專利名稱：用于使用相同存儲(chǔ)器類型來(lái)支持檢錯(cuò)模式和非檢錯(cuò)模式的系統(tǒng)、方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例大體上涉及集成電路領(lǐng)域，更具體地，涉及用于使用相同存儲(chǔ)器類型來(lái)支持糾錯(cuò)模式和非糾錯(cuò)模式的系統(tǒng)、方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
存儲(chǔ)器件易受到誤差的影響，例如，瞬態(tài)(或軟)誤差。如果這些誤差沒有被適當(dāng)?shù)靥幚?，則它們可能使計(jì)算系統(tǒng)發(fā)生故障。以糾錯(cuò)碼(ECC)形式的冗余信息可以被用于提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。然而，冗余信息增加了存儲(chǔ)器系統(tǒng)的存儲(chǔ)要求，由此增加了存儲(chǔ)器系統(tǒng)的成本。因此，ECC通常只用于高端或關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)。較低成本(或較次要)的系統(tǒng)不使用ECC，并提供適合于它們使用的可靠性等級(jí)。
在一些情況下，通過(guò)增加額外的存儲(chǔ)器件(例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)器件)將存儲(chǔ)的附加位增加到系統(tǒng)中。例如，使用8個(gè)DRAM來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)還可以使用附加的DRAM來(lái)存儲(chǔ)校驗(yàn)碼。在其它情況下，附加位被存儲(chǔ)在一個(gè)變體DRAM中，其被特別設(shè)計(jì)以用于ECC系統(tǒng)中。例如，非ECC DRAM可以具有256M比特的容量和16個(gè)輸出。該DRAM的ECC變體可以具有288M比特的容量和18個(gè)輸出。在這兩個(gè)實(shí)例中，ECC系統(tǒng)與相對(duì)應(yīng)的非ECC系統(tǒng)相比多了12.5％的存儲(chǔ)容量。
在ECC系統(tǒng)中使用不同DRAM器件具有許多缺陷。例如，存在與DRAM器件的兩種(或多種)變體的設(shè)計(jì)、制造和清點(diǎn)有關(guān)的成本的增加。另外，ECC變體DRAM器件大于其相對(duì)應(yīng)的非ECC對(duì)應(yīng)物，從而更難制造。向ECC變體DRAM增加附加位降低了器件的良率，并且因此增加了器件的成本。使用DRAM器件的兩種(或多種)變體的另一個(gè)缺點(diǎn)是要求與DRAM器件連接的存儲(chǔ)控制器支持額外的引腳(例如，ECC引腳)。此外，由于ECC變體DRAM模塊的連接器比其非ECC對(duì)應(yīng)物的大，因此其使用了主板上更多的空間。


在附圖的圖形中，本發(fā)明的實(shí)施例作為例子但不是作為限制而被示出，其中相同的附圖標(biāo)記指代相似的元件。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例實(shí)施的計(jì)算系統(tǒng)的所選方面的高層次框圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例實(shí)施的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的所選方面的框圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例實(shí)施的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的所選方面的框圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的，在數(shù)據(jù)位與糾錯(cuò)位之間的地址映射的實(shí)例的框圖；圖5示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的讀取數(shù)據(jù)幀的所選方面；圖6A和6B示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的寫數(shù)據(jù)幀序列的所選方面；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子系統(tǒng)的所選方面的框圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明可選實(shí)施例的電子系統(tǒng)的所選方面的框圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的實(shí)施例大體上將注意力集中在用于使用相同存儲(chǔ)器類型來(lái)支持糾錯(cuò)模式和非糾錯(cuò)模式的系統(tǒng)、方法和設(shè)備。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件包括至少一個(gè)分離存儲(chǔ)體對(duì)，其具有第一存儲(chǔ)體和第二存儲(chǔ)體。在糾錯(cuò)模式中，數(shù)據(jù)位可以存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)體中，而相應(yīng)的糾錯(cuò)位存儲(chǔ)在另一個(gè)存儲(chǔ)體中?？梢耘渲么鎯?chǔ)器件以使其支持任一的使用寄存器位(例如，模式寄存器組(MRS)寄存器位)的模式。在一些實(shí)施例中，支持糾錯(cuò)模式和非糾錯(cuò)模式的能力在與存儲(chǔ)控制器的接口上具有最小的影響。也就是說(shuō)，基本上可以使用與僅支持非糾錯(cuò)模式的系統(tǒng)相同的信令(signaling)、引腳數(shù)和突發(fā)長(zhǎng)度(bust length)。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例實(shí)施的計(jì)算系統(tǒng)的所選方面的高層次框圖。計(jì)算系統(tǒng)100包括請(qǐng)求器102、存儲(chǔ)控制器(或主機(jī))110、存儲(chǔ)器件130，和互連120。存儲(chǔ)控制器110，至少部分地，控制請(qǐng)求器102和存儲(chǔ)器件130之間的信息傳遞。請(qǐng)求器102可以是處理器(例如，中央處理單元和/或內(nèi)核)，服務(wù)處理器，輸入/輸出裝置(例如，外設(shè)部件互連(PCI)高速設(shè)備)，存儲(chǔ)器本身，或請(qǐng)求訪問(wèn)存儲(chǔ)器的系統(tǒng)100的其它任何元件。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)控制器110與請(qǐng)求器102在同一芯片上。
在所示的實(shí)施例中，存儲(chǔ)控制器110包括糾錯(cuò)邏輯電路112，模式指示器114，和存儲(chǔ)器件尋址邏輯電路116。糾錯(cuò)邏輯電路112使用冗余信息來(lái)保護(hù)數(shù)據(jù)以避免特定的錯(cuò)誤。在一些實(shí)施例中，糾錯(cuò)邏輯電路112是糾錯(cuò)碼(ECC)。
如下面進(jìn)一步討論的，在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件130可以在糾錯(cuò)模式或者非糾錯(cuò)模式下運(yùn)行。當(dāng)在糾錯(cuò)模式中運(yùn)行時(shí)，存儲(chǔ)器件130同時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位和相應(yīng)的糾錯(cuò)位(例如，ECC位)。當(dāng)在非糾錯(cuò)模式中運(yùn)行時(shí)，(基本上)存儲(chǔ)器件130的全部容量都用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位。模式指示器114提供存儲(chǔ)器件130是在糾錯(cuò)模式中還是在非糾錯(cuò)模式中運(yùn)行的指示。在一些實(shí)施例中。模式指示器114包括一個(gè)或多個(gè)寄存器位。
在一些實(shí)施例中，根據(jù)存儲(chǔ)器件130是處于糾錯(cuò)模式還是在非糾錯(cuò)模式中，存儲(chǔ)裝置130對(duì)讀/寫數(shù)據(jù)施以不同的地址映射。例如，在糾錯(cuò)模式中所用的地址映射會(huì)導(dǎo)致糾錯(cuò)位(例如，ECC位)的映射。地址映射邏輯電路116使得存儲(chǔ)控制器110能夠知道存儲(chǔ)器件130使用的地址映射。地址映射邏輯電路116可以是能夠?yàn)樵S多存儲(chǔ)單元提供地址映射指示的任何邏輯電路。
存儲(chǔ)器件130可以是很寬范圍的各種器件中的任何一種器件，包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(或簡(jiǎn)稱為DRAM)。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件130被組織為一個(gè)或多個(gè)分離的存儲(chǔ)體對(duì)140。分離的存儲(chǔ)體對(duì)指的是一對(duì)存儲(chǔ)體，其可以被配置為單個(gè)存儲(chǔ)體或兩個(gè)分離的存儲(chǔ)體。在一些實(shí)施例中，分離的存儲(chǔ)體對(duì)中的每個(gè)存儲(chǔ)體都具有其自己的行譯碼器和列譯碼器。
在一些實(shí)施例中，分離的存儲(chǔ)體對(duì)中的每一個(gè)存儲(chǔ)體都能夠提供一個(gè)存儲(chǔ)器頁(yè)面。例如，存儲(chǔ)體0A提供頁(yè)面142，而存儲(chǔ)體0B提供頁(yè)面144?！按鎯?chǔ)體(bank)”指的是由存儲(chǔ)器件提供的存儲(chǔ)單元的陣列。存儲(chǔ)體142和144能夠共同地提供邏輯頁(yè)面146。術(shù)語(yǔ)“邏輯頁(yè)面”指的是兩個(gè)或多個(gè)物理存儲(chǔ)體的邏輯組合。在一些實(shí)施例中，頁(yè)面142和144各自提供1千字節(jié)(K字節(jié))的存儲(chǔ)器，并且邏輯頁(yè)面146提供2K字節(jié)的凈有效頁(yè)面大小。
在所示實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件130包括模式指示器132、登記(posted)寫緩沖器134、部分寫掩模136和列地址產(chǎn)生邏輯電路138。模式指示器132提供存儲(chǔ)器件130是在糾錯(cuò)模式中還是在非糾錯(cuò)模式中工作的指示。在一些實(shí)施例中，模式指示器132包括寄存器的一個(gè)或多個(gè)位，例如模式寄存器組(MRS)。登記寫緩沖器134是數(shù)據(jù)在寫入到存儲(chǔ)器件130的存儲(chǔ)內(nèi)核之前被登記的緩沖器。部分寫掩模136為寫入到存儲(chǔ)內(nèi)核的數(shù)據(jù)提供寫掩模。在一些實(shí)施例中，部分寫掩模136用于訪問(wèn)與存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器件130中的數(shù)據(jù)有關(guān)的糾錯(cuò)位。在一些實(shí)施例中，列地址產(chǎn)生邏輯電路138為與存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器件130中的數(shù)據(jù)有關(guān)的糾錯(cuò)位產(chǎn)生列地址信息。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例實(shí)施的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的所選方面的框圖。DRAM 200包括16個(gè)存儲(chǔ)體(0A到7B)或8個(gè)分離的存儲(chǔ)體對(duì)(例如，分離的存儲(chǔ)體對(duì)0A，0B)。在一些實(shí)施例中，DRAM 200可以被配置為×4或×8DRAM。在×4模式中，DRAM 200提供16個(gè)存儲(chǔ)體(0A到7B)，每個(gè)存儲(chǔ)體向4個(gè)數(shù)據(jù)(DQ)引腳提供64位數(shù)據(jù)。在×8模式中，DRAM 200提供8個(gè)分離的存儲(chǔ)體對(duì)，以將128位數(shù)據(jù)提供到8個(gè)DQ引腳。
在一些實(shí)施例中，可以將DRAM 200配置為使其在糾錯(cuò)模式(例如，ECC模式)或非糾錯(cuò)模式下運(yùn)行。當(dāng)在糾錯(cuò)模式下運(yùn)行時(shí)，DRAM200通過(guò)在分離的存儲(chǔ)體中的一個(gè)部件(例如，存儲(chǔ)體0A)中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并在分離的存儲(chǔ)體的另一個(gè)部件(例如，存儲(chǔ)體0B)中存儲(chǔ)相應(yīng)的糾錯(cuò)位(例如，ECC位)來(lái)平衡(leverage)其分離的存儲(chǔ)體結(jié)構(gòu)。
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的，在分離的存儲(chǔ)體對(duì)中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位和糾錯(cuò)位的所選方面的框圖。分離的存儲(chǔ)體對(duì)300包括存儲(chǔ)體0A和存儲(chǔ)體0B。在一些實(shí)施例中，數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在每個(gè)存儲(chǔ)體中直到第N/M(例如，第7/8)個(gè)單元中，而相應(yīng)的糾錯(cuò)位被存儲(chǔ)在分離的存儲(chǔ)體對(duì)300的另一個(gè)部件的最后1/M(例如，1/8)單元中。例如，覆蓋了存儲(chǔ)在存儲(chǔ)體0A中數(shù)據(jù)的糾錯(cuò)位可以被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)體0B最高的第1/8個(gè)存儲(chǔ)單元中(302)。類似地，覆蓋了存儲(chǔ)在存儲(chǔ)體0B中數(shù)據(jù)的糾錯(cuò)位可以被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)體0A最高的第1/8個(gè)存儲(chǔ)單元中(304)。在一些實(shí)施例中，糾錯(cuò)位是糾錯(cuò)碼(ECC)位。
在一些實(shí)施例中，主機(jī)(例如，圖1中所示的存儲(chǔ)控制器110)在分離的存儲(chǔ)體對(duì)中對(duì)特定存儲(chǔ)體進(jìn)行尋址，以識(shí)別接收/提供數(shù)據(jù)位的存儲(chǔ)體。如果存儲(chǔ)器件處在糾錯(cuò)模式下，那么它就使用其內(nèi)部邏輯電路(例如，圖1中所示的部分寫掩模136、列地址產(chǎn)生邏輯電路138等)來(lái)訪問(wèn)與數(shù)據(jù)位相對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)位。下面參照附圖4-6B來(lái)更進(jìn)一步討論對(duì)數(shù)據(jù)位和相應(yīng)的糾錯(cuò)位的訪問(wèn)。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的，在數(shù)據(jù)位與糾錯(cuò)位之間的地址映射的實(shí)例的框圖。在示出的實(shí)施例中，數(shù)據(jù)位存儲(chǔ)在7/8頁(yè)面中，該頁(yè)面是由一對(duì)分離的存儲(chǔ)體中的一個(gè)存儲(chǔ)體來(lái)提供的，如410所示。相應(yīng)的糾錯(cuò)位存儲(chǔ)在該分離的存儲(chǔ)體對(duì)中的另一個(gè)存儲(chǔ)體(430)最高的1/8單元中。例如，覆蓋了字節(jié)0-7的ECC位存儲(chǔ)在如參考標(biāo)記432所示的存儲(chǔ)單元896中。類似地，覆蓋字節(jié)128-135的ECC位存儲(chǔ)在如參考標(biāo)記434所示的存儲(chǔ)單元897中，并且如圖4所示，對(duì)頁(yè)面410中的數(shù)據(jù)字節(jié)繼續(xù)這種方式。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)體430最高的1/8的最后字節(jié)(例如，單元903)沒有被使用，如參考標(biāo)記436所示。在一些實(shí)施例中，覆蓋了字節(jié)8-15的糾錯(cuò)位存儲(chǔ)在單元905中，并且該序列重復(fù)其自身。
再次參照?qǐng)D1，說(shuō)明了從DRAM中進(jìn)行讀取的事件序列。存儲(chǔ)控制器110向存儲(chǔ)器件130提供行地址124。至少部分地基于行地址124，存儲(chǔ)器件130激活在分離的存儲(chǔ)體對(duì)的兩個(gè)存儲(chǔ)體中的相同的行。例如，基于行地址124，存儲(chǔ)器件130打開存儲(chǔ)體0A和0B的行150和152。
存儲(chǔ)控制器110向存儲(chǔ)器件130提供列地址122(例如，使用列地址選通(CAS)幀)。存儲(chǔ)器件130利用列地址122來(lái)訪問(wèn)來(lái)自適當(dāng)?shù)拇鎯?chǔ)體(例如，存儲(chǔ)體0A)的數(shù)據(jù)位。在一些實(shí)施例中，至少部分地基于列地址122，存儲(chǔ)器件130為糾錯(cuò)位在內(nèi)部產(chǎn)生列地址。也就是說(shuō)，存儲(chǔ)器件130在內(nèi)部為其中存儲(chǔ)了錯(cuò)誤位的存儲(chǔ)體產(chǎn)生列地址。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)裝置130使得列地址122的一部分為高位(例如，邏輯1)，以激活其中存儲(chǔ)了糾錯(cuò)位的存儲(chǔ)體的最高的M行。
例如，在一些實(shí)施例中，列地址122包括8個(gè)列地址(CA)位CA3到CA10。在這種實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件130可以通過(guò)迫使列地址位CA8、CA9和CA10為高并訪問(wèn)來(lái)自適當(dāng)?shù)拇鎯?chǔ)體(例如，存儲(chǔ)體0B)的8個(gè)字節(jié)來(lái)訪問(wèn)糾錯(cuò)位。然后存儲(chǔ)器件130可以利用CA8、CA9和CA10的實(shí)際值來(lái)識(shí)別這8個(gè)字節(jié)中的一個(gè)。例如，如果CA8到CA10的實(shí)際值是“000”，那么存儲(chǔ)器件130將這8個(gè)字節(jié)中的第一個(gè)確定為包含糾錯(cuò)位的字節(jié)。類似地，如果CA8到CA10是“001”，那么存儲(chǔ)器件130將第二個(gè)字節(jié)確定為包含糾錯(cuò)位的字節(jié)。然后存儲(chǔ)器件130可以向存儲(chǔ)控制器110提供讀取的數(shù)據(jù)和其相關(guān)的糾錯(cuò)位。在一些實(shí)施例中，使用了由讀取的CAS幀而來(lái)的CA3到CA7。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的讀取數(shù)據(jù)幀的所選方面。如果系統(tǒng)(例如，圖1中所示的系統(tǒng)100)處于糾錯(cuò)模式，那么在一些實(shí)施例中，在兩個(gè)緊連的幀上進(jìn)行64位數(shù)據(jù)的傳遞。例如，幀502和504在單元區(qū)間0到15中傳送64個(gè)數(shù)據(jù)位，并且在單元區(qū)間(UI)16和17中傳送8個(gè)糾錯(cuò)(例如，ECC)位。
在一些實(shí)施例中，并行執(zhí)行兩個(gè)讀取，并且在四幀中傳遞128個(gè)數(shù)據(jù)位。例如，在所示實(shí)施例中，幀502和504傳遞最初的64個(gè)數(shù)據(jù)位(例如，d0-d63)，而幀506和508傳遞另一個(gè)64數(shù)據(jù)位(例如，d64-d127)。覆蓋數(shù)據(jù)位d0-d63的糾錯(cuò)位在幀506的UI 16和17中傳遞，而覆蓋數(shù)據(jù)位d64-d127的糾錯(cuò)位在幀508的UI 16和17中傳遞。在可選實(shí)施例中，讀取幀可以具有不同的結(jié)構(gòu)和/或可以傳送不同數(shù)量的幀。
再次參照?qǐng)D1，說(shuō)明了向存儲(chǔ)器件(例如，DRAM)寫入數(shù)據(jù)的事件序列。從存儲(chǔ)控制器110傳遞糾錯(cuò)位(例如，ECC位126)和數(shù)據(jù)位(例如，數(shù)據(jù)位128)，并將它們存儲(chǔ)在緩沖器134(例如，后寫緩沖器)中。另外，存儲(chǔ)控制器110還提供行地址124和列地址122(例如，作為寫CAS幀的部分)。
至少部分地基于行地址124，存儲(chǔ)器件130在分離的存儲(chǔ)體對(duì)140的兩個(gè)存儲(chǔ)體中激活相同的行(例如，行150和152)?；谠趯慍AS幀中的數(shù)據(jù)(例如，列地址122和存儲(chǔ)體地址字段的位)，數(shù)據(jù)位128被寫入到分離的存儲(chǔ)體對(duì)140中的一個(gè)存儲(chǔ)體。至少部分地基于列地址122，存儲(chǔ)器件130在內(nèi)部為糾錯(cuò)位產(chǎn)生列地址。在一些實(shí)施例中，通過(guò)使CA8到CA10為高并利用來(lái)自寫CAS幀而來(lái)的CA4到CA10來(lái)產(chǎn)生糾錯(cuò)位的列地址。在一些實(shí)施例中，不使用CA2到CA0。
通常，糾錯(cuò)位的數(shù)量?jī)H是數(shù)據(jù)位數(shù)量的幾分之一。例如，8個(gè)糾錯(cuò)位可以用于覆蓋64個(gè)數(shù)據(jù)位。這樣，存儲(chǔ)器件130可以產(chǎn)生部分寫掩模以屏蔽56個(gè)位，并將這8個(gè)糾錯(cuò)位寫到列地址，其是基于CA8到CA10為高，CA4到CA10按照由寫CAS幀所提供的。
圖6A和6B示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的寫入數(shù)據(jù)幀序列的所選方面。在圖6A和6B中所示的寫入序列可以用于具有并行存儲(chǔ)通道的兩個(gè)存儲(chǔ)器件的系統(tǒng)。每個(gè)器件查看到全部四個(gè)幀，并且其被分配了從D0到D63或D64到D127。下面進(jìn)一步討論存儲(chǔ)器件的分配。
在一些實(shí)施例中，寫入序列包括以下幀寫入標(biāo)題(Wh)602，ECC寫入幀(We)604，寫入數(shù)據(jù)1(Wd1)606，和寫入數(shù)據(jù)2(Wd2)608。在一些實(shí)施例中，每個(gè)幀都是6位幀(標(biāo)記為0到5)，其是9位深(例如，UI 0到8或9到17)。Wh 602包括用于寫序列的標(biāo)題信息及一些數(shù)據(jù)位。
We 604傳遞覆蓋有關(guān)的數(shù)據(jù)位的糾錯(cuò)位(例如，在UI 12-14中所示的ECC位610)。在一些實(shí)施例中，利用部分寫掩模編碼將糾錯(cuò)位(例如，ECC位)傳遞到存儲(chǔ)器件130。就是說(shuō)，除了掩模位被糾錯(cuò)位代替之外(例如，在UI 12-14所示的ECC位610)，We 604可以具有與部分寫掩模幀(Wm)相同的命令編碼。ECC位ECC0-ECC7覆蓋數(shù)據(jù)位D0-D63，并且ECC位ECC8-ECC15覆蓋數(shù)據(jù)位D64-D127。在一些實(shí)施例中，當(dāng)系統(tǒng)在糾錯(cuò)模式下工作時(shí)，所有寫入數(shù)據(jù)傳遞都需要We幀604。
Wd1 606和Wd2 608為寫入操作傳遞其余的數(shù)據(jù)位。數(shù)據(jù)位D0-D63由一個(gè)存儲(chǔ)器件使用，而D64-D127被另一個(gè)存儲(chǔ)器件使用。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件內(nèi)的寄存器位確定哪個(gè)存儲(chǔ)器件來(lái)挑選哪個(gè)數(shù)據(jù)位。例如，MRS寄存器可以用于將數(shù)據(jù)位分配到存儲(chǔ)器件。
圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子系統(tǒng)的所選方面的框圖。電子系統(tǒng)700包括處理器710、存儲(chǔ)控制器720、存儲(chǔ)器730、輸入/輸出(I/O)控制器740、射頻(RF)電路750，和天線760。在操作中，系統(tǒng)700利用天線760發(fā)送并接收信號(hào)，并且這些信號(hào)由圖7中所示的各種元件來(lái)進(jìn)行處理。天線760可以是定向天線或全向天線。如在此所用的，術(shù)語(yǔ)全向天線指的是在至少一個(gè)平面中具有基本上均勻方向圖的任何天線。例如，在一些實(shí)施例中，天線760可以是全向天線，例如偶極子天線或四分之一波長(zhǎng)天線。此外，例如，在一些實(shí)施例中，天線760可以是定向天線，例如拋物面天線、貼片天線、或八木天線。在一些實(shí)施例中，天線760可以包括多個(gè)物理天線。
射頻電路750與天線760和I/O控制器740通信。在一些實(shí)施例中，RF電路750包括與通信協(xié)議相對(duì)應(yīng)的物理接口(PHY)。例如，RF電路750可以包括調(diào)制器、解調(diào)器、混頻器、頻率合成器、低噪聲放大器、功率放大器，等等。在一些實(shí)施例中，RF電路750可以包括外差接收機(jī)，并且在其它實(shí)施例中，RF電路750可以包括直接轉(zhuǎn)換接收機(jī)。例如，在具有多個(gè)天線760的實(shí)施例中，每個(gè)天線可以耦合到相應(yīng)的接收機(jī)。在操作中，RF電路750從天線760接收通信信號(hào)，并向I/O控制器740提供模擬或數(shù)字信號(hào)。更進(jìn)一步，I/O控制器740可以向RF電路750提供信號(hào)，該RF電路對(duì)這些信號(hào)進(jìn)行操作，隨后將它們傳輸?shù)教炀€760。
處理器710可以是任何類型的處理裝置。例如，處理器710可以是微處理器、微控制器，或類似物。此外，處理器710可以包括任意數(shù)量的處理內(nèi)核或可以包括任意數(shù)量的單獨(dú)處理器。
存儲(chǔ)控制器720提供在處理器710和圖7中所示的其它元件之間的通信路徑。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)控制器720是集線器裝置的一部分，集線器裝置還提供其它功能。如圖7中所示，存儲(chǔ)控制器720耦合到處理器710、I/O控制器740和存儲(chǔ)器730。
存儲(chǔ)器730可以包括多個(gè)存儲(chǔ)器件。這些存儲(chǔ)器件可以基于任何類型的存儲(chǔ)器技術(shù)。例如，存儲(chǔ)器730可以是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、非易失性存儲(chǔ)器，例如FLASH存儲(chǔ)器，或任何其它類型的存儲(chǔ)器。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器730可以支持糾錯(cuò)模式和非糾錯(cuò)模式。
存儲(chǔ)器730可以代表單個(gè)存儲(chǔ)器件或在一個(gè)或多個(gè)模塊上的多個(gè)存儲(chǔ)器件。存儲(chǔ)控制器720通過(guò)互連722將數(shù)據(jù)提供給存儲(chǔ)器730并響應(yīng)于讀取請(qǐng)求從存儲(chǔ)器730接收數(shù)據(jù)。通過(guò)互連722或通過(guò)不同的互連(未示出)，命令和/或地址可以被提供給存儲(chǔ)器730。存儲(chǔ)控制器720可以從處理器710或從另一個(gè)來(lái)源接收將要存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器730中的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)控制器720可以將從存儲(chǔ)器730接收的數(shù)據(jù)提供給處理器710或另一個(gè)目的地?；ミB722可以是雙向互連或單向互連?；ミB722可以包括多個(gè)并聯(lián)導(dǎo)體。信號(hào)可以是差分的或單端的。在一些實(shí)施例中，互連722采用正向多相時(shí)鐘方案工作。
存儲(chǔ)控制器720還連接到I/O控制器740，并提供在處理器710和I/O控制器740之間的通信路徑。I/O控制器740包括用于與I/O電路例如串口、并口、通用串行總線(USB)端口等進(jìn)行通信的電路。如圖7所示，I/O控制器740提供到RF電路750的通信路徑。
圖8是示出根據(jù)本發(fā)明可選實(shí)施例的電子系統(tǒng)的所選方面的框圖。電子系統(tǒng)800包括存儲(chǔ)器730、I/O控制器740、RF電路750和天線760，它們都在上面參照?qǐng)D7進(jìn)行了說(shuō)明。電子系統(tǒng)800還包括處理器810和存儲(chǔ)控制器820。如圖8所示，存儲(chǔ)控制器820可以與處理器810在同一芯片上。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)控制器820包括重放邏輯電路(例如，在圖3中所示的重放邏輯電路310)，以檢測(cè)規(guī)定的錯(cuò)誤，執(zhí)行自動(dòng)快速?gòu)?fù)位，并重放特定的事務(wù)處理。如上面參照處理器710(圖5)所述的，處理器810可以是任何類型的處理器。由圖7和8所代表的實(shí)例系統(tǒng)包括臺(tái)式計(jì)算機(jī)，膝上型計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，移動(dòng)電話，個(gè)人數(shù)字助理，數(shù)字家庭系統(tǒng)，等等。
本發(fā)明實(shí)施例的要素還可以作為用于存儲(chǔ)機(jī)器可執(zhí)行指令的機(jī)器可讀取介質(zhì)來(lái)提供。機(jī)器可讀取介質(zhì)可以包括，但不限于，快閃存儲(chǔ)器，光盤，光盤只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)，數(shù)字多用途/視頻盤(DVD)ROM，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)，可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，磁或光學(xué)卡，傳播介質(zhì)或適于存儲(chǔ)電子指令的其它類型的機(jī)器可讀取介質(zhì)。例如，本發(fā)明的實(shí)施例可以作為計(jì)算機(jī)程序而被下載，其可以從遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)(例如，服務(wù)器)作為包含在載波或其它傳播介質(zhì)中的數(shù)據(jù)信號(hào)，經(jīng)通信鏈路(例如，調(diào)制解調(diào)器或網(wǎng)絡(luò)連接)傳遞到請(qǐng)求計(jì)算機(jī)(例如，客戶機(jī))。
應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，本說(shuō)明書全文提及的“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”意味著結(jié)合該實(shí)施例所述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，強(qiáng)調(diào)的是并應(yīng)當(dāng)意識(shí)到在本說(shuō)明書不同部分中的兩次或多次提及的“一個(gè)實(shí)施例”或“可替換的實(shí)施例”不必全部指的是同一實(shí)施例。而且，在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中可以適當(dāng)?shù)亟M合所述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。
類似地，應(yīng)當(dāng)意識(shí)到在本發(fā)明實(shí)施例前面的說(shuō)明中，為了簡(jiǎn)化本公開內(nèi)容，并幫助理解各個(gè)發(fā)明方面中的一個(gè)或多個(gè)，各種特征有時(shí)在單一實(shí)施例、附圖，或其說(shuō)明中組合在一起。然而，這種公開的方法不應(yīng)解釋為反映了這樣的意圖，即所要求的主題需要比在每個(gè)權(quán)利要求中清楚陳述的更多的特征。相反，如隨后的權(quán)利要求所反映的，發(fā)明的各個(gè)方面可以在少于單個(gè)前述公開的實(shí)施例的所有特征下存在。因此，在詳細(xì)說(shuō)明之后的權(quán)利要求書由此清楚地合并在本詳細(xì)說(shuō)明中。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)器件，包括存儲(chǔ)體的分離存儲(chǔ)體對(duì)，其包括第一存儲(chǔ)體和第二存儲(chǔ)體，其中如果該存儲(chǔ)器件處在糾錯(cuò)模式下，則數(shù)據(jù)將被存儲(chǔ)在該第一存儲(chǔ)體中，而相應(yīng)的糾錯(cuò)位將被存儲(chǔ)在該第二存儲(chǔ)體中；以及寄存器位，其指示該存儲(chǔ)器件是處在糾錯(cuò)模式下還是處在非糾錯(cuò)模式下。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，進(jìn)一步包括映射邏輯電路，用于將與將被存儲(chǔ)在該第一存儲(chǔ)體中的數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的糾錯(cuò)位映射到該第二存儲(chǔ)體。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中該映射邏輯電路包括用于將所述糾錯(cuò)位映射到該第二存儲(chǔ)體最高的1/M的映射邏輯電路。
4.如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器件，其中M是8。
5.如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器件，其中所述映射邏輯電路包括用于將與所述數(shù)據(jù)相關(guān)的一部分列地址驅(qū)動(dòng)到邏輯高位的邏輯電路。
6.如權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器件，其中將與所述數(shù)據(jù)相關(guān)的一部分列地址驅(qū)動(dòng)到邏輯高位的所述邏輯電路包括邏輯電路，用于將列地址位8到列地址位10驅(qū)動(dòng)到邏輯高位。
7.如權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器件，其中指示該存儲(chǔ)器件處在糾錯(cuò)模式下還是處在非糾錯(cuò)模式下的寄存器位是模式寄存器組(MRS)寄存器。
8.如權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器件，其中所述映射邏輯電路進(jìn)一步包括掩模邏輯電路，用于屏蔽所述列地址的至少一部分。
9.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件，其中所述存儲(chǔ)器件包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件。
10.一種方法，包括確定存儲(chǔ)器件是處在糾錯(cuò)模式還是處在非糾錯(cuò)模式下，該存儲(chǔ)器件具有存儲(chǔ)體的至少一個(gè)分離存儲(chǔ)體對(duì)；將數(shù)據(jù)寫入該分離存儲(chǔ)體對(duì)的第一存儲(chǔ)體中；以及將與所述數(shù)據(jù)相關(guān)的糾錯(cuò)位寫入所述分離存儲(chǔ)體對(duì)的第二存儲(chǔ)體中。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中將與所述數(shù)據(jù)相關(guān)的糾錯(cuò)位寫入該第二存儲(chǔ)體中包括將所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器件的緩沖器中；激活所述第一存儲(chǔ)體和所述第二存儲(chǔ)體中的每一個(gè)的相同的行；以及至少部分地基于從主機(jī)接收到的列地址，為所述糾錯(cuò)位選擇一列。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中至少部分地基于從主機(jī)接收到的列地址為所述糾錯(cuò)位選擇一個(gè)列包括迫使所述列地址的規(guī)定部分為邏輯高位，以將所述糾錯(cuò)位映射到所述第二存儲(chǔ)體最高的1/M。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中迫使所述列地址的規(guī)定部分為邏輯高位以將所述糾錯(cuò)位映射到所述第二存儲(chǔ)體最高的1/M包括迫使列地址位8到10為邏輯高位，以將所述糾錯(cuò)位映射到所述第二存儲(chǔ)體最高的1/8。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括從所述第一存儲(chǔ)體讀取所述數(shù)據(jù)；以及從所述第二存儲(chǔ)體讀取與所述數(shù)據(jù)相關(guān)的所述糾錯(cuò)位。
15.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述存儲(chǔ)器件包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件。
16.一種系統(tǒng)，包括主機(jī)，其用于控制存儲(chǔ)子系統(tǒng)；以及存儲(chǔ)器件，其通過(guò)互連與主機(jī)相耦合，該存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)體的分離存儲(chǔ)體對(duì)，包括第一存儲(chǔ)體和第二存儲(chǔ)體，其中如果該存儲(chǔ)器件處在糾錯(cuò)模式下，則數(shù)據(jù)將被存儲(chǔ)在該第一存儲(chǔ)體中，而相應(yīng)的糾錯(cuò)位將被存儲(chǔ)在該第二存儲(chǔ)體中，以及寄存器位，其用于指示該存儲(chǔ)器件是處在糾錯(cuò)模式下還是處在非糾錯(cuò)模式下。
17.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中該互連包括至少一個(gè)點(diǎn)對(duì)點(diǎn)互連；以及多點(diǎn)互連。
18.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括映射邏輯電路，其將所述糾錯(cuò)位映射到所述第二存儲(chǔ)體。
19.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中將所述糾錯(cuò)位映射到所述第二存儲(chǔ)體的所述映射邏輯電路包括將所述糾錯(cuò)位映射到所述第二存儲(chǔ)體最高的1/M的映射邏輯電路。
20.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中M為8。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例大致上涉及用于在糾錯(cuò)模式和非糾錯(cuò)模式中使用相同存儲(chǔ)器類型的系統(tǒng)、方法和設(shè)備。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)體的至少一個(gè)分離存儲(chǔ)體對(duì)。如果該存儲(chǔ)器件處在糾錯(cuò)模式下，那么在一些實(shí)施例中，數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在分離存儲(chǔ)體對(duì)的一個(gè)存儲(chǔ)體中，而相應(yīng)的糾錯(cuò)位被存儲(chǔ)在分離存儲(chǔ)體對(duì)的另一個(gè)存儲(chǔ)體中。在該存儲(chǔ)器件上的寄存器位指示其是處在糾錯(cuò)模式還是處在非糾錯(cuò)模式中。對(duì)其它實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明和要求。
文檔編號(hào)G11C29/00GK101060006SQ20071010061
公開日2007年10月24日 申請(qǐng)日期2007年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月27日
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