專利名稱：多級(jí)閃存設(shè)備與編程方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)設(shè)備和編程方法，尤其是涉及一種多級(jí)閃存設(shè)備與編程方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)經(jīng)常包含用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備。流行的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備類型是閃存設(shè)備。參考圖1，閃存設(shè)備包含閃存單元10的陣列100。每個(gè)閃存單元可以是，例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。所述閃存單元10具有柵極11、浮動(dòng)?xùn)艠O21、源極31、和漏極漏極41。柵極11響應(yīng)于字線，例如字線W/L0、W/L1、……、W/L1023而操作。源極31連接到讀出線S/L。漏極41響應(yīng)于對(duì)應(yīng)的位線，例如位線B/L0、B/L1、……、B/L511而操作。
通過經(jīng)由例如W/L0、W/L1、……、W/L102的字線向柵極11施加變化的電壓并且將閾值電壓Vt、漏極電流Id、和/或存儲(chǔ)在浮動(dòng)?xùn)艠O21中的電荷與參考存儲(chǔ)單元進(jìn)行比較來對(duì)所述閃存單元10進(jìn)行編程、校驗(yàn)和讀出。編程涉及通過改變存儲(chǔ)在浮動(dòng)?xùn)艠O21中的電荷而將編程電壓施加到柵極11以將數(shù)據(jù)編程或存儲(chǔ)到單元陣列100中，所述電荷的改變引起閾值電壓Vt、漏極電流Id、和/或所存儲(chǔ)的電荷的相應(yīng)變化。校驗(yàn)確定成功的陣列100編程并通常在編程之后。讀出涉及從已編程單元陣列100中讀出數(shù)據(jù)。
閃存單元可以存儲(chǔ)單個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)位。參考圖2A，單位閃存單元可以有狀態(tài)1和狀態(tài)0，分別指示邏輯高和低。狀態(tài)1是由閾值電壓V1與V2定義的鈴形曲線，其中大多數(shù)被編程到狀態(tài)1的存儲(chǔ)單元將顯示出在V1與V2之間的閾值電壓。同樣地，狀態(tài)0是由閾值電壓V3與V4定義的鈴形曲線，其中大多數(shù)被編程到狀態(tài)0的存儲(chǔ)單元將顯示出在V3與V4之間的閾值電壓。在狀態(tài)1和0之間的區(qū)域被稱為分離域(separation range)。參考電壓Vref通常位于狀態(tài)0和狀態(tài)1之間的分離域中。分離域理論上是不需要的，但是用于在例如狀態(tài)1和0的狀態(tài)間進(jìn)行區(qū)別。
參考圖2B，與單個(gè)位存儲(chǔ)單元不同，多位存儲(chǔ)單元包含多個(gè)狀態(tài)，例如狀態(tài)11、10、01和00。存儲(chǔ)多數(shù)據(jù)位的閃存單元是期望的，因?yàn)樗鼈兇罅康亟档土宋怀杀?bit cost)。例如，如果在單個(gè)單元上實(shí)現(xiàn)4個(gè)數(shù)據(jù)狀態(tài)或級(jí)，則存儲(chǔ)單元密度可以加倍而沒有附帶的衰耗增加。
狀態(tài)11是由閾值電壓V1與V2定義的鈴形曲線，其中大多數(shù)被編程到狀態(tài)1的存儲(chǔ)單元將顯示出在V1與V2之間的閾值電壓。狀態(tài)10是由閾值電壓V 3與V4定義的鈴形曲線，其中大多數(shù)被編程到狀態(tài)10的存儲(chǔ)單元將顯示出在V3與V4之間的閾值電壓。狀態(tài)01是由閾值電壓V5與V6定義的鈴形曲線，其中大多數(shù)被編程到狀態(tài)01的存儲(chǔ)單元將顯示出在V5與V6之間的閾值電壓。狀態(tài)00是由閾值電壓V7與V8定義的鈴形曲線，其中大多數(shù)被編程到狀態(tài)00的存儲(chǔ)單元將顯示出在V7與V8之間的閾值電壓。分離域存在于每個(gè)狀態(tài)之間，定義了參考電壓Vref_low、Vref_medium和Vref_high。參考電壓Vref_low介于狀態(tài)11的電壓V2與狀態(tài)10的電壓V3之間。參考電壓Vref_medium介于狀態(tài)10的電壓V4與狀態(tài)01的電壓V5之間。參考電壓Vref_high介于狀態(tài)01的電壓V6與狀態(tài)00的電壓V7之間。
多位存儲(chǔ)單元要求精確的閾值電壓控制。通常，較高的校驗(yàn)電壓導(dǎo)致在校驗(yàn)電壓處的相對(duì)窄的狀態(tài)分布和寬的分離域。但當(dāng)隨后施加較低讀出電壓時(shí)，作為存儲(chǔ)單元變化的gm分布的結(jié)果，狀態(tài)分布加寬，分離域縮窄。這將增加讀出錯(cuò)誤的可能性，即，編程一個(gè)單元，校驗(yàn)出它處于正確的狀態(tài)，隨后讀取它并得出它處于一個(gè)不同的狀態(tài)的結(jié)論。
因此，需要一種改進(jìn)的多級(jí)閃存設(shè)備和編程方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服與現(xiàn)有技術(shù)多級(jí)閃存設(shè)備與編程方法相關(guān)的缺點(diǎn)。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例是一種非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)指示多于兩種可能狀態(tài)的電荷量；和連接到存儲(chǔ)單元的控制電路?？刂齐娐穼⒕幊堂}沖與校驗(yàn)電壓交替地施加到存儲(chǔ)單元，直到所有單元處于期望的狀態(tài)。并且控制電路將至少一個(gè)額外的編程脈沖施加到處于最高狀態(tài)中的單元，而不施加校驗(yàn)電壓。
控制電路還可以將與校驗(yàn)電壓相等的讀出電壓施加到單元。
該設(shè)備可以包括響應(yīng)于額外的編程脈沖而增大的、在最高單元狀態(tài)和下一個(gè)最高單元狀態(tài)之間的讀出容限。
該控制電路可以交替地施加編程脈沖與校驗(yàn)電壓，直到該控制電路施加至少一個(gè)額外的編程脈沖為止。
本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例是一種用于將多個(gè)存儲(chǔ)單元編程到期望狀態(tài)的方法，每個(gè)單元具有多于兩個(gè)的可能狀態(tài)。該方法包含施加至少一個(gè)編程脈沖到所述單元和校驗(yàn)每個(gè)單元已達(dá)到期望狀態(tài)。以及該方法包含選擇被編程到最高狀態(tài)的單元并且施加至少一個(gè)額外編程脈沖到所選擇的單元，而不進(jìn)一步校驗(yàn)這些單元的狀態(tài)。
該方法可以包括施加校驗(yàn)電壓到單元，以及施加等于校驗(yàn)電壓的讀出電壓以從已編程的單元中讀出數(shù)據(jù)。
該方法可以包括施加至少一個(gè)額外的編程脈沖到所選擇的單元，而不進(jìn)一步校驗(yàn)這些單元的狀態(tài)，從而擴(kuò)大了在最高狀態(tài)和下一個(gè)最高狀態(tài)之間的讀出容限。
該方法可以包括施加至少一個(gè)編程脈沖到單元與校驗(yàn)每個(gè)單元已達(dá)到期望的狀態(tài)交替進(jìn)行，直到施加額外的編程脈沖。


從下面結(jié)合附圖對(duì)發(fā)明的詳細(xì)描述中，本發(fā)明的上述和其它目的、特征以及優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯。
圖1是存儲(chǔ)單元陣列100的示意圖。
圖2A-B是單位和多位存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元狀態(tài)圖。
圖3是與多位存儲(chǔ)單元相關(guān)的編程方法的流程圖。
圖4是用于與圖2B所示的與多位存儲(chǔ)單元相關(guān)的各種不同的校驗(yàn)和編程操作的W/L電壓對(duì)時(shí)間的示意圖。
圖5是單元電流對(duì)與圖4相關(guān)的閾值電壓的示意圖。
圖6是多位存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元狀態(tài)圖。
圖7是單元電流對(duì)與圖6相關(guān)的閾值電壓的示意圖。
圖8是多位存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元狀態(tài)9是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多級(jí)存儲(chǔ)設(shè)備的示意圖。
圖10是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多位存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元狀態(tài)圖。
圖11是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多位存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元狀態(tài)圖。
圖12是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法的流程圖。
圖13是用于與圖10所示的多位存儲(chǔ)單元相關(guān)的各種不同的校驗(yàn)和編程操作的W/L電壓對(duì)時(shí)間的示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖3是與多位存儲(chǔ)單元相關(guān)的編程方法300的流程圖。參考圖1和圖3，方法300包含在302接收編程命令和數(shù)據(jù)，指示存儲(chǔ)設(shè)備將數(shù)據(jù)編程或者存儲(chǔ)到存儲(chǔ)單元陣列100。響應(yīng)于該編程命令將編程字線電壓W/L施加到柵極11，其根據(jù)所述數(shù)據(jù)改變了存儲(chǔ)在浮動(dòng)?xùn)艠O21內(nèi)的電荷。在304，通過在柵極11上施加固定的校驗(yàn)電壓并且將閾值電壓Vt、漏極電流Id和/或存儲(chǔ)在浮動(dòng)?xùn)艠O21內(nèi)的電荷與參考存儲(chǔ)單元進(jìn)行比較，方法300校驗(yàn)成功的編程。
如果在306校驗(yàn)操作失敗，則方法300在308提高編程字線電壓W/L，在310接收編程命令和數(shù)據(jù)，并且在304再次校驗(yàn)正確的單元編程。存儲(chǔ)在浮動(dòng)?xùn)艠O21中的電荷隨著編程W/L電壓的每次施加而增加。也就是說，存儲(chǔ)在浮動(dòng)?xùn)艠O21內(nèi)的電荷與編程W/L電壓的施加的幅度、持續(xù)時(shí)間和數(shù)目成比例。方法在304、306、308和310上循環(huán)，直到在校驗(yàn)成功的設(shè)備編程之后方法300在312結(jié)束為止。在方法300中，校驗(yàn)(在304)在編程(在302和310)之后。
圖4是W/L電壓對(duì)時(shí)間的示意圖。參考圖1和圖4，使用編程W/L電壓對(duì)存儲(chǔ)單元10進(jìn)行編程，編程W/L然后使用校驗(yàn)W/L電壓進(jìn)行校驗(yàn)。編程W/L電壓隨著狀態(tài)而增加。也就是說，當(dāng)編程單元10到狀態(tài)00時(shí)，編程W/L電壓最低，并且編程單元10到狀態(tài)10、01和00時(shí)逐步增加。在另一方面，校驗(yàn)W/L電壓保持相同的電平以根據(jù)例如通過單元的電流來校驗(yàn)狀態(tài)11、10、01和00。請(qǐng)注意必須校驗(yàn)每個(gè)狀態(tài)，包括00。
圖5是單元或漏極電流對(duì)閾值電壓的示意圖。參考圖1和圖3到5，方法300通過交替地施加逐步增加的編程W/L電壓和校驗(yàn)W/L電壓到選定的單元而并發(fā)地對(duì)多個(gè)單元進(jìn)行編程校驗(yàn)W/L電壓。當(dāng)單元被校驗(yàn)后，即該單元編程被確認(rèn)，它被取消選定。校驗(yàn)W/L電壓必須高于讀出電壓，因?yàn)楸仨毿ｒ?yàn)最高狀態(tài)00。這要求高于00狀態(tài)中的最高閾值電壓的校驗(yàn)W/L電壓。
狀態(tài)00通過推斷被讀出。也就是說，當(dāng)單元被確定(讀)為不在狀態(tài)00、01、或10時(shí)，推斷出狀態(tài)00。因此，讀出電壓只需要到達(dá)下一個(gè)最高狀態(tài)，即狀態(tài)01的最高閾值電壓。因此，讀出W/L電壓通常比校驗(yàn)W/L電壓低。
圖6是狀態(tài)分布對(duì)單元電流的示意圖，包括均具有單元電流Ia的三個(gè)單元A、B和C。圖7是單元A、B和C的單元電流對(duì)W/L電壓的示意圖。圖8是狀態(tài)分布對(duì)單元閾值電壓的示意圖。參考圖6到8，不同單元，例如單元A、B和C對(duì)于同一個(gè)校驗(yàn)W/L電壓可以具有相同的單元電流Ia。但是因?yàn)樽x出W/L電壓通常低于校驗(yàn)W/L電壓，故由于單元gm分布的變化單元A、B和C的讀出單元電流較低。該差別導(dǎo)致狀態(tài)電壓域(state voltage range)加寬，每個(gè)狀態(tài)電壓域之間的分離域縮窄，如圖8所示。因此，通常相對(duì)于校驗(yàn)W/L電壓較低的讀出W/L電壓降低了讀出的準(zhǔn)確性。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多級(jí)存儲(chǔ)設(shè)備的示意圖。多級(jí)存儲(chǔ)設(shè)備900包括閃存單元100的陣列100。每個(gè)閃存單元可以是例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。閃存單元10具有柵極11、浮動(dòng)?xùn)艠O21、源極31和漏極41。源極31連接到讀出線S/L。漏極41響應(yīng)于相應(yīng)的位線，例如位線B/L0、B/L1、……、B/L511而操作。柵極11響應(yīng)于字線，例如字線W/L0、W/L1、……、W/L1023而操作。字線W/L 0、W/L1、……、W/L1023連接到控制電路50。控制電路50如在后面詳細(xì)解釋的那樣產(chǎn)生并提供電壓信號(hào)或者脈沖到字線W/L0、W/L1、……、W/L1023?？刂齐娐?0可以由軟件、硬件或者通過任何本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方式來實(shí)現(xiàn)。
圖10和11是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的狀態(tài)電壓域的示意圖。本發(fā)明的實(shí)施例包括實(shí)質(zhì)上使讀出W/L電壓等于校驗(yàn)W/L電壓，如圖10和11所示。這樣做縮窄了電壓狀態(tài)域而加寬了在狀態(tài)11和00之間以及狀態(tài)10和01之間的分離域，提高了讀出準(zhǔn)確性。但是由于讀出和校驗(yàn)電壓相等，因此如果沒有進(jìn)一步操作，則在狀態(tài)01和00之間會(huì)有非常小的讀出電壓容限(margin)，如圖10所示。
在圖11中，當(dāng)讀出和校驗(yàn)W/L電壓基本上相同時(shí)，狀態(tài)11、10、01和00在狀態(tài)曲線顯示為窄鈴形曲線，相應(yīng)的狀態(tài)曲線之間有寬的分離域。這與圖8顯示的相同狀態(tài)曲線形成對(duì)比，圖8中不同的讀出和校驗(yàn)W/L電壓導(dǎo)致較寬的狀態(tài)曲線及在相應(yīng)的狀態(tài)曲線之間有較窄的分離域，降低了讀出準(zhǔn)確性。
但是使讀出和校驗(yàn)W/L電壓相等會(huì)減小狀態(tài)01和00之間的讀出電壓容限，如圖10所示，因?yàn)樽x出/校驗(yàn)W/L剛好在導(dǎo)通狀態(tài)00中的晶體管所需的閾值電壓之上?；叵肫馉顟B(tài)00是通過推論而被讀出的。也就是說，當(dāng)單元被讀出為不在狀態(tài)11、10、或01(因此檢測(cè)出沒有電流流入相關(guān)單元)時(shí)，推斷出狀態(tài)00。
為了提高在狀態(tài)01和00之間的讀出電壓容限，同時(shí)維持相等的讀出和校驗(yàn)W/L電壓，本發(fā)明的實(shí)施例包括編程存儲(chǔ)單元，而不介入校驗(yàn)操作，如下面參考圖12所解釋的。這樣做成比例地增加了存儲(chǔ)在存儲(chǔ)柵極21中的電荷，而不介入校驗(yàn)操作。增加存儲(chǔ)在存儲(chǔ)柵極21中的電荷如圖11所示將狀態(tài)00曲線移位到讀出/校驗(yàn)W/L電壓的右邊，以相等的校驗(yàn)和讀出W/L電壓增加了讀出容限出容限同時(shí)提高了讀出準(zhǔn)確性。
圖12是根據(jù)本發(fā)明的方法的流程圖。參考圖12，方法1100包括由標(biāo)志設(shè)置和循環(huán)例程1102和1104修改的方法300(圖3)例程(routine)。在302編程之后，方法1100執(zhí)行標(biāo)志設(shè)置例程1102。方法確定存儲(chǔ)單元是否包括狀態(tài)為00的數(shù)據(jù)(1106)。如果單元處于狀態(tài)00，則方法1100在1108設(shè)置標(biāo)志。如果方法1100在306校驗(yàn)出單元程序，則它執(zhí)行循環(huán)例程1104。方法1100在1110檢查標(biāo)志是否設(shè)置為1。如果設(shè)置為1，則方法1100在312結(jié)束。如果在1110沒有設(shè)置標(biāo)志(例如，因?yàn)閱卧獩]有在狀態(tài)00被編程)，則它在1112將計(jì)數(shù)器設(shè)置到0。方法1100在1114提高W/L電壓，在1116編程單元，并且在1120對(duì)計(jì)數(shù)增加1，直到計(jì)數(shù)達(dá)到預(yù)定(或許可編程)界限，例如10(1118)。一旦計(jì)數(shù)在1118達(dá)到預(yù)定界限，則程序在312結(jié)束。通過執(zhí)行循環(huán)例程1104，方法1100如圖11所示的以及如上所解釋的有效地將狀態(tài)00電壓域向右移位。圖13是W/L電壓對(duì)時(shí)間的示意圖。參考圖13，方法1100包括一個(gè)循環(huán)例程1104，該循環(huán)例程1104在1116編程單元，在1120對(duì)計(jì)數(shù)增加1，直到計(jì)數(shù)達(dá)到預(yù)定(或許可編程)界限，例如10(1128)。一旦計(jì)數(shù)在1118達(dá)到預(yù)定界限，則程序在312結(jié)束。
已經(jīng)說明和描述了本發(fā)明的原理，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言非常明顯，在不脫離這些原理的情況下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種修改。并且所有修改都落在所附權(quán)利要求書所限定的精神和范圍之內(nèi)。
本申請(qǐng)要求于2004年2月26日在韓國(guó)專利局提出的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2004-0012984的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引用并入于次。
權(quán)利要求
1.一種用于將多個(gè)存儲(chǔ)單元編程到期望狀態(tài)的方法，每個(gè)單元具有多于兩個(gè)的可能狀態(tài)，該方法包括施加至少一個(gè)編程脈沖到所述單元；校驗(yàn)每個(gè)單元已達(dá)到期望狀態(tài)；選擇被編程到最高狀態(tài)的單元；并且施加至少一個(gè)額外編程脈沖到所選擇的單元，而不進(jìn)一步校驗(yàn)這些單元的狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，校驗(yàn)每個(gè)單元已達(dá)到期望狀態(tài)包括施加校驗(yàn)電壓到所述單元；并且施加等于該校驗(yàn)電壓的讀出電壓以從已編程的單元中讀出數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，施加至少一個(gè)額外編程脈沖到所選擇的單元、而不進(jìn)一步校驗(yàn)這些單元的狀態(tài)增大了最高狀態(tài)和下一個(gè)最高狀態(tài)之間的讀出容限。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，施加至少一個(gè)編程脈沖到單元與校驗(yàn)每個(gè)單元已達(dá)到期望的狀態(tài)交替進(jìn)行，直到施加額外的編程脈沖為止。
5.一種用于操作具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)設(shè)備的方法，每個(gè)存儲(chǔ)單元具有多于兩個(gè)的可能狀態(tài)，該方法包括將所述單元編程到期望的狀態(tài)；施加選擇的電壓以校驗(yàn)所述單元處于期望的狀態(tài)；將處于最高狀態(tài)的單元編程到更高級(jí)別；并且施加所述選擇的電壓以從所述單元讀出數(shù)據(jù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，將處于最高狀態(tài)的單元編程到更高級(jí)別增大了所述最高狀態(tài)與更高級(jí)別之間的讀出容限。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，將所述單元編程到期望的狀態(tài)與施加選擇的電壓以校驗(yàn)所述單元處于期望的狀態(tài)交替進(jìn)行，直到處于最高狀態(tài)的單元被編程到更高級(jí)別為止。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括施加至少一個(gè)額外的選擇電壓到所述單元、而不進(jìn)一步校驗(yàn)這些單元的狀態(tài)以增大最高狀態(tài)和更高級(jí)別之間的讀出容限。
9.一種增大多個(gè)存儲(chǔ)單元的狀態(tài)之間的讀出容限的方法，每個(gè)存儲(chǔ)單元具有多于兩個(gè)的可能狀態(tài)，該方法包括施加編程脈沖到所述單元；校驗(yàn)每個(gè)單元已達(dá)到期望的狀態(tài)；并且施加至少一個(gè)額外的編程脈沖到處于最高狀態(tài)的單元，而不進(jìn)一步校驗(yàn)這些單元的狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，校驗(yàn)每個(gè)單元已達(dá)到期望的狀態(tài)包括施加校驗(yàn)電壓到所述單元；并且通過施加與該校驗(yàn)電壓相等的讀出電壓來從已編程單元中讀出數(shù)據(jù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，施加至少一個(gè)額外的編程脈沖到處于最高狀態(tài)的單元、而不進(jìn)一步校驗(yàn)這些單元的狀態(tài)增大了狀態(tài)之間的讀出容限。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，施加編程脈沖到所述單元與校驗(yàn)每個(gè)單元已達(dá)到期望狀態(tài)交替進(jìn)行，直到施加額外的編程脈沖為止。
13.一種非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)單元存儲(chǔ)指示多于兩個(gè)可能狀態(tài)的電荷量；和連接到所述存儲(chǔ)單元的控制電路，該控制電路將編程脈沖與校驗(yàn)電壓交替地施加到所述存儲(chǔ)單元，直到所有單元處于期望的狀態(tài)，并且該控制電路施加至少一個(gè)額外的編程脈沖到處于最高狀態(tài)的單元，而不施加校驗(yàn)電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中，所述控制電路將等于所述校驗(yàn)電壓的讀出電壓施加到所述單元。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中，所述設(shè)備包含響應(yīng)于所述額外的編程脈沖而增大的、在最高單元狀態(tài)和下一個(gè)最高單元狀態(tài)之間的讀出容限。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中，所述控制電路交替地施加編程脈沖與校驗(yàn)電壓，直到該控制電路施加所述至少一個(gè)額外的編程脈沖為止。
17.一種非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，包括用于施加至少一個(gè)編程脈沖到單元的裝置；用于校驗(yàn)每個(gè)單元已達(dá)到期望狀態(tài)的裝置；用于選擇被編程到最高狀態(tài)的單元的裝置；和用于施加至少一個(gè)額外的編程脈沖到所選擇的單元、而不進(jìn)一步校驗(yàn)這些單元的狀態(tài)的裝置。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中，所述用于校驗(yàn)每個(gè)單元已達(dá)到期望狀態(tài)的裝置包括用于施加校驗(yàn)電壓到所述單元的裝置；和用于施加等于該校驗(yàn)電壓的讀出電壓以從已編程單元讀出數(shù)據(jù)的裝置。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中，所述用于施加至少一個(gè)額外的編程脈沖到所選擇的單元、而不進(jìn)一步校驗(yàn)這些單元的狀態(tài)的裝置包含用于增大在最高狀態(tài)和下一個(gè)最高狀態(tài)之間的讀出容限的裝置。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中，所述用于施加至少一個(gè)編程脈沖到單元的裝置和用于校驗(yàn)每個(gè)單元已達(dá)到期望狀態(tài)的裝置交替進(jìn)行，直到所述用于施加額外的編程脈沖的裝置施加額外的編程脈沖為止。
21.一種非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，包括存儲(chǔ)單元裝置，每個(gè)單元存儲(chǔ)指示多于兩個(gè)可能狀態(tài)的電荷量，和連接到所述存儲(chǔ)單元裝置的控制裝置，該控制裝置將編程脈沖與校驗(yàn)電壓交替地施加到所述存儲(chǔ)單元裝置，直到所有存儲(chǔ)單元裝置處于期望的狀態(tài)，并且該控制裝置施加至少一個(gè)額外的編程脈沖到處于最高狀態(tài)的存儲(chǔ)單元裝置，而不施加校驗(yàn)電壓。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中，所述控制裝置將等于校驗(yàn)電壓的讀出電壓施加到所述存儲(chǔ)單元裝置。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中，所述設(shè)備包含響應(yīng)于所述額外的編程脈沖而增大的、在最高單元狀態(tài)和下一個(gè)最高單元狀態(tài)之間的讀出容限裝置。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，其中，所述控制裝置交替地施加編程脈沖與校驗(yàn)電壓，直到該控制裝置施加所述至少一個(gè)額外的編程脈沖為止。
全文摘要
公開了一種多級(jí)閃存設(shè)備和編程方法。該多級(jí)閃存設(shè)備包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)單元存儲(chǔ)指示多于兩個(gè)可能狀態(tài)的電荷量；以及連接到存儲(chǔ)單元的控制電路。該控制電路將編程電壓與校驗(yàn)電壓交替地施加到所述存儲(chǔ)單元，直到所有單元處于期望的狀態(tài)，并且施加至少一個(gè)額外的編程電壓到處于最高狀態(tài)的單元，而不施加校驗(yàn)電壓。該方法包括施加至少一個(gè)編程脈沖到單元；校驗(yàn)每個(gè)單元已達(dá)到期望的狀態(tài)；選擇被編程到最高狀態(tài)的單元；并施加至少一個(gè)額外的編程脈沖到所選擇的單元，而不進(jìn)一步校驗(yàn)這些單元的狀態(tài)。
文檔編號(hào)G11C16/10GK1661727SQ20051005252
公開日2005年8月31日 申請(qǐng)日期2005年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月26日
發(fā)明者樸東鎬, 李升根 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社