專利名稱：磁記錄介質(zhì)的硅基底及其制造方法以及磁記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于小尺寸磁記錄介質(zhì)的硅基底，該磁記錄介質(zhì)用作信息處理裝置的記錄介質(zhì)。
本申請要求2004年8月11日提交的日本專利申請No.2004-234366、2005年4月20日提交的日本專利申請No.2005-122175和2004年8月23日提交的美國臨時申請No.60/603272的優(yōu)先權(quán)，，這些申請的內(nèi)容通過被引用而并入本申請。
背景技術(shù)：
隨著近年來信息裝置應(yīng)用范圍的擴(kuò)展，磁記錄介質(zhì)的存儲容量不斷增長。特別是，主要作為計(jì)算機(jī)外部存儲器的磁盤的存儲容量和存儲密度逐年遞增。然而，為了進(jìn)行更高密度的記錄，需要進(jìn)行改進(jìn)。例如，由于筆記本個人計(jì)算機(jī)和掌上個人計(jì)算機(jī)的發(fā)展，需要尺寸小并且緊湊的耐久記錄器。因此，需要能夠進(jìn)行更高密度記錄并且具有大機(jī)械強(qiáng)度的小尺寸磁記錄介質(zhì)。此外，近年來，已經(jīng)將超小型磁記錄介質(zhì)用于一些導(dǎo)航系統(tǒng)和便攜式音樂再現(xiàn)單元中。
至今，已經(jīng)將包括鋁合金、具有NiP鍍層的鋁合金的材料或者玻璃基底用作作為記錄介質(zhì)的磁盤的基底。然而，鋁合金基底的耐磨性差并且可加工性低，因此向該鋁基底涂敷NiP鍍層，以便補(bǔ)償這些缺點(diǎn)。然而，其上具有NiP鍍層的鋁合金仍然具有在高溫加工過程中容易彎曲、磁化等缺點(diǎn)。此外，玻璃基底的問題在于當(dāng)回火增強(qiáng)時，在表面上出現(xiàn)應(yīng)力層，并且在玻璃基底上形成壓縮應(yīng)力，使得當(dāng)加熱該基底時玻璃基底容易變形。
在超小型磁記錄介質(zhì)的直徑為1英寸(25.4mmФ)或者0.85英寸(21.6mmФ)并且能夠以高密度進(jìn)行記錄的情況下，基底的彎曲是災(zāi)難性的缺陷。對于微小型磁記錄介質(zhì)的基底而言，需要薄并且難以因外部受力而變形，以及具有平面表面和其上能夠容易地形成磁記錄層的材料。
因此，提出使用硅基底作為磁記錄介質(zhì)，其通常用作半導(dǎo)體器件基底(例如參見日本待審專利申請，首次公開No.06-76282)。
單晶硅具有許多優(yōu)點(diǎn)，例如相較于鋁，其密度較低、楊式模量較大、熱膨脹系數(shù)較小以及高溫性能較好，并且導(dǎo)電。因此，希望將其用作磁記錄介質(zhì)的基底材料。此外，基底的直徑越小，沖擊壓力越小，因此即使使用硅基底，也可以制造出耐久的磁記錄設(shè)備。
通常，為了制造磁記錄介質(zhì)的基底，首先利用Czochralski方法制造單晶硅結(jié)晶塊。接著，在其中央制造開孔，繼而將其切削成預(yù)定的厚度。根據(jù)其用途，利用研磨機(jī)等通過使其中心孔及其外圓周的邊緣部分倒角，將經(jīng)切削的環(huán)形盤拋光成鏡面，繼而研磨并拋光前后表面、外圓周邊緣面以及倒角部分。
因?yàn)楣杌椎墓璨牧蠟橐姿榈?，所以在該基底?jīng)過上述制造過程時存在問題，容易產(chǎn)生裂縫和碎片。如果產(chǎn)生裂縫或者碎片，不僅會造成磁記錄介質(zhì)產(chǎn)量的減少，所產(chǎn)生的顆粒還會在記錄和再現(xiàn)過程中產(chǎn)生錯誤，以及在記錄和再現(xiàn)過程中造成磁頭的撞擊。
為了由易碎材料獲得沒有裂縫或碎片的磁記錄介質(zhì)基底，提出了一種方法，其中基底中心孔內(nèi)圓周和基底外圓周的倒角角度大于或等于20度并且小于或等于24度，并且使倒角面長度大于或等于0.03mm并且小于或等于0.15mm(例如參見日本待審專利申請，首次公開No.07-249223)。
通過形成具有上述形式的基底，能夠減少制造過程中由于處理或者落下而在基底上造成的裂縫、碎片等等。因此顯著提高了制造產(chǎn)量。
此外，關(guān)于玻璃基底，為了實(shí)現(xiàn)高密度記錄，設(shè)想磁頭在磁記錄介質(zhì)上更加接近地浮動，并且記錄和再現(xiàn)的方法正在逐漸由接觸起停(CSS)方法向裝載和卸載方法(斜面加載方法)轉(zhuǎn)變。這些記錄和再現(xiàn)方法還需要安裝可靠性高的基底，該基底在記錄和再現(xiàn)過程中沒有錯誤，并且在記錄和再現(xiàn)過程中磁頭不會撞擊。
對于滿足這個目的的基底而言，提出了一種將半徑大于或等于0.003mm并小于0.2mm的曲表面插入在至少基底內(nèi)外圓周的邊緣面與倒角部分之間，或者基底的主表面與倒角部分之間(例如，參見日本待審專利申請，首次公開No.2002-100031)。
利用這種基底，可以獲得安裝可靠性高的磁記錄介質(zhì)，由此在記錄和再現(xiàn)過程中不會出現(xiàn)錯誤，以及在記錄和再現(xiàn)過程中不會出現(xiàn)磁頭的撞擊。
日本專利申請，首次公開No.昭06-76282[專利文獻(xiàn)2]日本專利申請，首次公開No.昭07-249223[專利文獻(xiàn)3]日本專利申請，首次公開No.2002-10031發(fā)明內(nèi)容然而，因?yàn)楣杌滓姿椋镁哂腥毡緦＠暾埵状喂_No.昭07-249223和日本專利申請首次公開No.2002-10031中所述形狀的基底，將基底邊緣面安裝到加工盒中的基底插座中。因此，由于運(yùn)輸過程中的震動造成在基底邊緣面上出現(xiàn)碎片和在基底上出現(xiàn)裂縫，以及由于與加工盒摩擦產(chǎn)生的硅粉末的碎片引起顆粒污染，從而造成有缺陷的磁記錄介質(zhì)產(chǎn)品。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種基底，盡管該基底為易碎材料制成的硅基底，也不易于在基底邊緣面上產(chǎn)生碎片或者在基底上產(chǎn)生裂縫，還提供一種基底形狀，其能夠防止由于基底邊緣面產(chǎn)生的碎屑，以及防止由于摩擦加工盒而產(chǎn)生的碎屑。
為了解決上述問題，提供了以下的發(fā)明(1)用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其中在基底的主表面與邊緣面之間提供了倒角部分，其中邊緣面與基底的倒角部分被鏡面拋光，并且在基底的主表面與倒角部分之間插入半徑大于或等于0.01mm并小于0.3mm的曲表面；(2)根據(jù)(1)的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其中主表面與邊緣面之間的倒角部分位于基底的外圓周側(cè)上；(3)根據(jù)(1)或(2)的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其中主表面與邊緣面之間的倒角部分位于基底的內(nèi)圓周側(cè)上，(4)根據(jù)(1)至(3)中任一項(xiàng)的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其中倒角部分的長度為0.05到0.16mm；(5)根據(jù)(1)至(4)中任一項(xiàng)的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其中該硅基底為在中心具有圓形孔的盤形基底，并且中心的圓形孔直徑的尺寸精確度在±20μm內(nèi)；(6)根據(jù)(1)至(5)中任一項(xiàng)的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其中邊緣面與倒角部分的表面粗糙度小于或等于1μmRmax；(7)根據(jù)(1)至(6)中任一項(xiàng)的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其中基底主表面的表面粗糙度小于或等于10nm Rmax；(8)一種制造用于磁記錄介質(zhì)的硅基底的方法，包括使中心具有圓形孔的盤形硅基底浸入包含自由拋光顆粒的拋光液體中，通過與拋光刷滾動接觸來拋光硅基底的外圓周邊緣面和/或內(nèi)圓周邊緣面的工序；(9)根據(jù)(8)的制造用于磁記錄介質(zhì)的硅基底的方法，其中在使內(nèi)外圓周倒角之后實(shí)施通過與拋光刷滾動接觸的拋光工序；(10)根據(jù)(8)或(9)的制造用于磁記錄介質(zhì)的硅基底的方法，其中將由聚酰胺樹脂制成的刷子用作上述的拋光刷；以及(11)一種通過在根據(jù)(1)至(7)任一項(xiàng)的磁記錄介質(zhì)的硅基底的主表面上至少形成磁性層而制成的磁記錄介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明，在用于磁記錄介質(zhì)的硅基底中，在該基底的主表面與邊緣面之間提供了倒角部分，該基底的邊緣面與倒角部分被鏡面拋光，并且將半徑大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面插在該基底的主表面與倒角部分之間。因此，該基底的角部為光滑的，該基底的角部不會被削掉，所以從該基底上不會產(chǎn)生顆粒，并且能夠防止由于摩擦加工盒而產(chǎn)生的碎屑。因此，可以降低有缺陷的磁記錄介質(zhì)發(fā)生的比率，以及防止在記錄和再現(xiàn)過程中出現(xiàn)錯誤。


圖1為本發(fā)明的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底的透視截面圖；圖2為說明圖1所示的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底各個部分的尺寸的簡圖；圖3為表示圖1所示的用于本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的硅基底的放大的外圓周部分的簡圖；
圖4為說明測量曲表面半徑R的方法的簡圖；圖5為表示用于本發(fā)明中的疊層的硅基底的一部分的簡圖；圖6為說明利用刷子拋光硅基底中心孔的內(nèi)圓周的方法的簡圖；圖7為說明利用刷子拋光硅基底外圓周的方法的簡圖。
具體實(shí)施例方式
下文中詳細(xì)說明本發(fā)明。
圖1為磁記錄介質(zhì)的被截?cái)嗟墓杌椎耐敢晥D。此外，圖2為說明如圖1所示的本發(fā)明的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底的各個尺寸的簡圖。
如圖1所示，由環(huán)形盤制成用于磁記錄介質(zhì)1的硅基底1。該盤的前后為用于進(jìn)行磁記錄的主表面2和3。在主表面2和3與圓周邊緣面4之間形成外圓周倒角部分5，并且在主表面2和3與內(nèi)圓周邊緣面7之間形成內(nèi)圓周倒角部分6。
將主表面2和3、外圓周邊緣面4、內(nèi)圓周邊緣面7、外圓周倒角部分5和內(nèi)圓周倒角部分6中的每一個拋光為鏡面表面。
此外，在本發(fā)明的用于磁記錄介質(zhì)1的硅基底中，在主表面2和3與外圓周倒角部分5的相交部分以及主表面2和3與內(nèi)圓周倒角部分6的相交部分處形成半徑R大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面。
通過提供上述曲表面，易碎材料制成的硅基底的角部部分不會被削掉，從而減少了碎片的出現(xiàn)，并且減少了由于摩擦加工盒產(chǎn)生的碎屑造成的顆粒污染導(dǎo)致的有缺陷的磁記錄介質(zhì)產(chǎn)品的出現(xiàn)，以及記錄和再現(xiàn)過程中錯誤的出現(xiàn)。
圖2表示了本發(fā)明的用于磁記錄介質(zhì)1的硅基底各個部分的尺寸。在該圖中，D表示該基底的外徑，d表示基底中心孔的內(nèi)徑，T表示基底的厚度，以及L表示倒角部分的長度。表1表示了作為本發(fā)明目的的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底各個部分的測量值的實(shí)例。如表1所示，對于直徑為0.85英寸到3.5英寸的基底而言，曲表面的適當(dāng)半徑R為0.01mm到0.3mm。
單位mm

圖3表示了本發(fā)明的用于磁記錄介質(zhì)1的硅基底的外圓周部分的放大圖。在本發(fā)明的用于磁記錄介質(zhì)1的硅基底的主表面2和3與外圓周邊緣面4之間形成外圓周倒角部分5，并且在主表面2和3與外圓周倒角部分5的相交部分處形成半徑R大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面。
此外，類似的是，在主表面2和3與內(nèi)圓周倒角部分的相交部分處形成半徑R大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面。
參照圖4說明測量該曲表面半徑R的方法。如圖4所示，從主表面繪制延長線S1，并且將該延長線S1與曲表面S2分開的位置標(biāo)記為原點(diǎn)A。距離原點(diǎn)A 10μm遠(yuǎn)的位置標(biāo)記為點(diǎn)B和點(diǎn)C。經(jīng)過這三個點(diǎn)A、B和C的圓O的半徑R等于曲表面的半徑R。如果該曲表面的半徑R大于或等于0.01mm且小于0.3mm，可以防止硅基底的角部被削落。如果R小于0.01，則該角部過于尖銳，因此抗沖擊的強(qiáng)度弱，并且在處理過程中或者如果受到敲擊容易被削掉。如果R大于0.3mm，則降低了記錄信息的主表面面積，這是不希望的。希望在介于主表面與外圓周倒角部分之間和主表面與內(nèi)圓周倒角部分之間都提供具有半徑R的曲表面。
半徑為0.01mm到0.3mm的曲表面能夠用于任意尺寸的硅基底。然而，其對于直徑為0.85英寸到2.5英寸的基底而言是特別有效的。
對于這些硅基底而言，倒角部分5和6的適當(dāng)長度為0.15mm到0.19mm。這將確保足夠的記錄信息的主表面面積。
此外，在本發(fā)明的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底中，將主表面、外圓周邊緣面、內(nèi)圓周邊緣面、外圓周倒角部分和內(nèi)圓周倒角部分拋光成鏡面光潔度。
主表面的粗糙度小于或等于10nm Rmax。此外，內(nèi)外圓周邊緣面和內(nèi)外圓周倒角部分的粗糙度小于或等于1μm Rmax。
需要將硅基底中心孔的直徑的精度控制在±20μm內(nèi)。
通過利用拋光刷拋光內(nèi)外圓周表面，能夠獲得如上所述的具有半徑R的曲表面的硅基底。
通常，利用以下方法制造硅基底。即，首先，為了提高形狀精度和尺寸精度，對盤形硅材料進(jìn)行研磨處理。利用研磨設(shè)備分兩步進(jìn)行該研磨處理，并且將輪廓不規(guī)則度拋光為達(dá)到小于或等于1μm，并且拋光表面粗糙度，使其達(dá)到小于或等于6μm Rmax。
因?yàn)橥ǔＴ谶M(jìn)行第一步研磨處理之后獲得的硅基底大于用于磁記錄介質(zhì)的基底，所以利用激光劃線器切割出具有適當(dāng)內(nèi)外徑的基底。
然后，對外圓周和內(nèi)圓周進(jìn)行預(yù)定的倒角處理。此時，內(nèi)外圓周邊緣面的表面粗糙度近似為4μm Rmax。
接著，進(jìn)行第二步研磨處理，使輪廓不規(guī)則度小于或等于1μm，以及使表面粗糙度小于或等于6μm Rmax。
接著，拋光內(nèi)外圓周倒角部分，并且修整為鏡面光潔度。最后，拋光設(shè)置有磁記錄層的主表面。該拋光處理分兩步進(jìn)行，第一拋光用于去除到該時刻的處理過程中產(chǎn)生的劃痕和形變，第二拋光處理用于拋光為鏡面光潔度。
按照這種方式獲得了用于磁記錄介質(zhì)的硅基底。
在本發(fā)明中，在研磨了外圓周邊緣面和倒角部分之后，利用刷子進(jìn)一步拋光內(nèi)圓周邊緣面和外圓周邊緣面。
對于刷子拋光(brush polishing)，使用如圖5所示的硅基底疊層12。該硅基底疊層12為疊置的多個硅基底1，并在該各硅基底之間插入間隔物11。
提供間隔物11以便可靠地防止倒角部分5和6的任何部分未被拋光刷拋光，并且可靠地防止硅基底在拋光過程中被損壞。這些間隔物與硅基底類似，為具有中心圓形孔的盤形。具體講，所形成的這些間隔物11在安裝時，其邊緣(側(cè)面)縮進(jìn)硅基底外圓周倒角部分5的端部內(nèi)約0到2mm(優(yōu)選的是約0.5到2mm)。如果間隔物的邊緣相對于硅基底倒角部分的端部進(jìn)一步縮進(jìn)，則進(jìn)入硅基底主表面區(qū)域的刷子會使主表面與倒角部分之間的脊部分變圓，這取決于間隔物的厚度和刷子的刷毛直徑。此外，根據(jù)所使用的刷子的刷毛直徑適當(dāng)?shù)卣{(diào)整間隔物11的厚度。該厚度優(yōu)選約為0.1到0.3mm。此外，對于間隔物11的材料而言，優(yōu)選使用比硅基底柔軟的材料，例如聚亞氨酯、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、與拋光處理中使用的拋光墊相同的材料等等。優(yōu)選使用足夠柔軟的材料，以防止硅基底由于來自拋光刷或拋光墊的壓力而損壞。
在拋光操作中，首先，在一個工具(圖中未示出)上交替插入大量的硅基底與間隔物，通過安裝頂蓋并將它們壓在一起，形成了硅基底疊層。接著，在硅基底1的中心孔中插入拋光刷，并且調(diào)整拋光刷的壓力大小，使得刷毛與硅基底的內(nèi)圓周邊緣面相接觸。
希望使用由形成為螺旋形的由成束的聚酰胺纖維構(gòu)成的拋光刷，該纖維直徑為0.05mm到0.3mm、長度為1到10mm。
接著，使基底盒填充足夠量的拋光液。然后，如圖6所示，使硅基底疊層12與拋光刷13上下移動，同時相互沿相反方向旋轉(zhuǎn)，以便刷子拋光基底內(nèi)圓周表面。優(yōu)選的是，硅基底疊層12的旋轉(zhuǎn)速度為60rpm，并且拋光刷13的旋轉(zhuǎn)速度約為1000到3000rpm。
通過利用刷子拋光內(nèi)圓周表面，主表面與內(nèi)圓周倒角部分的相交部分變?yōu)榘霃綖?.01到0.3mm的曲表面。
接著，在刷子拋光內(nèi)圓周邊緣面之后，利用該刷子拋光硅基底的外圓周邊緣面。
如圖7所示，使圓柱形刷子15壓到硅基底疊層12的硅基底1的邊緣面上。希望使用直徑為200到500mm的形成螺旋形的圓柱形刷子15，其中刷毛為直徑為0.05mm到0.3mm、長度為10到30mm的聚酰胺纖維。使圓柱形拋光刷壓到硅基底疊層的外圓周部分上，并且向硅基底疊層的外圓周部分與拋光刷相接觸的表面提供拋光液。
接著，使硅基底疊層12與圓柱形刷子15上下移動，同時使它們分別以60rpm和700到1000rpm的速度彼此沿相反方向旋轉(zhuǎn)，以便刷子拋光硅基底1的外圓周邊緣面。
在水中清洗完成刷子拋光的硅基底，對其表面進(jìn)行第一拋光處理。
第一拋光處理的目的在于去除直到上述處理過程所殘留的劃痕和形變。
第一拋光處理使用典型的拋光設(shè)備，使用膠體氧化硅+水作為拋光液，并且以近似100gf/cm2(0.98N/cm2(相對壓強(qiáng)))的負(fù)載、40rpm的下表面旋轉(zhuǎn)速度、35rpm的上表面盤旋轉(zhuǎn)速度、近似14rpm的中心齒輪旋轉(zhuǎn)速度和近似29rpm的內(nèi)齒輪旋轉(zhuǎn)速度進(jìn)行該處理。
在水中清洗已經(jīng)完成上述第一拋光處理的硅襯底，并且將其傳送到第二拋光處理。
接著，對已經(jīng)完成第一拋光處理的硅襯底進(jìn)行最后的第二拋光處理。第二拋光處理的拋光條件，即最后的拋光處理的條件是使用膠體氧化硅+水作為拋光液，將負(fù)載減少到近似100gf/cm2(0.98N/cm2(相對壓強(qiáng)))、40rpm的下表面旋轉(zhuǎn)速度、35rpm的上表面盤旋轉(zhuǎn)速度、近似14rpm的中心齒輪旋轉(zhuǎn)速度和近似29rpm的內(nèi)齒輪旋轉(zhuǎn)速度。
將已經(jīng)完成上述第二拋光處理的硅襯底依次浸沒在中性洗滌液、純水、純水+IPA(異丙醇)和IPA(蒸汽干燥)的洗滌槽中，以清洗這些襯底。
通過以上處理，能夠獲得用于磁記錄介質(zhì)的硅襯底，其中襯底的邊緣面和倒角部分具有鏡面光潔度，并且半徑大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面介于襯底的主表面與倒角部分之間。
盡管用于磁記錄介質(zhì)的硅襯底的材料為易碎的硅，但是難以在襯底邊緣面上產(chǎn)生碎片以及在襯底上產(chǎn)生裂縫，能夠防止從襯底邊緣面上產(chǎn)生碎屑，以及能夠防止由于摩擦加工盒而產(chǎn)生的碎屑。
如果根據(jù)已知的常規(guī)方法，例如利用直列型(inline)濺射設(shè)備等，在如上獲得的用于磁記錄介質(zhì)的硅襯底兩側(cè)依次形成CrMo襯層、CoCrPtTa磁層和碳?xì)浠锉Ｗo(hù)層，并且利用浸漬法形成全氟聚醚(perfluoropolyether)液體潤滑劑膜，則能夠獲得磁記錄介質(zhì)。
能夠按照這種方式獲得的本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)具有介于襯底主表面與倒角部分之間的半徑大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面，因此難以在磁記錄介質(zhì)邊緣面上形成碎片以及在襯底上形成裂縫，能夠防止從磁記錄介質(zhì)邊緣面上產(chǎn)生的碎屑，以及能夠防止由于摩擦加工盒而產(chǎn)生的碎屑。因此，有效地防止了記錄和再現(xiàn)過程中的錯誤，以及記錄和再現(xiàn)過程中磁頭的碰撞。
實(shí)施例制備直徑為150mm(額定6英寸)的硅襯底，依次進(jìn)行如下步驟第一階段研磨處理、激光切割處理、第二研磨處理、內(nèi)外圓周倒角處理、內(nèi)外圓周邊緣刷光處理、主表面第一拋光處理以及主表面第二拋光處理，并且制得具有如表2所示的形狀的20個0.85英寸硅襯底。
在內(nèi)外圓周邊緣面的拋光處理和刷光處理中應(yīng)用硅襯底疊層，在該硅襯底疊層中直徑為21mm、厚度為0.2mm的由環(huán)氧樹脂制成的間隔物插在各硅襯底之間。
在內(nèi)圓周邊緣面的刷光處理中，使用由直徑為0.1mm、長度為5mm的成束的聚酰胺纖維制成的螺旋形拋光刷，并且使用其中顆粒尺寸為#3000的氧化鋁拋光顆粒懸浮在水中的拋光液。將拋光刷插入硅襯底疊層的中心孔中，并且使刷子與硅襯底疊層相對沿相反方向旋轉(zhuǎn)以進(jìn)行拋光，其中硅襯底疊層的旋轉(zhuǎn)速度為60rpm，拋光刷的旋轉(zhuǎn)速度為6000rpm。
接著，在完成了該硅襯底內(nèi)圓周邊緣面的刷子拋光之后，利用該刷子對外圓周邊緣面進(jìn)行拋光。
為了刷子拋光內(nèi)圓周邊緣面，使用直徑為300mm、刷毛直徑為0.1mm且長度為20mm的圓柱形刷子，其中刷毛為聚酰胺纖維，形成為螺旋形。使拋光刷壓在硅襯底疊層中硅襯底的邊緣面上，并且在硅襯底疊層的外圓周部分與拋光刷相接觸的表面提供拋光液，同時使硅襯底疊層與圓柱形刷子分別以60rpm和1500rpm的速度相對沿相反方向旋轉(zhuǎn)以進(jìn)行拋光。
在按照這種方式獲得的20個硅襯底的外圓周邊緣面附近觀察硅襯底的尺寸精度，結(jié)果如表2所示。
表2

接著，使這20個硅襯底經(jīng)受類似于在運(yùn)輸用的盒子中儲存和移動時可能遇到的震動，并且檢查在襯底邊緣面上發(fā)生的損壞的情況以及所產(chǎn)生的碎屑。
通過利用光學(xué)顯微鏡觀察該襯底邊緣面來檢查襯底邊緣面上出現(xiàn)的損壞情況。此外，利用運(yùn)輸用盒子通過以下程序進(jìn)行碎屑生成測試。
(1)在盒子中插入硅襯底，蓋上定蓋，從而封裝該硅襯底。
(2)為了模擬運(yùn)輸，使該硅襯底朝盒子的底部和頂部移動10次。
(3)為了模擬在盒子中的插入和取出，將該硅襯底插入盒子的凹槽中或從凹槽中移除。
在已經(jīng)完成了上述過程(1)、(2)和(3)之后，利用光學(xué)顯微鏡測量襯底外圓周部分上產(chǎn)生的聚碳酸酯顆粒的數(shù)量，該聚碳酸酯顆粒為盒子的材料。通過觀察20個襯底來進(jìn)行測量，并且利用計(jì)數(shù)的顆粒數(shù)量除以襯底的個數(shù)(20個)的值進(jìn)行比較。結(jié)果如表3所示。
表3

比較例為了進(jìn)行比較，同樣地評估了介于襯底主表面與倒角部分之間的曲表面半徑為0.05mm的硅襯底(比較例)。結(jié)果也列在表3中。
這些結(jié)果表明，在易碎材料的襯底中，如果在襯底主表面與倒角部分之間提供半徑大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面，則不易于在襯底邊緣面上產(chǎn)生碎片或者在襯底上產(chǎn)生裂縫，可以防止從襯底邊緣面上產(chǎn)生碎屑，還可以防止由于摩擦加工盒而產(chǎn)生的碎屑。
權(quán)利要求
1.一種用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，包括位于該基底的主表面與邊緣面之間的倒角部分，其中所述邊緣面與所述基底的倒角部分具有鏡面光潔度，并且半徑大于或等于0.01mm并小于0.3mm的曲表面介于所述基底的所述主表面與所述倒角部分之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其中所述主表面與所述邊緣面之間的所述倒角部分位于所述基底的外圓周側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其中所述主表面與所述邊緣面之間的所述倒角部分位于所述基底的內(nèi)圓周側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其中所述倒角部分的長度為0.05到0.16mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其中所述硅基底為在中心具有圓形孔的盤形基底，并且中心的所述圓形孔直徑的尺寸精確度在±20μm內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其中所述邊緣面與所述倒角部分的表面粗糙度小于或等于1μm Rmax。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，其中所述基底的所述主表面的表面粗糙度小于或等于10nm Rmax。
8.一種制造用于磁記錄介質(zhì)的硅基底的方法，包括使中心具有圓形孔的盤形硅基底浸入包含自由拋光顆粒的拋光液中，并且通過與拋光刷滾動接觸來拋光所述硅基底的外圓周邊緣面和/或內(nèi)圓周邊緣面的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造用于磁記錄介質(zhì)的硅基底的方法，其中在使內(nèi)外圓周倒角之后實(shí)施通過與拋光刷滾動接觸進(jìn)行的所述拋光步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求8和9中的任一項(xiàng)所述的制造用于磁記錄介質(zhì)的硅基底的方法，其中將由聚酰胺樹脂制成的刷子用作所述的拋光刷。
11.一種磁記錄介質(zhì)，其中在根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的用于磁記錄介質(zhì)的硅基底的主表面上至少形成磁性層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于磁記錄介質(zhì)的硅基底，即使其為易碎材料制成的硅基底，也不易于在基底邊緣面上產(chǎn)生碎片或者在基底上產(chǎn)生裂縫，并且防止從基底邊緣面上產(chǎn)生的碎屑，以及防止由于摩擦加工盒而產(chǎn)生的碎屑。因此，在用于磁記錄介質(zhì)的硅基底中，在基底的主表面與邊緣面之間提供了倒角部分，該邊緣面與基底的倒角部分具有鏡面光潔度，并且半徑大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面介于基底主表面與倒角部分之間。在形成該曲表面過程中，制備具有疊置的多個硅基底與間隔物的硅基底疊層，并且刷子拋光該基底中心孔的內(nèi)圓周和該基底的外圓周。
文檔編號G11B5/82GK1993736SQ200580026818
公開日2007年7月4日 申請日期2005年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月11日
發(fā)明者會田克昭 申請人:昭和電工株式會社