專利名稱：磁頭滑塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有對(duì)磁盤存儲(chǔ)用及/或再生用的磁元件的磁頭滑塊，特別涉及能夠降低因氣壓變化而造成的浮起量的變動(dòng)的磁頭滑塊。
背景技術(shù)：
在下述專利文獻(xiàn)1中公開了磁頭滑塊的盤對(duì)置面的各種形態(tài)。
磁頭滑塊的盤對(duì)置面通常構(gòu)成為，具有處于最低高度位置而用來產(chǎn)生負(fù)壓的槽部、和形成隆起而用來產(chǎn)生正壓的隆起面。以往一直是通過使上述槽部及隆起面的形狀、以及槽部及隆起面占上述磁盤D的面積比率等合適化，來實(shí)現(xiàn)磁頭滑塊的浮起姿勢(shì)的穩(wěn)定化的。
但是，上述浮起姿勢(shì)容易因起因于氣壓變化、磁盤的小型化造成的周向速度降低等的空氣流入量的減少而不穩(wěn)定化。并且，關(guān)于對(duì)應(yīng)于這樣的空氣流入量的減少的浮起姿勢(shì)的穩(wěn)定化，在下述專利文獻(xiàn)1中并沒有提示特別的對(duì)策。
專利文獻(xiàn)1JP特表2003-515869號(hào)公報(bào)一般，產(chǎn)生正壓的上述隆起面分別設(shè)在磁頭滑塊的前置側(cè)與后置側(cè)。設(shè)在上述后置側(cè)的上述隆起面是磁元件的表面露出的磁元件面，設(shè)在前置側(cè)的隆起面例如如專利文獻(xiàn)1的圖2所示的側(cè)軌210、212那樣左右分?jǐn)喽O(shè)置。專利文獻(xiàn)1的圖2所示的標(biāo)號(hào)230為比上述側(cè)軌210、212低高度的空腔壩(キヤビテイダム)。
常見的盤對(duì)置面是如專利文獻(xiàn)1的圖2所示那樣的形態(tài)不論高度尺寸如何，都用軌面將腔體(負(fù)壓產(chǎn)生面)236的周圍包圍，并且獨(dú)力地設(shè)置包括磁元件的中心襯墊240。
但是，在專利文獻(xiàn)1的圖2那樣的形態(tài)的情況下，在到空氣從前置側(cè)流動(dòng)到獨(dú)立的上述中心襯墊240為止的期間，由于通過了腔體壩230、腔體236等與中心襯墊240不同高度的凹凸面，所以會(huì)在空氣流中產(chǎn)生紊亂、或產(chǎn)生空氣從上述中心襯墊240的側(cè)面逸出等損失，如果因氣壓變化等而使空氣流入量減少，則到達(dá)產(chǎn)生正壓的中心襯墊240的空氣減少很多，容易大幅降低上述磁頭滑塊的浮起量。
此外，在專利文獻(xiàn)1中，如圖8所示，還公開了以與腔體壩506相同的高度形成的軌面連續(xù)形成到中心軌508的形態(tài)。如果對(duì)圖8也稍作說明，則標(biāo)號(hào)516為凸?fàn)畹闹行能壷蚊?，該?16成為處于最高位置的正壓產(chǎn)生面。同樣的正壓產(chǎn)生面作為側(cè)軌502、504也設(shè)在前置側(cè)。
但是，即使是圖8的形態(tài)，通過后述的實(shí)驗(yàn)也能夠確認(rèn)(圖7的比較例1)，在空氣沿路前進(jìn)到達(dá)作為正壓產(chǎn)生面的中心軌支撐面516之前的期間上述損失較大，因氣壓變化等造成的空氣流入量減少會(huì)使浮起量大幅降低。

發(fā)明內(nèi)容
所以，本發(fā)明是為了解決上述以往的問題而做出的，其目的特別是在于提供一種能夠降低因氣壓變化造成的浮起量的變動(dòng)的磁頭滑塊。
本發(fā)明的磁頭滑塊，其具有滑塊、和設(shè)在上述滑塊的后置側(cè)端面上的存儲(chǔ)用及/或再生用的磁元件；其特征在于，通過具有以下結(jié)構(gòu)而構(gòu)成槽部，在上述滑塊的盤對(duì)置面上位于最低高度位置；磁元件面，在后置側(cè)朝向磁盤方向隆起，而使上述磁元件的表面露出；
前置側(cè)隆起面，在與上述后置側(cè)相對(duì)置一側(cè)的前置側(cè)、以與上述磁元件面相同的高度隆起，并且在相對(duì)于從上述后置側(cè)朝向前置側(cè)的長(zhǎng)度方向正交的方向的寬度方向上分割而設(shè)置；軌面，以與上述磁元件面相同的高度隆起，并且將各前置側(cè)隆起面的后置側(cè)端部與上述磁元件面的前置側(cè)端部之間連接；臺(tái)階面，在從各前置側(cè)隆起面之間到各軌面之間，以比上述磁元件面低、比槽部高的高度尺寸形成。
在本發(fā)明中，磁元件面、前置側(cè)隆起面、以及軌面都以相同的高度尺寸形成。上述軌面將上述磁元件面與前置側(cè)隆起面之間連接。進(jìn)而，將上述前置側(cè)隆起面在寬度方向上分割設(shè)置，在上述前置側(cè)隆起面間設(shè)置了空氣的導(dǎo)入口，并且在從各前置側(cè)隆起面間到各軌面間設(shè)置了具有比上述磁元件面低、比槽部高的高度尺寸的臺(tái)階面。根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，從前置側(cè)向后置側(cè)流入的空氣即使因氣壓變化等而減少，也能夠?qū)⑤^少的空氣高效、平滑地引導(dǎo)到上述磁元件面，能夠更適當(dāng)?shù)貙?shí)現(xiàn)浮起姿勢(shì)的穩(wěn)定化。
此外，在本發(fā)明中，最好上述槽部設(shè)在比上述前置側(cè)隆起面靠后置側(cè)、夾著上述軌面與上述臺(tái)階面在寬度方向?qū)χ玫膬蓚?cè)區(qū)域。上述槽部雖然是產(chǎn)生負(fù)壓的面，但通過它能夠平衡良好地確保負(fù)壓與正壓，即使因氣壓變化等使空氣流入量減少，也能夠更適當(dāng)?shù)貙?shí)現(xiàn)浮起姿勢(shì)的穩(wěn)定化。
在本發(fā)明中，磁元件面、前置側(cè)隆起面、以及軌面都以相同的高度尺寸形成。上述軌面將上述磁元件面與前置側(cè)隆起面之間連接。進(jìn)而，將上述前置側(cè)隆起面在寬度方向上分割設(shè)置，在上述前置側(cè)隆起面間設(shè)置了空氣的導(dǎo)入口，并且在從各前置側(cè)隆起面間到各軌面間設(shè)置了具有比上述磁元件面低、比槽部高的高度尺寸的臺(tái)階面。根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，從前置側(cè)向后置側(cè)流入的空氣即使因氣壓變化等而減少，也能夠?qū)⑤^少的空氣高效、平滑地引導(dǎo)到上述磁元件面，能夠更適當(dāng)?shù)貙?shí)現(xiàn)浮起姿勢(shì)的穩(wěn)定化。


圖1是將本發(fā)明的實(shí)施方式的磁頭滑塊(實(shí)施例1)的盤對(duì)置面朝上表示的立體圖。
圖2是從盤對(duì)置面?zhèn)扔^察圖1所示的磁頭滑塊的俯視圖。
圖3是將上述磁頭滑塊安裝在支撐部件上的磁頭裝置的局部立體圖。
圖4是表示本發(fā)明的磁頭滑塊在磁盤上停止的狀態(tài)的磁盤裝置的局部側(cè)視圖。
圖5是表示本發(fā)明的磁頭滑塊從磁盤上浮起后的狀態(tài)的磁盤裝置的局部側(cè)視圖。
圖6是磁頭裝置H和磁盤D的俯視圖。
圖7是從盤對(duì)置面一側(cè)觀察比較例1的磁頭滑塊的俯視圖。
圖8是從盤對(duì)置面一側(cè)觀察比較例2的磁頭滑塊的俯視圖。
圖9是從盤對(duì)置面一側(cè)觀察比較例3的磁頭滑塊的俯視圖。
圖10是從盤對(duì)置面一側(cè)觀察比較例4的磁頭滑塊的俯視圖。
圖11是從盤對(duì)置面一側(cè)觀察比較例5的磁頭滑塊的俯視圖。
圖12是使用實(shí)施例1及比較例1至5的各磁頭滑塊，在圖6所示的磁盤D上的各位置ID、MD、OD，求出從高地(3048m)的氣壓下磁頭滑塊的浮起量減去平地(海平面)的氣壓下的磁頭滑塊的浮起量而得到的浮起量差的曲線圖。
圖13是使用實(shí)施例1及比較例1至5的各磁頭滑塊，在圖6所示的磁盤D上的各位置ID、MD、OD，求出高地(3048m)的氣壓下的磁頭滑塊的浮起量相對(duì)于平地(海平面)的氣壓下磁頭滑塊的浮起量的浮起量率的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是將本發(fā)明的實(shí)施方式的磁頭滑塊的盤對(duì)置面朝上表示的立體圖，圖2是從盤對(duì)置面?zhèn)扔^察圖1所示的磁頭滑塊的俯視圖，圖3是將上述磁頭滑塊安裝在支撐部件上的磁頭裝置的局部立體圖，圖4是表示本發(fā)明的磁頭滑塊在磁盤上停止的狀態(tài)的磁盤裝置的局部側(cè)視圖，圖5是表示本發(fā)明的磁頭滑塊從磁盤上浮起后的狀態(tài)的磁盤裝置的局部側(cè)視圖。
圖1及圖2所示的磁頭滑塊1構(gòu)成磁頭裝置H的一部分。上述磁頭滑塊1例如圖3所示，將上述磁頭滑塊1安裝在從盤對(duì)置面2的反面?zhèn)葘?duì)其彈性支撐的支撐部件22上。上述支撐部件22構(gòu)成為，具有板簧的承載梁18、和設(shè)在其前部的薄板簧的撓性部(フレキシヤ)(彈性支撐部件)17。
上述磁頭裝置H裝載在磁盤裝置內(nèi)，具有將磁信號(hào)存儲(chǔ)在設(shè)在上述磁盤裝置內(nèi)的磁盤D中、或者將存儲(chǔ)在上述磁盤D中的磁信號(hào)再生的功能。
圖4表示構(gòu)成上述磁頭裝置H的磁頭滑塊1停止在設(shè)于上述磁盤裝置內(nèi)的磁盤D上的狀態(tài)。磁盤D從圖4所示的停止?fàn)顟B(tài)開始旋轉(zhuǎn)，從而上述磁頭滑塊1在磁盤D上浮起，進(jìn)行上述存儲(chǔ)、再生(圖5)。
如圖4所示，在上述撓性部17的下表面上，從盤對(duì)置面2的反面?zhèn)日辰庸潭ㄖ蓬^滑塊1。如圖4所示，在上述撓性部17上形成有例如向圖示上方突出的球面狀的樞軸P，該樞軸P的前端與承載梁18抵接。
在圖4的狀態(tài)下，上述磁頭滑塊1通過支撐部件22以較弱的彈性力對(duì)磁盤D的存儲(chǔ)面施力。如圖5所示，如果磁盤D開始旋轉(zhuǎn)則通過受到空氣流作用而以上述樞軸P為擺動(dòng)支點(diǎn)，上述磁頭滑塊1的前置側(cè)端面Sl向上方提起。上述磁頭滑塊1如果浮起到磁盤D上，則追隨著磁盤D的波紋而以上述樞軸P為擺動(dòng)支點(diǎn)沿間距方向擺動(dòng)。如圖5所示，磁頭滑塊1以浮起量σ在磁盤D上浮起。以下，所謂“浮起量”，如圖5所示，用從磁元件5的表面到磁盤D表面的直線距離(最短距離)表示。
如圖1、圖2所示，將磁頭滑塊1的空氣流入端稱作“前置側(cè)端面Sl”，將空氣流出端側(cè)稱作“后置側(cè)端面St”。此外，以下不是表示側(cè)端面本身，而是將“朝向前置側(cè)端面的方向、及前置側(cè)端面附近”簡(jiǎn)單稱作“前置側(cè)Sl”，將“朝向后置側(cè)端面的方向、及后置側(cè)端面附近”簡(jiǎn)單稱作“后置側(cè)St”。此外，以下將從上述前置側(cè)端面Sl朝向后置側(cè)端面St的方向作為長(zhǎng)度方向(圖示Y方向)，將與上述長(zhǎng)度方向正交的方向(圖示X方向)作為寬度方向。
圖1及圖2所示的磁頭滑塊1由例如氧化鋁-碳化鈦等形成。
如圖1、圖2所示，在上述磁頭滑塊1的盤對(duì)置面2上，在后置側(cè)端St形成有磁元件面4，該磁元件面4是從處于最低位置的槽部3朝向磁盤D方向而隆起形成的。如圖1、圖2所示，磁元件5在上述磁頭滑塊1的后置側(cè)端面St上形成，是以例如利用了磁阻效應(yīng)的自旋閥型薄膜元件(スピンバルブ型薄膜素子)為代表的再生用MR元件、與存儲(chǔ)用感應(yīng)元件的復(fù)合元件，或者僅由MR元件及感應(yīng)元件中的一個(gè)構(gòu)成。如圖1、圖2所示，上述磁元件5的周圍由Al2O3等保護(hù)膜19覆蓋，上述保護(hù)膜19也構(gòu)成上述磁元件面4的一部分。
上述磁元件5的表面從上述磁元件面4露出，如上述那樣，通過上述磁元件5對(duì)磁盤D進(jìn)行存儲(chǔ)及再生。
如圖1、圖2所示，在上述磁頭滑塊1的前置側(cè)Sl以與上述磁元件面4相同的高度隆起形成，并且設(shè)有朝向?qū)挾确较?圖示X方向)分割形成為2的前置側(cè)隆起面6、7。
進(jìn)而，如圖1、圖2所示，在各前置側(cè)隆起面6、7的后置側(cè)端部6a、7a和上述磁元件面4的前置側(cè)端部4a之間隆起形成了以與磁元件面4以及前置側(cè)隆起面6、7相同的高度尺寸形成的軌面8、9，通過上述軌面8、9將各前置側(cè)隆起面6、7與磁元件面4連接。
如圖1、圖2所示，在上述軌面8、9的寬度方向(圖示X方向)的兩側(cè)，分別隆起形成有與上述磁元件面4相同高度的側(cè)隆起面10、11。上述側(cè)隆起面10、11是在上述磁頭滑塊1在磁盤D上向滾動(dòng)方向(以圖示Y方向?yàn)檩S旋轉(zhuǎn)的方向)傾斜時(shí)，用來抑制相對(duì)于上述磁盤D表面傾斜的角度、并抑制上述磁頭滑塊1的寬度方向(圖示X方向)的兩側(cè)端部碰到磁盤D上等的正壓產(chǎn)生面。這樣，上述磁元件面4、前置側(cè)隆起面6、7、軌面8、9、以及側(cè)隆起面10、11都以相同的高度隆起形成，這些面為正壓產(chǎn)生面。另一方面，如圖1、圖2所示，在盤對(duì)置面2上最低高度的槽部3為產(chǎn)生負(fù)壓的面。
如圖1、圖2所示，從上述前置側(cè)隆起面6、7之間到上述軌面8、9之間，設(shè)有比磁元件面4、前置側(cè)隆起面6、7及軌面8、9高度低、比上述槽部3高度高的臺(tái)階面12。將該臺(tái)階面稱作中央臺(tái)階面12b。上述臺(tái)階面12如圖1、圖2所示，具有設(shè)置在上述前置側(cè)隆起面6、7的前置側(cè)端部6b、7b上、并且設(shè)置在上述前置側(cè)隆起面6、7的寬度方向(圖示X方向)的兩側(cè)的側(cè)臺(tái)階面12a，進(jìn)而，上述側(cè)臺(tái)階面12a比上述前置側(cè)隆起面6、7的后置側(cè)端部6a、7a更朝向后置側(cè)St方向延伸設(shè)置。這樣，上述臺(tái)階面12形成為，除了上述前置側(cè)隆起面6、7的后置側(cè)端部6a、7a以外，使其包圍上述前置側(cè)隆起面6、7。
上述臺(tái)階面12并不是特別作為產(chǎn)生正壓或負(fù)壓的面而設(shè)置的，而是為了使空氣容易從前置側(cè)Sl的空氣流入端朝向后置側(cè)St的空氣流出端導(dǎo)通而設(shè)置的面，這樣的臺(tái)階面在上述側(cè)隆起面10、11的前置側(cè)端部10a、11a上也設(shè)置為臺(tái)階面13、14。特別是通過設(shè)置上述臺(tái)階面12能夠從圖4所示的停止?fàn)顟B(tài)立即移動(dòng)到圖5所示的浮起姿勢(shì)。此外，上述臺(tái)階面12由于也設(shè)置在比上述臺(tái)階面12高度高的正壓產(chǎn)生面即前置側(cè)隆起面6、7的前置側(cè)端部6b、7b上，所以能夠?qū)⒖諝鈴纳鲜雠_(tái)階面12適當(dāng)?shù)剌斔徒o上述前置側(cè)隆起面6、7，能夠在上述前置側(cè)隆起面6、7上適當(dāng)?shù)禺a(chǎn)生正壓。
如圖1、圖2所示，設(shè)有從上述磁元件面4的寬度方向(圖示X方向)的一個(gè)側(cè)端部4b朝向上述前置側(cè)Sl向?qū)挾确较?圖示X方向)傾斜的浮起量調(diào)整面15。上述浮起量調(diào)整面15以與上述磁元件面4相同的高度隆起形成，特別是為了調(diào)整相對(duì)于空氣的流入角度及空氣的流入速度的浮起量變化而設(shè)置的。如圖1、圖2所示，在上述浮起量調(diào)整面15與上述軌面9之間設(shè)有上述臺(tái)階面16。
本發(fā)明的特征部分是將各前置側(cè)隆起面6、7的后置側(cè)端部6a、7a、和上述磁元件面4的前置側(cè)端部4a之間，通過以與上述磁元件面4及上述前置側(cè)隆起面6、7相同的高度而隆起形成的軌面8、9連接，并且在上述前置側(cè)隆起面6、7之間以及軌面8、9之間，設(shè)有具有比上述磁元件面4低、比槽部3高的高度尺寸的中央臺(tái)階面12b。
這樣，通過由與上述磁元件面4及上述前置側(cè)隆起面6、7相同高度的軌面8、9將上述磁元件面4與上述前置側(cè)隆起面6、7之間連接，在被處于空氣流入端側(cè)的各前置側(cè)隆起面6、7壓縮的空氣容易地?zé)o階差等障礙地通過同一平面的軌面8、9而導(dǎo)通到上述磁元件面4，即使因氣壓變化等使流入空氣量減少，也能夠高效地將空氣聚集到上述磁元件面4。
此外，流入到設(shè)在上述前置側(cè)隆起面6、7間及軌面8、9間的中央臺(tái)階面12b上的空氣由處于寬度方向(圖示X方向)的兩側(cè)、高度較高的前置側(cè)隆起面6、7及軌面8、9適當(dāng)?shù)叵拗屏肆魅敕较?，平滑地流?dòng)到磁元件面4。例如在上述前置側(cè)隆起面6、7間及/或軌面8、9間沒有形成上述中央臺(tái)階面12b而是形成有上述槽部3的形態(tài)中，根據(jù)后述實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，與在上述前置側(cè)隆起面6、7間以及軌面8、9間設(shè)置了中央臺(tái)階面12b的圖1、圖2的形態(tài)相比，磁頭滑塊1的浮起量容易因氣壓變化帶來的空氣流入量的變動(dòng)而變動(dòng)。如果在上述前置側(cè)隆起面6、7及/或軌面8、9間形成上述槽部3，則負(fù)壓區(qū)域增加，結(jié)果，即使在空氣流入量較多時(shí)磁頭滑塊1的浮起量也很小，與表面為凹凸面的磁盤D碰撞的概率上升。此外，如果軌面8、9之間為與槽部3相同的高度，則通過上述軌面8、9之間的空氣容易與高度較高的上述磁元件面4的前置側(cè)端部4a碰撞而變得紊亂，不能適當(dāng)?shù)亓魅氲缴鲜龃旁?，此外，如果是在從軌面8、9之間到前置側(cè)隆起面6、7之間混合存在著槽部3與中央臺(tái)階面12b的形態(tài)，則由于在從軌面8、9之間到前置側(cè)隆起面6、7之間具有階差，所以那里容易產(chǎn)生空氣的紊亂，容易因氣壓變化等造成的空氣流入量的變化而使磁頭滑塊1的浮起量不穩(wěn)定化。由此，在從軌面8、9之間到前置側(cè)隆起面6、7之間設(shè)置了中央臺(tái)階面12b。
如圖2所示，在上述軌面8、9的寬度方向(圖示X方向)上相對(duì)置的內(nèi)側(cè)端部8a、9a分別連續(xù)形成于在上述前置側(cè)隆起面6、7的寬度方向(圖示X方向)上相對(duì)置的內(nèi)側(cè)端部6c、7c上，從上述前置側(cè)隆起面6、7的后置側(cè)端部6a、7a到上述磁元件面4的前置側(cè)端部4a，以比上述前置側(cè)隆起面6、7的寬度尺寸T1、T2窄的尺寸T3、T4延伸而形成。如上所述，上述軌面8、9的內(nèi)側(cè)端部8a、9a優(yōu)選為與上述前置側(cè)隆起面6、7的內(nèi)側(cè)端部6c、7c連續(xù)而形成。如果上述軌面8、9的內(nèi)側(cè)端部8a、9a與上述前置側(cè)隆起面6、7的內(nèi)側(cè)端部6c、7c在寬度方向(圖示X方向)上錯(cuò)開，則因上述軌面8、9間的間隔T5與上述前置側(cè)隆起面6、7間的間隔T6、特別是上述前置側(cè)隆起面6、7與軌面8、9的根部不同，空氣流變得紊亂，空氣難以平滑地流動(dòng)到磁元件面4，磁頭滑塊1的浮起姿勢(shì)容易因伴隨著氣壓變化的空氣流的減少而不穩(wěn)定化。此外，特別在上述軌面8、9間的間隔T5比上述前置側(cè)隆起面6、7間的間隔T6窄那樣的情況下，被壓縮的空氣不能高效地從上述前置側(cè)隆起面6、7導(dǎo)通到軌面，被導(dǎo)通到上述磁元件面4的空氣變少，容易導(dǎo)致浮起姿勢(shì)的不穩(wěn)定化。
另外，在圖1、圖2中上述軌面8、9平行地形成，但并不限于這種形態(tài)。
此外，將各前置側(cè)隆起面6、7的面積相加后的面積比上述磁元件面4的面積大。如圖5所說明那樣，磁頭滑塊1在浮起時(shí)由于要采取前置側(cè)端面Sl浮起得比后置側(cè)端面St高的傾斜姿勢(shì)，所以磁頭滑塊1的前置側(cè)Sl需要承受比后置側(cè)St強(qiáng)的正壓。因此，將作為正壓產(chǎn)生面的各前置側(cè)隆起面6、7的面積相加后的面積形成得比上述磁元件面4的面積大。
如圖1、圖2所示，在上述磁頭滑塊1的盤對(duì)置面2上，磁元件面4、前置側(cè)隆起面6、7、側(cè)隆起面10、11、臺(tái)階面12、13、14、16以外的部位為槽部3。如上述那樣磁頭滑塊1在高度最低的部位浮起時(shí)，槽部3產(chǎn)生負(fù)壓。
上述槽部3至少設(shè)置在比上述前置側(cè)隆起面6、7靠后置側(cè)St、與經(jīng)由上述軌面8、9與臺(tái)階面12在寬度方向(圖示X方向)上對(duì)置的兩側(cè)區(qū)域2a、2a上，而在磁頭滑塊1浮起時(shí)，容易采取后置側(cè)端面St比前置側(cè)端面Sl更靠近磁盤D的傾斜姿勢(shì)，并且通過負(fù)壓的產(chǎn)生區(qū)域分離設(shè)置在左右兩側(cè)、軌面8、9以及中央臺(tái)階面12b置于其間，在從前置側(cè)隆起面6、7到磁元件面之間明確地分為正壓與負(fù)壓的產(chǎn)生區(qū)域而設(shè)置。由此，即使空氣流入量減少，也能夠平衡良好地適當(dāng)?shù)胤謩e確保負(fù)壓與正壓，能夠?qū)崿F(xiàn)磁頭滑塊1的浮起姿勢(shì)的穩(wěn)定化。
實(shí)施例制造了以下的6個(gè)磁頭滑塊。
(實(shí)施例1)圖1、圖2所示的磁頭滑塊。
(比較例1)圖7(俯視圖)所示的磁頭滑塊。與圖2所示的磁頭滑塊(實(shí)施例1)不同的部分是，軌面8、9僅從磁元件面4的前置側(cè)端部4a向前置側(cè)Sl稍微突出，沒有通過上述軌面8、9將上述磁元件面4與前置側(cè)隆起面6、7之間連接，而是僅通過比上述軌面8、9高度低的中央臺(tái)階面12b將磁元件面4與前置側(cè)隆起面6、7之間連接。
(比較例2)圖8(俯視圖)所示的磁頭滑塊。與圖2所示的磁頭滑塊(實(shí)施例1)不同的部分是，從磁元件面4的前置側(cè)端部4a向前置側(cè)Sl延伸形成的軌面8、9沒有延伸到上述前置側(cè)隆起面6、7的后置側(cè)端部6a、7a，而是在中途被切斷，此外，中央臺(tái)階面12b也設(shè)在上述各前置側(cè)隆起面6、7之間、以及軌面8、9之間，但沒有連接前置側(cè)隆起面6、7與軌面8、9之間而形成，而是在中途被截?cái)唷?br> (比較例3)圖9(俯視圖)所示的磁頭滑塊。與圖2所示的磁頭滑塊(實(shí)施例1)不同的部分是，軌面8、9之間為產(chǎn)生負(fù)壓的槽部20。
(比較例4)圖10(俯視圖)所示的磁頭滑塊。與圖8(俯視圖)所示的磁頭滑塊(比較例2)相比較，圖10的磁頭滑塊與圖8所示的磁頭滑塊相比在軌面8、9間形成的中央臺(tái)階面12b向長(zhǎng)度方向(圖示Y方向)的長(zhǎng)度較短，在上述軌面8、9間的靠近前置側(cè)Sl處形成有產(chǎn)生負(fù)壓的槽部3。
(比較例5)圖11(俯視圖)所示的磁頭滑塊。與圖2所示的磁頭滑塊(實(shí)施例1)不同的部分是，前置側(cè)隆起面21不是在寬度方向(圖示X方向)上分割而形成的，而是一體形成的。
在實(shí)驗(yàn)中，將上述實(shí)施例1及比較例1至5的磁頭滑塊安裝在圖3所示的支承部件22上，如圖6所示那樣使其在磁盤D上浮起。此時(shí)，如圖6所示，對(duì)于磁頭滑塊，分別在距離磁盤D的中心正好對(duì)應(yīng)于盤半徑的大致中間的位置MD(距離盤中心7mm)、比上述一MD靠?jī)?nèi)側(cè)的位置ID(距離盤中心5mm)、比上述一MD靠外側(cè)的位置OD(距離盤中心8.7mm)，分別測(cè)量平地(0m，海平面)的氣壓下的磁頭滑塊的浮起量、與在高地(3048m)的氣壓下的磁頭滑塊的浮起量。接著，對(duì)各個(gè)磁頭滑塊求得將上述平地的浮起量減去高地的浮起量而得到的浮起量差。將該實(shí)驗(yàn)結(jié)果在圖12中表示。此外，圖13是表示將高地(3048m)的氣壓下的磁頭滑塊的浮起量用平地(0m，海平面)的氣壓下的磁頭滑塊的浮起量除而得到的浮起量率((高地的磁頭滑塊的浮起量/平地的磁頭滑塊的浮起量)×100)的曲線圖。另外，浮起量是圖5所示的浮起量σ。
如圖12、圖13所示，與比較例1至5相比，實(shí)施例1的浮起量差較小(浮起量率較大)，結(jié)果，可知在實(shí)施例1的形態(tài)的情況下，即使因氣壓變化而使空氣流入量減少，也能夠適當(dāng)?shù)貙?shí)現(xiàn)浮起姿勢(shì)的穩(wěn)定化。
此外，如果特別比較實(shí)施例1和比較例3，可知實(shí)施例1與比較例3相比因氣壓變化造成的磁頭滑塊的浮起量差較小。在比較例3中，在軌面8、9間沒有形成中央臺(tái)階面12b而是產(chǎn)生負(fù)壓的槽部20。因此，流入到設(shè)于前置側(cè)隆起面6、7間的中央臺(tái)階面12b的空氣通過軌面8、9間的槽部20而到達(dá)磁元件面4，但由于上述空氣通過了距離中央臺(tái)階面12b有階差的槽部20，所以空氣容易在那里變得紊亂，此外，從槽部20觀察，空氣不易平滑地流向高度很高的磁元件面4，結(jié)果，可以想到實(shí)施例3的磁頭滑塊與實(shí)施例1的磁頭滑塊相比因氣壓變化造成的浮起量差變大。
由實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，如圖1、圖2所示那樣，優(yōu)選為將與磁元件面4相同高度的前置側(cè)隆起面6、7在寬度方向(圖示X方向)上分割設(shè)置，并且將各前置側(cè)隆起面6、7和上述磁元件面4之間通過與上述磁元件面4和前置側(cè)隆起面6、7相同高度的軌面8、9連接。此外，可知優(yōu)選為在上述前置側(cè)隆起面6、7間及軌面8、9間設(shè)置比前置側(cè)隆起面6、7高度低、比槽部3高度高的中央臺(tái)階面12b。
權(quán)利要求
1.一種磁頭滑塊，其具有滑塊、和設(shè)在上述滑塊的后置側(cè)端面上的存儲(chǔ)用及/或再生用的磁元件；其特征在于，通過具有以下結(jié)構(gòu)而構(gòu)成槽部，在上述滑塊的盤對(duì)置面上位于最低高度位置；磁元件面，在后置側(cè)朝向磁盤方向隆起，而使上述磁元件的表面露出；前置側(cè)隆起面，在與上述后置側(cè)相對(duì)置一側(cè)的前置側(cè)、以與上述磁元件面相同的高度隆起，并且在相對(duì)于從上述后置側(cè)朝向前置側(cè)的長(zhǎng)度方向正交的方向的寬度方向上分割而設(shè)置；軌面，以與上述磁元件面相同的高度隆起，并且將各前置側(cè)隆起面的后置側(cè)端部與上述磁元件面的前置側(cè)端部之間連接；臺(tái)階面，在從各前置側(cè)隆起面之間到各軌面之間，以比上述磁元件面低、比槽部高的高度尺寸形成。
2.如權(quán)利要求1所述的磁頭滑塊，其特征在于，上述槽部設(shè)在比上述前置側(cè)隆起面靠后置側(cè)、夾著上述軌面與上述臺(tái)階面在寬度方向?qū)χ玫膬蓚?cè)區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明目的是提供一種特別能夠降低因氣壓變化造成的浮起量的變動(dòng)的磁頭滑塊。在本發(fā)明中，具有與磁元件面(4)及前置側(cè)隆起面(6、7)相同高度尺寸的軌面(8、9)將上述磁元件面(4)與前置側(cè)隆起面(6、7)之間連接，進(jìn)而，在從各前置側(cè)隆起面(6、7)間到各軌面(8、9)，設(shè)置了具有比上述磁元件面(4)低、比槽部(3)高的高度尺寸的中央臺(tái)階面(12b)。由此，即使因氣壓變化等而使空氣流入量減少，也能夠高效地將空氣聚集到上述磁元件面(4)，結(jié)果能夠?qū)崿F(xiàn)磁頭滑塊(1)的浮起姿勢(shì)的穩(wěn)定化。
文檔編號(hào)G11B21/21GK1815564SQ200610006778
公開日2006年8月9日 申請(qǐng)日期2006年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月2日
發(fā)明者上田淳生, 近藤康之 申請(qǐng)人:阿爾卑斯電氣株式會(huì)社