專利名稱：信息存儲介質(zhì),以及相應(yīng)的再現(xiàn)方法和記錄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的一個實(shí)施例涉及一種信息存儲介質(zhì)，例如能記錄和再現(xiàn)信息的光盤，以及相應(yīng)的再現(xiàn)方法和記錄方法。
背景技術(shù)：
隨著信息容量的增大，當(dāng)前市場上光盤的容量也需要進(jìn)一步增加。
光盤可粗略分為用于再現(xiàn)的ROM盤、一次性寫入的R盤及可重寫的RW或RAM盤三種。
當(dāng)前采用染料作為記錄層的CD-R和DVD-R存在一個問題，即當(dāng)同一軌道被多次再現(xiàn)以后，其反射率發(fā)生改變，再現(xiàn)信號的幅度改變以減小調(diào)制幅度，已記錄數(shù)據(jù)信號質(zhì)量惡化。為解決該問題，實(shí)施過多種研究(日本專利申請公開號1-99885及WO01/074600)。
公開號為1-99885的日本專利申請描述了通過加入高分解溫度的添加劑來抑制染料分解，并抑制對記錄數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信號的惡化。不過，盡管槽岸部分的信號強(qiáng)度相關(guān)比率得到了檢驗(yàn)，但仍沒有涉及對于反射率水平的改變以及記錄標(biāo)記的調(diào)制幅度的改變。
WO 01/074600描述了當(dāng)激光波長為380到450nm時，如果某種染料的最大吸收波長λmax≤370nm，將維持重復(fù)讀取的高穩(wěn)定性，但同時也有記錄靈敏度受損的擔(dān)心。此外，沒有涉及關(guān)于反射率水平的變化等問題。
不過，本發(fā)明的發(fā)明者做過針對下述問題的一項(xiàng)實(shí)驗(yàn)。當(dāng)將數(shù)據(jù)記錄到一種使用染料記錄層的信息存儲介質(zhì)上并對同一軌道再現(xiàn)100,000次時，某一標(biāo)記部分的信號電平與某一空白部分的信號電平變化以減小調(diào)制幅度。當(dāng)用于記錄的激光波長為450nm或更小時，此問題尤其顯著，且所述標(biāo)記部分的信號電平與所述空白部分的信號電平通常不相同。除非調(diào)制幅度處于某個特定級數(shù)，否則信號的S/N將變小，從而讀取錯誤增加，盤的可靠性降低。
如果同一軌道可再現(xiàn)的次數(shù)為100,000或更多，可認(rèn)為該盤作為信息存儲介質(zhì)具有充分的實(shí)用水平。當(dāng)在標(biāo)準(zhǔn)的再現(xiàn)功率下做實(shí)驗(yàn)時，必須做很長時間的測試，而且對盤執(zhí)行檢驗(yàn)事實(shí)上十分困難。因此，希望可能在比標(biāo)準(zhǔn)再現(xiàn)功率高的功率下進(jìn)行信息再現(xiàn)，并在標(biāo)準(zhǔn)再現(xiàn)功率下估計(jì)再現(xiàn)的次數(shù)。但是，盡管在高功率下實(shí)現(xiàn)了再現(xiàn)，且在標(biāo)準(zhǔn)再現(xiàn)功率下其特性如模擬位出錯率(SbER)估計(jì)超過100,000次，當(dāng)在標(biāo)準(zhǔn)再現(xiàn)功率下實(shí)際執(zhí)行了一次檢驗(yàn)時，發(fā)現(xiàn)下述事實(shí)。即，盡管在再現(xiàn)100,000后模擬位出錯率(SbER)不再是問題，調(diào)制幅度仍然變得比期望值小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是解決上述問題，并提供一種信息存儲介質(zhì)及相應(yīng)的再現(xiàn)方法和記錄方法，該信息存儲介質(zhì)即使在執(zhí)行多次再現(xiàn)以后也能抑制反射率及信號調(diào)制度的改變。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了包含一個具有同心圓形或螺旋形溝槽的基底及形成在基底上的記錄膜的一種信息存儲介質(zhì)，其中在預(yù)定功率下再現(xiàn)1000次的信號電平變化率為大于或等于0.1％且小于或等于1％。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種對記錄在信息存儲介質(zhì)上的信息進(jìn)行再現(xiàn)的方法，所述介質(zhì)包含一個具有同心圓形或螺旋形溝槽的基底及形成在基底上的記錄膜，其中通過激光束照射形成記錄標(biāo)記，且在預(yù)定功率下再現(xiàn)1000次的信號電平變化率是大于或等于0.1％且小于或等于1％，所述方法包含采用激光束照射所述信息存儲介質(zhì)；以及根據(jù)入射激光束的反射光來對信息進(jìn)行再現(xiàn)。
還根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種在信息存儲介質(zhì)上記錄信息的方法，所述介質(zhì)包含一個具有同心圓形或螺旋形溝槽的基底及形成在基底上的記錄膜，其中通過激光束照射形成記錄標(biāo)記，且在預(yù)定功率下再現(xiàn)1000次的信號電平變化率是大于或等于0.1％且小于或等于1％，所述方法包含采用激光束照射所述的信息存儲介質(zhì)來記錄信息。


現(xiàn)在將參照附圖對實(shí)現(xiàn)本發(fā)明各種特性的整體框架進(jìn)行描述。提供的附圖及其相關(guān)描述用于解釋本發(fā)明實(shí)施例，但不對本發(fā)明的范圍進(jìn)行限定。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的一種信息存儲介質(zhì)的橫截面結(jié)構(gòu)范例圖；圖2是用于評價再現(xiàn)的性質(zhì)的一束激光束的波形范例圖；圖3示出了構(gòu)成記錄層的化合物的一個結(jié)構(gòu)通式范例；圖4示出了構(gòu)成記錄層的化合物的一個結(jié)構(gòu)通式范例；圖5示出了構(gòu)成記錄層的化合物的一個結(jié)構(gòu)通式范例；圖6示出了構(gòu)成記錄層的化合物的一個結(jié)構(gòu)通式范例；圖7示出了構(gòu)成記錄層的化合物的一個結(jié)構(gòu)通式范例；圖8示出了構(gòu)成記錄層的化合物的一個結(jié)構(gòu)通式范例；圖9示出了構(gòu)成記錄層的化合物的一個結(jié)構(gòu)通式范例；圖10示出了構(gòu)成記錄層的化合物的一個結(jié)構(gòu)通式范例；圖11示出了構(gòu)成記錄層的化合物的一個結(jié)構(gòu)通式范例；圖12示出了構(gòu)成記錄層的化合物的一個結(jié)構(gòu)通式范例；圖13示出了一種有機(jī)金屬絡(luò)合物陽離子-陰離子U的結(jié)構(gòu)通式范例；圖14示出了一種有機(jī)金屬絡(luò)合物陽離子-陰離子W的結(jié)構(gòu)通式范例；圖15示出了一種有機(jī)金屬絡(luò)合物單體Y的結(jié)構(gòu)通式范例；圖16示出了一種偶氮有機(jī)金屬絡(luò)合物的結(jié)構(gòu)通式范例；以及圖17示出了染料A到I的再現(xiàn)次數(shù)的測量結(jié)果，及在每個再現(xiàn)功率下信號電平的變化率。
具體實(shí)施例方式
下文將參考附圖對根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例進(jìn)行描述。一般而言，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，一種信息存儲介質(zhì)，包含具有同心圓形或螺旋形溝槽的基底及形成在該基底和介質(zhì)上的記錄膜，其中在一個預(yù)定功率下再現(xiàn)次數(shù)為1,000的信號電平變化率為大于等于0.1％且小于等于1％。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的一個實(shí)施例的一種信息存儲介質(zhì)包含，例如，由諸如聚碳酸酯的合成樹脂材料形成的盤形的透明樹脂基底。所述的透明樹脂基底上具有同心圓形或螺旋形的溝槽。采用壓模進(jìn)行注?？芍圃斐鏊龅耐该鳂渲?。
在所述透明樹脂基底上為填充所述溝槽而形成了包含一種有機(jī)染料的記錄膜。作為用于形成所述記錄膜的有機(jī)染料，采用了其最大吸收波長范圍朝比記錄波長(405nm)更長方向移動的那些染料。還采用了那些設(shè)計(jì)成不會使吸收消失以及在記錄波長范圍內(nèi)進(jìn)行可測量的光吸收的染料。
因此，當(dāng)在信息記錄之前通過一束用于記錄的激光束在軌道上執(zhí)行聚焦或?qū)さ罆r，光反射率是很低的。然后，激光束導(dǎo)致染料分解反應(yīng)，并且光吸收率降低，因此在記錄標(biāo)記部分的光反射率增加。相應(yīng)地，實(shí)現(xiàn)了所謂的低到高(以下表示為L-H)特性，即通過激光束照射形成的記錄標(biāo)記部分的光反射率增加的比激光束照射前的光反射率要高。
在一些情況下由于有熱量產(chǎn)生，在透明樹脂基底上，尤其是在溝槽底部會發(fā)生變形。這樣，反射光會存在相位差。
上述的有機(jī)染料能溶解到溶劑中形成可通過旋涂法方便地涂在透明樹脂基底表面上的溶液。這樣，通過控制溶劑的稀釋率和施加旋涂時的旋轉(zhuǎn)，來高精度地控制膜的厚度。
所述的有機(jī)染料由染料部分和反離子(陰離子)部分組成。染料部分可采用菁藍(lán)染料、苯乙烯基染料及類似的染料。特別是采用菁藍(lán)染料和苯乙烯基染料更適合，因?yàn)獒槍τ涗洸ㄩL的吸收比的控制更為簡單。
用于本發(fā)明一個實(shí)施例的所述信息存儲介質(zhì)將得到更詳細(xì)的描述。
用于本發(fā)明一個實(shí)施例的所述信息存儲介質(zhì)具有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中如圖1所示，在如0.6mm厚的聚碳酸酯之類的透明樹脂基底10上依次層壓有機(jī)染料記錄膜12和反射膜14，并且粘合另一0.6mm厚的透明樹脂基底18和一UV硬化樹脂16。
這里，透明樹脂基底10上有一道軌道間距為0.4um、深度為60nm的螺旋形溝槽。所述的溝槽是擺動的，并且地址信息就記錄在該擺動上。
透明樹脂基底10上旋涂有一層有機(jī)染料(后面將描述的染料A到I)的1.2wt％的TFP溶液。涂后的染料自溝槽底部起的厚度為60nm。通過噴濺涂敷，在已涂有染料的基底上再層壓一層100nm厚的由銀合金制成的反射膜14，并采用UV硬化樹脂16粘合0.6mm厚的透明樹脂基底18。通過采用上述制造出的信息存儲介質(zhì)，可對再現(xiàn)信號的評估進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
用于評估的設(shè)備是由Pulstec工業(yè)有限公司制造的光盤評估設(shè)備ODU-1000，所述設(shè)備其激光波長為405nm、NA為0.65。記錄和再現(xiàn)的線速度是6.61m/s。記錄信號是8到12已調(diào)制的隨機(jī)數(shù)據(jù)，并采用如圖2所示的包含了給定的記錄功率及兩個偏置功率1和2的激光波形來記錄信息。
在此實(shí)施例中，通過采用顯示出優(yōu)良記錄特性的染料A到I，在記錄后立即進(jìn)行一項(xiàng)實(shí)驗(yàn)來檢驗(yàn)可能的再現(xiàn)次數(shù)及信號電平變化率。作為染料A到I的化合物的化學(xué)通式1到10在圖3到圖12中示出。
染料A[(分子式1(圖3))33％+(分子式2(圖4))67％]85％+[(分子式3(圖5))]15％染料B(分子式1(圖3))28％+(分子式2(圖4))57％+(分子式4(圖6))15％染料C(分子式1(圖3))33％+(分子式2(圖4))67％染料D分子式5(圖7)(偶氮金屬絡(luò)合物)染料E分子式6(圖8)(偶氮金屬絡(luò)合物)染料F分子式7(圖9)(偶氮金屬絡(luò)合物+有機(jī)金屬絡(luò)合物陽離子-陰離子)染料G分子式8(圖10)(有機(jī)金屬絡(luò)合物陽離子-陰離子)染料H分子式9(圖11)(偶氮金屬絡(luò)合物)染料I(分子式10(圖12))28％+(分子式2(圖4))57％+(分子式4(圖6))15％在化學(xué)式1，2和10每一個的左邊的化學(xué)式代表有機(jī)金屬絡(luò)合物陰離子，而右邊的化學(xué)式則代表陽離子。
化學(xué)式7的左邊的化學(xué)式代表偶氮金屬絡(luò)合物，中間的化學(xué)式代表陽離子，右邊的化學(xué)式代表有機(jī)金屬絡(luò)合物陰離子。
化學(xué)式8的左邊的化學(xué)式代表陽離子，而右邊的化學(xué)式代表有機(jī)金屬絡(luò)合物陰離子。
這里，染料A，B和I是由有機(jī)金屬絡(luò)合物陽離子-陰離子U、有機(jī)金屬絡(luò)合物陽離子-陰離子W、以及有機(jī)金屬絡(luò)合物單體Y或有機(jī)金屬絡(luò)合物V組成的混合染料，所述的有機(jī)金屬絡(luò)合物陽離子-陰離子U由一個陽離子和一個有機(jī)金屬絡(luò)合物陰離子構(gòu)成，所述的有機(jī)金屬絡(luò)合物陽離子-陰離子W由一個陽離子和一個有機(jī)金屬絡(luò)合物陰離子構(gòu)成。
U，W，Y及V的結(jié)構(gòu)通式分別在圖13，14，15和5中示出。
這里，圖13的陽離子部分是一種單次甲基菁藍(lán)染料，圖13的陰離子部分是一種有機(jī)金屬絡(luò)合物。
在上述單次甲基菁藍(lán)染料中，Z1和Z2代表相同的芳香環(huán)或互異芳香環(huán)，這些芳香環(huán)可有一個取代基。Y11和Y12每一個獨(dú)立地代表一個碳原子或雜原子。R11和R12代表脂肪烴基，且這些脂肪烴基可有一個取代基。R13，R14，R15和R16每一個獨(dú)立地代表一個氫原子或一個適當(dāng)?shù)娜〈?，并且?dāng)Y11和Y12代表雜原子時，R13，R14，R15和R16中的一部分不存在或全部不存在。
在上述有機(jī)金屬絡(luò)合物中，A和A′代表包含一個或多個選自氮原子、氧原子、硫原子、硒原子及碲原子的雜原子的相同或互異的雜環(huán)基。R21和R24每一個獨(dú)立地代表氫原子或取代基。Y21和Y22代表選自元素周期表中第XVI組元素的相同或互異的雜原子。
本實(shí)施例采用的單次甲基菁藍(lán)染料的實(shí)例包含這樣的染料，它是通過將以下相同或互異的環(huán)核鍵合到可具有一個或多個取代基的單次甲基鏈的兩端而得到它們是咪唑啉環(huán)，咪唑環(huán)，芐基咪唑環(huán)，α-萘酚咪唑環(huán)，β-萘酚咪唑環(huán)，吲哚環(huán)，異吲哚環(huán)，假吲哚環(huán)，異假吲哚環(huán)，苯并假吲哚環(huán)，吡啶并假吲哚環(huán)，噁唑啉環(huán)，噁唑環(huán)，異噁唑環(huán)，苯并噁唑環(huán)，吡啶并噁唑環(huán)，α-萘酚噁唑環(huán)，β-萘酚噁唑環(huán)，硒唑啉環(huán)，硒唑環(huán)，苯并硒唑環(huán)，α-萘酚硒唑環(huán)，β-萘酚硒唑環(huán)，噻唑啉環(huán)，噻唑環(huán)，異噻唑環(huán)，苯并噻唑環(huán)，α-萘酚噻唑環(huán)，β-萘酚噻唑環(huán)，四唑啉(tetrazoline)環(huán)，四唑環(huán)，苯并四唑環(huán)，α-萘酚四唑環(huán)，β-萘酚四唑環(huán)，另外還有吖啶環(huán)，蒽環(huán)，異喹啉環(huán)，異吡咯環(huán)，咪噁啉(imidanoxaline)環(huán)，茚滿二酮環(huán)，吲唑環(huán)，indaline環(huán)，噁二唑環(huán)，咔唑環(huán)，夾氧雜蒽環(huán)，喹唑啉環(huán)，喹喔啉環(huán)，喹啉環(huán)，苯并呋喃環(huán)，環(huán)己烷二酮環(huán)，環(huán)戊烷二酮環(huán)，鄰二氮(雜)萘環(huán)，硫代二唑環(huán)，硫代噁唑烷酮環(huán)，噻吩環(huán)，苯并噻吩環(huán)，硫代巴比土酸環(huán)，海硫因環(huán)，四唑環(huán)，三嗪環(huán)，萘環(huán)，1-萘胺(naphthilidine)環(huán)，哌嗪環(huán)，吡嗪環(huán)，吡唑環(huán)，吡唑啉環(huán)，吡唑烷環(huán)，吡唑啉酮環(huán)，吡喃環(huán)，吡啶環(huán)，噠嗪環(huán)，嘧啶環(huán)，吡喃鎓環(huán)，吡咯烷環(huán)，吡咯啉環(huán)，吡咯環(huán)，吩嗪環(huán)，菲啶(phenanethridine)環(huán)，菲(phenanethrene)環(huán)，菲咯啉(phenanethroline)環(huán)，酞嗪環(huán)，蝶啶環(huán)，呋咱環(huán)，呋喃環(huán)，嘌呤環(huán)，苯環(huán)，benzooxadine環(huán)，苯并吡喃環(huán)，嗎啉環(huán)，若丹寧環(huán)等，上述環(huán)可有一個或多個取代基。
在單次甲基菁藍(lán)染料的所有通式中，Z1到Z3代表一個芳香環(huán)，例如苯環(huán)，萘環(huán)，吡啶環(huán)，喹啉環(huán)以及喹喔啉環(huán)，且所述的芳香環(huán)可具有一個或多個取代基。所述的取代基例如包括脂肪烴基，諸如甲基、三氟甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、新戊基、叔戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、己基、異己基、5-甲基己基、庚基、以及辛基；脂環(huán)烴基，諸如環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、以及環(huán)己基；芳香烴基，諸如苯基、聯(lián)二苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、二甲苯基、三甲苯基、鄰異丙苯基、間異丙苯基、以及對異丙苯基；醚基，諸如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、苯氧基、以及苯甲酸基；酯基，諸如甲酯基、三氟甲酯基、乙酯基、丙酯基、乙酸基、以及苯甲酸基；鹵素基，諸如氟代基、氯代基、溴代基、碘代基；硫代基，諸如甲硫基、乙硫基、丙硫基、丁硫基、以及苯硫基；氨磺?；T如甲氨磺?；?、二甲氨磺酰基、乙氨磺酰基、二乙氨磺?；?、丙氨磺酰基、二丙氨磺?；⒍“被酋；?、以及二丁氨磺酰基；氨基，諸如原氨基、甲氨基、二甲氨基、乙氨基、二乙氨基、丙氨基、二丙氨基、異丙氨基、二異丙氨基、丁氨基、二丁氨基、以及哌啶基；氨基甲?；T如甲氨基甲?；?、二甲氨基甲酰基、乙氨基甲?；⒍野被柞；?、丙氨基甲?；⒁约岸被柞；?；另外還有，羥基，羧基，氰基，硝基，亞磺酸基，磺基，以及甲磺?；Ｍㄊ街?，Z1和Z2可以相同也可以互異。
單次甲基菁藍(lán)染料通式中的Y11和Y12代表碳原子或雜原子。所述的雜原子例如包括元素周期表中第XV組原子及第XVI組原子，如氮原子、氧原子、硫原子、硒原子、以及碲原子。Y11和Y12中的碳原子可以是主要由兩個碳原子組成的原子基團(tuán)，如次乙基和1，2-亞乙烯基。單次甲基菁藍(lán)染料通式中的Y11和Y12可以相同也可以互異。
單次甲基菁藍(lán)染料通式中的R11，R12和R13每一個代表一個脂肪烴基。所述的脂肪烴基例如包括甲基，乙基，丙基，異丙基，異丙烯基，1-丙烯基，2-丙烯基，丁基，異丁基，仲丁基，叔丁基，2-丁烯基，1，3-丁間二烯基，戊基，異戊基，新戊基，叔戊基，1-甲戊基，2-甲戊基，2-戊基，己基，異己基，5-甲基己基，庚基，以及辛基。所述的脂肪烴基可以是一個或多個與在Z1到Z3中的基相同的取代基。
單次甲基菁藍(lán)染料通式中的R11和R12可以相同也可以互異。
單次甲基菁藍(lán)染料通式中的R13到R16每一個獨(dú)立地代表一個氫原子或在各通式里適合的取代基。所述的取代基例如包括脂肪烴基，諸如甲基、三氟甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、新戊基、叔戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、己基、異己基、5-甲基己基、庚基、以及辛基；醚基，諸如甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、苯氧基、以及苯甲酰氧基；鹵素基，諸如氟代基、氯代基、溴代基、和碘代基；另外還有羥基，羧基，氰基，以及硝基。在單次甲基菁藍(lán)染料通式中，當(dāng)Y11和Y12代表雜原子時，Z1和Z2里的R13到R16部分不存在或全部不存在。
在上述有機(jī)金屬絡(luò)合物的陰離子部分為有機(jī)金屬絡(luò)合物的偶氮金屬絡(luò)合物的通式中，A和A′代表相同的或互異的5元到10元雜環(huán)，如呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、哌啶基、喹啉基、和異噁唑基，所述雜環(huán)含有一個或多個選自氮原子、氧原子、硫原子、硒原子及碲原子的雜原子。所述的雜環(huán)基可具有一個或多個取代基，諸如如脂肪烴基，諸如甲基、三氟甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、新戊基、叔戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、己基、異己基、以及5-甲基己基；酯基，如甲酯基、三氟甲酯基、乙酯基、丙酯基、乙酸基、三氟乙酸基、以及苯甲酸基；芳香烴基，如苯基、聯(lián)二苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、鄰異丙苯基、間異丙苯基、對異丙苯基、二甲苯基、米基(mesityl)、苯乙烯基、苯基丙烯?；⒁约拜粱?；另外還有羧基，羥基，氰基，以及硝基。
構(gòu)成所述通式代表的偶氮基有機(jī)金屬絡(luò)合物的偶氮化合物，可通過將具有對應(yīng)于所述通式的R21及R22或R23及R24的重氮鹽與一種雜環(huán)化合物進(jìn)行反應(yīng)的一般方法而獲得，所述的雜環(huán)化合物諸如例如異噁唑酮化合物，噁唑酮化合物，苯并噻吩化合物，吡唑啉酮化合物，巴比土酸化合物，乙內(nèi)酰脲化合物，以及羅丹寧化合物等分子上具有與一個碳酰基相鄰的活性亞甲基的雜環(huán)化合物。Y21和Y22代表選自元素周期表中第XVI組的相同的或互異的雜原子，例如氧原子、硫原子、硒原子及碲原子。
由所述的通式代表的所述的偶氮金屬絡(luò)合物通常以金屬絡(luò)合物形式使用，其中金屬絡(luò)合物的一個或多個配位到一種金屬(中心原子)。作為中心原子的金屬元素的例子包含鈧，釔，鈦，鋯，鉿，釩，鈮，鉭，鉻，鉬，鎢，錳，锝，錸，鐵，釕，鋨，鈷，銠，銥，鎳，鈀，鉑，銅，銀，金，鋅，鎘，以及汞，特別是優(yōu)選地為鈷。所述的通式中X2代表一種典型地含有鎓離子的適當(dāng)?shù)年栯x子，諸如，銨離子、吡啶離子、以及喹啉離子。
所述的U的實(shí)例在圖3，圖10和圖12中示出。
W的一個實(shí)例在圖4中示出。
所述的有機(jī)金屬絡(luò)合物Y是一種偶氮卟啉絡(luò)合物，其實(shí)例在圖6中示出。所述的有機(jī)金屬絡(luò)合物Y即使以有機(jī)金屬絡(luò)合物V的形式，也提供相同的染料。V代表一種甲簪金屬絡(luò)合物，其結(jié)構(gòu)在圖5中示出。
所述的染料C是一種將有機(jī)金屬絡(luò)合物Y與由一個陽離子和一個有機(jī)金屬絡(luò)合物陰離子構(gòu)成的有機(jī)金屬絡(luò)合物陽離子-陰離子U相混合的混合染料。
所述的染料D，E及H是偶氮有機(jī)金屬絡(luò)合物。其通式在圖16中示出。
M主要采用銅、鋅、鎳、鈷、鐵、鈧、鈦、釩、鉻、錳、鋁、釓、釔等，其中銅的再現(xiàn)光耐久性最好。用作R1到R5的部分包括但不限于CH3，C2H5，H，CH2N(CH3)2，SCH3，NO2，Cl，SO2NHCH3，CN，以及CH3OCH2。特別當(dāng)添加Cl時，再現(xiàn)光耐久性最好。在本例子中，采用了如圖7、8和11所示的有機(jī)金屬絡(luò)合物。
所述的染料F是一種將有機(jī)金屬絡(luò)合物單體Y與由一個陽離子及一個有機(jī)金屬絡(luò)合物陰離子構(gòu)成的有機(jī)金屬絡(luò)合物陽離子-陰離子U相混合的混合染料。本實(shí)施例中采用的所述有機(jī)金屬絡(luò)合物單體Y特別地是圖16所示的通式代表的一種偶氮金屬絡(luò)合物。圖9示出它的一個實(shí)例。
所述的染料G是一種由一個陽離子和一個有機(jī)金屬絡(luò)合物陰離子構(gòu)成的有機(jī)金屬絡(luò)合物陽離子-陰離子U。圖10示出它的一個實(shí)例。
采用染料A到I進(jìn)行記錄。所述的染料稱為L-H記錄型，它們在記錄后反射率會增加。它的被記錄信號在功率為0.4mW、0.6mW以及0.75mW的激光下再現(xiàn)。對可能的再現(xiàn)次數(shù)的測量結(jié)果及在各再現(xiàn)功率下信號電平的變化率在圖17中示出。H代表在標(biāo)記部分的信號電平的變化率，而L代表在空白部分的信號電平的變化率。
這里，可能的再現(xiàn)次數(shù)是指當(dāng)在各再現(xiàn)功率下對同一軌道進(jìn)行連續(xù)再現(xiàn)時，以下時間里最早達(dá)到的時間之內(nèi)的再現(xiàn)次數(shù)當(dāng)調(diào)制程度達(dá)到低于0.4的時間，當(dāng)SbER達(dá)到高于5.0×10-5的時間，以及PRSNR達(dá)到低于15的時間。調(diào)制幅度是(I11H-I11L)/I11H。I11H代表在標(biāo)記部分的再現(xiàn)信號電平，I11L代表在空白部分的再現(xiàn)信號電平。SbER的定義和測量方法在一本可從DVD格式標(biāo)識許可K.K購買的書中進(jìn)行了描述。它是用于高密度只讀盤第一部分物理說明書0.9版本的DVD說明書的附錄H中的一部分。PRSNR的定義和測量方法在一本可從DVD格式標(biāo)識許可K.K購買的書中進(jìn)行了描述。它是用于高密度只讀盤第一部分物理說明書0.9版本的DVD說明書的附錄H中的一部分。PRSNR和SbER是在相鄰軌道也記錄信息的情況下測得的。
所述的信號電平變化率由多次再現(xiàn)中的信號電平變化率來定義。這里，術(shù)語“多次”指的是1,000次。不過，自開始重復(fù)再現(xiàn)之瞬時到再現(xiàn)幾千次之內(nèi)的每1,000次的信號電平的變化與重復(fù)再現(xiàn)開始后大約幾萬次時每1,000次的信號電平的變化是不同的，且再現(xiàn)剛開始時的信號電平的變化最大。為補(bǔ)償每1,000次信號電平變化的不規(guī)則性，本應(yīng)用中在每個再現(xiàn)功率下測量每10,000次的信號電平的變化，并將其測量值乘以1/10，因此，所述的信號電平變化率定義如下。
信號電平變化率＝|(再現(xiàn)10,000次后的電平-初始電平)/初始電平/10|所述的初始電平包括再現(xiàn)10,000次前測得的I11H電平和I11L電平，所述的再現(xiàn)10,000次后的電平包括再現(xiàn)10,000次后測得的I11H電平和I11L電平。
假設(shè)標(biāo)準(zhǔn)再現(xiàn)功率是0.4mW，那么0.6mW的再現(xiàn)功率就是標(biāo)準(zhǔn)再現(xiàn)功率的1.5倍，而0.75mW的再現(xiàn)功率是標(biāo)準(zhǔn)再現(xiàn)功率的1.9倍。
從以更嚴(yán)格的條件檢驗(yàn)變化的觀點(diǎn)出發(fā)來找出一種具有更高再現(xiàn)光耐久性的信息存儲介質(zhì)，用于測量的再現(xiàn)功率優(yōu)選地是標(biāo)準(zhǔn)再現(xiàn)功率的1.5倍，更優(yōu)選地是標(biāo)準(zhǔn)再現(xiàn)功率的1.9倍。
所述的染料H中，在標(biāo)準(zhǔn)再現(xiàn)功率下信號電平變化率增加1％多。所述的染料H中，(在標(biāo)準(zhǔn)再現(xiàn)功率下)可能的再現(xiàn)次數(shù)是3,000，達(dá)不到指定的100,000。
所述的染料H和E中，在功率為標(biāo)準(zhǔn)再現(xiàn)功率的1.5倍時信號電平變化率增加1％多。在其它染料(信號電平變化率不超過1％的染料)中，(在標(biāo)準(zhǔn)再現(xiàn)功率下)可能的再現(xiàn)次數(shù)可高達(dá)100,000次或更多。
所述的染料E，F(xiàn)和H中，在功率為標(biāo)準(zhǔn)再現(xiàn)功率的1.9倍時信號電平變化率增加1％多。在其它染料(信號電平變化率不超過1％的染料)中，(在標(biāo)準(zhǔn)再現(xiàn)功率下)可能的再現(xiàn)次數(shù)可高達(dá)100,000次或更多。
如上文所述，根據(jù)本實(shí)施例，已發(fā)現(xiàn)當(dāng)采用由某一有機(jī)染料構(gòu)成的記錄膜時，其中所述有機(jī)染料在每一功率下再現(xiàn)1,000次的再現(xiàn)信號電平變化率大于等于0.1％且小于等于1％，可得到100,000次的可能再現(xiàn)次數(shù)。
可能采用一種染料，其再現(xiàn)1,000次時低反射率部分的信號電平變化率與再現(xiàn)1,000次時高反射率部分的信號電平變化率之間的差異幾乎為零。當(dāng)采用此類信息存儲介質(zhì)時，即使當(dāng)再現(xiàn)信號電平改變時，也能保持調(diào)制度，并維持信號的S/N不變。
根據(jù)所述的信息存儲介質(zhì)的一個實(shí)施例，信息存儲介質(zhì)的反射率水平在記錄后增大。再現(xiàn)多次后，所述的信息存儲介質(zhì)的反射率水平增大。
用于記錄或再現(xiàn)的激光波長可以是450nm或更小。
采用了一種染料作為記錄膜的材料。該染料可以是兩個或更多種分子的混合物。
在描述本發(fā)明的某個實(shí)施例時，這些實(shí)施例僅作為例子，并不對本發(fā)明的范圍進(jìn)行限制。事實(shí)上，這里描述的新方法及系統(tǒng)可以其它各種形式來實(shí)現(xiàn)；此外，在不偏離本發(fā)明精神的前提下，這里描述的方法及系統(tǒng)的形式可有多種省略、替代以及改變。所附的權(quán)利要求及其等同物確定為涵蓋了在本發(fā)明范圍和精神之內(nèi)的這種形式或修改。例如，在所述的實(shí)施例中，采用所述的染料A到I作為范例，但本發(fā)明并不局限于此。即使特別采用了具有類似基本結(jié)構(gòu)和不同取代基的染料，以及含有不同中心金屬的染料，可能獲得滿足本發(fā)明的結(jié)果。此外，所述的染料可單獨(dú)使用，而當(dāng)幾種染料混合使用時則能得到最佳結(jié)果。
所述的實(shí)施例中，采用調(diào)制度、SbER及PRSNR作為要被評估的指數(shù)，但本發(fā)明并不局限于此?？刹捎萌绯鲥e率、抖動以及PI錯誤之類的信號評估指數(shù)獲得類似結(jié)果。
所述的實(shí)施例中，執(zhí)行記錄之后，L-H的記錄顯示了反射率的增加，但本發(fā)明并不局限于此。即使在一種以高到低記錄顯示在記錄后反射率會減小的信息存儲介質(zhì)的情況下，在實(shí)現(xiàn)可能再現(xiàn)次數(shù)達(dá)100,000次或更多的情況下對信號電平的改變進(jìn)行抑制也是很重要的。
所述的實(shí)施例中，使用的染料其最大吸收波長是405nm或更大，且該最大吸收波長有賴于記錄和再現(xiàn)激光的波長。當(dāng)激光波長變化時，最佳的最大吸收波長也相應(yīng)變化。在一種以高到低記錄在記錄后顯示出反射率減小的染料的情況下，最大吸收波長通常比記錄和再現(xiàn)激光的波長要小。
所述的實(shí)施例中，用于記錄的激光波長為405nm，數(shù)值孔徑是0.65，但本發(fā)明并不局限于此。更大的數(shù)值孔徑0.85，以及激光波長為例如650nm及251nm，具體地為200nm到680nm之內(nèi)，都是有效的。
所述的實(shí)施例中，采用通過粘合一層0.6mm厚的透明樹脂基底得到的結(jié)構(gòu)作為盤結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明并不局限于此。也可采用一種不同于聚碳酸酯的對記錄波長具有高透射比的材料。還可以在1.1mm厚的基底上形成一層反射膜及一層染料膜，再涂敷一層0.1mm厚的覆蓋層。
所述實(shí)施例中，采用只有一層記錄膜的結(jié)構(gòu)作為盤結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明并不局限于此。也可采用包含兩個或更多可記錄層的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種信息存儲介質(zhì)，包含一個具有同心圓形或螺旋形溝槽的基底以及形成于該基底上的一層記錄膜，所述信息存儲介質(zhì)的特征在于在預(yù)定功率下再現(xiàn)1,000次的信號電平變化率為大于等于0.1％且小于等于1％。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的信息存儲介質(zhì)，其特征在于所述預(yù)定功率是再現(xiàn)所需激光功率的1.5倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的信息存儲介質(zhì)，其特征在于所述預(yù)定功率是再現(xiàn)所需激光功率的1.9倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的信息存儲介質(zhì)，其特征在于再現(xiàn)1,000次的低反射率部分的信號電平變化率與再現(xiàn)1,000次的高反射率部分的信號電平變化率之間的差是0.5％或更低。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的信息存儲介質(zhì)，其特征在于所述的記錄膜是由一種在記錄后其反射率會增加的材料形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的信息存儲介質(zhì)，其特征在于所述的記錄膜是由一種在記錄1,000次后其反射率會增加的材料形成的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的信息存儲介質(zhì)，其特征在于采用一束波長為450nm或更小的激光束來記錄信息。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的信息存儲介質(zhì)，其特征在于所述的記錄膜包含一種染料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的信息存儲介質(zhì)，其特征在于所述的記錄膜包含一種由兩個或更多分子構(gòu)成的染料。
10.一種對記錄于信息存儲介質(zhì)上的信息進(jìn)行再現(xiàn)的方法，該介質(zhì)包含一個具有同心圓形或螺旋形溝槽的基底，以及形成在該基底上的一層記錄膜，其中在預(yù)定功率下再現(xiàn)1,000次的信號電平變化率為大于等于0.1％且小于等于1％，所述方法的特征在于包含步驟采用激光束照射所述的信息存儲介質(zhì)；以及根據(jù)入射激光束的反射光來再現(xiàn)信息。
11.一種在信息存儲介質(zhì)上記錄信息的方法，該介質(zhì)包含一個具有同心圓形或螺旋形溝槽的基底，以及形成在該基底上的一層記錄膜，其中在預(yù)定功率下再現(xiàn)1,000次的信號電平變化率為大于等于0.1％且小于等于1％，所述方法的特征在于包含步驟采用激光束照射所述的信息存儲介質(zhì)以記錄信息。
全文摘要
根據(jù)一個實(shí)施例，一種信息存儲介質(zhì)包含一個具有同心圓形或螺旋形溝槽的基底(10)以及形成于基底(10)上的一層記錄膜(12)，其中在預(yù)定功率下再現(xiàn)1,000次的信號電平變化率為大于等于0.1％且小于等于1％。
文檔編號G11B11/00GK1905031SQ200610099180
公開日2007年1月31日 申請日期2006年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月29日
發(fā)明者梅澤和代, 森田成二, 高澤孝次, 安東秀夫, 大寺泰章, 森下直樹 申請人:株式會社東芝