專利名稱：懸架用基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠以低成本生產(chǎn)，且能夠充分地實現(xiàn)防止靜電破壞或抑制干擾的懸架用基板。
背景技術(shù)：
近年來，由于互聯(lián)網(wǎng)的普及等，正在要求個人計算機(jī)的信息處理量的增大或信息處理速度的高速化，伴隨于此，組入個人計算機(jī)的硬盤驅(qū)動器
(HDD)也需要大容量化或信息傳遞速度的高速化。還有，在該HDD中使用的支撐磁頭的被稱作磁頭懸架的部件也從連接以往的金屬線等信號線的型式向在不銹鋼的彈簧直接形成有銅配線等信號線的所謂的被稱作無線懸架的配線一體型的部件轉(zhuǎn)移。
最近，對在以便攜用途為首的各種小型設(shè)備上搭載的HDD的要求也正在增加，因此，隨著HDD高密度化，磁頭的小型化得以進(jìn)展，磁頭由于其高靈敏度化，導(dǎo)致容易受到靜電的帶電引起的影響。從而，由于在滑塊上積存的電荷，存在小型的磁頭元件的特性變化，或最差的情況下破壞的問題。
另外，作為其他問題，為了提高HDD的信號傳遞速度及精度，近年來，傾向于使用更高頻的電信號，但隨著頻率變高，存在發(fā)送的電信號的干擾噪聲增加的問題。干擾噪聲的產(chǎn)生原因被認(rèn)為是金屬基板和配線層的電位差引起的。
針對這些問題，例如，在專利文獻(xiàn)l中公開了以下所述的技術(shù)等，艮P-為了磁頭的防止靜電破壞，在磁頭和懸架之間使用導(dǎo)電性樹脂進(jìn)行電連接，通過將銅等導(dǎo)電性材料利用濺射法、鍍敷法、或蒸鍍法等來形成懸架側(cè)的接地(earth)電極。
另外，例如，在專利文獻(xiàn)2中公開了以下所述的技術(shù)，即為了抑制干擾噪聲的發(fā)生，在帶有配線的懸架上設(shè)置使配線和懸架用基板短路的地
4線端子。在所述地線端子的形成工序中，使用有源法，因此，需要基于干式工序的供電層形成工序、及基于電解鍍敷法的配線層形成工序。
根據(jù)上述以往技術(shù)可知，在接地電極或地線端子的形成時，需要進(jìn)行所謂濺射法、鍍敷法、蒸鍍法的相對需要時間的工序。因此，存在生產(chǎn)率低，而且成本也變高的問題。
專利文獻(xiàn)l:日本特開平8—111015號公報
專利文獻(xiàn)2:日本特開2006 — 12205公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述實情而做成的，其主要目的在于，提供一種能夠以低成本生產(chǎn)，且能夠充分地實現(xiàn)防止靜電破壞或抑制干擾的懸架用基板。
為了解決上述問題，在本發(fā)明中，提供一種懸架用基板，其具有金屬基板；形成于所述金屬基板上，且具有露出所述金屬基板的開口部的絕緣層；形成于所述絕緣層上，且配置于所述開口部附近的接地用配線層；形成于所述開口部，且與所述金屬基板及所述接地用配線層接觸的地線端子，其中，所述地線端子由熔點為45(TC以下的金屬形成。
根據(jù)本發(fā)明可知，由于為了形成地線端子而使用的金屬的熔點或液相點比較低，所以具有能夠容易地形成地線端子的優(yōu)點。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選所述地線端子在俯視的情況下具有在所述開口部的區(qū)域內(nèi)具有頂點的凸部形狀。這樣的形狀的地線端子例如可以通過以熔融的狀態(tài)定量滴落熔點為45(TC以下的金屬的方法來形成，該方法容易實現(xiàn)低成本化或工序的簡略化。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選形成所述地線端子的金屬為無鉛焊錫。因為能夠降低對環(huán)境的負(fù)荷。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選所述接地用配線層在俯視的情況下形成為包圍所述開口部，且所述接地用配線層具有氣孔部，其抑制在形成所述地線端子時發(fā)生的空氣積存。因為通過抑制空氣積存的發(fā)生，能夠充分地增大地線端子和金屬基板的接觸面積。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選所述開口部附近處的所述接地用配線層的形狀為線狀。因為難以發(fā)生空氣積存。
5在上述發(fā)明中，優(yōu)選所述地線端子僅形成于由所述開口部的端部包圍的區(qū)域的內(nèi)部。因為能夠小型化在開口部附近配置的接地用配線層，而能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)省空間或輕量化。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選在所述地線端子、和所述金屬基板的接合界面形成有金屬間化合物層。因為地線端子和金屬基板的電連接會變得更良好，而降低電阻。
在本發(fā)明中，提供一種懸架用基板的制造方法，其特征在于，包括地線端子形成工序，使用具有金屬基板；形成于所述金屬基板上、且具有露出所述金屬基板的開口部的絕緣層；形成于所述絕緣層上，且配置于所述開口部附近的接地用配線層的基板形成用部件，通過向所述開口
部以熔融的狀態(tài)定量滴落熔點為45(TC以下的金屬，形成與所述金屬基板
及所述接地用配線層接觸的地線端子。
根據(jù)本發(fā)明可知，通過向開口部滴落熔融的金屬而形成地線端子，能夠?qū)崿F(xiàn)低成本化或工序的簡略化。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選以熔融的狀態(tài)定量滴落所述金屬的滴落方法是使用具有規(guī)定的直徑的金屬球，使所述金屬球依次熔融，并將所述金屬球滴落的方法。因為通過適當(dāng)選擇作為原料的金屬球的直徑，能夠自由地調(diào)節(jié)熔融的金屬的滴落量。
在上述發(fā)明中，優(yōu)選在以熔融的狀態(tài)滴落所述金屬時，熔融的金屬的直徑小于所述開口部的直徑。因為通過將熔融的金屬的直徑形成為比開口部的直徑小，能夠使熔融的金屬更可靠地著落。
本發(fā)明中，可以實現(xiàn)一種能夠提供能夠以低成本生產(chǎn)，且能夠充分地實現(xiàn)防止靜電破壞或抑制干擾的懸架用基板的效果。


圖1是表示本發(fā)明的懸架用基板的一例的概略俯視圖。
圖2是圖1的X—X剖面圖。
圖3是表示利用鍍敷法形成的地線端子的形狀的概略剖面圖。圖4是說明本發(fā)明的地線端子的概略剖面圖。圖5是說明本發(fā)明的地線端子的概略剖面圖。圖6是表示本發(fā)明的懸架用基板的另一例的概略俯視圖。圖7是說明本發(fā)明中使用的接地用配線層的概略俯視圖。圖8是說明空氣積存的概略剖面圖。
圖9是說明氣孔部的概略俯視圖。
圖io是說明本發(fā)明中使用的接地用配線層的說明圖。
圖11是說明本發(fā)明中使用的接地用配線層的概略俯視圖。
圖12是說明本發(fā)明中使用的接地用配線層的概略剖面圖。圖13是說明本發(fā)明中使用的接地用配線層的大小的概略剖面圖。圖14是說明本發(fā)明中使用的保護(hù)層的概略剖面圖。圖15是例示本發(fā)明的地線端子周邊的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。圖16是表示本發(fā)明的懸架用基板的制造方法的一例的工序圖。圖17是表示本發(fā)明的懸架用基板的制造方法的另一例的工序圖。圖中1—金屬基板；2 —絕緣層；3a—接地用配線層；3b—寫入用配線層；3C —讀出用配線層；4一地線端子；5 —開口部；6 —空氣積存；7 —氣孔部；8 —保護(hù)層(cover lay); IO—基板形成用部件；ll一滴落裝置；12—熔融的金屬。
具體實施例方式
以下，詳細(xì)說明本發(fā)明的懸架用基板及其制造方法。A.懸架用基板
首先，說明本發(fā)明的懸架用基板。本發(fā)明的懸架用基板，其特征在于，具有金屬基板；形成于所述金屬基板上，且具有露出所述金屬基板的開口部的絕緣層；形成于所述絕緣層上，且配置于所述開口部附近的接地用配線層；形成于所述開口部，且與所述金屬基板及所述接地用配線層接觸的地線端子，其中，所述地線端子由瑢點為45(TC以下的金屬形成。
根據(jù)本發(fā)明可知，由于為了形成地線端子而使用的金屬的熔點或液相點比較低，所以具有能夠容易地形成地線端子的優(yōu)點。另外，以往的通過濺射法、蒸鍍法、鍍敷法等形成的地線端子經(jīng)過相對需要時間的工序，因此，存在生產(chǎn)率低，成本也高的問題，但在本發(fā)明中，例如后述一樣，通過將熔融的金屬向開口部滴落，能夠容易地形成地線端子。其次，使用附圖，說朋本發(fā)明的懸架用基板。圖l是表示本發(fā)明的懸架用基板的一例的概略俯視圖，更具體來說，是放大表示搭載有磁頭滑塊的前端部的概略俯視圖。如圖l所示的懸架用基板具有在具有彈簧性的作為金屬基板1的SUS上經(jīng)由作為絕緣層2的聚酰亞胺，形成有由CU構(gòu)
成的圖案狀配線層(接地用配線層3a、寫入用配線層3b、讀出用配線層
3C)的結(jié)構(gòu)。進(jìn)而，圖1所示的懸架用基板具有使金屬基板1和接地用
配線層3a導(dǎo)通的地線端子4。
圖2是圖1的X—X剖面圖。如圖2所示，本發(fā)明的懸架用基板具有-金屬基板l;形成于金屬基板l上，且具有露出金屬基板1的開口部5的絕緣層2;形成于絕緣層2上，且配置于開口部5附近的接地用配線層3a;形成于開口部5，與金屬基板l及接地用配線層3a接觸的地線端子4。本發(fā)明的特征在于，地線端子4由具有特定的熔點的金屬形成。
另外，在本發(fā)明中，如圖2所示，優(yōu)選在平面觀察的情況下(圖2的A方向)，地線端子4具有在開口部5的區(qū)域內(nèi)具有頂點的凸部形狀。因為這樣的形狀的地線端子例如可以通過向開口部滴落熔融的金屬來形成，該方法容易實現(xiàn)低成本化或工序的簡略化。通常，若向開口部滴落熔融的金屬，則在著落后，熔融的金屬流動，因此，形成將著地點作為頂點的凸部形狀。另外，用其他表現(xiàn)來表示的情況下，優(yōu)選上述地線端子是通過以熔融的狀態(tài)定量滴落熔點為45(TC以下的金屬而形成的。另一方面，若通過鍍敷法來形成本發(fā)明的地線端子，則如圖3所示，地線端子4的形狀為在開口部5的中心附近具有凹部。
以下，對于本發(fā)明的懸架用基板，按結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
1.地線端子
首先，說明本發(fā)明中使用的地線端子。本發(fā)明中使用的地線端子形成于后述開口部，與金屬基板及接地用配線層接觸，具有使兩者導(dǎo)通的功能。進(jìn)而，本發(fā)明中使用的地線端子，其特征在于，由熔點為450'C以下的金屬形成。其中，優(yōu)選上述金屬的熔點為35(TC以下，尤其優(yōu)選25(TC以下。因為，若上述金屬的瑢點低，則容易熔融金屬，能夠簡便地形成地線端子。
還有，在本發(fā)明中，"熔點"是指在一定壓力下，固相狀態(tài)的物質(zhì)與液相保持平衡時的溫度，還稱為熔解點。還有，在單體金屬或兩者以上成分的共晶組成(由含有兩種以上成分的液體同時結(jié)晶的兩種以上結(jié)晶的混合物)的情況下，熔點與凝固點(液體固體化的溫度) 一致。另外，不是由保持平衡而共存的兩種以上成分構(gòu)成的共晶組成的金屬的情況下，觀察表示由保持平衡而共存的兩種以上成分構(gòu)成的液體及固體的組成、和溫度即熔點的關(guān)系的狀態(tài)圖時，縱軸設(shè)為溫度(熔點)，橫軸設(shè)為組成(成分的比例)，關(guān)于液相的組成，描繪液相和固相保持平衡的溫度的情況下，得到液相線(liquidus)，但將在此的液相點作為熔點。
另外，上述金屬的熔點的下限只要是在常溫(25°C)下為固體，就不特別限定，但通常為IO(TC以上。
上述金屬的熔點可以按照J(rèn)ISZ3198 — 1，利用示差熱分析(DTA)或示差掃描熱量測定(DSC)來測定。作為熱分析裝置，例如，可以舉出雷加克(U力、夕)公司制DSC8230、 G8120等。
本發(fā)明中使用的金屬只要是上述熔點以下的金屬即可，可以為單體金屬，也可以為合金，但其中在本發(fā)明中，優(yōu)選上述金屬為合金。其原因在于，通過混合低熔點的金屬，能夠容易地得到熔點低的合金，從而能夠使用范圍廣的種類的金屬。
作為上述金屬，只要是上述熔點以下的合金，就不特別限定，但具體而言，可以舉出含有從由錫(Sn)、鉛(Pb)、鋅(Zn)、銀(Ag)、銅(Cu)、銦(In)、鉍(Bi)、銻(Sb)、鎳(Ni)及鍺(Ge)構(gòu)成的組中選擇至少兩種以上金屬的合金等。其中，在本發(fā)明中，優(yōu)選上述合金為含有從由錫(Sn)、鉛(Pb)、銀(Ag)、銅(Cu)及鉍(Bi)構(gòu)成的組中選擇至少兩種以上金屬的合金。
另外，在本發(fā)明中，作為上述合金，優(yōu)選使用焊錫。還有，焊錫通常可以大體分為含鉛焊錫、和無鉛焊錫。在本發(fā)明中，含鉛焊錫是指以鉛(Pb)及錫(Sn)作為主成分，熔點為上述溫度以下的熔融材料。無鉛焊錫是指不含有鉛(Pb)，以錫(Sn)作為主成分，熔點為上述溫度以下的熔融材料。其中，在本發(fā)明中，作為上述合金，優(yōu)選使用無鉛焊錫。因為能夠降
低對環(huán)境的負(fù)荷。
作為上述無鉛焊錫，具體來說，可以舉出Sn—Sb系、Sn—Cu系、Sn一Cu—Ni系、Sn—Ag系、Sn—Ag—Cu系、Sn—Ag—Cu—Bi系、Sn—
9Zn系、Sn—Ag—In—Bi系、Sn—Zn系、Sn—Bi系、及Sn—In系、Sn—Sb系的焊錫等。
作為上述含鉛焊錫，具體來說，可以舉出Sn—Pb系、Sn—Ag—Pb系、Sn—Pb—Bi系、Sn—Sb—Pb系、Sn—Ag—Sb—Pb系焊錫等。
另一方面，作為上述單體金屬，只要是上述熔點以下的金屬，就不特別限定，但例如可以舉出錫(Sn)及鉛(Pb)等。
作為上述地線端子的形狀，只要能夠使金屬基板和接地用配線層導(dǎo)通，就不特別限定。上述地線端子的形狀因后述的開口部的形狀等而不同。
作為上述地線端子的電阻值，不特別限定，但例如，為5Q以下，其中優(yōu)選1Q以下，更優(yōu)選0.5Q以下。
在本發(fā)明中，通過使低熔點的金屬熔融而將其向絕緣層的開口部滴落來形成地線端子的情況下，為了除去在SUS等金屬表面形成的金屬氧化物膜，也可進(jìn)行助熔劑處理。還有，這樣的助熔劑處理在利用鍍敷法等來形成地線端子的情況下不使用。因此，通過調(diào)查助瑢劑殘渣的存在，能夠判斷地線端子是否由鍍敷法等來制造。還有，助熔劑殘渣的存在可以通過離子色譜法、AES (Atomic Emission Spectroscopy)及XPS (X — rayPhotoelectron Spectroscopy )來確認(rèn)。
另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選上述地線端子僅形成于由所述開口部的端部包圍的區(qū)域的內(nèi)部。因為能夠小型化在開口部附近配置的接地用配線層，而能夠?qū)崿F(xiàn)省空間或輕量化。另外，只要是能夠?qū)崿F(xiàn)地線端子附近的輕量化，就能夠?qū)崿F(xiàn)金屬基板的薄型化。
具體來說，如圖4 (a)所示，可以舉出地線端子4僅形成于由開口部5的端部B包圍的區(qū)域的內(nèi)部的結(jié)構(gòu)等。還有，在本發(fā)明中，如圖4 (b)所示，接地用配線層3a也可具有小于開口部5的開口。另外，從提高接合可靠性的觀點來說，優(yōu)選地線端子形成為填滿開口部。另一方面，從輕量化的觀點來說，地線端子形成為未填滿開口部的一部分也可。
還有，作為這樣的地線端子的形成方法，例如，后述"B.懸架用基板的制造方法"中的記載，可以舉出在以熔融的狀態(tài)將金屬向開口部滴落時，使熔融的金屬的直徑小于開口部的直徑的方法等。
另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選在上述地線端子和上述金屬基板的接合界面
10形成有金屬間化合物層。因為地線端子和金屬基板的電連接變得更良好，電阻變低。具體來說，如圖5所示，可以舉出在地線端子4和金屬基板1的接合界面形成有金屬間化合物層21的結(jié)構(gòu)等。
通常，上述金屬間化合物層具有構(gòu)成地線端子的金屬、和構(gòu)成金屬基
板的金屬這兩者的成分。例如，作為構(gòu)成地線端子的金屬，使用Cu、 Au，作為金屬基板，在使用SUS304作為金屬基板的情況下，金屬間化合物層具有Cu元素、Au元素、Sn元素等。
另外，金屬間化合物層的組成例如可以通過EDX或AES來測定剖面而得到。
作為上述金屬間化合物層的膜厚，只要是能夠提高地線端子和金屬基板的電連接性，就不特別限定，不過，例如在0.1nm 5.0,的范圍，其中，優(yōu)選在1.0]im 3.0nm的范圍內(nèi)。
還有，作為這樣的金屬間化合物層的形成方法，例如，后述的"B.懸架用基板的制造方法"中的記載，可以舉出對露出的金屬基板進(jìn)行氧化膜除去，然后，在清洗后的金屬基板的表面形成有金屬氧化物膜之前為止，使熔融的金屬和露出的金屬基板接觸的方法等。
2.絕緣層及接地用配線層
接著，說明本發(fā)明中使用的絕緣層及接地用配線層。本發(fā)明中使用的絕緣層形成于金屬基板上，具有露出金屬基板的開口部。另一方面，本發(fā)明中使用的接地用配線層形成于絕緣層上，且配置于開口部附近。
本發(fā)明中使用的絕緣層在形成地線端子的位置具有露出金屬基板的開口部。作為上述開口部的形狀，只要是能夠讓地線端子使金屬基板和接地用配線層導(dǎo)通的形狀，就不特別限定，不過，例如可以舉出圓狀、橢圓狀、四邊形、五邊形等任意多邊形狀、梳狀、十字狀及棒狀等。還有，作為開口部的形狀，通常為圓狀。在開口部的形狀為圓的情況下，其直徑通常為50拜 300(im左右。
作為上述開口部的位置，只要是能夠讓地線端子使金屬基板和接地用配線層導(dǎo)通的位置，就不特別限定，可以在任意的部位形成。例如，如上述圖1所示，可設(shè)置于搭載有磁頭滑塊的懸架用基板的前端部，如圖6所示，也可設(shè)置于懸架用基板的前端部以外的部分。在圖6中，接地用配線層3a形成于寫入用配線層3b和讀出用配線層3c之間，并在形成有所述 接地用配線層3a的絕緣層2的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有開口部5。
另一方面，本發(fā)明中使用的接地用配線層形成于絕緣層上，且配置于 開口部附近。在本發(fā)明中，使接地用配線層和金屬基板經(jīng)由地線端子導(dǎo)通。 還有，"開口部附近"是指經(jīng)由地線端子，實質(zhì)上能夠與開口部接地的位 置。例如，是指自開口部的端部50pm的范圍內(nèi)的區(qū)域。
上述接地用配線層的形狀只要是經(jīng)由地線端子，與金屬基板導(dǎo)通的形 狀，就不特別限定，可以設(shè)定為任意的形狀。通常，在平面觀察的情況下， 上述接地用配線層以包圍開口部的方式形成。具體來說，如圖7所示，接 地用配線層3a在平面觀察的情況下，以包圍形成于絕緣層2的開口部5 的方式形成。
還有，如上所述，在接地用配線層從平面觀察形成為包圍開口部的情 況下，且如后所述，通過使低熔點的金屬熔融并將其向開口部滴落而形成 地線端子的情況下，在滴落時，沒有空氣的釋放部位，發(fā)生空氣積存，其 結(jié)果是，地線端子和金屬基板的接觸可能不充分。具體來說，如圖8所示， 發(fā)生空氣積存6，地線端子4和金屬基板1的接觸可能不充分。
因此，在如上所述的情況下，優(yōu)選接地用配線層及絕緣層的至少一方 具有抑制在形成上述地線端子時發(fā)生的空氣積存的氣孔部。因為通過抑制 空氣積存的發(fā)生，能夠充分地增大地線端子和金屬基板的接觸面積。作為 具有氣孔部的接地用配線層的一例，例如，如圖9 (a)所示，可以舉出具 有氣孔部7的接地用配線層3a等。同樣，接地用配線層3a及絕緣層2兩 者具有氣孔部7也可(圖9 (b))，僅絕緣層具有氣孔部也可(未圖示)。 還有，在接地用配線層由銅形成的情況下，可以設(shè)置2(^m 50nm左右的 氣孔部。另外，接地用配線層或絕緣層具有多個氣孔部也可。
另外，在本發(fā)明中，將上述接地用配線層形成為在平面觀察的情況下 包圍開口部也可。具體來說，如圖10 (a)所示，也可以為將接地用配線 層3a只形成于開口部5的附近的情況。即，開口部附近處的接地用配線 層的形狀可以為線狀。在這種情況下，也如圖10 (b)所示，地線端子4 能夠使接地用配線層3a和金屬基板1充分導(dǎo)通。在這種情況下，不需要 在接地用配線層或絕緣層設(shè)置上述氣孔部。另外，如圖11 (a)所示，多個線狀接地用配線層3a形成于開口部5的附近也可。由此，能夠提高接 合可靠性。另一方面，如圖11 (b)所示，將線狀接地用配線層3a形成為 在平面觀察的情況下與開口部5接觸。由此，能夠提高開口部的位置的設(shè) 計自由度。
另外，在本發(fā)明中，如圖12 (a)所示，接地用配線層3a具有小于開 口部5的開口部也可，如圖12 (b)所示，接地用配線層3a具有與開口部 5相同的大小的開口也可，如圖12 (c)所示，接地用配線層3a具有大于 開口部5的開口也可。
在本發(fā)明中，如后所述，通過以熔融的狀態(tài)將熔點為45(TC以下的金 屬向開口部定量滴落，能夠形成與金屬基板及接地用配線層接觸的地線端 子(參照后述的圖16)。在這種情況下，與以往的利用鍍敷法等形成地線 端子的方法相比，能夠小型化接地用配線層，而能夠?qū)崿F(xiàn)省空間或輕量化。 還有，從防止絕緣層的劣化的觀點來說，優(yōu)選形成接地用配線層，以使地 線端子和絕緣層不接觸。在此，如圖13所示，將開口部5的端部、和從 開口部5遠(yuǎn)離的一側(cè)的接地用配線層3a的端部之間的距離設(shè)為距離C。 本發(fā)明中，在使用上述方法而形成地線端子的情況下，與以往的鍍敷法等 相比，能夠小型化接地用配線層。在這種情況下，能夠?qū)⒕嚯xC設(shè)為75, 以下，其中，可以設(shè)為5(Hxm以下。
進(jìn)而，在本發(fā)明中，如上所述，在以熔融的狀態(tài)將金屬向開口部滴落 時，優(yōu)選使熔融的金屬的直徑小于開口部的之間(參照后述的圖17)。因 為能夠進(jìn)而小型化配置于開口部附近的接地用配線層。在這種情況下，能 夠?qū)⒕嚯xC設(shè)為40pm以下，其中，能夠設(shè)為30|im以下。另一方面，從 確保接地用配線層的機(jī)械強(qiáng)度的觀點來說，距離C通常為2(Him以上。
作為上述絕緣層的厚度，只要是能夠發(fā)揮期望的絕緣性，就不特別限 定，但通常為5nm 10pm左右。另一方面，作為上述接地用配線層的厚 度，只要是能夠發(fā)揮期望的導(dǎo)電性，就不特別限定，但通常為6, 18nm 左右。
作為上述絕緣層的材料，例如，可以舉出聚酰亞胺(PI)等。另一方 面，作為上述接地用配線層的材料，例如，可以舉出銅(Cu)等。進(jìn)而， 對上述接地用配線層利用鎳(Ni)或金(Au)實施鍍敷處理也可。尤其是，在進(jìn)行金(All)鍍敷處理的情況下，焊錫和接地用配線層的接合性變高， 但當(dāng)金鍍敷厚度較厚時，在與焊錫的接合界面，脆的鍍敷的Au和焊錫的
Sn相互擴(kuò)散，生成非常脆的Au—Su的金屬間化合物，或生成相互金屬的 擴(kuò)散速度的差異引起的柯肯達(dá)爾(Kirkendall)空隙，接合狀態(tài)時常變得不 穩(wěn)定，因此，優(yōu)選金鍍敷厚度0.5pm以下，更優(yōu)選0.1pm 0.2nm左右。
3. 金屬基板
其次，說明本發(fā)明中使用的金屬基板。本發(fā)明中使用的金屬基板只要 是具有導(dǎo)電性，就不特別限定。本發(fā)明的懸架用基板使用于懸架用途，因 此，金屬基板通常具有適度的彈簧性。
在本發(fā)明中，優(yōu)選上述金屬基板在形成開口部的表面一側(cè)具有導(dǎo)電 層。因為，通過設(shè)置導(dǎo)電層，基于地線端子的導(dǎo)通變得更有效。作為上述 導(dǎo)電層的材料，具體來說，可以舉出銅(Cu)等。上述導(dǎo)電層，例如可以 通過鍍敷法等來形成。
作為上述金屬基板的厚度，根據(jù)金屬基板的材料等而不同，不特別限 定，但通常為5pm 2(^m的范圍內(nèi)。另外，作為上述金屬基板的材料， 例如，可以舉出SUS等。
4. 其他
本發(fā)明的懸架用基板至少具有上述金屬基板、具有開口部的絕緣層、 接地用配線層及地線端子。進(jìn)而，通常，本發(fā)明的懸架用基板在接地用配 線層上具有保護(hù)層(CL)。在本發(fā)明中，如圖14 (a)所示，以覆蓋接地 用配線層3a的一部分的方式，形成保護(hù)層8也可，如圖14 (b)所示，以 不覆蓋接地用配線層3a的方式，形成保護(hù)層8也可。還有，前者相當(dāng)于 所謂SMD (solder mask defined),后者相當(dāng)于所謂的NSMD (Non—solder maskdefmed)。作為上述保護(hù)層的厚度，不特別限定，但通常為5pm 3(^m 左右，其中優(yōu)選5pm 15nm的范圍內(nèi)。作為上述保護(hù)層的材料，不特別 限定，可以使用與在通常的撓性基板等中使用的保護(hù)層相同的材料。
圖15是例示本發(fā)明的地線端子周邊的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。圖15 (a) 表示保護(hù)層8不覆蓋接地用配線層3a的NSMD型地線端子4，其沿接地 用配線層3a的開口形成地線端子4。圖15 (b)表示保護(hù)層(接地用配線 層用保護(hù)層)8覆蓋接地用配線層3a的一部分的SMD型地線端子4，其具有氣孔部7、接地用配線層用保護(hù)層8及絕緣層用保護(hù)層8'。在這種情
況下，沿接地用配線層用保護(hù)層8的開口而形成地線端子4。圖15 (c) 表示保護(hù)層8覆蓋接地用配線層3a的一部分的SMD型地線端子4，其具 有線狀的接地用配線層3a。在這種情況下，沿保護(hù)層8的開口而形成地線 端子4。圖15(d)表示保護(hù)層8不覆蓋接地用配線層3a的一部分的NSMD 型地線端子4，其具有氣孔部7。在這種情況下，沿接地用配線層3a的開 口而形成地線端子4。
另外，本發(fā)明的懸架用基板除了上述接地用配線層之外，還通常具有 寫入用配線層及讀出用配線層。寫入甩配線層及讀出用配線層由與上述接 地用配線層相同的材料形成也可，由不同的材料形成也可，但通常由相同 的材料形成。因為能夠?qū)崿F(xiàn)成本的降低。
作為本發(fā)明的懸架用基板的用途，不特別限定，但例如使用于硬盤驅(qū)
動器(HDD)的磁頭懸架等。 B.懸架用基板的制造方法
其次，說明本發(fā)明的懸架用基板的制造方法。本發(fā)明的懸架用基板的 制造方法包括地線端子形成工序，其使用基板形成用部件，通過向所述 開口部以融的狀態(tài)定量滴落熔點為450'C以下的金屬熔，形成與所述金屬 基板及所述接地用配線層接觸的地線端子，其中，所述基板形成用部件具 有金屬基板、形成于所述金屬基板上，且具有露出所述金屬基板的開口部 的絕緣層、形成于所述絕緣層上，且配置于所述開口部附近的接地用配線 層。
根據(jù)本發(fā)明可知，通過向開口部滴落熔融的金屬，形成地線端子，能 夠?qū)崿F(xiàn)低成本化或工序的簡略化。例如，利用以往的鍍敷法形成地線端子 的情況下，需要層疊干薄膜的工序、對干薄膜曝光的工序、將曝光后的干 薄膜顯影的工序、除去形成地線端子的開口部的SUS表面氧化膜的工序、 對開口部進(jìn)行鍍敷的工序、剝離干薄膜的工序等大量工序。進(jìn)而，為了對 微小的開口部迸行鍍敷，需要在其他大量區(qū)域進(jìn)行掩模處理，是效率非常 差的作業(yè)。相對于此，在本發(fā)明中，能夠僅通過滴落熔融的金屬的工序、 和根據(jù)需要進(jìn)行的、僅通過金屬基板的預(yù)處理工序來形成地線端子，從而 能夠?qū)崿F(xiàn)成本化或工序的簡略化。
15進(jìn)而，在本發(fā)明中，為了使金屬熔融，需要加熱，但對于地線端子形 成前的懸架用基板(基板形成用部件)，原則上不需要加熱。因此，例如， 能夠防止作為絕緣層使用的聚酰亞胺等的劣化。另外，例如，開口部的形 狀復(fù)雜的情況下，若通過以往的鍍敷法來形成地線端子，則得到的地線端 子變脆，有時不具有充分的強(qiáng)度。相對于此，在本發(fā)明中，以熔融狀態(tài)滴 落金屬，因此，具有不存在像鍍敷法一樣得到的地線端子變脆的情況的優(yōu) 點。另外，根據(jù)本發(fā)明，能夠相對任意的形狀的開口部而形成地線端子。
其次，使用附圖，說明本發(fā)明的懸架用基板的制造方法。圖16是表 示本發(fā)明的懸架用基板的制造方法的一例的工序圖。圖16所示的懸架用 基板的制造方法具有如下所述的地線端子形成工序(圖16 (C))，即準(zhǔn) 備具有金屬基板1、形成于金屬基板1，且具有露出金屬基板1的開口部5
的絕緣層2、和形成于絕緣層2上，且配置于開口部5附近的接地用配線 層3a的基板形成用部件10 (圖16 (a))，然后，使用滴落裝置U，向開 口部5定量滴落熔融的金屬12 (圖16 (b))，由此，形成與金屬基板l及 接地用配線層3a接觸的地線端子4。 1.地線端子形成工序
首先，說明本發(fā)明的地線端子形成工序。在本發(fā)明的地線端子形成工 序中，使用上述的基板形成用部件。該基板形成用部件至少具有金屬基板、 具有開口部的絕緣層、接地用配線層及地線端子。關(guān)于這些結(jié)構(gòu)部件，與 上述"A.懸架用基板"中記載的內(nèi)容相同，因此，省略在此的說明。另 外，在本工序中，使用具有特定范圍的熔點的金屬。關(guān)于該金屬，也與上 述"A.懸架用基板"中記載的內(nèi)容相同，因此，省略在此的說明。
作為以熔融的狀態(tài)滴落上述金屬的方法，只要是能夠定量滴落熔融的 金屬的方法，就不特別限定，但例如，可以舉出使用具有規(guī)定的直徑的金 屬球，使上述金屬球依次熔融，并將其滴落的方法、及在規(guī)定的容器中將 金屬以熔融的狀態(tài)積存，從所述容器每次少量地定量滴落的方法等。
其中，在本發(fā)明中，上述滴落方法優(yōu)選使用具有規(guī)定的直徑的金屬球， 使上述金屬球依次熔融，并將其滴落的方法。因為通過適當(dāng)選擇作為原料 的金屬球的直徑，能夠自由地調(diào)節(jié)熔融的金屬的滴落量。作為金屬球的直 徑，不特別限定，但通常為100pm 25(Him左右。在本發(fā)明中，優(yōu)選考慮開口部的大小等來確定金屬球的直徑。
作為使用上述金屬球而進(jìn)行滴落的滴落裝置，例如，可以舉出具有供 給上述金屬球的原料供給部、使供給的上述金屬球熔融的熔融部、和滴落 熔融的上述金屬球的滴落部的滴落裝置等。在這樣的裝置中，首先，向原 料供給部填充作為原料的金屬球，然后，從原料供給部向熔融部依次供給 金屬球，使供給的金屬球熔融。作為熔融的方法，例如，可以舉出YAG 激光器等方法。然后，從滴落部向開口部滴落熔融的金屬。作為滴落熔融
的金屬的方法，例如，可以舉出利用N2等惰性氣體擠出熔融的金屬球的 方法等。作為這樣的滴落裝置，具體來說，可以舉出PAC — TECH PACKAGING TECHNOLOGIES Gmbh公司制、SB2—JET等。
在本發(fā)明中，以一次來滴落形成地線端子所需的規(guī)定量的熔融的金屬 也可，分為多次滴落也可。在以一次來滴落的情況下，具有工序數(shù)目少的 優(yōu)點，在分為多次滴落的情況下，具有通過每次少量滴落而能夠抑制空氣 積存的發(fā)生的優(yōu)點。g卩，在分為多次而滴落熔融的金屬的情況下，具有在 接地用配線層或絕緣層上不設(shè)置上述"A.懸架用基板"中記載的氣孔部 的優(yōu)點。
另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選以在以熔融的狀態(tài)滴落上述金屬時，不與開 口部的端部接觸的方式設(shè)定熔融的金屬的直徑。具體來說，優(yōu)選在以熔融 的狀態(tài)滴落上述金屬時，熔融的金屬的直徑小于上述開口部的直徑。通過 將熔融的金屬的直徑設(shè)為比開口部的直徑小，能夠使熔融的金屬更可靠地 著落。由此，能夠抑制空氣積存的發(fā)生，增加金屬基板和地線端子的接合 面積，提高接合可靠性。進(jìn)而，通過提高著落的精度，能夠小型化配置于 開口部附近的接地用配線層，能夠?qū)崿F(xiàn)省空間或輕量化。另外，只要是能 夠?qū)崿F(xiàn)地線端子附近的輕量化，就能夠?qū)崿F(xiàn)金屬基板的薄型化。
具體來說，如圖17 (a)所示，在使用滴落裝置11，將熔融的金屬12 向開口部5滴落時，使熔融的金屬12的水平方向的直徑12x小于開口部5 的直徑。由此，如圖17 (b)所示，容易地使熔融的金屬12著落于從開口 部5露出的金屬基板1的表面。進(jìn)而，如圖17 (c)所示，得到的地線端 子4僅形成于由開口部5的端部包圍的區(qū)域的內(nèi)部。還有，關(guān)于得到的地 線端子，與上述"A.懸架用基板"中記載的內(nèi)容相同，因此，省略在此的說明。
在本發(fā)明中，熔融的金屬的直徑是指在從滴落裝置等滴落的熔融的金 屬進(jìn)入開口部時的、水平方向的大小(圖17 (a)的符號12X)。另一方面， 開口部的直徑根據(jù)開口部的形狀而不同，但例如，開口部的形狀為圓的情 況下是指其直徑。在本發(fā)明中，熔融的金屬的直徑(實際上，僅能夠載明 熔融前的焊錫球尺寸，不能計測熔融中的金屬系)與開口部的直徑相比，
例如，優(yōu)選小lOpm以上，其中優(yōu)選在15pm 30)im的范圍內(nèi)比其小。
還有，例如，如圖16 (a)所示，接地用配線層3a的直徑小于開口部 5的直徑的情況下，熔融的金屬的直徑與接地用配線層的直徑相比，優(yōu)選 在上述范圍內(nèi)比其小。
另外，若熔融的金屬的直徑過小，則形成的地線端子可能不能充分地 連接金屬基板和接地用配線層。因此，以一次的滴落來形成地線端子的情 況下，優(yōu)選將熔融的金屬的直徑設(shè)定為能夠充分地連接金屬基板和接地用 配線層的程度。此時，優(yōu)選考慮熔融的金屬的體積和開口部的面積的關(guān)系。 另一方面，即使在熔融的金屬的金屬的直徑過小的情況下，也如上所述， 通過分為多次來滴落，能夠充分地連接金屬基板和接地用配線層。
作為熔融的金屬的直徑，不特別限定，但通常為40nm 15(Him的范 圍內(nèi)，其中優(yōu)選60nm 100pm的范圍內(nèi)。另一方面，開口部的直徑如上 述"A.懸架用基板"中的記載，通常為5(^m 300nm左右，但將熔融的 金屬的直徑設(shè)為比開口部的直徑小的情況下，例如，優(yōu)選8(^m 15(Him 的范圍內(nèi)。
另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選對于在上述開口部露出的金屬基板，進(jìn)行氧 化膜除去處理，然后，在清洗后的上述金屬基板的表面形成金屬氧化物膜 之前為止，使熔融的金屬和露出的上述金屬基板接觸。其原因在于，通過 在金屬氧化物膜的形成前形成地線端子，能夠得到電阻低的地線端子。另 外，與后述的使用助瑢劑的方法相比，不需要助熔劑涂敷工序或助熔劑清 洗工序，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)工序的簡略化。進(jìn)而，在使用助熔劑的情況下， 若滴落熔融的金屬，助熔劑飛散，同時地線端子也可能飛散。與其相對， 進(jìn)行氧化膜除去處理，則不發(fā)生助熔劑的飛散等問題，也能夠防止地線端 子的飛散。
18另外，通常情況下，當(dāng)對金屬基板進(jìn)行氧化膜除去處理時，能夠除去 在金屬基板的表面存在的金屬氧化物膜，但認(rèn)為在氧化膜除去處理后，將 金屬基板放置于大氣中等的情況下，在金屬基板的表面再次形成金屬氧化 物膜。該金屬氧化物膜為提高地線端子的電阻的成分，從而優(yōu)選在形成金 屬氧化物膜之前，形成地線端子。
在本發(fā)明中，"在金屬基板的表面形成金屬氧化物膜之前"是指金屬 氧化物膜沒有形成到地線端子能夠發(fā)揮作為目的的電阻值的程度的狀態(tài)。 作為目的的電阻值根據(jù)懸架用基板的用途等而不同，不過，例如為1.0Q 以下，其中優(yōu)選在0.3Q以下的范圍內(nèi)。
還有， 一般認(rèn)為，通過在金屬氧化物膜的形成前而形成地線端子，從 而在地線端子和金屬基板的接合界面形成金屬間化合物層。關(guān)于金屬間化 合物層，與上述"A.懸架用基板"中記載的內(nèi)容相同，因此，省略在此 的說明。另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選對在上述開口部露出的金屬基板進(jìn)行氧 化膜除去處理，然后，在上述地線端子和上述金屬基板的接合界面能夠形 成金屬間化合物層的時間即能夠形成金屬間化合物層的時間的范圍內(nèi)，使 熔融的金屬、和露出的上述金屬基板接觸。
在本發(fā)明中，作為金屬基板使用SUS304的情況下，若測定氧化膜除 去處理前的SUS304表面的元素組成，則Fe/Cr的元素組成比不足1。這 被認(rèn)為是在SUS304的表面形成了氧化鉻膜。另一方面，若對SUS304進(jìn) 行氧化膜除去處理，則SUS304表面的氧化鉻膜被除去，F(xiàn)e/Cr的元素組 成比趨向于增加。
另外，在本發(fā)明中，預(yù)先在開口部配置作為原料的金屬球，使所述金 屬球熔融，由此形成地線端子。該方法是與所謂的SBB(solder ball bonding) 相同的方法。
2.其他工序
在本發(fā)明中，在向開口部滴落熔融的金屬之前，進(jìn)行基板形成用部件 的預(yù)處理也可。作為上述預(yù)處理，具體來說，可以舉出除去在開口部露出 的金屬基板表面的金屬氧化物膜的助熔劑處理工序、除去在開口部露出的 金屬基板表面的金屬氧化物膜的酸洗工序、除去在開口部露出的金屬基板 表面殘留的有機(jī)物的等離子體清洗工序、及除去在開口部露出的金屬基板表面殘留的油分的脫脂工序等。尤其，在本發(fā)明中，作為上述預(yù)處理工序， 優(yōu)選進(jìn)行等離子體清洗工序。另外，在本發(fā)明中，組合兩種以上上述預(yù)處 理也可。
在上述助熔劑處理工序中，作為使用的助熔劑，不特別限定，優(yōu)選根 據(jù)金屬基板的種類，適當(dāng)選擇。作為這樣的助熔劑，可以使用在通常的焊 錫等中使用的助熔劑相同的助熔劑。
在上述等離子體清洗工序中，進(jìn)行金屬基板上的有機(jī)物殘渣除去的同
時，進(jìn)行金屬基板上的氧化膜除去。處理氣體分別單獨選擇He、 N2、 Ar， 或3%以下的氫混合氣體，等離子體裝置優(yōu)選平行平板類型、磁控管類型 等能量效率高的類型。
在上述酸洗工序中，作為使用的酸洗液，例如，可以舉出鹽酸、硫酸、 過氧化氫水、磷酸、酸性氟化銨等，這些可以單獨或以混合物使用。
在上述脫脂工序中，作為使用脫脂的方法，不特別限定，但例如，可 以舉出使用了碳酸鈉、氫氧化鈉等的堿脫脂、乳劑脫脂、溶劑脫脂、使用 了磷酸、硅酸鹽等的酸性脫脂、使用了表面活性劑、螯合劑等的脫脂等， 這些可以使用一種或合用兩種以上。
還有，本發(fā)明不限定于上述實施方式。上述實施方式是例示，具有本 發(fā)明的專利請求的范圍中記載的技術(shù)思想、和基本上相同的結(jié)構(gòu)，起到相 同的作用效果的結(jié)構(gòu)在任何情況下也均包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
實施例
以下，使用實施例，進(jìn)一步具體說明本發(fā)明。 (基板形成用部件的制作)
準(zhǔn)備依次層疊有厚度20pm的SUS304 (金屬基板)、厚度10pm的聚 酰亞胺層(絕緣層)、厚度18pm的電解銅箔構(gòu)成的Cu配線層(配線層) 的層疊體，通過對該層疊體進(jìn)行以下所述的化學(xué)蝕刻等，得到基板形成用 部件。首先，利用化學(xué)蝕刻，將形成地線端子的Cu配線層的區(qū)域(接地 用Cu配線層)加工為外徑250pm、內(nèi)徑(開口直徑)100nm的形狀，其 次，為了限定懸架用基板的外形，將SUS進(jìn)行化學(xué)蝕刻，接著，對聚酰亞 胺層進(jìn)行化學(xué)蝕刻，形成直徑10(Him的開口部。然后，在接地用Cu配線層表面通過電解鍍敷0.2nm左右的Ni，通過電解，鍍敷0.5pm左右的Au。 進(jìn)而，涂敷用于保護(hù)配線的感光性保護(hù)層，進(jìn)行曝光、顯影，形成規(guī)定的 形狀的保護(hù)層，由此得到基板形成用部件。 (懸架用基板的制作)
其次，為了活性化開口部中的SUS表面，作為預(yù)處理，使用磷酸，進(jìn) 行了處理(酸洗)。然后，準(zhǔn)備直徑0.1mm的Sn—3.0Ag—0.5Cu的無鉛焊 錫(焊錫球)，使用Pac—Tech公司制SBZ—JET，使焊錫球熔融的同時， 將其向開口部滴落，由此得到多張本發(fā)明的懸架用基板。這些懸架用基板 的地線端子中的電阻值平均為6.10Q，其中5Q以下的為40。/。， 1Q以下的 為5%。
在滴落熔融的焊錫之前，利用前進(jìn)等離子體系統(tǒng)(7—千:/，X7)
7亍厶)公司制的平行平板型等離子體清洗裝置而代替酸洗，用Ar氣體 進(jìn)行5分鐘的處理，活性化SUS表面，除此之外，與實施例l相同，而得 到多張懸架用基板。這些懸架用基板的地線端子中的電阻值平均為1.25 Q，其中5Q以下的為90。/。， 10以下的為65%。 [實施例3]
在滴落熔融的焊錫之前，代替酸洗，進(jìn)行SUS用助熔劑(日本斯費利 (只^i;7)公司制NS—23)的涂敷，活性化SUS表面，除此之外，與 實施例1相同，而得到多張懸架用基板。這些懸架用基板的地線端子中的 電阻值平均為5.55Q，其中5^以下的為60%， 1^以下的為5%。
首先，準(zhǔn)備與實施例l相同的基板形成用部件(開口直徑為lO(Him)。 其次，準(zhǔn)備直徑0.1mm的Sn—3.0Ag—0.5Cu的無鉛焊錫(焊錫球)，使用 Pac—Tech公司制SB2—JET，將瑢融的焊錫球的水平方向的直徑調(diào)節(jié)為 80pm，向開口部滴落，形成地線端子。
權(quán)利要求
1. 一種懸架用基板，其特征在于，具有金屬基板；形成于所述金屬基板上，且具有露出所述金屬基板的開口部的絕緣層；形成于所述絕緣層上，且配置于所述開口部附近的接地用配線層；形成于所述開口部，且與所述金屬基板及所述接地用配線層接觸的地線端子，其中，所述地線端子由熔點為450℃以下的金屬形成。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的懸架用基板，其特征在于， 所述地線端子具有俯視時在所述開口部的區(qū)域內(nèi)具有頂點的凸部形狀。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的懸架用基板，其特征在于， 形成所述地線端子的金屬為無鉛焊錫。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項所述的懸架用基板，其特征在于， 所述接地用配線層形成為俯視時包圍所述開口部， 所述接地用配線層具有氣孔部，該氣孔部抑制在形成所述地線端子時發(fā)生的空氣積存。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項所述的懸架用基板，其特征在于， 所述開口部附近處的所述接地用配線層的形狀為線狀。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項所述的懸架用基板，其特征在于， 所述地線端子僅形成于由所述開口部的端部包圍的區(qū)域的內(nèi)部。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1 6中任一項所述的懸架用基板，其特征在于， 在所述地線端子和所述金屬基板的接合界面形成有金屬間化合物層。
8. —種懸架用基板的制造方法，其特征在于，包括地線端子形成工序，使用具有金屬基板；形成于所述金屬基板上、 且具有露出所述金屬基板的開口部的絕緣層；形成于所述絕緣層上，且配 置于所述開口部附近的接地用配線層的基板形成用部件，通過向所述開口部以熔融的狀態(tài)定量滴落瑢點為45(TC以下的金屬， 形成與所述金屬基板及所述接地用配線層接觸的地線端子。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的懸架用基板的制造方法，其特征在于， 以熔融的狀態(tài)定量滴落所述金屬的滴落方法是使用具有規(guī)定直徑的金屬球，使所述金屬球依次熔融并滴落的方法。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的懸架用基板的制造方法，其特征在于， 在以熔融的狀態(tài)滴落所述金屬時，熔融的金屬的直徑小于所述開口部的直徑。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠以低成本生產(chǎn)，且能夠充分地實現(xiàn)防止靜電破壞或抑制干擾的懸架用基板。該懸架用基板具有金屬基板；形成于所述金屬基板上，且具有露出所述金屬基板的開口部的絕緣層；形成于所述絕緣層上，且配置于所述開口部附近的接地用配線層；形成于所述開口部，且與所述金屬基板及所述接地用配線層接觸的地線端子，其中，所述地線端子由熔點為450℃以下的金屬形成。
文檔編號G11B5/60GK101467206SQ20078002226
公開日2009年6月24日 申請日期2007年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月22日
發(fā)明者三浦陽一, 毒島伸一郎, 芹澤徹 申請人:大日本印刷株式會社