專利名稱：硬盤測(cè)試適配器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種硬盤測(cè)試裝置，具體是涉及一種硬盤生產(chǎn)過程中測(cè)試不良硬盤的適配裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的硬盤在生產(chǎn)過程中，可能會(huì)因?yàn)榇蓬^組裝誤差使得硬盤讀盤損軌率過高，導(dǎo)致硬盤不合格，或者因?yàn)橛脖P封裝條件不夠，進(jìn)入硬盤空間內(nèi)的雜塵影響硬盤性能，或者因?yàn)閷ぼ?、供電或者讀盤、寫盤或者格式化存在問題而導(dǎo)致硬盤不合格。傳統(tǒng)的硬盤制造中，不合格的硬盤只有廢棄。但是，每一硬盤的材料及制造成本都很高，如果將不合格的硬盤廢棄，將是很大的浪費(fèi)，并且也不能發(fā)現(xiàn)不合格硬盤產(chǎn)生不良的原因。如何及時(shí)發(fā)現(xiàn)硬盤產(chǎn)生不良的原因并糾正硬盤發(fā)生不良的問題，或者找出可糾正的方法，改善后續(xù)硬盤生產(chǎn)的工藝，成為目前硬盤生產(chǎn)過程中亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提出一種能在硬盤生產(chǎn)過程中測(cè)試不良硬盤的適配裝置。
實(shí)現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是一種硬盤測(cè)試適配器，用于主機(jī)與被測(cè)硬盤之間的通訊。所述硬盤測(cè)試適配器包括一第一信號(hào)接口、一第二信號(hào)接口及一與第一、第二信號(hào)接口相連的電平轉(zhuǎn)換芯片。所述主機(jī)與所述第一信號(hào)接口相連，所述硬盤與第二信號(hào)接口相連。所述電平轉(zhuǎn)換芯片將主機(jī)高電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為硬盤識(shí)別的低電平信號(hào)后由所述第二信號(hào)接口傳輸給硬盤，或者將硬盤傳回的低電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為主機(jī)識(shí)別的高電平信號(hào)后再由第一信號(hào)接口傳輸給主機(jī)。
所述主機(jī)通過串口與第一信號(hào)接口相連，并由所述主機(jī)串口給所述電平轉(zhuǎn)換芯片提供工作電壓。所述第二信號(hào)與硬盤串口相連。
所述硬盤測(cè)試適配器還包括一第三信號(hào)接口。所述第二信號(hào)接口與第三信號(hào)接口分別接入對(duì)應(yīng)的測(cè)試硬盤串口。
本實(shí)用新型采用上述技術(shù)方案，其有益的技術(shù)效果在于1)利用本實(shí)用新型硬盤測(cè)試適配器可以實(shí)現(xiàn)測(cè)試主機(jī)與不良硬盤之間的通訊。2)通過本實(shí)用新型硬盤測(cè)試適配器作為測(cè)試主機(jī)橋路，可很快發(fā)現(xiàn)硬盤產(chǎn)生不良的原因，從而消除不良硬盤出現(xiàn)的問題或者改善后續(xù)硬盤生產(chǎn)的工藝。

下面通過實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明圖1是本實(shí)用新型硬盤測(cè)試適配器的構(gòu)成框圖。
圖2是本實(shí)用新型硬盤測(cè)試適配器的另一實(shí)時(shí)方式構(gòu)成框圖。
具體實(shí)施方式一種硬盤測(cè)試適配器10，結(jié)合圖1，用于測(cè)試主機(jī)20與被測(cè)硬盤30、40之間的通訊。
所述硬盤測(cè)試適配器10包括一第一信號(hào)接口J3、一第二信號(hào)接口J1、一第三信號(hào)接口J2及一與第一信號(hào)接口J3、第二信號(hào)接口J1、第三信號(hào)接口J2相連的電平轉(zhuǎn)換芯片14。所述測(cè)試主機(jī)20通過一串口22與第一信號(hào)接口J3相連，所述串口22可為主機(jī)設(shè)置的打印等標(biāo)準(zhǔn)串口，并由所述主機(jī)串口22給所述電平轉(zhuǎn)換芯片14提供工作電壓。所述第二信號(hào)接口J1與第三信號(hào)接口J2分別與兩測(cè)試硬盤30、40的串口相連接。
本實(shí)施方式中，所述電平轉(zhuǎn)換芯片14所采用的是MAX3232SO芯片。所述電平轉(zhuǎn)換芯片14將測(cè)試主機(jī)20高電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為硬盤30、40識(shí)別的低電平信號(hào)后分別由所述第二信號(hào)接口J1、第三信號(hào)接口J2傳輸給兩測(cè)試硬盤30、40，或者將兩測(cè)試硬盤30、40傳回的低電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為測(cè)試主機(jī)20識(shí)別的高電平信號(hào)后再由第一信號(hào)接口J3傳輸給測(cè)試主機(jī)20。
測(cè)試時(shí)，測(cè)試主機(jī)20通過預(yù)先設(shè)置的測(cè)試軟件發(fā)出測(cè)試信號(hào)，經(jīng)第一信號(hào)接口J3、電平轉(zhuǎn)換芯片14、第二、第三信號(hào)接口(J1、J2)對(duì)硬盤30、40進(jìn)行測(cè)試。
請(qǐng)參考圖2，作為本實(shí)用新型的另一實(shí)施方式，所述電平轉(zhuǎn)換芯片輸出可僅為一路，連接一個(gè)測(cè)試硬盤50。具體為所述硬盤測(cè)試適配器10包括一第一信號(hào)接口J3、一第二信號(hào)接口J1及一與第一信號(hào)接口J3、第二信號(hào)接口J1相連的電平轉(zhuǎn)換芯片14。所述測(cè)試主機(jī)20通過一串口22與第一信號(hào)接口J3相連，所述串口22可為主機(jī)設(shè)置的打印等標(biāo)準(zhǔn)串口，并由所述主機(jī)串口22給所述電平轉(zhuǎn)換芯片14提供工作電壓。所述第二信號(hào)接口J1與測(cè)試硬盤50的串口相連接。
所述電平轉(zhuǎn)換芯片14所采用的是MAX3232SO芯片。所述電平轉(zhuǎn)換芯片14將測(cè)試主機(jī)20高電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為硬盤50識(shí)別的低電平信號(hào)后由所述第二信號(hào)接口J1傳輸給測(cè)試硬盤50，或者將測(cè)試硬盤50傳回的低電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為測(cè)試主機(jī)20識(shí)別的高電平信號(hào)后再由第一信號(hào)接口J3傳輸給測(cè)試主機(jī)20。
測(cè)試時(shí)，測(cè)試主機(jī)20通過預(yù)先設(shè)置的測(cè)試軟件發(fā)出測(cè)試信號(hào)，經(jīng)第一信號(hào)接口J3、電平轉(zhuǎn)換芯片14、第二信號(hào)接口J1對(duì)硬盤50進(jìn)行測(cè)試。
權(quán)利要求1.一種硬盤測(cè)試適配器，用于主機(jī)與被測(cè)硬盤之間的通訊，其特征在于所述硬盤測(cè)試適配器包括一第一信號(hào)接口、一第二信號(hào)接口及一與第一、第二信號(hào)接口相連的電平轉(zhuǎn)換芯片，所述主機(jī)與所述第一信號(hào)接口相連，所述硬盤與第二信號(hào)接口相連，所述電平轉(zhuǎn)換芯片將主機(jī)高電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為硬盤識(shí)別的低電平信號(hào)后由所述第二信號(hào)接口傳輸給硬盤，或者將硬盤傳回的低電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為主機(jī)識(shí)別的高電平信號(hào)后再由第一信號(hào)接口傳輸給主機(jī)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬盤測(cè)試適配器，其特征在于所述主機(jī)通過串口與第一信號(hào)接口相連，并由所述主機(jī)串口給所述電平轉(zhuǎn)換芯片提供工作電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬盤測(cè)試適配器，其特征在于所述第二信號(hào)與硬盤串口相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硬盤測(cè)試適配器，其特征在于所述硬盤測(cè)試適配器還包括一第三信號(hào)接口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硬盤測(cè)試適配器，其特征在于所述第二信號(hào)接口與第三信號(hào)接口分別接入對(duì)應(yīng)的測(cè)試硬盤串口。
專利摘要一種硬盤測(cè)試適配器，用于主機(jī)與被測(cè)硬盤之間的通訊。所述硬盤測(cè)試適配器包括一第一信號(hào)接口、一第二信號(hào)接口及一與第一、第二信號(hào)接口相連的電平轉(zhuǎn)換芯片。所述主機(jī)與所述第一信號(hào)接口相連，所述硬盤與第二信號(hào)接口相連。所述電平轉(zhuǎn)換芯片將主機(jī)高電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為硬盤識(shí)別的低電平信號(hào)后由所述第二信號(hào)接口傳輸給硬盤，或者將硬盤傳回的低電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為主機(jī)識(shí)別的高電平信號(hào)后再由第一信號(hào)接口傳輸給主機(jī)。
文檔編號(hào)G11B20/18GK2872543SQ20052012106
公開日2007年2月21日 申請(qǐng)日期2005年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月29日
發(fā)明者陳文洪 申請(qǐng)人:深圳易拓科技有限公司