中，對在凸部上表面或凹部底面的其中一個區(qū)域中形成的抗蝕劑先進行電子束曝光，接著對在另一個區(qū)域中形成的抗蝕劑進行 電子束曝光。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 在上述(a)工序時，位于上述衍射圖案的凸部上表面和凹部底面之間的側(cè)面形成為，至少在接近上述底面的部分成為上述凸部的寬度尺寸朝向 上述凹部底面方向逐漸變寬的傾斜面，在上述(b)工序中，在上述凸部的上表面至上述傾斜面的表面以及上 述凹部的底面上蒸鍍抗蝕劑，在上述(d)工序中，在上述凸部的上表面、上述凹部的底面以及上述 傾斜面的表面上形成上述反射防止結(jié)構(gòu)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 將經(jīng)上述(a)工序至上述(e)工序形成的基板作為母模，利用上述基板形成鑄模，利用上述鑄模在光學元件材料的表面上轉(zhuǎn)印上述衍射圖案 以及上述反射防止結(jié)構(gòu)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 將經(jīng)上述(a)工序至上述(e)工序形成的基板作為鑄模，利用上述鑄模在光學元件材料的表面上轉(zhuǎn)印上述衍射圖案以及上述反射防止結(jié)構(gòu)。
11. 一種光學元件的制造方法，其特征在于，包括(f) 在基板表面形成突出為曲面狀的凸部，此時形成為從上述凸部的 底部至上述凸部的頂點的高度為50pm以上且曲率半徑小于10mm的工序；(g) 在上述曲面狀的凸部表面上蒸鍍抗蝕劑的工序；(h) 沿著上述凸部表面的曲面形狀驅(qū)動進行電子束曝光時的電子槍進 行曝光，在上述抗蝕劑上形成微小凹凸形狀的反射防止結(jié)構(gòu)的圖案的工序;(i) 對沒有被上述抗蝕劑覆蓋的上述凸部表面進行蝕刻，在上述凸部 表面上形成上述反射防止結(jié)構(gòu)的工序；以及(j)除去上述抗蝕劑的工序。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的光學元件的制造方法，其特征在于，在上述(h)工序時，將對形成在上述凸部表面的底部側(cè)的抗蝕劑進行 曝光的曝光寬度設定為比對形成在上述凸部表面的頂點側(cè)的抗蝕劑進行曝 光的曝光寬度窄。
13. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 將經(jīng)上述(f)工序至上述(j)工序形成的基板作為母模，利用上述基板形成鑄模，利用上述鑄模在光學元件材料的表面上轉(zhuǎn)印曲面狀的凸部以 及上述反射防止結(jié)構(gòu)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學元件的制造方法，其特征在于， 上述反射防止結(jié)構(gòu)的微小凸部的間距形成為250nm以下。
全文摘要
本發(fā)明的目的尤其在于提供一種光學元件，能夠?qū)﹄A梯差為1.5μm以上且側(cè)面形成為傾斜面的深槽結(jié)構(gòu)提高反射防止效果。在第一成形體(2)形成有由凸部(6)和凹部(7)形成的衍射圖案(5)。上述凸部(6)和凹部(7)之間的階梯差(H1)為1.5μm以上。在凸部上表面(6a)和凹部底面(7a)之間的至少接近上述底面(7a)的部分，設置有用于提高分型性的傾斜面(10)，所以能夠高精度地形成1.5μm以上的深槽的衍射圖案，并且在凸部上表面(6a)、凹部底面(7a)以及上述傾斜面(10)形成有微小的凹凸形狀的反射防止結(jié)構(gòu)(8)，所以能夠進一步適當?shù)靥岣叻瓷浞乐剐Ч瑥亩軌蜻m當?shù)靥岣咦鳛檠苌涔鈻诺男阅堋?br> 文檔編號G11B7/135GK101688934SQ200880020668
公開日2010年3月31日 申請日期2008年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月19日
發(fā)明者古山義幸, 灑井修 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社