專利名稱：：磁盤用玻璃基板及其制造方法、以及磁盤及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)等信息記錄裝置中的用于作為記錄介質(zhì)的磁盤的磁盤用玻璃基板及其制造方法。另外，本發(fā)明涉及>^更盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)等信息記錄裝置中的作為記錄介質(zhì)的磁盤及其制造方法。
背景技術(shù)：
：近年來，伴隨著信息化社會(huì)的提高而提出了各種信息處理裝置，作為在這些信息處理裝置中使用的信息記錄裝置，提出了硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)。在該硬盤驅(qū)動(dòng)器中，為了信息處理裝置的小型化、高性能化，要求信息記錄容量的大容量化、記錄密度的高密度化，同時(shí)還要求制造成本的廉價(jià)化。在硬盤驅(qū)動(dòng)器中，為了增大信息記錄密度，需要降低所謂的間隙損耗(spacinglose)。即，需要減少進(jìn)行記錄重放的磁頭相對(duì)于作為記錄介質(zhì)的磁盤的上浮量(glidehight)。另一方面，在進(jìn)行記錄重放時(shí)，由于磁盤高速旋轉(zhuǎn)，所以如果減少磁頭的上浮量，則磁頭與磁盤的表面接觸而損壞(crash)的可能性增大。為了一邊減少磁頭的上浮量，一邊防止這樣的磁頭的損壞，需要將磁盤的表面制作為極其平滑的面。為了實(shí)現(xiàn)這樣的磁盤表面的平滑性，作為磁盤用基板，如以"2.5英寸盤，，為代表那樣地使用玻璃基板，而代替現(xiàn)有廣泛使用的鋁基板。這是因?yàn)椴ＡЩ迮c鋁基板相比，表面的平坦性和基板強(qiáng)度都優(yōu)越。作為這樣的玻璃基板，可以列舉通過化學(xué)強(qiáng)化而提高了強(qiáng)度的玻璃基板、通過結(jié)晶而提高了基板強(qiáng)度的結(jié)晶玻璃基板等。一般，通過順序地執(zhí)行以下的工序來制造磁盤用玻璃基板對(duì)玻璃原料加熱而使其融解，準(zhǔn)備熔融玻璃的工序；在板狀的玻璃盤上對(duì)該熔融玻璃進(jìn)行成形的工序；對(duì)成形為板狀的玻璃盤進(jìn)行加工和研磨，制作玻璃基板的工序。在板狀的玻璃盤上對(duì)熔融玻璃進(jìn)行成形時(shí)，采用加壓(press)法、漂浮法、熔化法(fusion)等成形方法。在使用加壓法的情況下，從熔融玻璃直接成形板狀的玻璃盤。在使用漂浮法、熔化法的情況下，在矩形狀的一張玻璃上對(duì)熔融玻璃進(jìn)行成形，從該板狀的玻璃切取出玻璃盤。其中，現(xiàn)在最普及的方法是通過加壓法制作玻璃盤的方法。對(duì)這樣制作的玻璃盤的端面和主表面進(jìn)行研磨，進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化等強(qiáng)化處理，制造磁盤用玻璃基板。但是，在化學(xué)強(qiáng)化工序中，由于在超過300。C的高溫下進(jìn)行處理，所以有在玻璃盤的主表面上附著異物的問題。為了解決這樣的問題，在專利文獻(xiàn)l中，提出了在化學(xué)強(qiáng)化工序后，研磨玻璃盤的主表面而制作磁盤用玻璃基板。另外，在專利文獻(xiàn)2中，提出了選擇性地只向玻璃盤的端面涂抹化學(xué)強(qiáng)化劑，進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化處理，從而制作磁盤用玻璃基板。專利文獻(xiàn)1:特開平7-134823號(hào)>^報(bào)專利文獻(xiàn)2:特開平9-27150號(hào)公報(bào)但是，使用了能夠?qū)崿F(xiàn)上述那樣的高信息記錄面密度的玻璃基板的磁盤驅(qū)動(dòng)器即使使用小型的磁盤，也已經(jīng)能夠存儲(chǔ)充分的信息量。因此，這樣的硬盤驅(qū)動(dòng)器不只是安裝在所謂的組裝型的計(jì)算機(jī)裝置等中，還如所謂的"車載導(dǎo)航系統(tǒng)(CarNavigationSystem)"、"PDA(個(gè)人數(shù)字助理)"、"便攜電話，，等那樣，作為車載用、或便攜用那樣的殼體空間小的便攜設(shè)備的信息存儲(chǔ)用，其用途廣泛。作為安裝在這樣的小型硬盤驅(qū)動(dòng)器中的小型磁盤的大小，例如可以列舉外徑為30mm以下，內(nèi)徑為10mm以下，盤厚度為0.5mm以下，代表性的是外徑為27.4mm，內(nèi)徑為7mm，盤厚度為0.381mm的"1英寸型盤"、或外徑為22mm，內(nèi)徑為6mm，盤厚度為0.381mm的"0.85英寸型盤"等。這樣的"便攜用途"的小型硬盤驅(qū)動(dòng)器始終有暴露在因落下、振動(dòng)、急劇的移動(dòng)加速等造成的沖擊力下的可能，但這樣的硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁盤用玻璃基板和磁盤與現(xiàn)有的"2.5英寸型盤"(外徑為65mm，內(nèi)徑為20mm,盤厚度為0.635mm)等相對(duì)較大的磁盤相比，要求更高的耐沖擊性。另一方面，在最近的硬盤驅(qū)動(dòng)器中，提出了通過"LUL(loadunload)方式"進(jìn)行啟動(dòng)停止動(dòng)作的方案。在安裝在"LUL方式"的硬盤驅(qū)動(dòng)器中的磁盤中，與現(xiàn)有的磁盤相比，其表面要求更加平滑并且清潔。即，"LUL方式"的硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭的上浮量被設(shè)置為10nm或其以下，與現(xiàn)有的"CSS(接觸開始contactstartstop)方式"相比，容易產(chǎn)生損壞故障。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，"LUL方式，，的硬盤驅(qū)動(dòng)器所使用的磁盤用玻璃基板和磁盤的表面必須充分潔凈。進(jìn)而，在最近的硬盤驅(qū)動(dòng)器中，作為磁頭，使用安裝了磁阻效應(yīng)型元件或大型磁阻效應(yīng)型元件的磁頭。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，磁盤用玻璃基板和磁盤的表面也要求更平滑并且清潔。即，這是因?yàn)閷?duì)于安裝了磁阻效應(yīng)型元件或大型磁阻效應(yīng)型元件的磁頭，如果磁盤表面的平滑性和清潔度不充分，則有產(chǎn)生熱粗糙(thermalasperity)故障的情況。因此，在通過磁阻效應(yīng)性元件進(jìn)行信息重放的磁盤中，與通過現(xiàn)有的薄膜型元件進(jìn)行信息重放的磁盤相比，表面必須充分平滑并且清潔。阻礙這樣對(duì)磁盤用玻璃基板和磁盤要求的主表面的平滑性和清潔度的提高的因素之一如上述那樣，是在化學(xué)強(qiáng)化工序中在玻璃盤的主表面上附著異物。但是，在專利文獻(xiàn)1所記載的磁盤用玻璃基板中，難以對(duì)化學(xué)強(qiáng)化處理后的主面部分進(jìn)行研磨，必須精密地對(duì)研磨加工余量進(jìn)行管理，難以制造磁盤用玻璃基板。另外，在專利文獻(xiàn)2所記栽的磁盤用玻璃基板中，由于對(duì)涂抹了化學(xué)強(qiáng)化液的位置進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化處理，所以難以正確地規(guī)定進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化的位置，難以制造質(zhì)量穩(wěn)定的磁盤用玻璃基板。對(duì)于便攜電話機(jī)等的小型化了的硬盤驅(qū)動(dòng)器，強(qiáng)烈希望降低價(jià)格和大批量生產(chǎn)，需要廉價(jià)地大量提供磁盤用玻璃基板和磁盤。但是，在這些專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2所記載的磁盤用玻璃基板中，由于全都造成制造的困難，所以難以滿足耐沖擊性和主表面的平滑性、清潔度地供給大量的產(chǎn)品，難以穩(wěn)定地制造質(zhì)量沒有離散的大量的磁盤。另外，在對(duì)小型化了的磁盤用玻璃基板的端面部分進(jìn)行研磨時(shí)，同軸狀地層疊許多磁盤用玻璃基板并保持，同時(shí)對(duì)這些磁盤用玻璃基板的外周側(cè)的各端面部分和內(nèi)周側(cè)的各端面部分進(jìn)行加工。但是，層疊許多小型化了的磁盤用玻璃基板并保持是很煩瑣的，同時(shí)在層疊許多磁盤用玻璃基板并保持時(shí)，有對(duì)這些磁盤用玻璃基板的主表面產(chǎn)生損傷的可能性，因此希望進(jìn)一步提高作業(yè)性和產(chǎn)品生產(chǎn)率。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明就是鑒于上述問題而提出的，本發(fā)明的第一目的在于在磁盤用玻璃基板的制造方法中，不帶來制造的困難和成本上升，確實(shí)防止在化學(xué)強(qiáng)化工序中異物附著在主表面上，而大量地提供廉價(jià)的磁盤用玻璃基板和磁盤。另外，本發(fā)明的第二目的在于廉價(jià)地大量提供耐沖擊性優(yōu)越的磁盤用玻璃基板和磁盤。另外，本發(fā)明的第三目的在于廉價(jià)地大量提供外徑為30mm以下那樣的小型磁盤用玻璃基板和磁盤。進(jìn)而，本發(fā)明的第四目的在于廉價(jià)地大量提供安裝在"LUL方式，，的硬盤驅(qū)動(dòng)器中的磁盤用玻璃基板和磁盤。為了解決上述問題而達(dá)到上述目的，本發(fā)明具備以下的結(jié)構(gòu)的任意一個(gè)。[結(jié)構(gòu)1一種包含垂直于其中心軸地對(duì)圓柱狀的玻璃母材進(jìn)行切斷處理而制作玻璃盤的工序的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于在對(duì)圓柱狀的玻璃母材的側(cè)面(周面)進(jìn)行了化學(xué)強(qiáng)化后，進(jìn)行切斷處理。[結(jié)構(gòu)2一種包含垂直于其中心軸地對(duì)圓柱狀的玻璃母材進(jìn)行切斷處理而制作玻璃盤的工序的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于在對(duì)圓柱狀的玻璃母材的側(cè)面進(jìn)行研磨后進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化處理，然后進(jìn)行切斷處理。[結(jié)構(gòu)3一種包含垂直于其中心軸地對(duì)圓柱狀的玻璃母材進(jìn)行切斷處理而制作玻璃盤的工序的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于在對(duì)圓柱狀的玻璃母材的側(cè)面進(jìn)行鏡面加工后進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化處理，然后進(jìn)行切斷處理。[結(jié)構(gòu)4在具有結(jié)構(gòu)1~結(jié)構(gòu)3的任意一個(gè)的磁盤用玻璃基板的制造方法中，其特征在于玻璃母材沿著中心軸形成有圓孔。[結(jié)構(gòu)5在具有結(jié)構(gòu)1~結(jié)構(gòu)4的任意一個(gè)的磁盤用玻璃基板的制造方法中，其特征在于在玻璃母材的側(cè)面，形成有成為玻璃盤的倒角面的圓環(huán)狀的溝。[結(jié)構(gòu)6在具有結(jié)構(gòu)1~結(jié)構(gòu)5的任意一個(gè)的磁盤用玻璃基板的制造方法中，其特征在于制造外徑為30mm以下的小型的磁盤用玻璃基板。[結(jié)構(gòu)7]一種通過具有結(jié)構(gòu)1~結(jié)構(gòu)6的任意一個(gè)的磁盤用玻璃基板的制造方法制造的磁盤用玻璃基板，其特征在于通過化學(xué)強(qiáng)化處理在側(cè)面的表層部分上形成有壓縮應(yīng)力層，通過使用Babinet補(bǔ)償板法對(duì)側(cè)面近旁的縱斷面進(jìn)行觀察而測(cè)量的壓縮應(yīng)力層的厚度為lOjim以上，并且壓縮應(yīng)力的值為3.5kg/mn^以上。[結(jié)構(gòu)8]一種磁盤的制造方法，其特征在于在通過具有結(jié)構(gòu)1~結(jié)構(gòu)6的任意一個(gè)的磁盤用玻璃基板的制造方法制造的磁盤用玻璃基板的主表面上，至少形成磁性層。[結(jié)構(gòu)9一種磁盤，其特征在于在具有結(jié)構(gòu)7的磁盤用玻璃基板的主表面上，至少形成有磁性層。本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法是包含垂直于其中心軸地對(duì)板的制造方法，在對(duì)圓柱狀的玻璃母材的側(cè)面(周面)進(jìn)行了化學(xué)強(qiáng)化后，進(jìn)行切斷處理，因此能夠確實(shí)地防止在化學(xué)強(qiáng)化工序中異物附著在玻璃盤的主表面上。另外，在本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法中，在對(duì)圓柱狀的玻璃母材的側(cè)面進(jìn)行研磨并進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化后，進(jìn)行切斷處理，因此與一張一張地對(duì)玻璃盤的端面部分進(jìn)行研磨的方法相比，研磨加工的對(duì)象物大，容易得到平滑的面。特別在謀求磁盤用玻璃基板的小型化的情況下，一張一張地對(duì)玻璃盤的端面部分進(jìn)行研磨要很長(zhǎng)時(shí)間，難以降低成本，但在本發(fā)明中，研磨加工容易，通過低廉的成本，就能夠提供大量的磁盤用玻璃基板。另外，在本發(fā)明的磁盤用玻璃基板中，在對(duì)玻璃母材的側(cè)面進(jìn)行鏡面加工并進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化后，進(jìn)行切斷處理，因此與一張一張地對(duì)玻璃盤的端面部分進(jìn)行研磨的方法相比，研磨加工的對(duì)象物大，容易得到平滑的鏡面。特別在謀求磁盤用玻璃基板的小型化的情況下，一張一張地對(duì)玻璃盤的端面部分進(jìn)行鏡面加工要很長(zhǎng)時(shí)間，難以降低成本，但在本發(fā)明中，鏡面加工容易，通過低廉的成本，就能夠提供大量的磁盤用玻璃基板。進(jìn)而，在本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法中，如果玻璃母材沿著中心軸形成有圓孔，則特別對(duì)于難以進(jìn)行研磨加工的玻璃盤的內(nèi)周側(cè)的端面部分，能夠容易地實(shí)施研磨加工或鏡面加工。另外，在本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法中，如果在玻璃母材的側(cè)面形成有成為玻璃盤的倒角面的圓環(huán)狀的溝，則特別對(duì)于難以進(jìn)行研磨加工的玻璃盤的內(nèi)外周的倒角面，能夠容易地實(shí)施研磨加工或鏡面加工。因此，本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法能夠以穩(wěn)定的質(zhì)量制造外徑為30mm以下的小型的磁盤用玻璃基板。另外，在通過本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法制造出的磁盤用玻璃基板中，通過化學(xué)強(qiáng)化處理在側(cè)面的表層部分上形成有壓縮應(yīng)力層，通過使用Babinet補(bǔ)償板法對(duì)側(cè)面近旁的縱斷面進(jìn)行觀察而測(cè)量的壓縮應(yīng)力層的厚度為10nm以上，并且壓縮應(yīng)力的值為3.5kg/mm2以上，由此能夠?qū)崿F(xiàn)高耐沖擊性。另外，在本發(fā)明的磁盤及其制造方法中，在通過上述的磁盤用玻璃基板的制造方法制造出的磁盤用玻璃基板的主表面部分上，至少形成磁性層，因此即使是安裝在"LUL方式，，的硬盤驅(qū)動(dòng)器中，也能夠廉價(jià)地大量提供不產(chǎn)生熱粗糙故障的磁盤。即，本發(fā)明能夠不造成制造的困難和成本上升地，確實(shí)地防止在化學(xué)強(qiáng)化工序中異物附著在主表面上，能夠大量提供廉價(jià)的磁盤用玻璃基板和磁盤。另外，本發(fā)明能夠廉價(jià)地大量提供耐沖擊性優(yōu)越的磁盤用玻璃基板和磁盤。進(jìn)而，本發(fā)明能夠廉價(jià)地大量提供例如外徑為30mm以下那樣的小型的磁盤用玻璃基板和磁盤。進(jìn)而，本發(fā)明能夠廉價(jià)地大量提供安裝在"LUL方式，，的硬盤驅(qū)動(dòng)器中的磁盤用玻璃基板和磁盤。圖1是表示通過本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法制造的磁盤用玻璃基板的結(jié)構(gòu)的斜視圖。圖2是表示上述磁盤用玻璃基板的圓孔的內(nèi)周側(cè)端面的形狀的截面圖。圖3是表示本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法的各工序的工序圖。圖4是表示在本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法中設(shè)置在玻璃母材的側(cè)面的溝的形狀的截面圖。圖5是表示通過本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法制造出的磁盤用玻璃基板側(cè)面的截面的應(yīng)力層曲線的圖。符號(hào)說明1:圓孔；2:磁盤用玻璃基板；3:玻璃母材；3a:中心孔；D:壓縮應(yīng)力層的厚度；Pc:壓力應(yīng)力值具體實(shí)施方式以下，參考附圖，說明用于實(shí)施本發(fā)明的最優(yōu)形式。本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法例如制造作為安裝在硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)等中的磁盤的玻璃基板而使用的磁盤用玻璃基板。該磁盤例如是能夠通過垂直磁記錄方式進(jìn)行高密度的信息信號(hào)記錄和重放的記錄介質(zhì)。該磁盤用玻璃基板是外徑為15mm~30mm、內(nèi)徑為5mm~12mm、板厚度為0.2mm~0.5mm，例如被制作為"0.8英寸(inch)型磁盤"(內(nèi)徑為6mm，外徑為21.6mm，板厚度為0.381mm)、"1.0英寸型磁盤"(內(nèi)徑為7mm，外徑為27.4mm，板厚度為0.381mm)等具有規(guī)定的直徑的磁盤。另外，也可以制作為"2.5英寸型磁盤"、"3.5英寸型磁盤，，等磁盤。另外，在此"內(nèi)徑"是指玻璃基板的中心部分的圓孔的內(nèi)徑。圖1是表示通過本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法制造的磁盤用玻璃基板的結(jié)構(gòu)的斜視圖。本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法如圖1所示那樣，是制造在中心部分具有圓孔1的磁盤用玻璃基板2的磁盤用玻璃基板的制造方法。該磁盤用玻璃基板由玻璃構(gòu)成，因此能夠通過鏡面研磨實(shí)現(xiàn)優(yōu)越的平滑性，硬度高、剛性高，因此耐沖擊性優(yōu)越。特別在安裝在便攜(手持)用、或車載用的信息設(shè)備中的硬盤驅(qū)動(dòng)器所使用的磁盤中，要求高耐沖擊性，因此在這樣的磁盤中使用玻璃基板，其實(shí)用性高。玻璃是脆性材料，但通過化學(xué)強(qiáng)化或風(fēng)冷強(qiáng)化等強(qiáng)化處理、或結(jié)晶的手段，能夠提高破壞強(qiáng)度。作為這樣的玻璃基板的材料的理想的玻璃，可以列舉鋁硅酸鹽(aluminosilicate)玻璃。這是因?yàn)殇X硅酸鹽玻璃在能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)越的平滑鏡面的同時(shí)，例如通過進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化，能夠提高破壞強(qiáng)度。作為鋁硅酸鹽玻璃，理想的是作為主成分含有Si02:62~75重量%、A1203:5~15重量％、Li20:4~10重量％、Na20:4~12重量%、Zr02:5.5~15重量％，同時(shí)Na20與Zr02的重量比為0.5~2.0、Al;j03與Zr02的重量比為0.4~2.5的化學(xué)強(qiáng)化用玻璃。另外，在這樣的玻璃基板中，為了消除因Zr02的未溶解物而產(chǎn)生的玻璃基板表面的突起，理想的是使用含有5774mol。/。的Si02、0~2.8mol。/。的Zr02、315mol。/。的Al203、7~16mol%的Li02、4~14mol%的Na20的化學(xué)強(qiáng)化用玻璃。這樣組成的鋁硅酸鹽玻璃通過化學(xué)強(qiáng)化，抗折強(qiáng)度增加，壓縮應(yīng)力層的深度加深，努普(knoop)硬度也優(yōu)越。另外，作為在本發(fā)明中制造的磁盤用玻璃基板的材料，并不只限于上述的材料。即，作為玻璃盤的材質(zhì)，除了上述的鋁硅酸鹽玻璃以外，例如還可以列舉鹼石灰(sodalime)玻璃、鹼鋁硅酸鹽酸玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、硼硅酸鹽玻璃、石英玻璃、鏈硅酸鹽玻璃、或結(jié)晶玻璃等玻璃陶瓷等。圖2是表示上述磁盤用玻璃基板2的圓孔1的內(nèi)周側(cè)端面的形狀的截面圖。棱部分進(jìn)行倒角。即，該磁盤用玻璃基板2的外周側(cè)端面部分和圓孔1的內(nèi)周側(cè)端面部分如圖2所示那樣，成為從該內(nèi)周側(cè)端面部分向兩側(cè)的主平面形成了倒角部分(C面)lb，lb的狀態(tài)，另外，該磁盤用玻璃基板2的外周側(cè)端面部分成為從該外周側(cè)端面部分向兩側(cè)的主平面形成了倒角部分(C面)的狀態(tài)。在該磁盤用玻璃基板2的內(nèi)周側(cè)端面部分中，倒角部分lb，lb之間的部分成為由與磁盤用玻璃基板2的主平面垂直的面構(gòu)成的圓筒狀的側(cè)面(T面)la。上述的圓孔1的內(nèi)徑為該側(cè)面la的內(nèi)徑。另夕卜，在該磁盤用玻璃基板2的外周側(cè)端面部分中，倒角部分之間的部分成為由與該磁盤用玻璃基板2的主平面垂直的面構(gòu)成的圓筒狀的側(cè)面(T面)。上述磁盤用玻璃基板的直徑為該側(cè)面的直徑。該磁盤用玻璃基板通過對(duì)端面部分的棱部分進(jìn)行倒角，提高破壞強(qiáng)度。另外，在對(duì)本發(fā)明的說明中，將側(cè)面和倒角面組合稱為端面部分。圖3是表示本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法的各工序的工序圖。以下，按照工序順序說明本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法。(1)得到圓柱狀的玻璃母材的工序在本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法中，如圖3所示那樣，首先準(zhǔn)備圓柱狀的玻璃母材3。該玻璃母材3如上述那樣，理想的是由鋁硅酸鹽玻璃構(gòu)成。該玻璃母材3具有比所制造的磁盤用玻璃基板2的直徑稍大的直徑，具有與層疊了多張?jiān)摯疟P用玻璃基板2的狀態(tài)下的厚度相當(dāng)?shù)拈L(zhǎng)度。(2)在玻璃母材上形成中心孔的工序接著，沿著該玻璃母材3的中心軸，形成規(guī)定大小的中心孔3a。該中心孔3a成為磁盤用玻璃基板2的中心孔1，形成為比該中心孔1的內(nèi)徑稍小的內(nèi)徑的孔。(3)對(duì)玻璃母材的內(nèi)外周的側(cè)面進(jìn)行研磨(鏡面加工)的工序接著，對(duì)玻璃母材3的內(nèi)外周的側(cè)面(周面)進(jìn)行研磨、鏡面加工。該工序中的研磨使用研磨劑，用刷子(brush)等進(jìn)行。另外，也可以在該研磨工序之前，如圖4所示那樣，在玻璃母材3的內(nèi)外周的側(cè)面，沿著圓周方向圓環(huán)狀地設(shè)置在成為磁盤用玻璃基板時(shí)成為內(nèi)外周的倒角面的V字形狀的溝4。作為在該工序中使用的研磨劑所包含的研磨磨粒，如果是能夠?qū)ΣＡ覆?起到研磨作用的研磨磨粒，則可以沒有特別限制地使用。例如可以列舉氧化鈰(Ce02)磨粒、膠質(zhì)二氧化硅磨粒、氧化鋁磨凈立、鉆石磨粒等，特別理想的是氧化鈰研磨磨粒。對(duì)于研磨磨粒的磨粒直徑可以適當(dāng)?shù)剡x擇，但理想的是例如0.5jim3nm左右。另外，理想的是研磨劑在含有研磨磨粒的研磨劑中添加水(純水)等液體，作為糊骨而使用該研磨劑。通過該研磨加工，成為玻璃母材3的內(nèi)外周側(cè)面的表面粗糙度是在Ra下為O.lnm以下、在Rmax下為lnm以下的鏡面。(4)化學(xué)強(qiáng)化工序接著，對(duì)結(jié)束了上述研磨工序的玻璃母材的側(cè)面(周面)實(shí)施化學(xué)強(qiáng)化。例如準(zhǔn)備混合了硝酸鉀(60%)和硝酸鈉(40%)的化學(xué)強(qiáng)化溶液，將該化學(xué)強(qiáng)化溶液加熱到380。C左右，對(duì)預(yù)加熱到300。C的已經(jīng)洗凈的玻璃母材進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的浸漬，來進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化。這樣，通過在化學(xué)強(qiáng)化溶液中進(jìn)行浸漬處理，分別將玻璃母材側(cè)面的表層的鋰離子、鈉離子置換為化學(xué)強(qiáng)化溶液中的鈉離子、鉀離子，而強(qiáng)化玻璃母材。(5)第一洗凈工序?qū)⒔Y(jié)束了化學(xué)強(qiáng)化處理的玻璃盤浸漬在加熱到40。C左右的濃疏酸中進(jìn)行洗凈，進(jìn)而將結(jié)束了硫酸洗凈的玻璃盤順序地浸漬在純水、純水、IPA(異丙醇)、IPA(蒸氣干燥)的各洗凈槽中，進(jìn)行洗凈。另外，理想的是向各洗凈槽中施加超聲波。(6)第二洗凈工序?qū)⒔Y(jié)束了第一洗凈工序的玻璃基板順序地浸漬在中性洗劑、中性洗劑、純水、純水、IPA(異丙醇)、IPA(蒸氣干燥)的各洗凈槽中，進(jìn)行洗凈。另外，理想的是向各洗凈槽中施加超聲波。(7)對(duì)玻璃母材進(jìn)行切斷處理(slice)的工序接著，通過與中心軸垂直地對(duì)玻璃母材3進(jìn)行切斷處理，得到厚度比磁盤用玻璃基板的厚度稍厚的玻璃盤。這時(shí)，能夠從l個(gè)玻璃母材3得到多個(gè)玻璃盤。例如通過使用多鋼絲刀，來進(jìn)行該工序中的玻璃母材3的切斷處理。多鋼絲刀是以規(guī)定的間隔配置多個(gè)多溝輥?zhàn)?，將多個(gè)無終端鋼絲巻起來纏在這些多溝輥?zhàn)拥母鳒现?，將該無終端鋼絲按壓在玻璃母材的側(cè)面上，從而切斷該玻璃母材3的裝置。(8)形狀加工工序、拋光(lapping)工序在該工序中，對(duì)通過對(duì)玻璃母材3進(jìn)行切斷處理而得到的玻璃盤的形狀進(jìn)行整理，同時(shí)對(duì)主表面進(jìn)行拋光加工。在拋光加工中，4吏用兩面拋光裝置和氧化鋁磨粒進(jìn)行加工，使得成為規(guī)定的玻璃盤的尺寸精度和形狀精度。另外，也可以在玻璃母材3中不設(shè)置中心孔3a，而在該工序中在玻璃盤中形成中心孔l。另外，也可以不在玻璃母材3的側(cè)面設(shè)置V字形狀的溝，而在該工序中，對(duì)玻璃盤的外周側(cè)端面部分和內(nèi)周側(cè)端面部分進(jìn)行倒角加工。(9)第一研磨工序接著，作為主表面研磨工序，實(shí)施第一研磨工序。該第一研磨工序的主要目的是除去在上述拋光工序中殘留在主表面上的劃傷和變形?？梢允褂脙擅嫜心パb置和硬質(zhì)樹脂磨光器，使用行星齒輪機(jī)構(gòu)，進(jìn)行該工序。理想的是使用氧化鈰磨粒作為研磨劑。(10)第二研磨工序接著，作為主表面的鏡面研磨工序，實(shí)施第二研磨工序。該第二研磨工序的目的在于將主表面加工為鏡面狀?？梢允褂脙擅嫜心パb置和軟質(zhì)發(fā)泡樹脂磨光器，使用行星齒輪機(jī)構(gòu)進(jìn)行該工序。作為研磨劑，理想的是使用比在第一研磨工序中使用的氧化鈰磨粒更細(xì)微的氧化鈰磨粒。(11)第三洗凈工序?qū)⒔Y(jié)束了第二研磨工序的玻璃基板順序地浸漬在中性洗劑、中性洗劑、純水、純水、IPA(異丙醇)、IPA(蒸氣干燥)的各洗凈槽中，進(jìn)行洗凈。另外，理想的是向各洗凈槽中施加超聲波。(12)磁盤的制造工序通過使用這樣制作的磁盤用玻璃基板，在該磁盤用玻璃基板的主表面部分上至少形成磁性層，能夠構(gòu)成可以防止頭損壞和熱粗糙故障的磁盤。作為磁性層，理想的是具有高各向異性磁場(chǎng)(Hk)的Co-Pt系合金磁性層。另外，從謀求磁性層的結(jié)晶方向性和晶粒的均勻化、細(xì)微化的觀點(diǎn)出發(fā)，也可以在磁盤用玻璃基板和磁性層之間適當(dāng)?shù)匦纬苫讓?。作為這些基底層和磁性層的膜形成方法，例如可以使用DC磁溝道噴射法。另外，理想的是在磁性層上設(shè)置用于保護(hù)磁性層的保護(hù)層。作為保護(hù)層的材料，可以列舉碳系保護(hù)層。作為碳系保護(hù)層，可以使用氫化碳、氮化碳。在形成該保護(hù)層時(shí)，可以使用等離子體CVD法、或DC磁控管噴射法。進(jìn)而，理想的是在保護(hù)層上形成用于緩和來自磁頭的沖擊的潤(rùn)滑層。作為潤(rùn)滑層，可以列舉全氟聚醚系潤(rùn)滑層。特別理想的是具有與保護(hù)層的親和性優(yōu)越的羥基的乙醇變性全氟聚醚系潤(rùn)滑層?？梢允褂媒n法形成該潤(rùn)滑層。實(shí)施例以下，詳細(xì)i兌明本發(fā)明的實(shí)施例。實(shí)施例1在本實(shí)施例l中，經(jīng)過以下的工序制造磁盤用玻璃基板。(1)得到圓柱狀的玻璃母材的工序在本實(shí)施例中，準(zhǔn)備了由鋁硅酸鹽玻璃構(gòu)成的玻璃母材。該玻璃母材的大小為直徑28.6mm。(2)在玻璃母材上形成中心孔的工序接著，沿著該玻璃母材3的中心軸，形成中心孔。該中心孔的內(nèi)徑為5.9mm。(3)對(duì)玻璃母材的內(nèi)外周的側(cè)面進(jìn)行研磨(鏡面加工)的工序針對(duì)玻璃母材的外周側(cè)側(cè)面(周面)，通過研磨刷研磨方法進(jìn)行鏡面研磨。這時(shí)，作為研磨磨粒，使用包含氧化鈰磨粒的漿骨(游離磨粒)。接著，通過研磨刷研磨方法對(duì)內(nèi)周側(cè)側(cè)面(中心孔內(nèi))進(jìn)行鏡面研磨。在玻璃母材的內(nèi)周側(cè)側(cè)面的研磨中，在向中心孔內(nèi)插入研磨刷的同時(shí)，通過泵以規(guī)定的壓力壓送研磨劑。然后，在使研磨刷旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，使玻璃母材旋轉(zhuǎn)。如果達(dá)到了研磨加工的規(guī)定時(shí)間，則停止研磨刷的旋轉(zhuǎn)、玻璃母材的旋轉(zhuǎn)，另外在停止研磨劑的壓送后，從玻璃母材的中心孔內(nèi)拔出研磨刷。作為該工序中的研磨劑，使用包含氧化鈰磨粒的漿骨(游離磨粒)(作為研磨劑的粒徑，可以使用0.5nm~5nm。從鏡面性方面，使用0.5~2jim左右)。然后，在進(jìn)行了玻璃母材的側(cè)面的尺寸測(cè)量時(shí)，直徑(外徑)為27.4mm，中心孔的內(nèi)徑為7mm。另外，確i人了側(cè)面為鏡面狀態(tài)。側(cè)面的表面粗糙度是在Ra下為0.1nm0.02nm，在Rmax下為0.3nm~(4)化學(xué)強(qiáng)化工序接著，對(duì)結(jié)束了上述研磨工序的玻璃母材的側(cè)面(周面)實(shí)施化學(xué)強(qiáng)化。準(zhǔn)備混合了硝酸鉀(60%)和硝酸鈉(40%)的化學(xué)強(qiáng)化溶液，將該化學(xué)強(qiáng)化溶液加熱到380°C,對(duì)預(yù)加熱到300。C的已經(jīng)洗凈的玻璃母材進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的浸漬。在此，對(duì)于化學(xué)強(qiáng)化條件，將處理溫度設(shè)置為380。C的一定溫度，如后述的[表1所示那樣，使處理時(shí)間從0分鐘到360分鐘地進(jìn)行變化而制作多種樣本。這樣，通過在化學(xué)強(qiáng)化溶液中進(jìn)行浸漬處理，分別將玻璃母材側(cè)面的表層的鋰離子、鈉離子置換為化學(xué)強(qiáng)化溶液中的鈉離子、鉀離子，而強(qiáng)化玻璃母材。如后述的[表l]所示那樣，處理時(shí)間越長(zhǎng)，則形成在玻璃母材的側(cè)面的表層上的壓縮應(yīng)力層的厚度越厚。將結(jié)束了化學(xué)強(qiáng)化后的玻璃母材浸漬在20'C的水槽中進(jìn)行急速冷卻，維持約10分鐘。(5)第一洗凈工序?qū)⒔Y(jié)束了急速冷卻的玻璃盤浸漬在加熱到40'C的濃硫酸中進(jìn)行洗凈，進(jìn)而將結(jié)束了硫酸洗凈的玻璃盤順序地浸漬在純水、純水、IPA(異丙醇)、IPA(蒸氣干燥)的各洗凈槽中，進(jìn)行洗凈。另外，向各洗凈槽中施加超聲波。(6)第二洗凈工序?qū)⒔Y(jié)束了第一洗凈工序的玻璃基板順序地浸漬在中性洗劑、中性洗劑、純水、純水、IPA(異丙醇)、IPA(蒸氣干燥)的各洗凈槽中，進(jìn)行洗凈。另外，向各洗凈槽中施加超聲波。(7)對(duì)玻璃母材進(jìn)行切斷處理(slice)的工序接著，通過與中心軸垂直地對(duì)玻璃母材進(jìn)行切斷處理，得到厚度比磁盤用玻璃基板的厚度稍厚的厚度0.6mm的玻璃盤。這時(shí)，能夠從1個(gè)玻璃母材3得到多個(gè)玻璃盤。例如通過使用多鋼絲刀，來進(jìn)行該工序中的玻璃母材3的切斷處理。另外，在通過該切斷處理能夠使玻璃盤的主面部分的表面粗糙度成為充分良好的面粗糙度的情況下，可以省略后述拋光工序。在該情況下，通過切斷處理，得到與磁盤用玻璃基板的厚度接近的厚度0.45mm的玻璃盤。(8)拋光(lapping)工序在此，通過切斷處理得到的玻璃盤的內(nèi)徑為7mm，外徑為27.4mm，板厚度為0.6mm，在主表面部分的拋光加工和研磨加工后，成為"l.O英寸型，，磁盤用玻璃基板的規(guī)定尺寸的玻璃盤。另外，確認(rèn)了主表面的平坦度為10nm以下。進(jìn)而，確認(rèn)了倒角面的寬度為0.21mm，倒角面相對(duì)于主表面部分的角度為45°。另外，對(duì)該玻璃盤的主表面進(jìn)行拋光加工。在拋光加工中，使用兩面拋光裝置和氧化鋁磨粒進(jìn)行加工，使得成為規(guī)定的玻璃基板的尺寸精度和形狀精度。所得到的玻璃盤的內(nèi)徑為7mm，外徑為27.4mm，板厚度為0.45mm，在主表面部分的研磨加工后，確認(rèn)了是"l.O英寸型"磁盤用玻璃基板的規(guī)定尺寸的玻璃盤。在觀察玻璃盤的表面的面形狀時(shí)，確認(rèn)了主表面的平坦度為3jun以下。主表面的表面粗糙度是在Rmax下為2fim，在Ra下為3nm左右。(9)第一研磨工序接著，作為主表面研磨工序，實(shí)施第一研磨工序。該第一研磨工序的主要目的是除去在上述拋光(lapping)工序中殘留在主表面上的劃傷和變形。使用兩面研磨裝置和硬質(zhì)樹脂磨光器，使用行星齒輪機(jī)構(gòu)，進(jìn)行主表面研磨。使用氧化鈰磨粒作為研磨劑。(10)第二研磨工序接著，作為主表面的鏡面研磨工序，實(shí)施第二研磨工序。該第二研磨工序的目的在于將主表面加工為鏡面狀。可以使用兩面研磨裝置和軟質(zhì)發(fā)泡樹脂磨光器，使用行星齒輪機(jī)構(gòu)進(jìn)行主表面的鏡面研磨。作為研磨劑，使用比在第一研磨工序中使用的氧化鈰磨粒更細(xì)微的氧化鈰磨粒。所得到的玻璃盤的板厚度為0.381mm。(11)第三洗凈工序?qū)⒔Y(jié)束了第二研磨工序的玻璃基板順序地浸漬在中性洗劑、中性洗劑、純水、純水、IPA(異丙醇)、IPA(蒸氣干燥)的各洗凈槽中，進(jìn)行洗凈。另外，向各洗凈槽中施加超聲波。(12)最終檢查工序?qū)τ诮?jīng)過上述工序得到的磁盤用玻璃基板的內(nèi)周側(cè)端面部分的表面粗糙度，倒角面(C面)、圓筒面(T面)都是在Rmax下為0.4nm，在Ra下為0.02nm。對(duì)于外周側(cè)端面部分的表面粗糙度，倒角面(C面)、圓筒面(T面)也都是在Rmax下為0.4nm，在Ra下為0.02nm。各端面部分被加工為鏡面狀。通過原子間力顯微鏡來進(jìn)行表面粗糙度的測(cè)量，依據(jù)日本工業(yè)規(guī)格(JIS)B0601來計(jì)算數(shù)值。另外，通過電子顯微鏡的觀察、光學(xué)顯微鏡的觀察雙方，而確認(rèn)了鏡面狀態(tài)。在此，對(duì)于被制作為化學(xué)強(qiáng)化處理的條件不同的多個(gè)樣本的磁盤用玻璃基板(內(nèi)徑7mm，外徑27.4mm，板厚度0.381mm)，觀察到壓縮應(yīng)力層的厚度、壓縮應(yīng)力值、抗折強(qiáng)度、主表面的平坦度。在[表l]中表示其結(jié)果。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>在進(jìn)行該觀察時(shí)，首先將根據(jù)[表ll所示的各化學(xué)強(qiáng)化條件得到的磁盤用玻璃基板切斷為寬度3mm左右的長(zhǎng)方形，使得出現(xiàn)外周側(cè)端面部分的圓筒面(T面)和與主面部分垂直的切斷面(基板斷面)，接著，使用研磨劑和研磨片對(duì)切斷面進(jìn)行研削加工和研磨加工，使得該長(zhǎng)方形的兩側(cè)的切斷面之間的距離為0.5mm左右。另外，使用Babinet補(bǔ)償板法對(duì)這樣出現(xiàn)的磁盤用玻璃基板的切斷面進(jìn)行測(cè)量。如果使用Babinet補(bǔ)償板法對(duì)磁盤用玻璃基板的切斷面進(jìn)行測(cè)量，則如圖5所示那樣，得到磁盤用玻璃基板的端面部分的近旁的截面的應(yīng)力層曲線。在圖5中，用D表示的部分是壓縮應(yīng)力層的厚度，Pc是壓縮應(yīng)力值。另外，Babinet補(bǔ)償板(Babinetcompensator)是指包含具有相等角度的2個(gè)相對(duì)的水晶楔子的器具，一個(gè)楔子通過測(cè)微計(jì)的螺釘在其長(zhǎng)度方向上移動(dòng)。這2個(gè)楔子的光學(xué)軸方向相互垂直，并且能夠移動(dòng)的一個(gè)楔子的光學(xué)軸方向沿著能夠移動(dòng)的方向。該器具廣泛用于結(jié)晶的相位差延遲(retardation)、折射程度、或有內(nèi)部應(yīng)力的玻璃的檢查等。另外，對(duì)于根據(jù)[表1所示的各化學(xué)強(qiáng)化條件得到的磁盤用玻璃基板，使用工:ry5々》公司制造的[AVEX-SM-110-MP進(jìn)行了"Dana沖擊試驗(yàn)法"。將磁盤用玻璃基板安裝在專用的沖擊試驗(yàn)用工具上，順序在與主表面垂直的方向上施加1000G~5000G的正弦半波脈沖的沖擊，觀察該磁盤用玻璃基板的破損狀況，來進(jìn)行該沖擊試驗(yàn)。作為安裝了使用了外徑為50mm以下、或30mm以下，板厚度未滿0.5mm、或0.4mm以下的基板的磁盤的小型硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的產(chǎn)品規(guī)格，要求在進(jìn)行硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的落下試驗(yàn)的情況下能夠耐受2000G的沖擊。但是，在單板的沖擊試驗(yàn)中在耐受2000G的沖擊的條件下制作基板，對(duì)安裝了使用了該基板的磁盤的硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)進(jìn)行落下試驗(yàn)(2000G)時(shí)，判斷出在百分之幾左右的磁盤中發(fā)生了破損。對(duì)此，在對(duì)安裝了使用了在耐受3000G的沖擊的條件下制作的基板的磁盤的硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)進(jìn)行落下試驗(yàn)(2000G)時(shí)，確認(rèn)了磁盤全部沒有產(chǎn)生破損。因此，判斷出為了在硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的完成體中耐受2000G的沖擊，需要在磁盤用玻璃基板的基板中耐受3000G的沖擊。另外，本申請(qǐng)人等通過試驗(yàn)判斷出為了在磁盤用玻璃基板的單板中耐受3000G的沖擊，該磁盤用玻璃基板的抗折強(qiáng)度需要在2.0kgf以上。如果將其與[表1所示的結(jié)果對(duì)照，則為了滿足安裝了使用了外徑50mm以下或30mm以下、板厚度未滿0.5mm或0.4mm以下的基板的磁盤的小型硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的產(chǎn)品規(guī)格即2000G的耐沖擊性能，10nm以上。另外，理想的是壓縮應(yīng)力值為3.5kg/mm2以上。另外，如果使壓縮應(yīng)力層的厚度過大，則由于應(yīng)力緩和，有產(chǎn)生端面部分附近的壓縮應(yīng)力低下的作用的情況，因此，在實(shí)用上理想的是在不減少本發(fā)明的作用的范圍內(nèi)設(shè)置壓縮應(yīng)力層的厚度。在板厚度未滿0.5mm的薄型磁盤用玻璃基板中，如果壓縮應(yīng)力層的厚度為150nm以下，則能夠抑制減少端面部分附近的壓縮應(yīng)力的作用。進(jìn)而，如果壓縮應(yīng)力值為20kg/mm2以上，則有玻璃的應(yīng)力過剩而破損的可能，因此從實(shí)用的觀點(diǎn)出發(fā)并不理想。進(jìn)而，針對(duì)根據(jù)[表ll所示的各化學(xué)強(qiáng)化條件得到的磁盤用玻璃基板，進(jìn)行主表面的平坦度的測(cè)量。在此，平坦度是指根據(jù)PHASESHIFTTECHNOLOGY公司制造的"OPTIFLAT，，(商品名)，計(jì)算出從200nm到27.4mm的波長(zhǎng)的波中的最大值的值。如根據(jù)[表1所示的結(jié)果可知的那樣，確認(rèn)了通過磁盤用玻璃基板的端面部分附近的化學(xué)強(qiáng)化，對(duì)平坦度不造成惡化，成為實(shí)用上理想的3nm以下。[實(shí)施例2在本實(shí)施例2中，使用在上述實(shí)施例1中制作的磁盤用玻璃基板，通過以下的工序制造磁盤。在上述磁盤用玻璃基板的兩主表面上，使用靜止相對(duì)型的DC磁磁控管噴射裝置，順序地形成M-Ta合金第一基底層、Ru第二基底層、Co-Cr-Pt-B合金磁性層、氫化碳保護(hù)層。接著，通過浸漬法形成乙烯變性聚四氟乙烯系潤(rùn)滑層。這樣，得到垂直磁記錄方式用的磁盤。對(duì)于所得到的磁盤，確認(rèn)了在磁性層等膜上沒有由于異物而產(chǎn)生缺陷。另外，在實(shí)施滑行試驗(yàn)時(shí)，沒有發(fā)現(xiàn)碰撞(頭與磁盤表面的凸起相碰)、損壞(頭與磁盤表面的凸起沖突)。進(jìn)而，在用磁阻型頭進(jìn)行重放試驗(yàn)時(shí)，沒有發(fā)現(xiàn)因熱粗糙故障造成的重放的誤動(dòng)作。另外，作為與每平方英寸的信息記錄密度為40G比特對(duì)應(yīng)的磁盤用的試驗(yàn)方法而進(jìn)行了以上的試驗(yàn)。具體地說，磁頭的上浮量為10nm,在記錄重放試驗(yàn)中，信息線記錄密度為700fci。即，在本發(fā)明的磁盤中，避免了因玻璃基板表面的異物造成的問題，可知制作出對(duì)磁阻型頭良好的磁盤。權(quán)利要求1.一種磁盤用玻璃基板的制造方法，包括垂直于其中心軸地對(duì)圓柱狀的玻璃母材進(jìn)行切斷處理而制作玻璃盤的工序，其特征在于在對(duì)上述圓柱狀的玻璃母材的側(cè)面進(jìn)行了化學(xué)強(qiáng)化后，進(jìn)行上述切斷處理。2.—種磁盤用玻璃基板的制造方法，包括垂直于其中心軸地對(duì)圓柱狀的玻璃母材進(jìn)行切斷處理而制作玻璃盤的工序，其特征在于在對(duì)上述圓柱狀的玻璃母材的側(cè)面進(jìn)行研磨后進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化處理，然后進(jìn)行上述切斷處理。3.—種磁盤用玻璃基板的制造方法，包括垂直于其中心軸地對(duì)圓柱狀的玻璃母材進(jìn)行切斷處理而制作玻璃盤的工序，其特征在于在對(duì)上述圓柱狀的玻璃母材的側(cè)面進(jìn)行鏡面加工后進(jìn)行化學(xué)強(qiáng)化處理，然后進(jìn)行上述切斷處理。4.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任意一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于上述玻璃母材沿著中心軸形成有圓孔。5.根據(jù)權(quán)利要求1~4的任意一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于在上述玻璃母材的側(cè)面，形成有成為玻璃盤的倒角面的圓環(huán)狀的溝。6.根據(jù)權(quán)利要求1~5的任意一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于制造外徑為30mm以下的小型的磁盤用玻璃基板。7.—種磁盤用玻璃基板，通過權(quán)利要求1~權(quán)利要求6的任意一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法制造，其特征在于通過上述化學(xué)強(qiáng)化處理在側(cè)面的表層部分上形成有壓縮應(yīng)力層，通過使用Babinet補(bǔ)償板法對(duì)上述側(cè)面近旁的縱斷面進(jìn)行觀察而測(cè)量的上述壓縮應(yīng)力層的厚度為10nm以上，并且壓縮應(yīng)力的值為3.5kg/mm以上。8.—種磁盤的制造方法，其特征在于在通過權(quán)利要求1權(quán)利要求6的任意一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法制造的磁盤用玻璃基板的主表面上，至少形成磁性層。9.一種磁盤，其特征在于在權(quán)利要求7所述的磁盤用玻璃基板的主表面上，至少形成有磁性層。全文摘要本發(fā)明的磁盤用玻璃基板的制造方法包括垂直于玻璃母材(3)的中心軸地對(duì)圓柱狀的該玻璃母材(3)進(jìn)行切斷處理而制作玻璃盤的工序，其中，對(duì)玻璃母材(3)的側(cè)面進(jìn)行研磨或鏡面加工，在對(duì)玻璃母材(3)的側(cè)面進(jìn)行了化學(xué)強(qiáng)化處理后，進(jìn)行切斷處理。文檔編號(hào)G11B5/84GK101147193SQ20068000928公開日2008年3月19日申請(qǐng)日期2006年3月22日優(yōu)先權(quán)日2005年3月28日發(fā)明者磯野英樹申請(qǐng)人:Hoya株式會(huì)社