專利名稱：快閃記憶區(qū)以及快閃記憶群抹除方法
快閃記憶區(qū)以及快閃記憶群抹除方法
技術領城
本發(fā)明是關于快閃記憶體，且特別是關于一種快閃記憶區(qū)抹除方法以
及一種快閃記憶群抹除方法(METHOD FOR ERASING A FLASH MEMORY SECTOR AND METHOD FOR ERASING A FLASH MEMORY GROUP )。
背景技術：
每一次抹除(erase)快閃記憶體單元(flash memory cell)時，總是有可 能降低該記憶單元的臨界電壓(threshold voltage)。所謂過度抹除 (over-erase)是指快閃記憶體單元內(nèi)發(fā)生位元線漏電流(bit 1 ine leakage)的狀況。如果已經(jīng)過度抹除的記憶單元再接受一次抹除，可能會發(fā) 生深層過度抹除(de印over-erase)。因為深層過度抹除無法修復，應該盡 可能避免。
圖1為傳統(tǒng)快閃記憶群(flash memory gro叩)抹除方法的流程圖?？?閃記憶群是多個快閃記憶區(qū)(flash memory sector)組成的集合。在步驟 110，對一個記憶群施加抹除脈沖(ERS pulse,也就是erase pulse)以同 時抹除此記憶群的所有記憶區(qū)。然后在步驟120對此記憶群執(zhí)行抹除確認 (ERSV: erase verif ication)。如果所有記憶單元都通過4未除確認，圖1 的流程至此結束。否則流程會回到步驟110,對此記憶群再施加一次抹除脈 沖。步驟110至120的回圈會重復到所有記憶單元都通過一未除確認為止。
上述的抹除確認是對每一個位址逐一執(zhí)行，因此需要一個位址計數(shù)器 (address counter)以記錄目前的確認位址。圖2是一個快閃記憶體晶片其 中的位址計數(shù)器201及記憶區(qū)211-214的示意圖。圖2的記憶群使用圖1 的抹除方法。假設抹除確認從記憶區(qū)211的第一個位址開始。傳統(tǒng)方法的 問題在于，只要有任何一個記憶單元未能通過抹除確認，整個記憶群都要 '接受再一次的抹除脈沖，接著必須從第一個位址開始，再執(zhí)行一遍抹除確 認。結果就是，位于高位址端的記憶單元可能被抹除太多次而造成深層過 度抹除。在圖2的范例中，記憶區(qū)214最可能發(fā)生深層過度抹除。
上述問題的解決之道是為每個記憶區(qū)安排一個位址計數(shù)器，如圖3所 示。圖3的快閃記憶體晶片有四個記憶區(qū)311 - 314以及對應的四個位址計 數(shù)器301 - 304。每一個位址計數(shù)器301 - 304儲存對應的記憶區(qū)311 - 314 的確認位址。在圖3中，如果有記憶區(qū)被抹除后通過抹除確認，就不用再 被抹除。這個方法可降低深層過度抹除的風險.、然而由于需要額外的位址
計數(shù)器，圖3的快閃記憶體晶片會占用比圖2的晶片更大的面積。
另一個避免深層過度抹除的方法如圖4所示。圖4為另一個傳統(tǒng)快閃 記憶群抹除方法的流程圖。首先在步驟410對記憶群施加抹除脈沖。然后 在步驟420對記憶群執(zhí)行軟性程序化確認(SPGMV: soft program verification)以檢查是否有位元線漏電流。如果有記憶區(qū)未能通過步驟 420的軟性程序化確認，表示此記憶區(qū)有位元線漏電流，必須在步驟430對 此記憶區(qū)執(zhí)行軟性程序化(SPGM: soft program)以修復漏電流現(xiàn)象。經(jīng)過 軟性程序化的記憶區(qū)會在步驟420再確認一次。步驟420及430的回圈會 一直重復到此記憶區(qū)完全修復為止。當所有記憶區(qū)都通過步驟420的軟性 程序化確認之后，在步驟440對整個記憶群執(zhí)行抹除確認(ERSV)。若此記 憶群通過上述的抹除確認，流程至此結束。否則流程會回到步驟410再抹 除一次記憶群。這個方法在施加另 一次的抹除脈沖之前會先修復有漏電流 的記憶區(qū)，所以能避免深層過度4未除。然而某些記憶區(qū)可能會每一次都漏 電，每一次都需要修復。這種情況會浪費很多時間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是在提供一種快閃記憶區(qū)抹除方法，適用于抹除不均勻 的記憶區(qū)，而且可避免深層過度抹除。所謂不均勻記憶區(qū)就是在抹除之后 出現(xiàn)漏電流而且未能通過抹除確認的記憶區(qū)。本方法比傳統(tǒng)方法更快速，其 主要原因是不必在每一次施加抹除脈沖之后都執(zhí)行一次抹除確認。本方法 快速的第二原因是本方法使用的保守抹除程序，其步驟包括緩慢程序化 (SLPGM: slow program)以及緩十曼程序化確認(SLPGMV: slow program verification)以修復漏電的位元線，而且上述兩個步驟的執(zhí)行頻率遠低于 傳統(tǒng)方法中的對應步驟。
本發(fā)明的另一目的是提供一種快閃記憶群抹除方法，可避免深層過度 抹除，速度快過傳統(tǒng)方法，而且由于只用一個位址計數(shù)器，所以比傳統(tǒng)方法 更節(jié)省晶片面積。本方法適用于記憶群抹除以及記憶區(qū)抹除。因為在軟性 程序化階-敬只需處理一部分記憶區(qū)，本方法亦可節(jié)省4未除之后#1行軟性程 序化的時間。此外，本方法將快閃記憶區(qū)分為多個種類，各使用不同的程 序加以處理。
為達成上述及其他目的，本發(fā)明提出一種快閃記憶區(qū)抹除方法，其特征 在于使用緩慢程序化以及施加抹除脈沖的方式，修復至少一個快閃記憶區(qū) 的位元線漏電流現(xiàn)象。更詳細的說，本方法包括下列步驟(a)對上述記憶 區(qū)執(zhí)行軟性程序化確認。(b)若有記憶區(qū)未能通過軟性程序化確認，則以緩 慢程序化修復此記憶區(qū)。(c)對上述記憶區(qū)執(zhí)行抹除確認，以及(d)若有記 憶區(qū)未能通過抹除確認，則對此記憶區(qū)施加抹除脈沖，然后回到步驟(a),
'上述的快閃記憶區(qū)抹除方法，在一實施例中，上述的步驟(b)更包括下 列子步驟。(bl)對此記憶區(qū)執(zhí)行緩慢程序化。(b2)對此記憶區(qū)執(zhí)行緩慢程 序化確認，以及(b3)若此記憶區(qū)未能通過緩慢程序化確認，則回到步驟 (bl)。
從另一觀點來看，本發(fā)明另提出一種快閃記憶群抹除方法，包括下列步 驟。(a)對一快閃記憶群的第一子集合施加抹除脈沖。(b)對此第一子集合 執(zhí)行軟性程序化確認或嚴格軟性程序化確認(TSPGMV: tight soft program verification) 。 (c)重復步驟(a)與(b)直到第 一預設條件為真。(d)對此記 憶群的第二子集合執(zhí)行抹除確認。(e)重復步驟(a)至(d)直到第二預設條件 為真。以及(f)使用緩慢程序化以及施加抹除脈沖的方式，修復此記憶群的 第三子集合的位元線漏電流現(xiàn)象。
上述的快閃記憶群抹除方法，在一實施例中是以旗號A、 B、 C來區(qū)分 記憶區(qū)的不同狀態(tài)。旗號A是用以標示未能通過軟性程序化確認的記憶 區(qū)，旗號B是用以標示通過抹除確認的記憶區(qū)，而旗號C是用以標示已有旗 號A而且未能通過^^未除確認的記憶區(qū)。在此實施例中，上述的第一子集合 為此記憶群中無旗號A且無旗號B的所有記憶區(qū)，第二子集合為此記憶群 中無旗號B且無旗號C的所有記憶區(qū)，第三子集合為此記憶群中標示有旗 號C的所有記憶區(qū)。
前述的快閃記憶群抹除方法有兩種主要變化。在第一種變化中，步驟 (b)執(zhí)行的是軟性程序化確認。此外步驟(b)更包括若有記憶區(qū)未能通過軟 性程序化確認，則以旗號A標示此記憶區(qū)。而且上述的第一預設條件為已 經(jīng)施加一預設次數(shù)的抹除脈沖，或此記憶群的每一個記憶區(qū)皆已標示有旗 號A或旗號B。
在本方法的第二種變化中，步驟(b)使用預設初始字組線電壓(word line voltage)執(zhí)行嚴格軟性程序化確認。此外步驟(b)更包括若有記憶區(qū) 未能通過嚴格軟性程序化確認，而且嚴格軟性程序化確認所使用的字組線 電壓大約為OV時，則以旗號A標示此記憶區(qū)。而且步驟(d)更包括若有記 憶區(qū)未能通過抹除確認，則將此記憶區(qū)的嚴格軟性程序化確認所使用的字 組線電壓減'少 一預設值。
此外，在本發(fā)明的一個實施例中，上述的第一預設條件為有記憶區(qū)未能 通過嚴格軟性程序化確認。
在本發(fā)明的另 一個實施例中，上述的第 一預設條件為有記憶區(qū)未能通 過嚴格軟性程序化確認，或上述的抹除脈沖已被施加一預設次數(shù)。
在本發(fā)明的一個實施例中，上述兩種變化的一個共同點是步驟(d)更包 括若有記憶區(qū)通過抹除確認，則以旗號B標示此記憶區(qū)；以及，若標示有 旗號A的任一記憶區(qū)未能通過抹除確認，則以旗號C標示此記憶區(qū)。
在同一個實施例中，上述兩種變化的另一個共同點是第二預設條件為 此記憶群的每一個記憶區(qū)都標示有旗號B或旗號C。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉本 發(fā)明的較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。


圖1為傳統(tǒng)快閃記憶群抹除方法的流程圖。
圖2為一快閃記憶體晶片的位址計數(shù)器和記憶區(qū)的示意圖。
圖3為一傳統(tǒng)快閃記憶體晶片的位址計數(shù)器和記憶區(qū)的示意圖。
圖4為另一個傳統(tǒng)快閃記憶群抹除方法的流程圖。
圖5為根據(jù)于本發(fā)明一實施例的快閃記憶群抹除方法流程圖。
圖6為根據(jù)于本發(fā)明一實施例的保守抹除程序流程圖。
圖7為根據(jù)于本發(fā)明一實施例的另一種快閃記憶群抹除方法流程圖。
110-120:流程圖步驟
201、 301 - 304:位址計數(shù)器
211-214、 311-314:快閃記憶區(qū)
4 1 0 - 44 0 、 5 1 0 - 5 7 0 、 6 1 0 - 6 5 0 、 7 3 0 - 7 5 0:流程圖步驟
具體實施例方式
如下所述，本發(fā)明的較佳實施例使用旗號來標示有位元線漏電流的記 憶區(qū)，以及通過4未除確認的記憶區(qū)。因此下列的實施例可避免深層過度抹 除，并借由省略多余且經(jīng)常有害的抹除脈沖以改善效率。另一個提高本發(fā)明
少效率不佳的抹除確認的使用頻率。
圖5為根據(jù)于本發(fā)明一實施例的快閃記憶群抹除方法流程圖。流程從 步驟510開始。首先，對此記憶群執(zhí)行抹除確認(ERSV)。若整個記憶群都 通過抹除確認，流程至此結束。否則流程進入步驟520，對此記憶群當中未 標示旗號A且未標示旗號B的所有記憶區(qū)施加4未除脈沖。在本實施例中，旗 號A是用來標示有漏電的記憶區(qū)。旗號B是用來標示已經(jīng)抹除過，而且已 經(jīng)通過抹除確認的記憶區(qū)。此外還有旗號C，用以標示不均勻記憶區(qū)。所謂 不均勻記憶區(qū)是指已經(jīng)發(fā)生位元線漏電，而且尚未能通過抹除確認的記憶 區(qū)。已標示有旗號A或B的記憶區(qū)會跳過步驟520，因為已經(jīng)漏電的記憶區(qū) 不應該再被抹除，而已經(jīng)通過抹除確認的記憶區(qū)不需要再接受抹除。標示 有旗號C的記憶區(qū)也會跳過步驟520，因為如后面的步驟所示，標示有旗號 C'的記憶區(qū)必然已經(jīng)標示有旗號A。
接著在歩驟530，對記憶群當中，未標示有旗號A且未標示有旗號B的
所有記憶區(qū)執(zhí)行軟性程序化確認(SPGMV)。若有記憶區(qū)未能通過步驟530的 軟性程序化確認，就用旗號A標示此記憶區(qū)。上述的軟性程序化確認是用 在施加抹除脈沖之后，檢查是否有漏電的記憶區(qū)。由于標示有旗號A或B 的記憶區(qū)都跳過步驟520，有旗號A或B的記憶區(qū)也會跳過歩驟530。
接下來，步驟540控制由步驟520及530所構成的回圈。上述回圈會 一直重復到步驟520的抹除脈沖已被施加一個預設次數(shù)為止，或一直重復 到記憶群中的每個記憶區(qū)都已標示有旗號A或B為止。
經(jīng)過上述回圈之后，在步驟550對記憶群中未標示有旗號B且未標示 有旗號C的記憶區(qū)執(zhí)行抹除確認(ERSV)。若有記憶區(qū)通過步驟550的抹除 確認，則以旗號B標示此記憶區(qū)。此外，若有記憶區(qū)已標示有旗號A而且未 能通過步驟550的抹除確認，則以旗號C標示此記憶區(qū)。在此之前，已經(jīng)有 旗號B的記憶區(qū)會跳過步驟550，因為它們已經(jīng)通過上一次抹除確認。已經(jīng) 標示有旗號C的記憶區(qū)也會跳過步驟550,因為被旗號C標示后它們就不會 再被纟未除。
接下來，步驟560控制由步驟520至550組成的第二個條件回圈。步驟 520至550會重復到記憶群中的每個記憶區(qū)都表示有旗號B或C為止。如步 驟520至560所示，步驟530會找出漏電的記憶區(qū)，并且以旗號A標示，然 后在步驟520至560的回圈當中，漏電的記憶區(qū)就不會再被抹除。本實施 例就是借此避免深層過度抹除。此外，軟性程序化確認是以位元線為單位 執(zhí)行，而抹除確認是以記憶單元(memory eel 1)為單位執(zhí)行，因此軟性程序 化確認會比抹除確認快上許多。步驟550的抹除確認是在一連串預設次數(shù) 的抹除脈沖之后執(zhí)行，不像傳統(tǒng)方法在每次抹除脈沖之后都執(zhí)行一次抹除 確認。借由在步驟530使用軟性程序化確認，以及在步驟550減少抹除確 認的執(zhí)行頻率，本實施例的執(zhí)行效率可遠高于傳統(tǒng)方法。本實施例也因此 只需要一個位址計數(shù)器。
接下來，在步驟570對記憶群中標示有旗號C的不均勻記憶區(qū)執(zhí)行保 守抹除(細節(jié)后述)。如果沒有標示旗號C的記憶區(qū)，可直接跳過步驟 570,本實施例的流程也至此結束。所謂保守抹除是一種可安全抹除不均勻 記憶區(qū)的方法，其特色是使用緩慢程序化(SLPGM)以及施加抹除^c'沖的方 式，修復不均勻記憶區(qū)的位元線漏電流現(xiàn)象。保守抹除的詳細流程繪示于圖 6。
圖6為根據(jù)于本發(fā)明一實施例的保守抹除流程圖。流程從步驟610開 始。首先在步驟610對不均勻記憶區(qū)執(zhí)行軟性程序化確認(SPGMV)。對于通 過上述軟性程序化確認的記憶區(qū)，流程會進入步驟640。對于未能通過上述 軟性程序化確認的記憶區(qū)，流程會進入步驟620,對這些不均勻記憶區(qū)執(zhí)行 緩慢程序化(SLPGM)。緩慢程序化對于快閃記憶單元的臨界電壓的提高作用
比軟性程序化更顯著。因此經(jīng)過緩慢程序化的記憶單元承受抹除脈沖之后 較不易漏電。也就是說，比較不會像傳統(tǒng)方法，必須在每一次抹除脈沖之 后反復修復相同的記憶區(qū)。所以保守抹除可快于傳統(tǒng)方法。
緩慢程序化之后，在步驟630對不均勻記憶區(qū)執(zhí)行緩慢程序化確認 (SLPGMV)。若有記憶區(qū)未能通過緩慢程序化確認，流程會回到步驟620,這 個回圈會一直重復到此記憶區(qū)通過步驟630的確認為止，然后流程進入步 驟640。在本實施例中，步驟620的緩慢程序化以及步驟630的緩慢程序化 確認都使用大約IV的字組線(WL: word 1 ine)電壓。
在步驟640，對不均勻記憶區(qū)執(zhí)行抹除確認。對于通過上述抹除確認的 記憶區(qū)，流程至此結束。對于未能通過上述抹除確認的記憶區(qū)，流程會進入 步驟650，對這些記憶區(qū)施加4未除脈沖。然后流程進入步驟610,對這些記 憶區(qū)執(zhí)行另一次軟性程序化確認，以檢查是否有位元線漏電流。整個保守 才未除的回圏會一直循環(huán)，直到所有記憶區(qū)都通過步驟640的抹除確認。
在本實施例中，緩慢程序化使用的字組線電壓以1V較佳，因為當快閃 記憶單元遭受長期程序化，其臨界電壓會收斂到趨近字組線電壓。因此在 緩慢程序化之后，連接該字組線的所有快閃記憶單元的臨界電壓都會收斂 到接近1V。 1V的電壓是理想值，因為正好在通過抹除確認所需的臨界電壓 (3V)和發(fā)生過度抹除的臨界電壓(0V)之間。這也是保守抹除不需要在每次 抹除脈沖之后執(zhí)行緩慢程序化以修復過度抹除的記憶單元的原因，如此可 節(jié)省操作時間。所以緩慢程序化優(yōu)于使用OV字組線電壓的軟性程序化。
圖7為根據(jù)于本發(fā)明另一實施例的另一個快閃記憶群抹除方法。圖7 和圖5的差別在于將圖5的步驟530至550換成圖7的步驟730至750。為 了簡單起見，以下僅說明差別的部分。
在步驟520的抹除脈沖之后，在步驟730對記憶群中無旗號A且無旗 號B的記憶區(qū)執(zhí)行嚴格軟性程序化確認(TSPGMV)。第一次的嚴格軟性程序 化確認使用大約3V的初始字組線電壓。若嚴格軟性程序化確認的字組線電 壓已經(jīng)降到大約0V時，還有記憶區(qū)未能通過上述的嚴格軟性程序化確 認，就以旗號A標示此記憶區(qū)。當字組線電壓降到0V時，嚴格軟性程序化 確認已經(jīng)等同軟性程序化確認(SPGMV) 。
接下來，步驟740控制由步驟520和730組成的條件回圈。此回圈會 重復執(zhí)行到有記憶區(qū)未能通過嚴格軟性程序化確認，或執(zhí)行到步驟520的 抹除脈沖已被施加一個預設次數(shù)為止。步驟730使用嚴格軟性程序化確認 而不使用軟性程序化確認是為了提高效率。由步驟520到740組成的回圈 快過圖5的對應回圈，因為嚴格軟性程序化確認比一般軟性程序化確認更 嚴格，使用更高的字組線電壓。所以一個記憶區(qū)未能通過嚴格軟性程序化確 認，會比未能通過軟性程序化確認更快發(fā)生。上述回圏之中包括預設次數(shù)的
條件是因為記憶單元的臨界電壓在承受抹除脈沖之后可能只有很輕微的下 降。這個預設次數(shù)的限制可避免回圈重復太多次，甚至成為無窮回圏。若 無需顧慮臨界電壓輕微下降的問題，可去除這個預設次數(shù)的限制。如此步
驟520和730會一直重復到有記憶區(qū)未能通過步驟730的嚴格軟性程序化 確-〖人為止。
經(jīng)過上述的回圈之后，在步驟750對記憶群中無旗號B且無旗號C的 記憶區(qū)執(zhí)行抹除確認。圖7的步驟750和圖5的步驟550的主要差別是若 有記憶區(qū)未能通過步驟750的抹除確認，下一次在步驟730執(zhí)行嚴格軟性 程序化確認時，此記憶區(qū)使用的字組線電壓會降低大約0. 5V。由于未能通 過抹除確認表示有記憶單元未被充分抹除，下一次執(zhí)行的嚴格軟性程序化 確認會使用更低的字組線電壓，給這個記憶單元更深層的抹除。請注意，步 驟730之中，初始字組線電壓的3V以及逐次遞減的0. 5V都可視應用需求 而調(diào)整。
上述的嚴格軟性程序化確認建議使用3V的初始字組線電壓，但不限定 3V。初始字組線電壓是根據(jù)通過抹除確認的條件來決定。例如本實施例 中，抹除確認的通過條件為所有快閃記憶單元的臨界電壓都低于3V。對于使 用3V字組線電壓的嚴格軟性程序化確認，若有任何記憶單元的臨界電壓低 于3V，就不能通過此嚴格軟性程序化確認。也就是說，某些或全體記憶單元 的臨界電壓低于3V。因此即使上述的記憶單元未能通過嚴格軟性程序化確 認，仍有可能通過抹除確認。所以抹除確認可安排在嚴格軟性程序化確認之 后執(zhí)行以判斷記憶單元是否已充分抹除。若在此通過抹除確認，就不需要 后續(xù)的抹除脈沖，可節(jié)省時間。反之，若未能通過抹除確認，表示仍有高 于3V的記憶單元臨界電壓，需要再施加抹除脈沖。在回圈的下一次循環(huán)，嚴格 軟性程序化確認的字組線電壓會降為大約2. 5V。若未能通過此次嚴格軟性 程序化確認，表示某些記憶單元的臨界電壓低于2. 5V,而且有可能所有記 憶單元的臨界電壓全低于3V，因此會再度執(zhí)行抹除確認。當嚴格軟性程序 化確認的字組線電壓降到大約0V，此時未能通過嚴格軟性程序化確認表示 已發(fā)生過度抹除。字組線電壓為OV的嚴格軟性程序化確認等同一般的軟性 程序化確認，此時不應再降低字組線電壓。上述已經(jīng)過度抹除的記憶區(qū)可 能需要保守抹除以避免深層過度抹除。
前面討論的確認程序，例如軟性程序化確認與嚴格軟性程序化確認，都 是此技術領域的習知技術。更明確的說，在快閃記憶體的領域中，所有確認 程序都是在正常記憶單元和參考記憶單元的字組線各施加特定電壓，此時 兩個記憶單元的位元線電壓大約為IV，然后比較兩個記憶單元的電流。例如 抹除確認是在正常記憶單元和參考記憶單元的字組線各施加5V的電壓。在 此情況下，正常記憶單元的電流應該大于參考記憶單元的電流，正常記憶單
元才能通過抹除確認。至于軟性程序化確認和嚴格軟性程序化確認，是比較 全體正常記憶單元的位元線電流和參考記憶單元的電流。由于位元線電流 是位元線上所有記憶單元的電流總和，整個記憶單元陣列的所有字組線都 要施加特定電壓，而不僅是施加電壓到單一字組線。
綜上所述，以上實施例的快閃記憶群抹除方法可避免深層過度抹除，而 且效率高于傳統(tǒng)方法。本發(fā)明的方法使用多種旗號以區(qū)分記憶區(qū)的狀態(tài)，而 且只需要一個位址計數(shù)器，所以本發(fā)明的方法可節(jié)省電路面積。上述方法 可用于抹除快閃記憶區(qū)以及記憶群。由于在抹除階段后的軟性程序化階段
只需處理標示有旗號A和旗號B的記憶區(qū)，上述方法亦可節(jié)省軟性程序化 階段的時間。
此外，以上實施例中針對不均勻記憶區(qū)的保守抹除方法可安全抹除不 均勻記憶區(qū)，避免深層過度抹除。上述的保守抹除比傳統(tǒng)方法更快，而且不 需要在每一次抹除脈沖之后反復修復相同的漏電記憶區(qū)。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 熟習此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤 飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視所附的權利要求范圍所界定者為準。
權利要求
1.一種快閃記憶區(qū)抹除方法，包括施加抹除脈沖、軟性程序化確認，以及抹除確認的步驟，其特征在于使用一緩慢程序化以及施加一抹除脈沖的方式，修復至少一個快閃記憶區(qū)的位元線漏電流現(xiàn)象。
2. 根據(jù)權利要求1所述的快閃記憶區(qū)抹除方法，其特征在于其更包括(a) 對上述記憶區(qū)執(zhí)行一軟性程序化確認；(b) 若一記憶區(qū)未能通過該軟性程序化確認，則以該緩慢程序化修復該 記憶區(qū)；(c) 對上述記憶區(qū)執(zhí)行一抹除確認；以及(d) 若 一 記憶區(qū)未能通過該4末除確認，則對該記憶區(qū)施加該4未除脈 沖，然后回到步驟(a)。
3. 根據(jù)權利要求2所述的快閃記憶區(qū)抹除方法，其特征在于其中步驟 (b)更包括:(bl)對該記憶區(qū)執(zhí)行該緩慢程序化；(b2)對該記憶區(qū)執(zhí)行一緩慢程序化確認；以及(b3)若該記憶區(qū)未能通過該緩慢程序化確認，則回到步驟(bl)。
4. 根據(jù)權利要求3所述的快閃記憶區(qū)抹除方法，其特征在于其中該緩 慢程序化與該緩慢程序化確認執(zhí)行時的字組線電壓大約為IV。
5. —種快閃記憶群抹除方法，其特征在于其包括(a) 對一快閃記憶群的 一第 一子集合施加一抹除脈沖；(b) 對該第一子集合執(zhí)行一軟性程序化確認或一嚴格軟性程序化確認；(c) 重復步驟(a)與(b)直到一第一預設條件為真；(d) 對該記憶群的一第二子集合執(zhí)行一抹除確認；(e) 重復步驟(a)至(d)直到一第二預設條件為真；以及(f) 使用一緩慢程序化以及施加一抹除脈沖的方式，修復該記憶群的一 第三子集合的位元線漏電流現(xiàn)象。
6. 根據(jù)權利要求5所述的快閃記憶群抹除方法，其特征在于其中該第 一子集合為該記憶群中無旗號A且無旗號B的所有記憶區(qū)，該第二子集合 為該記憶群中無旗號B且無旗號C的所有記憶區(qū)，該第三子集合為該記憶 群中標示有旗號C的所有記憶區(qū)，上述的旗號A是用以標示未能通過該軟 性程序化確認的記憶區(qū)，旗號B是用以標示通過該抹除確認的記憶區(qū)，旗號 C是用以標示已有旗號A而且未能通過該抹除確認的記憶區(qū)。
7. 根據(jù)權刮要求6所述的快閃記憶群抹除方法，其特征在于其中在步 驟(b)執(zhí)行的是該軟性程序化確認。
8. 根據(jù)權利要求7所述的快閃記憶群抹除方法，其特征在于其中步驟(b)更包括若一記憶區(qū)未能通過該軟性程序化確認，則以旗號A標示該記憶區(qū)。
9. 根據(jù)權利要求8所迷的快閃記憶群抹除方法，其特征在于其中該第 一預設條件為已經(jīng)施加一預設次數(shù)的該抹除脈沖，或該記憶群的每一記憶 區(qū)已標示有旗號A或旗號B。
10. 根據(jù)權利要求6所述的快閃記憶群抹除方法，其特征在于其中步驟 (b)使用 一預設初始字組線電壓執(zhí)行該嚴格軟性程序化確認。
11. 根據(jù)權利要求10所述的快閃記憶群抹除方法，其特征在于其中該 預設初始字組線電壓大約為3V。
12. 根據(jù)權利要求10所述的快閃記憶群抹除方法，其特征在于其中步驟 (b)更包括:若一記憶區(qū)未能通過該嚴格軟性程序化確認，而且該嚴格軟性程序化 確認所使用的該字組線電壓大約為0V時，則以旗號A標示該記憶區(qū)； 而且步驟(d)更包括若一記憶區(qū)未能通過該抹除確認，則將該記憶區(qū)的該嚴格軟性程序化 確認所使用的該字組線電壓減少一預設值。
13. 根據(jù)權利要求12所述的快閃記憶群抹除方法，其特征在于其中該預 設值大約為0. 5V。
14. 根據(jù)權利要求12所述的快閃記憶群抹除方法，其特征在于其中該 第 一預設條件為 一記憶區(qū)未能通過該嚴格軟性程序化確認。
15. 根據(jù)權利要求12所述的快閃記憶群抹除方法，其特征在于其中該 第一預設條件為一記憶區(qū)未能通過該嚴格軟性程序化確認，或該抹除脈沖 已被施加一預設次數(shù)。
16. 根據(jù)權利要求6所述的快閃記憶群抹除方法，其特征在于其中步驟 (d)更包括:若一記憶區(qū)通過該4未除確認，則以旗號B標示該記憶區(qū)；以及 若標示有旗號A的一記憶區(qū)未能通過該抹除確認，則以旗號C標示該 記憶區(qū)。
17. 根據(jù)權利要求6所述的快閃記憶群抹除方法，其特征在于其中該第 二預設條件為該記憶群的每一記憶區(qū)都標示有旗號B或旗號C。
18.根據(jù)權利要求5所述的快閃記憶群抹除方法，其特征在于其中步驟 (f)更包括:(f 1)對該第三子集合執(zhí)行一軟性程序化確認；(n)若一記憶區(qū)未能通過該軟性程序化確認，則以該緩慢程序化修復該"i己憶區(qū)； (n)對該第三子集合執(zhí)行一抹除確認；以及(f4)若一記憶區(qū)未能通過該抹除確認，則對該記憶區(qū)施加該抹除脈 沖，然后回到步驟(fl)。
19. 根據(jù)權利要求18所述的快閃記憶群抹除方法，其特征在于其中步驟 (f2)更包括(f21)對該記憶區(qū)執(zhí)行該緩慢程序化；(f22)對該記憶區(qū)執(zhí)行一緩慢程序化確認；以及(f23)若該記憶區(qū)未能通過該緩慢程序化確認，則回到步驟(f21)。
20. 根據(jù)權利要求19所述的快閃記憶群抹除方法，其特征在于其中該 緩慢程序化與該緩慢程序化確認皆使用大約IV的字組線電壓。
全文摘要
一種快閃記憶群抹除方法，包括下列步驟(a)對一快閃記憶群的第一子集合施加抹除脈沖。(b)對上述第一子集合執(zhí)行軟性程序化確認或嚴格軟性程序化確認。(c)重復步驟(a)與(b)直到第一預設條件為真。(d)對上述記憶群的第二子集合執(zhí)行抹除確認。(e)重復步驟(a)至(d)直到第二預設條件為真。最后，(f)使用緩慢程序化以及施加抹除脈沖的方式，修復上述記憶群的第三子集合的位元線漏電流現(xiàn)象。
文檔編號G11C16/06GK101114523SQ20061010393
公開日2008年1月30日 申請日期2006年7月28日 優(yōu)先權日2006年7月28日
發(fā)明者林揚杰 申請人:晶豪科技股份有限公司