專利名稱：凹凸圖案形成方法、母盤、壓模及磁記錄介質的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種例如用于形成相當于磁記錄介質的伺服信息的凹凸圖案的凹凸圖案形成方法及利用該方法的母盤的制造方法、壓模的制造方法、磁記錄介質的制造方法。
背景技術：
以往，例如在半導體的制造領域中，用于形成所期望的凹凸圖案的公知的方法有首先在樹脂層支承材料上形成抗蝕材料的樹脂層，通過利用被稱為光刻的曝光及顯影的方法來將該樹脂層加工成凹凸圖案，并將該凹凸圖案的樹脂層作為掩模，對樹脂層支承材料進行蝕刻而加工成凹凸圖案。近年來，要求加工出包含寬度為幾百nm以下的凹部或凸部的微細凹凸圖案和間距為幾百nm以下的微細凹凸圖案。要將樹脂層加工成這樣的微細的凹凸圖案時，不能忽視用于曝光的光線波長的影響，所以有時進行曝光時使用電子束。
但問題是，使用電子束對各個制品進行曝光(描畫)的方法的生產效率很低。
針對這種情況，公知有使壓模接觸樹脂層而將樹脂層加工成凹凸圖案的、被稱為壓印的方法(例如，參照JP特開2003-100609號公報)。當轉印間距為幾百nm以下的微細凹凸圖案時，有時特別地被稱為納米壓印法。此外，若只是通過壓模的接觸來轉印凹凸圖案，則樹脂層殘留在凹部底部而露不出樹脂層支承材料，但是，通過以除去凹部底部的樹脂層的程度對樹脂層進行均勻的蝕刻，能夠使樹脂層支承材料從凹部底部露出，從而能夠只將對應于轉印形成的凹凸高度差的樹脂層作為凸部而殘留下來，并用作掩模。
壓印法相對使用電子束來對各個產品進行曝光的方法，能夠大幅度地提高生產效率。
可是，在硬盤等磁記錄介質領域中，由于以下說明的理由，也期望著利用這種凹凸圖案的形成方法來將記錄層加工成凹凸圖案。
磁記錄介質劃分為多個數(shù)據區(qū)域和多個伺服區(qū)域，用于磁頭的定位等的伺服信息記錄在伺服區(qū)域中。各個伺服區(qū)域劃分為多個方格狀區(qū)域，而伺服信息采用0以及1的任一信息以規(guī)定的規(guī)則二值記錄在這些區(qū)域中的結構。伺服信息例如由了用于時鐘同步的前文前同步信號部、表示伺服數(shù)據的開始的SAM部、表示磁道號軌道編號的磁道地址軌道地址信號部、表示扇區(qū)號扇區(qū)編號的扇區(qū)地址信號部、為了用于跟蹤磁頭的猝發(fā)脈沖串信號部等構成。這樣的伺服信息通常以伺服軌道寫入(ServoTrack Writing)方式記錄在磁記錄介質中。伺服信息的記錄工序是對每個磁記錄介質依次磁化伺服區(qū)域中方格狀的各個區(qū)域的工序，所以存在生產效率低的問題。特別是近幾年，由于面記錄密度的提高以及隨之而來的磁頭懸浮高度的降低，所以對伺服信息也要求高密度且高精度的記錄，從而對改善伺服信息記錄效率的要求也越來越高。
對此，提出有有將記錄層的伺服區(qū)域部分以伺服凹凸圖案來形成的方案，該伺服凹凸圖案中，用于記錄0以及1中的任意一方信息的方格狀區(qū)域為構成凹部的凹部單位區(qū)域，而用于記錄另一方信息的方格狀區(qū)域為構成凸部的凸部單位區(qū)域(例如，參照JP特開平6-195907號公報、JP特開平9-259426號公報)。對這樣以伺服凹凸圖案形成記錄層的伺服區(qū)域部分的磁記錄介質，通過均勻地施加直流磁場就能夠進行按照伺服信息圖案的磁化，因此能夠大幅度提高伺服信息的記錄效率。
此外，硬盤等磁記錄介質，通過對構成記錄層的磁性粒子的微細化、材料變更、磁頭加工的細微化等的改良，而實現(xiàn)了面記錄密度顯著提高，并且今后有望進一步提高面記錄密度，但是，磁頭的加工極限、由磁頭記錄磁場的擴散引起的向相鄰于記錄對象軌道的其他軌道上的錯誤的信息記錄、再現(xiàn)時的串擾等問題變得突出，并通過這些現(xiàn)有改良方法來提高面記錄密度已經到了極限，從而作為能夠實現(xiàn)面記錄密度的進一步提高的磁記錄介質的候補而提出有在數(shù)據區(qū)域以凹凸圖案來形成記錄層、且將記錄要素作為凹凸圖案的凸部來形成的離散軌道介質、以及晶格介質。當制造離散軌道介質和晶格介質時，為了將記錄要素作為凸部而形成在數(shù)據區(qū)域而設有加工記錄層的工序，而且在該工序中能夠同時將記錄層的伺服區(qū)域部分也加工成凹凸圖案，因此在生產效率方面是有利的。
為了將記錄層加工成相當于伺服信息和或軌道形狀的凹凸圖案，期望能夠利用如上所述的凹凸圖案的形成方法。此外，當將記錄層加工成凹凸圖案時，能夠在記錄層上直接形成樹脂層，但是也提出有這樣的方法，即根據記錄層的材質和蝕刻的種類等情況，在記錄層和樹脂層之間形成一層或多層的掩模層，并基于凹凸圖案的樹脂層依次蝕刻這些掩模層，從而將記錄層加工成凹凸圖案。
可是，與壓印法不同，在光記錄介質的領域中，為了在基板上形成凹坑、溝槽等的凹凸圖案而利用壓模。具體地說，在模具內配設壓模，并射出成型聚碳酸酯等樹脂材料，從而能夠獲得形成有用于傳達信息的溝槽等的凹凸圖案的基板。
光記錄介質用壓模的制造方法已被確立，在此簡單地說明其一例。首先，在玻璃等的基板上進行抗蝕材料樹脂層的成膜，并通過光刻法對樹脂層進行曝光及顯影而將其局部地除去，從而得到表面為凹凸圖案的母盤。接著，通過非電解電鍍法或蒸鍍法在母盤的表面形成導電膜。然后，將導電膜作為電極，通過電解電鍍法形成Ni(鎳)等的電解電鍍層，并從母盤將這些導電膜及電解電鍍層一體地剝離下來，從而得到壓模(例如，參照JP特開平5-205321號公報)。此外，這樣得到的壓模和母盤的凹凸位置關系是相反的，但是，將從母盤上一體地剝離下來的導電膜及電解電鍍層作為金屬母盤(MetalMaster)來使用，而從該金屬母盤通過電解電鍍法來制作壓模，則能夠得到和母盤的凹凸位置關系一致的壓模。還有，也可以重復進行電解電鍍法一次或多次，而從金屬母盤制作其它的金屬母盤。
確立在光記錄介質領域中的這樣的壓模制造方法，有望利用于制造半導體產品和磁記錄介質的壓模中。
但是，實際上，很難利用如上所述的凹凸圖案的形成方法來正確地形成相當于伺服信息的微細且復雜的凹凸圖案。
例如，很難通過光刻法將樹脂層正確地加工成相當于伺服信息的微細且復雜的凹凸圖案。特別是，軌道地址信號部為復雜的圖案，因此很難將樹脂層正確地加工成相當于軌道地址信號部的凹凸圖案。因此，有時不能將樹脂層下面的樹脂層支承材料加工成所期望的凹凸圖案。
另一方面，當進行壓印時，由于為了制作壓模而利用光刻法，因此，也很難以充分的精度制作具有相當于伺服信息的微細且復雜的凹凸圖案的轉印面的壓模。而且，即使能夠在壓模的轉印面上以充分的精度形成了凹凸圖案，有時也不能按照壓模的凹凸圖案正確地加工樹脂層。
還有，即使能夠按照所期望的凹凸圖案加工了樹脂層，但基于樹脂層來蝕刻樹脂層支承材料時，樹脂層的凹凸圖案有時也沒有正確地反映在樹脂層支承材料上。

發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于以上問題而提出的，其目的在于提供一種能夠以高精度形成相當于伺服信息的微細且復雜的凹凸圖案的凹凸圖案形成方法以及利用該方法的母盤的制造方法、壓模的制造方法、磁記錄介質的制造方法。
本發(fā)明通過下述方法達到上述目的將形成在樹脂層支承材料上的樹脂層加工成不正規(guī)凹凸圖案，并基于該樹脂層來蝕刻樹脂層支承材料，從而將該樹脂層支承材料加工成使上述不正規(guī)凹凸圖案接近于上述基本凹凸圖案的形狀的凹凸圖案，而且，上述不正規(guī)凹凸圖案相對規(guī)定的基本凹凸圖案，在該基本凹凸圖案的部分凹部上形成有分割用凸部，以使該基本凹凸圖案的至少一部分凹部分割。
此外，本發(fā)明通過下述方法達到上述目的將形成在樹脂層支承材料上的樹脂層加工成不正規(guī)凹凸圖案，并蝕刻上述樹脂層，從而將該樹脂層加工成使上述不正規(guī)凹凸圖案接近于上述基本凹凸圖案的形式的凹凸圖案，而且，上述不正規(guī)凹凸圖案相對規(guī)定的基本凹凸圖案，在該基本凹凸圖案的部分凹部形成有分割用凸部，以使該基本凹凸圖案的至少一部分凹部分割。
此外，本發(fā)明通過下述方法達到上述目的將形成在樹脂層支承材料上的樹脂層加工成包含突起部的不正規(guī)凹凸圖案，并基于該樹脂層來蝕刻上述樹脂層支承材料，從而將該樹脂層支承材料加工成使上述不正規(guī)凹凸圖案接近于上述基本凹凸圖案的形狀的凹凸圖案，其中，上述突起部是，相對所規(guī)定的基本凹凸圖案，向相鄰的凹部突出的凸部的角部的至少一部分比相當于該角部的基本凹凸圖案的角部更向相鄰的凹部側突出的部分。
此外，本發(fā)明通過下述方法達到上述目的將形成在樹脂層支承材料上的樹脂層加工成包含突起部的不正規(guī)凹凸圖案，并蝕刻上述樹脂層，從而將該樹脂層加工成使上述不正規(guī)凹凸圖案接近于上述基本凹凸圖案的形狀的凹凸圖案，其中，上述突起部是，相對所規(guī)定的基本凹凸圖案，向相鄰的凹部突出的凸部的角部的至少一部分比相當于該角部的基本凹凸圖案的角部更向相鄰的凹部側突出的部分。
在研究本發(fā)明的過程中，發(fā)明人努力研究很難以高精度形成微細且復雜的凹凸圖案的理由的結果，得到了共識如下幾個因素使加工精度降低的可能性高。
當通過光刻法將樹脂層加工成微細且復雜的凹凸圖案時，雖然將曝光劑量(Dose Amount)調節(jié)到合理的值是很重要的，但是，如果將其劑量調節(jié)到對包含在復雜的凹凸圖案中的各種寬度的凹部或凸部的一部分來說合理的值，那么對于其它的部分會變得劑量過大或不充分，從而無法將樹脂層正確地加工成所期望的凹凸圖案。
另外，通過壓印將樹脂層加工成凹凸圖案時，如果凹凸圖案中包含有各種寬度的凹部，那么進行壓印之后，根據凹部的寬度產生殘留在凹部底部的樹脂厚度參差不齊，如果凹部的寬度過寬，那么傾向于與其他的凹部相比更厚的樹脂殘留在底部。其原因認為大概如下。
如果使壓模與樹脂層接觸，那么由壓模的凸部擠出的樹脂流動到相鄰的壓模的凹部。如果樹脂層的凹部的寬度過寬、且對應的壓模的凸部的寬度過寬，那么由其被擠出的樹脂變得難以流動，因此在樹脂層的凹凸中的寬度過寬的凹部底部殘留較厚的樹脂。另外，如果樹脂層的凹部的寬度過寬、且壓模的凸部的寬度過寬，那么作用在與壓模的凸部接觸的部分的壓力變小，因此樹脂無法充分地進行塑性變形。因此，在樹脂層的整個區(qū)域上無法形成所期望的高度差。
進行壓印之后，對樹脂層進行均勻的蝕刻而除去凹部底部的樹脂層時，凹部側面的樹脂層也被除去而凹部的寬度稍微被擴大，但是，如果在這樣殘留在凹部底部的樹脂的厚度上存在差異，那么在凹部寬度的擴大程度上發(fā)生差異，從而部分凹部的寬度過寬地被擴大。更詳細地說，如果完全地除去底部的樹脂，那么傾向于除去凹部側面的樹脂的速度加快，因此，相對在寬度過寬、底部的樹脂厚的凹部，底部的樹脂相對遲一些被除去，與此相對，在其他的凹部，底部的樹脂層相對早一些被除去，從而除去側面樹脂的速度變快，因此有時寬度過寬地被擴大。所以，有時無法將樹脂層正確地加工成所期望的凹凸圖案。
此外，在對樹脂層進行蝕刻、或基于樹脂層來蝕刻樹脂層支承材料的工序中，樹脂層的凸部和掩模層等的凸部也局部地被除去，在這些凸部中，向相鄰的凹部突出的凸部的角部容易被除去，從而容易被加工成帶有弧度的形狀。因此，樹脂層下的樹脂層支承材料的凸部的角部也容易被加工成帶有弧度的形狀，因此有時無法將樹脂層支承材料或樹脂層加工成所期望的凹凸圖案。
對此，通過光刻法將樹脂層加工成基本凹凸圖案的至少一部分凹部被分割了的不正規(guī)凹凸圖案時，與基本凹凸圖案相比凹部寬度的范圍更受到限制，因此能夠將曝光的劑量調整到接近于對全區(qū)域來說合理的值的值，從而能夠將樹脂層以高精度加工成不正規(guī)凹凸圖案。另外，分割用凸部的寬度顯著地小于樹脂層的其他凸部，從而，當對樹脂層進行蝕刻、或者基于樹脂層而對樹脂層支承材料進行蝕刻時，樹脂層的分割用凸部與相當于其的掩模層等的凸部、樹脂層支承材料的凸部比其他的凸部更快速地被除去。因此，能夠將樹脂層支承材料或樹脂層加工成基本凹凸圖案或者使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的形狀的凹凸圖案。
此外，當通過光刻法將樹脂層加工成基本凹凸圖案的至少一部分凹部被分割了的不正規(guī)凹凸圖案時，因為凹部的寬度被抑制成小于基本凹凸圖案，所以在全區(qū)域內，殘留在凹部底部的樹脂層厚度均衡地變薄。因此，進行壓印之后，對樹脂層進行均勻的蝕刻而除去凹部底部的樹脂層時，能夠防止或充分地抑制凹部寬度的擴大。另外，在這種情況下，當對樹脂層進行均勻的蝕刻而除去凹部底部的樹脂層時、以及/或者基于該樹脂層對樹脂層支承材料進行蝕刻時，樹脂層的分割用凸部和與其相當?shù)难谀拥鹊耐共?、樹脂層支承材料的凸部比其他的凸部更快速地被除去。因此，能夠將樹脂層支承材料或樹脂層加工成基本凹凸圖案或接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。
此外，將樹脂層加工成包含突起部的不正規(guī)凹凸圖案之后，對樹脂層進行蝕刻、或者基于樹脂層對掩模層等和樹脂層支承材料進行蝕刻，那么樹脂層的角部的突起部和與其相當?shù)难谀拥耐共俊渲瑢又С胁牧系耐共康慕遣康耐黄鸩勘怀?，從而這些角部被加工成接近于與其相當?shù)幕景纪箞D案的角部的形狀，所以能夠將樹脂層支承材料或樹脂層加工成基本凹凸圖案或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案，其中，上述突起部是，相對基本凹凸圖案，向相鄰的凹部突出的凸部的角部至少一部分與相當于該角部的基本凹凸圖案的角部相比更向相鄰的凹部側突出的部分。
即，通過如下的發(fā)明，能夠達成上述目的。
(1)、一種凹凸圖案形成方法，其特征在于，包括不正規(guī)凹凸圖案形成工序，將形成在樹脂層支承材料上的樹脂層加工成不正規(guī)凹凸圖案，該不正規(guī)凹凸圖案是相對于規(guī)定的基本凹凸圖案，在該基本凹凸圖案的凹部的一部分形成有分割用凸部而使該基本凹凸圖案的凹部的至少一部分被分割；樹脂層支承材料蝕刻工序，基于該樹脂層對上述樹脂層支承材料進行蝕刻，從而將該樹脂層支承材料加工成使上述不正規(guī)凹凸圖案接近于上述基本凹凸圖案的形狀的凹凸圖案(2)、如上述(1)所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，在上述不正規(guī)凹凸圖案形成工序和上述樹脂層支承材料蝕刻工序之間設置有樹脂層蝕刻工序，該樹脂層蝕刻工序是對上述樹脂層進行蝕刻而選擇性地除去該樹脂層的凸部中的上述分割用凸部。
(3)、如上述(1)或(2)所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，在上述樹脂層支承材料和上述樹脂層之間形成在上述樹脂層支承材料蝕刻工序中作為掩模而發(fā)揮功能的掩模層，并且，在上述不正規(guī)凹凸圖案形成工序和上述樹脂層支承材料蝕刻工序之間，設置有除去上述樹脂層的分割用凸部的同時，基于該樹脂層來對上述掩模層進行蝕刻的掩模層蝕刻工序。
(4)、如上述(1)～(3)中任意一項所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，上述基本凹凸圖案是將被劃分為方格狀的多個區(qū)域按規(guī)定的規(guī)則、以二值指定為構成凹部的凹部單位區(qū)域以及構成凸部的凸部單位區(qū)域中的任意一種而成的凹凸圖案，而且，在上述不正規(guī)凹凸圖案形成工序中，將上述樹脂層加工成不正規(guī)凹凸圖案，該不正規(guī)凹凸圖案是在上述凹部單位區(qū)域中連續(xù)的至少兩個凹部單位區(qū)域的邊界附近形成上述分割用凸部，從而形成了被分割成該連續(xù)的凹部單位區(qū)域的凹部。
(5)、如上述(1)～(4)中的任意一項所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，在上述樹脂層支承材料蝕刻工序中，以在上述分割用凸部的下面形成連續(xù)的凹部的方式對樹脂層支承材料進行蝕刻。
(6)、一種凹凸圖案形成方法，其特征在于，包括不正規(guī)凹凸圖案形成工序，將形成在樹脂層支承材料上的樹脂層加工成不正規(guī)凹凸圖案，該不正規(guī)凹凸圖案是相對于規(guī)定的基本凹凸圖案，在該基本凹凸圖案的凹部的一部分上形成有分割用凸部而使該基本凹凸圖案的凹部的至少一部分被分割；樹脂層蝕刻工序，對上述樹脂層進行蝕刻，從而將該樹脂層加工成使上述不正規(guī)凹凸圖案接近于上述基本凹凸圖案的形狀的凹凸圖案。
(7)、如上述(6)所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，在上述樹脂層蝕刻工序中，以選擇性地除去該樹脂層的凸部中的上述分割用凸部的方式對上述樹脂層進行蝕刻。
(8)、如上述(1)～(7)中的任意一項所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，在上述不正規(guī)凹凸圖案形成工序中，將上述樹脂層加工成包含突起部的不正規(guī)凹凸圖案，該突起部是相對于上述基本凹凸圖案，向相鄰的凹部突出的凸部的角部的至少一部分相比于與該角部相當?shù)纳鲜龌景纪箞D案的角部更向相鄰的凹部側突出。
(9)、一種凹凸圖案形成方法，其特征在于，包括不正規(guī)凹凸圖案形成工序，將形成在樹脂層支承材料上的樹脂層加工成包含突起部的不正規(guī)凹凸圖案，該突起部是相對于規(guī)定的基本凹凸圖案，向相鄰的凹部突出的凸部的角部的至少一部分相比于與該角部相當?shù)纳鲜龌景纪箞D案的角部更向相鄰的凹部側突出；樹脂層支承材料蝕刻工序，基于該樹脂層對上述樹脂層支承材料進行蝕刻，從而將該樹脂層支承材料加工成使上述不正規(guī)凹凸圖案接近于上述基本凹凸圖案的形狀的凹凸圖案。
(10)、一種凹凸圖案形成方法，其特征在于，包括不正規(guī)凹凸圖案形成工序，將形成在樹脂層支承材料上的樹脂層加工成包含突起部的不正規(guī)凹凸圖案，該突起部是相對于規(guī)定的基本凹凸圖案，向相鄰的凹部突出的凸部的角部的至少一部分相比于與該角部相當?shù)纳鲜龌景纪箞D案的角部更向相鄰的凹部側突出；樹脂層蝕刻工序，對上述樹脂層進行蝕刻，從而將該樹脂層加工成使上述不正規(guī)凹凸圖案接近于上述基本凹凸圖案的形狀的凹凸圖案。
(11)、如上述(1)～(10)中的任意一項所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，在上述不正規(guī)凹凸圖案形成工序中，利用壓模，通過壓印法將上述樹脂層加工成上述不正規(guī)凹凸圖案。
(12)、如上述(1)～(10)中的任意一項所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，作為上述樹脂層的材料而采用抗蝕材料，在上述不正規(guī)凹凸圖案形成工序中，通過曝光以及顯影將上述樹脂層加工成上述不正規(guī)凹凸圖案。
(13)、一種磁記錄介質的制造方法，其特征在于，利用上述(1)～(12)中的任意一項所述的凹凸圖案形成方法，來制造具有凹凸圖案的記錄層的磁記錄介質。
(14)、如上述(13)所述的磁記錄介質的制造方法，其特征在于，上述磁記錄介質是如下的磁記錄介質被劃分為多個數(shù)據區(qū)域和多個伺服區(qū)域，上述各伺服區(qū)域進一步被劃分為多個方格狀的區(qū)域，在這些方格狀的各區(qū)域中，0以及1中任意一方的信息按規(guī)定的規(guī)則以二值記錄在上述記錄層上而被使用，為了將上述記錄層的上述伺服區(qū)域的部分加工成如下的凹凸圖案，而利用上述(1)～(12)中任意一項所述的凹凸圖案形成方法，該凹凸圖案是在上述方格狀的區(qū)域中，用于記錄上述0以及1的信息中的任意一方的信息的方格狀區(qū)域為凹部，而用于記錄另一方的信息的方格狀的區(qū)域為凸部。
(15)、如上述(14)所述的磁記錄介質的制造方法，其特征在于，在上述不正規(guī)凹凸圖案形成工序中，將上述樹脂層加工成不正規(guī)凹凸圖案，該不正規(guī)凹凸圖案是在上述方格狀的區(qū)域中的凹部，且在與沿上述磁記錄介質的徑向連續(xù)的至少兩個方格狀區(qū)域的邊界附近相當?shù)牟糠中纬煞指钣猛共?，從而形成沿徑向被分割成與該連續(xù)的方格狀區(qū)域相當?shù)牟糠值陌疾俊?br> (16)、一種母盤的制造方法，其特征在于，利用上述(1)～(12)中任意一項所述的凹凸圖案形成方法，來制造用于轉印凹凸圖案的母盤。
(17)、如上述(16)所述的母盤的制造方法，其特征在于，上述母盤的凹凸圖案是與磁記錄介質的記錄層的凹凸圖案相當?shù)陌纪箞D案，該磁記錄介質被劃分為多個數(shù)據區(qū)域和多個伺服區(qū)域，上述各伺服區(qū)域進一步被劃分為多個方格狀的區(qū)域，在這些方格狀的各區(qū)域中，0以及1中任意一方的信息按規(guī)定的規(guī)則以二值記錄在上述記錄層上而被使用，并且，該記錄層的上述伺服區(qū)域的部分，是由上述方格狀區(qū)域中記錄上述0以及1中的任意一方信息的區(qū)域為凹部、而記錄另一方信息的區(qū)域為凸部的凹凸圖案形成的，上述基本凹凸圖案是如下的凹凸圖案上述記錄層的伺服區(qū)域的部分的方格狀區(qū)域中，與記錄上述0以及1中的任意一方信息的方格狀區(qū)域相當?shù)牟糠譃榘疾繂挝粎^(qū)域，與記錄另一方信息的方格狀區(qū)域相當?shù)牟糠譃橥共繂挝粎^(qū)域，在上述不正規(guī)凹凸圖案形成工序中，將該樹脂層加工成不正規(guī)凹凸圖案，該不正規(guī)凹凸圖案是相對于上述基本凹凸圖案，在上述凹部單位區(qū)域中連續(xù)的至少兩個凹部單位區(qū)域的邊界附近形成上述分割用凸部，從而形成了被分割成該連續(xù)的凹部單位區(qū)域的凹部。
(18)、如上述(17)所述的母盤的制造方法，其特征在于，上述不正規(guī)凹凸圖案是如下的凹凸圖案在上述基本凹凸圖案的上述凹部單位區(qū)域中，在沿上述磁記錄介質的徑向連續(xù)的至少兩個凹部單位區(qū)域的邊界附近形成有上述分割用凸部，從而形成了沿上述徑向被分割成該連續(xù)的凹部單位區(qū)域的凹部。
(19)、一種壓模的制造方法，其特征在于，包括在通過上述(18)所述的母盤的制造方法而制造的母盤上，利用電解電鍍法來形成電解電鍍層的電解電鍍工序。
(20)、如上述(19)所述的壓模制造方法，其特征在于，設置有將上述電解電鍍工序作為第一電解電鍍工序而在該第一電解電鍍工序之后，從上述母盤將包含上述電解電鍍層的金屬母盤剝離下來的剝離工序；通過電解電鍍法，在該金屬母盤上形成壓模以及其他金屬母盤中的任意一種的第二電解電鍍工序。
(21)、一種磁記錄介質的制造方法，其特征在于，包括利用通過上述(19)或(20)所述的壓模的制造方法而制造的壓模，轉印與記錄層的凹凸圖案相當?shù)陌纪箞D案的工序。
此外，在本申請中，所謂“將加工樹脂層支承材料加工成凹凸圖案”的含意為除了以只在凸部殘留有樹脂層支承材料的方式分割樹脂層支承材料的情況以外，還包括將加工樹脂層支承材料加工成凸部的彼此局部連續(xù)的形狀的情況、在厚度方向局部地除去樹脂層支承材料而將樹脂層支承材料加工成具有凹部和凸部雙方的連續(xù)膜的形狀的情況。
另外，在本申請中，所謂“使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的形狀的凹凸圖案”的含義為同基本凹凸圖案的不同部分更少于同不正規(guī)凹凸圖案的不同部分的凹凸圖案。
此外，在本申請中，所謂「基于樹脂層對樹脂層支承材料進行蝕刻」的含意為除了將直接形成在樹脂層支承材料上的凹凸圖案的樹脂層作為掩模來對樹脂層支承材料進行蝕刻的情況以外，還包括在樹脂層支承材料和樹脂層之間形成掩模層等1層或多層的其他層，并基于凹凸圖案的樹脂層來依次對這些層進行蝕刻的情況。
另外，在本申請中，所謂「0以及1的信息」的含意為該兩種信息以通過被磁化附加的信息和通過未被磁化附加的信息的方式二值記錄到記錄層上，從而被賦予了通過磁頭能夠二值識別的不同的磁特性。
此外，在本申請中，所謂「磁記錄介質」用語，并不僅限于在信息的記錄、讀取中只利用磁的硬盤、軟(Floppy(注冊商標))盤、磁帶等，也包含并用磁和光的MO(Magneto Optical磁光)等的磁光記錄介質、并用磁和熱的熱輔助(Thermal Assist)型的記錄介質。
通過本發(fā)明，能夠以高精度形成相當于伺服信息的微細且復雜的凹凸圖案。


圖1是示意性地表示本發(fā)明的第一實施方式中的磁記錄介質的構造的俯視圖。
圖2是示意性地表示上述磁記錄介質的伺服區(qū)域的放大俯視圖。
圖3是示意性地表示相當于上述伺服區(qū)域的軌道地址部的基本凹凸圖案的放大俯視圖。
圖4是示意性地表示相當于上述軌道地址部的基本凹凸圖案的再放大俯視圖。
圖5是示意性地表示上述磁記錄介質的構造的側面剖面圖。
圖6是示意性地表示上述磁記錄介質的制造工序的概要流程圖。
圖7是示意性地表示用于上述磁記錄介質的制造的壓模的構造及其制作工序的側面剖面圖。
圖8是示意性地表示上述壓模的轉印面的凹凸圖案的俯視圖。
圖9是示意性地表示利用上述壓模向被加工體的樹脂層的壓印工序的側面剖面圖。
圖10是示意性地表示轉印在上述樹脂層上的不正規(guī)凹凸圖案的俯視圖。
圖11是示意性地表示除去了分割用凸部及凹部底部的樹脂層的上述被加工體的側面剖面圖。
圖12是示意性地表示記錄層被加工成凹凸圖案的上述被加工體的側面剖面圖。
圖13是示意性地表示轉印在本發(fā)明的第二實施方式中的樹脂層上的不正規(guī)凹凸圖案的俯視圖。
圖14是示意性地表示本發(fā)明的第三實施方式中的壓模的構造的側面剖面圖。
圖15是示意性地表示上述壓模轉印面的凹凸圖案的俯視圖。
圖16是表示上述壓模的制造工序的概要流程圖。
圖17是示意性地表示在上述壓模制造工序中制作的母盤的構造的側面剖面圖。
圖18是示意性地表示上述母盤的加工坯體的構造的側面剖面圖。
圖19是示意性地表示上述母盤的樹脂層的基本凹凸圖案的俯視圖。
圖20是示意性地表示上述樹脂層的不正規(guī)凹凸圖案的俯視圖。
圖21是示意性地表示上述樹脂層被加工成凹凸圖案的狀態(tài)的側面剖面圖。
圖22是示意性地表示掩模層被加工成凹凸圖案的狀態(tài)的側面剖面圖。
圖23是示意性地表示成膜有導電膜以及電解電鍍層的母盤的側面剖面圖。
圖24是表示上述磁記錄介質的制造工序的概要流程圖。
圖25是示意性地表示利用上述壓模的壓印工序的側面剖面圖。
圖26是示意性地表示本發(fā)明的第四實施方式中的壓模的母盤構造的側面剖面圖。
圖27是表示上述壓模的制造工序的概要流程圖。
圖28是示意性地表示本發(fā)明的第五實施方式以及第六實施方式中的母盤的樹脂層上的不正規(guī)凹凸圖案的俯視圖。
圖29是表示本發(fā)明的第七實施方式中的磁記錄介質的制造工序的概要流程圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
本發(fā)明的第一實施方式是涉及一種磁記錄介質10的制造方法，如圖1以及圖2所示，該磁記錄介質10劃分為多個數(shù)據區(qū)域DA和多個伺服區(qū)域SA，各個伺服區(qū)域SA進一步劃分為多個方格狀區(qū)域，并在這些方格狀的各個區(qū)域中的記錄層12上，以規(guī)定的規(guī)則二值記錄0以及1中的任意一方的信息來使用，而且，包括將記錄層12的伺服區(qū)域SA部分加工成如圖3以及圖4所示的基本凹凸圖案或接近于該基本凹凸圖案的凹凸圖案的工序，其中，在上述基本凹凸圖案或接近于該基本凹凸圖案的凹凸圖案中，用于記錄0以及1的信息中的任意一方的信息的方格狀區(qū)域為凹部單位區(qū)域CU、而用于記錄另一方信息的方格狀區(qū)域為凸部單位區(qū)域PU。另外，在圖2～圖4中的符號Dc表示磁記錄介質10的圓周方向，符號Dr表示徑向。另外，在圖3以及圖4中，實施了剖面線的方格狀區(qū)域是凸部單位區(qū)域PU，而其他的方格狀區(qū)域是凹部單位區(qū)域CU。
為了便于理解本發(fā)明的第一實施方式，首先對磁記錄介質10的結構進行簡單的說明。
磁記錄介質10為圓盤狀的垂直記錄型離散軌道介質，記錄層12的數(shù)據區(qū)域DA部分分割為同心的圓弧形狀，如圖2所示，沿構成軌道的圓周方向Dc上長的多個記錄要素14，在徑向Dr以規(guī)定的軌道間距、作為凸部而形成。
另外，記錄層12的伺服區(qū)域SA部分是以上述基本凹凸圖案來形成的，而且，如圖2所示，以該基本凹凸圖案構成的伺服信息由用于時鐘同步的前同步信號部16、表示伺服數(shù)據的開始的SAM(Servo AddressMark伺服地址標記)部18、表示軌道編號的軌道地址信號部20、表示扇區(qū)編號的扇區(qū)地址信號部22以及用于檢測在數(shù)據區(qū)域DA的各記錄要素14(軌道)上的磁頭位置的脈沖串信號部24構成。圖3和圖4是放大表示相當于在基本凹凸圖案中的軌道地址信號部20的局部的圖。另外，為了便于說明，圖2是以沿徑向Dr平行的線狀表示伺服區(qū)域SA的記錄層12的凸部形狀，但是，如圖3以及圖4所示，記錄層12的凸部實際上在圓周方向Dc上也具有寬度。
記錄層12的厚度為5～30nm，如圖5所示，形成在基板26的上面。作為記錄層12的材料，可以采用CoCrPt合金等的CoCr類合金、FePt類合金、以及它們的層疊體、使CoPt等強磁性粒子以矩陣狀包含在SiO2等氧化物類材料中的材料等。另外，作為基板26的材料，可以采用玻璃、以NiP覆蓋了的Al合金、Si、Al2O3等填充材料。
在數(shù)據區(qū)域DA的記錄要素14之間的凹部、和伺服區(qū)域SA的記錄層12的凸部之間的凹部，填充有填充材料28。作為填充材料28的材料，可以采用SiO2、Al2O3、TiO2、鐵氧體等氧化物、AlN等氮化物、SiC等碳化物等的非磁性材料。
記錄層12以及填充材料28的上面依次形成有保護層30、潤滑層32。保護層30的厚度為1～5nm。作為保護層30的材料，可以采用例如被稱為類金剛石碳的硬質碳膜等。另外，潤滑層32的厚度為1～2nm。作為潤滑層32的材料，可以采用PFPE(全氟聚醚)等氟類潤滑劑。
此外，在基板26和記錄層12之間，形成有反鐵磁性層34、軟磁性層36、用于對記錄層12付與厚度方向(垂直于表面的方向)的磁各向異性的定向層38。反鐵磁性層34的厚度為5～50nm。作為反鐵磁性層34的材料，可以采用PtMn合金、RuMn合金等。軟磁性層36的厚度為50～300nm。作為軟磁性層36的材料，可以采用Fe(鐵)合金、Co(鈷)非晶合金、鐵氧體等。定向層38的厚度為2～40nm。作為定向層38的具體的材料，可以采用非磁性的CoCr合金、Ti、Ru和Ta的層疊體、MgO等。
下面，按照圖6所示的流程圖，對磁記錄介質10的制造方法進行說明。
首先，如圖7所示，首先制作壓模40，該壓模40具有用于將記錄層12加工成上述基本凹凸圖案的、凹凸形狀的轉印面40A。具體地說，首先在Si、玻璃等基板42上涂敷正性抗蝕材料44，并通過光刻法用電子束等進行曝光而描畫上述抗蝕材料44，然后通過顯影除去被曝光部分，從而制作母盤46(S102)。這時，以利用上述基本凹凸圖案的部分凹部為分割用凸部而使該基本凹凸圖案的凹部被分割的不正規(guī)凹凸圖案來對該不正規(guī)凹凸圖案的凹部進行曝光的方式，描畫抗蝕材料44的伺服區(qū)域SA部分的至少一部分。另外，優(yōu)選地，利用在凹部單位區(qū)域CU中的沿徑向Dr連續(xù)的凹部單位區(qū)域CU的邊界附近形成有分割用凸部而在該連續(xù)的凹部單位區(qū)域CU中形成有沿徑向Dr分割了的凹部的不正規(guī)凹凸圖案，對抗蝕材料44進行曝光。這樣，利用基本凹凸圖案的凹部被分割了的不正規(guī)凹凸圖案，來對該不正規(guī)凹凸圖案的凹部進行曝光，而與利用基本凹凸圖案來進行曝光的情況相比曝光部的寬度的范圍受到限制，從而能夠將曝光的劑量調整到接近于對全區(qū)域來說合理的值的值，因此，能夠將抗蝕材料44以高精度加工成不正規(guī)凹凸圖案。
下面，通過蒸鍍法、非電解電鍍法等，在該母盤46的抗蝕材料44上進行導電膜(省略圖示)的成膜之后，將導電膜作為電極，通過電解電鍍法來形成Ni(鎳)等的電解電鍍層，并通過將這些導電膜以及電解電鍍層從母盤一體地剝離下來，從而制作如圖7以及圖8所示的、具有與母盤46的凹凸圖案凹凸位置關系相反的凹凸圖案的轉印面40A的壓模40(S104)。另外，在圖8中，實施了剖面線的部分是凸部，而其他部分是凹部。在作為壓模40的轉印面40A的伺服區(qū)域SA部分上，相對與基本凹凸圖案凹凸位置關系相反的、凹部單位區(qū)域CU為凸部且凸部單位區(qū)域PU為凹部的凹凸圖案，形成該凸部被分割了的凹凸圖案。另外，凹部單位區(qū)域CU以及凸部單位區(qū)域PU是將在記錄層12上想要形成的凹凸圖案的凹凸為基準的稱呼，因此，對于壓模40的凹凸圖案，凹凸是相反的，但是，為了便于對壓模40的凹凸圖案和記錄層12的凹凸圖案進行對比，在圖8上，將在壓模40中相當于記錄層12的凹部單位區(qū)域CU的區(qū)域用符號CU來表示，而將相當于記錄層12的凸部單位區(qū)域PU的區(qū)域用符號PU來表示。
下面，準備在基板26上依次形成有反鐵磁性層34、軟磁性層36、定向層38、(未加工的連續(xù)的)記錄層(樹脂層支承材料)12、第一掩模層48、第二掩模層50、樹脂層52的、如圖9所示的被加工體54，并使壓模40接觸樹脂層52而將轉印面40A的凹凸圖案轉印到樹脂層52上。在樹脂層52的伺服區(qū)域SA部分中上，形成如圖10所示的包含不正規(guī)凹凸圖案的凹凸圖案(S106)，其中，上述不正規(guī)凹凸圖案對于基本凹凸圖案，在基本凹凸圖案的部分凹部上形成有分割用凸部52A而使基本凹凸圖案的凹部分割。作為第一掩模層48的材料，可以采用例如C(碳素)，而作為第二掩模層50的材料，可以采用例如Ni。另外，作為樹脂層52的材料，可以采用抗蝕材料等。另外，在圖10中，實施了剖面線的部分是凸部，而其他部分是凹部。因為壓模40的轉印面40A的凸部的寬度抑制得較小，所以殘留在凹部底部的樹脂層52的厚度在全區(qū)域中均勻且薄。
下面，如圖11所示，選擇性地除去樹脂層52的凸部中的分割用凸部52A，并且，以可除去在樹脂層52上構成凹部底部的部分的程度，通過利用O2或O3氣體的反應性離子蝕刻來對樹脂層52進行均勻的蝕刻，從而使第二掩模層50露出(S108)。分割用凸部52A與樹脂層52的其他凸部相比，寬度更窄且可在短時間內除去。另外，殘留在凹部底部的樹脂層52的厚度在全區(qū)域中均勻，所以，在全區(qū)域中，能夠用大體均一的時間來除去構成樹脂層52的凹部底部的部分，從而能夠防止或充分抑制發(fā)生凹部寬度的參差不齊的情況。因此，樹脂層52的伺服區(qū)域SA部分被加工成如圖3以及圖4所示的基本凹凸圖案或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的形狀的凹凸圖案。
下面，通過利用了Ar氣體的離子束蝕刻，將樹脂層52作為掩模來對第二掩模層50進行蝕刻(S110)，并通過利用了SF6氣體的反應性離子蝕刻來除去凹部底部的第一掩模層48(S112)，進而，通過利用Ar氣體的離子束蝕刻來除去凹部底部的記錄層12(S114)，從將記錄層12加工成如圖12所示的凹凸圖案。在記錄層12的伺服區(qū)域SA部分的分割用凸部52A下面形成有連續(xù)的凹部，而被加工成如上述圖3以及圖4所示的基本凹凸圖案或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的形狀的凹凸圖案。
下面，通過偏壓濺射法來將填充材料28成膜在記錄層12上而填充凹部(S116)，進而通過離子束蝕刻，對記錄層12的表面從傾斜的方向照射Ar氣體，而除去剩余的填充材料28，從而使表面變得平坦(S118)。
下面，通過CVD法在記錄層12以及填充層28的上面進行保護膜30的成膜(S120)，進而，通過浸漬法在保護層30上進行潤滑層32的成膜(S122)。由此，完成磁記錄介質10的加工。
這樣，將樹脂層52加工成不正規(guī)凹凸圖案，該不正規(guī)凹凸圖案相對基本凹凸圖案，在該基本凹凸圖案的部分凹部上形成有分割用凸部52A而使基本凹凸圖案的凹部分割，然后對樹脂層52進行蝕刻而選擇性的除去樹脂層52的凸部中的分割用凸部52A，并基于該樹脂層52來依次對第二掩模層50、第一掩模層48、記錄層12進行蝕刻，從而能夠將記錄層12加工成基本凹凸圖案或接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。
因為磁記錄介質10的記錄層12的伺服區(qū)域SA部分是以反映了伺服信息的基本凹凸圖案來形成的，所以，通過施加直流磁場，能夠高效率且可靠地記錄伺服信息。更加詳細地說，通過以垂直于表面的方向上的規(guī)定方向磁化伺服區(qū)域SA的各個凸部，來記錄0以及1中的任意一方的信息，而通過沒有磁化各個凹部，來記錄另一方的信息。
此外，在對記錄層12的蝕刻工序(S114)之前，有可能沒有完全地除去樹脂層52的分割用凸部52A和與其相當?shù)牡诙谀?0、第一掩模層48的凸部一部分，從而使記錄層12加工成在相當于基本凹凸圖案的凹部的部分一部分上形成有若干凸部的凹凸圖案，但是，只要在連續(xù)的凹部單位區(qū)域CU的邊界附近形成分割用凸部52A，則記錄層12的凹部成為各個凹部單位區(qū)域CU都被分割的形狀，因此，磁頭可輕易地識別各個凹部單位區(qū)域。另外，對于磁記錄介質10，磁頭是相對沿圓周方向Dc懸浮移動，因此，若在沿徑向Dr連續(xù)的凹部單位區(qū)域CU的邊界附近形成有凸部，則對伺服信號的讀取的影響很小。換句話說，優(yōu)選將樹脂層52加工成不正規(guī)凹凸圖案，該不正規(guī)凹凸圖案相對基本凹凸圖案，使該基本凹凸圖案的凹部沿徑向Dr分割。
下面，說明本發(fā)明的第二實施方式。
本發(fā)明的第二實施方式，其特征在于，相對上述第一實施方式，在不正規(guī)凹凸圖案形成工序(S106)中，將樹脂層52加工成包含突起部52B的不正規(guī)凹凸圖案，其中，上述突起部52B是，相對基本凹凸圖案，如圖13所示，向相鄰的凹部突出的凸部的角部與相當于該角部的基本凹凸圖案的角部相比更向相鄰的凹部側突出的部分。
通過將樹脂層52加工成這樣的不正規(guī)凹凸圖案，而在樹脂層蝕刻工序(S108)和第二掩模層蝕刻工序(S110)、第一掩模層蝕刻工序(S112)中，除去樹脂層52的突起部52B和與其相當?shù)牡诙谀?0、第一掩模層48的凸部的角部的突起部，從而加工成接近相當于這些角部的基本凹凸圖案的角部的形狀。即，將樹脂層52和第二掩模層50、第一掩模層48加工成基本凹凸圖案或接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案?；谶@樣的樹脂層52、第二掩模層50、第一掩模層48來對記錄層12進行蝕刻，從而能夠將記錄層12加工成基本凹凸圖案或接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。為了提高記錄層12的加工精度，突起部52B的內角優(yōu)選為銳角。
下面，說明本發(fā)明的第三實施方式。
本發(fā)明的第三實施方式涉及一種如圖17所示的母盤140的制造方法、利用該方法來制造具有如圖14以及圖15所示的凹凸圖案的轉印面110A的壓模110的方法、以及利用壓模110來制造如上述圖1以及圖2所示的磁記錄介質10的方法。
按照圖16所示的流程圖，對壓模110的制造方法進行說明。
首先，制作如圖17所示的母盤140。母盤140的結構為，具有一面加工成凹凸圖案的基板142、形成在基板142的凸部上的掩模層143?；?42的材料為Si，而掩模層143的材料為Ni。
首先，對兩面平坦的未加工的基板(樹脂層支承材料)142進行清洗，并在該基板142的一面上通過偏壓濺射等以均勻的厚度進行掩模層143的成膜，進而，形成貼緊材料的薄膜(省略圖示)之后，通過旋涂法成膜樹脂層144，從而制作如圖18所示的母盤加工坯體145(S502)。樹脂層144的材料為正性抗蝕材料。進而，通過烘烤蒸發(fā)干燥樹脂層144中的溶劑，并檢查樹脂層144的膜厚及缺陷。
下面，對樹脂層144照射激光光線或電子束，而以利用相當于如圖20所示的不正規(guī)凹凸圖案的曝光圖案來對該不正規(guī)凹凸圖案的凹部進行曝光的方式進行描畫，其中，上述不正規(guī)凹凸圖案相對相當于壓模110轉印面110A的凹凸圖案的、如圖19所示的基本凹凸圖案，在該基本凹凸圖案的部分凹部上形成有分割用凸部144A而使該基本凹凸圖案的凹部的至少一部分分割(S504)。另外，在圖19以及圖20中，實施了剖面線的是凸部，而其他部分是凹部。
基本凹凸圖案是這樣一種凹凸圖案，即，在記錄層12的伺服區(qū)域部分的方格狀區(qū)域中，相當于記錄上述0以及1中的任意一方信息的方格狀區(qū)域的區(qū)域為凹部單位區(qū)域CU，而相當于記錄另一方信息的方格狀區(qū)域的區(qū)域為凸部單位區(qū)域PU。
另一方面，不正規(guī)凹凸圖案是這樣一種凹凸圖案，即，相對該基本凹凸圖案，在凹部單位區(qū)域CU中連續(xù)的至少2個凹部單位區(qū)域CU的邊界附近配置有分割用凸部144A，而使該連續(xù)的凹部單位區(qū)域CU的凹部分割。另外，不正規(guī)凹凸圖案優(yōu)選為這樣一種凹凸圖案，即，在凹部單位區(qū)域CU中沿徑向Dr連續(xù)的至少2個凹部單位區(qū)域CU的邊界附近形成有分割用凸部144A，而使該連續(xù)的凹部單位區(qū)域CU的凹部沿徑向Dr分割。
下面，通過顯影除去樹脂層144的曝光部而加工成如上述圖20所示的不正規(guī)凹凸圖案(S506)。對在樹脂層144上的相當于使基本凹凸圖案的至少一部分凹部分割了的不正規(guī)凹凸圖案的凹部的部分進行曝光，從而使曝光部的寬度的范圍與對相當于基本凹凸圖案的凹部的部分進行曝光的情況相比更受到限制，因此，能夠將曝光劑量調整到接近對全區(qū)域來說合理的值的值，能夠將樹脂層144以高精度加工成如上述圖20以及圖21所示的不正規(guī)凹凸圖案。
下面，通過利用Ar氣體而作為加工用氣體的離子束蝕刻，來對掩模層143進行蝕刻(S508)。這時，樹脂層144的凸部也被蝕刻，由于分割用凸部144A與樹脂層144的其他凸部相比寬度明顯地小，從而比其他凸部更快地被除去，因此，樹脂層144被蝕刻成在相當于分割用凸部144A的部分形成有連續(xù)的凹部。即，將樹脂層144加工成基本凹凸圖案或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。因此，如圖22所示，掩模層143也被加工成基本凹凸圖案或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。另外，加工了掩模層143之后，通過利用O2或O3而作為反應氣體的反應性離子蝕刻，來除去凸部上的樹脂層144。
下面，通過利用氟類氣體而作為反應氣體的反應性離子蝕刻，來對基板142進行蝕刻，而將基板142加工成基本凹凸圖案、或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案(S510)。由此，得到上述圖17所示的母盤140。
下面，如圖23所示，通過蒸鍍法、非電解電鍍法等，在母盤140的表面上進行導電膜148的成膜(S512)，并通過電解電鍍法在導電膜148的上面進行電解電鍍層150的成膜(S514)。具體地說，將形成有導電膜148的母盤140浸漬于氨基磺酸鎳溶液中，并將導電膜148作為電極而進行通電而使鎳的膜形成，從而進行電解電鍍層150的成膜。將這些導電膜148以及電解電鍍層150從母盤140一體地剝離下來。另外，在剝離下來的導電膜148以及電解電鍍層150上，有時附著有樹脂層144，因此用有機溶劑除去樹脂層144，并根據需要沖切掉導電膜148以及電解電鍍層150的外周等而整理形狀，然后研磨電解電鍍層150的與導電膜148相反側的面之后，使用超純水進行超聲波清洗。由此，得到具有如上述圖15所示的凹凸圖案的轉印面110A的壓模110。另外，壓模110的轉印面110A的凹凸圖案與母盤140的凹凸圖案的凹凸位置關系相反。
這樣，對樹脂層144以利用不正規(guī)凹凸圖案對相當于其凹部的部分進行曝光的方式進行描畫，其中，上述不正規(guī)凹凸圖案相對相當于壓模110的轉印面110A的凹凸圖案的基本凹凸圖案，在該基本凹凸圖案的部分凹部上形成有分割用凸部144A而使該基本凹凸圖案的至少一部分凹部分割，然后，通過顯影除去樹脂層144的曝光部而加工成該不正規(guī)凹凸圖案，并對掩模層143進行蝕刻的同時對樹脂層144進行蝕刻，而除去相當于分割用凸部144A的部分至少一部分，從而將掩模層143加工成基本凹凸圖案或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案，然后，基于該掩模層143來對基板142進行蝕刻，由此能夠將基板142以高精度加工成基本凹凸圖案或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。
下面，按照圖24所示的流程圖說明使用了壓模110的磁記錄介質10的制造方法。
首先，準備如圖25所示的、和上述第一實施方式同樣的磁記錄介質的加工坯體54，并使壓模110接觸樹脂層52而將轉印面110A的凹凸圖案轉印到樹脂層52上。從而，在樹脂層52上形成和壓模110的轉印面110A的凹凸圖案的凹凸位置關系相反的凹凸圖案(S520)。另外，轉印到樹脂層52上的凹凸圖案，和母盤140的凹凸圖案的凹凸位置關系是相同的。
下面，以除去在樹脂層52上構成凹部底部的部分的程度，通過利用O2或O3的反應性離子蝕刻來對樹脂層52進行均勻的蝕刻，而使第二掩模層50露出在凹部底部(S522)。樹脂層52的伺服區(qū)域SA部分加工成如上述圖19所示的基本凹凸圖案、或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。
下面，通過利用Ar氣體的離子束蝕刻，將樹脂層52作為掩模而對第二掩模層50進行蝕刻(S524)，然后通過利用SF6氣體的反應性離子蝕刻來除去凹部底部的第一掩模層48(S526)，進而，通過利用Ar氣體的離子束蝕刻來除去凹部底部的記錄層12(S528)，從而將記錄層12加工成如上述圖2～4所示的凹凸圖案。記錄層12的伺服區(qū)域SA部分加工成如上述圖3以及圖4所示的基本凹凸圖案、或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。
下面，通過偏壓濺射法在記錄層12上進行將填充材料28的成膜而填充凹部(S530)，進而，通過離子束蝕刻，對記錄層的表面從傾斜的方向照射Ar氣體而除去剩余的填充材料28，從而使表面平坦(S532)。
下面，通過CVD法在記錄層12以及填充材料28的上面進行保護膜30的成膜(S534)，進而，通過浸漬法在保護層30上進行潤滑層32的成膜(S536)。由此，完成磁記錄介質10的加工。
此外，當制造母盤140時，在掩模層蝕刻工序(S508)中，樹脂層144的分割用凸部144A有可能沒有完全被除去。這時，記錄層12相對所期望的凹凸圖案，有可能被加工成凹部局部地分割的凹凸圖案，但是，只要將樹脂層144加工成在連續(xù)的凹部單位區(qū)域CU的邊界附近形成有分割用凸部144A的不正規(guī)凹凸圖案，那么記錄層12的凹部加工成使每個劃分伺服區(qū)域SA的方格狀區(qū)域分割了的形狀，因此，磁頭容易正確地識別各個方格狀區(qū)域。另外，對于磁記錄介質10，磁頭相對地沿圓周方向Dc懸浮移動，因此，只要將樹脂層144加工成在沿徑向Dr連續(xù)的凹部單位區(qū)域CU的邊界附近形成有分割用凸部144A的不正規(guī)凹凸圖形，那么對伺服信號的讀取的影響小。換句話說，在本發(fā)明的第三實施方式中，也優(yōu)選將樹脂層144加工成，相對基本凹凸圖案使該基本凹凸圖案的凹部沿徑向Dr分割了的不正規(guī)凹凸圖案。
下面，說明本發(fā)明的第四實施方式。
上述第三實施方式中的母盤140的結構具有一面被加工成凹凸圖案的基板142、和形成在基板142的凸部上的掩模層143，與此相對，本第四實施方式中的母盤160的結構，其特征在于，如圖26所示，具有兩面平坦的基板162、和在基板162上以凹凸圖案形成的樹脂層164。另外，在母盤160的制造工序中，在基板162和樹脂層164之間不形成掩模層，從而省略了掩模層加工工序(S508)、基板加工工序(S510)，另一方面，如圖27所示的流程圖，在顯影工序(S506)和導電膜成膜工序(S512)之間設有樹脂層蝕刻工序(S604)。在其它方面，和第三實施方式相同，因此適當?shù)厥÷哉f明。
對母盤160的制作方法進行具體的說明。首先，制作在基板162的上面以均勻的厚度進行了樹脂層164的成膜的母盤加工坯體(S602)。下面，和上述第三實施方式同樣，實行曝光工序(S504)、顯影工序(S506)，從而將樹脂層加工成不正規(guī)凹凸圖案。
下面，對樹脂層164進行蝕刻，而選擇性地除去樹脂層164中的分割用凸部，從而將樹脂層164加工成基本凹凸圖案、或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案(S604)。作為具體的蝕刻方法，能夠采用將O2或O3氣體作為反應氣體的反應性離子蝕刻、和利用了將Ar氣體、O2或O3氣體的離子束蝕刻等。由此，能夠得到上述如圖26所示的母盤160。
對這樣得到的母盤160，與上述第三實施方式同樣，通過執(zhí)行導電膜成膜工序(S512)、電解電鍍工序(S514)來得到壓模110。本第四實施方式同上述第三實施方式一樣，也能夠在壓模110的轉印面110A上以高精度形成基本凹凸圖案或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。
下面，說明本發(fā)明的第五實施方式。
上述第三實施方式中的不正規(guī)凹凸圖案是，相對基本凹凸圖案在該基本凹凸圖案的部分凹部上形成有分割用的凸部144A，而使該基本凹凸圖案的凹部分割了的凹凸圖案，與此相對，本第五實施方式中的不正規(guī)凹凸圖案，其特征在于，如圖28所示，其為包含突起部144B的凹凸圖案，其中，上述突起部144B是，相對基本凹凸圖案，向相鄰的凹部側突出的凸部的角部的至少一部分與相當于該角部的基本凹凸圖案的角部相比更向相鄰的凹部側突出的部分。在其它方面，由于和第三實施方式相同，因此適當?shù)厥÷哉f明。
與上述第三實施方式同樣地，通過執(zhí)行加工坯體制作工序(S502)、曝光工序(S504)、顯影工序(S506)，來將樹脂層144加工成相當于該不正規(guī)凹凸圖案的凹凸圖案。
下面，若對掩模層143進行蝕刻(S508)，那么樹脂層144也被蝕刻，而樹脂層144的突起部144B比在樹脂層144上的其他部分更快速地被加工，因此形成有突起部144B的角部被加工成接近相當于該角部的基本凹凸圖案的角部的形狀。即，樹脂層144被加工成基本凹凸圖案或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。因此，掩模層143也被加工成基本凹凸圖案或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。另外，為了將樹脂層144加工成接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案，所以突起部144的內角優(yōu)選為銳角。
進而，通過對基板142進行蝕刻(S510)，而將基板142也加工成基本凹凸圖案或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。
對這樣得到的母盤140，與上述第三實施方式同樣，通過執(zhí)行導電膜成膜工序(S512)、電解電鍍工序(S514)，而得到壓模110。本第五實施方式與上述第三實施方式同樣，也能夠在壓模110的轉印面110A上以高精度形成基本凹凸圖案或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。
下面，說明本發(fā)明的第六實施方式。
相對上述第四實施方式，將上述第五實施方式的圖28所示的凹凸圖案作為本第六實施方式的不正規(guī)凹凸圖案。在其它方面，與上述第三～第五實施方式相同，因此適當?shù)厥÷哉f明。本第六實施方式與上述第三～第五實施方式同樣，也能夠在壓模110的轉印面110A上以高精度形成基本凹凸圖案或使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。
此外，在上述第一實施方式中，作為記錄層12的伺服區(qū)域SA的基本凹凸圖案而舉例了如圖3以及圖4所示的基本凹凸圖案，并作為與此相對應的樹脂層52的不正規(guī)凹凸圖案而舉例了如圖10所示的不正規(guī)凹凸圖案，另外，在上述第二實施方式中，作為樹脂層52的不正規(guī)凹凸圖案而舉例了如圖13所示的不正規(guī)凹凸圖案，但是，記錄層的基本凹凸圖案以及樹脂層的不正規(guī)凹凸圖案，只要根據所要求的性能等適當?shù)貨Q定即可。
關于圖20所示的上述第三以及第四實施方式中的樹脂層144的不正規(guī)凹凸圖案、圖28所示的上述第五以及第六實施方式中的樹脂層144的不正規(guī)凹凸圖案，也同樣。
例如，在圖2中，舉例了由前同步信號部16、SAM部18、軌道地址信號部20、扇區(qū)地址信號部22以及脈沖串信號部24構成的伺服信息，但是，伺服信息根據所要求的性能等，也可以采用更換配置這些的一部分的結構、或省略這些的一部分的結構、或者在這些中追加擔當其他功能的部分的結構，而且，記錄層和母盤的基本伺服凹凸圖案以及樹脂層的不正規(guī)伺服凹凸圖案是根據這樣的伺服信息來酌情決定即可。
另外，劃分伺服區(qū)域SA的方格狀區(qū)域并不盡限于內角為直角的正方形或長方形，也可以是平行四邊形。
另外，在上述第一實施方式的圖10中，樹脂層52的不正規(guī)凹凸圖案是，在基本凹凸圖案的沿徑向Dr連續(xù)的所有的凹部單位區(qū)域CU的邊界形成分割用凸部52A，而沿徑向Dr分割所有的凹部單位區(qū)域CU的凹部而形成的凹凸圖案，但是，只要能夠以可以良好地再現(xiàn)伺服信息的程度，將記錄層12加工成接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案，那么，也可以將樹脂層52加工成，在基本凹凸圖案的沿徑向Dr連續(xù)的部分凹部單位區(qū)域CU的邊界形成分割用凸部52A，而沿徑向Dr分割凹部單位區(qū)域CU的部分凹部的凹凸圖案。
關于圖20所示的上述第三以及第四實施方式的樹脂層144的不正規(guī)凹凸圖案也是同樣的。
另外，在上述第一實施方式的圖10中，樹脂層52的不正規(guī)凹凸圖案是，在凹部單位區(qū)域CU中沿徑向Dr連續(xù)的凹部單位區(qū)域CU的邊界附近形成分割用凸部，而在該連續(xù)的凹部單位區(qū)域CU中形成有沿徑向Dr分割了的凹部的凹凸圖案，但是，只要能夠以磁頭能夠確實地將各個凹部單位區(qū)域CU識別為凹部的程度，將記錄層12加工成接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案，那么也可以將樹脂層52加工成，在凹部單位區(qū)域CU的邊界附近以外的其他部位形成分割用凸部52A，而使基本凹凸圖案的凹部研徑向Dr分割了的不正規(guī)凹凸圖案。進而，只要能夠以磁頭可以確實地將各個凹部單位區(qū)域CU識別為凹部的程度，將記錄層12加工成接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案，那么也可以將樹脂層52加工成使基本凹凸圖案的凹部沿圓周方向Dc分割了的不正規(guī)凹凸圖案。
關于圖20所示的上述第三以及第四實施方式中的樹脂層144的不正規(guī)凹凸圖案也是同樣的。
另外，在上述第一實施方式中，在樹脂層蝕刻工序(S108)完全地除去樹脂層52的分割用凸部52A，但是，也可以在樹脂層蝕刻工序(S108)中局部地除去樹脂層52的分割用凸部52A，而在第二掩模層蝕刻工序中完全地除去分割用凸部52A的同時，對第二掩模層50進行蝕刻。這時，優(yōu)選以在相當于分割用凸部52A的部分不形成凸部的方式加工第二掩模層50。另外，在樹脂層蝕刻工序(S508)中，樹脂層52的分割用凸部52A若沒有完全除去，則不只殘留有樹脂層52的分割用凸部52A，而且在第二掩模層50和第一掩模層48上的相當于分割用凸部52A的部分也形成凸部，但在這樣的時候，基于樹脂層52來依次對第二掩模層50、第一掩模層48、記錄層12進行蝕刻時，除去樹脂層52的分割用凸部52A和與其相當?shù)牡诙谀?0、第一掩模層48的凸部。例如，在第一掩模層蝕刻工序(S112)中，完全地除去樹脂層52的分割用凸部52A以及/或與其相當?shù)牡诙谀?0的凸部的同時，對第一掩模層48進行蝕刻也可。這時，優(yōu)選以在相當于分割用凸部52A的部分不形成凸部的方式對第一掩模層48進行加工。
另一方面，在上述第三以及第五實施方式中，當將樹脂層144作為掩模而對掩模層143進行蝕刻時，將樹脂層144加工成使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案的同時，將掩模層143加工成使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案，但是，也可以在顯影工序(S506)和掩模層蝕刻工序(S508)之間設置樹脂層蝕刻工序，并在該工序中將樹脂層144加工成使不正規(guī)凹凸圖案接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。
另外，在掩模層蝕刻工序(S508)之后，也有時發(fā)生沒有完全地除去樹脂層144的分割用凸部144A和在掩模層143上相當于分割用凸部144A的部分而被殘留的情況，這樣的時候，在基板蝕刻工序(S510)中，除去樹脂層144的分割用凸部144A和與其相當?shù)难谀?43的凸部即可。
另外，在上述第一實施方式中，以完全地除去樹脂層52的分割用凸部52A而在分割用凸部52A的下面形成連續(xù)的凹部的方式對記錄層12進行加工，但是，只要磁頭能夠將各個凹部單位區(qū)域CU確實地識別為凹部，那么也可以將記錄層12加工成基本凹凸圖案的部分凹部被分割了的凹凸圖案、或者如在分割用凸部52A下形成有若干凸部的凹凸圖案那樣的、接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。
同樣地，在上述第三實施方式中，以在相當于分割用凸部144A的部分形成連續(xù)的凹部的方式對基板142進行蝕刻，而在上述第四實施方式中，以在相當于分割用凸部144A的部分形成連續(xù)的凹部的方式對樹脂層144進行蝕刻，但是，只要磁頭能夠確實地識別磁記錄介質的0或1的信息，那么也可以將基板142或樹脂層144加工成，例如象在相當于分割用凸部144A的部分形成有若干凸部的凹凸圖案那樣的、接近于基本凹凸圖案的凹凸圖案。
另外，在上述第二實施方式的圖13中，樹脂層52的不正規(guī)凹凸圖案是包括突起部52B的凹凸圖案，其中，該突起部52B是，向相鄰的凹部突出的凸部的所有的角部與相當于該角部的基本凹凸圖案的角部相比，更向相鄰的凹部側突出的部分，但是，只要能夠將記錄層12加工成基本凹凸圖案或接近于基本凹凸圖案的所期望的凹凸圖案，那么也可以是包括這樣的突起部的不正規(guī)伺服凹凸圖案，即，該突起部是，向相鄰的凹部突出的凸部的只有部分角部與相當于該角部的基本凹凸圖案的角部相比，更向相鄰的凹部側突出的部分。
同樣地，在上述第五以及第六實施方式的圖28中，樹脂層144的不正規(guī)凹凸圖案是包括突起部144B的凹凸圖案，其中，該突起部144B是，向相鄰的凹部突出的凸部的所有角部與相當于該角部的基本凹凸圖案的角部相比，更向相鄰的凹部側突出的部分，但是，只要在母盤140、160上能夠形成基本凹凸圖案或接近于基本凹凸圖案的所期望的凹凸圖案，那么也可以將樹脂層144加工成包括這樣的突起部的不正規(guī)伺服凹凸圖案，即，該突起部是，向相鄰的凹部突出的凸部的角部中的只有部分角部與相當于該角部的基本凹凸圖案的角部相比，更向相鄰的凹部側突出的部分。
另外，在上述第一實施方式中，樹脂層52的不正規(guī)凹凸圖案是將記錄層12的基本凹凸圖案的凹部沿徑向Dr分割而成的凹凸圖案，而在上述第二實施方式中，樹脂層52的不正規(guī)凹凸圖案是包含突起部52B的凹部圖案，其中，該突起部52B是，相對記錄層12的基本伺服凹凸圖案向相鄰的凹部突出的凸部的角部與相當于該角部的基本凹凸圖案的角部相比，更向相鄰的凹部側突出的部分，但是，也可以將樹脂層52加工成，相對基本凹凸圖案，基本凹凸圖案的部分凹部被分割、且包含向相鄰的凹部突出的凸部的部分角部與相當于該角部的基本凹凸圖案的角部相比更向相鄰的凹部突出的突起部的不正規(guī)伺服凹凸圖案。
同樣地，在上述第三以及第四實施方式中，樹脂層144的不正規(guī)凹凸圖案是將基本凹凸圖案的凹部分割而成的凹凸圖案，而在上述第五以及第六實施方式中，樹脂層144的不正規(guī)凹凸圖案是包含突起部的凹部圖案，其中，該突起部是，向相鄰的凹部突出的凸部的角部與相當于該角部的基本凹凸圖案的角部相比，更向相鄰的凹部側突出的部分，但是，將這些組合，也可以將樹脂層144加工成，相對基本凹凸圖案，基本凹凸圖案的部分凹部被分割、且包含向相鄰的凹部突出的凸部的角部只有部分角部與相當于該角部的基本凹凸圖案的角部相比更向相鄰的凹部側突出的凸起部的不正規(guī)凹凸圖案。
另外，上述第一實施方式的圖10以及上述第二實施方式的圖13是放大在樹脂層52上的伺服區(qū)域SA的軌道地址信號部20的圖，但是，將樹脂層加工成不正規(guī)凹凸圖案的區(qū)域也可以是全部的伺服區(qū)域SA，而且也可以限定為如軌道地址信號部20那樣凹凸圖案微細且復雜的區(qū)域。
同樣地，上述第三以及第四實施方式的圖20和上述第五以及第六實施方式的圖28是放大在樹脂層144上的相當于伺服區(qū)域SA的軌道地址信號部20的部分的圖，但是，將樹脂層加工成不正規(guī)凹凸圖案的區(qū)域也可以是相當于伺服區(qū)域SA的部分的全部區(qū)域，而且也可以限定為如軌道地址信號部20那樣相當于凹凸圖案微細且復雜區(qū)域的部分。
另外，在上述第一實施方式中，被加工體54是在記錄層12上形成有第一掩模層48、第二掩模層50、樹脂層52的結構，并通過對這些依次進行蝕刻，來將樹脂層12加工成基本凹凸圖案或接近基本凹凸圖案的凹凸圖案，但是，只要能夠將樹脂層以高精度加工成基本凹凸圖案或接近基本凹凸圖案的凹凸圖案，那么對在記錄層和樹脂層之間的掩模層的材料、厚度、層疊層數(shù)并不特別限定，例如，在記錄層和樹脂層之間的掩模層可以采用1層，也可以采用3層以上，另外，也可以在記錄層上直接形成樹脂層。關于上述第二～第六實施方式也是同樣的。
另外，在上述第三以及第五實施方式中，在基板142上進行掩模層143、樹脂層144的成膜，并基于凹凸圖案的樹脂層144間接地將基板142加工成凹凸圖案，但是，只要在母盤140上能夠形成基本凹凸圖案或接近基本凹凸圖案的所期望的凹凸圖案，那么對掩模層的材質、厚度、層疊層數(shù)并不特別限定，也可以在基板和樹脂層之間設置2層以上的掩模層，并將這些依次加工成凹凸圖案。另外，也可以省略掩模層，而在基板上直接進行樹脂層的成膜，并基于樹脂層直接將基板加工成凹凸圖案也可以。
另外，在上述第一實施方式中，母盤46的抗蝕材料44為正性，但是，也可以采用負性的抗蝕材料。這種情況，也對相當于不正規(guī)凹凸圖案的凹部的部分進行曝光，而制作具有同不正規(guī)凹凸圖案的凹凸位置關系一致的凹凸圖案的轉印面的壓模，并將該壓模作為金屬母盤(MetalMaster)來制作其他壓模，從而得到具有同上述第一實施方式中的壓模40相同凹凸圖案的轉印面的壓模。因此，使用該壓模，并通過壓印法而將不正規(guī)凹凸圖案轉印到樹脂層52上，由此，在全區(qū)域殘留在凹部底部的樹脂層52的厚度均勻地變薄，從而能夠將樹脂層52以高精度加工成不正規(guī)凹凸圖案。另外，通過對相當于不正規(guī)凹凸圖案的凸部的部分進行曝光，也能夠與上述第一實施方式同樣地制作具有與不正規(guī)凹凸圖案的凹凸位置關系相反的凹凸圖案的轉印面的壓模。
另外，在上述第一實施方式中，使用壓模40，并通過壓印來將被加工體54的樹脂層52加工成不正規(guī)凹凸圖案，但是，作為樹脂層52的材料而采用抗蝕材料，并且，象圖29的流程圖所示的本發(fā)明的第七實施方式那樣，對樹脂層52進行曝光(S200)、顯影(S202)而加工成不正規(guī)凹凸圖案也可以。在這種情況下，通過將樹脂層52的伺服區(qū)域SA部分加工成分割基本的伺服凹凸圖案的至少一部分凹部而形成的不正規(guī)伺服凹凸圖案，而將曝光劑量調整到接近對全區(qū)域來說合理的值的值，從而能夠將樹脂層52以高精度加工成包含不正規(guī)凹凸圖案的所期望的凹凸圖案。另外，在這種情況下，因為樹脂層52不會殘留在凹部底部，所以不需要樹脂層蝕刻工序(S108)。另外，在這種情況下，樹脂層52的分割用凸部52A是在第二掩模層蝕刻工序(S110)中除去即可。即，在第二掩模層蝕刻工序(S110)中，完全地除去樹脂層52的分割用凸部52A的同時，對第二掩模層50進行蝕刻即可。這時，優(yōu)選以在相當于分割用凸部52A的部分避免形成凸部的方式對第二掩模層50進行加工。另外，也可以在基于樹脂層依次對第二掩模層50、第一掩模層48、記錄層12進行蝕刻期間除去樹脂層52的分割用凸部52A和與其相當?shù)牡诙谀?0、第一掩模層48的凸部。
另外，在第三～第六實施方式中，作為樹脂層支承材料而將基板142加工成凹凸圖案，但是，將與基板不同的樹脂層支承材料設在基板的上表面，并在該樹脂層支承材料的上面直接進行樹脂層的成膜或通過掩模層等間接地進行成膜，然后基于凹凸圖案的樹脂層直接或間接地(不加工基板)將樹脂層支承材料加工成凹凸圖案也可以。
另外，在上述第三以及第五實施方式中，母盤140具有基板142、和在基板142的凸部上形成有掩模層143的結構，但是，將作為樹脂層支承材料的基板或者設置在基板上的樹脂層支承材料加工成凹凸圖案之后再除去掩模層，并將其作為母盤使用也可以。
另外，在上述第三～第六實施方式中，壓模110是以在母盤140、160上進行導電膜148、電解電鍍層150的成膜，并將這些一體地剝離下來的方法制作的，但是，也可以將導電膜148以及電解電鍍層150作為金屬母盤來使用，并通過電解電鍍法來由金屬母盤形成壓模。這樣，能夠得到與母盤140的凹凸位置關系一致的壓模。另外，也可以進一步反復進行電解電鍍法而制作金屬母盤、壓模。
另外，在上述第三～第六實施方式中，導電膜148的材料為Ni，但是，作為導電膜的材料，也可以采用例如Ag、Au、Cu等其他導電性材料。
另外，在上述第三～第六實施方式中，電解電鍍層150的材料也是Ni，但是，只要是具有對壓模和金屬母盤適當?shù)挠捕纫约把诱剐缘牟牧?，也可以采用為電解電鍍層、壓模的材料，例如Ni-Co(鈷)合金等其他材料。
另外，在上述第三以及第五實施方式中，通過對母盤14執(zhí)行導電膜成膜工序(S512)、電解電鍍工序(S514)，而制作包含導電膜148以及電解電鍍層150的壓模110，但是，采用具有導電性的材料而作為母盤的基板(樹脂層支承材料)的材料，并省略導電膜成膜工序(S512)也可以。在這種情況下，能夠得到不包含導電膜且只由電解電鍍層構成的壓?；蚪饘倌副P。
另外，在上述第一～第七實施方式中，在磁記錄介質10的記錄層12的凸部之間的凹部填充有填充材料28，但是，只要能夠得到充分良好的磁頭的懸浮特性，那么也可以采用不填充記錄層12的凸部之間的凹部的結構。
另外，在上述第一～第七實施方式中，磁記錄介質10是，記錄層12的數(shù)據區(qū)域DA部分沿徑向Dr以微細的間隔分割成多數(shù)記錄要素14的離散軌道介質，但是，本發(fā)明也可以適用于記錄層的數(shù)據區(qū)域DA部分沿徑向Dr以及沿圓周方向Dc以微細的間隔分割成多數(shù)記錄要數(shù)的晶格介質、記錄層的數(shù)據區(qū)域DA部分以均勻的厚度連續(xù)的磁記錄介質。
另外，在上述第一～第七實施方式中，磁記錄介質10為垂直記錄型，但是，本發(fā)明也可以適用于面內記錄型的磁記錄介質的制造。
另外，本實施方式涉及到磁記錄介質10的制造方式，但是，本發(fā)明也可以適用于例如光記錄介質等其他的信息記錄介質和半導體等其他制品的制造中。
本發(fā)明能夠利用于，例如在半導體制品和磁記錄介質等上形成凹凸圖案的加工中。
權利要求
1.一種凹凸圖案形成方法，其特征在于，包括不正規(guī)凹凸圖案形成工序，將形成在樹脂層支承材料上的樹脂層加工成不正規(guī)凹凸圖案，該不正規(guī)凹凸圖案是相對于規(guī)定的基本凹凸圖案，在該基本凹凸圖案的凹部的一部分上形成有分割用凸部而使該基本凹凸圖案的凹部的至少一部分被分割；樹脂層支承材料蝕刻工序，基于該樹脂層對上述樹脂層支承材料進行蝕刻，從而將該樹脂層支承材料加工成使上述不正規(guī)凹凸圖案接近于上述基本凹凸圖案的形狀的凹凸圖案。
2.根據權利要求1所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，在上述不正規(guī)凹凸圖案形成工序和上述樹脂層支承材料蝕刻工序之間設置有樹脂層蝕刻工序，該樹脂層蝕刻工序是對上述樹脂層進行蝕刻而選擇性地除去該樹脂層的凸部中的上述分割用凸部。
3.根據權利要求1所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，在上述樹脂層支承材料和上述樹脂層之間形成在上述樹脂層支承材料蝕刻工序中作為掩模而發(fā)揮功能的掩模層，并且，在上述不正規(guī)凹凸圖案形成工序和上述樹脂層支承材料蝕刻工序之間，設置有除去上述樹脂層的分割用凸部的同時，基于該樹脂層來對上述掩模層進行蝕刻的掩模層蝕刻工序。
4.根據權利要求1所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，上述基本凹凸圖案是將被劃分為方格狀的多個區(qū)域按規(guī)定的規(guī)則、以二值指定為構成凹部的凹部單位區(qū)域以及構成凸部的凸部單位區(qū)域中的任意一種而成的凹凸圖案，而且，在上述不正規(guī)凹凸圖案形成工序中，將上述樹脂層加工成不正規(guī)凹凸圖案，該不正規(guī)凹凸圖案是在上述凹部單位區(qū)域中連續(xù)的至少兩個凹部單位區(qū)域的邊界附近形成上述分割用凸部，從而形成了被分割成該連續(xù)的凹部單位區(qū)域的凹部。
5.根據權利要求1所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，在上述樹脂層支承材料蝕刻工序中，以在上述分割用凸部的下面形成連續(xù)的凹部的方式對上述樹脂層支承材料進行蝕刻。
6.一種凹凸圖案形成方法，其特征在于，包括不正規(guī)凹凸圖案形成工序，將形成在樹脂層支承材料上的樹脂層加工成不正規(guī)凹凸圖案，該不正規(guī)凹凸圖案是相對于規(guī)定的基本凹凸圖案，在該基本凹凸圖案的凹部的一部分上形成有分割用凸部而使該基本凹凸圖案的凹部的至少一部分被分割；樹脂層蝕刻工序，對上述樹脂層進行蝕刻，從而將該樹脂層加工成使上述不正規(guī)凹凸圖案接近于上述基本凹凸圖案的形狀的凹凸圖案。
7.根據權利要求6所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，在上述樹脂層蝕刻工序中，以選擇性地除去該樹脂層的凸部中的上述分割用凸部的方式對上述樹脂層進行蝕刻。
8.根據權利要求1所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，在上述不正規(guī)凹凸圖案形成工序中，將上述樹脂層加工成包含突起部的不正規(guī)凹凸圖案，該突起部是相對于上述基本凹凸圖案，向相鄰的凹部突出的凸部的角部的至少一部分相比于與該角部相當?shù)纳鲜龌景纪箞D案的角部更向相鄰的凹部側突出。
9.一種凹凸圖案形成方法，其特征在于，包括不正規(guī)凹凸圖案形成工序，將形成在樹脂層支承材料上的樹脂層加工成包含突起部的不正規(guī)凹凸圖案，該突起部是相對于規(guī)定的基本凹凸圖案，向相鄰的凹部突出的凸部的角部的至少一部分相比于與該角部相當?shù)纳鲜龌景纪箞D案的角部更向相鄰的凹部側突出；樹脂層支承材料蝕刻工序，基于該樹脂層對上述樹脂層支承材料進行蝕刻，從而將該樹脂層支承材料加工成使上述不正規(guī)凹凸圖案接近于上述基本凹凸圖案的形狀的凹凸圖案。
10.一種凹凸圖案形成方法，其特征在于，包括不正規(guī)凹凸圖案形成工序，將形成在樹脂層支承材料上的樹脂層加工成包含突起部的不正規(guī)凹凸圖案，該突起部是相對于規(guī)定的基本凹凸圖案，向相鄰的凹部突出的凸部的角部的至少一部分相比于與該角部相當?shù)纳鲜龌景纪箞D案的角部更向相鄰的凹部側突出；樹脂層蝕刻工序，對上述樹脂層進行蝕刻，從而將該樹脂層加工成使上述不正規(guī)凹凸圖案接近于上述基本凹凸圖案的形狀的凹凸圖案。
11.根據權利要求1所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，在上述不正規(guī)凹凸圖案形成工序中，利用壓模，通過壓印法將上述樹脂層加工成上述不正規(guī)凹凸圖案。
12.根據權利要求1所述的凹凸圖案形成方法，其特征在于，作為上述樹脂層的材料而采用抗蝕材料，在上述不正規(guī)凹凸圖案形成工序中，通過曝光以及顯影將上述樹脂層加工成上述不正規(guī)凹凸圖案。
13.一種磁記錄介質的制造方法，其特征在于，利用權利要求1～12中任意一項所述的凹凸圖案形成方法，來制造具有凹凸圖案的記錄層的磁記錄介質。
14.根據權利要求13所述的磁記錄介質的制造方法，其特征在于，上述磁記錄介質是如下的磁記錄介質被劃分為多個數(shù)據區(qū)域和多個伺服區(qū)域，上述各伺服區(qū)域進一步被劃分為多個方格狀的區(qū)域，在這些方格狀的各區(qū)域中，0以及1中任意一方的信息按規(guī)定的規(guī)則以二值記錄在上述記錄層上而被使用，為了將上述記錄層的上述伺服區(qū)域的部分加工成如下的凹凸圖案，而利用權利要求1～12中任意一項所述的凹凸圖案形成方法，該凹凸圖案是在上述方格狀的區(qū)域中，用于記錄上述0以及1的信息中的任意一方的信息的方格狀區(qū)域為凹部，而用于記錄另一方的信息的方格狀的區(qū)域為凸部。
15.根據權利要求14所述的磁記錄介質的制造方法，其特征在于，在上述不正規(guī)凹凸圖案形成工序中，將上述樹脂層加工成不正規(guī)凹凸圖案，該不正規(guī)凹凸圖案是在上述方格狀的區(qū)域中的凹部，且在與沿上述磁記錄介質的徑向連續(xù)的至少兩個方格狀區(qū)域的邊界附近相當?shù)牟糠中纬煞指钣猛共?，從而形成沿徑向被分割成與該連續(xù)的方格狀區(qū)域相當?shù)牟糠值陌疾俊?br> 16.一種母盤的制造方法，其特征在于，利用權利要求1～12中任意一項所述的凹凸圖案形成方法，制造用于轉印凹凸圖案的母盤。
17.根據權利要求16所述的母盤的制造方法，其特征在于，上述母盤的凹凸圖案是與磁記錄介質的記錄層的凹凸圖案相當?shù)陌纪箞D案，該磁記錄介質被劃分為多個數(shù)據區(qū)域和多個伺服區(qū)域，上述各伺服區(qū)域進一步被劃分為多個方格狀的區(qū)域，在這些方格狀的各區(qū)域中，0以及1中任意一方的信息按規(guī)定的規(guī)則以二值記錄在上述記錄層上而被使用，并且，該記錄層的上述伺服區(qū)域的部分，是由上述方格狀區(qū)域中記錄上述0以及1中的任意一方信息的區(qū)域為凹部、而記錄另一方信息的區(qū)域為凸部的凹凸圖案形成的，上述基本凹凸圖案是如下的凹凸圖案上述記錄層的伺服區(qū)域的部分的方格狀區(qū)域中，與記錄上述0以及1中的任意一方信息的方格狀區(qū)域相當?shù)牟糠譃榘疾繂挝粎^(qū)域，與記錄另一方信息的方格狀區(qū)域相當?shù)牟糠譃橥共繂挝粎^(qū)域，在上述不正規(guī)凹凸圖案形成工序中，將該樹脂層加工成不正規(guī)凹凸圖案，該不正規(guī)凹凸圖案是相對于上述基本凹凸圖案，在上述凹部單位區(qū)域中連續(xù)的至少兩個凹部單位區(qū)域的邊界附近形成上述分割用凸部，從而形成了被分割成該連續(xù)的凹部單位區(qū)域的凹部。
18.根據權利要求17所述的母盤的制造方法，其特征在于，上述不正規(guī)凹凸圖案是如下的凹凸圖案在上述基本凹凸圖案的上述凹部單位區(qū)域中，在沿上述磁記錄介質的徑向連續(xù)的至少兩個凹部單位區(qū)域的邊界附近形成有上述分割用凸部，從而形成了沿上述徑向被分割成該連續(xù)的凹部單位區(qū)域的凹部。
19.一種壓模的制造方法，其特征在于，包括在通過權利要求18所述的母盤的制造方法而制造的母盤上，利用電解電鍍法來形成電解電鍍層的電解電鍍工序。
20.根據權利要求19所述的壓模制造方法，其特征在于，設置有將上述電解電鍍工序作為第一電解電鍍工序而在該第一電解電鍍工序之后，從上述母盤將包含上述電解電鍍層的金屬母盤剝離下來的剝離工序；通過電解電鍍法，在該金屬母盤上形成壓模以及其他金屬母盤中的任意一種的第二電解電鍍工序。
21.一種磁記錄介質的制造方法，其特征在于，包括利用通過權利要求19所述的壓模的制造方法而制造的壓模，轉印與記錄層的凹凸圖案相當?shù)陌纪箞D案的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠以高精度形成相當于伺服信息的、微細且復雜的凹凸圖案的凹凸圖案形成方法以及利用該方法的磁記錄介質的制造方法。在該凹凸圖案形成方法中，將形成在樹脂層支承材料上的樹脂層(52)加工成不正規(guī)凹凸圖案，并基于該樹脂層(52)而對記錄層(樹脂層支承材料)進行蝕刻，從而將該記錄層加工成使上述不正規(guī)凹凸圖案接近上述基本凹凸圖案的凹凸圖案，其中，上述不正規(guī)凹凸圖案是，相對規(guī)定的基本凹凸圖案，在該基本凹凸圖案的部分凹部上形成分割用凸部(52A)，而使該基本凹凸圖案的至少一部分凹部分割了的凹凸圖案。
文檔編號G11B5/62GK1873531SQ20061008868
公開日2006年12月6日 申請日期2006年6月2日 優(yōu)先權日2005年6月2日
發(fā)明者大川秀一, 中田勝之, 服部一博, 高井充 申請人:Tdk股份有限公司