技術(shù)編號：6781565
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有多電平單元(multi-level cell)的快閃存儲器件。更 具體地，本發(fā)明涉及一種用于與特定單元的LSB或MSB編程操作無關(guān)地 以所設(shè)置的電壓電平執(zhí)行讀取操作的方法。背景技術(shù)通常，將快閃存儲器分類為NAND或NOR快閃存儲器。在此，NOR 快閃存儲器因?yàn)榇鎯卧?dú)立地連接到位線和字線而具有良好的隨機(jī)存 取時間特性。然而，在NAND快閃存儲器中，因?yàn)榇鎯卧谴?lián)連接 的，所以一個單元串只需要一個接觸點(diǎn)，因此從集成度來看，NAND快 閃存...
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