專利名稱：雙盤光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光記錄介質(zhì)，更具體的，涉及一種光記錄介質(zhì)，當(dāng)在上和下記錄層之間切換數(shù)據(jù)讀取/寫入操作時(shí)，保持其相對(duì)于相同激光光源的位置。
背景技術(shù)：
日本專利公開(kāi)2000-76681公開(kāi)了一種用于記錄高密度數(shù)據(jù)的伺服跟蹤技術(shù)。為了實(shí)現(xiàn)高密度記錄，在槽脊軌道上和與凹槽軌道交替的凹槽軌道上記錄數(shù)據(jù)。日本專利公開(kāi)2003-16648公開(kāi)了一種使用相變型多層光記錄介質(zhì)的高密度記錄技術(shù)。
在本領(lǐng)域中同樣已知的是一種雙盤光記錄介質(zhì)。如圖1所示，已知的雙盤光記錄媒介由透明的下盤D0和上盤D1組成的。激光束從下面照射到下盤上，而在下盤的反面，形成多個(gè)寬度為WG0的凹槽軌道3和寬度為WL0的槽脊軌道4，在每個(gè)軌道上涂覆記錄層4。上盤D1包括底材構(gòu)件5，其下面由多個(gè)寬度為WG1的凹槽軌道6和寬度為WL1的槽脊軌道7構(gòu)成，在每個(gè)軌道6和7涂有記錄層8。
如圖2所示，下記錄層4包括最初形成在透明底材構(gòu)件1上的第一介電膜4A。在介電膜4A上是光記錄膜4B，在光記錄膜4B上，順序形成第二介電膜4C和反射膜4D。利用面向上的底材構(gòu)件5的信息記錄側(cè)，制作上記錄層8。最初，將反射膜8D濺射到底材構(gòu)件5上。在反射膜8D上依次形成介電膜8C，在其上面，依次形成光記錄膜8B和介電膜8D。然后，翻轉(zhuǎn)上盤并借助于中間層9將其與下盤粘牢，從而盤的信息記錄面相互面對(duì)，并且每個(gè)盤的凹槽軌道分別對(duì)準(zhǔn)另一盤的槽脊軌道。在現(xiàn)有技術(shù)的雙盤結(jié)構(gòu)中，WG0、WL0、WG1和WL1的寬度實(shí)質(zhì)上彼此相等。
由聚焦在記錄膜4B上的激光束讀取寫在下盤上的數(shù)據(jù)。該激光束透過(guò)記錄膜4B并由反射膜4D部分向下反射給光電二極管(未示出)。另一方面，使用相同激光束讀取寫在上盤上的數(shù)據(jù)。在這種情況下，激光束通過(guò)下盤照射到上盤。下盤的反射膜4D具有如下厚度入射波束的部分能量通過(guò)下盤，并到達(dá)上盤，在上盤上，將激光束聚焦在記錄膜8B上，并由反射膜8D向下反射通過(guò)下盤到達(dá)光電二極管。
如果將下盤D0的光透射率表示為T0并且將上盤D1的光反射率表示為R1，則雙盤結(jié)構(gòu)的總反射率為T02×R1。為了保證用于讀取上盤的足夠的光能量，同時(shí)保證用于讀取下盤的足夠的能量，反射率R0至少為0.5。所以，反射膜4D的厚度在10nm到20nm的范圍內(nèi)。由于對(duì)上盤的反射率沒(méi)有限制，反射膜8D的厚度在100nm到200nm的范圍內(nèi)。
然而，記錄在下盤上的數(shù)據(jù)的載波噪聲比與記錄在上盤上的數(shù)據(jù)的載波噪聲比存在極大的差別。對(duì)于記錄/回放設(shè)備，使用在其記錄盤之間具有不同操作特性的雙盤光記錄介質(zhì)是不理想的。

發(fā)明內(nèi)容
所以，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種雙盤光記錄介質(zhì)，其中兩個(gè)記錄面的操作特性實(shí)質(zhì)上彼此相同。
本發(fā)明基于發(fā)明者的以下發(fā)現(xiàn)由于在制造過(guò)程中，在其光透明性較為重要的底材構(gòu)件上制造一個(gè)介電膜后，形成下盤記錄膜，而在其光透明性并不重要的底件構(gòu)件上制造兩個(gè)膜(反射膜和介電膜)之后，形成上盤記錄膜，所以下盤和上盤的記錄/回放特性相互不同。
通過(guò)設(shè)定在遠(yuǎn)離激光光源的第一盤上的凹槽軌道寬度與槽脊軌道寬度的比率大于一且等于或大于靠近激光光源的第二盤的凹槽軌道寬度與槽脊軌道寬度的比率來(lái)實(shí)現(xiàn)所述目的。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種光記錄介質(zhì)，包括借助于透光材料的中間底材緊固在一起的第一盤和第二盤。第一盤包括底材構(gòu)件，形成在其信息記錄側(cè)，具有多個(gè)寬度為WG0的凹槽軌道和與凹槽軌道交替的寬度為WL0的槽脊軌道，在每個(gè)凹槽和槽脊軌道上涂覆用于接收入射到反面上的激光束的光記錄膜和用于部分反射透過(guò)記錄膜的光能量的反射膜。第二盤包括具有面對(duì)第一底材構(gòu)件的信息記錄面的信息記錄面的底材構(gòu)件。底材構(gòu)件的信息記錄面由多個(gè)寬度為WL1的槽脊軌道和與槽脊軌道交替的寬度為WG1的凹槽軌道構(gòu)成，第二盤的每個(gè)槽脊和凹槽軌道上涂覆了用于接收來(lái)自第一盤的相應(yīng)凹槽和槽脊軌道的光的光記錄膜和反射膜。為了使第一和第二盤的載波噪聲比相等，比率WG1/WL1大于一且等于或大于比率WG0/WL0。
優(yōu)選地，(WG1/WL1)/(WG0/WL0)在1(包括1)到1.5(包括1.5)的范圍內(nèi)。WG1/WL1在1.1(包括1.1)到1.3(包括1.3)的范圍內(nèi)，并且WG0/WL0在0.9(包括0.9)到1.1(包括1.1)的范圍內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種光記錄/回放設(shè)備，包括光記錄介質(zhì)，包括通過(guò)透明中間層緊固在一起的第一和第二盤。第一盤包括透光材料的底材構(gòu)件，形成在第一盤的信息記錄側(cè)，具有多個(gè)寬度為WG0的凹槽軌道和與凹槽軌道交替的寬度為WL0的槽脊軌道，在每個(gè)凹槽和槽脊軌道上涂覆用于接收入射到反面上的激光束的光記錄膜和用于部分反射透過(guò)記錄膜的光能量的反射膜。第二盤包括底材構(gòu)件，形成在面對(duì)第一盤的信息記錄面的第二盤的信息記錄面上，具有多個(gè)寬度為WL1的槽脊軌道和與槽脊軌道交替的寬度為WG1的凹槽軌道，第二盤的每個(gè)槽脊和凹槽軌道上涂覆有用于接收來(lái)自第一盤的相應(yīng)凹槽和槽脊軌道的光的記錄膜和位于記錄膜上的反射膜，其中比率WG1/WL1大于一且等于或大于比率WG0/WL0，從而第一和第二盤的載波噪聲比實(shí)質(zhì)上相互相等。光頭組件將激光束引導(dǎo)到記錄介質(zhì)上。設(shè)置跟蹤和聚焦控制裝置，用于控制光頭組件，從而使激光光束入射在第一盤的凹槽或槽脊軌道上和第二盤槽脊或凹槽軌道上。


將參照以下附圖，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步描述圖1是現(xiàn)有技術(shù)的雙盤結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)的截面圖；
圖2是用于示出其上和下記錄層的細(xì)節(jié)的現(xiàn)有技術(shù)的雙盤記錄介質(zhì)的截面圖；圖3是用于示出其上和下層的細(xì)節(jié)的本發(fā)明的雙盤記錄介質(zhì)的截面圖；圖4是，當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的第一方面，通過(guò)制造多個(gè)樣本記錄介質(zhì)而在所有軌道上進(jìn)行記錄時(shí)，針對(duì)從本發(fā)明的多個(gè)上和下記錄盤獲得的凹槽與槽脊寬度比率的不同值的載波噪聲比的表格；圖5是根據(jù)從圖4表格獲得的凹槽與槽脊寬度比率而繪制的下樣本盤的凹槽軌道的載波噪聲比和上樣本盤的槽脊軌道的載波噪聲比的圖示；圖6是根據(jù)通過(guò)根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例制造的樣本介質(zhì)而獲得的凹槽與槽脊寬度比率而繪制的下樣本盤的凹槽軌道的載波噪聲比和上樣本盤的槽脊軌道的載波噪聲比的圖示；圖7是根據(jù)中間層的厚度值而繪制的下樣本盤的凹槽軌道的載波噪聲比和上樣本盤的槽脊軌道的載波噪聲比的圖示；以及圖8是用于操作本發(fā)明的雙盤光記錄介質(zhì)的光記錄/回放系統(tǒng)的方塊圖。
具體實(shí)施例方式
如圖3所示，本發(fā)明的光記錄介質(zhì)包括下盤20和上盤21。
下盤20由底材構(gòu)件11構(gòu)成，例如聚碳酸脂或玻璃，在其相對(duì)于光接收(下)側(cè)的信息記錄(上)側(cè)，形成一組寬度為WG0的凹槽軌道12和一組與的凹槽軌道12交替的寬度為WL0的槽脊軌道13。選擇至少一組凹槽和槽脊用于在下記錄層14上的記錄信號(hào)。
上盤21由任何適當(dāng)材料的底材構(gòu)件15構(gòu)成，在其信息記錄(下)側(cè)，形成一組寬度為WG1的凹槽軌道16和一組與凹槽軌道16交替的寬度為WL1的槽脊軌道17。使用與下盤的被選中組相對(duì)應(yīng)的至少一組這些槽脊和凹槽在上記錄層18上記錄信號(hào)。因此，如果對(duì)于下盤，只將信號(hào)記錄在凹槽軌道12上，則對(duì)于上盤，使用槽脊軌道17來(lái)記錄信號(hào)。
通過(guò)如UV敏感熱固材料等透明中間層19將下和上盤20和21粘接在一起。優(yōu)選地，中間層19的厚度在15μm到40μm的范圍內(nèi)。
如下描述，通過(guò)設(shè)置比率WG1/WL1大于一并等于或大于比率WG0/WL0，使記錄盤20和21的記錄/回放特性實(shí)質(zhì)上相互相等。
兩個(gè)盤的記錄層14和18由等同于通過(guò)使用濺射技術(shù)的如圖2所示的層壓結(jié)構(gòu)構(gòu)成。更具體地，電介膜4A和4C可以由SiN、SiO2、TaOx、Al2O3、AIN或ZnS-SiO2或它們的混合物構(gòu)成。記錄膜4B可以由相變記錄材料構(gòu)成，如GeSbTe或AgInSbTe，其中通過(guò)使用引起在非晶體和晶體狀態(tài)之間的改變的激光束照射點(diǎn)，以寫入數(shù)據(jù)，而且通過(guò)非晶體和晶體點(diǎn)反射的光的不同來(lái)讀取數(shù)據(jù)。代替地，記錄膜4B可以是由磁光材料構(gòu)成，如TbFeCo。反射膜4D的適合材料包括如Ag、Au、Cu、Al和Ti，其厚度大約為10nm以保證預(yù)定數(shù)量的光透射率和反射率。可以將與下盤20相同的材料用于上盤21。相似于現(xiàn)有技術(shù)，由于不需透射率，反射膜8D的厚度在100nm到200nm的范圍內(nèi)。
實(shí)施例1生產(chǎn)多個(gè)具有不同凹槽與槽脊寬度比的雙盤光記錄樣本，使用0.6mm厚的聚碳酸脂盤作為下和上底材構(gòu)件11和15。在每個(gè)樣本中，下盤包括PC(聚碳酸脂)/ZnS-SiO2/GeSbTe/ZnS-SiO2/Ag，并且上盤包括PC/Ag/ZnS-SiO2/GeSbTe/ZnS-SiO2/。使用20μm的UV敏感熱固層粘接下盤和上盤。選擇0.7μm的深度和43nm的間距來(lái)創(chuàng)建所有盤上的凹槽軌道。每個(gè)樣本受到由數(shù)值孔徑(NA)0.65的透鏡聚焦的、波長(zhǎng)在390nm到430nm(優(yōu)選地，405nm)范圍內(nèi)的激光束的照射，并且在凹槽和槽脊軌道組上記錄數(shù)據(jù)。使用在線速度5.6m/s和作為66MHz時(shí)鐘頻率的1/8的8.25MHz信號(hào)下旋轉(zhuǎn)的每個(gè)樣本來(lái)記錄數(shù)據(jù)。從每個(gè)盤讀取所有樣本的已記錄數(shù)據(jù)，并且分別在凹槽和槽脊軌道上測(cè)量載波噪聲比(dB)，如圖4所示。
如圖4所示，6個(gè)樣本的下盤分別具有0.8、0.9、1.0、1.1、1.2和1.3的凹槽槽脊比，其上盤分別具有0.9、1.0、1.1、1.2、1.3和1.4的凹槽槽脊比。
所希望的是，下盤和上盤的載波噪聲比相互相等。然而，在實(shí)際中，2.0dB的C/N差在兩個(gè)盤之間是允許的。如圖4中的粗線所示，可以通過(guò)選擇下盤的凹槽槽脊比WG0/WL0，從而使0.9≤WG0/WL0≤1.1成立，并且選擇上盤的凹槽槽脊比WG1/WL1，從而使1.1≤WG1/WL1≤1.3成立，使下盤和上盤的載波噪音比實(shí)質(zhì)上彼此相等。假設(shè)只在下盤的凹槽軌道上和上盤的槽脊軌道上記錄數(shù)據(jù)。如果針對(duì)下盤，選擇WG0/WL0值為0.9，則對(duì)于上盤的最好的WG1/WL1值是1.1。可以發(fā)現(xiàn)的是，在任何凹槽-槽脊組合中，比率WG1/WL1大于一并且等于大于比率WG0/WL0。
在圖5中，將圖4的下樣本盤的凹槽軌道的載波噪聲比繪制為實(shí)點(diǎn)，并且根據(jù)下和上樣本盤的凹槽槽脊寬度比，將上樣本盤的凹槽軌道的載波噪聲比繪制為三角形?？梢园l(fā)現(xiàn)的是，對(duì)應(yīng)于上盤以符號(hào)b1、b2和b3分別標(biāo)記的WG/WL比率，對(duì)于下盤，可以選擇以符號(hào)a1、a2和a3標(biāo)記的WG/WL比率。
實(shí)施例2類似于實(shí)施例1，產(chǎn)生許多具有不同凹槽槽脊寬度比的雙盤光記錄樣本，選擇除0.4μm的深度和30nm的間距以外的深度和間距來(lái)創(chuàng)建凹槽軌道。每個(gè)樣本受到與實(shí)施例1中所使用的相同激光束的照射并以線速度5.6m/s旋轉(zhuǎn)，并且使用8.25MHz信號(hào)記錄數(shù)據(jù)。在下和上盤樣本的凹槽和槽脊軌道組上記錄數(shù)據(jù)。從下和上盤樣本的凹槽軌道中讀取這些樣本的已記錄數(shù)據(jù)，如圖6所示將它們的載波噪聲比繪制成圖表。
圖6所示，如果下盤滿足關(guān)系式0.9≤WG0/WL0≤1.1，并且上盤滿足關(guān)系式1.1≤WG1/WL1≤1.3，則可以使下盤和上盤的載波噪聲比實(shí)質(zhì)上彼此相等。如果下盤選擇WG0/WL0＝0.9，則WG1/WL1＝1.1是上盤的最佳選擇?？梢钥闯龅氖牵鄳?yīng)于上盤以符號(hào)d1、d2和d3標(biāo)記的WG/WL比率，可以為下盤分別選擇以符號(hào)c1、c2和c3標(biāo)記的WG/WL比率。此外，當(dāng)WG1/WL1大約大于WG0/WL0的1.2倍時(shí)，下盤和上盤的載波噪聲比實(shí)質(zhì)上彼此相等。如果R＝(WG1/WL1)/(WG0/WL0)，則R＞1是優(yōu)選的。由于比率WG0/WL0使用范圍的下限是0.9，并且比率WG1/WL1的可使用范圍的上限是1.3，關(guān)系1＜R＜1.5成立。R等于1.2是優(yōu)選的。
實(shí)施例3類似于實(shí)施例2，產(chǎn)生除每個(gè)樣本具有0.9的WG0/WL0比率和1.1的WG1/WL1比率之外的多個(gè)雙盤記錄樣本，并且通過(guò)不同厚度的中間層將其上下盤緊固在一起。按照前面的實(shí)施例情況，使用相同波長(zhǎng)的激光束并以相同線速度旋轉(zhuǎn)每個(gè)樣盤用以在相同比率記錄數(shù)據(jù)，測(cè)量下樣本盤凹槽和上樣本盤槽脊的載波噪聲比，并根據(jù)其中間層的厚度值進(jìn)行繪制，如圖7所示?？梢园l(fā)現(xiàn)的是，中間層的優(yōu)選厚度值的范圍從15μm到40μm，由符號(hào)e1到e4(下盤)和符號(hào)f1到f4(上盤)表示。
圖8示出了光記錄/回放設(shè)備。設(shè)備可以是非便攜式的，其中可拆裝地安裝本發(fā)明的光記錄介質(zhì)。所述設(shè)備可以是緊湊便攜式的，其中光記錄介質(zhì)是固定安裝的。所述設(shè)備包括光頭組件30，光頭組件30包括用于將激光束引導(dǎo)至本發(fā)明的光記錄介質(zhì)31和收集反射光線的半導(dǎo)體激光器。激光器驅(qū)動(dòng)器32與頭組件30相連，以要記錄的信息信號(hào)調(diào)制已引導(dǎo)的激光束。由光檢測(cè)器33將反射光轉(zhuǎn)換到電信號(hào)，并將其提供給回放電路34。將聚焦控制器35連接到光檢測(cè)器33，以將激光束聚焦在正確的軌道上。當(dāng)系統(tǒng)從一個(gè)盤轉(zhuǎn)換到另一個(gè)盤時(shí)，聚焦控制器35提供轉(zhuǎn)換信號(hào)給光頭30，從而使激光束聚焦在目標(biāo)盤上。跟蹤控制器36與光檢測(cè)器33相連，用于例如按照推拉模式，使用跟蹤控制信號(hào)來(lái)控制光頭30，從而總是將激光束保持在正確的軌道上。
在一個(gè)實(shí)施例中，聚焦控制器35和跟蹤控制器36控制光頭組件30，從而使激光束入射到下盤的凹槽和槽脊軌道上以及上盤的槽脊和凹槽軌道上。在另一實(shí)施例中，聚焦控制器35和跟蹤控制器36控制光頭30，從而使激光束入射到下盤的凹槽軌道上和上盤的槽脊軌道上。在另一個(gè)實(shí)施例中，聚焦控制器35和跟蹤控制器36控制光頭30，從而使激光束入射到下盤的槽脊軌道上和上盤的凹槽軌道上。
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，包括第一盤，包括由透光材料形成的底材構(gòu)件，位于第一盤的信息記錄側(cè)，具有多個(gè)寬度為WG0的凹槽軌道和與所述凹槽軌道交替的寬度為WL0的槽脊軌道，以光記錄膜和反射膜涂覆每個(gè)所述凹槽和槽脊軌道，所述光記錄膜用于接收入射到盤的反面上的激光光束，而所述反射膜，位于所述記錄膜上，用于部分反射光能量；第二盤，包括底材構(gòu)件，形成在面對(duì)第一盤的信息記錄面的第二盤的信息記錄面上，具有多個(gè)寬度為WL1的槽脊軌道和與槽脊軌道交替的寬度為WG1的凹槽軌道，以光記錄膜和反射膜涂覆第二盤的每個(gè)所述槽脊和凹槽軌道，所述光記錄膜用于接收來(lái)自第一盤的相應(yīng)凹槽和槽脊軌道的光，而所述反射膜位于所述記錄膜上；以及設(shè)置在所述第一和第二底材構(gòu)件間的透光材料的中間構(gòu)件，其中比率WG1/WL1大于一且等于或大于比率WG0/WL0，從而所述第一和第二盤的載波噪聲比實(shí)質(zhì)上彼此相等。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于(WG1/WL1)/(WG0/WL0)在1(包括1)到1.5(包括1.5)的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于WG1/WL1在1.1(包括1.1)到1.3(包括1.3)的范圍內(nèi)，并且WG0/WL0在0.9(包括0.9)到1.1(包括1.1)的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于所述中間構(gòu)件的厚度在15μm(包括15μm)到40μm(包括40μm)的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第一和第二盤的每個(gè)底材構(gòu)件的厚度在0.4mm(包括0.4mm)到1.0mm(包括1.0mm)的范圍，其中所述激光束的波長(zhǎng)約為405納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到5所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于所述中間構(gòu)件將所述第一和第二盤緊密地結(jié)合在一起。
7.一種光記錄/回放設(shè)備，包括光記錄介質(zhì)包括第一盤，包括由透光材料形成的底材構(gòu)件，位于第一盤的信息記錄側(cè)，具有多個(gè)寬度為WG0的凹槽軌道和與所述凹槽軌道交替的寬度為WL0的槽脊軌道，以光記錄膜和反射膜涂覆每個(gè)所述凹槽和槽脊軌道，所述光記錄膜用于接收入射到盤的反面上的激光光束，而所述反射膜，位于所述記錄膜上，用于部分反射光能量；第二盤，包括底材構(gòu)件，形成在面對(duì)第一盤的信息記錄面的第二盤的信息記錄面上，具有多個(gè)寬度為WL1的槽脊軌道和與槽脊軌道交替的寬度為WG1的凹槽軌道，以光記錄膜和反射膜涂覆第二盤的每個(gè)所述槽脊和凹槽軌道，所述光記錄膜用于接收來(lái)自第一盤的相應(yīng)凹槽和槽脊軌道的光，而所述反射膜位于所述記錄膜上，其中比率WG1/WL1大于一且等于或大于比率WG0/WL0，從而所述第一和第二盤的載波噪聲比實(shí)質(zhì)上彼此相等；以及設(shè)置在所述第一和第二底材構(gòu)件間的透光材料的中間構(gòu)件，光頭組件，用于將激光光束引導(dǎo)至所述記錄介質(zhì)上；光檢測(cè)器，用于檢測(cè)來(lái)自所述記錄介質(zhì)的光；以及跟蹤和聚焦控制裝置，與所述光檢測(cè)器相連，用于控制所述光頭組件，從而使所述激光光束入射到所述第一盤的所述凹槽軌道和槽脊軌道中的至少一個(gè)上和所述第二盤的所述槽脊軌道和凹槽軌道中的至少一個(gè)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光記錄/回放設(shè)備，其特征在于設(shè)置所述跟蹤和聚焦控制裝置以控制所述光頭組件，從而使所述激光束入射到所述第一盤的所述凹槽軌道和所述第二盤的所述槽脊軌道上。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光記錄/回放設(shè)備，其特征在于設(shè)置所述跟蹤和聚焦控制裝置以控制所述光頭組件，從而使所述激光束入射到所述第一盤的所述槽脊軌道和所述第二盤的所述凹槽軌道上。
10.根據(jù)權(quán)利要求7到9所述的光記錄/回放設(shè)備，其特征在于所述激光束的波長(zhǎng)在390nm到430nm的范圍內(nèi)。
全文摘要
一種光記錄介質(zhì)，包括由透明中間件緊固的透明下盤和上盤。在下盤的一側(cè)，形成寬度為W
文檔編號(hào)G11B7/24GK1538409SQ20041003338
公開(kāi)日2004年10月20日 申請(qǐng)日期2004年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月8日
發(fā)明者大久保修一 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社