專利名稱：：磁記錄介質(zhì)的基底、磁記錄介質(zhì)以及磁記錄和再現(xiàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及到一種用來形成磁記錄介質(zhì)的基底，其中，所述磁記錄介質(zhì)被用作信息裝置中的記錄介質(zhì)，本發(fā)明還涉及到一種磁記錄介質(zhì)以及一種磁記錄和再現(xiàn)裝置。
背景技術(shù)：
：近些年來，隨著各種信息裝置的進(jìn)步，磁記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)容量也越來越增加了。具體說，在計(jì)算機(jī)中作為外存儲(chǔ)器而扮演中心角色的磁盤，其記錄容量和記錄密度逐年在增加。在這種情況下，需要開發(fā)一種能進(jìn)行高密度記錄的磁盤。例如，膝上型和掌上型個(gè)人電腦的M要求記錄裝置尺寸變小，并具有高的抗沖擊能力，所以，對(duì)能進(jìn)行高密度記錄并具有高機(jī)械強(qiáng)度的小尺寸》茲記錄介質(zhì)的需求增加了。最近，導(dǎo)航系統(tǒng)和可攜帶音樂播放裝置也使用了采用超小磁記錄介質(zhì)的記錄裝置。通常，這種磁記錄介質(zhì)(即，磁盤)使用具有鍍MP表面的鋁合金基底、或玻璃基底，它能滿足嚴(yán)格的要求，包括有較高的抗沖擊性、剛度、硬度和化學(xué)耐用性。這種玻璃基底的好處在于，它能容易地形成平坦的表面，適合于使在磁記錄面上飛行的磁頭的飛行高度減小，而所述飛行高度的減小對(duì)于獲得高密度磁記錄來說是非常重要的。在近些年來，在磁記錄介質(zhì)上飛行的磁頭的飛行高度已經(jīng)越來越減小了，以便獲得高密度的記錄，根據(jù)這種趨勢(shì)，要求用來形成磁記錄介質(zhì)的基底(在下文中被稱作"磁記錄介質(zhì)基底，，或"磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，，)具有平坦的表面，具有小的表面粗糙度(例如，鏡面)，并且具有最少的表面缺陷(諸如微劃痕和微坑)。通過下述步驟來制造磁記錄介質(zhì)基底(例如，硬盤(HD)基底)粗略拋光(打磨)基底表面的步驟，其中所述基底已經(jīng)形成了所希望的尺寸；通過打磨對(duì)基底的內(nèi)端面和外端面進(jìn)行倒角的步驟；對(duì)基底表面進(jìn)行最終拋光的步驟。隨后，通過例如下述步驟在基底表面上形成若干膜層紋理化步驟，其中，基底表面被適度地粗化；在所述基底的表面上形成襯層的步驟；在所述襯層的表面上形成磁性層的步驟；在所述磁性層上形成保護(hù)層的步驟；在所述保護(hù)層上形成潤(rùn)滑層的步驟。之后，通過拋光步驟去掉膜層表面上所形成的不規(guī)則凸起，從而制備出磁記錄介質(zhì)作為最后的產(chǎn)品。這樣制備出來的基底會(huì)產(chǎn)生一個(gè)問題，即在基底的斜切面部分會(huì)發(fā)生村層或磁性層的剝落，導(dǎo)致成品產(chǎn)生缺陷。為了解決這個(gè)問題，提出了增強(qiáng)基底上所形成的膜層的耐用性的方法，其中，所述斜切部分的平均表面粗糙度(Ra)被調(diào)整到0,20微米以下(參加，例如，專利文件l)。在磁阻型磁頭的飛行高度被減小以便提高記錄密度的情形中，當(dāng)磁頭再現(xiàn)磁記錄介質(zhì)上所記錄的數(shù)據(jù)時(shí)，會(huì)發(fā)生再現(xiàn)誤差，或者數(shù)據(jù)不能被再現(xiàn)。這種現(xiàn)象由下面的機(jī)理所導(dǎo)致由磁記錄介質(zhì)表面上沉積的顆粒所構(gòu)成的凸起會(huì)引起粗糙致熱(thermalasperity)現(xiàn)象，從而在磁阻型磁頭中產(chǎn)生熱，這種熱的產(chǎn)生會(huì)改變磁頭的磁阻，這種改變對(duì)電磁轉(zhuǎn)換特性會(huì)產(chǎn)生不利影響。對(duì)萬茲頭的飛行會(huì)產(chǎn)生不利影響的顆粒(例如，有角的顆粒或相對(duì)于介質(zhì)(磁盤)表面比較尖銳地凸起的顆粒)被發(fā)現(xiàn)是在磁記錄介質(zhì)制造期間在盒子中存放并傳輸基低時(shí)由磁記錄介質(zhì)基低的端面與所述存放盒子的無意刮擦所產(chǎn)生的?？梢韵胂?，當(dāng)端面(包括斜切部分和基底側(cè)壁)不呈鏡面的基底被放入由聚碳酸酯或類似材料所制成的存放盒子中或從中取出時(shí)，基底端面就會(huì)與存放盒子的內(nèi)壁相接觸，于是上述顆粒就會(huì)從端面產(chǎn)生，并會(huì)沉積在磁記錄介質(zhì)的表面上。為了解決這個(gè)問題，已經(jīng)提出了一種技術(shù)，用來將基底的斜切部分和側(cè)壁中至少其中之一的表面平均粗糙度(Ra)調(diào)整到1微米以下，即，使表面形成鏡面的技術(shù)(參見，例如，專利文件2)。專利文件1:日本專利申請(qǐng)(kokai)公開No.09-102120專利文件2:日本專利申請(qǐng)(kokai)公開No.10-15432
發(fā)明內(nèi)容通常，包含垂直磁記錄層的磁記錄介質(zhì)中采用由含F(xiàn)e、Co等的合金所構(gòu)成的軟磁性襯層。然而，由于這樣形成的軟磁層的厚度以及由于這種合金材料所固有的腐蝕特性，腐蝕會(huì)在基底端面附近的軟磁層中發(fā)生，其中，在基底端面附近，該軟磁層和基底之間的接觸實(shí)質(zhì)上是很弱的。已經(jīng)表明，這種腐蝕會(huì)引起磁記錄介質(zhì)電磁轉(zhuǎn)換特性的很大退化，所以，需要有防止腐蝕的措施。對(duì)基底表面粗糙度與軟磁性襯層鍵合強(qiáng)度之間的關(guān)系的研究表明，當(dāng)基底端面的表面粗糙度被調(diào)整到通常所建議的水平上時(shí)，在基底端面和軟磁層之間不能形成充分緊密的接觸，從而在軟磁層(即，易腐蝕層)中會(huì)發(fā)生腐蝕，由此就不能獲得高的鍵合強(qiáng)度。本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是，提供一種磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，該基底產(chǎn)品能夠增強(qiáng)基底端面和軟磁層之間的接觸強(qiáng)度，并能抑制腐蝕的發(fā)生。本發(fā)明的另一個(gè)目標(biāo)是，提供一種包含所述基底產(chǎn)品的磁記錄介質(zhì)，該磁記錄介質(zhì)顯示出沒有退化的電磁轉(zhuǎn)換特性并具有非常好的耐用性，本發(fā)明的再一個(gè)目標(biāo)是，提供一種包含所述磁記錄介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)裝置。為了實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，本發(fā)明提供下列內(nèi)容(1)一種磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，包含一種圓盤形非磁性基底，該基底在其中心部分有圓孔，并且在將要在上面形成磁性層的主表面與外端面之間的部分以及所述主表面與界定所述圓孔的內(nèi)端面之間的部分中的至少一個(gè)部分處形成斜切面，其中，通過AFM可以測(cè)量到，所述斜切面的表面粗糙度(Ra)落在4.0A≤Ra≤100A范圍內(nèi)；(2)如(1)中所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，其中，通過AFM可以測(cè)量到，所述斜切面的表面粗糙度(Ra)落在4.0A≤Ra≤50A范圍內(nèi)；(3)如(1)或(2)中所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，其中，通過AFM可以測(cè)量到，所述外端面的表面粗糙度(Ra)落在4.0A≤Ra≤100A范圍內(nèi)；(4)如(3)中所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，其中，通過AFM可以測(cè)量到，所述外端面的表面粗糙度(Ra)落在4,0A≤Ra≤50A范圍內(nèi)；(5)如(1)到(4)中的任何一款所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，其中，通過AFM可以測(cè)量到，在所述基底主表面和所述斜切面之間的拐角部分處的曲面(即，圓面，下文中稱作"R面，，)的表面粗糙度(Ra)落在4.0A≤Ra≤50A范圍內(nèi)；(6)如(1)到(5)中的任何一款所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，其中，通過AFM可以測(cè)量到，界定所述圓孔的內(nèi)端面的表面粗豐造度(Ra)落在4.0A≤Ra≤100A范圍內(nèi)；(7)如(1)到(6)中的任何一款所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，其中，所述非磁性基底由非晶玻璃、晶化玻璃、硅、和鋁中的任何一種材料構(gòu)成。(8)—種磁記錄介質(zhì)，包含上述(1)到(7)中的任何一款所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，以及在所述基底產(chǎn)品的主表面上所形成的垂直磁記錄介質(zhì)層；以及(9)一種磁記錄和再現(xiàn)裝置，包含上述(8)中所述的磁記錄介質(zhì)。當(dāng)形成斜切面以獲得這樣小的表面粗糙度時(shí)，斜切面和軟磁層之間的接觸強(qiáng)度就會(huì)增強(qiáng)，軟磁層中腐蝕的發(fā)生就可以得到抑制。所以，這樣得到的磁記錄介質(zhì)不會(huì)有電磁轉(zhuǎn)換特性的退化。于是，就可以有效地解決通常會(huì)遇到的問題，這些問題包括，磁記錄介質(zhì)的外周處SNR的減小引起的讀誤差，以及磁頭的不穩(wěn)定飛行所導(dǎo)致的側(cè)寫(sidewriting)會(huì)使鄰近信號(hào)的擦除故障，其中，當(dāng)磁頭在外周處所產(chǎn)生的腐蝕部分的附近飛行，并且所述腐蝕部分沉積到磁頭的表面上時(shí)，會(huì)發(fā)生所述不穩(wěn)定飛行。圖1A是一個(gè)透視圖，顯示了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品中被切開了的基底產(chǎn)品；圖IB顯示了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品中基底產(chǎn)品的剖面圖2是一個(gè)放大了的剖面圖，用來描述本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品的各部分；圖3顯示了基底層疊體的配置；圖4顯示了基底層疊體的外周的拋光方法；圖5顯示了基底層疊體的內(nèi)周的拋光方法；圖6顯示了測(cè)量R面曲率的方法；圖7顯示了本發(fā)明的磁記錄和再現(xiàn)裝置的配置。圖中附圖標(biāo)記的描述I.石茲記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品5.墊片，5a.墊片的末端部分6.基底層疊體7.17.刷子10.主表面II.外端面12、22，斜切面13、23.R面14.內(nèi)孔15.拐角部分21.內(nèi)端面26.介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部分27.磁頭28.磁頭驅(qū)動(dòng)部分29.記錄/再現(xiàn)信號(hào)處理系統(tǒng)30.磁記錄介質(zhì)40.磁記錄和再現(xiàn)裝置具體實(shí)施例方式下面將詳細(xì)描述本發(fā)明。圖1A和1B顯示了本發(fā)明中的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品。圖1A是一個(gè)透視圖，顯示了本發(fā)明中的切開的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，而圖IB是該基底產(chǎn)品的剖面圖。圖2是一個(gè)放大了的剖面圖，用來描述圖1A和IB所示的本發(fā)明中的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品的各部分。如圖1A和1B所示，本發(fā)明中的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品l構(gòu)成了面圈形圓盤。在圓盤的上部和下部是主表面10,在所述主表面上將形成磁記錄層。該圓盤在其外周具有外端面11。該圓盤在其中心部分有一個(gè)由內(nèi)端面21所界定的圓孔14。在主表面10和外端面11之間形成斜切部分(斜切面)12。另外，在主表面10和內(nèi)端面21之間也形成斜切部分(斜切面)22。圖2是一個(gè)放大了的剖面圖，用來描述圖1A和1B所示的本發(fā)明中的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品的各部分。圖2顯示了這樣一個(gè)例子，其中在主表面10和斜切部分(斜切面)12之間形成半徑為13到80微米的R面13。R面13具有抑制顆粒產(chǎn)生的效應(yīng)，即使是在盒子中存it^底產(chǎn)品和在制造磁記錄介質(zhì)期間傳送基底產(chǎn)品時(shí)該基底產(chǎn)品的端面受到盒子的刮擦也能抑制顆粒的產(chǎn)生。本發(fā)明所使用的基底可以是非晶玻璃基底、晶化玻璃基底、單晶硅(Si)基底、鍍NiP的Al基底、或鍍NiP的Al合金基底。務(wù)使用的非晶玻璃基底可以是化學(xué)強(qiáng)化的玻璃基底或是非強(qiáng)化的玻璃基底。要使用的硅基底可以是用作半導(dǎo)體晶片的高純單晶硅基底、可以是摻雜的基底、或者是多晶基底。首先，對(duì)本發(fā)明所使用的基底(圓盤形基底)進(jìn)行打磨，以便提高基底的形狀精度和尺寸精度。所述打磨過程通常用打磨裝置分兩步進(jìn)行。隨后，將若干單個(gè)的基底束在一起，在相鄰的基底之間提供墊片，于是就準(zhǔn)備好了基底層疊體。在層疊的基底的中心形成一個(gè)圓孔，然后對(duì)基底層疊體的內(nèi)外端面進(jìn)行預(yù)定的倒角(chamfering)。隨后，用拋光刷對(duì)所形成的內(nèi)外端面進(jìn)行拋光。在本發(fā)明中的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品的制備方法中，上述步驟(從圓孔的形成到內(nèi)外端面的拋光)在基底層疊體上批處理進(jìn)行。最后，對(duì)在其上要形成磁記錄層的主表面進(jìn)行拋光。拋光過程分兩步進(jìn)行，即，第一拋光步驟去掉通過上述過程所產(chǎn)生的劃痕和變形，第二拋光步驟形成鏡面。對(duì)這樣拋光后的每個(gè)基底進(jìn)行充分的清洗，然后進(jìn)行測(cè)試。于是，磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品就制備出來了。在所述磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品中，重要的一點(diǎn)是斜切部分(斜切面)和內(nèi)外端面的完成精度。傳統(tǒng)上，這樣一個(gè)表面的完成精度由通過針式方法所測(cè)量的表面粗糙度來定義，其中，所述針式方法為通常所用的表面粗糙度的測(cè)量方法。然而，在具有這樣一個(gè)常規(guī)完成精度的磁記錄介質(zhì)中，在基底的主表面和斜切部分(斜切面)之間的邊界附近軟磁層的接觸強(qiáng)度較低，因此，在軟^P茲層中會(huì)發(fā)生腐蝕，導(dǎo)致電磁轉(zhuǎn)換特性的惡化。所以，在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品中，完成精度由通過原子力顯微鏡(AFM)所測(cè)量的表面粗糙度來定義，其中，AFM能給出更精確的測(cè)量。原子力顯微鏡(AFM)是一種通過在原子水平上測(cè)量物質(zhì)之間的力來觀察樣品表面的二維結(jié)構(gòu)的裝置。具體說，AFM使用一個(gè)帶有尖端的懸臂(探針)來掃描樣品的表面，同時(shí)控制懸臂的高度、方向和位置，使得懸臂尖端與樣品表面之間的原子力保持恒定。根據(jù)樣品表面的不規(guī)則性而做垂直移動(dòng)的懸臂，其位移通過激光的照射來探測(cè)，而激光反射光的位置變化則通過光電二極管來探測(cè)。AFM可以探測(cè)納米量級(jí)的不規(guī)則性；即能探測(cè)用針式方法不能探測(cè)到的微小不規(guī)則性。在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品中，調(diào)節(jié)上述斜切面的表面粗糙度(Ra),利用AFM進(jìn)行測(cè)量，使該表面粗糙度落在4.0A《Ra《100A的范圍內(nèi)，優(yōu)選在4，0A《Ra《50A的范圍內(nèi)。Ra的下限，即4.0A，也是可加工或可測(cè)量的下限。當(dāng)Ra小于等于50A時(shí)，不會(huì)發(fā)生腐蝕。然而，當(dāng)Ra超過50A時(shí)，軟磁層的接觸強(qiáng)度就會(huì)降低，腐蝕就可以在軟磁層中發(fā)生。當(dāng)Ra超過100A時(shí)，腐蝕發(fā)生的可能性就增加，因而電磁轉(zhuǎn)換特性就會(huì)變壞。所以，調(diào)節(jié)所述斜切面的表面粗糙度(Ra),使其落在利用AFM所測(cè)量的4.0A<Ra<100A的范圍內(nèi)，優(yōu)選在4.0A<Ra<50A的范圍內(nèi)。在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品中，如同在斜切面的情形中那樣，調(diào)節(jié)外端面的表面粗糙度(Ra),使其落在利用AFM所測(cè)量的4.0A<Ra<100人的范圍內(nèi)，優(yōu)選在4.0A《Ra《50A的范圍內(nèi)。在外端面的表面粗糙度被調(diào)整到這樣微小的水平上的情形中，當(dāng)該基底被存放在盒子中并被傳輸時(shí)，使外端面產(chǎn)生損傷的危險(xiǎn)就可以被降低，并且與顆粒的產(chǎn)生相關(guān)的問題也可以得到避免。如圖2所示，在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品中，基底主表面與外端面一側(cè)的斜切面之間的拐角部分，或基底主表面與所述圓孔一側(cè)的斜切面之間的拐角部分，優(yōu)選是半徑大于等于0.01mm并小于等于0.05mm的曲面(R面)。所述曲面(R面)的表面粗糙度(Ra)也被調(diào)整到利用AFM所測(cè)量的4.0A《Ra《IOOA的范圍內(nèi)，優(yōu)選在4.0A<Ra<50A的范圍內(nèi)。在主表面與斜切面之間的拐角部^S殳置這種曲面的情形中，當(dāng)該基底被存放在盒子中并被傳輸時(shí)，使外端面產(chǎn)生損傷的危險(xiǎn)就可以被降低，并且與顆粒的產(chǎn)生相關(guān)的問題也可以得到避免。如果R面的表面粗糙度(Ra)浮皮調(diào)整到利用AFM所測(cè)量的4.0A《Ra《100A的范圍內(nèi)，優(yōu)選是在4.0A《Ra《50A的范圍內(nèi)，那么，軟磁層的接觸強(qiáng)度就增強(qiáng)了，并且在軟磁層中不會(huì)發(fā)生腐蝕，從而不會(huì)導(dǎo)致電磁轉(zhuǎn)換特性的變壞。如上所述，如果主表面與外或內(nèi)端面之間的拐角部分的表面Wt度被調(diào)整到利用AFM所測(cè)量的4.0A《Ra《100A的范圍內(nèi)，優(yōu)選在4.0A《Ra《50A的范圍內(nèi)，那么，在主表面與外或內(nèi)端面之間的拐角處軟磁層的接觸強(qiáng)度就增強(qiáng)了，于是在軟磁層中不會(huì)發(fā)生腐蝕，即，所得到的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品呈現(xiàn)出非常好的特性。在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品中，上述斜切面、外端面、或所述曲面(R面)的表面粗糙度(Ra)也優(yōu)選被調(diào)整到利用AFM所測(cè)量的4.0A《Ra〈10A，10A〈Ra《100A的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在4.0A《Ra<IOA，IOA〈Ra《50A的范圍內(nèi)。接著將描述本發(fā)明所述的用來獲得磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品的拋光方法。對(duì)本發(fā)明所使用的基底進(jìn)行打磨，以便提高基底的形狀精度和尺寸精度。隨后，在基底的中心形成一個(gè)圓孔，然后對(duì)基底的內(nèi)外端面進(jìn)行預(yù)定的倒角。對(duì)在主表面與外或內(nèi)端面之間形成的包括所述斜切面在內(nèi)的拐角部分進(jìn)行拋光，如例如圖3所示。具體說，通過墊片5將若干磁記錄介質(zhì)基底1層疊起來形成基底層疊體6，對(duì)所述基底層疊體6進(jìn)行拋光。每個(gè)墊片5采取圓盤形，在其中心有一個(gè)圓孔14，和磁記錄介質(zhì)基底1的情形一樣，所提供的墊片5要使得墊片5的末端部分(端面)5a記錄介質(zhì)基底1的拐角部分15的斜切面的末端縮進(jìn)約0到約2mm(優(yōu)選是縮進(jìn)約0.5到約2mm)。墊片5的厚度優(yōu)選為約0.1到約0,3mm。墊片5優(yōu)選由比所述基底材料軟的材料構(gòu)成，諸如聚氨酯(polyurethane)、丙烯酸(acrylic)材料、塑料材料、或與拋光步驟中所使用的拋光墊的材料相同的材料。為了拋光包括外端面的斜切面在內(nèi)的拐角部分，如圖4所示，基底層疊體6的外周用可轉(zhuǎn)動(dòng)的拋光刷7來拋光。所要使用的拋光刷7優(yōu)選是由螺旋狀排列的聚酰銨纖維絲所構(gòu)成的管狀刷(直徑200到500mm),其中，每根纖維絲的直徑為0.05mm到0.3mm，長(zhǎng)度為1到10mm?；椎耐舛嗣婧凸战遣糠滞ㄟ^下述步驟來拋光將管狀拋光刷7按在基底層疊體6的外周上；在基底層疊體6的外周與拋光刷7之間的接觸面處供給拋光液的同時(shí)，基底層疊體6以約60rpm的轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)，而該管狀拋光刷7以約700rpm到約1000rpm的轉(zhuǎn)速沿著與基底層疊體6相反的轉(zhuǎn)動(dòng)方向轉(zhuǎn)動(dòng)，并垂直地上下移動(dòng)。所述拋光過程的進(jìn)行要使得所述拐角部分達(dá)到鏡面拋光的效果，以便使得利用AFM在10微米的視場(chǎng)內(nèi)所測(cè)量的表面灃且糙度(Ra)為4,0A<Ra<100ii，優(yōu)選為4.0A<Ra《50人。為了拋光包括內(nèi)端面的斜切面在內(nèi)的拐角部分，如圖5所示，用插入基底層疊體6的內(nèi)孑L14中的轉(zhuǎn)動(dòng)刷17來進(jìn)行拋光，其中，所述基底層疊體6通過利用墊片將磁記錄介質(zhì)基底1堆疊起來而構(gòu)成。所述的內(nèi)孔拋光也要進(jìn)行到使得所述拐角部分達(dá)到鏡面拋光的效果，以便使表面粗糙度(Ra)為4.0A<Ra<1OOA，優(yōu)選為4.0A<Ra<50A，如AFM在10微米的視場(chǎng)內(nèi)所能測(cè)量的。通過恰當(dāng)?shù)卮_定例如所要使用的刷子的材料、直徑、硬度和長(zhǎng)度，所要使用的拋光材料的類型、顆粒大小和濃度，刷子的按壓力、轉(zhuǎn)動(dòng)速度、和垂直移動(dòng)速度，以及基底層疊體的轉(zhuǎn)動(dòng)速度來控制拋光的精度。在斜切面與主表面(數(shù)椐面，其上將形成磁性層)之間設(shè)置R面的情形中，R面的曲率半徑優(yōu)選為0.01到0.05mm。這里所提到的"R面的曲率半徑"通過下述方法獲得。如圖6所示，基底主表面(數(shù)據(jù)面)的延長(zhǎng)線離開基底表面輪廓線的點(diǎn)被稱作點(diǎn)A?；妆砻嫔铣喾吹姆较螂x開點(diǎn)A10微米的點(diǎn)被稱作點(diǎn)B和點(diǎn)C。"R面的曲率半徑”就是通過所述點(diǎn)A、點(diǎn)B和點(diǎn)C的圓的半徑(在下文中，該曲率半徑可以被稱作"R面曲率半徑”)。在經(jīng)過處理從而獲得了上述表面粗糙度的非磁性基底上形成磁性層。所述磁性層可以是縱向磁記錄層，也可以是垂直磁記錄層。在形成垂直磁記錄層的情形中，本發(fā)明展示了特別好的效果。這種磁記錄層優(yōu)選是由含有Co作為主要成分的合金來構(gòu)成。例如，縱向磁記錄介質(zhì)的磁記錄層可以具有多層結(jié)構(gòu)，其中包括非磁性的CrMo襯層和鐵磁性的CoCrPtTa層。垂直磁記錄介質(zhì)的磁記錄層可以具有多層結(jié)構(gòu)，其中包括由例如軟磁性合金所構(gòu)成的軟磁性層，該軟磁性合金是例如FeCo合金(例如，F(xiàn)eCoB、FeCoSiB、FeCoZr、FeCoZrB、或FeCoZrBCu)、FeTa合金(例如，F(xiàn)eTaN或FeTaC)、或Co合金(例如，CoTaZr、CoZrNB、或CoB);所述多層結(jié)構(gòu)還包括由例如Pt、Pd、MCr、或NiFeCr所構(gòu)成的取向調(diào)節(jié)層；由例如Ru(根據(jù)需要而提供)所構(gòu)成的中間層；由60Co-15Cr-15Pt合金或70Co-5Cr-15Pt-10SiO2合金所構(gòu)成的磁性層。磁記錄層的厚度被調(diào)整到大于等于3nm且小于等于20nm，優(yōu)選是大于等于5nm而小于等于15nm。可以根據(jù)將務(wù)使用的磁性合金的類型和將要形成的多層結(jié)構(gòu)來恰當(dāng)?shù)仡A(yù)定磁記錄層的厚度，只要能獲得足夠的》茲頭輸"輸出性能就行。一般地，要求磁性層的厚度大于等于某個(gè)水平，以便在再現(xiàn)期間獲得的輸出大于等于某個(gè)預(yù)定的水平，并且表示記錄/再現(xiàn)特性的參數(shù)隨著輸出的增加而減小。所以，磁記錄層的厚度必須被調(diào)整到最佳水平。磁記錄層通常是通過諸如濺射、真空沉積、氣體中的沉積、或氣流'減射等物理氣相沉積技術(shù)形成的薄膜。在磁記錄層的表面形成保護(hù)層。保護(hù)層可以由通常所使用的保護(hù)層材料構(gòu)成，例如，碳質(zhì)材料，諸如碳(C)、碳?xì)浠衔?HxC)、碳氮化合物(CN)、非晶碳、或碳化硅(SiC);Si02、Zr203、或TiN。保護(hù)層可以由兩層或多層構(gòu)成。保護(hù)層的厚度必須被調(diào)整到10nm以下。這是因?yàn)?，?dāng)保護(hù)層的厚度超過10nm時(shí)，磁頭和磁性層之間的距離變大，從而不能獲得足夠高的輸入/輸出信號(hào)。保護(hù)層通常通過濺射來形成。優(yōu)選地，在保護(hù)層上形成潤(rùn)滑層。形成潤(rùn)滑層所使用的潤(rùn)滑劑的例子包括，含氟潤(rùn)滑劑、含碳?xì)浠衔锏臐?rùn)滑劑、以及兩者的混合物。所形成的潤(rùn)滑層的厚度通常為1到4nm。圖7顯示了本發(fā)明中的磁記錄和再現(xiàn)裝置的配置。本發(fā)明中的磁記錄和再現(xiàn)裝置40包括上述本發(fā)明所述的磁記錄介質(zhì)30;在記錄方向驅(qū)動(dòng)所述磁記錄介質(zhì)的介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部分26;具有記錄單元和再現(xiàn)單元的磁頭27;相對(duì)于磁記錄介質(zhì)30來驅(qū)動(dòng)磁頭27的磁頭驅(qū)動(dòng)部分28;包含了記錄/再現(xiàn)信號(hào)處理裝置用來向磁頭27輸入信號(hào)以及再現(xiàn)^M^茲頭27輸出的信號(hào)的記錄/再現(xiàn)信號(hào)處理系統(tǒng)29。包含了這些部件的磁記錄和再現(xiàn)裝置可以實(shí)現(xiàn)高的記錄密度。在本發(fā)明的磁記錄和再現(xiàn)裝置中所使用的磁記錄介質(zhì)中，對(duì)基底的外周和內(nèi)孔附近進(jìn)行精細(xì)的拋光而完成處理。因此，在基底和磁記錄介質(zhì)層之間可以獲得高的接觸強(qiáng)度，從而在磁記錄介質(zhì)層中不會(huì)發(fā)生腐蝕，于是不會(huì)使電磁轉(zhuǎn)換特性變壞。所以所述磁記錄和再現(xiàn)裝置可以在^^長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)保持穩(wěn)定的性能。(例子)1使用玻璃基底(非晶玻璃基底和晶化玻璃基底)和硅基底(用于半導(dǎo)體中的單晶^底)。對(duì)每個(gè)基底進(jìn)行處理，以具有48mm的外徑，12mm的內(nèi)徑、以及0.508mm的厚度，然后進(jìn)行清洗。使各個(gè)所述基底樣品形成如圖3所示的層疊體，然后通過如圖4和5所示的方法用刷子進(jìn)行拋光，從而制備出磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，其中，斜切面的表面M度(Ra)4皮調(diào)整到用AFM測(cè)量得到的大于等于4.0A且小于等于100A的范圍，外端面或內(nèi)端面的表面粗糙度(Ra)被調(diào)整到大于等于4.0A且小于等于100A，R面的曲率半徑被調(diào)整到大于等于0.01mm且小于等于0.07mm。隨后，將每個(gè)這樣制備出的基底產(chǎn)品放置在DC磁控濺射裝置(C-3010,ANELVA出品)的成膜腔內(nèi)，將該成膜腔抽真空到1xl(T5Pa。之后，在所述基底產(chǎn)品上形成軟磁性村層，該軟磁性襯層包括下列三層膜90Co-4Zr-6Nb(Co含量90at%，Zr含量4at%,Nb含量6at%)軟磁性膜(50nm)，Ru膜(0.8nm)、以及90Co-4Zr-6Nb(Co含量90at%，Zr含量4at%，Nb含量6a"/。)膜(50nm)。在薄膜形成過程中，基底不加熱，在基底上施加一個(gè)徑向(從外周到內(nèi)周)磁場(chǎng)。隨后，形成Ru取向調(diào)節(jié)膜(20nm)和66Co-8Cr-18Pt-8Si02垂直磁T己錄層(12nm)。隨后，通過CVD形成非晶碳保護(hù)膜(4nm)。隨后，通過浸蘸的方法形成全氟聚醚潤(rùn)滑劑膜，從而產(chǎn)生出磁記錄介質(zhì)。(對(duì)照例1到19)除了對(duì)基底不進(jìn)行拋光(例如，用刷子對(duì)端面進(jìn)行拋光)，或者將基行測(cè)量)、外端面或內(nèi)端面的表面粗糙度被調(diào)節(jié)到大于等于100A、R面曲率凈皮調(diào)節(jié)到大于等于0.01mm且小于等于0.04mm之外，重復(fù)上述例子所使用的步驟從而產(chǎn)生磁記錄介質(zhì)。(對(duì)照例20到22)為了與縱向磁記錄介質(zhì)的情形進(jìn)行比較，對(duì)外端面不進(jìn)行刷子拋光的常規(guī)基底通過DC磁控濺射裝置進(jìn)行加熱，使其表面溫度達(dá)到170'C,然后在這樣加熱的基底上形成Cr50-Ti合金膜(200A)、Ni50-Al合金膜(100A)、Cr20畫Ti合金膜(50A)、以及Col3-Cr6-Pt3畫B合金膜(30A)，由此產(chǎn)生》茲記錄介質(zhì)。對(duì)所述例子和對(duì)照例中這樣形成的每個(gè)磁記錄介質(zhì)的基底外端面的表面粗糙度、R面曲率、和SNR特性(即，記錄和再現(xiàn)特性)進(jìn)行評(píng)估。在主表面與斜切面的附近對(duì)薄膜脫落的有無進(jìn)行確認(rèn)，對(duì)脫落部分的數(shù)目進(jìn)行計(jì)數(shù)。(通過AFM評(píng)估表面粗糙度)用VeecoInstrument制造的AFM裝置(NanoScopeIIIa)評(píng)估基底表面的粗糙度(Ra)。在下列條件下進(jìn)行表面粗糙度的測(cè)量探針珪單晶探針，D-NCH-10V(納米傳感器，Nanosensors)視場(chǎng)10微米像素?cái)?shù)256x256數(shù)據(jù)點(diǎn)掃描模式輕敲模式掃描速率l微米/秒測(cè)量環(huán)境大氣中室溫下數(shù)據(jù)處理使用"NanoScopever5,30r2，，(R面曲率的測(cè)量)采用ContracerCV-L400(MitutoyoCorporation產(chǎn)品)，通過圖6所示的方法測(cè)量R面的曲率。測(cè)量的條件如下。范圍1mm速度0.02mm/sec間5巨0,002mm(垂直磁記錄介質(zhì)的評(píng)估)通過讀/寫分析儀RWA1632和旋轉(zhuǎn)臺(tái)S1701MP(GUZIK(US)出品)來評(píng)估記錄和再現(xiàn)特性。為了評(píng)估記錄和再現(xiàn)特性，使用含有單磁極元件(記錄單元)和GMR元件(再現(xiàn)單元)的磁頭在1000kFCI的磁道記錄密度(記錄頻率)的條件下來測(cè)量SNR。(腐蝕所引起的薄膜脫落的評(píng)估)將所述例子和對(duì)照例中所獲得的每個(gè)磁記錄介質(zhì)在烘箱(溫度70°C，濕度80%)存放240小時(shí)。之后，將所述每個(gè)磁記錄介質(zhì)從烘箱中取出，并在放大倍數(shù)為240的顯微鏡下對(duì)每個(gè)磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)面和外端面之間的邊界附近進(jìn)行觀察。在斜切面與數(shù)據(jù)面之間的邊界部分對(duì)因腐蝕導(dǎo)致的薄膜脫落的有無進(jìn)行確認(rèn)，并對(duì)脫落部分的數(shù)目進(jìn)行計(jì)數(shù)。評(píng)估結(jié)果示于表1和表2中。表l<table>complextableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table><table>complextableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>從這些結(jié)杲中清楚看到，采用本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品制造的垂直磁記錄介質(zhì)不會(huì)發(fā)生因腐蝕而導(dǎo)致的薄膜脫落，并且顯示出了高的SNR(即，高的性能)。在縱向磁記錄介質(zhì)中，由于所使用薄膜的屬性使然，不會(huì)發(fā)生因腐蝕而導(dǎo)致的薄膜脫落。工業(yè)實(shí)用性當(dāng)使斜切面形成為具有這樣小的表面粗糙度時(shí)，斜切面和軟磁層之間的接觸強(qiáng)度就會(huì)增強(qiáng)，軟磁層中腐蝕的發(fā)生就可以得到抑制。所以，這樣得到的磁記錄介質(zhì)不會(huì)表現(xiàn)出電磁轉(zhuǎn)換特性的退化。于是，就可以有效地解決通常會(huì)遇到的問題，這些問題包括，磁記錄介質(zhì)的外周處SNR的減小引起的讀誤差，磁頭的不穩(wěn)定飛行所導(dǎo)致的側(cè)寫引起的對(duì)鄰近信號(hào)的擦除故障，其中，當(dāng)磁頭在外周處所產(chǎn)生的腐蝕部分的附近飛行，并且所述腐蝕部分沉積到磁頭的表面上時(shí)，會(huì)發(fā)生所述不穩(wěn)定飛行。權(quán)利要求1.一種包含圓盤形非磁性基底的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，該基底產(chǎn)品包括(1)在其中心部分的圓孔；(2)主表面，在該主表面上將形成磁性層；(3)外端面；(4)內(nèi)端面，該內(nèi)端面界定了所述圓孔；以及(5)在所述主表面和所述外端面之間的第一部分以及所述主表面和所述內(nèi)端面之間的第二部分中的至少一個(gè)部分處形成的斜切面，其中，通過AFM測(cè)量到的所述斜切面的表面粗糙度(Ra)在范圍內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，其中，所述磁記錄介質(zhì)基底是用來制造垂直磁記錄介質(zhì)的垂直磁記錄介質(zhì)基底。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，其中，所述垂直磁記錄介質(zhì)包含軟磁性襯層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，其中，所述軟磁性村層包含一種含有Fe或Co的合金。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，其中，通過AFM測(cè)量到的所述斜切面的表面粗糙度(Ra)在4.0A《Ra《50A范圍內(nèi)。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，其中，通過AFM測(cè)量到的所述外端面的表面粗糙度(Ra)在4.0A《Ra《100A范圍內(nèi)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，其中，通過AFM測(cè)量到的所述外端面的表面粗糙度(Ra)在4,0A《Ra《50A范圍內(nèi)。8.根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，還包括在所述主表面和所述斜切面之間的拐角部分處形成的曲面(R面)，其中，通過AFM測(cè)量到的所述曲面的表面粗糙度(Ra)在4.0A<Ra<50A范圍內(nèi)。9.根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，其中，通過AFM測(cè)量到的所述內(nèi)端面的表面粗糙度(Ra)在4.0A≤Ra≤100A范圍內(nèi)。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，其中，所述非磁性基底由非晶玻璃、晶化玻璃、硅、和鋁中的任何一種材料構(gòu)成。11.一種磁記錄介質(zhì)，包含權(quán)利要求1到10中的任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，以及在所述基底產(chǎn)品的主表面上的垂直磁記錄介質(zhì)層。12.—種磁記錄和再現(xiàn)裝置，包含權(quán)利要求ll所述的磁記錄介質(zhì)。全文摘要本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品，該基底產(chǎn)品能夠增強(qiáng)基底端面和軟磁層之間的接觸強(qiáng)度，并能抑制腐蝕的發(fā)生，還提供一種包含所述基底產(chǎn)品的磁記錄介質(zhì)，該磁記錄介質(zhì)顯示出沒有退化的電磁轉(zhuǎn)換特性并具有非常好的耐用性，還提供一種包含所述磁記錄介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)裝置。所述磁記錄介質(zhì)基底產(chǎn)品包括一種圓盤形非磁性基底，該基底在其中心部分有圓孔，并且在將要在上面形成磁性層的主表面與外端面之間的部分以及所述主表面與界定所述圓孔的內(nèi)端面之間的部分中的至少一個(gè)部分處形成斜切面，其中，通過AFM測(cè)量到的所述斜切面的表面粗糙度(Ra)在4.0≤Ra≤100范圍內(nèi)，優(yōu)選是落在4.0≤Ra≤50的范圍內(nèi)。文檔編號(hào)G11B5/82GK101203909SQ20068002209公開日2008年6月18日申請(qǐng)日期2006年6月30日優(yōu)先權(quán)日2005年7月8日發(fā)明者會(huì)田克昭,清水謙治,福島正人申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社