專利名稱：用于雙層記錄介質(zhì)的重現(xiàn)光束功率控制的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多層記錄介質(zhì)，尤其涉及一種雙層MAMMOS(磁疇擴(kuò)大磁光系統(tǒng))盤之類的雙層記錄介質(zhì)，所述介質(zhì)包括兩層記錄或存儲(chǔ)層和一層擴(kuò)大或讀出層，本發(fā)明還涉及一種用于讀取這種多層記錄介質(zhì)的方法和設(shè)備。
在傳統(tǒng)磁光存儲(chǔ)系統(tǒng)中，記錄標(biāo)記的最小寬度由衍射極限決定，換句話說，由聚焦透鏡的數(shù)值孔徑(NA)和激光波長(zhǎng)決定。寬度的減小通常與短波長(zhǎng)激光器和高NA聚焦光學(xué)系統(tǒng)的使用有關(guān)。在磁光記錄中，可以通過使用激光脈沖磁場(chǎng)調(diào)制(LP-MFM)將最小位長(zhǎng)度降低到光學(xué)衍射極限以下。在LP-MFM中，位轉(zhuǎn)移由激光器(或任何其它適當(dāng)?shù)妮椛湓?的切換引起的場(chǎng)的切換和溫度梯度決定。
在磁疇擴(kuò)大技術(shù)中，與MAMMOS類似，在激光加熱時(shí)并借助于外加磁場(chǎng)，將尺寸小于衍射極限的寫標(biāo)記從存儲(chǔ)層復(fù)制到讀出層。由于所述讀出層的矯頑力較低，因此，復(fù)制標(biāo)記將擴(kuò)展以填充光點(diǎn)，采用飽和信號(hào)電平基本上可將所述復(fù)制標(biāo)記檢測(cè)出來(在記錄介質(zhì)的讀出過程中)，所述飽和信號(hào)電平與標(biāo)記尺寸無關(guān)。外部磁場(chǎng)的翻轉(zhuǎn)摧毀了擴(kuò)展磁疇。另一方面，存儲(chǔ)層中的空間將不會(huì)被復(fù)制，因而沒有擴(kuò)大產(chǎn)生。因此，在這種情況下將不會(huì)檢測(cè)到任何信號(hào)。
為了讀出存儲(chǔ)層中的數(shù)據(jù)位或磁疇，使用了光點(diǎn)的熱剖面。當(dāng)讀出層的溫度高于預(yù)定閾值時(shí)，將磁疇從存儲(chǔ)層復(fù)制到磁致靜電耦合讀出層。這是由于來自存儲(chǔ)層的與所述層的磁化強(qiáng)度成比例的雜散場(chǎng)HS作為溫度的函數(shù)遞增。磁化強(qiáng)度MS作為溫度的函數(shù)遞增，所述溫度為溫度區(qū)域中正好高于有效磁化之處的補(bǔ)償溫度Tco的溫度，從而，存儲(chǔ)層的雜散場(chǎng)降為零。這種特性源于稀土-過渡金屬(RE-TM)合金的使用，所述合金產(chǎn)生方向相反的兩個(gè)反作用磁化強(qiáng)度MRE(稀土成分)和MTM(過渡金屬成分)。
外部磁場(chǎng)的使用引起讀出層中被復(fù)制的磁疇擴(kuò)展，以不管原始疇的尺寸如何都可以提供飽和檢測(cè)信號(hào)。復(fù)制過程是非線性的。當(dāng)溫度高于閾值時(shí)，磁疇將從存儲(chǔ)層耦合到讀出層。對(duì)于高于閾值的溫度，滿足下述條件HS+Hext≥Hc(1)其中，HS是讀出層中存儲(chǔ)層的雜散場(chǎng)，Hext是外加場(chǎng)，Hc是讀出層的矯頑場(chǎng)。復(fù)制發(fā)生的空間區(qū)域被稱為“復(fù)制窗口”。復(fù)制窗口的大小W為了精確讀出是嚴(yán)格受限的。當(dāng)條件(1)不能滿足(復(fù)制窗口尺寸W＝0)時(shí)，根本不會(huì)發(fā)生復(fù)制。另一方面，過大的復(fù)制窗口將導(dǎo)致與相鄰數(shù)據(jù)位(標(biāo)記)發(fā)生重疊，從而引起附加的“干擾峰”。復(fù)制窗口的大小與溫度輪廓的確切形狀(即，確切激光功率，以及環(huán)境溫度)、外部施加磁場(chǎng)的強(qiáng)度以及可顯示近程(或遠(yuǎn)程)變化的金屬參數(shù)相關(guān)。
讀出過程中所使用的激光功率應(yīng)足夠高，以能夠進(jìn)行復(fù)制。另一方面，較高的激光功率還加重了溫度引起的矯頑場(chǎng)輪廓與為圖形的雜散場(chǎng)輪廓的重疊。矯頑力Hc隨溫度的增加而下降，雜散場(chǎng)隨溫度的增加而增加。當(dāng)所述重疊變得過大時(shí)，將由于相鄰標(biāo)記產(chǎn)生了錯(cuò)誤信號(hào)而不再能夠正確讀出空間內(nèi)容。所述最大和最小激光功率之差決定了功率余量，所述功率余量隨位長(zhǎng)度的下降而急劇降低。
在MAMMOS中，外場(chǎng)與記錄數(shù)據(jù)的同步是至關(guān)重要的?？梢酝ㄟ^使用例如與數(shù)據(jù)相關(guān)的場(chǎng)切換實(shí)現(xiàn)精確的時(shí)鐘恢復(fù)。此外，高密度下正確讀出所允許的激光功率范圍相當(dāng)小。然而，也可以利用讀出激光功率這種敏感性實(shí)現(xiàn)精確功能控制環(huán)路，即，動(dòng)態(tài)復(fù)制窗口控制，這種控制使用了來自記錄數(shù)據(jù)的讀出信號(hào)。上述操作可以通過將小調(diào)制分量(擺動(dòng))加入到激光功率中從而引起MAMMOS信號(hào)的定時(shí)位移而實(shí)現(xiàn)。例如，通過對(duì)這種位移的同步檢測(cè)，激光功率、外場(chǎng)或環(huán)境溫度的任何變化都可以被校正以保持復(fù)制窗口大小恒定。這樣，可以獲得精確而強(qiáng)壯的讀出信號(hào)，從而可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)系統(tǒng)所達(dá)到的密度。這種增/減(擺動(dòng))可以預(yù)定義變化圖形實(shí)現(xiàn)，例如，具有較小幅度的周期圖形。所述擺動(dòng)使復(fù)制窗口的尺寸與擺動(dòng)頻率同步的增大或減小。當(dāng)復(fù)制窗口尺寸增大時(shí)，下一次轉(zhuǎn)變將略早于期望時(shí)刻出現(xiàn)。另一方面，當(dāng)復(fù)制窗口尺寸減小時(shí)，下一轉(zhuǎn)變將略微延遲。所述情況可由相位誤差幅度指示。所述相位誤差幅度是由于復(fù)制窗口尺寸與讀出參數(shù)的非線性類平方根相關(guān)性得到的對(duì)讀出參數(shù)的直接量度。為了獲得可用作復(fù)制窗口控制環(huán)路的輸入的絕對(duì)誤差信號(hào)，所述控制方法需要適當(dāng)?shù)膮⒖荚O(shè)定值，其與如外場(chǎng)和/或激光功率之類的最佳讀出參數(shù)相應(yīng)。
容量大幅度增長(zhǎng)現(xiàn)已通過采用雙層盤而獲得。在傳統(tǒng)磁光(MO)系統(tǒng)中，各種雙層方案是已知的。在大多數(shù)情況下，兩個(gè)存儲(chǔ)層在物鏡的聚焦深度內(nèi)靠近(甚至直接相連，或交換耦合)。各層的讀出基于克爾旋度和橢圓率之差。例如，調(diào)整干涉層，以使第一層僅給出克爾旋度，而第二層僅給出克爾橢圓率。有時(shí)也使用不同波長(zhǎng)來增進(jìn)所述效果。對(duì)兩層進(jìn)行讀取的另一種方法是一種多層方式根據(jù)不同層中的數(shù)據(jù)，檢測(cè)四個(gè)不同信號(hào)電平(例如，克爾旋度)(++、+、-、--)。然而，介質(zhì)電平(+、-)的信噪比很低。
不同層中的記錄方式也可有幾種選擇?？梢詫?duì)磁性進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使第一層的居里溫度(Tc)高于第二層。這樣，可在不影響高Tc層的低激光功率下對(duì)低Tc層進(jìn)行寫入。兩層均在高激光功率下受到影響。選擇上述其中一種方法或?qū)⑸鲜龇椒ㄟM(jìn)行組合，利用了場(chǎng)靈敏度的差別。這里，所施加的磁場(chǎng)的符號(hào)和幅度決定了兩層的切換。例如，第一層總是與場(chǎng)的符號(hào)一致，而第二層在其低于某個(gè)幅度時(shí)與場(chǎng)相反，在其幅度足夠強(qiáng)時(shí)與場(chǎng)一致。這樣，在一個(gè)傳送過程中對(duì)兩個(gè)層進(jìn)行了寫入。為了實(shí)現(xiàn)所述操作，第二層交換耦合到另一磁層，例如，PtCo多層或第一存儲(chǔ)層。
雖然雙層MO無疑是可以實(shí)現(xiàn)的，但是，雙層MAMMOS的擴(kuò)展遠(yuǎn)非易事。在MAMMOS加工中，需要存儲(chǔ)層和讀出層。上述層的厚度之和至少為30-70nm，使得這組層之下的讀出層的信號(hào)的透射對(duì)于精確檢測(cè)而言過低。
文獻(xiàn)WO 99/39341和JP2002-298465公開了雙層MAMMOS盤，所述盤用于再生普通讀出層中第一和第二存儲(chǔ)層的雜散場(chǎng)的組合所產(chǎn)生的多值信號(hào)。借助于將非讀出存儲(chǔ)層加入到其補(bǔ)償溫度的激光功率連續(xù)獨(dú)立讀取兩個(gè)存儲(chǔ)層，以確保僅將讀出存儲(chǔ)層的標(biāo)記復(fù)制到讀出層。因此，可以通過選擇相應(yīng)的讀出激光功率對(duì)不同存儲(chǔ)層分別讀出。所述激光功率應(yīng)為使沒有進(jìn)行讀取的層的溫度接近其補(bǔ)償溫度從而消除雜散場(chǎng)對(duì)讀出過程影響的溫度。
如上所述，應(yīng)通過復(fù)制窗口控制過程非常小心的平衡激光功率和所施加的外場(chǎng)，以在單層盤的讀出過程中確保最高存儲(chǔ)密度。盡管需要嚴(yán)密控制(典型的在激光功率中約為1％)，平衡激光功率和外場(chǎng)仍存在很大空間如果場(chǎng)略微過低，較高的激光功率仍能正確讀出，反之亦然。然而，在雙層的情況下，并非這種情況，這是由于存儲(chǔ)層必須達(dá)到預(yù)定絕對(duì)溫度，即使所述溫度在約±10℃的較寬容許極限之內(nèi)。
在理想情況下，每張盤和每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都具有完美匹配的特性，從而，驅(qū)動(dòng)器中的讀出功率電平與不同存儲(chǔ)層的補(bǔ)償溫度相應(yīng)。然而，出于多種原因，事實(shí)上并非這種情況。除了驅(qū)動(dòng)器光學(xué)系統(tǒng)的污染(灰塵)以及如激光器的老化之外，光學(xué)(反射率、吸收率)、熱(傳導(dǎo)率、熱容量)和磁(Tco在％合成變化中變化率達(dá)到80K)特性可能隨盤以及單盤的半徑(在厚度和/或組成成分中的不均勻性)的不同而發(fā)生變化。對(duì)讀出參數(shù)進(jìn)行適當(dāng)校準(zhǔn)可校正驅(qū)動(dòng)器、盤與盤半徑之差，從而可允許更大的制造容差。然而，動(dòng)態(tài)復(fù)制窗口控制是必不可少的，與所述控制在單存儲(chǔ)層MAMMOS盤的讀出過程所起到的作用相同，所述控制實(shí)現(xiàn)了最高密度下的強(qiáng)健讀出。對(duì)于雙存儲(chǔ)層MAMMOS而言，激光功率和外場(chǎng)不能象單層MAMMOS中那樣自由交換。這是由于讀出溫度需要保持與沒有進(jìn)行讀取的存儲(chǔ)層的補(bǔ)償溫度嚴(yán)格接近，以防止所述層發(fā)生“串?dāng)_”。
本發(fā)明的目的在于提供一種記錄介質(zhì)以及一種讀取方法和設(shè)備，借助于所述方法和設(shè)備，可以對(duì)雙層存儲(chǔ)介質(zhì)實(shí)現(xiàn)正確讀出。
所述目的通過提供如權(quán)利要求1所要求保護(hù)的一種讀取設(shè)備、如權(quán)利要求17所要求保護(hù)的一種讀取方法以及如權(quán)利要求19所要求保護(hù)的一種記錄介質(zhì)而實(shí)現(xiàn)。
因此，第一和第二存儲(chǔ)層之間的串?dāng)_可以通過保持讀出溫度與沒有進(jìn)行讀取的其它存儲(chǔ)層的補(bǔ)償溫度相接近而減小。
參數(shù)的確定可以基于寫在第一存儲(chǔ)層中的第一預(yù)定數(shù)據(jù)圖形與寫在第二存儲(chǔ)層上的第一預(yù)定數(shù)據(jù)圖形之上的第二預(yù)定數(shù)據(jù)圖形之間檢測(cè)到的相關(guān)性。由此，可以為驅(qū)動(dòng)器與驅(qū)動(dòng)器、盤與盤之間和徑向變化的補(bǔ)償提供初始校準(zhǔn)。從第一層的讀出激光功率的預(yù)定值開始，通過最優(yōu)化該層中已知數(shù)值圖形的讀出來調(diào)整第二層的激光功率。然后，對(duì)其它存儲(chǔ)層重復(fù)上述步驟。
作為一個(gè)選擇方案，可以根據(jù)寫在第一存儲(chǔ)層中的第一預(yù)定數(shù)據(jù)圖形的讀出信號(hào)中的檢測(cè)到的誤差設(shè)定參數(shù)，所述誤差由寫在第二存儲(chǔ)層中的第二預(yù)定數(shù)據(jù)圖形引起。確定的數(shù)值可響應(yīng)寫在記錄介質(zhì)中的信息而確定，其固定了記錄介質(zhì)的特性。由此，記錄介質(zhì)的制造者可以在介質(zhì)上提供均勻性的指示，以減少所要執(zhí)行的校準(zhǔn)次數(shù)。
此外，可以響應(yīng)寫在記錄介質(zhì)上的早先使用信息跳過確定過程，然后根據(jù)存儲(chǔ)在記錄介質(zhì)上的至少一個(gè)讀出參數(shù)確定輻射功率。由此，可在記錄介質(zhì)已在該驅(qū)動(dòng)器中近期使用的情況下減少啟動(dòng)時(shí)間。如果讀出誤差率超過預(yù)定閾值，讀取設(shè)備將取消所述跳過操作。
早先使用信息可以包括存儲(chǔ)在讀取設(shè)備中的至少一個(gè)記錄介質(zhì)標(biāo)識(shí)或存儲(chǔ)在記錄介質(zhì)上的至少一個(gè)記錄設(shè)備標(biāo)識(shí)。尤其，早先使用信息可與相應(yīng)的時(shí)間和/或數(shù)據(jù)信息一同存儲(chǔ)。
確定和控制裝置用于記錄介質(zhì)的不同半徑下的參數(shù)確定和功率控制。
作為一個(gè)選擇方案，讀取設(shè)備可用于存儲(chǔ)至少一個(gè)讀出參數(shù)或多個(gè)用于描述至少一個(gè)讀出參數(shù)的算法的變量，作為記錄介質(zhì)的半徑的函數(shù)。
可以根據(jù)讀出脈沖的檢測(cè)值與期望值之差控制外部磁場(chǎng)。由此可以實(shí)現(xiàn)獨(dú)立復(fù)制窗口控制。讀出脈沖的數(shù)值的增加或減小(其不與數(shù)據(jù)圖形之一相關(guān))給出了復(fù)制窗口尺寸的獨(dú)立信息，從而給出了所需的外部磁場(chǎng)的校正信息。
由此，可以保證第一存儲(chǔ)層與第二存儲(chǔ)層無關(guān)的被讀取。輻射功率的第一值由第二存儲(chǔ)層的補(bǔ)償溫度確定，輻射功率的第二值由第一存儲(chǔ)層的補(bǔ)償溫度確定。
其他優(yōu)點(diǎn)更多的改進(jìn)定義在從屬權(quán)利要求中。
下文中，將基于以附圖作為參考的優(yōu)選實(shí)施方式描述本發(fā)明。


圖1是根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式的磁光盤播放器方框圖，圖2示出了根據(jù)第一實(shí)施方式的雙存儲(chǔ)層MAMMOS盤的示意性層結(jié)構(gòu)，
圖3示出了根據(jù)第二實(shí)施方式的雙存儲(chǔ)層MAMMOS盤的示意性層結(jié)構(gòu)，圖4示出了指示第一讀出層的讀出層矯頑力與存儲(chǔ)層磁化強(qiáng)度之間的溫度依從關(guān)系的曲線圖，圖5示出了指示第二讀出層的讀出層矯頑力與存儲(chǔ)層磁化強(qiáng)度之間的溫度依從關(guān)系的曲線圖，圖6示出了指示讀出層中作為不同存儲(chǔ)層厚度下的存儲(chǔ)和讀出層之間的距離的函數(shù)的雜散場(chǎng)幅度的曲線圖，圖7示出了根據(jù)具體實(shí)施方式
的初始功率設(shè)置過程的流程圖，圖8示出了第一和第二存儲(chǔ)層中的一組數(shù)據(jù)圖形的實(shí)施例，和圖9示出了指示讀出層中作為圖8的數(shù)據(jù)圖形的軌道方向的函數(shù)的雜散場(chǎng)分布的曲線圖。
圖1示意性的示出了根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式的MAMMOS盤播放器的結(jié)構(gòu)。盤播放器包括光學(xué)拾取單元30，其具有用于照射雙存儲(chǔ)層磁光記錄介質(zhì)或記錄載體10的激光輻射部分，所述記錄介質(zhì)或記錄載體是例如雙存儲(chǔ)層MAMMOS盤，所述激光輻射部分發(fā)出的光在記錄過程中轉(zhuǎn)換為與編碼數(shù)據(jù)周期同步的脈沖。盤播放器還包括磁場(chǎng)施加部分，所述磁場(chǎng)時(shí)間部分包括在記錄和回放過程中的控制方式下將磁場(chǎng)施加到磁光盤10上的磁頭12。在光學(xué)拾取單元30中，激光器連接到激光驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路接收來自記錄/讀出脈沖調(diào)整單元32的記錄和讀出脈沖，以控制記錄和讀出操作過程中光學(xué)拾取單元30的激光脈沖幅度和定時(shí)。記錄/讀出調(diào)整電路32接收來自時(shí)鐘發(fā)生器26的時(shí)鐘信號(hào)，所述時(shí)鐘發(fā)生器包括PLL(鎖相環(huán))電路。
應(yīng)當(dāng)注意，為了簡(jiǎn)化說明內(nèi)容，磁頭12和光學(xué)拾取單元30示出于圖1中的盤10的相對(duì)側(cè)。然而，它們優(yōu)選設(shè)置在盤10的同一側(cè)。
磁頭12連接到頭驅(qū)動(dòng)單元14并在記錄過程中經(jīng)相位調(diào)整電路18從調(diào)制器24接收編碼轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)。調(diào)制器24將輸入記錄數(shù)據(jù)DI轉(zhuǎn)換為規(guī)定編碼。
在回放過程中，頭驅(qū)動(dòng)器14通過回放調(diào)整電路20從定時(shí)電路34接收定時(shí)信號(hào)，其中，回放調(diào)整電路20產(chǎn)生用于調(diào)整施加到磁頭12的脈沖的定時(shí)和幅度的同步信號(hào)。定時(shí)電路34從數(shù)據(jù)讀出操作中得到器定時(shí)信號(hào)。這樣，可以實(shí)現(xiàn)與數(shù)據(jù)相關(guān)的場(chǎng)切換。記錄/回放開關(guān)16用于在記錄和回放過程中切換或選擇要提供給頭驅(qū)動(dòng)器14的各信號(hào)。
此外，光學(xué)拾取單元30包括用于檢測(cè)從盤10反射的激光并產(chǎn)生相應(yīng)的讀取信號(hào)的檢測(cè)器，所述讀取信號(hào)被施加到解碼器28，所述解碼器用于解碼讀取信號(hào)以產(chǎn)生輸出信號(hào)DO。而且，由光學(xué)拾取單元30產(chǎn)生的讀取信號(hào)輸入到時(shí)鐘發(fā)生器26中，在所述時(shí)鐘發(fā)生器中，提取或恢復(fù)從盤10的壓紋時(shí)鐘標(biāo)記中獲得的時(shí)鐘信號(hào)，所述時(shí)鐘發(fā)生器將用于同步的時(shí)鐘信號(hào)傳送給記錄脈沖調(diào)整電路32和調(diào)制器24。尤其，數(shù)據(jù)通道時(shí)鐘可以在時(shí)鐘發(fā)生器26的PLL電路中產(chǎn)生。應(yīng)當(dāng)注意，從時(shí)鐘發(fā)生器26獲得的時(shí)鐘信號(hào)可以提供給回放調(diào)整電路20，也可以提供基準(zhǔn)或后退同步，所述同步支持由定時(shí)電路34控制的與數(shù)據(jù)相關(guān)的切換或同步。
在數(shù)據(jù)記錄的情況下，以和數(shù)據(jù)通道時(shí)鐘的周期相應(yīng)的固定頻率調(diào)制光學(xué)拾取單元30的激光，在相同距離下局部加熱旋轉(zhuǎn)盤10的數(shù)據(jù)記錄區(qū)或光點(diǎn)。另外，由時(shí)鐘發(fā)生器26輸出的數(shù)據(jù)通道時(shí)鐘控制調(diào)制器24產(chǎn)生具有標(biāo)準(zhǔn)時(shí)鐘周期的數(shù)據(jù)信號(hào)。調(diào)制器24調(diào)制并編碼變換記錄數(shù)據(jù)，以獲得與記錄數(shù)據(jù)的信息相應(yīng)的二進(jìn)制游程長(zhǎng)度信息。
在圖1中，定時(shí)電路34用于將與數(shù)據(jù)相關(guān)的定時(shí)信號(hào)傳送給回放調(diào)整電路20。外部磁場(chǎng)的與數(shù)據(jù)相關(guān)的切換也可以通過將定時(shí)信號(hào)傳送給頭驅(qū)動(dòng)器14以調(diào)整外部磁場(chǎng)的定時(shí)或相位實(shí)現(xiàn)。定時(shí)信息由盤10上的(用戶)數(shù)據(jù)得到。為此，采用回放調(diào)整電路20或頭驅(qū)動(dòng)器14來提供外部磁場(chǎng)，所述外部磁場(chǎng)在擴(kuò)展方向上是正常的。當(dāng)定時(shí)電路34在與光學(xué)拾取單元30的輸出端相連的輸入線上觀察到MAMMOS峰的上升信號(hào)邊沿時(shí)，將定時(shí)信號(hào)傳送給回放調(diào)整電路20，以控制頭驅(qū)動(dòng)器14稍后翻轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，從而摧毀讀出層中的擴(kuò)展疇，并在此之后將磁場(chǎng)復(fù)原到擴(kuò)展方向。定時(shí)電路34將波峰檢測(cè)與場(chǎng)復(fù)原之間的總時(shí)間設(shè)定為最大允許復(fù)制窗口與盤10上的一個(gè)通道位長(zhǎng)(乘以線性盤速度)之和。
此外，可以通過將調(diào)制例如擺動(dòng)或變化圖形施加到頭驅(qū)動(dòng)器14上并使用在讀取模式下從檢測(cè)數(shù)據(jù)信號(hào)中得到的信息持續(xù)測(cè)量復(fù)制窗口的尺寸W實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)復(fù)制窗口控制。如果擺動(dòng)頻率位于時(shí)鐘發(fā)生器26的時(shí)鐘恢復(fù)PLL電路的帶寬之上，則可以使用所述PLL電路的相位誤差來檢測(cè)相對(duì)于期望的轉(zhuǎn)變位置的小偏差或相位誤差。
引入的擺動(dòng)或變化圖形的頻率偏差應(yīng)具有零平均值。然而，這里所獲得的相位誤差的幅度Δφ仍不能用作激光功率控制的絕對(duì)誤差信號(hào)，因?yàn)橐阎膬H是絕對(duì)大小，不存在參考(零或偏移量)。換句話說，僅能測(cè)量復(fù)制窗口尺寸上的變化。為了防止所述問題的發(fā)生，可以測(cè)量作為溫度函數(shù)的復(fù)制窗口尺寸W的偏差以獲得用以控制復(fù)制窗口的尺寸W的控制信息。由于存在復(fù)制窗口尺寸W的變化量或偏差量直接導(dǎo)致相位幅度變化Δφ，因此，檢測(cè)到的相位誤差的幅度Δφ等于偏差量，并由此可以用于復(fù)制控制。來自預(yù)定定點(diǎn)的偏差可用作頭驅(qū)動(dòng)器14中控制外部磁場(chǎng)的強(qiáng)度的控制信號(hào)PE。
受控外部磁場(chǎng)抵消由于參數(shù)如線圈盤之間的距離、環(huán)境溫度等的變化引起的復(fù)制窗口的尺寸變化。
在圖1所示的盤驅(qū)動(dòng)器中，提供了讀出控制電路290，其用于確定或調(diào)整光學(xué)拾取單元30的激光功率。根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式，讀出控制電路290以獨(dú)立于時(shí)鐘發(fā)生器26的復(fù)制窗口控制的方式控制激光功率，所述控制可基于外部磁場(chǎng)、激光功率或其他任何適當(dāng)?shù)淖x出參數(shù)。尤其，讀出控制電路290確定作為MAMMOS盤10的第一和第二存儲(chǔ)層之間串?dāng)_的合適及可靠的指標(biāo)的參數(shù)。
圖2示出了根據(jù)第一實(shí)施方式的雙存儲(chǔ)層MAMMOS盤的層結(jié)構(gòu)。本文中所提出的解決方案是僅采用一個(gè)讀出層106來再生彼此上下疊置的不同存儲(chǔ)層110、114中的信息。讀出層106在激光入射側(cè)的方向上設(shè)置于兩個(gè)存儲(chǔ)層110、114之上。可以通過現(xiàn)有技術(shù)中所記載的任何方法來對(duì)這些存儲(chǔ)層110、114進(jìn)行記錄。主要的困難在于滿足兩個(gè)存儲(chǔ)層110、114中對(duì)矯頑力、雜散場(chǎng)(在讀出層中來自存儲(chǔ)層)和施加的外場(chǎng)之間的平衡的MAMMOS讀出需求。為了MAMMOS再生標(biāo)記位，對(duì)存儲(chǔ)和讀出層106、110、114的磁性進(jìn)行選擇，以使標(biāo)記產(chǎn)生的雜散場(chǎng)與施加的外場(chǎng)之和恰好大于讀出層的矯頑力，即，HS+Hext＞Hc。由于兩個(gè)存儲(chǔ)層110、114都產(chǎn)生雜散場(chǎng)，因此，公式可改寫成下述形式HS1+HS2+Hext＞Hc，(2)其中，HS1和HS2表示存儲(chǔ)層110、114的各自的雜散場(chǎng)強(qiáng)度。
為了對(duì)兩個(gè)存儲(chǔ)層分別讀出，在正讀取一層時(shí)不會(huì)受到另一層的影響，根據(jù)雙存儲(chǔ)層MAMMOS盤的第一實(shí)施方式提出了圖2所示的層結(jié)構(gòu)。從激光入射側(cè)開始，總體層疊結(jié)構(gòu)包括可選的第一覆蓋或基底102、由SiN、SiO2之類的材料制成的第一介質(zhì)層104以及優(yōu)選由厚度為10-30nm優(yōu)選的為20nm的GdFeCo或GdFe制成的讀出層106。此外，由SiN或Al之類的材料制成、厚度為1-15nm優(yōu)選為5nm的非磁間隔層108設(shè)置在讀出層106與第一存儲(chǔ)層110之間。第一存儲(chǔ)層110的厚度優(yōu)選為8-35nm，預(yù)選由TbFeCo制成，可以添加稀土、過渡金屬或其他金屬、Si之類的非金屬材料等?？蛇x中間層112設(shè)置在第一存儲(chǔ)層110與第二存儲(chǔ)層114之間。中間層112可以是厚度為1-15nm優(yōu)選為5nm的非磁介質(zhì)或金屬間隔層，或厚度為0.1-5nm的Ru交換耦合層。作為另一種選擇方案，也可以根本不使用中間層112，從而在第一和第二存儲(chǔ)層110、114之間形成直接交換耦合。
第二存儲(chǔ)層14的厚度可為10-100nm，優(yōu)選由TbFeCo制成，可以添加與上述第一存儲(chǔ)層110相關(guān)的成分。另外，可以設(shè)置可選交換偏壓層116，例如由PtCo或PdCo、非晶RE-TM材料等構(gòu)成的多層，由SiN或SiO2構(gòu)成的第二介質(zhì)層位于該層之下，所述層包括可選散熱片。最后，設(shè)置可選第二基底或覆蓋層120。第一和第二存儲(chǔ)層110和114應(yīng)至少具備下述磁特性·低于各居里溫度Tc1和Tc2的各補(bǔ)償溫度Tco1和Tco2下具有亞鐵磁性，·內(nèi)部驅(qū)動(dòng)溫度Tambient(＜～70℃)＜Tco1≠Tco2＜min(Tc1，Tc2)，并且·讀出溫度Tread-out1＝Tco2且Tread-out2＝Tco1，同時(shí)，差值應(yīng)小于約10℃，以避免中間層串?dāng)_。差值越大越限制可能的存儲(chǔ)密度。
圖3示出了根據(jù)第二實(shí)施方式的雙存儲(chǔ)層MAMMOS盤的示意性層結(jié)構(gòu)。在所述第二實(shí)施方式中，讀出層106位于第一和第二存儲(chǔ)層110、114之間。在這種情況下，最靠近激光入射側(cè)的第一存儲(chǔ)層應(yīng)優(yōu)選薄于10nm，介質(zhì)層104、112(光學(xué)干涉層)應(yīng)優(yōu)選被調(diào)整到使來自讀出層106的克爾信號(hào)最大化同時(shí)抑制來自上方第一存儲(chǔ)層110的信號(hào)。
圖4和5示出了分別針對(duì)第一和第二實(shí)施方式指示讀出層矯頑力Hc與存儲(chǔ)層磁化強(qiáng)度M之間的溫度依從關(guān)系的曲線圖。與第一存儲(chǔ)層110相關(guān)的磁化曲線由實(shí)線表示，與第二存儲(chǔ)層114相關(guān)的磁化曲線由虛線表示。M1，1意味著在第一存儲(chǔ)層110的讀出溫度下第一存儲(chǔ)層110的磁化強(qiáng)度，其相應(yīng)于第二存儲(chǔ)層114的補(bǔ)償溫度Tco2。同樣，M2，2意味著在第二存儲(chǔ)層114的讀出溫度下的第二存儲(chǔ)層114的磁化強(qiáng)度，其相應(yīng)于第一存儲(chǔ)層110的補(bǔ)償溫度Tco1。
根據(jù)所提出的讀出方案，通過圖1的讀出控制電路290調(diào)整激光功率使其將第二存儲(chǔ)層114加熱到其補(bǔ)償溫度Tco2來實(shí)現(xiàn)激光第一存儲(chǔ)層110的讀出。由于有效磁化強(qiáng)度M在所述溫度下變?yōu)榱?，因此，來自第二存?chǔ)層114的雜散場(chǎng)分布HS2也變?yōu)榱?。這樣，僅由第一存儲(chǔ)層110中的數(shù)據(jù)位產(chǎn)生的雜散場(chǎng)分布HS1引發(fā)MAMMOS復(fù)制和擴(kuò)大讀出過程。相同的原理同樣適用于第二存儲(chǔ)層114的讀出，即，讀出控制電路290調(diào)整或改變激光功率以將第一存儲(chǔ)層110加熱到其補(bǔ)償溫度Tco1，在所述溫度下，將抑制HS1并可以分別或獨(dú)立讀出第二存儲(chǔ)層114中的數(shù)據(jù)。這種簡(jiǎn)單的層選擇方法不需要對(duì)光學(xué)拾取單元30的光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行任何改進(jìn)，即，不需要聚焦跳躍、象差校正等操作，相對(duì)于單層系統(tǒng)僅需要對(duì)電子電路進(jìn)行非常小的調(diào)整。
從上述讀出方法中，可以清楚的看到讀出溫度以及兩個(gè)補(bǔ)償溫度都應(yīng)高于(最高)環(huán)境溫度。兩個(gè)補(bǔ)償溫度也都應(yīng)低于存儲(chǔ)層的最低居里溫度，因?yàn)樽x出溫度靠近(或高于)居里溫度將干擾或擦除各層中的數(shù)據(jù)，特別是在施加磁場(chǎng)的情況下。
圖4的曲線圖與具有不同場(chǎng)靈敏度的交換耦合存儲(chǔ)層的第一實(shí)施方式相關(guān)，其中，在Tread-out1＝Tco2的較低溫度下讀出第一存儲(chǔ)層110，而在Tread-out2＝Tco1的較高溫度下讀出第二存儲(chǔ)層114。第一和第二存儲(chǔ)層110、114的居里溫度Tc1和Tc2相等。圖5的曲線圖與具有不同居里溫度的分離的去耦合存儲(chǔ)層的第二實(shí)施方式相關(guān)，其中，在Tread-out1＝Tco2的較高溫度下讀出第一存儲(chǔ)層110，而在Tread-out2＝Tco1的較低溫度下讀出第二存儲(chǔ)層114。這里，第一存儲(chǔ)層110的居里溫度Tc1低于第二存儲(chǔ)層114的居里溫度Tc2。
為了確保MAMMOS讀出過程順利進(jìn)行，應(yīng)通過層疊結(jié)構(gòu)與讀出和存儲(chǔ)層106、110、114的磁特性之間的組合滿足很多附加條件·讀出過程中所使用的外部磁場(chǎng)Hext應(yīng)足夠強(qiáng)以驅(qū)動(dòng)磁疇擴(kuò)大過程。出于簡(jiǎn)化的目的，Hext優(yōu)選(不是必須)對(duì)于兩個(gè)存儲(chǔ)層都是相同的。實(shí)際場(chǎng)強(qiáng)度在8到16kA/m之間，但也有可能更低或更高，·在每個(gè)讀取溫度下，讀出層106的矯頑力(對(duì)于第一存儲(chǔ)層110的讀出為Hc1，對(duì)于第二存儲(chǔ)層114的讀出為Hc2)應(yīng)高于所施加的外場(chǎng)，即，Hc1＞Hext1，Hc2＞Hext2，或min(Hc1；Hc2)＞Hext。如果不滿足所述條件，將不再能僅通過存儲(chǔ)層中的數(shù)據(jù)確定讀出過程，即，讀出層的磁化強(qiáng)度將“跟隨”所施加的磁場(chǎng)，而不是數(shù)據(jù)，·讀出層106中所需的由存儲(chǔ)層110、114中的數(shù)據(jù)產(chǎn)生的雜散場(chǎng)的最小強(qiáng)度由差值Hc-Hext決定。因而，HS1＞Hc1-Hext1且HS2＞Hc2-Hext2。這些雜散場(chǎng)取決于存儲(chǔ)層110、114在其讀出溫度下各自的磁場(chǎng)強(qiáng)度M1，1和M2，2(如上文所述，M1，2和M2，1應(yīng)優(yōu)選接近零)、存儲(chǔ)層110、114各自的厚度t1和t2以及存儲(chǔ)層110、114與讀出層106之間各自的距離D1和D2。
圖6示出了指示讀出層106中由存儲(chǔ)層中的數(shù)據(jù)位產(chǎn)生的作為從10nm(實(shí)線)到50nm(虛線)范圍內(nèi)不同存儲(chǔ)層厚度t以及M＝100kA/m磁場(chǎng)強(qiáng)度下的存儲(chǔ)和讀出層之間的距離的函數(shù)的雜散場(chǎng)幅度HS的曲線圖。如圖2中所示，層越厚，雜散場(chǎng)HS越強(qiáng)，但是，在較遠(yuǎn)距離處所述場(chǎng)不會(huì)快速衰減。
假設(shè)磁場(chǎng)強(qiáng)度M存在實(shí)際值，這意味著在上述圖2的實(shí)施方式中第一存儲(chǔ)層110應(yīng)薄于下側(cè)的第二存儲(chǔ)層114。為了能夠?qū)崿F(xiàn)可靠和高密度的記錄，存儲(chǔ)層110、114的厚度優(yōu)選在8到100nm之間。也可以采用較厚的層，但會(huì)犧牲密度。第一存儲(chǔ)層110的典型值可以在10到35nm之間，第二存儲(chǔ)層114的典型值在10到100nm之間。
圖2和3所示的所有層都可以使用傳統(tǒng)設(shè)備進(jìn)行濺射。與單層MAMMOS盤相比，僅需要一些附加層(典型的為1到3)。通常，不需要具有嚴(yán)格限制的容差并會(huì)產(chǎn)生相關(guān)的球差問題的旋涂或PSA(壓敏粘結(jié))間隔層。此外，正如上文中應(yīng)當(dāng)注意的，不需要對(duì)光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行改進(jìn)，只需要略微調(diào)整電子電路即讀出控制電路290，使其針對(duì)不同存儲(chǔ)層110、114的讀出切換激光功率。假設(shè)由于非零磁場(chǎng)強(qiáng)度為1kA/m而存在允許殘留雜散場(chǎng)，則測(cè)量到的允許偏差在±10℃。與～1％＝＞1.5℃的讀出功率余量相比，這是可以容許的。這種容許的偏差也不會(huì)在這種盤的制造過程中產(chǎn)生問題。
在下文中，上述第一和第二實(shí)施凡是的疊層設(shè)計(jì)的實(shí)施例(如圖4和5中所示)中給定λ＝405nm，數(shù)值孔徑NA＝0.85對(duì)于第一實(shí)施方式(如圖4中所示)
45nm SiN20nm GdFeCo5nm SiN20nm TbFeCo，15nm SiN50nm TbFeCo，220nm CoPt多層20nm SiN30nm Al合金基底根據(jù)第一讀出類型的這種疊層設(shè)計(jì)產(chǎn)生了下述讀出參數(shù)Tco1＝150℃，Tco2＝130℃，Tc1＝Tc2＝200℃，Hc1＝35kA/m，M1，1＝90kA/m，Hc2＝25kA/m，M2，2＝50kA/m，和Hext＝16kA/m。
對(duì)于第二實(shí)施方式(圖5所示)45nm SiN20nm GdFeCo5nm SiN10nm TbFeCo，15nm SiN50nm TbFeCo，220nm SiN30nm Al合金基底根據(jù)第二讀出類型的這種疊層設(shè)計(jì)產(chǎn)生了下述讀出參數(shù)Tco1＝150℃，Tco2＝130℃，Tc1＝200℃，Tc2＝250℃，Hc1＝25kA/m，M1，1＝70kA/m，Hc2＝35kA/m，M2，2＝90kA/m，和Hext＝16kA/m。
其他變化如低高溫度切換也是可能的。
從上內(nèi)容中可以看出，兩個(gè)存儲(chǔ)層的讀出激光功率都需要在某些方面進(jìn)行校準(zhǔn)。比較好的方法是在第一存儲(chǔ)層110中記錄或?qū)懭氲谝灰阎蝾A(yù)定數(shù)據(jù)圖形并在第二存儲(chǔ)層114中在直接位于第一存儲(chǔ)層110的第一圖形之下的位置上記錄或?qū)懭氲诙阎蝾A(yù)定數(shù)據(jù)圖形。根據(jù)上述兩種介質(zhì)類型，即，具有不同場(chǎng)靈敏度的交換耦合層(圖4)或具有不同居里溫度的分離的去耦合層(圖5)以及相關(guān)的記錄方法，上述方法可以在一個(gè)或兩個(gè)步驟中完成。
圖7是根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式的初始功率設(shè)定或校準(zhǔn)過程的流程圖。從設(shè)定第一存儲(chǔ)層110的讀出功率的預(yù)設(shè)定值或默認(rèn)值開始(步驟S201)，從第一存儲(chǔ)層110讀出第一已知數(shù)據(jù)圖形(步驟S202)，讀出控制電路290調(diào)整激光功率，以最小化第二存儲(chǔ)層114中數(shù)據(jù)圖形的串?dāng)_影響(步驟S203)。尤其，將讀出信號(hào)與第一存儲(chǔ)層110所提供的第一已知數(shù)據(jù)圖形進(jìn)行比較。最佳激光功率與最佳匹配相應(yīng)，例如通過交互相關(guān)方法或最小化數(shù)據(jù)位誤差率特征化，并被存儲(chǔ)下來。之后在步驟S204到S206中對(duì)第二存儲(chǔ)層114以及第二存儲(chǔ)層114的第二已知數(shù)據(jù)圖形重復(fù)上述步驟。
優(yōu)選在估算兩種已知數(shù)據(jù)圖形的同時(shí)調(diào)整讀出激光功率。之后，對(duì)第一已知數(shù)據(jù)圖形的最佳匹配使用于第一存儲(chǔ)層110的讀出功率最優(yōu)化，對(duì)第二已知圖形的最佳匹配使用于第二存儲(chǔ)層114的讀出功率最優(yōu)化。由于哪個(gè)功率更高是已知的，因此，一旦數(shù)據(jù)圖形之一已經(jīng)被匹配，就可以獲得搜索方向，即更高或更低功率，甚至以及對(duì)另一激光功率的良好推測(cè)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)在于快速以及可允許較短的校準(zhǔn)時(shí)間和/或較小的校準(zhǔn)區(qū)域，因此降低了容量消耗。
圖8示出了第一和第二存儲(chǔ)層中的有用的一組數(shù)據(jù)圖形的實(shí)施例，其中“+1”和“-1”表示各數(shù)據(jù)位的磁化方向。第一存儲(chǔ)層110的校正輸出將為一個(gè)單獨(dú)的交變數(shù)據(jù)位圖形。然而，如果第二存儲(chǔ)層114的磁化強(qiáng)度過強(qiáng)，附加的MAMMOS信號(hào)波峰將出現(xiàn)在第二存儲(chǔ)層114具有“+1”數(shù)據(jù)的部分上，這是由于總雜散場(chǎng)變得過強(qiáng)。另一方面，由于總雜散場(chǎng)不足以觸發(fā)讀出過程，因此，某些波峰也將在第二存儲(chǔ)層114具有“-1”數(shù)據(jù)的部分上被抵消。
圖9示出了在第一存儲(chǔ)層110的讀出操作下指示讀出層中作為圖8的數(shù)據(jù)圖形的軌道方向的函數(shù)的雜散場(chǎng)分布的曲線圖。水平方向的點(diǎn)線表示MAMMOS讀出的最佳雜散場(chǎng)數(shù)值。正弦實(shí)線P1相應(yīng)于第一存儲(chǔ)層中第一數(shù)據(jù)圖形產(chǎn)生的雜散場(chǎng)，而矩形虛線P2相應(yīng)于在非零磁化(M＞0)下第二存儲(chǔ)層114的第二數(shù)據(jù)圖形所產(chǎn)生的雜散場(chǎng)。應(yīng)當(dāng)可以清楚的看出，在讀出溫度下由于非零磁化M引起的來自第二存儲(chǔ)層114的影響或串?dāng)_將導(dǎo)致點(diǎn)虛線P1+P2表示的總雜散場(chǎng)發(fā)生變化。如果這種影響超過了某個(gè)值(例如1kA/m)，第一數(shù)據(jù)圖形將不再被正確再現(xiàn)。
為了緩解盤的制造容差，例如將磁特性與各層的疊層厚度相匹配調(diào)整Hc對(duì)T以及HS1、HS2和Hext，優(yōu)選在功率設(shè)定或校準(zhǔn)過程中也調(diào)整外部磁場(chǎng)幅度Hext。激光功率的改變不僅影響來自其他存儲(chǔ)層的分布，而且改變了復(fù)制窗口的大小，以及相應(yīng)的讀出分辨率。只有完美匹配的盤10可以在相同的激光功率下獲得最佳復(fù)制窗口，在這種情況下，所述激光功率達(dá)到到了正確的讀出溫度，即，另一存儲(chǔ)層的補(bǔ)償溫度。
為了實(shí)現(xiàn)上述寬松的容差，功率設(shè)定或校準(zhǔn)過程要求復(fù)制窗口的獨(dú)立(基本獨(dú)立)控制以及對(duì)另一存儲(chǔ)層的抑制。就后者而言，所述過程與上述過程相同。對(duì)于每個(gè)存儲(chǔ)層，調(diào)整激光功率，以使第一已知數(shù)據(jù)圖形被正確再生，并且第二數(shù)據(jù)圖形的影響檢測(cè)不到。在圖9的實(shí)施例中，第二數(shù)據(jù)圖形的任何影響都是作為與第二數(shù)據(jù)圖形周期相同的信號(hào)而可見的，即，2×4位，交替的，過多或過少的波峰。
例如，可以采用自相關(guān)技術(shù)對(duì)此進(jìn)行檢測(cè)。為了實(shí)現(xiàn)獨(dú)立復(fù)制窗口控制，外場(chǎng)的調(diào)整優(yōu)選應(yīng)基于檢測(cè)到的MAMMOS波峰數(shù)。例如，如果復(fù)制窗口過大，將出現(xiàn)附加的波峰；如果復(fù)制窗口過小，一些或所有波峰都會(huì)丟失。然而，倘若如第二數(shù)據(jù)圖形與第一數(shù)據(jù)圖形并不相同(這顯然應(yīng)當(dāng)是被避免的)，因此給出了復(fù)制窗口尺寸的獨(dú)立信息以及外場(chǎng)Hext的所需校正信息，則這種波峰數(shù)的增加或減少與第二數(shù)據(jù)圖形并不相關(guān)。如果檢測(cè)到過多的波峰，則應(yīng)減小Hext，如果檢測(cè)到過少波峰，則應(yīng)增加Hext。在圖1中，借助于控制信號(hào)PE執(zhí)行所述控制。
可能的系統(tǒng)實(shí)施方式的實(shí)施例如下所述。根據(jù)第一可選方案，一旦插入盤10，就校準(zhǔn)一個(gè)或多個(gè)不同半徑。對(duì)半徑的不均勻性進(jìn)行補(bǔ)償是必需的。讀出功率電平和可能的Hext參數(shù)被存儲(chǔ)在驅(qū)動(dòng)器和/或盤10上。這些參數(shù)可以是一組具有半徑位置的幅度或用于描述作為半徑的函數(shù)的激光功率和可能的Hext的算法的許多變量，例如開始、中間和最終值，加上某個(gè)曲率或序參數(shù)。
根據(jù)第二可選方案，盤制造者可以在盤上提供算法變量信息，從而進(jìn)一步減少要執(zhí)行的校準(zhǔn)工作量。例如，如果盤很均勻，則對(duì)整個(gè)盤來說一次或兩次校準(zhǔn)就足夠了，而不均勻盤需要多次。
根據(jù)第三可選方案，一插入盤就進(jìn)行檢查，檢查所述盤是否已在所述驅(qū)動(dòng)器中近期被使用過。如果是，則跳過功率設(shè)定或校準(zhǔn)過程，以減少啟動(dòng)時(shí)間，所存儲(chǔ)的參數(shù)(如果可用)用于確定讀出功率電平和可能的Hext。以后，僅在高誤差率的情況下執(zhí)行校準(zhǔn)。因此，這種可選方案需要將盤的ID(優(yōu)選與某些時(shí)間/數(shù)據(jù)信息和激光功率參數(shù)和可能的Hext一起)存儲(chǔ)在驅(qū)動(dòng)器中或?qū)⒈P的ID(優(yōu)選與某些時(shí)間/數(shù)據(jù)信息和激光功率參數(shù)和可能的Hext一起)存儲(chǔ)在盤上，所述信息的存儲(chǔ)是通過例如為五個(gè)驅(qū)動(dòng)器保留空間、在必要的情況下覆寫最舊的信息來實(shí)現(xiàn)的。這樣可以避免初始讀出問題，例如，如果盤10已經(jīng)在驅(qū)動(dòng)器中預(yù)先使用，所述驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)用不同的設(shè)定值更新了盤的功率參數(shù)字段。
應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明適用于從兩個(gè)存儲(chǔ)層中進(jìn)行讀取的磁疇擴(kuò)大磁光盤存儲(chǔ)系統(tǒng)的任何讀取系統(tǒng)。與上文中所提出的相同的層疊結(jié)構(gòu)和讀出方法也可用在具有例如卡形介質(zhì)、基于光點(diǎn)的排布和/或薄膜磁檢測(cè)器(例如GMR或TMR)的非移動(dòng)固定讀出原理的系統(tǒng)或如可尋址交叉金屬線內(nèi)或靠近介質(zhì)之類的選擇性局部加熱方法。
讀出控制電路290可由硬件電路實(shí)現(xiàn)或由軟件控制的模擬或數(shù)字處理電路實(shí)現(xiàn)，或作為一個(gè)新的例程并入已經(jīng)存在的控制程序中來控制盤驅(qū)動(dòng)器。因此，在所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)具體實(shí)施方式
可以有多種變化。
權(quán)利要求
1.一種用于從磁光記錄介質(zhì)(10)中進(jìn)行讀取的讀取設(shè)備，所述介質(zhì)包括第一存儲(chǔ)層(S1)和第二存儲(chǔ)層(S2)以及讀出層(RO)，其中，通過利用輻射功率加熱并借助于外部磁場(chǎng)將標(biāo)記區(qū)域從所述第一或第二存儲(chǔ)層復(fù)制到所述讀出層，而在所述讀出層(RO)中產(chǎn)生導(dǎo)致讀出脈沖產(chǎn)生的擴(kuò)大磁疇，所述設(shè)備包括a)設(shè)定裝置(290)，用于將所述輻射功率設(shè)定為用于從所述第一存儲(chǔ)層進(jìn)行讀取的第一值和用于從所述第二存儲(chǔ)層進(jìn)行讀取的第二值；b)確定裝置(290)，用于確定指示所述第一和第二存儲(chǔ)層之間的串?dāng)_的參數(shù)；和c)控制裝置(290)，用于根據(jù)所述確定參數(shù)控制所述輻射功率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀取設(shè)備，其中，所述確定裝置(290)用于從檢測(cè)到的寫在所述第一存儲(chǔ)層(S1)中的第一預(yù)定數(shù)據(jù)圖形與寫在所述第二存儲(chǔ)層中所述第一預(yù)定數(shù)據(jù)圖形之上的第二預(yù)定數(shù)據(jù)圖形之間的相互關(guān)系確定所述參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀取設(shè)備，其中，所述確定裝置(290)用于從檢測(cè)到的寫在所述第一存儲(chǔ)層(S1)中的第一預(yù)定數(shù)據(jù)圖形的讀出信號(hào)中的誤差確定所述參數(shù)，所述誤差由寫在所述第二存儲(chǔ)層中的第二預(yù)定數(shù)據(jù)圖形引起，所述第一和第二預(yù)定數(shù)據(jù)圖形彼此重疊寫入。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀取設(shè)備，其中，所述控制裝置(290)用于響應(yīng)寫在所述記錄介質(zhì)上并規(guī)定了所述記錄介質(zhì)(10)的特性的信息控制由所述確定裝置(290)控制確定的次數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的讀取設(shè)備，其中，所述特性規(guī)定了所述記錄介質(zhì)的均勻性。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀取設(shè)備，其中，所述控制裝置(290)用于響應(yīng)早先使用信息跳過所述確定裝置(290)執(zhí)行的所述確定，并根據(jù)存儲(chǔ)在所述記錄介質(zhì)(10)上的至少一個(gè)讀出參數(shù)控制所述輻射功率。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的讀取設(shè)備，其中，所述讀取設(shè)備用于在讀出誤差率超過預(yù)定閾值時(shí)取消所述跳過操作。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的讀取設(shè)備，其中，所述早先使用信息包括存儲(chǔ)在所述讀取設(shè)備中的至少一個(gè)記錄介質(zhì)標(biāo)識(shí)或存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)介質(zhì)(10)中的至少一個(gè)記錄設(shè)備標(biāo)識(shí)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的讀取設(shè)備，其中，所述早先使用信息與相應(yīng)的時(shí)間和/或數(shù)據(jù)信息一同存儲(chǔ)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀取設(shè)備，其中，所述確定和控制裝置(290)用于執(zhí)行所述參數(shù)確定和在所述記錄介質(zhì)的不同半徑下的功率控制。
11.根據(jù)上述任意一個(gè)權(quán)利要求所述的讀取設(shè)備，其中，所述讀取設(shè)備用于存儲(chǔ)至少一個(gè)讀出參數(shù)或描述作為所述記錄介質(zhì)(10)的半徑的函數(shù)的至少一個(gè)讀出參數(shù)的算法的多個(gè)變量。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀取設(shè)備，其中，所述讀取設(shè)備用于根據(jù)檢測(cè)到的與期望的讀出脈沖的數(shù)量之差來控制所述外部磁場(chǎng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀取設(shè)備，其中，所述控制裝置(290)用于控制所述輻射功率以將所述參數(shù)最小化。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀取設(shè)備，其中，所述讀取設(shè)備用于與所述第二存儲(chǔ)層(S2)相獨(dú)立的讀出所述第一存儲(chǔ)層(S1)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的讀取設(shè)備，其中，所述輻射功率的所述第一值由所述第二存儲(chǔ)層(S2)的補(bǔ)償溫度確定，所述輻射功率的所述第二值由所述第一存儲(chǔ)層(S1)的補(bǔ)償溫度確定。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀取設(shè)備，其中，所述控制裝置(290)用于與用于標(biāo)記復(fù)制的復(fù)制窗口的場(chǎng)控制相獨(dú)立的執(zhí)行所述功率控制。
17.一種讀取磁光記錄介質(zhì)(10)的方法，所述介質(zhì)包括第一存儲(chǔ)層(S1)和第二存儲(chǔ)層(S2)以及讀出層(RO)，其中，通過利用輻射功率加熱并借助于外部磁場(chǎng)將標(biāo)記區(qū)域從所述第一或第二存儲(chǔ)層復(fù)制到所述讀出層，而在所述讀出層(RO)中產(chǎn)生導(dǎo)致讀出脈沖產(chǎn)生的擴(kuò)大磁疇，所述方法包括下述步驟a)將所述輻射功率設(shè)定為用于從所述第一存儲(chǔ)層進(jìn)行讀取的第一值和用于從所述第二存儲(chǔ)層進(jìn)行讀取的第二值；b)確定指示所述第一和第二存儲(chǔ)層之間的串?dāng)_的參數(shù)；和c)根據(jù)所述確定參數(shù)控制所述輻射功率。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述參數(shù)在初始校準(zhǔn)過程中基于檢測(cè)到的寫在所述第一存儲(chǔ)層(S1)中的第一預(yù)定數(shù)據(jù)圖形與寫在所述第二存儲(chǔ)層中所述第一預(yù)定數(shù)據(jù)圖形之上的第二預(yù)定數(shù)據(jù)圖形之間的相互關(guān)系而確定。
19.一種記錄介質(zhì)，包括第一存儲(chǔ)層(S1)、第二存儲(chǔ)層(S2)和讀出層(RO)，其中，通過利用輻射功率加熱并借助于外部磁場(chǎng)將來自所述第一或第二存儲(chǔ)層的標(biāo)記區(qū)域復(fù)制到所述讀出層，而在所述讀出層(RO)中產(chǎn)生導(dǎo)致讀出脈沖產(chǎn)生的擴(kuò)大磁疇，所述記錄介質(zhì)(10)上寫有在所述第一存儲(chǔ)層中的第一預(yù)定功率校準(zhǔn)數(shù)據(jù)圖形與在所述第二存儲(chǔ)層中的第二預(yù)定功率校準(zhǔn)數(shù)據(jù)圖形，其中，所述第一和第二數(shù)據(jù)圖形彼此重疊設(shè)置。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的記錄介質(zhì)，其中，所述讀出層(RO)位于所述第一和第二存儲(chǔ)層(S1，S2)之上。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的記錄介質(zhì)，其中，所述讀出層(RO)位于所述第一和第二存儲(chǔ)層(S1，S2)之間。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的記錄介質(zhì)，其中，所述第一和第二數(shù)據(jù)圖形具有互不相同的數(shù)據(jù)圖形。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的記錄介質(zhì)，其中，所述第一和所述第二數(shù)據(jù)圖形都寫在所述記錄介質(zhì)(10)的多個(gè)位置上。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的記錄介質(zhì)，其中，所述記錄介質(zhì)包括用于存儲(chǔ)至少一個(gè)讀出參數(shù)的區(qū)域或用于存儲(chǔ)描述作為其半徑的函數(shù)的至少一個(gè)讀出參數(shù)的算法的多個(gè)變量的區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于讀取磁光記錄介質(zhì)的方法和設(shè)備，所述介質(zhì)包括第一存儲(chǔ)層和第二存儲(chǔ)層以及讀出層，其中，通過利用輻射功率加熱并借助于外部磁場(chǎng)將標(biāo)記區(qū)域從所述第一或第二存儲(chǔ)層復(fù)制到所述讀出層，在所述讀出層中產(chǎn)生導(dǎo)致讀出脈沖產(chǎn)生的擴(kuò)大磁疇。將所述輻射功率設(shè)定為用于從所述第一存儲(chǔ)層進(jìn)行讀取的第一值和用于從所述第二存儲(chǔ)層進(jìn)行讀取的第二值。在讀取操作中確定指示所述第一和第二存儲(chǔ)層之間的串?dāng)_的參數(shù)，之后，根據(jù)所述確定參數(shù)控制所述輻射功率。因此，可以通過保持讀出溫度靠近沒有讀取的另一存儲(chǔ)層的補(bǔ)償溫度降低第一和第二存儲(chǔ)層的串?dāng)_。本發(fā)明還涉及一種用在所述方法和設(shè)備中的記錄介質(zhì)。
文檔編號(hào)G11B11/105GK1849656SQ200480025869
公開日2006年10月18日 申請(qǐng)日期2004年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月10日
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