專利名稱：光資訊儲存媒體的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種儲存媒體，特別是涉及一種光資訊儲存^ 某體。
技術背景隨著人們對資訊與影音的需求量急速上升，業(yè)者開發(fā)各種儲存媒體以 供人們儲存所需的資料，并朝著提升儲存媒體的記錄容量而努力不懈，其中，光資訊儲媒體(optical information storage medium)以價格低廉與 攜帶方便等優(yōu)點而廣泛的被人們所使用。一般來說，人們可以將想要儲存的資訊，利用預錄或燒錄的方式于光 資訊儲媒體中刻制一連串記錄資訊(recording marks)。接著，當使用者需 要獲取這些資訊時，是藉由一激光讀取頭所產生的聚焦光束照射于光資訊 儲媒體內的記錄資訊上，以產生反射光束，然后，再以一光學偵測器偵測 并分辨由記錄資訊所反射的光束強度的改變，以擷取這些記錄資訊所內含的資料。由上可知，若記錄資訊的尺寸(mark size)越小，光資訊儲^^某體中所可 以刻制的記錄資訊數(shù)量也就越多，相對地，光資訊儲媒體的記錄容量也就 越大。然而，由于受到光學繞射極限(diffraction limit)的限制，光學偵 測器所能分辨記錄資訊的尺寸大小是與聚焦光束的波長以及激光讀取頭中 透鏡的數(shù)值孔徑(numerical aperture, NA)有關。若以目前市售的DVD 光碟機為例，其激光讀取頭所使用的聚焦光束波長為650細，且其激光讀取 頭中透鏡的數(shù)值孔徑為0. 6時，解析度極限(resolution Umit)約為260nm。 換言之，若此光資訊儲媒體中記錄資訊的尺寸小于260，時，由一頻語儀 讀取反射光束所得到的訊噪比(Carrier-to-Noise Ratio, CNR)約為0,即 無法分辨這些記錄資訊。直到1998年，日本的研究團體首次提出第一代的超解析近場結構的光 資訊儲存士某體1,其是于一 0. 6n加的基板11上依序形成一 17 0腦的介電層 12、 一 15麵的光學遮罩層13、 — 20麵的間隔層14、 一 15nm的記錄層15 以及一 20nm的介電層16,其中，介電層12、 16與間隔層H的材質是為氮 化硅(SiN),記錄層15的材料是由鍺銻碲系列(Ge:Sb/Te.)所組成，而光學遮 罩層13的材質為銻(Sb)。當激光讀取頭所產生的聚焦尤表透過光學遮罩罷13時而照射于記錄娛 15上的記錄資訊時，是因局域表面電裝子(local izc(l SLii-facc plasm(川)
效應而產生超解析現(xiàn)象，進而使光學偵測器可分辨'J、于解忻度極限的記錄資訊。清參照圖2所示，其是為光資訊儲存媒體1中記錄資訊尺寸的大小與 光學偵測器所偵測到的訊噪比的實驗結果。由實驗結果可得知，當記錄資 訊的尺寸約為IOO腦(小于解析度極限260nni)時，訊噪比約為10dB,故能勉 強分辨訊號與噪音的差別。然而，由于光學遮罩層13的材質銻的熱穩(wěn)定性 不佳，不適合作為商用化產品的材料，而且1 OdB的訊噪比亦有待加強。因此，如何找尋一種可以產生顯著超解析現(xiàn)象，而且具有良好熱穩(wěn)定 性的光資訊儲存媒體，實屬當前重要課題之一。由此可見，上述現(xiàn)有的光資訊儲存媒體在結構與使用上，顯然仍存在 有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決光資訊儲存媒體存在的 問題，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決的道，但長久以來一直未見適用 的設計被發(fā)展完成，而一般產品又沒有適切的結構能夠解決上述問題，此 顯然是相關業(yè)者急欲解決的問題。有鑒于上述現(xiàn)有的光資訊儲存媒體存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此 類產品設計制造多年豐富的實務經驗及專業(yè)知識，并配合學理的運用，積極 加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設一種新型結構的光資訊儲存媒體，能夠改進一般 現(xiàn)有的光資訊儲存媒體，使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計，并經 反復試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設出確具實用價值的本發(fā)明。發(fā)明內容本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的光資訊儲存媒體存在的缺陷，而提供 一種新型的光資訊儲存媒體，所要解決的技術問題是使其可以產生顯著超 解析現(xiàn)象，而且具有良好熱穩(wěn)定性，從而更加適于實用。本發(fā)明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種光資訊儲存媒體，其包括 一第一基板； 一光學遮罩層，是 包括一第二族-第六族半導體化合物及一陶瓷材料，該光學遮罩層是設置于該第一基板之上； 一間隔層，是設置于該光學遮罩層上；以及一記錄層，是設置于該間隔層上。本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現(xiàn),， 前述的光資訊儲存媒體，其中所述的記錄層的材料是為一相變化材料或一有機染料。前述的光資訊儲存媒體，其中所述的相變化材料實質是選自鍺碲系列、 鍺碲錫系列、銦硒系列、銻碲系列、鍺銻碲系列以及銀銦銻碲系列所構成 的群組至少其中之一。前述的光資訊儲存媒體，其中所述的間隔層的材料實質是選自氮化硅、
氮化鋁、氧化硅、氧化鉭、硫化鋅、硫化鋅-二氣化硅、硫化錳以及硒化錄 所構成的群組至少其中之一。
前述的光資訊儲存媒體，其中所述的光學遮罩層實質是由70~85重量 百分比的第二族-第六族化合物半導體與15-30重量百分比的陶瓷材料所 形成。
前述的光資訊儲存媒體，其中所述的第二族-第六族化合物半導體實質 是選自硫化鋅、竭化鋅、碲化鋅、硫化鎘、硒化鎘、碲化鎘所構成的群組 至少其中之一。
前述的光資訊儲存媒體，其中所述的陶瓷材料實質是選自氮化硅、氮 化鋁、氧化硅、氧化鉭、硫化鋅、硫化錳、硒化鋅所構成的群組至少其中之一。
前述的光資訊儲存媒體，其中所述的光學遮罩層實質是由該第二族-第 六族化合物半導體與該陶瓷材料混鍍而成。
前述的光資訊儲存媒體，其中所述的光學遮罩層實質是由硒化鎘與二 氧化硅混鍍而成。
前述的光資訊儲存媒體，其中所述的光學遮罩層的厚度是介于30至 90nm之間。
前述的光資訊儲存媒體，其更包括一第一介電層，其是設置于該記錄 層上。
前述的光資訊儲存媒體，其更包括一第二介電層，其是位于該第一基 板及該光學遮罩層之間。
前述的光資訊儲存媒體，其更包括一第二基板，是與該第一基板相對 而設，以使該記錄層、該間隔層及該光學遮罩層位于該第一基板及該第二 基板之間。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術方案 可知，本發(fā)明的主要技術內容如下本發(fā)明的一種光資訊儲存媒體是包括一 第一基板、 一光學遮罩層、 一間隔層以及一記錄層。光學遮罩層是包括一 第二族-第六族半導體化合物(II-VI compound semiconductor)及一陶免材 料(ceramic material),光學遮罩層是設置于第一基板之上；間隔層是設 置于光學遮罩層上；記錄層是設置于間隔層上。
借由上述技術方案，本發(fā)明光資訊儲存媒體至少具有下列優(yōu)點 本發(fā)明的光資訊儲存媒體的光學遮罩層是由第二族-第六族化合物半 導體與陶資材料混鍍而成。因此，當激光讀取頭所產生的聚焦光束透過光 學遮罩層而照射于記錄層上的記錄資訊時，是因光學遮罩層上的納朱粒子 而產生顯著的非線性尤學效應，而有效地縮'j 、照射于記錄層上6 0聚焦光束 的先點尺寸"p(n size),進而產生顯著的超解析現(xiàn)象.而使先學偵測器可以分辨更小的記錄資訊，進而提升光資訊儲存媒體的記錄容量.，另外，亦由 于光學遮罩層是由第二族-第六族化合物半導體與陶瓷材料所構成，所以熱穩(wěn)定性佳。綜上所述，本發(fā)明特殊結構的光資訊儲存媒體，其可以產生顯著超解 析現(xiàn)象，而且具有良好熱穩(wěn)定性。其具有上述諸多的優(yōu)點及實用價值，并 在同類產品中未見有類似的結構設計公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論 在產品或功能上皆有較大的改進，在技術上有較大的進步，并產生了好用 及實用的效果，且較現(xiàn)有的光資訊儲存媒體具有增進的多項功效，從而更 加適于實用，而具有產業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新 設計。上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附 圖，詳細i兌明如下。


圖1為一示意圖，顯示習知的光資訊儲存媒體。圖2為一實驗結果，顯示圖1的光資訊儲存媒體中記錄資訊尺寸的大 小與光學偵測器所偵測到的訊噪比。 '圖3為一示意圖，依據(jù)本發(fā)明實施例的光資訊儲存媒體。圖4為另一示意圖，依據(jù)本發(fā)明實施例的光資訊儲存媒體。圖5為一示意圖，依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的光資訊儲存媒體。圖6為一實驗結果，顯示圖5的光資訊儲存媒體中記錄資訊尺寸的大小與頻i普儀所讀取到的訊噪比。圖7為一實驗結果，顯示重復覆寫尺寸為96nm的記錄資訊于圖5中光資訊儲存媒體的記錄層后，再藉由頻譜儀反復讀取反射光束所得到訊噪比。1:光資訊儲存媒體11基板12介電層13光學遮罩層14間隔層15記錄層16介電層2:光資訊儲存媒體21記錄層22間隔層23光學遮罩層24第一基板25第一介電層26第二介電層27第二基板28粘合層
具體實施例方式
為更進一歩闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段及功 效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的光資訊儲存媒體其具 體實施方式、結構、特征及其功效.詳細說明如后..以下將參照相關圖式，說明依據(jù)本發(fā)明較佳實施例的光資訊儲存媒體， 其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。請參照圖3所示，依據(jù)本發(fā)明實施例的光資訊儲存媒體2是包括一記 錄層21、 一間隔層22、 一光學遮罩層23以及一第一基板在本實施例 中，光資訊儲存^某體2是為 一具有超解析結構(super resolution structure)的光資訊儲存媒體。記錄層21是設置于間隔層22上，且間隔層22是設置于光學遮罩層23 上。另外，光學遮罩層23是設置于第一基板24之上。記錄層21可預錄或燒錄一連串的記錄資訊，例如，業(yè)者可于記錄層21 上預先設置復數(shù)個預設記錄凹坑以作為記錄資訊，另外，使用者亦可自行 將這些記錄資訊燒錄于記錄層中，而記錄層21的材料可依據(jù)實際需求而為 有機染料或相變化材料等，其中，有機染料實質可選自花青(cyanine)染料、 偶氮(azo)染料、斯夸琳(squaryl ium)染料以及甲茲(formazan)染料等材料 所構成的群組至少其中之一。相變化材料實質可選自鍺碲系列、鍺碲錫系 列、銦竭系列、銻碲系列、鍺銻碲系列、銀銦銻碲系列等材料所構成的群 組至少其中之一。另外，記錄層的厚度可依據(jù)實際需求而有不同的設計， 在此并不加以限制。間隔層22位于記錄層21及光學遮罩層23之間，以控制光學遮罩層23 與記錄層21之間的距離，其中，間隔層22的厚度可介于lnm至100nm之 間。另外，間隔層22亦可透過適當?shù)脑O計而降低光學遮罩層23散熱的速 度，其中，間隔層22的材料實質可選自氮化硅、氮化鋁、氧化硅，氧化鉭、 硫化鋅、硫化錳、硒化鋅等材料所構成的群組至少其中之一，較佳者，例如， 五氣化二鉭、四氮化三硅、二氣化硅、At化鋅-二氧化鋅(ZnS-Si02)以及辟^ 化鋅等。第一基板24的材質與厚度可依照實際狀況而有不同變化，在此并不加以限制。光學遮罩層23是包括一第二族-第六族化合物半導體(II-VI compound semiconductor)及一 P甸免襯豐f (ceramic material)。 其中，II—VI力K匕合 物半導體實質可選自硫化鋅、硒化鋅、碲化鋅，硫化鎘，硒化鎬、碲化鎘 等材料所構成的群組至少其中之一.而陶瓷材料實質可選自氮化硅、氮化 鋁、氧化硅'、氣化鉭、硫化薛、硫化錳、硒化鋅等襯枓所抅成的稃組至少 其中之一，較佳者，例如，二氣化硅、硫化鋅-二氧化薛(ZnS-Si02) f另外，光學遮罩層2 的制造實,質可由第二族-第六族化^物半導體與 陶瓷材料混鍍而成。其中混鍍的方法可為多靶濺鍍法(mu U i -1 a r ge t spuUcring)、 多蒸鍍源蒸鍍法(肌il ti-target evapora t i ng)、反應性鄰M度 〉'* (reactive sputtering)、 復合4巴十才；5^ 4度〉'去 (compos i te—ta卩get sputtering)、 激光剝蝕鍍著 (laser ablath)n)或貼靶法 (target—attachniem sputtering)等。此時，光學遮罩層23中的第二族一 第六族化合物半導體便可分布于陶瓷材料之間，而使光學遮罩層23為一具 有無數(shù)個納米粒子的半導體微晶玻璃遮罩層(semiconductor doped glass mask layer, SDG mask layer),其中納米粒子的材料是由所選用的第二族 -第六族化合物半導體所決定。而納米粒子的分布狀況與大小可透過混鍍方 法、鍍著條件、第二族-第六族化合物半導體與陶瓷材料之間的比例、材料 的選用、光學遮罩層23的厚度等因素來影響，在此容不贊述。在本實施例中，光學遮罩層23的厚度可介于30至90nm之間。而光學 遮罩層23實質可由重量百分比70 ~ 85的第二族-第六族化合物半導體與重 量百分比15 ~ 30的陶瓷材料所形成。此時，當激光讀取頭所產生的聚焦光束透過光學遮罩層23而照射于記 錄層21上的記錄資訊時，是因光學遮罩層23上的納米粒子而產生顯著的 非線性光學效應，而有效地縮小照射于記錄層21上的聚焦光束的光點尺寸 (spot size),進而產生顯著的超解析現(xiàn)象，而使光學偵測器可以分辨更小 的記錄資訊，進而提升光資訊儲存媒體的記錄容簀。另外，亦由于光學遮 罩層23是由第二族-第六族化合物半導體與陶資材料所構成，所以熱穩(wěn)定 性佳。除此的外，請參照圖4所示，光資訊儲存媒體2更可包括一第一介電 層25,其是設置于記錄層21上。其中，第一介電層25可調節(jié)記錄層21散 熱的速率，而且可以保護記錄層21免于水氣的侵入。第一介電層25的材 料實質可選自氮化硅、氮化鋁、氧化硅、氧化鉭、疏化鋅、疏化錳、硒化 鋅等材料所構成的群組至少其中之一，較佳者，例如，五氣化二鉭、四氮 化三硅、二氧化硅、硫化鋅-二氧化鋅(ZnS-Si02)以及硫化鋅等。另外，第 一介電層24的厚度可依據(jù)實際需求而有不同的設計，在此并不加以限制。再者，光資訊儲存媒體2更可包括一第二介電層26，其是位于第一基 板25及間隔層22之間。第二介電層26的材料實質可選自氮化珪、氮化鋁、 氧化硅、氧化鉭、疏化鋅、硫化錳、硒化鋅等材料所構成的群組至少其中 之一，較佳者，例如，五氣化二鉭、四氮化三硅、二氣化硅、硫化鋅-二氧 化鋅(ZnS-Si()2)以及硫化鋅等。另外，第二介電層26的厚度可依據(jù)實際需 求而有不同的設計，例如可介于lnm至200nm之間，在此并不加以限制.又，光資訊儲存媒體更可包括一第二基板27與一粘合層28，第二基板 27是與第一基板24相對而設，并透過位于第二基板27及第二介電層26之
間的粘合層28,以使記錄層21 、間隔層22及光學遮罩層23位于第一基板 24及第二基板27之間。為了使本發(fā)明更加清楚、以下舉一個較佳的實施例以說明本發(fā)明的光 資訊儲存媒體。請參照圖5所示，光資訊儲存媒體2依序包括第一基板24、第二介電 層26、光學遮罩層23、間隔層22、記錄層21、第一介電層25、粘合層28 以及第二基板27。在本實施例中，第一基板24與第二基板27的厚度為0. 6mni且其材質 為聚碳酸酯(PC)。而粘合層28的材質為光固膠(optical cured resin)。 第二介電層26、間隔層22、第一介電層25所使用的材料皆為硫化鋅-二氧 化鋅(ZnS-Si02)，且其厚度分別為130nm、 25nm、 20nm。記錄層21為由鍺 銻碲系列(Ge2Sb/Te;)所組成。且其厚度為20nm。另外，光學遮罩層23的材質為硒化鎘-二氧化硅(CdSe-Si02),其中， 光學遮罩層23實質內含重量百分比70~85的硒化鎘與重量百分比15 ~ 30 的二氧化硅，而且光學遮罩層23的厚度為60nm,在本實施例中，光學遮罩 層23的制造是藉由將硒化鎘的碇片固定于二氧化硅的鈀材上，并透過混鍍 的方式而形成具有無數(shù)個硒化鎘納米粒子的半導體微晶玻璃遮罩層，因此， 當激光讀取頭所產生的聚焦光束透過光學遮罩層23而照射于記錄層上的記 錄資訊時，是因光學遮罩層23上的硒化鎘納米粒子而產生顯著的非線性光 學效應，而有效地縮小照射于記錄層上的聚焦光束的光點尺寸，進而產生 顯著的超解析現(xiàn)象。請參照圖6所示，其是為光資訊儲存媒體2中記錄資訊尺寸的大小與 藉由頻譜儀讀取反射光束所得到的訊噪比的實驗結果，其中，聚焦光束的 波長為650nm且透鏡的數(shù)值孔徑為0. 6。因此，由實驗結果可得知，當記錄 資訊的尺寸約為100nm(小于解析度極限260nm)時,訊噪比約為35dB;當記 錄資訊(recording mark)的尺寸約為69nm時，訊噪比亦高達13. 6dB。與習 知記錄資訊的尺寸為100nni時，訊噪比僅為10dB相較之下，本發(fā)明具有較 高的訊噪比。而且可以分辨更小的記錄資訊，進而可提升光資訊儲存媒體2 的記錄容量。請參照圖7所示，其是為在重復覆寫尺寸為96nni的記錄資訊于記錄層 21后，再藉由頻譜儀反復讀取反射光束所得到訊噪比的實驗結果，由實驗 結果可得知，當頻譜儀反復讀取此數(shù)超過10'次之后，訊噪比仍高達30dB 以上，換言之，尤資訊儲存媒體2的光學遮罩層23的熱穩(wěn)定性佳，適合作 為商用化產品.再請參照圖；所示，值得注意的是，上述僅舉用于聚焦光束波長約為 65 ()mi〗下,尤資訊儲存媒體2的較佳結構，然而本發(fā)明并非僅此如此,例如,
業(yè)者可以藉由改變光學遮罩層23的制程參數(shù)而獲得不同尺寸的納來粒子， 當然，亦可改變光學遮罩層23的材料等，以對應不同波長的聚焦光束。最后，再請參照圖5所示，值得一提的是，本發(fā)明的光學遮罩層23亦 可依據(jù)實際的狀況而于第一介電層25與粘合層28之間加入一反射層(圖中 未示)，反射層的材料可為金屬，例如金，鋁或銀等。綜上所述，依據(jù)本發(fā)明的光資訊儲存媒體的光學遮罩層是由第二族-第 六族化合物半導體與陶競材料混鍍而成，因此，當激光讀取頭所產生的聚 焦光束透過光學遮罩層而照射于記錄層上的記錄資訊時，是因光學遮罩層 上的納米粒子而產生顯著的非線性光學效應，而有效地縮小照射于記錄層 上的聚焦光束的光點尺寸(spot size),進而產生顯著的超解析現(xiàn)象，而使 光學偵測器可以分辨更小的記錄資訊，進而提升光資訊儲存媒體的記錄容 量。另外，亦由于光學遮罩層是由第二族-第六族化合物半導體與陶瓷材料 所構成，所以熱穩(wěn)定性佳。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內，當可利 用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例 所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍 內。
權利要求
1、一種光資訊儲存媒體，其特征在于其包括一第一基板；一光學遮罩層，是包括一第二族-第六族半導體化合物及一陶瓷材料，該光學遮罩層是設置于該第一基板之上；一間隔層，是設置于該光學遮罩層上；以及一記錄層，是設置于該間隔層上。
2、 根據(jù)權利要求1所述的光資訊儲存媒體，其特征在于其中該記錄層 的材料是為一相變化材料或一有機染料。
3、 根據(jù)權利要求2所述的光資訊儲存媒體，其特征在于其中該相變化 材料實質是選自鍺碲系列、鍺碲錫系列、銦竭系列、銻碲系列、鍺銻碲系 列以及銀銦銻碲系列所構成的群組至少其中之一 。
4、 根據(jù)權利要求1所述的光資訊儲存媒體，其特征在于其中該間隔層 的材料實質是選自氮化硅、氮化鋁、氧化硅、氧化鉭、硫化鋅、硫化鋅-二 氧化硅、硫化錳以及硒化鋅所構成的群組至少其中之一。
5、 根據(jù)權利要求1所述的光資訊儲存媒體，其特征在于其中該光學遮 罩層實質是由70~85重量百分比的第二族-第六族化合物半導體與15-30 重量百分比的陶瓷材料所形成。
6、 根據(jù)權利要求1所述的光資訊儲存媒體，其特征在于其中該第二族 -第六族化合物半導體實質是選自硫化鋅、硒化鋅、碲化鋅、硫化鎘、硒化 鎘、碲化鎘所構成的群組至少其中之一。
7、 根據(jù)權利要求1所述的光資訊儲存媒體，其特征在于其中該陶f;材 料實質是選自氮化硅、氮化鋁、氧化硅、氧化鉭、硫化鋅、硫化錳、硒化 鋅所構成的群組至少其中之一。
8、 根據(jù)權利要求1所迷的光資訊儲存媒體，其特征在于其中該光學遮 罩層實質是由該第二族-第六族化合物半導體與該陶瓷材料混鍍而成。
9、 根據(jù)權利要求8所述的光資訊儲存媒體，其特征在于其中該光學遮 罩層實質是由硒化鎘與二氧化硅混鍍而成。
10、 根據(jù)權利要求1所述的光資訊儲存媒體，其特征在于其中該光學 遮罩層的厚度是介于30至9()nm之間。
11、 根據(jù)權利要求1所述的光資訊儲存媒體，其特征在于其更包括一 第一介電層，其是設置于該記錄層上。
12、 根據(jù)權利要求1所迷的光資訊儲存^ 某體，其特怔在于其更包括一 第二介電層.其是位于該第 一 基板及該光學遮罩層之間
13、 根據(jù)權利要求1所述的光資訊儲存媒體，其特征在于其更包括一 第二基板，是與該第一基板相對而設，以使該記錄層、該間隔層及該光學 遮罩層位于該第 一基板及該第二基板之間。
全文摘要
本發(fā)明是有關于一種光資訊儲存媒體，包括一第一基板、一光學遮罩層、一間隔層以及一記錄層。光學遮罩層是包括一第二族-第六族半導體化合物及一陶瓷材料，光學遮罩層是設置于第一基板之上；間隔層是設置于光學遮罩層上；記錄層是設置于間隔層上。因此，當激光讀取頭所產生的聚焦光束透過光學遮罩層而照射于記錄層上的記錄資訊時，是因光學遮罩層上的納米粒子而產生顯著的非線性光學效應，而有效地縮小照射于記錄層上的聚焦光束的光點尺寸，進而產生顯著的超解析現(xiàn)象，而使光學偵測器可以分辨更小的記錄資訊，進而提升光資訊儲存媒體的記錄容量。另外，亦由于光學遮罩層是由第二族-第六族化合物半導體與陶瓷材料所構成，所以熱穩(wěn)定性佳。
文檔編號G11B7/252GK101110237SQ200610099220
公開日2008年1月23日 申請日期2006年7月21日 優(yōu)先權日2006年7月21日
發(fā)明者葉通迪, 王仁龍, 謝宗雍, 鄭相垚, 麥宏全 申請人:精碟科技股份有限公司