專利名稱：具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)，具 體地，涉及一種具有能夠有效確定或排除非法復(fù)制拷貝的一次寫入 金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
因為可以通過塑泮牛注射成型在短時間內(nèi)由 一個壓才莫(stamper ) 來廉價制造大量的復(fù)制基板，所以作為光學(xué)記錄介質(zhì)的光盤，特別 是只讀ROM (只讀存儲器)光盤，在世界范圍內(nèi)被廣泛地用作盒 裝媒體(package media )。
例如，CD (壓縮光盤)和DVD (凄t字通用光盤)通常一皮用作 ROM光盤，用于記錄諸如音樂和圖像的數(shù)據(jù)。
通常，稱作盜版光盤的復(fù)制光盤通過非法拷貝作為封裝介質(zhì)銷 售的ROM光盤的記錄數(shù)據(jù)來制造，因此存在侵犯版權(quán)問題。
通常，通過基于,人正;t反光盤再生的信號的母盤處理(mastering process )所制造的壓模來制造作為復(fù)制光盤的盜版光盤。
作為選擇地，可以通過將從正版光盤所再生的信號拷貝到可記 錄光盤來制造盜版光盤。
已經(jīng)4是出并研究了多種方法來防止盜片反光盤的生產(chǎn)。作為其中一個方法，例如，將不同的識別信息附加至各個光盤 的方法已經(jīng)眾所周知。使用將不同的識別信息附加至各個光盤的方 法能夠建立一個這樣的系統(tǒng)，其中再生裝置讀取光盤的識別信息并 通過網(wǎng)絡(luò)將其傳送至外部服務(wù)器。例如，因為在制造和銷售盜版光 盤后，通過服務(wù)器檢測到大量相同的識別信息，所以可以使用這種 系統(tǒng)來才企測盜版光盤的存在。此外，通過確定已經(jīng)傳送了被檢測的 識別信息的再生裝置，可以確定盜版光盤的生產(chǎn)商。
但是，即使在如上所述將唯一的識別信息附加至各個光盤的情 況下，通過防止使用商用驅(qū)動器進行筒單再生和拷貝的方法來進行
記錄，對于^f呆護;f反斗又來i兌也是有用的。
因此，已經(jīng)^提出了一種記錄方法，其中，在光盤的反射膜上形 成上述識別信息的標記，'從而提供反射率的微小變化(例如，見專 利文獻i )。
在專利文獻l中所述的光盤中，通過凹坑(pit)和平面(land) 的組合來記錄主數(shù)據(jù)(諸如內(nèi)容數(shù)據(jù)或管理信息的數(shù)據(jù))，并且通 過形成對預(yù)定凹坑或平面上的反射膜的反射率提供微小變化的標 記來記錄除主lt據(jù)之外的輔助lt據(jù)(識別信息)。
使用高于再生激光功率的記錄功率，由激光照射來執(zhí)行上述的 在反射膜上記錄標記。此時，由于該標記所引起的反射率的變化十 分樣￡小，以至于對通過凹坑和平面的組合所記錄的主教:據(jù)的再生沒 有影響。具體地講，防止了在主數(shù)據(jù)的正常再生中再生輔助數(shù)據(jù)。
例如，通過^是供單獨的再生系統(tǒng)、對在主數(shù)據(jù)的再生信號中沖是 供有這種反射率的孩史小變化的多個部分進行取樣、并求出它們的積 分值，來再生輔助^t據(jù)本身。
6在這種情況下，通過在輔助數(shù)據(jù)記錄裝置和再生裝置中的預(yù)定 算法來確定應(yīng)該形成輔助凝:才居標"i己的^f立置。因此，因為可以通過與 記錄中所4吏用的算法相同的算法來確定應(yīng)該i己錄標記的^立置，所以 正規(guī)的再生裝置可以適當(dāng)?shù)卦偕鳛檩o助數(shù)據(jù)的識別信息。
假設(shè)使用正版ROM光盤的再生信號來制備盜版光盤。另一種 方法也是可能的，其中，通過直接轉(zhuǎn)寫ROM光盤的基板的物理形 狀來制備壓模。
具體地講，在該方法中，將正版光盤的覆蓋層和反射膜與基板 分離，以暴露形成在基板上的凹坑和平面的形狀，并且物理轉(zhuǎn)寫所 暴露的凹凸形狀，從而復(fù)制光盤上所記錄的內(nèi)容。
在專利文獻l中所描述的上述光盤中，通過在反射膜上形成標 記來記錄各個光盤的識別信息。據(jù)此，通過上述需要將基板與覆蓋 層和反射膜分離的物理轉(zhuǎn)寫方法不能轉(zhuǎn)寫在反射膜上所形成的標 記(識別信息)。因此，認為能夠防止制造盜版光盤。
但是，標記實際上是通過利用相對高功率的激光照射而記錄在 反射膜上。因此，由于在記錄預(yù)定標記時加熱記錄部分，可能在光 盤基板上發(fā)生基板本身的對應(yīng)于標記的變形，例如局部熱膨脹。
換句話說，應(yīng)該僅形成在反射膜上的標記也可能被物理轉(zhuǎn)寫至 基板，并且輔助數(shù)據(jù)會與主數(shù)據(jù)一起通過物理轉(zhuǎn)寫被復(fù)制至基板。
下面，將參照圖33來描述這種轉(zhuǎn)寫。
圖33A示出了如上所述具有在反射膜上所形成的標記的光盤 100的截面結(jié)構(gòu)。光盤100包括在基板101上所形成的反射膜102和;菱蓋層103。 在基板101與反射膜102之間所形成的凹凸截面形狀為通過凹坑和
平面的組合來i己錄主lt纟居的部分。
如上所述，在預(yù)定凹坑或平面上的反射膜上記錄了作為由符號 X所表示的輔助lt據(jù)的標記。圖中示出了在預(yù)定平面上的反射膜 102上i己錄標i己X的實例。
在本說明書中，平面指的是在光學(xué)記錄介質(zhì)(例如光盤)的凹 凸表面上，光學(xué)上接近于入射光光源的部分，即，具有凸向入射光 一側(cè)的形狀的部分。
在這種情況下，如上所述，當(dāng)記錄了作為輔助數(shù)據(jù)的標記時， 通過相對高功率的〗敫光來照射反射力莫102, /人而在形成了標記的^f立 置X處可能發(fā)生隨著溫度的升高而由熱膨脹等引起的變形。
由于這種變形，凹痕被轉(zhuǎn)寫至與反射膜102接觸的基板101的 表面。具體地，當(dāng)在這種情況下通過將覆蓋層103與反射膜102分 離來暴露基板101時，如圖33B所示，相應(yīng)于僅應(yīng)該在反射膜102 上形成的標記的凹陷形狀被轉(zhuǎn)寫至基纟反101的表面。
通過這種方式所轉(zhuǎn)寫的凹陷部分具有與另一個平面相比^皮略 微減小的反射率。換句話說，在通過直接轉(zhuǎn)寫基板101的這種凹陷 形狀所制備的復(fù)制基板中，直接再生了作為輔助數(shù)據(jù)的標記。
當(dāng)以與典型的制造工藝相同的方式在這種復(fù)制品基板上層積
反射膜和覆蓋層時，可以制造出完全拷貝了在正版光盤上所記錄的 主凄t據(jù)和輔助lt據(jù)的盜版光盤。
專利文獻1:日本專利第3454410號
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發(fā)明內(nèi)容
另一方面，在日本專利申請第2005-205439號(要求基于日本專利申請第2005-30272號的優(yōu)先權(quán)的申請)中，本申請人之前已經(jīng)提出了一種再生裝置、再生方法、記錄裝置、記錄方法、光盤的制造方法及光盤記錄介質(zhì)，其中，即^f吏如上所述地物理轉(zhuǎn)寫用于防止或檢測復(fù)制的輔助數(shù)據(jù)時，也能在通過非法復(fù)制制造的所謂盜版光學(xué)記錄介質(zhì)上以諸如極性反轉(zhuǎn)的方式執(zhí)行與正規(guī)拷貝不同的再生。
本發(fā)明提供了一種具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，由于基于上述方案進^亍了更為廣泛的研究，故可以沖企測盜版拷貝，可以拒絕盜版拷貝的再生，并且可以大大地劣化盜版拷貝的特性，使得所轉(zhuǎn)寫的輔助數(shù)據(jù)更可靠地表現(xiàn)出與正規(guī)拷貝中的輔助^:據(jù)不同的性質(zhì)。
本發(fā)明進一步提供了一種具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，通過大大改善其反射膜的耐候性來提高上述光學(xué)記錄介質(zhì)的長期存儲可靠性。
根據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)，包括在基板上至少有層積形成的一次寫入金屬反射膜和覆蓋層。以凹坑和平面的組合在基板上記錄主數(shù)據(jù)， 一次寫入金屬反射膜允許通過激光照射的熱記錄進行一次寫入記錄，通過利用一次寫入記錄激光照射一次寫入金屬反射膜所形成的標記來記錄輔助數(shù)據(jù)，形成標記的部分的再生信號電平在具有預(yù)定長度的平面中升高，并且在通過物理轉(zhuǎn)寫基板的凹坑和平面的表面形狀所制備的光盤記錄介質(zhì)上形成標記，使得形成標記的部分的再生信號電平降低。光學(xué)記錄介質(zhì)的特征在于，由Ag1G(KX-yXxCuy (x， y: at。/。)的Ag合金膜形成一次寫入金屬反射膜，X為Ti、 W、 Ta、 V、 Mo、 Nb及Zr的元素中的至少一種元素，并且Ag合金膜中的Cu的組成y選沖奪為2Sy S13 [at%]。
如隨后所述，已經(jīng)-瞼證了再生信號電平在具有這種結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)中形成了被記錄的輔助數(shù)據(jù)標記的部分升高，并且再生信號電平在通過物理轉(zhuǎn)寫上面的光學(xué)記錄介質(zhì)的基板形狀所制備的光學(xué)記錄介質(zhì)中形成了標記的部分降低。
根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的具有 一次寫入金屬反射膜的光
學(xué)記錄介質(zhì)的特征在于，由Ag腦-x-yXxCUy的Ag合金膜形成一次寫
入金屬反射膜，X為Ti,Ag合金膜中Ti的組成x選擇為4,5 17[at%],并且Ag合金膜中Cu的組成y選4奪為2 ^ y ^ 13 [at%]。
根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)的特征在于，由Agl。Q.x-yXxCuy的Ag合金膜形成一次寫入金屬反射膜，X為W, Ag合金膜中W的組成x選4奪為2.511 [at%],并且Ag合金膜中的Cu的組成y選4奪為2 S y S 13 [at%]。
根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的具有 一 次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)的特征在于，由Ag1Q()-x-yXxCuy的Ag合金膜形成一次寫入金屬反射膜，X為Ta， Ag合金膜中Ta的組成x選才奪為0.61 S x ^10.5 [at%],并且Ag合金月莫中Cu的組成y選擇為2 ^ y ^ 13 [at%]。
根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的具有 一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)的特征在于，由Ag應(yīng).x.yXxCuy的Ag合金膜形成一次寫入金屬反射膜，X為Ti、 W、 Ta、 V、 Mo、 Nb及Zr中的至少兩種元素，Ag合金膜中X的總組成x選4奪為0.6 ^ x ^ 17 [at%]，并且Ag合金膜中Cu的組成y選擇為2 ^ y ^ 13 [at%]。已證實，由于指定了具有含Cu的Ag1(K)-x-yXxCuy的Ag合金組成的上述一次寫入金屬反射膜的Ag合金中的元素X,并指定了其
組成比率，所以可以確〗呆在正;f反光學(xué)i己錄介質(zhì)中的輔助凄W居和在盜
版光學(xué)記錄介質(zhì)中的輔助凄t據(jù)」波此才及性相反。
當(dāng)在平面上記錄了標記時，再生信號電平在才艮據(jù)本發(fā)明的上述正規(guī)拷貝中提高，而再生信號電平在被稱作盜版拷貝的非法復(fù)制拷貝中降低。
在本發(fā)明中，"通過物理轉(zhuǎn)寫基板的形狀所制備的光學(xué)記錄介質(zhì)"是指基于通過物理轉(zhuǎn)寫基板的形狀所制備的壓模，制備復(fù)制基板，并在該基板上沉積反射膜而制備的光學(xué)記錄介質(zhì)，或者是指在已經(jīng)與反射膜分離的基板上，'再次沉積反射膜而制備的光學(xué)記錄介質(zhì)。
根據(jù)具有本發(fā)明的 一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)，可以在 一 次寫入金屬反射膜上形成作為所記錄的輔助數(shù)據(jù)的正規(guī)拷貝的標記，并且可以形成這樣的光學(xué)記錄介質(zhì)，4吏得再生信號電平在正版拷貝中形成標記的部分增加，并且再生信號電平在盜版拷貝中在形成標記的部分降低。這樣能夠形成一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，在正版拷貝中所再生的輔助凄t據(jù)值與在盜版拷貝中所再生的輔助數(shù)據(jù)值彼此極性相反。因此，可以確定盜版拷貝。
根據(jù)具有本發(fā)明的 一 次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)，可以改善用于再生主數(shù)據(jù)以及記錄并再生輔助數(shù)據(jù)的反射膜的耐候性，使光學(xué)記錄介質(zhì)的長期存儲可靠性得到提高。
根據(jù)具有本發(fā)明的 一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)，在
Ag合金反射膜中部分Ag被Cu替換。當(dāng)通過2至13 at。/。的Cu來替換Ag時，盡管替換為Cu，但是反射率沒有降低，并且可以提高
耐久性。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)的實例的示意性截面圖。
圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)的實例的制造工藝的示圖。
圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)上所記錄的主數(shù)據(jù)的示圖。
圖4是描述本發(fā)明的示圖，示出了與在具有AgW合金反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)中的輔助數(shù)據(jù)激光記錄功率相關(guān)的輔助數(shù)據(jù)記錄
信號電平。
圖5是描述本發(fā)明的示圖，示出了與添加至具有AgW合金反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)中的W量相關(guān)的適合檢出輔助數(shù)據(jù)再生信號的最小激光功率。
圖6是描述本發(fā)明的示圖，示出了與添加至具有AgW合金反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)中的W量相關(guān)的主數(shù)據(jù)再生信號(R8H)的反射率。
圖7是描述本發(fā)明的示圖，示出了與在具有Ag丁a合金反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)中的輔助lt據(jù)激光記錄功率相關(guān)的輔助lt據(jù)再生
信號電平。
12圖8是描述本發(fā)明的示圖，示出了與添加至具有AgTa合金反 射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)中的W量相關(guān)的適合檢出輔助數(shù)據(jù)再生信號 的最小激光功率。
圖9是描述本發(fā)明的示圖，示出了與添加至具有AgTa合金反 射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)中的W量相關(guān)的主數(shù)據(jù)再生信號(R8H )的反射率。
圖IO是描述本發(fā)明的示圖，示出了與在具有AgTi合金反射膜 的光學(xué)記錄介質(zhì)中的輔助數(shù)據(jù)再生信號電平相關(guān)的輔助數(shù)據(jù)激光 i己錄功率。
圖11是描述本發(fā)明的示.圖，示出了與添加至具有AgTi合金反 射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)中的W量相關(guān)的適合檢出輔助數(shù)據(jù)再生信號 的最小激光功率。
圖12是描述本發(fā)明的示圖，示出了與添加至具有AgTi合金反 射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)中的W量相關(guān)的主數(shù)據(jù)再生信號(R8H)的反射率。
圖13是描述本發(fā)明的示圖，示出了與在具有AgTiV合金反射 膜的光學(xué)記錄介質(zhì)中的輔助lt據(jù)激光記錄功率相關(guān)的輔助^:據(jù)再 生信號電平。
圖14是描述本發(fā)明的示圖，對比示出了具有AgW合金反射膜 的光學(xué)記錄介質(zhì)的正纟反光學(xué)i己錄介質(zhì)的正版光盤和盜版光盤的輔 助數(shù)據(jù)信號極性。圖15是描述本發(fā)明的示圖，對比示出了具有AgTa合金反射膜 的光學(xué)記錄介質(zhì)的正版光學(xué)記錄介質(zhì)的正版光盤和盜版光盤的輔 助數(shù)據(jù)信號的極性。
圖16是描迷本發(fā)明的示圖，對比示出了具有AgTiW合金反射 膜的光學(xué)記錄介質(zhì)的正纟反光學(xué)記錄介質(zhì)的正if反光盤和盜if反光盤的 輔助數(shù)據(jù)信號的極性。
圖17是描述本發(fā)明的表格，示出了作為一次寫入金屬反射膜 的AgTi合金反射膜和AgTa合金反射膜的基本組成，并示出了它們 的反射率的測量結(jié)果(表1 )。
圖18是示出了關(guān)于輔助數(shù)據(jù)凈皮記錄的部分與輔助數(shù)據(jù)沒有被 記錄的區(qū)域之間的差分信號的輸出的、反射率與標記深度之間的關(guān) 系的仿真結(jié)果的示圖。
圖19是示出了在根據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光 學(xué)記錄介質(zhì)的實例中的AgTaCu合金反射膜中在加速試驗之前和之 后，所添加的Cu量與主數(shù)據(jù)再生信號(R8H)的反射率之間的關(guān)
系的測量結(jié)果的示圖。
圖20是示出了在才艮據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光 學(xué)記錄介質(zhì)的實例中，當(dāng)AgTaCu合金反射膜中所添加的Cu量祐: 改變時，輔助數(shù)據(jù)激光記錄功率與輔助數(shù)據(jù)再生信號電平之間的關(guān) 系的測量結(jié)果的示圖。
圖21是示出了在根據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光 學(xué)記錄介質(zhì)的實例中，AgTaCu合金反射膜中所添加的Cu量和適合 檢出輔助數(shù)據(jù)信號的最小記錄功率值的示圖。
14圖22是示出了在根據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光 學(xué)記錄介質(zhì)的實例中，AgTaCu合金反射膜中所添加的Ta量和適合 檢出輔助數(shù)據(jù)信號的最小記錄功率值的示圖。
圖23是描述本發(fā)明的示圖，示出了 AgW合金反射膜中所添加 的W量和適合^r出輔助數(shù)據(jù)信號的最小記錄功率值的示圖。
圖24是描述本發(fā)明的示圖，示出了 AgCu合金反射膜中所添 加的Cu量和適合檢出輔助數(shù)據(jù)信號的最小記錄功率值的示圖。
圖25A和圖25B示出了在才艮據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反 射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)的實例和對比實例中的 一次寫入金屬反射膜 的表面的SEM照片。
圖26示出了在根據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué) 記錄介質(zhì)的實例和對比實例中的一次寫入金屬反射膜的表面的 SEM照片。
圖27示出了在根據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué) 記錄介質(zhì)的實例和對比實例中的 一 次寫入金屬反射膜的表面的 SEM照片。
圖28示出了使用才艮據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光 學(xué)記錄介質(zhì)的輔助數(shù)據(jù)記錄裝置的實例的結(jié)構(gòu)圖。
圖29是用于描述在根據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的 光學(xué)記錄介質(zhì)上記錄輔助數(shù)據(jù)的示圖。
圖30是使用4艮據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記 錄介質(zhì)的輔助數(shù)據(jù)再生裝置的實例的結(jié)構(gòu)圖。圖31是用于描述從根據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的 光學(xué)記錄介質(zhì)中再生輔助數(shù)據(jù)的示圖。
圖32是在再生裝置中存儲的數(shù)據(jù)的結(jié)構(gòu)圖。
圖33A是在反射膜上記錄數(shù)據(jù)的狀態(tài)下的光學(xué)記錄介質(zhì)的截 面圖，圖33B示出了其基板變形的截面圖。
具體實施例方式
下面將說明性地描述根據(jù)本發(fā)明的具有 一次寫入金屬反射膜 的光學(xué)記錄介質(zhì)的實施例；但是，根據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬 反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)并不限制于此。
圖1作為根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)的實施例而示出的只讀 ROM光盤100的實例的示意性截面圖。
具體地，例如，光盤100采用^皮稱作藍光(Blu-ray )光盤的光 盤結(jié)構(gòu)和格式。
如圖所示，光盤100包括層積在基板101上的一次寫入金屬反 射月莫102和覆蓋層103。
例如，基板101為由聚碳酸酯所構(gòu)成的塑料基板。與一次寫入 金屬反射膜102接觸的基板101表面具有凹凸截面形狀。凹陷截面 部分為凹坑P，凸?fàn)罱孛娌糠譃槠矫鍸。具體i也，通過激光105照 射覆蓋層103，并且凸向激光105的入射側(cè)的截面部分為平面L。 通過凹坑P和平面L的組合(具體地，通過凹坑P的長度和平面L 的長度)來記錄主數(shù)據(jù)信息。在形成了凹i亢P和平面L的基纟反101的凹凸表面上層積一次寫 入金屬反射膜102。在一次寫入金屬反射膜102上進一步層積由聚 碳酸脂等所構(gòu)成的覆蓋層103。
在基板101上層積一次寫入金屬反射膜102，因此具有相應(yīng)于 凹》亢P和平面L形一犬的凹凸截面形習(xí)犬。
當(dāng)如圖所示由物鏡104所聚焦的激光通過覆蓋層103進行照射 時， 一次寫入金屬反射膜102接收相應(yīng)于凹凸形狀的反射光。
由Ag1()o-x—yXxCuy (x, y: at。/。)的Ag合金膜構(gòu)成一次寫入金屬反 射膜102。此處，X至少為Ti、 W、 Ta、 V、 Mo、 Nb及Zr的元素 中的一種元素，并且Ag合金月莫中的Cu組成y選4奪為2 ^ y ^ 13 [at%]。
4灸句話i兌，當(dāng)X至少為Ti、 W、 Ta、 V、 Mo、 Nb及Zr的元素 中的 一種元素時，替代Ag的Cu組成y選擇為2 ^ y ^ 13 [at%]。
當(dāng)X為Ti時，Ag合金膜中的Ti組成x選4奪為4.5^x^17 [at%]。
當(dāng)X為W時，Ag合金膜中的W組成x選才奪為2.5 ^ x ^ 11 [at%]。
當(dāng)X為Ta時，Ag合金膜中的Ta組成x選4奪為0.6 ^ x S 10.5 [at%]。
在作為一次寫入金屬反射膜的組成的Ag咖.x-yXxCuy的Ag合金 膜的組成中，當(dāng)X至少為Ti、 W、 Ta、 V、 Mo、 Nb及Zr中的兩種 元素時，Ag合金膜中的X的總組成x選4奪為0.6Sx^ 17 [at%]。為了在根據(jù)本發(fā)明的一次寫入金屬反射膜的實施例中指定光
盤的結(jié)構(gòu)，下面將首先描述光盤100的制造工藝。圖2是用于描述 光盤100的制造工藝的示圖。
在這種情況下，首先執(zhí)行用戶數(shù)據(jù)的才各式化步驟Sll。例如， 使用計算機來執(zhí)行才各式化步驟Sll。
在格式化步驟Sll中，轉(zhuǎn)換應(yīng)該被記錄在光盤100上的內(nèi)容數(shù) 據(jù)(用戶數(shù)據(jù))，從而獲耳又符合預(yù)定標準的4各式化數(shù)據(jù)序列。具體 地，在本實施例中，執(zhí)行轉(zhuǎn)換，從而獲取符合隨后在圖3中所描述 的藍光光盤標準的數(shù)據(jù)序列。實際上，還沖丸4亍了將誤差4全測碼和誤 差校正碼附加至用戶數(shù)據(jù)、隔行掃描(interleave )用戶數(shù)據(jù)等操作。
接下來，執(zhí)行可變長度調(diào)制步驟S12。在可變長度調(diào)制步驟S12 中，對在格式化步驟Sll中所生成的數(shù)據(jù)序列執(zhí)行可變長度調(diào)制。 在本實施例中，4丸4亍RLL (1,7) PP (奇4禺4呆留/禁止(Parity preserve/prohibit), RLL: 游禾呈長度受卩艮(Run Length Limited ))調(diào) 制和NRZI (不歸零翻壽爭(Non Return to Zero Inverse ))調(diào)制。
在可變長度調(diào)制步-驟S12中所獲耳又的翁:才居序列的"0"/"r'圖才羊 (pattern)實際上為在光盤100上所形成的凹坑和平面的圖樣。
此處，通過如上所述對用戶數(shù)據(jù)格式化和可變長度調(diào)制所獲取 的數(shù)據(jù)被稱作主數(shù)據(jù)。
接下來，執(zhí)行母盤制造步驟S13。使用公知的母盤制造設(shè)備來 才丸行母盤制造步驟S13。
在母盤制造步驟S13中，首先為玻璃母盤涂纟未光致抗蝕劑。隨 后，以這種方式涂4末了光致抗蝕劑的玻璃母盤-皮旋轉(zhuǎn)驅(qū)動，并在這種狀態(tài)下使用根據(jù)在可變長度調(diào)制步驟S12中所生成的主數(shù)據(jù)而調(diào) 制的激光來進行照射，從而顯影光致抗蝕劑，使得沿記錄軌道方向
形成凹凸圖才羊。4奐句"i舌-說，形成凹坑^口平面。
接下來，形成凹坑和平面的玻璃母盤^皮電解電鍍，并且剝離電
鍍金屬，以制造金屬母盤D14。
使用以這種方式所獲耳又的金屬母盤D14來4丸行光盤形成步驟
S15。
在光盤形成步驟S15中，首先4艮據(jù)金屬母盤D14來制造壓模。 隨后，壓模被放置在成型才莫具中，并使用注入成型機由諸如聚碳酸 脂或丙烯酸樹脂的透明樹脂來形成基板101。在基板101上沿著記 錄軌道形成才艮據(jù)在前述調(diào)制步驟S12中所生成的主數(shù)據(jù)的凹坑和平
面圖樣。
隨后，使用用于沉積根據(jù)本發(fā)明的一次寫入金屬反射膜的金屬 合金輩巴，通過氣相沉積、濺射等在基一反101上層積一次寫入金屬反 射膜102,并且在一次寫入金屬反射膜102上進一步層積覆蓋層 103。因此，首先形成了光盤(主凄t據(jù)記錄光盤)D16，其上4又記錄
有主數(shù)據(jù)。
接下來，執(zhí)行輔助數(shù)據(jù)記錄步驟S17。具體地，除了記錄有上 述凹坑和平面圖樣的主數(shù)據(jù)之外，還記錄了輔助數(shù)據(jù)。
在這種情況下，例如，唯一的序列號信息被記錄為輔助數(shù)據(jù)， 該輔助數(shù)據(jù)為在已經(jīng)記錄了主數(shù)據(jù)的每個光盤D16上制備的用于 形成數(shù)據(jù)內(nèi)容的實際數(shù)據(jù)。從而，唯一識別信息(識別碼)被添加 至輔助數(shù)據(jù)記錄步驟S17中所制備的每個光盤100。例如，除了作為實際凌t據(jù)的識別信息之外，誤差才交正碼也4皮添 加作為輔助數(shù)據(jù)。通過添加誤差才交正信號，再生時可以對識別信息
沖丸^亍i吳差才交正。
如隨后所述，通過^f吏用記錄功率的激光來照射反射膜102從而 在由凹坑和平面所形成的主^:據(jù)的指定部分中的指定位置處形成 標記，以記錄輔助凄t據(jù)。
在這種情況下，輔助數(shù)據(jù)包括識別信息和誤差校正碼；但是， 其它數(shù)據(jù)也可以被添加至輔助數(shù)據(jù)。
圖3在通過上述制造工藝所制造的光盤100上記錄的主數(shù)據(jù)的 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的示圖。
首先，在圖中定義了稱作RUB的一個i己錄單元。 一個RUB包 括16個扇區(qū)和2個鏈接幀。鏈接幀被用作RUB之間的緩沖區(qū)。
在這種情況下， 一個扇區(qū)形成一個地址單元。
如圖所示，每個扇區(qū)包4舌31個幀。1個幀由1932個4言道4立 (channel bit)的凄t才居才勾成。
在本實施例中示出的藍光光盤中，由于主凄t據(jù)符合RLL (1，7) PP調(diào)制規(guī)貝'J,所以序列碼"0"和"1"的數(shù)目(即凹坑長度和平面長度) 都被限制于2T (信道位)至8T的長度。
不符合這個調(diào)制MJI'j的9T的序列碼;故插入置于每個幀的首部 的sync,并用于在再生期間沖僉測幀同步4言號。
20*接下來，將描述具有上述所記錄的主數(shù)據(jù)并用于記錄輔助凄史據(jù) 的，根據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)的多個 實施例。但是，顯然，本發(fā)明并不局限于這些實施例。
首先，將示出根據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記
錄介質(zhì)，其使用具有Ag100-x-yXxCuy (其中，y = 0，即，組成不包括 Cu)的Ag合金膜組成的一次寫入金屬反射膜而形成。
(實例1 )
如上所述，制備基才反101,其具有在表面上所形成的主lt據(jù)的 凹坑z和平面的凹凸圖才羊。
通過同時濺射Ag和W，在基才反101上沉積并形成由Ag100-xWx [at。/。]表示的Ag合金膜所構(gòu)成的反射膜102，使得合金膜(即，反 射膜102 )在這種情況下具有40 nm的厚度。
制備x-3.5、 x = 7Ax= 10的才羊品，以騶、i正在這種結(jié)構(gòu)中關(guān)于 W組成的特性差異。
(實例2)
通過同時賊射Ag和Ta，在與實例1相同的基4反101上沉積在 這個實例中作為Agl。。-xTax [at。/。]所表示的Ag合金膜的具有40 nm 厚度的反射膜102。
制備x- 1.8、 x = 7Ax= 10的才羊品，以-瞼i正在這種結(jié)構(gòu)中關(guān)于 Ta組成的特性差異。(實例3 )
通過同時賊射Ag和Ti，在與實例1相同的基板101上沉積由 Ag1(K)-xTix [at。/。]表示的Ag合金膜所構(gòu)成的反射膜。反射膜具有40 nm的厚度。制備x = 7、 x = 10及x = 13的才羊品，以馬^S正在這種結(jié) 構(gòu)中關(guān)于Ti組成的特性差異。
(實例4) '
通過同時賊射Ag、 Ti及V,在與實例1相同的基板101上沉 積由Ag9oTVV5 [at。/。]表示的Ag合金膜所構(gòu)成的反射膜。反射膜具 有40廳的厚度。
圖4是在具有由Ag1()o-xWx [at。/。]所構(gòu)成的實例1的反射月莫102 的正版光盤中形成標記的部分中的再生信號電平的示圖，其中，分 別通過才尋號"o"、 "□，，、及"A，，纟會制了 x = 3.5、 x-7及x-10。
在圖4中，沿著鈔人軸的^展幅(Amp)表示通過對乂人i己錄了標i己 的部分的值中減去沒有記錄標記的部分的值所獲取的值進行積分 而獲耳又的再生信號RF的值。所述值越高，在記錄了標記的部分中 的再生信號RF的值就越高。在本發(fā)明中，Amp^ 300被定義為適 合檢出輔助數(shù)據(jù)信號的值。橫軸上的Pw(mW)表示激光記錄功率。
用于獲取圖4中所示的試驗結(jié)果的記錄條件，沒置如下。
在作為光盤100中具有預(yù)定長度的平面的6T平面上i己錄標記。 光盤100的反射膜102為前述的具有40 nm厚度的AgW合金膜。
在用于制造光盤100的輔助數(shù)據(jù)記錄裝置50中設(shè)置下面的條件。數(shù)值孔徑N.A. = 0.85，激光波長入=405 nm,記錄線速度=4.9m/s，標^己寫入月永沖=30 ns。
光盤100 (主^t據(jù)記錄光盤D16)具有符合實施例中示出的藍光光盤的，并具有320nm軌道節(jié)距、78 nm的1T長度、Tp/3的凹坑寬度及X/5的凹坑深度的結(jié)構(gòu)。
在W含量為3.5 [at。/。]的正版光盤中，使用約17 m以上的激光功率時，振幅值(Amp)沿著縱軸以高于零電平的值上升，使得在28 mW或更高時Amp 2 300。才奐句話i兌，在W含量為3.5 [at。/。]時需要28mW或更高的記錄功率來獲取適當(dāng)?shù)妮o助數(shù)據(jù)信號。
同樣，在W含量為7 [at。/。]時，所需最小記錄功率為18mW，并且在W含量為10 [at。/。]時，所需最小記錄功率為12.5 mW。圖5示出了用于適合沖企測出關(guān)于AgW合金膜中的W含量的輔助數(shù)據(jù)信號所需的最小記錄功率的繪出的值。
通過圖5可以了解，隨著W含量的降低，所需的記錄功率值升高。記錄功率不會無限制地升高，并且從正版光盤的制造中的批量生產(chǎn)和經(jīng)濟效率的觀點來看，我們還期望其可以盡可能小。在這個實例中，其上限估計為30mW。通過圖5可以了解，即z使當(dāng)4吏用30 mW以下的激光功率來記錄輔助數(shù)據(jù)時，能夠^r測適當(dāng)信號的W含量仍可以為3 [at。/o]或更多。
接下來，圖6示出了在具有分別為3.5、 7或10 [at。/o]的W含
量的三種光盤中的主數(shù)據(jù)再生信號的反射率特性。
此處，R8H為以藍光光盤標準定義的并且相應(yīng)于主婆t據(jù)的最長標記(8T標記)的信號的最大反射率。假設(shè)在具有單個信息層(單層光盤)的只讀藍光光盤中，這個值應(yīng)當(dāng)為35%或更高。通過圖6可知，隨著W食量的升高，R8H降4氐，并且滿足R8H2 35%的W的含量為11 [at。/。]或更低。
通過上面的試驗可知，具有W含量為3至11 [at。/。]的AgW合金的光盤可以提供適當(dāng)?shù)闹鲾?shù)據(jù)和輔助數(shù)據(jù)信號。
對于實例2 (AgTa合金)和實例3 (AgTi合金)，以與實例1相同的方式確定用于提供適當(dāng)?shù)闹鲾?shù)據(jù)和輔助凄t據(jù)信號所添加的元素的含量。
3十于實例2， 4企馬全了具有含量乂= 1.8、 x = 7或x= 10[at。/。]的光盤，并且對于實例3，才企,驗了具有含量x-4、 x-7或x=10[at%]的光盤。在圖7至9及圖10至12中示出了這些實例2和3的數(shù)據(jù)。
通過與實例i的各個光盤相同的觀點，由AgTa合金所構(gòu)成的各個反射膜具有1.1至10.5[at。/。]的Ta含量x，而由AgTi合金所構(gòu)成的各個反射膜均具有5至17[at。/。]的Ti含量x時，實例2和3的光盤也可以提供適當(dāng)?shù)闹鲾?shù)據(jù)和輔助數(shù)據(jù)信號。
如圖13所示，還可以提供在形成了標記的部分再生信號電平升高的實例4的光盤。當(dāng)實例4中向Ag添力口 Ti、 W、 Ta、 V、 Mo、Nb及Zr中至少兩種元素時，也可以形成一種光盤，即，具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，形成標記，使得在具有預(yù)定長度的前述平面上形成了標記的部分中，再生信號電平升高，而在通過物理轉(zhuǎn)寫光盤100的基纟反101的形狀所生成的光盤中，在形成標i己的部分再生信號電平下降。
接下來，執(zhí)行試驗，以使用具有添加元素含量為10 [at。/。]的實例1和2的光盤以及具有添加元素含量為7 [at。/。]的實例3的光盤，來驗證正版光盤和盜版光盤的輔助數(shù)據(jù)信號極性彼此相反。在這種情況下，像驗證了輔助數(shù)據(jù)信號被記錄并再生的正規(guī)拷
貝一樣，從光盤100上分離反射膜102和覆蓋層103。使用通過濕處理溶解反射膜102并同時除去覆蓋層103的方法來沖丸行分離。
將通過這種方式與反射膜102和覆蓋層103分離的基板101充分干燥。此后，重新形成反射膜102和覆蓋層103。此處，首先-驗證基板101的表面在預(yù)先的剝離處理中沒有受到蝕變等的影響。由具有被添加至Ag的總量為1 [at。/。]或更低的元素的Ag合金濺射膜來構(gòu)成反射"莫102。
圖14、圖15及圖16均是對比示出了 Ag訓(xùn)-xXx的正版光盤和盜版光盤的輔助數(shù)據(jù)信號極性的示圖。
圖14示出了實例1中x-10的情況，即，Ag9。W,o的情況，圖15示出了實例2中x= 10的情況，即，Ag9oTa)o的情況，以及圖16
示出了實例3中X = 7的情況，即，Ag93丁i7的情況。在每個圖中，
實線和虛線分別示出了在正版光盤(正規(guī)拷貝)和盜版光盤(盜版拷貝)中關(guān)于激光記錄功率的輔助數(shù)據(jù)再生信號的繪出的測量結(jié)果。
在任何情況下， 一及性均纟皮反轉(zhuǎn)。
接下來，在實例5和6中討論了這種現(xiàn)象的發(fā)生。
在這些實例中，討論了當(dāng)使用Ag合金在平面上執(zhí)行記錄時，在記錄了標記的部分中，通過物理轉(zhuǎn)寫(具體地，基一反形狀的物理轉(zhuǎn)寫)從正版光盤中制備的盜版光盤中的再生信號電平的特性和正版光盤中的再生信號電平的特性。(實例5 )
制備具有平滑4竟面表面并且直徑為120 mm厚度為1.1 mm的 聚碳酸脂光盤基板。在其上沉積厚度為40nm的薄膜，即，由含6.8 at。/。的Ti的Ag合金所構(gòu)成的反射膜。
^使用可固化樹脂將厚度為0.1 mm的聚^^酸脂膜粘貼至上述薄 膜，隨后通過UV照射使可固化樹脂固化，以形成覆蓋層，從而制 備光盤。光盤結(jié)構(gòu)與只讀藍光光盤的基本結(jié)構(gòu)一樣。
接下來，通過使用短軸約為1 ium和長軸約為200 iam的橢圓點 形狀并且波長為810nm的激光乂人覆蓋層一側(cè)照射，加熱光盤。
以3 m/sec的光盤旋轉(zhuǎn)速度纟丸行激光照射加熱。在這種情況下， 照射激光功率約為10 mW/pm2。光盤上的加熱區(qū)是半徑約為35 mm ~ 45 mm而寬度約為10 mm的環(huán)形區(qū)。
(實例6)
制備與實例5中相同的聚碳酸脂基板。在這個實例中，在其上 沉積由含10.0 at。/。的Ta的Ag合金所構(gòu)成的厚度為40 nm的反射膜。
用UV可固化樹脂使厚度為0.1 mm的聚碳酸脂膜粘合至上述 薄膜，隨后通過UV照射使UV可固化樹脂固化，以形成覆蓋層， 乂人而以與實例5中相同的方式來制備光盤。
接下來，通過使用短軸約為1 Kim和長軸約為200 jam的橢圓點 形狀并且波長為810nm的;敫光/人覆蓋層一側(cè)照射，來加熱光盤。在激光的加熱過程中，光盤旋轉(zhuǎn)速度為6m/sec。照射激光功率 約為5 mW/pm2。光盤上;敫光照射的加熱區(qū)是半徑約為35 mm ~ 45 mm，寬度約為10 mm的5不形區(qū)。
分別測量上述實例5和6的光盤中沒有^皮上述激光照射加熱
(未加熱)的區(qū)域和使用激光照射(加熱)的區(qū)域的反射率。圖17 的表l中示出了結(jié)果。在該測量中，4吏用光i普橢J求偏光計來測量波 長為410nm、 670 nm及790;nm下的反射率。
根據(jù)圖17中的表1，在實例5和6的任意光盤中，加熱區(qū)(即， 記錄了輔助數(shù)據(jù)的部分)的反射率在任意的測量波長下都高于未加 熱區(qū)中的反射率。
圖18是示出了在記錄了輔助數(shù)據(jù)的區(qū)域與沒有記錄輔助數(shù)據(jù) 的區(qū)域之間的差分信號的輸出與記錄標記的反射率和標記深度之 間的關(guān)系的仿真結(jié)果的示圖。
圖68示出了差分等高線，而記錄標記的深度沿縱軸方向表示。 反射率沒有改變時的值沿橫軸被表示為"1"。
如最初所述，標記深度是由于例如在光學(xué)記錄介質(zhì)中的聚石友酸 脂基板上所形成的反射膜上記錄輔助數(shù)據(jù)，被加熱部份的局部變形 所引起的凹痕的深度。
例如，通過使用透射電子顯微鏡觀察其截面，測量凹痕的深度 約為7 nm。
如圖17所述，在根據(jù)本發(fā)明的具有Ag合金膜的光盤中，反射 率在記錄后(加熱后)升高。此處，例如，通過點Pl所表示的差 分信號的輸出極性為+ (正)。相反，當(dāng)通過諸如物理轉(zhuǎn)寫的方法由正規(guī)拷貝制備盜版光盤 時，反射率返回至初始值，并且僅有標記深度仍然改變。因此，如
圖18的點P2所示，差分信號的輸出為-(負)。因此，可以理解， 盜版光盤的輸出信號極性與正規(guī)拷貝相反。
在具有上述一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)中，由不包含 Cu的AgK)"Xx構(gòu)成一次寫入金屬反射膜。
接下來，將參照實施例描述具有包含Cu的Ag咖-x-yXxCuy組成 (即，具有包含Cu的一次寫入金屬反射膜)的根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)
"i己錄+質(zhì)。
通過實施例可以發(fā)現(xiàn)，在指定組成范圍內(nèi)包含Cu的一次寫入 金屬反射膜降低了在前述不包含Cu的一次寫入金屬反射膜中構(gòu)成 元素X的優(yōu)選組成范圍的下限，并且拓寬了范圍。在下面的實施例 中，將描述原因。
如前述實例1,制備基板101，其具有形成于表面上的主數(shù)據(jù) 的凹墳^口平面的凹凸圖才羊。
在基板101上，制備具有形成于表面上的主數(shù)據(jù)的凹坑和平面 的凹凸圖樣的基板101。
通過同時賊射厚度為40 nm的Ag和W，在基才反101上沉積并 形成由X = W的Ag1(K)-x.yXxCuy [at。/。]表示的Ag合金膜所構(gòu)成的反射 膜102。
制備y-O、 y-8、 y=10、 y = 12.7及y = 17.3的才羊品，以馬全i正 在這個結(jié)構(gòu)中關(guān)于Cu組成的特性的差異。
28[實施例2]
如實施例1，準備用于沉積一次寫入金屬反射膜的三種金屬合
金靶，各個合金靶具有Ag95Ta5、 Ag9L5TasCu3.5或Ag9o.5Ta5Cii4.5的組
成，通過使用薄片濺射設(shè)備的濺射方法，沉積所述三種金屬合金耙，
厚度約為40 nm,在基^L 101上形成由Ag95-yTa5Cuy [at。/o]表示的Ag 合金膜所構(gòu)成的反射膜102。以這種方式制備y-O、 y = 3.5ly = 4.5的樣品，/人而-驗證關(guān)于Cu組成的特性差異。
制備y = 0、 y = 3.5及y = 4.5的才羊品，人人而^險"i正在這種結(jié)構(gòu)中 關(guān)于Cu組成的特性差異。
圖19示出了在具有由Ag96-yTa4Cuy [at。/o]所構(gòu)成的實例1的一 次寫入金屬反射膜102的正版光盤中的主數(shù)據(jù)再生信號的反射率特 性，其中，y = 0、 y = 8、 y= 12.7或y= 17.3。才尋號"o"只寸應(yīng)于#刀始 特性，而符號"口"表示在80°C、 85% (相對濕度)下完成200小時 的加速試驗后的反射率特性。此處，R8H為在藍光光盤標準中所定 義的并且相應(yīng)于主數(shù)據(jù)的最長標記(8T標記)的信號的最大反射率。
Cu添力卩了 12.7 at。/o或更低的情況與沒有添加Cu (y = 0)的情 況之間在初始反射率和加速試馬全200小時后的反射率方面幾乎沒有 明顯差異；但是，當(dāng)Cu添加到大于12.7at。/。時，估計可能由于Cu
的原因，反射率降低。
根據(jù)圖19，當(dāng)Cu添加至約13 ato/?；蚋蜁r，對于反射特性， Cu與Ag在功能上等效。
圖20是示出了在具有由Ag95—yTa5Cuy [at%](其中，y = 0、 y = 3.5或y = 4.5 )所構(gòu)成的實施例2的一次寫入金屬反射膜102的正 版光盤中的再生信號電平的示圖，其中在形成了標記的部分改變記錄功率Pw,當(dāng)y = 0時通過符號"口"、當(dāng)y = 3.5時通過才尋號"A"、以 及當(dāng)y = 4.5時通過符號"V，分別繪制再生信號電平。
圖21是示出了通過從圖20中確定當(dāng)y = 0 (約為19 mW)時 獲取期望的Amp值(300)所需的記錄功率以及以相同的方式確定 當(dāng)y = 3.5或y = 4.5時所需的記錄功率所繪制的用于適合檢測輔助 數(shù)據(jù)信號所需的關(guān)于Ag95_yTa5Cuy合金膜中的Cu含量的最小記錄功 率的值的示圖?？梢岳斫猓ㄟ^用Ag替代Cu可以降低所需的記錄 功率，并且當(dāng)y = 2.0時的降低效果與當(dāng)y = 3.5或y = 4.5時的降低 效果近似相同。
圖22示出了 Ta量x與記錄功率之間的關(guān)系圖(如同一次寫入 金屬反射膜由Ag!oo-xTax構(gòu)成時的前述圖8),在如圖20和圖21所 示的相同組成Ag95-yTa5Cuy (Ta量x = 5)中，當(dāng)y-O時的功率以 符號"畫"繪制，當(dāng)y-3.5或4.5時的功率以符號"口"繪制。根據(jù)所述 示圖，在圖21和圖22中y = 0的組成相應(yīng)于圖8的曲線。在具有 Cu成分y為3.5或4.5 [at。/。]的膜中的最小記錄功率小于不含Cu ( y =0)的膜中的最小記錄功率。這就意。未著通過添加Cu可以進一步 降低在實例2中所提供的Ta添加量的下限。根據(jù)在圖22中所示的 沿著通過符號"口"的曲線以及通過當(dāng)y = 0時的符號、"的曲線的輔 助線，通過Cu替代Ag來降低Ta添加量的下限的效果至少為0.5 [at%]。換句話說，通過添加Cu, Ta添加量的優(yōu)選組成范圍被加寬 了 0.5 [at%],并且具有0.6%以上的下限。這不Y又適用于元素X為 Ta的情況，而且適用于元素X為Ti或W的情況。
如圖8和圖22之間的關(guān)系，圖23和圖24示出了在關(guān)于圖5 和圖11的元素X為W或Ti的情況下由Cu^齊^ Ag的效果。
根據(jù)實施例1和實施例2的結(jié)果，^艮容易發(fā)現(xiàn)，在對于不包含 Cu的Agl。o-xXx [at%](其中，元素X分別為Ti、 Ta或W )的實例
301 ~ 4所提供的x的對應(yīng)范圍內(nèi)，Ag10o-x.yXxCuy [at。/o]中Cu的添加量 是2 at。/。至13 at。/。時，反射率特性沒有被損害，即使x的下限被降 低了 0.5at%，也能保持用于生成輔助數(shù)據(jù)的特性效果。
此外，在所述膜包含Cu的情況下，在說明書26頁第3、 4段 和圖17中所描述的現(xiàn)象也會發(fā)生，并且盜版光盤與正規(guī)拷貝的輸 出信號的極性相反。
接下來，將參照下面的實施例，描述與具有包含Cu或不包含 Cu的組成的上述膜相比， 一次寫入金屬反射膜的新的^皮改善的特 性，即，對容易在Ag合金膜中發(fā)生的粗大的Ag粒子(下文中， :波稱作小丘(hillock))生長的抑制效果。
制備含有Ag96丁a4或Ag96-aTa4(Cu, Sn， Ge， Nd, Mn， Au)"薄 月莫并具有前述實施例的相同結(jié)構(gòu)的光盤，在80°C、 85%下進4亍96 小時的環(huán)境試驗(力口速試驗)后，評價小丘的生成活動。圖25A的 上下照片分別是AgTa4.oCu4.o所構(gòu)成的一次寫入金屬反射膜的5000 x SEM (掃描電子顯《效4竟)照片和200000 x SEM照片。圖25B的 上下照片分別是AgTa4.0所構(gòu)成的一次寫入金屬反射膜的5000 x SEM照片和200000 x SEM照片。
通過照片可以了解，通過添加Cu有勁:i也抑制了 Ag96Ta4中小丘 的生成。通過相同的SEM》見測-驗i正了添加除Cu之夕卜的諸如Au、 Sn、 Mg、 Ge、 Nd及Mn的添加元素沒有抑制小丘甚至增加了小丘
的效果。[實施例4]
制備具有Ag剛-x-yTaxCuy薄膜的樣品，在80。C、 85%下進行96 小時的環(huán)境試驗后，評價小丘的生成活動。制備4個樣品，其中， x為約4at0/。，并且y-1.6、 y = 2.3、 y = 3.3或y = 5.6 at%。
在這些樣品中，在聚碳酸脂基4反上形成具有前述組成的40 nm 薄膜，并且沒有在其上形成諸如覆蓋物的防護層。
圖26是示出了環(huán)境試驗(加速試驗)后這四個樣品的表面的 5000 x SEM照片。在圖26中，作為y = 1.6的對比實例的樣品1的 SEM照片位于左上方，y = 2.3的樣品2的SEM照片位于右上方，y =3.3的才羊品3的SEM照片^f立于左下方，y - 5.6的才羊品4的SEM 照片位于右下方。
由此，馬全i正了具有Cu量y為1.6 atQ/o的^f品對抑制小丘無效， 但是具有Cu量為2.3 at。/。的樣品對抑制小丘有效。由于諸如水的外 部因素是生成小丘的觸發(fā)劑，所以沒有防護層(例如覆蓋層)的本 實施例樣品的結(jié)構(gòu)的耐候性低于本發(fā)明所預(yù)期的光學(xué)記錄介質(zhì)的 結(jié)構(gòu)的耐候性。因此，從圖26的結(jié)果可以了解，當(dāng)添加了至少為2 at。/。的Cu時，顯著地4是高了具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介 質(zhì)的耐小丘生成性能(即耐候性)。
在這些SEM照片的下方給出了通過環(huán)境試驗的各個樣品的反 射率的變化量AR (%)的測量結(jié)果。
據(jù)此，在樣品l中，環(huán)境試^驗后的反射率比初始反射率降〗氐了 24.21%，因此，再生信號的變化非常大。另一方面，在樣品2至4 中，由于反射率下降小于3%，所以再生信號的變化是可接受的， 因而可以適當(dāng)；也讀耳又再生4言號。[實施例5]
分別制備X-Ti或X-W的才羊品，作為X為Ta之外的元素的 情況下的Ag1Q。—x.yXxCuy的實例，在80。C、 85%下進4亍96小時的環(huán) 境試-驗后，^H介小丘的生成活動。X = Ti的兩個制備才羊品為作為在 (x， y) = (3.9, 0.5)的情況下的對比實例的樣品5和在(x， y) = (5.5， 5.1)的情況下的樣品6。乂 = W的兩個制備樣品為作為在(x,y):(7.1, O)的情況下的對比實例的樣a口口 7和在(x, y) = (5.9, 3.8)的情況下的 樣品8。可以對各個X，將Cu量小于2 ato/o的樣品與Cu量大于2 at%
的才羊品進4于^i"比。
圖27是示出了在上述環(huán)境試-瞼中加速試-驗后的這四個樣品的 表面的5000 x SEM照片。在左上方和右上方示出才羊品5和6的情 況，并在左下方和右下方示出才羊品7和8的情況。乂人照片中可以了 解，如同在X-Ta的情況下的樣品中，在Cu量小于2.0at。/。的X = Ti或W的情況下的試樣中生成小丘；而在Cu量為2.0 at。/?；蚋?的X-Ti或W的樣品中，才艮本沒有生成小丘或者小丘^皮有效地抑 制。
同樣地，在這些SEM照片的下方給出了通過環(huán)境試驗的每個 樣品的反射率的變化量AR (%)的測量結(jié)果。
據(jù)此，在樣品5和7中，環(huán)境試驗后的反射率比初始反射率下 降了大約9%，因而再生信號的變化很大；但是，在樣品6和8中， 由于反射率下降小于3%，所以再生信號的變化是可接受的，因而 可以適當(dāng)J也讀耳又再生^(言號。
在SEM照片的下方給出了在圖26和27中所示的樣品1至8 經(jīng)前述加速試^r后反射率R的變化的測量結(jié)果。乂人除了作為對比實 例的樣品1和7之外的根據(jù)本發(fā)明的樣品2至6和樣品8的結(jié)果以及在前述實施例3、 4及5中的結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)，4又通過添加Cu就可以控制在Ag合金膜中很容易生成的小丘，并且其添加量優(yōu)選為2at。/。或更高。這對應(yīng)于通過前述實施例1和2所提供的Cu量為2at%
的下限。 .
接下來，將描述輔助數(shù)據(jù)記錄裝置的實例，通過該裝置，在沖艮據(jù)本發(fā)明的前述光學(xué)記錄介質(zhì)(例如光盤16)上記錄前述的輔助數(shù)據(jù)。
(輔助數(shù)據(jù)記錄裝置)
圖32是輔助數(shù)據(jù)記錄裝置的實例的結(jié)構(gòu)圖。
如上所述，在每個光盤100上記錄唯一的識別信息作為輔助凄丈據(jù)的數(shù)據(jù)內(nèi)容。因此，輔助數(shù)據(jù)記錄裝置50記錄對于每個被裝載于其中的光盤100 (D16)來說具有不同圖樣的輔助數(shù)據(jù)。
在光盤D16上予貞先確定i己錄有輔助凝:據(jù)的區(qū)間，并在這個區(qū)間內(nèi)預(yù)先確定插入各個標記的位置。輔助lt據(jù)記錄裝置50可以在這種預(yù)定的指定位置中記錄標記。
首先，4艮據(jù)預(yù)定的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動系統(tǒng)通過主軸馬達51旋轉(zhuǎn)驅(qū)動在轉(zhuǎn)盤(未示出)上所裝載的光盤D16。光學(xué)拾取器OP從以這種方式旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的光盤D16中讀取記錄信號(主數(shù)據(jù))。
光學(xué)拾取器OP包括激光二極管LD，形成激光光源；物鏡52,用于將激光匯聚并投射在光盤100的記錄面上；以及光電探測器PD，用于一企測在激光照射后從光盤D16所反射的光。
通過光學(xué)拾取器OP中的光電探測器PD所檢測的反射光信息，在I-V轉(zhuǎn)換電路53中被轉(zhuǎn)換成電信號，隨后被提供至矩陣電路54。矩陣電路54根據(jù)來自I-V轉(zhuǎn)換電路53的反射光信息來生成再生信號RF、跟蹤誤差信號TE及焦點誤差信號FE。
伺月l電路55根據(jù)來自矩陣電路54的跟蹤誤差信號TE和焦點誤差信號FE來控制從二軸驅(qū)動電路56所輸出的跟蹤驅(qū)動信號TD和焦點驅(qū)動信號FD。跟蹤驅(qū)動信號TD和焦點驅(qū)動信號FD被提供至光學(xué)拾取器OP中支撐物鏡52的二軸機構(gòu)(未示出)。響應(yīng)于這些信號，在^J宗方向和聚焦方向上驅(qū)動物4竟52。
在包括伺服電路55、 二軸驅(qū)動電路56及二軸機構(gòu)的跟蹤伺月良/
聚焦伺服系統(tǒng)中，伺服電路55根據(jù)跟蹤誤差信號TE和焦點誤差信
號FE來執(zhí)行控制，使得投射至光盤D16的激光的光束點跟蹤形成
在光盤D16上的凹坑序列(記錄軌道)，并凈皮保持在適當(dāng)?shù)木劢範(fàn)钐?br> 心o
在矩陣電路54中所生成的再生信號RF被提供至二進制化電路57,并在此處被轉(zhuǎn)換成"0"/"l"的二進制數(shù)據(jù)。二進制數(shù)據(jù)被提供至同步檢測電路58和PLL (鎖相環(huán)路)電路59。
PLL電路59生成與所提供的二進制數(shù)據(jù)同步的時鐘CLK,并且將其作為每個部分所需的工作時鐘來提供。具體地，時鐘CLK
也被提供作為用于二進制化電路57以及隨后所描述的同步檢測電路58、地址檢測電路60和輔助數(shù)據(jù)生成電路61的工作時鐘。
同步檢測電路58從所提供的二進制數(shù)據(jù)中檢測出在上面圖3所示的每個幀中所插入的sync圖樣。具體地，4企測這種情況下為sync圖樣的9T區(qū)間，乂人而才丸行幀同步?jīng)_企測。
幀同步信號被提供至需要所述信號的諸如地址4企測電路60的各個部分。地址檢測電路60根據(jù)幀同步信號和所提供的二進制數(shù)據(jù)來檢測地址信息。所檢測的地址信息被提供至在整體上控制輔助數(shù)據(jù)記
錄裝置50并且用于尋址等的控制器(未示出)。地址信息也被提供至輔助數(shù)據(jù)生成電路61中的寫入脈沖生成電路6 3 。
如圖所示，輔助數(shù)據(jù)生成電路61包括寫入脈沖生成電路63和RAM (隨才幾存耳又存儲器)62。輔助數(shù)據(jù)生成電^各61 4艮據(jù)輸入的輔助數(shù)據(jù)和從地址檢測電路60提供的地址信息以及從PLL電路59提供的時4f CLK來生成寫入"永沖4言號Wrp，用于i己錄應(yīng)該以隨后所描述的圖29的形式被記錄在光盤D16上的輔助數(shù)據(jù)。
激光功率控制部64根據(jù)從輔助數(shù)據(jù)生成電^各61所輸出的寫入脈沖信號Wrp來控制光學(xué)沖合耳又器OP中的激光二纟及管LD的激光功率。具體地，在這種情況下的激光功率控制部64執(zhí)行控制，使得當(dāng)寫入脈沖信號Wrp處于L (低)電平時，可以獲取輸出為再生功率的激光。執(zhí)行控制，使得當(dāng)寫入脈沖信號Wrp處于H (高)電平
時，；敫光^r出為i己錄功率。
通過激光功率控制部64的控制來執(zhí)行通過記錄功率的激光照射，使得在經(jīng)受了激光照射的部分中的反射膜102上形成標記。通過這種方式，通過在反射膜102上所形成的標記將輔助lt據(jù)記錄在光盤D16上。
圖29是用于描述期望通過輔助數(shù)據(jù)生成電i 各61的操作來實現(xiàn)的輔助lt據(jù)的記錄形式的示圖。
圖29分別示出了作為構(gòu)成輔助數(shù)據(jù)的1比特碼來記錄"O"的情況和作為這種1比特碼來記錄"l"的情況。在代碼表示方法中，首先假設(shè)具有預(yù)定長度并且在主數(shù)據(jù)中出現(xiàn)的相鄰的單數(shù)(奇數(shù))和雙數(shù)(偶數(shù))平面形成一對。對于每對具有預(yù)定長度的相鄰的單lt和雙數(shù)平面，標記被記錄在單數(shù)平面上的情況一皮定義為代碼"0"，標記^皮記錄在雙數(shù)平面上的情況被定義為
"1 "
圖29示出了標記被記錄在作為具有預(yù)定長度的平面的5T平面上的實例。此處，描述了在具有預(yù)定長度的平面上形成標記的情況；<旦是，可以在具有預(yù)定長度的凹坑上形成標i己。
在這種情況下， 一個地址單元被分配為用于記錄構(gòu)成輔助數(shù)據(jù)的1比4爭；馬的區(qū)間。
如圖所示，標記^皮記錄，Y吏得在一個地址單元中，相同的代碼
示，當(dāng)記錄代碼"O，，時，僅在一個地址單元中的具有預(yù)定長度的單數(shù)，面Ji i己，才示i己。
當(dāng)記錄代碼"l"時，僅在一個地址單元中的具有預(yù)定長度的雙凄t平面上i己錄標^己。
在再生期間，在一個地址單元中采樣各對具有預(yù)定長度的相鄰的單數(shù)和雙數(shù)平面的再生信號RP，并從單數(shù)平面中所采樣的再生信號RF值中減去在雙數(shù)平面中所采樣的再生信號RF值("奇-
偶，，)。
此處，將討i侖記錄標記的再生信號電平高于沒有記錄標記的部分的再生信號電平的實例。在僅在單數(shù)平面中記錄了標記的代碼"0"的情況下，當(dāng)執(zhí)行這種"奇-偶"操作時，理想地，獲取每對具有預(yù)定長度的相鄰平面的正值。即，當(dāng)以這種方式對通過對每對具有預(yù)定長度的相鄰平面的纟喿作所獲取的"奇-偶"值進4于積分時，可以確保獲取并4企出正值。相反，在僅在雙數(shù)平面上記錄了標記的代碼'T，的情況下，理想地，通過對每對具有預(yù)定長度的相鄰平面的操作所獲取"奇-偶"值為負值。因此，當(dāng)對這些值進行積分時，可以確保獲取并4全出負值。
在光盤100中，在形成了標記的部分，再生信號電平升高。因
此，實際上，當(dāng)《又在單凄t平面上"i己錄了標記時，會沖企測到負值，而當(dāng)僅在雙數(shù)平面上記錄了標記時，會檢測到正值。
此處，如上所述，在指定區(qū)間中重復(fù)記錄相同的記錄圖樣，并且在再生期間才艮據(jù)多個相同的記錄圖樣來確定一個值。因此，通過標記記錄所提供的反射率的變化會非常微弱。由于如上所述通過標記記錄所引起的反射率變化4艮^f鼓弱，所以可以防止記錄標記影響主
數(shù)據(jù)的二進制化。
通過與上述相同的方法來記錄標記，用于構(gòu)成輔助^t據(jù)的其它代碼。
即，在這種情況下，輔助^t據(jù)-波記錄至與構(gòu)成輔助H據(jù)的代碼同數(shù)的地址單元。
在輔助凄t據(jù)記錄裝置50與再生裝置之間預(yù)先確定以這種方式記錄輔助凄t據(jù)的區(qū)間(下文中，也稱作輔助凌t據(jù)記錄區(qū)間)。因此，配置輔助數(shù)據(jù)記錄裝置50，以對作為先前所確定的這種輔助lt據(jù)記錄區(qū)間的多個i也址單元^M亍前述沖示i己i己錄。
此處，在前述記錄方法中，需要注意，當(dāng)在具有預(yù)定長度的平面的邊緣上記錄標記時，不能適當(dāng)?shù)?1行主#:據(jù)的二進制化。具體地，當(dāng)如上所述在具有預(yù)定長度的平面的邊^(qū)彖上記錄標記時，因為
38在記錄了標記的部分中反射率會變得更高，所以在二進制化中可能會檢測出錯誤的平面長度(或凹坑長度)。
因此，在用于記錄的目標平面中部記錄標記。據(jù)此，由于還能像通常那樣獲取所產(chǎn)生的邊緣，所以不會影響二進制化。
為了執(zhí)行前述記錄，圖28中所示的輔助數(shù)據(jù)生成電路61中的寫入脈沖生成電3各63在圖29所示的時刻(timing)生成寫入月永沖信號Wrp。具體地，僅在具有預(yù)定長度的單數(shù)平面的中部對應(yīng)于代碼"0"生成處于H電平的寫入脈沖信號Wrp。僅在具有預(yù)定長度的雙數(shù)平面的中部對應(yīng)于代碼"l"生成處于H電平的寫入脈沖信號Wrp。
接下來，將描述在通過在反射膜102上所形成的標記來記錄輔助凄t據(jù)的光盤100上纟丸行再生的再生裝置的實例。
(再生裝置)
圖30是示出再生裝置1的結(jié)構(gòu)的框圖。
具體地，圖30主要示出用于輔助數(shù)據(jù)的再生的部分，而省略了在主數(shù)據(jù)再生系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)中進行二進制化后的階段中的解調(diào)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。也省略了對反轉(zhuǎn)電路15和判定電路16的描述。
在再生裝置l中，4艮據(jù)預(yù)定的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動系統(tǒng)，通過主軸馬達2來旋轉(zhuǎn)驅(qū)動被裝載在轉(zhuǎn)盤(未示出)上的光盤100。而且，在這種情況下，圖中所示的光學(xué)拾取器OP從以這種方式旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的光盤100中讀取記錄信號(主數(shù)據(jù))。
盡管圖中省略了下述部件，但是，在這種情況下的光學(xué)拾取器OP也包括激光二極管，形成激光光源；物鏡，用于將激光匯聚并沖殳射在光盤100的記錄面上；二軸才幾構(gòu)，用于支撐能夠在跟蹤方
向和聚焦方向上移動的物鏡；光電探測器，用于檢測在激光照射后
乂人光盤100所反射的光。
在再生裝置1中，通過具有再生功率的激光來照射光盤100。
通過光學(xué)拾取器OP中的光電探測器所檢測的反射光信息在 I-V轉(zhuǎn)換電路3中被轉(zhuǎn)換成電信號，隨后被提供至矩陣電路4。矩陣 電路4根據(jù)從I-V轉(zhuǎn)換電路3所接收的反射光信息來生成再生信號 RF。
盡管圖中沒有示出，但是矩陣電路4也生成跟蹤誤差信號TE 和焦點誤差信號FE。它們也被提供至祠服電路(未示出)，并且^t 分別,皮用于跟蹤伺服控制和焦點伺服控制。
在矩陣電路4中所生成的再生信號RF被提供至二進制化電路 5,并且也被分鴻4是供至隨后所描述的A/D轉(zhuǎn)換器11。 二進制化電 路5將所提供的再生信號RF轉(zhuǎn)換成"0'7"1"的二進制數(shù)據(jù)。
二進制數(shù)據(jù)被提供至PLL電路8、同步檢測電路9及地址檢測 電路10。
二進制數(shù)據(jù)也被提供至在隨后所描述的檢測脈沖生成部12中 的4企測^永沖生成電^各12a。
PLL電路8生成與所提供的二進制數(shù)據(jù)同步的時鐘CLK,并且 作為各個部分所需的操作時鐘提供。具體地，在這種情況下的時鐘
CLK也被提供至檢測脈沖生成電路12a (未示出)。同步檢測電路9從所提供的二進制數(shù)據(jù)中檢測出在上面圖3所
示的每個幀中所插入的sync部分。具體地，在這種情況下，所述電 ^各;險測作為sync圖樣的9T區(qū)間，從而寺丸行幀同步4企測。
幀同步信號被提供至需要所述信號的諸如地址檢測電路10的 各個部分。
地址檢測電路10根據(jù)幀同步信號從所提供的二進制數(shù)據(jù)中檢 測出地址信息。所檢測的地址信息被提供至在整體上控制再生裝置 1并被用于尋址等的控制器(未示出)。地址信息也被提供至檢測脈 沖生成部12中的才全測脈沖生成電i 各12a。
應(yīng)該確定的是，當(dāng)再生光盤100上所記錄的主lt據(jù)時，也^f吏用 以下部分光學(xué)拾取器OP、 I-V轉(zhuǎn)換電路3、矩陣電路4、 二進制 化電^各5 、 PLL電路8 、同步?jīng)_企測電3各9及地址才企測電^各10。換句 話說，在這些部分中，主數(shù)據(jù)再生系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)也4皮用于輔助數(shù)據(jù)的再生。
才全測脈沖生成部12根據(jù)與在上述輔助數(shù)據(jù)記錄裝置50中相同 的確定標記的記錄方法，生成指示4全測點的4企測脈沖Dp，用于再 生作為輔助凄t據(jù)的識別信息。
4企測脈沖生成部12包括4企測脈沖生成電路12a和RAM 12b。 檢測脈沖生成電路12a根據(jù)在RAM 12b中所存儲的信息來生成檢 測脈沖Dp。所生成的檢測脈沖Dp被提供至A/D轉(zhuǎn)換器11。
來自矩陣電路4的再生信號RF被提供至A/D轉(zhuǎn)換器11。 A/D 轉(zhuǎn)換器11在通過檢測脈沖信號Dp所表示的時刻采樣所提供的再生 信號RF，并且將所述值提供至輔助數(shù)據(jù)檢測電路13。輔助數(shù)據(jù)檢 測電路13對A/D轉(zhuǎn)換器11所提供的值執(zhí)行預(yù)定的操作，從而檢測
41輔助凄丈據(jù)的每個值。具體地，在這種情況下，例如，4艮據(jù)對應(yīng)于前 述"奇-偶"執(zhí)行操作的結(jié)果來檢測輔助數(shù)據(jù)的每個值。
在輔助數(shù)據(jù)檢測電路13中所檢測的輔助數(shù)據(jù)值被提供至ECC (誤差才交正碼)電^各14。
在這種情況下的輔助數(shù)據(jù)包括識別信息和誤差校正碼。ECC電 路14 4艮據(jù)在輔助凄t據(jù)中的誤差校正碼來執(zhí)行誤差校正，從而再生 識別信息。
再生的識別信息被提供至圖中所示的主機6。
主機6將命令傳送至在整體上控制再生裝置1的控制器(未示 出)，從而指導(dǎo)各個操作。例如，傳送用于指導(dǎo)在光盤100上所記 錄的主數(shù)據(jù)的再生的命令。因此，從光盤100再生的主數(shù)據(jù)在二進 制化電路5中被二進制化，隨后在解調(diào)系統(tǒng)(未示出)中解調(diào)(RLL 1 _ 7 pp解調(diào))或進行誤差校正，并4是供至主才幾6。
主機6設(shè)置有網(wǎng)絡(luò)接口7，以執(zhí)行與所需網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)通信。這 樣能夠在主機6與外部設(shè)備之間執(zhí)行數(shù)據(jù)通信，具體地，通過預(yù)定 網(wǎng)絡(luò)(例如互聯(lián)網(wǎng))與圖中所示的管理服務(wù)器70進行數(shù)據(jù)通信。
參照后面的圖20來描述在具有前述結(jié)構(gòu)的再生裝置1中所#1 行的輔助數(shù)據(jù)值的檢測。
圖3i示出了在將"o，，和"r，分別賦予光盤ioo上的一個地址單元 來作為輔助-數(shù)據(jù)的i比特值的情況下的標記記錄狀態(tài)。為了說明， 這個示圖示出了以相同的圖樣作為主數(shù)據(jù)來形成凹坑和平面的情況。首先，如上所述，通過在光盤100的預(yù)定的輔助H據(jù)i己錄區(qū)間 中將1比特信息賦予每個地址單元來記錄輔助^t據(jù)。
在這種情況下，在代碼表示方法中，在具有預(yù)定長度的單數(shù)平 面上i己錄標i己的情況一皮定義為"O",并且在具有予貞定長度的雙，數(shù)平面
上記錄標記的情況被定義為"l"。換句話說，當(dāng)如圖所示代碼為"o"
時，僅在地址單元中具有預(yù)定長度的單數(shù)平面上記錄標記。當(dāng)代碼 為"r，時，僅在地址單元中具有預(yù)定長度的雙lt平面上記錄標記。
此處，例如，形成標記的部分為反射率略樣史升高的部分。因此，
如圖所示，在記錄了標記的部分，再生信號RF的波形電平升高。
在輔助凄t據(jù)的再生中，4艮據(jù)在記錄了標記的部分中的反射率的 這種略樣l升高來確定每個值。
如上所述，當(dāng)記錄了輔助凄丈據(jù)時，每個標i己均一皮i己錄在具有預(yù) 定長度的平面的中部。通過以這種方式在平面中部記錄標記，乂人圖 中所示的再生信號RF的波形可以看出，僅在記錄了標記的平面的 中部電平升高，并且如常獲取邊全彖部分的波形。因此，如上所述， 可以防止主數(shù)據(jù)的二進制化受到影響。
此處，4艮據(jù)上面的描述，當(dāng)代碼為"0"時，^f又在具有預(yù)定長度 的單數(shù)平面上的再生信號RF值略微地升高。當(dāng)代碼為"l"時，僅在 具有預(yù)定長度的雙數(shù)平面上的再生信號RF值略孩t地升高。
因此，在這種情況下，為了確定分配至每個i也址單元的輔助凄t 據(jù)的各個值，只要檢測在地址單元中具有預(yù)定長度的單lt平面和雙 凄t平面的哪一個具有增加的再生信號RF值就可以了 。例如，可以通過確定與沒有記錄標記的部分中的再生信號RF 值的差值來檢測記錄了標記的部分中的再生信號RF值的增加。
在這種情況下，如上所述，當(dāng)代碼為"O"時，僅在單數(shù)平面上
記錄標記。當(dāng)代碼為"r，時，僅在雙lt平面上記錄標記。換句話說，
當(dāng)^C碼為"0"時，雙凄丈平面會形成沒有i己錄標i己的部分，并且當(dāng)^f戈石馬 為"1"時，單lt平面會形成沒有記錄標i己的部分。
因此，當(dāng)對相鄰的單數(shù)(奇數(shù))和雙數(shù)(偶數(shù))平面執(zhí)行"奇 -偶"才喿作時，能夠;險測出奇凄t和偶^:的哪一個具有增加的再生信 號RF值(具有所記錄的標記)。
具體地，當(dāng)"奇-偶"為正值時，在單數(shù)平面中的再生信號 RF值會增加，因此，可以發(fā)現(xiàn)，標記被記錄在單數(shù)平面上。相反， 當(dāng)"奇-偶，，為負值時，雙數(shù)平面上的再生信號值會增加，因此， 可以發(fā)i見，標i己^B己錄在雙凄史平面上。
但是，噪聲分量實際上重疊在再生信號RF上。在記錄了標記 的部分中，再生信號RF值僅被略微降低，并且可能4奄沒在這樣的 噪聲分量中。因此，如果lX對一對具有預(yù)定長度的相鄰偶^t平面4丸 行"奇-偶"檢測，則^艮難確保能確定出值。
因此，對于輔助數(shù)據(jù)的再生而言，如上所述對于每對相鄰的單 凄t和雙lt平面所計算的"奇-偶"值進4亍積分，并且才艮據(jù)積分值來 確定被賦予地址單元的1比特值。這樣能夠更可靠地檢測輔助數(shù)據(jù)的值。
為了上述"奇-偶"計算，需要采樣在奇數(shù)和偶數(shù)平面(即， 具有預(yù)定長度的單lt和雙數(shù)平面)的中部所獲耳又的再生信號RF值。圖30中所示的^r測脈沖生成部12生成4企測脈沖信號Dp，作為指 示用于"奇-偶，，計算的采樣時刻的信號。
此處，作為用于上述"奇-偶，，計算的沖企測脈沖Dp，從圖30 可以了解，僅在主數(shù)據(jù)中所獲取的預(yù)定長度的平面的中部生成具有 H電平的信號就可以了。
為了生成這種4僉測脈沖Dp，與前述輔助l欠據(jù)記錄裝置50的生 成寫入"永沖〗言號W卬的情況-一才羊，由光盤100上的輔助lt據(jù)記錄區(qū) 間中所記錄的主數(shù)據(jù)的內(nèi)容生成對應(yīng)的時刻就可以了 。
但是，與輔助數(shù)據(jù)記錄裝置50不同，由于再生裝置1沒有被 用于光盤的制造，所以在光盤100上所記錄的內(nèi)容可以不預(yù)先存^f諸 在所述裝置中。因此，再生裝置1從被裝載的光盤100中讀出輔助 ^:據(jù)記錄區(qū)間中的主^t據(jù)，并且主#:據(jù)-故存<諸在所述裝置中，用于 生成一企測脈沖 <言號Dp 。
再生裝置1包括在圖30所示的^r測脈沖生成部12中的RAM 12b，作為在以這種方式在所讀耳又的輔助數(shù)據(jù)記錄區(qū)間中存儲主數(shù) 據(jù)的存儲器。具有如圖32所示數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的對應(yīng)于每個地址讀取的 主數(shù)據(jù)被存儲。
在神企測脈沖生成部12中的沖企測脈沖生成電^各12a中，如在前 述寫入脈沖信號Wrp的生成中一才羊，才艮據(jù)在以這種方式凈皮存4諸在 RAM 12b中的記錄區(qū)間中的主凄t據(jù)的內(nèi)容來生成^f又在相應(yīng)的時刻 表示為"1"并且在所有其它時刻表示為"0"的數(shù)據(jù)序列。生成根據(jù)以 這種方式被生成的數(shù)據(jù)序列的檢測脈沖Dp,并將其提供至A/D轉(zhuǎn) 換器11。通過在檢測脈沖信號Dp所表示的時刻使用A/D轉(zhuǎn)換器11 來釆樣再生信號RF的值，可以在圖31所示的適當(dāng)時刻采樣再生信 號RF的4直。如上所述，4艮據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)，當(dāng)選^奪其反射膜的組 成時，可以確保獲取這樣的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，可以以高于沒有 記錄輔助數(shù)據(jù)的部分的再生電平來執(zhí)行記錄了輔助數(shù)據(jù)的反射膜 部分的再生。
因此，才艮據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)，如參照圖33的初始描述 一樣，從該光學(xué)記錄介質(zhì)上剝離覆蓋層和反射膜，并且從具有由于 在形成輔助數(shù)據(jù)標記的過程中引起的熱變形所導(dǎo)致的凹痕的基— 反 101 ，轉(zhuǎn)寫包含輔助數(shù)據(jù)標記所導(dǎo)致的凹痕的基一反的表面上的凹凸， 由此制備盜版光盤時，實質(zhì)上不可能讀取輔助數(shù)據(jù)。
具體地，由于通過圖33B所示的凹痕所形成的記錄標記中的再 生電平與沒有記錄標記的部分相比一皮降低了 ，所以不能獲得如前述 本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)那樣的、具有輔助數(shù)據(jù)的再生電平被提高的 正規(guī)輔助數(shù)據(jù)的盜版光盤?；蛘?，可以立刻確定盜版拷貝。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄 介質(zhì)使通過非法拷貝的盜版拷貝中的再生信號的極性反轉(zhuǎn)。因此， 能夠確定盜版光學(xué)記錄介質(zhì)，此外，例如， -使其不能在盜版光學(xué)記 錄介質(zhì)中再生，并且可以有歲文i也防止版^又的4憂牙巳。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄 介質(zhì)使用Ag合金膜，其中，抑制了小丘生成，并且具有良好的耐 候性。因此，能夠顯著提高長期數(shù)據(jù)存儲的可靠性。
過去，已經(jīng)提出了具有多種被添加至Ag合金的元素的金屬合 金反射膜來作為光盤記錄介質(zhì)中的反射膜。本發(fā)明可以提供一種這 樣的光學(xué)i己錄介質(zhì)，其中，再生4言號的才及性可以在一次寫入記錄庫# 助數(shù)據(jù)的再生過程中、在通過非法拷貝的盜版拷貝中顯著反轉(zhuǎn)，并且該光學(xué)記錄介質(zhì)的一次寫入金屬反射膜擁有卓越的長期存儲可 靠性和卓越的耐候性。
在上面的描述中，主要涉及光盤；但是，基板形狀等并不受限。 參考符號說明
1再生裝置，2主軸馬達，3I-V轉(zhuǎn)換電路，4矩陣電路，5 二 進制化電^各，6主才幾，7網(wǎng)絡(luò)接口， 8PLL電3各，9同步4企測電3各， 10地址檢測電路，11A/D轉(zhuǎn)換器，12檢測脈沖生成部，12a檢測 脈沖生成電^各，12bRAM， 13輔助數(shù)據(jù)沖企測電^各，14ECC電^各， 15反轉(zhuǎn)電^各，16判定電^各，70管理月良務(wù)器，100光學(xué)i己錄介質(zhì) (具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)(光盤))，101基板， 102反射月莫，103 4隻蓋層，104物4竟，105纟敫光
權(quán)利要求
1. 一種具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄介質(zhì)，包括在基板上至少有層積形成的一次寫入金屬反射膜和覆蓋層，其中主數(shù)據(jù)以凹坑和平面的組合形式記錄在所述基板上，所述一次寫入金屬反射膜可以通過激光照射的熱記錄進行一次寫入記錄，通過利用一次寫入記錄激光照射所述一次寫入金屬反射膜所形成的標記來記錄輔助數(shù)據(jù)，形成所述標記的部分的再生信號電平在具有預(yù)定長度的平面中升高，并且在通過物理轉(zhuǎn)寫所述基板的凹坑和平面的表面形狀所制備的光盤記錄介質(zhì)上形成所述標記，使得形成所述標記的部分的再生信號電平降低，其特征在于，由Ag100-x-yXxCuy(x，yat％)的Ag合金膜形成所述一次寫入金屬反射膜，所述X為Ti、W、Ta、V、Mo、Nb及Zr的元素中的至少一種元素，并且在所述Ag合金膜中Cu的組成y選擇為2≤y≤13[at％]。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄 介質(zhì)，其特征在于，由Ag,Q()-x-yXxCuy的所述Ag合金膜形成所述一次寫入金屬 反射膜，所述X為Ti，所述Ag合金膜中Ti的組成x選擇為4.5^x^l7[at%]，并且所述Ag合金膜中Cu的組成y選擇為2 ^ y ^ 13 [at%]。
3. 4艮據(jù)權(quán)利要求1所述的具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄 介質(zhì)，其特征在于，由Ag1(K).x-yXxCuy的所述Ag合金膜形成所述一次寫入金屬 反射膜，所述X為W，所述Ag合金膜中W的組成x選擇為2.5 S x ^ 11 [at%]，并且所述Ag合金膜中Cu的組成y選擇為2 ^ 13 [at%]。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄 介質(zhì)，其特征在于，由AguK)_x-yXxCuy的所述Ag合金膜形成所述一次寫入金屬 反射膜，所述X為Ta，在所述Ag合金膜中Ta的組成x選4奪為0.6 ^ x ^ 10.5 [at%]，并且所述Ag合金月莫中Cu的組成y選擇為2 ^ y ^ 13 [at%]。
5. 4艮據(jù)權(quán)利要求1所述的具有一次寫入金屬反射膜的光學(xué)記錄 介質(zhì)，其特征在于，由Agl,x_yXxCuy的所述Ag合金膜形成所述一次寫入金屬 反射膜，所述X為Ti、 W、 Ta、 V、 Mo、 Nb及Zr中的至少兩種 元素，所述Ag合金膜中X的總組成x選擇為0.6^x^ 17 [at%],并且所述Ag合金膜中Cu的組成y選擇為2 ^ y ^ 13 [at%]。
全文摘要
本發(fā)明可以確定通過物理轉(zhuǎn)寫在光學(xué)記錄介質(zhì)的基板上形成的凹坑和平面的形狀而制備的盜版光盤記錄介質(zhì)。所述光學(xué)記錄介質(zhì)具有卓越的耐候性和長期存儲可靠性。在通過凹坑和平面的組合記錄了主數(shù)據(jù)的基板上形成由Ag_100-x-yX_xCu_y的Ag合金膜所形成的反射膜，其中，X為Ti、W、Ta、V、Mo、Nb及Zr中的至少一種元素?？梢孕纬蓸擞?，使得在所述反射膜上一次寫入的記錄輔助數(shù)據(jù)的記錄標記的再生信號電平升高，并且在通過物理轉(zhuǎn)寫所述基板的凹坑和平面的表面形狀而制備的光學(xué)記錄介質(zhì)的再生信號電平降低。以這種方式可以確定盜版光學(xué)記錄介質(zhì)。
文檔編號G11B7/258GK101467210SQ20078002201
公開日2009年6月24日 申請日期2007年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月15日
發(fā)明者中井淳一, 中野淳, 坂本哲洋, 大川直樹, 田內(nèi)?；?申請人:索尼株式會社;株式會社神戶制鋼所