專利名稱：相變化光盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光信息儲(chǔ)存媒體，特別是一種相變化光盤。
背景技術(shù)：
過去在發(fā)展可重復(fù)讀寫光盤時(shí)，主要有兩大統(tǒng)，一為磁光盤片(Magneto-Optical Disc，MO)；另一則是相變化光盤(Phase-ChangeOptical Disc)。隨著技術(shù)的演進(jìn)及市場(chǎng)的變化，目前是以相變化型記錄媒體占優(yōu)勢(shì)，包含可重復(fù)讀寫型光盤片(CD-RW)、可擦寫式數(shù)字激光視盤(DVD-RW，DVD+RW)以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)記憶數(shù)字激光視盤(DVD-RAM)等等。
相變化光盤采用激光照射盤片，通過激光束的能量，使相變化光盤的記錄層材料于結(jié)晶相(crystalline)及非晶相(amorphous)結(jié)構(gòu)間轉(zhuǎn)換。
目前來說，相變化光盤普遍存在的問題，即是經(jīng)過多次重復(fù)寫入與抹除資料的過程后，相變化光盤容易損壞，而無法繼續(xù)使用。
然而，決定光信息儲(chǔ)存媒體品質(zhì)優(yōu)劣關(guān)系于有抖動(dòng)偏差(Jitter)、反射率(Reflectivity)，以及調(diào)制比(Modulation rate)三個(gè)因素，當(dāng)然，影響相變化光盤的因素也不例外，規(guī)格書中對(duì)于相變化光盤且為一數(shù)字激光視盤(DVD+RW)的抖動(dòng)偏差制定的范圍小于8.0％、反射率應(yīng)介于18％至30％之間，而調(diào)制比則需大于0.55。
請(qǐng)參閱圖3，為一種相變化光盤3，具有一第一基板31、一設(shè)于第一基板31上的介電積層32、一設(shè)于介電積層32上的記錄層33、一設(shè)于記錄層33上的反射層34，以及一設(shè)于反射層34上的第二基板35。
于是，本發(fā)明人通過界定相變化光盤的介電積層光學(xué)厚度，使得相變化光盤的量測(cè)結(jié)果能符合規(guī)格書所制定的范圍，以獲得較佳相變化光盤的較佳調(diào)制比數(shù)值，使得相變化光盤的結(jié)晶時(shí)與非結(jié)晶時(shí)的反射率比值差異較大，如此一來，使得相變化光盤可重復(fù)寫入抹除多次，而具有較佳的生產(chǎn)品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足與缺陷，提出一種相變化光盤，其可重復(fù)寫入抹除多次。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種相變化光盤，包含一第一基板、一第一介電積層、一第一記錄層、一第一反射層，以及一第二基板；第一介電積層設(shè)于第一基板上，第一介電積層的光學(xué)厚度介于86nm至460nm之間；第一記錄層設(shè)于第一介電積層上，第一反射層設(shè)于第一記錄層之上；第二基板設(shè)于第一反射層上。
承上所述，依因本發(fā)明的相變化光盤，通過介電積層的光學(xué)厚度的制定，使得相變化光盤的量測(cè)結(jié)果皆能符合規(guī)格書所制定的范圍內(nèi)，而具有較佳調(diào)制比的數(shù)值，進(jìn)而增加相變化光盤得以重復(fù)讀取寫入的次數(shù)，由此可見，本發(fā)明的相變化光盤確實(shí)具有良好的生產(chǎn)品質(zhì)。


圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的相變化光盤的示意圖；圖2為本發(fā)明第二實(shí)施例的相變化光盤的示意圖；圖3為現(xiàn)有的相變化光盤的示意圖；圖4的表1為本發(fā)明進(jìn)行光學(xué)厚度范圍測(cè)量所使用的條件與方法；
圖5的表2為一實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，顯示具有不同光學(xué)厚度的相變化光盤；圖6的表3為一實(shí)驗(yàn)結(jié)果，顯示圖5表2的各相變化光盤的量測(cè)結(jié)果。
圖中符號(hào)說明1 相變化光盤11第一基板12第一介電積層121 第一介電層122 第二介電層123 第三介電層13第一記錄層14第一反射層15第二基板16第四介電層2 相變化光盤21第一基板22第一介電積層23第一記錄層24第一反射層25黏合層26第二介電積層27第二記錄層28第二反射層29第二基板3 相變化光盤31第一基板32介電積層33記錄層34反射層
35第二基板具體實(shí)施方式
以下將參照相關(guān)附圖，說明依本發(fā)明較佳實(shí)施例的相變化光盤(Phase-Change Optical Disk)。
請(qǐng)參閱圖1所示，為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的相變化光盤1，本實(shí)施例中，相變化光盤1為一單面單層(single side single layer)的數(shù)字激光視盤(DVD+RW)，其包含有一第一基板11、一第一介電積層12、一第一記錄層13、一第一反射層14，以及一第二基板15。
第一基板11的材質(zhì)可為聚碳酸酯(polycarbonate)所制成，并具有一擺動(dòng)溝槽(wobbling groove)，且溝槽深度約為0.74μm。此外，第一基板11具有雙折射率(birefringence)小于60nm，第一基板11的折射率介于1.50至1.65之間，而且，第一基板11的厚度介于0.59mm至0.61mm之間。
第一介電積層12其設(shè)于第一基板11上，第一介電積層12的光學(xué)厚度介于86nm至460nm之間。第一介電積層12可為僅具有一介電層的介電積層，而本實(shí)施例中，第一介電積層12具有依序設(shè)于第一基板11上的一第一介電層121、一第二介電層122，以及一第三介電層123，本實(shí)施例中，第一介電層121與第三介電層123由硫化鋅-二氧化(ZnS-SiO2)材質(zhì)制成，所以，第一介電層121與第三介電層123的折射率約為2.1，第二介電層122由二氧化硅(SiO2)的材質(zhì)制成，所以，第二介電層122的折射率約為1.5。當(dāng)然，本發(fā)明并不限定第一介電積層12中各介電層的材質(zhì)，而是，必須依循第一介電積層12中的第一介電層121與第三介電層123具有的折射率必須大于第二介電層122的折射率的設(shè)置規(guī)則。此外，第一介電積層12亦可具有多個(gè)介電層，同樣地，必須將各偶數(shù)介電層的折射率小于各奇數(shù)介電層的折射率即可。
第一記錄層13設(shè)于第一介電積層12上，且第一記錄層13的材質(zhì)為銀/銦/銻/碲/鍺(Ag/In/Sb/Te/Ge)合金，而且，第一記錄層13具有約原子百分比一至原子百分比五的鍺(Ge)，此外，第一記錄層13于未寫入信息時(shí)，其折射率約為2.3。
第一反射層14設(shè)于第一記錄層13之上，且第一反射層14的材質(zhì)選自鋁合金(aluminum alloy)、鈦合金(titanium alloy)、銅合金(copperalloy)及銀合金(silver alloy)至少其中之一，且第一反射層14的厚度介于60nm至200nm之間。
第二基板15設(shè)于第一反射層14上，且第二基板15的材質(zhì)可為聚碳酸酯樹脂(polycarbonate)所制成。
本實(shí)施例中，相變化光盤1更包含一第四介電層16，其設(shè)于第一記錄層13與第一反射層14之間，且第四介電層16由硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)材質(zhì)制成，所以，第四介電層16的折射率約為2.1。
以下依據(jù)圖4表1中的實(shí)驗(yàn)條件，將相變化光盤1置于波長(zhǎng)介于650nm至665nm下，使用多脈沖燒錄策略(multipulse writing strategy)進(jìn)行燒錄，接著，請(qǐng)參照?qǐng)D5表2與圖6表3的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，進(jìn)行界定本發(fā)明的相變化光盤1各層光學(xué)厚度的實(shí)驗(yàn)如圖5表2所示，實(shí)驗(yàn)組1中，第一介電積層、第一記錄層，以及第四反射層的光學(xué)厚度分別為158.5nm、34.5nm，以及77.7nm，實(shí)驗(yàn)組2中，第一介電積層、第一記錄層，以及第四介電層的光學(xué)厚度分別為403.5nm、50.6nm，以及71.4nm。對(duì)應(yīng)圖6表3中的量測(cè)結(jié)果，實(shí)驗(yàn)組1的抖動(dòng)偏差、調(diào)制比，以及反射率分別為7.1％、0.69，以及26.0％，實(shí)驗(yàn)組2的抖動(dòng)偏差、調(diào)制比，以及反射率分別為7.0％、0.67，以及24.5％，皆符合規(guī)格書中所制定的范圍內(nèi)，而對(duì)照組1至對(duì)照組4略為調(diào)整第一記錄層與第一介電層的光學(xué)厚度，如圖6表3中所示，對(duì)照組1至對(duì)照組4的抖動(dòng)偏差、調(diào)制比、或反射率超出規(guī)格書所制定的范圍外。由此推知，第一記錄層的光學(xué)厚度介于20nm至60nm之間，而第四介電層的光學(xué)厚度介于21nm至95nm之間。本實(shí)施例中，第一記錄層13的材質(zhì)為銀/銦/銻/碲/鍺(Ag/In/Sb/Te/Ge)合金，而且，第一記錄層13具有約原子百分比一至原子百分比五的鍺(Ge)，其折射率約為2.3，第一記錄層13的厚度介于9nm至26nm之間時(shí)，滿足其光學(xué)厚度必須介于20nm至60nm的需求。第四介電層16由硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)材質(zhì)制成，第四介電層16的折射率約為2.1，當(dāng)?shù)谒慕殡妼拥暮穸冉橛?0nm至45nm之間時(shí)，滿足其光學(xué)厚度必須介于21nm至95nm的需求。
接著，圖5表2中實(shí)驗(yàn)組3的第一介電層、第二介電層，以及第三介電層的光學(xué)厚度分別為126.0nm、135.0nm，以及199.4nm，使得第一介電積層的總光學(xué)厚度為460.4nm。實(shí)驗(yàn)組3的量測(cè)結(jié)果，顯示抖動(dòng)偏差、調(diào)制比、反射率分別為7.5％、0.67，以及24.0％，而其重復(fù)讀寫能力為7500次，符合規(guī)格書所制定的范圍中。
請(qǐng)比較對(duì)照組5，當(dāng)?shù)谌殡妼拥墓鈱W(xué)厚度逐漸增加至203.7nm，此時(shí)，第一介電積層的光學(xué)厚度為464.7nm，結(jié)果圖6表3顯示對(duì)照組5的量測(cè)結(jié)果超出規(guī)格書所制定的范圍外，對(duì)照組6將第三介電層的光學(xué)厚度固定為226.8nm，而逐漸減少第二介電層的厚度。由實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)?shù)诙殡妼雍穸葹?09.0nm，第一介電積層的光學(xué)厚度為461.8nm，對(duì)照組6的量測(cè)結(jié)果超出規(guī)格書所制定的范圍，但是，若繼續(xù)減少第二介電層的厚度，對(duì)照組6的量測(cè)結(jié)果則符合規(guī)格書所制定的范圍內(nèi)，由此可見，第一介電層、第二介電層，以及第三介電層各層的光學(xué)厚度不直接影響量測(cè)結(jié)果，而真正影響量測(cè)結(jié)果的主因?yàn)榈谝唤殡姺e層的光學(xué)厚度。同理，請(qǐng)比較實(shí)驗(yàn)組5與對(duì)照組9、對(duì)照組10，以及實(shí)驗(yàn)組6與對(duì)照組11、對(duì)照組12，于是，經(jīng)由實(shí)驗(yàn)結(jié)果歸納，可推得第一介電積層的光學(xué)厚度范圍介于86nm至460nm之間。
請(qǐng)參閱圖2所示，為本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的相變化光盤2，其為一單面雙層(single side dual layer)的數(shù)字激光視盤(DVD+RW)，包含有一第一基板21與一第二基板29，而由第一基板21至第二基板29方向依序疊設(shè)有一第一介電積層22、一第一記錄層23、一第一反射層24、一黏合層25、一第二介電積層26、一第二記錄層27，以及一第二反射層28，由于，第一基板21、第一介電積層22、第一記錄層23、第一反射層24，以及第二基板29的結(jié)構(gòu)與前揭實(shí)施例相同，在此容不贅述。
由于第一介電積層22的光學(xué)厚度介于86nm至460nm之間，使得本發(fā)明的相變化光盤可符合規(guī)格書所制定抖動(dòng)偏差、反射率，以及調(diào)制比的范圍，使得相變化光盤2具有良好的品質(zhì)。
承上所述，依因本發(fā)明的相變化光盤，通過介電積層的光學(xué)厚度的制定，使得相變化光盤的量測(cè)結(jié)果皆能符合規(guī)格書所制定的范圍內(nèi)，而具有較佳調(diào)制比的數(shù)值，進(jìn)而增加相變化光盤得以重復(fù)讀取寫入的次數(shù)，由此可見，本發(fā)明的相變化光盤確實(shí)具有良好的生產(chǎn)品質(zhì)。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對(duì)其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于權(quán)利要求書的范圍中。
權(quán)利要求
1.一種相變化光盤，其特征在于，包含一第一基板；一第一介電積層，其設(shè)于第一基板上，該第一介電積層的光學(xué)厚度介于86nm至460nm之間；一第一記錄層，其設(shè)于該第一介電積層上；一第一反射層，其設(shè)于該第一記錄層之上；以及一第二基板，其設(shè)于該第一反射層上。
2.如權(quán)利要求1所述的相變化光盤，其中，該介電積層依序具有一第一介電層、一第二介電層，以及一第三介電層，該第一介電層的折射率與該第三介電層的折射率大于該第二介電層的折射率。
3.如權(quán)利要求1所述的相變化光盤，其中，該介電積層由多個(gè)奇數(shù)介電層與多個(gè)偶數(shù)介電層交錯(cuò)疊設(shè)于該第一基板，且各該偶數(shù)介電層的折射率小于各該奇數(shù)介電層的折射率。
4.如權(quán)利要求1所述的相變化光盤，其中，更包含一第四介電層，其設(shè)于該第一記錄層與第一反射層之間。
5.如權(quán)利要求1所述的相變化光盤，其中，該第一記錄層的光學(xué)厚度介于20nm至60nm之間。
6.如權(quán)利要求4所述的相變化光盤，其中，該第四介電層的光學(xué)厚度介于21nm至95nm之間、或介于10nm至45nm之間。
7.如權(quán)利要求1所述的相變化光盤，其中，該第一記錄層的材質(zhì)為銀/銦/銻/碲/鍺合金。
8.如權(quán)利要求1所述的相變化光盤，其中，該第一記錄層具有原子百分比一至原子百分比五的鍺。
9.如權(quán)利要求4所述的相變化光盤，其中，該第四介電層的材質(zhì)為硫化鋅-二氧化硅。
10.如權(quán)利要求1所述的相變化光盤，其中，該第一記錄層的厚度介于9nm至26nm之間。
11.如權(quán)利要求1所述的相變化光盤，其中，該第一反射層選自鋁合金、鈦合金、銅合金及銀合金至少其中之一。
12.如權(quán)利要求1所述的相變化光盤，其中，該第一反射層的厚度介于60nm至200nm之間。
13.如權(quán)利要求1所述的相變化光盤，其中，該第一基板的折射率介于1.50至1.65之間。
14.如權(quán)利要求1所述的相變化光盤，其中，該第一基板的厚度介于0.59mm至0.61mm之間。
15.如權(quán)利要求1所述的相變化光盤，其中，更包含一第二記錄層，其設(shè)于該第一反射層與該第二基板之間；以及一第二反射層，其設(shè)于該第二記錄層與該第二基板之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種相變化光盤，包含一第一基板、一第一介電積層、一第一記錄層、一第一反射層，以及一第二基板，第一介電積層設(shè)于第一基板上，第一介電積層的光學(xué)厚度介于86nm至460nm之間；第一記錄層設(shè)于第一介電積層上，第一反射層設(shè)于第一記錄層之上；第二基板設(shè)于第一反射層上。
文檔編號(hào)G11B7/00GK1917058SQ200510092010
公開日2007年2月21日 申請(qǐng)日期2005年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月16日
發(fā)明者謝國(guó)卿, 王佩珊 申請(qǐng)人:精碟科技股份有限公司