專利名稱：：光信息記錄裝置、方法、以及信息處理電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種光信息記錄裝置、方法、以及信號處理電路，特別涉及對內(nèi)外周差的記錄特性不同的介質(zhì)的記錄條件的最優(yōu)化有效的光信息記錄裝置、方法、以及信號處理電路。
背景技術(shù)：
：在以CD-R和DVD-R等為代表的光信息記錄介質(zhì)(以下稱作“介質(zhì)”)的記錄中，作為記錄對象的介質(zhì)與記錄所使用的記錄裝置(以下稱作“驅(qū)動器”)的匹配性因各個組合的不同而不同。作為其原因，考慮有以下情況，即由于構(gòu)成介質(zhì)的記錄材料的種類的不同或制造時的成膜偏差而使最佳的記錄條件發(fā)生變化的介質(zhì)一方的原因；和由于構(gòu)成驅(qū)動器的光拾取器、半導(dǎo)體激光器的種類的不同或制造時的組裝偏差而使最佳的條件發(fā)生變化的驅(qū)動器一方的原因。實際上，對于這些原因的組合，存在適合于各組合的記錄條件。因此，以往使用以下的方法，即預(yù)先在介質(zhì)一方存儲可從驅(qū)動器一方識別該介質(zhì)的種類的ID信息，并且預(yù)先在驅(qū)動器一方按介質(zhì)的種類存儲預(yù)先準備的記錄條件，在進行實際的記錄時，從填裝在驅(qū)動器中的介質(zhì)讀入該介質(zhì)的ID信息，使用與該ID信息相關(guān)聯(lián)的記錄條件(稱作“光策略(lightstrategy)”)?？墒?，在上述以往的方法中，能夠?qū)τ陬A(yù)先驗證過的已知的介質(zhì)，選擇某種程度上適合的某記錄條件，但是對于未經(jīng)過驗證的未知的介質(zhì)，就存在無法用所準備的記錄條件進行應(yīng)對的情況，此外，即使是已知的介質(zhì)，因為記錄環(huán)境的變化，例如記錄速度、干涉、及時間變化，就存在無法用所準備的記錄條件進行應(yīng)對的情況。作為謀求對這樣的未知介質(zhì)的應(yīng)對的方法，公知有以下文獻所記載的方法。日本特開2003-30837號公報[專利文獻2]日本特開2004-110995號公報在上述專利文獻1的段落中，記載有“…對各記錄模式(pattern)檢測與通道時鐘的相位誤差。記錄補償參數(shù)調(diào)整部12根據(jù)相位誤差檢測部11的檢測結(jié)果，使發(fā)光波形規(guī)則最優(yōu)化…”這樣的內(nèi)容，公開了通過與通道時鐘的比較來檢測、校正相位誤差的方法。此外，在上述專利文獻1的段落中記載有“接著，記錄用于確定發(fā)光波形規(guī)則的測試模式。然后，再現(xiàn)已記錄該測試模式的區(qū)域，研究預(yù)先準備的發(fā)光波形規(guī)則與相位誤差量的關(guān)系。即，測量各種標記的長度與緊接該標記志之前的各種間隔的長度的各組合中的相位誤差量。從測量出的相位誤差量預(yù)測相位誤差量變?yōu)榱愕陌l(fā)光波形規(guī)則，確定所希望的發(fā)光波形規(guī)則…”這樣的內(nèi)容，公開了按標記和間隔的各組合來測量相位誤差量，預(yù)測相位誤差量變?yōu)榱愕姆椒?參照圖8和圖12)。根據(jù)該專利文獻1中記載的方法，能進行基于記錄模式的相位誤差的校正，因此該方法是對策略的最優(yōu)化有效的方法。但是，根據(jù)上述專利文獻1的方法，由于與以往同樣是對預(yù)先存儲在驅(qū)動器中的策略進行細微調(diào)整，因此對于不適合于預(yù)先存儲的策略的介質(zhì)，就難以滿足良好的記錄品質(zhì)。此外，在上述專利文獻2的段落中，記載有“…一體地(連續(xù)地)生成相當(dāng)于3T期間的起始脈沖和相當(dāng)于8T期間的非多脈沖…”這樣的內(nèi)容，在上述專利文獻2的段落0046中，記載有“…光脈沖以2等級來調(diào)整激光功率，當(dāng)激光功率(起始脈沖的峰值)Ph與激光功率(非多脈沖的峰值)Pm的比處于最佳時，得到最佳功率…”這樣的內(nèi)容，暗示出對Ph/Pm的比率進行最優(yōu)化的有用性。但是，根據(jù)上述專利文獻2的方法，由于如該文獻的段落中記載的那樣，是根據(jù)存儲于驅(qū)動器或者介質(zhì)中的值，臨時設(shè)定Ph和Pm的初始值，之后，求出Ph/Pm的比率，因此與專利文獻1的情況同樣，對于不適合于臨時設(shè)置的值的介質(zhì)，就難以滿足良好的記錄品質(zhì)。另外，對光盤等光信息記錄介質(zhì)的信息記錄，通過以下的方式進行，即將記錄數(shù)據(jù)以EFM(EighttoFourteenModulation)格式、8-16調(diào)制格式等進行調(diào)制，根據(jù)該調(diào)制信號形成記錄脈沖，根據(jù)該記錄脈沖控制激光的強度或照射定時，在光盤上形成記錄坑。這里，記錄坑的形成，由于是利用激光的照射所產(chǎn)生的熱來進行的，因此記錄脈沖需要進行考慮了蓄熱效果或熱干涉等的設(shè)定。于是，以往按光盤的種類以策略的形式對構(gòu)成記錄脈沖的各種參數(shù)的設(shè)定進行多個定義，從這些策略中選擇最適合于該記錄環(huán)境的策略，從而進行對光盤的記錄。該策略不僅依賴于例如光拾取器的點徑偏差、機構(gòu)精度偏差等光信息記錄裝置個體差別，還依賴于用于記錄再現(xiàn)時的光盤的制造商類別和記錄速度，因此設(shè)定最佳策略將提高記錄品質(zhì)。為此，人們提出了這樣的方法，即求出對應(yīng)于各制造商類別的光盤的最佳策略，將該策略對應(yīng)于各制造商類別預(yù)先存儲到存儲器中，在對光盤記錄信息時，讀取記錄在光盤中的光盤的制造商類別，從上述存儲器讀出與該所讀取的制造商類別對應(yīng)的最佳策略來進行使用。但是，根據(jù)上述方法，雖然可以對于預(yù)先存儲在存儲器中的制造商類別的光盤進行最佳記錄，但對于沒有存儲在存儲器中的制造商類別的光盤，則無法進行最佳記錄，此外，即使是預(yù)先存儲在存儲器中的制造商類別的光盤，當(dāng)記錄速度不同時，也不能進行最佳記錄。因此，如下述專利文獻3～6所示，提出了按不同的記錄條件預(yù)先進行測試記錄，根據(jù)該測試記錄確定最佳策略，從而能應(yīng)對各種光盤的方法。日本特開平5-144001號公報[專利文獻4]日本特開平4-137224號公報[專利文獻5]日本特開平5-143999號公報日本特開平7-235056號公報然而，上述專利文獻3～6所示的方法，由于在開始信息記錄前需要進行測試記錄，因此無法在記錄的同時對策略進行校正，難以進行對內(nèi)外周的最佳條件不同的情況的應(yīng)對。作為解決由于存在著光盤從內(nèi)周部到外周部若干個記錄特性有差異、記錄裝置一方在內(nèi)周部和外周部的記錄速度不同的情況，因此記錄品質(zhì)產(chǎn)生內(nèi)外差這樣的課題的方法，以下的專利文獻揭示了通過調(diào)整激光輸出來緩解內(nèi)外差的技術(shù)。日本特開昭53-050707號公報在該專利文獻7中，公開了通過檢測副光束(subbeam)的光量變化，自動地進行激光輸出的優(yōu)化的方法，該種方法被稱為OPC。上述這樣的OPC，是實時調(diào)整調(diào)整功率的被稱作隨機(running)OPC的方法，能夠通過不對稱(asymmetry)值等統(tǒng)計上的指標求出校正條件，因此也可以實現(xiàn)一邊記錄一邊進行校正的實時校正，但在校正脈沖寬度或脈沖的相位條件時，由于需要記錄脈沖與在光盤上所形成的坑之間的偏移量，因此用現(xiàn)有的OPC難以進行應(yīng)對。因此，為了進行脈沖條件的實時校正，就需要在記錄的同時檢測坑和間隔的位置、長度的技術(shù)。作為解決這一問題的一個方法(approach)，在下述專利文獻8中公開了對與記錄位置幾乎相同的位置進行再現(xiàn)的技術(shù)。日本特開昭51-109851號公報但是，該方法雖然能夠適用于光磁記錄，但對于不使用磁的光記錄卻難以適用。即，在光磁記錄中，由于通過磁調(diào)制進行信息的記錄，因此激光的輸出是無調(diào)制的，但在光記錄中，由于通過激光的輸出調(diào)制來進行信息的記錄，因此會產(chǎn)生該調(diào)制的影響波及到再現(xiàn)一方這樣的問題。作為解決該問題的方法，已知有下述文獻所揭示的方法。日本特開平1-287825號公報[專利文獻10]日本特開平7-129956號公報日本特開2004-22044號公報[專利文獻12]日本特開平9-147361號公報專利文獻9為這樣的技術(shù)，即向未記錄區(qū)域和記錄區(qū)域照射不同的光束，通過使所取得的不同的信號相互之間進行除法計算而取出再現(xiàn)信號，根據(jù)該方法，能夠校正在記錄信息時由于激光的光強度調(diào)制而造成的再現(xiàn)信號波形的失真。此外，專利文獻10為以下的技術(shù)，即通過由AGC(AutoGainControl)適當(dāng)放大后的激光輸出和反相時鐘來抵消接受了調(diào)制的輸出而取得再現(xiàn)信號。此外，專利文獻11為以下的技術(shù)，即將伴隨記錄脈沖的波形變動的再現(xiàn)信號的失真，通過延遲反相等價電路生成相當(dāng)于該記錄脈沖的波形變動的信號并進行抵消，從而消除該失真。專利文獻9至專利文獻11所揭示的方法，都是通過運算消除調(diào)制成分的技術(shù)。在理論上認為是可以抵消的，但在抵消的精度和運算速度上，對于實用化存在種種問題。此外，專利文獻12為以下的技術(shù)，即通過使用將用于記錄的脈沖延遲后的延遲脈沖，和將被調(diào)制信號反相后的門信號，連同再現(xiàn)脈沖一起輸入相位比較器，從而實時地檢測記錄狀態(tài)的偏移。然而，該專利文獻12所公開的方法，由于是在記錄脈沖斷開(OFF)時進行坑的再現(xiàn)，因此在副光束的輸出低的情況下，難以取得具有足夠高品質(zhì)的再現(xiàn)信號。尤其在由記錄用的主光束(mainbeam)分支生成再現(xiàn)用的副光束的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)分支比率變成20∶1或者30∶1時，將難于分配給副光束足夠的輸出。即，在專利文獻12中的分支比率為8∶1，但伴隨著記錄速度的高速化，該分支比傾向于越變越大，此外，由于在記錄脈沖斷開時光束輸出通常為小于或等于1mW，因此在記錄脈沖斷開時能夠檢測的記錄面反射光的強度變得非常小。由于當(dāng)能夠檢測的光的強度變?nèi)鯐r，容易受到電路噪聲(noise)、介質(zhì)噪聲等的影響，結(jié)果造成無法取得良好的檢測信號。另一方面，作為檢測在光盤上記錄的坑和間隔的長度的方法，已知有利用再現(xiàn)RF信號的積分值的積分檢測方式、利用RF信號的1次微分值的振幅檢測方式、以及利用RF信號的2次微分值的峰值檢測方式。但是，使用波長比較短的激光進行再現(xiàn)動作的光記錄裝置，在進行了低密度記錄的光盤上不產(chǎn)生點和坑的干涉，因此通過RF信號的積分檢測方式檢測長度信息就存在困難。而且，利用RF信號的1次微分值的方法，在記錄功率伴隨著記錄速度的變化而變化時，以同一限制電平進行了2值化的信號，不管檢測了相同長度的坑和間隔的結(jié)果如何，也會被檢測成不同的長度。為了解決這一問題，雖然也考慮了使限制電平根據(jù)記錄速度進行變化的方法，但難以按不同的記錄速度設(shè)定合適的限制電平。此外，作為利用RF信號的2次微分值的峰值檢測方式，例如已知有下述專利文獻所揭示的方法。國際公開WO96/24130號公報該專利文獻13所記載的方法，通過對光檢波器的差信號、所謂切向推挽信號進行微分，生成與將RF信號2次微分后的值等效的信號，就能利用該信號來檢測坑的邊緣位置。其中，該光檢波器具有由相對光盤的轉(zhuǎn)動方向呈光學(xué)垂直的分割線所劃分的2個區(qū)域。然而，該專利文獻13所記載的方法，在進行對記錄在光密度型的光盤、例如DVD級的介質(zhì)上的坑和間隔的檢測時，在容易產(chǎn)生干涉的3T、4T這樣的短的坑和間隔的切向推挽信號的微分值上出現(xiàn)誤差，就會檢測為與本來的坑和間隔的長度不同的值。另一方面，下述專利文獻14公開了對上述的隨機OPC進行了改良的方法。日本特開2002-117544號公報在該專利文獻14中，公開了使用特定的坑、岸(land)模式檢測最佳功率的方法，但是，該文獻所公開的坑、岸模式，由于無法切分開功率和脈沖寬度的調(diào)整要素，因此就無法確保記錄品質(zhì)的足夠的容限(margin)，難以應(yīng)對高速記錄。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明提供一種對內(nèi)外周差的記錄特性不同的介質(zhì)的記錄條件進行最優(yōu)化的方法。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第1個方面為一種光信息記錄裝置，通過進行基于包括僅由起始脈沖構(gòu)成的第1記錄脈沖，和由該起始脈沖與后續(xù)脈沖構(gòu)成的第2記錄脈沖的記錄脈沖串的激光的照射，在光記錄介質(zhì)上進行坑和/或間隔的形成，該光信息記錄裝置的特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)上形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)的再現(xiàn)裝置；根據(jù)上述再現(xiàn)裝置的再現(xiàn)結(jié)果，使上述第1記錄脈沖的功率發(fā)生變化的裝置；以及根據(jù)上述再現(xiàn)裝置的再現(xiàn)結(jié)果，使上述第2記錄脈沖的寬度發(fā)生變化的裝置。這樣，通過將起始脈沖作為功率調(diào)整要素，將后續(xù)脈沖作為脈沖寬度調(diào)整要素使用，能夠使功率和脈沖寬度的調(diào)整要素獨立，其結(jié)果是提高記錄品質(zhì)的容限。這里，優(yōu)選的是與出現(xiàn)頻率最高、記錄困難的最短坑對應(yīng)地設(shè)定起始脈沖，例如，當(dāng)如CD-R那樣定義3T～11T的坑串時，或如DVD-R那樣定義3T～11T和14T時，優(yōu)選的是預(yù)先與3T坑對應(yīng)。此外，后續(xù)脈沖也能采取非多脈沖和多脈沖中任意一者的方式，在非多脈沖的情況下，用起始脈沖和后續(xù)脈沖的功率比進行記錄脈沖的優(yōu)化，在多脈沖的情況下，由多個分脈沖構(gòu)成后續(xù)脈沖，通過調(diào)整上述各分脈沖的占空比，進行記錄脈沖的優(yōu)化?？梢詫⒚}沖功率、脈沖寬度、占空比任意組合來定義起始脈沖和后續(xù)脈沖的條件，優(yōu)選的是通過調(diào)整起始脈沖和后續(xù)脈沖的比，進行記錄脈沖的優(yōu)化。在本發(fā)明中，首先，在確定起始脈沖的條件后，確定后續(xù)脈沖的條件，從而能實現(xiàn)更穩(wěn)定的記錄品質(zhì)。即，記錄脈沖的起始側(cè)對記錄品質(zhì)的影響比后續(xù)側(cè)大，特別是當(dāng)把出現(xiàn)頻率高的3T脈沖設(shè)定為起始脈沖時，該影響明顯出現(xiàn)。因此，在本發(fā)明中，采用以下的方法，即首先預(yù)先求出起始脈沖的最佳條件，由此能發(fā)現(xiàn)更適合的起始脈沖條件，然后求出后續(xù)脈沖的條件。而如上述專利文獻2所述的那樣，在先進行起始脈沖和后續(xù)脈沖的比率的優(yōu)化的方法中，有時無法取得起始脈沖的最佳解，應(yīng)對未知介質(zhì)的能力下降。為了進一步提高精度，也可以反復(fù)多次進行起始脈沖條件的確定和后續(xù)脈沖條件的確定。更優(yōu)選的是，使記錄脈沖串由具有該記錄脈沖串中最短長度的m’T長度的mT脈沖，和具有由下式定義的n’T長度的nT脈沖構(gòu)成，n’T＝m’T+(n-m)T，其中，T時鐘信號的周期，m’最短脈沖的時鐘數(shù)，n’該脈沖的時鐘數(shù)，mT最短坑的數(shù)據(jù)長度，nT比最短坑的長度長的坑的數(shù)據(jù)長度，將上述mT脈沖設(shè)定為起始脈沖，將(n-m)T脈沖設(shè)定為接著該起始脈沖的后續(xù)脈沖，將使它們連續(xù)的脈沖設(shè)定為nT脈沖。mT脈沖變?yōu)樽疃堂}沖，因此記錄最難，就使確定該條件比確定其他脈沖條件優(yōu)先。這里，mT脈沖的長度定義為m’T，設(shè)為從最短坑的數(shù)據(jù)長度即mT變化的脈沖。這是考慮記錄最短坑時離理想長度的偏移，求出最佳的記錄脈沖長度的結(jié)果，nT脈沖的長度也受到該m’T的影響，成為n’T。例如當(dāng)用2T的記錄脈沖記錄最短長度的3T數(shù)據(jù)時，mT＝3T，m’T＝2T，因此用于記錄5T的數(shù)據(jù)的記錄脈沖n’T變?yōu)?T+(5-3)T＝4T。本發(fā)明的第2個方面為一種光信息記錄裝置，其特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)上形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，并檢測自基準長度的長度偏移量的裝置；根據(jù)上述偏移量確定上述第1記錄脈沖的功率的裝置；以及根據(jù)上述偏移量確定上述第2記錄脈沖的寬度的裝置。這樣，就可以通過用長度偏移量檢測功率的影響，可以進行利用了與前后的坑、間隔的關(guān)系的長度偏移量的檢測，因此能夠進行更高精度的功率調(diào)整。本發(fā)明的第3個方面為一種光信息記錄裝置，其特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，并確定上述第1和第2記錄脈沖的基本記錄條件的裝置；對在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，并檢測自基準長度的長度偏移量的裝置；將上述第1記錄脈沖的寬度設(shè)定為與上述基本記錄條件相同的條件，并且根據(jù)上述偏移量調(diào)整該第1記錄脈沖的功率的裝置；以及將上述第2記錄脈沖的功率設(shè)定為與上述第1記錄脈沖的功率相同的條件，并且根據(jù)上述偏移量調(diào)整上述第2記錄脈沖的寬度的裝置。這樣，通過根據(jù)自基準長度的長度偏移量，將功率與脈沖寬度的影響分離開進行檢測，各自獨立地進行調(diào)整，能夠提高記錄品質(zhì)的容限。本發(fā)明的第4個方面為一種光信息記錄裝置，通過記錄用激光的脈沖照射在光記錄介質(zhì)上形成坑和/或間隔，同時通過再現(xiàn)用激光的照射進行上述坑和/或間隔的檢測，該光信息記錄裝置的特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，并確定僅由起始脈沖構(gòu)成的第1記錄脈沖，和由該起始脈沖與后續(xù)脈沖構(gòu)成的第2記錄脈沖的基本記錄條件的裝置；以及通過上述再現(xiàn)用激光，對使用上述記錄用激光在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，并檢測自基準長度的長度偏移量的裝置。這樣，通過用再現(xiàn)用激光檢測由記錄用激光形成的坑，可以進行長度偏移量的實時檢測，因此，能夠進行基于長度偏移量的實時的功率校正。其結(jié)果是可以謀求對內(nèi)外周差的應(yīng)對。本發(fā)明的第5個方面為一種光信息記錄裝置，通過進行基于包括僅由起始脈沖構(gòu)成的第1記錄脈沖，和由該起始脈沖與后續(xù)脈沖構(gòu)成的第2記錄脈沖的記錄脈沖串的激光的照射，在光記錄介質(zhì)上進行坑和/或間隔的形成，該光信息記錄裝置的特征在于，包括在上述光記錄介質(zhì)上，照射以相當(dāng)于上述第2記錄脈沖的寬度的間隔配置了2個上述第1記錄脈沖的記錄脈沖串的裝置；對由上述記錄脈沖串的照射形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，取得與2個上述第1記錄脈沖的間隔對應(yīng)的坑和/或間隔信號的裝置；根據(jù)與2個上述第1記錄脈沖的間隔對應(yīng)的坑和/或間隔信號，檢測與上述第1記錄脈沖對應(yīng)的坑和/或間隔的長度的裝置；以及根據(jù)上述檢測的與第1記錄脈沖對應(yīng)的坑和/或間隔的長度，調(diào)整上述第1記錄脈沖的功率的裝置。這樣，通過利用相當(dāng)于第2記錄脈沖寬度的間隔的信號，檢測由第1記錄脈沖形成的坑或間隔的長度，例如，即便是眼圖(eyepattern)的開口小而難以檢測的3T信號，也只需將第1記錄脈沖的寬度設(shè)定為3T，將相當(dāng)于第2記錄脈沖的寬度的間隔設(shè)定為6T，位于6T的兩端的3T信號的影響就顯現(xiàn)到該6T信號上，因此可以通過信號量大的6T信號預(yù)測3T長度的坑或間隔的長度。本發(fā)明的第6個方面，為一種根據(jù)本發(fā)明的第5個方面的光信息記錄裝置，其特征在于，包括照射接在2個上述第1記錄脈沖后具有與該第1記錄脈沖的寬度相當(dāng)?shù)拈g隔的第1記錄脈沖串的裝置；照射接在2個上述第1記錄脈沖后具有比該第1記錄脈沖的寬度長的間隔的第2記錄脈沖串的裝置；將對由上述第1記錄脈沖串的照射形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)所取得的信號，與對由上述第2記錄脈沖串的照射形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)所取得的信號進行比較的裝置；以及根據(jù)上述比較結(jié)果判定上述再現(xiàn)結(jié)果的真?zhèn)蔚难b置。這樣，通過對后續(xù)的脈沖的間隔短的第1記錄脈沖串的再現(xiàn)結(jié)果，與后續(xù)的脈沖的間隔長的第2記錄脈沖串的再現(xiàn)結(jié)果進行比較，可以檢測在后續(xù)的脈沖的間隔短的情況下可能產(chǎn)生的失真。其結(jié)果是可以避免由于該失真的原因而可能導(dǎo)致的誤檢測。本發(fā)明的第7個方面為一種光信息記錄裝置，通過記錄用激光的脈沖照射在光記錄介質(zhì)上形成坑和/或間隔，同時通過再現(xiàn)用激光的照射進行上述坑和/或間隔的檢測，所述光信息記錄裝置的特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，并確定第1記錄脈沖和比該第1記錄脈沖長的第2記錄脈沖的記錄條件的裝置；使用上述記錄用激光，在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域，照射以相當(dāng)于上述第2記錄脈沖的寬度的間隔配置了2個上述第1記錄脈沖的記錄脈沖串的裝置；以及通過上述再現(xiàn)用激光對由上述記錄脈沖串的照射形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，取得與2個上述第1記錄脈沖的間隔對應(yīng)的坑和/或間隔信號的裝置。通過這樣構(gòu)成，能夠?qū)崟r地、高精度地檢測信號量小的第1記錄脈沖的影響，因此即便對于內(nèi)外周差的記錄品質(zhì)不同的介質(zhì)，也能夠取得高的記錄品質(zhì)的容限。本發(fā)明的第8個方面為一種光信息記錄方法，通過進行基于包括僅由起始脈沖構(gòu)成的第1記錄脈沖，和由該起始脈沖與后續(xù)脈沖構(gòu)成的第2記錄脈沖的記錄脈沖串的激光的照射，在光記錄介質(zhì)上進行坑和/或間隔的形成，該光信息記錄方法的特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)上形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)的再現(xiàn)步驟；根據(jù)上述再現(xiàn)步驟的再現(xiàn)結(jié)果，使上述第1記錄脈沖的功率發(fā)生變化的步驟；以及根據(jù)上述再現(xiàn)步驟的再現(xiàn)結(jié)果，使上述第2記錄脈沖的寬度發(fā)生變化的步驟。本發(fā)明的第9個方面為一種光信息記錄方法，其特征在于，包括在上述光記錄介質(zhì)上，照射以相當(dāng)于上述第2記錄脈沖的寬度的間隔配置了2個上述第1記錄脈沖的記錄脈沖串的步驟；對由上述記錄脈沖串的照射形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，取得與2個上述第1記錄脈沖的間隔對應(yīng)的坑和/或間隔信號的步驟；根據(jù)與2個上述第1記錄脈沖的間隔對應(yīng)的坑和/或間隔信號，檢測與上述第1記錄脈沖對應(yīng)的坑和/或間隔的長度的步驟；以及根據(jù)上述檢測的與第1記錄脈沖對應(yīng)的坑和/或間隔的長度，調(diào)整上述第1記錄脈沖的功率的步驟。本發(fā)明的第10個方面為一種信號處理電路，被裝入光信息記錄裝置中，所述光信息記錄裝置通過進行基于包括僅由起始脈沖構(gòu)成的第1記錄脈沖，和由該起始脈沖與后續(xù)脈沖構(gòu)成的第2記錄脈沖的記錄脈沖串的激光的照射，在光記錄介質(zhì)上進行坑和/或間隔的形成，該信號處理電路的特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)上形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)的再現(xiàn)裝置；根據(jù)上述再現(xiàn)裝置的再現(xiàn)結(jié)果，使上述第1記錄脈沖的功率發(fā)生變化的裝置；以及根據(jù)上述再現(xiàn)裝置的再現(xiàn)結(jié)果，使上述第2記錄脈沖的寬度發(fā)生變化的裝置。本發(fā)明的第11個方面為一種信號處理電路，其特征在于，包括在上述光記錄介質(zhì)上，照射以相當(dāng)于上述第2記錄脈沖的寬度的間隔配置了2個上述第1記錄脈沖的記錄脈沖串的裝置；對由上述記錄脈沖串的照射形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，取得與2個上述第1記錄脈沖的間隔對應(yīng)的坑和/或間隔信號的裝置；根據(jù)與2個上述第1記錄脈沖的間隔對應(yīng)的坑和/或間隔信號，檢測與上述第1記錄脈沖對應(yīng)的坑和/或間隔的長度的裝置；以及根據(jù)上述檢測的與第1記錄脈沖對應(yīng)的坑和/或間隔的長度，調(diào)整上述第1記錄脈沖的功率的裝置。本發(fā)明的第12個方面為一種光信息記錄裝置，通過激光的脈沖照射，在光記錄介質(zhì)上進行坑和/或間隔的形成，其特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域內(nèi)形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，求出所取得的信號的2次微分等效值的裝置；對在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，求出所取得的信號的2次微分等效值的裝置；以及對在上述測試區(qū)域內(nèi)求出的2次微分等效值，同在上述記錄區(qū)域內(nèi)求出的2次微分等效值進行比較的裝置。這里，作為2次微分等效值，既可以是對再現(xiàn)的RF信號進行2次微分后求出的值，也可以是對切向推挽信號進行1次微分后求出的值。這樣，通過對在測試區(qū)域求出的2次微分等效值，和在記錄區(qū)域求出的2次微分等效值進行比較，即便對在介質(zhì)的記錄密度為高密度時容易產(chǎn)生干涉的3T、4T信號，也能檢測準確的長度偏移。本發(fā)明的第13個方面為一種光信息記錄裝置，通過記錄用激光的脈沖照射在光記錄介質(zhì)上形成坑和/或間隔，同時通過再現(xiàn)用激光的照射進行上述坑和/或間隔的檢測，所述光信息記錄裝置的特征在于，包括使用上述再現(xiàn)用激光，對使用上述記錄用激光在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，求出所取得的信號的2次微分等效值的裝置；以及對在上述測試區(qū)域內(nèi)求出的2次微分等效值，與在上述記錄區(qū)域內(nèi)求出的2次微分等效值進行比較的裝置。這樣，通過用再現(xiàn)用激光檢測由記錄用激光形成的坑，可以進行利用了2次微分等效值的長度偏移的實時校正，其結(jié)果是可以謀求對介質(zhì)的記錄品質(zhì)的內(nèi)外周差的應(yīng)對。本發(fā)明的第14個方面為一種光信息記錄裝置，通過激光的脈沖照射，在光記錄介質(zhì)上進行長度不同的多種坑和間隔的形成，其特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域內(nèi)形成的坑和間隔進行再現(xiàn)，求出對于所取得的各個上述長度不同的多種坑信號的2次微分等效值的裝置；對在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)形成的坑和間隔進行再現(xiàn)，求出對于所取得的各個上述長度不同的多種坑信號的2次微分等效值的裝置；以及對在上述測試區(qū)域內(nèi)求出的對于各坑長度的2次微分等效值，與在上述記錄區(qū)域內(nèi)求出的對于各坑長度的2次微分等效值進行比較的裝置。這樣，通過按各坑長度求出2次微分等效值，分別對在測試區(qū)域取得的值與在記錄區(qū)域取得的值進行比較，能夠檢測對于各坑長度和各間隔長度的長度偏移的影響，因此能進行對應(yīng)于長度的準確的校正。作為坑長度的偏差(variation)，例如在為DVD的情況下，可以使用3T、4T、5T、6T、7T、8T、9T、10T、11T、14T。本發(fā)明的第15個方面為一種光信息記錄裝置，通過激光的脈沖照射，在光記錄介質(zhì)上進行長度不同的多種坑和間隔的形成，其特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域內(nèi)形成的坑和間隔進行再現(xiàn)，求出對于所取得的各個上述長度不同的多種間隔信號的2次微分等效值的裝置；對在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)形成的坑和間隔進行再現(xiàn)，求出對于所取得的各個上述長度不同的多種間隔信號的2次微分等效值的裝置；以及對在上述測試區(qū)域內(nèi)求出的對于各間隔長度的2次微分等效值，與在上述記錄區(qū)域內(nèi)求出的對于各間隔長度的2次微分等效值進行比較的裝置。這樣，通過按各間隔長度求出2次微分等效值，分別對在測試區(qū)域取得的值與在記錄區(qū)域取得的值進行比較，能夠檢測對于各坑長度和各間隔長度的長度偏移的影響，因此能進行對應(yīng)于長度的準確的校正。作為間隔長度的變量，例如在為DVD的情況下，可以使用3T、4T、5T、6T、7T、8T、9T、10T、11T、14T。本發(fā)明的第16個方面為一種光信息記錄裝置，通過激光的脈沖照射，在光記錄介質(zhì)上進行坑和/或間隔的形成，其特征在于，包括使上述光記錄介質(zhì)轉(zhuǎn)動的裝置；具有對于上述光記錄介質(zhì)的轉(zhuǎn)動方向在前后劃分成的至少2個受光區(qū)域的光檢波器；求出從上述2個受光區(qū)域取得的各信號的差的裝置；對上述差進行微分的裝置；在設(shè)置于上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域內(nèi)求出上述微分值的裝置；在設(shè)置于上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)求出上述微分值的裝置；以及對在上述測試區(qū)域內(nèi)求出的微分值，與在上述記錄區(qū)域內(nèi)求出的微分值進行比較的裝置。這樣，還可以利用由在轉(zhuǎn)動方向被分割的2個受光區(qū)域取得的信號的差、即所謂切向推挽信號。本發(fā)明的第17個方面為一種光信息記錄裝置，通過記錄用激光的脈沖照射在光記錄介質(zhì)上形成坑和/或間隔，同時通過再現(xiàn)用激光的照射進行上述坑和/或間隔的檢測，所述光信息記錄裝置的特征在于，包括使用上述再現(xiàn)用激光，在設(shè)置于上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)求出上述微分值的裝置。本發(fā)明的第18個方面為一種光信息記錄方法，是用于光信息記錄裝置的光信息記錄方法，所述光信息記錄裝置通過激光的脈沖照射，在光記錄介質(zhì)上進行坑和/或間隔的形成，該光信息記錄方法的特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域內(nèi)形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，求出所取得的信號的2次微分等效值的步驟；對在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，求出所取得的信號的2次微分等效值的步驟；以及對在上述測試區(qū)域內(nèi)求出的2次微分等效值，與在上述記錄區(qū)域內(nèi)求出的2次微分等效值進行比較的步驟。本發(fā)明的第19個方面為一種信號處理電路，用于光信息記錄裝置，所述光信息記錄裝置通過激光的脈沖照射，在光記錄介質(zhì)上進行坑和/或間隔的形成，該信號處理電路的特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域內(nèi)形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，求出所取得的信號的2次微分等效值的裝置；對在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，求出所取得的信號的2次微分等效值的裝置；以及對在上述測試區(qū)域內(nèi)求出的2次微分等效值，與在上述記錄區(qū)域內(nèi)求出的2次微分等效值進行比較的裝置。如以上說明的那樣，根據(jù)本發(fā)明，即便是對于內(nèi)外周差的記錄特性不同的介質(zhì)，也能實時地進行記錄條件的優(yōu)化，因此可以提高記錄品質(zhì)的容限。圖1是表示本發(fā)明的記錄脈沖的結(jié)構(gòu)和記錄條件的確定的整體流程的概念圖。圖2是表示本發(fā)明的驅(qū)動器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的框圖。圖3是表示圖1所示的確定mT的流程的詳細執(zhí)行步驟的流程圖。圖4是表示圖3所示的基準閾值的確定步驟的詳細的流程圖。圖5是表示圖4所示的流程的一實施方式的概念圖。圖6是表示圖4所示的流程的一實施方式的概念圖。圖7是表示對各驅(qū)動器求閾值時的例子的概念圖。圖8是表示取得了圖3的步驟S120中執(zhí)行的記錄品質(zhì)檢查的結(jié)果為山谷型模式的例子的概念圖。圖9是表示取得了圖3的步驟S120中執(zhí)行的記錄品質(zhì)檢查的結(jié)果為向右下降的模式的例子的概念圖。圖10是表示取得了圖3的步驟S120中執(zhí)行的記錄品質(zhì)檢查的結(jié)果為向右上升的模式的例子的概念圖。圖11是表示在圖3的步驟S120中取得山谷型模式時，由步驟S122執(zhí)行的測試區(qū)域確定的一例的概念圖。圖12是表示在圖3的步驟S120中取得向右下降模式時，由步驟S122執(zhí)行的測試區(qū)域確定的一例的概念圖。圖13是表示在圖3的步驟S120中取得向右上升模式時，由步驟S122執(zhí)行的測試區(qū)域確定的一例的概念圖。圖14是表示使用8個模式執(zhí)行圖3的步驟S120時的例子的圖。圖15是說明通過曲線近似求出圖3的步驟S122中使用的功率范圍的方法的概念圖。圖16是說明通過曲線近似求出圖3的步驟S122中使用的功率范圍的其他例子的概念圖。圖17是說明通過采樣求出圖3的步驟S122中使用的功率范圍的的例子的概念圖。圖18是表示圖1中(b)所示的步驟S200的比率確定所使用的測試用記錄脈沖的例子的概念圖。圖19是表示圖1中(b)所示的步驟S200的確定比率的流程的執(zhí)行步驟的流程圖。圖20是表示從圖19所示的測試記錄到再現(xiàn)數(shù)據(jù)的計數(shù)的動作概念的概念圖。圖21是表示圖19所示的計數(shù)結(jié)果的存儲圖像的概念圖。圖22是表示圖19所示的直方圖生成的圖像的概念圖。圖23是表示圖19所示的閾值確定的圖像的概念圖。圖24是表示通過圖23所示的方法取得的閾值的例子的概念圖。圖25是表示用于檢測坑平衡的偏移量的記錄模式一例的圖。圖26是表示坑平衡偏移檢測中使用的特定模式檢索用的表結(jié)構(gòu)的概念圖。圖27是表示通過計數(shù)結(jié)果的絕對比較來檢測長度偏移量時的具體例的概念圖。圖28是表示圖19所示的控制量預(yù)測的執(zhí)行例的流程圖。圖29是表示使PWD變化時的記錄條件S1、S2的變化和偏移量D1、D2的關(guān)系的概念圖。圖30是表示利用了關(guān)于單脈沖的形狀的直線近似的長度偏移校正的一例的概念圖。圖31是表示利用了關(guān)于多脈沖的形狀的直線近似的長度偏移校正的一例的概念圖。圖32是表示用于存儲校正量PWD和Tmp的表結(jié)構(gòu)的概念圖。圖33是圖1的步驟S300中執(zhí)行的nT脈沖的構(gòu)成概念的概念圖。圖34是表示圖1的(b)所示的步驟S400的相位偏移校正中使用的測試用記錄脈沖的例子的概念圖。圖35是表示圖1的(b)所示的步驟S400的相位確定條件流程的執(zhí)行步驟的流程圖。圖36是表示用于檢測各坑長度的前側(cè)相位偏移量的記錄模式和再現(xiàn)模式的一例的概念圖。圖37是表示用于檢測各坑長度的后側(cè)相位偏移量的記錄模式和再現(xiàn)模式的一例的概念圖。圖38是表示用于檢測熱干涉引起的坑偏移量的記錄模式的一例的圖。圖39是表示坑前相位偏移檢測和坑后相位偏移檢測中使用的特定模式檢索用的表結(jié)構(gòu)的概念圖。圖40是表示坑干涉偏移檢測中使用的特定模式檢索用的表結(jié)構(gòu)的概念圖。圖41是表示通過計數(shù)結(jié)果的相對比較來檢測偏移量時的具體例的概念圖。圖42是表示基于圖35所示的控制量的預(yù)測的Ttopr、Tlast確定的執(zhí)行例的流程圖。圖43是表示記錄條件S1、S2的變化和偏移量D1、D2的關(guān)系的概念圖。圖44是表示利用了直線近似的前側(cè)相位偏移校正的一例的概念圖。圖45是表示利用了直線近似的后側(cè)相位偏移校正的一例的概念圖。圖46是表示用于存儲校正量Ttop和Tlast的表結(jié)構(gòu)的概念圖。圖47是表示校正后的單脈沖的例子的概念圖。圖48是表示校正后的多脈沖的例子的概念圖。圖49是表示本發(fā)明的驅(qū)動器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的框圖。圖50是表示被裝入圖49所示的驅(qū)動器內(nèi)的光拾取器部的構(gòu)造的分解斜視圖。圖51是表示照射在光盤的盤面上的點(spot)的配置的平面圖。圖52是表示照射在光盤的盤面上的點與檢波器之間的關(guān)系的概念圖。圖53是表示記錄脈沖的形狀與恒定區(qū)域的關(guān)系的概念圖。圖54是表示圖49所示的脈沖發(fā)生器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的電路框圖。圖55是表示圖54所示的門信號的生成概念的時序圖。圖56是表示圖49所示的LD驅(qū)動器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的電路圖。圖57是表示圖49所示的屏蔽電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的電路框圖。圖58是表示記錄脈沖與門脈沖以及再現(xiàn)信號之間的關(guān)系的時序圖。圖59是表示圖49所示的CPU執(zhí)行的標志信號的生成方法的概念圖。圖60是表示記錄用的主光束與再現(xiàn)用的副光束之間的關(guān)系的時序圖。圖61是表示記錄脈沖與使該記錄脈沖延遲的脈沖以及RF信號之間的關(guān)系的時序圖。圖62是表示了在長的坑的記錄中檢測短的坑或間隔的方法的例子的框圖。圖63是表示圖62所示的計數(shù)器256與圖49的脈沖發(fā)生器300之間的關(guān)系的框圖。圖64是表示圖62所示的緩沖器250-2存儲位串時的例子的概念圖。圖65是表示在14T坑的記錄中作為檢測對象的4T間隔的變化的概念圖。圖66是表示了在長的坑的記錄中檢測短的坑或間隔的方法的其他例子的框圖。圖67是表示圖66所示的電路塊的處理例的時序圖。圖68是表示由圖66的電路塊生成的判斷信號的判斷基準的概念圖。圖69是表示了在長的坑的記錄中檢測短的坑或間隔的方法的其他例子的框圖。圖70是表示圖69所示的電路塊的處理例的時序圖。圖71是表示圖69所示的復(fù)位脈沖發(fā)生器426的處理例的時序圖。圖72是表示圖49所示的屏蔽電路的其他結(jié)構(gòu)例的電路框圖。圖73是表示圖72所示的電路的動作的第1時序圖。圖74是表示圖72所示的電路的動作的第2時序圖。圖75是表示在測試區(qū)域求出的關(guān)于坑和間隔的切向推挽信號的微分值與實際的物理長度之間的關(guān)系的曲線圖。圖76是表示在記錄區(qū)域求出的關(guān)于坑和間隔的切向推挽信號的微分值，與在測試區(qū)域求出的關(guān)于坑和間隔的切向推挽信號的微分值之間的關(guān)系的曲線圖。圖77是表示為了取得測試區(qū)域內(nèi)的切向推挽信號的微分值而進行的測試記錄的一例的概念圖。圖78是表示為了取得記錄區(qū)域內(nèi)的切向推挽信號的微分值而進行的測試記錄的一例的概念圖。圖79是表示了使用圖78所示的切向推挽信號的差進行記錄脈沖的校正的例子的概念圖。圖80是表示圖49所示的屏蔽電路的其他結(jié)構(gòu)例的電路框圖。圖81是表示本發(fā)明的功率和脈沖寬度的實時控制概念的概念圖。圖82是表示將功率和脈沖寬度的調(diào)整要素分離后取得的記錄品質(zhì)的擴大圖像的概念圖。圖83是表示了確保mT脈沖的檢測信號量的方法的概念的概念圖。圖84是表示了使用6T間隔的信號檢測3T坑的長度偏移量的例子的時序圖。圖85是表示了根據(jù)長度偏移量進行功率校正的概念的概念圖。圖86是表示了使用RF信號檢測由3T間隔造成的失真的影響的例子的時序圖。圖87是表示了使用切向推挽信號檢測由3T間隔造成的失真的影響的例子的時序圖。圖88是表示了避免由3T間隔造成的失真的影響的結(jié)構(gòu)例的概念圖。具體實施例方式下面，參照附圖詳細說明本發(fā)明的光信息記錄裝置。本發(fā)明并不限于以下說明的實施方式，可以進行適當(dāng)變更。圖1是表示本發(fā)明的記錄脈沖結(jié)構(gòu)和記錄條件確定的整體流程的概念圖。如圖1的(a)所示，本發(fā)明的記錄脈沖10由位于該記錄脈沖的前端的起始脈沖12、接著該起始脈沖的后續(xù)脈沖14構(gòu)成。這里，如果記錄脈沖10的長度為n’T，則起始脈沖12具有m’T的長度，后續(xù)脈沖14具有(n-m)T的長度。在本實施方式中，采取m＝3，n＝3～11、14的值。T是在光盤系統(tǒng)中所定義的單位時間，根據(jù)時鐘信號確定其周期。通過執(zhí)行圖1的(b)所示的一系列流程，確定記錄脈沖10的條件。伴隨著在光信息記錄裝置(以下稱作“記錄裝置”或“驅(qū)動器”)中填裝光信息記錄介質(zhì)(以下稱作“介質(zhì)”或“盤”)的狀態(tài)下的測試記錄，執(zhí)行該流程。如圖1的(b)所示，在確定記錄脈沖10的條件時，首先確定m’T長度的脈沖條件(步驟S100)，然后利用m’T長度的條件，求出成為m’T長度的脈沖條件和(n-m)T長度的脈沖條件的比率的m’T/(n-m)T(步驟S200)。然后，根據(jù)該比率構(gòu)成nT脈沖(步驟S300)，最后進行相位偏移校正，確定n’T長度的記錄脈沖的條件(步驟S400)。圖2是表示本發(fā)明的驅(qū)動器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的框圖。如圖2所示，驅(qū)動器100使用從激光振蕩器1103輸出的激光，進行對介質(zhì)500的信息的記錄和再現(xiàn)。當(dāng)對介質(zhì)500進行信息的記錄時，用編碼器1101以EFM方式對與所希望的記錄信息對應(yīng)的記錄信號進行編碼，把編碼后的記錄數(shù)據(jù)提供給策略電路1102。這里，在該策略電路1102中設(shè)定預(yù)定的策略的各種設(shè)定參數(shù)，該策略電路1102校正策略的各種設(shè)定參數(shù)，控制從激光振蕩器1103輸出的激光的強度和脈沖寬度，生成要取得所希望的記錄狀態(tài)的記錄脈沖。把由策略電路1102形成的記錄脈沖提供給激光振蕩器1103，激光振蕩器1103與該記錄脈沖對應(yīng)地控制輸出激光，通過透鏡1104、半透明反射鏡(halfmirror)1105、透鏡1106，將該所控制的激光照射在以恒定的線速度或恒定的角速度旋轉(zhuǎn)的介質(zhì)500，據(jù)此，在介質(zhì)500上記錄與所希望的記錄數(shù)據(jù)對應(yīng)的由坑、岸串構(gòu)成的記錄模式。而進行記錄在介質(zhì)500上的信息的再現(xiàn)時，從激光振蕩器1103使同樣的再現(xiàn)激光經(jīng)由透鏡1104、半透明反射鏡1105、透鏡1106照射到以恒定的線速度或恒定的角速度旋轉(zhuǎn)的介質(zhì)500上。這時，再現(xiàn)激光使用比記錄時從激光振蕩器1103輸出的激光的強度弱的再現(xiàn)激光，基于再現(xiàn)激光的、來自介質(zhì)500的反射光通過透鏡1106、半透明反射鏡1105、透鏡1107而由受光部1108受光，被轉(zhuǎn)換為電信號。從受光部1108輸出的電信號與記錄在介質(zhì)500中的由坑、岸構(gòu)成的記錄模式對應(yīng)。用同步信號檢測電路1109，根據(jù)從該受光部1108輸出的電信號中所包含的振動成分，生成預(yù)定周期的時鐘信號，然后由2值化電路1110進行2值化，再由解碼器1111解碼，作為再現(xiàn)信號輸出。這樣，由驅(qū)動器和介質(zhì)構(gòu)成的記錄系統(tǒng)的記錄品質(zhì)，決定驅(qū)動器的特性偏差和介質(zhì)的特性偏差，因此上述策略通過吸收該影響來謀求記錄品質(zhì)的提高。作為介質(zhì)，能應(yīng)用以CD-R或DVD-R為代表的色素型介質(zhì)、以CD-RW和DVD-RW為代表的相變型的介質(zhì)等各種光信息記錄介質(zhì)。下面說明上述的驅(qū)動器執(zhí)行的圖1的(b)所示的詳細的記錄脈沖條件確定流程。(m’T條件的確定)圖3是表示圖1所示的m’T確定流程的詳細執(zhí)行步驟的流程圖。如圖3所示，上述驅(qū)動器100在進行該驅(qū)動器的初始設(shè)定之前，執(zhí)行步驟S110～S114，接著，執(zhí)行在確定測試記錄的條件之前的步驟S116～S122，然后執(zhí)行以確定的條件進行測試記錄的步驟S124，之后執(zhí)行根據(jù)其結(jié)果來確定mT脈沖的條件的步驟S126。下面詳細說明各步驟。(基準條件的確定)在圖3所示的步驟S110中，首先一邊使用任意的標準介質(zhì)使記錄速度變化一邊進行測試記錄，求出一個脈沖寬度和3個功率值作為基準條件。作為3個功率值，希望使用上述測試記錄的結(jié)果為抖動(jitter)變?yōu)樽钚〉闹岛臀挥谄淝昂蟮膬蓚€功率值。作為前后兩個功率值，希望使用成為抖動好壞的基準的閾值附近的值。這里求出的基準條件，在后面的記錄品質(zhì)檢查時進行使用。(基準閾值的確定)如后述的那樣，在本發(fā)明中，想要把小于等于抖動閾值的區(qū)域設(shè)定為測試記錄條件的范圍(下面，稱作“測試區(qū)域”)，因此必須確定成為判斷基準的閾值。作為閾值的值，可以按照驅(qū)動器或介質(zhì)的種類準備標準的值，但是，表示抖動的允許區(qū)域的最小線(minimumline)的閾值，根據(jù)構(gòu)成圖2所示的光拾取器的光學(xué)系統(tǒng)零件或其他要素的狀態(tài)而發(fā)生變化，此外也根據(jù)記錄介質(zhì)的速度而發(fā)生變化。因此，最好是用以下的方法，即通過按實際使用的每種驅(qū)動器和介質(zhì)的組合來求出該閾值，使之具有更準確的判斷基準，從而進行更準確的測試區(qū)域的設(shè)定。按每種驅(qū)動器和介質(zhì)的組合來設(shè)定該閾值，成為記錄步驟增加的原因，因此假定各驅(qū)動器個體的差異是閾值變動的主要原因，可以在制造驅(qū)動器時，把適合于各個體的閾值存儲在存儲區(qū)域1115中。圖4是表示圖3所示的基準閾值的確定步驟的詳細的流程圖。如圖4所示，進行基于預(yù)定的記錄條件的記錄再現(xiàn)，根據(jù)其結(jié)果確定作為系統(tǒng)的基準值，把根據(jù)該基準值而確保了預(yù)定容限的值作為確定測試區(qū)域時使用的閾值，由此來進行基準閾值的確定。下面按順序說明各步驟。首先，執(zhí)行進行記錄條件設(shè)定的步驟S150，在該步驟中，按預(yù)定模式準備脈沖寬度、功率、記錄再現(xiàn)速度、記錄地址等記錄再現(xiàn)所必需的條件，在驅(qū)動器中設(shè)定該記錄條件后，把基準介質(zhì)填裝到該驅(qū)動器內(nèi)。作為基準介質(zhì)，希望從各種介質(zhì)中選擇特性標準的介質(zhì)。接著，執(zhí)行對基準介質(zhì)進行記錄和再現(xiàn)的步驟S152，取得各記錄條件中的記錄再現(xiàn)特性值，例如抖動。其中，所述基準介質(zhì)是以在上述步驟S150中設(shè)定的記錄條件填裝的。作為這里取得的特性值，選擇表示記錄品質(zhì)的值。接著，執(zhí)行步驟S154，該步驟S154從在上述步驟S152中取得的記錄再現(xiàn)特性值來求出最佳的值，例如抖動的最小值，并把它作為系統(tǒng)基準值。據(jù)此，把認為在該驅(qū)動器中接近最佳值的抖動值設(shè)定為基準值。該基準值不是抖動的最佳點，可以是與預(yù)定的閾值相交的2點的中間值，即功率容限的中間值。最后，執(zhí)行步驟S156，算出對于在上述步驟S154中確定的系統(tǒng)基準值，乘以預(yù)定的系數(shù)α(α＞1)后的值，將其作為閾值。據(jù)此，用具有預(yù)定的容限的形狀來對系統(tǒng)基準值進行判斷。即，希望使用“閾值＝系統(tǒng)基準值×α”來進行使用了系統(tǒng)基準值的閾值的計算，作為系數(shù)α，最好使用約1.5左右的值。該系數(shù)α可以按照驅(qū)動器或介質(zhì)的種類設(shè)定適當(dāng)?shù)闹担梢栽O(shè)定象α＝0.8～1.2這樣的接近系統(tǒng)基準值的值，也可以設(shè)定象α＝2.0～3.0這樣的較大的值。圖5是表示圖4所示流程的一個實施方式的概念圖。圖5所示的例子是使用抖動值作為表示記錄品質(zhì)的特性值，對于W1～W4的各脈沖寬度，使功率從P1～P6變化，取得再現(xiàn)特性202-1～202-4時的例子。在圖5所示的例子中，脈沖寬度W1～W4和功率P1～P6成為記錄條件，得到最低抖動值的再現(xiàn)特性102-3的極限成為系統(tǒng)基準值，將該系統(tǒng)基準值乘以例如1.5而取得的值成為閾值。圖5中矩陣內(nèi)所示的箭頭表示使測試條件變化的方向，在以下的說明中，按相同的意思使用。圖6是表示圖4所示的流程的一實施方式的概念圖。圖6所示的例子是使用抖動值作為表示記錄品質(zhì)的特性值，按W1～W4的各脈沖寬度，改變功率的變化范圍取得再現(xiàn)特性202-1～202-4時的例子。在圖6所示的例子中，得到最低抖動值的再現(xiàn)特性202-2的極限成為系統(tǒng)基準值，將該系統(tǒng)基準值乘以例如1.5后得到的值成為閾值。這樣，閾值的確定也可以按各個脈沖寬度來變更并求出功率條件。圖7是表示對各驅(qū)動器求出閾值時的例子的概念圖。當(dāng)希望與驅(qū)動器的個體差異對應(yīng)的閾值設(shè)定時，如圖7所示，在各驅(qū)動器100-1～100-5中分別記錄再現(xiàn)公共的基準介質(zhì)500，在各驅(qū)動器中存儲固有的閾值1～5。當(dāng)要把閾值的設(shè)定步驟簡易化時，就取以數(shù)個標準的驅(qū)動器分別對公共的基準介質(zhì)進行記錄再現(xiàn)而得到的閾值1～5的平均值，把該平均閾值作為其他驅(qū)動器的閾值使用。這時，為了求出平均閾值而使用的驅(qū)動器，可以是相同設(shè)計的驅(qū)動器，也可以不是相同設(shè)計而是類似設(shè)計的驅(qū)動器。此外，也可以使用平均閾值作為這些驅(qū)動器的閾值。也可以把一次求出的平均閾值作為以后制造的相同或類似設(shè)計的驅(qū)動器的閾值而通用。此外，也可以有意地準備具有差異的多臺驅(qū)動器，求出它們的平均值。(記錄裝置的初始設(shè)定)執(zhí)行步驟S114，把以上說明的圖3的步驟S110和步驟S112中求出的基準條件和基準閾值存儲到驅(qū)動器100內(nèi)的記錄區(qū)域115中。最好是在驅(qū)動器100的制造時預(yù)先進行該步驟。(記錄對象介質(zhì)的填裝)接著，執(zhí)行步驟S116，在步驟S114的初始設(shè)定結(jié)束的驅(qū)動器100內(nèi)填裝進行信息記錄的介質(zhì)500。(基于基準條件的記錄再現(xiàn))接著，執(zhí)行步驟S118，該步驟S118使用步驟S114中設(shè)定的條件，對步驟S116中填裝的介質(zhì)500進行記錄。具體而言，使用作為基準條件定義的一個脈沖寬度和3種功率值進行3次的記錄再現(xiàn)，取得3點抖動值。如果以與功率軸的關(guān)系描繪這3點抖動值，則與驅(qū)動器100和介質(zhì)500的組合對應(yīng)的記錄特性的傾向?qū)⒆兊妹黠@。(記錄品質(zhì)的檢查)圖8是表示取得圖3的步驟S120中執(zhí)行的記錄品質(zhì)檢查的結(jié)果為山谷型的模式的例子的概念圖。如圖8所示，使用針對上述步驟中取得的各基準條件的抖動值和閾值，進行記錄品質(zhì)的檢查。圖8所示的例子是使用功率P1、P2、P3作為基準條件時的例子，連接以各功率值取得的抖動值的虛擬線成為山谷型模式。當(dāng)取得這樣的山谷型模式時，意味著步驟S110中使用的基準介質(zhì)和步驟S116中填裝的記錄介質(zhì)是相同靈敏度，記錄特性類似。這里，圖8的(a)是山谷型模式的最小值小于等于閾值的例子，圖8的(b)是山谷型模式的最小值大于等于閾值的例子，在任一個模式中，都認為基準介質(zhì)和記錄對象介質(zhì)為相同靈敏度。這樣，當(dāng)基準介質(zhì)和記錄對象介質(zhì)為相同靈敏度時，如后所述，用以基準條件為中心的功率×脈沖寬度的面區(qū)域來設(shè)定測試記錄中使用的條件。這里，在圖8的(a)和(b)中，在各記錄點P1、P2、P3分別取得的再現(xiàn)值與再現(xiàn)基準值的差量、即在圖8的例子中抖動值與抖動閾值的差量不同，圖8的(a)所取得的再現(xiàn)值接近再現(xiàn)基準值?？紤]到圖8的(a)比圖8的(b)更容易發(fā)現(xiàn)最佳條件，因此取得圖8的(a)的記錄特性時與取得圖8的(b)的記錄特性時相比，設(shè)定測試次數(shù)更少，可以用更少的測試次數(shù)發(fā)現(xiàn)更適合的解。即，當(dāng)再現(xiàn)值與再現(xiàn)基準值的差量少時，最佳條件接近上述的基準條件，當(dāng)再現(xiàn)值與再現(xiàn)基準值的差量多時，最佳條件變?yōu)檫h離上述基準條件，因此在要使測試次數(shù)更少時，希望根據(jù)再現(xiàn)值與再現(xiàn)基準值的差量來使測試次數(shù)變化。圖9是表示取得圖3的步驟S120中執(zhí)行的記錄品質(zhì)檢查的結(jié)果為向右下降的模式的例子的概念圖。在圖9所示的例子中，成為隨著P1、P2、P3這樣功率上升，抖動值下降的向右下降的模式。當(dāng)取得這樣的向右下降的模式時，意味著與基準介質(zhì)相比，記錄對象介質(zhì)的靈敏度低。這里，圖9的(a)是向右下降模式的最小值小于等于閾值的例子，圖9的(b)是向右下降模式的最小值大于等于閾值的例子，在任一個模式中，認為與基準介質(zhì)相比，記錄對象介質(zhì)的靈敏度低。這樣，當(dāng)記錄介質(zhì)一方的靈敏度低時，如后所述，使以基準條件為中心的功率×脈沖寬度的面區(qū)域所劃分的測試區(qū)域向高功率、寬脈沖寬度側(cè)移動以進行測試記錄。此外，當(dāng)取得圖9所示的向右下降模式時，認為抖動的最小值存在于更高功率一側(cè)，因此可以用比P3更高的功率進行追加記錄，再次確認記錄特性。這時，記錄次數(shù)雖然增加1次，但是能提高記錄品質(zhì)的檢查精度。當(dāng)取得該模式時，與取得上述山谷型模式時相同，可以根據(jù)再現(xiàn)值和再現(xiàn)基準值的差量，使測試次數(shù)變化。此外，當(dāng)取得圖9所示的向右下降模式時，認為與上述圖8所示的山谷型模式相比，最佳解更遠離基準條件，因此希望與山谷型模式相比，預(yù)先增加測試次數(shù)。圖10是表示取得圖3的步驟S120中執(zhí)行的記錄品質(zhì)檢查的結(jié)果為向右上升的模式的例子的概念圖。在圖10所示的例子中，成為隨著P1、P2、P3這樣功率上升，抖動值上升的向右上升的模式。當(dāng)取得這樣的模式時，意味著與基準介質(zhì)相比，記錄對象介質(zhì)的靈敏度高。這里，圖10的(a)是向右上升模式的最小值小于等于閾值的例子，圖10的(b)是向右上升模式的最小值大于等于閾值的例子，在任一個模式中，認為與基準介質(zhì)相比，記錄對象介質(zhì)的靈敏度高。這樣，當(dāng)記錄介質(zhì)的靈敏度高時，如后所述，使以基準條件為中心的功率×脈沖寬度的面區(qū)域所劃分的測試區(qū)域向低功率、窄脈沖寬度一側(cè)移動以進行測試記錄。此外，當(dāng)取得圖10所示的向右上升模式時，認為抖動的最小值存在于更低功率一側(cè)，因此用比P1更低的功率進行追加記錄，再次確認記錄特性。這時，記錄次數(shù)增加1次，但是能提高記錄品質(zhì)的檢查精度。當(dāng)取得該模式時，與取得上述山谷型模式時一樣，可以根據(jù)再現(xiàn)值和再現(xiàn)基準值的差量，使測試次數(shù)變化。此外，當(dāng)取得圖10所示的向右上升模式時，認為與上述圖8所示的山谷型模式相比，最佳解更遠離基準條件，因此希望與山谷型模式相比，預(yù)先增加測試次數(shù)。(測試區(qū)域的確定)圖11是表示在圖3的步驟S120中取得山谷型模式時，由步驟S122執(zhí)行的測試區(qū)域確定的一例的概念圖。如圖11所示，當(dāng)取得山谷型模式時，把在P1、P2、P3分別取得的抖動值所描繪的近似曲線206與閾值的相交點作為測試記錄中使用的功率變化區(qū)域，該變化區(qū)域成為功率范圍。在本發(fā)明中，把實際在測試記錄中使用的功率范圍定義為“功率范圍”，把抖動小于等于閾值的功率范圍定義為“功率容限”。這里，近似曲線206按各脈沖寬度的不同而不同，因此如果在基準條件下使用的脈沖寬度為W4，則對于以W4為中心的脈沖寬度W1～W6，按功率P1、P2、P3進行記錄，確認所取得的近似曲線206和閾值的相交點。據(jù)此，如圖11的矩陣圖像所示，取得在各脈沖寬度小于等于閾值的功率范圍，圖11的陰影線表示的區(qū)域成為測試區(qū)域。這里，如果用矩陣中的圖像來表示作為基準條件使用的P1、P2、P3的功率3個條件和脈沖寬度W4，成為圖11的208-1、208-2、208-3，把確定的測試區(qū)域設(shè)定為以基準條件為中心的功率×脈沖寬度的面區(qū)域。通過按各脈沖寬度求出功率范圍，能集中小于等于閾值的區(qū)域進行測試，因此能以少的次數(shù)發(fā)現(xiàn)更適合的條件。當(dāng)能取得較寬的功率容限時，把功率變化的步長設(shè)定得大，當(dāng)功率容限較窄時，把功率變化的步長設(shè)定得小，由此也能謀求測試次數(shù)的減少。例如可以如下構(gòu)成，即當(dāng)取得10mW的容限時，假定即使粗略地測試也能取得最佳值，就以2mW步長進行5次測試，當(dāng)取得1mW的容限時，判斷為需要更精密的測試，就以0.1mW步長進行10次測試。圖12是表示在圖3的步驟S120中取得向右下降模式時，由步驟S122執(zhí)行的確定測試區(qū)域的一例的概念圖。如圖12所示，當(dāng)取得向右下降模式時，認為最佳條件位于更高功率一側(cè)，因此用比P3更高的功率值P+進行追加記錄，將P1、P2、P3、P+各自取得的抖動值描繪的近似曲線206與閾值的相交點設(shè)為功率范圍。在脈沖寬度W1～W6分別進行該處理，取得圖12中矩陣圖像所示的測試區(qū)域。這里，由上述步驟確定的測試區(qū)域成為以基準條件208-1、208-2、208-3為中心的功率×脈沖寬度的面區(qū)域向高功率一側(cè)移動的形狀。在該例子中，就此使用山谷型模式中使用的W1～W6，但是當(dāng)為向右下降模式時，處于低靈敏度傾向，因此可以向比W1～W6更寬的脈沖寬度區(qū)移動，確定功率范圍。圖13是表示在圖3的步驟S120中取得向右上升模式時，由步驟S122執(zhí)行的確定測試區(qū)域的一例的概念圖。如圖13所示，當(dāng)取得向右上升模式時，認為最佳條件位于更低功率一側(cè)，因此用比P1更低的功率值P+進行追加記錄，將P+、P1、P2、P3各自取得的抖動值描繪的近似曲線206與閾值的相交點設(shè)為功率范圍。在脈沖寬度W1～W6分別進行該處理，取得圖13中矩陣圖像所示的測試區(qū)域。這里，由上述步驟確定的測試區(qū)域成為以基準條件208-1、208-2、208-3為中心的功率×脈沖寬度的面區(qū)域向低功率一側(cè)移動的形狀。在該例子中，原樣地使用山谷型模式中使用的W1～W6，但是當(dāng)為向右上升模式時，處于高靈敏度傾向，因此可以向比W1～W6更窄的脈沖寬度區(qū)域移動，確定功率范圍。即在上述的方法中，對各脈沖寬度進行記錄品質(zhì)的檢查，根據(jù)其結(jié)果對各脈沖寬度確定測試次數(shù)，因此能期待測試次數(shù)的減少。以上說明的記錄品質(zhì)的檢查是通過把基于基準條件下的記錄的抖動變化模式化而進行的例子，更推薦使用以下所示的8模式進行。圖14是表示使用8個模式執(zhí)行圖3的步驟S120時的例子的圖。如圖14所示，無論模式1是山谷型、向右上升、向右下降中哪個模式，都是抖動的最大值小于等于閾值時應(yīng)用的模式。當(dāng)取得該模式時，視為與基準介質(zhì)相同程度的靈敏度，并且判斷為能更寬地取小于等于閾值的容限，功率條件分別向低功率一側(cè)和高功率一側(cè)擴展。即，在該模式1中，無法取得閾值附近的值，因此在低功率一側(cè)和高功率一側(cè)雙方進行追加記錄。然后，對從該追加記錄的結(jié)果取得的抖動特性進行曲線近似，把該近似曲線與抖動閾值相交的大小兩點的間隔作為功率范圍的基準值。當(dāng)取得該模式時，把基準值±0.2T的脈沖寬度區(qū)域確定為測試區(qū)域，在測試記錄時，在該測試區(qū)域內(nèi)按每次0.2T變化，進行最佳記錄條件的檢測。T表示記錄坑的單位時間長度。這里，如果成為基準值的脈沖寬度為脈沖條件1，擴展的2點為脈沖條件2和3，則模式1的脈沖條件2和3成為擴展±0.2T后的脈沖寬度。隨著該脈沖寬度的條件變更，對于作為測試條件使用的功率范圍也進行若干的變更。即，當(dāng)脈沖寬度變更0.1T時，功率范圍的基準值×(1-0.05×1)mW為該脈沖寬度的功率范圍，當(dāng)脈沖寬度變更0.2T時，功率范圍的基準值×(1-0.05×2)mW為該脈沖寬度的功率范圍，當(dāng)脈沖寬度變更-0.1T時，功率范圍的基準值×[1-0.05×(-1)]mW為該脈沖寬度的功率范圍。因此，相應(yīng)于該模式1時的測試條件變?yōu)橐韵?組。(1)脈沖寬度的基準值、功率范圍的基準值(2)脈沖寬度的基準值-0.2T、功率范圍的基準值×[1-0.05×(-2)]mW(3)脈沖寬度的基準值+0.2T、功率范圍的基準值×[1-0.05×(+2)]mW在本發(fā)明中，可以在實際的測試記錄中不使用上述表達式(1)所示的基準條件。模式2是取得山谷型模式時，抖動的最小值小于等于閾值時應(yīng)用的模式。當(dāng)取得該模式時，判斷為記錄對象介質(zhì)與基準介質(zhì)是相同程度的靈敏度，把基準值±0.1T選擇為脈沖寬度條件。然后通過與模式1同樣的步驟，對各脈沖條件進行功率范圍的設(shè)定。結(jié)果，與該模式2相應(yīng)的測試條件變?yōu)橐韵?組。(1)脈沖寬度的基準值、功率范圍的基準值(2)脈沖寬度的基準值-0.1T、功率范圍的基準值×[1-0.05×(-1)]mW(3)脈沖寬度的基準值+0.1T、功率范圍的基準值×[1-0.05×(+1)]mW模式3是取得山谷型模式時，抖動的最小值超過閾值時應(yīng)用的模式。當(dāng)取得該模式時，判斷為記錄對象介質(zhì)與基準介質(zhì)是相同程度的靈敏度，并且介質(zhì)的特性差大，把基準值±0.2T選擇為脈沖寬度條件。然后通過與模式1同樣的步驟，對各脈沖條件進行功率范圍的設(shè)定。結(jié)果，與該模式3相應(yīng)的測試條件變?yōu)橐韵?組。(1)脈沖寬度的基準值、功率范圍的基準值(2)脈沖寬度的基準值-0.2T、功率范圍的基準值×[1-0.05×(-2)]mW(3)脈沖寬度的基準值+0.2T、功率范圍的基準值×[1-0.05×(+2)]mW模式4是取得向右下降模式時，抖動的最小值變?yōu)樾∮诘扔陂撝禃r應(yīng)用的模式。當(dāng)取得該模式時，判斷為記錄對象介質(zhì)比基準介質(zhì)的靈敏度稍低，把基準值、+0.1T和+0.2T這3點選擇為脈沖寬度條件。然后通過與模式1同樣的步驟，對各脈沖條件進行功率范圍的設(shè)定。結(jié)果，與該模式4相應(yīng)時的測試條件變?yōu)橐韵?組。(1)脈沖寬度的基準值、功率范圍的基準值(2)脈沖寬度的基準值+0.1T、功率范圍的基準值×[1-0.05×(+1)]mW(3)脈沖寬度的基準值+0.2T、功率范圍的基準值×[1-0.05×(+2)]mW模式5是取得向右下降模式時，抖動的最小值超過閾值時應(yīng)用的模式。當(dāng)取得該模式時，判斷為記錄對象介質(zhì)比基準介質(zhì)的靈敏度低很多，把基準值、+0.2T和+0.4T這3點選擇為脈沖寬度條件。然后通過與模式1同樣的步驟，對各脈沖條件進行功率范圍的設(shè)定。結(jié)果，與該模式5相應(yīng)時的測試條件變?yōu)橐韵?組。(1)脈沖寬度的基準值、功率范圍的基準值(2)脈沖寬度的基準值+0.2T、功率范圍的基準值×[1-0.05×(+2)]mW(3)脈沖寬度的基準值+0.4T、功率范圍的基準值×[1-0.05×(+4)]mW模式6是取得向右上升模式時，抖動的最小值變?yōu)樾∮诘扔陂撝禃r應(yīng)用的模式。當(dāng)取得該模式時，判斷為記錄對象介質(zhì)比基準介質(zhì)的靈敏度稍高，把基準值、-0.1T和-0.2T這3點選擇為脈沖寬度條件。然后通過與模式1同樣的步驟，對各脈沖條件進行功率范圍的設(shè)定。結(jié)果，與該模式6相應(yīng)時的測試條件變?yōu)橐韵?組。(1)脈沖寬度的基準值、功率范圍的基準值(2)脈沖寬度的基準值-0.1T、功率范圍的基準值×[1-0.05×(-1)]mW(3)脈沖寬度的基準值-0.2T、功率范圍的基準值×[1-0.05×(-2)]mW模式7是取得向右上升模式時，抖動的最小值超過閾值時應(yīng)用的模式。當(dāng)取得該模式時，判斷為記錄對象介質(zhì)比基準介質(zhì)的靈敏度高很多，把基準值、-0.2T和-0.4T這3點選擇為脈沖寬度條件。然后通過與模式1同樣的步驟，對各脈沖條件進行功率范圍的設(shè)定。結(jié)果，與該模式7相應(yīng)時的測試條件變?yōu)橐韵?組。(1)脈沖寬度的基準值、功率范圍的基準值(2)脈沖寬度的基準值-0.2T、功率范圍的基準值×[1-0.05×(-2)]mW(3)脈沖寬度的基準值-0.4T、功率范圍的基準值×[1-0.05×(-4)]mW模式8是取得山谷型模式時，抖動的最大值超過閾值時應(yīng)用的模式。當(dāng)取得該模式時，判斷為異常模式，把基準值±0.2T選擇為脈沖寬度條件。然后通過與模式1同樣的步驟，對各脈沖條件進行功率范圍的設(shè)定。結(jié)果，與該模式8相應(yīng)時的測試條件變?yōu)橐韵?組。(1)脈沖寬度的基準值、功率范圍的基準值(2)脈沖寬度的基準值-0.2T、功率范圍的基準值×[1-0.05×(-2)]mW(3)脈沖寬度的基準值+0.2T、功率范圍的基準值×[1-0.05×(+2)]mW以上說明的8個模式中，當(dāng)檢測到最接近基準介質(zhì)的模式2以外的模式時，確認為不是再現(xiàn)誤動作引起的，因此再次再現(xiàn)成為該模式的基礎(chǔ)的記錄結(jié)果，再次檢測抖動。這時，當(dāng)通過再次的再現(xiàn)而檢測到模式2以外的特性時，按照圖14所示的條件，進行記錄條件的追加和擴展。這里，進行上述再現(xiàn)誤動作的確認的結(jié)果為檢測到模式8時，考慮記錄誤動作的可能性，因此在進行追加記錄和脈沖寬度的擴展前，用脈沖寬度的基準值再次進行記錄。在即使再現(xiàn)該再記錄結(jié)果，也成為模式8的情況下，不進行追加記錄即用于進行脈沖條件1的容限測量的功率擴展，就進行脈沖條件的擴展即脈沖條件2和脈沖條件3的擴展。可以用上述方法進行與脈沖條件2和脈沖條件3的擴展對應(yīng)的功率的擴展。即在模式8的情況下，用脈沖條件1無法取得容限，無法求出成為擴展的基準的功率容限，因此把初始的功率條件范圍設(shè)定為作為基準的功率范圍。(測試區(qū)域的確定基于近似法的功率范圍的確定)通過執(zhí)行上述步驟，從而以少的測試次數(shù)確定對于取得最佳解為有效的測試區(qū)域，但是，對于在確定該測試區(qū)域時重要的功率范圍的確定方法，以下進行說明。在本發(fā)明中，想以盡可能少的測試次數(shù)提高發(fā)現(xiàn)最佳解的精度，因此如上所述，把測試條件集中在小于等于閾值的區(qū)域中。根據(jù)該考慮方法，可以從表示對閾值的容限的大小2點的功率值求出測試記錄時使用的功率范圍。這里，如果是該區(qū)域，則對閾值的容限意味著能取得小于等于閾值的特性值的寬度，大小2點的功率值意味著確定該容限的寬度的低功率一側(cè)的值和高功率一側(cè)的值。這里，如果考慮如各種介質(zhì)的測試記錄時間的縮短和只寫一次式(writeonce)介質(zhì)那樣的、在測試記錄區(qū)域中存在限制的介質(zhì)的測試區(qū)域的效率化，則優(yōu)選的是測試記錄所需的記錄點更少，但是這里求出的功率范圍是成為最佳記錄條件的判斷基準的重要的參數(shù)，因此優(yōu)選的是高精度。以高精度求出該功率范圍意味著進一步選擇出的區(qū)域的集中的測試，因此有助于測試次數(shù)的減少。例如當(dāng)在0.1mW以1次的頻率進行測試記錄時，如果功率范圍為1mW，就進行10次的測試記錄，如果是2mW，就進行20次的測試記錄，因此縮小功率范圍有助于測試次數(shù)的減少。因此，在本發(fā)明中，提倡以下的方法，即著眼于記錄再現(xiàn)信號的記錄品質(zhì)對于記錄功率描繪以最佳點為極值的2次曲線的變化，使用數(shù)個記錄點對特性曲線進行近似計算，由此取得要求出的容限量。通過應(yīng)用這樣的近似方法，能用數(shù)個記錄點以高精度容易地求出功率范圍，從而謀求測試次數(shù)的減少。圖15是說明通過曲線近似求出圖3的步驟S122中使用的功率范圍的方法的概念圖。如圖15所示，在進行近似時，首先選擇作為記錄特性判斷基準的抖動值成為閾值附近的低功率一側(cè)的a和高功率一側(cè)的c這2點、以及選擇位于它們之間并且成為比a、c和閾值中的任意值還小的抖動值的b。即這里選擇的a、b、c具有以下的關(guān)系。a＞b、c＞b、閾值＞b這里，上述閾值附近如圖15所示，定義為根據(jù)閾值的、具有某寬度的上限值和下限值之間的區(qū)域，優(yōu)選的是把上限值設(shè)定為閾值的40％，把下限值設(shè)定為閾值的5％。然后，用2次函數(shù)把a、b、c近似，把該2次函數(shù)與閾值相交的大小2點的差作為功率范圍。定義為閾值附近的范圍考慮-5％～+40％、-10％～30％等記錄點的間隔等，并可以適當(dāng)變更。圖16是說明通過曲線近似求出圖3的步驟S122中使用的功率范圍的其他例子的概念圖。如圖16所示，當(dāng)只用A、B、C這3個條件無法取得滿足上述“a＞b、c＞b、閾值＞b”的條件的關(guān)系時，通過追加記錄高功率一側(cè)的D，取得閾值附近的值。如圖16所示，當(dāng)具有B＞C的關(guān)系時，不使用B，用A、C、D這3點計算近似式。這時，記錄點3點與閾值的關(guān)系成為“A＞C、D＞C、閾值＞C”，成為適合于描繪近似曲線的關(guān)系，因此能通過3點近似取得高精度的近似曲線?？梢愿鶕?jù)追加記錄前的記錄點表示的A＞B、B＞C和閾值來確定D所示的追加記錄條件。此外，與圖15相反，當(dāng)在低功率一側(cè)不存在閾值附近的值時，可以用比A更低的功率條件進行追加記錄，也可以根據(jù)記錄點和閾值的關(guān)系，適當(dāng)追加至少1點的記錄條件。此外，追加記錄條件中使用的功率的范圍可以相對于預(yù)定的功率步長具有一定的變化，可以預(yù)先求出對于功率變動的抖動變動的關(guān)系，從該關(guān)系設(shè)定功率條件。即使進行上述記錄條件的追加，也無法取得足以求出功率范圍的記錄點時，就通過與上述同樣的步驟再次進行記錄條件的追加來變更記錄點。此外，在如只寫一次式介質(zhì)那樣測試記錄區(qū)域存在限制的情況下，或為了避免超長的測試時間，可以使上述再次記錄條件的追加次數(shù)具有上限值，可以使其具有追加記錄功率的上限值，以避免由于記錄條件的追加而使記錄功率超過激光輸出值。此外，在上述的例子中，通過3點近似求出功率范圍，但是，也可以選擇最接近閾值的2點，從這2點分別表示的大小2點的功率值的差來確定功率范圍。此外，作為選擇閾值附近的2點的方法，可以變化并記錄功率直到發(fā)現(xiàn)跨閾值的大小2點為止，可以選擇該記錄中最接近閾值的2點，也可以直接選擇這2點。以下就該方法加以詳細的說明。(測試區(qū)域的確定基于采樣的功率范圍的確定)圖17是說明通過采樣求出圖3的步驟S122中使用的功率范圍的的例子的概念圖。在圖17所示的例子中，不是上述的3點近似，而是漸漸使功率變化，直到能取得接近閾值的值為止，以接近閾值的大小2點的功率值為基準，求出功率范圍。即，如圖17所示，從P1到P2、P3…按順序使記錄功率增加，進行記錄再現(xiàn)，并反復(fù)進行記錄再現(xiàn)直到能取得大于等于閾值的功率值P6為止。如果用矩陣表示該處理的圖像，從P1～P6進行功率變化，但是功率范圍變?yōu)樽罱咏撝档牡凸β室粋?cè)的P2和高功率一側(cè)的P6之間。這樣，通過選擇跨閾值的2點，也能確定功率范圍。這里，作為選擇接近閾值的大小2點的方法，能適當(dāng)選擇并使用以下的方式。1)選擇形成功率容限的大小2點的方法，即在滿足再現(xiàn)基準值的功率區(qū)內(nèi)，選擇分別與再現(xiàn)基準值最接近的2點2)選擇稍微超出功率容限，但是最接近再現(xiàn)基準的2點3)在低功率一側(cè)選擇跨再現(xiàn)基準值的2點4)在高功率一側(cè)選擇跨再現(xiàn)基準值的2點5)選擇成為在低功率一側(cè)和高功率一側(cè)跨再現(xiàn)基準值的形式的、分別與再現(xiàn)基準值最接近的2點此外，使用上述各方法選擇的2點對記錄特性進行近似，求出與再現(xiàn)基準值相交的大小2點。(m’T/(n-m)T比率的確定)圖18是表示圖1的(b)所示的步驟S200的確定比率中使用的測試用記錄脈沖的例子的概念圖。圖18的(a)是使用由單一脈沖模式構(gòu)成的單脈沖時的例子，圖18的(b)是使用由多個脈沖模式構(gòu)成的多脈沖時的例子。如圖18所示，單脈沖10-1和多脈沖10-2由配置在記錄脈沖的開始的起始脈沖12、和接著它的后續(xù)脈沖14構(gòu)成，后續(xù)脈沖14具有配置在記錄脈沖的最后面的后端脈沖16。這里，用主功率PW表示的高度規(guī)定記錄脈沖全體的能量，用起始脈沖Ttop表示的長度規(guī)定提供給記錄坑前端的初級能量。最好是該主功率PW為記錄脈沖10-1、10-2中最高的值，起始脈沖的寬度Ttop具有與包含3T長度的最短記錄坑對應(yīng)的寬度。該最短寬度的記錄脈沖出現(xiàn)概率最高，對記錄品質(zhì)的影響大，因此首先通過上述m’T條件確定流程，來確定該起始脈沖12的功率PW和寬度Ttop的最佳條件。接著，通過m’T/(n-m)T比率確定流程，進行后續(xù)脈沖14的條件確定。作為后續(xù)脈沖的條件，在單脈沖10-1時，如圖18的(a)所示，通過設(shè)置比主功率PW低PWD的低功率區(qū)域，并規(guī)定該量，來防止記錄坑成為水滴狀。同樣，在多脈沖10-2時，如圖18的(b)所示，通過規(guī)定位于開始脈沖12和后端脈沖16之間的中間脈沖的寬度Tmp，或規(guī)定Tmp和Tsmp的占空比，來防止記錄坑成為水滴狀。以起始脈沖的條件為基準來進行這些后續(xù)脈沖的條件確定。圖19是表示圖1的(b)所示的步驟S200的比率確定流程的執(zhí)行步驟的流程圖。如圖19所示，圖2所示的驅(qū)動器首先為了設(shè)定策略電路1102執(zhí)行的記錄策略的各種參數(shù)，而對介質(zhì)500進行基于變更(n-m)T的條件的多個記錄模式的測試記錄(步驟S210)。這時mT脈沖的條件預(yù)先固定為由上述m’T條件確定流程所取得的值。然后，再現(xiàn)由該測試記錄形成的記錄模式(步驟S212)，記錄偏移檢測部1112以與預(yù)定時鐘同步的計數(shù)器對作為結(jié)果而從2值化電路1110取得的再現(xiàn)2值化信號進行計數(shù)(步驟S214)，把該再現(xiàn)2值化信號中包含的坑和岸的長度作為計數(shù)數(shù)據(jù)存儲在記錄區(qū)域1115中(步驟S216)。然后，記錄偏移檢測部1112使用記錄區(qū)域1115中存儲的計數(shù)數(shù)據(jù)，生成表示各計數(shù)值的出現(xiàn)頻率的直方圖(步驟S218)，從該直方圖確定成為坑長度和岸長度的判定基準的計數(shù)結(jié)果的閾值(步驟S220)。然后，記錄偏移檢測部1112以上述閾值為基準，從存儲在記錄區(qū)域1115中的計數(shù)數(shù)據(jù)中檢索包含特定的坑和岸模式的多種特定模式(步驟S222)，把該特定模式中包含的認為是同一坑長度的計數(shù)結(jié)果進行平均，并且把認為是同一岸長度的計數(shù)結(jié)果進行平均，求出構(gòu)成特定模式的各坑和各岸的平均長度(步驟S224)。然后，記錄偏移檢測部1112把抽取出的多個特定模式中的一個設(shè)定為抽取模式，把該抽取模式中包含的對象記錄坑的長度與基準長度比較(步驟S226)，檢測坑相對于記錄脈沖的長度偏移量(步驟S228)。然后，運算式導(dǎo)出部1113根據(jù)記錄偏移檢測部1112檢測出的偏移量，導(dǎo)出用于確定最佳策略的運算式，策略確定部1114使用該運算式導(dǎo)出部1113導(dǎo)出的運算式，預(yù)測各種參數(shù)的控制結(jié)果(步驟S230)，根據(jù)該預(yù)測結(jié)果，確定圖18所示的PWD或Tmp，在記錄偏移檢測部1112中對其進行設(shè)定(步驟S232)。圖20是表示從圖19所示的測試記錄到再現(xiàn)數(shù)據(jù)的計數(shù)的動作概念的概念圖。如圖20所示，首先，進行測試記錄后，在光盤上形成圖20的(a)所示的記錄坑。然后，再現(xiàn)該記錄坑后，如圖20的(b)所示，取得與該記錄坑對應(yīng)的再現(xiàn)RF信號。把該再現(xiàn)RF信號2值化后，就取得圖20的(c)所示的再現(xiàn)2值化信號，用圖20的(d)所示的時鐘信號把2值化信號的極性反轉(zhuǎn)間的脈沖長度計數(shù)后，就取得圖20的(e)所示的計數(shù)結(jié)果。圖21是表示圖19所示的計數(shù)結(jié)果的存儲圖像的概念圖。如圖21所示，按時鐘信號計數(shù)的2值化信號，劃分極性反轉(zhuǎn)部，依次按時序把計數(shù)結(jié)果按坑、岸區(qū)別開，并存儲在存儲區(qū)域1115中所設(shè)置的表內(nèi)。以添加了以后能檢索的地址的狀態(tài)存儲圖21所示的表。圖22是表示生成圖19所示的直方圖的圖像的概念圖。如圖22所示，如果把計數(shù)值的出現(xiàn)頻率圖表化，就取得直方圖，如果分別區(qū)別坑和岸來生成直方圖，就能取得圖22的(a)所示的表示坑的計數(shù)傾向的坑直方圖、圖22的(b)所示的表示岸的計數(shù)傾向的岸直方圖這2種。這樣，在光盤中，必然確定各單位長度nT(n＝3、4、5…14)相對于基準時鐘的長度，因此對于各單位長度nT，將取得出現(xiàn)頻率分布的波峰。圖23是表示圖19所示的閾值確定的圖像的概念圖。如圖23所示，直方圖中的各波峰和波峰之間形成的山谷部分能作為各單位長度nT的長度判定閾值來使用，因此對于坑直方圖和岸直方圖，分別設(shè)定成為坑長度的判斷基準的坑長度閾值、成為岸長度的判斷基準的岸長度閾值。圖24是表示通過圖23所示的方法取得的閾值的例子的概念圖。如圖24的(a)所示，按各坑長度的邊界定義坑長度閾值，如圖24的(b)所示，按各岸長度的邊界定義岸長度閾值。在圖24的(a)所示的例子中，成為2T和3T的邊界的閾值為“計數(shù)值＝2”，成為3T和4T的邊界的閾值為“計數(shù)值＝9”，直到設(shè)定至14T和15T的邊界為止。此外，在圖24的(b)所示的例子中，成為2T和3T的邊界的閾值為“計數(shù)值＝2”，成為3T和4T的邊界的閾值為“計數(shù)值＝10”，直到設(shè)定至14T和15T的邊界為止。接著說明從圖19所示的特定模式的檢索(步驟S222)到偏移量的檢測(步驟S228)為止的各步驟的細節(jié)。根據(jù)記錄偏移檢測1112的各種偏移的檢測原理進行這些步驟。圖25是表示用于檢測基于坑平衡的偏移量的記錄模式的一例的圖。這里，坑平衡表示上述起始脈沖和后續(xù)脈沖的脈沖平衡。如圖25所示，當(dāng)檢測到基于坑平衡的偏移量時，使用圖25的(a)所示的記錄脈沖進行測試記錄。該記錄脈沖包含岸LxT、坑PyT、岸LzT連續(xù)的模式，把固定岸LyT的岸長度和固定岸LzT的岸長度固定，使可變坑PxT的坑長度如圖25的(b)到圖25的(f)所示那樣，按3T、4T、…7T變化。雖然未圖示，但是可變岸長度的變化進行到14T為止。這里，如果測量記錄模式的可變長度的坑PyT的長度，則可變長度的坑PyT的長度在理想的記錄狀態(tài)下應(yīng)該分別與理想的坑長度對應(yīng)?？墒?，如果可變長度的坑PyT的長度偏離于理想的規(guī)定長度，則岸LxT和岸LzT的岸長度固定，因此可變長度的坑PyT離規(guī)定長度的偏移量，與記錄時的策略中的按3T、4T…14T的各坑P3T、P4T…P14T的記錄脈沖相對應(yīng)。因此，如果使用某策略進行測試記錄，從基于該記錄脈沖的測試記錄的再現(xiàn)模式，如圖25的(b)～(f)所示，比較可變長度的坑PyT的記錄結(jié)果和各坑的基準長度，檢測各坑長度離理想長度的偏移量，就能檢測各坑的長度偏移量。圖26是表示坑平衡偏移檢測中使用的特定模式檢索用的表結(jié)構(gòu)的概念圖。當(dāng)進行坑平衡偏移的檢測時，以按各特定模式設(shè)定的關(guān)于岸LxT、坑PyT、岸LzT的閾值范圍為基準，檢索圖2的存儲區(qū)域1115內(nèi)存儲的數(shù)據(jù)(相當(dāng)于圖19的步驟S222)，抽取滿足該閾值的數(shù)據(jù)串。然后，分開分別與岸LxT、坑PyT、岸LzT對應(yīng)的計數(shù)結(jié)果，對岸LxT、坑PyT、岸LzT的每一個求出平均值(相當(dāng)于圖19的步驟S224)。如果使用該計數(shù)結(jié)果的平均值進行圖25所示的模式比較，則取得各坑長度中的前側(cè)相位偏移量。圖27是表示通過計數(shù)結(jié)果的絕對比較來檢測長度偏移量時的具體例的概念圖。如圖27所示，當(dāng)通過與理想的基準長度的比較而檢測偏移量時，首先從存儲在存儲區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)組中檢索抽取圖27的(a)所示的特定模式，如圖27的(b)和(c)所示那樣，比較針對成為比較對象的部位的兩者的計數(shù)值。在圖27所示的例子中，坑3T成為比較部位，因此求出特定模式的計數(shù)結(jié)果即圖27的(c)所示的“9”和相當(dāng)于基準長度的計數(shù)結(jié)果、即圖27的(d)所示的“8”的差，取得的差“1”成為3T坑的偏移量。圖28是表示圖19所示的控制量預(yù)測的執(zhí)行例的流程圖。如圖28所示，控制量的預(yù)測是通過執(zhí)行以下一系列的步驟來進行的，即用記錄條件不同的S1和S2等2種以上的條件進行測試記錄(步驟S250)，再現(xiàn)所取得的記錄坑(步驟S252)，通過比較所取得的再現(xiàn)模式，求出與條件S1對應(yīng)的偏移量D1和與條件S2對應(yīng)的偏移量D2(步驟S254)，對S1、S2和D1、D2的關(guān)系進行直線近似(步驟S256)，使用該直線確定最佳校正量(步驟S258)。上述所檢測的偏移量D1和D2根據(jù)策略的各種設(shè)定參數(shù)而變動。而且經(jīng)過分析可知，根據(jù)策略的各種設(shè)定參數(shù)變動的偏移量D1和D2按大致直線變化。即，由上述記錄偏移檢測部1112所檢測的各測試記錄中的偏移量，能夠作為基于最小二乘法近似的直線變化來捕捉。因此，在本實施方式的驅(qū)動器中，例如當(dāng)進行2次測試記錄時，能夠著眼于策略的各種設(shè)定參數(shù)和檢測的偏移量D1和D2的直線關(guān)系來確定最佳的策略。在本發(fā)明中，可以用曲線近似代替直線近似。即，在單脈沖時，PWD成為按記錄條件S1和S2而進行變化的代表參數(shù)，在多脈沖時，Tmp成為按記錄條件S1和S2而進行變化的代表參數(shù)，使這些參數(shù)變化按S1、S2變化，把其影響作為D1、D2來檢測，使用這4點進行直線近似，從而使用該直線取得能消除偏移的校正量。圖29是表示使PWD變化時的記錄條件S1、S2的變化與偏移量D1、D2的關(guān)系的概念圖。這里，圖29的(a)所示的記錄脈沖是使PWD變化S1的量的記錄脈沖S1，圖29的(b)所示的記錄脈沖是使PWD變化S2的量的記錄脈沖S2，使用這2個條件進行測試記錄。其結(jié)果，與圖29的(a)的記錄脈沖對應(yīng)地取得圖29的(a1)所示的模式S1，與圖29的(b)的記錄脈沖對應(yīng)地取得圖29的(b1)所示的模式S2。這里，模式S1與控制量S1對應(yīng)地生成D1的偏移量，模式S2與控制量S2對應(yīng)地生成D2的偏移量。如果知道針對控制量S1和S2的偏移量D1和D2，就能預(yù)測對于哪個參數(shù)使其具有多少的控制量，就產(chǎn)生多少的偏移，因此利用這些關(guān)系來進行控制量的預(yù)測和校正值的確定。圖30是表示利用了關(guān)于單脈沖的形狀的直線近似的長度偏移校正的一例的概念圖。當(dāng)確定針對該長度偏移的校正量PWD時，首先如圖30的(a)所示，當(dāng)將成為基準的脈沖長度作為基準波形nT時，如圖30的(b)所示，以在脈沖的中央缺少PWD的波形進行測試記錄，結(jié)果如圖30的(c)所示，檢測所取得的再現(xiàn)信號的長度偏移Δ。在圖30所示的例子中，按S1＝+0.3和S2＝+0.1這2種進行上述PWD的變化，把所取得的長度偏移Δ作為偏移量D1＝+0.1和D2＝-0.1來取得。而且，使用這些取得的S1、S2、D1、D2，如圖30的(e)所示，用直線對針對控制量PWD的控制結(jié)果Δ的關(guān)系進行近似，利用該直線，把能消除長度偏移的校正量PWD＝+0.2確定為最佳校正值。這時，預(yù)先固定起始脈沖的條件使之不變。這樣，如果求出至少2點的變化點，則可以基于直線或曲線進行策略的變化S1、S2與偏移量的變化D1、D2的關(guān)系的近似，因此使用該直線，能求出偏移量成為零的最佳校正量。具體而言，求出使策略S變化數(shù)點時的偏移量D，把這時的策略S和偏移量D的關(guān)系代入一般式“D＝a×S+b”中，通過解聯(lián)立方程式，求出常數(shù)a、b，最終求出與理想的偏移量D對應(yīng)的策略S，通過在圖1所示的策略電路102中設(shè)定該策略S，進行記錄脈沖的最佳校正。例如，如果通過圖2所示的記錄偏移檢測部1112，從使用某策略S1的測試記錄的再現(xiàn)模式中檢測出的偏移量為D1，從使用其它策略S2的測試記錄的再現(xiàn)模式中檢測處的偏移量為D2，就通過D1＝a×S1+bD2＝a×S2+b計算出a和b，求出使用了該計算出的a和b的函數(shù)，即S＝(D-b)/a，通過在該函數(shù)中代入用于改善記錄品質(zhì)的例如均衡器(egualizer)等中產(chǎn)生的用于校正初始輸出偏移的輸出偏移量D，確定最佳策略S。圖31是表示利用了關(guān)于多脈沖的形狀的直線近似的長度偏移校正的一例的概念圖。當(dāng)確定針對該長度偏移的校正量Tmp時，首先如圖31的(a)所示，當(dāng)將成為基準的脈沖長度作為基準波形nT時，如圖31的(b)所示，用中間脈沖長度為Tmp的波形進行測試記錄，結(jié)果如圖31的(c)所示，檢測所取得的再現(xiàn)信號的長度偏移Δ。這時，預(yù)先固定起始脈沖的條件使之不進行變化。在圖31所示的例子中，按S1＝+0.3和S2＝+0.1這2種進行該Tmp的變化，把所取得的長度偏移量Δ作為偏移量D1＝+0.1和D2＝-0.1來取得。然后使用所取得的這些S1、S2、D1、D2，如圖31的(e)所示，用直線對針對控制量Tmp的控制結(jié)果Δ的關(guān)系進行近似，利用該直線，把能消除長度偏移的校正量Tmp＝+0.2確定為最佳校正值。圖32是表示用于存儲校正量PWD和Tmp的表結(jié)構(gòu)的概念圖。如圖32所示，按成為校正對象的各坑長度定義校正量PWD和Tmp。例如，對于校正對象坑為3T時的校正量PWD，在圖中表示為“PW3”的區(qū)域中存儲校正量，對于校正對象坑為3T時的校正量Tmp，在圖中表示為“Tm3”的區(qū)域中存儲校正量。以下，與3T同樣地存儲4T、5T…14T。圖33是圖1的步驟S300中執(zhí)行的nT脈沖的構(gòu)成概念的概念圖。如圖33的(a)所示，形成5T坑時的記錄數(shù)據(jù)，作為包含具有時鐘信號5周期的長度的nT長度的脈沖信號而被輸出。對該記錄數(shù)據(jù)校正后的脈沖如圖33的(b)和(c)所示，作為以m’T的起始脈沖開始、具有n’T的長度的脈沖信號被輸出，在單脈沖的情況下，在(n-m)T脈沖內(nèi)定義PWD，在多脈沖的情況下，在(n-m)T脈沖內(nèi)定義Tmp。這時，PWD和Tmp是固定起始脈沖的條件而被求出的值，因此成為基于以mT脈沖的條件為基準的最佳m’T/(n-m)T比率的值。結(jié)果，由起始脈沖和后續(xù)脈沖構(gòu)成的nT脈沖成為提高記錄品質(zhì)所希望的值?？墒牵谠摃r刻還未定義相位條件，因此，通過執(zhí)行關(guān)于后面描述的確定相位條件的流程，來取得優(yōu)化的策略。(相位偏移的校正)圖34是表示圖1的(b)所示的步驟S400的相位偏移校正中使用的測試用記錄脈沖的例子的概念圖。圖34的(a)是使用由單一脈沖模式構(gòu)成的單脈沖時的例子，圖34的(b)是使用由多個脈沖模式構(gòu)成的多脈沖時的例子。如圖34中的各圖所示，在單脈沖10-1和多脈沖10-2的任一者的情況下，作為記錄脈沖的相位條件，設(shè)定調(diào)整起始脈沖12的開始位置的Ttopr和調(diào)整后端脈沖16的結(jié)束位置的Tlast。通過調(diào)整這些值，把記錄后的坑長度進一步優(yōu)化。通過進行以上述的流程中確定的起始脈沖的條件和后續(xù)脈沖的條件為基準的測試記錄，來確定這些相位條件。圖35是表示圖1的(b)所示的步驟S400的相位確定條件流程的執(zhí)行步驟的流程圖。如圖35所示，圖2所示的驅(qū)動器首先對介質(zhì)500進行基于多個記錄模式的測試記錄(步驟S410)，所述多個記錄模式變更了由mT脈沖和(n-m)T脈沖構(gòu)成的nT脈沖的相位條件。這時，mT脈沖的條件和(n-m)T脈沖的條件預(yù)先固定為上述流程中取得的值。然后，再現(xiàn)由該測試記錄形成的記錄模式(步驟S412)，記錄偏移檢測部1112用與預(yù)定時鐘同步的計數(shù)器，對作為結(jié)果而從2值化電路1110取得的再現(xiàn)2值化信號進行計數(shù)(步驟S414)，把該再現(xiàn)2值化信號中包含的坑和岸的長度作為計數(shù)數(shù)據(jù)存儲到記錄區(qū)域1115中(步驟S416)。然后，記錄偏移檢測部1112使用記錄區(qū)域1115中存儲的計數(shù)數(shù)據(jù)，生成表示各計數(shù)數(shù)值的出現(xiàn)頻率的直方圖(步驟S418)，從該直方圖確定成為坑長度和岸長度的判定基準的計數(shù)結(jié)果的閾值(步驟S420)。然后記錄偏移檢測部1112根據(jù)上述閾值，從記錄區(qū)域1115所存儲的計數(shù)數(shù)據(jù)中檢索包含特定的坑或岸模式的多種特定模式(步驟S422)，對該特定模式中包含的、認為是相同坑長度的計數(shù)結(jié)果進行平均，并且對認為是相同岸長度的計數(shù)結(jié)果進行平均，求出構(gòu)成特定模式的各坑和各岸的平均長度(步驟S424)。然后，記錄偏移檢測部1112把所抽取的多個特定模式中的一個設(shè)定為基準模式，把該基準模式與其他模式比較(步驟S426)，分別獨立地檢測以下的偏移量(步驟S428)1)相對于記錄脈沖的坑的前側(cè)相位偏移量2)相對于記錄脈沖的坑的后側(cè)相位偏移量3)熱干涉所引起的來自記錄脈沖的坑偏移量然后，運算式導(dǎo)出部1113根據(jù)記錄偏移檢測部1112檢測的偏移量，導(dǎo)出用于確定最佳策略的運算式，策略確定部1114使用運算式導(dǎo)出部1113導(dǎo)出的運算式，預(yù)測各種參數(shù)的控制結(jié)果(步驟S430)，根據(jù)該預(yù)測結(jié)果，確定圖34所示的Ttopr和Tlast，將其設(shè)定在策略電路1102中(步驟S432)。與上述圖20～圖24所示的方法同樣地進行步驟S410的測試記錄到步驟S424的平均化的步驟，因此這里省略詳細的說明。圖36是表示用于檢測各坑長度的前側(cè)相位偏移量的記錄模式和再現(xiàn)模式的一例的概念圖。如圖36所示，當(dāng)檢測各坑長度的前側(cè)相位偏移量時，使用圖36的(a)所示的記錄脈沖進行測試記錄。該記錄脈沖包括固定坑PxT、固定岸LyT、可變坑PzT相連續(xù)的模式，把固定坑PxT的坑長度和固定岸LyT的岸長度固定，使可變坑PzT的坑長度如圖36的(b)到圖36的(f)所示那樣，按3T、4T、…7T變化。雖然未圖示，但是可變岸長度的變化一直進行到14T為止。這里，如果測量該記錄模式的固定岸LyT的長度，則該固定岸LyT的長度在理想的記錄狀態(tài)下，應(yīng)該成為恒定。可是，如果該固定岸LyT的長度偏離于理想的規(guī)定長度，則坑PxT的坑長度固定，因此該固定岸LyT長度的理想規(guī)定長度的偏移量，與相對于記錄時的策略的3T、4T、…14T的各坑P3T、P4T、…P14T的記錄脈沖的前側(cè)相位偏移量對應(yīng)。因此，把可變坑PzT為3T的圖36的(b)的模式設(shè)定為基準模式，把圖36的剩下的(c)～(f)的模式設(shè)定為比較模式，如果將這些比較模式的固定岸LyT的長度和基準模式的固定岸LyT的長度進行比較，則如圖36中的各圖所示，取得相對于基準模式的前側(cè)相位偏移量FPS4T～FPS7T。這里，各偏移量FPS3T～FPS7T能作為以某部位為基準的相對值檢測，因此基準模式的前側(cè)相位偏移量FPS3T可以定義為零，此外可以作為離理想長度的偏移量檢測。此外，可以代替圖36的(b)的模式，把圖36的(c)～(f)所示的模式的任意一個設(shè)定為基準模式。圖37是表示用于檢測各坑長度的后側(cè)相位偏移量的記錄模式和再現(xiàn)模式的一例的概念圖。如圖37所示，當(dāng)檢測各坑長度的后側(cè)相位偏移量時，使用圖37的(a)所示的記錄脈沖進行測試記錄。該記錄脈沖包含可變坑PxT、固定岸LyT、固定坑PzT相連續(xù)的模式，把固定岸LyT的岸長度和固定坑PzT的坑長度固定，使可變坑PxT的坑長度如圖37的(b)到圖37的(f)所示那樣，按3T、4T、…7T變化。雖然未圖示，但是可變坑長度的變化一直進行到14T為止。這里，如果測量記錄模式的固定岸LyT的長度，則該固定岸LyT的長度在理想的記錄狀態(tài)下，應(yīng)該成為恒定?？墒?，如果該固定岸LyT的長度偏離于理想的規(guī)定長度，則坑PzT的坑長度固定，因此該固定岸LyT長度的理想規(guī)定長度的偏移量與相對于記錄時的策略的3T、4T、…14T的各坑P3T、P4T、…P14T的記錄脈沖的后側(cè)相位偏移量對應(yīng)。因此，把可變坑PxT為3T的圖37的(b)的模式設(shè)定為基準模式，把圖37的剩下的(c)～(f)的模式設(shè)定為比較模式，如果將這些比較模式的固定岸LyT的長度和基準模式的固定岸LyT的長度進行比較，則如圖37中的各圖所示，取得相對于基準模式的后側(cè)相位偏移量RPS4T～RPS7T。這里，各偏移量RPS3T～RPS7T能作為以某部位為基準的相對值檢測，因此基準模式的后側(cè)相位偏移量RPS3T可以定義為零，此外可以作為距離理想長度的偏移量來檢測。此外，可以代替圖37的(b)的模式，把圖37的(c)～(f)所示的模式的任意一個設(shè)定為基準模式。圖38是表示用于檢測熱干涉引起的坑偏移量的記錄模式一例的圖。如圖38所示，當(dāng)檢測到熱干涉引起的坑偏移量時，使用圖38的(a)所示的記錄脈沖進行測試記錄。該記錄脈沖包含岸LxT、坑PyT、岸LzT相連續(xù)的模式，把固定坑PxT的坑長度和固定岸LzT的岸長度固定，使可變岸LxT的岸長度如圖38的(b)～圖38的(f)所示那樣，按3T、4T、…7T變化。雖然未圖示，但是可變岸長度的變化一直進行到14T為止。這里，如果測量記錄模式的固定坑PyT的長度，則該固定長度的坑PyT的長度在理想的記錄狀態(tài)下應(yīng)該成為恒定?？墒牵绻摴潭覲yT的長度偏離于理想的規(guī)定長度，則岸LzT的岸長度固定，因此該固定坑LyT長度的理想規(guī)定長度的偏移量與可變岸LxT之前形成的坑的熱干涉引起的偏移量對應(yīng)。因此，把可變岸LxT為3T的圖38的(b)的模式設(shè)定為基準模式，把圖38的剩下的(c)～(f)的模式設(shè)定為比較模式，如果將這些比較模式的固定坑PyT的長度和基準模式的固定坑PyT的長度進行比較，則如圖38中的各圖所示，取得相對于基準模式的前側(cè)相位偏移量HID3T～HID7T。這里，各偏移量HID3T～HID7T能作為以某部位為基準的相對值來檢測，因此基準模式的前側(cè)相位偏移量HID3T可以定義為零，此外可以作為距離理想長度的偏移量來進行檢測。此外，可以代替圖38的(b)的模式，把圖38的(c)～(f)所示的模式的任意一個設(shè)定為基準模式。圖39是表示坑前相位偏移檢測和坑后相位偏移檢測中使用的特定模式檢測用的表結(jié)構(gòu)的概念圖。當(dāng)進行坑前相位的檢測時，以對各特定模式設(shè)定的關(guān)于坑PxT、岸LyT、坑PzT的圖39的(a)所示的閾值范圍為基準，檢索圖2的存儲區(qū)域1115中存儲的數(shù)據(jù)(相當(dāng)于圖35的步驟S422)，抽取滿足該閾值的數(shù)據(jù)串。然后，把相當(dāng)于坑PxT、岸LyT、坑PzT的計數(shù)結(jié)果分開，對坑PxT、岸LyT、坑PzT的每一個求出平均值(相當(dāng)于圖35的步驟S424)。如果使用計數(shù)結(jié)果的平均值，進行上述的模式比較，就能取得各坑長度的前側(cè)相位偏移量。圖39的(b)是進行坑后相位偏移的檢測時的閾值例，但是考慮方法和動作與進行坑前相位偏移的檢測的情況是同樣的。圖40是表示坑干涉偏移檢測中使用的特定模式檢測用的表結(jié)構(gòu)的概念圖。如圖40所示，以與使用圖39說明的坑前相位偏移和坑后相位偏移同樣的方法進行坑干涉偏移的檢測。圖41是表示通過計數(shù)結(jié)果的相對比較來檢測偏移量時的具體例的概念圖。圖41是檢測坑前相位偏移時的例子，但是檢測其他偏移量時，也用同樣的方法進行。當(dāng)檢測偏移量時，首先從存儲在存儲區(qū)域的數(shù)據(jù)組中檢索抽取圖41的(a)和(b)所示的基準模式和比較模式，如圖41的(c)和(d)所示，比較針對原本應(yīng)該是固定長度的部位的計數(shù)值。在圖41所示的例子中，岸LyT成為比較部位，因此求出基準模式的計數(shù)結(jié)果即圖41的(c)所示的“12”，與比較模式的計數(shù)結(jié)果即圖41的(d)所示的“11”的差，取得的差“1”成為偏移量FPS4T的值。圖42是表示基于圖35所示的控制量的預(yù)測的確定Ttopr、Tlast的執(zhí)行例的流程圖。如圖42所示，通過執(zhí)行以下一系列的步驟，進行控制量的預(yù)測，即用記錄條件不同的S1和S2等2種以上的條件進行測試記錄(步驟S450)，對所取得的記錄坑進行再現(xiàn)(步驟S452)，通過比較所取得的再現(xiàn)模式，求出與條件S1對應(yīng)的偏移量D1和與條件S2對應(yīng)的偏移量D2(步驟S454)，把S1、S2和D1、D2的關(guān)系用直線近似(步驟S456)，使用該直線確定最佳Ttopr和Tlast(步驟S458)，。圖43是表示記錄條件S1、S2的變化和與偏移量D1、D2的關(guān)系的概念圖。如果圖43的(a)所示的記錄脈沖為“PzT＝3T”的基準脈沖，則成為比較對象“PzT＝4T”的記錄脈沖以下述條件進行測試記錄，即使PzT的前端變化S1的圖43的(b)的記錄脈沖S1、和使PzT的前端變化S2的圖43的(c)的記錄脈沖S2這2個條件。結(jié)果，與圖43的(a)的記錄脈沖對應(yīng)，取得圖43的(a1)所示的基準模式，與圖43的(b)的記錄脈沖對應(yīng)，取得圖43的(b1)所示的比較模式S1，與圖43的(c)的記錄脈沖對應(yīng)，取得圖43的(c1)所示的比較模式S2。這里，比較模式S1與控制量S1對應(yīng)，產(chǎn)生D1的偏移量，比較模式S2與控制量S2對應(yīng)，產(chǎn)生D2的偏移量。如果知道針對控制量S1和S2的偏移量D1和D2，就能預(yù)測對于某個參數(shù)使其具有多少的控制量，就產(chǎn)生多少的偏移，因此，利用這些關(guān)系進行控制量的預(yù)測和校正值的確定。圖44是表示利用直線近似的前側(cè)相位偏移校正的一例的概念圖。當(dāng)確定針對前側(cè)相位偏移的校正量Ttop時，首先如圖44的(a)所示，當(dāng)成為基準的脈沖位置為基準相位時，如圖44的(b)所示，以脈沖的位置偏移了Ttop的波形進行測試記錄(相當(dāng)于記錄條件S1、S2)，結(jié)果如圖44的(c)所示，檢測所取得的再現(xiàn)信號的相位偏移Δtop(相當(dāng)于偏移量D1、D2)。在圖44所示的例子中，按S1＝+0.1和S2＝+0.3這2種進行該Ttop的變化，把所取得的檢測相位Δtop作為偏移量D1＝-0.1和D2＝+0.1來取得。然后，使用取得的S1、S2、D1、D2，如圖44的(e)所示，以直線對針對控制量Ttop的控制結(jié)果Δtop的關(guān)系進行近似，利用該直線把能消除相位偏移的校正相位Ttop＝+0.2確定為最佳校正值。這樣，如果使變化點為至少2點來求出策略的變化S1、S2與偏移量的變化D1、D2的關(guān)系，則可以進行基于直線或曲線的近似，因此能夠使用該直線求出偏移量變?yōu)榱愕淖罴研Ｕ?。具體而言，求出使策略S在數(shù)點變化時的偏移量D，把這時的策略S和偏移量D的關(guān)系代入一般式“D＝a×S+b”中，通過解聯(lián)立方程式，求出常數(shù)a、b，最終求出與理想的偏移量D對應(yīng)的策略S，通過在圖1所示的策略電路1102中設(shè)定該策略S，進行記錄脈沖的最佳校正。例如，如果通過圖1所示的記錄偏移檢測部1112，從使用某策略S1的測試記錄的再現(xiàn)模式中檢測出的偏移量為D1，從使用其它策略S2的測試記錄的再現(xiàn)模式中檢測的偏移量為D2，就通過D1＝a×S1+bD2＝a×S2+b計算出a和b，求出使用了該計算出的a和b的函數(shù)S＝(D-b)/a，通過在該函數(shù)中代入用于改善記錄品質(zhì)的例如均衡器中產(chǎn)生的用于校正初始輸出偏移等的輸出偏移量D，從而確定最佳策略S。能與3T、4T、…14T的各坑P3T、P4T、…P14T對應(yīng)地求出取得該最佳策略S的函數(shù)。此外，能與記錄速度對應(yīng)地分別求出取得最佳策略S的函數(shù)。圖45是表示利用了直線近似的后側(cè)相位偏移校正的一例的概念圖。確定對于后側(cè)相位偏移的校正量Tlast時，首先如圖45的(a)所示，成為基準的脈沖位置為基準相位時，如圖45的(b)所示，以脈沖位置偏移Tlast的波形進行測試記錄，結(jié)果如圖45的(c)所示，檢測所取得的再現(xiàn)信號的相位偏移Δl(wèi)ast。在圖45所示的例子中，按S1＝-0.1和S2＝-0.3這2種進行Tlast的變化，把所取得的檢測相位Δl(wèi)ast作為偏移量D1＝+0.1和D2＝-0.1來取得。然后，使用取得的S1、S2、D1、D2，如圖45的(e)所示，以直線對針對控制量Tlast的控制結(jié)果Δl(wèi)ast的關(guān)系進行近似，利用該直線把能消除相位偏移的校正相位Tlast＝-0.2確定為最佳校正值。圖46是表示用于存儲校正量Ttop和Tlast的表構(gòu)造的概念圖。如圖46的(a)所示，對成為校正對象的各坑長度，用與該各坑的前側(cè)岸長度的組合定義校正量Ttop。例如在校正對象坑為3T、該坑的前側(cè)岸為3T時，在圖中表示為“3-3”的區(qū)域中存儲校正量，在校正對象坑為4T、該坑的前側(cè)岸為3T時，在圖中表示為“3-4”的區(qū)域中存儲校正量。以下，與3T和4T同樣地存儲5T…14T。此外，如圖46的(b)所示，對成為校正對象的各坑長度，用與該各坑的后側(cè)岸長度的組合定義校正量Tlast。例如，校正對象坑為3T，當(dāng)該坑的后側(cè)岸為3T時，在圖中表示為“3-3”的區(qū)域中存儲校正量，校正對象坑為4T，該坑的后側(cè)岸為3T時，在圖中表示為“3-4”的區(qū)域中存儲校正量。以下，與3T和4T同樣地存儲5T…14T。圖47是表示校正后的單脈沖的例子的概念圖。如圖47中的各圖所示，當(dāng)在光盤上記錄圖47的(a)所示的記錄數(shù)據(jù)時，設(shè)定按各坑長度應(yīng)用最佳校正值的策略。例如當(dāng)記錄3T坑時，如圖47的(b)所示，根據(jù)比圖46所示的表更前側(cè)的岸長度，讀出3T坑的前端校正值Ttop，并且根據(jù)后側(cè)岸長度，讀出3T坑的后端校正值Tlast，用該Ttop和Tlast校正記錄脈沖的前端和后端。此外，當(dāng)校正大于或等于4T坑時，如圖47的(c)～(f)所示，除了Ttop和Tlast，從圖32的表中讀出該坑長度的PWD校正值，進行與該PWD的值相應(yīng)的脈沖形狀的校正。圖48是表示校正后的多脈沖的例子的概念圖。如圖48中的各圖所示，在多脈沖的情況下，取代上述圖47所示的單脈沖的PWD校正值，而從圖32的表中讀出Tmp校正值，進行與該Tmp的值相應(yīng)的脈沖形狀的校正。其他的與單脈沖的情況相同。在以上說明的實施方式中，通過在求出最佳策略S的函數(shù)中代入偏移量D，確定最佳策略S，但是也可以取代此而準備從上述函數(shù)求出的校正表，根據(jù)該校正表來確定最佳策略S。此外，也可以是在每次變更光盤的種類時，或每次變更記錄速度時，進行上述最佳策略的設(shè)定處理，也可以是與光盤的種類以及記錄速度對應(yīng)地，把由上述最佳策略的設(shè)定處理確定的最佳策略的條件存儲在存儲器中，當(dāng)再次以同一種類的光盤進行記錄時，或以同一記錄速度進行記錄時，讀出該存儲器中存儲的最佳策略進行使用。圖49是表示本發(fā)明的驅(qū)動器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的框圖。如圖49所示，該驅(qū)動器100，使用由激光二極管110輸出的激光，對光盤500進行信息的記錄和再現(xiàn)，與個人計算機600等外部裝置之間進行數(shù)據(jù)的收發(fā)。在對光盤500進行信息的記錄時，經(jīng)由接口電路218從個人計算機600所接收的記錄數(shù)據(jù)，由EFM編碼/解碼器216進行編碼，通過用CPU212對該已編碼的記錄數(shù)據(jù)進行處理，從而確定成為對于該光盤500的記錄條件的策略，由脈沖發(fā)生器300將該策略轉(zhuǎn)換成記錄脈沖，將該記錄脈沖輸出到LD驅(qū)動器124。LD驅(qū)動器124根據(jù)所輸入的記錄脈沖驅(qū)動激光二極管110，激光二極管110應(yīng)對于該記錄脈沖，控制輸出激光，將該被控制的激光經(jīng)由準直透鏡112、衍射光柵114、半透明反射鏡116、物鏡118，照射到以恒定的線速度或者恒定的角速度進行轉(zhuǎn)動的光盤500上，由此在光盤500上記錄由與所希望的記錄數(shù)據(jù)對應(yīng)的坑、間隔串構(gòu)成的記錄模式。另一方面，在對光盤500上所記錄的信息進行再現(xiàn)時，再現(xiàn)激光從激光二極管110經(jīng)由準直透鏡112、衍射光柵114、半透明反射鏡116、物鏡118，照射到光盤500。此時，再現(xiàn)激光使用比記錄時的激光強度低的激光，來自光盤500的基于該再現(xiàn)激光的反射光，經(jīng)由物鏡118、半透明反射鏡116、受光鏡120，由檢波器122受光，轉(zhuǎn)換成電信號。由檢波器122輸出的電信號，與具有記錄在光盤500上的坑、間隔的記錄模式對應(yīng)，該電信號通過雙向限幅器(slicer)210被二值化，進而由EFM編碼/解碼器216解碼后作為再現(xiàn)信號輸出。圖50是表示被裝入圖49所示的驅(qū)動器內(nèi)的光拾取器部的結(jié)構(gòu)的分解斜視圖。如圖50所示，設(shè)置于激光二極管110與光盤500的盤面之間的衍射光柵，由2張衍射光柵114-1、114-2構(gòu)成，在各衍射光柵上，分別形成有方向不同的溝115-1、115-2。在激光20入射這樣構(gòu)成的衍射光柵時，由第1衍射光柵115-1分支成3道激光，進而，再由第2衍射光柵115-2分支成3道激光，在光盤的盤面上照射出5個點20A～20E。圖51是表示照射在光盤的盤面上的點的配置的平面圖。如圖51所示，在光盤500的盤面上，照射有記錄用主光束20A、跟蹤用前副光束20B、跟蹤用后副光束20C、再現(xiàn)用前副光束20D、再現(xiàn)用后副光束20E。這里，記錄用主光束20A，照射在形成于光盤500上的溝槽502-2上，通過該射束點的照射，在溝槽502-2內(nèi)形成坑506。該記錄用主光束20A，為了能夠形成基于熱模式的坑，設(shè)定為最高的發(fā)光強度。跟蹤用前副光束20B，照射在與被主光束20A所照射的溝槽502-2鄰接的岸504-3上，跟蹤用后副光束20C，照射在與被主光束20A所照射的溝槽502-2鄰接的岸、與被副光束20B所照射的溝槽處于相反側(cè)的岸504-2上。再現(xiàn)用前副光束20D，照射在與主光束20A所照射的溝槽相同的溝槽502-2上的、比主光束20A靠前的位置上，再現(xiàn)用后副光束20E，照射在與被主光束20A所照射的溝槽相同的溝槽502-2上的、比主光束20A靠后的位置上。這樣配置各點，從而能夠以再現(xiàn)用后副光束20E，檢測由主光束20A所形成的記錄模式，即由坑506和間隔508的組合所構(gòu)成的記錄模式。圖52是表示照射在光盤的盤面上的點與檢波器的關(guān)系的概念圖。如圖52所示那樣，圖49所示的檢波器122，由122A～122E這5個受光部構(gòu)成，與點20A～20E對應(yīng)的反射光22A～22E分別照射到各受光部，被轉(zhuǎn)換成電信號。圖53是表示記錄脈沖的形狀與恒定區(qū)域的關(guān)系的概念圖。如圖53中的各圖所示那樣，由圖49所示的LD驅(qū)動124輸出的記錄脈沖，有各種各樣的形狀，分別具有表示記錄脈沖的接通狀態(tài)的高輸出區(qū)域50、表示斷開狀態(tài)的低輸出區(qū)域52、以及為接通狀態(tài)而調(diào)制少的恒定輸出區(qū)域54。更具體地說，圖53的(a)，為在接通的狀態(tài)下構(gòu)成恒定的輸出的記錄脈沖，圖53的(b)，為在最前部與后續(xù)部強度各不相同的記錄脈沖，圖53的(c)，為在最前部、中間部與后續(xù)部強度各不相同的記錄脈沖，圖53的(d)，為在最前部形成了恒定輸出部之后，在后續(xù)部使輸出發(fā)生數(shù)次變化的記錄脈沖。本發(fā)明由于意圖在記錄脈沖變?yōu)榻油ǖ臓顟B(tài)下，取入再現(xiàn)信號，因此希望應(yīng)對于高輸出區(qū)域50而生成后述的門信號，但更希望應(yīng)對于不易受調(diào)制影響的恒定輸出區(qū)域54而進行生成。該恒定輸出區(qū)域54為了方便而定義為高輸出區(qū)域50中的最恒定的狀態(tài)的長的區(qū)間，但是，即使是比恒定狀態(tài)最長的區(qū)間短的恒定區(qū)域，也可以作為恒定輸出區(qū)域來使用。在以后的說明中，以圖53的(c)中被稱為城堡(castle)型的脈沖形狀為例進行說明，但本發(fā)明也可以適用于其他的記錄脈沖。例如，也可以設(shè)定為以下這樣的結(jié)構(gòu)在適用于圖53所示那樣的相變模式的光盤所使用的記錄功率時，通過高輸出和低輸出的反復(fù)，應(yīng)對在記錄脈沖中的相當(dāng)于消除功率的恒定輸出區(qū)域54而生成門信號，向該恒定輸出區(qū)域54取入以副光束再現(xiàn)的信號。其中，所述記錄脈沖具有相變材料驟冷后變成非晶(amorphous)狀態(tài)的高輸出區(qū)域50、輸出用于以主光束進行伺服控制的程度的0.7～1mW左右的功率的低輸出區(qū)域52、以及緩慢冷卻后變成結(jié)晶狀態(tài)的恒定輸出區(qū)域54。圖54是表示圖49所示的脈沖發(fā)生器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的電路框圖。如圖54所示，在本脈沖發(fā)生器300中，由脈沖單元生成電路310-1、310-2分別接收從圖49的CPU212送出的策略條件SD1、SD2，生成已與時鐘信號CLK同步的脈沖信號PW1、PW2。這里，策略條件SD1、SD2，是將脈沖的接通期間和斷開期間的長度，作為以時鐘數(shù)所表示的數(shù)值數(shù)據(jù)來定義，接受了這些信號數(shù)據(jù)的脈沖單元生成電路310-1、310-2，使用在驅(qū)動內(nèi)所生成的時鐘信號CLK，生成策略條件SD1、SD2所表示的條件的脈沖信號。這些脈沖信號PW1、PW2，被輸出到圖49的LD驅(qū)動器124，并且用邏輯乘(AND)運算器316取脈沖信號PW1的反相信號與脈沖信號PW2的邏輯積，作為門信號Gate輸出到圖49的屏蔽電路400。脈沖信號PW1的反相信號，通過反相電路314生成。圖55是表示圖54所示的門信號的生成概念的時序圖。如圖55中的各圖所示，與記錄脈沖的恒定輸出區(qū)域?qū)?yīng)的門信號，使用構(gòu)成記錄脈沖的構(gòu)成要素的脈沖信號PW1、PW2而生成。即，如圖55的(b)和(c)所示，脈沖信號PW1、PW2，與圖55的(a)的時鐘信號CLK同步生成，由該脈沖信號PW1生成圖55的(d)所示的反相信號。然后，如圖55中的各圖所示那樣定義圖55的(c)的脈沖信號PW2與圖55的(d)所示的反相信號之間的電平，并取邏輯積，就能取得圖55的(e)所示的門信號。其結(jié)果是，這樣所取得的門信號，將與記錄脈沖的恒定輸出區(qū)域相對應(yīng)。圖56是表示圖49所示的LD驅(qū)動器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的電路圖。如圖56所示，LD驅(qū)動器124，具有使用了電阻R1、R2的分壓電路，和合成這些輸出電壓的合成器126，來自脈沖發(fā)生器300的脈沖信號PW1、PW2，經(jīng)由電阻R1、R2，被放大至預(yù)定的輸出電平后，由合成器126合成邏輯和，生成記錄脈沖PWR，輸出到圖49的激光二極管110。圖57是表示圖49所示的屏蔽電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的電路框圖。如圖57所示那樣，屏蔽電路400，由2個邏輯乘運算器410-1、410-2構(gòu)成，由圖49的脈沖發(fā)生器300生成的門信號Gate，和圖49的CPU212生成的標志信號Flag輸入初級的邏輯乘運算器410-1，取了由圖49的脈沖發(fā)生器300生成的門信號Gate，和圖49的CPU212生成的標志信號Flag的邏輯積的門信號Gate′，被輸出到后級的邏輯乘運算器410-2。邏輯乘運算器410-2，使用該門信號Gate′，對由圖52的檢波器122E輸出的再現(xiàn)用后副光束20E再現(xiàn)的RF信號RF-Sub進行屏蔽，抽取與門信號Gate′對應(yīng)的部分的RF信號RF-Sub′，輸出到圖49的雙向限幅器210。其結(jié)果，由于是有選擇地抽取在記錄脈沖的恒定輸出區(qū)域再現(xiàn)的RF信號RF-Sub′，因此能進行高精度的坑的檢測。然后，根據(jù)該被檢測的坑的長度和相位信息，圖49的CPU212算出策略的校正條件，對輸出到脈沖發(fā)生器300的策略條件進行校正。其結(jié)果是能在數(shù)據(jù)的記錄中進行記錄條件得到了校正的實時校正。圖58是表示記錄脈沖與門脈沖以及再現(xiàn)信號之間的關(guān)系的時序圖。如圖58的(a)所示那樣，記錄脈沖PWR，與預(yù)定的數(shù)據(jù)模式對應(yīng)地構(gòu)成接通/斷開進行變化的脈沖模式。這里，在假設(shè)將具有最長的無調(diào)制區(qū)域的坑14T的恒定輸出區(qū)域54作為門信號使用的情況時，由圖49的脈沖電路300生成的門信號Gate，被以圖58的(b)所示的定時輸出；由圖49的CPU212生成的標志信號Flag，被以圖58的(c)所示的定時輸出；在圖57的屏蔽電路400內(nèi)所生成的門信號Gate′，被以圖58的(d)所示的定時輸出，使用該門信號Gate′，抽取了圖58的(e)的RF-Sub信號的結(jié)果，形成圖58的(f)的RF-Sub′信號。這樣，由于最終抽取出的再現(xiàn)信號RF-Sub′，為在記錄脈沖PWR的恒定輸出區(qū)域54中再現(xiàn)的信號，因此可以通過使用該信號進行高精度的坑的檢測，進而可以對策略進行準確的校正。圖59是表示圖49所示的CPU執(zhí)行的標志信號的生成方法的概念圖。圖59所示的例子，為有選擇地檢測在坑14T的恒定輸出區(qū)域內(nèi)存在的間隔4T的情況的例子。如圖59所示，CPU212將與記錄脈沖的數(shù)據(jù)長對應(yīng)的數(shù)值依次存儲到存儲器214中，確定在坑14T(在圖59中，表示為“P14”)的恒定輸出區(qū)域內(nèi)存在間隔4T(在圖59中，表示為“L4”)的數(shù)據(jù)，對該確定的坑14T的數(shù)據(jù)建立標志。這里，在將記錄用的主光束與再現(xiàn)用的副光束的時間差定義為τ時，CPU212以時鐘數(shù)對時間差τ進行換算，將存在于從坑14T到間隔4T之間的數(shù)據(jù)長與時間差τ進行比較。其結(jié)果是，在從坑14T離開時間差τ的區(qū)域，并且在相當(dāng)于該坑14T的恒定輸出區(qū)域的范圍內(nèi)存在間隔4T的數(shù)據(jù)，就對該坑14T建立標志，以圖58所示的定時輸出標志信號Flag。圖60是表示記錄用的主光束與再現(xiàn)用的副光束之間的關(guān)系的時序圖。如圖60的(a)所示那樣，記錄用主光束的輸出，為形成坑所需要的高輸出的脈沖模式，通過該脈沖照射在光盤上所形成的坑模式，形成如圖60的(b)所示那樣。另一方面，如圖60的(c)所示那樣，再現(xiàn)用副光束的輸出，為與記錄用主光束的輸出模式相同的定時，形成輸出比記錄用主光束縮小了分支比率那部分的脈沖模式，通過該再現(xiàn)用副光束再現(xiàn)的坑模式，如圖60的(d)所示那樣，形成由記錄中的坑延遲了時間差τ的模式。因此，在檢測坑14T的記錄中再現(xiàn)的間隔4T時，如圖60的(e)所示那樣，變成只需確定使記錄脈沖的模式延遲了時間差τ的脈沖的間隔4T，與記錄脈沖的坑14T的恒定輸出區(qū)域這兩者重疊的位置即可。即，在記錄脈沖中由長的坑的恒定輸出區(qū)域生成第1門信號，并且在使記錄脈沖延遲了時間差τ的脈沖模式中，由相當(dāng)于作為檢測對象的短的坑或者間隔的脈沖生成第2門信號，使用這些第1門信號和第2門信號，對由再現(xiàn)用副光束所取得的RF信號進行屏蔽的結(jié)構(gòu)將變得有用。圖61是表示記錄脈沖與使該記錄脈沖延遲的脈沖以及RF信號之間的關(guān)系的時序圖。如圖61的各圖所示，只需生成使記錄脈沖PWR延遲了時間τ的脈沖PWR′，在記錄脈沖PWR的坑14T的恒定輸出區(qū)域內(nèi)，將包含延遲脈沖PWR′的間隔4T的部分設(shè)定為門信號Gate′，就可以在長的坑的記錄中有選擇地檢測短的坑或者間隔，其結(jié)果是能夠準確地檢測坑的長度偏差和相位偏差。圖62是表示了在長的坑的記錄中檢測短的坑或者間隔的方法的例子的框圖。圖62為通過圖49的EFM編碼/解碼器216，在主光束記錄14T坑的期間，檢測存在于副光束下的4T間隔的情況的結(jié)構(gòu)例。在這樣構(gòu)成時，EFM編碼/解碼器216，如該圖62所示，將由圖49的雙向限幅器210輸入的8位2值化信號，臨時存儲到緩沖器250-1中，將由該緩沖器輸出的8位數(shù)據(jù)按照轉(zhuǎn)換表252轉(zhuǎn)換成16位的數(shù)據(jù)，輸出到緩沖器250-2。此時，基于延遲器254的時間T的延遲操作，為每轉(zhuǎn)換一次就執(zhí)行一次。存儲到緩沖器250-2中的數(shù)據(jù)，被輸出到計數(shù)器256，作為表示脈沖長nT(n＝3～14)的數(shù)據(jù)，經(jīng)過圖49所示的CPU212，輸出到脈沖發(fā)生器300，生成相符的記錄脈沖。圖63是表示圖62所示的計數(shù)器256與圖49的脈沖發(fā)生器300之間的關(guān)系的框圖。如圖63所示，計數(shù)器256具有14T解碼器258，從自緩沖器250-2向脈沖發(fā)生器300流動的數(shù)據(jù)流中，確定相當(dāng)于14T坑的位串；和4T解碼器259，確定相當(dāng)于4T間隔的位串。圖64是表示圖62所示的緩沖器250-2存儲位串時的例子的概念圖。如圖64的(c)所示，在緩沖器250-2中，存儲有以與圖64的(a)所示時鐘信號同步的形式表示坑或者間隔的長度的數(shù)據(jù)。例如，3T的長度，以“100”表現(xiàn)；4T的長度，以“1000”表現(xiàn)；5T的長度，以“10000”表現(xiàn)；14T的長度，以“10000000000000”表現(xiàn)。因此，在輸入如圖64的(b)所示的脈沖時，存儲到緩沖器250-2中的位串，如圖64的(c)所示，相當(dāng)于4T間隔的部分為“10000”，相當(dāng)于14T坑的部分為“10000000000000”，各自的脈沖寬度通過以位數(shù)表現(xiàn)的格式而存儲。這里，在記錄用的主光束與再現(xiàn)用的副光束的間隔相當(dāng)于300位時，如圖64的(c)所示那樣，從存儲在緩沖器250-2中的位串中，確定當(dāng)前記錄中的14T坑的位置，判斷在從該14T坑離開300位的位置上是否存在4T間隔的位串。其結(jié)果是，當(dāng)存在4T間隔的位串時，判斷為能夠在基于主光束的14T坑的記錄中，通過副光束檢測4T間隔的定時，使用通過該定時取得的信號確定實時校正的條件。圖65是表示在14T坑的記錄中作為檢測對象的4T間隔的變化的概念圖。如圖65的(a)所示，在14T坑的記錄脈沖為由高輸出的3T脈沖、恒定輸出的9T脈沖、高輸出的2T脈沖構(gòu)成時，收納于恒定輸出區(qū)域內(nèi)的4T間隔成為檢測對象。因而，最好是能抽取在14T脈沖的中央部出現(xiàn)的4T間隔，但是，由于在這種情況下出現(xiàn)幾率將變低，因此預(yù)先設(shè)置計數(shù)器電路，使得即使4T間隔的兩端不溢出14T坑的恒定輸出區(qū)域也成為抽取對象。例如，由圖65的(a)所示的14T坑的脈沖，生成圖65的(b)所示的門信號，預(yù)先準備好能夠確定收納于該門信號中以圖65的(c)的陰影線(hatch)表示的4T間隔的數(shù)據(jù)模式，抽取與該數(shù)據(jù)模式一致的位串。圖66是表示了在長的坑的記錄中檢測短的坑或者間隔的方法的其他例子的框圖。圖66所示的例子，為以在某段時間內(nèi)產(chǎn)生的脈沖數(shù)作為基準，判斷在長的坑的記錄中是否存在短的坑或者間隔的例子。在圖66所示的電路塊中，將由雙向限幅器210輸出的2值化信號SLRF-Sub′，經(jīng)由反相電路420-1輸入邏輯乘運算器422，并且將由圖49所示的脈沖發(fā)生器300輸出的門信號Gate輸入邏輯乘運算器422。邏輯乘運算器422，將這些輸入的信號的邏輯積輸出到計數(shù)器424的置位(set)端子，接受了該信號的計數(shù)器424，對在由反相電路420-2反相的門信號所表示的區(qū)間內(nèi)產(chǎn)生的脈沖數(shù)進行計數(shù)，將其結(jié)果作為判斷信號DetectionEnable，輸出到圖49的CPU212。由反相電路420-2反相的門信號，作為計數(shù)器424的復(fù)位信號使用。CPU212以該判斷信號表示的脈沖數(shù)是否大于等于預(yù)定數(shù)，例如是否發(fā)生大于等于2次為基準，判斷在14T坑的記錄中是否存在4T間隔，在判斷為是時，進行由該4T間隔取得的信號的取入。圖67是表示圖66所示的電路塊的處理例的時序圖。如圖67的(a)所示，輸入到雙向限幅器210中的信號RF-Sub′，在某一電平被2值化，生成如圖67的(b)所示那樣的脈沖信號SLRF-Sub′。然后，通過取圖67的(e)所示的門信號Gate與圖67的(f)所示的反相信號的邏輯積，生成圖67的(g)所示的判斷信號DetectionEnable。所述門信號Gate，是用圖49所示的脈沖發(fā)生器300從圖67的(c)和圖67的(d)所示的信號而生成的；所述反相信號，是用反相電路420-1而生成的。圖68是表示由圖66的電路塊生成的判斷信號的判斷基準的概念圖。如圖68中的各圖所示的那樣，在該例中，在圖68的(a)的區(qū)間內(nèi)計數(shù)了大于等于2次的脈沖時，判斷為在14T坑的記錄中存在收納于表示14T的恒定區(qū)域的門信號Gate內(nèi)的間隔、例如存在3T～7T的間隔，進行由該4T間隔取得的信號的取入。因此，如圖68的(b)所示那樣，在門信號內(nèi)計數(shù)到了2次脈沖時，判斷為在14T坑的記錄中存在收納于表示14T的恒定區(qū)域的門信號Gate內(nèi)的間隔、例如存在3T～7T的間隔，取入由該4T間隔取得的信號。另一方面，如圖68的(c)和(d)所示，在只計數(shù)到1次時，判斷為在14T坑的記錄中不存在4T間隔，不進行信號的取入。圖69是表示了在長的坑的記錄中檢測短的坑或者間隔的方法的其他例子的框圖。圖69所示的例子，為通過測量在門信號內(nèi)已產(chǎn)生的脈沖的長度，來判斷在長的坑的記錄中是否存在短的坑或者間隔的例子。在圖69所示的電路塊中，通過邏輯乘運算器422計算由雙向限幅器210輸出的2值化信號SLRF-Sub′，與由圖49的脈沖發(fā)生器300輸出的門信號Gate，以及時鐘信號CLK這三者的邏輯積，作為可以計數(shù)的信號CountablePulse而輸入計數(shù)器424的置位端子，通過計數(shù)器424對該信號的長度進行計數(shù)。復(fù)位脈沖發(fā)生器426所生成的復(fù)位脈沖被輸入到該計數(shù)器中。圖70是表示圖69所示的電路塊的處理例的時序圖。如圖70的(a)所示，輸入到雙向限幅器210中的信號RF-Sub′，在某一電平被2值化，而生成如圖70的(b)所示的脈沖信號SLRF-Sub′。然后，通過計算由圖49所示的脈沖發(fā)生器300生成的、圖70的(c)所示的門信號Gate，與圖70的(d)所示的時鐘信號CLK的邏輯積，生成圖70的(e)所示的可以計數(shù)的信號CountablePulse。這里提出的時鐘信號，使用“1T＝1個周期”的情況作為例子進行了說明，但是，也可以使用更高速的時鐘，例如使用“1T＝40周期”的時鐘來提高長度檢測的分辨能力。圖71是表示圖69所示的復(fù)位脈沖發(fā)生器426的處理例的時序圖。如圖71所示那樣，復(fù)位脈沖發(fā)生器426，對圖71的(a)所示的時鐘信號CLK計數(shù)2次中的1次，生成圖71的(b)所示的中間信號CLK/2，進而，對該中間信號CLK/2計數(shù)2次中的1次，生成圖71的(c)所示的中間信號CLK/4。然后，如圖71的(d)所示那樣，生成與圖71的(c)的第2次的上升同步地上升、在掃描了相當(dāng)于門信號Gate的長度時下降的復(fù)位信號Reset。通過該復(fù)位信號輸入圖69所示的計數(shù)器424的復(fù)位端子，計數(shù)器的計數(shù)結(jié)果被復(fù)位。在作為圖71的(a)所示的時鐘信號使用“1T＝40周期”的信號的情況下，門信號Gate具有相當(dāng)于9T的寬度，在對時鐘信號計數(shù)了360次時，圖71的(d)所示的復(fù)位信號Reset下降，計數(shù)器424被復(fù)位。同樣地，在作為圖71的(a)所示的時鐘信號使用“1T＝2.5周期”的信號的情況下，門信號Gate具有相當(dāng)于9T的寬度，在對時鐘信號計數(shù)了22.5次時，圖71(d)所示的復(fù)位信號Reset下降，計數(shù)器424被復(fù)位。只是，在如“1T＝2.5周期”這樣，時鐘信號的周期不為單位長T的整倍數(shù)的情況下，就如“2T＝5周期”這樣作為整倍數(shù)處理。圖72是表示圖49所示的屏蔽電路的其他結(jié)構(gòu)例的電路框圖。圖72所示的屏蔽電路，為利用切向推挽信號Tpp進行長度檢測的情況的例子。如圖72所示，該屏蔽電路400由切向推挽信號生成電路430、使該切向信號Tpp的振幅恒定的VGA(VGAVolumeGainAmp)電路432、對切向推挽信號Tpp進行微分的微分電路434、以及取切向推挽信號Tpp的微分值與門信號Gate的邏輯積的邏輯乘運算器422構(gòu)成。其中，切向推挽信號生成電路430使用來自具有4個分割區(qū)域的檢波器122的信號，生成切向推挽信號Tpp。這里，切向推挽信號生成電路430，在將檢波器122的分割區(qū)域如圖72所示那樣，按照與光介質(zhì)的轉(zhuǎn)動接線方向Tan的關(guān)系設(shè)定為A、B、C、D時，求出由位于轉(zhuǎn)動方向的前方的A和B所取得的信號的總和，與由位于轉(zhuǎn)動方向的后方的C和D所取得的信號的總和的差，將上述差信號作為切向推挽信號Tpp輸出。如果以計算式描述這種關(guān)系，則如圖72所示，為“Tpp＝(A+B)-(C+D)”。VGA電路432，生成使上述切向推挽信號Tpp的振幅恒定的信號Tpp-Sub，接受了該信號的微分電路434，對該Tpp-Sub信號進行微分生成Δ(Tpp-Sub)信號。邏輯乘運算器422，通過取上述Δ(Tpp-Sub)信號與門信號Gate的邏輯積，而抽出相當(dāng)于記錄脈沖的光輸出恒定區(qū)域的信號Δ(Tpp-Sub′)，雙向限幅器210以零電平對該Δ(Tpp-Sub′)信號進行限幅，并生成SLΔ(Tpp-Sub′)信號。圖73是表示圖72所示的電路的動作的第1時序圖。如圖73的(a)所示那樣，圖72所示的檢波器檢測的RF信號，以用標號×1.0表示的1倍速記錄的信號、和用標號×1.5表示的1.5倍速記錄的信號，構(gòu)成振幅和零點各不相同的波形。此外，圖72所示的VGA電路432輸出的切向推挽信號Tpp-Sub，如圖73的(b)所示，以用標號×1.0表示的1倍速記錄的信號、和用標號×1.5表示的1.5倍速記錄的信號，構(gòu)成振幅不同但零點一致的波形。該切向推挽信號Tpp-Sub的零點，相當(dāng)于圖73的(a)所示的RF信號RF-Sub的峰值位置。另外，圖72所示的微分電路434輸出的切向推挽信號的微分值Δ(Tpp-Sub)，如圖73的(c)所示，以用標號×1.0表示的1倍速記錄的信號、和用標號×1.5表示的1.5倍速記錄的信號，構(gòu)成振幅不同但零點一致的波形。該切向推挽信號的微分值Δ(Tpp-Sub)的零點，相當(dāng)于圖73的(b)所示的切向推挽信號Tpp-Sub的峰值位置，相當(dāng)于圖73的(a)所示的RF信號RF-Sub的傾斜率變成最大點的位置。圖74是表示圖72所示的電路的動作的第2時序圖。圖74的(a)是表示圖72所示的微分電路434輸出的切向推挽信號的微分值Δ(Tpp-Sub)的圖，該微分值被圖74的(b)所示的門信號Gate屏蔽，如圖74的(c)所示，切向推挽信號的微分值Δ(Tpp-Sub)構(gòu)成被門信號Gate切開的信號Δ(Tpp-Sub′)。然后，通過圖72所示的限幅電路210，抽出信號Δ(Tpp-Sub′)的零交叉點，生成如圖74的(d)所示那樣的脈沖信號SLΔ(Tpp-Sub′)。該脈沖信號構(gòu)成存在于上述記錄用脈沖的高輸出恒定期間內(nèi)的短的坑或者間隔信號，在上述例子中構(gòu)成4T間隔的檢測信號。通過以上說明的利用切向推挽信號的微分值，檢測坑或者間隔的長度的結(jié)構(gòu)，實時地檢測長度的偏移，一邊校正該偏移一邊進行記錄。這里，如上述那樣，如果單只利用切向推挽信號的微分值，將產(chǎn)生3T、4T這些短的信號的干涉，無法檢測出準確的長度。因此，在本實施方式中，通過預(yù)先對測試區(qū)域進行測試記錄，從而預(yù)先求出作為校正基準的切向推挽信號的微分值，在對記錄區(qū)域進行正式記錄時，用再現(xiàn)用激光對已用記錄用激光記錄的坑或者間隔進行再現(xiàn)，從所取得的再現(xiàn)信號求出切向推挽信號的微分值，將在該記錄區(qū)域求出的微分值，與在測試區(qū)域求出的微分值的差異視作長度偏移量，設(shè)定符合該偏移量的校正的記錄條件。圖75是表示在測試區(qū)域求出的關(guān)于坑和間隔的切向推挽信號的微分值同實際的物理長度之間的關(guān)系的曲線圖。如圖75的(a)所示，例如通過測試記錄在測試區(qū)域內(nèi)形成具有3T～8T的長度的坑，就能取得對于各坑長度的切向推挽信號的微分值，就可以根據(jù)該微分值預(yù)測各坑長的長度。這里，對于比較長的5T～8T坑，取得用圖中的虛線表示的相當(dāng)于本來的物理長的長度，但對于容易產(chǎn)生干涉的3T、4T坑，則檢測出與本來的物理長度不同的長度。同樣地，如圖75的(b)所示，例如通過測試記錄形成具有3T～8T的長度的間隔，就能取得對于各間隔長度的切向推挽信號的微分值，就可以根據(jù)該微分值預(yù)測各間隔長的長度。這里，對于比較長的5T～8T間隔，取得用圖中的虛線表示的相當(dāng)于本來的物理長的長度，但對于容易產(chǎn)生干涉的3T、4T間隔，則檢測出與本來的物理長度不同的長度。因此，通過將圖75的(a)所示的對于各坑長度的切向推挽信號的微分值作為校正基準，或者將圖75(b)所示的對于各間隔長度的切向推挽信號的微分值作為校正基準，可以避免干涉的影響。圖76是表示在記錄區(qū)域求出的關(guān)于坑和間隔的切向推挽信號的微分值，與在測試區(qū)域求出的關(guān)于坑和間隔的切向推挽信號的微分值之間的關(guān)系的曲線圖。如圖76的(a)所示，例如，一邊由記錄用激光在記錄區(qū)域內(nèi)記錄具有3T～8T的長度的坑模式，一邊由再現(xiàn)用激光再現(xiàn)，就能取得圖中用黑圓表示的對于各坑長度的切向推挽信號的微分值，通過進行將該微分值與在測試記錄中取得的圖中用白圓表示的微分值加在一起這樣的校正，可以形成由適合于本來的物理長度的坑和間隔構(gòu)成的記錄模式。同樣地，如圖76的(b)所示，例如，一邊由記錄用激光在記錄區(qū)域內(nèi)記錄具有3T～8T的長度的間隔模式，一邊由再現(xiàn)用激光再現(xiàn)，就能取得圖中用黑圓表示的對于各間隔的切向推挽信號的微分值，通過進行將該微分值與在測試記錄中取得的圖中用白圓表示的微分值加在一起這樣的校正，可以形成由適合于本來的物理長度的坑和間隔構(gòu)成的記錄模式。圖77是表示為了取得測試區(qū)域內(nèi)的切向推挽信號的微分值而進行的測試記錄的一例的概念圖。如圖77所示，通過使用了能夠?qū)τ涗浢}沖的前相位偏移、后相位偏移、熱干涉的影響進行檢查的模式的測試記錄，從而按各坑或者各間隔長度求出RF長度a01～a15和切向推挽信號的微分值b01～b15，將這些存儲到預(yù)定的存儲區(qū)域。圖78是表示為了取得記錄區(qū)域內(nèi)的切向推挽信號的微分值而進行的測試記錄的一例的概念圖。如圖78所示，通過從在記錄區(qū)域所形成的坑和間隔的模式中，抽出能夠?qū)τ涗浢}沖的前相位偏移、后相位偏移、熱干涉的影響進行檢查的模式，從而按各坑或者各間隔長度求出切向推挽信號的微分值c01～c15、以及與在圖77所示的測試記錄中取得的切向推挽信號的差d01～d15，將這些數(shù)據(jù)存儲到預(yù)定的存儲區(qū)域。圖79是表示了使用圖78所示的切向推挽信號的差進行記錄脈沖的校正的例子的概念圖。如圖79中的各圖所示，在將圖79的(a)所示的記錄數(shù)據(jù)記錄到光盤上時，按各坑長度設(shè)定適用了最佳校正值的策略。例如，在記錄3T坑時，如圖79的(b)所示那樣，讀出圖78所示的記錄數(shù)據(jù)的前相位偏移3T坑的前端校正值Ttop，并且讀出3T坑的后端校正值Tlast，以該Ttop和Tlast校正記錄脈沖的前端和后端。此外，在校正大于等于4T坑時，如圖79的(c)～(f)所示，在Ttop和Tlast的基礎(chǔ)上，再加上該坑長度的恒定區(qū)域的高度PWD來進行脈沖形狀的校正。圖80是表示圖49所示的屏蔽電路的其他結(jié)構(gòu)例的電路框圖。該圖所示的屏蔽電路，為利用RF信號的2次微分值進行長度檢測的情況的例子。如圖80所示，該屏蔽電路400包括RF信號生成電路436、使該RF信號的振幅恒定的VGA電路432、對RF信號進行2次微分的微分電路434-1和434-2、以及取該2次微分值與門信號Gate的邏輯積的邏輯乘運算器422。其中，RF信號生成電路436使用來自具有4個分割區(qū)域的檢波器122的信號來生成RF信號。這里，RF信號生成電路436，將由檢波器122的分割區(qū)域A、B、C、D取得的信號的總和作為RF信號Tpp輸出。如果以計算式描述這種關(guān)系，則如圖80所示，為“RF＝(A+B)+(C+D)”。VGA電路432，生成使上述RF信號的振幅恒定的信號RF-Sub，接受了該信號的微分電路434-1，對該RF-Sub信號進行微分生成ΔRF-Sub信號，微分電路434-2，對該ΔRF-Sub信號進行微分生成ΔΔRF-Sub信號。邏輯乘運算器422，通過取上述ΔΔRF-Sub信號與門信號Gate的邏輯積，而抽出相當(dāng)于記錄脈沖的光輸出恒定區(qū)域的信號ΔΔRF-Sub′，雙向限幅器210以零電平對該ΔΔRF-Sub′信號進行限幅，并生成SLΔΔRF-Sub′信號。圖81是表示本發(fā)明的功率和脈沖寬度的實時控制概念的概念圖。如圖81所示，在本實施形式中，通過將具有長度m’T的mT脈沖用作功率控制用脈沖，具有長度n’T的nT脈沖用作脈沖寬度控制用脈沖，能夠進行將功率和脈沖寬度的調(diào)整要素分離開的檢測和校正。關(guān)于mT脈沖與nT脈沖的結(jié)構(gòu)，與上述相同。這里，使用記錄用激光20A，將包含這些mT脈沖和nT脈沖的記錄脈沖串照射到介質(zhì)500上，并使用再現(xiàn)用激光20E，對由上述記錄脈沖串的照射形成的坑和間隔進行再現(xiàn)，獨立地檢測功率和脈沖寬度的影響，實時地執(zhí)行mT脈沖的功率校正和nT脈沖的寬度校正。mT脈沖的功率校正，如圖81所示，通過調(diào)整該mT脈沖的高度進行，該脈沖的最佳高度Po，根據(jù)再現(xiàn)用激光的檢測結(jié)果來進行設(shè)定。該mT脈沖的寬度，例如，如上述那樣對應(yīng)于出現(xiàn)頻率最高的3T，在測試記錄中使用進行了優(yōu)化的條件。nT脈沖的寬度校正，如上述那樣，通過分別調(diào)整該脈沖的前端和后端的相位來進行，該脈沖的前端校正量Ttop和后端校正量Tlast，根據(jù)再現(xiàn)用激光的檢測結(jié)果設(shè)定。該nT脈沖的高度，使用與mT脈沖相同條件的Po，通過上述的方法設(shè)定中央部的高度PWD。圖82是表示將功率與脈沖寬度的調(diào)整要素分離后取得的記錄品質(zhì)的擴大圖像的概念圖。如圖82所示，固定出現(xiàn)頻率高的mT脈沖的寬度，變化nT脈沖的寬度來調(diào)整相位條件，就可以取得對于功率的變化能夠確保低抖動的區(qū)域廣的特性，即，能取得容限大的再現(xiàn)特性202-2，但憑借使所有脈沖的寬度變化的方法和只調(diào)整功率的方法，則只能取得象再現(xiàn)特性202-1或者202-3這樣容限小的特性。圖83是表示了確保mT脈沖的檢測信號量的方法的概念的概念圖。如圖83的(a)所示，如果將mT脈沖例如設(shè)定為3T脈沖，則通過該3T脈沖記錄的坑的形狀，就如圖83的(b)所示那樣形成得小，由該坑所取得的RF信號也如圖83的(c)所示，變成小振幅的開口小的信號，因此特別是在高速記錄中3T坑的檢測就變得困難。因此，在本實施方式中，如圖83的(a)所示，通過將作為檢測對象的2個mT脈沖，隔開比該mT脈沖更長的間隔配置，檢測相當(dāng)于該間隔的信號，檢測由mT脈沖形成的坑的長度。例如，如圖83的(b)所示，通過按3T坑、6T間隔、3T坑的順序形成，配置成6T間隔受兩側(cè)的3T坑的影響，通過檢測與6T間隔對應(yīng)的大振幅的信號，間接地檢測3T坑的長度偏移。圖84是表示了使用6T間隔的信號檢測3T坑的長度偏移量的例子的時序圖。如圖84的(a)所示，按3T、6T、3T的順序照射記錄脈沖的結(jié)果，如圖84的(b)所示，形成比基準長度長的3T坑，就如圖84的(c)～(e)所示，由6T間隔的RF信號取得的2值化信號，檢測為比基準長度短。結(jié)果是檢測出如圖84的(f)所示那樣的偏移量Δa和Δb，這些的總和構(gòu)成3T坑的長度偏移量Δ。圖85是表示了根據(jù)長度偏移量進行功率校正的概念的概念圖。如圖85所示，由測試記錄取得的不對稱特性變成線性特性，該不對稱特性的零點變成最佳功率Po，因此在該取得的不對稱特性上使長度偏移量Δ吻合，就知道發(fā)生了P1-Po的功率偏移。由此，對應(yīng)于來自該最佳值的功率偏移量校正當(dāng)前的功率，以返回了最佳記錄條件的狀態(tài)繼續(xù)記錄。圖86是表示了使用RF信號檢測由3T間隔造成的失真的影響的例子的時序圖。如圖86的(a)和(b)所示，如果照射具有3T坑、6T間隔、3T坑、3T間隔的模式的記錄脈沖A，有時最后的3T間隔的影響會給前面緊鄰的3T坑帶來失真。如果發(fā)生了象這樣的失真，即便是在形成了對于基準長度沒有偏移的3T坑的情況下，也如圖86的(c)所示，RF信號的零交叉點出現(xiàn)在比本來的位置遠的地方，結(jié)果是2值化信號的脈沖寬度變大。因此，如圖86的(d)～(g)所示，通過將最后的間隔長度設(shè)定為比3T長的5T，從而再現(xiàn)抑制了失真的發(fā)生的記錄脈沖B的照射結(jié)果，檢測由該記錄脈沖B取得的6T間隔的長度，與由記錄脈沖A取得的6T間隔的長度的偏移量Δ。這樣，在由記錄脈沖A取得的結(jié)果，與由記錄脈沖B取得的結(jié)果之間產(chǎn)生了偏移量Δ的情況下，可以設(shè)想由記錄脈沖A取得的結(jié)果是錯誤的，因此通過設(shè)定成不使用該結(jié)果的結(jié)構(gòu)，就能避免誤檢測。圖87是表示了使用切向推挽信號檢測由3T間隔造成的失真的影響的例子的時序圖。上述由3T間隔造成的失真的影響，不只是使用RF信號，使用切向推挽信號也能夠檢測出來。以下對該例子與使用了RF信號的例子同樣地進行說明。如圖87的(a)和(b)所示，如果照射具有3T坑、6T間隔、3T坑、3T間隔的模式的記錄脈沖A，即便是在形成了對于基準長度沒有偏移的3T坑的情況下，也如圖87的(c)所示，切向推挽信號Tpp的零交叉點出現(xiàn)在比本來的位置近的地方，結(jié)果是2值化信號的脈沖寬度變小。因此，如圖87的(d)～(g)所示，通過將最后的間隔長度設(shè)定為比3T長的5T，從而再現(xiàn)抑制了失真的發(fā)生的記錄脈沖B的照射結(jié)果，檢測由該記錄脈沖B取得的6T間隔的長度，與由記錄脈沖A取得的6T間隔的長度的偏移量Δ。這樣，在由記錄脈沖A取得的結(jié)果，與由記錄脈沖B取得的結(jié)果之間產(chǎn)生了偏移量Δ的情況下，可以設(shè)想由記錄脈沖A取得的結(jié)果是錯誤的，因此通過設(shè)定成不使用該結(jié)果的結(jié)構(gòu)，就能避免誤檢測。圖88是表示了避免由3T間隔造成的失真的影響的結(jié)構(gòu)例的概念圖。如上述那樣，為了避免失真的影響，對容易受失真影響的模式的再現(xiàn)結(jié)果，和不易受失真影響的模式的再現(xiàn)結(jié)果進行比較的結(jié)構(gòu)是有效的，因此，如圖88所示，設(shè)定為以下的結(jié)構(gòu)，即對2個模式的RF信號或者切向推挽信號進行比較，在比較的結(jié)果為兩者之間產(chǎn)生了差異時，屏蔽由3T坑、6T間隔、3T坑、3T間隔的模式取得的再現(xiàn)結(jié)果。根據(jù)本發(fā)明，可以進行更接近于最佳記錄條件的實時校正，因此可以期待將其應(yīng)用到內(nèi)外周差的記錄特性不同的介質(zhì)、或者高速記錄等更嚴格的記錄環(huán)境中。權(quán)利要求1.一種光信息記錄裝置，通過進行基于包括僅由起始脈沖構(gòu)成的第1記錄脈沖，和由該起始脈沖與后續(xù)脈沖構(gòu)成的第2記錄脈沖的記錄脈沖串的激光的照射，在光記錄介質(zhì)上進行坑和/或間隔的形成，該光信息記錄裝置的特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)上形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)的再現(xiàn)裝置；根據(jù)上述再現(xiàn)裝置的再現(xiàn)結(jié)果，使上述第1記錄脈沖的功率發(fā)生變化的裝置；以及根據(jù)上述再現(xiàn)裝置的再現(xiàn)結(jié)果，使上述第2記錄脈沖的寬度發(fā)生變化的裝置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光信息記錄裝置，其特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)上形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，并檢測自基準長度的長度偏移量的裝置；根據(jù)上述偏移量確定上述第1記錄脈沖的功率的裝置；以及根據(jù)上述偏移量確定上述第2記錄脈沖的寬度的裝置。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光信息記錄裝置，其特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，并確定上述第1和第2記錄脈沖的基本記錄條件的裝置；對在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，并檢測自基準長度的長度偏移量的裝置；將上述第1記錄脈沖的寬度設(shè)定為與上述基本記錄條件相同的條件，并且根據(jù)上述偏移量調(diào)整上述第1記錄脈沖的功率的裝置；以及將上述第2記錄脈沖的功率設(shè)定為與上述第1記錄脈沖的功率相同的條件，并且根據(jù)上述偏移量調(diào)整上述第2記錄脈沖的寬度的裝置。4.一種光信息記錄裝置，通過記錄用激光的脈沖照射在光記錄介質(zhì)上形成坑和/或間隔，并且通過再現(xiàn)用激光的照射進行上述坑和/或間隔的檢測，該光信息記錄裝置的特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，并確定僅由起始脈沖構(gòu)成的第1記錄脈沖，和由該起始脈沖與后續(xù)脈沖構(gòu)成的第2記錄脈沖的基本記錄條件的裝置；和通過上述再現(xiàn)用激光，對使用上述記錄用激光在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，并檢測自基準長度的長度偏移量的裝置。5.一種光信息記錄裝置，通過進行基于包括僅由起始脈沖構(gòu)成的第1記錄脈沖，和由該起始脈沖與后續(xù)脈沖構(gòu)成的第2記錄脈沖的記錄脈沖串的激光的照射，在光記錄介質(zhì)上進行坑和/或間隔的形成，該光信息記錄裝置的特征在于，包括在上述光記錄介質(zhì)上，照射以相當(dāng)于上述第2記錄脈沖的寬度的間隔配置了2個上述第1記錄脈沖的記錄脈沖串的裝置；對由上述記錄脈沖串的照射形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，取得與2個上述第1記錄脈沖的間隔對應(yīng)的坑和/或間隔信號的裝置；根據(jù)與2個上述第1記錄脈沖的間隔對應(yīng)的坑和/或間隔信號，檢測與上述第1記錄脈沖對應(yīng)的坑和/或間隔的長度的裝置；以及根據(jù)上述檢測的與第1記錄脈沖對應(yīng)的坑和/或間隔的長度，調(diào)整上述第1記錄脈沖的功率的裝置。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光信息記錄裝置，其特征在于，包括照射接在2個上述第1記錄脈沖后具有與上述第1記錄脈沖的寬度相當(dāng)?shù)拈g隔的第1記錄脈沖串的裝置；照射接在2個上述第1記錄脈沖后具有比上述第1記錄脈沖的寬度長的間隔的第2記錄脈沖串的裝置；將對由上述第1記錄脈沖串的照射形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)所取得的信號，與對由上述第2記錄脈沖串的照射形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)所取得的信號進行比較的裝置；以及根據(jù)上述比較結(jié)果判定上述再現(xiàn)結(jié)果的真?zhèn)蔚难b置。7.一種光信息記錄裝置，通過記錄用激光的脈沖照射在光記錄介質(zhì)上形成坑和/或間隔，同時通過再現(xiàn)用激光的照射進行上述坑和/或間隔的檢測，該光信息記錄裝置的特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，并確定第1記錄脈沖和比該第1記錄脈沖長的第2記錄脈沖的記錄條件的裝置；使用上述記錄用激光，在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域，照射以相當(dāng)于上述第2記錄脈沖的寬度的間隔配置了2個上述第1記錄脈沖的記錄脈沖串的裝置；以及通過上述再現(xiàn)用激光對由上述記錄脈沖串的照射形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，取得與2個上述第1記錄脈沖的間隔對應(yīng)的坑和/或間隔信號的裝置。8.一種光信息記錄方法，通過進行基于包括僅由起始脈沖構(gòu)成的第1記錄脈沖，和由該起始脈沖與后續(xù)脈沖構(gòu)成的第2記錄脈沖的記錄脈沖串的激光的照射，在光記錄介質(zhì)上進行坑和/或間隔的形成，該光信息記錄方法的特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)上形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)的再現(xiàn)步驟；根據(jù)上述再現(xiàn)步驟的再現(xiàn)結(jié)果，使上述第1記錄脈沖的功率發(fā)生變化的步驟；以及根據(jù)上述再現(xiàn)步驟的再現(xiàn)結(jié)果，使上述第2記錄脈沖的寬度發(fā)生變化的步驟。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光信息記錄方法，其特征在于，包括在上述光記錄介質(zhì)上，照射以相當(dāng)于上述第2記錄脈沖的寬度的間隔配置了2個上述第1記錄脈沖的記錄脈沖串的步驟；對由上述記錄脈沖串的照射形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，取得與2個上述第1記錄脈沖的間隔對應(yīng)的坑和/或間隔信號的步驟；根據(jù)與2個上述第1記錄脈沖的間隔對應(yīng)的坑和/或間隔信號，檢測與上述第1記錄脈沖對應(yīng)的坑和/或間隔的長度的步驟；以及根據(jù)上述檢測的與第1記錄脈沖對應(yīng)的坑和/或間隔的長度，調(diào)整上述第1記錄脈沖的功率的步驟。10.一種信號處理電路，被裝入光信息記錄裝置中，所述光信息記錄裝置通過進行基于包括僅由起始脈沖構(gòu)成的第1記錄脈沖，和由該起始脈沖與后續(xù)脈沖構(gòu)成的第2記錄脈沖的記錄脈沖串的激光的照射，在光記錄介質(zhì)上進行坑和/或間隔的形成，該信號處理電路的特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)上形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)的再現(xiàn)裝置；根據(jù)上述再現(xiàn)裝置的再現(xiàn)結(jié)果，使上述第1記錄脈沖的功率發(fā)生變化的裝置；以及根據(jù)上述再現(xiàn)裝置的再現(xiàn)結(jié)果，使上述第2記錄脈沖的寬度發(fā)生變化的裝置。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的信號處理電路，其特征在于，包括在上述光記錄介質(zhì)上，照射以相當(dāng)于上述第2記錄脈沖的寬度的間隔配置了2個上述第1記錄脈沖的記錄脈沖串的裝置；對由上述記錄脈沖串的照射形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，取得與2個上述第1記錄脈沖的間隔對應(yīng)的坑和/或間隔信號的裝置；根據(jù)與2個上述第1記錄脈沖的間隔對應(yīng)的坑和/或間隔信號，檢測與上述第1記錄脈沖對應(yīng)的坑和/或間隔的長度的裝置；以及根據(jù)上述檢測的與第1記錄脈沖對應(yīng)的坑和/或間隔的長度，調(diào)整上述第1記錄脈沖的功率的裝置。12.一種光信息記錄裝置，通過激光的脈沖照射，在光記錄介質(zhì)上進行坑和/或間隔的形成，其特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域內(nèi)形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，求出所取得的信號的2次微分等效值的裝置；對在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，求出所取得的信號的2次微分等效值的裝置；以及對在上述測試區(qū)域內(nèi)求出的2次微分等效值，與在上述記錄區(qū)域內(nèi)求出的2次微分等效值進行比較的裝置。13.一種光信息記錄裝置，通過記錄用激光的脈沖照射在光記錄介質(zhì)上形成坑和/或間隔，同時通過再現(xiàn)用激光的照射進行上述坑和/或間隔的檢測，該光信息記錄裝置的特征在于，包括使用上述再現(xiàn)用激光，對使用上述記錄用激光在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，求出所取得的信號的2次微分等效值的裝置；以及對在上述測試區(qū)域內(nèi)求出的2次微分等效值，與在上述記錄區(qū)域內(nèi)求出的2次微分等效值進行比較的裝置。14.一種光信息記錄裝置，通過激光的脈沖照射，在光記錄介質(zhì)上進行長度不同的多種坑和間隔的形成，其特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域內(nèi)形成的坑和間隔進行再現(xiàn)，求出對于所取得的各個上述長度不同的多種坑信號的2次微分等效值的裝置；對在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)形成的坑和間隔進行再現(xiàn)，求出對于所取得的各個上述長度不同的多種坑信號的2次微分等效值的裝置；以及對在上述測試區(qū)域內(nèi)求出的對于各坑長度的2次微分等效值，與在上述記錄區(qū)域內(nèi)求出的對于各坑長度的2次微分等效值進行比較的裝置。15.一種光信息記錄裝置，通過激光的脈沖照射，在光記錄介質(zhì)上進行長度不同的多種坑和間隔的形成，其特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域內(nèi)形成的坑和間隔進行再現(xiàn)，求出對于所取得的各個上述長度不同的多種間隔信號的2次微分等效值的裝置；對在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)形成的坑和間隔進行再現(xiàn)，求出對于所取得的各個上述長度不同的多種間隔信號的2次微分等效值的裝置；以及對在上述測試區(qū)域內(nèi)求出的對于各間隔長度的2次微分等效值，與在上述記錄區(qū)域內(nèi)求出的對于各間隔長度的2次微分等效值進行比較的裝置。16.一種光信息記錄裝置，通過激光的脈沖照射，在光記錄介質(zhì)上進行坑和/或間隔的形成，其特征在于，包括使上述光記錄介質(zhì)轉(zhuǎn)動的裝置；具有對于上述光記錄介質(zhì)的轉(zhuǎn)動方向在前后劃分成的至少2個受光區(qū)域的光檢波器；求出從上述2個受光區(qū)域取得的各信號的差的裝置；對上述差進行微分的裝置；在設(shè)置于上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域內(nèi)求出上述微分值的裝置；在設(shè)置于上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)求出上述微分值的裝置；以及對在上述測試區(qū)域內(nèi)求出的微分值，與在上述記錄區(qū)域內(nèi)求出的微分值進行比較的裝置。17.一種光信息記錄裝置，通過記錄用激光的脈沖照射在光記錄介質(zhì)上形成坑和/或間隔，同時通過再現(xiàn)用激光的照射進行上述坑和/或間隔的檢測，該光信息記錄裝置的特征在于，包括使用上述再現(xiàn)用激光，在設(shè)置于上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)求出上述微分值的裝置。18.一種光信息記錄方法，是用于光信息記錄裝置的光信息記錄方法，所述光信息記錄裝置通過激光的脈沖照射，在光記錄介質(zhì)上進行坑和/或間隔的形成，該光信息記錄方法的特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域內(nèi)形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，求出所取得的信號的2次微分等效值的步驟；對在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，求出所取得的信號的2次微分等效值的步驟；以及對在上述測試區(qū)域內(nèi)求出的2次微分等效值，與在上述記錄區(qū)域內(nèi)求出的2次微分等效值進行比較的步驟。19.一種信號處理電路，用于光信息記錄裝置，所述光信息記錄裝置通過激光的脈沖照射，在光記錄介質(zhì)上進行坑和/或間隔的形成，該信號處理電路的特征在于，包括對在上述光記錄介質(zhì)的測試區(qū)域內(nèi)形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，求出所取得的信號的2次微分等效值的裝置；對在上述光記錄介質(zhì)的記錄區(qū)域內(nèi)形成的坑和/或間隔進行再現(xiàn)，求出所取得的信號的2次微分等效值的裝置；以及對在上述測試區(qū)域內(nèi)求出的2次微分等效值，與在上述記錄區(qū)域內(nèi)求出的2次微分等效值進行比較的裝置。全文摘要本發(fā)明提供一種光信息記錄裝置、方法、以及信息處理電路。通過實時地對記錄條件進行校正，從而提高記錄品質(zhì)的容限，其中，所述記錄條件是對內(nèi)外周差的記錄特性不同的介質(zhì)的記錄條件。通過將具有長度m’T的mT脈沖用作功率控制用脈沖，具有長度n’T的nT脈沖用作脈沖寬度控制用脈沖，由此進行將功率和脈沖寬度的調(diào)整要素分離開的檢測和校正。使用記錄用激光(20A)，將包含這些mT脈沖和nT脈沖的記錄脈沖串照射到介質(zhì)(500)上，并使用再現(xiàn)用激光(20E)，對由上述記錄脈沖串的照射形成的坑和間隔進行再現(xiàn)，獨立地檢測功率和脈沖寬度的影響，實時地執(zhí)行mT脈沖的功率校正和nT脈沖的寬度校正。文檔編號G11B7/125GK1828735SQ200510123688公開日2006年9月6日申請日期2005年11月18日優(yōu)先權(quán)日2004年11月18日發(fā)明者宮澤冬樹,佐藤禎一,松田勛,久保哲治,小山勝弘,垣本博哉申請人:太陽誘電株式會社