專利名稱：一種探測閃存物理參數(shù)的方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及計算機技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種探測閃存物理參數(shù)的方法及裝置。
背景技術(shù)：
閃存的標識(ID)用于標識閃存的型號，由于沒有一個標準化的組織存在，所以使用不同廠家生產(chǎn)的閃存，需要按照不同廠家自定義的規(guī)范來解析廠家各自生產(chǎn)的ID。
因此，在使用閃存時，需要維護一個龐大的閃存型號數(shù)據(jù)庫，而且，已經(jīng)出廠的主控芯片無法識別新型閃存，需要更新軟件來識別，比如，操作系統(tǒng)Linux下的存儲設(shè)備接口子系統(tǒng)(MTD，memory technology devices)項目通過內(nèi)建一個ID列表列舉了現(xiàn)在市面上不同廠家生產(chǎn)的閃存的標識和該閃存的物理參數(shù)的對照關(guān)系，其中，所述閃存的物理參數(shù)包括每個芯片選通(CE)由幾個塊(Block)組成，每個塊由幾個頁面(Page)組成，每個頁面由多少字節(jié)組成，每個頁面的冗余區(qū)(Spare)的大小，一共有多少個CE支持未知的閃存型號。但是，所述列表需要不斷更新，對于需要把程序固化在芯片內(nèi)部的應用，這種方式的局限性就相當大。
綜上，現(xiàn)有技術(shù)獲得閃存物理參數(shù)的方法局限性大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種探測閃存物理參數(shù)的方法及裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在獲得閃存物理參數(shù)的方法局限性大的問題。
本發(fā)明提供的一種探測閃存物理參數(shù)的方法包括步驟
將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入閃存的頁，并讀取該頁的所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。
所述將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入閃存的頁的步驟之前還包括對所述閃存的頁進行擦除操作，每次擦除一定數(shù)量的頁。
當所述擦除操作失敗的次數(shù)為偶數(shù)時，將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入一所述擦除成功的頁，并讀取該頁的所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。
當?shù)谝淮嗡霾脸僮鞒晒r，向所述閃存的第一頁寫入一定字節(jié)數(shù)的數(shù)據(jù)，并從該頁讀取所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取到的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。
當有兩個以上閃存需要探測，并且每個閃存的物理參數(shù)都相同時，該方法還包括讀取每個閃存的標識，根據(jù)相同的所述閃存標識的數(shù)量，確定有效的芯片選通的數(shù)量。
本發(fā)明提供的一種探測閃存物理參數(shù)的裝置包括探測頁大小單元，用于將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入閃存的頁，并讀取該頁的所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。
該裝置還包括擦除單元，用于對所述閃存的頁進行擦除操作，每次擦除一定數(shù)量的頁。
所述探測頁大小單元，當所述擦除操作失敗的次數(shù)為偶數(shù)時，將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入一所述擦除成功的頁，并讀取該頁的所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。
所述探測頁大小單元，當?shù)谝淮嗡霾脸僮鞒晒r，向所述閃存的第一頁寫入一定字節(jié)數(shù)的數(shù)據(jù)，并從該頁讀取所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取到的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。
該裝置還包括探測有效芯片選通數(shù)量單元，用于當有兩個以上閃存需要探測，并且每個閃存的物理參數(shù)都相同時，讀取每個閃存的標識，根據(jù)所述閃存標識的相同的數(shù)量，確定有效的芯片選通的數(shù)量。
本發(fā)明通過將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入閃存的頁，并讀取該頁的所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)的技術(shù)方案，可以探測出各種閃存的物理參數(shù)，從而避免了現(xiàn)有技術(shù)獲得閃存物理參數(shù)的方法局限性大的問題。


圖1為本發(fā)明方法實施例的流程示意圖；圖2為本發(fā)明方法實施例的流程示意圖；圖3為本發(fā)明方法實施例中探測閃存每個塊中包括的頁的數(shù)量的流程示意圖；圖4為本發(fā)明方法實施例中探測閃存包括的塊的數(shù)量的流程示意圖；圖5為本發(fā)明裝置實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明實施例公開了一種探測閃存物理參數(shù)的方法及裝置，從閃存的第一個頁開始，對所述閃存的頁進行擦除操作，每次連續(xù)擦除一定數(shù)量的頁，所述一定數(shù)量為預先設(shè)定的所述閃存的每個塊包括的頁的數(shù)量的最小值；當所述擦除操作失敗的次數(shù)為偶數(shù)時，將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入一所述擦除成功的頁，并讀取該頁的數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每個頁的大小，其中，所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)為預先設(shè)定的所述閃存的每個頁包括的字節(jié)數(shù)的最大值。通過該技術(shù)方案可以探測出各種閃存的物理參數(shù)，從而避免了現(xiàn)有技術(shù)獲得閃存物理參數(shù)的方法局限性大的問題。
下面結(jié)合附圖，分別說明本發(fā)明實施例是如何實現(xiàn)的；參見圖1，本發(fā)明方法實施例包括步驟S101、將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入閃存的頁，并讀取該頁的所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)；S102、根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)；較佳地，所述將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入閃存的頁的步驟之前還包括對所述閃存的頁進行擦除操作，每次擦除一定數(shù)量的頁；當?shù)谝淮嗡霾脸僮鞒晒r，向所述閃存的第一頁寫入一定字節(jié)數(shù)的數(shù)據(jù)，并從該頁讀取所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取到的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)；當所述擦除操作失敗的次數(shù)為偶數(shù)時，將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入一所述擦除成功的頁，并讀取該頁的所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。
當有兩個以上閃存需要探測，并且每個閃存的物理參數(shù)都相同時，該方法實施例還包括讀取每個閃存的標識，根據(jù)相同的所述閃存標識的數(shù)量，確定有效的芯片選通的數(shù)量。
參見圖2，本發(fā)明方法的另一個實施例包括步驟S201、對所述閃存的頁進行擦除操作，每次擦除一定數(shù)量的頁；預先設(shè)置需要探測的閃存的物理參數(shù)a、b和c分別表示每個閃存包括多少個Block、每個Block中包括多少個Page以及每個Page的大?。划斝酒习ㄒ粋€以上閃存時，本發(fā)明還需要探測芯片有多少個CE是有效的，其中，一個CE對應了一個閃存，所以本實施例還預先設(shè)置了參數(shù)d表示一個芯片上包括的有效CE的數(shù)量；預先設(shè)定所述參數(shù)a、b、c和d的最大值分別為Max:a、Max:b、Max:c和Max:d，由于硬件架構(gòu)的限制，有可能現(xiàn)有硬件控制器無法支持超過設(shè)計范圍的參數(shù)，因此，需要設(shè)置所述參數(shù)的最大值來節(jié)省探測所需要的時間；預先設(shè)定所述參數(shù)a、b、c和d的最小值分別為Min:a、Min:b、Min:c和Min:d，其中，Min:a＝1024、Min:b＝32、Min:c＝512和Min:d＝1為硬件架構(gòu)支持的最小容量的閃存參數(shù)，例如16MByte大小的閃存，由于128MByte以下閃存已經(jīng)停產(chǎn)，因此，探測的參數(shù)的最小值可以進行調(diào)整；通過對閃存的讀寫校驗，可以確定閃存的相關(guān)參數(shù)，而由于對Page進行讀寫校驗前，需要找到一個可以操作的Page，因此，必須先對閃存的Page進行擦除操作，而參數(shù)b和c均未知，無法發(fā)出正常的擦除命令，因此假定閃存的b＝Min:b，c＝Max:c，執(zhí)行擦除操作，擦除時需要輸入Page號，Page號落在哪個Block中，哪個Block則被擦除，在b未知的情況下，Page號以0為初值，所述擦除操作從Page0開始，每次擦除Min:b個Page，所述擦除操作進行Max:b/Min:b*N次，則可保證Min:b整倍數(shù)的Block均被至少擦除過一次，如果進行Max:b/Min:b*N次擦除操作均無法成功，則探測失?。黄渲?，N表示需要探測的所述閃存的Block的數(shù)量，如果芯片的前N個Block均損壞，則停止探測；S202、當?shù)谝淮嗡霾脸僮鞒晒Ψ祷貢r，向所述閃存的第一個頁寫入一定字節(jié)數(shù)的數(shù)據(jù)，并從該頁讀取數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取到的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每個頁的大??；當?shù)谝淮嗡霾脸僮鞒晒Ψ祷貢r，說明Block(0)是好的，雖然b和c均未知，但是這個Block的第一個Page地址特殊，即Block號為0，Page號也為0，無論b和c為何值，讀寫命令地址位都為相同值0，因此只要向Block(0)的Page(0)寫入Max:c個字節(jié)的數(shù)據(jù)，然后讀回Max:c個字節(jié)的數(shù)據(jù)，并通過校驗所述讀回的數(shù)據(jù)有多少與所述寫入的數(shù)據(jù)相同，就可以得到參數(shù)c；S203、當?shù)谝淮嗡霾脸僮魇?，且所述擦除操作失敗的次?shù)為偶數(shù)時，將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入一所述擦除成功的頁，并通過讀取該頁的數(shù)據(jù)，確定所述閃存的每個頁的大小；如果第一次所述擦除操作沒有成功返回，則表明Block0是壞的，由于b和c的值存在特殊關(guān)系，例如，b＝32時，c＝512；b＝64時，c＝2048；b＝128，時，c＝2048，因此可以粗略判斷b和c的值；假設(shè)b＝Min:b，當實際b＞Min:b的時候，所述擦除操作失敗的次數(shù)就會存在規(guī)律，如果b＝64且Block0壞了，那么所述擦除操作的失敗次數(shù)為2，如果Block1也壞了，那么所述擦除操作的失敗次數(shù)就是4，結(jié)果所述擦除操作的失敗次數(shù)總是b/Min:b的倍數(shù)，那么，當所述擦除操作失敗的次數(shù)為奇數(shù)時，則可以確定所述閃存的每個塊包括32個頁，每個頁的大小為512字節(jié)，也就是b＝Min:b，c＝Min:c，則進入步驟S204；如果所述擦除操作的失敗次數(shù)為偶數(shù)，b和c的值還是無法確定，則需要對所述擦除成功的一個Page進行寫入測試，當c＝512時所對應的寫入命令的編址方式和當c＞＝2048時所對應的寫入命令的編址方式不同，當c＝512時，對應的寫入命令的編址方式為從第二個Byte開始是Page的號碼，當c為2048以上的值時，對應的寫入命令的編址方式為從第三個Byte開始是Page號碼，因此，如果不確定c的取值，相應的編址方式也不確定，則所述寫入操作中用到的寫入地址可能會超過實際的地址空間，所以需要進行寫入測試；先按照c＝2048對應的編址方式向所述擦除成功的一個Page寫入c＝Max:c個字節(jié)的數(shù)據(jù)，如果寫入成功，則表明編址方式正確，只需要讀回該Page中的數(shù)據(jù)，并根據(jù)所述讀回的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同的數(shù)據(jù)的位數(shù)，即可以確定參數(shù)c；如果所述寫入失敗，則說明編址方式錯誤，用c＝512對應的編址方式再次嘗試寫入，如果寫入成功，則讀回該Page中的數(shù)據(jù)，并根據(jù)所述讀回的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同的數(shù)據(jù)的位數(shù)，即可以確定參數(shù)c，并進行步驟S204，如果寫入失敗，則探測失??；S204、當所述每個頁的大小為2048個字節(jié)時，將擦除成功的m個連續(xù)的塊寫滿數(shù)據(jù)；按照b和c的對應關(guān)系，當所述每個頁的大小為512個字節(jié)時，則可確定所述閃存的每個塊包括的頁數(shù)為32；而當c＝2048時，無法確定b的值究竟是多少，所以，參見圖3，當c＝2048時，本實施例提供的探測b的值的步驟包括S301、將擦除成功的m個連續(xù)的塊寫滿數(shù)據(jù)，所述m個連續(xù)的塊的編號依次為i......i+m-1，其中，i為m對齊的整數(shù)；其中，m＝2k，k＝1，2，3......；通過擦除操作找到m個連續(xù)的能夠擦除成功的Block(i)......Block(i+m-1)，由于當c＝2048時，對應的b的最小值為64，所以使用b＝64*m進行探測，因此，只要確定m的值就可以確定b的值；S302、令k＝1；S303、擦除所述編號為i+m-1的塊的數(shù)據(jù)；S304、判斷所述編號為i的塊的數(shù)據(jù)是否也被擦除，如果是，則進行步驟S305，否則，進行步驟S307；S305、確定所述閃存的每個塊包括的頁數(shù)為64*m；S306、當所述64*m的值小于或等于預先設(shè)定的值時，令k＝k+1，并進行步驟S303；S307、確定所述閃存的每個塊包括的頁數(shù)為64*m/2。
S205、探測所述閃存的塊數(shù)；所述閃存的塊數(shù)為a＝Min:a*2n，其中，Min:a為預先設(shè)定的所述閃存包括的塊數(shù)的最小值，n＝0，1，2，3......，所以通過對n每次加1，來循環(huán)探測n，即可確定相應的a的值；那么，參見圖4，該探測所述閃存的塊數(shù)的步驟S205具體包括以下步驟
S401、令n＝0；S402、擦除編號為j+Min:a*2n的塊的數(shù)據(jù)和編號為j的塊的數(shù)據(jù)，其中，j＝0，1，2，3......Min:a-1；其中，Block(j+Min:a*2n)為通過所述步驟S201找到的可以擦除成功的塊；S403、判斷所述擦除操作是否成功，如果是，則進行步驟S404；否則，進行步驟S413；S404、向所述編號為j+Min:a*2n的塊寫入數(shù)據(jù)；S405、判斷所述寫入操作是否成功，如果是，則進行步驟S406；否則，進行步驟S413；S406、從所述編號為j+Min:a*2n的塊讀取數(shù)據(jù)，并將所述讀取到的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)進行校驗；S407、判斷所述校驗是否成功，如果是，則進行步驟S408；否則，進行步驟S413；其中，如果所述讀取到的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)完全相同，則表明所述校驗成功，否則，表明所述校驗失敗；S408、從編號為j的塊讀取數(shù)據(jù)；其中，Block(j)為通過所述步驟S201找到的可以擦除成功的塊；S409、判斷所述編號為j的塊是否從擦除狀態(tài)變?yōu)楸粚懭霠顟B(tài)，如果是，則進行步驟S413，否則，進行步驟S410；S410、擦除所述編號為j的塊和編號為j+Min:a*2n的塊的數(shù)據(jù)；S411、判斷所述Min:a*2n的值是否大于預先設(shè)定的值，如果是，則結(jié)束操作；否則，進行步驟S412；所述預先設(shè)定的值為預先設(shè)定的Max:a；S412、令n＝n+1，并進行步驟S402；S413、確定所述閃存的塊數(shù)為Min:a*2n。
S206、當有兩個以上閃存需要探測，并且每個閃存的物理參數(shù)都相同時，讀取每個閃存的標識，根據(jù)所述閃存標識的相同的數(shù)量，確定有效的芯片選通的數(shù)量；對于每個CE連接不同閃存的情況，依次選通每個CE，根據(jù)上述步驟S201至步驟S205的操作，可以探測出每個閃存的物理參數(shù)a、b和c，并確定參數(shù)d，即芯片上共有幾個CE是有效的，以及每個有效的CE連接的閃存的物理參數(shù)。
參見圖5，本發(fā)明裝置實施例，可以應用于閃存控制器當中，所述裝置包括擦除單元511、探測頁大小單元512和探測有效芯片選通數(shù)量單元513；所述擦除單元511，用于對所述閃存的頁進行擦除操作，每次擦除一定數(shù)量的頁；所述探測頁大小單元512，用于將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入閃存的頁，并讀取該頁的所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)；所述探測頁大小單元512，當?shù)谝淮嗡霾脸僮鞒晒r，向所述閃存的第一頁寫入一定字節(jié)數(shù)的數(shù)據(jù)，并從該頁讀取所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取到的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)；所述探測頁大小單元512，當所述擦除操作失敗的次數(shù)為偶數(shù)時，將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入一所述擦除成功的頁，并讀取該頁的所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。
所述探測有效芯片選通數(shù)量單元513，用于當有兩個以上閃存需要探測，并且每個閃存的物理參數(shù)都相同時，讀取每個閃存的標識，根據(jù)所述閃存標識的相同的數(shù)量，確定有效的芯片選通的數(shù)量。
本發(fā)明方案需要根據(jù)閃存控制器的限制或者已知條件設(shè)定最值，比如，生產(chǎn)512M U盤，買入N批閃存，并且已知C＝2048，但是，每批廠家不同，有的b＝128，有的b＝64，有的a＝4096，d＝1，有的a＝1024，d＝4等，所以把最值設(shè)定為Max:a＝4096，Max:b＝128，Max:c＝2048，Max:d＝4；然后，依據(jù)擦除操作只需要輸入Page號，與C的取值無關(guān)的特性，找到能夠進行讀寫操作的Page；通過讀寫測試，以及c＝512與c＝2048兩種閃存的獨有特性，判斷c的值；依據(jù)擦除操作輸入任何Block內(nèi)Page號，均可執(zhí)行該Block擦除操作的特性，找到b，其中，利用b和c的對應關(guān)系，對該操作進行了簡化；對于超過a的范圍操作失敗，和超過a范圍回環(huán)到頭的兩種情況均覆蓋完全，實現(xiàn)對a的探測；對于d可進行簡易和復雜兩種探測，簡易探測假設(shè)每個CE連接的閃存是相同的，而復雜探測則不做該猜測。
綜上所述，通過本發(fā)明提供的技術(shù)方案，可以避免現(xiàn)有技術(shù)獲得閃存物理參數(shù)的方法局限性大的問題，可以自動探測閃存的關(guān)鍵物理參數(shù)，支持未知型號的閃存的探測，并且，對于Block0已經(jīng)損壞的閃存，仍能探測出該閃存的物理參數(shù)。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種探測閃存物理參數(shù)的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入閃存的頁，并讀取該頁的所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入閃存的頁的步驟之前還包括對所述閃存的頁進行擦除操作，每次擦除一定數(shù)量的頁。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，當所述擦除操作失敗的次數(shù)為偶數(shù)時，將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入一所述擦除成功的頁，并讀取該頁的所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，當?shù)谝淮嗡霾脸僮鞒晒r，向所述閃存的第一頁寫入一定字節(jié)數(shù)的數(shù)據(jù)，并從該頁讀取所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取到的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，當有兩個以上閃存需要探測，并且每個閃存的物理參數(shù)都相同時，該方法還包括讀取每個閃存的標識，根據(jù)相同的所述閃存標識的數(shù)量，確定有效的芯片選通的數(shù)量。
6.一種探測閃存物理參數(shù)的裝置，其特征在于，該裝置包括探測頁大小單元，用于將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入閃存的頁，并讀取該頁的所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，該裝置還包括擦除單元，用于對所述閃存的頁進行擦除操作，每次擦除一定數(shù)量的頁。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述探測頁大小單元，當所述擦除操作失敗的次數(shù)為偶數(shù)時，將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入一所述擦除成功的頁，并讀取該頁的所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。
9.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述探測頁大小單元，當?shù)谝淮嗡霾脸僮鞒晒r，向所述閃存的第一頁寫入一定字節(jié)數(shù)的數(shù)據(jù)，并從該頁讀取所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取到的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。
10.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，該裝置還包括探測有效芯片選通數(shù)量單元，用于當有兩個以上閃存需要探測，并且每個閃存的物理參數(shù)都相同時，讀取每個閃存的標識，根據(jù)所述閃存標識的相同的數(shù)量，確定有效的芯片選通的數(shù)量。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種探測閃存物理參數(shù)的方法及裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)獲得閃存物理參數(shù)的方法局限性大的問題。本發(fā)明方法包括步驟將一定字節(jié)數(shù)據(jù)寫入閃存的頁，并讀取該頁的所述一定字節(jié)數(shù)據(jù)，根據(jù)所述讀取的數(shù)據(jù)與所述寫入的數(shù)據(jù)的相同數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)，確定所述閃存的每頁最多可以存儲的數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)。本發(fā)明還公開了一種探測閃存物理參數(shù)的裝置。本發(fā)明用于探測各種閃存的物理參數(shù)，可以探測出各種閃存的物理參數(shù)，避免了現(xiàn)有技術(shù)獲得閃存物理參數(shù)的方法局限性大的問題。
文檔編號G11C29/00GK101060014SQ20071009901
公開日2007年10月24日 申請日期2007年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月8日
發(fā)明者黃磊 申請人:北京中星微電子有限公司