技術(shù)編號：6756952
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)設(shè)備和編程方法，尤其是涉及一種。背景技術(shù) 現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)經(jīng)常包含用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備。流行的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備類型是閃存設(shè)備。參考圖1，閃存設(shè)備包含閃存單元10的陣列100。每個(gè)閃存單元可以是，例如場效應(yīng)晶體管(FET)。所述閃存單元10具有柵極11、浮動(dòng)?xùn)艠O21、源極31、和漏極漏極41。柵極11響應(yīng)于字線，例如字線W/L0、W/L1、……、W/L1023而操作。源極31連接到讀出線S/L。漏極41響應(yīng)于對應(yīng)的位線，...
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