專利名稱：：光信息記錄介質(zhì)、采用該介質(zhì)的記錄方法、重放方法、光信息記錄裝置、及光信息重放裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及光信息記錄介質(zhì)、以及采用該介質(zhì)的記錄方法、重放方法、光信息重放裝置、及光信息記錄裝置。更詳細(xì)為本發(fā)明涉及例如利用激光束等光束，在通過光學(xué)方法重放或記錄重放信息的光盤等光信息記錄介質(zhì)上，通過設(shè)置光學(xué)特性與溫度相對(duì)應(yīng)變化的層，而使記錄密度得以提高的光信息記錄介質(zhì)、及采用該介質(zhì)的記錄方法、重放方法、光信息記錄裝置、以及光信息重放裝置。
背景技術(shù)：
：人們期望隨著信息社會(huì)數(shù)字化的發(fā)展，能在可寫入的介質(zhì)上進(jìn)行高密度的記錄重放。因此，為了提高記錄容量，作為所謂可寫入的光記錄介質(zhì)，人們賞試采用了各種介質(zhì)構(gòu)成，同時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)高密度的記錄重放，也試過以下的方法，例如(i)縮短記錄重放用激光的波長；(ii)加大聚焦在光信息記錄介質(zhì)上的物鏡NA(數(shù)值孔徑)；(iii)將光信息記錄介質(zhì)的記錄層做成多層；(iv)光信息記錄介質(zhì)上形成將原來光點(diǎn)大小的光的一部分遮去的掩膜層(也稱為遮光層)；實(shí)質(zhì)上使激光的光點(diǎn)直徑減小。光信息記錄介質(zhì)上形成掩膜層而實(shí)質(zhì)上使光點(diǎn)直徑減小的方法，例如在日本國公開專利公報(bào)[特開平5-12673號(hào)公報(bào)(公開日平成5年(1993)1月22日)]、日本國公開專利公報(bào)[特開平5-12715號(hào)公報(bào)(公開日平成5年(1993)1月22日)]等已有敘述。具體為，所述特開平5-12673號(hào)公報(bào)揭示了在采用由光盤基板上形成的凹凸?fàn)畹目右鸱瓷渎首兓M(jìn)行記錄重放的光盤裝置中，在記錄信號(hào)的所述介質(zhì)層上(盤面上從物鏡射出激光的一側(cè))形成特性與溫度有關(guān)的遮光層，使其在常溫下吸收重放激光，利用重放激光能量造成溫度上升，則變得不吸收重放激光，在重放聚焦點(diǎn)通過后，由于再次溫度下降，則又吸收重放激光。另外，上述特開平5-12673號(hào)公報(bào)也揭示了在采用因記錄材料相變而引起反射率變化來進(jìn)行信息的記錄重放的光盤裝置中，在記錄信號(hào)的所述介質(zhì)層上(盤面上從物鏡射出激光的一側(cè))形成特性與溫度有關(guān)的遮光層，使其在常溫下吸收重放激光，利用重放激光能量造成溫度上升，則變得不吸收重放激光，在重放聚焦光點(diǎn)通過后，由于再次溫度降低，則又吸收重放激光。另外，上述特開平5-12715號(hào)公報(bào)揭示了一種光記錄介質(zhì)，在這種基板上有記錄膜的光記錄介質(zhì)中，遮光層設(shè)在靠近讀出光或記錄光射入該記錄膜的位置，該遮光層含有熱致色變物質(zhì)，以其為主要成分，所述熱致色變物質(zhì)在讀出光照射前為該光不透過的有顏色的狀態(tài)，而由于讀出光的照射，照射部分的中間部分溫度上升，同時(shí)部分褪色，變成有透光性。在這些方法中，在基板上有凹凸?fàn)畹目踊蛴涗浤さ墓庑畔⒂涗浗橘|(zhì)上，掩膜層設(shè)在光對(duì)著坑或記錄膜射入的一側(cè)。這一掩膜層通常用熱致色變材料或相變材料形成。掩膜層上照射部分的中間部分由于經(jīng)常射入讀出光等光，故因光的照射而溫度上升。因此，掩膜層上照射部分的中間部分發(fā)生光學(xué)或熱的變化，部分地褪色，具有透光性。而射入的光弱，或照射部分的周圍部分、及光沒有射入的部分，由于光的照射所造成溫升小，或全然沒有上升，因此光的透射率變小，光被遮住。其結(jié)果，實(shí)際的光點(diǎn)大小變成照射部分的中間部分的大小，能將實(shí)際的光點(diǎn)大小縮小。即掩膜層只對(duì)于光的強(qiáng)度分布高的部分讓光透過，從而實(shí)際上縮小入射光的光點(diǎn)直徑，能對(duì)較小的坑進(jìn)行記錄重放。其結(jié)果，能高密度地對(duì)光信息記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄重放。還有，在旋轉(zhuǎn)的光盤上，上述中間部分為圖13的重放光束光點(diǎn)33的上游部分(圖13中高溫部分33a)。形成上述特開平5-12673號(hào)公報(bào)或特開平5-12715號(hào)公報(bào)的掩膜層(遮光層)的熱致色變材料或相變材料等物質(zhì)為通過升溫至某一定溫度以上時(shí)熔解而發(fā)揮掩膜效果的材料。熔解狀態(tài)下的物質(zhì)流動(dòng)性變好，初始狀態(tài)的組成及形狀均易變化。因此，在具有升溫到某一定溫度以上時(shí)發(fā)揮掩膜效果的掩膜層的光信息記錄介質(zhì)上，存在的問題是如反復(fù)進(jìn)行記錄重放，由于掩膜層的組成、形狀的改變而掩膜效果慢慢減小，經(jīng)過幾千次的反復(fù)，掩模效果幾乎消失殆盡。因而，上述現(xiàn)有的光信息記錄介質(zhì)耐久性不夠理想。另外，上述特開平5-12673號(hào)公報(bào)中有下面一段敘述[這種隨溫度而使光透射率可變的介質(zhì)，例如能用高分子材料或有機(jī)材料之類的材料形成……，例如，為在高溫區(qū)域光透射率增加的材料。上述透射率的變化，可以通過材料熔解而使光透射率增加，或如液晶材料那樣，由于分子排列的規(guī)則性變化而變化。又可以如相變材料那樣，利用在非晶態(tài)由附著的例如硫族化合物的加熱冷卻產(chǎn)生的晶化，而使光透射率變化]。但是，該敘述中，未能說清該專利中具體敘述的高溫區(qū)域中光透射率變高的材料的例子。因此，上述特開平5-12673號(hào)公報(bào)的發(fā)明，根據(jù)其敘述及公開時(shí)的技術(shù)常識(shí)，不是從事該行業(yè)的人能做到的。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于希望能以高密度記錄重放的課題而提出的，其目的在于提供一種能高密度地記錄信息也能高精度、可靠地重放的光信息記錄介質(zhì)、及采用該介質(zhì)的記錄方法、重放方法、重放裝置、及記錄裝置。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)為了達(dá)到上述目的，其構(gòu)成為，在具備形成與記錄信息對(duì)應(yīng)的凹凸形狀的坑及/或溝的基板、并利用光束的照射通過光學(xué)方法重放上述信息用的光信息記錄介質(zhì)上，具有隨著因光束照射所產(chǎn)生的溫度上升而使照射光束的透射率變化的溫度敏感層及對(duì)溫度敏感層進(jìn)行輔助加熱的光吸收層。根據(jù)上述構(gòu)成，能有選擇地重放。能在具有比重放用光束的光點(diǎn)大小要小的、透射率低的區(qū)域(高溫區(qū)域或低溫區(qū)域)有選擇地重放。其結(jié)果，能提供高密度地記錄信息、并能高精度、可靠地重放的光信息記錄介質(zhì)。因而，即使是比不用溫度敏感層的以往的方法不能讀取的光學(xué)系統(tǒng)讀出光點(diǎn)大小要小的坑等也能以較高的信號(hào)強(qiáng)度特性來讀取。另外，由于光吸收層的存在，容易對(duì)溫度敏感層加熱，能提高重放能量靈敏度。另外，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)為達(dá)到上述目的，其構(gòu)成為，在具有利用光束的照射而通過光學(xué)方法記錄信息用的記錄層、并利用光束的照射通過光學(xué)方法重放上述信息用的光信息記錄介質(zhì)上，具有隨著光束照射所產(chǎn)生的溫度上升而使照射光束的透射率變化的溫度敏感層及對(duì)溫度敏感層進(jìn)行輔助加熱的光吸收層。根據(jù)上述構(gòu)成，能有選擇地在比記錄用的光束的光點(diǎn)大小要小的區(qū)域進(jìn)行記錄。其結(jié)果，和沒有溫度敏感層的光信息記錄介質(zhì)相比，能提供高密度而且高精度、可靠地記錄信息的光信息記錄介質(zhì)。另外，根據(jù)上述構(gòu)成，在信息記錄在記錄層中的情況下，和前述構(gòu)成一樣，能有選擇地在比照射光束的光點(diǎn)大小要小的區(qū)域進(jìn)行重放。又由于光吸收層的存在，容易對(duì)溫度敏感層加熱，能使重放能量靈敏高提高。結(jié)果，上述構(gòu)成與沒有溫度敏感層的光信息記錄介質(zhì)比較，能提供高密度記錄信息、并能高精度、可靠地重放的光信息記錄介質(zhì)，而且利用光吸收層能降低重放能量，最終能提高重放分辨率，獲得較以往高的密度。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的重放方法，為了達(dá)到上述目的，是采用下述的方法，它對(duì)所述光信息記錄介質(zhì)照射光束，使得在溫度敏感層的光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分和低溫部分，使溫度敏感層的高溫部分的透射率降低，根據(jù)透過溫度敏感層的低溫部分的光來重放信息。另外，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的重放方法，為了達(dá)到上述的目的，是采用下述的方法，它對(duì)所述的光信息記錄介質(zhì)照射光束，使得在溫度敏感層的光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分和低溫部分，使溫度敏感層的高溫部分的透射率上升，根據(jù)透過溫度敏感層的高溫部分的光來重放信息。根據(jù)上述各方法，根據(jù)透過溫度敏感層的低溫部分或高溫部分的光來重放信息，通過這樣能在比重放用的光束的光點(diǎn)大小要小的區(qū)域有選擇地重放。其結(jié)果，上述的構(gòu)成能從高密度記錄信息的光信息記錄介質(zhì)中高精度、可靠地重放信息。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的記錄方法，為了達(dá)到上述目的，是采用下述的方法，它對(duì)所述的光信息記錄介質(zhì)照射光束，使得在溫度敏感層的光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分和低溫部分，從而使溫度敏感層的高溫部分的透射率降低，利用透過溫度敏感層的低溫部分的光，來加熱記錄層。另外，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的記錄方法為了達(dá)到上述目的，是采用下述的方法，它對(duì)所述光信息記錄介質(zhì)照射光束，使得溫度敏感層的光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分和低溫部分，從而使溫度敏感層的高溫部分的透射率上升，利用透過溫度敏感層的高溫部分的光，來加熱記錄層。根據(jù)上述各方法，利用透過溫度敏感層的低溫部分或高溫部分的光，來加熱記錄層，通過這樣能在比記錄用的光束光點(diǎn)大小要小的區(qū)域有選擇地記錄。其結(jié)果，上述的構(gòu)成能在記錄層上高密度地而且高精度、可靠地記錄信息。另外，由于光吸收層的存在，容易對(duì)溫度敏感層加熱，能使重放能量靈敏度提高。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的重放方法為所述光信息記錄介質(zhì)的重放方法，是一種采用上述溫度敏感層和光吸收層、重放在重放光束衍射極限以下的微小記錄標(biāo)記的方法。本發(fā)明的光信息重放裝置其構(gòu)成為采用所述的光信息記錄介質(zhì)和所述的光信息重放方法，重放在重放光束衍射極限以下的微小記錄標(biāo)記。采用這些方法與裝置，能重放在重放光束衍射極限以下的微小記錄標(biāo)記的信息。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的記錄方法是一種所述光信息記錄介質(zhì)的記錄方法，是至少采用所述溫度敏感層和光吸收層、記錄在重放光束的衍射極限以下的微小記錄標(biāo)記的方法。本發(fā)明的光信息記錄裝置的構(gòu)成為采用所述的光信息記錄介質(zhì)及所述的記錄方法，記錄在光束的衍射極限以下的微小記錄標(biāo)記的信息。采用這些方法及裝置，能記錄在重放光束衍射極限以下的微小記錄標(biāo)記的信息。本發(fā)明之其它的目的、特征、及優(yōu)點(diǎn)通過以下的闡述將會(huì)充分理解。另外，本發(fā)明的長處通過參照附圖及以后的說明也會(huì)明了。圖1為表示本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)涉及的光信息記錄介質(zhì)主要部分的局部剖視圖。圖2為表示本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)涉及的光信息記錄介質(zhì)主要部分的局部剖視圖。圖3為表示本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)涉及的光信息記錄介質(zhì)的概略剖面圖。圖4為表示本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)涉及的光信息記錄介質(zhì)的概略剖面圖。圖5為表示本發(fā)明其他實(shí)施形態(tài)涉及的光信息記錄介質(zhì)的概略剖面圖。圖6為表示本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)涉及的光信息記錄介質(zhì)的概略剖面圖。圖7為表示本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)涉及的光信息記錄介質(zhì)的概略剖面圖。圖8為表示本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)涉及的光信息記錄介質(zhì)的概略剖面圖。圖9為表示圖5所示的光信息記錄介質(zhì)主要部分的局部剖視圖。圖10為表示圖6所示的光信息記錄介質(zhì)主要部分的局部剖視圖。圖11為表示圖7所示的光信息記錄介質(zhì)主要部分的局部剖視圖。圖12為表示圖8所示出的光信息記錄介質(zhì)主要部分的局部剖視圖。圖13為說明溫度敏感反射層的掩膜效果用的示意圖，表示溫度敏感反射層的重放光束點(diǎn)內(nèi)的溫度分布及反射率分布。圖14為說明溫度敏感反射層的掩膜效果用的示意圖，表示溫度敏感反射層的重放光束光點(diǎn)內(nèi)的溫度分布及反射率分布。圖15為表示溫度敏感層分光透射率特性隨溫度變化的一個(gè)例子的曲線。圖16為表示沒有光吸收層的溫度敏感反射層的分光反射率特性隨溫度變化的一個(gè)例子的曲線，表示溫度敏感層薄、不存在光干涉效應(yīng)產(chǎn)生的極小值的情況。圖17為表示沒有光吸收層的溫度敏感反射層的分光反射率特性隨溫度變化的又一例的曲線，表示溫度敏感層厚、存在光干涉效應(yīng)產(chǎn)生的極小值的情況。圖18為表示有光吸收層的溫度敏感反射層的分光反射率特性隨溫度變化的又一例的曲線，表示溫度敏感層厚、在比重放波長短的波長側(cè)存在光干涉效應(yīng)產(chǎn)生的極小值的情況。圖19為表示有光吸收層的溫度敏感反射層的分光反射率特性隨溫度變化的又一例的曲線，表示溫度敏感層厚。在比重放波長長的波長側(cè)存在光干涉效應(yīng)產(chǎn)生的極小值的情況。圖20為表示將具有光吸收層及溫度敏感層的光信息記錄介質(zhì)的重放分辨率信號(hào)特性(C/N比)和沒有這些層的介質(zhì)的特性比較的曲線。圖21為表示本發(fā)明涉及的光信息記錄重放裝置的一實(shí)施形態(tài)的構(gòu)成方框圖。圖22為表示本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)主要部分的部分剖視圖。圖23為表示本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)主要部分的部分剖視圖。圖24為表示本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)主要部分的部分剖視圖。圖25為表示本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)主要部分的部分剖視圖。圖26為表示有光吸收層、溫度敏感層、及反射層或隔熱層的光信息記錄介質(zhì)中超分辯區(qū)的記錄標(biāo)記長(0.14μm)的CNR與重放能量的關(guān)系特性的曲線。圖27為表示本發(fā)明的其他一實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)的主要部分的局部剖視圖。圖28為表示本發(fā)明的其他一實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)的主要部分的局部剖視圖。圖29為表示本發(fā)明的其他一實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)的主要部分的局部剖視圖。圖30為表示本發(fā)明的其他一實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)的主要部分的局部剖視圖。圖31為表示本發(fā)明的其他一實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)的主要部分的局部剖視圖。圖32為表示本發(fā)明的其他一實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)的主要部分的局部剖視圖。圖33為表示本發(fā)明的其他一實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)的主要部分的局部剖視圖。圖34為表示本發(fā)明的其他一實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)的主要部分的局部剖視圖。具體實(shí)施例方式以下，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的一實(shí)施形態(tài)。本實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)如圖1、3、22及23所示，為重放專用的光信息記錄介質(zhì)1a、1c及1d，從重放用的光束即重放光束30射入的一側(cè)開始，依次形成透明樹脂層11、溫度敏感反射層13、及基板12。溫度敏感反射層13由溫度敏感層21、光吸收層22、反射層23及/或隔熱層24構(gòu)成。即光信息記錄介質(zhì)1a的溫度敏感反射層13由溫度敏感層21、光吸收層22、及反射層23構(gòu)成，信息記錄介質(zhì)1c的溫度敏感反射層由溫度敏感層21、光吸收層22、及隔熱層24構(gòu)成，信息記錄介質(zhì)1d的溫度敏感反射層13由溫度敏感層21、光吸收層22、反射層23及隔熱層24構(gòu)成。這樣，光信息記錄介質(zhì)1a、1c、及1d為在基板12上形成溫度敏感反射層13，在其上形成透明樹脂層11，重放光束30就從透明樹脂層11通過溫度敏感反射層13射入基板12內(nèi)側(cè)的面(溫度敏感反射層13一側(cè)的面)。再如后所述，溫度敏感層21因能用穩(wěn)定的氧化物的物質(zhì)形成，所以也可以如圖2、4、24及圖25所示，為沒有透明樹脂層11的構(gòu)成(光信息記錄介質(zhì)1b、1e及1f)。透明樹脂層11是一層對(duì)于重放光束30的波長為透明的、不妨礙重放光束30射入的透明樹脂。通過這樣，能構(gòu)成重放光束30從透明樹脂層11一側(cè)射入的這種型式的光信息記錄介質(zhì)1a。作為構(gòu)成透明樹脂層11的材料并無特別限定，例如可列舉出的有聚碳酸酯、非晶態(tài)聚烯、熱可塑型聚酰亞胺、PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)、PEN(聚醚腈)、PES(聚醚砜樹脂)等熱可塑性透明樹脂(塑料)；熱固化型聚酰亞胺、紫外線固化型丙烯酸樹脂等熱固化性透明樹脂它們的組合。透明樹脂層11的厚度通常以1～100μm左右者較為合適。另外，透明樹脂層11也可以有0.1~1.2mm左右的厚度，在這種情況下，能賦予光信息記錄介質(zhì)1a適當(dāng)?shù)膹?qiáng)度。還有，也可以采用由其它的透明材料、例如玻璃或玻璃和透明樹脂的組合材料組成的層等代替透明樹脂層11。這時(shí)厚度以0.1～1.2mm左右較為合適?；?2必須是能對(duì)光信息記錄介質(zhì)1a提供適當(dāng)強(qiáng)度的材料。構(gòu)成基板12的材料的光學(xué)特性無特別限定，可以是透明的，也可是不透明的。構(gòu)成基板12的材料例如可舉出玻璃；聚碳酸酯、非晶態(tài)聚烯、熱可塑型聚酰亞胺、PET、PEN、PES等熱可塑性透明樹脂；熱固化型聚酰亞胺、紫外線固化型丙烯酸樹脂等熱固化性透明樹脂；金屬等及它們的組合。基板12的厚度無特別限定，例如0.3～1.2mm左右者為適宜。另外，還可舉出坑的間隔為0.3～1.6μm左右、坑的深度為30～200nm左右的例子。另外，引導(dǎo)用的溝間距為0.3～1.6μm左右、深30～200nm左右為適宜。基板12內(nèi)側(cè)表面(溫度敏感反射層13一側(cè)的面)上，形成與記錄信息對(duì)應(yīng)的凹凸形的坑或引導(dǎo)用的溝。也可以坑及溝兩者都形成，也可以只形成其中任一方。溫度敏感反射層13具有根據(jù)重放光束30的照射產(chǎn)生的溫度變化而使重放光束30波長的透射率及/或反射率也相應(yīng)變化的功能。由此，能在比重放光束30的光點(diǎn)大小要小的區(qū)域有選擇地進(jìn)行重放。溫度敏感反射層13由溫度敏感層21、光吸收層22、反射層23及/或隔熱層24形成，例如，在圖1所示的基板的光信息記錄介質(zhì)1a中，從光(重放光束30)射入的一側(cè)開始，即從透明樹脂層11一側(cè)開始，依次層疊構(gòu)成溫度敏感層21、光吸收層22及反射層23。即溫度敏感反射層13在基板上按照反射層23、光吸收層22及溫度敏感層21的次序?qū)盈B而成。溫度敏感層21具有因重放光束30的照射而導(dǎo)致光吸收層22的溫度上升使重放光束30波長的透射率相應(yīng)變化的功能。溫度敏感層21為透射率而可逆變化的半透明材料，由含有根據(jù)溫度上升使重放光束波長的透射率相應(yīng)變化的材料構(gòu)成。作為上述材料，比較適合的是在溫度上升時(shí)在特定波長區(qū)域使溫度敏感層的透射率有較大變化的材料，具體來說是在溫度從20℃上升至180℃時(shí)，溫度敏感層21的光透射率在±80％的范圍內(nèi)變化的材料?？梢圆捎脽嶂律兾镔|(zhì)作為所述材料。所謂熱致色變物質(zhì)是一種通過吸收熱量引起化學(xué)結(jié)構(gòu)變化、而透射率也變化的物質(zhì)。作為因溫度變化而使透射率降低的熱致色變物質(zhì)，具體可舉出金屬氧化物等無機(jī)熱致色變物質(zhì)；在內(nèi)酯或熒烷中加入堿、或在隱色體染料(leuco)色素等的加入有機(jī)酸等有機(jī)熱致色變物質(zhì)。這些物質(zhì)中，最好是金屬氧化物，它利用溫度使其禁帶寬變化，從而吸收端波長的透射率也變化。這種金屬氧化物，因?yàn)榧词褂捎跍囟茸兓够瘜W(xué)結(jié)構(gòu)反復(fù)變化，但其組成或形狀仍不易改變，故耐久性相當(dāng)好。上述金屬氧化物具體可列舉出例如ZnO、SnO2、CeO2、NiO2、In2O3、TiO2、Ta2O5、VO2、SrTiO3等。上述物質(zhì)中特別是ZnO(氧化鋅，為最佳。溫度敏感層21根據(jù)使用的材料，可調(diào)整其膜厚。例如5～800nm較為適宜，但溫度敏感層21的層厚最好在100nm以上。因而，溫度敏感層21最好是有100nm以上厚度的ZnO(氧化鋅)膜。光吸收層22通過重放光束30的照射，而使溫度敏感層21的溫度發(fā)生輔助性的變化。即，光吸收層22具有使溫度敏感層21的光吸收量(反射率及/或吸收率)變化的功能。光吸收層22最好是吸收重放激光(重放光束30)而變換成熱的材料。具體可舉出Si膜、Ge膜、AgInSbTe膜·GeSbTe膜等相變膜、TbFeCo膜·DyFeCo膜·GdFeCo膜等磁光膜、及它們的合金膜等，尤其是Si膜為最佳。光吸收層22根據(jù)使用的材料，調(diào)整其膜厚，例如，5～300nm左右為適宜，但光吸收層22的膜厚最好為10nm以上。因而，光吸收層22以具有10nm以上厚度的Si(硅)膜為最佳。再如圖1所示，最好溫度敏感層21和光吸收層22相鄰構(gòu)成。由此，例如光吸收層22通過吸收重放光束30變換成熱，從而溫度敏感層21的溫度能更加有效地上升。但溫度敏感層21和光吸收層22也可以不一定相鄰，只要接近能使溫度敏感層21的溫度變化的范圍內(nèi)即可。例如溫度敏感層21和光吸收層22之間也可以形成別的層(例如，用于帶來光干涉產(chǎn)生的多重反射效應(yīng)的層(透明介質(zhì)層))。反射層23將透過溫度敏感層21及光吸收層22的光進(jìn)行反射。反射層23最好由具有高反射率的金屬膜形成。作為具有高反射率的金屬膜具體可列舉出Al膜、Au膜、Ag膜及它們的合金膜。反射層23的層厚無特別限定，可調(diào)整層厚以實(shí)現(xiàn)所希望的反射率，例如，能舉出20～100nm左右的例子。再有，溫度敏感反射層13不僅是圖1所示的基本的光信息記錄介質(zhì)1a的構(gòu)成，也能采用如圖2及圖22～25所示的光信息記錄介質(zhì)1b～1f的構(gòu)成。即在本發(fā)明中，溫度敏感反射層13除了溫度敏感層21及光吸收層22，還可有反射層23及/或隔熱層24。更具體為，溫度敏感反射層13如光信息記錄介質(zhì)1c、1e(參照?qǐng)D22及圖24)那樣，也可以做成具有隔熱層24的結(jié)構(gòu)，代替光信息記錄介質(zhì)1a的反射層23。這時(shí)將透過溫度敏感層21及光吸收層22的光進(jìn)行反射的效率較有反射層23的情況差。但由于隔熱層24有隔熱性，與沒有隔熱層24的情況相比，能更有效地利用光吸收層22上發(fā)射的熱使溫度敏感層21的溫度上升。另外，溫度敏感反射層13的構(gòu)成可以做成如光信息記錄介質(zhì)1d、1f(參照?qǐng)D23及圖25)那樣，在光信息記錄介質(zhì)1a的光吸收層22和反射層23之間有隔熱層24。這時(shí)，除了前述的光信息記錄介質(zhì)1c、1e的長處(即，溫度敏感層21的溫度能有效地上升)外，還能在反射層23上有效地將透過隔熱層24的光反射。還有，隔熱層24只要是導(dǎo)熱性小的物質(zhì)，此外無特別限定。但隔熱層24在有反射層23的光信息記錄介質(zhì)的場合，最好是透明的，在無反射層23的光信息記錄介質(zhì)的場合，最好是高反射率的物質(zhì)。作為隔熱層24，例如可舉出SiN膜、AlN膜等例子，最好為SiN膜。隔熱層24的厚度無特別限定，能調(diào)整膜厚以實(shí)現(xiàn)所需的透射率或反射率。例如，隔熱層24的膜厚可以為20～100nm左右。還有，光信息記錄介質(zhì)1a～1f中，不只是反射層23或隔熱層24，溫度敏感層21及光吸收層22的各層也將入射光進(jìn)行反射。根據(jù)上述的構(gòu)成能實(shí)現(xiàn)CD(小型光盤CompactDisc)、CD-ROM(小型光盤只讀存儲(chǔ)器CompactDiscReadOnlyMemory)、DVD(數(shù)字通用光盤DigitalVersatileDisc)、DVD-ROM(數(shù)字通用光盤只讀存儲(chǔ)器DigitalVersatileDiscReadOnlyMemory)等沒有可寫入的記錄膜的重放專用的光信息記錄介質(zhì)1a～1f。以下，說明上述光信息記錄介質(zhì)1a重放方法的一個(gè)例子。上述光信息記錄介質(zhì)1a能采用激光光源(未圖示)和聚焦透鏡31等光學(xué)系統(tǒng)使重放光束30從透明樹脂層11一側(cè)射入基板12內(nèi)側(cè)表面(形成坑及溝中至少其中之一的面)上，用光學(xué)頭(未圖示)檢測該面上的反射光，通過這樣進(jìn)行重放。這時(shí)，重放光束30對(duì)光信息記錄介質(zhì)1a這樣進(jìn)行照射，使得在溫度敏感層21的光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分和低溫部分。例如，對(duì)于重放專用的光信息記錄介質(zhì)1a，使重放光束30從透明樹脂層11射入，當(dāng)用重放光束30向規(guī)定方向掃描光信息記錄介質(zhì)1a的表面時(shí)，在溫度敏感層21表面的光束光點(diǎn)33內(nèi)，就如圖13所示，朝著重放光束光點(diǎn)33的前進(jìn)方向產(chǎn)生溫度梯度。因此，在溫度敏感層21表面的重放光束光點(diǎn)33內(nèi)，產(chǎn)生高溫部分33a和低溫部分33b。這些溫度是，例如高溫部分33a的溫度為大于60℃小于180℃，而低溫部分33b的溫度為大于20℃小于60℃。如前所述，溫度敏感層21因溫度變化而使透射率也變化。例如，在溫度敏感層21溫度上升之同時(shí)透射率降低的情況下，由于重放光束30的射入而使溫度上升的高溫部分33a，則變成對(duì)于重放光束30波長的溫度敏感層21的透射率降低的狀態(tài)(低透射率狀態(tài))。其結(jié)果，因?yàn)樯淙牍庑畔⒂涗浗橘|(zhì)1a的光大多被溫度敏感層21遮擋，所以透過溫度敏感層21的光量減少。由此，射入位于溫度敏感層21背面一側(cè)(基板12一側(cè))的反射層23的光量也減少。因此，由于抑制了用反射層23反射的反射光量，所以作為整個(gè)溫度敏感反射層13分析，高溫部分33a變成低反射率的狀態(tài)(低反射率區(qū)域)。另一方面，在溫度比高溫部分33a低的低溫部分33b中，對(duì)于重放光束30波長的溫度敏感層21的透射率，經(jīng)重放光束30的照射卻沒有變化。因此，低溫部分33b的透射率與高溫部分33a的透射率相比，相對(duì)上升。其結(jié)果，射入位于溫度敏感層21的背面一側(cè)(基板12一側(cè))的反射層23的光量增大。因而用反射層22反射的反射光量也增大，作為整個(gè)溫度敏感反射層13來分析，低溫部分33b變成高反射率的狀態(tài)(高反射率區(qū)域)。除此之外，光信息記錄介質(zhì)1a有輔助溫度敏感層21溫度變化的光吸收層22。由此，當(dāng)重放光束30照射光吸收層22時(shí)，光吸收層22吸收重放光束30變成熱。因?yàn)楣馕諏?2和溫度敏感層21靠近(最好相鄰)，所以光吸收層22的高溫部分33a產(chǎn)生的熱向溫度敏感層21轉(zhuǎn)移。其結(jié)果，溫度敏感層21的高溫部分33a的溫度變得更高。即低溫部分33b和高溫部分33a的溫差加大，故溫度敏感層21的高溫部分33a的透射率更加減小。由此，與沒有光吸收層22的情況相比，能進(jìn)一步用高溫部分33a遮擋光。再除此之外，如圖21～25所示，在有隔熱層24的光信息記錄介質(zhì)1c～1f的場合，上述光吸收層22上產(chǎn)生的熱，因能更有效地向溫度敏感層21轉(zhuǎn)移，故更加能用高溫部分33a遮擋光。總之，溫度敏感反射層13具體為能形成例如大于60℃小于180℃的低反射率狀態(tài)、及大于20℃小于60℃的高反射狀態(tài)。再通過具有光吸收層22或隔熱層24，能效率更高地形成高反射率或低反射率的狀態(tài)。最終，對(duì)于溫度敏感層21，在重放光束光點(diǎn)33的高溫部分33a即后半部分上，重放光束30難以透過。因此，光實(shí)質(zhì)上在溫度敏感層21的高溫部分33a被遮擋，根據(jù)透過溫度敏感層21的低溫部分33b的光將信息進(jìn)行重放。即在用高溫部分33a將基板12掩膜的狀態(tài)下，用光學(xué)頭檢測透過溫度沒有上升的低溫部分33b的基板12表面的反射光，來進(jìn)行重放。由此能將刻有坑及/或溝的基板12表面(記錄信息面)上的重放區(qū)域的大小做得比溫度敏感反射層13上的重放光束光點(diǎn)33要小。其結(jié)果，重放區(qū)域的大小能做得更小，能提高重放分辨率。因而，對(duì)刻在基板12表面(記錄信息面)上的微小的坑及/或溝，特別是能將與重放光束的衍射極限以下的坑及/或溝相對(duì)應(yīng)的信息以更大的重放信號(hào)強(qiáng)度可靠地進(jìn)行重放。這樣，本實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)中，采用溫度敏感層21、光吸收層22、反射層23及/或隔熱層24，能重放在基板12表面(記錄信息面)上以坑或溝的形式刻成的重放光束衍射極限以下的微小記錄標(biāo)記。以上利用上述圖13，對(duì)溫度敏感層21溫度上升之同時(shí)透射率降低的光信息記錄介質(zhì)的重放方法進(jìn)行了說明。與此相反，對(duì)于溫度敏感層21在溫度上升之同時(shí)透射率上升的光信息記錄介質(zhì)的重放方法，則如圖14所示，除了重放光束光點(diǎn)34的高溫部分34a為高反射率狀態(tài)(高反射率區(qū)域)、低溫部分34b為低反射率狀態(tài)(低反射率區(qū)域)外，其余幾乎一樣。即溫度敏感層21中，在重放光束光點(diǎn)34的低溫部分33b即前半部分上，重放光束難以透過。因此，在溫度敏感層21的低溫部分34b光實(shí)際上被遮擋，根據(jù)透過溫度敏感層21的高溫部分34a的光將信息進(jìn)行重放。即在低溫部分34b將基板12掩膜的狀態(tài)下，用光學(xué)頭檢測透過溫度上升后的高溫部分34a的基板12表面的反射光，來進(jìn)行重放。再有，對(duì)于上述特開平5-12673公報(bào)采用的使高溫部分的透射率上升的掩膜層，如前所述，由于用在升溫至某一定溫度以上通過熔解來發(fā)揮掩膜效果的熱致色變材料或相變材料形成，所以當(dāng)反復(fù)記錄重放時(shí)，存在掩膜效果下降的問題。與此相反，本實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)1a中，采用使高溫部分33a或34a的透射率降低或上升的溫度敏感層21。又利用光吸收層22使溫度敏感層21的高溫部分33a或34a的溫度更進(jìn)一步上升。再利用隔熱層24使溫度敏感層21的高溫部分33a或34a的溫度更加有效地上升。溫度敏感層21由于能用記錄或重放時(shí)溫度上升也不熔解的金屬氧化物等物質(zhì)來形成，所以即使反復(fù)記錄、重放，掩膜效果也不下降。因而。本實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)1a的優(yōu)點(diǎn)是具有優(yōu)良的耐久性。另外，本實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)1a中，在溫度敏感層21的被光束照射面的背面上，形成光吸收層22和反射層23，溫度敏感層21、光吸收層22及反射層23構(gòu)成因光束照射所產(chǎn)生的溫度上升而相應(yīng)使照射光束的反射率下降的溫度敏感反射層13。上述構(gòu)成是利用為了在光射入側(cè)使透射率變化而設(shè)置的掩膜層的超分辯重放方式，即是和利用因記錄或重放時(shí)的溫度上升而熔解的物質(zhì)的超分辯重放方式(上述特開平5-12673號(hào)公報(bào)或特開平5-12715號(hào)公報(bào)等)的原理根本不同的反射型超分辯重放方式。溫度敏感層21的構(gòu)成最好為，與常溫下的短波長側(cè)的吸收相應(yīng)的透射率降低區(qū)域中包含重放光束的波長，而隨著溫度的上升，與短波長側(cè)的吸收相應(yīng)的透射率降低區(qū)域向長波長側(cè)或短波長側(cè)移動(dòng)，重放光束波長的分光透射率降低。溫度敏感層21的構(gòu)成最好為，常溫下的短波長側(cè)的吸收端波長(存在于紫外、可見光區(qū)域的吸收波段的下限)比重放光束30的波長短，隨著溫度的上升，短波長側(cè)的吸收端波長向長波長側(cè)或短波長側(cè)移動(dòng)，重放光束30波長的分光透射率降低。例如，重放光束30的波長在380～415nm的范圍內(nèi)(例如408nm)時(shí)，溫度敏感層21最好是常溫下的短波長側(cè)的吸收端波長為375nm附近的ZnO膜。ZnO膜的分光透射率特性如圖15所示，隨著溫度上升，短波長側(cè)的吸收端波長向長波長側(cè)移動(dòng)。由此，因光的射入而升溫的高溫部分33a的ZnO膜，其重放光束30波長的分光透射率下降，成為低透射率狀態(tài)。再者，溫度相對(duì)低的低溫部分33b的ZnO膜，則保持較高的透射率不變。另外，ZnO膜已升溫的部分，其后當(dāng)溫度下降時(shí)，分光透射率特性的長波長側(cè)的吸收端波長回到短波長側(cè)，分光透射率就上升。據(jù)此，能使調(diào)制度(高溫部分33a和低溫部分33b之間的、重放光束30波長的分光透射率的變化)增大。再加上，光吸收層22使高溫部分33a的溫度上升。因而，重放光束30更難以透過高溫部分33a，能更可靠地獲得較高的信號(hào)重放強(qiáng)度。另外，上述溫度敏感層21最好利用一側(cè)的面上的反射光和另一側(cè)的面上的反射光之間的光干涉效應(yīng)，來控制透射率特性的溫度變化。溫度敏感層21的分光反射率特性，最好在光束的波長附近(最好在±20nm以內(nèi)，更好為±10nm以內(nèi))有因一側(cè)的面上的反射光和另一側(cè)的面上的反射光之間的光干涉效應(yīng)產(chǎn)生的極小值。溫度敏感層21的膜厚為200nm以上加厚的情況下，在一側(cè)的面上的反射光和另一側(cè)的面上的反射光之間產(chǎn)生光干涉。例如在沒有光吸收層22的、由氧化鋅膜(400nm；溫度敏感層21)、和鋁膜(反射層23)組成的膜上的分光反射率特性例如如圖17所示，就有因上述光干涉效應(yīng)產(chǎn)生的極小值(圖17中為400nm)。由此，就能增大吸收端附近的反射率的斜率，其結(jié)果，調(diào)制度(高溫部分33a和低溫部分33b之間的、重放光束30波長的分光透射率的變化)能夠增大。因此，重放光束30更難以透過高溫部分33a，能更可靠地獲得較高的重放信號(hào)強(qiáng)度。還有鋁膜的膜厚一小于40nm，則不產(chǎn)生光干涉，其分光反射率特性例如如圖16所示，沒有光干涉效應(yīng)產(chǎn)生的極小值。另外，圖18為表示采用圖1所示的光吸收層22的構(gòu)成中的分光反射率特性的曲線。圖19為表示在有ZnO膜(230nm)作為溫度敏感層21、Si膜(50nm)作為光吸收層22、Al膜(30nm)作為反射層23的光信息記錄介質(zhì)上的吸收體移動(dòng)和光干涉效應(yīng)。據(jù)此，與沒有光吸收層22的(參照?qǐng)D16及圖17)相比可知，反射率下降，即光吸收量增大。圖18所示的光信息記錄介質(zhì)與圖17所示的一樣，能采用低溫部分反射率升高而高溫部分反射率降低的高溫掩膜結(jié)構(gòu)。采用光吸收層22的光信息記錄介質(zhì)中，溫度敏感層21的溫度變得更容易上升。因此能提高光信息記錄介質(zhì)的重放能量靈敏度。也就是在照射同樣照射量的光束的情況下，由于溫度敏感層21的溫度上升比沒有光吸收層22的場合要大，所以光信息記錄介質(zhì)的重放靈敏度能更加提高。另外，如圖26所示，溫度敏感層21的溫度上升，采用隔熱層24的情況(圖中●)，較不采用隔熱層24的情況(圖中▲)，該溫度敏感層21的溫度能有效上升，能提高重放靈敏度。即通過有隔熱層24，能以更小的重放能量進(jìn)行超分辯重放。圖20為表示對(duì)于有上述光吸收層22的光信息記錄介質(zhì)1a的重放信號(hào)的一個(gè)特性即CN比與記錄標(biāo)記關(guān)系數(shù)據(jù)的曲線。由此可知，溫度敏感層21的膜厚一增厚(210nm→230nm)，分光反射率特性如圖19所示，采用溫度上升使反射率上升的低溫掩膜結(jié)構(gòu)。在構(gòu)成這樣的膜的場合，重放光束光點(diǎn)34內(nèi)的溫度分布就變成圖14那樣，和圖13相反，低溫部分34b為低反射率，高溫部分34a為高反射率。這種情況下，通過利用透過高溫部分34a的光束進(jìn)行重放，從而能以高精度、可靠地重放信息。還有，圖15表示低溫(30℃)及高溫(200℃)下膜厚400nm的ZnO膜組成的溫度敏感層21在吸收端附近的分光透射率特性。圖16表示低溫(30℃)及高溫(200℃)下膜厚100nm的ZnO膜和膜厚50nm的Al膜組成的溫度敏感反射層13在吸收端附近的分光反射率特性。圖17表示低溫(30℃)及高溫(200℃)下膜厚400nm的ZnO膜和膜厚50nm的Al膜組成的溫度敏感反射層13在吸收端附近的分光反射率特性，圖18表示低溫(30℃)及高溫(200℃)下膜厚210nm的ZnO膜和膜厚50nm的Si膜和膜厚30nm的Al膜組成的溫度敏感反射層13在吸收端附近的分光反射率特性。圖19表示在低溫(30℃)及高溫(200℃)下膜厚230nm的ZnO膜和膜厚50nm的Si膜和膜厚30nm的Al膜組成的溫度敏感反射層13在吸收端附近的分光反射率特性。上述溫度敏感層21吸收端波長變化是由于金屬氧化物半導(dǎo)體的禁帶寬度隨溫度變化而造成的，除ZnO以外，ZnS、SnO2、CeO2、NiO2、In2O3、TiO2、Ta2O5、VO2、SrTiO3等金屬氧化物均有此效果。另外，GaN、SiC、ZnS等禁帶寬度位于重放光波長附近的化合物半導(dǎo)體也有效果。另外，圖26為表示由膜厚150nm的ZnO膜和膜厚50nm的Si膜和膜厚30nm的Al膜組成的溫度敏感反射層13、由膜厚150nm的ZnO膜和膜厚50nm的Si膜和膜厚20nm的SiN膜組成的溫度敏感反射層13的CNR與重放能量關(guān)系的曲線。由此可知，即通過具有SiN，能以更小的重放能量進(jìn)行超分辯的重放。以下，說明本實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)1a的一個(gè)例子。在本實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)的一個(gè)例子中，透明樹脂層11的膜厚為0.1nm左右。另外，在本實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)的一例中，基板12內(nèi)側(cè)的面(溫度敏感反射層13側(cè)的面)上，形成與信息對(duì)應(yīng)的凹凸圖形的坑。另外，本例中，溫度敏感層21為膜厚200nm左右的ZnO膜。另外，本例中，光吸收層22為膜厚50nm左右的Si膜。另外，本例中，反射層23為膜厚30nm左右的Al膜。本實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)例如能用以下方法制造。如圖1所示，首先在有刻著與記錄信息對(duì)應(yīng)的坑及/或溝的面(信息記錄面)的基板12上，用磁控管濺射法依次形成作為反射層23的Al膜(金屬膜)、作為光吸收層22的Si膜及溫度敏感層21，構(gòu)成溫度敏感反射層13。形成溫度敏感層21后，為了從外部保護(hù)這些信息記錄面及溫度敏感反射層13，在溫度敏感反射層13上旋涂紫外線固化型丙烯酸樹脂等，通過照射紫外線使其固化，形成透明樹脂層11。又如圖2及圖4所示，溫度敏感層21因?yàn)槟苡醚趸锏姆€(wěn)定的物質(zhì)形成，所以也可以為采用沒有透明樹脂層11的構(gòu)成(光信息記錄介質(zhì)1b)。再有，本實(shí)施形態(tài)中，是對(duì)從透明樹脂層11一側(cè)向光信息記錄介質(zhì)1射入記錄重放光束的情況進(jìn)行了說明，但本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)也可以是具有和光信息記錄介質(zhì)1a同樣的層結(jié)構(gòu)(但是，溫度敏感反射層13中的溫度敏感層21和反射層23的位置相反、但從基板12一側(cè)射入重放光束的光信息記錄介質(zhì)。這一構(gòu)成中，最好在溫度敏感反射層13的與基板12相反的一側(cè)形成保護(hù)層。這一構(gòu)成中，作為基板12最好為不阻礙重放光束的射入、而且能給予光信息記錄介質(zhì)適當(dāng)強(qiáng)度的材料。例如，可舉出玻璃；聚碳酸酯樹脂、非晶態(tài)聚烯、熱可塑型聚烯亞胺、PEN、PES等熱可塑性透明樹脂；熱固化性聚烯亞胺、紫外線固化型丙烯酸樹脂等熱固化性透明樹脂等及它們的組合，基板12的厚度通常以0.3～1.2mm左右的為宜。該構(gòu)成中，保護(hù)層只要是能保護(hù)溫度敏感反射層13的，用任何材料形成均可。具體可舉出和基板12同樣的材料。還有，保護(hù)層可以是透明的，也可以是不透明的。保護(hù)層通常厚度以1～100μm左右為宜。再有，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)中，最好如光信息記錄介質(zhì)1那樣，坑及溝兩者或其中之一只在基板12的一面形成，但也可以坑及溝兩者或其中之一在基板12的兩面形成。根據(jù)圖5至圖12、及圖27至圖34，對(duì)本發(fā)明的其它實(shí)施形態(tài)說明如下。再為便于說明，對(duì)于和前述實(shí)施形態(tài)1所示的各構(gòu)件有相同功能的構(gòu)件，標(biāo)注相同的符號(hào)，其說明從略。本實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)如圖5、9、27、及29所示，為記錄重放用(補(bǔ)寫型或改寫型)的光信號(hào)記錄介質(zhì)2a、2e及2g，從記錄或重放用光束即記錄重放光束32射入側(cè)開始，依次形成透明樹脂層11、記錄層14、溫度敏感反射層13及基板12。再者，記錄重放光束32為記錄時(shí)輸出記錄用能量、重放時(shí)輸出重放用能量的光束。溫度敏感反射層13和實(shí)施形態(tài)1一樣，從記錄重放光束32射入的一側(cè)(透明樹脂層11一側(cè))起，將溫度敏感層21、光吸收層22、反射層23及/或隔熱層24以上述次序?qū)盈B。還如圖6、10、31及33所示。因溫度敏感層21用氧化物的穩(wěn)定的物質(zhì)形成，故也可是無透明樹脂層11的構(gòu)成(光信息記錄介質(zhì)2b、2i、2k)。又如圖7、11、28及30所示，為記錄重放用(補(bǔ)寫型或改寫型)的光信息記錄介質(zhì)2c、2f及2h，其構(gòu)成也可以為從記錄重放用光束即記錄重放光束32射入的一側(cè)起依次形成透明樹脂層11、溫度敏感反射層13、記錄層14及基板12。溫度敏感反射層13從記錄重放光束32射入的一側(cè)(透明樹脂層11一側(cè))起，將溫度敏感層21、光吸收層22及反射膜23依上述次序?qū)盈B而成。如圖8、12、32、及34所示，溫度敏感層21由于為用氧化物的穩(wěn)定的物質(zhì)形成，所以也可以為無透明樹脂層11的構(gòu)成(光信息記錄介質(zhì)2d、2j、2l)。記錄層14能用該領(lǐng)域通常使用的記錄材料形成。例如在將光信息記錄介質(zhì)2a～2l作為補(bǔ)寫型介質(zhì)的情況下，能用花青或酞花青等有機(jī)色素材料。另外，將光信息記錄介質(zhì)2a～2e作為改寫型(記錄重放刪除型)介質(zhì)的情況下，能采用TbFeCo等磁光記錄材料或AgInSbTe、GeTeSb、AgInSb等相變記錄材料。在采用TbFeCo等磁光記錄材料時(shí)，可將記錄層14做成例如由SiN(氮化硅)等介質(zhì)材料組成的介質(zhì)層、磁光記錄材料組成的記錄層、及SiN等保護(hù)材料組成的保護(hù)層等三層組成的層疊結(jié)構(gòu)。另在采用AgInSbTe、GeTeSb、AgInSb等相變記錄材料時(shí)，可將記錄層14做成例如由ZnS·SiO2膜等介質(zhì)層、AgInSbTe、GeTeSb、AgInSb等相變記錄材料組成的記錄層、及ZnS·SiO2膜等保護(hù)層等三層組成的層疊結(jié)構(gòu)。記錄層14的層厚無特別限定，例如以5～500nm左右為宜?；?2和實(shí)施形態(tài)一樣，只要能給予光信息記錄介質(zhì)2a～2l適當(dāng)?shù)膹?qiáng)度，無論透明或不透明的均可。構(gòu)成基板12的材料，可舉出構(gòu)成前述的基板12的材料?；?2的厚度無特別限定，例如以0.3～1.2mm左右者為宜。再有，本實(shí)施形態(tài)中，也可以用平坦的基板代替形成坑或溝的基板12。關(guān)于透明樹脂層11及溫度敏感反射層13，除了記錄層14介于它們之間以外，其余和實(shí)施形態(tài)1相同。根據(jù)這樣的構(gòu)成能實(shí)現(xiàn)所謂的CD-R(可記錄小型光盤、CompactDiscRecordable)、CD-RW(可改寫小型光盤CompactDiscReWritable)、DVD-R(可記錄數(shù)字通用光盤DigtialVersatileDiscRecordable)、DVD-RW(可改寫數(shù)字通用光盤DigitalVersatileDiscReWritable)、DVD-RAM(數(shù)字通用光盤隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DigitalVersatileDiscRandomAccessMemory)、MO(磁光盤Magneto-Opticaldisc)等具有能寫入的記錄層的光信息記錄介質(zhì)。另外，上述光信息記錄介質(zhì)2a～2l能利用和實(shí)施形態(tài)1的光信息記錄介質(zhì)1a～1f同樣的重放方法進(jìn)行重放。即，采用激光光源(未圖示)和聚焦透鏡等光學(xué)系統(tǒng)，從透明樹脂層11側(cè)或從溫度敏感層21側(cè)向記錄層14射入記錄重放光束32。這時(shí)，照射光束，使溫度敏感層21上的光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分和低溫部分，使溫度敏感層21的高溫部分的透射率變化。然后，通過用光學(xué)頭(圖中未示出)檢測記錄層14的反射光，根據(jù)透過溫度敏感層21的低溫部分的光，將信息進(jìn)行重效。上述光信息記錄介質(zhì)2a、2b、2e、2g、2i及2k中，從射入的光來看，因?yàn)橛涗泴?4的背面(被記錄重放光束32照射的面的背面)上設(shè)置溫度敏感反射層13，所以重放時(shí)，如將記錄重放光束32引入透明基板的引導(dǎo)溝內(nèi)，則記錄重放光束32通過記錄層14，射入溫度敏感反射層13。利用該記錄重放光束32的射入，如上所述，溫度敏感反射層13的溫度上升，重放光束光點(diǎn)的后半部為高溫，除此以外的部分為低溫。再利用光吸收層22，該高溫部分的溫度變得更高。而且，溫度敏感反射層13因有根據(jù)溫度上升而反射率相應(yīng)變化的特性，故高溫部分為低反射率的狀態(tài)，低溫部分為高反射率的狀態(tài)。由此，因能用光學(xué)的空間分辨率(重放光束的衍射極限)以下的小的孔徑部(低溫部分)重放記錄層14記錄的信息，故能以高質(zhì)量重放以高密度記錄的信息。這樣，本實(shí)施形態(tài)的光信息記錄介質(zhì)中，利用溫度敏感層21和光吸收層22，能重放記錄在記錄層14上的重放光束衍射極限以下的微小記錄標(biāo)記。另外，本實(shí)施形態(tài)涉及的上述光信息記錄裝置2a、2b、2e、2g、2i及2k，通過從射入的光來看在記錄層14的背面?zhèn)仍O(shè)置溫度敏感層21，與在記錄層的光入射側(cè)設(shè)置掩膜層的上述特開平5-12673公報(bào)及特開平5-12715號(hào)公報(bào)的構(gòu)成相比，有以下優(yōu)點(diǎn)。即，通過在記錄層14的背面設(shè)置溫度敏感層21，能利用光學(xué)干涉，易使溫度敏感層21的溫度上升。其結(jié)果，能用更低的激光能量進(jìn)行重放，能實(shí)現(xiàn)重放靈敏度高的光信息記錄介質(zhì)。再有，本實(shí)施形態(tài)涉及的光信息記錄介質(zhì)2a～2l和實(shí)施形態(tài)1一樣，采用使高溫部分33a的透射率降低或上升的溫度敏感層21，故能用記錄或重放時(shí)溫度上升不熔解的金屬氧化物等物質(zhì)形成溫度敏感層21。所以還具有的優(yōu)點(diǎn)是，即使反復(fù)進(jìn)行記錄或重放，都不降低掩膜效果，有良好的耐久性。根據(jù)上述光信息記錄介質(zhì)2a、2b、2e、2g、2i及2k的構(gòu)成，通過在上述記錄層14的被記錄重放光束32照射的面的背面?zhèn)壬显O(shè)置溫度敏感層21，與記錄層14的光射入側(cè)上設(shè)置掩膜層的上述特開平5-12673號(hào)公報(bào)及特開平5-12715號(hào)公報(bào)的構(gòu)成相比，有以下的優(yōu)點(diǎn)。即，在基板上有記錄膜的上述特開平5-12673號(hào)公報(bào)或特開平5-12715號(hào)公報(bào)的光信息記錄介質(zhì)上，因在記錄膜的光射入側(cè)形成掩膜層，所以到達(dá)記錄層的全部光量中至少一部分被掩膜層吸收。因此，由于引發(fā)記錄靈敏度下降或重放噪聲增加等問題，故不能取得高品質(zhì)的信號(hào)。相反，通過在記錄層14的背面設(shè)溫度敏感層21，利用光學(xué)干涉能容易使溫度敏感層21溫度上升。其結(jié)果，能以更低的激光能量進(jìn)行重放，實(shí)現(xiàn)重放靈敏度高的光信息記錄介質(zhì)。關(guān)于記錄方法無特別限定，但以下的方法比較合適。即，記錄時(shí)，如對(duì)著光信息記錄介質(zhì)2c、2d、2f、2h、2j及2l，照射記錄重放光束32，溫度敏感反射層13上產(chǎn)生高溫部分和低溫部分，例如，在高溫部分的透射率下降時(shí)，利用透過低溫部分的光有選擇地加熱記錄層14的微小區(qū)域。由此，因能在記錄層14的微小區(qū)域中記錄信息，故能實(shí)現(xiàn)高密度的記錄。另外，如對(duì)著光信息記錄介質(zhì)2a、2b、2e、2g、2i及2k，照射記錄重放光束32，在記錄層14上產(chǎn)生高溫部分和低溫部分，有選擇地加熱記錄層14的微小區(qū)域。由此，因能在記錄層14的微小區(qū)域中記錄信息。故能實(shí)現(xiàn)高密度記錄。還有，上述各實(shí)施形態(tài)中，是隨著溫度的上升，重放束波長的溫度敏感層21的透射率降低。但是，即使是例如具有圖15～17所示透射率特性的溫度敏感層21，通過設(shè)定重放光束波長，有時(shí)溫度上升而透射率不一定下降。即，具有圖15～17所示透射率特性的溫度敏感層21的情況下，用405nm波長光束其透射率在高溫下降，但在將重放光束波長設(shè)定成比405nm長的波長的情況下，有時(shí)透射率在高溫下上升。所以，為了使透射率在高溫下上升，在這樣設(shè)定重放光束波長的情況下也有效。換言之，溫度敏感層21也可以隨著溫度上升而重放光束波長的透射率上升。隨著溫度上升而重放光束波長的溫度敏感層21的透射率上升的光信息記錄介質(zhì)1及2，是通過照射光束，使得在溫度敏感層21的光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分和低溫部分，使溫度敏感層21的高溫部分的透射率上升，用光學(xué)頭(未圖示)檢測出記錄層14的反射光，從而能夠用根據(jù)透過溫度敏感層21的高溫部分的光將信息進(jìn)行重放的方法進(jìn)行重放。再有，圖18及圖19表示在溫度敏感層21的背面?zhèn)?基板12一側(cè))采用光吸收層22時(shí)的分光反射光譜。通過采用這一結(jié)構(gòu)，因能用更低的激光能量提高溫度敏感層21到達(dá)的溫度，所以能實(shí)現(xiàn)重放靈敏度高的超分辯重放介質(zhì)。在這種情況下，無論是隨著溫度上升而反射率下降的高溫掩膜類型(圖18)，還是隨著溫度上升而反射率也上升的低溫掩膜類型(圖19)，能設(shè)計(jì)成任何一種類型。圖20為將含有這種光吸收層22(含溫度敏感反射層13)的光信息記錄介質(zhì)的重放分辨率特性(圖中●)和不含光吸收層22的只有溫度敏感層21和反射層23的情況(圖中◆)及只有反射層23的情況(圖中▲)比較所示的結(jié)果。由此，溫度敏感型超分辯介質(zhì)(圖中◆及▲)中，能夠進(jìn)行超越光學(xué)分辯極限(0.17μm)的重放，含光吸收層22的介質(zhì)因其重放靈敏度良好，故還可提高分辯極限，連0.09μm也能得到重放信號(hào)。還有，評(píng)價(jià)光學(xué)系統(tǒng)的重放參數(shù)為波長408nm、物鏡數(shù)值孔徑(NA)0.65。另外，上述光信息記錄介質(zhì)2a、2b、2e、2g、2i及2k中，溫度敏感層21是設(shè)置在記錄層14的被光束照射的面的背面?zhèn)龋珳囟让舾袑?1也可以設(shè)在記錄層14的被記錄重放光束32照射的一側(cè)(光信息記錄介質(zhì)2c、2d、2f、2h、2j、及2l)。這時(shí)，和光信息記錄介質(zhì)2a、2b、2e、2g、2i及2k比較，雖然重放靈敏度差，但能實(shí)現(xiàn)耐久性較上述特開平5-12673號(hào)公報(bào)或特開平5-12715號(hào)公報(bào)的構(gòu)成好的介質(zhì)。另外，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)也可以對(duì)光信息記錄介質(zhì)2a～2l，在溫度敏感反射層13的光射入一側(cè)、即基板12和溫度敏感反射層13之間再層疊記錄層14。還有，本發(fā)明不限于上述的各實(shí)施形態(tài)，在權(quán)利要求所述的范圍內(nèi)可作各種變更。例如，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)，不僅是盤狀、即所謂圓盤形的光盤，還可是卡片狀或薄片狀等形狀的介質(zhì)。另外，在本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)中，光信息記錄的方式只要是光學(xué)方式，則無特別限定，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)可包括磁光盤、相變型光盤等各種光信息記錄介質(zhì)。另外，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)也可以是將實(shí)施形態(tài)1或?qū)嵤┬螒B(tài)2的層結(jié)構(gòu)反復(fù)層疊的介質(zhì)。例如，其結(jié)構(gòu)可以做成在兩塊基板上形成溫度敏感反射層13或溫度敏感反射層13及記錄層14，并將這些基板接合，使其溫度敏感反射層13或記錄層14對(duì)向，能從兩基板側(cè)照射光。再有，本發(fā)明的技術(shù)范圍包括將不同實(shí)施形態(tài)中分別揭示的技術(shù)手段作適當(dāng)組合而得到的實(shí)施形態(tài)。例如，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)也可以是具有和實(shí)施形態(tài)1相同層結(jié)構(gòu)的重放專用面與具有和實(shí)施形態(tài)2相同層結(jié)構(gòu)的可記錄重放面混合存在的混合介質(zhì)。另外，可以采用圖21所示的光信息記錄重放裝置，作為對(duì)本實(shí)施形態(tài)涉及的光信息記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄重放的光信息記錄重放裝置(光信息重放裝置、光信息記錄裝置)。圖21為表示本發(fā)明涉及的光信息記錄重放裝置的一實(shí)施形態(tài)的構(gòu)成方框圖。光信息記錄重放裝置如圖21所示，包括使光信息記錄介質(zhì)2旋轉(zhuǎn)用的主軸電動(dòng)機(jī)91、照射記錄重放光32并同時(shí)檢測記錄層14上反射光的光拾波器(光照射器及光檢測器)92、支持主軸電動(dòng)機(jī)91及光拾波器92的機(jī)械平臺(tái)93、控制光拾波器92的激光能量的激光控制電路94、根據(jù)光拾波器92的輸出使機(jī)械平臺(tái)93的位置移動(dòng)的伺服機(jī)構(gòu)95、根據(jù)應(yīng)記錄的信息信號(hào)來控制激光以控制電路94控制光拾波器92的激光能量的記錄系統(tǒng)數(shù)據(jù)控制部96、從光拾波器92檢測出的反射光檢測出信息信號(hào)的介質(zhì)用信號(hào)檢測電路97、處理介質(zhì)用信號(hào)檢測電路97檢測出的信息信號(hào)的信息處理電路98、及檢測信息信號(hào)的錯(cuò)誤的檢錯(cuò)系統(tǒng)99。光拾波器92采用激光光源(未圖示)和聚焦透鏡31等光學(xué)系統(tǒng)，使記錄重放光束32(激光束)從透明樹脂層11一側(cè)射入記錄層14。另外，光拾波器92對(duì)光信息記錄介質(zhì)2照射記錄重放光束32，使得溫度敏感層21的光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分和低溫部分，使溫度敏感層21的高溫部分的透射率降低。然后，光拾波器92用光學(xué)頭(未圖示)檢測記錄層14的反射光。上述光信息記錄重放裝置中，由激光控制電路94控制光拾波器92的激光能量，記錄及擦除時(shí)用高的能量，重放時(shí)用低的能量，將激光照射在光信息記錄介質(zhì)2上。再有，在上述的各實(shí)施形態(tài)中，是隨著溫度上升而重放光束波長的溫度敏感層21的透射率下降。但是，有時(shí)也可以是例如即使有圖6～8所示透射率特性的溫度敏感層21，但根據(jù)重放光束波長的設(shè)定，溫度上升而透射率不一定下降。即，在有圖15～圖17所示透射率特性的溫度敏感層21的情況下，用波長405nm時(shí)，透射率在高溫下降低，但在將重放光束波長設(shè)定成比405nm長的波長時(shí)，有時(shí)透射率在高溫下上升。本發(fā)明對(duì)于這種設(shè)定重放光束波長使得透射率在高溫下上升的情況也有效。換言之，溫度敏感層21可以是隨著溫度上升而重放光束波長的透射率也上升。隨著溫度上升而重放光束波長的溫度敏感層21的透射率上升的光信息記錄介質(zhì)1a～1f、2a～2l，是通過照射光束使得在溫度敏感層21的光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分和低溫部分，在溫度敏感層21的高溫部分透射率上升，用光學(xué)頭(未圖示)檢測出記錄層14上的反射光，從而利用根據(jù)透過溫度敏感層21的高溫部分的光將信息進(jìn)行重放的方法進(jìn)行重放。另外，對(duì)于隨著溫度上升而重放光束波長的溫度敏感層21的透射率上升的光信息記錄介質(zhì)2a～2l的記錄能通過下述方法進(jìn)行，這是通過照射激光束使得溫度敏感層21的光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分和低溫部分，使溫度敏感層21的高溫部分的透射率上升，用光學(xué)頭(未圖示)檢測記錄層14上的反射光，從而利用透過溫度敏感層21的高溫部的光，有選擇地加熱記錄層14的微小區(qū)域。另外，上述的光信息記錄介質(zhì)2a～2l中，溫度敏感層21是設(shè)在記錄層14的照射光束的面的背面一側(cè)，但溫度敏感層21也可設(shè)在記錄層的照射記錄重放光束32的一側(cè)。這時(shí)，和光信息記錄介質(zhì)2比較，重放靈敏度雖差，但與上述特開平5-12673號(hào)公報(bào)或特開平5-12715號(hào)公報(bào)相比，能實(shí)現(xiàn)耐久性好的介質(zhì)。另外，對(duì)于本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)2a～2l，還可以在溫度敏感反射層13的射入光的一側(cè)，即基板23和溫度敏感反射層13之間，層疊記錄層14。還有，本發(fā)明不限于上述各實(shí)施形態(tài)，能在權(quán)利要求所示的范圍內(nèi)作各種變更。例如，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)，不僅為盤狀、即所謂園盤狀的光盤，也可為卡片狀或薄片狀等形狀的介質(zhì)。另外，在本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)中，光信息記錄的方式只要是光學(xué)方式，則無特別的限定，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)包含磁光盤、相變型光盤等各種光信息記錄介質(zhì)。另外，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)也可以是實(shí)施形態(tài)1或?qū)嵤┬螒B(tài)2的層結(jié)構(gòu)反復(fù)層疊而成。例如，其構(gòu)成也能做成在兩塊基板上形成溫度敏感反射層13或溫度敏感反射層13及記錄層14，將這些基板接合，使其溫度敏感反射層13或記錄層14對(duì)向，從兩基板側(cè)照射光。本發(fā)明的技術(shù)范圍還包含將不同的實(shí)施形態(tài)中分別揭示的技術(shù)手段適當(dāng)組合而得到的實(shí)施形態(tài)。例如，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)也可以是具有和實(shí)施形態(tài)1同樣層結(jié)構(gòu)的重放專用面與具有和實(shí)施形態(tài)2同樣層結(jié)構(gòu)的能記錄重放面混合存在的混合介質(zhì)。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的特征為如上所述，在通過照射光束重放所記錄的信息的光信息記錄介質(zhì)上，有隨著因光束照射產(chǎn)生的溫度變化而使反射率及/或透射率相應(yīng)變化的溫度敏感層、和使上述溫度敏感層的溫度變化的光吸收層。根據(jù)上述構(gòu)成，當(dāng)照射重放用光束時(shí)，使溫度敏感層上因光束照射而溫度上升的部分的透射率變化，即下降或上升，在其它的溫度不上升的溫度低的部分，則保持透射率不變。另外，溫度敏感層的溫度除光束的照射外，還會(huì)因光吸收層而變化。例如，在光吸收層為將光變換成熱的材料時(shí)，光吸收層吸收重放用的光束，變換成熱。在光吸收層上被變換的熱向溫度敏感層轉(zhuǎn)移。最終，溫度敏感層上由于光束照射溫度上升的部分的溫度更加上升。因此，這部分的透射率也更加降低或上升。由此，根據(jù)透過溫度敏感層的高溫部分或低溫部分的光能重放信息。其結(jié)果，能有選擇地重放比重放用光束的光點(diǎn)大小要小的區(qū)域。還因光吸收層輔助溫度敏感層的溫度變化，所以在照射和以往相同能量的光束的情況下，和沒有光吸收層的介質(zhì)相比，能提供高精度、可靠地重放信息的光信息記錄介質(zhì)。因此，即使是比不用溫度敏感層和光吸收層的通過以往的方法不能讀取的光學(xué)系統(tǒng)讀出光點(diǎn)大小要小的坑等，也能以較高的信號(hào)強(qiáng)度特性來讀取。通過照射光束重放上述所記錄的信息用的光信息記錄介質(zhì)，例如如CD-ROM那樣，是最初在基板上形成凹凸的坑、起到作為重放專用存儲(chǔ)器(重放專用ROM)功能的介質(zhì)。作為上述構(gòu)成的光信息記錄介質(zhì)的典型例子，可舉出下述的結(jié)構(gòu)，它具有形成與記錄信息對(duì)應(yīng)的凹凸?fàn)畹目蛹?或溝的基板，在通過照射光束利用光學(xué)方式重放上述信息用的光信息記錄介質(zhì)上，是有因光束照射而產(chǎn)生的溫度上升使照射光束的透射率變化的溫度敏感層。還有，在不采用形成凹凸形的坑及/或溝的基板時(shí)，雖然實(shí)現(xiàn)上述構(gòu)成的光信息記錄介質(zhì)較難，但若刻意要做，則也可以考慮如磁盤那樣的方法，即先用激光形成引導(dǎo)溝或坑，此后再記錄重放信息(但是以往沒有這樣的實(shí)用例)。另外，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的特征為，如上所述，在利用光束照射來記錄信息、再利用光束照射來重放上述信息用的光信息記錄介質(zhì)中，具有隨著光束照射而產(chǎn)生的溫度變化使反射率及/或透射率變化的溫度敏感層和使上述溫度敏感層的溫度變化的光吸收層。根據(jù)上述構(gòu)成，如照射記錄用的光束，則溫度敏感層上因光束照射而溫度上升的部分的透射率變化，即下降或上升，其它溫度未上升的溫度低的部分，則透射率保持不變。另外，溫度敏感層的溫度除光束的照射外，還會(huì)因光吸收層而變化。例如，光吸收層為將光變換成熱的材料時(shí)，光吸收層吸收重放用的光束，變換成熱。光吸收層所變換的熱向溫度敏感層轉(zhuǎn)移。最終，溫度敏感層上因光束照射而溫度上升的部分的溫度更加上升。因此，這部分的透射率更加下降或上升。由此，根據(jù)透過溫度敏感層的高溫部分或低溫部分的光能記錄信息。能在比記錄用的光束的光點(diǎn)大小要小的區(qū)域有選擇地進(jìn)行記錄。還因光吸收層輔助溫度敏感層的溫度變化，故在照射和以往相同能量的光束時(shí)，和沒有光吸收層的介質(zhì)比，能提供高精度、可靠地記錄信息的光信息記錄介質(zhì)。因此，即使是比不采用溫度敏感層和光吸收層的通過以往的方法不能讀取的光學(xué)系統(tǒng)讀出光點(diǎn)大小要小的標(biāo)記，也能以較高的信號(hào)強(qiáng)度特性來讀取。另外，采用上述構(gòu)成，信息記錄在記錄層中的情況下，也和前述構(gòu)成一樣，能在比照射光束的光點(diǎn)大小要小的區(qū)域有選擇地進(jìn)行重放。其結(jié)果，和沒有溫度敏感層和光吸收層的光信息記錄介質(zhì)比較，能提供高密度記錄信息并高精度、可靠地重放信息的光信息記錄介質(zhì)。再有，記錄上述信息，利用光束的照射來重放上述信息用的光信息記錄介質(zhì)，是起到作為記錄重放型RAM功能的介質(zhì)(相變型介質(zhì)、磁光(MO)記錄介質(zhì)等)、一次寫入型介質(zhì)(采用色素、無機(jī)膜等材料)等。作為上述構(gòu)成的光信息記錄介質(zhì)的典型例子可舉出這樣的構(gòu)成，即具備通過光學(xué)方式來記錄信息用的記錄層，在利用光束照射通過光學(xué)方式重放上述信息用的光信息記錄介質(zhì)上，具有因光束照射而產(chǎn)生的溫度上升使照射光束的透射率相應(yīng)變化的溫度敏感層。另外，上述光吸收層也可以是通過吸收光束而使溫度敏感層的光吸收量(即反射率及/或吸收率)變化。此外，作為隨著溫度的變化而反射率相應(yīng)變化的溫度敏感層，可以考慮具有ZnO(氧化鋅)等折射率(實(shí)數(shù)部/虛數(shù)部)隨溫度變化的材料組成的層、和Al(鋁)膜等的反射層的結(jié)構(gòu)。這時(shí)，光吸收層最好在由上述折射率隨溫度變化的材料構(gòu)成的層、和反射層之間形成。上述溫度敏感層最好根據(jù)溫度敏感層一側(cè)面上的反射光和另一側(cè)面上的反射光之間的上述被照射的光束的干涉，而使反射率及/或透射率變化。另外，上述溫度敏感層最好與常溫下短波長側(cè)的吸收相對(duì)應(yīng)的透射率下降區(qū)域(從短波長側(cè)的吸收端波長附近，到比重放光束的波長長的波長側(cè)最靠近照射光束波長的透射率極大值附近的區(qū)域)，隨著溫度敏感層在一定溫度范圍內(nèi)的上升，而向長波長側(cè)或短波長側(cè)移動(dòng)，使重放光束波長的分光透射率及/或分光反射率變化。另外，上述溫度敏感層的分光反射率特性最好在光束的波長附近具有因一側(cè)的面上的反射光和另一側(cè)面上的反射光之間的光干涉效應(yīng)而產(chǎn)生的極小值。采用上述各構(gòu)成，通過在溫度敏感層一側(cè)的面上的反射光和另一側(cè)的面上的反射光之間產(chǎn)生光學(xué)干涉，并利用該光干涉效應(yīng)來控制溫度敏感層的透射率特性及/或反射率特性的溫度變化，從而能增加因溫度變化而引起的透射率及/或反射率的變化(調(diào)制度)。其結(jié)果，加大了溫度敏感層的掩膜效果，能精度更高、可靠地重放比照射光束的光點(diǎn)直徑要小的直徑。上述溫度敏感層只要隨著溫度上升而使照射光束的透射率下降或上升，就能通過使溫度敏感層經(jīng)高溫加熱過的部分的透射率降低或上升，而使重放分辨率提高。如前所述，上述特開平5-12673號(hào)公報(bào)或特開平5-12715號(hào)公報(bào)的掩膜層若反復(fù)記錄或重放，存在掩膜效果下降的問題。與此相反，上述構(gòu)成中，采用了使高溫部分的透射率降低或上升的溫度敏感層。因?yàn)闇囟让舾袑幽苡貌灰蛴涗浕蛑胤艜r(shí)溫度上升而熔解的物質(zhì)形成，因此即使反復(fù)記錄或重放，掩膜效果也不下降。因而，能提供耐久性優(yōu)良的光信息記錄介質(zhì)。上述溫度敏感層最好含有隨著溫度上升而反射率及/或透射率變化的金屬氧化物，特別是氧化鋅。采用上述構(gòu)成，因能避免由于記錄或重放時(shí)的溫度上升而溫度敏感層熔解，所以能提供即使反復(fù)記錄或重放而掩膜效果也不下降、耐久性優(yōu)良的光信息記錄介質(zhì)。上述光吸收層最好在上述溫度敏感層上的和光束照射面相反的一側(cè)上形成。換言之，最好光吸收層設(shè)置在溫度敏感層的背面一側(cè)。另外，上述光吸收層最好含相變材料、磁光材料、或它們的合金材料，含Si、Ge、AgInSbTe、GeSbTe、TbFeCo、DyFeCo、GdFeCo、或它們的兩種或兩種以上組成的合金則更好，特別是含Si的則最好。另外，最好上述溫度敏感層和光吸收層相鄰。根據(jù)上述各構(gòu)成，特別是能將照射的光束有效地變換成熱，所以，能使溫度敏感層上由于光束照射而溫度上升的部分的溫度更進(jìn)一步上升。即能使光束照射引起的溫度敏感層的溫度上升更加增大。由此，因能使溫度上升部分的透射率及/或反射率的變化加大，故能提供更進(jìn)一步高精度、可靠地重放信息的光信息記錄介質(zhì)。另外，在具有通過光學(xué)方式來記錄信息用的記錄層的光信息記錄介質(zhì)上，最好上述溫度敏感層設(shè)在記錄層上被光束照射的面的背面一側(cè)。根據(jù)上述構(gòu)成，通過在上述記錄層上被光束照射的面的背面一側(cè)上設(shè)置溫度敏感層，與在記錄層的光射入一側(cè)設(shè)置掩膜層的上述特開平5-12673號(hào)公報(bào)或特開平5-12715號(hào)公報(bào)的構(gòu)成相比，有以下的優(yōu)點(diǎn)。即，在基板上有記錄膜的上述特開平5-12673號(hào)公報(bào)或特開平5-12715號(hào)公報(bào)的光信息記錄介質(zhì)上，因記錄膜的光射入一側(cè)形成掩膜層，所以到達(dá)記錄層的全部光量中至少一部分為掩膜層吸收。由此，因引發(fā)記錄靈敏度下降或重放噪聲增加等現(xiàn)象，而不能獲得高品質(zhì)的信號(hào)。相反，通過在記錄層的背面設(shè)置溫度敏感層，利用光學(xué)干涉能容易地使溫度敏感層的溫度上升。其結(jié)果，能以更低的激光能量進(jìn)行重放，能實(shí)現(xiàn)重放靈敏度高的光信息記錄介質(zhì)。這樣，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的特征為，依靠上述光束和光吸收層，利用與上述溫度敏感層的溫度變化相對(duì)應(yīng)的反射率及/或透射率的變化，能重放在重放光束的衍射極限以下的微小記錄標(biāo)記。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的重放方法的特征為，對(duì)前述的光信息記錄介質(zhì)照射光束，使溫度敏感層上光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分和低溫部分，使溫度敏感層高溫部分的透射率下降，同時(shí)利用光吸收層再加熱上述高溫部分的溫度，并根據(jù)透過溫度敏感層低溫部分的光，來重放信息。另外，本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的重放方法也可以是以下的方法，即對(duì)所述光信息記錄介質(zhì)照射光束，使溫度敏感層上光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分和低溫部分，使溫度敏感層高溫部分的透射率上升，利用光吸收層再加熱上述高溫部分的溫度，并根據(jù)透過溫度敏感層高溫部分的光，來重放信息。根據(jù)上述各種方法，通過根據(jù)透過溫度敏感層的低溫部分或高溫部分的光來重放信息，從而能在比重放用光束的光點(diǎn)大小要小的區(qū)域有選擇地重放。其結(jié)果，能從高密度記錄信息的光信息記錄介質(zhì)上以高精度、可靠地重放信息。在本發(fā)明涉及的重放方法中，最好控制重放能量以使超分辯的效果為最佳(信號(hào)振幅最大)。即，信號(hào)重放時(shí)的光束照射能量控制因?yàn)樵谥胤拍芰繌?qiáng)度中存在最佳值，所以最好例如預(yù)先求出C/N比或重放信號(hào)振幅為最大值的重放能量，一面將該最大值反饋，一面進(jìn)行重放。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的重放方法的特征為通過對(duì)所述的光信息記錄介質(zhì)照射光束使得溫度敏感層上光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分和低溫部分，使溫度敏感層高溫部分的透射率下降，同時(shí)，利用光吸收層還加熱上述溫度敏感層的溫度，根據(jù)透過溫度敏感層低溫部分的光加熱記錄層。另外本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的記錄方法也可以是以下一種方法，即通過對(duì)所述光信息記錄介質(zhì)照射光束，使得溫度敏感層上光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分及低溫部分，同時(shí)，使溫度敏感層高溫部分的透射率上升，利用光吸收層再加熱上述高溫部分的溫度，根據(jù)透過溫度敏感層高溫部分的光，加熱記錄層。根據(jù)上述各種方法，通過按照透過溫度敏感層低溫部分或高溫部分的光重放信息，從而能在比重放用光束的光點(diǎn)大小要小的區(qū)域有選擇地重放。其結(jié)果，能從高密度地記錄信息的光信息記錄介質(zhì)高精度、可靠地記錄信息。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的重放方法是一種所述光信息記錄介質(zhì)的重放方法，其特征為，采用上述溫度敏感層和光吸收層，重放在重放光束衍射極限以下的微小記錄標(biāo)記。本發(fā)明的光信息重放裝置其特征為，采用所述光信息記錄介質(zhì)、和所述光信息重放方法，重放在重放光束衍射極限以下的微小記錄標(biāo)記。根據(jù)上述的發(fā)明，當(dāng)然能重放在重放光束衍射極限以下的微小記錄標(biāo)記的信息。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的記錄方法是一種所述光信息記錄介質(zhì)的記錄方法，其特征為，至少采用上述溫度敏感層和光吸收層，能記錄小于重放光束衍射極限的微小記錄標(biāo)記。本發(fā)明的光信息記錄裝置的特征為，采用前述的光信息記錄介質(zhì)、和前述的記錄方法，能記錄小于光束衍射極限的微小記錄標(biāo)記的信息。根據(jù)上述的發(fā)明，當(dāng)然能記錄小于重放光束衍射極限的微小記錄標(biāo)記的信息。本發(fā)明的詳細(xì)說明欄目中所闡述的具體實(shí)施形態(tài)或?qū)嵤├?，歸根結(jié)底，都是為了便于對(duì)本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容進(jìn)行理解，不應(yīng)限于這些具體示例而作狹義的解釋，在本發(fā)明的精神和以后所述的權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可以作各種變更、并實(shí)施。權(quán)利要求1.一種光信息記錄介質(zhì)，是一種利用光束照射來重放被記錄的信息的光信息記錄介質(zhì)(1a至1f)，其特征在于，具有隨著光束照射所產(chǎn)生的溫度變化而反射率及/或透射率相應(yīng)變化的溫度敏感層(21)、和使上述溫度敏感層(21)溫度變化的光吸收層(22)。2.如權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述溫度敏感層(21)根據(jù)溫度敏感層的一側(cè)的面上的反射光、和另一側(cè)的面上的反射光之間的所述照射光束的干涉，其照射光束的反射率及/或透射率變化。3.如權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述溫度敏感層(21)的與常溫下短波長側(cè)的吸收相對(duì)應(yīng)的透射率低下區(qū)域，隨著溫度敏感層(21)的一定溫度范圍內(nèi)的上升，向長波長側(cè)或短波長側(cè)移動(dòng)，使重放光束波長的分光透射率及/或分光反射率變化。4.如權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，上述溫度敏感層(21)包含隨著溫度上升而反射率及/或透射率變化的金屬氧化物。5.如權(quán)利要求4所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，上述溫度敏感層(21)含氧化鋅。6.如權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述光吸收層(22)形成于所述溫度敏感層(21)的與光束的照射面相反一側(cè)上。7.如權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述光吸收層(22)含相變材料、磁光材料、或它們的合金材料。8.如權(quán)利要求7所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述光吸收層(22)包括由Si、Ge、AgInSbTe、GeSbTe、TbFeCo、DyFeCo、GdFeCo、或它們中兩種及兩種以上組成的合金。9.如權(quán)利要求8所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述光吸收層(22)由Si組成。10.如權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于所示溫度敏感層(21)和光吸收層(22)相鄰。11.如權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，通過所述光束和光吸收層，利用所述溫度敏感層21隨著溫度的變化而反射率及/或透射率的變化，能重放小于重放光束衍射極限的微小記錄標(biāo)記。12.一種光信息記錄介質(zhì)，是利用光束照射來記錄信息、并利用光束照射來重放所述信息的光信息記錄介質(zhì)(2a～21)，其特征在于，包括隨著光射照射所產(chǎn)生的溫度變化而反射率及/或透射率變化的溫度敏感層(21)、及使所述溫度敏感層(21)的溫度變化的光吸收層(22)。13.如權(quán)利要求12所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述溫度敏感層(21)根據(jù)溫度敏感層(21)的一側(cè)的面上的反射光和另一側(cè)的面上的反射光之間的上述照射光束的干涉，其照射光束的反射率及/或透射率變化。14.如權(quán)利要求14所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述溫度敏感層(21)的與常溫下短波長側(cè)的吸收相對(duì)應(yīng)的透射率下降區(qū)域，隨著溫度敏感層(21)的一定溫度范圍內(nèi)的上升，向長波長側(cè)或短波長側(cè)移動(dòng)，使重放光束波長的分光透射率及/或反光反射率變化。15.如權(quán)利要求12所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述溫度敏感層(21)含有隨著溫度上升而反射率及/或透射率變化的金屬氧化物。16.如權(quán)利要求12所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述溫度敏感層(21)含氧化鋅。17.如權(quán)利要求12所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述光吸收層(22)形成于所述溫度敏感層(21)的與光束的照射面相反一側(cè)上。18.如權(quán)利要求12所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述光吸收層(22)含有相變材料、磁光材料、或它們的合金材料。19.如權(quán)利要求18所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述光吸收層(22)含有Si、Ge、AgInSbTe、GeSbTe、TbFeCo、DyFeCo、GdFeCo、或它們中兩種及兩種以上組成的合金。20.如權(quán)利要求19所述的光信息記錄介質(zhì)，其特載在于，所述光吸收層(22)由Si組成。21.如權(quán)利要求12所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述溫度敏感層(21)和光吸收層(22)相鄰。22.如權(quán)利要求12所述的光信息記錄裝置，其特征在于，通過所述光束和光吸收層(22)，利用所述溫度敏感層(21)隨著溫度變化而反射率及/或透射率的變化，能重放小于重放光束衍射極限的微小記錄標(biāo)記。23.一種光信息記錄介質(zhì)的重放方法，是利用光束照射來重放記錄在光信息記錄介質(zhì)(1a至1f、2a至2l)上的信息的重放方法，所述的光信息記錄介質(zhì)(1a至1f、2a至2l)，包括隨著因光束照射所產(chǎn)生的溫度變化而反射率及/或透射率變化的溫度敏感層(21)、和使上述溫度敏感層(21)的溫度變化的光吸收層(22)，其特征在于，至少采用所述溫度敏感層(21)和光吸收層(22)，重放小于重放光束衍射極限的微小極限標(biāo)記。24.一種光信息記錄介質(zhì)的重放方法，是利用光束照射來重放記錄在光信息記錄介質(zhì)(1a至1f、2a至2l)上的信息的重放方法，所述光信息記錄介質(zhì)(1a至1f、2a至2l)包括隨著因光束照射所產(chǎn)生的溫度變化而反射率及/或透射率也變化的溫度敏感層(21)、和使所述溫度敏感層(21)的溫度變化的光吸收層(22)，其特征在于，對(duì)所述光信息記錄介質(zhì)(1a至1f、2a至2l)照射光束，使得溫度敏感層(21)上光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分(33a)和低溫部分(33b)，使溫度敏感層(21)的高溫部分(33a)的透射率下降，同時(shí)，利用光吸收層(22)再加熱所述高溫部分(33a)的溫度，根據(jù)透過溫度敏感層(21)低溫部分(33b)的光來重放信息。25.一種光信息記錄介質(zhì)的重放方法，是利用光束照射來重放記錄在光信息記錄介質(zhì)(1a至1f、2a至2l)上的信息的重放方法，所述光信息記錄介質(zhì)(1a至1f、2a至2l)包括隨著因光束照射所產(chǎn)生的溫度變化而反射率及/或透射率變化的溫度敏感層(21)、和使所述溫度敏感層(21)的溫度變化的光吸收層(22)，其特征在于，對(duì)所述光信息記錄介質(zhì)(1a至1f、2a至2l)照射光束，使得溫度敏感層(21)上光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分(34a)和低溫部分(34b)，使溫度敏感層(21)的高溫部分(34a)的透射率上升，利用光吸收層再加熱所述高溫部分(34a)的溫度，根據(jù)透過溫度敏感層(21)的高溫部分(34a)的光來重放信息。26.一種光信息記錄介質(zhì)的記錄方法，是利用光束照射在具有隨著因光束照射所產(chǎn)生的溫度變化而反射率及/或透射率變化的溫度敏感層(21)、和使所述溫度敏感層(21)的溫度變化的光吸收層(22)的光信息記錄介質(zhì)(2a至2l)上來記錄信息的方法，其特征為，至少采用所述溫度敏感層(21)和光吸收層(22)，記錄小于重放光束衍射極限的微小記錄標(biāo)記。27.一種光信息記錄介質(zhì)的記錄方法，是利用光束照射在具有隨著因光束照射所產(chǎn)生的溫度變化而反射率及/或透射率變化的溫度敏感層(21)、和使所述溫度敏感層(21)的溫度變化的光吸收層(22)的光信息記錄介質(zhì)(2a至2l)上記錄信息的方法，其特征在于，通過對(duì)所述光信息記錄介質(zhì)(2a至2l)照射光束，使得溫度敏感層(21)上光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分(33a)和低溫部分(33b)，使溫度敏感層(21)的高溫部分(33a)的透射率下降，同時(shí)，利用光吸收層(22)再加熱所述高溫部分(33a)的溫度，利用透過溫度敏感層(21)的低溫部分(33b)的光，來加熱記錄層(14)。28.一種光信息記錄介質(zhì)的記錄方法，是利用光束照射在具有隨著因光束照射所產(chǎn)生的溫度變化而反射率及/或透射率變化的溫度敏感層(21)、和使所述溫度敏感層(21)的溫度變化的光吸收層(22)的光信息記錄介質(zhì)(2a至2l)上記錄信息的記錄方法，其特征在于，通過對(duì)所述光信息記錄介質(zhì)(2a至2l)照射光束，使得溫度敏感層(21)上光束光點(diǎn)內(nèi)產(chǎn)生高溫部分(34a)和低溫部分(34b)，使溫度敏感層(21)的高溫部分(34a)的透射率上升，利用光吸收層(22)再加熱所述高溫部分(34a)的溫度，利用透過溫度敏感層(21)的高溫部分(34a)的光，來加熱記錄層(14)。29.一種光信息重放裝置，其構(gòu)成為包括光信息記錄介質(zhì)(1a至1f、2a至2l)，和對(duì)該光信息記錄介質(zhì)(1a至1f、2a至2l)照射光束的光拾波器(92)，其特征在于，所述光信息記錄介質(zhì)(1a至1f、2a至2l)包括隨著因光束照射所產(chǎn)生的溫度變化而反射率及/或折射率變化的溫度敏感層(21)、及使所述溫度敏感層(21)的溫度變化的光吸收層(22)，所述光拾波器(92)能重放小于重放光束衍射極限的微小記錄標(biāo)記的信息。30.一種光信息記錄裝置，其構(gòu)成包括光信息記錄介質(zhì)(2a至2l)、和對(duì)該信息記錄介質(zhì)(2a至2l)照射光束同時(shí)檢測反射光的光拾波器(92)，其特征在于，所述光信息記錄介質(zhì)(2a至2l)包括隨著因光束照射所產(chǎn)生的溫度變化而反射率及/或透射率變化的溫度敏感層(21)、及使所述溫度敏感層(21)的溫度變化的光吸收層(22)，所述光拾波器(92)能記錄小于光束的衍射極限的微小記錄標(biāo)記的信息。全文摘要本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)是一種具有形成與記錄信息對(duì)應(yīng)的凹凸形狀的坑及/或溝的基板，并利用光束照射通過光學(xué)方法重放所述信息用光信息記錄介質(zhì)或具有記錄層的光信息記錄介質(zhì)，該介質(zhì)包括隨著因光束照射所產(chǎn)生的溫度變化而照射光束的透射率也變化的溫度敏感層21及光吸收層22。由此，能提供可高密度記錄信息并高精度、可靠地重放的光信息記錄介質(zhì)、采用該介質(zhì)的記錄方法、重放方法、重放裝置及記錄裝置。文檔編號(hào)G11B7/005GK1573990SQ20041003241公開日2005年2月2日申請(qǐng)日期2004年4月5日優(yōu)先權(quán)日2003年6月6日發(fā)明者高森信之,田島秀春,森豪,山本真樹申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社