專利名稱：磁記錄再現(xiàn)裝置及磁記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在基板上以規(guī)定的凹凸圖形(pattern)形成磁記錄層的、包括所謂伺服區(qū)及信息數(shù)據(jù)區(qū)的磁記錄介質(zhì)(盤片型磁記錄介質(zhì))以及具有此磁記錄介質(zhì)和檢出此介質(zhì)的伺服信號、同時記錄再現(xiàn)信息數(shù)據(jù)的磁頭的磁記錄再現(xiàn)裝置。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)技術(shù)中，提高硬盤等磁記錄介質(zhì)的面記錄密度，一直通過以下兩種方法實現(xiàn)(1)提高線記錄密度，(2)提高軌道密度。為了今后進一步實現(xiàn)更高密度化，必須基于上述兩種方法，提高記錄密度。
關(guān)于提高軌道密度，由于磁頭的加工極限、起因于磁頭磁場擴展的側(cè)干擾帶、串擾等問題更加明顯，可以說通過沿用傳統(tǒng)改良方法，即推進磁頭的高軌道化技術(shù)，提高面記錄密度已達到極限。
另一方面，作為提高線記錄密度的方法，在傳統(tǒng)的縱向磁介質(zhì)中一直進行薄層化、高頑磁力化，然而從介質(zhì)的更高密度化和對于記錄磁化熱波動的穩(wěn)定性的觀點出發(fā)，滿足這些條件的垂直磁記錄介質(zhì)已經(jīng)受到關(guān)注。
作為在這種現(xiàn)狀下提高面記錄密度、完善磁頭的軌道高密度化的技術(shù)，提出了將記錄層形成為凹凸圖形的離散型軌道的盤片型磁記錄介質(zhì)。例如在特開平11-328662號公報中公開了一種在基板上預(yù)先設(shè)置規(guī)定的凹凸、并沿此凹凸形成單層的垂直磁層的磁記錄介質(zhì)。
為了實現(xiàn)高記錄密度化，低間隔是必要的。但是，有時因記錄層的凹凸形狀不能得到穩(wěn)定的磁頭浮動特性，存在引起磁頭破碎等問題的可能性。根據(jù)這種觀點，在特開平10-222944號公報中公開了一種在軌道寬度方向改變凹凸形狀、以磁頭的浮動穩(wěn)定性為目的的記錄介質(zhì)。
另外，在特開2000-195042號公報中提出一種盤片型磁記錄介質(zhì)，為了確保磁頭浮動特性的穩(wěn)定性，以非磁性材料或其它材料填充凹凸形狀的凹部。
另外，在特開平6-111502號公報中公開一種技術(shù)，規(guī)定了縱向記錄介質(zhì)中矩形凹凸結(jié)構(gòu)的跟蹤伺服的突發(fā)(burst)圖形的寬度、軌道節(jié)距與再現(xiàn)磁頭的讀出寬度之間的關(guān)系。
在磁盤裝置中用于磁頭跟蹤的伺服區(qū)通常由伺服軌道寫入器記錄在所使用的磁記錄介質(zhì)中。
在伺服區(qū)通常存在ISG(Initial Signal Gain初始信號增益)部、SVAM(Servo Address Mark伺服地址標記)部、格雷碼部、突發(fā)部及填充部，為了發(fā)揮預(yù)定的功能，它們形成各種磁圖形。
在這些磁圖形中通常沿磁記錄介質(zhì)的徑向、以大約1個軌道節(jié)距左右的寬度記錄有突發(fā)部。另外，其它的ISG部、SVAM部、格雷碼部及填充部通常沿磁盤徑向連續(xù)記錄，或者沿徑向在至少數(shù)個軌道上連續(xù)記錄。
突發(fā)部是一種提供讓磁頭正確沿軌道位置跟蹤的正確位置信息的圖形。突發(fā)部的這種圖形(1)通常由第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)之組合構(gòu)成，這兩個突發(fā)區(qū)相連接，它們分別在規(guī)定軌道節(jié)距的中心線上等距跨越；(2)或者由在上述組合上再附加第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)之組合而構(gòu)成，這兩個突發(fā)區(qū)與前兩個突發(fā)區(qū)偏離半個軌道節(jié)距地設(shè)置。
以下描述一例最簡單的第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的組合中的跟蹤動作。即通過使磁頭依次通過第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)，將來自第1突發(fā)圖形的再現(xiàn)信號Sa和來自第2突發(fā)圖形的再現(xiàn)信號Sb用差動放大器進行比較，就可得到位置誤差信號PES(Position ErrorSignal)＝(Sa-Sb)的值。將位置誤差信號PES＝(Sa-Sb)的值輸入伺服控制用電路，根據(jù)位置誤差信號的大小，驅(qū)動跟蹤用伺服致動器，從而能夠使磁頭的中心追隨數(shù)據(jù)軌道的中心而動作。
但是，傳統(tǒng)的離散介質(zhì)中突發(fā)圖形是矩形形狀的圖形，為了獲得正確的位置誤差信號，雖然矩形形狀圖形是理想的，但在形成矩形時，在形狀和尺寸上都要求非常高的精度。
可以說，對應(yīng)于這種要求的成形精度，在工藝上的制造要求是極大的。
本發(fā)明是根據(jù)這種實際狀況下提出的，其目的在于提供一種具有在工藝上能夠顯著減輕制造負擔的突發(fā)圖形形狀、并且是能夠獲得正確的位置誤差信號的突發(fā)圖形形狀的磁記錄介質(zhì)以及采用它的磁記錄再現(xiàn)裝置。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決這一課題，本發(fā)明的設(shè)有包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)以及用以檢出上述伺服用信息部的伺服信息、同時將數(shù)據(jù)信息記錄在上述數(shù)據(jù)信息記錄部、并再現(xiàn)的磁頭的磁記錄再現(xiàn)裝置中，上述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，上述伺服用信息部含有記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，上述突發(fā)部包含由記錄了突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)、第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)，上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以在軌道寬度方向上彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，且上述第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)配置成以偏離上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，上述凸部磁記錄層在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具體基本為梯形的形狀(四邊棱臺形狀)，假定沿上述軌道寬度方向的梯形形狀中，對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，磁頭的讀出寬度為Wr，則滿足以下條件Tp≥Wr＞W(wǎng)2＞W(wǎng)1。
另外，本發(fā)明的設(shè)有包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)以及用以檢出上述伺服用信息部的伺服信息、同時將數(shù)據(jù)信息記錄在上述數(shù)據(jù)信息記錄部、并再現(xiàn)的磁頭的磁記錄再現(xiàn)裝置中，上述伺服用信息部由按規(guī)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，上述伺服用信息部含有記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，上述突發(fā)部包含由記錄有突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)、第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)，上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以在軌道寬度方向上彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，且上述第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)配置成以偏離上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，上述凸部磁記錄層在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具體基本為梯形的形狀(四邊棱臺形狀)，假定沿上述軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，磁頭的讀出寬度為Wr，則滿足以下條件W2＝Tp及2W2-W1≥Wr≥W1。
另外，本發(fā)明的設(shè)有包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)以及用以檢出上述伺服用信息部的伺服信息、同時將數(shù)據(jù)信息記錄在上述數(shù)據(jù)信息記錄部、并再現(xiàn)的磁頭的磁記錄再現(xiàn)裝置中，上述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，上述伺服用信息部含有記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，上述突發(fā)部包含由記錄了突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)、第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)，上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以在軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，且上述第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)配置成以偏離上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，上述凸部磁記錄層在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具體基本為梯形的形狀(四邊棱臺形狀)，假定沿上述軌道寬度方向的梯形形狀中對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，磁頭的讀出寬度為Wr，則滿足以下條件W1＝Tp及2W2-W1≥Wr≥W1/2。
另外，本發(fā)明的設(shè)有包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)以及用以檢出上述伺服用信息部的伺服信息、同時將數(shù)據(jù)信息記錄在上述數(shù)據(jù)信息記錄部、并再現(xiàn)的磁頭的磁記錄再現(xiàn)裝置中，上述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，上述伺服用信息部包含記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，上述突發(fā)部包含由記錄有突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)、第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)，上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以在軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，且上述第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)配置成以偏離上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，上述凸部磁記錄層在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本為梯形的形狀(四邊棱臺形狀)，假定沿上述軌道寬度方向的梯形形狀中對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，磁頭的讀出寬度為Wr，則滿足以下條件
W1＞Tp及W2≥Wr≥Tp。
另外，本發(fā)明的設(shè)有包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)以及在檢出上述伺服用信息部的伺服信息的同時、將上述數(shù)據(jù)信息記錄在上述數(shù)據(jù)信息記錄部、并再現(xiàn)的磁頭的磁記錄再現(xiàn)裝置中，上述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，上述伺服用信息部包含記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，上述突發(fā)部包含由記錄有突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)，上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以在軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，上述凸部磁記錄層在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本為梯形的形狀(四邊棱臺形狀)，假定沿上述軌道寬度方向的梯形形狀中對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，磁頭的讀出寬度為Wr，則滿足以下條件W2≥Tp≥W1及W2≥Wr≥W1。
另外，作為本發(fā)明的理想實施方式，從上述凸狀磁記錄層的下邊W2至上邊W1的高度為h時，滿足以下條件tan85°≥2h/(W2-W1)≥tan50°。
另外，本發(fā)明的包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)中，上述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，上述伺服用信息部包含記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，上述突發(fā)部包含由記錄有突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)、第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)，上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以在軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成，且上述第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)配置成以偏離上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成，上述凸部磁記錄層在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本為梯形的形狀(四邊棱臺形狀)，假定在上述軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，則滿足以下條件Tp＞W(wǎng)2＞W(wǎng)1。
作為上述磁記錄介質(zhì)的理想使用方式，假定磁頭的讀出寬度為Wr，則采用滿足以下范圍的磁頭作為磁記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)用磁頭Tp≥Wr＞W(wǎng)2＞W(wǎng)1。
另外，本發(fā)明的包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)中，上述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，上述伺服用信息部包含記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，上述突發(fā)部包含由記錄有突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)、第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)，上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以在軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，且上述第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)配置成以偏離上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，上述凸部磁記錄層在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本為梯形的形狀(四邊棱臺形狀)，假定沿上述軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，則滿足以下條件W2＝Tp及2W2-W1＞W(wǎng)1。
作為上述磁記錄介質(zhì)的理想使用方式，假定磁頭的讀出寬度為Wr，則采用滿足以下范圍的磁頭作為磁記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)用磁頭W2＝Tp及2W2-W1≥Wr≥W1。
另外，本發(fā)明的包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)中，上述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，上述伺服用信息部包含記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，上述突發(fā)部包含由記錄了突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)、第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)，上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以在軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，且上述第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)配置成以偏離上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，上述凸部磁記錄層在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本為梯形的形狀(四邊棱臺形狀)，假定沿上述軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，則使?jié)M足以下條件W1＝Tp及2W2-W1＞W(wǎng)1/2。
作為上述磁記錄介質(zhì)的理想使用方式，假定磁頭的讀出寬度為Wr，則采用滿足以下范圍的磁頭作為磁記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)用磁頭W1＝Tp及2W2-W1≥Wr≥W1/2。
另外，本發(fā)明的包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)中，上述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，上述伺服用信息部包含記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，上述突發(fā)部包含由記錄有突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)、第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)，上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以在軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，且上述第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)配置成以偏離上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，上述凸部磁記錄層在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本為梯形的形狀(四邊棱臺形狀)，假定沿上述軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，則滿足以下條件W1＞Tp及W2＞Tp。
作為上述磁記錄介質(zhì)的理想使用方式，假定磁頭的讀出寬度為Wr，則采用滿足以下范圍的磁頭作為磁記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)用磁頭W1＞Tp及W2≥Wr≥Tp。
另外，本發(fā)明的包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)中，上述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，上述伺服用信息部包含記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，上述突發(fā)部包含由記錄有突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)，上述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以在軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，上述凸部磁記錄層在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本為梯形的形狀(四邊棱臺形狀)，假定沿上述軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，則滿足以下條件W2≥Tp≥W1。
作為上述磁記錄介質(zhì)的理想使用方式，假定磁頭的讀出寬度為Wr，則采用滿足以下范圍的磁頭作為磁記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)用磁頭W2≥Tp≥W1及W2≥Wr≥W1。
另外，作為本發(fā)明的理想實施方式，假定從上述凸狀磁記錄層的下邊W2至上邊W1的高度為h，則滿足以下條件
tan85°≥2h/(W2-W1)≥tan50°。


圖1是表示本發(fā)明的盤片狀磁記錄介質(zhì)的整體形狀的簡略平面圖。
圖2是由圖1中方形包圍的微小部分的局部放大簡圖。
圖3是示意表示本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的優(yōu)選實施例的剖面圖。
圖4是示意表示本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的優(yōu)選實施例的剖面圖。
圖5是表示梯形形狀的垂直磁記錄層結(jié)構(gòu)的立體簡圖。
圖6是磁記錄再現(xiàn)裝置的立體簡圖。
圖7是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖8是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖9是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖10是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖11是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖12是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖13是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖14是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖15是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖16是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖17是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖18是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖19是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖20是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖21是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖22是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖23是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖24是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖25是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖26是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖27是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖28是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖29是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖30是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖31是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖32是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖33是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖34是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖35是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖36是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖37是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖38是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖39是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖40是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖41是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖42是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖43是表示具體實驗方式的圖，示意表示了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系，同時示出了位置誤差信號。
圖44是用于研究梯形圖形的梯形斜面的角度依存關(guān)系而實施的實驗方式的圖。
圖45是為研究梯形圖形的梯形斜面的角度依存關(guān)系而實施的實驗方式的示圖。
圖46是為研究梯形圖形的梯形斜面的角度依存關(guān)系而實施的實驗方式的示圖。
圖47是為研究梯形圖形的梯形斜面的角度依存關(guān)系而實施的實驗方式的示圖。
圖48是為研究梯形圖形的梯形斜面的角度依存關(guān)系而實施的實驗方式的示圖。
圖49是圖7中的A-A′向剖面圖。
圖50是說明「讀出寬度Wr」定義的示圖。
具體實施例方式
下面詳細說明用于實施本發(fā)明的最佳實施例。
本發(fā)明的磁記錄再現(xiàn)裝置設(shè)有包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)以及用于檢出伺服用信息部的伺服信息、同時將數(shù)據(jù)信息記錄在上述數(shù)據(jù)信息記錄部、并再現(xiàn)的磁頭。
為了在最初能了解整個裝置的結(jié)構(gòu)，首先按照圖6，說明磁記錄再現(xiàn)裝置的概略結(jié)構(gòu)例。
(磁記錄再現(xiàn)裝置的概略結(jié)構(gòu)例的說明)圖6是表示本發(fā)明的一例適當?shù)拇庞涗浽佻F(xiàn)裝置結(jié)構(gòu)的立體簡圖。圖中磁記錄介質(zhì)1采用盤片狀垂直磁記錄介質(zhì)(離散介質(zhì))，該介質(zhì)由主軸馬達2旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。
為了對磁記錄介質(zhì)進行數(shù)據(jù)讀出和寫入，在從介質(zhì)外向介質(zhì)內(nèi)延伸設(shè)置的轉(zhuǎn)動柄4的前端設(shè)有記錄再現(xiàn)用磁頭5。轉(zhuǎn)動柄4可通過音圈馬達3轉(zhuǎn)動，例如可基于由記錄再現(xiàn)用的磁頭5檢出的伺服信號，使磁頭5定位在預(yù)定的軌道上。
記錄再現(xiàn)用的磁頭5包含記錄元件和再現(xiàn)元件，記錄元件采用例如主磁極勵磁型單磁極頭，再現(xiàn)元件采用例如GMR(巨磁阻效應(yīng))磁頭，也可用TMR(隧道磁阻效應(yīng))代替GMR磁頭。
另外，作為一例適合的本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，以垂直磁記錄介質(zhì)進行說明，但對于所謂的縱向記錄介質(zhì)也是適用的。
(磁記錄介質(zhì)的說明)下面說明磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。
圖1是表示本發(fā)明中采用的盤片狀磁記錄介質(zhì)1的整體形狀的簡略平面圖，圖2是表示由圖1中方形圍住的微小部分100的局部放大簡圖。圖2中主要示意表示記錄有伺服信號的區(qū)域，即伺服用信息部90以及用于記錄再現(xiàn)的數(shù)據(jù)軌道群，即數(shù)據(jù)信息記錄部80。
圖3是示意表示本發(fā)明中磁記錄介質(zhì)的優(yōu)選實施例的剖面圖，圖3基本相當于圖2的α-α向剖面圖。
圖1中，在磁盤基板上以同心圓形狀配置、形成用于記錄再現(xiàn)的多個數(shù)據(jù)軌道群(未圖示)。
另外，由磁盤中心向外以放射狀形成伺服信號區(qū)域(伺服用信息部90附圖上以放射線形狀描寫的地方)。也就是說，采用將磁盤面以扇區(qū)分割的所謂扇區(qū)伺服方式。而且，在磁記錄介質(zhì)的伺服用信息部90中由伺服跟蹤記錄器記錄了伺服信息。
若詳述伺服用信息部90的構(gòu)造，則如圖2所示，伺服用信息部90(所謂伺服區(qū))包括ISG部91、SVAM部92、格雷碼部93、突發(fā)部94和填充部95。
ISG(Initial Signal Gain)部91是一種為消除磁記錄介質(zhì)的磁性膜(磁性層)的磁特性及磁頭浮上量不勻的影響而設(shè)的連續(xù)圖形，在軌道徑向連續(xù)形成。在通過磁頭再現(xiàn)該ISG部91期間，為了校正磁記錄介質(zhì)及磁頭產(chǎn)生的輸出偏差，伺服解調(diào)電路由自動增益控制(AGC)確定增益。在檢出伺服區(qū)中存在的SVAM(Servo AddressMark)部92的時刻，具有這種作用的自動增益控制(AGC)被切斷，用ISG部91的振幅將以后的突發(fā)部94中存在的再現(xiàn)振幅標準化。
格雷碼部93記錄有各軌道的編號信息及扇區(qū)編號信息。
突發(fā)部94是一種用以獲得正確位置信息的圖形，使磁頭正確沿軌道位置跟蹤。此圖形通常由第1突發(fā)區(qū)94a和第2突發(fā)區(qū)94b之組合以及第3突發(fā)區(qū)94c和第4突發(fā)區(qū)94d之組合構(gòu)成，前兩個突發(fā)區(qū)相鄰接，它們分別在規(guī)定軌道節(jié)距的中心線上等距跨越，后兩個突發(fā)區(qū)偏離第1突發(fā)區(qū)94a和第2突發(fā)區(qū)94b之組合半個軌道節(jié)距地設(shè)置。
換句話說，第1突發(fā)區(qū)94a和第2突發(fā)區(qū)94b配置成以在軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線分別形成凸部磁記錄層，且第3突發(fā)區(qū)94c和第4突發(fā)區(qū)94d配置成以偏離第1突發(fā)區(qū)94a和第2突發(fā)區(qū)94b的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層。
另外，第3突發(fā)區(qū)94c和第4突發(fā)區(qū)94d處于相互在軌道寬度方向、以偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而分別形成凸部磁記錄層的位置關(guān)系。如圖所示，第1突發(fā)區(qū)94a～第4突發(fā)區(qū)94d依次按照移到下流側(cè)的狀態(tài)而進行圖形配置。
另外，在本發(fā)明書中第1突發(fā)區(qū)94a～第4突發(fā)區(qū)94d有時也稱作第1突發(fā)區(qū)軌道(VTR1)～第4突發(fā)區(qū)軌道(VTR4)，它們的含義相同。
填充部95是一種為吸收解調(diào)電路系統(tǒng)延遲而設(shè)置的圖形，以能夠維持在伺服解調(diào)電路再現(xiàn)伺服區(qū)的期間的時鐘生成。
ISG部91、SVAM部92、填充部95沿磁盤徑向連續(xù)進行記錄。另外，格雷碼部93也沿徑向至少經(jīng)過數(shù)個軌道以上進行記錄。
下面，按照圖3，說明一例適合的磁記錄介質(zhì)的斷面結(jié)構(gòu)。圖3可作為例如圖2的α-α向剖面圖而理解。
如圖3所示，磁記錄介質(zhì)包括基板15、在基板15上形成的取向?qū)?4、在取向?qū)?4上形成的軟磁性層11、在軟磁性層11上形成的中間層12、在中間層12上形成的相當于凹凸狀凸部的垂直磁記錄層10和相當于凹部的非磁性層20以及其上形成的保護層13。
基板15最好采用玻璃基板、NiP被膜鋁合金基板、Si基板等。取向?qū)?4可以采用例如用于在軟磁性層11的軌道寬度方向付以磁各向異性的磁場的PtMn等反鐵磁性材料，另外，也可采用控制配向用的非磁性合金。
軟磁性層11可以有CoZrNb合金、Fe系合金、Co系非晶形合金、軟磁性/非磁性層的多層膜、軟磁性鐵氧體等。
中間層12為控制在中間層上形成的垂直磁記錄層的垂直磁各向異性及結(jié)晶粒徑而設(shè)置的，例如可采用CoTi非磁性合金。另外，也可以采用具有相同作用的非磁性金屬、合金或低透磁率的合金。
凸部的垂直磁記錄層10最好采用在SiO2的氧化物系材料中以矩陣狀包含CoPt等鐵磁性粒子的介質(zhì)及CoCr系合金、FePt合金、Co/Pd系的人工晶格型多層合金等。如以下所述，具有產(chǎn)生本發(fā)明中的伺服信號之作用的記錄層10做成梯形形狀。
凹部的非磁性層20的材料采用SiO2、Al2O3、TiO2、鐵氧體等非磁性物質(zhì)、AlN等氮化物、SiC等碳化物。
在凸部的垂直磁記錄層10及凹部的非磁性層20的表面上通常采用CVD法等，形成碳薄膜等保護層13。
基于凹凸圖形的垂直磁記錄層10和非磁性層20(所謂離散介質(zhì)的形成)例如可以形成如下將以一定厚度成膜的垂直磁記錄層10刻蝕成預(yù)定的凹凸形狀，接著濺射與刻蝕深度對應(yīng)的SiO2，填充被刻蝕的凹部。然后，通過使介質(zhì)一邊旋轉(zhuǎn)，一邊進行斜離子束刻蝕法等，將堆積在垂直磁記錄層10上多余的SiO2除去，使整個介質(zhì)表面平坦化。
再有，用以形成基于圖3中凹凸圖形的垂直磁記錄層10及非磁性層20(所謂離散介質(zhì)的形成)的刻蝕處理在記錄層的底部止住，但也可以進行再深入到軟磁性層11區(qū)域的刻蝕處理，形成凹凸圖形。
圖4表示圖3的變形例。圖4與圖3的實施例不同點在于在將成膜到一定厚度的垂直磁記錄層10刻蝕為預(yù)定的凹凸形狀時，在不影響磁特性的范圍內(nèi)留有薄的凹部位置的磁性層。圖4和圖3的方式都是本發(fā)明的實施例，圖4和圖3中附有相同符號的表示相同部件。
(伺服區(qū)(伺服用信息部)的規(guī)格設(shè)定)本發(fā)明的要點是以按照工藝上可選擇的尺寸精度余量減輕精度上的制造負擔，以及以得到用于跟蹤的正確位置誤差信號為目的，將離散介質(zhì)的伺服區(qū)中突發(fā)部的突發(fā)圖形形狀做成沿軌道方向和軌道圓周方向分別具有基本的梯形形狀的形狀(四邊棱臺形狀)，假定在軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，磁頭的讀出寬度為Wr，設(shè)定介質(zhì)結(jié)構(gòu)以滿足預(yù)定的關(guān)系。另外，在梯形形狀的垂直磁記錄層中上邊的角部也可稍微有倒角。
另外，本發(fā)明的磁頭讀出寬度Wr(磁頭的再現(xiàn)軌道寬度)與通過SEM等實測的所謂光學(xué)尺寸寬度不同，定義如下即形成充分小于寫入軌道寬度的微軌道，在軌道寬度方向依次移動磁頭，測定磁頭再現(xiàn)輸出VOUT的偏離軌道曲線，將VOUT的最大值(VOUT MAX)的1/2的輸出值的寬度(所謂半值寬度)定義為「讀出寬度Wr」。定義「讀出寬度Wr」的狀態(tài)圖示于圖50。
突發(fā)部的突發(fā)圖形有以下類型(1)由分別在規(guī)定軌道節(jié)距的中心線上等距跨越而設(shè)的相鄰的第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)之組合構(gòu)成的類型，或者(2)在這些突發(fā)區(qū)之外再附加存在于偏離這些突發(fā)區(qū)組合半個軌道節(jié)距的位置上的第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)之組合而構(gòu)成的類型。下面對這2個類型分別加以說明。另外，考慮到通過參照、研究具體實施例的實驗結(jié)果會更容易理解關(guān)于突發(fā)圖形等規(guī)格設(shè)定的說明，因此下面以實施例與比較例混合的各種實驗例為參考，說明本發(fā)明。
(1)實驗例1本例涉及將分別在規(guī)定軌道節(jié)距的中心線等距跨越而設(shè)置的相鄰的第1突發(fā)區(qū)(VTR1)和第2突發(fā)區(qū)(VTR2)之組合，以及附加了位于偏離這兩個突發(fā)區(qū)的組合半個軌道節(jié)距的位置上的第3突發(fā)區(qū)(VTR3)和第4突發(fā)區(qū)(VTR4)之組合而構(gòu)成的突發(fā)信號配置。
(磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu))如圖1所示，磁盤面以扇區(qū)分割，為使用扇區(qū)伺服方式，形成了圖2所示的伺服區(qū)90。即按照各伺服信號圖形，形成了ISG部91、SVAM部92、格雷碼部93、突發(fā)部94及填充部95。
記錄突發(fā)信號的突發(fā)部94的凸部磁記錄層(凸狀磁記錄層)，形成圖5所示的梯形形狀的垂直磁記錄層。對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊尺寸為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊尺寸為W2，從下邊W2至上邊W1的高度為h。還有，W2＞W(wǎng)1。
突發(fā)部94以外的ISG部91、SVAM部92、格雷碼部93及填充部95中的凸部形成沿磁盤徑向為長的梯形形狀的帶狀凸部垂直磁記錄層(未圖示)，按1個比特的間隔配置。
如圖3所示，介質(zhì)的斷面形狀是在研磨成鏡面的玻璃基板15上作為取向?qū)?4(下底層14)形成15nm厚度的PtMn層，在其上形成由CoZrNb組成的200nm厚度的軟磁性層11，再在其上形成由非磁性合金CoTi組成的8nm厚度的中間層12。接著，在其上形成15nm厚度的垂直磁記錄層10，然后，為了制成預(yù)定的凹凸形狀，進行指定圖形的刻蝕處理。接著，為了填充被刻蝕的凹部，濺射SiO2。接著，使已填充SiO2的介質(zhì)一邊旋轉(zhuǎn)，一邊進行斜離子束刻蝕，將在垂直磁記錄層10上形成的多余SiO2除去，使介質(zhì)表面平坦化。再通過CVD法在其上形成1nm厚度的石墨薄膜的保護層13，最后涂覆1nm厚度的Fomblin(フホンブリン)系的潤滑劑，完成介質(zhì)樣品。另外，垂直磁記錄層10采用在SiO2中以矩陣狀含有CoPt的鐵磁性粒子的材料。
用試料振動型磁力儀(VSM)測定垂直磁記錄層的磁特性，表明飽和磁化Ms為350emu/cc，剩余飽和磁化Mr為340emu/cc。如上所述，垂直磁記錄層的厚度(高度)h為15nm。
伺服信號的記錄密度為130K·FRPI(flux Reversal Per Inch每英寸磁通反轉(zhuǎn))。另外，數(shù)據(jù)區(qū)的軌道節(jié)距Tp為100nm，相當于254K·TPI(Track Per Inch每英寸軌道)。數(shù)據(jù)區(qū)中的軌道(數(shù)據(jù)軌道(DTR))寬度為70nm。
相當于圖5所示的突發(fā)圖形的梯形形狀的垂直磁記錄層的上邊W1及下邊W2的長度，通過改變凹凸結(jié)構(gòu)形成時的刻蝕條件，以數(shù)據(jù)軌道的軌道節(jié)距的值Tp為基準，按照此基準，在尺寸上增大或減小，形成下表1所示的各例的實驗用突發(fā)圖形。梯形形狀的梯形斜面與底面形成的角度在全部實驗例中都取為50°，即取為滿足tan50°＝2h/(W2-W1)的形狀。
如圖2所示，在形成實驗用突發(fā)區(qū)時，對于數(shù)據(jù)軌道(DTR)80的圖形，配置第1突發(fā)區(qū)軌道(VTR1)94a、第2突發(fā)區(qū)軌道(VTR2)94b、第3突發(fā)區(qū)軌道(VTR3)94c、第4突發(fā)區(qū)軌道(VTR4)94d，通過將對于磁頭位置的由VTR1和VTR2輸出的差分信號與由VTR3和VTR4輸出的差分信號進行合成，與后面敘述的僅由兩種突發(fā)區(qū)軌道構(gòu)成的情況相比，可得到產(chǎn)生更精密的PES信號。
另外，記錄用磁頭采用磁寫入寬度80nm的薄膜感應(yīng)磁頭。再現(xiàn)用磁頭采用巨磁阻效應(yīng)(GMR)磁頭。再現(xiàn)用磁頭的磁讀出寬度Wr按照如表1所示的與其它參數(shù)(W1、W2、Tp)的關(guān)系，采用各種數(shù)值。
對于加工成用于上述指定伺服區(qū)及數(shù)據(jù)區(qū)的凹凸狀垂直磁記錄介質(zhì)，進行將凸部垂直磁記錄層磁化、用以產(chǎn)生伺服信號磁場的處理。即在產(chǎn)生15kOe直流磁場后的電磁鐵的磁極之間，使盤面平行于磁極面而進行設(shè)定，然后，使包括伺服區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)的梯形形狀的垂直磁記錄層一起磁化，記錄伺服信號。
采用這樣準備的實施例1用的磁記錄介質(zhì)，按照下述要點，進行跟蹤控制實驗。
即在下表1所示的離散型軌道磁盤、讀出用磁頭中，以軌道節(jié)距Tp為基準，求出基于各參數(shù)W1、W2、Wr各項的大小關(guān)系的組合的所有的位置誤差信號PES，考慮能夠在某種程度上允許相鄰間的軌道位置變動，判斷PES的線性是否可作為跟蹤特性使用，表中以「使用程度」的是否示出。
而在表1中的對應(yīng)圖上實施的W1、W2、Tp及Wr的關(guān)系作為示意圖表示，因此需參照對應(yīng)的圖。而PES信號也同時示于圖中。另外，在實際的突發(fā)區(qū)軌道上并排有多個圖形，但示意圖中為了易于理解，分別表示1個突發(fā)圖形。
表1

(1)表1所示的實施例I-1的條件是在Tp＞W(wǎng)2條件下，研究在改變了突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系時位置誤差信號PES如何變化。各例的對應(yīng)圖分別相當于圖7～圖11。
從圖7～圖11可知在「Tp≥Wr＞W(wǎng)2＞W(wǎng)1」的范圍內(nèi)，能夠獲得位置誤差檢出信號的線性，是可作為位置誤差信號使用的程度。另外，圖49表示圖7的A-A′向剖面示意圖。在圖7和圖3中的相同符號表示相同部件。
(2)另外，表1所示的實施例I-2的條件是在W2＝Tp條件下，研究在改變突發(fā)圖形的W1、W2與磁讀出寬度Wr的關(guān)系時位置誤差信號PES如何變化。各例的對應(yīng)圖分別相當于圖12～圖16。
從圖12～圖16可知在「W2＝Tp且2W2-W1≥Wr≥W1」的范圍內(nèi)，能夠獲得位置誤差檢出信號的線性，是可作為位置誤差信號使用的程度。
(3)表1所示的實施例I-3的條件是在W1＝Tp條件下，研究在改變突發(fā)圖形的W1、W2與磁讀出寬度Wr的關(guān)系時位置誤差信號PES如何變化。各例的對應(yīng)圖分別相當于圖17～圖21。
從圖17～圖21可知在「W1＝Tp且2W2-W1≥Wr≥W1/2」的范圍內(nèi)，能夠獲得位置誤差檢出信號的線性，是可作為位置誤差信號使用的程度。特別理想的范圍是「W1＝Tp且2W2-W1≥Wr≥W1」的范圍。
(4)另外，表1所示的實施例I-4的條件是在W1＞Tp條件下，研究在改變突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系時位置誤差信號PES如何變化。各例的對應(yīng)圖分別相當于圖22～圖27。
從圖22～圖27可知在「W1＞Tp且W2≥Wr≥Tp」的范圍內(nèi)，能夠獲得位置誤差檢出信號的線性，是可作為位置誤差信號使用的程度。
(2)實驗例2本例涉及由分別等距跨越規(guī)定軌道節(jié)距的中心線而設(shè)的相鄰的第1突發(fā)區(qū)(VTR1)和第2突發(fā)區(qū)(VTR2)之組合構(gòu)成的突發(fā)信號配置。
(磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu))將上述實驗例1中磁記錄介質(zhì)的突發(fā)部結(jié)構(gòu)改變?yōu)閮H由第1突發(fā)區(qū)(VTR1)和第2突發(fā)區(qū)(VTR2)之組合構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。也就是說，不設(shè)置第3突發(fā)區(qū)(VTR3)和第4突發(fā)區(qū)(VTR4)之組合。除此以外，按照與上述實驗例1相同的要點，制作了用于實驗例2的磁記錄介質(zhì)。采用本實驗例2的磁記錄介質(zhì)，按照上述實驗例1進行了跟蹤控制的實驗。
即在下表2所示的離散型軌道磁盤、讀出用磁頭中，以軌道節(jié)距Tp為基準，求出基于各參數(shù)W1、W2、Wr各項的大小關(guān)系的組合的所有的位置誤差信號PES，判斷出PES的線性是否可作為跟蹤特性使用，在表中以「使用程度」的可否示出。
而在表2中的對應(yīng)圖上實施的W1、W2、Tp及Wr的關(guān)系作為示意圖表示，因此需參照對應(yīng)的圖。并且，PES信號也同時示于圖中。再有，在實際的突發(fā)區(qū)軌道上并排有多個圖形，但為了易于理解，在示意圖上分別表示1個突發(fā)圖形。
表2

(1)表2所示的實施例II-1的條件是在Tp＞W(wǎng)2條件下，研究改變突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系時位置誤差信號PES如何變化。各例的對應(yīng)圖分別相當于圖28～圖31。
從實驗例2中磁記錄介質(zhì)結(jié)構(gòu)的說明也可知在圖上對于數(shù)據(jù)軌道(DTR)的圖形僅配置第1突發(fā)區(qū)軌道(VTR1)和第2突發(fā)區(qū)軌道(VTR2)，將來自對應(yīng)于各磁頭位置的VTR1、VTR2的輸出差分作為PES值表示。如上所述，在實際的突發(fā)區(qū)軌道上配置多個圖形。
理想的情況是PES對磁頭的位移具有原本應(yīng)有的線性，但在圖28和圖31中PES呈現(xiàn)正弦波響應(yīng)，線性劣化。而在圖29及圖30中對于磁頭的位移發(fā)生PES值不變化的不敏感區(qū)。在實施例II-1中的任何場合，PES的不敏感區(qū)或PES對于位置變動，直線性都是不充分的。所以，對于僅有第1突發(fā)區(qū)軌道(VTR1)和第2突發(fā)區(qū)軌道(VTR2)的配置，在W2＜Tp條件下，對于任何的磁讀出寬度Wr都不能得到良好的位置誤差信號。
(2)表2所示的實施例II-2的條件是在W2＝Tp條件下，研究改變突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系時位置誤差信號PES如何變化。各例的對應(yīng)圖分別相當于圖32～圖35。
從這些圖可知在「W2＝Tp及W2≥Wr≥W1」的范圍內(nèi)，不具有所謂幾何學(xué)上完全的線性，但由于存在離散型軌道的保護帶，因此作為PES是能夠允許的可使用程度。
(3)表2所示的實施例II-3的條件是在W1＝Tp條件下，研究改變突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系時位置誤差信號PES如何變化。各例的對應(yīng)圖分別相當于圖36～圖39。
從這些圖可知在「W1＝Tp及W2≥Wr≥W1」的范圍內(nèi)，不具有所謂幾何學(xué)上完全的線性，但由于存在離散型軌道的保護帶，因此作為PES是能夠允許的可使用程度。
(4)表2所示的實施例II-4的條件是在W1＞Tp條件下，研究改變突發(fā)圖形的W1、W2及軌道節(jié)距Tp與磁讀出寬度Wr的關(guān)系時位置誤差信號PES如何變化。各例的對應(yīng)圖分別相當于圖40～圖43。
在實施例II-4中任何條件下都有不敏感區(qū)發(fā)生。所以在W1＞Tp的條件下，對于任何的磁讀出寬度Wr都不能得到良好的位置誤差信號。
以上，在對僅有第1突發(fā)區(qū)軌道(VTR1)和第2突發(fā)區(qū)軌道(VTR2)的配置中實施例II-1～II-4的全部條件的實驗結(jié)果的考察中，通過在軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于該磁記錄層表面的上邊為W1、對應(yīng)于該磁記錄層下面的下邊為W2、數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp及磁頭的讀出寬度為Wr時滿足「W2≥Tp≥W1、且W2≥Wr≥W1」關(guān)系，記錄了跟蹤用突發(fā)信號的該凸部的磁記錄層可獲得良好的跟蹤特性。
(3)實驗例3對梯形形狀斜面的角度依存關(guān)系進行了實驗。也就是說，對于上表1中實施例I-3的下限條件Wr＝W1/2(圖18)，研究了梯形形狀圖形的斜面的角度依存關(guān)系。為了獲得線性，實施例I-3的Wr＝W1/2之必要條件(圖18)可以說在條件上是最嚴格的條件。
用于研究梯形形狀圖形的斜面的角度依存關(guān)系而實施的結(jié)果示于下表3。梯形形狀圖形的斜面角度設(shè)定為21°、31°、38.7°、50°、85°時的PES圖示于圖44～圖48。在表3中從線性的觀點看達到可使用程度的附加「○」，在線性上使用困難的以「×」表示。
表3

從表3結(jié)果可知即使在條件嚴格的情況下，在梯形形狀的圖形中特別在軌道寬度方向的梯形結(jié)構(gòu)的斜面與底面的角度最好至少在50°以上。最大斜面角度最好在85°以下。
即假定從凸狀磁記錄層的下邊W2至上邊W1的高度為h，則tan85°≥2h/(W2-W1)≥tan50°，最好tan80°≥2h/(W2-W1)≥tan70°。
再有，如果突發(fā)圖形寬度與軌道節(jié)距Tp相等，則考慮最好采用角度為90°的矩形形狀，但歸根結(jié)底，前提是尺寸完全一致。實際上，使尺寸完全一致、保持理想的尺寸精度是極其困難的。如果尺寸有偏差，則輸出中會出現(xiàn)與偏差成比例的誤差。特別在第1突發(fā)區(qū)軌道(VTR1)和第2突發(fā)區(qū)軌道(VTR2)的配置中，如果突發(fā)圖形寬度小于軌道節(jié)距Tp，則在兩個圖形之間兩者都會出現(xiàn)完全無信號的間隙，產(chǎn)生以下問題在這個地方變?yōu)榉蔷€形，誤差值逐漸增大。而采用本發(fā)明的梯形形狀，如果在第1突發(fā)區(qū)軌道(VTR1)和第2突發(fā)區(qū)軌道(VTR2)的配置中梯形形狀的斜面重疊，則輸出不會完全沒有，尺寸精度也可放寬，在實用上工藝性也良好。
從以上結(jié)果看，本發(fā)明的效果是明顯的。也就是說，本發(fā)明將離散介質(zhì)中突發(fā)圖形形狀取為在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本為梯形的形狀(四邊棱臺形狀)，構(gòu)成為在軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1、對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2、數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp、磁頭的讀出寬度為Wr時滿足預(yù)定的關(guān)系，因此能夠提供一種磁記錄介質(zhì)和采用它的磁記錄再現(xiàn)裝置，該磁記錄介質(zhì)具有突發(fā)圖形形狀，在某種程度上可選擇工藝上的尺寸精度容限，減輕制造負擔，并且能夠獲得正確的位置誤差信號。
再有，在圖4所示的磁性層的一部分殘留的例中，薄的殘留磁性層對磁特性幾乎不會有影響，因此，將對應(yīng)于忽略掉殘留的部分的凸狀磁記錄層下面的下邊看作W2，也可采用本發(fā)明。另外，如果非磁性層的凹部的下端面位于軟磁層性上或者基板面上，本發(fā)明的效果也不變。
本發(fā)明的磁記錄裝置尤其適用于安裝在電腦上使用，可在信息記錄的設(shè)備產(chǎn)業(yè)中加以利用。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)有包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)以及用以檢出所述伺服用信息部的伺服信息、同時將數(shù)據(jù)信息記錄在所述數(shù)據(jù)信息記錄部并再現(xiàn)的磁頭的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于所述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，所述伺服用信息部含有記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，所述突發(fā)部包含由記錄了突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)、第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)，所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以沿軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，所述第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)配置成以偏離所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，所述凸部磁記錄層在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本的梯形形狀，即為四邊棱臺形狀，若設(shè)沿所述軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，磁頭的讀出寬度為Wr，則滿足以下條件Tp≥Wr＞W(wǎng)2＞W(wǎng)1。
2.如權(quán)利要求1中記載的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于若設(shè)從凸狀磁記錄層的下邊W2至上邊W1的高度為h，則滿足以下條件tan85°≥2h/(W2-W1)≥tan50°。
3.一種設(shè)有包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)以及用以檢出所述伺服用信息部的伺服信息、同時將數(shù)據(jù)信息記錄在所述數(shù)據(jù)信息記錄部并再現(xiàn)的磁頭的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于所述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，所述伺服用信息部含有記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，所述突發(fā)部包含由記錄了突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)、第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)，所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以沿軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，所述第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)配置成以偏離所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，所述凸部磁記錄層在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本的梯形形狀，即為四邊棱臺形狀，若設(shè)沿所述軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，磁頭的讀出寬度為Wr，則滿足以下條件W2＝Tp及2W2-W1≥Wr≥W1。
4.如權(quán)利要求3中記載的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于若設(shè)從凸狀磁記錄層的下邊W2至上邊W1的高度為h，則滿足以下條件tan85°≥2h/(W2-W1)≥tan50°。
5.一種設(shè)有包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)以及用以檢出所述伺服用信息部的伺服信息、同時將數(shù)據(jù)信息記錄在所述數(shù)據(jù)信息記錄部并再現(xiàn)的磁頭的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于所述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，所述伺服用信息部含有記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，所述突發(fā)部包含由記錄了突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)、第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)，所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以沿軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，所述第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)配置成以偏離所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，所述凸部磁記錄層沿軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本的梯形形狀，即為四邊棱臺形狀，若設(shè)沿所述軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，磁頭的讀出寬度為Wr，則滿足以下條件W1＝Tp及2W2-W1≥Wr≥W1/2。
6.如權(quán)利要求5中記載的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于滿足以下條件W1＝Tp及2W2-W1≥Wr≥W1。
7.如權(quán)利要求5中記載的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于若設(shè)從凸狀磁記錄層的下邊W2至上邊W1的高度為h，則滿足以下條件tan85°≥2h/(W2-W1)≥tan50°。
8.一種設(shè)有包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)以及用以檢出所述伺服用信息部的伺服信息、同時將數(shù)據(jù)信息記錄在所述數(shù)據(jù)信息記錄部并再現(xiàn)的磁頭的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于所述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，所述伺服用信息部含有記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，所述突發(fā)部包含由記錄了突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)、第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)，所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以沿軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，所述第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)配置成以偏離所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，所述凸部磁記錄層在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本的梯形形狀，即為四邊棱臺形狀，若設(shè)沿所述軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，磁頭的讀出寬度為Wr，則滿足以下條件W1≥Tp及W2≥Wr≥Tp。
9.如權(quán)利要求8中記載的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于若設(shè)從凸狀磁記錄層的下邊W2至上邊W1的高度為h，則滿足以下條件tan85°≥2h/(W2-W1)≥tan50°。
10.一種設(shè)有包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)以及用以檢出所述伺服用信息部的伺服信息、同時將所述數(shù)據(jù)信息記錄在所述數(shù)據(jù)信息記錄部并再現(xiàn)的磁頭的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于所述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，所述伺服用信息部含有記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，所述突發(fā)部包含由記錄了突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)，所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以沿軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，所述凸部磁記錄層在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本的梯形形狀，即為四邊棱臺形狀，若設(shè)沿所述軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，則滿足以下條件W2≥Tp≥W1及W2≥Wr≥W1。
11.如權(quán)利要求10中記載的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于若設(shè)從凸狀磁記錄層的下邊W2至上邊W1的高度為h，則滿足以下條件tan85°≥2h/(W2-W1)≥tan50°。
12.一種包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)，所述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，所述伺服用信息部含有記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，其特征在于所述突發(fā)部包含由記錄了突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)、第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)，所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以沿軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成，所述第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)配置成以偏離所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成，所述凸部磁記錄層在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本的梯形形狀，即為四邊棱臺形狀，若設(shè)沿所述軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，則滿足以下條件Tp＞W(wǎng)2＞W(wǎng)1。
13.如權(quán)利要求12中記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于若設(shè)磁頭的讀出寬度為Wr，則采用滿足以下范圍的磁頭作為磁記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)用磁頭Tp≥Wr＞W(wǎng)2＞W(wǎng)1。
14.如權(quán)利要求13中記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于若設(shè)從凸狀磁記錄層的下邊W2至上邊W1的高度為h，則滿足以下條件tan85°≥2h/(W2-W1)≥tan50°。
15.一種包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)，所述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，所述伺服用信息部含有記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，其特征在于所述突發(fā)部包含由記錄了突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)、第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)，所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以沿軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，所述第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)配置成以偏離所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，所述凸部磁記錄層在軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本的梯形形狀，即為四邊棱臺形狀，若設(shè)沿所述軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，則滿足以下條件W2＝Tp及2W2-W1＞W(wǎng)1。
16.如權(quán)利要求15中記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于若設(shè)磁頭的讀出寬度為Wr，則采用滿足以下范圍的磁頭作為磁記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)用磁頭W2＝Tp及2W2-W1≥Wr≥W1。
17.如權(quán)利要求16中記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于若設(shè)從凸狀磁記錄層的下邊W2至上邊W1的高度為h，則滿足以下條件tan85°≥2h/(W2-W1)≥tan50°。
18.一種包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)，所述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，所述伺服用信息部含有記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，其特征在于所述突發(fā)部包含由記錄了突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)、第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)，所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以沿軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，所述第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)配置成以偏離所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，所述凸部磁記錄層沿軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本的梯形形狀，即為四邊棱臺形狀，若設(shè)沿所述軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，則滿足以下條件W1＝Tp及2W2-W1＞W(wǎng)1/2。
19.如權(quán)利要求18中記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于若設(shè)磁頭的讀出寬度為Wr，則采用滿足以下范圍的磁頭作為磁記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)用磁頭W1＝Tp及2W2-W1≥Wr≥W1/2。
20.如權(quán)利要求18中記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于若設(shè)磁頭的讀出寬度為Wr，則采用滿足以下范圍的磁頭作為磁記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)用磁頭W1＝Tp及2W2-W1≥Wr≥W1。
21.如權(quán)利要求19中記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于若設(shè)從凸狀磁記錄層的下邊W2至上邊W1的高度為h，則滿足以下條件tan85°≥2h/(W2-W1)≥tan50°。
22.一種包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)，所述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，所述伺服用信息部含有記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，其特征在于所述突發(fā)部包含由記錄了突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)、第2突發(fā)區(qū)、第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)，所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以沿軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，所述第3突發(fā)區(qū)和第4突發(fā)區(qū)配置成以偏離所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)的中心線半個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，所述凸部磁記錄層沿軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本的梯形形狀，即為四邊棱臺形狀，若設(shè)沿所述軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，則滿足以下條件W1＞Tp及W2＞Tp。
23.如權(quán)利要求22中記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于若設(shè)磁頭的讀出寬度為Wr，則采用滿足以下范圍的磁頭作為磁記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)用磁頭W1＞Tp及W2≥Wr≥Tp。
24.如權(quán)利要求23中記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于若設(shè)從凸狀磁記錄層的下邊W2至上邊W1的高度為h，則滿足以下條件tan85°≥2h/(W2-W1)≥tan50°。
25.一種包含數(shù)據(jù)信息記錄部和跟蹤用的伺服用信息部的磁記錄介質(zhì)，所述伺服用信息部由按預(yù)定的凹凸圖形形成的磁記錄層構(gòu)成，所述伺服用信息部含有記錄跟蹤用的突發(fā)信號的突發(fā)部，其特征在于所述突發(fā)部包含由記錄了突發(fā)信號的多個凸部的磁記錄層構(gòu)成的第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)，所述第1突發(fā)區(qū)和第2突發(fā)區(qū)配置成以沿軌道寬度方向彼此偏離1個軌道節(jié)距的位置為中心線而形成凸部磁記錄層，所述凸部磁記錄層沿軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本的梯形形狀，即為四邊棱臺形狀，若設(shè)沿所述軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊為W1，對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊為W2，數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距為Tp，則滿足以下條件W2≥Tp≥W1。
26.如權(quán)利要求25中記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于若設(shè)磁頭的讀出寬度為Wr，則采用滿足以下范圍的磁頭作為磁記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)用磁頭W2≥Tp≥W1及W2≥Wr≥W1。
27.如權(quán)利要求26中記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于若設(shè)從凸狀磁記錄層的下邊W2至上邊W1的高度為h，則滿足以下條件tan85°≥2h/(W2-W1)≥tan50°。
全文摘要
將離散型介質(zhì)中突發(fā)圖形形狀作成沿軌道寬度方向和軌道圓周方向分別具有基本的梯形形狀(四邊棱臺形狀)，沿軌道寬度方向的梯形形狀上對應(yīng)于凸狀磁記錄層表面的上邊W1、對應(yīng)于凸狀磁記錄層下面的下邊W2、數(shù)據(jù)信息記錄部的數(shù)據(jù)軌道節(jié)距Tp和磁頭的讀出寬度Wr之間滿足預(yù)定的關(guān)系，從而成為工藝上制造負擔極小的突發(fā)圖形形狀，并且能夠獲得正確的位置誤差信號。
文檔編號G11B21/10GK1734570SQ200510082270
公開日2006年2月15日 申請日期2005年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月25日
發(fā)明者田上勝通, 添野佳一, 島川和也, 松隈裕樹 申請人:Tdk株式會社