專(zhuān)利名稱(chēng)：非易失性存儲(chǔ)裝置的高電壓開(kāi)關(guān)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及非易失性存儲(chǔ)裝置的高電壓開(kāi)關(guān)電路，更具體地，本發(fā)明涉及一種縮短啟動(dòng)高電壓開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的升壓時(shí)間的高電壓開(kāi)關(guān)電路。
背景技術(shù)：
在諸如閃存或電子可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)的非易失性存儲(chǔ)裝置中，相對(duì)于其它存儲(chǔ)裝置其需要用于編程或擦除操作的高電壓(VPP)。高電壓是內(nèi)部產(chǎn)生的，且具有比外部電源電壓(VCC)更高的電壓。需要高電壓開(kāi)關(guān)來(lái)切換至高電壓VPP或?qū)⒏唠妷簜魉椭磷志€。而且，當(dāng)所述高電壓開(kāi)關(guān)包括N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管時(shí)，高電壓開(kāi)關(guān)需要比施加至NMOS晶體管的柵極的高電壓VPP更高的電壓。為此目的，可需要用于將NMOS晶體管的柵極升壓的升壓電路以用于所述高電壓開(kāi)關(guān)。
圖1為說(shuō)明傳統(tǒng)高電壓開(kāi)關(guān)電路的電路圖，所述高電壓開(kāi)關(guān)電路包括高電壓開(kāi)關(guān)11、升壓使能單元12及高電壓開(kāi)關(guān)升壓器13。
參看圖1，高電壓開(kāi)關(guān)11包括NMOS晶體管N1，其傳送高電壓VPP作為輸出信號(hào)VPPOUT，所述NMOS晶體管N1由自高電壓開(kāi)關(guān)升壓器13提供的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(即，節(jié)點(diǎn)NB的信號(hào))啟動(dòng)。
升壓使能單元12包括反相器IV1及IV2、及NMOS晶體管N2，以響應(yīng)于使能信號(hào)EN啟動(dòng)高電壓開(kāi)關(guān)升壓器13。
提供高電壓開(kāi)關(guān)升壓器13以將驅(qū)動(dòng)信號(hào)(即，節(jié)點(diǎn)NB的信號(hào))升壓，以啟動(dòng)高電壓開(kāi)關(guān)11，高電壓開(kāi)關(guān)升壓器13包括兩個(gè)電容器Ca及Cb及兩個(gè)NMOS晶體管N3及N4。NMOS晶體管N2經(jīng)是以二極管連接(diode connection)的形式配置的。電容器Ca及Cb分別響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CK及CKB，其中時(shí)鐘脈沖CKB為時(shí)鐘脈沖CK的反相。
圖2說(shuō)明了相對(duì)的時(shí)鐘信號(hào)CK及CKB的波形，且圖3A至3C說(shuō)明了圖1中所展示的高電壓開(kāi)關(guān)升壓器13的操作。在下文中，將參看圖2及圖3A至3C描述高電壓開(kāi)關(guān)升壓器13的操作。
將信號(hào)或節(jié)點(diǎn)升壓的最簡(jiǎn)單方式為使用時(shí)鐘信號(hào)CK及CKB。如圖3A中所展示，電容器Ca的一個(gè)電極耦接至?xí)r鐘信號(hào)CK，而電容器Ca的另一電極連接至節(jié)點(diǎn)NA。電容器Cb的一個(gè)電極耦接至?xí)r鐘信號(hào)CKB，而電容器Cb的另一電極連接至節(jié)點(diǎn)NB。因此，每當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)CK及CKB變化時(shí)，節(jié)點(diǎn)NA及NB即會(huì)改變。此處，Cs表示節(jié)點(diǎn)NB的寄生電容。
首先，如圖3A中所展示，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)CK為0V而時(shí)鐘信號(hào)CKB為VCC(參看圖2)時(shí)，電容器Ca不進(jìn)行提升操作，而電容器Cb進(jìn)行提升操作。接著，NMOS晶體管N3導(dǎo)通，而NMOS晶體管N4截止。因此，經(jīng)由電容器Ca的提升操作，將節(jié)點(diǎn)NB升壓至Vb。接著，節(jié)點(diǎn)NB減少了NMOS晶體管N3的閾值電壓Vth1而降低至Vb-Vth1，因?yàn)楣?jié)點(diǎn)NB連接至NMOS晶體管N3的柵極。
接下來(lái)，如圖3B中所展示，若時(shí)鐘信號(hào)CK自0V轉(zhuǎn)變成Vcc而時(shí)鐘信號(hào)CKB自Vcc轉(zhuǎn)變成0V，則電容器Ca開(kāi)始提升電荷，而電容器Cb不進(jìn)行提升操作。接著，NMOS晶體管N3截止，而NMOS晶體管N4導(dǎo)通。因此，藉由提升操作將節(jié)點(diǎn)NA自Vb-Vth1升壓至Vb-Vth1+Vcc。由于NMOS晶體管N4的柵極耦接至節(jié)點(diǎn)NA，因此節(jié)點(diǎn)NB減少了NMOS晶體管N4的閾值電壓Vth2而降低至Vb-Vth1+Vcc-Vth2。
且如圖3C中所展示，若時(shí)鐘信號(hào)CK自Vcc轉(zhuǎn)變成0V而時(shí)鐘信號(hào)CKB自0V轉(zhuǎn)變成Vcc，則電容器Cb再次開(kāi)始提升電荷，而電容器Ca不進(jìn)行提升操作。接著，NMOS晶體管N3導(dǎo)通，而NMOS晶體管N4截止。因此，藉由提升操作，節(jié)點(diǎn)NB自Vb-Vth1+Vcc+Vth2升壓至Vb-Vth1+Vcc-Vth2+rVcc，其中r＝Cb/(Cb+Cs)。
此處，節(jié)點(diǎn)NB處的最大電壓增益為Vb-Vth1+Vcc-Vth2+rVcc。節(jié)點(diǎn)NB處的實(shí)際電壓增益比最大增益小，因?yàn)镹MOS晶體管N4是二極管耦接于其中。藉此，NMOS晶體管N4的柵極電壓受節(jié)點(diǎn)NA的電壓影響，當(dāng)節(jié)點(diǎn)NA的電壓電平下降時(shí)，節(jié)點(diǎn)A降低。
因此，如圖4中所說(shuō)明，當(dāng)傳送至節(jié)點(diǎn)NB的電壓電平(即電荷量(NMOS晶體管N4的源極電壓))隨時(shí)間前進(jìn)而變得更低時(shí)，可能出現(xiàn)問(wèn)題。
結(jié)果，如圖5中所展示，用于由高電壓開(kāi)關(guān)11傳送高電壓VPP作為輸出信號(hào)的時(shí)間增加，當(dāng)電源電壓Vcc變得更低時(shí)，所述時(shí)間增加得更多。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)一種高電壓開(kāi)關(guān)電路，其可縮短用于啟動(dòng)高電壓開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的升壓時(shí)間從而減少由高電壓開(kāi)關(guān)傳送高電壓作為輸出信號(hào)的時(shí)間。
在一個(gè)實(shí)施例中，一種高電壓開(kāi)關(guān)電路包含高電壓開(kāi)關(guān)，其被配置成傳送高電壓；提升電路，其被配置成藉由響應(yīng)于多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行提升操作而將第一、第二及第三節(jié)點(diǎn)的信號(hào)升壓；及驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸電路，其配置成以恒定速率將所述第二節(jié)點(diǎn)的所述信號(hào)升壓，同時(shí)不管所述第一節(jié)點(diǎn)處的一電壓電平如何變化也維持所述第三節(jié)點(diǎn)的一電壓電平，且將所述第二節(jié)點(diǎn)的所述經(jīng)升壓的信號(hào)傳送至所述高電壓開(kāi)關(guān)，從而啟動(dòng)所述高電壓開(kāi)關(guān)。
在此實(shí)施例中，所述高電壓開(kāi)關(guān)電路也包含升壓使能電路，其被配置成啟動(dòng)所述提升電路及所述信號(hào)傳輸電路。
在此實(shí)施例中，所述提升電路包含第一提升單元，其被配置成響應(yīng)于第一時(shí)鐘信號(hào)將所述第一節(jié)點(diǎn)升壓；第二提升單元，其被配置成響應(yīng)于第二時(shí)鐘信號(hào)將所述第二節(jié)點(diǎn)升壓；及第三提升單元，其被配置成響應(yīng)于第三時(shí)鐘信號(hào)將所述第三節(jié)點(diǎn)升壓。
在此實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸電路包含第一及第二開(kāi)關(guān)單元，其串聯(lián)耦接于高電壓與所述第二節(jié)點(diǎn)之間；及一第三開(kāi)關(guān)單元，其被配置成藉由將所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第三節(jié)點(diǎn)彼此隔離，使得不管所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓電平如何變化也將所述第三節(jié)點(diǎn)的一電壓電平維持于恒定電平。
在此實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸電路包含第一開(kāi)關(guān)單元，其耦接于高電壓與所述第一節(jié)點(diǎn)之間，所述第一開(kāi)關(guān)單元具有耦接至所述第二節(jié)點(diǎn)的柵極；第二開(kāi)關(guān)單元，其耦接于所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)之間，所述第二開(kāi)關(guān)單元具有耦接至所述第三節(jié)點(diǎn)的柵極；及第三開(kāi)關(guān)單元，其耦接于所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第三節(jié)點(diǎn)之間，所述第三開(kāi)關(guān)單元具有耦接至所述第二節(jié)點(diǎn)的柵極。
在此實(shí)施例中，所述第三開(kāi)關(guān)單元將所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第三節(jié)點(diǎn)分離，以不管所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓電平如何變化也將所述第三節(jié)點(diǎn)的電壓電平維持于恒定電平。
在此實(shí)施例中，所述多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)包括第一時(shí)鐘信號(hào)，其在第一脈沖周期中使能；第二時(shí)鐘信號(hào)，其在第二脈沖周期中去能，在所述第二脈沖周期中所述第一時(shí)鐘信號(hào)為活動(dòng)的(例如邏輯高)，所述第二脈沖周期比所述第一脈沖周期窄；及第三時(shí)鐘信號(hào)，其在第三脈沖周期中去能，在所述第三脈沖周期中所述第一時(shí)鐘信號(hào)為活動(dòng)且所述第二時(shí)鐘信號(hào)為不活動(dòng)的(例如邏輯低)，所述第三脈沖周期比所述第二脈沖周期窄。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，一種高電壓開(kāi)關(guān)電路包含高電壓開(kāi)關(guān)，其被配置成傳送高電壓；高電壓開(kāi)關(guān)升壓器，其被配置成響應(yīng)于多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)將用于驅(qū)動(dòng)所述高電壓開(kāi)關(guān)的信號(hào)升壓；及升壓使能電壓，其被配置成啟動(dòng)所述高電壓開(kāi)關(guān)升壓器。所述高電壓開(kāi)關(guān)升壓器包含提升電路，其被配置成藉由響應(yīng)于所述多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行提升操作而將第一、第二及第三節(jié)點(diǎn)的信號(hào)升壓；及驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸電路，其被配置成不管所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓電平如何變化也將所述第三節(jié)點(diǎn)的電壓電平維持于恒定電平，且將所述經(jīng)升壓的驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳送至所述高電壓開(kāi)關(guān)。


圖1為說(shuō)明傳統(tǒng)高電壓開(kāi)關(guān)電路的電路圖；圖2為說(shuō)明在圖1的高電壓開(kāi)關(guān)電路中操作的時(shí)鐘信號(hào)的波形的圖式；圖3A至3C為說(shuō)明圖1的高電壓開(kāi)關(guān)電路的操作的圖式；圖4為說(shuō)明在圖1的高電壓開(kāi)關(guān)電路中的節(jié)點(diǎn)NA及NB處的信號(hào)的波形的時(shí)序圖；圖5為說(shuō)明經(jīng)由圖1的高電壓開(kāi)關(guān)電路輸出高電壓VPPOUT的時(shí)間點(diǎn)的時(shí)序圖；圖6為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的高電壓開(kāi)關(guān)電路的電路圖；圖7為說(shuō)明在圖6的高電壓開(kāi)關(guān)電路中操作的時(shí)鐘信號(hào)的波形的圖式；圖8A至8D為說(shuō)明圖6的高電壓開(kāi)關(guān)電路的操作的圖式；圖9為說(shuō)明在圖6的高電壓開(kāi)關(guān)電路中的節(jié)點(diǎn)NA、NB及NC處的信號(hào)波形的時(shí)序圖；及圖10為說(shuō)明經(jīng)由圖6的高電壓開(kāi)關(guān)電路輸出高電壓VPPOUT的時(shí)間點(diǎn)的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式
將在下文中參看附圖更加詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，可以不同形式實(shí)施本發(fā)明，且不應(yīng)將其建構(gòu)為限于本文中陳述的實(shí)施例。相反，提供此等實(shí)施例，使得此揭示內(nèi)容將徹底且完全，且將本發(fā)明的范疇充分傳達(dá)至熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，相同數(shù)字指示相同組件。
在下文中，將結(jié)合附圖描述本發(fā)明的例示性實(shí)施例。
圖6為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的高電壓開(kāi)關(guān)電路的電路圖。
參看圖6，高電壓開(kāi)關(guān)電路100包括高電壓開(kāi)關(guān)110、升壓使能電路120及高電壓開(kāi)關(guān)升壓器130。
高電壓開(kāi)關(guān)110包括被配置成傳送高電壓VPP作為輸出信號(hào)VPPOUT的NMOS晶體管N1。
升壓使能電路120包括反相器IV1及IV2及NMOS晶體管N2，以響應(yīng)于使能信號(hào)EN而啟動(dòng)高電壓開(kāi)關(guān)升壓器130。反相器IV1及IV2充當(dāng)緩沖器，且輸出使能信號(hào)EN，且NMOS晶體管N2由電源電壓Vcc導(dǎo)通，且將所述使能信號(hào)EN傳送至高電壓開(kāi)關(guān)升壓器130。
高電壓開(kāi)關(guān)升壓器130包括三個(gè)NMOS晶體管N11至N13及三個(gè)電容器C1至C3。此處，Cs表示寄生電容。電容器C1的一個(gè)電極耦接至節(jié)點(diǎn)NA，且電容器C1的另一電極耦接至?xí)r鐘信號(hào)CK1。電容器C2的一個(gè)電極耦接至節(jié)點(diǎn)NB，且電容器C2的另一電極耦接至?xí)r鐘信號(hào)CK2。電容器C3的一個(gè)電極耦接至節(jié)點(diǎn)NC，且電容器C3的另一電極耦接至?xí)r鐘信號(hào)CK3。NMOS晶體管N11耦接于高電壓VPP的端子與節(jié)點(diǎn)NA之間，以經(jīng)由其柵極響應(yīng)于來(lái)自節(jié)點(diǎn)NB的信號(hào)。NMOS晶體管N12耦接于節(jié)點(diǎn)NA與節(jié)點(diǎn)NB之間，其柵極耦接至電容器C3的電極。NMOS晶體管N13耦接于節(jié)點(diǎn)NA與節(jié)點(diǎn)NC之間，以經(jīng)由其柵極響應(yīng)于來(lái)自節(jié)點(diǎn)NB的信號(hào)。
圖6中所展示的高電壓開(kāi)關(guān)電路100的NMOS晶體管N13能夠?qū)MOS晶體管N12的柵極電壓維持于恒定電平。
圖7為說(shuō)明在圖6的高電壓開(kāi)關(guān)電路中操作的時(shí)鐘信號(hào)CK1、CK2與CK3的波形的圖式，其中可以大于0的值控制時(shí)鐘信號(hào)CK1、CK2及CK3的周期t1、t1′、t2及t2′。在第一脈沖周期中，使能時(shí)鐘信號(hào)CK1(例如，將其設(shè)定成邏輯高)。在比第一脈沖周期窄的第二脈沖周期中，去能時(shí)鐘信號(hào)CK2(例如，將其設(shè)定成邏輯低)，同時(shí)時(shí)鐘信號(hào)CK1為活動(dòng)的(例如，保持邏輯高)。在比第二脈沖周期窄的第三脈沖周期中，使能時(shí)鐘信號(hào)CK3，同時(shí)時(shí)鐘信號(hào)CK1為活動(dòng)的且時(shí)鐘信號(hào)CK2為不活動(dòng)的(例如，保持邏輯低)。
圖8A至8D為說(shuō)明圖6中所展示的高電壓開(kāi)關(guān)升壓器130的操作的圖式。在下文中，將參看圖7及圖8A至8D描述將NMOS晶體管N12的柵極電壓維持于恒定電平的方法。
首先，如圖8A中所說(shuō)明，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)CK1為0V時(shí)，時(shí)鐘信號(hào)CK3為0V，且時(shí)鐘信號(hào)CK2為Vcc(參看圖7)時(shí)，電容器C1及C3不進(jìn)行提升操作，而電容器C2進(jìn)行提升操作。結(jié)果，NMOS晶體管N11及N13導(dǎo)通，且NMOS晶體管N12截止。因此，節(jié)點(diǎn)NB藉由電容器C2的提升操作而升壓至Vb，而節(jié)點(diǎn)NA處的電壓減少了NMOS晶體管N11的閾值電壓Vth1而降低至Vb-Vth1，因?yàn)楣?jié)點(diǎn)NB耦接至NMOS晶體管N11的柵極。節(jié)點(diǎn)NC處的電壓減少了NMOS晶體管N13的閾值電壓Vth3而降低至Vb-Vth3，因?yàn)楣?jié)點(diǎn)NB耦接至NMOS晶體管N13的柵極。
接下來(lái)，如圖8B中所說(shuō)明，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)CK1自0V轉(zhuǎn)變成Vcc時(shí)，時(shí)鐘信號(hào)CK3保持于0V，且時(shí)鐘信號(hào)CK2保持于Vcc(參看圖7)時(shí)，電容器C1進(jìn)行提升操作，而電容器C3停止提升，且電容器C2保持提升操作。接著，NMOS晶體管N11及N13維持其截止?fàn)顟B(tài)，同時(shí)NMOS晶體管N12維持其截止?fàn)顟B(tài)。因此，節(jié)點(diǎn)NA處的電壓自Vb-Vth1升壓至Vb-Vth1+Vcc，而節(jié)點(diǎn)NC維持Vb-Vth3的電壓電平，且節(jié)點(diǎn)NB維持Vb的電壓電平。
如圖8C中所說(shuō)明，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)CK1保持于Vcc時(shí)，時(shí)鐘信號(hào)CK3在預(yù)定時(shí)間內(nèi)設(shè)定成Vcc之后返回至0V，且時(shí)鐘信號(hào)CK2自Vcc轉(zhuǎn)變成0V(參看圖7)時(shí)，電容器C1保持提升，且電容器C3在預(yù)定時(shí)間內(nèi)(例如當(dāng)CK3為活動(dòng)時(shí))進(jìn)行其提升操作，而電容器C2停止提升。接著，NMOS晶體管N11維持其導(dǎo)通狀態(tài)，而NMOS晶體管N12導(dǎo)通一段時(shí)間。NMOS晶體管N13截止。因此，節(jié)點(diǎn)NA維持Vb-Vth1+Vcc的電壓電平，而節(jié)點(diǎn)NC處的電壓在預(yù)定時(shí)間內(nèi)升壓至Vb-Vth3+Vcc(NMOS晶體管N12的柵極電壓維持Vb-Vth3+Vcc的電壓電平，而不受節(jié)點(diǎn)NA處的電壓電平的變化的影響)。節(jié)點(diǎn)NB處的電壓減少了NMOS晶體管N12的閾值電壓Vth2而降低至Vb-Vth3+Vcc-Vth2，因?yàn)楣?jié)點(diǎn)NC耦接至NMOS晶體管N12的柵極。
且接下來(lái)，如圖8D中所說(shuō)明，當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)CK1保持于Vcc時(shí)，時(shí)鐘信號(hào)CK3經(jīng)設(shè)定成0V，且時(shí)鐘信號(hào)CK2自0V轉(zhuǎn)變成Vcc(參看圖7)時(shí)，電容器C1保持提升，而電容器C3停止提升，且電容器C2重新開(kāi)始其提升操作。接著，NMOS晶體管N11維持其導(dǎo)通狀態(tài)，而NMOS晶體管N12截止，且NMOS晶體管N13再次導(dǎo)通。因此，節(jié)點(diǎn)NA維持Vb-Vth1+Vcc的電壓電平，而節(jié)點(diǎn)NB處的電壓升壓至Vb-Vth3+Vcc-Vth2+rVcc(此處，考慮到寄生電容，r為Cb/(Cb+Cs))。而且，藉由將NMOS晶體管N13的漏極電壓直接傳送至節(jié)點(diǎn)NC且不存在電壓降落，節(jié)點(diǎn)NC處的電壓保持于Vb-Vth3+Vcc，因?yàn)镹MOS晶體管N13的柵極電壓Vb-Vth3+Vcc-Vth2+rVcc高于漏極電壓Vb-Vth3+Vcc。
如上文所陳述，藉由高電壓開(kāi)關(guān)升壓器130的操作，使得不管節(jié)點(diǎn)NA處的電壓電平如何變化，NMOS晶體管N12的柵極電壓也維持Vb-Vth3+Vcc的電平，因?yàn)樵跁r(shí)鐘信號(hào)CK3變成邏輯高電平的圖8C的步驟后，由NMOS晶體管N13將NMOS晶體管N12的柵極(即節(jié)點(diǎn)NC)與NMOS晶體管N12的漏極(即節(jié)點(diǎn)NA)分離。
圖9為說(shuō)明圖6的高電壓開(kāi)關(guān)電路中的節(jié)點(diǎn)NA、NB及NC處的信號(hào)波形的時(shí)序圖，其作為對(duì)于高電壓開(kāi)關(guān)升壓器的模擬結(jié)果，且圖10為說(shuō)明經(jīng)由圖6的高電壓開(kāi)關(guān)電路輸出高電壓輸出信號(hào)VPPOUT的時(shí)間點(diǎn)的時(shí)序圖。
參看圖9，因?yàn)楣?jié)點(diǎn)NC的電壓電平(即NMOS晶體管N12的柵極電壓)隨時(shí)間前進(jìn)而變高，所以NMOS晶體管N12的源極的電壓電平(即節(jié)點(diǎn)NB的電壓電平(即黑色實(shí)線))升高。
如圖10中所說(shuō)明，展示用于輸出高電壓信號(hào)VPPOUT的時(shí)間。盡管Vcc電壓降低，但是電壓VPPOUT具有升壓特征。
雖然電源電壓Vcc降低，但本發(fā)明可比傳統(tǒng)狀況更快地傳送高電壓。
本發(fā)明有利于在具有低電源電壓的應(yīng)用中改良高電壓開(kāi)關(guān)操作的效率。
雖然已結(jié)合附圖中所說(shuō)明的本發(fā)明的特定實(shí)施例描述了本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于所述等實(shí)施例。對(duì)于普通熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者顯而易見(jiàn)的是，在不偏離本發(fā)明的范疇及精神的前提下，可對(duì)本發(fā)明做出各種取代、修改及改變。
權(quán)利要求
1.一種非易失性存儲(chǔ)裝置，其包含高電壓開(kāi)關(guān)，其被配置成將高于外部電源供應(yīng)電壓的電壓傳送至所述裝置；提升電路，其包括第一、第二及第三節(jié)點(diǎn)，所述提升電路被配置成藉由響應(yīng)于多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行提升操作而將第一、第二及第三節(jié)點(diǎn)的信號(hào)升壓；及驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸電路，其被配置成以恒定速率將第二節(jié)點(diǎn)的信號(hào)升壓，同時(shí)不管第一節(jié)點(diǎn)處的電壓電平如何變化也維持第三節(jié)點(diǎn)的電壓電平，且將第二節(jié)點(diǎn)的經(jīng)升壓的信號(hào)傳送至高電壓開(kāi)關(guān)。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包含升壓使能電路，所述升壓使能電路被配置成啟動(dòng)所述提升電路與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸電路。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述提升電路包含第一提升單元，其被配置成響應(yīng)于第一時(shí)鐘信號(hào)將所述第一節(jié)點(diǎn)升壓；第二提升單元，其被配置成響應(yīng)于第二時(shí)鐘信號(hào)將所述第二節(jié)點(diǎn)升壓；及第三提升單元，其被配置成響應(yīng)于第三時(shí)鐘信號(hào)將所述第三節(jié)點(diǎn)升壓。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸電路包含第一及第二開(kāi)關(guān)單元，其耦接于具有高于所述外部電源供應(yīng)電壓的所述電壓的給定節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)之間；及第三開(kāi)關(guān)單元，其被配置成不管所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓電平的變化也將所述第三節(jié)點(diǎn)的電壓電平維持于恒定電平。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸電路包含第一開(kāi)關(guān)單元，其耦接于具有高于所述外部電源供應(yīng)電壓的所述電壓的給定節(jié)點(diǎn)與所述第一節(jié)點(diǎn)之間，所述第一開(kāi)關(guān)單元具有耦接至所述第二節(jié)點(diǎn)的柵極；第二開(kāi)關(guān)單元，其耦接于所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)之間，所述第二開(kāi)關(guān)單元具有耦接至所述第三節(jié)點(diǎn)的柵極；及第三開(kāi)關(guān)單元，其耦接于所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第三節(jié)點(diǎn)之間，所述第三開(kāi)關(guān)單元具有耦接至所述第二節(jié)點(diǎn)的柵極。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述第三開(kāi)關(guān)單元被配置成將所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第三節(jié)點(diǎn)分離，以不管所述第一節(jié)點(diǎn)處的所述電壓電平的變化也將所述第三節(jié)點(diǎn)的電壓電平維持于恒定電平。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)包括第一時(shí)鐘信號(hào)，其在第一脈沖周期中使能；第二時(shí)鐘信號(hào)，其在第二脈沖周期中去能，在所述第二脈沖周期中所述第一時(shí)鐘信號(hào)為活動(dòng)的，所述第二脈沖周期比所述第一脈沖周期窄；及第三時(shí)鐘信號(hào)，其在第三脈沖周期中去能，在所述第三脈沖周期中所述第一時(shí)鐘信號(hào)為活動(dòng)的且所述第二時(shí)鐘信號(hào)為不活動(dòng)的，所述第三脈沖周期比所述第二脈沖周期窄。
8.一種非易失性存儲(chǔ)裝置，其包含高電壓開(kāi)關(guān)，其被配置成將高于外部電源供應(yīng)電壓的電壓傳送至所述裝置；高電壓開(kāi)關(guān)升壓器，其被配置成響應(yīng)于多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)將用于驅(qū)動(dòng)所述高電壓開(kāi)關(guān)的信號(hào)升壓；及升壓使能電壓，其被配置成啟動(dòng)所述高電壓開(kāi)關(guān)升壓器，其中，所述高電壓開(kāi)關(guān)升壓器包含提升電路，其包括第一、第二及第三節(jié)點(diǎn)，所述提升電路被配置成藉由響應(yīng)于所述多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行提升操作而將所述等第一、第二及第三節(jié)點(diǎn)的信號(hào)升壓；及驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸電路，其被配置成不管所述第一節(jié)點(diǎn)處的電壓電平如何變化也將所述第三節(jié)點(diǎn)的電壓電平維持于恒定電平，且將所述經(jīng)升壓的驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳送至所述高電壓開(kāi)關(guān)。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述提升電路包含第一提升單元，其被配置成響應(yīng)于第一時(shí)鐘信號(hào)將所述第一節(jié)點(diǎn)升壓；第二提升單元，其被配置成響應(yīng)于第二時(shí)鐘信號(hào)將所述第二節(jié)點(diǎn)升壓；及第三提升單元，其被配置成響應(yīng)于第三時(shí)鐘信號(hào)將所述第三節(jié)點(diǎn)升壓。
10.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸電路包含第一及第二開(kāi)關(guān)單元，其耦接于具有高于所述外部電源供應(yīng)電壓的所述電壓的給定節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)之間；及第三開(kāi)關(guān)單元，其被配置成不管所述第一節(jié)點(diǎn)處的所述電壓電平如何變化也將所述第三節(jié)點(diǎn)的電壓電平維持于恒定電平。
11.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸電路包含第一開(kāi)關(guān)單元，其耦接于具有高于所述外部電源供應(yīng)電壓的所述電壓的給定節(jié)點(diǎn)與所述第一節(jié)點(diǎn)之間，所述第一開(kāi)關(guān)單元具有耦接至所述第二節(jié)點(diǎn)的柵極；第二開(kāi)關(guān)單元，其耦接于所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)之間，所述第二開(kāi)關(guān)單元具有耦接至所述第三節(jié)點(diǎn)的柵極；及第三開(kāi)關(guān)單元，其耦接于所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第三節(jié)點(diǎn)之間，所述第三開(kāi)關(guān)單元具有耦接至所述第二節(jié)點(diǎn)的柵極。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第三開(kāi)關(guān)單元被配置成將所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第三節(jié)點(diǎn)分離，以不管所述第一節(jié)點(diǎn)處的所述電壓電平如何變化也將所述第三節(jié)點(diǎn)的電壓電平維持于恒定電平。
13.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)包括第一時(shí)鐘信號(hào)，其在第一脈沖周期中使能；第二時(shí)鐘信號(hào)，其在第二脈沖周期中去能，在所述第二脈沖周期中所述第一時(shí)鐘信號(hào)為活動(dòng)的，所述第二脈沖周期比所述第一脈沖周期窄；及第三時(shí)鐘信號(hào)，其在第三脈沖周期中去能，在所述第三脈沖周期中所述第一時(shí)鐘信號(hào)為活動(dòng)的且所述第二時(shí)鐘信號(hào)為不活動(dòng)的，所述第三脈沖周期比所述第二脈沖周期窄。
全文摘要
一種高電壓開(kāi)關(guān)電路，其包含高電壓開(kāi)關(guān)，其被配置成傳送高電壓；提升電路，其被配置成藉由響應(yīng)于多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)進(jìn)行提升操作而將第一、第二及第三節(jié)點(diǎn)的信號(hào)升壓；及驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸電路，其被配置成以恒定速率將第二節(jié)點(diǎn)的信號(hào)升壓，同時(shí)不管第一節(jié)點(diǎn)處的電壓電平如何變化也維持第三節(jié)點(diǎn)的電壓電平，且將第二節(jié)點(diǎn)的經(jīng)升壓的信號(hào)傳送至高電壓開(kāi)關(guān)，從而啟動(dòng)高電壓開(kāi)關(guān)。
文檔編號(hào)G11C16/14GK1838325SQ200610005019
公開(kāi)日2006年9月27日 申請(qǐng)日期2006年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月25日
發(fā)明者李錫柱 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司