專利名稱：磁記錄再現(xiàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁記錄再現(xiàn)裝置，其具備具有主磁極的磁頭、磁記錄介質(zhì)、在驅(qū)動磁記錄介質(zhì)按固定方向旋轉(zhuǎn)的同時可以使磁頭沿磁記錄介質(zhì)的半徑方向移動的驅(qū)動裝置主體。另外，磁記錄介質(zhì)是以在基板上將垂直磁記錄層按預(yù)定的凹凸型態(tài)分割為多個記錄元素而形成的、所謂的離散型磁記錄介質(zhì)為對象的。
背景技術(shù)：
目前，硬盤等磁記錄介質(zhì)的面記錄密度的提高是利用(1)提高線記錄密度、和(2)提高磁軌密度這兩個方法來實現(xiàn)的。今后，為了進(jìn)一步實現(xiàn)高密度化，需要基于上述兩個方法提高記錄密度。
在磁軌密度的提高方面，隨著磁頭的加工限度、磁頭磁場的擴(kuò)散而引起的邊緣干擾(side fringe)、串?dāng)_等問題的顯著出現(xiàn)，借助于作為現(xiàn)有改良手法的延伸的磁頭高磁軌化技術(shù)的進(jìn)步來提高面記錄密度可以說已達(dá)到了極限。
另一方面，提高線記錄密度的方法中，在現(xiàn)有的縱向磁介質(zhì)(longitudinal magnetic medium)中，一直追求薄層化、高保磁力，但從進(jìn)一步提高介質(zhì)的高密度化和對于記錄磁化的熱起伏的穩(wěn)定性的角度出發(fā)，滿足這些條件的垂直磁記錄介質(zhì)正受到關(guān)注。
基于這種實際情況，作為提高面記錄密度、補(bǔ)充磁頭的高磁軌密度化的技術(shù)，提出了一種將記錄層形成為預(yù)定的凹凸型態(tài)的離散磁道盤型磁記錄介質(zhì)。例如，特開平11-328662號公報中公開了一種磁記錄介質(zhì)，其在基板上預(yù)先施加預(yù)定的凹凸，沿著該凹凸形成單層垂直磁記錄層。
一般說來，在磁盤裝置中，所用的磁記錄介質(zhì)具有用來記錄數(shù)據(jù)信息的數(shù)據(jù)區(qū)域(數(shù)據(jù)磁道)及用來記錄追蹤用的伺服信息的伺服區(qū)域(伺服磁道)，如果是離散介質(zhì)，這些磁道組以預(yù)定的凹凸型態(tài)分割為多個記錄元素而形成。
伺服區(qū)域中通常有ISG(Initial Signal Gain)部、SVAM(SerVoAddress Mark)部、格雷碼部(Gray code)、資料組(burst)部、以及pad部，為了發(fā)揮預(yù)定功能，它們以各種磁型態(tài)形成，在相應(yīng)伺服區(qū)域中，通常被垂直施加磁場而統(tǒng)一磁化。
另一方面，數(shù)據(jù)區(qū)域(數(shù)據(jù)磁道)的垂直磁化記錄層中，利用從垂直磁頭的主磁極沿垂直方向發(fā)出的磁場進(jìn)行磁記錄。
磁頭的驅(qū)動通常使用旋轉(zhuǎn)致動裝置，在裝備了這種旋轉(zhuǎn)致動裝置的磁記錄介質(zhì)中，在記錄重現(xiàn)盤狀磁記錄介質(zhì)的內(nèi)周、外周的記錄磁道(數(shù)據(jù)磁道)時，在特定的磁道，磁頭的記錄再現(xiàn)元件的平面與特定磁道的圓周方向的正交平面所成的角定義為扭曲角(skewangel)，如果將其定為0度，則在其他磁道必定產(chǎn)生扭曲角。例如，當(dāng)盤狀磁記錄介質(zhì)的最內(nèi)周的數(shù)據(jù)磁道的扭曲角為0時，盤狀磁記錄介質(zhì)的最外周的數(shù)據(jù)磁道產(chǎn)生最大的扭曲角。
U.S.P.5995341中公開了一種垂直磁記錄方式，確定了磁頭的主磁極的形狀、扭曲角、磁道間距(track pitch)等的關(guān)系。由此，使用屬于沒有實施離散加工的一般性介質(zhì)、具有連續(xù)的磁記錄面的垂直磁記錄介質(zhì)，通過垂直磁頭的主磁極對該介質(zhì)進(jìn)行磁記錄時，主磁極的頂端確定為四邊形形狀，并確定扭曲角、磁道間距等的預(yù)定關(guān)系。
但是，U.S.P.5995341中公開的技術(shù)的條件是具有四邊形形狀的主磁極的頂端不對相鄰數(shù)據(jù)磁道進(jìn)行重寫，但在出現(xiàn)了扭曲角的情況下，相鄰磁道之間執(zhí)行與扭曲角對應(yīng)的寫入，在最大扭曲角度的情況下，保護(hù)帶消失，此處記錄下來的比特所產(chǎn)生的不需要的信號成為串?dāng)_的噪聲源。因此可以說，這種結(jié)構(gòu)的磁記錄裝置實質(zhì)上不可能有效地使用。另外，該現(xiàn)有技術(shù)不是以離散介質(zhì)為對象的，所提案的算式本身不能應(yīng)用于離散介質(zhì)。
為了避開這樣的問題，U.S.P.6504675B1、特開2002-92821號公報、特開2003-242607號公報中公開了一種記錄磁道寬度的控制方法，使用具備逆梯形形狀的主磁極的磁頭、即使產(chǎn)生了扭曲角也能夠設(shè)置保護(hù)帶。
但是，它們所公開的技術(shù)不能直接應(yīng)用于離散介質(zhì)。另外，僅使用所公開的這些技術(shù)，尚不能獲得實質(zhì)性的有效效果。
基于這種實際情況，本發(fā)明是創(chuàng)造性的提案，其目的在于提供在數(shù)據(jù)磁道和伺服磁道中具有預(yù)定的凹凸結(jié)構(gòu)的離散介質(zhì)(離散磁道盤)與具備垂直磁記錄用的主磁極的磁頭的相關(guān)關(guān)系中能夠防止向相鄰磁道的不需要寫入、實現(xiàn)極高的可靠性的高密度記錄的磁記錄裝置。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決這種課題，本發(fā)明的磁記錄裝置是一種具備至少具有主磁極的磁頭、磁記錄介質(zhì)、用來驅(qū)動磁記錄介質(zhì)按固定方向旋轉(zhuǎn)并同時可以使磁頭沿磁記錄介質(zhì)的大致半徑方向移動的驅(qū)動裝置主體的磁記錄再現(xiàn)裝置；上述磁記錄介質(zhì)是一種具有用來記錄數(shù)據(jù)信息的數(shù)據(jù)磁道及用來記錄追蹤用的伺服信息的伺服磁道、這些磁道組以預(yù)定的凹凸型態(tài)分割為多個記錄元素而形成的離散介質(zhì)；上述磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)磁道和伺服磁道由凸部的垂直磁記錄層構(gòu)成，凸部的垂直磁記錄層的磁道寬度方向(磁道半徑方向)的截面具有梯形形狀；上述磁頭的懸浮面(air bearing surface)的上述主磁極的輪廓線形狀為從位于磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向的下游一側(cè)的后續(xù)側(cè)一端向上游一側(cè)的前導(dǎo)側(cè)一端寬度連續(xù)變窄的形狀；上述磁記錄介質(zhì)與上述磁頭的配置關(guān)系為至少與磁記錄介質(zhì)的若干個數(shù)據(jù)磁道的圓周方向產(chǎn)生扭曲角θ；如果上述磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)磁道間距為Tp，該數(shù)據(jù)磁道的凸部垂直磁記錄層的上表面寬度為Tw，上述磁頭的主磁極的后續(xù)側(cè)一端的寬度為W1，前導(dǎo)側(cè)一端的寬度為W2，上述磁頭的主磁極的厚度(磁道圓周方向的長度)為t，上述凸部的垂直磁記錄層的磁道寬度方向(磁道半徑方向)的截面的梯形形狀的傾斜角度為η，上述凸部的垂直磁記錄層的厚度為δ，作為前提條件，在上述θ、W1、W2和t的關(guān)系滿足θ＞tan- 1(W1-W2)/2·t的情況下，其結(jié)構(gòu)滿足下述算式(1)的關(guān)系。
算式1Tp-Tw≥(t2+(W1-W2)2/4)1/2·sin{θ-tan-1(W1-W2)/2t)+2δ/tanη…算式(1)
另外，本發(fā)明的理想的實施方式是，由上述凸部的垂直磁記錄層構(gòu)成的數(shù)據(jù)磁道及伺服磁道的下部敷設(shè)了軟磁性層，用來輔助垂直方向的磁場。
另外，本發(fā)明的理想的實施方式是，由上述磁頭的主磁極產(chǎn)生的記錄磁場以垂直方法穿過凸部的垂直磁記錄層，在該垂直磁記錄層發(fā)揮垂直磁記錄的作用，同時，穿過軟磁性層返回輔助磁極。
另外，本發(fā)明的理想的實施方式是，上述磁頭的懸浮面的上述主磁極的輪廓線形狀為從位于磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向的下游一側(cè)的后續(xù)側(cè)一端向上游一側(cè)的前導(dǎo)側(cè)一端寬度連續(xù)變窄的梯形形狀。
另外，本發(fā)明的理想的實施方式是，當(dāng)前提條件是最大扭曲角為θmax時，滿足下述算式(1-2)。
算式1-22Tp-Tw-2ΔW≥W1≥(Tw+2ΔW)/cosθmax…算式(1-2)其中，ΔW＝δ/tanη另外，本發(fā)明是一種具備至少具有主磁極的磁頭、磁記錄介質(zhì)、用來驅(qū)動磁記錄介質(zhì)按固定方向旋轉(zhuǎn)并同時可以使磁頭沿磁記錄介質(zhì)的大致半徑方向移動的驅(qū)動裝置主體的磁記錄再現(xiàn)裝置；上述磁記錄介質(zhì)是一種具有用來記錄數(shù)據(jù)信息的數(shù)據(jù)磁道及用來記錄追蹤用的伺服信息的伺服磁道、這些磁道組以預(yù)定的凹凸型態(tài)分割為多個記錄元素而形成的離散介質(zhì)；上述磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)磁道和伺服磁道由凸部的垂直磁記錄層構(gòu)成，凸部的垂直磁記錄層的磁道寬度方向(磁道半徑方向)的截面具有梯形形狀；上述磁頭的懸浮面的上述主磁極的輪廓線形狀具有從位于磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向的下游一側(cè)的后續(xù)側(cè)一端向上游一側(cè)以固定寬度延伸的第1四邊形部分、以及與該第1四邊形部分連接的同時形狀進(jìn)一步隨著靠近上游一側(cè)的前導(dǎo)側(cè)一端而寬度連續(xù)變窄的第2四邊形部分；上述磁記錄介質(zhì)與上述磁頭的配置關(guān)系為至少與磁記錄介質(zhì)的若干個數(shù)據(jù)磁道的圓周方向產(chǎn)生扭曲角θ；
如果上述磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)磁道間距為Tp，該數(shù)據(jù)磁道的凸部垂直磁記錄層的上表面寬度為Tw，上述磁頭的主磁極的第1四邊形部分的后續(xù)側(cè)一端的寬度為W1，該第1四邊形部分的厚度(磁道圓周方向的長度)為t1，上述磁頭的主磁極的第2四邊形部分的前導(dǎo)側(cè)一端的寬度為W2，該第2四邊形部分的厚度(磁道圓周方向的長度)為t2，上述凸部的垂直磁記錄層的磁道寬度方向(磁道半徑方向)的截面的梯形形狀的傾斜角度為η，上述凸部的垂直磁記錄層的厚度為δ，作為前提條件，上述θ、W1、W2和t2的關(guān)系滿足θ＞tan- 1(W1-W2)/2·t2的情況下，其結(jié)構(gòu)滿足下述算式(2)的關(guān)系。
算式2Tp-Tw≥(t22+(W1-W2)2/4)1/2·sin{θ-tan-1(W1-W2)/2t2}+t1·sinθ+2δ/tanη…算式(2)另外，本發(fā)明的理想的實施方式是，上述磁頭的懸浮面的上述主磁極的輪廓線形狀的第2四邊形部分為從磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向的下游一側(cè)向上游一側(cè)的前導(dǎo)側(cè)一端寬度連續(xù)變窄的梯形形狀。
另外，本發(fā)明的理想的實施方式是，當(dāng)前提條件是最大扭曲角為θmax時，滿足下述算式(1-2)。
算式1-22Tp-Tw-2ΔW≥W1≥(Tw+2ΔW)/cosθmax …算式(1-2)其中，ΔW＝δ/tanη另外，本發(fā)明是一種具備至少具有主磁極的磁頭、磁記錄介質(zhì)、用來驅(qū)動磁記錄介質(zhì)按固定方向旋轉(zhuǎn)并同時可以使磁頭沿磁記錄介質(zhì)的大致半徑方向移動的驅(qū)動裝置主體的磁記錄再現(xiàn)裝置；上述磁記錄介質(zhì)是一種具有用來記錄數(shù)據(jù)信息的數(shù)據(jù)磁道及用來記錄追蹤用的伺服信息的伺服磁道、這些磁道組以預(yù)定的凹凸型態(tài)分割為多個記錄元素而形成的離散介質(zhì)；上述磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)磁道和伺服磁道由凸部的垂直磁記錄層構(gòu)成，凸部的垂直磁記錄層的磁道寬度方向(磁道半徑方向)的截面具有梯形形狀；上述磁頭的懸浮面的上述主磁極的輪廓線形狀具有從位于磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向的下游一側(cè)的后續(xù)側(cè)一端向上游一側(cè)以固定寬度延伸的第1四邊形部分、以及與該第1四邊形部分連接的同時形狀進(jìn)而隨著靠近上游一側(cè)的前導(dǎo)側(cè)一端寬度連續(xù)變窄的第2四邊形部分；上述磁記錄介質(zhì)與上述磁頭的配置關(guān)系為至少與磁記錄介質(zhì)的若干個數(shù)據(jù)磁道的圓周方向產(chǎn)生扭曲角θ；如果上述磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)磁道間距為Tp，該數(shù)據(jù)磁道的凸部垂直磁記錄層的上表面寬度為Tw，上述磁頭的主磁極的第1四邊形部分的后續(xù)側(cè)一端的寬度為W1，該第1四邊形部分的厚度(磁道圓周方向的長度)為t1，上述磁頭的主磁極的第2四邊形部分的前導(dǎo)側(cè)一端的寬度為W2，該第2四邊形部分的厚度(磁道圓周方向的長度)為t2，上述凸部的垂直磁記錄層的磁道寬度方向(磁道半徑方向)的截面的梯形形狀的傾斜角度為η，上述凸部的垂直磁記錄層的厚度為δ，作為前提條件，上述θ、W1、W2和t2的關(guān)系滿足θ＜tan-1(W1-W2)/2·t2的情況下，其結(jié)構(gòu)滿足下述算式(3)的關(guān)系。
算式3Tp-Tw≥t1·sinθ+2δ/tanη …算式(3)另外，本發(fā)明的理想的實施方式是，上述磁頭的懸浮面的上述主磁極的輪廓線形狀的第2四邊形部分為從磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向的下游一側(cè)向上游一側(cè)的前導(dǎo)側(cè)一端寬度連續(xù)變窄的梯形形狀。
另外，本發(fā)明的理想的實施方式是，當(dāng)前提條件是最大扭曲角為θmax時，滿足下述算式(1-2)。
算式1-22Tp-Tw-2ΔW≥W1≥(Tw+2ΔW)/cosθmax…算式(1-2)其中，ΔW＝δ/tanη另外，本發(fā)明的理想的實施方式是，上述凸部的垂直磁記錄層的磁道寬度方向(磁道半徑方向)的截面的梯形形狀的傾斜角度η處于50～85度的角度范圍。
另外，本發(fā)明的理想的實施方式是，上述記錄數(shù)據(jù)信息的數(shù)據(jù)磁道及記錄追蹤用的伺服信息的伺服磁道是以預(yù)定的凹凸型態(tài)分割為多個記錄元素而形成的離散介質(zhì)，凹部填充了用于發(fā)揮離散作用的非磁性材料。
本發(fā)明的磁記錄裝置是一種具備具有主磁極的磁頭、在數(shù)據(jù)磁道和伺服磁道中具有預(yù)定的凹凸結(jié)構(gòu)的離散型磁記錄介質(zhì)、用來驅(qū)動磁記錄介質(zhì)按固定方向旋轉(zhuǎn)并同時可以使磁頭沿磁記錄介質(zhì)的大致半徑方向移動的驅(qū)動裝置主體的磁記錄再現(xiàn)裝置；通過規(guī)定用來確定數(shù)據(jù)磁道的預(yù)定的凹凸形狀的參數(shù)、用來確定主磁極的參數(shù)、及與扭曲角的關(guān)系，能夠防止向相鄰磁道的不需要寫入、實現(xiàn)極高的可靠性的高密度記錄。


圖1是表示本發(fā)明的盤狀磁記錄介質(zhì)的整體形狀的概略平面圖。
圖2是圖1的四角所圍的微小部分的部分放大概略圖。
圖3是概念性地表示本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的理想實施方式的剖視圖。
圖4是表示截面的梯形形狀的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)的結(jié)構(gòu)的概略透視圖。
圖5是用來簡單說明在垂直磁記錄介質(zhì)中使用單磁極(1個主磁極)型磁頭進(jìn)行垂直磁記錄的情況下的機(jī)制的透視圖。
圖6是磁記錄再現(xiàn)裝置的概略透視圖。
圖7是表示磁記錄再現(xiàn)裝置的主要部分的概略平面圖。
圖8表示磁頭的懸浮面的主磁極的輪廓線形狀。
圖9(A)是平面表示磁極的輪廓線形狀與凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)的位置關(guān)系的圖，圖9(B)是圖9(A)的A-A剖視圖，實質(zhì)上表示垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)的截面。
圖10表示磁頭的懸浮面的主磁極的輪廓線形狀。
圖11(A)是平面表示磁極的輪廓線形狀與凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)的位置關(guān)系的圖，圖11(B)是圖11(A)的A-A剖視圖，實質(zhì)上表示垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)的截面。
圖12(A)是平面表示磁極的輪廓線形狀與凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)的位置關(guān)系的圖，圖12(B)是圖12(A)的A-A剖視圖，實質(zhì)上表示垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)的截面。
具體實施例方式
以下詳細(xì)說明用來實施本發(fā)明的最優(yōu)實施方式。
本發(fā)明的磁記錄再現(xiàn)裝置具備至少具有主磁極的磁頭、磁記錄介質(zhì)、用來驅(qū)動磁記錄介質(zhì)按固定方向旋轉(zhuǎn)的同時可以使磁頭沿磁記錄介質(zhì)的大致半徑方向移動的驅(qū)動裝置主體。
首先，為了把握裝置的整體結(jié)構(gòu)，先基于圖6說明磁記錄再現(xiàn)裝置的概略結(jié)構(gòu)實例。
(磁記錄再現(xiàn)裝置的概略結(jié)構(gòu)實例的說明)圖6表示了本發(fā)明一個理想的實例——磁記錄再現(xiàn)裝置的概略結(jié)構(gòu)透視圖。圖7表示為了說明圖6的主要部分而抽出的所需的主要部分的平面圖。圖6中，磁記錄介質(zhì)1使用盤狀垂直磁記錄介質(zhì)，該介質(zhì)由主軸馬達(dá)2驅(qū)動旋轉(zhuǎn)。
另外，為了對磁記錄介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)讀出和寫入，沿從介質(zhì)的外側(cè)方向朝向介質(zhì)的內(nèi)側(cè)方向設(shè)置的擺動臂4的頂端上設(shè)置了記錄再現(xiàn)用的磁頭5。
擺動臂4以旋轉(zhuǎn)致動裝置4a為基點，利用音圈電機(jī)3擺動，例如，基于記錄再現(xiàn)用磁頭檢測到的伺服信號，能夠?qū)⒋蓬^位置確定到預(yù)定的磁道。主軸馬達(dá)2和音圈電機(jī)3等的驅(qū)動系統(tǒng)包含在驅(qū)動裝置主體中。
記錄再現(xiàn)用的磁頭5通常具有記錄元件和再現(xiàn)元件，記錄元件使用例如主磁極勵磁型的單磁極磁頭，再現(xiàn)元件使用例如GMR(巨磁電阻效應(yīng))磁頭。除了GMR磁頭，也可以使用TMR(隧道磁阻效應(yīng))磁頭等。
磁頭的記錄元件(以及再現(xiàn)元件)理想化的是筆直地沿著數(shù)據(jù)磁道的圓周方向配置，不脫離磁道執(zhí)行記錄操作(及再現(xiàn)操作)。但是，實際上，由于以旋轉(zhuǎn)致動裝置4a為基點擺動的擺動臂4的頂端設(shè)置了磁頭，在以數(shù)據(jù)磁道的圓周方向的正交面為基準(zhǔn)的情況下，產(chǎn)生了表示磁頭位置偏移的扭曲角θ。
如上所述，例如，如果設(shè)定為與特定的數(shù)據(jù)磁道的圓周方向的正交面所成的角、即扭曲角θ為0度，則除此之外的磁道中必定產(chǎn)生扭曲角θ。另外，當(dāng)盤狀磁記錄介質(zhì)的最內(nèi)周的數(shù)據(jù)磁道的扭曲角θ為0時，盤狀磁記錄介質(zhì)的最外周的數(shù)據(jù)磁道就會產(chǎn)生最大的扭曲角θmax。
(磁記錄介質(zhì)的說明)接著，說明磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。
圖1是表示本發(fā)明中使用的盤狀磁記錄介質(zhì)1的整體形狀的概略平面圖；圖2是圖1的四角所圍的微小部分100的部分放大概略圖。圖2中，主要概念性地表示了記錄有伺服信號的區(qū)域、即伺服用信息部90及用于記錄再現(xiàn)的數(shù)據(jù)磁道組、即數(shù)據(jù)信息記錄部80。數(shù)據(jù)信息記錄部80中有配置為同心圓(或螺旋狀)的數(shù)據(jù)磁道80，伺服用信息部90中有預(yù)先配置好的多個伺服磁道90。
圖3概念性地表示了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的理想的實施方式(特別著眼于數(shù)據(jù)磁道)的剖視圖，圖3實質(zhì)上相當(dāng)于圖2的A-A剖視圖。
圖1中雖然沒有圖示出來，磁盤基板上以同心圓形狀配置、形成了用于記錄再現(xiàn)的多個數(shù)據(jù)磁道組。
另外，從磁盤中心向外放射狀形成了伺服信號區(qū)域(伺服用信息部90圖中描繪成放射線形狀的地方)。即，應(yīng)用了將盤面分割為扇區(qū)的、所謂的扇區(qū)伺服方式。磁記錄介質(zhì)的伺服用信息部90中利用伺服追蹤記錄器記錄了伺服信息。
如果說明伺服用信息部90的結(jié)構(gòu)，伺服用信息部90(所謂的伺服區(qū)域)如圖2所示，具備ISG部91、SVAM部92、格雷碼部93、資料組部94及pad部95。資料組部94是為了獲得使磁頭正確地跟蹤磁道位置所需的正確的位置信息所用的型態(tài)，通常由分別同等橫跨用來限制相鄰磁道間距的中心線而設(shè)置的第1資料組94a和第2資料組94b的組合、位于偏離該組合半個磁道間距的位置處的第3資料組94c和第4資料組94d的組合而構(gòu)成。
接著，基于圖3說明磁記錄介質(zhì)的理想的截面結(jié)構(gòu)實例。基本的截面結(jié)構(gòu)采用與數(shù)據(jù)磁道和伺服磁道實質(zhì)上相同的離散磁道結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中以數(shù)據(jù)磁道與磁頭的主磁極的關(guān)系為主。為此，數(shù)據(jù)磁道附近的結(jié)構(gòu)表示為圖3的截面圖，圖3亦可以作為例如圖2的A-A剖視圖。此外，假定在考慮圖2的B-B剖視圖的情況下，其形態(tài)與圖3的截面圖類似，可以使用圖3作為截面圖描述伺服磁道附近的結(jié)構(gòu)。
如圖3所示，磁記錄介質(zhì)數(shù)據(jù)磁道附近的結(jié)構(gòu)具備基板15、在該基板15上方形成的取向?qū)?4、在取向?qū)?4上方形成的軟磁性層11、在該軟磁性層11上方形成的中間層12、與在該中間層12的上方形成的凹凸?fàn)畹耐共肯喈?dāng)?shù)拇怪贝庞涗泴?0及與凹部相當(dāng)?shù)姆谴判詫?0、在這些之上形成的保護(hù)層13。另外，凹部的非磁性層也可以直達(dá)軟磁性層內(nèi)。
基板15適合使用玻璃基板、Nip涂層鋁合金基板、Si基板等。取向?qū)?4可以使用例如用來賦予朝向軟磁性層11的磁道寬度方向的磁各向異性磁場所需的PtMn等反強(qiáng)磁性材料。此外，也可以是用來控制取向的非磁性合金。
軟磁性層11有CoZrNb合金、Fe系合金、Co系非晶合金、軟磁性/非磁性層的多層膜、軟磁性鐵氧體等。
中間層12設(shè)置用來控制該中間層上方形成的垂直磁記錄層的垂直磁各向異性及結(jié)晶顆粒直徑，使用例如Ru、CoTi非磁性合金。此外，也可以使用具有同樣作用的非磁性金屬、合金或低透磁率合金。
凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10適合使用矩陣狀含有SiO2氧化物系材料中的CoPt等強(qiáng)磁性粒子的介質(zhì)、CoCr系合金、FePt合金、Co/Pd系人工格子型多層合金等。
凹部的非磁性層20的材料使用SiO2、Al2O3、TiO2、鐵氧體等非磁性氧化物、AIN等氮化物、SiC等碳化物。
凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10和凹部中填充的非磁性層20的表面上通常使用CVD法等形成碳薄膜等保護(hù)膜13。
基于凹凸型態(tài)的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10及非磁性層20的形成(所謂的離散型介質(zhì)的形成)是在例如將成膜為一定厚度的垂直磁記錄層10蝕刻為預(yù)定的凹凸形狀后濺射根據(jù)蝕刻深度的SiO2，填充蝕刻產(chǎn)生的凹部。其后，將介質(zhì)一邊旋轉(zhuǎn)一邊利用斜向粒子束蝕刻法等除去垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10上堆積的多余SiO2，使介質(zhì)表面整體平坦化。
圖4只將凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10示意性地表示為概略透視圖。凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10沿該層體的磁道圓周方向延伸。另外，本發(fā)明的磁道半徑方向的截面呈梯形形狀。后面敘述其理由。
在說明本發(fā)明的主要部分之前，基于圖5簡單說明垂直磁記錄介質(zhì)上使用單磁極(1個主磁極)型磁頭的垂直磁記錄的機(jī)制。圖5是在數(shù)據(jù)磁道上將單磁極型磁頭相對配置的形態(tài)，是將其沿磁道圓周方向剖開后的剖視圖，磁記錄介質(zhì)1上賦予的符號與圖3中所示的相同符號表示同一部件。
圖5中，磁頭5的線圈61中通上電流勵磁時，主磁極30的頂端與介質(zhì)的軟磁性層11之間產(chǎn)生垂直方向的磁場，由此在凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10上進(jìn)行垂直方向的磁記錄。流入介質(zhì)的軟磁性層11的磁通返回輔助磁極70，形成磁回路。
此外，圖5的實例中，遮蔽層75、75之間配置了用來讀取記錄下來的磁數(shù)據(jù)的GMR元件80。
從主磁極30進(jìn)行磁記錄操作時，主要根據(jù)主磁極30的形狀決定記錄磁化分布，但為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的——實現(xiàn)可靠性極高的高密度記錄，必須考慮主磁極30的形狀、凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10的形狀、扭曲角θ等的參數(shù)，同時設(shè)定能夠切實防止向相鄰磁道的不需要寫入的最適合的關(guān)系。
以下描述3個實施方式，并依次說明最適合的規(guī)格設(shè)定。
(第1實施方式的最優(yōu)設(shè)定的說明)圖8表示磁頭的懸浮面的主磁極30的輪廓線形狀，進(jìn)一步詳細(xì)來說，是從磁記錄介質(zhì)一側(cè)觀察磁頭時所看到的主磁極的輪廓線形狀。
盤狀磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向(所謂的磁盤旋轉(zhuǎn)方向)為從圖8的紙面下方朝向上方的箭頭55的方向。因此，圖8所示的主磁極30的輪廓線形狀為，從位于磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向的下游一側(cè)寬度為W1的后續(xù)側(cè)一端30a向上游一側(cè)寬度為W2的前導(dǎo)側(cè)一端30b寬度連續(xù)變窄的形狀，圖8所示的適合形狀為(逆)梯形形狀。磁頭的主磁極30的厚度(磁道圓周方向的長度)假定為t。
這樣的主磁極30的輪廓線形狀與凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10的位置關(guān)系以平面形式表示為圖9(A)。圖9(B)中表示了圖9(A)的A-A剖視圖，實質(zhì)上表示垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10的截面(省略非磁性層20的記述)。
如圖9(A)所示，凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10與主磁極30的配置關(guān)系為至少與磁記錄介質(zhì)的若干個數(shù)據(jù)磁道的圓周方向產(chǎn)生扭曲角θ。此外，假定磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)磁道間距為Tp，數(shù)據(jù)磁道的凸部垂直磁記錄層10的上表面寬度為Tw。
特別是，在圖9(A)中表示了主磁極30的寬度W2的前導(dǎo)側(cè)一端30b接觸到以扭曲角θ相鄰的數(shù)據(jù)磁道的頂端的狀態(tài)，當(dāng)主磁極30向相鄰數(shù)據(jù)磁道一側(cè)變位超過這一狀態(tài)的情況下，相鄰數(shù)據(jù)磁道的信息會被消除，因此這是不可取的。所以，至少如圖9(A)所示，扭曲角θ的最大值的限度為主磁極的一端與相鄰數(shù)據(jù)磁道接觸。
另外，如圖9(B)所示，本發(fā)明的凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10的磁道寬度方向(磁道半徑方向)的截面形狀為下部寬的梯形形狀，該梯形形狀的傾斜角度假定為η，凸部的垂直磁記錄層的厚度假定為δ。
基于這樣的參數(shù)設(shè)定的本發(fā)明的垂直磁記錄模型中，為了防止向相鄰磁道的不需要的寫入，實現(xiàn)極高的可靠性的高密度記錄，需要滿足下述所示算式1的關(guān)系。
算式1Tp-Tw≥(t2+(W1-W2)2/4)1/2·sin{θ-tan-1(W1-W2)/2t}+2δ/tanη…算式(1)在導(dǎo)出上述算式(1)時，基本的考慮方法是，(i)當(dāng)產(chǎn)生扭曲角θ時，前導(dǎo)側(cè)一端30b的角部進(jìn)入非磁性層20區(qū)域，一部分從如圖所示的數(shù)據(jù)磁道突出。此時，向非磁性層20區(qū)域的突出距離假定為y，如果確定該y不觸及鄰接的數(shù)據(jù)磁道的條件，即為Tp-Tw-2ΔW≥y。這里ΔW＝δ/tanη。
(ii)在圖9(a)中，突出距離y表示為y＝(t2+(W1-W2)2/4)1/2·sinβ，由于α＝tan-1(W1-W2)/2t、β＝θ-α，消去y、β、α，可得上述算式(1)，即Tp-Tw≥(t2+(W1-W2)2/4)1/2·sin{θ-tan-1(W1-W2)/2t}+2δ/tanη…算式(1)另外，作為前提條件，上述θ、W1、W2和t的關(guān)系需要滿足θ＞tan-1(W1-W2)/2·t。原因在于，如果不滿足該條件，磁道向相鄰磁道一側(cè)方向突出的部分就不存在，特別是，本申請要解決的問題就不會發(fā)生。
另外，后續(xù)側(cè)一端30a的寬度即使在產(chǎn)生了扭曲角θ的情況下，基本上需要維持?jǐn)?shù)據(jù)磁道寬度、并且要不觸及相鄰數(shù)據(jù)磁道地進(jìn)行操作，由此，作為前提條件，W1需要維持2Tp-Tw-2ΔW≥W1≥(Tw+2ΔW)/cosθmax的關(guān)系。
此外，在上述算式中，W1應(yīng)該考慮伺服位置誤差位移，設(shè)定為上限值(2Tp-Tw-2ΔW)的0.9倍、最好是0.8倍。
θmax是最大扭曲角。另外，如上所述，ΔW＝δ/tanη。
另外，本發(fā)明中，上述凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10的磁道寬度方向(磁道半徑方向)的截面呈下邊比上邊長的梯形形狀，其傾斜角度η為50～85度、最好是65～85度、進(jìn)一步最好是70～80度的角度范圍。如果傾斜角度不足50度，就有可能產(chǎn)生相對于自主磁極的記錄磁場記錄面增大、自相鄰磁道的記錄的影響增大、噪聲增大這些問題，另外，傾斜角度η超過85度后，就有產(chǎn)生傾斜面吸收、緩沖伺服誤差位移的作用難以發(fā)揮的問題的傾向。
(第2實施方式的最優(yōu)設(shè)定的說明)圖10表示磁頭的懸浮面的另一最優(yōu)的主磁極40的輪廓線形狀，進(jìn)一步詳細(xì)來說，是從磁記錄介質(zhì)一側(cè)觀察磁頭時所看到的主磁極的輪廓線形狀。
盤狀磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向(所謂的磁盤旋轉(zhuǎn)方向)為從圖10的紙面下方朝向上方的箭頭55的方向。圖10所示的主磁極40的輪廓線形狀具有從位于磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向的下游一側(cè)的寬度W1的后續(xù)側(cè)一端40a向上游一側(cè)以固定寬度延伸的第1四邊形部分41、以及與該第1四邊形部分41連接的同時形狀進(jìn)一步隨著靠近上游一側(cè)的寬度W2的前導(dǎo)側(cè)一端40b而寬度連續(xù)變窄的第2四邊形部分43。
如圖10所示，第1四邊形部分41呈寬度為W1、厚度(磁道圓周方向的長度)為t1的長方形形狀。另外，圖10所示的第2四邊形部分43呈從與第1四邊形部分41的連接部分(寬度為W1)隨著靠近上游一側(cè)的寬度W2的前導(dǎo)側(cè)一端40b而寬度連續(xù)變窄的厚度為t2的(逆)梯形形狀。
這樣的主磁極40的輪廓線形狀與凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10的位置關(guān)系以平面形式表示為圖11(A)。圖11(B)中表示了圖11(A)的A-A剖視圖，實質(zhì)上表示垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10的截面。
如圖11(A)所示，凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10與主磁極40的配置關(guān)系為至少與磁記錄介質(zhì)的若干個數(shù)據(jù)磁道的圓周方向產(chǎn)生扭曲角θ。此外，假定磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)磁道間距為Tp，數(shù)據(jù)磁道的凸部垂直磁記錄層10的上表面寬度為Tw。
另外，如圖11(B)所示，本發(fā)明的凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10的磁道寬度方向(磁道半徑方向)的截面形狀為下部寬的梯形形狀，該梯形形狀的傾斜角度假定為η，凸部的垂直磁記錄層的厚度假定為δ。
基于這樣的參數(shù)設(shè)定的本發(fā)明的垂直磁記錄模型中，為了防止向相鄰磁道的不需要的寫入，實現(xiàn)極高的可靠性的高密度記錄，需要滿足下述所示算式2的關(guān)系。
算式2Tp-Tw≥(t22+(W1-W2)2/4)1/2·sin{θ-tan-1(W1-W2)/2t2}+t1·sinθ+2δ/tanη…算式(2)
在導(dǎo)出上述算式(2)時，基本的考慮方法是，(i)當(dāng)產(chǎn)生扭曲角θ時，前導(dǎo)側(cè)一端40b的角部進(jìn)入非磁性層20區(qū)域，一部分從如圖所示的數(shù)據(jù)磁道突出。此時，向非磁性層20區(qū)域的突出距離為y+t1·sinθ。因此，如果確定該突出距離y+t1·sinθ不觸及鄰接的數(shù)據(jù)磁道的條件，即為Tp-Tw-2ΔW≥y+t1·sinθ。
這里，ΔW＝δ/tanη。
(ii)上述距離y表示為y＝(t22+(W1-W2)2/4)1/2·sinβ，由于α＝tan-1(W1-W2)/2t、β＝θ-α，消去y、β、α，可得上述算式(2)，即Tp-Tw≥(t22+(W1-W2)2/4)1/2·sin{θ-tan-1(W1-W2)/2t2}+t1·sinθ+2δ/tanη…算式(2)。
另外，作為前提條件，上述θ、W1、W2和t2的關(guān)系需要滿足θ＞tan-1(W1-W2)/2·t2。原因在于，如果不滿足該條件，磁道向相鄰磁道一側(cè)方向突出的部分就不存在，特別是，本申請要解決的問題就不會發(fā)生。
另外，后續(xù)側(cè)一端40a的寬度即使在產(chǎn)生了扭曲角θ的情況下，基本上需要維持?jǐn)?shù)據(jù)磁道寬度、并且要不觸及相鄰數(shù)據(jù)磁道地進(jìn)行操作，由此，作為前提條件，W1需要維持2Tp-Tw-2ΔW≥W1≥(Tw+2ΔW)/oosθmax的關(guān)系。
此外，在上述算式中，W1應(yīng)該考慮伺服位置誤差位移，設(shè)定為上限值(2Tp-Tw-2ΔW)的0.9倍、最好是0.8倍。
θmax是最大扭曲角。另外，如上所述，ΔW＝δ/tanη。
另外，本發(fā)明中，上述凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10的磁道寬度方向(磁道半徑方向)的截面呈下邊比上邊長的梯形形狀，其傾斜角度η為50～85度、理想是65～85度、更理想是70～80度的角度范圍。如果傾斜角度不足50度，就有可能產(chǎn)生相對自主磁極的記錄磁場記錄面增大、自相鄰磁道的記錄的影響增大、噪聲增大這些問題，另外，傾斜角度超過85度后，就有產(chǎn)生傾斜面吸收、緩沖伺服誤差位移的作用難以發(fā)揮的問題的傾向。
(第3實施方式的最優(yōu)設(shè)定的說明)圖12(A)表示磁頭的懸浮面的另一個理想的主磁極50的輪廓線形狀，同時也以平面形式表示了該主磁極50的輪廓線形狀與凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10的位置關(guān)系。圖12(B)中表示了圖12(A)的A-A剖視圖，實質(zhì)上表示垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10的截面。圖12(A)的主磁極50的輪廓線形狀是從磁記錄介質(zhì)一側(cè)觀察磁頭時所看到的主磁極的輪廓線形狀。盤狀磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向(所謂的磁盤旋轉(zhuǎn)方向)為從圖12(A)的紙面下方朝向上方的箭頭55的方向。
圖12(A)所示的主磁極50的輪廓線形狀具有從位于磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向的下游一側(cè)的寬度W1的后續(xù)側(cè)一端50a向上游一側(cè)以固定寬度延伸的第1四邊形部分51、以及與該第1四邊形部分51連接的同時形狀進(jìn)一步隨著靠近上游一側(cè)的前導(dǎo)側(cè)一端50b而寬度連續(xù)變窄的第2四邊形部分53。
如圖12(A)所示，第1四邊形部分51呈寬度為W1、厚度(磁道圓周方向的長度)為t1的長方形形狀。另外，第2四邊形部分53呈從與第1四邊形部分51的連接部分(寬度為W1)隨著靠近上游一側(cè)的寬度W2的前導(dǎo)側(cè)一端50b而寬度連續(xù)變窄的厚度為t2的(逆)梯形形狀。
如圖12(A)所示，凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10與主磁極50的配置關(guān)系為至少與磁記錄介質(zhì)的若干個數(shù)據(jù)磁道的圓周方向產(chǎn)生扭曲角θ。此外，假定磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)磁道間距為Tp，數(shù)據(jù)磁道的凸部垂直磁記錄層10的上表面寬度為Tw。
另外，如圖12(B)所示，本發(fā)明的凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10的磁道寬度方向(磁道半徑方向)的截面形狀為下部寬的梯形形狀，該梯形形狀的傾斜角度假定為η，凸部的垂直磁記錄層的厚度假定為δ。
圖12(A)所示的第3實施方式是扭曲角θ、W1、W2和t2的關(guān)系滿足θ＜tan-1(W1-W2)/2·t2的情況。
這種情況下，只有第1四邊形部分51(寬度為W1、厚度(磁道圓周方向的長度)為t1)的長方形形狀部分會影響到對相鄰磁道的不需要的寫入。第2四邊形部分53實質(zhì)上可以忽略。
基于這樣的參數(shù)設(shè)定的本發(fā)明的垂直磁記錄模型中，為了防止向相鄰磁道的不需要的寫入，實現(xiàn)極高的可靠性的高密度記錄，需要滿足下述所示算式3的關(guān)系。
算式3Tp-Tw≥t1·sinθ+2δ/tanη …算式(3)在導(dǎo)出上述算式(3)時，基本的考慮方法是，(i)當(dāng)產(chǎn)生了扭曲角θ時，接近第1四邊形部分51(寬度為W1、厚度(磁道圓周方向的長度)為t1)的長方形形狀部分的前導(dǎo)側(cè)的角部會進(jìn)入非磁性層20區(qū)域，一部分自如圖所示的數(shù)據(jù)磁道突出。此時，向非磁性層20區(qū)域的突出距離假定為y的話，則y＝t1·sinθ。因此，如果確定該突出距離t1·sinθ不觸及鄰接的數(shù)據(jù)磁道的條件，則Tp-Tw-2ΔW≥t1·sinθ。
這里ΔW＝δ/tanη，因此消去ΔW即得上述算式(3)。
另外，在該實施方式中，后續(xù)側(cè)一端50a的寬度即使在產(chǎn)生了扭曲角θ的情況下，基本上需要維持?jǐn)?shù)據(jù)磁道寬度、并且要不觸及相鄰數(shù)據(jù)磁道地進(jìn)行操作，由此，作為前提條件，W1需要維持2Tp-Tw-2ΔW≥W1≥(Tw+2ΔW)/cosθmax的關(guān)系。
此外，在上述算式中，W1應(yīng)該考慮伺服位置誤差位移，設(shè)定為上限值(2Tp-Tw-2ΔW)的0.9倍、最好是0.8倍。
θmax是最大扭曲角。另外，如上所述，ΔW＝δ/tanη。
另外，本發(fā)明中，上述凸部的垂直磁記錄層(數(shù)據(jù)磁道)10的磁道寬度方向(磁道半徑方向)的截面呈下邊比上邊長的梯形形狀，其傾斜角度η為50～85度、理想是65～85度、更理想是70～80度的角度范圍。如果傾斜角度不足50度，就有可能產(chǎn)生相對于自主磁極的記錄磁場記錄面增大、自相鄰磁道的記錄的影響增大、噪聲增大這些問題，另外，傾斜角度η超過85度后，就有可能產(chǎn)生傾斜面吸收、緩沖伺服誤差位移的作用難以發(fā)揮的問題。
以下通過具體實施實例進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明。
(磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu))
按照下述要點制作具備圖3所示的截面結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)磁道(及伺服磁道)的磁記錄介質(zhì)的樣品。
使用鏡面研磨后內(nèi)徑7.0mm、外徑27.4mm的1英寸玻璃盤基板15，在該基板15上形成15nm厚的PtMn層作為取向?qū)?4(基礎(chǔ)層14)，其上形成由CoZrNb構(gòu)成的厚度為150nm的軟磁性層11。
此外，取向?qū)?4是用來為軟磁性層11賦予磁道方向上的各向異性而形成的。接著，在軟磁性層11上形成由非磁性合金Ru構(gòu)成的厚度為8nm的中間層12。接著，其上形成厚度為15nm的垂直磁記錄層10后，為了制作預(yù)定的凹凸型態(tài)，進(jìn)行預(yù)定圖型的蝕刻處理。接著，為了填充蝕刻出來的凹部，濺射SiO2。
接著，將填充SiO2后的介質(zhì)一邊旋轉(zhuǎn)一邊進(jìn)行斜向粒子束蝕刻處理，除去垂直磁記錄層10上形成的多余的SiO2，使介質(zhì)表面平坦化。其上利用CVD法形成厚度為4nm的碳薄膜的保護(hù)膜13，進(jìn)一步涂敷1nm厚的Fomblin潤滑劑，完成介質(zhì)樣品的制作。
此外，垂直磁記錄層10使用在SiO2中的矩陣狀含有CoPt等強(qiáng)磁性粒子的材料。
此外，所用的垂直磁記錄層的飽和磁化Ms及殘留飽和磁化Mr為Ms＝350emu/cc(350kA/m)、Mr＝340emu/cc(340kA/m)。
用于上述預(yù)定的伺服區(qū)域及數(shù)據(jù)區(qū)域而凹凸加工的垂直磁記錄介質(zhì)為了磁化用來產(chǎn)生伺服信號磁場的凸部的垂直磁記錄層，設(shè)定令15kOe(1193kA/m)的直流磁場產(chǎn)生的電磁石的磁極之間盤面與磁極面平行，使伺服區(qū)域及數(shù)據(jù)區(qū)域的梯形形狀的垂直磁記錄層統(tǒng)一著磁，記錄伺服信號。
伺服信號的記錄密度為130K·FRPI(Flux Reversal Per Inch)。因此，數(shù)據(jù)區(qū)域的磁道間距Tp置為相當(dāng)于133.7K·TPI(Track PerInch)的190nm。
實驗規(guī)格分為以下3類，因此對其進(jìn)行個別說明。
(實驗規(guī)格1)使用如圖8所示的具有主磁極30的輪廓線形狀(頂端形狀梯形形狀)的寫入用的磁頭。主磁極30與數(shù)據(jù)磁道的關(guān)系如圖9(A)所示。
利用下述表1所示的數(shù)值改變規(guī)格中設(shè)定的主磁極、垂直磁記錄介質(zhì)、扭曲角θ的參數(shù)，執(zhí)行200kFRPI(Flux Reversal Per Inch)的記錄，在賦予扭曲角的條件下，使用再現(xiàn)磁頭(GMR再現(xiàn)元件)再現(xiàn)對相鄰數(shù)據(jù)磁道的影響，驗證滿足下述算式(1)的情況和不滿足的情況。對于再現(xiàn)磁頭的檢測結(jié)果，對相鄰數(shù)據(jù)磁道的記錄有影響的情況下表示為“有”，基本沒有影響的情況下表示為“無”。
算式1Tp-Tw≥(t2+(W1-W2)2/4)1/2·sin{θ-tan-1(W1-W2)/2t}+2δ/tanη…算式(1)在下述表1中，算式(1)的右邊如下所示表示為Y1*。
Y1*＝(t2+(W1-W2)2/4)1/2·sin{θ-tan-1(W1-W2)/2t}+2δ/tanη另外，本實驗方法中，為了檢測對相鄰數(shù)據(jù)磁道的不需要的寫入，使主磁極的記錄頻率不同于預(yù)先記錄在相鄰數(shù)據(jù)磁道中的記錄頻率，對相鄰數(shù)據(jù)磁道的寫入影響通過使用頻譜分析儀分離信號來驗證輸出值。
實驗規(guī)格1的實驗結(jié)果如下述表1所示。
表1

在表1所示的No.I-1的條件中，執(zhí)行記錄再現(xiàn)的結(jié)果為，主磁極30對相鄰數(shù)據(jù)磁道有不需要的寫入影響，在相鄰數(shù)據(jù)磁道中觀測到有預(yù)先寫入的信號的再現(xiàn)信號。這是因為，由于Tp-Tw＜Y1*，沒有滿足算式(1)的條件。
在No.I-2和No.I-3的條件中，對相鄰數(shù)據(jù)磁道的記錄沒有影響。這是因為，由于Tp-Tw≥Y1*，滿足算式(1)的條件。此外，No.I-2的條件中，Tp-Tw＝Y(jié)1*，扭曲角θ為最大值θmax。
另外，作為前提條件、規(guī)定W1的長度的條件為209.5(＝0.8×261.9)nm＞W(wǎng)1＞130.9nm滿足W1＝150nm。上述系數(shù)為0.8，但0.9、0.7也滿足條件。
表1所示的No.I-4～I(xiàn)-6為對No.I-1～I(xiàn)-3的條件，主磁極的厚度t增加了大約50nm，對t＝300nm的情況下對相鄰數(shù)據(jù)磁道的影響進(jìn)行調(diào)查的狀況。在No.I-4的條件中，執(zhí)行記錄再現(xiàn)的結(jié)果為，有自鄰接數(shù)據(jù)磁道的主磁極產(chǎn)生的記錄的影響，觀測到有記錄產(chǎn)生的再現(xiàn)信號。這是因為，由于Tp-Tw＜Y1*，沒有滿足算式(1)的條件。
在No.I-5和No.I-6的條件中，對相鄰數(shù)據(jù)磁道的記錄沒有影響。這是因為，由于Tp-Tw≥Y1*，滿足算式(1)的條件。此外，No.I-5的條件中，Tp-Tw＝Y(jié)1*，扭曲角θ為最大值θmax。
另外，在No.I-4～I(xiàn)-6中，作為前提條件、規(guī)定W1的長度的條件為219.5(＝0.8X 274.4)nm＞W(wǎng)1＞117.0nm滿足W1＝150nm。上述系數(shù)為0.8，但0.9、0.7也滿足條件。
如果增加主磁極30的厚度t，就需要增大Tp-Tw的裕度；如果固定Tp、W1及θmax，就需要減少Tw，設(shè)定較大的Tp-Tw裕度。
如本發(fā)明所示，在具有凹凸結(jié)構(gòu)的離散磁道中，由于凹部區(qū)域不存在垂直磁記錄層，主磁極的W1值能夠設(shè)定為大于通常沒有凹凸的連續(xù)介質(zhì)。
(實驗規(guī)格2)使用如圖10所示的具有主磁極40的輪廓線形狀的寫入用的磁頭。如圖10所示，第1四邊形部分41呈寬度為W1、厚度(磁道圓周方向的長度)為t1的長方形形狀。另外，第2四邊形部分43呈從與第1四邊形部分43的連接部分(寬度為W1)隨著靠近下游一側(cè)的寬度W2的前導(dǎo)側(cè)一端40b而寬度連續(xù)變窄的厚度為t2的(逆)梯形形狀。
主磁極40與數(shù)據(jù)磁道的關(guān)系如圖11(A)所示。
利用下述表2所示的數(shù)值改變規(guī)格中設(shè)定的主磁極、垂直磁記錄介質(zhì)、扭曲角θ的參數(shù)，執(zhí)行200kFRPI(Flux Reversal Per Inch)的記錄，在賦予扭曲角的條件下，使用再現(xiàn)磁頭(GMR再現(xiàn)元件)再現(xiàn)對相鄰數(shù)據(jù)磁道的影響，驗證滿足下述算式(2)的情況和不滿足的情況。對于再現(xiàn)磁頭的檢測結(jié)果，對相鄰數(shù)據(jù)磁道的記錄有影響的情況下表示為“有”，基本沒有影響的情況下表示為“無”。
算式2Tp-Tw≥(t22+(W1-W2)2/4)1/2·sin{θ-tab-1(W1-W2)/2t2}+t1·sinθ+2δ/tanη…算式(2)在下述表2中，算式(2)的右邊如下所示表示為Y2*。Y2*＝(t22+(W1-W2)2/4)1/2·sin[θ-tan-1(W1-W2)/2t2}+t1·sinθ+2δ/tanη另外，本實驗規(guī)格中，為了檢測對相鄰數(shù)據(jù)磁道的不需要的寫入，使主磁極的記錄頻率不同于預(yù)先記錄于相鄰數(shù)據(jù)磁道中的記錄頻率，對相鄰數(shù)據(jù)磁道的寫入影響通過使用頻譜分析儀分離信號來驗證輸出值。
實驗規(guī)格2的實驗結(jié)果如下述表2所示。



在表2所示的No.II-1的條件中，執(zhí)行記錄再現(xiàn)的結(jié)果為，主磁極30對相鄰數(shù)據(jù)磁道有不需要的寫入影響，在相鄰數(shù)據(jù)磁道中觀測到有預(yù)先寫入的信號的再現(xiàn)信號。這是因為，由于Tp-Tw＜Y2*，沒有滿足算式(2)的條件。
在No.II-2和No.II-3的條件中，對相鄰數(shù)據(jù)磁道的記錄沒有影響。這是因為，由于Tp-Tw≥Y2*，滿足算式(2)的條件。此外，No.II-2的條件中，Tp-Tw＝Y(jié)2*，扭曲角θ為最大值θmax。
另外，作為前提條件、規(guī)定W1的長度的條件為201.5(＝0.8×251.9)nm＞W(wǎng)1＞139.3nm滿足W1＝150nm。上述系數(shù)為0.8，但0.9、0.7也滿足條件，這已經(jīng)得到確認(rèn)。
表2所示的No.II-4～I(xiàn)I-6為對No.II-1～I(xiàn)I-3的條件，主磁極的厚度t為150nm，t2為150nm的情況下(整體增加了50nm)對相鄰數(shù)據(jù)磁道的影響進(jìn)行調(diào)查的狀況。在No.II-4的條件中，執(zhí)行記錄再現(xiàn)的結(jié)果為，有自鄰接數(shù)據(jù)磁道的主磁極產(chǎn)生的記錄的影響，觀測到有記錄產(chǎn)生的再現(xiàn)信號。這是因為，由于Tp-Tw＜Y2*，沒有滿足算式(2)的條件。
在No.II-5和No.II-6的條件中，對相鄰數(shù)據(jù)磁道的記錄沒有影響。這是因為，由于Tp-Tw≥Y2*，滿足算式(2)的條件。此外，No.II-5的條件中，Tp-Tw＝Y(jié)2*，扭曲角θ為最大值θmax。
另外，在No.II-4～I(xiàn)I-6中，作為前提條件、規(guī)定W1的長度的條件為224(＝0.8×280)nm＞W(wǎng)1＞117.6nm滿足W1＝150nm。上述系數(shù)為0.8，但0.9、0.7也滿足條件，這已經(jīng)得到確認(rèn)。
如果增加主磁極的總厚度t1+t2，就需要增大Tp-Tw的裕度；如果固定Tp、W1及θmax，就需要減少Tw，設(shè)定較大的Tp-Tw裕度。
如本發(fā)明所示，在具有凹凸結(jié)構(gòu)的離散磁道中，由于凹部區(qū)域不存在垂直磁記錄層，主磁極的W1值能夠設(shè)定為大于通常沒有凹凸的連續(xù)介質(zhì)。
(實驗規(guī)格3)使用如圖12(A)所示的具有主磁極50的輪廓線形狀的寫入用的磁頭。如圖12(A)所示，第1四邊形部分51呈寬度為W1、厚度(磁道圓周方向的長度)為t1的長方形形狀。另外，第2四邊形部分53呈從與第1四邊形部分51的連接部分(寬度為W1)隨著靠近下游一側(cè)的寬度W2的前導(dǎo)側(cè)一端50b而寬度連續(xù)變窄的厚度為t2的(逆)梯形形狀。
實驗規(guī)格3與上述實驗規(guī)格2相比，是扭曲角θ、W1、W2和t2的關(guān)系滿足θ＜tan-1(W1-W2)/2·t2的情況。這種情況下，只有第1四邊形部分51(寬度為W1、厚度(磁道圓周方向的長度)為t1)的長方形形狀部分會影響到向相鄰磁道的不需要的寫入。第2四邊形部分53實質(zhì)上可以忽略。
利用下述表3所示的數(shù)值改變規(guī)格中設(shè)定的主磁極、垂直磁記錄介質(zhì)、扭曲角θ的參數(shù)，執(zhí)行200kFRPI(Flux Reversal Per Inch)的記錄，在賦予扭曲角的條件下，使用再現(xiàn)磁頭(GMR再現(xiàn)元件)再現(xiàn)對相鄰數(shù)據(jù)磁道的影響，驗證滿足下述算式(3)的情況和不滿足的情況。對于再現(xiàn)磁頭的檢測結(jié)果，對相鄰數(shù)據(jù)磁道的記錄有影響的情況下表示為“有”，基本沒有影響的情況下表示為“無”。
算式3Tp-Tw≥t1·sinθ+2δ/tanη…算式(3)在下述表3中，算式(3)的右邊如下所示表示為Y3*。
Y3*＝t1·sinθ+2δ/tanη另外，本實驗方法中，為了檢測對相鄰數(shù)據(jù)磁道的不需要的寫入，使主磁極的記錄頻率不同于預(yù)先記錄在相鄰數(shù)據(jù)磁道中的記錄頻率，對相鄰數(shù)據(jù)磁道的寫入影響通過使用頻譜分析儀分離信號來驗證輸出值。
實驗規(guī)格3的實驗結(jié)果如下述表3所示。


在表3所示的No.III-1的條件中，執(zhí)行記錄再現(xiàn)的結(jié)果為，主磁極對相鄰數(shù)據(jù)磁道有不需要的寫入影響，在相鄰數(shù)據(jù)磁道中觀測到有預(yù)先寫入的信號的再現(xiàn)信號。這是因為，由于Tp-Tw＜Y3*，沒有滿足算式(3)的條件。
在No.III-2和No.III-3的條件中，對相鄰數(shù)據(jù)磁道的記錄沒有影響。這是因為，由于Tp-Tw≥Y3*，滿足算式(3)的條件。此外，No.III-2的條件中，Tp-Tw＝Y(jié)3*，扭曲角θ為最大值θmax。
另外，作為前提條件、規(guī)定W1的長度的條件為217.5(＝0.8×271.9)nm＞W(wǎng)1＞118.5nm滿足W1＝150nm。上述系數(shù)為0.8，但0.9、0.7也滿足條件，這已經(jīng)得到確認(rèn)。
根據(jù)以上的實驗結(jié)果，本發(fā)明的效果顯而易見。即，本發(fā)明是一種具備具有主磁極的磁頭、在數(shù)據(jù)磁道和伺服磁道中具有預(yù)定的凹凸結(jié)構(gòu)的離散型磁記錄介質(zhì)、用來驅(qū)動磁記錄介質(zhì)按固定方向旋轉(zhuǎn)并同時可以使磁頭沿磁記錄介質(zhì)的大致半徑方向移動的驅(qū)動裝置主體的磁記錄再現(xiàn)裝置；使用預(yù)定的算式規(guī)定用來確定數(shù)據(jù)磁道的預(yù)定的凹凸形狀的參數(shù)、用來確定主磁極的參數(shù)、與扭曲角的關(guān)系，在此范圍內(nèi)通過設(shè)定磁記錄再現(xiàn)裝置的規(guī)格，能夠防止向相鄰磁道的不需要寫入、實現(xiàn)可靠性極高的高密度記錄。
特別是本發(fā)明的磁記錄裝置能夠裝備到計算機(jī)中使用，可用于信息記錄的裝置產(chǎn)業(yè)。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，是一種具備至少具有主磁極的磁頭、磁記錄介質(zhì)、用來驅(qū)動上述磁記錄介質(zhì)按固定方向旋轉(zhuǎn)并同時可以使上述磁頭沿磁記錄介質(zhì)的大致半徑方向移動的驅(qū)動裝置主體的磁記錄再現(xiàn)裝置，上述磁記錄介質(zhì)是一種具有用來記錄數(shù)據(jù)信息的數(shù)據(jù)磁道及用來記錄追蹤用的伺服信息的伺服磁道、這些磁道組以預(yù)定的凹凸型態(tài)分割為多個記錄元素而形成的離散介質(zhì)，上述磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)磁道和伺服磁道由凸部的垂直磁記錄層構(gòu)成，凸部的垂直磁記錄層的磁道寬度方向、即、磁道半徑方向的截面具有梯形形狀，位于上述磁頭的懸浮面的上述主磁極的輪廓線形狀為從位于磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向的下游一側(cè)的后續(xù)側(cè)一端向上游一側(cè)的前導(dǎo)側(cè)一端寬度連續(xù)變窄的形狀，上述磁記錄介質(zhì)與上述磁頭的配置關(guān)系為至少與磁記錄介質(zhì)的若干個數(shù)據(jù)磁道的圓周方向產(chǎn)生扭曲角θ，如果上述磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)磁道間距為Tp，該數(shù)據(jù)磁道的凸部垂直磁記錄層的上表面寬度為Tw，上述磁頭的主磁極的后續(xù)側(cè)一端的寬度為W1，前導(dǎo)側(cè)一端的寬度為W2，上述磁頭的主磁極的厚度、即、磁道圓周方向的長度為t，上述凸部的垂直磁記錄層的磁道寬度方向、即、磁道半徑方向的截面的梯形形狀的傾斜角度為η，上述凸部的垂直磁記錄層的厚度為δ時，作為前提條件，在上述θ、W1、W2和t的關(guān)系滿足θ＞tan-1(W1-W2)/2·t的情況下，滿足下述算式(1)的關(guān)系。算式1Tp-Tw≥(t2+(W1-W2)2/4)1/2·sin{θ-tan-1(W1-W2)/2t}+2δ/tanη...算式(1)
2.如權(quán)利要求1所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其上述凸部的垂直磁記錄層構(gòu)成的數(shù)據(jù)磁道及伺服磁道的下部敷設(shè)了軟磁性層，用來輔助垂直方向的磁場。
3.如權(quán)利要求2所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其上述磁頭的主磁極產(chǎn)生的記錄磁場以垂直方法穿過凸部的垂直磁記錄層，在該垂直磁記錄層發(fā)揮垂直磁記錄的作用，同時，穿過軟磁性層返回輔助磁極。
4.如權(quán)利要求1所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其位于上述磁頭的懸浮面的上述主磁極的輪廓線形狀為從位于磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向的下游一側(cè)的后續(xù)側(cè)一端向上游一側(cè)的前導(dǎo)側(cè)一端寬度連續(xù)變窄的梯形形狀。
5.如權(quán)利要求1所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，當(dāng)前提條件是最大扭曲角為θmax時，滿足下述算式(1-2)的條件算式1-22Tp-Tw-2ΔW≥W1≥(Tw+2ΔW)/cosθmax...算式(1-2)其中，ΔW＝δ/tanη。
6.一種磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，是一種具備至少具有主磁極的磁頭、磁記錄介質(zhì)、用來驅(qū)動上述磁記錄介質(zhì)按固定方向旋轉(zhuǎn)并同時可以使上述磁頭沿磁記錄介質(zhì)的大致半徑方向移動的驅(qū)動裝置主體的磁記錄再現(xiàn)裝置，上述磁記錄介質(zhì)是一種具有用來記錄數(shù)據(jù)信息的數(shù)據(jù)磁道及用來記錄追蹤用的伺服信息的伺服磁道、這些磁道組以預(yù)定的凹凸型態(tài)分割為多個記錄元素而形成的離散介質(zhì)，上述磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)磁道和伺服磁道由凸部的垂直磁記錄層構(gòu)成，凸部的垂直磁記錄層的磁道寬度方向、即、磁道半徑方向的截面具有梯形形狀，位于上述磁頭的懸浮面的上述主磁極的輪廓線形狀具有從位于磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向的下游一側(cè)的后續(xù)側(cè)一端向上游一側(cè)以固定寬度延伸的第1四邊形部分、以及與該第1四邊形部分連接的同時形狀進(jìn)一步隨著靠近上游一側(cè)的前導(dǎo)側(cè)一端而寬度連續(xù)變窄的第2四邊形部分，上述磁記錄介質(zhì)與上述磁頭的配置關(guān)系為至少與磁記錄介質(zhì)的若干個數(shù)據(jù)磁道的圓周方向產(chǎn)生扭曲角θ，如果上述磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)磁道間距為Tp，該數(shù)據(jù)磁道的凸部垂直磁記錄層的上表面寬度為Tw，上述磁頭的主磁極的第1四邊形部分的后續(xù)側(cè)一端的寬度為W1，該第1四邊形部分的厚度、即、磁道圓周方向的長度為t1，上述磁頭的主磁極的第2四邊形部分的前導(dǎo)側(cè)一端的寬度為W2，該第2四邊形部分的厚度、即、磁道圓周方向的長度為t2，上述凸部的垂直磁記錄層的磁道寬度方向、即、磁道半徑方向的截面的梯形形狀的傾斜角度為η，上述凸部的垂直磁記錄層的厚度為δ，作為前提條件，在上述θ、W1、W2和t2的關(guān)系滿足θ＞tan-1(W1-W2)/2·t2的情況下，滿足下述算式(2)的關(guān)系。算式2Tp-Tw≥(t22+(W1-W2)2/4)1/2·sin{θ-tan-1(W1-W2)/2t2}+t1·sinθ+2δ/tanη...算式(2)
7.如權(quán)利要求6所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其上述凸部的垂直磁記錄層構(gòu)成的數(shù)據(jù)磁道及伺服磁道的下部敷設(shè)了軟磁性層，用來輔助垂直方向的磁場。
8.如權(quán)利要求7所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其上述磁頭的主磁極產(chǎn)生的記錄磁場以垂直方法穿過凸部的垂直磁記錄層，在該垂直磁記錄層發(fā)揮垂直磁記錄的作用，同時，穿過軟磁性層返回輔助磁極。
9.如權(quán)利要求6所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其位于上述磁頭的懸浮面的上述主磁極的輪廓線形狀的第2四邊形部分為從磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向的下游一側(cè)向上游一側(cè)的前導(dǎo)側(cè)一端寬度連續(xù)變窄的梯形形狀。
10.如權(quán)利要求6所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，當(dāng)前提條件是最大扭曲角為θmax時，滿足下述算式(1-2)的條件算式1-22Tp-Tw-2ΔW≥W1≥(Tw+2ΔW)/cosθmax...算式(1-2)其中，ΔW＝δ/tanη。
11.一種磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，是一種具備至少具有主磁極的磁頭、磁記錄介質(zhì)、用來驅(qū)動上述磁記錄介質(zhì)按固定方向旋轉(zhuǎn)并同時可以使上述磁頭沿磁記錄介質(zhì)的大致半徑方向移動的驅(qū)動裝置主體的磁記錄再現(xiàn)裝置，上述磁記錄介質(zhì)是一種具有用來記錄數(shù)據(jù)信息的數(shù)據(jù)磁道及用來記錄追蹤用的伺服信息的伺服磁道、這些磁道組以預(yù)定的凹凸型態(tài)分割為多個記錄元素而形成的離散介質(zhì)，上述磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)磁道和伺服磁道由凸部的垂直磁記錄層構(gòu)成，凸部的垂直磁記錄層的磁道寬度方向、即、磁道半徑方向的截面具有梯形形狀，位于上述磁頭的懸浮面的上述主磁極的輪廓線形狀具有從位于磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向的下游一側(cè)的后續(xù)側(cè)一端向上游一側(cè)以固定寬度延伸的第1四邊形部分、以及與該第1四邊形部分連接的同時形狀進(jìn)一步隨著靠近上游一側(cè)的前導(dǎo)側(cè)一端而寬度連續(xù)變窄的第2四邊形部分，上述磁記錄介質(zhì)與上述磁頭的配置關(guān)系為至少與磁記錄介質(zhì)的若干個數(shù)據(jù)磁道的圓周方向產(chǎn)生扭曲角θ，如果上述磁記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)磁道間距為Tp，該數(shù)據(jù)磁道的凸部垂直磁記錄層的上表面寬度為Tw，上述磁頭的主磁極的第1四邊形部分的后續(xù)側(cè)一端的寬度為W1，該第1四邊形部分的厚度、即、磁道圓周方向的長度為t1，上述磁頭的主磁極的第2四邊形部分的前導(dǎo)側(cè)一端的寬度為W2，該第2四邊形部分的厚度、即、磁道圓周方向的長度為t2，上述凸部的垂直磁記錄層的磁道寬度方向、即、磁道半徑方向的截面的梯形形狀的傾斜角度為η，上述凸部的垂直磁記錄層的厚度為δ，作為前提條件，在上述θ、W1、W2和t 2的關(guān)系滿足θ＜tan-1(W1-W2)/2·t2的情況下，滿足下述算式(3)的關(guān)系。算式3Tp-Tw≥t1·sinθ+2δ/tanη...算式(3)
12.如權(quán)利要求11所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其上述凸部的垂直磁記錄層構(gòu)成的數(shù)據(jù)磁道及伺服磁道的下部敷設(shè)了軟磁性層，用來輔助垂直方向的磁場。
13.如權(quán)利要求12所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其上述磁頭的主磁極產(chǎn)生的記錄磁場以垂直方法穿過凸部的垂直磁記錄層，在該垂直磁記錄層發(fā)揮垂直磁記錄的作用，同時，穿過軟磁性層返回輔助磁極。
14.如權(quán)利要求11所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其位于上述磁頭的懸浮面的上述主磁極的輪廓線形狀的第2四邊形部分為從磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向的下游一側(cè)向上游一側(cè)的前導(dǎo)側(cè)一端寬度連續(xù)變窄的梯形形狀。
15.如權(quán)利要求11所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，當(dāng)前提條件是最大扭曲角為θmax時，滿足下述算式(1-2)的條件算式1-22Tp-Tw-2ΔW≥W1≥(Tw+2ΔW)/cosθmax...算式(1-2)其中，ΔW＝δ/tanη。
16.如權(quán)利要求1所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其上述凸部的垂直磁記錄層的磁道寬度方向、即、磁道半徑方向的截面的梯形形狀的傾斜角度η處于50～85度的角度范圍。
17.如權(quán)利要求6所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其上述凸部的垂直磁記錄層的磁道寬度方向、即、磁道半徑方向的截面的梯形形狀的傾斜角度η處于50～85度的角度范圍。
18.如權(quán)利要求11所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其上述凸部的垂直磁記錄層的磁道寬度方向、即、磁道半徑方向的截面的梯形形狀的傾斜角度η處于50～85度的角度范圍。
19.如權(quán)利要求1所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其上述記錄數(shù)據(jù)信息的數(shù)據(jù)磁道及記錄追蹤用的伺服信息的伺服磁道是以預(yù)定的凹凸型態(tài)分割為多個記錄元素而形成的離散介質(zhì)，凹部填充了用于發(fā)揮離散作用的非磁性材料。
20.如權(quán)利要求6所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其上述記錄數(shù)據(jù)信息的數(shù)據(jù)磁道及記錄追蹤用的伺服信息的伺服磁道是以預(yù)定的凹凸型態(tài)分割為多個記錄元素而形成的離散介質(zhì)，凹部填充了用于發(fā)揮離散作用的非磁性材料。
21.如權(quán)利要求11所述的磁記錄再現(xiàn)裝置，其上述記錄數(shù)據(jù)信息的數(shù)據(jù)磁道及記錄追蹤用的伺服信息的伺服磁道是以預(yù)定的凹凸型態(tài)分割為多個記錄元素而形成的離散介質(zhì)，凹部填充了用于發(fā)揮離散作用的非磁性材料。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具備具有主磁極的磁頭、在數(shù)據(jù)磁道和伺服磁道中具有預(yù)定的凹凸結(jié)構(gòu)的離散型磁記錄介質(zhì)、用來驅(qū)動磁記錄介質(zhì)按固定方向旋轉(zhuǎn)并同時可以使磁頭沿磁記錄介質(zhì)的大致半徑方向移動的驅(qū)動裝置主體的磁記錄再現(xiàn)裝置；使用預(yù)定的算式規(guī)定用來確定數(shù)據(jù)磁道的預(yù)定的凹凸形狀的參數(shù)、用來確定主磁極的參數(shù)、與扭曲角的關(guān)系，在此范圍內(nèi)設(shè)定磁記錄再現(xiàn)裝置的規(guī)格，能夠防止向相鄰磁道的不需要寫入、實現(xiàn)極高的可靠性的高密度記錄。
文檔編號G11B5/187GK1779785SQ20051010764
公開日2006年5月31日 申請日期2005年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月29日
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