專利名稱：快閃存儲器件和操作該器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有多電平單元(multi-level cell)的快閃存儲器件。更 具體地，本發(fā)明涉及一種用于與特定單元的LSB或MSB編程操作無關(guān)地 以所設(shè)置的電壓電平執(zhí)行讀取操作的方法。
背景技術(shù)：
通常，將快閃存儲器分類為NAND或NOR快閃存儲器。在此，NOR 快閃存儲器因為存儲單元獨立地連接到位線和字線而具有良好的隨機存 取時間特性。然而，在NAND快閃存儲器中，因為存儲單元是串聯(lián)連接 的，所以一個單元串只需要一個接觸點，因此從集成度來看，NAND快 閃存儲器具有良好的特性。因此，通常在高度集成的快閃存儲器中使用 NAND快閃存儲器。近來，為了提高快閃存儲器的集成度,對用于在一個存儲單元中存儲 多個數(shù)據(jù)的多位單元進(jìn)行了積極的研究。這種存儲單元稱為多電平單元(MLC )。用于存儲一位的存儲單元稱 為單電平單元(SLC)。通常，MLC可以用多電平來編程。圖1是示出根據(jù)MLC快閃存儲器的編程的閾值電壓分布圖。圖1示出通過可變電平方法編程的用于存儲至少兩位的MLC的電壓 分布。如圖1所示，當(dāng)對最低有效位(LSB, least significant bit)進(jìn)行了編 程時，擦除單元110和編程單元120具有基于電壓V1的電壓分布?？扉W存儲器的每一個字線中包括額外的標(biāo)記單元F,以表示是否只有LSB已 被編程(例如第一狀態(tài)170 )或者是否LSB和MSB都已被編程(例如第 二狀態(tài)180 )。當(dāng)對最高有效位(MSB, most significant bit)的編程結(jié)束時，擦除單元 110轉(zhuǎn)換成擦除單元130和140，編程單元120轉(zhuǎn)換成編程單元150至160。 另外，基于電壓V5對標(biāo)記單元F編程(即，第二狀態(tài)180)，因此，標(biāo)記 單元F用于表示最高有效位和最低有效位都已被編程。圖2A示出MLC快閃存儲器中的存儲塊的圖示。參考圖2A， MLC快閃存儲器中的存儲單元陣列200包括存儲單元 210和標(biāo)記單元220。存儲單元陣列的每個存儲單元212被配置成存儲2 位或更多位數(shù)據(jù)。為了便于說明，在圖2A中將每個存儲單元212表示為 能夠存儲2位數(shù)據(jù)。標(biāo)記單元220用于表示連接到同一字線的存儲單元即 同 一頁中的存儲單元的編程狀況。每個字線耦合到多個存儲單元和一個標(biāo) 記單元。標(biāo)記單元220表示是否對相應(yīng)的頁執(zhí)行了高編程(high program)操 作。如果標(biāo)記單元220處于第二狀態(tài)180(見圖1 )，則執(zhí)行了高編程操作， 其中，最低有效位頁和最高有效位頁均已被編程。例如，當(dāng)存儲單元212 被配置成存儲2位數(shù)據(jù)時，字線WLO至WL〈N〉中的每一個可以執(zhí)行 對最低有效位頁進(jìn)行編程的操作和對最高有效位頁進(jìn)行編程的另一操作。 如果字線WLO已對最低有效位頁和最高有效位頁進(jìn)行了編程，則標(biāo)記 單元F被編程為第二狀態(tài)180以表示執(zhí)行了高編程操作。然而，在第(k+l)字線WL〈1^僅對最低有效位頁進(jìn)行編程的情況 下，與第(k+l)字線WL〈b有關(guān)的標(biāo)記單元F〈b保持沒有被編程的擦 除單元170的狀態(tài)以表示只對最低有效位頁進(jìn)行了編程。圖2B是示出圖2A中的存儲塊的編程順序的視圖，其中，以頁為單 位執(zhí)行編程。存儲塊連接到字線WL〈0至WL<N>。每個字線連接到一 起限定物理頁的多個存儲單元和一個標(biāo)記單元。多電平單元212被配置成存儲N位數(shù)據(jù)。每個多電平單元212可以 通i^f目應(yīng)的字線被編程為N個不同的狀態(tài)。因此，每個物理頁提供N個 邏輯頁。MLC快閃存儲器根據(jù)響應(yīng)于輸入的數(shù)據(jù)而設(shè)置的順序以邏輯頁為單 位執(zhí)行編程。在此，MLC快閃存儲器在字線WLO至WL〈N〉中的每一個中以從第一邏輯頁到第N邏輯頁的順序進(jìn)行編程，或者根據(jù)通過參考 周圍存儲單元間的干擾等而設(shè)置的順序以邏輯頁為單位執(zhí)行編程。通常使用的方法包括控制編程使得當(dāng)以邏輯頁為單位執(zhí)行編程時不 連續(xù)地對相鄰頁進(jìn)行編程。另夕卜，地址計數(shù)器(未示出)根據(jù)預(yù)置的頁順序?qū)Φ刂愤M(jìn)行計數(shù)以對 輸入的數(shù)據(jù)執(zhí)行編程。此外，在編程^作期間根據(jù)第一至第N邏輯頁的編程狀態(tài)對標(biāo)記單 元F進(jìn)行編程。其結(jié)果是，標(biāo)記單元F示出關(guān)于字線的編程狀態(tài)的信息。例如，如果與圖2B中的第一字線WLO有關(guān)的第一至第N邏輯頁 已全部被編程，則將標(biāo)記單元FO編程為第二狀態(tài)180。在此，通常使 用的標(biāo)記單元F是SLC。如上所述，如果存儲單元存儲N位數(shù)據(jù)，則相應(yīng)的字線具有N個邏 輯頁。因此，執(zhí)行了N次編程^Mt。例如，如果存儲單元存儲四位數(shù)據(jù)，則相應(yīng)的字線具有四個邏輯頁。 其結(jié)果是，需要執(zhí)行四次編程操作以結(jié)束對與該字線相關(guān)聯(lián)的所有四個邏 輯頁的編程。在這種情況下，標(biāo)記單元F應(yīng)該具有兩個SLC以表示四個 編程狀態(tài)。在針對上述快閃存儲單元的讀取操作中，首先讀取標(biāo)記單元F的數(shù) 據(jù)以獲得編程狀態(tài)信息。使用標(biāo)記單元的編程狀態(tài)信息來選擇合適的閾值 電壓。然后，使用所選擇的閣值電壓讀M儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)。為了執(zhí)行上述方法，標(biāo)記單元F中所包含的SCL的數(shù)目應(yīng)該根據(jù)存 儲單元被配置要存儲的位的數(shù)目而增加。這可能減少能夠用于存儲數(shù)據(jù)的 存儲單元的數(shù)目。另外，因為在通過讀取標(biāo)記單元F驗證了編程狀態(tài)之后確定用于讀 M儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)的電壓電平，所以如果標(biāo)記單元F中的數(shù)據(jù)有 錯誤，則難以讀M儲在存儲單元中的數(shù)據(jù)。此外，讀取操作所需的時間 可能隨著標(biāo)記單元F的數(shù)目的增加而增加。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明涉及一種可以在沒有標(biāo)記單元的情況下工作的MLC非易失性 存儲器件，其中標(biāo)記單元表示存儲單元的編程狀態(tài)。非易失性存儲器件可以是NAND或NOR快閃存儲器件。在一個實施例中，快閃存儲器件包括存儲單元陣列，存儲單元陣列被 配置成具有至少 一個包括多個物理頁的塊，每個物理頁限定多個邏輯頁。 控制器被配置成在允許執(zhí)行讀取命令之前啟動假數(shù)據(jù)編程操作以對未被 編程的塊的邏輯頁進(jìn)行編程?？刂破骶哂写鎯Σ?，存儲部用于存儲在假數(shù) 據(jù)編程操作中使用的假數(shù)據(jù)?？刂破鞅慌渲贸呻S機產(chǎn)生在假數(shù)據(jù)編程操作 中使用的假數(shù)據(jù)，其中，塊不包括標(biāo)記單元。存儲單元陣列具有至少一個 冗余頁以在假數(shù)據(jù)編程操作期間存儲假數(shù)據(jù)。一個實施例涉及一種在具有存儲單元陣列的快閃存儲器件中執(zhí)行讀 取操作的方法，該存儲單元陣列包括至少一個塊，塊具有多個頁。該方法 包括接收讀取命令以從塊中所選擇的頁中讀取數(shù)據(jù)；確定步驟，確定塊 是否具有未被編程的頁；對確定未被編程的至少 一個頁執(zhí)行假數(shù)據(jù)編程操 作；以;M^假數(shù)據(jù)編程操作完成之后，執(zhí)行讀取命令以讀取所選擇的頁的 數(shù)據(jù)。在一個實施例中，假數(shù)據(jù)編程操作將假數(shù)據(jù)編程到確定還未被編程的 所有頁。塊包括多個物理頁，每個物理頁限定多個邏輯頁，其中，確定步 驟包括確定塊中所有的邏輯頁是否已被編程。假數(shù)據(jù)編程操作將假數(shù)據(jù)編 程到冗余頁。另 一實施例涉及一種將數(shù)據(jù)編程到具有存儲單元陣列的快閃存儲器 件中的方法，存儲單元陣列包括至少一個塊，塊包括多個頁。該方法包括 接收編程命令以對塊中的多個頁進(jìn)行編程;以預(yù)先定義的順序?qū)λ龆鄠€ 頁進(jìn)行編程；以及存儲與所述多個頁中最后被編程的頁相對應(yīng)的地址。以 遞增的順序?qū)λ龆鄠€頁i^行編程。又一 實施例涉及一種在具有存儲單元陣列的快閃存儲器件中執(zhí)行讀 取IHt的方法，存儲單元陣列包括至少一個塊，塊具有多個頁。該方法包 括接收讀取命令以讀取塊中所選擇的頁；確定步驟，確定塊中所有的頁 是否已被編程；對確定未被編程的塊中的頁執(zhí)行假數(shù)據(jù)編程操作；以及在 執(zhí)行假數(shù)據(jù)編程操作之后執(zhí)#^取命令以讀取所選擇的頁。假數(shù)據(jù)編程操 作將假數(shù)據(jù)編程到確定未被編程的頁?？蛇x地，假數(shù)據(jù)編程操作將假數(shù)據(jù) 編程到塊中的冗余頁。在又一實施例中，快閃存儲器件包括存儲單元陣列、控制器、頁緩沖 器、X解碼器和Y解碼器。存儲單元陣列具有至少一個包括多個頁的塊?？刂破鞅鎰e是否根據(jù)讀取命令對塊的每個頁進(jìn)行了編程，根據(jù)辨別結(jié)果對 未被編程的頁執(zhí)行假數(shù)據(jù)編程，并輸出控制信號以根據(jù)讀取命令執(zhí)行讀取 操作。頁緩沖器在控制器的控制下對存儲單元陣列進(jìn)行數(shù)據(jù)編程或讀取。x解碼器響應(yīng)于控制器的編程命令或讀取命令對頁的地址進(jìn)行解碼，并通過激活根據(jù)解碼結(jié)果所選擇的頁來輸出編程電壓或讀取電壓。Y解碼器響 應(yīng)于控制器的編程命令或讀取命令對列地址進(jìn)行解碼，并才艮據(jù)解碼結(jié)果輸 出頁緩沖器控制信號和數(shù)據(jù)輸A/輸出控制信號。如上所述，在本發(fā)明的快閃存儲器件和操作該器件的方法中，在沒有 用于示出編程狀態(tài)的標(biāo)記單元的情況下執(zhí)行讀取操作。因此，可以減小與 快閃存儲器件有關(guān)的芯片的尺寸。


圖1是示出根據(jù)MLC快閃存儲器的編程的閾值電壓分布圖；圖2A示出MLC快閃存儲器中的存儲塊的圖示；圖2B是示出圖2A中的塊按頁的編程順序的視圖；圖3A是示出根據(jù)本發(fā)明的 一個實施例的快閃存儲器件的編程操作的 流程圖；以及圖3B示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的存儲塊和控制器。
具體實施方式
圖3A是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的非易失性存儲器件(例如快 閃存儲器件)的編程操作的流程圖。圖3B示出根據(jù)一個實施例的存儲塊 和控制器。參考圖3B，本實施例的快閃存儲器件包括具有至少一個塊320的存 儲單元陣列(未示出)和控制器310,控制器310控制外圍(surrounding) 電路370，使得通過將響應(yīng)于與預(yù)定字線相對應(yīng)的頁的地址而輸入的數(shù)據(jù) 傳送到塊320來執(zhí)行編程操作。在美國專利No.7，193，911中更詳細(xì)地描述 了存儲單元陣列(或塊320)的配置，其通過引用包含于此。專利'911中 描述的存儲單元陣列涉及NAND快閃存儲器件。然而，存儲單元陣列(或 存儲塊)不限于本實施例中的NAND配置，其可以包括其它配置，例如 NOR配置。存儲塊320連接到多個字線WLO至WL<N>。每個字線連接到一 起限定物理頁的多個存儲單元312。存儲單元312是被配置成存儲N位數(shù) 據(jù)的多電平單元。可以通it^目應(yīng)的字線^^個多電平單元312編程到N 個不同的狀態(tài)。因此，取決于物理頁被編程了多少次，每個物理頁可以限 定N個以下的邏輯頁。根據(jù)所接收的讀取命令讀取存儲單元312 (或塊 320)中的數(shù)據(jù)?？刂破?10根據(jù)從外圍電路370傳送的數(shù)據(jù)和編程命令設(shè)置的順序來 控制編程操作。在一個實施例中，控制器310存儲最后被編程的頁的地址。 所存儲的地址可以包括關(guān)于物理頁和邏輯頁的信息。編程操作通常從第一 字線WLO開始。以邏輯頁為單位執(zhí)行編程操作，使得每次對所選擇的 邏輯頁進(jìn)行編程。控制器310可以被配置成以預(yù)定順序?qū)壿嬳撨M(jìn)行編 程。例如，編程操作可以以從給定字線(例如WLO)的第一邏輯頁到 第N邏輯頁的序列對邏輯頁進(jìn)行編程。在對該字線的所有邏輯頁編程之 后，依次對下一字線的邏輯頁進(jìn)行編程(例如，從下一字線WLO的第 一頁到笫N頁)?？蛇x地，可以以預(yù)先定義的不依次進(jìn)行的順序執(zhí)行編程 操作。通常，使用使數(shù)據(jù)存儲效率最大化的算法預(yù)先設(shè)置編程順序。在這種 方法中，不連續(xù)對相鄰的邏輯頁進(jìn)行編程以減小相鄰的邏輯頁之間的干 擾。例如，依次對每個字線WLO至WL〈N〉的第一頁進(jìn)行編程，然后 對每個字線WL〈0到WL〈N〉的第二頁進(jìn)行編程。換句話說，每次對不 同的物理頁進(jìn)行編程，使得不依次對相鄰的邏輯頁進(jìn)行編程?？刂破?10在外圍電路370比如頁緩沖器、X解碼器、Y解碼器和電 壓源電路的協(xié)助下控制如何執(zhí)行編程操作。在一個實施例中，控制器310 存儲在給定編程操作中被編程的最后一頁的地址。在一個實施方式中，只 存，物理頁(即字線)地址。在另一實施方式中，存，物理和邏輯頁地址。在本實施例中，控制器310被配置成如圖3A所示處理讀取命令。如 果外圍電路370接收到讀取命令(步驟S301 )，則控制器310訪問存儲在 控制器中的頁地址以確定要在下一個編程操作中被編程的下一個頁(步驟 S303)。因此，根據(jù)實施方式，所存儲的頁地址可以指向最后被編程的頁或者接下來要被編程的頁。此外，根據(jù)實施方式，所存儲的頁地址可以表 示物理頁、邏輯頁或兩者。在步驟S305,確定是否對塊中所有的邏輯頁進(jìn)行了編程。確定這一 點的一種方式是使用存儲在控制器中的頁地址。例如，如果頁地址指向塊 中作為最后被編程的頁的最后一個物理頁的最后一個邏輯頁，則確定對塊 中的所有邏輯頁進(jìn)行了編程。在步驟S309,如果確定對塊中所有的頁進(jìn)行了編程，則控制器310 控制外圍電路370以執(zhí)行讀取命令。在此，因為當(dāng)對塊320的每個頁進(jìn)行 編程時用于存儲N位數(shù)據(jù)的存儲單元具有2N個電壓電平，所以控制器310 控制讀取操作使得通過使用與設(shè)置的電壓電平相對應(yīng)的讀取電壓來執(zhí)行 讀取操作。在步驟S307，如果確定還未對塊中所有的頁進(jìn)行編程，則控制器310 執(zhí)行假(dummy)數(shù)據(jù)編程以對未編程的邏輯頁執(zhí)行"假編程"。即，假 數(shù)據(jù)編程操作將數(shù)據(jù)編程到塊320中未被編程的剩余頁。假數(shù)據(jù)編程操作 從與存儲在控制器310中的地址相對應(yīng)的頁到塊320的最后一頁依次對假 數(shù)據(jù)進(jìn)行編程。當(dāng)執(zhí)行假數(shù)據(jù)編程時，對所有字線WLO至WL〈N〉進(jìn) 行編程，因此將字線WLO至WL〈N〉轉(zhuǎn)換成最終的電壓電平，即轉(zhuǎn)換 成可讀取的狀態(tài)。該假編程操作使先前未編程的存儲單元的閾值電壓偏移。其結(jié)果是， 控制器可以針對讀取操作選擇適當(dāng)?shù)脑O(shè)置的電壓電平而不使用標(biāo)記單元 的編程狀態(tài)信息。下面，參考圖3B詳細(xì)描述上述^Mt。當(dāng)控制器310接收到編程命令 時，編程操作開始。根據(jù)編程命令執(zhí)行編程操作直到第(N+l)字線的第 K邏輯頁。因為第一字線是WL<0>，所以第(N+l)字線是最后的字線 WL<N>。在對第K邏輯頁進(jìn)行編程之后，編程操作結(jié)束?？刂破?10存儲要在隨后的編程操作中被編程的下一個邏輯頁是 WL〈N〉的第(k+l)邏輯頁的信息。根據(jù)實施方式，這可以通過存儲第 (k+l)頁或第k頁的地址來實現(xiàn)。如果存儲第k頁的地址，則控制器需 要被相應(yīng)地配置，以便可以理解為所存儲的地址指向最后被編程的頁，而 不是下一個要被編程的頁。在本示例中，對WL〈N〉的第K邏輯頁330執(zhí)行了編程。即，除了 WL<N>+的一組邏輯頁340 (從第(K+l)到第N)以外，塊320中的有邏輯頁已被編程。如果在步驟S301中外圍電路370接收到用于讀取第 一字線WLO的第K邏輯頁350中的數(shù)據(jù)的讀取命令，則控制器310訪 問在最后的編程操作之后所存儲的地址以確定最后被編程的頁。取決于實 施方式，所存儲的地址可以是下一個要被編程的頁?？刂破骺梢允褂盟?儲的地址以確定塊中所有的邏輯頁是否已被編程。在這種情況下，控制器310確定該組邏輯頁340 (即，WL〈N〉的第 (K+l)至第N邏輯頁)未被編程?？刂破?10控制外圍電路370以將假數(shù) 據(jù)編程到冗余頁，以便根據(jù)假數(shù)據(jù)編程對WL〈N〉的第(K+l)至第N邏 輯頁進(jìn)行編程。在此，預(yù)先將假數(shù)據(jù)存儲在控制器310所包含的存儲部 360中。在另一實施例中，假數(shù)據(jù)中的每個數(shù)據(jù)可以是"1，，或者"0"，即假 數(shù)據(jù)是無意義的數(shù)據(jù)。在假數(shù)據(jù)編程結(jié)束了對WL〈N〉的第N邏輯頁的"假編程"之后，控制 器310允許讀取WLO的第K邏輯頁的數(shù)據(jù)。在此，因為所有的頁已被 編程，所以讀取操作使用與2N個電壓電平相對應(yīng)的讀取電壓。本i兌明書中的稱謂"一個實施例"、"實施例"、"示例實施例"等意為結(jié) 合實施例所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包含在本發(fā)明的至少一個實施例 中。在說明書中的不同位置出現(xiàn)的這種表述不是必然全指同一實施例。此 外，當(dāng)結(jié)合任意實施例說明特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng) 當(dāng)明白結(jié)合其它實施例也能實現(xiàn)該特征、結(jié)構(gòu)或特性。雖然參考本發(fā)明的多個說明性實施例說明了實施方案，但是應(yīng)當(dāng)理 解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計大量落入^/>開的原理的精神和范圍之內(nèi)的其它變形例和實施例。更具體地，在本公開、附圖和所附權(quán)利要求的范圍 內(nèi)可以對本組合配置的組成部件和/或設(shè)置進(jìn)行各種變化和變形。除了組 成部件和/或設(shè)置的變化和變形之外，替代用途對于本領(lǐng)域技術(shù)人員也是 顯然的。
權(quán)利要求
1.一種快閃存儲器件，包括存儲單元陣列，其被配置成具有至少一個包括多個頁的塊；以及控制器，其被配置成在允許執(zhí)行讀取命令之前啟動假數(shù)據(jù)編程操作以對未被編程的塊的頁進(jìn)行編程。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲器件，其中，所述控制器具有存 儲部，所述存儲部用于存儲在假數(shù)據(jù)編程操作中使用的假數(shù)據(jù)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲器件，其中，所述控制器被配置 成隨機產(chǎn)生在假數(shù)據(jù)編程操作中使用的假數(shù)據(jù)，其中，塊不包括標(biāo)記單元。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲器件，其中，所述存儲單元陣列 具有至少一個冗余頁以在假數(shù)據(jù)編程操作期間存儲假數(shù)據(jù)。
5. —種在具有存儲單元陣列的快閃存儲器件中執(zhí)行讀取操作的方 法，所述存儲單元陣列包括至少一個塊，所述塊具有多個頁，所述方法包 括接收讀取命令以從塊中所選擇的頁中讀取數(shù)據(jù)； 確定步驟，確定塊是否具有未被編程的頁； 對確定未被編程的至少一個頁執(zhí)行假數(shù)據(jù)編程操作；以及 在假數(shù)據(jù)編程操作完成之后，執(zhí)行讀取命令以讀取所選擇的頁的數(shù)據(jù)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括編程步驟，以預(yù)先定義的順序?qū)K中的頁進(jìn)行編程；以及存儲步驟，存儲與最后被編程的頁相對應(yīng)的地址，其中，在執(zhí)fr^取命令之前執(zhí)行所述編程步驟和所述存儲步驟。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述確定步驟包括 確定所存儲的地址是否表示塊的最后一頁已被編程。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，假數(shù)據(jù)編程操作將假數(shù)據(jù)編 程到確定還未被編程的所有頁。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，塊包括多個物理頁，每個物理頁限定多個邏輯頁，其中，所述確定步驟包括確定塊中所有的邏輯頁是 否已被編程。
10. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，假數(shù)據(jù)編程操作將假數(shù)據(jù)編 程到冗余頁。
11. 一種將數(shù)據(jù)編程到具有存儲單元陣列的快閃存儲器件中的方法， 所述存儲單元陣列包括至少一個塊，所述塊包括多個頁，所述方法包括接收編程命令以對塊中的多個頁進(jìn)行編程；以預(yù)先定義的順序?qū)λ龆鄠€頁進(jìn)行編程；以及存儲與所述多個頁中最后被編程的頁相對應(yīng)的地址。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，以遞增的順序?qū)λ龆鄠€ 頁進(jìn)4亍編程。
13. —種在具有存儲單元陣列的快閃存儲器件中執(zhí)行讀取操作的方 法，所述存儲單元陣列包括至少一個塊，所述塊具有多個頁，所述方法包 括接收讀取命令以讀取塊中所選擇的頁； 確定步驟，確定塊中所有的頁是否已被編程； 對確定未被編程的塊中的頁執(zhí)行假數(shù)據(jù)編程操作；以及 在執(zhí)行假數(shù)據(jù)編程操作之后執(zhí)M取命令以讀取所選擇的頁。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，假數(shù)據(jù)編程操作將假數(shù)據(jù) 編程到確定未被編程的頁。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，假數(shù)據(jù)編程操作將假數(shù)據(jù) 編程到塊中的冗余頁。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述確定步驟包括訪問所 存儲的地址，所述地址對應(yīng)于在接收到讀取命令之前執(zhí)行的編程操作中最 后被編程的頁。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所存儲的地址是在接收到 讀取命令之前執(zhí)行的編程操作中最后被編程的頁的地址。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所存儲的地址是在隨后的 編程操作中下一個要被編程的頁的地址。
全文摘要
公開了一種在快閃存儲器件中執(zhí)行讀取操作的方法。快閃存儲器具有包括至少一個塊的存儲單元陣列，所述塊具有多個頁。該方法包括接收讀取命令以從塊中的所選擇的頁讀取數(shù)據(jù)；確定該塊是否具有未被編程的頁；對確定未被編程的至少一個頁執(zhí)行假數(shù)據(jù)編程操作；以及在假數(shù)據(jù)編程操作完成之后執(zhí)行讀取命令以讀取所選擇頁的數(shù)據(jù)。
文檔編號G11C16/06GK101231885SQ200810001100
公開日2008年7月30日 申請日期2008年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月23日
發(fā)明者金德柱, 金有聲 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司