專利名稱：利用自旋轉(zhuǎn)換切換并存儲(chǔ)多個(gè)位的磁性存儲(chǔ)元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁性系統(tǒng)，更具體地，涉及一種用于提供減小尺寸的磁性元件的方法和系統(tǒng)，包括但不限于在切換中利用自旋轉(zhuǎn)換效應(yīng)的并能夠用于例如磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(“MRAM”)的磁性存儲(chǔ)器的磁性元件。
背景技術(shù)：
各種類型的磁性技術(shù)利用磁性元件來存儲(chǔ)或讀取數(shù)據(jù)。例如，在傳統(tǒng)的MRAM技術(shù)中，所使用的傳統(tǒng)的磁性元件是自旋隧道結(jié)。圖1A顯示了一個(gè)這樣的傳統(tǒng)磁性元件10，它是自旋隧道結(jié)10。傳統(tǒng)的自旋隧道結(jié)10包括反鐵磁(AFM)層12、釘扎層14、屏蔽層16和自由層18。傳統(tǒng)的釘扎層14是鐵磁的，并具有通常由AFM層12固定的磁化方向。如此處所使用的，術(shù)語“鐵磁的”包括鐵磁的、亞鐵磁的和超鐵磁的材料。傳統(tǒng)的鐵磁自由層18通過絕緣屏蔽層16與釘扎層分開。屏蔽層16足夠薄，以使電荷載流子在釘扎層14與自由層18之間隧穿。類似地，在傳統(tǒng)的硬盤磁性記錄技術(shù)中，用于磁阻讀取頭的磁性元件包括傳統(tǒng)的磁性元件，例如自旋閥。自旋閥具有與傳統(tǒng)的自旋隧道結(jié)類似的結(jié)構(gòu)。但是，屏蔽層16由導(dǎo)電的非磁性間隔層替代。自旋閥包括具有通常由AFM層固定的磁化方向的鐵磁的釘扎層。自旋閥還包括通過導(dǎo)電的非鐵磁間隔層(例如Cu)與釘扎層分開的鐵磁的自由層。自旋隧道結(jié)和自旋閥的鐵磁的釘扎和自由層也可以是合成的。
為了編程傳統(tǒng)的自旋隧道結(jié)10，通常通過使電流通過一個(gè)或多個(gè)寫入線(沒有顯示)來施加外部磁場(chǎng)。響應(yīng)該磁場(chǎng)，傳統(tǒng)的自由層18的磁化方向平行或反向平行于傳統(tǒng)的釘扎層14的磁化方向。當(dāng)去除磁場(chǎng)時(shí)，傳統(tǒng)的自由層18的磁化方向保持不變。如果傳統(tǒng)的自由層18的磁化方向平行于傳統(tǒng)的釘扎層14的磁化方向，則傳統(tǒng)的自旋隧道結(jié)10處于低電阻狀態(tài)。如果傳統(tǒng)的自由層18的磁化方向反向平行于傳統(tǒng)的釘扎層14的磁化方向，則傳統(tǒng)的自旋隧道結(jié)10處于高電阻狀態(tài)。例如，假設(shè)當(dāng)傳統(tǒng)的自由層18的磁化方向與傳統(tǒng)的釘扎層14的磁化方向平行時(shí)，則傳統(tǒng)的自旋隧道結(jié)10的總電阻是R-ΔR。另外，當(dāng)傳統(tǒng)的自由層18的磁化方向與傳統(tǒng)的釘扎層14的磁化方向反向平行時(shí)，電阻是R+ΔR。因此傳統(tǒng)的磁性元件10能被視為具有中值電阻R。中值電阻是在器件的工作范圍中間的電阻?；谶@兩種狀態(tài)，R-ΔR和R+ΔR，能夠在傳統(tǒng)的自旋隧道結(jié)10中存儲(chǔ)一位的信息(對(duì)應(yīng)于0和1)。
此外，其它的傳統(tǒng)磁性元件構(gòu)建在傳統(tǒng)的自旋隧道結(jié)10上。例如，能夠使用成雙的傳統(tǒng)自旋隧道結(jié)。在這樣的傳統(tǒng)磁性元件中，能夠提供第二釘扎層以及在第二釘扎層與自由層18之間提供第二屏蔽層。其它傳統(tǒng)的磁性元件可以使用導(dǎo)電層代替第二屏蔽層，如圖1B和圖2所示。在這樣的情況下，能夠?qū)鹘y(tǒng)的磁性元件視為共享公用自由層的自旋閥和自旋隧道結(jié)的組合。
圖2顯示了另一個(gè)能夠存儲(chǔ)多位數(shù)據(jù)的傳統(tǒng)的磁性元件20。磁性元件20包括由導(dǎo)電層22分開的兩個(gè)自旋隧道結(jié)30和40。自旋隧道結(jié)30包括由屏蔽層34分開的釘扎層32和自由層36。類似地，自旋隧道結(jié)40包括由屏蔽層44分開的釘扎層42和自由層46。為了清楚，沒有顯示AFM層。但是，AFM層通常用于固定釘扎層32和42的磁化方向。導(dǎo)電層22電性地連接自旋隧道結(jié)30和40。構(gòu)成傳統(tǒng)的自由層36和46，使得傳統(tǒng)的自由層36的磁化方向在與傳統(tǒng)的自由層46的磁化方向不同的磁場(chǎng)下改變方向。這通常通過確保傳統(tǒng)的自由層36和46具有不同的厚度來實(shí)現(xiàn)。此外，屏蔽層34和44具有不同的厚度，使得傳統(tǒng)的自旋隧道結(jié)具有不同的電阻。
為了編程傳統(tǒng)的磁性元件20，通常使用驅(qū)動(dòng)通過一條或多條寫入線(未示出)的電流來施加外部磁場(chǎng)。出于說明的目的，假設(shè)傳統(tǒng)的自由層36的矯頑磁性是H1，而傳統(tǒng)的自由層46的矯頑磁性是H2。還假設(shè)H1小于H2。如果存儲(chǔ)“00”，則首先一直施加在第一方向上大于H1和H2的磁場(chǎng)H，第一方向例如平行于傳統(tǒng)的釘扎層32的磁化方向。因此，傳統(tǒng)的自由層36和46的磁化方向是平行的。此外，傳統(tǒng)的自由層36和46的磁化方向都平行于釘扎層32和42的磁化方向。如果要存儲(chǔ)“10”，則在相同的方向上施加H并去除。然后施加第二場(chǎng)。第二場(chǎng)的幅度在H1與H2之間。第二場(chǎng)的方向與H的方向相反，因此，反向平行于傳統(tǒng)的釘扎層32和42的磁化方向。結(jié)果，傳統(tǒng)的自由層36的磁化方向反向平行于傳統(tǒng)的釘扎層32的磁化方向，而傳統(tǒng)的自由層46的磁化方向平行于傳統(tǒng)的釘扎層42的磁化方向。如果要存儲(chǔ)“01”，則首先在相反方向上施加H，其反向平行于傳統(tǒng)的釘扎層32和42的磁化方向。然后去除場(chǎng)。然后提供在H1與H2之間的平行于傳統(tǒng)的釘扎層32和42的磁化方向的場(chǎng)。結(jié)果，傳統(tǒng)的自由層36的磁化方向?qū)⒈欢ㄏ驗(yàn)槠叫杏趥鹘y(tǒng)的釘扎層32的磁化方向，而傳統(tǒng)的自由層46的磁化方向被定向?yàn)榉聪蚱叫杏趥鹘y(tǒng)的釘扎層42的磁化方向。如果要存儲(chǔ)“11”，則在反向平行于傳統(tǒng)的釘扎層32和42的磁化方向的方向上施加H。因此在磁性元件50中存儲(chǔ)了對(duì)應(yīng)于“00”、“01”、“10”和“11”的兩位。
狀態(tài)“00”、“01”、“10”和“11”對(duì)應(yīng)于不同的電阻。當(dāng)自由層36與釘扎層32的磁化方向?qū)?zhǔn)時(shí)，自旋隧道結(jié)30的電阻是R1-ΔR1，或者當(dāng)自由層36與釘扎層32的磁化方向反向平行時(shí)，自旋隧道結(jié)30的電阻是R1+ΔR1。R1可以視為自旋隧道結(jié)30的中值電阻，ΔR1從中值電阻改變到一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)(磁化方向平行或反向平行)。當(dāng)自由層46與釘扎層42的磁化方向平行時(shí)，自旋隧道結(jié)40的電阻是R2-ΔR2。當(dāng)自由層46與釘扎層42的磁化方向反向平行時(shí)，自旋隧道結(jié)40的電阻是R2+ΔR2。R2可以視為自旋隧道結(jié)40的中值電阻，ΔR2從中值電阻改變到一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)(磁化方向平行或反向平行)。對(duì)于按照期望工作的傳統(tǒng)的磁性元件20，R1應(yīng)當(dāng)不同于R2，ΔR1應(yīng)當(dāng)不同于ΔR2。因此，對(duì)于傳統(tǒng)的磁性元件20，“00”對(duì)應(yīng)于電阻R1-ΔR1+R2-ΔR2。對(duì)于傳統(tǒng)的磁性元件20，“01”對(duì)應(yīng)于電阻R1-ΔR1+R2+ΔR2。對(duì)于傳統(tǒng)的磁性元件20，“10”對(duì)應(yīng)于電阻R1+ΔR1+R2-ΔR2。對(duì)于傳統(tǒng)的磁性元件20，“11”對(duì)應(yīng)于電阻R1+ΔR1+R2+ΔR2。
盡管使用具有傳統(tǒng)自旋隧道結(jié)的傳統(tǒng)磁性元件10和20的傳統(tǒng)磁性存儲(chǔ)器能夠工作，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將很容易意識(shí)到，傳統(tǒng)的磁性元件10和20用在較高的存儲(chǔ)單元密度時(shí)存在一些障礙。特別是使用由驅(qū)動(dòng)通過位線(未示出)和寫入線(未示出)的電流產(chǎn)生的外部磁場(chǎng)來寫入傳統(tǒng)的磁性元件10、20。換言之，通過由驅(qū)動(dòng)通過位線和寫入線的電流產(chǎn)生的外部磁場(chǎng)來切換自由層18、36和46的磁化方向。用于切換自由層18、36和46的磁化方向所需的磁場(chǎng)(稱作切換場(chǎng))與傳統(tǒng)的磁性元件10和20的寬度成反比。結(jié)果，對(duì)于具有較小的傳統(tǒng)磁性元件10和20的傳統(tǒng)存儲(chǔ)器，切換場(chǎng)增加。由于切換場(chǎng)較高，所以將被驅(qū)動(dòng)通過位線以及特別是寫入線所需的電流對(duì)于高的存儲(chǔ)單元密度將顯著地增加。這種大電流能夠在使用傳統(tǒng)磁性元件10或20的傳統(tǒng)磁性存儲(chǔ)器中產(chǎn)生很多問題。例如，串?dāng)_和功耗將增加。此外，驅(qū)動(dòng)用于在預(yù)期的傳統(tǒng)存儲(chǔ)元件10或20產(chǎn)生切換場(chǎng)的電流所需的驅(qū)動(dòng)電路也將增加面積和復(fù)雜度。此外，傳統(tǒng)的寫入電流必須足夠大以便切換磁性存儲(chǔ)單元，但是不能太大，否則相鄰的單元被無意地切換。這種寫入電流幅度的上限能夠?qū)е驴煽啃缘膯栴}，因?yàn)楸绕渌鼏卧y于切換的單元(由于制造和材料的不均勻?qū)е碌?將不能始終如一地寫入。
因此，需要的是用于提供在提供足夠的讀取信號(hào)的同時(shí)能夠用在高密度存儲(chǔ)器陣列中的、低功耗、低串?dāng)_和高穩(wěn)定性的磁性元件的方法和系統(tǒng)。本發(fā)明滿足了對(duì)這種磁性存儲(chǔ)元件的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用于提供能夠存儲(chǔ)多位的磁性元件的方法和系統(tǒng)。該方法和系統(tǒng)包括提供第一釘扎層、第一非磁性層、第一自由層、連接層、第二釘扎層、第二非磁性層和第二自由層。第一釘扎層是鐵磁的，并具有固定在第一方向上的第一釘扎層磁化方向。第一非磁性層位于第一釘扎層與第一自由層之間。第一自由層是鐵磁的，并且具有第一自由層磁化方向。第二釘扎層是鐵磁的，并具有固定在第二方向上的第二釘扎層磁化方向。連接層位于第二釘扎層與第一自由層之間。第二非磁性層位于第二釘扎層與第二自由層之間。第二自由層是鐵磁的，并且具有第二自由層磁化方向。第一和第二非磁性層可以是絕緣的屏蔽層，或者它們可以是導(dǎo)電的金屬層。在優(yōu)選實(shí)施例中，第一和第二非磁性層是導(dǎo)電的層。在優(yōu)選實(shí)施例中，磁性元件還包括第一屏蔽層、第二屏蔽層、第三釘扎層和第四釘扎層。在這樣的實(shí)施例中，第一屏蔽層位于第一自由層與第三釘扎層之間。第二屏蔽層位于第二自由層與第四釘扎層之間。此外，在優(yōu)選實(shí)施例中，釘扎層的磁化方向通過鄰近的反鐵磁層固定，連接層是共用的反鐵磁層?；蛘撸瑸榱私档投询B高度，釘扎層及其鄰近(或共用的)固定的AFM層能夠由反鐵磁耦合的硬磁性層/Ru/硬磁性層或者硬磁性層/Ru/軟磁性層的三層結(jié)構(gòu)替代，其中“硬”和“軟”分別是指具有高和低的磁性各向異性的鐵磁層。軟層可以是Co、Fe、Ni及其合金；硬層可以是例如CoCrPt的硬磁體材料。磁性元件被配置成在寫入電流通過磁性元件時(shí)，允許由于自旋轉(zhuǎn)換導(dǎo)致第一自由層磁化方向和第二自由層磁化方向改變方向。
按照此處公開的系統(tǒng)和方法，本發(fā)明提供了一種能夠存儲(chǔ)多位并利用自旋轉(zhuǎn)換切換進(jìn)行寫入的磁性元件，自旋轉(zhuǎn)換切換比場(chǎng)切換機(jī)制更局部。


圖1A顯示了用于傳統(tǒng)的磁性存儲(chǔ)器中的傳統(tǒng)的磁性元件；圖1B是用作磁性元件的雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例的視圖；圖2顯示了用于傳統(tǒng)的磁性存儲(chǔ)器中的能夠存儲(chǔ)多位的另一個(gè)傳統(tǒng)的磁性元件；圖3A是按照本發(fā)明的能夠存儲(chǔ)多位并利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入的磁性元件的一個(gè)實(shí)施例的視圖；圖3B是說明按照本發(fā)明的對(duì)能夠存儲(chǔ)多位并利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入的磁性元件進(jìn)行寫入的方法的一個(gè)實(shí)施例的高級(jí)流程圖；圖3C是說明按照本發(fā)明的對(duì)能夠存儲(chǔ)多位并利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入的磁性元件進(jìn)行寫入的方法的一個(gè)實(shí)施例的更詳細(xì)的流程圖；圖4A是按照本發(fā)明的能夠存儲(chǔ)多位并利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入的磁性元件的第二實(shí)施例的視圖；圖4B是按照本發(fā)明的能夠存儲(chǔ)多位并利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入的磁性元件的第二實(shí)施例的替代版本的視圖；圖5A是按照本發(fā)明的能夠存儲(chǔ)多位的、利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入并利用雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)的磁性元件的第三實(shí)施例的視圖；
圖5B是按照本發(fā)明的能夠存儲(chǔ)多位的、利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入并利用雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)的磁性元件的第四實(shí)施例的視圖；圖6A是按照本發(fā)明的能夠存儲(chǔ)多位的、利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入并利用雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)的磁性元件的第五優(yōu)選實(shí)施例的視圖；圖6B是按照本發(fā)明的能夠存儲(chǔ)多位的、利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入并利用雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)的磁性元件的第五優(yōu)選實(shí)施例的替代版本的視圖；圖7是按照本發(fā)明的用于提供能夠存儲(chǔ)多位并利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入的磁性元件的方法的一個(gè)實(shí)施例的高級(jí)流程圖；圖8是按照本發(fā)明的用于提供能夠存儲(chǔ)多位并利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入的磁性元件的方法的一個(gè)實(shí)施例的更詳細(xì)的流程圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明涉及磁性元件的改進(jìn)。呈現(xiàn)下面的說明使得本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠制造和利用本發(fā)明，并且按照專利申請(qǐng)的格式及其要求提供下面的說明。對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的各種修改對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將是很明顯的，并且此處的一般原理可用于其它的實(shí)施例。因此，本發(fā)明不限于所示的實(shí)施例，而是符合與此處公開的原理和特征一致的最寬范圍。
傳統(tǒng)的磁性存儲(chǔ)技術(shù)逐步地利用具有較小尺寸的磁性元件，例如自旋閥和自旋隧道結(jié)。但是，使用傳統(tǒng)方法制造和操作這樣的元件是困難的。一種最近發(fā)現(xiàn)的稱作自旋轉(zhuǎn)換的現(xiàn)象對(duì)磁性存儲(chǔ)技術(shù)是有益的。在J.C.Slonczewski的“Current-driven Excitation of MagneticMultilayers”Journal of Magnetism and Magnetic Materials，vol.159，p.L1-L5(1996)；L.Berger的“Emission of Spin Waves by a MagneticMultilayer Traversed by a Current”phys.Rev.B，vol.54，p.9353(1996)；以及F.J.Albert、J.A.Katine和R.A.Buhman的“Spin-polarized CurrentSwitching ofa Co Thin Film Nanomagnet”Appl.Phys.Lett.，vol.77，No.23，p.3809-3811(2000)中詳細(xì)公開了對(duì)自旋轉(zhuǎn)換的目前理解。因此，下面說明的自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象是基于本領(lǐng)域中的目前理解，而不限于本發(fā)明的范圍。
自旋轉(zhuǎn)換效應(yīng)起源于鐵磁常態(tài)金屬多層的自旋相依的電子傳遞特性。當(dāng)自旋極化的電流以垂直于平面的電流(CPP)配置穿過磁性的多層時(shí)，入射在鐵磁層上的電子的自旋角動(dòng)量與鐵磁層的磁性力矩互相作用。通過此相互作用，電子將其一部分的角動(dòng)量傳遞到鐵磁層。因此，如果電流密度足夠高(大約107-108A/cm2)并且如果多層的尺寸較小(大約小于200納米)使得自建場(chǎng)效應(yīng)不明顯，則自旋極化的電流能夠切換鐵磁層的極化方向。此外，為了自旋轉(zhuǎn)換能夠切換鐵磁層的磁化方向，鐵磁層必須足夠薄，例如，對(duì)于Co優(yōu)選地小于大約10納米。
自旋轉(zhuǎn)換的現(xiàn)象能夠用于CPP配置中作為選項(xiàng)或者除了使用外部切換場(chǎng)以外的選項(xiàng)，以切換傳統(tǒng)的自旋閥或傳統(tǒng)的自旋隧道結(jié)的自由層的磁化方向。自旋轉(zhuǎn)換是當(dāng)傳統(tǒng)的磁性元件的尺寸較小時(shí)(在幾百納米范圍內(nèi))支配其它機(jī)制并由此變得引人注目的一種現(xiàn)象。與應(yīng)用外部場(chǎng)相比，自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象是局部的現(xiàn)象。因此，自旋轉(zhuǎn)換可以用于在具有較小的磁性元件的較高密度的磁性存儲(chǔ)器中向磁性元件進(jìn)行寫入。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員很容易意識(shí)到，使用自旋轉(zhuǎn)換的現(xiàn)象對(duì)傳統(tǒng)的磁性元件(例如自旋閥或自旋隧道結(jié))進(jìn)行寫入存在礙礙。對(duì)于傳統(tǒng)的自旋閥，CPP構(gòu)造導(dǎo)致明顯降低的信號(hào)。盡管傳統(tǒng)的自旋隧道結(jié)由于較大的電阻而可以具有較大的信號(hào)，但是由于歐姆損耗導(dǎo)致用于引起自旋轉(zhuǎn)換效應(yīng)所需的高電流密度能夠破壞薄的絕緣屏蔽。
如上所述，其它的傳統(tǒng)磁性元件已經(jīng)在特性的改變程度中被提出，并在某些情況下被應(yīng)用。這樣的傳統(tǒng)磁性元件包括雙自旋閥、雙自旋隧道結(jié)以及自旋閥與自旋隧道結(jié)的組合。
圖1B是能夠用作磁性元件的被稱作雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70的磁性元件的一個(gè)實(shí)施例的視圖。優(yōu)選地在適合的仔晶層上制造雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70。雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70包括反鐵磁(AFM)層71，其上制造了釘扎層72。釘扎層72是鐵磁的并通過AFM層71使其磁化方向固定。雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70還包括絕緣的屏蔽層73，屏蔽層73足夠薄以使電荷載流子在釘扎層72與自由層74之間隧穿。自由層74是鐵磁的，并具有能夠由于自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象而被改變的磁化方向。雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70還包括導(dǎo)電的非磁性間隔層75，非磁性間隔層75能夠包括例如Cu的材料。雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70包括鐵磁的第二釘扎層76，第二釘扎層76具有通過AFM層77固定的磁化方向。雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70能被視為由自旋隧道結(jié)(包括層71、72、73和74)和自旋閥(包括層74、75、76和77)構(gòu)成，二者共用自由層。因此，當(dāng)允許使用自旋轉(zhuǎn)換進(jìn)行寫入時(shí)能夠獲得較高的讀取信號(hào)。盡管所述的是單個(gè)鐵磁的膜，但是層72、74和76可以是合成的，和/或可以被摻雜以提高雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70的熱穩(wěn)定性。此外，已經(jīng)公開了具有靜磁耦合的自由層的其它磁性元件，包括具有靜磁耦合的自由層的雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)。因此，也能夠提供使用磁性元件(例如自旋隧道結(jié))的其它結(jié)構(gòu)或雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)。
配置雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70，以允許使用自旋轉(zhuǎn)換來切換自由層74的磁化方向。因此，雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70的尺寸最好較小，在幾百納米范圍內(nèi)，以便減小自建場(chǎng)效應(yīng)。在優(yōu)選實(shí)施例中，雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70的尺寸小于200納米，并優(yōu)選地大約為100納米。雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70優(yōu)選地具有垂直于圖2中頁面的大約50納米的深度。該深度優(yōu)選地小于雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70的寬度，使得雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70具有一些形狀各向異性，確保自由層74具有優(yōu)選的方向。此外，自由層74的厚度足夠低，使得自旋轉(zhuǎn)換足夠強(qiáng)，以便將自由層磁化方向轉(zhuǎn)成與釘扎層72和76的磁化方向?qū)?zhǔn)。在優(yōu)選實(shí)施例中，自由層74具有小于或等于10nm的厚度。此外，對(duì)于具有優(yōu)選尺寸的雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70，能夠以相當(dāng)小的電流提供大約107Amps/cm2的電流密度。例如，對(duì)于具有0.06×0.12μm2的橢圓形狀的雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70，能夠通過大約0.5mA的電流提供大約107Amps/cm2的電流密度。結(jié)果，可以避免使用用于傳遞非常高的電流的專用電路。
盡管上述的磁性元件可以很好的實(shí)現(xiàn)其預(yù)期目的，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員還將意識(shí)到，期望將這些磁性元件用在較高密度的存儲(chǔ)器中。
本發(fā)明提供了一種用于提供能夠存儲(chǔ)多位的磁性元件的方法和系統(tǒng)。該方法和系統(tǒng)包括提供第一釘扎層、第一非磁性層(其是電性導(dǎo)電的)、第一自由層、連接層、第二釘扎層、第二非磁性層和第二自由層。第一釘扎層是鐵磁的，并具有固定在第一方向上的第一釘扎層磁化方向。第一非磁性層位于第一釘扎層與第一自由層之間。第一自由層是鐵磁的并具有第一自由層磁化方向。第二釘扎層是鐵磁的，并具有固定在第二方向上的第二釘扎層磁化方向。第二連接層位于第二釘扎層與第一自由層之間。第二非磁性層位于第二釘扎層與第二自由層之間。第二自由層是鐵磁的并具有第二自由層磁化方向。構(gòu)成該磁性元件，以便在寫入電流通過該磁性元件時(shí)允許自旋轉(zhuǎn)換使得第一自由層磁化方向和第二自由層磁化方向改變方向。
將根據(jù)具有某種部件和某種數(shù)量的結(jié)構(gòu)的特別磁性元件說明本發(fā)明。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員將很容易意識(shí)到，此方法和系統(tǒng)對(duì)于具有不同的和/或額外的部件或結(jié)構(gòu)(例如其它數(shù)量的自旋閥、自旋隧道結(jié)和/或雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu))的其它磁性存儲(chǔ)元件也將有效地工作。本發(fā)明還與具有與本發(fā)明不一致的不同和/或其它特征的磁性元件相容。還以自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象的目前理解為背景說明本發(fā)明。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將很容易意識(shí)到，該方法和系統(tǒng)的行為的理論上的說明是以自旋現(xiàn)象的目前理解為基礎(chǔ)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還將容易地意識(shí)到，是以與襯底具有特定關(guān)系的結(jié)構(gòu)為背景說明該方法和系統(tǒng)的。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員將很容易意識(shí)到，該方法和系統(tǒng)也與其它結(jié)構(gòu)相容。例如，本發(fā)明與頂部和底部自旋閥以及頂部和底部自旋隧道結(jié)相容。此外，以某種合成的層為背景說明本方法和系統(tǒng)。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員將很容易意識(shí)到，其它的和/或額外的層也能夠是合成的。此外，本發(fā)明與具有單一和/或合成的鐵磁層的磁性元件相容。而且，盡管以提供單個(gè)磁性元件為背景說明了按照本發(fā)明的方法的實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將很容易意識(shí)到該方法與提供多個(gè)磁性元件(例如以陣列方式)也相容。還以施加在特定方向的寫入電流、具有特定幅度的寫入電流以及施加的特定數(shù)量的寫入電流為背景說明本發(fā)明。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員將很容易意識(shí)到，本發(fā)明與其它的和/或不同的寫入電流相容。還以在層之間具有特定方向的磁化為背景說明了本發(fā)明。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員將很容易意識(shí)到本發(fā)明也與其它的方向相容。
為了更具體的給出本發(fā)明的方法和系統(tǒng)，現(xiàn)在參照?qǐng)D3A，圖3A顯示了按照本發(fā)明的能夠存儲(chǔ)多位并利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入的磁性元件100的一個(gè)實(shí)施例。磁性元件100包括兩個(gè)自旋隧道結(jié)110和120，兩個(gè)自旋隧道結(jié)110和120被配置成可使用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入，并由連接層102分開。
自旋隧道結(jié)110包括自由層118、優(yōu)選地為屏蔽層116的非磁性層和釘扎層114。自由層118和釘扎層114是鐵磁的。釘扎層114的磁化方向固定在特定方向上。優(yōu)選地，自旋隧道結(jié)110包括用于固定釘扎層114的磁化方向的AFM層112。但是，在可選實(shí)施例中，釘扎層114的磁化方向能夠以其它的方式被固定。屏蔽層116被配置成允許電荷載流子在釘扎層114與自由層118之間隧穿。自旋隧道結(jié)120包括自由層128、優(yōu)選地為屏蔽層126的非磁性層和釘扎層124。自由層128和釘扎層124是鐵磁的。釘扎層124的磁化方向固定在特定方向上。優(yōu)選地，自旋隧道結(jié)120包括用于固定釘扎層124的磁化方向的AFM層122。但是，在可選實(shí)施例中，釘扎層124的磁化方向能夠以其它的方式被固定。屏蔽層126被配置成允許電荷載流子在釘扎層124與自由層128之間隧穿。釘扎層118和128優(yōu)選地固定在圖3A所示的方向上。
由于它們被配置成使用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入，所以自旋隧道結(jié)110和120的尺寸優(yōu)選地與雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70類似。因此，自旋隧道結(jié)110和120的尺寸優(yōu)選地是較小，在幾百納米范圍內(nèi)。在優(yōu)選的實(shí)施例中，自旋隧道結(jié)110和120的尺寸小于200納米，并優(yōu)選地大約為100納米。自旋隧道結(jié)110和120的尺寸優(yōu)優(yōu)選地具有垂直于圖3中頁面的大約50納米的深度。該深度優(yōu)選地小于自旋隧道結(jié)110和120的寬度，使得自旋隧道結(jié)110和120具有一些形狀各向異性，確保自由層118和128具有優(yōu)選的方向。此外，自由層118和128的厚度足夠低，使得自旋轉(zhuǎn)換足夠強(qiáng)，以便將自由層磁化方向轉(zhuǎn)成與釘扎層114和124的磁化方向?qū)?zhǔn)。在優(yōu)選實(shí)施例中，自由層118和128具有小于或等于10nm的厚度。此外，對(duì)于具有優(yōu)選尺寸的自旋隧道結(jié)110和120，能夠以相當(dāng)小的電流提供大約107Amps/cm2的電流密度。例如，對(duì)于具有0.06×0.12μm2的橢圓形狀的自旋隧道結(jié)110和120，能夠通過大約0.5mA的電流提供大約107Amps/cm2的電流密度。結(jié)果，可以避免使用用于傳遞非常高的電流的專用電路。
在操作中，能夠使用從磁性元件100的頂部到磁性元件100的底部的正向的電流I1F以及從磁性元件100的底部到磁性元件100的頂部的反向的電流I1R對(duì)自旋隧道結(jié)110寫入數(shù)據(jù)。當(dāng)在正向上施加電流I1F時(shí)，多數(shù)電子從釘扎層114移動(dòng)到自由層118(由于電子帶負(fù)電，所以與電流I1F的方向相反)。多數(shù)電子使其自旋平行于釘扎層114的磁化方向。多數(shù)電子能夠經(jīng)過自旋轉(zhuǎn)換將其角動(dòng)量傳遞到自由層118。當(dāng)提供電流I1F時(shí)，足夠數(shù)量的多數(shù)電子傳遞它們的角動(dòng)量，以使自由層118的磁化方向與釘扎層114的磁化方向?qū)?zhǔn)。當(dāng)在反向上施加電流I1R時(shí)，從自由層118移動(dòng)到釘扎層114(與電流I1R的方向相反)的少數(shù)電子從釘扎層114被反射。少數(shù)電子使其角動(dòng)量處在與釘扎層114的磁化方向相反的方向上。當(dāng)提供電流I1R時(shí)，足夠數(shù)量的少數(shù)電子傳遞它們的角動(dòng)量，以使自由層118的磁化方向與釘扎層114的磁化方向反向平行。
類似地，能夠使用從磁性元件100的頂部到磁性元件100的底部的正向的電流I2F以及從磁性元件100的底部到磁性元件100的頂部的反向的電流I2R對(duì)自旋隧道結(jié)120進(jìn)行寫入。自旋轉(zhuǎn)換能夠按照與上述類似的方式定向自由層128的磁化方向。在優(yōu)選實(shí)施例中，I1F大于I2F，I1R大于I2R。能夠通過改變磁性元件110和120中的層來獲得磁性元件110和120的電阻和寫入電流的差別。例如，自由層118和128能夠具有不同的厚度。類似地，屏蔽層116和126能夠具有不同的厚度。
除了配置成使用自旋轉(zhuǎn)換進(jìn)行寫入之外，優(yōu)選地將自旋隧道結(jié)110和120配置成具有不同的中值電阻，并使用不同的電流進(jìn)行寫入。例如，自旋隧道結(jié)110和120的中值電阻分別是R1和R2。當(dāng)自由層118與釘扎層114的磁化方向平行和反向平行時(shí)，自旋隧道結(jié)110的電阻分別是R1-ΔR1和R1+ΔR1。當(dāng)自由層128與釘扎層124的磁化方向平行和反向平行時(shí)，自旋隧道結(jié)120的電阻分別是R2-ΔR2和R2+ΔR2。在優(yōu)選實(shí)施例中，R1、ΔR1、R2、ΔR2是不同的，因此能夠區(qū)分磁性元件100的四種不同的狀態(tài)。
連接層102位于自旋隧道結(jié)110和自旋隧道結(jié)120之間。連接層102優(yōu)選地是導(dǎo)電的。因此，在CPP方向上通過磁性元件100的電流很容易在自旋隧道結(jié)110和120之間通過。結(jié)果，用于一個(gè)自旋隧道結(jié)110的相同的寫入電流和讀取電流能夠用于另一個(gè)自旋隧道結(jié)120。
圖3B是說明按照本發(fā)明的對(duì)能夠存儲(chǔ)多位并利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入的磁性元件進(jìn)行寫入的方法140的一個(gè)實(shí)施例的高級(jí)流程圖。以圖3A中所示的磁性元件100為背景來說明方法140。參照?qǐng)D3A和3B，在對(duì)磁性元件進(jìn)行寫入時(shí)，使用的寫入電流應(yīng)當(dāng)確保自由層118和128的預(yù)期的調(diào)整。如果將要寫入“00”，則經(jīng)過步驟142對(duì)磁性元件施加至少一個(gè)寫入電流，用于使自由層118和128的磁化方向與釘扎層114和124的磁化方向?qū)?zhǔn)。因此，步驟142能夠包括提供在正向上通過磁性元件100的大于I1F和I2F的單個(gè)寫入電流。如果將要寫入“01”，則經(jīng)過步驟144施加一個(gè)或多個(gè)寫入電流，用于使自由層128的磁化方向反向平行于釘扎層124的磁化方向，使自由層118的磁化方向平行于釘扎層114的磁化方向。如果將要寫入“10”，則經(jīng)過步驟146施加一個(gè)或多個(gè)寫入電流，用于使自由層128的磁化方向平行于釘扎層124的磁化方向，使自由層118的磁化方向反向平行于釘扎層114的磁化方向。如果將要寫入“11”，則經(jīng)過步驟148施加一個(gè)或多個(gè)寫入電流，用于使自由層118和128的磁化方向反向平行于釘扎層114和124的磁化方向。
圖3C顯示了按照本發(fā)明的對(duì)能夠存儲(chǔ)多位并利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入的磁性元件進(jìn)行寫入的方法150的一個(gè)實(shí)施例。以圖3A中所示的磁性元件100為背景來說明方法150。參照?qǐng)D3A和3C，在對(duì)磁性元件寫入時(shí)，使用的寫入電流應(yīng)當(dāng)確保自由層118和128的預(yù)期的調(diào)整。
經(jīng)過步驟152確定是否將要對(duì)磁性元件100寫入“00”。如果是，則經(jīng)過步驟154在正向上(朝向圖3A頁面的底部)施加第一寫入電流。第一寫入電流大于I1F和I2F。結(jié)果，自旋轉(zhuǎn)換分別將自由層118和128定向成平行于釘扎層114和124。在此狀態(tài)下磁性元件100的電阻是R1-ΔR1+R2-ΔR2。
如果不是要寫入“00”，則經(jīng)過步驟156確定是否將要寫入“01”。如果是，則經(jīng)過步驟158在正向上施加大于I1F和I2F的寫入電流。優(yōu)選地，該寫入電流等于第一寫入電流。因此，自由層118和128被分別定向成平行于釘扎層114和124。然后經(jīng)過步驟160在反向上(圖3A中向上)施加第二寫入電流。第二寫入電流大于I2R，但是小于I1R。結(jié)果，第二寫入電流引起的自旋轉(zhuǎn)換將自由層128的磁化方向翻轉(zhuǎn)成反向平行于釘扎層124的磁化方向，而自由層118的磁化方向保持平行于釘扎層114的磁化方向。在此狀態(tài)下磁性元件100的電阻是R1-ΔR1+R2+ΔR2。
如果不是要寫入“01”，則經(jīng)過步驟162確定是否將要寫入“10”。如果是，則經(jīng)過步驟164在反向上施加第三寫入電流。因此，自由層118和128被分別定向成反向平行于釘扎層114和124。然后經(jīng)過步驟166在正向上施加第四寫入電流。第四寫入電流大于I2F，但是小于I1F。結(jié)果，第二寫入電流引起的自旋轉(zhuǎn)換將自由層128的磁化方向翻轉(zhuǎn)成平行于釘扎層124的磁化方向，而自由層118的磁化方向保持反向平行于釘扎層124的磁化方向。在此狀態(tài)下磁性元件100的電阻是R1+ΔR1+R2-ΔR2。
如果不是要寫入“10”，則是要寫入“11”。因此，經(jīng)過步驟170在反向上施加大于I1R和I2R的寫入電流，優(yōu)選地等于第三寫入電流。因此自由層118和128的磁化方向被分別定向成反向平行于釘扎層114和124的磁化方向。在此狀態(tài)下磁性元件100的電阻是R1+ΔR1+R2+ΔR2。
為了讀取磁性元件100，提供小于I1F、I2F、I1R和I2R的讀取電流。因此讀取電流小于任何施加的寫入電流。因此，讀取電流將不改變寫入到磁性元件中的數(shù)據(jù)。能夠根據(jù)讀取電流和輸出信號(hào)來確定磁性元件100的電阻。根據(jù)磁性元件的電阻，能夠確定存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)-“00”、“01”、“10”或“11”。如果電阻是R1-ΔR1+R2-ΔR2，則存儲(chǔ)的是“00”。如果電阻是R1-ΔR1+R2+ΔR2，則存儲(chǔ)的是“01”。如果電阻是R1+ΔR1+R2-ΔR2，則存儲(chǔ)的是“10”。如果電阻是R1+ΔR1+R2+ΔR2，則存儲(chǔ)的是“11”。
使用方法140和/或150，能夠使用自旋轉(zhuǎn)換在磁性元件100中存儲(chǔ)多位。由外部電流驅(qū)動(dòng)的切換場(chǎng)不是必要的。相反，使用更局部和可靠的現(xiàn)象來對(duì)磁性元件100進(jìn)行寫入，導(dǎo)致較少的串?dāng)_。此外，對(duì)于具有優(yōu)選尺寸的磁性元件100，能夠以相當(dāng)小的電流提供大約107Amps/cm2的足夠的電流密度。例如，對(duì)于具有0.06×0.12μm2的橢圓形狀的磁性元件，能夠通過大約0.5mA的電流提供大約107Amps/cm2的電流密度。結(jié)果，能夠避免使用用于傳遞非常高電流的專用電路。此外，由于在單個(gè)磁性元件100中存儲(chǔ)多位，所以能夠制造結(jié)合磁性元件100的高密度的存儲(chǔ)器(每單位面積存儲(chǔ)更多的位)。
圖4A是按照本發(fā)明的能夠存儲(chǔ)多位并利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入的磁性元件100′的第二實(shí)施例的視圖。磁性元件100′的許多部件類似于圖3A中所示的磁性元件100的部件。因此，這些部件被類似地標(biāo)記。例如，磁性元件100′包括自旋隧道結(jié)110′和120′。但是，連接層102已經(jīng)被共用的AFM層102′替代。此外，已經(jīng)省略了AFM層112和122。相反，單個(gè)共用的AFM層102′起到連接層(類似于連接層102)以及用于固定釘扎層114′和124′(類似于AFM層102和112)磁化方向的層的作用。或者，為了進(jìn)一步降低堆疊的高度，能夠通過反鐵磁耦合的硬磁性層/Ru/硬磁性層或硬磁性層/Ru/軟磁性層的三層結(jié)構(gòu)來替代釘扎層114′和124′以及釘扎的的AFM層102′，其中“硬”和“軟”分別是指具有高和低的磁性各向異性的鐵磁層。軟層可以是Co、Fe、Ni及其合金；硬層可以是例如CoCrPt的硬磁體材料。圖4B中顯示了這樣的可選結(jié)構(gòu)100″。參照?qǐng)D4A和4B，與磁性元件100′類似的磁性元件100″的部件被類似地標(biāo)記。例如，磁性元件100″包括自由層128″和118″。但是，硬磁性層111、Ru層113和硬或軟磁性層115用于替代磁性元件100′的釘扎層114′和124′以及AFM層102′。
磁性元件100′和100″還被配置成使用自旋轉(zhuǎn)換進(jìn)行寫入并存儲(chǔ)多位。因此，磁性元件100′和100″共用許多相同的特性，并且可以按照基本上與磁性元件100相同的方式進(jìn)行寫入。因此分別顯示在圖3B和3C中的方法140和150能夠用于向圖4A和4B所示的磁性元件100′和100″寫入數(shù)據(jù)。由于被驅(qū)動(dòng)通過磁性元件100′和100″的電流能夠用于使用自旋轉(zhuǎn)換進(jìn)行寫入數(shù)據(jù)，所以由外部電流驅(qū)動(dòng)的切換場(chǎng)不是必要的。相反，使用更局部和可靠的現(xiàn)象來對(duì)磁性元件100′和100″進(jìn)行寫入。此外，對(duì)于具有優(yōu)選尺寸的磁性元件100′和100″，能夠以相當(dāng)小的電流提供大約107Amps/cm2的足夠的電流密度。例如，對(duì)于具有0.06×0.12μm2的橢圓形狀的磁性元件，能夠通過大約0.5mA的電流提供大約107Amps/cm2的電流密度。結(jié)果，能夠避免使用用于傳遞非常高電流的專用電路。此外，由于在單個(gè)磁性元件100′和100″中存儲(chǔ)多位，所以能夠制造結(jié)合磁性元件100′和100″的高密度的存儲(chǔ)器(每單位面積存儲(chǔ)更多的位)。此外，由于磁性元件100′使用單個(gè)共用的AFM層102′來連接自旋隧道結(jié)110′和120′，所以能夠省略分開的AFM層。類似地，由于使用了層111、113和115，所以在磁性元件100″中省略了額外的AFM層。結(jié)果，磁性元件100′和100″能夠具有降低的堆疊高度。降低的堆疊高度能夠使磁性元件100′和100″更容易圖形化并且更易于制造。
圖5A是按照本發(fā)明的能夠存儲(chǔ)多位的、利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入并利用雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)的磁性元件200的第三實(shí)施例的視圖。因此磁性元件200包括由連接層202分開的雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230。雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210包括釘扎層214、非磁性層216、自由層218、屏蔽層220和釘扎層222。雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210優(yōu)選地還包括AFM層212和224，分別用于固定釘扎層214和222的磁化方向。雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)230包括釘扎層234、非磁性層236、自由層238、屏蔽層240和釘扎層242。雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)230優(yōu)選地還包括AFM層232和244，分別用于固定釘扎層234和242的磁化方向。釘扎層214和242使其磁化方向固定在第一方向上。釘扎層222和234使其磁化方向固定在第二方向上，優(yōu)選地反向平行于第一方向。能夠通過幾種技術(shù)來實(shí)現(xiàn)第二方向定向。一種技術(shù)是對(duì)釘扎層222和234使用合成結(jié)構(gòu)(沒有顯示)。另一種技術(shù)是對(duì)AFM層224和232使用AFM材料，其不同于(在設(shè)定溫度和場(chǎng)方面)AFM層232和242的AFM材料。然后能夠使用不同的AFM設(shè)定溫度和場(chǎng)，與釘扎層214和242的磁化方向定向分開的設(shè)定釘扎層222和234的磁化方向定向。自由層218和238優(yōu)選地具有優(yōu)選方向，但是在其它方面由于自旋轉(zhuǎn)換所以可自由響應(yīng)轉(zhuǎn)換的角動(dòng)量。屏蔽層220和240是電荷載流子能夠隧穿通過的絕緣體。非磁性間隔層216和236是導(dǎo)體。每個(gè)雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230可以視為具有自旋閥部分和自旋隧道結(jié)部分。雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210的自旋隧道結(jié)部分包括釘扎層222、屏蔽層220和自由層218。雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210的自旋閥部分包括釘扎層214、非磁性間隔層216和自由層218。類似地，雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)230的自旋隧道結(jié)部分包括釘扎層242、屏蔽層240和自由層238。雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)230的自旋閥部分包括釘扎層234、非磁性間隔層236和自由層238。
在操作中，雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230的每個(gè)被配置成使用自旋轉(zhuǎn)換進(jìn)行寫入。目前，主要使用雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230的自旋閥部分提供自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象。例如，對(duì)于在正向上驅(qū)動(dòng)的電流，從釘扎層214隧穿到自由層218的電子能夠?qū)⑺鼈兊慕莿?dòng)量傳遞到自由層218。結(jié)果，自由層218的磁化方向可以與釘扎層214的磁化方向?qū)?zhǔn)。此外，從釘扎層222反射的少數(shù)電子能夠有助于定向自由層218的磁化方向，使其平行于釘扎層214的磁化方向。類似地，對(duì)于在反向上驅(qū)動(dòng)的電流，從釘扎層214反射來自自由層218的少數(shù)電子。這些少數(shù)電子返回到自由層218，并使自由層218的磁化方向反向平行于釘扎層214的磁化方向。此外，來自釘扎層222的多數(shù)電子能夠有助于定向自由層218的磁化方向，使其反向平行于釘扎層214的磁化方向。因此，能夠在反向上從釘扎層214通過自由層218和釘扎層222來驅(qū)動(dòng)電流。雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)230以類似的方式工作。
由于它們被配置成使用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入，所以雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230的方向優(yōu)選地與雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)70的方向類似。雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230的尺寸優(yōu)選地小于200納米，并優(yōu)選地為大約100納米。雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230具有垂直于圖5A中頁面的大約50納米的深度。該深度優(yōu)選地小于雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230的寬度，使得雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230具有一些形狀各向異性，確保自由層218和238具有優(yōu)選的方向。此外，自由層218和238的厚度足夠低，使得自旋轉(zhuǎn)換足夠強(qiáng)，以便將自由層磁化方向轉(zhuǎn)成與釘扎層212和222以及釘扎層234和242的磁化方向?qū)?zhǔn)。在優(yōu)選實(shí)施例中，自由層218和238具有小于或等于10nm的厚度。此外，對(duì)于具有優(yōu)選尺寸的雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230，能夠以相當(dāng)小的電流提供大約107Amps/cm2的電流密度。例如，對(duì)于具有0.06×0.12μm2的橢圓形狀的雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230，能夠通過大約0.5mA的電流提供大約107Amps/cm2的電流密度。結(jié)果，可以避免使用用于傳遞非常高的電流的專用電路。
除了配置成使用自旋轉(zhuǎn)換進(jìn)行寫入之外，優(yōu)選地將雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230配置成具有不同的中值電阻，并使用不同的電流進(jìn)行寫入。例如，雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230的中值電阻分別是R1和R2。當(dāng)自由層218的磁化方向與釘扎層222的磁化方向平行和反向平行時(shí)，雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210的電阻分別是R1-ΔR1和R1+ΔR1。當(dāng)自由層238的磁化方向與釘扎層242的磁化方向平行和反向平行時(shí)，雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)230的電阻分別是R2-ΔR2和R2+ΔR2。此外，使用從磁性元件200的頂部到磁性元件200的底部的正向的電流I1F以及從磁性元件200的底部到磁性元件200的頂部的反向的電流I1R對(duì)自旋隧道結(jié)210進(jìn)行寫入。類似地，使用從磁性元件200的頂部到磁性元件200的底部的正向的電流I2F以及從磁性元件200的底部到磁性元件200的頂部的反向的電流I2R對(duì)雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)230進(jìn)行寫入。在優(yōu)選實(shí)施例中，I1F大于I2F，I1R大于I2R。能夠通過改變雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230中的層來獲得雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230的電阻和寫入電流的差別。例如，自由層218和228能夠具有不同的厚度。類似地，屏蔽層220和240能夠具有不同的厚度。
連接層202位于雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230之間。連接層202優(yōu)選地是導(dǎo)電的。因此，在CPP方向上通過磁性元件2100的電流很容易通過自旋隧道結(jié)110和120之間。結(jié)果，用于一個(gè)自旋隧道結(jié)210的相同的寫入電流和讀取電流能夠用于另一個(gè)自旋隧道結(jié)250。但是注意，讀取電流優(yōu)選地小于任何寫入電流。因此，自由層218和238的磁化方向在讀取期間不改變。
能夠按照基本上與磁性元件100和100′相同的方式來寫入磁性元件200，例如使用方法140或150。因此，磁性元件200共用了與磁性元件100和100′相同的許多優(yōu)點(diǎn)。由于存在能夠?qū)ψ孕D(zhuǎn)換有用的額外的釘扎層214和234，所以可以進(jìn)一步降低切換自由層218和238的磁化方向所需的電流。由于使用了雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210和230，并且使用自旋轉(zhuǎn)換來寫入磁性元件，所以不再需要用于產(chǎn)生外部切換磁場(chǎng)的外部電流對(duì)磁性元件200的自由層218和238進(jìn)行寫入。相反，使用被驅(qū)動(dòng)通過磁性元件200的電流。結(jié)果，由于利用了更局部的切換機(jī)制，所以具有較小的串?dāng)_和較低的功耗。由于存在磁性元件200的屏蔽層(層220和240)，所以磁性元件200在以CPP配置讀取時(shí)還具有明顯高于傳統(tǒng)的自旋閥的輸出信號(hào)。而且，由于磁性元件200能夠存儲(chǔ)多位，所以磁性元件200能夠用在較高密度的存儲(chǔ)器中。
圖5B是按照本發(fā)明的能夠存儲(chǔ)多位的、利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入并利用雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)的磁性元件200′的第四實(shí)施例的視圖。磁性元件200′類似于磁性元件200。因此，許多部件被類似地標(biāo)記。但是，非磁性間隔層236′和216′以及屏蔽層220′和240′的位置已經(jīng)分別被顛倒。然而，磁性元件200′基本上按照與磁性元件200類似的方式工作。因此，能夠通過驅(qū)動(dòng)電流通過磁性元件200′并如上所述的利用自旋轉(zhuǎn)換來寫入雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210′和230′。因此，磁性元件200′具有許多與磁性元件200相同的優(yōu)點(diǎn)。
圖6A是按照本發(fā)明的能夠存儲(chǔ)多位的、利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入并利用雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210″和230″的磁性元件200″的第五優(yōu)選實(shí)施例的視圖。但是，磁性元件200″包括共用的AFM層202″。因此，以有利的單個(gè)共用的AFM層202″省略了磁性元件200和200′的分開的AFM層224和232以及分開的連接層202。因此，磁性元件200″可以具有較低的堆疊高度?；蛘?，為了進(jìn)一步降低堆疊高度，能夠通過反鐵磁耦合的硬磁性層/Ru/硬磁性層或硬磁性層/Ru/軟磁性層的三層結(jié)構(gòu)來替代釘扎層222″和242″以及共用的AFM層202″，其中“硬”和“軟”分別是指具有高和低的磁性各向異性的鐵磁層。軟層可以是Co、Fe、Ni及其合金；硬層可以是例如CoCrPt的硬磁體材料。圖6B中顯示了這樣的可選結(jié)構(gòu)200。磁性元件200的部件與圖6A中所示的磁性元件200″的部件類似。因此，這樣的部件被類似地標(biāo)記。磁性元件200包括共用的磁性層221、Ru層223和硬或軟磁性層225，用于替代磁性元件200″的釘扎層222″和242″以及AFM層202″。
此外，磁性元件200″包括合成的自由層218″和238″以及合成的釘扎層234″和242″。合成的自由層218″包括由非磁性層227分開的磁性層226和228。非磁性層227優(yōu)選地是導(dǎo)電的，并具有使得磁性層226和228磁性耦合以便反鐵磁對(duì)準(zhǔn)的厚度配置。合成的自由層238″包括由非磁性層258分開的磁性層256和260。非磁性層258優(yōu)選地是導(dǎo)電的，并具有使得磁性層256和260磁性耦合以便反鐵磁對(duì)準(zhǔn)的厚度配置。合成的釘扎層234″包括由非磁性層252分開的磁性層250和254。非磁性層252優(yōu)選地是導(dǎo)電的，并具有使得磁性層250和254磁性耦合以便反鐵磁對(duì)準(zhǔn)的厚度配置。合成的釘扎層242″包括由非磁性層264分開的磁性層262和266。非磁性層264優(yōu)選地是導(dǎo)電的，并具有使得磁性層262和266磁性耦合以便反鐵磁對(duì)準(zhǔn)的厚度配置。合成的釘扎層234″和/或242″具有與釘扎層214″和222″的力矩相反的凈力矩。
在優(yōu)選實(shí)施例中，磁性元件200″被配置成按照基本上與磁性元件200和200′相同的方式進(jìn)行寫入和讀取。因此，雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210″和230″分別具有寫入電流I1F和I1R以及寫入電流I2F和I2R。此外，雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210″和230″的電阻不同。優(yōu)選地，當(dāng)自由層218″的上鐵磁層228分別與釘扎層222″平行和反向平行時(shí)，雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210″的電阻大約是R1-ΔR1和R1+ΔR1。類似地，當(dāng)自由層238″的下鐵磁層260分別與釘扎層242″的上層262平行和反向平行時(shí)，雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)230″的電阻優(yōu)選地大約是R2-ΔR2和R2+ΔR2。因此，磁性元件200″的四種狀態(tài)對(duì)應(yīng)于電阻R1-ΔR1+R2-ΔR2(“00”)、R1-ΔR1+R2+ΔR2(“01”)、R1+ΔR1+R2-ΔR2(“10”)、R1+ΔR1+R2+ΔR2(“11”)。
能夠按照基本上與磁性元件100和100′相同的方式來寫入磁性元件200″，例如使用方法140或150。因此，磁性元件200共用了與磁性元件100和100′相同的許多優(yōu)點(diǎn)。由于使用了雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210″和230″，并且使用自旋轉(zhuǎn)換來寫入磁性元件，所以不再需要用于產(chǎn)生外部切換磁場(chǎng)的外部電流對(duì)磁性元件200″的自由層218″和238″進(jìn)行寫入。相反，使用被驅(qū)動(dòng)通過磁性元件200″的電流。結(jié)果，由于利用了更局部的切換機(jī)制，所以具有較小的串?dāng)_和較低的功耗。由于存在磁性元件200″的屏蔽層(層220″和240″)，所以磁性元件200″在以CPP配置讀取時(shí)還具有明顯高于傳統(tǒng)的自旋閥的輸出信號(hào)。而且，由于磁性元件200″能夠存儲(chǔ)多位，所以磁性元件200″能夠用在較高密度的存儲(chǔ)器中。
此外，由于自由層218″和238″是合成的，所以它們的磁化方向比較容易切換。因此，可以使用較低的寫入電流。換言之，電流I1F、I2F、I1R、I2R可以低于單個(gè)自由層時(shí)的電流。此外，釘扎層222″和242″與屏蔽層交叉也有助于自旋轉(zhuǎn)換。在優(yōu)選實(shí)施例中，定向釘扎層214″和/或222″以及磁性層254和262，以便分別額外地有助于自由層218″和238″的自旋轉(zhuǎn)換效應(yīng)。因此，可以進(jìn)一步降低切換自由層218″和238″的磁化方向所需的電流。因此，磁性元件200″適于用作較高密度的磁性存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)元件。
類似地，磁性元件200共用了磁性元件200″的許多優(yōu)點(diǎn)。此外，由于使用層221、223和225替代釘扎層222″和242″以及AFM層202″，所以進(jìn)一步降低了磁性元件200的堆疊高度。結(jié)果，簡(jiǎn)化了加工。
圖7是按照本發(fā)明的用于提供能夠存儲(chǔ)多位并利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入的磁性元件的方法300的一個(gè)實(shí)施例的高級(jí)流程圖。因?yàn)榇判栽?00″是優(yōu)選的磁性元件，所以結(jié)合磁性元件200″來說明方法300。但是，方法300能夠用于其它的磁性元件，例如磁性元件100、100′、100″、200和200′。
經(jīng)過步驟302提供第一結(jié)構(gòu)。在優(yōu)選實(shí)施例中，步驟302用于提供雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)，例如雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210″。在另一個(gè)實(shí)施例中，在步驟302中能夠提供雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210或自旋隧道結(jié)110和110′。因此，步驟302優(yōu)選地包括提供第一釘扎層、第一非磁性間隔層、第一自由層、第一屏蔽層、第一釘扎層、連接層、第二釘扎層、第二屏蔽層、第二自由層、第二非磁性間隔層和第二釘扎層。在一些實(shí)施例中，步驟302優(yōu)選地還包括提供一些仔晶層、鄰近釘扎層的AFM層。經(jīng)過步驟304提供連接層。在優(yōu)選實(shí)施例中，步驟304包括提供共用的AFM層202″。但是，在其它的實(shí)施例中，能夠提供連接層202、202′、102和102′。經(jīng)過步驟306提供第二結(jié)構(gòu)。第二結(jié)構(gòu)優(yōu)選地是雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)230″。但是，在另一個(gè)實(shí)施例中，能夠在步驟306中提供雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)230或230′或自旋隧道結(jié)120或120′。然后經(jīng)過步驟308能夠可選地重復(fù)步驟304和306。因此，通過步驟308，能夠提供多于兩個(gè)的自旋隧道結(jié)和多于兩個(gè)的雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)。此外應(yīng)注意，盡管不是優(yōu)選，但是能夠混合磁性元件中提供的結(jié)構(gòu)的類型。例如，磁性元件(沒有顯示)能夠包括由連接層分開的自旋隧道結(jié)和雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)。此外，盡管方法300分開的提供了第一和第二結(jié)構(gòu)，但是方法300也能夠分開的定義第一和第二結(jié)構(gòu)的幾何形狀。
圖8是按照本發(fā)明的用于提供能夠存儲(chǔ)多位并利用自旋轉(zhuǎn)換現(xiàn)象進(jìn)行寫入的磁性元件的方法350的一個(gè)實(shí)施例的更詳細(xì)的流程圖。因?yàn)榇判栽?00″是優(yōu)選的磁性元件，所以結(jié)合磁性元件200″來說明方法350。但是，方法350能夠用于其它的磁性元件，例如磁性元件100、100′、100″、200和200′。經(jīng)過步驟352優(yōu)選地在仔晶層上提供AFM層212″。在優(yōu)選實(shí)施例中，使用標(biāo)準(zhǔn)的濺射執(zhí)行步驟352，AFM材料優(yōu)選地是120埃的PtMn。經(jīng)過步驟354提供釘扎層214″。釘扎層214″優(yōu)選地是濺射的Co、CoFe、其它的鐵磁合金，或半金屬。在優(yōu)選實(shí)施例中，步驟354還包括提供釘扎層，其厚度大約是20埃。經(jīng)過步驟356提供非磁性間隔層216″。步驟356可以包括提供一層銅，其厚度在15至40埃之間。但是，也可以選擇其它的非磁性導(dǎo)體。經(jīng)過步驟358提供合成的自由層218″。步驟358包括提供層226、227和228。磁性層226和228可以包括Co、Ni、Fe、它們的合金、或半金屬。磁性層226和228的厚度可以類似，例如它們可以是25和30?；蛘叨际?5埃。步驟358還包括提供非磁性層227，其使得磁性層226和228反鐵磁的對(duì)準(zhǔn)。例如，非磁性層227可以是8.5埃的Ru。經(jīng)過步驟360提供屏蔽層220″。步驟360可以包括提供10和30埃之間的氧化鋁或其它的非磁性絕緣體。經(jīng)過步驟362提供釘扎層222″。步驟362可以類似于步驟354。例如，經(jīng)過步驟364使用離子研磨(ion milling)能夠任意地定義雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210″。因此，步驟364能夠與雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)230″分開的定義雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210″的幾何形狀。但是，在可選實(shí)施例中，可以省略步驟364。
經(jīng)過步驟366提供共用的AFM層202″、或連接層。在步驟366中沉積的共用的AFM層202″優(yōu)選地是200至300埃的PtMn。
經(jīng)過步驟368提供合成的釘扎層242″。步驟368包括提供層262、264和266。磁性層262和266可以包括Co、Ni、Fe、它們的合金、或半金屬。頂部磁性層262的厚度(例如35埃)應(yīng)當(dāng)比底部磁性層266的厚度(例如15埃)大。厚度差使得磁性層262和266的磁化方向通過用于設(shè)定AFM層232″定向的高溫退火被設(shè)定在預(yù)期的方向上。步驟368還包括提供非磁性層264，其使得磁性層262和268反鐵磁的對(duì)準(zhǔn)。例如，非磁性層264可以是8.5埃的Ru。經(jīng)過步驟370提供屏蔽層240″。步驟370可以包括提供小于10埃的氧化鋁或其它的非磁性絕緣體。因此，在步驟360中形成的屏蔽層240″的厚度不同于步驟370中形成的屏蔽層220″的厚度。結(jié)果，按照預(yù)期，雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210″與雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)230″具有不同的電阻。經(jīng)過步驟372提供合成的自由層238″。步驟372包括提供層256、258和260。磁性層256和260可以包括Co、Ni、Fe、它們的合金、或半金屬。選擇層256、258和260的厚度和材料，使得寫入電流I2F和I2R是不同的，并且優(yōu)選地小于自由層218″的電流。磁性層256和260的厚度可以是類似的，例如它們可以是15和17?；蛘呖梢远际?5埃。步驟372還可以包括提供非磁性層258，其使得磁性層256和260反鐵磁的對(duì)準(zhǔn)。例如，非磁性層258可以是8.5埃的Ru。
經(jīng)過步驟374提供非磁性間隔層236″。步驟374優(yōu)選地包括沉積20至40埃的銅。但是，也可以使用其它的非磁性導(dǎo)電材料。例如，可以選擇Ta，其與釘扎層234″和自由層238″具有低的相互擴(kuò)散。經(jīng)過步驟376提供合成的釘扎層234″。步驟376包括提供層250、252和254。磁性層250和254可以包括Co、Ni、Fe、它們的合金、或半金屬。底部磁性層254的厚度(例如35埃)應(yīng)當(dāng)比頂部磁性層250的厚度(例如15埃)大。厚度差使得磁性層250和254的磁化方向通過用于設(shè)定AFM層232″定向的高溫退火被設(shè)定在預(yù)期的方向上。因此，當(dāng)制造完成時(shí)，磁性層254的磁化方向與磁性層262的磁化方向?qū)?zhǔn)。步驟376還包括提供非磁性層252，其使得磁性層250和254反鐵磁的對(duì)準(zhǔn)。例如，非磁性層252可以是8.5埃的Ru。經(jīng)過步驟378提供AFM層232″。步驟378優(yōu)選地包括提供160埃的PtMn。然后經(jīng)過步驟380可以定義雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)230″的尺寸。優(yōu)選地使用離子研磨步驟執(zhí)行步驟380。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，也可以在步驟380中定義雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)210″的尺寸。在這樣的實(shí)施例中，優(yōu)選地省略步驟364。
使用方法300和/或350，制造能夠使用自旋轉(zhuǎn)換進(jìn)行寫入并能夠存儲(chǔ)多位的磁性元件。因此，能夠提供磁性元件100、100′、200、200′和200″。因此，能夠利用這樣的磁性元件100、100′、200、200′和200″來制造磁性存儲(chǔ)器，例如MRAM。由于使用例如磁性元件100、100′、200、200′和200″的磁性元件，所以存儲(chǔ)器可以是高密度的，具有比較簡(jiǎn)單的電路，并使用更局部的現(xiàn)象進(jìn)行寫入。
也可以僅使用上述的多位磁性元件的結(jié)構(gòu)來增強(qiáng)讀取信號(hào)，而不是增加每個(gè)堆疊存儲(chǔ)的位數(shù)。當(dāng)期望信號(hào)增強(qiáng)時(shí)，僅使用最低和最高的電阻狀態(tài)來寫入和讀取堆疊。更具體地，對(duì)于二位堆疊，最低和最高的電阻狀態(tài)是(00)和(11)。如果二位堆疊僅用于信號(hào)增強(qiáng)，則其變?yōu)橐晃欢询B，一位堆疊的讀取信號(hào)是其兩個(gè)自旋轉(zhuǎn)換單元的讀取信號(hào)的總和。
已經(jīng)說明了一種用于提供能夠存儲(chǔ)多位并使用自旋轉(zhuǎn)換進(jìn)行寫入的磁性元件的方法和系統(tǒng)。盡管已經(jīng)按照所示的實(shí)施例說明了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將很容易意識(shí)到，可能有對(duì)實(shí)施例的各種改變，并且這些改變將落于本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍內(nèi)。因此，在不脫離后附權(quán)利要求的實(shí)質(zhì)和范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以進(jìn)行許多修改。
權(quán)利要求
1.一種能夠存儲(chǔ)多位的磁性元件，包括第一釘扎層，第一釘扎層是鐵磁的，并具有第一釘扎層磁化方向，第一釘扎層磁化方向被固定在第一方向上；第一非磁性層，第一非磁性層是導(dǎo)電的；第一自由層，第一非磁性層位于第一釘扎層與第一自由層之間，第一自由層是鐵磁的，并且具有第一自由層磁化方向；連接層；第二釘扎層，第二釘扎層是鐵磁的，并具有固定在第二方向上的第二釘扎層磁化方向，連接層位于第二釘扎層與第一自由層之間；第二非磁性層，第二非磁性層是導(dǎo)電的；第二自由層，第二非磁性層位于第二釘扎層與第二自由層之間，第二自由層是鐵磁的，并且具有第二自由層磁化方向；其中磁性元件被配置成允許在寫入電流通過磁性元件時(shí)，由于自旋轉(zhuǎn)換導(dǎo)致第一自由層磁化方向和第二自由層磁化方向改變方向。
2.如權(quán)利要求1所述的磁性元件，其中第一自由層被配置成使用第一寫入電流和第二寫入電流進(jìn)行寫入，第一寫入電流在第一電流方向，第二寫入電流在第二電流方向，以及其中第二自由層被配置成使用第三寫入電流和第四寫入電流進(jìn)行寫入，第三寫入電流在第一電流方向，第四寫入電流在第二方向，第一寫入電流、第二寫入電流、第三寫入電流和第四寫入電流是不同的。
3.如權(quán)利要求1所述的磁性元件，其中連接層是鄰近第二釘扎層和第一釘扎層的反鐵磁層。
4.如權(quán)利要求1所述的磁性元件，其中連接層、第一釘扎層和第二釘扎層形成合成的反鐵磁體，其包括硬磁性層/Ru/硬磁性層或者硬磁性層/Ru/軟磁性層。
5.如權(quán)利要求1所述的磁性元件，其中第一非磁性層和第二非磁性層的至少一個(gè)是絕緣的屏蔽層，如果第一非磁性層是絕緣的屏蔽層，則第一非磁性層允許電荷載流子在第一釘扎層與第一自由層之間隧穿，如果第二非磁性層是絕緣的屏蔽層，則第二非磁性層允許電荷載流子在第二釘扎層與第二自由層之間隧穿。
6.一種能夠存儲(chǔ)多位的磁性元件，包括第一雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)，包括第一釘扎層、第一非磁性間隔層、第一自由層、第一屏蔽層和第二釘扎層，第一非磁性間隔層位于第一釘扎層和第一自由層之間，第一屏蔽層位于第一自由層與第二釘扎層之間；連接層；以及第二雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)，包括第三釘扎層、第二非磁性間隔層、第二自由層、第二屏蔽層和第四釘扎層，第二非磁性間隔層位于第三釘扎層和第二自由層之間，第二屏蔽層位于第二自由層與第四釘扎層之間。
7.如權(quán)利要求6所述的磁性元件，其中第一雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)被配置成使用第一寫入電流和第二寫入電流進(jìn)行寫入，第一寫入電流在第一電流方向，第二寫入電流在第二電流方向，以及其中第二雙自旋隧道/閥結(jié)構(gòu)被配置成使用第三寫入電流和第四寫入電流進(jìn)行寫入，第三寫入電流在第一電流方向，第四寫入電流在第二方向，第一寫入電流、第二寫入電流、第三寫入電流和第四寫入電流是不同的。
8.如權(quán)利要求6所述的磁性元件，其中連接層是反鐵磁的，用于固定第二釘扎層磁化方向和第四釘扎層磁化方向。
9.如權(quán)利要求6所述的磁性元件，其中連接層是夾在第二和第四釘扎層之間的合成的反鐵磁的硬/Ru/硬或者軟/Ru/軟層。
10.一種用于編程能夠存儲(chǔ)多位的磁性元件的方法，包括以下步驟如果要寫入第一狀態(tài)，則使第一電流通過磁性元件，該磁性元件包括第一釘扎層、第一非磁性層、第一自由層、連接層、第二釘扎層、第二非磁性層和第二自由層，第一釘扎層是鐵磁的，并具有第一釘扎層磁化方向，第一釘扎層磁化方向被固定在第一方向上，第一非磁性層位于第一釘扎層與第一自由層之間，第一自由層是鐵磁的，并且具有第一自由層磁化方向，第二釘扎層是鐵磁的，并具有固定在第二方向上的第二釘扎層磁化方向，連接層位于第二釘扎層與第一自由層之間，第二非磁性層位于第二釘扎層與第二自由層之間，第二自由層是鐵磁的，并且具有第二自由層磁化方向，該磁性元件被配置成允許由于自旋轉(zhuǎn)換導(dǎo)致第一自由層磁化方向和第二自由層磁化方向改變方向，第一電流足以使第一自由層磁化方向平行于第一釘扎層磁化方向，以及使第二自由層磁化方向平行于第二釘扎層磁化方向；施加至少第二電流通過磁性元件，該至少第二電流使第一自由層磁化方向平行于第一釘扎層磁化方向，并使第二自由層磁化方向反向平行于第二釘扎層磁化方向；如果要寫入第三狀態(tài)，則施加至少第三電流通過磁性元件，該至少第三電流使第一自由層磁化方向反向平行于第一釘扎層磁化方向，并使第二自由層磁化方向反向平行于第二釘扎層磁化方向；如果要寫入第四狀態(tài)，則在施加第一電流之后施加至少第四電流通過磁性元件，該至少第四電流使第一自由層磁化方向反向平行于第一釘扎層磁化方向，并使第二自由層磁化方向平行于第二釘扎層磁化方向。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中第一自由層被配置成使用通過磁性元件的在第一電流方向上的第一寫入電流以及在第二電流方向上的第二寫入電流進(jìn)行寫入，其中第二自由層被配置成使用通過磁性元件的在第一電流方向上的第三寫入電流以及在第二電流方向上的第四寫入電流進(jìn)行寫入，第三寫入電流小于第一寫入電流，第四寫入電流小于第二寫入電流，第一電流在第一電流方向上并且大于第一寫入電流和第三寫入電流；其中該至少第二電流包括施加在第一電流方向上的第五電流，其后是施加在第二電流方向上的第六電流，第五電流大于第一寫入電流和第三寫入電流，第六電流小于第二寫入電流并大于第四寫入電流；其中該至少第三電流包括在第二電流方向上的第七電流，其后是在第一電流方向上的第八電流，第七電流大于第二寫入電流和第四寫入電流，第八電流小于第一寫入電流并大于第三寫入電流；以及其中該至少第四電流包括在第二電流方向上的第九電流，第九電流大于第二寫入電流和第四寫入電流。
全文摘要
公開了一種用于提供能夠存儲(chǔ)多位的磁性元件的方法和系統(tǒng)。該方法和系統(tǒng)包括提供第一釘扎層、第一非磁性層、第一自由層、連接層、第二釘扎層、第二非磁性層和第二自由層。第一釘扎層是鐵磁的，并具有固定在第一方向上的第一釘扎層磁化方向。第一非磁性層位于第一釘扎層與第一自由層之間。第一自由層是鐵磁的，并且具有第一自由層磁化方向。第二釘扎層是鐵磁的，并具有固定在第二方向上的第二釘扎層磁化方向。連接層位于第二釘扎層與第一自由層之間。第二非磁性層位于第二釘扎層與第二自由層之間。第二自由層是鐵磁的，并且具有第二自由層磁化方向。該磁性元件被配置成在寫入電流通過磁性元件時(shí)，允許由于自旋轉(zhuǎn)換導(dǎo)致第一自由層磁化方向和第二自由層磁化方向改變方向。
文檔編號(hào)G11C11/16GK1842874SQ200480024649
公開日2006年10月4日 申請(qǐng)日期2004年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月26日
發(fā)明者P·P·源, Y·懷 申請(qǐng)人:格藍(lán)迪斯公司