專利名稱：：信息記錄介質(zhì)及其制造方法以及靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及能夠光學(xué)地或電性地對(duì)信息進(jìn)行記錄、消去、改寫、和/或再生的信息記錄介質(zhì)及其制造方法、以及用于其制造的靶。
背景技術(shù)：
：作為高清晰圖像的錄像介質(zhì)，2002年策劃制定了使用藍(lán)紫色激光而進(jìn)行記錄再生的高密度且大容量的Blu-rayDisc(以下，BD)標(biāo)準(zhǔn)。在BD中，存25GB容量的單層介質(zhì)(在一面信息為一層)，50GB容量的2層介質(zhì)(在一面信息層為兩層)。特別是，在2層介質(zhì)中，將位于激光入射側(cè)的半透明的信息層稱作Layerl(以下，Ll)，將離激光入射側(cè)較遠(yuǎn)一方的信息層稱作Layer0(以下，L0)。本發(fā)明者開發(fā)了改寫型的BD(以下，BD—RE)介質(zhì)，并于2004年實(shí)用化了與1倍速對(duì)應(yīng)的25GB以及50GB容量的介質(zhì)。1倍速與數(shù)據(jù)傳送率36Mbps相當(dāng)。此外，2006年實(shí)用化了與2倍速對(duì)應(yīng)的25GB以及50GB容量的介質(zhì)。這些介質(zhì)的數(shù)據(jù)、圖像的信息，通過記錄層發(fā)生相變化，而能夠進(jìn)行記錄(非晶狀態(tài))、消去(晶體狀態(tài))、改寫。記錄層的材料、其組成，以晶體化速度與倍速相對(duì)應(yīng)而成為最佳化的方式，被確定。本發(fā)明者在與1倍速對(duì)應(yīng)的介質(zhì)中使用Ge-Sb-Te系記錄材料(例如，參照專利第2584741號(hào)公報(bào)參照)，在與2倍速相對(duì)應(yīng)的介質(zhì)中采用晶體化速度更大的Ge—Bi—Te系記錄材料(例如，參照專利第2574325號(hào)公報(bào)以及國(guó)際公開第2006/011285號(hào))。詳細(xì)來說，Ge-Sb-Te系記錄材料是GeTe和Sb2Tes化合后的化合物系，采用含有約44X的Ge和約6X的Sb的組成。另夕卜，Ge_Bi—Te系記錄材料，是GeTe和Bi2T63化合后的化合物系，采用含有約45X的Ge和約4X的Bi的組成。今后，若BD介質(zhì)能夠進(jìn)一步與高倍速化大容量化相對(duì)應(yīng)，則作為個(gè)人計(jì)算機(jī)用途，記錄器用途以及游戲機(jī)用途的使用價(jià)值較高。例如，謀求了數(shù)據(jù)、圖像文件的處理速度的提高，高畫質(zhì)化，高音質(zhì)化，記錄器的功能增加等。另外，錄像的長(zhǎng)時(shí)間化、替代硬盤也成為可能。如此，從預(yù)想今后越發(fā)高速大容量的介質(zhì)的必要性變高的觀點(diǎn)出發(fā)，發(fā)明者將下一個(gè)開發(fā)目標(biāo)設(shè)定為4倍速(144Mbps)以上且100GB以上。為了與4倍速對(duì)應(yīng)，需要比與2倍速對(duì)應(yīng)的記錄材料晶體化速度的更大的材料。例如，在Ge_Bi_Te系記錄材料中，若增加Bi2Te3的濃度，則晶體化速度變大。特別是，與50GB容量的2層介質(zhì)中LO的記錄層的厚度是約10nm相對(duì)，Ll的記錄層的厚度薄至6nm，若L0和L1中使用相同組成的記錄材料，則L1一方的晶體化能會(huì)降低。因此，需要L1用的記錄材料中含有更多的Bi2Te3的濃度。另一方面，為了實(shí)現(xiàn)100GB的大容量化，作為一例具有將記錄密度增加為2倍，或者將信息層的數(shù)目增加為4層的方法。為了增加密度，必須將記錄標(biāo)記(7—夕)縮小，激光照射時(shí)間也變短。因此，為了以較短的時(shí)間實(shí)現(xiàn)晶體化，晶體化速度也必須較大。另外，在增加信息層的數(shù)目的情況下，必須增加具有比2層介質(zhì)的L1更高的透過率的信息層，因此記錄層的膜厚被設(shè)計(jì)為例如3nm那樣的極薄膜厚。如此，大容量化中也必須增大晶體化速度，因此在例如Ge—Bi_Te系記錄材料中，必須將Bi2Te3的濃度增加為比2層介質(zhì)的L1用更大而調(diào)整組成。本發(fā)明者，首先為了實(shí)現(xiàn)與4倍速對(duì)應(yīng)的2層介質(zhì)，而調(diào)査了Ge—Bi—Te系記錄材料的Bi2Te3的濃度的最佳值，但是沒有一并發(fā)現(xiàn)L0以及L1。雖然評(píng)價(jià)了初始特性(記錄特性、消去特性)和可靠性(記錄標(biāo)記保存性)，但是由于L0中，消去特性較為良好的組成而記錄標(biāo)記保存性卻惡劣，達(dá)不到實(shí)用水平。Ll中，消去特性良好的組成的信號(hào)振幅較小，記錄特性不充分。此外，L0同樣記錄標(biāo)記保存性惡劣，因此沒有發(fā)現(xiàn)最佳的組成。這些結(jié)果，是因?yàn)樵贕e—Bi_Te系記錄材料中若增加Bi2Te3的濃度則晶體化速度增大，但是同時(shí)光學(xué)變化變小，并且晶體化溫度降低。晶體化速度作為消去特性而被評(píng)價(jià)，若晶體化速度大，則消去率變高。光學(xué)變化是由相變化引起的折射率變化，若評(píng)價(jià)信號(hào)振幅，則光學(xué)變化越大信號(hào)振幅越大。晶體化溫度對(duì)記錄標(biāo)記的保存性即非晶態(tài)的穩(wěn)定性產(chǎn)生影響。晶體化溫度的降低，與損害記錄標(biāo)記的保存性相關(guān)聯(lián)。在實(shí)用化后的2倍速對(duì)應(yīng)介質(zhì)中，存在能夠兼顧晶體化速度、光學(xué)變化以及晶體化溫度的組成，并能夠滿足初始特性和可靠性。然而，為了與4倍速相對(duì)應(yīng)，必須進(jìn)一步增加Bi2T^的濃度，光學(xué)變化的大小和晶體化溫度不能夠達(dá)到實(shí)用水平。在與大容量化對(duì)應(yīng)的4層介質(zhì)(100GB，在一面具有四層信息層)的實(shí)驗(yàn)中，也同樣具有4層的信息層的任何一種中，不存在能夠兼顧晶體化速度、光學(xué)變化以及晶體化溫度的組成，消去特性良好組成中記錄標(biāo)記保存性惡劣，半透明的信息層中信號(hào)振幅也不足。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種同時(shí)具有較大的晶體化速度和較大的光學(xué)變化以及高的晶體化溫度的相化記錄材料，并且提供一種具有利用該相變化記錄材料ffi!形成的記錄層，并且即使以4倍速以上的高數(shù)據(jù)傳送率以及100GB以上的大容量的記錄條件，也能夠同時(shí)滿足記錄特性、消去特性以及記錄標(biāo)記保存性的信息記錄介質(zhì)。另外，本發(fā)明的目的在于提供一種用于制造該信息記錄介質(zhì)的制造方法、該制造中所使用的靶。為了達(dá)到所述目的，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)，能夠利用光的照射或電能的施加而記錄信息，其中，至少備有能夠產(chǎn)生相變化的記錄層，所述記錄層包含銻(Sb)、碳(C)、原子量小于33的輕元素(L)。根據(jù)本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)，例如，在BD—RE介質(zhì)的情況下，即使在4倍速(144Mbps)以上的高數(shù)據(jù)傳送率中，也能夠同時(shí)滿足記錄特性、消去特性以及記錄標(biāo)記保存性。另外，即使在具有37層或4層的信息層的100GB以上的大容量記錄介質(zhì)中，也能夠同時(shí)滿足各信息層的記錄特性、消去特性以及記錄標(biāo)記保存性。如此，根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)高速、大容量的優(yōu)良信息記錄介質(zhì)。另外，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的制造方法的特征在于，至少包括對(duì)包含銻(Sb)、碳(C)、原子量小于33的輕元素(L)的記錄層進(jìn)行成膜的工序，對(duì)所述記錄層進(jìn)行成膜的工序，包括至少使用包含Sb的靶，對(duì)包含所述Sb的靶進(jìn)行濺射。根據(jù)本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的制造方法，能夠制造出具有4倍速(144Mbps)以上的高數(shù)據(jù)傳送率的信息記錄介質(zhì)。另外，能夠制造出具有3層或4層的信息層的100GB以上的大容量信息記錄介質(zhì)。另夕卜，本發(fā)明提供一種靶，用于對(duì)包含銻(sb)、碳(c)、原子量小于33的輕元素(L)的記錄層進(jìn)行成膜，其中至少包含銻(Sb)和碳(C)。通過濺射本發(fā)明的靶，能夠?qū)崿F(xiàn)同時(shí)具有較大的晶體化速度和較大的光學(xué)變化和高的晶體化溫度的相變化記錄層。圖1是表示本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的一例的部分剖面圖。圖2是表示本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的又一其它例的部分剖面圖。圖3是表示本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的又一其它例的部分剖面圖。圖4是表示本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的又一其它例的部分剖面圖。圖5是表示本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的又一其它例的部分剖面圖。圖6是示意性地表示本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)以及電信息記錄再生裝置的構(gòu)成的一部分的圖。圖7是示意性地表示本發(fā)明的電信息記錄介質(zhì)的構(gòu)成的一部分的圖。圖8是示意性地表示本發(fā)明的電信息記錄介質(zhì)及其記錄再生系統(tǒng)的構(gòu)成的一部分的圖。圖9是表示本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的制造方法中所使用的濺射裝置的一例的示意圖。圖10是表示本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的制造方法中所使用的濺射裝置的其它例的示意圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中所包含的記錄層，如上述那樣，包含銻(Sb)、碳(C)、原子量小于33的輕元素(L)。本發(fā)明中，所述記錄層中包含含的輕元素L，也可以是例如從B、N、0、Mg、A1以及S中選擇的至少一種元素。在本發(fā)明中，所述的記錄層，由式(l):Sb1()()-x-yCxLy(其中，下標(biāo)100—x—y，x以及y，表示以原子％所表示的Sb、C以及L的組成比)所表示，并且x以及y也可以由滿足x+y的材料組成。上述記錄層的膜厚也可以是例如15nm以下，進(jìn)而也可以是7nm以下。另外，本說明書中，所謂以原子X表示Sb、C以及L的組成比，是以'Sb，原子，'C，原子以及'L，原子的合計(jì)數(shù)為基準(zhǔn)(100。/0的情況下的Sb、C、L的各原子X的組成比。另外，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)也可以包含N個(gè)的信息層。另外，這里，N是2以上的整數(shù)。在該情況下，所述信息層中至少一個(gè)信息層包含所述記錄層。此外，N可以是3或4。本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的制造方法，如上述那樣，至少包括將包含銻(Sb)、碳(C)、以及原子量小于33的元素(L)的記錄層成膜的工序，對(duì)所述記錄層進(jìn)行成膜的工序，包括至少使用含Sb耙對(duì)所述靶進(jìn)行濺射。本發(fā)明的制造方法中，所述L也可以是從例如B、N、0、Mg、A1以及S中選擇的至少一種元素。另外，在本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的制造方法中，將所述記錄層成膜的工序也可以進(jìn)而包括還使用包含C的耙對(duì)所述包含C的耙進(jìn)行濺射。另外，對(duì)所述記錄層進(jìn)行成膜的工序，也可以進(jìn)而包括還使用包含所述L的靶，并對(duì)所述包含L的靶進(jìn)行濺射。在對(duì)所述記錄層進(jìn)行成膜的工序中，在進(jìn)行濺射時(shí)，也可以使用稀有氣體、或從N2氣體以及02氣體中選擇的至少一種的氣體和稀有氣體的混合氣體。9另外，在對(duì)所述記錄層進(jìn)行成膜的工序中所被成膜的記錄層，例如，式(1):Sbioo-x-yCxLy(其中，下*不100—x一y、x以及y，表示以原子X所表示的Sb，C以及L的組成比。以下，對(duì)于同樣的意思使用同樣的標(biāo)記)，且x以及y也可以由滿足x+y^50的材料構(gòu)成。本發(fā)明的靶，如上述那樣，至少包含銻(Sb)、碳(C)。本發(fā)明的靶，也可以還包含原子量小于33的輕元素(L)。在該情況下，所述L，也可以是從例如B、N、、Mg、A1以及S中選擇的至少一種元素，也可以是從B、Mg、A1以及S中選擇的至少一種元素。使用本發(fā)明的靶而成膜的記錄層，例如，由式(1):Sb1(X).x.yCxLy所表示，且x以及y也可以由滿足x+y$50的材料構(gòu)成。以下，參照本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，以下的實(shí)施方式是一例，本發(fā)明不限于以下的實(shí)施方式。另外，在以下的實(shí)施方式中，有時(shí)對(duì)于相同的部分附加同一的符號(hào)而省略重復(fù)的說明。(實(shí)施方式l)作為本發(fā)明的實(shí)施方式l，說明信息記錄介質(zhì)的一例。在圖l中表示其信息記錄介質(zhì)100的部分剖面。信息記錄介質(zhì)100中，順次配置在基板101上成膜的信息層110以及透明層102。此外，也可以在順次配置在基板101的一方的表面成膜的反射層112、電介質(zhì)層113、界面層114、記錄層115、界面層116以及電介質(zhì)層117而形成信息層IIO。信息記錄介質(zhì)100，能夠作為以波長(zhǎng)405nm附近的藍(lán)紫色域的激光10對(duì)信息進(jìn)行記錄再生的、具有25GB以上的容量的Blu-rayDisc而使用。在該構(gòu)成的信息記錄介質(zhì)100中，激光10從透明層102側(cè)入射，藉此實(shí)施信息的記錄以及再生。以下，從基板101順次進(jìn)行說明?；錓OI，主要具有作為支撐體的功能，使用圓盤狀、透明且表面平滑物體。作為材料，能夠列舉出聚碳酸酯，非晶聚烯烴或聚甲基丙烯酸甲酯(求U乂于少少夕夕U^—卜)(PMMA)那樣的樹脂，或玻璃。若考慮成形性、價(jià)格，以及機(jī)械強(qiáng)度，則優(yōu)選使用聚碳酸酯。圖示的方式中，優(yōu)選使用厚度約l.lmm，直徑約120mm的基板101。也可以在形成基板101的信息層IIO—側(cè)的表面中，形成用于對(duì)激光10進(jìn)行導(dǎo)向的凹凸的導(dǎo)向槽。在基板101上形成導(dǎo)向槽的情況下，本說明書中，出于方便將位于接近于激光10—側(cè)的面稱作'溝槽面'，并出于方便將位于遠(yuǎn)離激光10—側(cè)的面稱作<平坦(，乂K)面'。例如，在作為Blu-rayDisc使用的情況下，優(yōu)選為溝槽面和平坦面的階差(段差)是10nm以上30nm以下。另外，在Blu-rayDisc中，僅在溝槽面進(jìn)行記錄，溝槽一溝槽間的距離(從溝槽面中心到溝槽面中心)是約0.32iLim。對(duì)透明層102進(jìn)行說明。作為增大信息記錄介質(zhì)的記錄密度的方法，存在以使用短波長(zhǎng)的激光對(duì)激光束進(jìn)行會(huì)聚的方式提高對(duì)物透鏡的數(shù)值孔徑NA的方法。在該情況下，由于焦點(diǎn)位置變淺，因此位于激光10所入射側(cè)的透明層102，設(shè)計(jì)為與基板101相比更薄。根據(jù)該構(gòu)成，能夠得到可以記錄更高密度的大容量信息記錄介質(zhì)100。透明層102，與基板101同樣，使用圓盤狀、透明且表面平滑的材料。從透明層102的表面到信息層110的記錄層115的距離，即透明層102的厚度，優(yōu)選為是80/mi以上120^m以下，更優(yōu)選為是90^m以上110/un以下。透明層102，例如，也可以由圓盤狀的薄板和粘接層構(gòu)成，也可以由紫外線硬化性樹脂形成。也可以根據(jù)必要，形成用于對(duì)激光IO進(jìn)行導(dǎo)向的凹凸的導(dǎo)向槽。另外，也可以在電介質(zhì)層117的表面設(shè)置保護(hù)層。任何的構(gòu)成均可，但是優(yōu)選為總厚度(例如，薄板厚+粘接層厚+保護(hù)層厚，或僅僅紫外線硬化性樹脂的厚度)為80/xm以上120/xm以下。優(yōu)選為，薄板由聚碳酸酯、非晶聚烯烴或PMMA那樣的樹脂形成，特別優(yōu)選為由聚碳酸酯形成。另外，透明層102位于激光10入射側(cè)，因此優(yōu)選為光學(xué)的中短波長(zhǎng)域中的雙折射(復(fù)屈折)較小。反射層112具有增大光學(xué)記錄層115所吸收的光量，使由記錄層115熱性地所產(chǎn)生的熱快速地?cái)U(kuò)散而對(duì)記錄層115進(jìn)行急冷，且易于非晶質(zhì)化的功能。此外，反射層112具有保護(hù)包含電介質(zhì)層113至電介質(zhì)層117的多層膜免受使用環(huán)境影響的功能。作為反射層112的材料，優(yōu)選為熱傳導(dǎo)率較大以使得能夠使記錄層115產(chǎn)生的熱快速地?cái)U(kuò)散。另外，優(yōu)選為所使用的激光的波長(zhǎng)的光吸收較小，以使得能夠增大由記錄層115所吸收的光量。例如，可以使用從A1、Au、Ag以及Cu中選擇的金屬或它們的合金。為了提高其耐濕性，為了調(diào)整熱傳導(dǎo)率或光學(xué)特性(例如，光反射率、光吸收率或光透過率)，也可以在上述金屬或合金中，使用添加了其它的元素后的材料。作為其添加材料，優(yōu)選為從Mg、Ca、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Pd、Pt、Zn、Ga、In、C、Si、Ge、Sn、Sb、Bi、Te、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lii中選擇。此時(shí)，優(yōu)選為添加濃度是3原子o乂以下。特別是，Ag在波長(zhǎng)405nm附近的光吸收較小，因此信息記錄介質(zhì)100的構(gòu)成中優(yōu)選使用含有97原子％以上的Ag的反射層112。另外，也可以形成2層以上的反射層112。在該情況下，也可以將基板101側(cè)作為由電介質(zhì)材料形成的層。反射層112的厚度，優(yōu)選為與所使用的介質(zhì)的線速度、記錄層115的組成相對(duì)應(yīng)而調(diào)整，優(yōu)選為是40nm以上300nm以下。若比40nm薄，則急冷條件不足，記錄層的熱難于擴(kuò)散，記錄層難于實(shí)現(xiàn)非晶質(zhì)化。若比300nm厚，則急冷條件變得過剩，記錄層的熱過度擴(kuò)散，記錄靈敏度惡化(即，需要更大的激光功率)。電介質(zhì)層113以及電介質(zhì)層117，調(diào)節(jié)光學(xué)距離調(diào)節(jié)而提高記錄層115的光吸收效率，兼?zhèn)湓龃缶w相的反射率和非晶質(zhì)相的反射率的差而增大信號(hào)振幅的功能，以及保護(hù)記錄層115免受水分等影響的功能。作為特性，優(yōu)選為是相對(duì)于所使用激光波長(zhǎng)透明性較高、除了耐濕性外耐熱性也很優(yōu)良。作為電介質(zhì)層113以及117的材料，可以使用氧化物、硫化物、硒化物、氮化物、碳化物和氟化物，以及它們的混合物。作為氧化物，也可以使用例如A1203、Ca0、Ce02、Cr203、、Dy203、Ga203、Gd203、Hf02、Ho203、In203、La203、MgO、Nb205、Nd203、Sc203、Si02、Sm203、Sn02、Ta205、Ti02、Y203、Yb203、ZnO、Zr02、ZrSi04等。作為硫化物，也可以使用例如ZnS等，作為硒化物也可以使用例如ZnSe等。作為氮化物，也可以使用例如A1N、BN、CrN、Ge3N4、HfN、NbN、Si3N4、TaN、TiN、VN、ZrN等。作為碳化物也可以使用例如A14C3、B4C、CaC2、Cr3C2、HfC、Mo2C、NbC、SiC、TaC、TiC、VC、W2C、WC、ZrC等。作為氟化物，也可以使用例如CaF2、CeF3、DyF3、ErF3、GdF3、HoF3、LaF3、MgF2、NdF3、YF3、YbFs等。特別是，電介質(zhì)層113，在反射層112中使用含有Ag的材料的情況下，由于Ag容易與S發(fā)生反應(yīng)，因此優(yōu)選為使用硫化物以外的物質(zhì)。作為混合物，例如可以使用ZnS_Si02、ZnS—LaF3、ZnS—Si02—LaF3、Zr02—Si02、Zr02_LaF3、Zr02—Cr203、Zr02_Si02—Cr203、Zr02_Cr2O廣LaF3、Zr02_Si02_LaF3、Zr02_Si02_Cr203—LaF3、Zr02_Ga203、Zr02—Si02—Ga203、Zr02—Ga203—LaF3、Zr02—Si02_Ga203—LaF3、Zr02—In203、Zr02—Si02—In203、Zr02—In20廣LaF3、Zr02—Si02—In203—LaF3、Zr02—Si02—Cr203_Ga203、Zr02—Si02—Cr203—In203、ZrO廣SiC、Zr02_Si02_SiC、Hf02—Si02、Hf02—LaF3、Hf02—Cr203、Hf02_Si02_Cr203、HfO廣Cr203—LaF3、Hf02_Si02—LaF3、Hf02_Si02_Cr203_LaF3、Hf02_Ga203、Hf02—Si02—Ga203、Hf02_Ga203_LaF3、Hf02—Si02—Ga203—LaF3、HfO廣In203、Hf02_Si02—In203、Hf02—In203—LaF3、Hf02—Si02—In2OfLaF3、Hf02_Si02—Cr203—Ga203、HfO廣Si02—Cr2〇廣1n203、HfO廣SiC、Hf02—Si02—SiC、Sn02—Ga2〇3、Sn02—In203、SnOfSiC、Sn02—Si3N4、Sn02—Ga203—SiC、Sn02—Ga20廣Si3N4、Sn02—Nb205、Sn02—Ta205、Ce02—Al203、CeO廣A1203—Si02、Nb205—Ti02、Nb205—Si0廣Ti02等。在這些材料中，含Zr02的復(fù)合材料或混合材料，相對(duì)于405nm附近的波長(zhǎng)透明性較高，耐熱性也較為優(yōu)良。在含Zr02的材料中，也可以至少一部分作為Zr02的替代，使用在Zr02中添加CaO、MgO、￥203的其中之一后的部分穩(wěn)定化氧化錯(cuò)或穩(wěn)定化氧化鋯。ZnS—Si02是非晶質(zhì)，熱傳導(dǎo)性低，具有高透明性以及高折射率膜形成時(shí)的成膜速度較大，是機(jī)械特性以及耐濕性優(yōu)良的材料。作為電介質(zhì)層117，也可以使用(ZnS)so(Si02)20(下標(biāo)表示mo1%)?；蛘?，也可以層疊上述氧化物等、混合物而以2層以上形成電介質(zhì)層1B或電介質(zhì)層117。電介質(zhì)層113以及電介質(zhì)層117具有通過變化各個(gè)的光路長(zhǎng)(即，電介質(zhì)層的折射率n和電介質(zhì)層的膜厚d的積nd)而調(diào)整如下參數(shù)的功能即晶體相的記錄層115的光吸收率Ac(%)和非晶質(zhì)相的記錄層115的光吸收率Aa(%)、記錄層115是晶體相的信息記錄介質(zhì)100的光反射率Rc(Q、)和記錄層115是非晶質(zhì)相時(shí)的信息記錄介質(zhì)100的光反射率Ra(%)、記錄層115是晶體相的部分和是非晶質(zhì)相的部分的信息記錄介質(zhì)100的光的位相差A(yù)cp。為了增大記錄標(biāo)記的再生信號(hào)振幅，從而提高信號(hào)品質(zhì)，優(yōu)選為反射率差I(lǐng)Rc一RaI或反射率比Rc/Ra較大。另夕卜，優(yōu)選為Ac以及Aa也較大，以使得記錄層115吸收激光10。以同時(shí)滿足這些的條件的方式而決定電介質(zhì)層113以及電介質(zhì)層117的光路長(zhǎng)。滿足這些的條件的光路長(zhǎng)，能夠根據(jù)基于例如矩陣(7卜U夕7)法(例如參照久保田広著'波動(dòng)光學(xué)，巖波新書，1971年，第3章)的計(jì)算而正確地決定。將電介質(zhì)層的折射率設(shè)為n，將膜厚設(shè)為d(nm)，將激光10的波長(zhǎng)設(shè)為X(nm)的情況下，光路長(zhǎng)nd由nd=a入所表示。這里，a是正數(shù)。為了增大信息記錄介質(zhì)100的記錄標(biāo)記的再生信號(hào)振幅而提高信號(hào)品質(zhì)，例如，如信息記錄介質(zhì)100那樣在Blu-rayDisc中使用的情況下，能夠以滿足18X^Rc且Ra^4%的方式，利用基于矩陣卜i;夕7)法的計(jì)算而嚴(yán)格地決定電介質(zhì)層113以及電介質(zhì)層117的光路長(zhǎng)nd。例如，在將折射率為2至3的電介質(zhì)材料用于電介質(zhì)層113以及電介質(zhì)層117中的情況下，優(yōu)選為電介質(zhì)層113的厚度是50nm以下，更優(yōu)選為是3nm以上30nm以下。另外，優(yōu)選為電介質(zhì)層117的厚度是20nm以上100nm以下，更優(yōu)選為是30nm以上80nm以下。對(duì)界面層114以及界面層116進(jìn)行說明。界面層114是為了在防止在電介質(zhì)層113和記錄層115之間因重復(fù)記錄而產(chǎn)生的物質(zhì)移動(dòng)而設(shè)置的。同樣，界面層116，是為了防止在電介質(zhì)層117和記錄層115之間，產(chǎn)生因重復(fù)記錄而產(chǎn)生的物質(zhì)移動(dòng)而設(shè)的。這里，所謂物質(zhì)移動(dòng)，是指因反復(fù)記錄而在層間原子向一方或相互移動(dòng)的現(xiàn)象。在例如電介質(zhì)層113或電介質(zhì)層117中使用(ZnS)80(Si02)20(mol%)的情況下，在將激光10照射到記錄層115而反復(fù)改寫的期間，ZnS的S在記錄層115中擴(kuò)散。另外，界面層114以及界面層116，在電介質(zhì)層113和記錄層115以及電介質(zhì)層117和記錄層115的緊貼性較差的情況下，也具有粘接功能。優(yōu)選為，界面層114以及界面層116中，不使用含硫化物的材料。作為界面層114以及界面層116的材料，優(yōu)選為與記錄層115的緊貼性優(yōu)良，而在向記錄層115照射激光10時(shí)不溶解、也不分解，耐熱性的強(qiáng)的材料。作為該材料，能夠使用氧化物、氮化物、碳化物、硼化物和氟化物，以及它們的混合物。作為氧化物，也可以使用例如A1203、Ca0、Ce02、Cr203、Dy203、Ga203、Gd203、Hf02、Ho203、In203、La203、MgO、Nb205、Nd203、Sc203、Si02、Sm2〇3、Sn02、Ta205、Ti02、Y203、Yb203、ZnO、Zr02、ZrSi04等。作為氮化物，也可以使用例如A1N、BN、CrN、Ge3N4、HfN、NbN、Si3N4、TaN、TiN、VN、ZrN等。作為碳化物，也可以使用例如C、A14C3、B4C、CaC2、Cr3C2、HfC、Mo2C、NbC、SiC、TaC、TiC、VC、W2C、WC、ZrC等。作為硼化物，也可以使用例如B、CaB6、HfB2、ZrB2、TiB2、TaB2、MoB、NbB2、WB、VB2、LaBe等。作為氟化物，也可以使用例如CaF2、CeF3、DyF3、ErF3、GdF3、HoF3、LaF3、MgF2、NdF3、YF3、YbFs等。作為混合物，也可以使用例如Zr02—Cr203、ZrSi04—Cr203、Zr02—Si02—Cr203、Zr02—Si02—Cr2O廣LaF3、ZrO廣Ga203、ZrSiO廣Ga203、Zr02一Si02—Ga203、Zr02—In203、ZrSi04—In203、Zr02—Si02—In203、Zr02—SiC、ZrSi04—SiC、Zr02—Si02—SiC、Hf02—Cr203、Hf02—Si02_Cr203、Hf02—Ga203、Hf02_Si02_Ga203、Hf02_In203、Hf02_Si02—In203、Hf02—SiC、Hf02—Si02—SiC、Sn02—Ga203、SnO廣In203、Sn02—SiC、Sn02_Si3N4、Sn02—Ga203_SiC、Sn02—Ga20廣Si3N4、Sn02—Nb205、Sn02—Ta205、Cr203—ZnO、Cr203—Al203、Cr203—Ce02、Cr203—Dy203、Cr203—Ga203、Cr203—In203、Cr203_MgO、Cr203—Nb205、Cr203—Si02、Cr203—Sn02、Cr203—Ti02、Cr203_Ta205、Cr203—Y203、Cr203_LaF3、Cr203—B、Cr203—TiB2、ZnO—Si02、ZnO—Zr02、ZnO—Hf02、ZnO—Al20^。在這些材料中，含Zr02的復(fù)合材料或混合材料，相對(duì)于405nm附近的波長(zhǎng)透明性較高，耐熱性也優(yōu)良，因此優(yōu)選為在界面層114以及界面層116中使用。在包含Zr02的材料中，也可以作為Z161"02的替代，至少一部分使用在Zr02中添加了Ca0、MgO、￥203后的的部分穩(wěn)定化氧化鋯或穩(wěn)定化氧化錯(cuò)。即使在包含Zr02的復(fù)合材料或混合材料中，包含Zr02、Si02和C。03的材料(例如，由Zr02禾卩Si02禾tlC1"203構(gòu)成的材料)，除了透明性和耐熱性外，因?yàn)榕c記錄層115緊貼性而優(yōu)良，因此更為優(yōu)選。優(yōu)選為，界面層114以及界面層116的膜厚是0.3nm以上10nm以下，更優(yōu)選為是0.5nm以上7nm以下。若界面層114以及116較厚，則形成于基板101的表面的從反射層112到電介質(zhì)層117的層疊體的光反射率以及光吸收率變化，存在對(duì)記錄消去性能產(chǎn)生影響的情況。另外，若小于0.3nm，則存在防止物質(zhì)移動(dòng)的功能降低。另外，在電介質(zhì)層113不包含硫化物或Zn的材料、且和記錄層115的緊貼性優(yōu)良的情況下，界面層114根據(jù)需要而設(shè)置。同樣，在電介質(zhì)層117是不包含硫化物或Zn的材料，且與記錄層115的緊貼性優(yōu)良的情況下，界面層116根據(jù)需要而設(shè)置。本發(fā)明的記錄層115是能夠產(chǎn)生相變化的記錄層，包含銻(Sb)、碳(C)、原子量小于33的輕元素(L)。利用該材料構(gòu)成，能夠?qū)崿F(xiàn)同時(shí)具有較大的晶體化速度、較大的光學(xué)變化、較高的晶體化溫度的相變化記錄材料。Sb是非常容易晶體化的材料，晶體化溫度大約9(TC左右。由濺射形成的Sb膜是非晶質(zhì)狀態(tài)，但是若在室溫中放置，則慢慢地發(fā)展為晶體化。因此，僅僅有Sb，非晶質(zhì)狀態(tài)的穩(wěn)定性較為欠缺。艮口，確保優(yōu)良的記錄標(biāo)記的保存性較為困難。C具有解決Sb的這種課題的功能，通過在Sb添加，能夠維持較大的晶體化速度，并能夠使晶體化溫度上升到20(TC以上。另外，也具有增大記錄層115的非晶質(zhì)狀態(tài)和晶體狀態(tài)之間的光學(xué)變化的功能。此外，通過添加原子量小于33的輕元素(L)，能夠在不降低晶體化溫度的情況下，調(diào)整晶體化速度。更優(yōu)選為L(zhǎng)是從B、N、O、Mg、A1以及S中選擇的至少一種元素。即使在輕元素中，包含這些元素的材料，在制造方面、成本方面、環(huán)境方面，也是優(yōu)良的材料。例如，4倍速以上的、高倍速的記錄條件中使用的材料所要求的特性是為了能夠高速進(jìn)行記錄而具有較大的晶體化速度，并且為了穩(wěn)定地保存記錄標(biāo)記，晶體化溫度較高。若在Sb中添加原子量是33以上的元素，例如過渡金屬(第2過渡元素、第3過渡元素)、貴金屬，則能夠確實(shí)地提高晶體化溫度。然而，由于也伴隨著晶體化溫度降低的副作用，因此若添加20原子%，則在4倍速以上的情況下使用變得困難。與此相對(duì)，在Sb中添加C的情況下，C能夠在不降低晶體化速度的情況下提高晶體化溫度。為此，對(duì)于C的情況，即使接近于50原子％而添加，也能夠在4倍速以上使用。即使在Sb和C中添加過渡金屬、貴金屬的情況下，同樣由于晶體化速度較低，因此在4倍速以上中使用的情況下，這些添加濃度較多，而為大約10原子％。與此相對(duì)，包含在Sb和C中添加了原子量小于33的輕元素(L)的材料的本發(fā)明的記錄層115，通過調(diào)整C和L的濃度，能夠兼顧較高的晶體化溫度和較大的晶體化速度。即使在4倍速以上使用的情況，將C和L合計(jì)添加到50原子％。如此，包含Sb、C、L的記錄材料，具有即使在高倍速中使用的情況下，所能夠添加的C和L的組成范圍十分廣闊的優(yōu)點(diǎn)。因此，根據(jù)本發(fā)明，隨著適宜調(diào)節(jié)C和L的添加濃度，記錄層的晶體化速度、晶體化溫度以及光學(xué)變化量的微調(diào)整成為可能，因此能夠得到設(shè)計(jì)自由度較高的效果。若由記錄層為非晶質(zhì)狀態(tài)時(shí)的記錄層的多元(複素)折射率(na—ika，na是折射率，ka是消衰系數(shù))和記錄層是晶體狀態(tài)時(shí)的記錄層的多元折射率(ne—ike，nc是折射率，ke是消衰系數(shù))的差的大小Dn+k(Ille—naI+Ike—kaI)定義光學(xué)的變化，Dn+k越大光學(xué)變化越大。例如，Sb8oC!5Bs的Dn+k是1.9，Sb80C15Ns的Dn+k也是1.9。與此相對(duì)，Sb85Ge^的D針k是1.6。特別是，通過在Sb中添加C和L，ka變小，從而能夠增大I"一kj。另外，本發(fā)明的記錄層115，由SbHK).x.yCxLy所表示，且X以及y也可以是由滿足x+y^50的材料構(gòu)成。對(duì)C和L進(jìn)行調(diào)和(合b甘t)的組成比，優(yōu)選為是50原子％以下。若超過50原子％，則記錄層115的晶體化速度降低，以相當(dāng)于例如4倍速的傳送率的晶體化變得不充分，有時(shí)記錄消去特性惡化。另外，為了確保低傳送率下的非晶質(zhì)狀態(tài)的穩(wěn)定性，在本實(shí)施方式中，優(yōu)選為對(duì)C和L進(jìn)行調(diào)和的組成比是30原子％以上。C和L的組成，也可以以相對(duì)于傳送率成為最佳的方式選擇，但是為了維持較大的光學(xué)的變化和較大的晶體化速度，優(yōu)選為x^y。這里，包含Sb、C和L的記錄層的組成，能夠利用例如X線微分析儀(XMA)分析。這是能夠根據(jù)在將電子線向試樣照射時(shí)所產(chǎn)生的特性X線的波長(zhǎng)、強(qiáng)度，對(duì)在試樣中所包含的元素的種類和組成進(jìn)行調(diào)整的分析方法。由濺射所形成的記錄層115中，不可避免地包含有濺射氣氛氣中存在的稀有氣體(Ar、Kr、Xe)、水分(O—H)、有機(jī)物(C)、空氣(N、0)、配置于濺射室的工具(冶具)的成分(金屬)以及靶中包含的雜質(zhì)(金屬、半金屬、半導(dǎo)體、電介質(zhì))等，有時(shí)用XMA等的分析檢測(cè)出。這些不可避免的成分，在將記錄層中所包含的所有原子設(shè)為100原子％的情況下，也可以將10原子％作為上限而包含，除了不可避免地包含的成分，Sb，C以及L，也可以處于Sbu)o-x-yCxLy的關(guān)系，且滿足x+y^50。艮卩，本說明書中，所謂"記錄層115，由Sb咖-x-yCxLy所表示，且x以及y由滿足x+y^50的材料構(gòu)成"，是指也包含在記錄層115中存在上述那樣的不可避免成分的情況。這也同樣適用以下的的實(shí)施方式中所說明記錄層215、225、315、325、335、415、425、435、445以及603。具體的組成，可以列舉出Sb—C—B、Sb—C—B—N、Sb—C一B—O、Sb—C—B—Mg、Sb—C一B—Mg—N、Sb—C一B—Mg—0、Sb—C一B—Mg—N—O、Sb—C一B—A1、Sb—C一B—Al—N、Sb—C一B—Al—O、Sb—C一B—Al—N—O、Sb—C一B—S、Sb—C一B—S—N、Sb—C—B_S—0、Sb—C一B—S—N—O、Sb一C一N、Sb—C一N—O、Sb—C一N—Mg、Sb—C—N一Mg—0、Sb—C一N—A1、Sb—C一N—Al—O、Sb一C一N—S、Sb—C一N—S—0、Sb—C—O、Sb—C一_Mg、Sb—C一O—Al、Sb—C一O—S、Sb—C一Mg、Sb—C_Mg—Al、Sb—C一Mg—Al—N、Sb—C一Mg—Al—O、Sb—C一Mg—Al—N—0、Sb—C一Mg—S、Sb—C—Mg—S—N、Sb—C一Mg—S—O、Sb一C一Mg—S—N—O、Sb—C一Al、Sb—C一Al—S、Sb—C一Al—S—N、Sb—C一Al—S—O、Sb—C一A1—S_N—0、Sb—C—S等。本發(fā)明的記錄層115的膜厚，優(yōu)選為是15nm以下。若為15nm以下，則信息記錄介質(zhì)100的構(gòu)成中，能夠以25GB以上的容量且4倍速以上的傳送率得到良好的記錄消去特性。若超過15nm，則熱容量變大，記錄所需要的激光功率變大。另外，記錄層115中所產(chǎn)生的熱難于向反射層112的方向擴(kuò)散，高密度記錄所需要的較小的記錄標(biāo)記的形成變得困難。此外，更優(yōu)選為是8nm以上14nm以下。該膜厚范圍中，除了4倍速以上的高傳送率即使是2倍速以下的低傳送率，也能夠得到良好的記錄消去特性，因此也能夠作為旋轉(zhuǎn)數(shù)一定的ConstantAngularVelocity(CAV)而使用。接著，對(duì)制造實(shí)施方式1的信息記錄介質(zhì)100的方法進(jìn)行說明。通過將形成有導(dǎo)向槽(溝槽面和平坦面)的基板101配置于濺射裝置，在形成有基板101的導(dǎo)向槽的表面，順次實(shí)施對(duì)反射層112進(jìn)行成膜工序、對(duì)電介質(zhì)層113進(jìn)行成膜的工序、對(duì)界面層114進(jìn)行成膜的工序、對(duì)記錄層115進(jìn)行成膜的工序、對(duì)界面層116進(jìn)行成膜的工序、對(duì)電介質(zhì)層117進(jìn)行成膜的工序，并進(jìn)一步實(shí)施在電介質(zhì)層117的表面形成透明層102的工序，從而制造信息記錄介質(zhì)100。這里，對(duì)進(jìn)行信息記錄介質(zhì)的制造的濺射(成膜)裝置的一例進(jìn)行。圖9表示二極生長(zhǎng)放電型濺射裝置20的一例。濺射室21中，在排氣口22連接真空泵23，而保持高真空。從濺射氣體導(dǎo)入口24，導(dǎo)入一定流量的濺射氣體(例如Ar氣體等)?；?5安裝于基板夾持體(陽(yáng)極)26，靶(陰極)27固定于靶電極28，并與電源29相連接。通過在兩極間施加高電壓，發(fā)生生長(zhǎng)放電，例如將Ar正離子加速而使之撞擊靶27，而濺射。濺射后的粒子堆積在基板25而形成薄膜。濺射中，為了對(duì)靶27進(jìn)行冷卻，在電極28中使例如水進(jìn)行循環(huán)(圖中，30表示循環(huán)水)。根據(jù)向陰極施加的電源的種類，而分為直流型和高頻型。濺射裝置20中，也可以將多個(gè)濺射室21連接起來，也可在濺射室21配置多個(gè)的靶27，并通過這樣的構(gòu)造，能夠?qū)嵤┒鄠€(gè)的成膜工序而對(duì)多層膜進(jìn)行層疊。以下的實(shí)施方式的濺射，也能夠使用同樣的裝置，作為基板25，能夠使用本實(shí)施方式以及后述的實(shí)施方式26所說明的基板101、201、301、401、501、601(圖1圖6參照)。另外，對(duì)濺射裝置的其他例進(jìn)行說明。在圖IO表示直流(DC)磁控濺射裝置30的一例。另夕卜，圖10中，附加了與圖9同一符號(hào)構(gòu)件，與參照?qǐng)D9而說明的構(gòu)件相同，有時(shí)省略其說明。在濺射室21中，在排氣口22連接真空泵23，而保持高真空。濺射氣體導(dǎo)入口24中，連接氣體容器(求yx)(例如Ar氣體)，由此處導(dǎo)入一定流量的濺射氣體(例如Ar氣體)。磁控(7夕'氺卜口y)濺射中，根據(jù)在靶27的背面所配置的永久磁體31而在靶27表面產(chǎn)生磁場(chǎng)，在與電場(chǎng)垂直的部分，等離子體最為集中，因此濺射了更多的粒子。根據(jù)在陰極所施加的電源的種類，可以分為直流型和高頻(RF)型。RF磁控濺射裝置的情況下，作為直流電源29的替代，連接阻抗(抵抗)匹配電路和高頻電源。另外，圖10中，省略圖9所示的循環(huán)水30。包含以下的說明的本說明書中，與各層相關(guān)地提到"表面"時(shí)，并不特別限定于剖面，假定指的是形成各層時(shí)露出的表面(與厚度方向垂直的表面)。最初，在基板101的形成有導(dǎo)向槽的面，實(shí)施對(duì)反射層112進(jìn)行成膜的工序。反射層112，通過對(duì)包含構(gòu)成反射層112的金屬或合金的靶進(jìn)行濺射而成膜。可以使用直流電源或高頻電源，在稀有氣體氣氛氣中、或氧氣和/或氮?dú)夂拖∮袣怏w的混合氣體氣氛氣中實(shí)施濺射。稀有氣體，可以是Ar氣體、Kr氣體、Xe氣體的其中之一。作為對(duì)反射層112進(jìn)行成膜的靶，可以使用包含A1、Au、Ag以及CU中至少一種的材料，或它們的合金。因?yàn)R射裝置，有時(shí)靶的組成和所形成的反射層的組成不一致，因此在該情況下通過調(diào)整靶的組成，能夠得到目標(biāo)組成的反射層112。至于靶，根據(jù)不依賴于制法使用將粉末熔化并合金化而固化后的物質(zhì)、或者將粉末在高溫高壓下進(jìn)行固化后的物質(zhì)等。例如，作為反射層112形成Ag_CU系合金時(shí)，可以使用Ag—Cu系合金靶。接下來，實(shí)施在反射層112的表面對(duì)電介質(zhì)層113進(jìn)行成膜的工序。電介質(zhì)層113也另外通過將包含構(gòu)成電介質(zhì)層113的元素、混合物或化合物的靶進(jìn)行濺射而成膜。也可以使用高頻電源，在稀有氣體氣氛氣中，或氧氣和/或氮?dú)夂拖∮袣怏w的混合氣體氣氛氣中實(shí)施濺射?？赡艿脑?，也可以使用直流電源、脈沖發(fā)生式直流電源。稀有氣體可以是Ar氣體、Kr氣體、Xe氣體的其中之一。作為對(duì)電介質(zhì)層113進(jìn)行成膜的靶，能夠使用氧化物、硫化物、硒化物、氮化物、碳化物以及氟化物，以及它們的混合物，并能夠以形成電介質(zhì)層113的材料的方式而決定靶的材料/組成。根據(jù)濺射裝置，有時(shí)靶的組成和所形成的電介質(zhì)層的組成不一致，在該情況下通過調(diào)整靶的組成，能夠得到目標(biāo)組成的電介質(zhì)層113。另外，在形成包含氧化物的電介質(zhì)層時(shí)，有時(shí)濺射中氧缺損，因此，也可以使用抑制氧缺損的靶，或在稀有氣體中混合了10。^以下的少量的氧氣的氣氛氣中進(jìn)行濺射。另外，通過使用金屬、半金屬以及半導(dǎo)體材料的靶，能夠在稀有氣體中混合了10%以上的較多的氧氣和/或氮?dú)獾臍夥諝庵校梅磻?yīng)性濺射而形成電介質(zhì)層113?；蛘?，能夠通過使用多個(gè)電源對(duì)單體的化合物的各個(gè)的耙同時(shí)進(jìn)行濺射而形成電介質(zhì)層113。另外，能夠通過使用多個(gè)的電源對(duì)將2以上的化合物組合后的2元耙、3元耙等進(jìn)行濺射而形成電介質(zhì)層113。即使在使用這些靶的情況下，也可以在稀有氣體氣氛氣中、或氧氣和/或氮?dú)夂拖∮袣怏w的混合氣體氣氛氣中實(shí)施濺射。接下來，實(shí)施在電介質(zhì)層113的表面成膜界面層114的工序。另外也通過將包含構(gòu)成界面層114的元素和混合物或化合物的耙進(jìn)行濺射而成膜界面層114。也可以使用高頻電源，在稀有氣體氣氛氣中，或者在氧氣和/或氮?dú)夂拖∮袣怏w的混合氣體氣氛氣中，實(shí)施濺射。若可能的話，也可以使用直流電源、脈沖發(fā)生式直流電源。稀有氣體可以是Ar氣、Kr氣、Xe氣其中之一。作為對(duì)界面層114進(jìn)行成膜的靶，能夠使用氧化物、氮化物、碳化物、硼化物和氟化物，以及它們的混合物。以能夠形成界面層114的材料的方式?jīng)Q定靶的材料/組成。根據(jù)濺射裝置，有時(shí)靶的組成和所形成的界面層的組成不一致，因此在該情況下通過調(diào)整靶的組成，能夠得到目標(biāo)組成的界面層114。另外，在形成包含氧化物的界面層時(shí)，有時(shí)在濺射中會(huì)存在氧缺損情況，因此也可以使用抑制氧缺損的靶，或者在將10%以下的少量的氧氣混合到稀有氣體的氣氛氣中進(jìn)行濺射。另外，也可以使用金屬、半金屬以及半導(dǎo)體材料的靶，在將10%以上的較多的氧氣和/或氮?dú)饣旌显谙∮袣怏w的氣氛氣中，利用反應(yīng)性濺射形成界面層?；蛘撸材軌蚶枚鄠€(gè)電源對(duì)單體化合物的各個(gè)耙同時(shí)進(jìn)行濺射，而形成界面層114。另外，也能夠使用多個(gè)的電源同時(shí)對(duì)將2以上的化合物組合后的2元耙、3元系靶等進(jìn)行濺射而形成界面層114。即使在使用這些靶的情況下，也可以在稀有氣體氣氛氣中、或氧氣和/或氮?dú)夂拖∮袣怏w的混合氣體氣氛氣中實(shí)施濺射。接下來，實(shí)施在界面層114的表面成膜本發(fā)明的記錄層115的工序。能夠通過使用至少包含Sb的靶，濺射包含Sb的靶而成膜記錄層115。以下，對(duì)各個(gè)材料的記錄層115說明其成膜方法。作為輕元素L，在包含B、Mg、A1中的至少一個(gè)的情況下，即在對(duì)包含Sb、C、L(B，Mg和/或A1)的記錄層115進(jìn)行成膜的情況下，在濺射室內(nèi)備置Sb_C—L(包含Sb、C禾QL)靶，并能夠通過濺射而成膜?；蛘?，能夠通過在濺射室內(nèi)備置2以上的組成比的不同的Sb—C一L靶，同時(shí)進(jìn)行濺射，而形成。或者，能夠在濺射室被分別備置Sb靶、C靶以及L靶，同時(shí)進(jìn)行濺射而形成?；蛘撸軌蛲ㄟ^在濺射室分別備置Sb—C耙、Sb耙以及L耙，同時(shí)進(jìn)行濺射而形成?；蛘撸ㄟ^在濺射室分別備置Sb—C耙和L靶，同時(shí)進(jìn)行濺射而形成?；蛘?，能夠通過在濺射室分別備置Sb_L耙和C耙，同時(shí)進(jìn)行濺射而形成?；蛘?，能夠通過在濺射室分別備置Sb耙和C一L耙，同時(shí)進(jìn)行濺射而形成。均可以在稀有氣體氣氛氣中實(shí)施。稀有氣體，可以是Ar氣、Kr氣、Xe氣的其中之一。此外，在記錄層115中包含N和/或0的情況下，也可以在氧氣和/或氮?dú)夂拖∮袣怏w的混合氣體氣氛氣中，利用反應(yīng)性濺射而成膜記錄層115。作為輕元素L，在包含S的情況下，即在對(duì)包含Sb、C和S的記錄層115進(jìn)行成膜的情況下，能夠在濺射室備置包含Sb_C—S的革巴，并通過濺射而成膜?；蛘?，能夠備有兩個(gè)以上的組成比的不同的Sb—C一S靶，并同時(shí)進(jìn)行濺射而形成?；蛘?，能夠在濺射室分別備有Sb—S耙和C耙，并通過同時(shí)進(jìn)行濺射而形成?；蛘?，能夠在濺射室分別備有Sb靶和C一S靶，并通過同時(shí)進(jìn)行濺射而形成。均可以在稀有氣體氣氛氣中實(shí)施。稀有氣體可以是Ar氣、Kr氣、Xe氣其中之一。此外，在記錄層115中包含N和/或0的情況下，也可以在氧氣和/或氮?dú)夂拖∮袣怏w和的混合氣體氣氛氣中，利用反應(yīng)性濺射而成膜記錄層115。在作為輕元素L包含N和/或0的情況下，即在對(duì)包含Sb、C和L的記錄層115進(jìn)行成膜的情況下，能夠通過在濺射室備有包含Sb_C的靶，在氧氣和/或氮?dú)夂拖∮袣怏w的混合氣體氣氛氣中，利用反應(yīng)性濺射而成膜記錄層115?；蛘撸軌蛟跒R射室分別備有Sb靶和C靶，在氧氣和/或氮?dú)夂拖∮袣怏w的混合氣體氣氛氣中，并同時(shí)通過進(jìn)行反應(yīng)性濺射而形成記錄層115。或者，也可以在稀有氣體氣氛氣中、或少量的氧氣和/或少量的氮?dú)夂拖∮袣怏w的混合氣體氣氛氣中對(duì)包含N和/或0、Sb以及C的靶進(jìn)行濺射。任何的方法中，能夠形成由式(l):Sbu)^.yCxLy所表示，且x以及y滿足x+y^50的材料構(gòu)成的記錄層115。例如，在使用含有Sb_C_L的靶的情況下，有時(shí)根據(jù)濺射裝置耙的組成和形成的記錄層的組成不一致，但是通過調(diào)整包含Sb—C—L的耙的組成，能夠得到式(1)的組成的記錄層115?；蛘?，在備有多個(gè)靶同時(shí)進(jìn)行濺射的情況下，能夠通過調(diào)整各個(gè)的電源的輸出而控制組成，從而能夠得到式(1)的組成的記錄層115?；蛘撸诜磻?yīng)性濺射的情況ncR^7Srafr6i々Rf^i、固畝女Hfr由、〉瞎的4全山i、困畝夂臺(tái)^^^甬3寸iJil趁氫氣氮~的流量或壓力、與稀有氣體的流量比或壓力比，而得到式(1)的組成的記錄層115。對(duì)為了成膜本發(fā)明的記錄層而使用的靶進(jìn)行說明。本靶至少包含銻(Sb)和碳(C)。此外，也可以包含原子量小于33的輕元素(L)，在該情況下，L也可以是從B、N、0、Mg、A1以及S中選擇的至少一種的元素?；蛘?，L也可以是從B、Mg、A1以及S中選擇的至少一種元素。通過對(duì)本靶進(jìn)行濺射，能夠形成包含Sb、C和L的記錄層。熔點(diǎn)高的C的濺射率與Sb的濺射率相比較低，因此優(yōu)選為使靶中所包含的C的組成比，比記錄層中所包含的C的組成比多5%20Q^。根據(jù)所使用的濺射裝置、濺射條件，其增量不同的是，例如，為了對(duì)Sb5oC^記錄層進(jìn)行成膜的靶的組成比，可以是例如Sb47.5C52.5Sb恥C6。的范圍。利用X線微分析儀對(duì)記錄層的組成比進(jìn)行分析，能夠以記錄層的組成比成為目標(biāo)組成比的方式?jīng)Q定Sb—C一L靶的優(yōu)選組成比。本實(shí)施方式的記錄層115，作為L(zhǎng)，包含B、Mg、A1以及S的中至少其一以及Sb和C的情況下，在對(duì)記錄層115進(jìn)行成膜時(shí)，也可以對(duì)Sb_C_L靶進(jìn)行濺射。此外，記錄層115在包含N和/或0的情況下，也可以在氧氣和/或氮?dú)夂拖∮袣怏w的混合氣體氣氛氣中，利用反應(yīng)性濺射成膜記錄層115。在對(duì)包含N和/或0、Sb和C的成膜記錄層115進(jìn)行成膜的情況下，也可以在氧氣和/或氮?dú)夂拖∮袣怏w的混合氣體氣氛氣中，通過反應(yīng)性濺射Sb—C靶而成膜記錄層115?；蛘撸部梢栽谙∮袣怏w氣氛氣中、或少量的氧氣和/或少量的氮?dú)夂拖∮袣怏w的混合氣體氣氛氣中，對(duì)包含N和/或0、Sb、C的靶進(jìn)行濺射。接下來，對(duì)本發(fā)明的靶的制造方法的一例進(jìn)行說明。例如，對(duì)包含銻(Sb)、碳(C)、鋁(A1)的靶的制造方法進(jìn)行說明。準(zhǔn)備具有規(guī)定的粒徑的高純度的Sb的粉末、C的粉末以及A1的粉末，將這些以成為規(guī)定的混合比的方式進(jìn)行稱量而混合，并輸入到熱壓裝置。根據(jù)需要使熱壓裝置為真空，并以規(guī)定的高壓力和高溫度的條件下，保持規(guī)定時(shí)間，從而對(duì)混合粉末進(jìn)行燒結(jié)。并通過充分進(jìn)行混合，使靶的面內(nèi)/厚度方向的組成均一。另外，通過將壓力、溫度以及時(shí)間的條件最佳化，使得充填性提高，能夠這種高密度的靶。如此，完成了以規(guī)定的組成比包含Sb、C和A1的靶。燒結(jié)后，也可以根據(jù)需要使用In等焊錫，粘接于例如表面平滑的銅板。如此，能夠安裝于濺射裝置而進(jìn)行濺射。優(yōu)選為，本靶是密度(表示粉末的充填率，將完全沒有間隙地填充粉末的狀態(tài)作為100%而定義)較高。優(yōu)選為，是80%以上，更優(yōu)選為是90%以上。這里，對(duì)于粉末，不限于Sb的粉末、C的粉末以及A1的粉末那樣的單體元素，也可以是包含化合物的粉末。例如，也可以將具有規(guī)定的粒徑的高純度的Sb的粉末、C的粉末以及Sb—A1的粉末進(jìn)行混合，也可以將Sb的粉末和A1—C的粉末進(jìn)行混合。或者，也可以將Sb—C的粉末和A1的粉末進(jìn)行混合。即使任何的粉末的組合，也能夠利用上述的方法制造靶。接下來，實(shí)施在記錄層115的表面成膜界面層116的工序。界面層116也可以利用與界面層114同樣的制造方法實(shí)施。接下來，實(shí)施在界面層116的表面成膜電介質(zhì)層117的工序。電介質(zhì)層117也可以利用與電介質(zhì)層113同樣的制造方法實(shí)施。接下來，對(duì)形成透明層102的工序進(jìn)行說明。在成膜電介質(zhì)層117后，從濺射裝置取出順次層疊了從反射層112到電介質(zhì)層117后的基板101。由此，利用例如旋涂(7t。:/〕一卜)法在電介質(zhì)層117的表面涂布紫外線硬化性樹脂，并通過照射紫外線而使樹脂硬化，從而能夠形成目標(biāo)厚度的透明層102?；蛘撸軌蛟陔娊橘|(zhì)層117的表面利用旋涂法涂布紫外線硬化性樹脂，并在涂布后的紫外線硬化性樹脂上緊貼圓盤狀的薄板，從薄板側(cè)照射紫外線而使樹脂硬化，從而能夠成透明層102。或者，能夠通過緊貼具有粘接層的圓盤狀的薄板，而形成透明層102。透明層102也可以由物性不同的多層形成，也可以在電介質(zhì)層26117的表面設(shè)置其他的透明層后，形成透明層102?；蛘撸部梢?，在電介質(zhì)層117的表面形成透明層102后，在透明層102的表面在進(jìn)一步形成一層透明層。這些多數(shù)的透明層，也可以是各種粘度、硬度、折射率、透明性不同。如此，結(jié)束透明層形成工序。在透明層形成工序結(jié)束后，根據(jù)需要實(shí)施初始化工序。初始化工序是將作為非晶質(zhì)狀態(tài)的記錄層115照射例如半導(dǎo)體激光，而升溫到晶體化溫度以上使之晶體化的工序。通過使半導(dǎo)體激光的功率、信息記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)速度、半導(dǎo)體激光的向徑向的送給速度以及激光的焦點(diǎn)位置等最佳化，能夠?qū)嵤┝己玫某跏蓟ば颉３跏蓟ば蛞部梢栽谕该鲗有纬晒ば蛑皩?shí)施。如此，通過以從成膜反射層112的工序到形成透明層102的工序順次實(shí)施，能夠制造實(shí)施方式1的信息記錄介質(zhì)100。另外，本實(shí)施方式中，作為各層的成膜方法使用濺射法，但是不限于此，也能夠使用真空蒸鍍(蒸著)法、離子電鍍(7°1^—亍0夕、')法、化學(xué)氣相沉積(CVD)法、或分子外延(工t:。夕年〉)(MBE)法等。(實(shí)施方式2)作為本發(fā)明的實(shí)施方式2，對(duì)信息記錄介質(zhì)的一例進(jìn)行說明。圖2表示該信息記錄介質(zhì)200的部分剖面。信息記錄介質(zhì)200，順次配置在基板201上成膜的第1信息層210、中間層203、第2信息層220以及透明層202。第1信息層210，順次配置在基板201的一方的表面成膜的反射層212、電介質(zhì)層213、界面層214、記錄層215、界面層216以及電介質(zhì)層217而構(gòu)成。第2信息層220依次配置在中間層203的一方的表面成膜的電介質(zhì)層221、反射層222、電介質(zhì)層223、界面層224、記錄層225、界面層226以及電介質(zhì)層227而構(gòu)成。該方式中，激光10從透明層202的側(cè)入射。第1信息層210中，利用通過第2信息層220后的激光10進(jìn)行記錄再生。信息記錄介質(zhì)200中，能夠分別對(duì)兩個(gè)的記錄層記錄信息。例如，將波長(zhǎng)405nm附近的藍(lán)紫色域的激光用于進(jìn)行記錄再生，能夠得到具有上述實(shí)施方式1的2倍程度的50GB的容量的信息記錄介質(zhì)。信息記錄介質(zhì)200中，也可以按照CAV規(guī)格而使用。光學(xué)中，優(yōu)選為，兩個(gè)信息層的反射率大約是同等的，這是能夠通過對(duì)第1信息層210的反射率和第2信息層220的透過率分別調(diào)整而實(shí)現(xiàn)。在本實(shí)施方式中，作為一例對(duì)以實(shí)效反射率成為約Rc5%、Ra約1%的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)的構(gòu)成進(jìn)行說明。所謂實(shí)效反射率，定義為在將兩個(gè)信息層層疊的狀態(tài)中測(cè)定的、各信息層的反射率。在以第2信息層220的透過率為約50%的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)的情況下，按照第1信息層210單獨(dú)來說Rc約20%、Ra約4%，第2信息層220單獨(dú)來說Rc約5X、Ra約l^的方式，進(jìn)行設(shè)計(jì)。以下，根據(jù)第1信息層210的構(gòu)成順次進(jìn)行說明。從基板201以及第1信息層210的反射層212到電介質(zhì)層217，與實(shí)施方式1的從基板101以及信息層110的反射層112到電介質(zhì)層117的說明同樣，因此省略詳細(xì)的說明。中間層203是具有將激光10的第2信息層220中的焦點(diǎn)位置和第1信息層210中的焦點(diǎn)位置分離的功能，也可以根據(jù)需要，形成第2信息層220的導(dǎo)向槽。中間層203能夠由紫外線硬化性樹脂形成。優(yōu)選為，中間層203以激光10效率更高地到達(dá)第1信息層210的方式而相對(duì)于進(jìn)行記錄再生的波長(zhǎng)X的光透明。中間層203的厚度，優(yōu)選為(1)由對(duì)物透鏡的數(shù)值孔徑(開口數(shù))和激光波長(zhǎng)所決定的焦點(diǎn)深度以上，(2)記錄層215以及記錄層225間的距離在對(duì)物透鏡的可集光的范圍內(nèi)，(3)與透明層202的厚度相匹配而使用的對(duì)物透鏡所能夠容許的基板厚公差內(nèi)。因此，優(yōu)選為中間層203的厚度是10^m以上40/xm以下。也可以是根據(jù)需要將樹脂層以多層層疊而構(gòu)成中間層203。例如，也可以做成具有保護(hù)電介質(zhì)層217的層和具有導(dǎo)向槽的層的2層以上的構(gòu)成。接下來，對(duì)第2信息層220的構(gòu)成進(jìn)行說明。第2信息層220中，以激光10能夠到達(dá)第1信息層210的方式，并以成為高透過率的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)。具體來說，將記錄層225是晶體相時(shí)的第2信息層220的光透過率設(shè)為Tc(%)，將記錄層225為非晶質(zhì)相時(shí)的第2信息層220的光透過率設(shè)為Ta(%)時(shí)，優(yōu)選為成為40%■(Ta+Tc)/2。電介質(zhì)層221具有提高第2信息層220的光透過率的功能。優(yōu)選為，材料是透明的、且相對(duì)于波長(zhǎng)405nm的激光10折射率為2.4以上。電介質(zhì)層221的折射率越小，第2信息層220的反射率比Rc/Ra變得越大，光透過率變得越小。得到4以上的反射率比和50。％以上的光透過率的折射率是2.4以上。因此，若折射率小于2.4小于，則第2信息層220的光透過率降低，充分的激光10難于到達(dá)第1信息層210。作為材料，可以使用包含例如Zr02、Nb205、Bi203、Ce02、Ti02以及W03的中的至少其一的材料。其中，Ti02的折射率高至2.7，因耐濕性優(yōu)良，而優(yōu)選使用?；蛘撸部梢允褂冒?0mo1X以上的Zr02、Nb205、Bi203、Ce02、Ti02以及W03中的其中之一的材料。例如，也可以使用(Zr02)80(Cr203)20、(Bi203)60(Si02)40、(Bi203)60(Te02)40、(Ce02)50(Sn02)50、(Ti02)50(Hf02)50、(W03)75(Y203)25、(Nb205)50(Mn0)50、(A1203)50(Ti02)5()等?；蛘?，也可以使用混合了Zr02、Nb205、Bi203、Ce02、Ti02、W03中的至少其二的材料。例如，可以使用Bi2Ti40((Ti02)80(Bi203)20)、Bi4Ti3012((Ti02)60(Bi203)40)、Bi12TiO20、(W03)50(Bi203)50、(Ti02)50(Nb205)50、(Ce02)50(Ti02)50、(Zr02)50(Ti02)5()、(W03)67(Zr02)33等。另外，上述材料中的下標(biāo)表示mo1%。利用光學(xué)的計(jì)算，電介質(zhì)層221的膜厚為X/8n(nm)(入是激光10的波長(zhǎng)，n是電介質(zhì)層221的折射率)及其近旁中，第2信息層220的透過率成為最大值。反射率對(duì)比度(〕y卜，7卜)(Rc一Ra)/(Rc+Ra)在電介質(zhì)層221的膜厚為(入/16n)以上(入/4n)以下之間取最大值。因此，能夠以兩者兼顧的方式選擇電介質(zhì)層221的膜厚，優(yōu)選為9nm以上42nm以下，更優(yōu)選為10nm以上30nm以下。另外，電介質(zhì)層221也可以由2以上的層構(gòu)成。反射層222具有將記錄層225的熱快速地?cái)U(kuò)散的功能。另外，如上述的那樣，由于第2信息層220需要較高的光透過率，因此優(yōu)選為反射層222中的光吸收較小。因此，與反射層212比較，反射層222的材料以及厚度，進(jìn)一步被限定。優(yōu)選為，更薄地設(shè)計(jì)厚度，優(yōu)選光學(xué)中消衰系數(shù)較小、熱的熱傳導(dǎo)率較大的材料。具體來說，優(yōu)選為反射層222也可以使用Ag或Ag合金，也可以使用Ag—Pd、Ag—Pd—Cu、Ag—Ga、Ag—Ga—Cu、Ag—Cu、Ag—In—Cu等的合金材料?；蛘?，也可以使用在Ag或Ag—Cu中添加了稀土類金屬后的材料。其中，Ag一Pd—Cu、Ag—Ga—Cu、Ag—Cu、Ag_In—Cu的光吸收較小，熱傳導(dǎo)率較大，耐濕性優(yōu)良，因而優(yōu)選被使用。膜厚與記錄層的厚度匹配，但是優(yōu)選為7nm以上20nm以下。若比7nm薄，則使熱擴(kuò)散的功能降低，難于在記錄層225形成標(biāo)記。另外，若比20nm厚，則第2信息層220的光透過率變得不滿足40%。電介質(zhì)層223以及電介質(zhì)層227，具有調(diào)節(jié)光路長(zhǎng)nd、調(diào)節(jié)第2信息層220的Rc、Ra、Tc以及Ta的功能。例如，能夠以滿足40%^(Ta+Tc)/2、5%^Rc、Ra$1%的方式，利用基于矩陣法的計(jì)算嚴(yán)密地決定電介質(zhì)層223以及電介質(zhì)層227的光路長(zhǎng)nd。將折射率是23的電介質(zhì)材料作為電介質(zhì)層223以及電介質(zhì)層227的情況下，優(yōu)選為電介質(zhì)層227的厚度是10nm以上80nm以下，更優(yōu)選為20nm以上60nm以下。另外，電介質(zhì)層223的厚度，優(yōu)選為3nm以上40nm以下，更優(yōu)選為5nm以上30nm以下。材料，可以與實(shí)施方式1中的電介質(zhì)層113以及117同樣，但是由于反射層222優(yōu)選為Ag或Ag合金，因此電介質(zhì)層223優(yōu)選為不包含硫化物或Zn。另一方面，對(duì)于電介質(zhì)層227，優(yōu)選為使用透明性高的ZnS_Si02。界面層224以及界面層226，具有與實(shí)施方式1中的界面層114以及界面層116同樣的功能，材料也與優(yōu)選的膜厚同樣。另外，電介質(zhì)層223以不含硫化物或Zn的材料，且與記錄層225的緊貼性優(yōu)良的情況下，界面層224根據(jù)必要而設(shè)置。對(duì)于界面層226也同樣，在電介質(zhì)層227中使用ZnS—Si02的情況下，更優(yōu)選為設(shè)置界面層226。本發(fā)明的記錄層225，產(chǎn)生相變化，包含銻(Sb)、碳(C)、原子量小于33的輕元素(L)，各元素具有與實(shí)施方式1的記錄層115同樣的功能。另外，如已經(jīng)說明的那樣，第2信息層220需要較高的光透過率，記錄層225的膜厚變得平均比記錄層215的膜厚薄，優(yōu)選為4nm以上10nm以下。若超過10nm，則第2信息層220的光透過率降低，若小于4nm，則記錄層225的光學(xué)的變化變得較小。記錄層的膜厚變薄，則晶體化速度降低，記錄層225具有較大的晶體化速度的組成比較為合適。具體來說，Sb濯.x.yCxLy的將C和L調(diào)配后的組成比，優(yōu)選為40原子％以下。若為40原子％以下，則可以確保能夠與相當(dāng)于例如4倍速傳送率相對(duì)應(yīng)的晶體化速度，能夠得到良好的記錄消去特性。另外，為了確保低傳送率下的非晶質(zhì)狀態(tài)的穩(wěn)定性，優(yōu)選為，在記錄層225中，將C和L調(diào)配后的組成比是20原子。％以上。C和L的組成，可以相對(duì)于傳送率成為最佳的方式進(jìn)行選擇。為了維持較大的光學(xué)的變化和較大的晶體化速度，優(yōu)選為記錄層225中x^y。具體的組成，與Sb—C一B等記錄層115同樣。另外，本發(fā)明的記錄層，也可以至少包含在一層的信息層中。例如，在記錄層215是本發(fā)明的記錄層的情況下，記錄層225中也可以使用以往的改寫型記錄層。相反，在記錄層225為本發(fā)明的記錄層的情況下，記錄層215中也可以使用以往的改寫型記錄層。作為以往的改寫型記錄層，可以使用包含GeTe—Sb2Te3、GeTe—Bi2Te3、GeTe—SnTe—Sb2Te3、GeTe—SnTe—Bi2Te3、GeTe—Bi2Te3—In2Te3、GeTe—SnTe_Bi2Te3—In2Te3、GeTe—SbTe、GeTe—SnTe—SbTe、GeTe—SnTe—SbTe—BiTe、GeTe—SnTe、GeTe—SnTe—BiTe、GeTe—3BiTe等的化合物組成的材料、或者包含50X以上Sb的Ge—Sb、Ga—Sb、In—Sb、Sb—Te、Sb—Te—Ge等的材料?；蛘撸谟涗泴?15是本發(fā)明的記錄層的情況下，第2信息層220也可以是再生專用型信息層或追記型信息層。相反，在記錄層225是本發(fā)明的記錄層的情況下，第1信息層210也可以是再生專用型信息層或追記型信息層。追記型信息層中，作為記錄層，也可以使用包含Te—0、Sb—0、Ge—O、Sn_0、In_0、Zn—O、Mo—0以及W—O等中的至少其中之一的氧化物、將2以上的層層疊而在記錄時(shí)使之合金化或反應(yīng)的材料、或有機(jī)色素系記錄材料等。再生專用型信息層中，也可以在預(yù)先形成記錄坑(匕。:y卜)，作為反射層可以形成包含金屬元素、金屬合金、電介質(zhì)、電介質(zhì)化合物、半導(dǎo)體元素、半金屬元素中的至少其中之一的材料等。例如，也可以形成包含Ag或Ag合金的反射層。透明層202使用與基板101同樣為圓盤狀、透明且表面的平滑的層。至于透明層202，能夠使用具有與實(shí)施方式1的透明層102和同樣的功能、同樣的材料。從透明層202的表面到第1信息層210的記錄層215的距離，優(yōu)選為是80Mm以上120/xm以下，更優(yōu)選為是90/xm以上110jLim以下。例如，可以是，中間層203為25/xm，透明層202為75/im。也可以是，中間層203為20j^m，透明層202為70/1m。也可以是，中間層203為30/xm，透明層202為80/im。優(yōu)選為，透明層202的膜厚是40/xm以上110/xm以下，更優(yōu)選為是50/im以上100^m以下。接著，對(duì)制造實(shí)施方式2的信息記錄介質(zhì)200的方法進(jìn)行說明。信息記錄介質(zhì)200，在成為支撐體的基板201上順次形成第1信息層210、中間層203、第2信息層220、透明層202。將形成有導(dǎo)向槽(溝槽面和平坦面)的基板201配置于濺射裝置，在基板201的形成有導(dǎo)向槽的表面，以與實(shí)施方式1的成膜反射層112的工序到成膜介質(zhì)層117的工序同樣的方式，實(shí)施從成膜反射層212工序到成膜電介質(zhì)層217的工序。如此，在基板201上形成第1信息層210。將形成了第1信息層210后的基板201從濺射裝置取出，而形成中間層203。中間層203按照以下順序形成。首先，在電介質(zhì)層217的表面，利用例如旋涂法而涂布紫外線硬化性樹脂。接下來，將具有與應(yīng)該形成在中間層的導(dǎo)向槽相補(bǔ)的凹凸的聚碳酸酯基板的凹凸形成面，緊貼在紫外線硬化性樹脂。在該狀態(tài)下照射紫外線而使樹脂硬化后，將具有凹凸的聚碳酸酯基板剝離。藉此，在紫外線硬化性樹脂上形成與所述凹凸相補(bǔ)的形狀的導(dǎo)向槽，并形成具有應(yīng)該形成的導(dǎo)向槽中間層203。在基板201上形成的導(dǎo)向槽和在中間層203形成的導(dǎo)向槽的形狀，可以是同樣的，也可以是不同樣的。在其他方法中，也可以通過，由紫外線硬化性樹脂形成用于保護(hù)電介質(zhì)層217的層，并在其上形成具有導(dǎo)向槽的層，從而形成中間層203。在該情況下，所得到的中間層是2層構(gòu)造。或者，也可以層疊3以上的層而構(gòu)成中間層。另外，除了旋涂方法外，也可以利用印刷方法、噴墨方法以及澆鑄(年亇7亍一y夕、')方法，形成中間層203。將形成到中間層203后的基板201再次配置于濺射裝置，而在中間層203的具有導(dǎo)向槽的面上，成膜電介質(zhì)層221。電介質(zhì)層221也通過對(duì)包含構(gòu)成電介質(zhì)層221的元素、混合物或化合物的靶進(jìn)行濺射，而成膜。也可以使用高頻電源，在稀有氣體氣氛氣中，或氧氣和/或氮?dú)夂拖∮袣怏w的混合氣體氣氛氣中，實(shí)施濺射。如果可能，也可以使用直流電源、脈沖發(fā)生式直流電源。稀有氣體，可以是Ar氣體、Kr氣體、Xe氣體的其中之一。作為成膜電介質(zhì)層221的靶，也可以使用包含Zr—O、Nb—0、Bi—0、Ce—0、Ti一O以及W—O的中其中之一的材料。或者，也可以使用包含50mo1X以上Zr—0、Nb—0、Bi一0、Ce—0、Ti一O以及W—O中的其中之一的材料。以能夠形成電介質(zhì)層221的材料的方式?jīng)Q定靶的材料/組成。因?yàn)R射裝置，有時(shí)靶的組成和所形成的電介質(zhì)層的組成不一致，因此在該情況下調(diào)整靶的組成，能夠得到目標(biāo)組成的電介質(zhì)層221。另外，在濺射中氧缺損的情況下存在氧化物，因此，也可以使用抑制了氧缺損后的靶，或者在稀有氣體中混合了10%以下的少量的氧氣的氣氛氣中濺射。另外，也可以使用金屬、半金屬以及半導(dǎo)體材料的靶，在稀有氣體混合了10%以上的較多的氧氣的氣氛氣中、或在稀有氣體中混合了氧氣和氮?dú)獾臍夥諝庵?，利用反?yīng)性濺射而形成電介質(zhì)層221?；蛘?，也能夠通過使用多個(gè)電源同時(shí)濺射單體的化合物的各個(gè)的靶，而形成電介質(zhì)層221。另外，也能夠通過使用多個(gè)電源，對(duì)將2以上的化合物組合后的2元系靶、3元系靶等同時(shí)進(jìn)行濺射而形成電介質(zhì)層221。即使在使用這些靶的情況下，也可以在稀有氣體氣氛氣中、或氧氣和/或氮?dú)夂拖∮袣怏w的混合氣體氣氛氣中，實(shí)施濺射。接著，在電介質(zhì)層221的表面，以與實(shí)施方式1的成膜反射層112的工藝到成膜電介質(zhì)層117的工藝相同的方式，實(shí)施從成膜反射層222的工序到成膜電介質(zhì)層227的工序。應(yīng)該注意的是，如已經(jīng)敘述的那樣，反射層222的優(yōu)選膜厚薄至5nm以上15nm以下，因此在成膜反射層222的工序中，電源的輸出比成膜反射層112的情況小也可以。另外，對(duì)于本發(fā)明的記錄層225，優(yōu)選的膜厚薄到4nm以上10nm以下，因此在成膜記錄層225的工序中，電源的輸出比成膜記錄層115的情況小也可以。如此，在中間層203上形成第2信息層220。從濺射裝置取出形成到第2信息層220后的基板201。此后，與在電介質(zhì)層227的表面形成實(shí)施方式1的透明層102的工序同樣，形成透明層202，并結(jié)束透明層形成工序。在透明層形成工序結(jié)束后，根據(jù)需要，實(shí)施第1信息層210以及第2信息層220的初始化工序。初始化工序，在形成中間層203前或后，針對(duì)第1信息層210實(shí)施，也可以在形成透明層202前或后，針對(duì)第2信息層220實(shí)施?；蛘撸部梢栽谛纬赏该鲗?02前或后，針對(duì)第1信息層210以及第2信息層220實(shí)施初始化工序。如此，能夠制造實(shí)施方式2的信息記錄介質(zhì)200。(實(shí)施方式3)作為本發(fā)明的實(shí)施方式3，說明信息記錄介質(zhì)的一例。圖3表示其信息記錄介質(zhì)300的部分剖面。順次配置在基板301上成膜的第1信息層310、中間層303、第2信息層320、中間層304、第3信息層330以及透明層302而形成信息記錄介質(zhì)300。通過順次配置在基板301的一方的表面成膜的反射層312、電介質(zhì)層313、界面層314、記錄層315、界面層316以及電介質(zhì)層317而形成第1信息層310。通過順次配置在中間層303的一方的表面成膜的電介質(zhì)層321、反射層322、電介質(zhì)層323、界面層324、記錄層325、界面層326以及電介質(zhì)層327而形成第2信息層320。通過順次配置在中間層304的一方的表面成膜的電介質(zhì)層331、反射層332、電介質(zhì)層333、界面層334、記錄層335、界面層336以及電介質(zhì)層337而形成第3信息層330。在該方式中，激光10從透明層302的側(cè)入射。第1信息層310中，利用通過第3信息層330以及第2信息層320后的激光10而進(jìn)行記錄再生。信息記錄介質(zhì)300中，能夠在3個(gè)記錄層分別記錄信息。例如，將波長(zhǎng)405nm附近的藍(lán)紫色域的激光使用于記錄再生，能夠得到上述實(shí)施方式1的3倍程度的、具有75GB的容量的信息記錄介質(zhì)?；蛘?，為了提高記錄密度而將每1信息層的容量做成約33GB，能夠得到具有3層的信息層、100GB的容量的信息記錄介質(zhì)。信息記錄介質(zhì)300中，也可以按照CAV規(guī)格使用。光學(xué)上，優(yōu)選為3個(gè)信息層的實(shí)效反射率大致同等，這是通過對(duì)第1、第2和第3信息層的反射率以及第2和第3信息層的透過率分別進(jìn)行調(diào)整而達(dá)成的。在本實(shí)施方式中，作為一例說明了實(shí)效反射率以Rc約2.5%、Ra約0.5%的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)的構(gòu)成。在以第3信息層330的透過率((Tc+Ta)/2)成為約65%，第2信息層320的透過率成為約55%的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)的情況下，以第1信息層310單獨(dú)為Rc約20X、Ra約4X，第2信息層320單獨(dú)為Rc約6X、Ra約1.2X，第3信息層330單獨(dú)為Rc約2.5X、Ra約0.5X的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)。接下來，對(duì)基板301、中間層303、中間層304以及透明層302的功能、材料以及厚度進(jìn)行說明?；?01，具有與實(shí)施方式l的基板IOI同樣的功能，能夠使用同樣的形狀以及材料。中間層303，具有將激光10的第2信息層320中的焦點(diǎn)位置和第1信息層310中的焦點(diǎn)位置分離的功能，也可以根據(jù)需要，形成第2信息層320的導(dǎo)向槽。同樣，中間層304，具有將激光10的第3信息層330中的焦點(diǎn)位置和第2信息層320中的焦點(diǎn)位置分離的功能，并可以根據(jù)需要形成第3信息層330的導(dǎo)向槽。中間層303以及304，能夠利用紫外線硬化性樹脂形成。對(duì)于透明層302，也具有與實(shí)施方式1的透明層102同樣的功能，能夠使用同樣的材料。從透明層302的表面到第1信息層310的記錄層315的距離，與實(shí)施方式2同樣，優(yōu)選為成為80jLtm以上120/xm以下。此外，優(yōu)選為，以來自第1信息層310、第2信息層320和第3信息層330的信號(hào)的再生，以及向這些信息層的信號(hào)的記錄/消去/改寫，互相不受來自其他的信息層的影響地良好地進(jìn)行的方式，使得中間層303和中間層304的膜厚不同。優(yōu)選為，各中間層的膜厚在3pm以上30Mm以下的范圍中選擇，更優(yōu)選為在10/im以上30Mm以下的范圍中進(jìn)行選擇。例如，以從透明層302的表面到記錄層315的距離成為lOOMm的方式，設(shè)定中間層303、中間層304、透明層302的膜厚。作為一例，能夠以中間層303為23j[im、中間層304為14gm、透明層302為63/im的方式進(jìn)行設(shè)定。或者，能夠順次設(shè)定為16/^m、24/xm、6(^m。優(yōu)選為，透明層302的膜厚是20/im以上100/im以下，更優(yōu)選為是30jLim以上80/xm以下。本實(shí)施方式中，中間層也是具有保護(hù)信息層的層和具有導(dǎo)向槽的層的2層以上的構(gòu)成。以下，根據(jù)第1信息層310的構(gòu)成順次進(jìn)行說明。從第1信息層310的反射層312到電介質(zhì)層317，與實(shí)施方式1的從信息層110的反射層112到電介質(zhì)層117的說明同樣，因此省略詳細(xì)的說明。接著，對(duì)第2信息層320的構(gòu)成進(jìn)行說明。以激光10能夠到達(dá)第1信息層310的方式，并以能夠成為高透過率的方式設(shè)計(jì)第2信息層320。電介質(zhì)層321，具有與實(shí)施方式2中的電介質(zhì)層221同樣的功能，優(yōu)選的材料也同樣。第2信息層320中，以能夠得到4以上的反射率比和55%以上的光透過率的方式，電介質(zhì)層321的膜厚是2nm以上30nm以下。反射層322，具有與實(shí)施方式2中的反射層222同樣的功能。優(yōu)選的材料也同樣。優(yōu)選為，膜厚是5nm以上18nm以下。若比5nm更薄，則使熱擴(kuò)散的功能降低，在記錄層325難于形成標(biāo)記。另外，若比18nm厚，則第2信息層320的光透過率不滿50%。電介質(zhì)層323以及電介質(zhì)層327，具有與實(shí)施方式2中的電介質(zhì)層223以及電介質(zhì)層227同樣的功能，優(yōu)選的材料也同樣。將折射率是23的電介質(zhì)材料作為電介質(zhì)層323以及電介質(zhì)層327的情況下，電介質(zhì)層327的厚度優(yōu)選為10nm以上80nm以下，更優(yōu)選為20nm以上60nm以下。另外，電介質(zhì)層323的厚度，優(yōu)選為2nm以上40nm以下，更優(yōu)選為3nm以上30nm以下。界面層324以及界面層326，具有與實(shí)施方式1中的界面層114以及116同樣的功能，材料的優(yōu)選膜厚也同樣。另外，也可以與實(shí)施方式1同樣根據(jù)需要設(shè)置界面層324以及界面層326。本發(fā)明的記錄層325產(chǎn)生相變化，并包含銻(Sb)、碳(C)、以及原子量小于33的輕元素(L)，各元素具有與實(shí)施方式1的記錄層115同樣的功能。另外，第2信息層320也需要55%以上的光透過率，因此記錄層325的膜厚優(yōu)選為3nm以上9nm以下。若超過9nm，則第2信息層320的光透過率降低，若不足3nm，則記錄層325的光學(xué)的變化變小。若記錄層的膜厚變薄，則晶體化速度降低，因此記錄層325具有更大的晶體化速度的組成比，較為適宜。具體來說，Sb1()。.x.yCxLy的調(diào)配C和L的組成比，優(yōu)選為15原子％以上35原子％以下。若在該范圍中，則能夠得到與例如4倍速相當(dāng)?shù)膫魉吐省⑶伊己玫挠涗浵ヌ匦?，并能夠確保低傳送率的非晶質(zhì)狀態(tài)的穩(wěn)定性。為了維持較大的光學(xué)變化和較大的晶體化速度，記錄層325中也優(yōu)選為x^y。具體的組成，與Sb—C一B等記錄層115同樣。接著，對(duì)第3信息層330的構(gòu)成進(jìn)行說明。以激光10能夠到達(dá)第1信息層310以及第2信息層320的方式，并以成為比第2信息層320更高的透過率的方式設(shè)計(jì)第3信息層330。電介質(zhì)層331具有與電介質(zhì)層321同樣的功能，優(yōu)選的材料也同樣。在第3信息層330中，以能夠得到4以上的反射率比和65%以上的光透過率的方式，優(yōu)選為膜厚是2nm以上30nm以下。反射層332，具有與反射層322同樣的功能，優(yōu)選的材料也同樣。膜厚優(yōu)選為5nm以上20nm以下。若比5nm薄，則使熱擴(kuò)散的功能降低降低難于在記錄層335形成標(biāo)記。另夕卜，若比20nm厚，則第3信息層330的光透過率不滿60%。電介質(zhì)層333以及337，具有與電介質(zhì)層323以及327同樣的功能，優(yōu)選為材料和膜厚也同樣。界面層334以及界面層336，與實(shí)施方式1的界面層114以及116同樣。本發(fā)明的記錄層335產(chǎn)生相變化，并包含銻(Sb)、碳(C)、原子量小于33的輕元素(L)，各元素具有與實(shí)施方式1的記錄層115同樣的功能。另外，由于第3信息層330需要65%以上的光透過率，因此優(yōu)選為記錄層335的膜厚是2nm以上7nm以下。若超過7nm，則第3信息層330的光透過率降低，若小于2nm，則記錄層335的光學(xué)的變化變小。若記錄層的膜厚變薄，則晶體化速度降低，因此記錄層335具有較大的晶體化速度的組成比是適宜的。具體來說，Sb1Q。.x.yCxLy的調(diào)和C和L的組成比，優(yōu)選為10原子％以上30原子％以下。若處于該范圍，則能夠以與例如4倍速相當(dāng)?shù)膫魉吐实玫搅己玫挠涗浵ヌ匦裕⒛軌蛞缘蛡魉吐蚀_保非晶質(zhì)狀態(tài)的穩(wěn)定性。為了維持較大的光學(xué)性變化和較大的晶體化速度，優(yōu)選為記錄層335中x^y。具體的組成，與Sb—C一B等記錄層115同樣。另外，與實(shí)施方式2同樣，本發(fā)明的記錄層，也可以至少包含在一層的信息層中。例如，在記錄層315是本發(fā)明的記錄層的情況下，在記錄層325以及記錄層335中也可以使用以往的改寫型記錄層。在記錄層325和記錄層335是本發(fā)明的記錄層的情況下，在記錄層315中也可以使用以往的改寫型記錄層。作為以往的改寫型記錄層，也可以使用實(shí)施方式2所記載的材料。或者，在記錄層315是本發(fā)明的記錄層的情況下，信息層320和330也可以是再生專用型信息層或追記型信息層。在記錄層335和記錄層325是本發(fā)明的記錄層的情況下，信息層310也可以是再生專用型信息層或追記型信息層。能夠用于追記型信息層和再生專用型信息層的記錄層的材料，也可以使用實(shí)施方式2中記載的材料。接著，對(duì)制造實(shí)施方式3的信息記錄介質(zhì)300的方法進(jìn)行說明。信息記錄介質(zhì)300，順次形成成為支撐體的基板301上的第1信息層310、中間層303、第2信息層320、中間層304、第3信息層330、透明層302。將形成有導(dǎo)向槽(溝槽面和平坦面)的基板301配置在濺射裝置，并在形成有基板301的導(dǎo)向槽的表面上，與實(shí)施方式1的從成膜反射層112的工序到成膜電介質(zhì)層117的工序同樣的方式實(shí)施從成膜反射層312的工序到成膜電介質(zhì)層317的工序。如此，在基板301上形成第1信息層310。并從濺射裝置取出形成了第1信息層310后的基板301，形成中間層303。與實(shí)施方式2的形成中間層203的工序同樣實(shí)施形成中間層303的工序。將形成到中間層303后的基板301再次配置于濺射裝置，在具有中間層303的導(dǎo)向槽的面上，與實(shí)施方式2的從成膜電介質(zhì)層221的工序到成膜電介質(zhì)層227的工序同樣地實(shí)施從成膜電介質(zhì)層321的工序到成膜電介質(zhì)層327。如此，在中間層303上形成第2信息層320。從濺射裝置取出形成倒第2信息層320后的基板301，并與中間層303同樣，形成中間層304。將形成到中間層304后的基板301再次配置于濺射裝置，在中間層304的具有導(dǎo)向槽的面上，與從成膜上述的電介質(zhì)層321的工序到成膜電介質(zhì)層327的工序同樣實(shí)施從成膜電介質(zhì)層331的工序到成膜電介質(zhì)層337的工序。如此，在中間層304上形成第3信息層330。從濺射裝置取出形成到第3信息層330后的基板301。此后，在電介質(zhì)層337的表面，與實(shí)施方式1的形成透明層102的工序同樣，形成透明層302，并結(jié)束透明層形成工序。在透明層形成工序結(jié)束后，根據(jù)需要，實(shí)施第1信息層310、第2信息層320以及第3信息層330的初始化工序。在形成中間層303前或后，針對(duì)第1信息層310實(shí)施初始化工序，也可以在形成中間層304前或后，針對(duì)第2信息層320實(shí)施，也可以在形成透明層302前或后，針對(duì)第3信息層330實(shí)施。或者，也可以在形成透明層302前或后，針對(duì)第1信息層310、第2信息層320以及第3信息層330實(shí)施初始化工序。本發(fā)明的效果，不依賴于初始化工序的實(shí)施順次。如此，能夠制造實(shí)施方式3的信息記錄介質(zhì)300。(實(shí)施方式4)作為本發(fā)明的實(shí)施方式4，對(duì)信息記錄介質(zhì)的一例進(jìn)行說明。圖4表示其信息記錄介質(zhì)400的部分剖面。信息記錄介質(zhì)400中，順次配置在基板401上成膜的第1信息層410、中間層403、第2信息層420、中間層404、第3信息層430、中間層405、第4信息層440以及透明層402。第1信息層410中，順次配置在基板401的一方的表面成膜的反射層412、電介質(zhì)層413、界面層414、記錄層415、界面層416以及電介質(zhì)層417。順次配置在中間層403的一方的表面成膜的電介質(zhì)層421、反射層422、電介質(zhì)層423、界面層424、記錄層425、界面層426以及電介質(zhì)層427而形成第2信息層420。通過順次配置在中間層404的一方的表面成膜的電介質(zhì)層431、反射層432、電介質(zhì)層433、界面層434、記錄層435、界面層436以及電介質(zhì)層437而形成信息層430。通過順次配置在中間層405的一方的表面成膜的電介質(zhì)層441、反射層442、電介質(zhì)層443、界面層444、記錄層445、界面層446以及電介質(zhì)層447而形成第4信息層440。該方式中，激光10從透明層402側(cè)入射。第1信息層410中，利用通過第4信息層440、第3信息層430以及第2信息層420后的激光10進(jìn)行記錄再生。信息記錄介質(zhì)400中，能夠在4層的記錄層分別記錄信息。例如，將波長(zhǎng)405nm附近的藍(lán)紫色域的激光使用于記錄再生，能夠得到上述實(shí)施方式1的4倍程度的、具有100GB的容量的信息記錄介質(zhì)。或者，通過提高記錄密度而使得每1信息層的容量為約33GB，能夠得到以4層的信息層具有133GB的容量的信息記錄介質(zhì)。信息記錄介質(zhì)400中，也可以按照CAV規(guī)格使用。光學(xué)上，優(yōu)選為4個(gè)信息層的實(shí)效反射率大致同等，其通過分別調(diào)整第l、第2、第3以及第4信息層的反射率和第2、第3以及第4信息層的透過率而達(dá)成。本實(shí)施方式中，作為一例，說明以實(shí)效反射率成為Rc約1.3X、Ra約0.3X的方式設(shè)計(jì)的構(gòu)成。以第4信息層440的透過率約為68%，第3信息層430的透過率成為約為65。％，第2信息層420的透過率約為55%的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)的情況下，第1信息層410單獨(dú)為Rc約22%、Ra約4%，第2信息層420單獨(dú)為Rc約6X、Ra約1.3。％，第3信息層430單獨(dú)為Rc約3X、Ra約0.6X以及第4信息層440單獨(dú)為Rc約1.3%、Ra約0.3X的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)。接下來，對(duì)基板401、中間層403、中間層404、中間層405以及透明層402的功能、材料以及厚度進(jìn)行說明?；?01，具有與實(shí)施方式1的基板101同樣的功能，并能夠使用同樣的形狀以及材料。中間層403，具有將激光10的第2信息層420中的焦點(diǎn)位置和第1信息層410中的焦點(diǎn)位置分離的功能，并且也可以根據(jù)需要形成第2信息層420的導(dǎo)向槽。同樣地，中間層404，具有將激光10的第3信息層430中的焦點(diǎn)位置和第2信息層420中的焦點(diǎn)位置分離的功能，并且也可以根據(jù)需要形成第3信息層430的導(dǎo)向槽。中間層405具有將激光10的第4信息層440中的焦點(diǎn)位置和第3信息層430中的焦點(diǎn)位置分離的功能，并且也可以根據(jù)需要形成第4信息層440的導(dǎo)向槽。中間層403、404以及405均能夠由紫外線硬化性樹脂形成。對(duì)于透明層402，具有與實(shí)施方式1的透明層102同樣的功能，并能夠使用同樣的材料。從透明層402的表面到第1信息層410的記錄層415的距離，優(yōu)選為，與實(shí)施方式2同樣，為80^m以上120^m以下。此外，優(yōu)選為中間層403、中間層404以及中間層405的膜厚不同，以使得來自第1信息層、第2信息層、第3信息層以及第4信息層的信號(hào)的再生，和向這些信息層的信號(hào)的記錄消去改寫，互相不受來自其他信息層的影響而良好地進(jìn)行。優(yōu)選為從3/xm以上30Aim以下的范圍各中間層的膜厚，更優(yōu)選為從6/un以上28/xm以下的范圍中選擇。例如，也可以按照從透明層402的表面到記錄層415的距離成為lOO]itm的方式，設(shè)定中間層403、中間層404、中間層405、透明層402的膜厚。作為一例，能夠以中間層403為22]Lim、中間層404為18|Ltm，中間層405為10/xm、透明層402為50^m的方式進(jìn)行設(shè)定?；蛘?，也能夠?qū)⒅虚g層403設(shè)定為18/xm，將中間層404設(shè)定為25/mi，將中間層405設(shè)定為14/mi，將透明層402設(shè)定為43/xm。優(yōu)選為，透明層302的膜厚為lOjnm以上90jtim以下，更優(yōu)選為2(^m以上80)um以下。本實(shí)施方式中，也按照中間層成為具備保護(hù)信息層的層和具有導(dǎo)向槽的層和的2層以上的構(gòu)成。以下，根據(jù)第1信息層410的構(gòu)成順次進(jìn)行說明。第1信息層410的從反射層412到電介質(zhì)層417，與實(shí)施方式1的從信息層110的反射層112到電介質(zhì)層117的說明同樣，因此省略詳細(xì)的說明。接著，對(duì)第2信息層420的構(gòu)成進(jìn)行說明。第2信息層420，以激光10能夠到達(dá)第1信息層410的方式，并以成為高透過率的方式設(shè)計(jì)。從電介質(zhì)層421到電介質(zhì)層427，與實(shí)施方式3中的從第2信息層320的電介質(zhì)層321到電介質(zhì)層327的說明同樣，因此省略詳細(xì)的說明。接著，對(duì)第3信息層430的構(gòu)成進(jìn)行說明。第3信息層430、激光10到達(dá)第1信息層410以及第2信息層420的方式，比第2信息層420成為更高透過率的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)。從電介質(zhì)層431到電介質(zhì)層437，與實(shí)施方式3中的從第3信息層330的電介質(zhì)層331到電介質(zhì)層337的說明同樣。電介質(zhì)層433以及437，使用折射率從2到3的電介質(zhì)材料，電介質(zhì)層437的厚度優(yōu)選為10nm以上80nm,更優(yōu)選為20nm以上60nm以下。另外，電介質(zhì)層433的厚度，優(yōu)選為2nm以上40nm以下，更優(yōu)選為3nm以上30nm以下。其他的詳細(xì)說明省略。接著，對(duì)第4信息層440的構(gòu)成進(jìn)行說明。以激光10能夠到達(dá)第1信息層410、第2信息層420以及第3信息層430到達(dá)的方式，并以成為比第3信息層430更高透過率的方式設(shè)計(jì)第4信息層440。電介質(zhì)層441具有與電介質(zhì)層431同樣的功能，優(yōu)選的材料也同樣。第4信息層440中，優(yōu)選為膜厚是2nm以上30nm以下，以使得能夠得到4以上的反射率比和68%以上的光透過率。反射層442具有與反射層432同樣的功能，優(yōu)選的材料也同樣。至于膜厚，由于記錄層較薄因此能夠較厚地設(shè)定，并能夠以反射率比和透過率良好的方式?jīng)Q定。優(yōu)選為5nm以上25nm以下。若比5nm薄，則使熱擴(kuò)散的功能降低，難于在記錄層445中形成標(biāo)記。另外，若比25nm厚，則即使記錄層較薄，第4信息層440的光透過率也不滿足65%。電介質(zhì)層443以及電介質(zhì)層447，具有與電介質(zhì)層433和電介質(zhì)層437同樣的功能，優(yōu)選的材料和膜厚也同樣。界面層444和界面層446，與實(shí)施方式1的界面層114和界面層116同樣。本發(fā)明的記錄層445，產(chǎn)生相變化，并包含銻(Sb)、碳(C)、原子量小于33的輕元素(L)，各元素具有與實(shí)施方式1的記錄層115同樣的功能。另外，第4信息層440需要68%以上的光透過率，優(yōu)選為記錄層445的膜厚是lnm以上7nm以下。若超過7nm，則第4信息層440的光透過率降低，若不足lnm，則記錄層445的光學(xué)的變化變小。若記錄層的膜厚變薄，則晶體化速度降低，因此記錄層445具有較大的晶體化速度的組成比是適宜的。具體來說，優(yōu)選為，Sb腦-x.yCxLy的包含C和L的組成比是2原子％以上25原子％以下。若在該范圍中，則能夠得到與例如4倍速相當(dāng)?shù)膫魉吐?，且良好的記錄消去特性，并能夠確保低傳送率下的非晶質(zhì)狀態(tài)的穩(wěn)定性。為了維持較大的光學(xué)的變化和較大的晶體化速度，優(yōu)選為記錄層445中也有x^y。具體的組成，與Sb—C一B等記錄層115同樣。另外，實(shí)施方式3同樣，本發(fā)明的記錄層，也可以至少包含于一層的信息層。例如，在記錄層415是本發(fā)明的記錄層的情況下，也可以在記錄層425、記錄層435以及記錄層445中使用以往的改寫型記錄層。在記錄層425、記錄層435和記錄層445是本發(fā)明的記錄層的情況下，也可以在記錄層415中使用以往的改寫型記錄層。作為以往的改寫型記錄層，也可以使用實(shí)施方式2中記載的材料?；蛘?，在記錄層415是本發(fā)明的記錄層的情況下，第2信息層420、第3信息層430和第4信息層440也可以是再生專用型信息層或追記型信息層。在記錄層435和記錄層425是本發(fā)明的記錄層的情況下，第1信息層410以及第4信息層440也可以是再生專用型信息層或追記型信息層。能夠用于追記型信息層和再生專用型信息層的記錄層的材料，也可以使用實(shí)施方式2中記載的材料。接著，對(duì)制造實(shí)施方式4的信息記錄介質(zhì)400的方法進(jìn)行說明。信息記錄介質(zhì)400，在成為支撐體的基板401上順次形成第1信息層410、中間層403、第2信息層420、中間層404、第3信息層430、中間層405、第4信息層440、透明層402。將形成有導(dǎo)向槽(溝槽面和平坦面)的基板401配置于濺射裝置，并在形成有基板401的導(dǎo)向槽的表面，與實(shí)施方式1的從成膜反射層112的工序到成膜電介質(zhì)層117的工序同樣地實(shí)施成膜反射層412的工序到成膜電介質(zhì)層417的工序。如此，在基板401上形成第1信息層410。從濺射裝置取出形成了第1信息層410后的基板401，并形成中間層403。與實(shí)施方式2的形成中間層203的工序同樣地實(shí)施形成中間層403的工序。將形成到中間層403后的基板401再次配置于濺射裝置，而在具有中間層403的導(dǎo)向槽的面，與實(shí)施方式2的成膜電介質(zhì)層221的工序到成膜電介質(zhì)層227的工序同樣地實(shí)施從成膜電介質(zhì)層421的工序到成膜電介質(zhì)層427的工序。如此，在中間層403上形成第2信息層420。將形成到第2信息層420后的基板401從濺射裝置取出，并與中間層403同樣，形成中間層404。將形成到中間層404后的基板401再次配置于濺射裝置，并在具有中間層404的導(dǎo)向槽的面上，將從成膜上述的電介質(zhì)層421的工序到成膜電介質(zhì)層427的工序同樣地實(shí)施從成膜電介質(zhì)層431的工序到成膜電介質(zhì)層437的工序。如此，在中間層404上形成第3信息層430。將形成到第3信息層430形成后的基板401從濺射裝置取出，并與中間層404同樣，形成中間層405。將形成到中間層405形成的基板401再次配置于濺射裝置，并在具有中間層405的導(dǎo)向槽的面上，與從成膜上述的電介質(zhì)層431的工序到成膜電介質(zhì)層437的工序同樣地實(shí)施從充滿電介質(zhì)層441的工序到成膜電介質(zhì)層447的工序。如此，在中間層405上形成第4信息層440。將形成到第4信息層440的基板401從濺射裝置取出。此后，在電介質(zhì)層447的表面，與形成實(shí)施方式1的透明層102的工序同樣地，形成透明層402，并結(jié)束透明層形成工序。透明層形成工序結(jié)束后，根據(jù)需要，實(shí)施第1信息層410、第2信息層420、第3信息層430以及第4信息層440的初始化工序。初始化工序，也可以，在形成中間層403前或后，針對(duì)第1信息層410進(jìn)行實(shí)施，并在形成中間層404前或后，針對(duì)第2信息層420實(shí)施，在形成中間層405前或后，針對(duì)第3信息層430實(shí)施，在形成透明層402前或后，針對(duì)第4信息層440實(shí)施?；蛘?，也可以在形成透明層402前或后，針對(duì)第1信息層410、第2信息層420、第3信息層430以及第4信息層440而實(shí)施初始化工序。本發(fā)明的效果，不依賴于初始化工序的實(shí)施順序。如此，能夠制造實(shí)施方式4的信息記錄介質(zhì)400。(實(shí)施方式5)作為本發(fā)明的實(shí)施方式5，說明信息記錄介質(zhì)的一例。圖5表示該信息記錄介質(zhì)500的一部分剖面。信息記錄介質(zhì)500中，在基板501上隔著各個(gè)中間層而形成第1信息層510、第2信息層520、第3信息層530、''以及第N信息層5N0，并進(jìn)一步形成透明層502。該方式中，激光10也從透明層502側(cè)入射。第1信息層510中，利用通過第N信息層5N0、、第3信息層530以及第2信息層520后的激光10進(jìn)行記錄再生。信息記錄介質(zhì)500中，能夠在N個(gè)記錄層分別記錄信息。例如，如果是N二5，則能夠?qū)⒉ㄩL(zhǎng)405nm附近的藍(lán)紫色域的激光使用于記錄再生，并能夠得到具有上述實(shí)施方式1的5倍程度的125GB以上的容量的信息記錄介質(zhì)?；蛘?，也能夠提高記錄密度而使每1信息層的容量為約33GB,并得到5個(gè)的信息層具有165GB的容量的信息記錄介質(zhì)。信息記錄介質(zhì)500中，也可以按照CAV格式使用。與實(shí)施方式4同樣，本發(fā)明的記錄層，也可以包含于至少一層的信息層。例如，第N信息層5N0包含本發(fā)明的記錄層的情況下，從第1到第(N—l)的信息層，可以包含以往的改寫型記錄層，也可以包含再生專用型記錄層或追記型記錄層?；蛘?，在第1信息層510包含本發(fā)明的記錄層的情況下，第2第N信息層可以包含以往的改寫型記錄層，也可以包含再生專用型記錄層或追記型記錄層。對(duì)于各信息層的詳細(xì)的構(gòu)成，與已經(jīng)敘述的實(shí)施方式同樣，因此省略說明。另外，信息記錄介質(zhì)500與上述實(shí)施方式的記載同樣，在基板501的形成有溝槽的面上，能夠通過層疊信息層和中間層而制造。成膜工序中，中間層形成工序、透明層形成工序、以及初始化工序與已經(jīng)敘述的實(shí)施方式同樣，因此省略說明。(實(shí)施方式6)作為本發(fā)明的實(shí)施方式6，說明本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的其他例。在圖6表示實(shí)施方式6的電信息記錄介質(zhì)600的一構(gòu)成例。電信息記錄介質(zhì)600，是通過電能(特別是電流)的施加而能夠進(jìn)行信息的記錄再生的信息記錄介質(zhì)。電信息記錄介質(zhì)600，在基板601的表面，順次形成下部電極602、記錄層603以及上部電極604。下部電極602以及上部電極604，在記錄層603上施加電流而形成。作為基板601，具體來說，能夠使用Si基板等半導(dǎo)體基板、或聚碳酸酯基板、Si02基板以及A1203基板等絕緣性基板。下部電極602以及上部電極604，能夠使用導(dǎo)電材料，例如Cu、Au、Ag、Pt、Al、Ti、W以及Cr乃至它們的混合物的那樣的金屬。用于本發(fā)明的記錄層的記錄材料，也能夠利用施加電能而產(chǎn)生的焦耳(-二一AO熱，在晶體相和非晶質(zhì)相之間產(chǎn)生可逆的相變化。因此，本實(shí)施方式的記錄層603，能夠利用本發(fā)明中的記錄材料，即銻(Sb)、碳(C)、和原子量小于33的輕元素(L)而材料而形成。另外，記錄層603中所包含的各元素，具有與實(shí)施方式1的記錄層115同樣的功能。另外，優(yōu)選為，本實(shí)施方式的記錄層603，由以Sb訓(xùn).x.yCxLy所表示的、且x和y滿足x+y^50的材料所構(gòu)成。下部電極602以及上部電極604能夠利用濺射法而形成。能夠通過在Ar氣氣氛氣中，或Ar氣體和反應(yīng)氣體(從氧氣或氮?dú)庵羞x擇的至少一種氣體)的混合氣體氣氛氣中，濺射成為材料的金屬靶或合金靶而形成。另外，作為成膜方法，不限于此，能夠使用真空蒸鍍法、離子鍍(7°^—于<^夕')法、化學(xué)氣相沉積(CVD)法、或分子束外延生成(工匕。夕年、乂)(MBE)法等。成膜記錄層603的工序，與實(shí)施方式1的成膜記錄層115的工序同樣地實(shí)施。在電信息記錄介質(zhì)600，通過施加部609而電連接電信息記錄再生裝置610。為了利用該電信息記錄再生裝置610在記錄層603上施加電流脈沖，脈沖電源605，通過開關(guān)608而連接到下部電極602和上部電極604。另外，為了檢測(cè)基于記錄層603的相變化的阻抗值的變化，在下部電極602和上部電極604之間經(jīng)由開關(guān)607而連接阻抗測(cè)定器606。為了將位于非晶質(zhì)相(高阻抗?fàn)顟B(tài))的記錄層603變化為晶體相(低阻抗?fàn)顟B(tài))，將開關(guān)608關(guān)閉(開關(guān)607打開)而在電極間施加電流脈沖，施加電流脈沖的部分的溫度，以比材料的晶體化溫度高且比熔點(diǎn)低的溫度，保持在晶體化時(shí)間之間。從晶體相再次返回到非晶質(zhì)相的情況下，以更短的時(shí)間施加比晶體化時(shí)相對(duì)高的電流脈沖，并以比熔點(diǎn)高的溫度將記錄層熔融后，急激地冷卻。另外，電信息記錄再生裝置610的脈沖電源605，是能夠輸出記錄消去脈沖的電源。通過矩陣性地配置多個(gè)該電信息記錄介質(zhì)600，能夠?qū)崿F(xiàn)圖7所示那樣的大容量的電信息記錄介質(zhì)700。各存儲(chǔ)器單元703中，能夠在微小區(qū)域形成與電信息記錄介質(zhì)600同樣的構(gòu)成。向各個(gè)存儲(chǔ)器單元703的信息的記錄再生，也能夠利用地址指定電路715(圖8所示)，分別指定一個(gè)字(7—K)線701以及位(lf:y卜)線702而進(jìn)行。圖8是使用電信息記錄介質(zhì)700的信息記錄系統(tǒng)的一構(gòu)成例的圖。存儲(chǔ)裝置712利用電信息記錄介質(zhì)700和地址指定電路715而構(gòu)成。另外，通過將存儲(chǔ)裝置712電連接到至少由脈沖電源713和阻抗測(cè)定器714構(gòu)成的外部電路711，能夠進(jìn)行向電信息記錄介質(zhì)700的信息的記錄再生。實(shí)施例接下來，使用實(shí)施例對(duì)本發(fā)明詳細(xì)地進(jìn)行說明。(實(shí)施例1)在實(shí)施例1中，制造圖1的信息記錄介質(zhì)100，并對(duì)記錄層115的材料與記錄再生特性以及可靠性的關(guān)系進(jìn)行研究。記錄層115中，使用組成比為Sb6QC3。L1Q(下標(biāo)表示各元素的原子％，以下同樣)，L是B、N、0、Mg、A1以及S，并使用6種類的材料。介質(zhì)編號(hào)，對(duì)于實(shí)施例順次是100—16。為了比較，也制造具有由Sb60Ge30Mg10、Sb60Ge30A110、Ge45Bi4Te51、Ge35Bi12Te53(GeTe和Bi2T63的化合物)、Sb60C3()Ti10以及Sb60C3。Cu1Q的記錄材料構(gòu)成的記錄層的信息記錄介質(zhì)100而研究性能。這些比較例，順次為1一16。以下對(duì)實(shí)施內(nèi)容具體地進(jìn)行說明。首先，對(duì)信息記錄介質(zhì)100的制造方法進(jìn)行說明。制造中使用圖9所示的濺射(成膜)裝置，實(shí)施例100—16以及比較例1一16，除了記錄層115，各層是相同材料、相同膜厚、相同濺射條件。對(duì)各層的材料和膜厚進(jìn)行說明。作為基板IOI，準(zhǔn)備形成有導(dǎo)向槽(深度20nm、溝槽—溝槽間0.32/xm)的聚碳酸酯基板(直徑120mm、厚度l.lmm)，并安裝于濺射裝置內(nèi)。在基板101的導(dǎo)向槽形成側(cè)表面，順次作為反射層112層疊100nm的Ag—Cu系合金、作為電介質(zhì)層113層疊10nm的Ce02、作為界面層114層疊3nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5。(下標(biāo)表示mo1%，以下同樣)，作為記錄層115層疊10nm的Sb6。C3QL1()，作為界面層116層疊5nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5Q，作為電介質(zhì)層117層疊45nm的(ZnS)80(Si02)20。由此，形成信息層IIO。說明各層的濺射條件。使用的靶的形狀全是圓形直徑100mm、厚度6mm。在壓力0.4Pa的Ar氣體氣氛氣中使用直流電源，以200W的輸出對(duì)Ag—Cu系合金靶進(jìn)行濺射而形成反射層112。在壓力為0.13Pa的Ar氣體氣氛氣中，使用高頻電源以200W的輸出濺射Ce02靶而形成電介質(zhì)層113。在壓力為0.13Pa的Ar氣體氣氛氣中，使用高頻電源以200W的輸出濺射(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5Q靶，而形成界面層114。接下來，對(duì)記錄層115的濺射條件，針對(duì)每一介質(zhì)編號(hào)進(jìn)行說明。使用直流電源壓力為0.13Pa的氣氛氣中濺射靶的條件，不依賴于材料而是同樣的。實(shí)施例100_1中，在Ar氣體氣氛氣中，以100W的輸出濺射Sb55C33Bu耙而形成S1)60(:30810記錄層。實(shí)施例100_2中，在Ar氣和N2氣的體積比為90:10的混合氣體氣氛氣中，以IOOW的輸出對(duì)S1^64(:36靶進(jìn)行反應(yīng)性濺射，從而形成Sb6oC3oNn)記錄層。實(shí)施例100—3中，在Ar氣體和02氣體的體積比為90:10的混合氣體氣氛氣中，以100W的輸出對(duì)Sb64C36靶進(jìn)行反應(yīng)性濺射，而開》成Sb60C30O10iB:^M。實(shí)施例100—4中，在Ar氣體氣氛氣中，以IOOW的輸出濺射Sb58C33Mg^，而形成Sb6。C3。MgH)記錄層。實(shí)施例100_5中，在Ar氣體氣氛氣中，以IOOW的輸出濺射Sb57C33A110耙，而形成Sb60C30A110記錄層。實(shí)施例100_6中，在Ar氣體氣氛氣中，以IOOW的輸出濺射Sb58C33S^，而形成Sb6。C3oS"己錄層。比較例l一l中，在Ar氣體氣氛氣中，以IOOW的輸出濺射Sb_Ge—Mg靶，而形成Sb6QGe3。Mgi。記錄層。比較例l一2中，在Ar氣體氣氛氣中，以IOOW的輸出濺射Sb—Ge—Al靶，而形成Sb6QGe3QA11()記錄層。比較例l一3中，在Ar氣體氣氛氣中，以IOOW的輸出濺射Ge—Bi_Te合金靶，而形成Ge45Bi4T651記錄層。比較例l一4中，在Ar氣體氣氛氣中，以IOOW的輸出濺射Ge—Bi_Te合金靶，而形成Ge35Bi12T653記錄層。在比較例1_5中，在Ar氣體氣氛氣中，以IOOW的輸出濺射Sb—C一Ti合金靶，而形成Sb6。C3QT11()記錄層。比較例1_6中，在Ar氣體氣氛氣中，以100W的輸出濺射Sb—C一Cu合金靶，而形成Sb6QC3。Cuu)記錄層。在壓力0.13Pa的Ar氣體氣氛氣中，使用高頻電源以200W的輸出，濺射(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5()靶而形成界面層116。在壓力為0.13Pa的A1"氣體和02氣體的體積比為97:3的混合氣體氣氛氣中，使用高頻電源以400W的輸出濺射(ZnS)80(Si02)20靶，而形成電介質(zhì)層117。從濺射裝置取出按照以上的方式在基板101上順次成膜了反射層112、電介質(zhì)層113、界面層114、記錄層115、界面層116以及電介質(zhì)層117后的基板101。此后，利用旋涂法在電介質(zhì)層117的表面以100Mm的厚度涂布紫外線硬化性樹脂，并照射紫外線而使樹脂硬化，從而形成透明層102。透明層形成工序結(jié)束后，實(shí)施初始化工序。初始化工序中，使用波長(zhǎng)810nm的半導(dǎo)體激光，在半徑2260mm的范圍的環(huán)狀區(qū)域內(nèi)跨度大致整個(gè)面地使信息記錄介質(zhì)100的記錄層115晶體化。藉此，初始化工序結(jié)束，實(shí)施例100—16的信息記錄介質(zhì)100以及比較例1一14的制作結(jié)束。這些的信息記錄介質(zhì)的鏡面部反射率為Rc約21%、Ra約4%。接下來，對(duì)信息記錄介質(zhì)100的記錄再生評(píng)價(jià)方法進(jìn)行說明。為了在信息記錄介質(zhì)100記錄信息，使用使信息記錄介質(zhì)100旋轉(zhuǎn)主軸電機(jī)(7匕。yK、/^e—夕)、具有發(fā)出激光io的半導(dǎo)體激光器的光學(xué)頭、將激光10聚焦到信息記錄介質(zhì)100的記錄層115上的對(duì)物透鏡的通常的記錄再生裝置。信息記錄介質(zhì)100的評(píng)價(jià)中，使用波長(zhǎng)405nm的半導(dǎo)體激光和數(shù)值孔徑0.85的對(duì)物透鏡，進(jìn)行25GB容量相當(dāng)?shù)挠涗洝Ｋ褂玫挠涗浽偕b置的激光10的激光功率上限，在介質(zhì)的盤面為20mW。以2倍速(9.84m/秒、72Mbps)禾Q4倍速(19.68m/秒、144Mbps)的條件，在半徑50mm的位置實(shí)施記錄。記錄的信號(hào)的再生評(píng)價(jià)，以l倍速照射0.35mW的激光而實(shí)施。另外，再生評(píng)價(jià)條件，也可以用比1倍速更大的線速度實(shí)施，再生功率也可以用比0.35mW更大的功率實(shí)施。通過信號(hào)振幅對(duì)噪聲比(CNR)和消去率的測(cè)定實(shí)施記錄再生評(píng)價(jià)。首先，對(duì)CNR的測(cè)定方法進(jìn)行說明。一邊在高功率水平的記錄功率(mW)和低功率水平的消去功率(mW)之間對(duì)激光IO照射，而將2T(標(biāo)記長(zhǎng)0.149/nn)的單一信號(hào)和9T(標(biāo)記長(zhǎng)0.671/im)的單一信號(hào)交互地合計(jì)11次在溝槽面進(jìn)行記錄。記錄的脈沖的波形是多元脈沖。所記錄的第11次的2T信號(hào)的狀態(tài)中，用頻譜分析儀測(cè)定振幅(C)(dBm)和噪聲(N)(dBm)，并根據(jù)其差測(cè)定CNR(dB)。接下來，針對(duì)消去率的測(cè)定方法進(jìn)行說明。測(cè)定上述的第11次的2T信號(hào)的振幅，并在第12次記錄9T信號(hào)，并用頻譜儀測(cè)定2T信號(hào)衰減了多少。并將該衰減量定義為消去率(dB)。首先，按照以下的順序設(shè)定記錄功率(Pw)以及消去功率(Pe)。將消去功率固定為一定的適當(dāng)?shù)闹?，而測(cè)定2T振幅的記錄功率依存性。藉此，設(shè)定規(guī)定的Pwl。將記錄功率固定為Pwl，并測(cè)定CNR和消去率的消去功率依存性。藉此，將規(guī)定的低功率側(cè)Pe0和高功率側(cè)Pe1的平均值設(shè)為Pe。將消去功率固定為Pe，再次測(cè)定2T振幅的記錄功率依存性。藉此，設(shè)定規(guī)定的Pw。以該順序，分別決定2倍速以及4倍速的Pw和Pe。對(duì)于信息記錄介質(zhì)100—16以及比較例1一16，以2倍速和4倍速的條件測(cè)定Pw和Pe中的CNR和消去率((l)2TCNR，(2)2T消去率)。接下來，對(duì)可靠性評(píng)價(jià)方法進(jìn)行說明。為了調(diào)査所記錄的信號(hào)是否即使被置于高溫高濕條件下也能夠被保存，以及及時(shí)被置于高溫高濕條件下后是否也能夠進(jìn)行改寫進(jìn)行調(diào)査，而實(shí)施可靠性評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)中，使用與上述同樣的記錄再生裝置。事先，信息記錄介質(zhì)IOO—I6和比較例1一16，以上述的Pw以及Pe的功率對(duì)2T信號(hào)和9T信號(hào)交互地進(jìn)行合計(jì)11次，對(duì)同一信息道(卜，:y夕)的溝槽面進(jìn)行記錄。以2倍速和4倍速的條件，以多個(gè)信息道實(shí)施，并測(cè)定2TCNR。在溫度8(TC，相對(duì)濕度20%的恒溫槽中將這些的介質(zhì)放置100小時(shí)后，取出。取出后，將所記錄的2T信號(hào)以l倍速進(jìn)行再生而測(cè)定CNR(記錄保存性)。另外，在所記錄的2T信號(hào)中，以Pw和Pe將9T信號(hào)進(jìn)行一次重寫(才一A，一卜)而測(cè)定消去率(改寫保存性)。(此時(shí)，在以2倍速所記錄的信號(hào)中以2倍速，在以4倍速所記錄的信號(hào)中以4倍速進(jìn)行1次重寫)。根據(jù)放置于恒溫槽前的CNR(B)和放置后的CNR(A)的差CNR(A)—CNR(B)，評(píng)價(jià)記錄保存性(G)CNR變化)。若放置后的CNR降低，則可靠性不太令人滿意。記錄保存性在低倍速容易劣化。另外，根據(jù)在恒溫槽中放置前的消去率(B)和放置后的消去率(A)的差，消去率(A)_消去率(B)，對(duì)改寫保存性進(jìn)行評(píng)價(jià)((4)消去率變化)。若放置后的消去率降低，則可靠性不盡人意。改寫保存性容易以高倍速劣化。(表1)示出了2倍速、4倍速中的(1)2TCNR、(2)2T消去率、(3)CNR變化、(4)消去率變化的評(píng)價(jià)結(jié)果。表中，(1)2TCNR，將45dB以上設(shè)為0，將40dB以上而小于45dB設(shè)為△，將小于40dB設(shè)為X，若(2)2T消去率是30dB以上，則為〇，若為20dB以上而小于30dB，則為A，若小于20dB則為X。G)關(guān)于CNR變化，將小于ldB設(shè)為O，將ldB以上小于3dB設(shè)為A，將3dB以上設(shè)為X，(4)關(guān)于消去率變化，將小于3dB設(shè)為O，將3dB以上而小于5dB設(shè)為A，將5dB以上設(shè)為X，而表示。關(guān)于X評(píng)價(jià)，表示以該線速度的使用較為困難，O和A評(píng)價(jià)表示能夠使用。O比A更優(yōu)選。另外，關(guān)于綜合評(píng)價(jià)，若所有的評(píng)價(jià)項(xiàng)目為O，則為，若一個(gè)為A，則為〇，若2個(gè)以上為A，則為A，即使存在一個(gè)為X的項(xiàng)目，也是X。最為優(yōu)選，O較為優(yōu)選，A為優(yōu)選。X是使用困難的。<table>tableseeoriginaldocumentpage52</column></row><table>如(表1)所示的那樣，實(shí)施例的介質(zhì)100—16，能夠以所有的項(xiàng)目得到O或A的評(píng)價(jià)，因此能夠以從2倍速到4倍速進(jìn)行使用。特別是，IOO—I、2、4、5、6中，以所有的項(xiàng)目得到O的結(jié)果。介質(zhì)100_16，均是2倍速的Pw為7mW以下、Pe為4mW以下，4倍速的Pw為9mW以下、Pe為5mW以下。通過使用本發(fā)明的記錄層115，能夠兼顧低倍速的記錄保存性和高倍速的改寫保存性。這是因?yàn)楸景l(fā)明的記錄層兼具能夠與4倍速的高速晶體化能和20(TC以上的高的晶體化溫度這樣的較大的光學(xué)變化。與此相對(duì)，比較例中介質(zhì)1一1和1一2的晶體化速度不足，消去率的4倍速以及消去率變化成為X評(píng)價(jià)。若消去率不足，則在ll次的重復(fù)記錄中存儲(chǔ)著未消去的殘余(消L殘^)，CNR的4倍速也成為A評(píng)價(jià)。介質(zhì)l一3的晶體化速度也不足，消去率的4倍速和消去率變化的4倍速成為X評(píng)價(jià)。介質(zhì)1_4中光學(xué)變化變小且晶體化溫度降低，因此CNR的2倍速以及CNR變化成為X評(píng)價(jià)。CNR變化較大，且不能夠測(cè)定消去率變化。介質(zhì)1_5、1_6中，2倍速中消去率變化的評(píng)價(jià)為A，是能夠使用的水平。然而，在4倍速中晶體化速度不充分，CNR以及消去率一起為A，消去率變化成為X，綜合評(píng)價(jià)成為X。如此，在比較例中，能夠兼顧低倍速的記錄保存性和高倍速的改寫保存性。(實(shí)施例2)在實(shí)施例2中，制造圖1的信息記錄介質(zhì)100，并對(duì)記錄層115的組成比與記錄再生特性以及可靠性的關(guān)系進(jìn)行調(diào)查。記錄層115中，使用Sb1Q。.x.yCxAly。將具有組成比不同的記錄層115的信息記錄介質(zhì)100制作6種，并設(shè)為介質(zhì)編號(hào)100—1116。100—1115的x+y是50。100—16的x+y是52。信息記錄介質(zhì)100的制造方法和濺射條件，除了記錄層115外與實(shí)施例1同樣。說明本實(shí)施例的記錄層115的制造方法。所有均在Ar氣氣氛氣中，以100W的輸出濺射Sb—C一Al靶。所使用的靶的組成比是不同的。關(guān)于介質(zhì)lOO—ll，對(duì)Sb45C5。A15靶進(jìn)行濺射，而形成Sb50C45A15記錄層。關(guān)于介質(zhì)100—12，對(duì)Sb46C44A1H)靶進(jìn)行濺射，而形成Sb5。C4。A1u)記錄層。關(guān)于介質(zhì)IOO—13，對(duì)Sb47C33A12()靶進(jìn)行濺射，而形成Sb5QC3QA12()記錄層。關(guān)于介質(zhì)100_14，對(duì)Sb47C28A125靶進(jìn)行濺射，而形成Sb50C25A125記錄層。關(guān)于介質(zhì)100—15，對(duì)Sb48C22A13o靶進(jìn)行濺射，而形成Sb50C20A130記錄層。關(guān)于介質(zhì)100—16，對(duì)Sb45C29A126靶進(jìn)行濺射，而形成Sb48C26A126記錄層。以各個(gè)實(shí)施例1中記載的記錄再生評(píng)價(jià)方法和可靠性評(píng)價(jià)方法為基準(zhǔn)而測(cè)定記錄再生特性以及可靠性。本實(shí)施例中，以4倍速(19.68m/秒、144Mbps)的條件，測(cè)定2TCNR、2T消去率、CNR變化以及消去率變化。在(表2)中表示其結(jié)果。表中的O、△、X的判定與實(shí)施例1的判定同樣。綜合評(píng)價(jià)的、〇、△、X也與實(shí)施例1的判定同樣。<table>tableseeoriginaldocumentpage54</column></row><table>如(表2)所示的那樣，介質(zhì)100_1116，能夠以所有的項(xiàng)目得到O或A的評(píng)價(jià)，因此能夠以4倍速使用。特別是，x^y的100一1114中，所有的項(xiàng)目中能夠得到O的評(píng)價(jià)。y〉x的100—15中，消去率變化是A評(píng)價(jià)。x+y>50的100—16中，觀察到消去率的稍微降低，與消去率變化一同A評(píng)價(jià)為2個(gè)。因此，能夠兼顧記錄再生特性和可靠性的是，優(yōu)選為x+y^50，且更優(yōu)選為x^y。(實(shí)施例3)實(shí)施例3中，制造圖2的信息記錄介質(zhì)200，并對(duì)記錄層225的組成比和記錄再生特性的關(guān)系進(jìn)行調(diào)查。記錄層225中，使用Sb100-x.yCxA1y。將具有組成比不同的記錄層225的信息記錄介質(zhì)200制作5種，而設(shè)為介質(zhì)編號(hào)200—15。200—15的x+y是40。以下對(duì)實(shí)施內(nèi)容具體地進(jìn)行說明。首先，對(duì)信息記錄介質(zhì)200的制造方法進(jìn)行說明。制造使用圖9所示的濺射(成膜)裝置，實(shí)施例200—15中，除了記錄層225，各層是相同材料、相同膜厚、相同濺射條件。對(duì)各層的材料和膜厚進(jìn)行說明。作為基板201，準(zhǔn)備與實(shí)施例1的基板101同樣的基板，并安裝于濺射裝置內(nèi)。在基板201的導(dǎo)向槽形成側(cè)表面，順次作為反射層212層疊Ag—Cu系合金100nm、作為電介質(zhì)層213層疊10nmCe02、作為界面層214層疊3nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5Q，作為記錄層215層疊10nm的Sb50C30A120，作為界面層216層疊5nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5Q、作為電介質(zhì)層217層疊45nm的(ZnS)80(Si02)20。藉此，形成第1信息層210。接下來，在電介質(zhì)層217的表面，以25/xm的厚度形成具有導(dǎo)向槽的中間層203。在中間層203的導(dǎo)向槽形成側(cè)表面，順次作為電介質(zhì)層221層疊18nm的Ti02、作為反射層222層疊13nm的Ag一Cu系合金、作為電介質(zhì)層223層疊12nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5Q、并且不設(shè)置界面層224而層疊6nm的記錄層225、作為界面層226層疊5nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr2〇3)50、作為電介質(zhì)層227層疊35nm的(ZnS)80(Si02)2o。藉此，形成第2信息層220。對(duì)各層的濺射條件進(jìn)行說明。所使用的靶的形狀均為圓形的直徑100mm、厚度6mm。以從實(shí)施例1的反射層112到界面層114同樣的條件形成從反射層212到界面層214。關(guān)于記錄層215，在壓力為0.13Pa的Ar氣氣氛氣中，以100W的輸出對(duì)Sb47C33A120靶進(jìn)行濺射，而形成Sb5。C3QA12。記錄層。以與實(shí)施例1的界面層116和電介質(zhì)層117同樣的條件形成界面層216和電介質(zhì)層217。從濺射裝置取出如以上那樣在基板201上成膜了第1信息層210后的基板201。接下來，按照以下順序形成中間層203。首先，在電介質(zhì)層217的表面，利用旋涂而涂布紫外線硬化性樹脂。接下來，將具有與應(yīng)該在中間層形成的導(dǎo)向槽相補(bǔ)充的凹凸(深度20nm、溝槽一溝槽間0.32/>tm)的聚碳酸酯基板的凹凸形成面，緊貼在紫外線硬化性樹脂。并在該狀態(tài)中照射紫外線而使樹脂硬化后，將具有凹凸的聚碳酸酯基板玻璃。藉此，與基板201同樣的形狀的導(dǎo)向槽，被形成于中間層203的表面。再次將形成到中間層203的基板201配置于濺射裝置，并在中間層203的表面形成第2信息層220。首先，在中間層203上，形成電介質(zhì)層221。在壓力為0.13Pa的A1~氣和02氣的體積比為97:3的混合氣體氣氛氣中，使用脈沖發(fā)生式直流電源以200W的輸出對(duì)Ti02靶進(jìn)行濺射而形成電介質(zhì)層221。接著，在壓力為0.4Pa的Ar氣體氣氛氣中，使用直流電源以100W的輸出濺射Ag—Cu系合金靶而形成反射層222。在壓力為0.13Pa的Ar氣體氣氛氣中，使用高頻電源，以200W的輸出濺射(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5()靶，而形成電介質(zhì)層223。關(guān)于記錄層225，使用直流電源，在壓力為0.13Pa的Ar氣體氣氛氣中，以50W的輸出濺射Sb—C一Al靶。在該方法中，介質(zhì)200—1中，對(duì)Sb56C40A14靶進(jìn)行濺射，而形成Sb60C36A14記錄層。介質(zhì)200—2中，對(duì)Sb57C35A1s靶進(jìn)行濺射，而形成Sb60C32A18記錄層。介質(zhì)200—3中對(duì)Sb58C26A116靶進(jìn)行濺射，而形成Sb60C24A116記錄層。介質(zhì)200—4中，對(duì)Sb5gC22Al20靶進(jìn)行濺射，而形成Sb60C20A120記錄層。介質(zhì)200—5中，對(duì)Sb58C18A124靶進(jìn)行濺射，而形成Sb6。C16A124記錄層。以與實(shí)施例1的界面層116和電介質(zhì)層117同樣的條件，形成界面層226和電介質(zhì)層227。從濺射裝置取出如以上那樣在中間層203上成膜第2信息層220后的基板201。此后，利用旋涂法在電介質(zhì)層227的表面涂布75ium的厚度的紫外線硬化性樹脂，并照射紫外線而使樹脂硬化，從而形成透明層202。透明層形成工序結(jié)束后，實(shí)施初始化工序。初始化工序中，使用波長(zhǎng)810nm的半導(dǎo)體激光，首先，對(duì)記錄層215進(jìn)行初始化，其后對(duì)記錄層225進(jìn)行初始化。均為在半徑為2260mm的范圍的環(huán)狀區(qū)域內(nèi)跨度大致全面地使之晶體化。藉此，初始化工序結(jié)束，介質(zhì)編號(hào)為200—15的信息記錄介質(zhì)200的制作結(jié)束。所制作的介質(zhì)編號(hào)200—15，與第1信息層210以及第2信息層220均是鏡面部實(shí)效反射率為Rc約5%，Ra約1%。第1信息層210的反射率，由通過第2信息層220后的激光10所測(cè)定。另外，第2信息層220的光透過率是Tc約55。X、Ta約50X。透過率的測(cè)定中基板201使用形成了第2信息層220和透明層202后的介質(zhì)，作為半面初始化利用分光光度計(jì)進(jìn)行測(cè)定。接下來，對(duì)記錄再生評(píng)價(jià)方法說明與實(shí)施例1和2不同的點(diǎn)。在第1信息層210和第2信息層220的每個(gè)中，進(jìn)行4倍速記錄。并通過以1倍速照射0.70mW的激光而實(shí)施所記錄的信號(hào)的再生評(píng)價(jià)。另外，再生評(píng)價(jià)條件，也可以利用比l倍速更大的線速度實(shí)施，也可以利用再生功率比0.70mW大的功率實(shí)施。對(duì)于可靠性評(píng)價(jià)方法與實(shí)施例1同樣。介質(zhì)編號(hào)200_15的4倍速的(1)2TCNR、(2)2T消去率、(3)CNR變化、(4)消去率變化的評(píng)價(jià)結(jié)果在(表3)中示出。表中，在(1)2TCNR中，將42dB以上作為O，將37dB以上小于42dB作為A，將小于37dB作為X，若(2)2T消去率是27dB以上，則為〇，若為22dB以上而小于27dB則為A，若小于22dB則為X，(3)CNR變化，將小于ldB設(shè)為O，將ldB以上而小于3dB小于為作為A，將3dB以上作為X，關(guān)于(4)消去率變化，將小于3dB作為O，將3dB以上而小于5dB作為△，將5dB以上作為X，而表示(越是接近于激光的信息層，介質(zhì)的翹曲的容許幅度越大，因此第2信息層220的信號(hào)品質(zhì)的目標(biāo)值，比第1信息層210的目標(biāo)值大也可以，判定基準(zhǔn)沒有變化)。X評(píng)價(jià)表示以該線速度使用是困難的，O和A評(píng)價(jià)表示是能夠使用的。〇比A更為優(yōu)選。綜合評(píng)價(jià)的、〇、△、X與實(shí)施例l的判定同樣。表3[表3]介質(zhì)編號(hào)記錄層225的材料(下標(biāo)是原子％)CNR消去率CNR變化消去率變化綜合評(píng)價(jià)200-1SbB0C36AI4O0oo◎200—2Sb6oC32AlaO00o◎200—3Sb60C24AI16Oooo◎200—4oooo◎200-5Sb6。C，eAI24ooo厶o如(表3)所示的那樣，介質(zhì)200—15的所有的項(xiàng)目均能夠得到O或A的評(píng)價(jià)，因此能夠以4倍速使用。特別是，x^y的200—14中，能夠得到所有的項(xiàng)目中O的評(píng)價(jià)。由于能夠兼顧記錄再生特性和可靠性，因此更優(yōu)選為x^y。其中的一個(gè)介質(zhì)中Pw為16mW以下，Pe為10mW以下。本實(shí)施例的記錄層225中，比實(shí)施例1以及2的記錄層115膜厚薄6nm，因此利用包含60原子％的Sb的、晶體化速度更大的記錄層，能夠得到良好的結(jié)果。(實(shí)施例4)實(shí)施例4中，制造圖3的信息記錄介質(zhì)300，對(duì)記錄層335的組成比與記錄再生特性和可靠性的關(guān)系進(jìn)行調(diào)查。記錄層335中，使用Sb1()。-x-yCxMgy。制作5種具有組成比不同的記錄層335的信息記錄介質(zhì)300，介質(zhì)編號(hào)為300—15。300—l5的x+y是30。以下對(duì)實(shí)施內(nèi)容具體地進(jìn)行說明。首先，對(duì)信息記錄介質(zhì)300的制造方法進(jìn)行說明。制造中使用圖9所示的濺射(成膜)裝置，實(shí)施例300—15，除了記錄層335，各層是相同材料、相同膜厚、相同濺射條件。對(duì)各層的材料和膜厚進(jìn)行說明。作為基板301，準(zhǔn)備與實(shí)施例1的基板101同樣的基板，并安裝于濺射裝置內(nèi)。在基板301的導(dǎo)向槽形成側(cè)表面，順次作為反射層312層疊100nm的Ag—Cu系合金，作為電介質(zhì)層313層疊10nm的Ce02，作為界面層314層疊3nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5()，作為記錄層315層疊10nm的Sb50C30A120，作為界面層316層疊5nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5Q，作為電介質(zhì)層317層疊45nm的(ZnS)80(Si02)20。由此，形成第1信息層310。接下來，在電介質(zhì)層317的表面，以23/xm的厚度形成具有導(dǎo)向槽的中間層303。并在中間層303的導(dǎo)向槽形成側(cè)表面，順次作為電介質(zhì)層321形成12nm的N1)205，作為反射層322層疊10nm的Ag—Cu系合金，作為電介質(zhì)層323層疊10nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)50，不設(shè)置界面層324，作為記錄層325層疊5.5nm的Sb6QC24A116，作為界面層326層疊5nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5Q，作為電介質(zhì)層327層疊44nm的(ZnS)80(Si02)20。由此，形成第2信息層320。接下來，在電介質(zhì)層327的表面，以14/nn的厚度形成具有導(dǎo)向槽的中間層304。在中間層304的導(dǎo)向槽形成側(cè)表面，順次作為電介質(zhì)層331形成19nm的Ti02，作為反射層332形成10nm的Ag一Cu系合金，作為電介質(zhì)層333形成llnm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)so,不設(shè)置界面層334，使記錄層335為4.5nm，作為界面層336使用5nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)50，作為電介質(zhì)層337層疊32nm的(ZnS)80(Si2)2o。由此，形成第3信息層330。對(duì)各層的濺射條件進(jìn)行說明。所使用的靶的形狀全是圓形且直徑為100mm、厚度為6mm。與實(shí)施例1的從反射層112到界面層114同樣的條件形成從反射層312到界面層314。以與實(shí)施例3的記錄層215同樣的條件形成記錄層315。以與實(shí)施例1的界面層116和電介質(zhì)層117同樣的條件形成界面層316和電介質(zhì)層317。如以上那樣，從濺射裝置取出在基板301上成膜第1信息層310后的基板301。接下來，以與實(shí)施例3的中間層203同樣的條件形成中間層303。將形成到中間層303后的基板301再次配置于濺射裝置，并在中間層303的表面形成第2信息層320。首先，在壓力0.13Pa的Ar氣和02氣的體積比為97:3的混合氣體氣氛氣中，使用高頻電源，以200W的輸出濺射Nb2O5靶，而在中間層303上形成電介質(zhì)層321。接著，使用與實(shí)施例3的反射層222同樣的條件而形成反射層322。以與實(shí)施例3的電介質(zhì)層223同樣的條件形成電介質(zhì)層323。至于記錄層325，使用直流電源在壓力0.13Pa的Ar氣體氣氛氣中，濺射Sb58C26A1^靶而形成Sb6。C24A116記錄層。以與實(shí)施例1的界面層116和電介質(zhì)層117同樣的條件形成界面層326和電介質(zhì)層327。從濺射裝置取出如以上那樣在基板301上成膜到第2信息層320后的基板301。接下來，以與實(shí)施例3的中間層203和同樣的條件形成中間層304。將形成到中間層304后的基板301再次配置于濺射裝置，而在中間層304的表面形成第3信息層330。首先，在中間層304上，以與實(shí)施例3的電介質(zhì)層221同樣的條件形成電介質(zhì)層331。以與實(shí)施例3的反射層222和電介質(zhì)層223同樣的條件形成反射層332和電介質(zhì)層333。至于記錄層335，使用直流電源，在壓力為0.13Pa的Ar氣氣氛氣中，以50W的輸出濺射Sb—C一Mg靶。該方法中，對(duì)于介質(zhì)300—1，對(duì)Sb67C3oMg3靶進(jìn)行濺射，而形成Sb7。C27MgJ々記錄層。對(duì)于介質(zhì)300—2，對(duì)Sb69C26Mg5靶進(jìn)行濺射，而形成SboC24Mg6記錄層。至于介質(zhì)300—3，對(duì)Sb69C2oMgn靶進(jìn)行濺射，而形成Sb7oC!sMgi2記錄層。關(guān)于介質(zhì)300—4，對(duì)Sb69CnMg"靶進(jìn)行濺射而形成Sb7。C,5Mgi5記錄層。關(guān)于介質(zhì)300—5，對(duì)Sb7!C!3M^6靶進(jìn)行濺射，而形成Sb7oCuMgi8記錄層。以與實(shí)施例1的界面層116和電介質(zhì)層117同樣的條件形成界面層336和電介質(zhì)層337。濺射裝置取出如以上那樣在中間層304上成膜了第3信息層330后的基板301。此后，在電介質(zhì)層337的表面利用旋涂法涂布3gm的厚度的紫外線硬化性樹脂，并照射紫外線而使樹脂硬化，形成透明層302。在透明層形成工序結(jié)束后，實(shí)施初始化工序。初始化工序中，使用波長(zhǎng)810nm的半導(dǎo)體激光，首先，對(duì)記錄層315進(jìn)行初始化，接下來對(duì)記錄層325進(jìn)行初始化，最后對(duì)記錄層335進(jìn)行初始化。均在半徑2260mm的范圍的環(huán)狀區(qū)域內(nèi)跨度大致整個(gè)面地使之發(fā)生晶體化。由此，初始化工序結(jié)束，介質(zhì)編號(hào)300—15的信息記錄介質(zhì)300的制作結(jié)束。所制作的介質(zhì)編號(hào)300—15，與第1信息層310、第2信息層320以及第3信息層330—并，鏡面部實(shí)效反射率為Rc約2.5%、Ra約0.5%。第1信息層310的反射率，由通過第2信息層320和第3信息層330后的激光10所測(cè)定。同樣，第2信息層320的反射率，由通過第3信息層330后的激光10所測(cè)定。第2信息層320的光透過率為Tc約58X、Ta約54X。第3信息層330的光透過率為Tc約67%，Ta約63%。與實(shí)施例3同樣地進(jìn)行透過率的測(cè)定。接下來，對(duì)于記錄再生評(píng)價(jià)方法，說明與實(shí)施例13不同的點(diǎn)。在第1信息層310、第2信息層320以及第3信息層330的每個(gè)中，進(jìn)行4倍速記錄。記錄后的信號(hào)的再生評(píng)價(jià)，以1倍速照射1.00mW的激光而實(shí)施。另外，苒生評(píng)價(jià)條件，也可以按照比l倍速大的線速度實(shí)施，再生功率也可以按照比1.00mW大的功率實(shí)施。對(duì)于可靠性評(píng)價(jià)方法與實(shí)施例1同樣。介質(zhì)編號(hào)300—15的4倍速中的(1)2TCNR、(2)2T消去率、(3)CNR變化、(4)消去率變化的評(píng)價(jià)結(jié)果在(表4)中示出。表中，(1)關(guān)于2TCNR，將40dB以上作為〇，將35dB以上而小于40dB作為A，將小于35dB作為X，(2)關(guān)于2T消去率，若為25dB以上則設(shè)為O，若為20dB以上而小于25dB則設(shè)為A，若小于20dB則設(shè)為X，(3)關(guān)于CNR變化，將小于ldB作為O，將ldB以上而小于3dB作為A，將3dB以上作為X，(4)至于消去率變化，將小于3dB作為0，將3dB以上而小于5dB作為A，將5dB以上作為X，而示出(第3信息層330的信號(hào)品質(zhì)的目標(biāo)值、第2信息層320、判定基準(zhǔn)變化)。綜合評(píng)價(jià)的、〇、△、X與實(shí)施例l的判定同樣。圓<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table>如(表4)所示那樣，介質(zhì)300—15的所有的項(xiàng)目得到了O或A的評(píng)價(jià)，能夠以4倍速使用。特別是，x^y的300—14，能夠在所有的項(xiàng)目中得到O的評(píng)價(jià)。由于能夠兼顧記錄再生特性和可靠性，因此x^y的情況更為優(yōu)選。其中之一的介質(zhì)也是Pw為18mW以下、Pe為llmW以下。本實(shí)施例的記錄層335，使用比實(shí)施例3的記錄層225的膜厚薄節(jié)4.5nm、包含70原子％的Sb的更大晶體化速度的大記錄層，而得到良好的結(jié)果。(實(shí)施例5)在實(shí)施例5中，制造圖4的信息記錄介質(zhì)400，并調(diào)査記錄層445的組成比與記錄再生特性和可靠性之間的關(guān)系。記錄層445中，使用Sb1(M).x.yCxBy。制作5種具有組成比不同的記錄層445的信息記錄介質(zhì)400，介質(zhì)編號(hào)為400—15。400—15中x+y為20。以下對(duì)實(shí)施內(nèi)容具體進(jìn)行說明。首先，對(duì)信息記錄介質(zhì)400的帝lj造方法進(jìn)行說明。制造中使用圖9所示的濺射(成膜)裝置，實(shí)施例400—15中，除了記錄層445，各層是相同材料、相同膜厚、相同濺射條件。對(duì)各層的材料和膜厚進(jìn)行說明。作為基板401，準(zhǔn)備于實(shí)施例1的基板101同樣的基板，并安裝于濺射裝置內(nèi)。在基板401的導(dǎo)向槽形成側(cè)表面，順次作為反射層412層疊100nm的Ag—Cu系合金，作為電介質(zhì)層413層疊10nm的Ce02，作為界面層414層疊3nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5。，作為記錄層415層疊10nm的Sb50C30A120，作為界面層416層疊5nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5Q，作為電介質(zhì)層417層疊48nm的(ZnS)80(Si02)20。由此，形成第1信息層410。接下來，在電介質(zhì)層417的表面，以18/im的厚度形成具有導(dǎo)向槽的中間層403。在中間層403的導(dǎo)向槽形成側(cè)表面，作為電介質(zhì)層421形成12nm的Nb205，作為反射層422形成10nm的Ag—Cu系合金，作為電介質(zhì)層423形成10nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)50，不設(shè)置界面層424，作為記錄層425形成5.5nm的Sb6()C24A116，作為界面層426形成5nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5Q，作為電介質(zhì)層427形成44nm的(ZnS)80(Si02)20。由此，形成第2信息層420。接下來，在電介質(zhì)層427的表面，以25/nn的厚度形成具有導(dǎo)向槽的中間層404。并在中間層404的導(dǎo)向槽形成側(cè)表面，作為電介質(zhì)層431層疊21nm的N13205，作為反射層432層疊10nm的Ag—Cu系合金，作為電介質(zhì)層433層疊10nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)so,不設(shè)置界面層434，作為記錄層435層疊4.5nm的Sb7QC18Mg12，作為界面層436層疊5nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5Q，作為電介質(zhì)層437層疊35nm的(ZnS)80(Si02)20。由此，形成第3信息層430。接下來，在電介質(zhì)層437的表面，以14/xm的厚度形成具有導(dǎo)向槽的中間層405。在中間層405的導(dǎo)向槽形成側(cè)表面，順次作為電介質(zhì)層441層疊14nm的Ti02，作為反射層442層疊10nm的Ag—Cu系合金，作為電介質(zhì)層443層疊5nm的(Zr02)25(Si2)25(Cr203)5Q,不設(shè)置界面層444，使記錄層445為4nm，作為界面層446層疊5nm的(Zr02)25(Si02)25(Cr203)50，作為電介質(zhì)層447層疊3nm的(ZnS)80(Si02)20。由此，形成第4信息層440。對(duì)各層的濺射條件進(jìn)行說明。所使用的靶的形狀均為圓形且直徑是100mm、厚度為6mm。以與實(shí)施例1的從反射層112到界面層114同樣的條件形成從反射層412到界面層414。以與實(shí)施例3的記錄層215同樣的條件形成記錄層415。以與實(shí)施例1的界面層116和電介質(zhì)層117同樣的條件形成界面層416和電介質(zhì)層417。從濺射裝置取出按照以上那樣在基板401上成膜第1信息層410后的基板401。接下來，按照與實(shí)施例3的中間層203同樣的條件形成中間層403。將形成到中間層403的基板401再次配置于濺射裝置，并在中間層403的表面形成第2信息層420。首先，在中間層403上，以與實(shí)施例4的電介質(zhì)層321同樣的條件形成電介質(zhì)層421。接著，以與實(shí)施例3的反射層222和電介質(zhì)層223同樣的條件形成反射層422和電介質(zhì)層423。并以與實(shí)施例4的記錄層325和同樣的條件形成記錄層425。將與實(shí)施例1的界面層116和電介質(zhì)層117同樣的條件形成界面層426和電介質(zhì)層427。從濺射裝置取出如以上那樣在基板401上成膜到第2信息層420的基板401。接下來，以與實(shí)施例3的中間層203同樣的條件形成中間層404。將形成到中間層404的基板401再次配置到濺射裝置，在中間層404的表面形成第3信息層430。首先，在中間層404上，以與實(shí)施例4的電介質(zhì)層321同樣的條件形成電介質(zhì)層431。接下來，以與實(shí)施例3的反射層222和電介質(zhì)層223同樣的條件形成反射層432和電介質(zhì)層433。關(guān)于記錄層435，使用直流電源，在壓力為0.13Pa的Ar氣氣氛氣中，以50W的輸出濺射Sb69C2oMgn靶而形成Sb70C^Mgi2記錄層。以與實(shí)施例1的界面層116和電介質(zhì)層117同樣的條件形成界面層436和電介質(zhì)層437。從濺射裝置取出如上以上那樣而在基板401上成膜到第3信息層430后的基板401。接下來，以與實(shí)施例3的中間層203同樣的條件形成中間層405。將形成到中間層405的基板401再次配置到濺射裝置，并在中間層405的表面形成第4信息層440。首先，在中間層405上，以與實(shí)施例3的電介質(zhì)層221和同樣的條件形成電介質(zhì)層441。接下來，以與實(shí)施例3的反射層222和電介質(zhì)層223同樣的條件形成反射層442和電介質(zhì)層443。關(guān)于記錄層445，使用直流電源，在壓力為0.13Pa的Ar氣體氣氛氣中，以50W的輸出濺射Sb—C一B靶。在該方法中，至于介質(zhì)400—l，對(duì)Sb7sC2oB2靶進(jìn)行濺射而形成SbsoC!8B2記錄層。至于介質(zhì)400—2，對(duì)Sb77Ci8Bs靶進(jìn)行濺射，而形成Sb8oCwB4記錄層。至于介質(zhì)400—3，對(duì)Sb77CuBn)革E進(jìn)行濺射，而形成SbsoC。B8記錄層。至于介質(zhì)400—4，對(duì)Sb77CuB^靶進(jìn)行濺射，而形成Sb8oC!oBK)記錄層。至于介質(zhì)400—5，對(duì)S1)770:9814耙進(jìn)行濺射，而形成Sb8oCsBu記錄層。以與實(shí)施例1的界面層116和電介質(zhì)層117同樣的條件形成界面層446和電介質(zhì)層447。從濺射裝置取出如以上那樣在中間層405上成膜了第4信息層440后的基板401。此后，在電介質(zhì)層447的表面利用旋涂法涂布43/un厚度的紫外線硬化性樹脂，并照射紫外線而使樹脂硬化，從而形成透明層402。在透明層形成工序結(jié)束后，實(shí)施初始化工序。初始化工序中，使用波長(zhǎng)810nm的半導(dǎo)體激光，首先對(duì)記錄層415進(jìn)行初始化，接下來對(duì)記錄層425進(jìn)行初始化，接下來對(duì)記錄層435進(jìn)行初始化，最后對(duì)記錄層445進(jìn)行初始化。所有半徑2260mm的范圍的環(huán)狀區(qū)域內(nèi)中大致跨度全面地使之晶體化。藉此，結(jié)束初始化工序，介質(zhì)編號(hào)400—15的信息記錄介質(zhì)400的制作結(jié)束。所制作的介質(zhì)編號(hào)400—15，與第1信息層410、第2信息層420、第3信息層430以及第4信息層440—起，鏡面部實(shí)效反射率為Rc約1.3%，Ra約0.3%。利用通過第2信息層420、第3信息層430以及第4信息層440后的激光10而測(cè)定第1信息層410的反射率。同樣，利用通過第3信息層430以及第4信息層440后的激光10而測(cè)定第2信息層420的反射率。第2信息層420的光透過率是Tc約57X、Ta約53X。第3信息層430的光透過率是Tc約67%、Ta約63X。第4信息層440的光透過率是Tc約71X、Ta約66%。透過率的測(cè)定與實(shí)施例3同樣地進(jìn)行。接下來，對(duì)記錄再生評(píng)價(jià)方法，說明與實(shí)施例1至4的不同點(diǎn)。對(duì)第1信息層410、第2信息層420、第3信息層430以及第4信息層440的每個(gè)，進(jìn)行4倍速記錄。以1倍速照射1.40mW的激光而實(shí)施所記錄的信號(hào)的再生評(píng)價(jià)。另外，再生評(píng)價(jià)條件，也可以以比l倍速大的線速度進(jìn)行實(shí)施，再生功率也可以以比1.40mW大的功率實(shí)施。對(duì)于可靠性評(píng)價(jià)方法，與實(shí)施例1同樣。介質(zhì)編號(hào)400—15的4倍速中的(1)2TCNR、(2)2T消去率、(3)CNR變化、(4)消去率變化的評(píng)價(jià)結(jié)果在(表5)中示出。表中，(1)關(guān)于2TCNR，將38dB以上.表示為0，將33dB以上而小于38dB表示為A，將小于33dB表示為X，(2)關(guān)于2T消去率，若為23dB以上則為〇，若為18dB以上而小于23dB則為A，若小于18dB表示為X，(3)至于CNR變化，將小于ldB表示為O，將ldB以上而小于3dB表示為A，將3dB以上表示為X，(4)關(guān)于消去率變化，將小于3dB表示為Q，將3dB以上而小于5dB表示為A，將5dB以上表示為X。第4信息層440的信號(hào)品質(zhì)的目標(biāo)值，比第3信息層430的信號(hào)品質(zhì)的目標(biāo)值要寬松(沙3^S)些，因此不改變判定基準(zhǔn)。綜合評(píng)價(jià)的、〇、△、X與實(shí)施例l的判定同樣。<table>tableseeoriginaldocumentpage66</column></row><table>如(表5)所示那樣樣，介質(zhì)400—15的所有的項(xiàng)目中得到O或A的評(píng)價(jià)，因此能夠以4倍速使用。特別是，能夠得到x^y的400—14的所有的的項(xiàng)目中O的評(píng)價(jià)。由于能夠兼顧記錄再生特性和可靠性，因此更優(yōu)選為x^y。所有的介質(zhì)均為Pw是20mW以下，Pe是12mW以下。本實(shí)施例的記錄層445，使用比實(shí)施例4的記錄層335膜厚薄4nm、包含80原子。^的Sb的、晶體化速度大的記錄層，能夠得到良好的結(jié)果。(實(shí)施例6)在實(shí)施例6中，制造圖1的信息記錄介質(zhì)100，并對(duì)記錄層115的膜厚與記錄再生特性和可靠性之間的關(guān)系進(jìn)行調(diào)査。記錄層115中，使用Sb5QC3()A12o。制作5種具有膜厚不同的記錄層115的信息記錄介質(zhì)IOO，介質(zhì)編號(hào)為100—2125。實(shí)施內(nèi)容與實(shí)施例l大致同樣，對(duì)于不同的內(nèi)容具體地進(jìn)行說明。信息層110，在介質(zhì)編號(hào)100—2125中，由于各個(gè)記錄層115的膜厚不同，因此以Rc為約21X，Ra為約4X，對(duì)每個(gè)介質(zhì)設(shè)計(jì)電介質(zhì)層117的膜厚。介質(zhì)100—21的記錄層115為7nm、電介質(zhì)層117為77nm，介質(zhì)100—22的記錄層115為9nm、電介質(zhì)層117為74nm，介質(zhì)100—23的記錄層115為11nm、電介質(zhì)層117為49nm，介質(zhì)100—24的記錄層115為13nm、電介質(zhì)層117為51nm，介質(zhì)100—25的記錄層115為15nm、電介質(zhì)層117為52nm。記錄再生特性以及可靠性，以各個(gè)實(shí)施例1所記載的記錄再生評(píng)價(jià)方法和可靠性評(píng)價(jià)方法為基準(zhǔn)而測(cè)定。本實(shí)施例中，以4倍速(19.68m/秒，144Mbps)的條件，測(cè)定2TCNR、2T消去率、CNR變化以及消去率變化。在表6表示其結(jié)果。表中的O、△、X的判定與實(shí)施例1的判定同樣。綜合評(píng)價(jià)的、〇、△、X與實(shí)施例1的判定同樣。介質(zhì)編號(hào)記錄層115的膜厚(nm)CNR消去率CNR變化消去率變化綜合評(píng)價(jià)100-217Oo00◎100—229O0o0◎100—2311Ooo0◎100—2413O〇oo◎100-2515O0厶00如(表6)所示那樣，介質(zhì)100—2125的所有的項(xiàng)目中得到了O或A的評(píng)價(jià)，因此能夠以4倍速使用。特別是，在7nm以上13nm以下的膜厚范圍中，所有的項(xiàng)目中得到了O的評(píng)價(jià)，因此更為優(yōu)選。若膜厚變厚，則記錄層115所產(chǎn)生熱難于向反射層112的方向擴(kuò)散，難于形成較小的記錄標(biāo)記，因此優(yōu)選為是15nm以下。(實(shí)施例7)實(shí)施例7中，制造圖4的信息記錄介質(zhì)400，并變化記錄層445的組成比和膜厚，對(duì)與記錄再生特性的關(guān)系進(jìn)行調(diào)查。記錄層445中，使用Sb觸.x.yCxBy。制作5種具有不同的組成比和膜厚的記錄層445的信息記錄介質(zhì)400，介質(zhì)編號(hào)為400—1115。實(shí)施內(nèi)容與實(shí)施例5大致同樣，對(duì)于不同的內(nèi)容具體地進(jìn)行說明。從第1信息層410到第3信息層430是與實(shí)施例5同樣的實(shí)施內(nèi)容。對(duì)于第4信息層440，在介質(zhì)編號(hào)400—1115中，各個(gè)記錄層445的組成比和膜厚不同，因此以Rc約1.3X、Ra約0.3X，電介質(zhì)層441、反射層442以及電介質(zhì)層447的膜厚也針對(duì)每個(gè)介質(zhì)而設(shè)計(jì)。介質(zhì)400—11中，使電介質(zhì)層441為14nm，使反射層44210nm，作為記錄層445使Sb84C9.6B6.4為3.5nm并將電介質(zhì)層447設(shè)計(jì)為34nm。介質(zhì)400—12中，將電介質(zhì)層441設(shè)為14nm，將反射層442設(shè)為12nm，作為記錄層445使Sb8807.284.8為3nm，并將電介質(zhì)層447設(shè)計(jì)為30nm。介質(zhì)400—13中，使電介質(zhì)層441為13nm，使反射層442為14nm，作為記錄層445使Sb92C4.8B32為2.5nm，并將電介質(zhì)層447設(shè)計(jì)為24nm。介質(zhì)400—14中，使電介質(zhì)層441為14nm，使反射層442為15nm，作為記錄層445使Sb96C2,4BL6為2nm，并將電介質(zhì)層447設(shè)計(jì)為19nm。介質(zhì)400—15中，使電介質(zhì)層441為14nm，使反射層442為15nm，作為記錄層445，使Sb98CL2B。.8為1.5nm，并將電介質(zhì)層447設(shè)計(jì)為18nm。關(guān)于記錄層445，以不損失晶體化速度的方式，采用膜厚越薄越能夠保持較大的晶體化速度的組成比。實(shí)施例1中記載的記錄再生評(píng)價(jià)方法為基準(zhǔn)而測(cè)定記錄再生特性。本實(shí)施例中，以4倍速(19.68m/秒、144Mbps)的條件，測(cè)定2TCNR以及2T消去率。并在(表7)示出了其結(jié)果。實(shí)施例5中所使用的介質(zhì)編號(hào)400—3的結(jié)果也一并表示。表中的O，△，X的判定與實(shí)施例5的判定同樣。綜合評(píng)價(jià)的，〇，△，X與實(shí)施例1的判定同樣。<table>tableseeoriginaldocumentpage68</column></row><table>如(表7)所示的那樣，介質(zhì)400—1115,在兩項(xiàng)目得到O或A的評(píng)價(jià)，因此即使記錄層445僅為1.5nm也能夠以4倍速使用。特別是，若為3nm以上，則能夠得到所有的項(xiàng)目中O的評(píng)價(jià)。若記錄層變薄，則記錄層的光吸收率Ac，Aa降低，因此介質(zhì)400—14和15中以20mW的激光功率，CNR變得不飽和，因此成為A評(píng)價(jià)。若照射更高的激光功率，則能夠期待得到更高的CNR。(實(shí)施例8)VLr一I.、-VL''-IiIAMiii~~"一》/_ALAA,_'、—,I,,—、■t■頭她例s干，頭她使用多個(gè)牟巴ftu對(duì)包ir姊csb)、恢cu入原子量小于33的輕元素(L)的記錄層進(jìn)行成膜的實(shí)驗(yàn)。試樣編號(hào)800_1中，在氮中同時(shí)對(duì)Sb耙和C耙進(jìn)行反應(yīng)性濺射，而在Si基板上成膜以Sb6。C3。N^為目標(biāo)的組成比的記錄層。試樣編號(hào)800—2中，同時(shí)對(duì)Sb靶、C靶和Al靶進(jìn)行濺射，而在Si基板上成膜以Sb6。C3QA1u)為目標(biāo)組成比的記錄層。利用X射線微分析儀的方法對(duì)所成膜的記錄層的組成比進(jìn)行分析，并調(diào)査是否得到了目標(biāo)的組成比。以下對(duì)實(shí)施內(nèi)容具體地進(jìn)行說明。所使用的靶的形狀全部是圓形且直徑為100mm、厚度為6mm。為了對(duì)多個(gè)靶同時(shí)進(jìn)行濺射而以目標(biāo)厚度形成目標(biāo)組成比的記錄層，以成膜速度比為組成比的方式?jīng)Q定濺射輸出，并利用濺射時(shí)間控制膜厚。對(duì)其順序進(jìn)行說明。首先，以規(guī)定的各濺射輸出P1對(duì)各靶獨(dú)立地以一定時(shí)間濺射，預(yù)先測(cè)定各成膜速度r1(單位為nm/分)。接下來，以成膜速度比為組成比的方式，根據(jù)各成膜速度rl改變并確定各濺射輸出p2。接下來，變化各輸出p2而測(cè)定各成膜速度r2，并根據(jù)需要正確地修正確定各輸出P2。接下來，以各輸出p2同時(shí)地對(duì)多個(gè)靶進(jìn)行濺射，并測(cè)定成膜速度r3。最后，以成為目標(biāo)膜厚的方式，根據(jù)r3計(jì)算濺射時(shí)間t1(單位為分)。在成膜中使用圖9所示的濺射(成膜)裝置，但是在濺射室21中備有一個(gè)的基板夾持體26、多個(gè)的靶電極28以及電源29。首先，將12mmX18mm見方(角)、厚度lmm的Si基板固定于聚碳酸酯基板，并安裝于濺射裝置內(nèi)。試樣800—1中，將Sb耙安裝于DC電源并以p2二100W，將C靶安裝于RF電源并以p2二500W，在Ar氣體和N2氣體的體積比為90:IO的混合氣體氣氛氣中，同時(shí)實(shí)施反應(yīng)性濺射。C的r2僅為Sb的r2的約十分之一，因此將p2設(shè)定為500W。以tl二20分進(jìn)行濺射，在Si基板上形成l/nn厚的Sb—C一N記錄層。試樣800—2中，將Sb靶安裝于DC電源并以p2二100W，將C靶安裝于RF電源并以p2二500W，將A1靶安裝于DC電源并以p2二25W，在Ar氣體氣氛氣中，同時(shí)實(shí)施濺射。a丄H'、Jrz定sbtf、Jr2tf、J^j/u^o，囚lt匚;i守a丄tf、jp2i又疋刀23w。以t1二20分進(jìn)行濺射，而在Si基板上形成^m厚的Sb_C_A1記錄層。表8示出了利用X射線微分析儀對(duì)在Si基板上形成的Sb—C一N記錄層和Sb—C—A1記錄層的組成比進(jìn)行分析的結(jié)果。<table>tableseeoriginaldocumentpage70</column></row><table>如(表8)所示那樣，與試樣800—1以及800—2—起，由分析得到的組成比是與目標(biāo)組成比非常接近的值，是±0.5原子％以內(nèi)的差。該結(jié)果表示即使使用多個(gè)靶，也能夠形成包含Sb、C、L的記錄層。作為追加的實(shí)驗(yàn)，以與實(shí)施例1的介質(zhì)100—2以及100—5相同構(gòu)成，對(duì)記錄層115的制造方法是本實(shí)施例的方法的介質(zhì)100—2—2以及100—5—2進(jìn)行制造，并進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的記錄再生特性以及可靠性的評(píng)價(jià)。其結(jié)果，與實(shí)施例l同樣，所有的項(xiàng)目中均能夠得到O的良好的結(jié)果。(實(shí)施例9)在實(shí)施例9中，進(jìn)行施加電能的存儲(chǔ)器的實(shí)驗(yàn)。圖6表示利用電方法記錄信息的信息記錄介質(zhì)以及記錄于其的系統(tǒng)。本實(shí)施例中，在圖6所示的信息記錄介質(zhì)600的記錄層603中使用本發(fā)明的記錄層。本實(shí)施例的信息記錄介質(zhì)600按照如下的方式制作。首先，準(zhǔn)備對(duì)表面實(shí)施了氮化處理后的Si基板601。在該基板601上，在6/^mx6]Lim的區(qū)域以厚度100nm形成Au的下部電極602。在下部電極602上在5/xmx5jiim的區(qū)域以厚度成為50nm的方式形成Sb6。C24S^記錄層603，并在5Atmx5/im的區(qū)域以厚度100nm形成Au的上部電極604。下部電極602、記錄層603、以及上部電極604均是在壓力為0.13Pa的Ar氣氣氛氣中，使用直流電源對(duì)直徑為100mm、厚度為6mm的靶進(jìn)行濺射。將基板601安裝于成膜裝置，在基板601上以功率200W對(duì)Au靶進(jìn)行濺射而形成下部電極602。接著，在下部電極602上以功率IOOW濺射S1359(:26315靶而形成記錄層603。接著，在記錄層603上以功率200W濺射Au靶而形成上部電極604。接著，在下部電極602以及上部電極604對(duì)Au引線進(jìn)行連接，并通過施加部609將電信息記錄再生裝置610連接到信息記錄介質(zhì)600。并通過該電信息記錄再生裝置610，下部電極602和上部電極604之間，經(jīng)由開關(guān)608而連接脈沖電源605。此外，記錄層603的相變化的阻抗值的變化，在下部電極602和上部電極604之間經(jīng)由開關(guān)607而連接的阻抗測(cè)定器606而進(jìn)行檢測(cè)。在記錄層603是非晶質(zhì)相時(shí)，在下部電極602和上部電極604之間，施加5mA、50ns的電流脈沖，并將記錄層603從非晶質(zhì)相轉(zhuǎn)移到晶體相。另外，在記錄層603是晶體相時(shí)，在下部電極602和上部電極604之間，施加lOmA、10ns的電流脈沖之時(shí)，記錄層603從晶體相轉(zhuǎn)移為非晶質(zhì)相。即，確認(rèn)可逆的相變化。根據(jù)以上的結(jié)果，作為記錄層603使用S1)6()(:24316材料，利用附加的電能，能夠產(chǎn)生相變化。另外，作為記錄層603，即使使用Sb6。C24B16、Sb60C24N16、Sb60C24O16、Sb60C24Mg16、Sb60C24A116，也利用電流脈沖的施加產(chǎn)生從非晶質(zhì)相向晶體相、從晶體相向非晶質(zhì)相的高速轉(zhuǎn)移。因此，能夠確認(rèn)信息記錄介質(zhì)600具有對(duì)信息進(jìn)行高速記錄消去的功能。利用圖6所示的系統(tǒng)，確認(rèn)在如以上的那樣制造的信息記錄介質(zhì)600上施加電能而在記錄層603中產(chǎn)生可逆的相變化。利用此，能夠連接多個(gè)信息記錄介質(zhì)600而增加存儲(chǔ)器容量，并能夠提高訪問功能以及開關(guān)功能。(實(shí)施例10)企施傷ilincb_+閣吝龍右企古東你1s恥法iW爾的^(V活么fe縣400—3中是否能夠進(jìn)行2倍速和4倍速的記錄，并以從2倍速到4倍速的線速度范圍能夠使用。本實(shí)施例中，使用激光10的激光功率上限在介質(zhì)H'、J盤囬刀4UmwtfJM豕再玍發(fā)直。賴w:，即1叉仕4惜迷t豕Mh"，tE能夠?qū)⒊渥愕募す?0入射到第1信息層410、第2信息層420、第3信息層430以及第4信息層440的各層。對(duì)記錄再生評(píng)價(jià)方法簡(jiǎn)單地進(jìn)行說明。與實(shí)施例1同樣以2倍速(9.84m/秒、72Mbps)和4倍速(19.68m/秒、144Mbps)的條件進(jìn)行記錄，在半徑50mm的位置實(shí)施。所記錄的信號(hào)的再生評(píng)價(jià)，以線速度1倍速照射1.40mW的激光IO而實(shí)施。可靠性評(píng)價(jià)方法，與實(shí)施例1同樣。(表9)示出了(1)2TCNR、(2)2T消去率、(3)CNR變化、(4)消去率變化的評(píng)價(jià)結(jié)果。關(guān)于〇、△、X，第1信息層410和實(shí)施例1同樣，第2信息層420和實(shí)施例3同樣，第3信息層430和實(shí)施例4同樣，第4信息層440和實(shí)施例5同樣。綜合評(píng)價(jià)的◎、〇、△、X，與實(shí)施例l的判定同樣。圓介質(zhì)編號(hào)信息層編號(hào)記錄層膜厚(nm)2TCNR2T消去率CNR變化消去率變化綜合評(píng)價(jià)記錄層組成(原子％)2倍速4倍速2倍速4倍速2倍速4倍速2倍速4倍速41010Sb50C30AI200000o000@400—34205.50o0oa0004304.50000o0004404SbaoC12Ba00000oo0如(表9)所示的那樣，從介質(zhì)400—3的第1信息層410到第4信息層440，在所有的項(xiàng)目能夠得到O的評(píng)價(jià)，因此可以確認(rèn)能夠以從2倍速到4倍速使用。2倍速以及4倍速中設(shè)定的Pw和Pe如下。第1信息層410中，2倍速的Pw是26mW，Pe是llmW，4倍速的Pw是33mW，Pe是15mW。第2信息層420中，2倍速的Pw是25mW，Pe是llmW，4倍速的Pw是32mW，Pe是14mW。第3信息層430中，2倍速的Pw是20mW、Pe是8mW，4惜逃tf、JJ"w定amW、re定iimW。鬼41目思伝44U屮，2〈首巡的Pw是16mW，Pe是7mW，4倍速的Pw是20mW，Pe是9mW。如以上通過各種的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)進(jìn)行了說明的那樣，利用光學(xué)方法進(jìn)行記錄的信息記錄介質(zhì)以及利用電學(xué)方法進(jìn)行記錄的信息記錄介質(zhì)的任何一種，均能夠使用本發(fā)明的記錄層。實(shí)施例中，作為信息記錄介質(zhì)對(duì)Blu-rayDisc進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明也能夠適用于HDDVD。根據(jù)包含該記錄層的本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)，即使至此沒有實(shí)現(xiàn)的4倍速以上的高數(shù)據(jù)傳送率以及100GB以上的大容量的記錄條件，也能夠得到同時(shí)滿足記錄特性、消去特性、記錄標(biāo)記保存性的信息記錄介質(zhì)。另外，包含該記錄層的本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)，也可以利用近場(chǎng)(近接場(chǎng))光、或數(shù)值孔徑〉1的光學(xué)系進(jìn)行記錄再生。如此，即使比Blu-rayDisc更大容量的記錄條件，也能夠得到同時(shí)滿足記錄特性、消去特性以及記錄標(biāo)記保存性的信息記錄介質(zhì)。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)，作為具有優(yōu)良的記錄層的大容量的光學(xué)的信息記錄介質(zhì)，在改寫型Blu-rayDisc、改寫型多層Blu-rayDisc、改寫型HDDVD、改寫型多層HDDVD、DVD—RAM、DVD—RW、DVD+RW等中有用。此外，作為電性的信息記錄介質(zhì)，作為電的高速開關(guān)元件也有用。權(quán)利要求1、一種信息記錄介質(zhì)，能夠利用光的照射或電能的施加而記錄信息，其中，至少備有能夠產(chǎn)生相變化的記錄層，所述記錄層包含銻(Sb)、碳(C)、原子量小于33的輕元素(L)。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述L是從B、N、O、Mg、A1以及S中選擇的至少一種元素。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述記錄層由用式(1)所表示，且x和y滿足x+yS50的材料構(gòu)成，Sbioo-x-yCxLy(1)其中，下標(biāo)100—x—y、x以及y，表示由原子。^表示的Sb、C以及L的組成比。4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述x以及所述y，滿足y^x。5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述記錄層的膜厚是15nm以下。6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述記錄層的膜厚是7nm以下。7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，其中包含N層信息層，所述N是2以上的整數(shù)，所述N層的信息層中至少一層的信息層包含所述記錄層。8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述N是3或4。9、一種信息記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，至少包括對(duì)包含銻(Sb)、碳(C)、原子量小于33的輕元素(L)的記錄層進(jìn)行成膜的工序，對(duì)所述記錄層進(jìn)行成膜的工序包括至少使用包含Sb的靶，而對(duì)所述包含Sb的靶進(jìn)行濺射。10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的信息記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述L是從B、.N、0、Mg、A1以及S中選擇的至少一種元素。11、根據(jù)權(quán)利要求9所述的信息記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，對(duì)所述記錄層進(jìn)行成膜的工序進(jìn)而包括還使用包含C的耙，對(duì)所述包含C的靶進(jìn)行濺射。12、根據(jù)權(quán)利要求9所述的信息記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，對(duì)所述記錄層進(jìn)行成膜的工序進(jìn)而包括還使用包含所述L的靶，對(duì)所述包含L的靶進(jìn)行濺射。13、根據(jù)權(quán)利要求9所述的信息記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，對(duì)所述記錄層進(jìn)行成膜的工序中，在進(jìn)行濺射時(shí)，使用稀有氣體、或從氮?dú)夂脱鯕庵羞x擇的至少一種氣體和稀有氣體的混合氣體。14、根據(jù)權(quán)利要求9所述的信息記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在對(duì)所述記錄層進(jìn)行成膜的工序中所成膜的記錄層，由式(1):Sb濯"CxLy(1)所表示，且x和y由滿足x+y的材料構(gòu)成，其中，下標(biāo)100一x—y、x以及y表示由原子X所表示的Sb、C以及L的組成比。15、一種靶，用于對(duì)包含銻(Sb)、碳(C)、原子量小于33的輕元素(L)的記錄層進(jìn)行成膜，其特征在于，至少包含銻(Sb)和碳(C)。16、根據(jù)權(quán)利要求15所述的耙，其特征在于，還包含所述L。17、根據(jù)權(quán)利要求16所述的耙，其特征在于，所述L是從B、N、0、Mg、A1以及S中選擇的至少一種元素。18、根據(jù)權(quán)利要求17所述的靶，其特征在于，所述L是從B、Mg、A1以及S中選擇的至少一種元素。19、根據(jù)權(quán)利要求15所述的靶，其特征在于，所述記錄由式(1):Sb腦-x-yCxLy(1)所表示，且x以及y由滿足x+y^50的材料構(gòu)成，其中，下標(biāo)100—x—y、x以及y表示由原子X所表示的Sb、C以及L的組成比。全文摘要本發(fā)明公開一種信息記錄介質(zhì)(100)，能夠利用光的照射或電能的施加而記錄信息，其中，至少備有能夠產(chǎn)生相變化的記錄層(115)。記錄層包含銻(Sb)、碳(C)、原子量小于33的輕元素(L)。優(yōu)選為，輕元素(L)是從B、N、O、Mg、Al以及S中選擇的至少一種元素。例如，記錄層(115)由用式(1)所表示，且由x和y滿足x+y≤50的材料構(gòu)成，Sb_100-x-yC_xL_y(1)；其中，下標(biāo)100-x-y、x以及y，表示由原子％表示的Sb、C以及L的組成比。文檔編號(hào)G11B7/258GK101678693SQ20088001978公開日2010年3月24日申請(qǐng)日期2008年6月9日優(yōu)先權(quán)日2007年6月11日發(fā)明者兒島理惠,山田升,松永利之,西原孝史申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社