專利名稱：整合預(yù)解碼機(jī)制與選擇性預(yù)充電機(jī)制的存儲(chǔ)電路及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可整合行預(yù)解碼機(jī)制與選擇性行聯(lián)機(jī)/位線預(yù)充電的存儲(chǔ)電路及相關(guān)方法，特別涉及一種在數(shù)據(jù)存取期間可依據(jù)行預(yù)解碼結(jié)果而獨(dú)立地使不同行聯(lián)機(jī)/位線選擇性地進(jìn)行/不進(jìn)行預(yù)充電以降低預(yù)充電功率消耗的存儲(chǔ)電路及相關(guān)方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)代信息社會(huì)中，各種文件、數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)都能以電子信號(hào)的方式來傳輸、管理與儲(chǔ)存，而各種各樣可進(jìn)行數(shù)據(jù)存取的內(nèi)存/存儲(chǔ)電路，也就成為各種電子裝置/信息裝置的必備硬件電路。其中，只讀性的只讀存儲(chǔ)電路，由于其能以非揮發(fā)性的方式來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，其應(yīng)用范圍更為廣泛。譬如說，在數(shù)字信號(hào)處理的電路/芯片中，或是在手機(jī)內(nèi)用來進(jìn)行信號(hào)編碼/調(diào)制的通信芯片中，都會(huì)設(shè)置只讀存儲(chǔ)電路來儲(chǔ)存信號(hào)處理的程序代碼(code)或其它必需的參數(shù)及向量(vector)。由于只讀存儲(chǔ)電路的用途廣泛，其發(fā)展也就成為現(xiàn)代信息廠商的研發(fā)重點(diǎn)之一。
如熟悉技術(shù)者所知，存儲(chǔ)電路中會(huì)設(shè)有多個(gè)分別用來儲(chǔ)存一位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元，這些存儲(chǔ)單元可經(jīng)由列聯(lián)機(jī)-行聯(lián)機(jī)(也就是字符線-位線)的行列連接排列為矩陣。選擇性地使某一給定位線電連接于存儲(chǔ)電路中的感測(cè)放大器(所謂的電連接即代表該位線可將電子信號(hào)傳輸至感測(cè)放大器)，并使其它位線不電連接于該感測(cè)放大器(也就是不能將電子信號(hào)傳輸至感測(cè)放大器)，再使能某一給定字符在線連接的存儲(chǔ)單元，就能使該給定字符線與該給定位在線交叉定位出的存儲(chǔ)單元開始將其儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)傳輸至感測(cè)放大器，以針對(duì)該存儲(chǔ)單元進(jìn)行數(shù)據(jù)存取。
更具體地說，在只讀存儲(chǔ)電路中，儲(chǔ)存有不同數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元會(huì)對(duì)其所連接的位線具有不同程度的電力(像是電流)導(dǎo)通能力。當(dāng)要進(jìn)行上述的數(shù)據(jù)存取時(shí)，在經(jīng)由給定字符線使能欲存取的存儲(chǔ)單元后，被使能的存儲(chǔ)單元就能對(duì)其所連接的位線發(fā)揮電力導(dǎo)通能力，使該位在線的電力電平(像是電壓電平)可根據(jù)該存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)內(nèi)容而改變或不改變；而給定位線與感測(cè)放大器間的電連接就能將給定位線的電力電平傳輸至感測(cè)放大器，使感測(cè)放大器能根據(jù)給定位在線的電力電平來判斷該欲存取存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)(等效上，存儲(chǔ)單元就是在使能后將其所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)傳輸至其所連接的位在線)。為了配合此種數(shù)據(jù)判讀方式，在將欲讀取存儲(chǔ)單元使能之前，必需要先將位在線的電力電平預(yù)充電至一預(yù)設(shè)電平。在使能后，若欲讀取存儲(chǔ)單元具有高電力導(dǎo)通能力，就能將其對(duì)應(yīng)位線的電力電平由該預(yù)設(shè)電平拉低至某一程度，而感測(cè)放大器就能判斷出該存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存的是數(shù)字「0」。反之，若位在線的電力電平幾乎維持在預(yù)充電時(shí)的預(yù)設(shè)電平，感測(cè)放大器就能判斷出該存儲(chǔ)單元的電力導(dǎo)通能力極低，其儲(chǔ)存的是相反的數(shù)字「1」。
換句話說，對(duì)位線/行聯(lián)機(jī)預(yù)充電是存儲(chǔ)電路(尤其是只讀存儲(chǔ)電路)進(jìn)行數(shù)據(jù)存取時(shí)必備的步驟。不過，在現(xiàn)行現(xiàn)有技術(shù)的只讀存儲(chǔ)電路中，現(xiàn)有只讀存儲(chǔ)電路會(huì)在存取時(shí)統(tǒng)一對(duì)存儲(chǔ)單元矩陣中的所有位線(行聯(lián)機(jī))進(jìn)行預(yù)充電；即使只要存取單一位在線的某一存儲(chǔ)單元，現(xiàn)有只讀存儲(chǔ)電路還是會(huì)將所有位線都預(yù)充電至預(yù)設(shè)電平。由于所有的位線都要預(yù)充電，勢(shì)必要消耗較多的功率與能量來進(jìn)行預(yù)充電，這也使得現(xiàn)有只讀存儲(chǔ)電路會(huì)在數(shù)據(jù)存取時(shí)消耗較多的功率，不利于只讀存儲(chǔ)電路的低功率運(yùn)用。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的主要目的，即是要提出一種能在數(shù)據(jù)存取時(shí)可依據(jù)行預(yù)解碼結(jié)果來獨(dú)立地使不同行聯(lián)機(jī)/位線選擇性地進(jìn)行/不進(jìn)行預(yù)充電的存儲(chǔ)電路配置與相關(guān)的操控方法/技術(shù)，以降低預(yù)充電的功率消耗，使存儲(chǔ)電路(只讀存儲(chǔ)電路)能以較低的功率順利地完成數(shù)據(jù)存取。
如熟悉技術(shù)者所知，存儲(chǔ)電路中的各個(gè)存儲(chǔ)單元都有對(duì)應(yīng)的地址；當(dāng)要在存儲(chǔ)電路的眾多存儲(chǔ)單元中存取某一給定存儲(chǔ)單元時(shí)，存儲(chǔ)電路會(huì)針對(duì)該給定存儲(chǔ)單元的地址進(jìn)行列解碼與行解碼，找出該給定存儲(chǔ)單元所連接到的字符線與位線(也就是列聯(lián)機(jī)與行聯(lián)機(jī))。一般來說，為了降低列/行解碼機(jī)制的電路復(fù)雜程度，列/行解碼機(jī)制會(huì)先進(jìn)行預(yù)解碼(pre-decoding)，再利用預(yù)解碼的結(jié)果來明確定位出欲存取存儲(chǔ)單元所連接的列/行聯(lián)機(jī)。以行解碼機(jī)制為例來說明，假設(shè)某一存儲(chǔ)單元矩陣中共有32條行聯(lián)機(jī)，代表每個(gè)行聯(lián)機(jī)上的存儲(chǔ)單元可用5位的行地址來尋址其所連接的行聯(lián)機(jī)(因?yàn)?的5次方＝32)。這32條行聯(lián)機(jī)可以進(jìn)一步被歸類于4組，每組有8條行聯(lián)機(jī)；也就是說，第1至第8條行聯(lián)機(jī)為第1組，第9至第16條行聯(lián)機(jī)則可視為第2組中的第1至第8條行聯(lián)機(jī)，第17至第24條行聯(lián)機(jī)則是第3組中的第1至第8條行聯(lián)機(jī)，以此類推。對(duì)應(yīng)于此種分組，5位行地址也可被分為2位的高階地址與3位的低階地址。當(dāng)要尋址某一行聯(lián)機(jī)時(shí)，行預(yù)解碼就是經(jīng)由高階地址解碼出該行聯(lián)機(jī)屬于哪一組，并經(jīng)由低階地址解碼出該行聯(lián)機(jī)屬于該組中的第幾條行聯(lián)機(jī)；完成行預(yù)解碼后，就可根據(jù)高低階地址的解碼結(jié)果來進(jìn)一步解碼出該行聯(lián)機(jī)屬于矩陣中的哪一條行聯(lián)機(jī)。譬如說，若對(duì)某一行聯(lián)機(jī)的行地址進(jìn)行行預(yù)解碼后，發(fā)現(xiàn)該行地址指示的行聯(lián)機(jī)是屬于第2組中的第3條行聯(lián)機(jī)，就可進(jìn)一步解碼出，該行聯(lián)機(jī)是32條行聯(lián)機(jī)中的第11條行聯(lián)機(jī)。以電路來實(shí)際實(shí)現(xiàn)上述的行解碼機(jī)制時(shí)，就可先經(jīng)由一行預(yù)解碼器來對(duì)行地址中的高/低階地址分別解碼，再利用一行解碼器來根據(jù)高/低階地址的解碼結(jié)果實(shí)際定位出特定的行聯(lián)機(jī)。根據(jù)行地址解碼出所屬的行聯(lián)機(jī)后，存儲(chǔ)裝置中的行多路復(fù)用機(jī)制就可使該行聯(lián)機(jī)電連接于感測(cè)放大器(并使其它的行聯(lián)機(jī)就不會(huì)電連接于感測(cè)放大器)。
而在本發(fā)明要實(shí)現(xiàn)選擇性的位線/行聯(lián)機(jī)預(yù)充電時(shí)，就可將預(yù)充電的控制機(jī)制、行聯(lián)機(jī)的行預(yù)解碼與行多路復(fù)用機(jī)制結(jié)合為一。譬如說，當(dāng)本發(fā)明要實(shí)現(xiàn)于32條行聯(lián)機(jī)的存儲(chǔ)單元矩陣中時(shí)，就可在每條行聯(lián)機(jī)上設(shè)有一低階存取單元，而同一組的8條行聯(lián)機(jī)還要經(jīng)由同一高階存取單元的導(dǎo)通才能連接至感測(cè)放大器。換句話說，每條行聯(lián)機(jī)上的存儲(chǔ)單元要經(jīng)由低階存取單元、高階存取單元的導(dǎo)通才能電連接至感測(cè)放大器；而低階/高階存取單元是否導(dǎo)通，就由行預(yù)解碼器對(duì)低/高階地址解碼的結(jié)果來控制。除了以低階/高階存取單元來實(shí)現(xiàn)行多路復(fù)用機(jī)制之外，本發(fā)明還在每條行聯(lián)機(jī)上設(shè)置一對(duì)應(yīng)的控制單元及一對(duì)應(yīng)的預(yù)充電單元；每一控制單元可匯整行預(yù)解碼器的低/高階地址解碼結(jié)果，以控制其對(duì)應(yīng)的預(yù)充電單元要不要進(jìn)行預(yù)充電。舉例來說，當(dāng)要存取某一給定存儲(chǔ)單元時(shí)，假設(shè)行預(yù)解碼器解碼出該存儲(chǔ)單元所連接的行聯(lián)機(jī)為第2組中的第3條行聯(lián)機(jī)；根據(jù)此一預(yù)解碼結(jié)果，行多路復(fù)用機(jī)制中第2組的高階存取單元與第2組中第3條行聯(lián)機(jī)上的低階存取單元就會(huì)導(dǎo)通，而第2組中第3條行聯(lián)機(jī)上的控制單元也就可使對(duì)應(yīng)的預(yù)充電單元對(duì)此行聯(lián)機(jī)進(jìn)行預(yù)充電。在此同時(shí)，其它行聯(lián)機(jī)上的低階/高階存取單元必定不會(huì)兩者皆導(dǎo)通；而這些行聯(lián)機(jī)上的控制單元就不會(huì)使對(duì)應(yīng)的預(yù)充電單元進(jìn)行預(yù)充電。譬如說，在第1組的第3條行聯(lián)機(jī)上，其低階存取單元導(dǎo)通但高階存取單元不導(dǎo)通；第2組的第1條行聯(lián)機(jī)上則是低階存取單元不導(dǎo)通但高階存取單元導(dǎo)通；這些行聯(lián)機(jī)都會(huì)因?yàn)橛幸淮嫒卧粚?dǎo)通而不會(huì)電連接至感測(cè)放大器，也不會(huì)進(jìn)行預(yù)充電。
換句話說，行預(yù)解碼機(jī)制本來就是要找出欲存取存儲(chǔ)單元所連接的行聯(lián)機(jī)，而本發(fā)明就可直接利用其預(yù)解碼的結(jié)果來獨(dú)立地控制各行聯(lián)機(jī)需不需要預(yù)充電，達(dá)到本發(fā)明選擇性行聯(lián)機(jī)(位線)預(yù)充電的功能。另外，本發(fā)明還可整合行解碼機(jī)制與行多路復(fù)用機(jī)制中高/低階的多階存取單元配置，直接以行預(yù)解碼結(jié)果來控制行聯(lián)機(jī)是否電連接至感測(cè)放大器，這樣不僅能達(dá)到選擇性行預(yù)充電的省電效果，還可取消行預(yù)解碼器后用來進(jìn)一步解碼的行解碼器，省去行解碼器的相關(guān)電路。


圖1為一典型存儲(chǔ)電路的示意圖。
圖2為本發(fā)明存儲(chǔ)電路一實(shí)施例的功能方塊示意圖。
圖3為圖2中存儲(chǔ)電路運(yùn)作時(shí)相關(guān)信號(hào)波形時(shí)序的示意圖。
圖4示意了本發(fā)明技術(shù)推廣實(shí)現(xiàn)的普遍性原則。
附圖符號(hào)說明10、30-存儲(chǔ)電路 12、32-主控模塊14、34-行預(yù)解碼器16-行解碼器18、38-列預(yù)解碼器20、40-列解碼器22、42-多路復(fù)用模塊 4、45-終端電路26、46-感測(cè)放大器WL(-)-字符線AL(-)、AH(-)、AS(-)-信號(hào)AH#(-)-(AH(-)的反相)信號(hào)AL#(-)-(AL(-)的反相)信號(hào)BL(-)-位線Hp-預(yù)充電單元Ha、Hw、Hh-存取單元D-存儲(chǔ)單元 Pr-預(yù)充電信號(hào)V p、G-偏壓電壓 Hc-控制單元
t0-t4-時(shí)點(diǎn)具體實(shí)施方式
請(qǐng)參考圖1；圖1為一典型存儲(chǔ)電路10的功能方塊示意圖。存儲(chǔ)電路10為一只讀存儲(chǔ)電路，其具有多個(gè)存儲(chǔ)單元D，各存儲(chǔ)單元用來儲(chǔ)存一位的數(shù)據(jù)；藉由各列聯(lián)機(jī)(也就是字符線)WL(1)至WL(K)、各個(gè)行聯(lián)機(jī)(即位線)BL(1)至BL(Q)的連接，各存儲(chǔ)單元D就連接/排列為一矩陣。為了支持此一存儲(chǔ)單元矩陣的存取操控，存儲(chǔ)電路10中還設(shè)有一主控模塊12、一行預(yù)解碼器14、一行解碼器16、一列預(yù)解碼器18、一列解碼器20、一終端電路24與一感測(cè)放大器26；此外，各行聯(lián)機(jī)BL(1)至BL(Q)上還分別設(shè)有一預(yù)充電單元Hp及一存取單元Ha。主控模塊12用來主控存儲(chǔ)電路10的運(yùn)作，像是提供一預(yù)充電信號(hào)Pr來控制預(yù)充電進(jìn)行的時(shí)機(jī)；終端電路24則可包括有冗余存儲(chǔ)單元(dummy cell)、阻抗匹配電路或/及偏壓電路等用來支持存儲(chǔ)單元矩陣的相關(guān)電路。
在圖1的例子中，各存儲(chǔ)單元D是以金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的有無來程劃(program)各存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)；設(shè)有金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的存儲(chǔ)單元(像是列聯(lián)機(jī)WL(1)及行聯(lián)機(jī)BL(1)交錯(cuò)連接的存儲(chǔ)單元)會(huì)在使能后具有高電力導(dǎo)通能力，可用來儲(chǔ)存數(shù)字「0」的數(shù)據(jù)；相對(duì)地，沒有金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的存儲(chǔ)單元(像是列聯(lián)機(jī)WL(2)及行聯(lián)機(jī)BL(1)交錯(cuò)連接的存儲(chǔ)單元)即使使能后也沒有實(shí)質(zhì)的電力導(dǎo)通能力，可用來儲(chǔ)存數(shù)字「1」的數(shù)據(jù)。在存儲(chǔ)單元矩陣中，各行聯(lián)機(jī)上的各個(gè)存取單元Ha(可為一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)用來控制對(duì)應(yīng)行聯(lián)機(jī)是否能導(dǎo)通而電連接至感測(cè)放大器；集合各行聯(lián)機(jī)上的存取單元，即可視為一整體的多路復(fù)用模塊22。而在圖1的典型存儲(chǔ)電路10中，各個(gè)行聯(lián)機(jī)上的預(yù)充電單元Hp(可為一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)則統(tǒng)一受控于主控模塊12的預(yù)充電信號(hào)Pr。
另外，行預(yù)解碼器14及行解碼器16可實(shí)現(xiàn)行解碼機(jī)制，同理，列預(yù)解碼器18及列解碼器20則用來實(shí)現(xiàn)列解碼機(jī)制。以行解碼機(jī)制為例來說明，由于存儲(chǔ)電路10中有Q條行聯(lián)機(jī)，若Q等于2的(Nh+Nw)次方，各條行聯(lián)機(jī)就可用(Nh+Nw)個(gè)位的行地址來尋址。此(Nh+Nw)位的行地址會(huì)先被劃分出Nh位的高階地址與Nw位的低階地址，而行預(yù)解碼器14就可根據(jù)高/低階地址的解碼結(jié)果分別產(chǎn)生出信號(hào)M個(gè)信號(hào)AH(1)至AH(M)，以及N個(gè)信號(hào)AL(1)至AL(N)；其中，M就等于2的Nh次方，N則等于2的Nw次方。根據(jù)信號(hào)AH(1)至AH(M)、AL(1)至AL(N)，行解碼器16就可針對(duì)Q條行聯(lián)機(jī)分別提供信號(hào)AS(1)至AS(Q)，而這些信號(hào)AS(1)至AS(Q)就能分別控制各行聯(lián)機(jī)BL上的存取單元Ha是否使能導(dǎo)通。
具體地說，在對(duì)一行地址進(jìn)行解碼時(shí)，行預(yù)解碼器14的信號(hào)AH(1)-AH(M)中僅有一個(gè)信號(hào)會(huì)被使能(其它為失能)，信號(hào)AL(1)至AL(N)中也僅有1個(gè)信號(hào)會(huì)被使能(其它為失能)，藉此來指示該行地址屬于是第幾組中的第幾條行聯(lián)機(jī)；而行解碼器16則可根據(jù)各信號(hào)AH(-)、AL(-)來進(jìn)一步解碼出該行地址代表的是Q條行聯(lián)機(jī)中的哪一條。若信號(hào)AH(1)至AH(M)中僅有信號(hào)AH(m0)為使能，信號(hào)AL(1)至AL(N)中則僅有信號(hào)AH(n0)為使能(m0為1至M中的某一數(shù)值，n0為1至N中的某一數(shù)值)，這就代表該行地址為第m0組中的第n0條行聯(lián)機(jī)；而行解碼器16就能在信號(hào)AS(1)至AS(Q)中使信號(hào)AS(n0+(m0-1)*M)為使能(其它為失能)。而使能的信號(hào)AS(n0+(m0-1)*M)就能使第(n0+(m0-1)*M)條行聯(lián)機(jī)上的存取單元導(dǎo)通。
類似于行解碼機(jī)制中的運(yùn)作原理，列解碼機(jī)制的解碼結(jié)果則能用來使能各列聯(lián)機(jī)WL(1)至WL(K)中的其中一條，連帶地使該列聯(lián)機(jī)上所連接的各個(gè)存儲(chǔ)單元被使能。
圖1中典型存儲(chǔ)電路10的運(yùn)作情形可描述如下。當(dāng)存儲(chǔ)電路10要開始存取某一給定地址的存儲(chǔ)單元時(shí)，主控模塊12會(huì)在使能任何存儲(chǔ)單元之前先以使能的預(yù)充電信號(hào)Pr來統(tǒng)一使能所有行聯(lián)機(jī)上的各個(gè)預(yù)充電單元Hp，使各個(gè)預(yù)充電單元Hp皆導(dǎo)通；由于預(yù)充電單元Hp偏壓于偏壓電壓Vp(譬如說是一高電壓)，所有行聯(lián)機(jī)BL(1)至BL(Q)都會(huì)被預(yù)充電至接近偏壓電壓Vp的電平。結(jié)束預(yù)充電后，主控模塊12使預(yù)充電信號(hào)Pr失能，各個(gè)預(yù)充電單元Hp停止預(yù)充電。接下來，行解碼器16就能用信號(hào)AS(-)來使欲存取存儲(chǔ)單元所連接的行聯(lián)機(jī)能夠電連接至感測(cè)放大器26，而列解碼器20就能使能欲存取存儲(chǔ)單元所連接的列聯(lián)機(jī)，使感測(cè)放大器26能感測(cè)該存儲(chǔ)單元所連接的行聯(lián)機(jī)，根據(jù)行聯(lián)機(jī)上的電力(電壓)電平來判讀該存儲(chǔ)單元中儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。
舉例來說，若要存取的存儲(chǔ)單元為行聯(lián)機(jī)BL(1)與列聯(lián)機(jī)WL(1)交錯(cuò)的存儲(chǔ)單元，在預(yù)充電后，行聯(lián)機(jī)BL(1)會(huì)經(jīng)由行解碼機(jī)制所使能的存取單元Ha而電連接至感測(cè)放大器26，而列解碼機(jī)制會(huì)使能列聯(lián)機(jī)WL(1)，使行列聯(lián)機(jī)交錯(cuò)處的存儲(chǔ)單元使能。由于該交錯(cuò)處的存儲(chǔ)單元中有金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，此金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管被使能導(dǎo)通后會(huì)將行聯(lián)機(jī)BL(1)的電平拉低至接近偏壓電壓G的電平(譬如說是地端電壓的電平)；感測(cè)放大器26感測(cè)到行聯(lián)機(jī)上下降的電力電平，就能判讀出該存儲(chǔ)單元儲(chǔ)存的是數(shù)字「0」。相反地，假設(shè)要存取的存儲(chǔ)單元為行聯(lián)機(jī)BL(2)與列聯(lián)機(jī)WL(K)所交錯(cuò)定位的存儲(chǔ)單元，由于該存儲(chǔ)單元中沒有金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，故在預(yù)充電后，即使列聯(lián)機(jī)WL(K)使能該存儲(chǔ)單元，該存儲(chǔ)單元也不會(huì)導(dǎo)通，而使行聯(lián)機(jī)BL(2)的電力電平大致維持于預(yù)充電時(shí)充電的高電平。這樣一來，感測(cè)放大器26就能感測(cè)出其所儲(chǔ)存的為數(shù)字「1」。
由上述描述可知，雖然預(yù)充電是存取過程中必須進(jìn)行的步驟之一，但圖1中典型存儲(chǔ)電路10會(huì)在進(jìn)行數(shù)據(jù)存取時(shí)統(tǒng)一對(duì)所有行聯(lián)機(jī)進(jìn)行預(yù)充電，不論各行聯(lián)機(jī)上是否連接有欲存取的存儲(chǔ)單元。這樣一來，就會(huì)增加無謂的預(yù)充電耗能，連帶地使整個(gè)存儲(chǔ)電路的功率消耗無法降低。
請(qǐng)參考圖2；圖2即為本發(fā)明存儲(chǔ)電路一實(shí)施例30的功能方塊示意圖。為了克服圖1中存儲(chǔ)電路10統(tǒng)一預(yù)充電的高耗能缺點(diǎn)，本發(fā)明在圖2中的存儲(chǔ)電路30將可進(jìn)行選擇性的行聯(lián)機(jī)預(yù)充電。在圖2中，存儲(chǔ)電路30可為一只讀存儲(chǔ)電路，內(nèi)設(shè)有主控模塊32、行預(yù)解碼器34、列預(yù)解碼器38、列解碼器40、藉由各行聯(lián)機(jī)BL(1)至BL(Q)與各列聯(lián)機(jī)WL(1)至WL(K)連結(jié)多個(gè)存儲(chǔ)單元D而架構(gòu)出的存儲(chǔ)單元矩陣、用來支持存儲(chǔ)單元矩陣的終端電路45、以及感測(cè)放大器46。主控模塊32用來主控存儲(chǔ)電路30運(yùn)作，協(xié)調(diào)存儲(chǔ)電路30中各功能方塊運(yùn)作的時(shí)序，譬如說，主控模塊32可藉由一預(yù)充電信號(hào)Pr來控制預(yù)充電進(jìn)行的時(shí)機(jī)。
在本發(fā)明存儲(chǔ)電路30中，列預(yù)解碼器38、列解碼器40用來實(shí)現(xiàn)列解碼機(jī)制。在行解碼機(jī)制方面，本發(fā)明中可將行解碼機(jī)制、預(yù)充電控制機(jī)制與行多路復(fù)用機(jī)制相互整合，故存儲(chǔ)電路30中只設(shè)置有行預(yù)解碼器34，其可將(Nh+Nw)位的行地址劃分為Nh位的高階地址與Nw位的低階地址，在預(yù)解碼后提供對(duì)應(yīng)的信號(hào)AH(1)至AH(M)、AL(1)至AL(N)(其中，M為2的Nh次方，N為2的Nw次方)。配合行預(yù)解碼的各信號(hào)AH(-)及AL(-)，各條行聯(lián)機(jī)BL(1)至BL(Q)上也設(shè)有一存取單元Hw(譬如說是一p型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)以作為低階存取單元；而每N條行聯(lián)機(jī)則可被劃分為同一組，共同連接于一個(gè)作為高階存取單元的存取單元Hh(譬如說是另一p型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)。譬如說，行聯(lián)機(jī)BL(1)至BL(N)連接于同一存取單元Hh，行聯(lián)機(jī)BL(N+1)至BL(2*N)則共同連接于另一存取單元Hh。對(duì)于每N個(gè)為一組的行聯(lián)機(jī)，其N個(gè)低階存取單元Hw就分別受信號(hào)AL(1)至AL(N)的控制；而對(duì)于存儲(chǔ)單元矩陣中的M組行聯(lián)機(jī)組合來說，其M個(gè)高階存取單元Hh就分別由信號(hào)AH(1)至AH(M)來控制。集合各個(gè)高階存取單元Hh及低階存取單元Hw，就可架構(gòu)出一多階的多路復(fù)用模塊42，與行預(yù)解碼器34一起實(shí)現(xiàn)整合的行解碼機(jī)制與行多路復(fù)用機(jī)制。在多路復(fù)用模塊42中，各個(gè)高階存取單元Hh集合起來可視為一高階存取模塊，各個(gè)低階存取單元Hw集合起來可視為一低階存取模塊；經(jīng)由高低階存取模塊的共同控制，就可選擇地控制各行聯(lián)機(jī)是否能電連接于感測(cè)放大器46。
如圖2中所示，在第(n+(m-1)*M)條行聯(lián)機(jī)BL(n+(m-1)*M)上，由于其對(duì)應(yīng)的高/低階存取單元分別受信號(hào)AH(m)及AL(n)控制，此兩信號(hào)AH(m)、AL(n)要同時(shí)使能才能使該行聯(lián)機(jī)上的高/低階存取單元一起導(dǎo)通，而此行聯(lián)機(jī)也才能電連接至感測(cè)放大器。所以，{AH(m)，AL(n)}這組信號(hào)就可視為行聯(lián)機(jī)BL(n+(m-1)*M)所對(duì)應(yīng)的選擇信號(hào)。換句話說，在進(jìn)行存儲(chǔ)單元存取時(shí)，若預(yù)解碼的結(jié)果會(huì)使選擇信號(hào){AH(m)，AL(n)}中的每一個(gè)信號(hào)(也就是信號(hào)AH(m)或AL(n))都使能，就代表行聯(lián)機(jī)BL(n+(m-1)*M)的存儲(chǔ)單元可被電連接至感測(cè)放大器46，也就是說，欲存取存儲(chǔ)單元就連接于行聯(lián)機(jī)BL(n+(m-1)*M)上。相反地，若選擇信號(hào)中有一個(gè)(或多個(gè))信號(hào)失能，代表該行聯(lián)機(jī)所對(duì)應(yīng)的高/低階存取單元至少有一個(gè)不會(huì)導(dǎo)通，而行聯(lián)機(jī)BL(n+(m-1)*M)上的存儲(chǔ)單元就不會(huì)被電連接于感測(cè)放大器46；也就是說，欲存取存儲(chǔ)單元不在此行聯(lián)機(jī)上。
配合存儲(chǔ)電路30中整合的行解碼機(jī)制與行多路復(fù)用機(jī)制，本發(fā)明的選擇性預(yù)充電控制機(jī)制可經(jīng)由各行聯(lián)機(jī)上的預(yù)充電單元Hp(譬如說是一個(gè)源極偏壓于直流偏壓電壓Vp的p型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)以及一對(duì)應(yīng)的控制單元Hc來加以實(shí)現(xiàn)。如前面提過的，各行聯(lián)機(jī)有一組對(duì)應(yīng)的選擇信號(hào)來代表欲存取存儲(chǔ)單元是否在該行聯(lián)機(jī)上，而本發(fā)明只要對(duì)欲存取存儲(chǔ)單元所連接的行聯(lián)機(jī)進(jìn)行預(yù)充電，故在本發(fā)明中，各行聯(lián)機(jī)所對(duì)應(yīng)的控制單元Hc就可根據(jù)該行聯(lián)機(jī)的選擇信號(hào)與預(yù)充電信號(hào)Pr來控制對(duì)應(yīng)的預(yù)充電單元Hp是否應(yīng)該進(jìn)行預(yù)充電。也就是說，對(duì)行聯(lián)機(jī)BL(n+(m-1)*M)來說，其對(duì)應(yīng)的控制單元Hc就可根據(jù)選擇信號(hào){AH(m)，AL(n)}及預(yù)充電信號(hào)Pr來控制對(duì)應(yīng)的預(yù)充電單元是否應(yīng)該進(jìn)行預(yù)充電；唯有當(dāng)選擇信號(hào)中的各個(gè)信號(hào)與預(yù)充電信號(hào)都使能時(shí)，控制單元Hc才會(huì)使能其所對(duì)應(yīng)的預(yù)充電單元Hp，使其開始預(yù)充電。若選擇信號(hào)或預(yù)充電信號(hào)中有任何一個(gè)信號(hào)失能，控制單元Hc就會(huì)使預(yù)充電單元Hp失能而不進(jìn)行預(yù)充電。
對(duì)一給定的行聯(lián)機(jī)BL(n+(m-1)*M)來說，若在存儲(chǔ)存取時(shí)其選擇信號(hào){AH(m)，AL(n)}皆被使能，就代表該行聯(lián)機(jī)上連接有欲存取的存儲(chǔ)單元，應(yīng)該要進(jìn)行預(yù)充電。等到主控模塊32將預(yù)充電信號(hào)Pr由失能轉(zhuǎn)變?yōu)槭鼓軙r(shí)，行聯(lián)機(jī)BL(n+(m-1)*M)就會(huì)被其對(duì)應(yīng)的預(yù)充電單元充電。相反地，若在存儲(chǔ)存取時(shí)，行聯(lián)機(jī)BL(n+(m-1)*M)所對(duì)應(yīng)的選擇信號(hào){AH(m)，AL(n)}并未全部使能，這就代表欲存取存儲(chǔ)單元未連接于此行聯(lián)機(jī)上；即使預(yù)充電信號(hào)Pr轉(zhuǎn)變?yōu)槭鼓?，該行?lián)機(jī)上的控制單元Hc還是不會(huì)使能對(duì)應(yīng)的預(yù)充電單元Hp，該行聯(lián)機(jī)也就不會(huì)耗能而進(jìn)行無謂的預(yù)充電了。
在圖2的實(shí)施例中，由于各個(gè)高/低階存取單元采用的是p型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，故低電平的信號(hào)AH(-)/AL(-)可使能各個(gè)對(duì)應(yīng)的存取單元，高電平的信號(hào)AH(-)/AL(-)則會(huì)使對(duì)應(yīng)的存取單元失能。而預(yù)充電信號(hào)Pr則是高電平使能，低電平失能。故圖2中的各個(gè)控制單元Hc是以與非門(NAND)來匯整各選擇信號(hào)與預(yù)充電信號(hào)的信息。對(duì)行聯(lián)機(jī)BL(n+(m-1)*M)來說，控制單元Hc是將信號(hào)AH(m)、AL(n)的反相信號(hào)(圖2中記為AH#(m)、AL#(n))與預(yù)充電信號(hào)Pr一起做與非運(yùn)算后，以與非運(yùn)算的結(jié)果來控制p型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的預(yù)充電單元Hp。當(dāng)選擇信號(hào){AH(m)，AL(n)}與預(yù)充電信號(hào)Pr皆使能時(shí)，信號(hào)AH#(m)、AL#(n)及Pr皆為高電平，與非后的輸出為低電平，正好能使對(duì)應(yīng)的預(yù)充電單元導(dǎo)通而開始進(jìn)行預(yù)充電。若選擇信號(hào){AH(m)，AL(n)}與預(yù)充電信號(hào)Pr中至少有一個(gè)未使能，信號(hào)AH#(m)、AL#(n)與Pr中就會(huì)至少有一個(gè)為低電平，控制單元Hc與非后的結(jié)果為高電平，對(duì)應(yīng)的預(yù)充電單元Hp就會(huì)失能不導(dǎo)通，也就不會(huì)進(jìn)行預(yù)充電。
請(qǐng)參考圖3(并一并參考圖2)；圖3為圖2中本發(fā)明存儲(chǔ)電路30在運(yùn)作時(shí)相關(guān)信號(hào)波形時(shí)序的示意圖，圖3的橫軸為時(shí)間，各信號(hào)的縱軸代表波形的電平高低。首先，在時(shí)點(diǎn)t0，開始要對(duì)某一給定地址的給定存儲(chǔ)單元進(jìn)行存儲(chǔ)存取(譬如說是讀取)，而主控模塊32(圖2)就會(huì)將該給定存儲(chǔ)單元的行地址傳輸至行預(yù)解碼器34。行預(yù)解碼器34在時(shí)點(diǎn)t1完成預(yù)解碼，就可依據(jù)預(yù)解碼的結(jié)果向各行聯(lián)機(jī)(位線)提供對(duì)應(yīng)的選擇信號(hào){AH(-)，AL(-)}。對(duì)于欲存取存儲(chǔ)單元所連接的行聯(lián)機(jī)來說，預(yù)解碼器34就會(huì)在時(shí)點(diǎn)t1開始使其對(duì)應(yīng)的選擇信號(hào)全部使能。稍后，在時(shí)點(diǎn)t2，主控模塊32會(huì)發(fā)出使能的預(yù)充電信號(hào)Pr。對(duì)欲存取存儲(chǔ)單元所連接的行聯(lián)機(jī)來說，使能的選擇信號(hào)與使能的預(yù)充電信號(hào)Pr就可使其對(duì)應(yīng)的控制單元Hc開始將對(duì)應(yīng)的預(yù)充電單元Hp使能，開始進(jìn)行預(yù)充電。對(duì)于其它的行聯(lián)機(jī)來說，由于其對(duì)應(yīng)的選擇信號(hào)不會(huì)全都使能，即使預(yù)充電信號(hào)Pr在時(shí)點(diǎn)t2后使能，這些行聯(lián)機(jī)(未連接于欲存取存儲(chǔ)單元的行聯(lián)機(jī))就不會(huì)耗能進(jìn)行無謂的預(yù)充電。這也就能達(dá)到本發(fā)明選擇性行聯(lián)機(jī)預(yù)充電的目的。
在圖3的例子中，假設(shè)欲存取存儲(chǔ)單元所連接的行聯(lián)機(jī)在時(shí)點(diǎn)t0前的電平就為低電平，從時(shí)點(diǎn)t2經(jīng)過一段時(shí)間的預(yù)充電后，該行聯(lián)機(jī)的電力電平(像是電壓電平)就可被充電至高電平。完成預(yù)充電后，主控模塊32就可在時(shí)點(diǎn)t3停止發(fā)出使能的預(yù)充電信號(hào)Pr，使預(yù)充電信號(hào)Pr失能，而預(yù)充電過程也就到此結(jié)束。在時(shí)點(diǎn)t4，欲存取存儲(chǔ)單元所連接的字符線(列聯(lián)機(jī))就會(huì)開始使能，使欲存取存儲(chǔ)單元能開始根據(jù)其儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)其所連接的位線(行聯(lián)機(jī))。在圖3中，假設(shè)欲存取存儲(chǔ)單元儲(chǔ)存的是數(shù)字「0」(也就是其中有一可導(dǎo)通的n型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)，而此種存儲(chǔ)單元就會(huì)在使能后(也就是時(shí)點(diǎn)t4之后)開始導(dǎo)通，將其連接的位線電平拉低。感測(cè)放大器感測(cè)到位在線被拉低的電平，就能判讀出該欲存取存儲(chǔ)單元所儲(chǔ)存的是數(shù)字「0」。
請(qǐng)參考圖4。圖4示意的是本發(fā)明技術(shù)推廣實(shí)現(xiàn)的普遍性(general)準(zhǔn)則。在圖4的存儲(chǔ)電路中，假設(shè)行預(yù)解碼器可將一行地址劃分為L(zhǎng)個(gè)子階地址；對(duì)應(yīng)地，存儲(chǔ)電路中用來實(shí)現(xiàn)行多路復(fù)用機(jī)制的多路復(fù)用模塊也會(huì)設(shè)有L階的存取單元。在將行地址劃分為L(zhǎng)個(gè)子階地址時(shí)，若第i個(gè)子階地址(i＝1-L)中有Bi個(gè)位，則預(yù)解碼器就會(huì)在預(yù)解碼時(shí)為此子階地址產(chǎn)生Ni個(gè)信號(hào)A_i(1)至A_i(Ni)，其中Ni就等于2的Bi次方。對(duì)應(yīng)地，在L階多路復(fù)用模塊中，每Ni個(gè)第i階的存取單元會(huì)視為一組，共同連接至同一個(gè)第(i+1)階存取單元；而同一組中的Ni個(gè)第i階存取單元就分別受控一個(gè)對(duì)應(yīng)的信號(hào)A_i()。預(yù)解碼時(shí)，信號(hào)A_i(1)至A_i(Ni)中只有一個(gè)信號(hào)會(huì)是使能的，可使其對(duì)應(yīng)的存取單元導(dǎo)通。而對(duì)每一條行聯(lián)機(jī)來說，每一條行聯(lián)機(jī)需經(jīng)過L個(gè)分屬不同階的存取單元才能電連接至感測(cè)放大器；只有當(dāng)這L個(gè)不同階存取單元都被使能導(dǎo)通時(shí)，此行聯(lián)機(jī)才能導(dǎo)通而被電連接至感測(cè)放大器。
在上述的行解碼機(jī)制與行多路復(fù)用機(jī)制中實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的選擇性預(yù)充電控制機(jī)制時(shí)，可為每一條行聯(lián)機(jī)設(shè)置一對(duì)應(yīng)的預(yù)充電單元與控制單元。如圖4的圖面左方所示意的，假設(shè)此一行聯(lián)機(jī)的L個(gè)不同階存取單元分別受控于信號(hào)A_1(n1)、A_2(n2)至A_L(nL)，信號(hào){A_1(n1)，A_2(n2)，...，A_L(nL)}就可視為此行聯(lián)機(jī)的選擇信號(hào)，而此行聯(lián)機(jī)所對(duì)應(yīng)的控制單元就應(yīng)該能匯整主控模塊的預(yù)充電信號(hào)Pr以及這些信號(hào)A_1(n1)、A_2(n2)至A_L(nL)；唯有在這些信號(hào)全部都使能時(shí)，控制單元才會(huì)使能預(yù)充電單元，以對(duì)此行聯(lián)機(jī)進(jìn)行預(yù)充電。否則，控制單元就會(huì)使預(yù)充電單元失能(非使能)而不進(jìn)行預(yù)充電。當(dāng)信號(hào)A_1(n1)至A_L(nL)皆使能時(shí)，就代表欲存取存儲(chǔ)單元是連接于此行聯(lián)機(jī)的；在主控模塊使能預(yù)充電信號(hào)Pr后，就可對(duì)此行聯(lián)機(jī)進(jìn)行預(yù)充電了。相對(duì)地，若信號(hào)A_1(n1)至A_L(nL)中有任何一個(gè)(或多個(gè))信號(hào)為失能的信號(hào)，就代表欲存取存儲(chǔ)單元不是此行聯(lián)機(jī)上的存儲(chǔ)單元；即使預(yù)充電信號(hào)Pr使能，控制單元也不會(huì)使能對(duì)應(yīng)的預(yù)充電單元，也就不會(huì)耗能而進(jìn)行無謂的預(yù)充電了。這樣，也就能達(dá)成本發(fā)明選擇性行聯(lián)機(jī)預(yù)充電的目的。
由圖4可看出，圖2的例子就是使圖4中的L＝2的應(yīng)用例。另外，本發(fā)明的另一個(gè)例子是L＝1的情況，也就是類似于圖1中的情況。在圖1的情況下，各行聯(lián)機(jī)BL(q)上只有一個(gè)受控于信號(hào)AS(-)的存取單元Ha；行聯(lián)機(jī)BL(q)只要經(jīng)由此存取單元Ha的導(dǎo)通即能電連接至感測(cè)放大器。在此種配置的存儲(chǔ)電路中，仍然可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，只要為每條行聯(lián)機(jī)的預(yù)充電單元設(shè)置一控制單元，并使第q條行聯(lián)機(jī)BL(q)上的控制單元能匯整信號(hào)As(q)與預(yù)充電信號(hào)Pr(譬如說是對(duì)預(yù)充電信號(hào)與信號(hào)As(q)的反相信號(hào)做與非運(yùn)算)以控制其對(duì)應(yīng)的預(yù)充電單元，同樣能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)。
不論是本發(fā)明在圖2或圖4中的實(shí)施例，各個(gè)存儲(chǔ)單元、存取單元、控制單元及預(yù)充電單元都可以用其它種類的電路配置來實(shí)現(xiàn)。譬如說，在圖2中，各存取單元也可由n型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管來實(shí)現(xiàn)，其對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)AL(-)、AH(-)會(huì)在高電平時(shí)使能對(duì)應(yīng)的存取單元；對(duì)應(yīng)地，各個(gè)控制單元就可直接對(duì)信號(hào)AL(-)、AH(-)與預(yù)充電信號(hào)Pr做與非運(yùn)算。另外，各存取單元也可利用傳輸閘(transmission gate)來實(shí)現(xiàn)?？刂茊卧哪康氖菂R整對(duì)應(yīng)存取單元的控制信號(hào)以及預(yù)充電信號(hào)，只要能達(dá)成此目的的邏輯電路都可用來實(shí)現(xiàn)控制單元。而各個(gè)存儲(chǔ)單元也可是其它種類的只讀存儲(chǔ)單元，譬如說是以p型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的有無來儲(chǔ)存數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元?；蛘?，在某些種類的只讀存儲(chǔ)單元中，各存儲(chǔ)單元都會(huì)具有一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，而此金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的漏極是否連接至對(duì)應(yīng)位線，就可用來代表不同的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。此外，存儲(chǔ)單元也可以是具有浮動(dòng)?xùn)艠O的只讀存儲(chǔ)單元；此種存儲(chǔ)單元是以浮動(dòng)?xùn)艠O中不同程度的電荷量來影響各存儲(chǔ)單元的電力導(dǎo)通程度，并藉此來儲(chǔ)存數(shù)字「0」或「1」的不同數(shù)據(jù)。
總結(jié)來說，當(dāng)存儲(chǔ)電路進(jìn)行存取時(shí)，本發(fā)明可直接根據(jù)行預(yù)解碼的結(jié)果而對(duì)不同行聯(lián)機(jī)選擇性地進(jìn)行或不進(jìn)行預(yù)充電；只有當(dāng)某行聯(lián)機(jī)上連接有欲存取存儲(chǔ)單元時(shí)，才會(huì)對(duì)該行聯(lián)機(jī)進(jìn)行預(yù)充電；而其它行聯(lián)機(jī)就不會(huì)進(jìn)行預(yù)充電。相較于現(xiàn)有/典型的存儲(chǔ)電路統(tǒng)一對(duì)所有行聯(lián)機(jī)進(jìn)行預(yù)充電的作法，本發(fā)明可整合行預(yù)解碼機(jī)制與選擇性行預(yù)充電機(jī)制，可以取消行預(yù)解碼器之后的行解碼器，也能在不影響數(shù)據(jù)存取的情形下有效減少無謂的預(yù)充電耗能，降低存儲(chǔ)電路運(yùn)作時(shí)的功率需求，使存儲(chǔ)電路能廣泛運(yùn)用于各種低功率的應(yīng)用。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種存儲(chǔ)電路，包括有多個(gè)存儲(chǔ)單元，該多個(gè)存儲(chǔ)單元形成一多條行聯(lián)機(jī)以及多條列聯(lián)機(jī)的矩陣，其中，每一個(gè)該行聯(lián)機(jī)對(duì)應(yīng)有一預(yù)充電單元以及一控制單元，該預(yù)充電單元由該控制單元控制，用以決定是否對(duì)所對(duì)應(yīng)的該行聯(lián)機(jī)進(jìn)行預(yù)充電；一行預(yù)解碼器，用以提供一選擇信號(hào)，其中，該選擇信號(hào)可對(duì)應(yīng)多條行聯(lián)機(jī)其中之一；以及一多路復(fù)用模塊，包含有多階存取模塊連結(jié)至該行聯(lián)機(jī)，其中，該多路復(fù)用模塊接收該選擇信號(hào)，并根據(jù)該選擇信號(hào)對(duì)該行聯(lián)機(jī)的進(jìn)行預(yù)充電或不進(jìn)行預(yù)充電。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)電路，其中，每一階該存取模塊包含有至少一存取單元，其中，每一個(gè)該行聯(lián)機(jī)連結(jié)至少一低階存取單元以及至少一高階存取單元。
3.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)電路，其中，根據(jù)該選擇信號(hào)可使得該行聯(lián)機(jī)所連結(jié)的每一階該存取單元使能或非使能。
4.如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)電路，其中，當(dāng)該行聯(lián)機(jī)所連結(jié)的該存取單元都使能時(shí)，該行聯(lián)機(jī)可連接至一感測(cè)放大器，并使能該控制單元使得該預(yù)充電單元對(duì)該行聯(lián)機(jī)進(jìn)行預(yù)充電。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)電路，其中，該控制單元根據(jù)該選擇信號(hào)，使得該行聯(lián)機(jī)所對(duì)應(yīng)的該預(yù)充電單元使能或非使能。
6.如權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)電路，其中，當(dāng)該預(yù)充電單元使能時(shí)，則對(duì)該行聯(lián)機(jī)進(jìn)行預(yù)先充電，當(dāng)該預(yù)充電單元非使能時(shí)，則不對(duì)該行聯(lián)機(jī)進(jìn)行預(yù)先充電。
7.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)電路，其中，更包含一主控模塊，用以產(chǎn)生一預(yù)充電信號(hào)，其中，該預(yù)充電單元根據(jù)該預(yù)充電信號(hào)對(duì)該行聯(lián)機(jī)進(jìn)行預(yù)充電。
8.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)電路，其中，更包含一感測(cè)放大器，經(jīng)由該多路復(fù)用模塊與該存儲(chǔ)單元連結(jié)。
9.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)電路，其中，更包含有一列預(yù)解碼器以及一列解碼器，用以選擇性地使能不同的存儲(chǔ)單元。
10.一種存儲(chǔ)電路預(yù)充電的方法，其中，該存儲(chǔ)電路包含有多個(gè)行聯(lián)機(jī)，每一個(gè)該行聯(lián)機(jī)連接至少一存儲(chǔ)單元，每一個(gè)該行聯(lián)機(jī)經(jīng)過至少一個(gè)低階存取單元以及至少一高階存取單元與一感測(cè)放大器連結(jié)，該方法包含有發(fā)出一選擇信號(hào)；根據(jù)該選擇信號(hào)選擇使能或非使能該存取單元；以及當(dāng)該行聯(lián)機(jī)所連結(jié)的該低階存取單元以及該高階存取單元同時(shí)使能時(shí)，則對(duì)該行聯(lián)機(jī)進(jìn)行預(yù)充電。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可整合行預(yù)解碼機(jī)制與選擇性行聯(lián)機(jī)/位線預(yù)充電的存儲(chǔ)電路及相關(guān)方法。在只讀存儲(chǔ)電路中，其存儲(chǔ)單元會(huì)經(jīng)由“列聯(lián)機(jī)－行聯(lián)機(jī)”，也就是“字符線－位線”的連接而排列為矩陣。當(dāng)要存取某一存儲(chǔ)單元時(shí)，本發(fā)明可以根據(jù)行預(yù)解碼的結(jié)果而只對(duì)該存儲(chǔ)單元所在的行聯(lián)機(jī)進(jìn)行預(yù)充電，不必對(duì)其他行聯(lián)機(jī)進(jìn)行預(yù)充電。預(yù)充電后，該存儲(chǔ)單元就可依據(jù)其儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)改變或不改變?cè)撔新?lián)機(jī)的電力電平，使存儲(chǔ)電路中的感測(cè)放大器可根據(jù)該行聯(lián)機(jī)的電平來感測(cè)該存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。
文檔編號(hào)G11C7/12GK1753101SQ20051009230
公開日2006年3月29日 申請(qǐng)日期2005年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月26日
發(fā)明者鄭基廷, 曾柏諭 申請(qǐng)人:威盛電子股份有限公司