專利名稱：一次寫入型光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用記錄層中的相變的一次寫入型光記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
相變型光記錄介質(zhì)是眾所周知的。在這種記錄介質(zhì)中，可以通過改變記錄介質(zhì)的記錄層中的相來記錄和再現(xiàn)信息。相變是在具有彼此不同折射率的晶態(tài)和非晶態(tài)之間的變化。在相變型光記錄介質(zhì)的傳統(tǒng)制造工藝中，通過真空條件下的薄膜工藝(例如真空淀積方法、離子電鍍法和濺射法)，將記錄層淀積在一基板上。該淀積工藝之后基板上的記錄層具有非晶態(tài)。接著，將激光器、鹵素?zé)舻鹊墓馐丈湓诨迳?，從而提供具有晶態(tài)記錄層的光記錄介質(zhì)。(此后把上述將記錄層從非晶態(tài)結(jié)晶成晶態(tài)的過程稱為“初始化步驟”。)為了將信息信號(hào)記錄到這種光記錄介質(zhì)，使用激光束照射晶態(tài)下的記錄層，以便將記錄層中的相從晶態(tài)改變到非晶態(tài)。因此，信號(hào)可以由如上形成的記錄標(biāo)記(recording mark)所記錄。
對(duì)于只能一次記錄信息的一次寫入型光記錄介質(zhì)的制造工藝，最好在記錄信息信號(hào)之前記錄層的晶態(tài)形成過程中，能夠容易地將記錄層的相從非晶態(tài)改變到晶態(tài)。相反地，記錄層的相最好難以再次從非晶態(tài)改變到晶態(tài)，以便防止在記錄信息之后信息信號(hào)的劣化。因此，最好在記錄信息信號(hào)之前把記錄層穩(wěn)定在晶態(tài)，而在記錄信息信號(hào)之后把記錄層穩(wěn)定在非晶態(tài)。
日本專利特開平11-73692公開了一種用于制造一次寫入型光記錄介質(zhì)的方法。在基板上形成記錄層的步驟中，直接在晶態(tài)(而不是非晶態(tài))下將光記錄介質(zhì)中的記錄層淀積在基板上。因此，可以省略初始化步驟。該記錄層具有一個(gè)多層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括由Te系列材料構(gòu)成的第一記錄層和由(Ge、Sb)系列材料構(gòu)成的第二記錄層。在記錄信息信號(hào)時(shí)，用于光記錄的電源為記錄層供電，以便將第一記錄層和第二記錄層熔融并混合。當(dāng)切斷光記錄電源時(shí)，這些層迅速冷卻并凝固在非晶態(tài)。具體地，通過對(duì)光記錄電源進(jìn)行開/關(guān)操作，將記錄層的相從晶態(tài)改變到非晶態(tài)。從而記錄信息信號(hào)。在這種一次寫入型光記錄介質(zhì)的制造工藝中，由于由Te系列材料制成的第一記錄層在晶態(tài)下被淀積在基板上而不經(jīng)過非晶態(tài)，所以必須在這些材料中對(duì)Te進(jìn)行提純。第一記錄層特別容易氧化而難以處理。
通過形成晶態(tài)記錄標(biāo)記來記錄信息的方法也是已知的。通過激光照射非晶態(tài)下的記錄層來改變相的狀況。從而記錄信息信號(hào)。但是該方法對(duì)于一次寫入型光記錄介質(zhì)而言不是最好的，因?yàn)殡y以對(duì)信號(hào)記錄區(qū)和基質(zhì)(matrix)之間進(jìn)行邊緣控制進(jìn)而造成抖動(dòng)增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種非晶態(tài)記錄標(biāo)記類型的相變光記錄介質(zhì)，其通過將記錄層的相從晶態(tài)改變到非晶態(tài)來記錄信息。該光記錄介質(zhì)是“一次寫入類型”的介質(zhì)，能夠減小已經(jīng)被記錄的信息信號(hào)的劣化。
根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)包括基板和記錄層，該記錄層用于通過將記錄層的相從晶態(tài)改變到非晶態(tài)來記錄信息信號(hào)。該記錄層具有第一記錄層和第二記錄層。第一記錄層包括第一構(gòu)成，該第一構(gòu)成可以通過與第二記錄層中包含的一種成分相結(jié)合，改變?yōu)榱硪粋€(gè)在非晶態(tài)下更穩(wěn)定的構(gòu)成。也就是說，第一構(gòu)成可以改變?yōu)榱硪粋€(gè)具有更高結(jié)晶能量的構(gòu)成。優(yōu)選地，第二記錄層包括第二構(gòu)成，該第二構(gòu)成可以通過與第一記錄層中包含的一種成分相結(jié)合，改變?yōu)榱硪粋€(gè)具有更高結(jié)晶能量的構(gòu)成。
將用于記錄信息信號(hào)的記錄光照射到晶態(tài)下記錄層的一個(gè)區(qū)域，于是該區(qū)域被加熱并熔融。第二記錄層中至少一部分成分?jǐn)U散到第一記錄層，使得第一構(gòu)成可以通過與第二記錄層中包含的成分相結(jié)合，改變?yōu)榱硪粋€(gè)具有更高結(jié)晶能量的構(gòu)成。在照射步驟之后，停止照射記錄光，于是被照射區(qū)域冷卻下來，從而將被照射區(qū)域的相從晶態(tài)改變到非晶態(tài)。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的光記錄介質(zhì)的部分放大剖視圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的光記錄介質(zhì)的部分放大剖視圖；圖3示出了作為比較示例的光記錄介質(zhì)的部分放大剖視圖；和圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的光記錄介質(zhì)的部分放大剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面參考附圖，對(duì)根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)10的結(jié)構(gòu)包括反射層12、第二電介質(zhì)層13、記錄層14、第一電介質(zhì)層15和保護(hù)層16，這些層以所述順序形成在基板11上。記錄層14包括第一記錄層14a和第二記錄層14b。下面將對(duì)關(guān)于第一記錄層14a和第二記錄層14b等的具體材料進(jìn)行說明。
根據(jù)本發(fā)明的相變型光記錄介質(zhì)10是一個(gè)非晶態(tài)記錄標(biāo)記類型介質(zhì)。第一記錄層14a和第二記錄層14b在非晶態(tài)下淀積。然后通過初始化步驟將這些層調(diào)整到晶態(tài)。此后，該介質(zhì)被用于記錄信息信號(hào)。如圖2所示，在記錄信息信號(hào)時(shí)，將激光照射到面向保護(hù)層16的光記錄層10的一側(cè)。該激光在通過第一電介質(zhì)層15之后到達(dá)記錄層14。記錄層14的一區(qū)域在接收激光照射時(shí)，吸收激光，產(chǎn)生熱，并隨后熔融，這些過程與傳統(tǒng)的相變型光記錄介質(zhì)的記錄層的類似。在記錄層14的熔融區(qū)17中，在第一記錄層14a和第二記錄層14b之間發(fā)生相互的原子擴(kuò)散。
當(dāng)停止激光照射時(shí)，記錄層14的熔融區(qū)17迅速冷卻，進(jìn)而使該區(qū)域凝固并保持非晶態(tài)。具體地，通過激光照射，記錄層14的熔融區(qū)17將其相從晶態(tài)改變到非晶態(tài)。因?yàn)樯鲜鱿嘧冝D(zhuǎn)變了光折射率，從而可以記錄信息信號(hào)。
選擇一對(duì)用于第一記錄層14a和第二記錄層14b的材料，使得在通過激光照射記錄層14進(jìn)行熔融的過程中所發(fā)生的第一記錄層14a和第二記錄層14b之間的相互原子擴(kuò)散，產(chǎn)生與擴(kuò)散前相比更慢的結(jié)晶速率。具體地，所選的材料應(yīng)該是構(gòu)成改變時(shí)，材料在非晶態(tài)下表現(xiàn)出穩(wěn)定性。下面示出了材料對(duì)的例子。應(yīng)該理解所述例子不限制本發(fā)明并且可以使用任何滿足上述標(biāo)準(zhǔn)的材料(a)元素物質(zhì)Sb70Te30、或者元素物質(zhì)Sb70Te30添加諸如Ag、Ge、In和Sb。
(b)諸如GeTe或者Sb2Te3的元素物質(zhì)，GeTe和Sb2Te3的混合物，或者兩者的混合物添加諸如Sb、Te、Sn。
對(duì)于(a)的材料特性，增加Ge或Te的量通常會(huì)降低結(jié)晶速率，也就是說，非晶態(tài)表現(xiàn)出更高的穩(wěn)定性。而對(duì)于(b)的材料特性，由于Sb2Te3+GeTe的化學(xué)配比量(stoichiometric amount)的構(gòu)成偏差導(dǎo)致的Sb量增加會(huì)降低結(jié)晶速率。具體地，材料(a)和(b)的熔融使得如Sb從(a)擴(kuò)散到(b)那樣使Ge和Te從(b)擴(kuò)散到(a)，這與擴(kuò)散前的狀態(tài)相比，進(jìn)而穩(wěn)定了非晶態(tài)下的兩種材料(a)和(b)。換句話說，原子擴(kuò)散將各層改變成在將相從非晶態(tài)變成晶態(tài)時(shí)需要大量能量的構(gòu)成。緊接著薄膜淀積之后的非晶態(tài)下的材料(a)最好表現(xiàn)出更高的結(jié)晶速率，也就是說，材料在晶態(tài)下表現(xiàn)穩(wěn)定。通常，(a)最好由具有共晶成分的共晶化合物或具有接近共晶化合物的成分的固溶體構(gòu)成。而(b)最好具有接近Sb2Te3+GeTe的化學(xué)配比量的構(gòu)成。
可以從用于傳統(tǒng)光記錄介質(zhì)的任何已知材料中，選擇用于基板11、反射層12、第二電介質(zhì)層13、第一電介質(zhì)層15和保護(hù)層16的材料。
例如，最好從玻璃或塑料樹脂(例如聚碳酸酯)中選擇用于基板11和保護(hù)層16的材料。這些材料對(duì)于用來記錄信息信號(hào)的光源的波長是透明的。另選地，可以通過粘合多個(gè)這樣的塑料樹脂制作這些層。另選地，這些層可以通過利用諸如旋轉(zhuǎn)涂覆的涂覆方法(然后固化樹脂)采用紫外線可固化樹脂等來制造。
對(duì)于設(shè)置做保護(hù)層以防止記錄層14氧化和基板11熱變形的第二電介質(zhì)層13和第一電介質(zhì)層15，最好從ZnS、SiO2、ZnS-SiO2等中選擇材料。另選地，這些材料可以從金屬化合物中選擇，例如金屬氮化物、金屬氧化物、金屬碳化物、金屬硫化物、金屬硒化物等或上述金屬化合物的混合物，其中可以使用金屬如Si、Ge、Al、Ti、Zr、Ta、Ce等。這些層可以由單層或多層構(gòu)成。
用于反射層12的材料最好從相對(duì)于用來記錄信息的光源的波長具有較高的折射率的材料中選擇。這樣的材料通?？梢詮氖褂弥T如金屬Al、Au、Ag、Cu和Cr、上述金屬的合金或混合物的金屬膜中選擇。
對(duì)由作為比較例的傳統(tǒng)方法制造的一次寫入型相變光記錄介質(zhì)，針對(duì)改寫記錄(overwrite-recording)之后信息信號(hào)的劣化特性進(jìn)行測量。
參考圖3，圖3示出了由聚碳酸酯樹脂制成的盤形基板11，該盤厚1.1mm，直徑為120mm，并在盤表面上形成有螺距為0.315μm的螺旋槽。在基板11上按以下順序形成有反射層12，由厚100nm的Ag-Pd-Cu合金制成；第二電介質(zhì)層13，由厚8nm的ZnS-SiO2制成；記錄層14，由厚14nm的Ge-In-Sb-Te制成；和第一電介質(zhì)層15，由厚35nm的ZnS-SiO2制成。通過濺射法形成各層。此外，使用紫外線可固化樹脂作為兩者間的粘合劑把由聚碳酸酯構(gòu)成的樹脂制造提供薄片(resin make provide sheet)附著在上述層之上，使得整個(gè)厚度達(dá)到0.1mm。然后通過照射波長為810nm的半導(dǎo)體激光使記錄層14結(jié)晶(初始化步驟)。
通過將傳統(tǒng)的非晶態(tài)標(biāo)記類型的相變型光記錄介質(zhì)放置在用于評(píng)估光盤的驅(qū)動(dòng)裝置上，在該光記錄介質(zhì)上形成信號(hào)圖形，其中該介質(zhì)以線性速度10m/s旋轉(zhuǎn)，并且波長為405nm的激光在通過數(shù)值孔徑為0.85的光學(xué)系統(tǒng)之后，照射到該介質(zhì)的面向保護(hù)層16的一側(cè)。在記錄信號(hào)時(shí)，使用記錄功率為5.0mW和窗口寬度為15.13nsec的多路徑。因此，記錄具有1-7調(diào)制的隨機(jī)圖形。
在第一次記錄之后，測量到具有大約10％抖動(dòng)的優(yōu)良結(jié)果。在第二次改寫記錄之后測量的抖動(dòng)大約為10％，并且在第一百次反復(fù)改寫記錄之后抖動(dòng)增加到大約11％。因此，確定具有這樣的抖動(dòng)程度的一次寫入型光記錄介質(zhì)是不合適的，因?yàn)樵摻橘|(zhì)可能存在下面的情況，即改寫記錄有可能改變記錄數(shù)據(jù)。
對(duì)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光記錄介質(zhì)測量關(guān)于改寫記錄之后信息信號(hào)的劣化特性。
下面返回參考圖1進(jìn)行說明。選擇具有(Sb70Te30)+Ge+In+Sb的構(gòu)成的Ge-In-Sb-Te材料和GeTe材料作為材料對(duì)，分別用于第一記錄層14a和第二記錄層14b。另選地，可以選擇GeTe和Ge-In-Sb-Te合金分別用于第一記錄層14a和第二記錄層14b。基板11是一個(gè)聚碳酸酯樹脂盤，厚1.1mm，直徑為120mm，并且在盤表面上形成有螺距為0.320μm的螺旋槽。在基板11上，通過濺射以給定順序形成以下數(shù)層反射層12，由厚100nm的Ag-Pd-Cu合金制成；第二電介質(zhì)層13，由厚6nm的ZnS-SiO2制成；第二記錄層14b，由厚6nm的GeTe制成；第一記錄層14a，由厚8nm的Ge-In-Sb-Te制成；和第一電介質(zhì)層15，由厚40nm的ZnS-SiO2制成。
此外，使用紫外線可固化樹脂作為兩者間的粘合劑將聚碳酸酯樹脂片附著在上述層上，使得整個(gè)厚度達(dá)到0.1mm。在緊接著上述處理之后的時(shí)刻，第一記錄層14a和第二記錄層14b的材料都出于非晶態(tài)。然后通過初始化步驟對(duì)第一記錄層14a和第二記錄層14b進(jìn)行處理。通過照射波長為810nm的半導(dǎo)體激光使各層結(jié)晶。從而完成非晶態(tài)標(biāo)記類型的相變型光記錄介質(zhì)的制造。介質(zhì)，即第一記錄層14a和第二記錄層14b在記錄信息信號(hào)之前處于晶態(tài)。
通過將信息信號(hào)記錄在根據(jù)第一實(shí)施例的光記錄介質(zhì)上，對(duì)關(guān)于改寫記錄之后信息信號(hào)的劣化特性進(jìn)行測量。評(píng)估條件與上述比較例中使用的相同。具體地，通過將光記錄介質(zhì)放置在用于評(píng)估光盤的驅(qū)動(dòng)裝置上，在該介質(zhì)上形成信號(hào)圖形，其中該介質(zhì)以線性速度10m/s旋轉(zhuǎn)，并且波長為405nm的激光在通過數(shù)值孔徑為0.85的光學(xué)系統(tǒng)之后，照射到介質(zhì)的面向保護(hù)層16的一側(cè)。在記錄信號(hào)時(shí)，使用記錄功率為5.0mW和窗口寬度為15.13nsec的多路徑。從而記錄下具有1-7調(diào)制的隨機(jī)圖形。
在第一次記錄之后，測量到具有大約10％抖動(dòng)的優(yōu)良結(jié)果。在第二次改寫記錄之后測量的抖動(dòng)很低并超出了可測范圍。在第一次記錄之后，對(duì)介質(zhì)進(jìn)行擦除處理，然后在該介質(zhì)上進(jìn)行重新記錄。在重新記錄之后測量的抖動(dòng)仍然超出了可測范圍。從而斷定該介質(zhì)優(yōu)選用做一次寫入型光記錄介質(zhì)。
選擇具有(Sb70Te30)+Ge+In+Sb的構(gòu)成的Ge-In-Sb-Te材料和具有Sb2Te3的構(gòu)成的Sb-Te材料作為材料對(duì)，分別用于第一記錄層14a和第二記錄層14b?；?1是一個(gè)聚碳酸酯樹脂盤，厚1.1mm，直徑為120mm，并且在盤表面上形成有螺距為0.315μm的螺旋槽。在基板11上，通過濺射以給定順序形成以下數(shù)層反射層12，由厚100nm的Ag-Pd-Cu合金制成；第二電介質(zhì)層13，由厚6nm的ZnS-SiO2制成；第二記錄層14b，由厚12nm的Sb-Te制成；第一記錄層14a，由厚8nm的Ge-In-Sb-Te制成；和第一電介質(zhì)層15，由厚40nm的ZnS-SiO2制成。此外，使用紫外線可固化樹脂作為兩者間的粘合劑將聚碳酸酯樹脂片附著在上述層上，使得整個(gè)厚度達(dá)到0.1mm。然后通過初始化步驟對(duì)第一記錄層14a和第二記錄層14b進(jìn)行處理，其中通過照射波長為810nm的半導(dǎo)體激光使各層結(jié)晶。
通過將信息信號(hào)記錄在根據(jù)第二實(shí)施例的光記錄介質(zhì)上，對(duì)關(guān)于改寫記錄之后信息信號(hào)的劣化特性進(jìn)行測量。除了采用3.0mW的記錄功率以外，評(píng)估條件與第一實(shí)施例中使用的幾乎相同。在第一次記錄之后，測量到具有大約12％抖動(dòng)的優(yōu)良結(jié)果。在第二次改寫記錄之后測量的抖動(dòng)很低并超出了可測范圍。在第一次記錄之后，對(duì)介質(zhì)進(jìn)行擦除處理，然后在該介質(zhì)上進(jìn)行重新記錄。在這樣的重新記錄之后測量的抖動(dòng)也超出了可測范圍。從而斷定該介質(zhì)優(yōu)選用做一次寫入型光記錄介質(zhì)。
下面參考圖4進(jìn)行說明。選擇具有(Sb70Te30)+Ge+In+Sb的構(gòu)成的Ge-In-Sb-Te化合物和具有Sb2Te3的構(gòu)成的Sb-Te化合物，分別作為第一記錄層14a和第二記錄層14b的材料?；?1是一個(gè)聚碳酸酯樹脂盤，厚1.1mm，直徑為120mm，并且在盤表面上形成有螺距為0.315μm的螺旋槽。在基板11上，通過濺射以給定順序形成以下數(shù)層反射層12，由厚15nm的Ag-Pd-Cu合金制成；第二電介質(zhì)層13，由厚7nm的ZnS-SiO2制成；第二記錄層14b，由厚2nm的Sb-Te制成；第一記錄層14a，由厚4nm的Ge-In-Sb-Te制成。在該實(shí)施例中，沒有形成第一電介質(zhì)層。此外，使用紫外線可固化樹脂作為兩者間的粘合劑將聚碳酸酯樹脂片附著在上述層上，使得整個(gè)厚度達(dá)到0.1mm。然后通過初始化步驟對(duì)第一記錄層14a和第二記錄層14b進(jìn)行處理，在該初始化步驟中，通過照射波長為810nm的半導(dǎo)體激光使各層結(jié)晶。
通過將信息信號(hào)記錄在根據(jù)第三實(shí)施例的光記錄介質(zhì)上，對(duì)關(guān)于改寫記錄之后信息信號(hào)的劣化特性進(jìn)行測量。除了采用5.5mW的記錄功率以外，評(píng)估條件與第一實(shí)施例中使用的幾乎相同。在第一次記錄之后，測量到具有大約12％抖動(dòng)的優(yōu)良結(jié)果。在第二次改寫記錄之后測量的抖動(dòng)很低并超出了可測范圍。在第一次記錄之后，對(duì)介質(zhì)進(jìn)行擦除處理，然后在該介質(zhì)上進(jìn)行重新記錄。在這樣的重新記錄之后測量的抖動(dòng)也超出了可測范圍。從而斷定該介質(zhì)優(yōu)選用做一次寫入型光記錄介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明，與淀積步驟之后的記錄層相比，記錄信息信號(hào)之后的記錄層被改變成具有更高穩(wěn)定性的非晶態(tài)。因此，防止記錄層通過擦除記錄標(biāo)記返回到可重寫狀態(tài)或可改寫狀態(tài)。
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，包括基板；和記錄層，通過將所述記錄層的相從晶態(tài)改變到非晶態(tài)來記錄信息信號(hào)；其特征在于，所述記錄層包括第一記錄層和第二記錄層，并且所述第一記錄層包括第一構(gòu)成，該第一構(gòu)成可以通過與所述第二記錄層中包含的成分相結(jié)合，改變成另一個(gè)在非晶態(tài)下更穩(wěn)定的構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第二記錄層包括第二構(gòu)成，該第二構(gòu)成可以通過與所述第一記錄層中包含的成分相結(jié)合，改變成另一個(gè)在非晶態(tài)下更穩(wěn)定的構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一構(gòu)成是晶態(tài)下的Sb-Te共晶化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第二構(gòu)成包括Ge和Te中至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一構(gòu)成還包括從包括Ag、Ge、In和Sb的組中選出的至少一種元素。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第二構(gòu)成包括Ge和Te中至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一構(gòu)成是晶態(tài)下的Sb-Te固溶體，使得Ge或Te的量的增加會(huì)降低結(jié)晶速率。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第二構(gòu)成包括Ge和Te中至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一構(gòu)成還包括從包括Ag、Ge、In和Sb的組中選出的至少一種元素。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第二構(gòu)成包括Ge和Te中至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一構(gòu)成是GeTe化合物，使得添加Sb會(huì)降低結(jié)晶速率。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第二構(gòu)成包括Sb。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一構(gòu)成還包括從包括Sb、Te和Sn的組中選出的至少一種元素。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第二構(gòu)成包括Sb。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一構(gòu)成包括Sb2Te3化合物，使得增加Sb的量會(huì)降低結(jié)晶速率。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第二構(gòu)成包括Sb。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一構(gòu)成還包括從包括Sb、Te和Sn的組中選出的至少一種元素。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第二構(gòu)成包括Sb。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一構(gòu)成包括Sb2Te3-GeTe混合物，使得增加Sb的量會(huì)降低結(jié)晶速率。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第二構(gòu)成包括Sb。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一構(gòu)成還包括從包括Sb、Te和Sn的組中選出的至少一種元素。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第二構(gòu)成包括Sb。
23.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于， 所述第一構(gòu)成是晶態(tài)下的Sb-Te共晶成分，而所述第二構(gòu)成是GeTe化合物，使得增加Sb的量會(huì)降低結(jié)晶速率。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一構(gòu)成還包括從包括Ag、Ge、In和Sb的組中選出的至少一種元素。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第二構(gòu)成還包括從包括Sb、Te和Sn的組中選出的至少一種元素。
26.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于， 所述第一構(gòu)成是晶態(tài)下的Sb-Te共晶化合物，而所述第二構(gòu)成是Sb2Te3-GeTe化合物，使得增加Sb的量會(huì)降低結(jié)晶速率。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一構(gòu)成還包括從包括Ag、Ge、In和Sb的組中選出的至少一種元素。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第二構(gòu)成還包括從包括Sb、Te和Sn的組中選出的至少一種元素。
29.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于， 所述第一構(gòu)成是晶態(tài)下的Sb-Te共晶化合物，而所述第二構(gòu)成包括Sb2Te3-GeTe混合物，使得增加Sb的量會(huì)降低結(jié)晶速率。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第一構(gòu)成還包括從包括Ag、Ge、In和Sb的組中選出的至少一種元素。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述第二構(gòu)成還包括從包括Sb、Te和Sn的組中選出的至少一種元素。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種非晶態(tài)記錄標(biāo)記類型的相變光記錄介質(zhì)。該光記錄介質(zhì)是一種一次寫入型介質(zhì)，能夠減小已經(jīng)被記錄的信息信號(hào)的劣化。根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的記錄層包括第一記錄層和第二記錄層。第一記錄層包括第一構(gòu)成，該第一構(gòu)成可以通過與第二記錄層中包含的成分相結(jié)合，改變成另一個(gè)在非晶態(tài)下更穩(wěn)定的構(gòu)成。
文檔編號(hào)G11B7/243GK1460999SQ0313640
公開日2003年12月10日 申請(qǐng)日期2003年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月15日
發(fā)明者細(xì)田康雄, 神野智施, 三森步美, 工藤秀雄 申請(qǐng)人:先鋒株式會(huì)社