專(zhuān)利名稱(chēng)：減振整體聚合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及含有聚合物的減振材料。本發(fā)明進(jìn)一步涉及用高玻璃轉(zhuǎn)變溫度減振材料制備的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)：
減振在許多機(jī)械系統(tǒng)中是一種常規(guī)需要，在這些機(jī)械系統(tǒng)中存在著由于常規(guī)擾動(dòng)激發(fā)的不希望有的共振。車(chē)輛中的懸掛系統(tǒng)，例如由于路面不平整，除非適當(dāng)?shù)販p振，否則會(huì)表現(xiàn)出大的有害的振動(dòng)。在車(chē)輛中使用的減振器由隔離機(jī)動(dòng)車(chē)輛座椅組件的沖擊和振動(dòng)的彈簧組成。
吸收能量的彈性體材料層是其它類(lèi)型的減振材料。聚乙烯、聚丙烯、非共軛二烯烴、橡膠交聯(lián)劑和類(lèi)似材料可以用于這些振動(dòng)系統(tǒng)中。金屬和聚合物的復(fù)合材料用在許多計(jì)算機(jī)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的外面來(lái)減小計(jì)算機(jī)內(nèi)部驅(qū)動(dòng)器的噪聲。減振器同時(shí)也用于印刷電路板和內(nèi)部磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中的主軸馬達(dá)。特別地，減振材料用來(lái)保護(hù)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部免受外部的沖擊力。
由于許多可能的應(yīng)用，已經(jīng)對(duì)能夠降低振動(dòng)的聚合物體系進(jìn)行了認(rèn)真的研究。大多數(shù)聚合物體系具有低的基本振動(dòng)頻率。在許多這些體系中，把彈性體和玻璃狀聚合物、金屬、或它們的組合物結(jié)合在一起使用，它們和單相均勻材料形成對(duì)比，例如整體系統(tǒng)。整體聚合物具有表面光潔度更好的優(yōu)點(diǎn)。因此，希望的是開(kāi)發(fā)室溫時(shí)能提供減振的減振系統(tǒng)，而不需要使用分散的橡膠相或塊狀共聚物。在此使用的“塊狀共聚物”術(shù)語(yǔ)指的是多相聚合物體系，它具有長(zhǎng)度可變的交替的單體順序。
在能夠減弱振動(dòng)的聚合物體系中，已經(jīng)認(rèn)真研究的一個(gè)領(lǐng)域是“外表面(first surface)”介質(zhì)。和壓縮盤(pán)和數(shù)字化視頻光盤(pán)(DVD)不一樣的是，存儲(chǔ)介質(zhì)含高面密度容量，常常高于5吉比特每平方英寸，使用外表面或近場(chǎng)讀/寫(xiě)技術(shù)以便增加面密度。在此使用的“外表面”指的是在基底表面上的數(shù)據(jù)層，其中光并不會(huì)穿過(guò)基底。在此使用的“近場(chǎng)讀/寫(xiě)技術(shù)”指的是一種光學(xué)機(jī)構(gòu)，其中數(shù)值孔徑大于大約1。對(duì)這些存儲(chǔ)介質(zhì)，雖然光學(xué)特性是不相關(guān)的，但是基底的物理和機(jī)械性能成為愈加重要的特性。對(duì)于高面密度應(yīng)用，包括外表面應(yīng)用，存儲(chǔ)介質(zhì)的表面質(zhì)量可能影響讀數(shù)裝置的準(zhǔn)確性、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的能力、和基底的復(fù)制質(zhì)量。而且，當(dāng)在使用時(shí)，存儲(chǔ)介質(zhì)的物理特性也會(huì)影響存儲(chǔ)和取回?cái)?shù)據(jù)的能力。例如，如果介質(zhì)的軸向位移過(guò)大，該軸向位移可能抑制數(shù)據(jù)準(zhǔn)確的取回和/或破壞讀/寫(xiě)裝置。因此，通過(guò)高模量或高阻尼得到振動(dòng)特性的改進(jìn)。
除高阻尼以外，存儲(chǔ)介質(zhì)應(yīng)當(dāng)能夠承受住后續(xù)的處理參數(shù)，例如，隨后各個(gè)層的施加，例如用于磁性介質(zhì)的濺射(例如溫度高達(dá)或超過(guò)大約200℃，常常高達(dá)或超過(guò)大約300℃)、和用于磁-光介質(zhì)的溫度大約為25℃到最高大約150℃。
在硬盤(pán)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)鈷-鉻-鉑(CoCrPt)縱向記錄合金主要用于做為濺射介質(zhì)。在濺射過(guò)程中，高的基底溫度用于幾種目的。第一，它往往產(chǎn)生低噪聲薄膜。預(yù)計(jì)溫度能夠通過(guò)促進(jìn)鉻擴(kuò)散到晶界上，從而促進(jìn)晶粒組成的偏析。通過(guò)降低信號(hào)來(lái)允許數(shù)據(jù)薄膜保持可接受的信號(hào)噪聲比(S/N)，低噪聲薄膜直接地把偏析這個(gè)能力轉(zhuǎn)換成支持高密度記錄。第二個(gè)主要的影響是對(duì)于這些類(lèi)型的合金，更高的溫度(以及其它因素)往往促進(jìn)更高的薄膜矯頑力。高的矯頑力促進(jìn)熱穩(wěn)定性的提高和因此提高性能。因此，存儲(chǔ)介質(zhì)具有足夠的熱穩(wěn)定性來(lái)防止沉積步驟中的變形是理想的。
振動(dòng)問(wèn)題和熱穩(wěn)定性在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置時(shí)是關(guān)鍵的因素，例如光盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。因此需要使用適用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的聚合物來(lái)開(kāi)發(fā)減振系統(tǒng)，特別是在基底應(yīng)用中。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，該存儲(chǔ)介質(zhì)包含1)含有至少一種聚碳酸酯部分的基底，和2)在基底上的至少一個(gè)數(shù)據(jù)層；聚碳酸酯含有結(jié)構(gòu)(I)、(II)、(III)、或(IV)的至少一種化合物；

其中聚碳酸酯的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度為至少約150℃。
本發(fā)明進(jìn)一步提供一種聚碳酸酯組合物，它包括結(jié)構(gòu)(I)、(II)、(III)、(IV)的至少一種化合物或它們的組合，其中聚碳酸酯在大約24℃的機(jī)械阻尼系數(shù)大于約0.04，玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于約150℃。
本發(fā)明進(jìn)一步提供改善物品振動(dòng)特性的一種方法，這個(gè)方法包含用結(jié)構(gòu)(I)、(II)、(III)、(IV)的至少一種化合物或它們組合來(lái)構(gòu)造聚碳酸酯物品，其中聚碳酸酯在溫度為24℃時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.04，玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃。


圖1是環(huán)十二烷基-1，1-(二-3-甲基-4-羥基苯)聚碳酸酯(DMCD-PC)、環(huán)十二烷基-1，1-(二-4-羥基苯)聚碳酸酯(CD-PC)、3，3-二(3-甲基-4-羥基苯)-(3H)-異苯基呋喃酮聚碳酸酯(DMP-PC)、3，3，5-三甲基環(huán)己基-1，1-(二-3-甲基-4-羥基苯)聚碳酸酯(DMBPI-PC)、和亞芴基-9-(二-3-甲基-4-羥基苯)聚碳酸酯(DMBPF-PC)的扭轉(zhuǎn)存儲(chǔ)模量圖。
圖2是環(huán)十二烷基-1，1-(二-3-甲基-4-羥基苯)聚碳酸酯(DMCD-PC)、環(huán)十二烷基-1，1-(二-4-羥基苯)聚碳酸酯(CD-PC)、3，3-二(3-甲基-4-羥基苯)-(3H)-異苯基呋喃酮聚碳酸酯(DMP-PC)，3，3，5-三甲基環(huán)己基-1，1-(二-3-甲基-4-羥基苯)聚碳酸酯(DMBPI-PC)、和亞芴基-9-(二-3-甲基-4-羥基苯)聚碳酸酯(DMBPF-PC)的扭轉(zhuǎn)損耗模量圖。
具體實(shí)施例方式
在本說(shuō)明書(shū)和下面的權(quán)利要求中，提到的許多術(shù)語(yǔ)應(yīng)該定義成具有下面的含義。
單數(shù)形式“a”、“an”和“the”，除非上下文明確指出，否則包括復(fù)數(shù)對(duì)象。
“任選的”或‘任選地’的含義是隨后描述的事件或情形可能發(fā)生或可能不發(fā)生，和本說(shuō)明書(shū)中包括所述事件或情形發(fā)生和沒(méi)有發(fā)生的情況。
“BPA”是雙酚A或2，2-二(4-羥基苯)丙烷。BPA-PC是由2，2-二(4-羥基苯)丙烷單體制備的聚碳酸酯。
“CD”是環(huán)十二烷基-1，1-(二-4-羥基苯)。CD-PC是由環(huán)十二烷基-1，1-(二-4-羥基苯)單體制備的聚碳酸酯。
“DMCD”是環(huán)十二烷基-1，1-(二-3-甲基-4-羥基苯)。DMCD-PC是由環(huán)十二烷基-1，1-(二-3-甲基-4-羥基苯)單體制備的聚碳酸酯。
“DMBPI”是3，3，5-三甲基環(huán)已基-1，1-(二-3-甲基-4-羥基苯)。DMBPI-PC是由3，3，5-三甲基環(huán)已基-1，1-(二-3-甲基-4-羥基苯)單體制備的聚碳酸酯。
“DMBPF”是亞芴基-9-(二-3-甲基-4-羥基苯)。DMBPF-PC是由亞芴基-9-(二-3-甲基-4-羥苯基)單體制備的聚碳酸酯。
“DMP”是3，3-二(3-甲基-4-羥苯基)-(3H)-異苯基呋喃酮。DMP-PC是由3，3-二(3-甲基-4-羥苯基)-(3H)-異苯基呋喃酮單體制備的聚碳酸酯。
在本發(fā)明中，出乎意料地發(fā)現(xiàn)，基底含有在此公開(kāi)的聚合物時(shí)，表現(xiàn)出合適的玻璃轉(zhuǎn)變溫度和表現(xiàn)出優(yōu)越的減振特性。為了有效減振，材料應(yīng)該吸收能量、耗散能量或它們的組合，由于平面剪切或材料的體積壓縮或膨脹，振動(dòng)穿過(guò)材料轉(zhuǎn)換成熱能。
本發(fā)明的存儲(chǔ)介質(zhì)包含聚碳酸酯，它含有結(jié)構(gòu)單元(I)、(II)、(III)、(IV)或它們的組合。

它含有優(yōu)越的減振特性、高于大約150℃的玻璃轉(zhuǎn)變溫度并適用于基底應(yīng)用。也就是說(shuō)，聚碳酸酯具有足夠的熱穩(wěn)定性來(lái)防止在沉積過(guò)程中的變形。在本發(fā)明中，基底常常具有大于約0.04的機(jī)械阻尼系數(shù)，阻尼系數(shù)定義為損耗模量與存儲(chǔ)模量的比率，在優(yōu)選的溫度時(shí)機(jī)械阻尼系數(shù)大于大約0.10，并且在大約24℃和特別優(yōu)選地在1Hz到500Hz之間頻率范圍的條件下，機(jī)械阻尼系數(shù)大于約0.5。機(jī)械阻尼定義為損耗模量與存儲(chǔ)模量之間的比率。諸如塑料樹(shù)脂的粘彈體材料，同時(shí)具有代表彈性剛度的存儲(chǔ)模量和代表粘滯強(qiáng)度的損耗模量。
具有碳酸酯結(jié)構(gòu)單元(I)的聚碳酸酯被稱(chēng)為環(huán)十二烷基-1，1-(二-3-甲基-4-羥基苯)(DMCD-PC)；碳酸酯結(jié)構(gòu)單元(II)被稱(chēng)為3，3，5-三甲基環(huán)十二烷基-1，1-(二-3-甲基-4-羥基苯)(DMBPI-PC)；碳酸酯結(jié)構(gòu)單元(III)被稱(chēng)為3，3-二(3-甲基-4-羥基苯)-(3H)-異苯基呋喃酮(DMP-PC)；和碳酸酯結(jié)構(gòu)單元(IV)也被稱(chēng)為亞芴基-9-(二-3-甲基-4-羥基苯)(DMBPF-PC)。
本發(fā)明的基底，包含碳酸酯結(jié)構(gòu)單元(I)、(II)、(III)、(IV)，或它們的組合，表現(xiàn)出良好的凹點(diǎn)復(fù)制和高的表面質(zhì)量。部分地，這是由于材料是整體的和不需要在聚合物中加入填充物。優(yōu)選的是基底的至少一部分表面的表面粗糙度小于約10埃，和更優(yōu)選地小于約5埃。常常在平均10微米乘以10微米的面積上測(cè)量粗糙度和使用原子力顯微鏡測(cè)量粗糙度。
聚碳酸酯的重均分子量(Mw)，是由相對(duì)于聚苯乙烯的凝膠滲析色譜法確定的，Mw常常為約10000至約100000，更典型地約10000到約50000，還更典型地約12000到約40000。
樹(shù)脂組合物也可能包括各種添加劑，通常并入到這種類(lèi)型的樹(shù)脂組合物中。這些添加劑是例如填充物或增強(qiáng)劑；熱穩(wěn)定劑；抗氧化劑；光穩(wěn)定劑；增塑劑；抗靜電劑；脫模劑；附加的樹(shù)脂；發(fā)泡劑等等，以及包含至少一種前述添加劑的組合。填充物或增強(qiáng)劑的例子包括玻璃纖維、石棉、碳纖維、二氧化硅、滑石或碳酸鈣。熱穩(wěn)定劑的例子包括亞磷酸三苯酯、三-(2，6-二甲苯)亞磷酸酯、三-(混合單-和二-壬基苯)亞磷酸酯、二甲基苯磷酸酯和三甲基磷酸酯?？寡趸瘎┑睦影ㄊ送榛?3-(3，5-二-叔丁基-4-羥基苯)丙酸酯、和季戊四醇基-四[3-(3，5-二-叔丁基-4-羥基苯)丙酸酯]。光穩(wěn)定劑的實(shí)例包括2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-叔辛基苯基)-苯并三唑和2-羥基-4-正辛氧基苯甲酮。增塑劑的實(shí)例包括二辛基-4，5-環(huán)氧-六氫鄰苯二甲酸酯、三-(八氧羰基乙基)異氰脲酸酯、三硬脂酸甘油酯和環(huán)氧大豆油?？轨o電劑的實(shí)例包括單硬脂酸甘油酯、十八烷基磺酸鈉、和十二烷基苯磺酸鈉。脫模劑的實(shí)例包括硬脂酸十八烷基酯、蜂蠟、褐煤蠟和石蠟。其它樹(shù)脂的實(shí)例包括但是并不限制于聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯醚。也可以使用上述添加劑的組合。這些添加劑可以在組分混合形成組合物的過(guò)程中混合在合適的時(shí)間混合。
除了塑料和著色劑之外，所述組合物任選可以包括一般并入到這種類(lèi)型樹(shù)脂組合物中的各種添加劑。這些添加劑可能包括抗氧化劑、熱穩(wěn)定劑、抗靜電劑(四烷基銨苯磺酸鹽、四甲基鏻苯磺酸鹽等等)，脫模劑(四硬脂酸季戊四醇酯、丙三醇單硬脂酸酯等等)，等等，和含有上述至少一種的組合。例如，基底可以包含大約0.01wt％-大約0.1wt％的熱穩(wěn)定劑；大約0.01wt％到大約0.2wt％的抗靜電劑；和大約0.1wt％到大約1wt％的脫模劑；以基底的總重量為基準(zhǔn)。
一些可能的抗氧化劑包括，例如，有機(jī)亞磷酸脂，例如三(壬基-苯基)亞磷酸酯、三(2，4-叔丁苯基)亞磷酸酯、二亞磷酸二(2，4-二-叔丁苯基)季戊四醇酯、二硬脂酰季戊四醇二亞磷酸酯等等；烷基化一元酚、多元酚和多元酚與二烯烴的烷基化反應(yīng)產(chǎn)物，例如，四[亞甲基(3，5-二叔丁基-4-羥基氫肉桂酸酯)]甲烷、3，5-二-叔丁基-4-羥基氫肉桂酸十八烷基酯、2，4-二-叔丁苯基亞磷酸酯，等等；對(duì)甲酚和二環(huán)戊二烯的丁基化反應(yīng)產(chǎn)物；烷基化氫醌；羥基化硫代二苯醚；次烷基-雙酚；芐基化合物；β-(3，5-二-叔丁基-4-羥苯基)-丙酸與一元醇或多元醇的酯；β-(5-叔丁基-4-羥基-3-苯甲基)-丙酸與一元醇或多元醇的酯；硫代烷基或硫代芳基化合物的酯，例如二硬脂酰硫代丙酸酯、二月桂基硫代丙酸酯、二(十三烷基)硫代丙酸酯等等；β-(3，5-二-叔丁基-4-羥苯基)丙酸的酰胺等等，以及含有至少上述一種的組合物。
其它可以使用的可能添加劑包括紫外吸收劑；例如光和熱穩(wěn)定劑的穩(wěn)定劑(例如，酸性磷基化合物)；受阻酚；氧化鋅和/或硫化鋅顆粒；滑潤(rùn)劑(礦物油等等)，增塑劑、染料(奎寧、偶氮苯等等)；其中，以及含有至少一種上述添加劑的組合物。
為了幫助塑料的加工，特別是聚碳酸酯的加工，還可以使用催化劑，即在擠出機(jī)或其它混合設(shè)備中進(jìn)行塑料加工。催化劑常常幫助控制所得材料的粘度。催化劑包括氫氧化物，例如四烷基氫氧化銨、二乙基二甲基氫氧化銨、四烷基氫氧化鏻、四丁基氫氧化鏻等等，優(yōu)選為二乙基二甲基氫氧化銨和四丁基氫氧化磷。催化劑可單獨(dú)使用或與例如酸的猝滅劑組合使用，酸例如磷酸等。另外，水可以在配料過(guò)程中注入到聚合物熔體中，并且通過(guò)排氣口以水蒸氣形式除去以排出殘余的揮發(fā)性化合物。
本發(fā)明的存儲(chǔ)介質(zhì)在高面密度應(yīng)用、外表面和相類(lèi)似應(yīng)用中是非常有用的，其中入射到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的能量場(chǎng)在沒(méi)有或至少先于接觸基底的情況下接觸數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層。換句話(huà)說(shuō)，和常規(guī)壓縮磁盤(pán)和相類(lèi)似的應(yīng)用對(duì)比，能量場(chǎng)并不穿過(guò)基底來(lái)接觸數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層或通過(guò)基底的反射到達(dá)讀取設(shè)備。為了在這樣的高面密度應(yīng)用中發(fā)揮作用，存儲(chǔ)介質(zhì)質(zhì)量必須超過(guò)常規(guī)壓縮磁盤(pán)和相關(guān)介質(zhì)的質(zhì)量。與常規(guī)壓縮磁盤(pán)和類(lèi)似的介質(zhì)相比，所述存儲(chǔ)介質(zhì)當(dāng)被環(huán)境振動(dòng)、旋轉(zhuǎn)振動(dòng)或它們的組合激發(fā)時(shí)應(yīng)該具有減小的軸向位移、代表更少的不規(guī)則性或不完整性的更高表面質(zhì)量、和更小的慣性旋轉(zhuǎn)力矩(常常大約為5.5slug-in2或更小，更典型地為大約4.5slug-in2或更小，特別典型為大約4.0slug-in2或更小)等等。而且，存儲(chǔ)介質(zhì)典型地包括面密度超過(guò)大約5吉比特每平方英寸(Gbit/in2)，更典型地高于大約20Gbits/in2，最典型地高于大約50Gbits/in2，預(yù)期最高或超過(guò)大約100Gbits/in2。
一般來(lái)說(shuō)，在高面密度應(yīng)用中，即大約5Gbits/in2或更大時(shí)，讀/寫(xiě)裝置位于相對(duì)接近存儲(chǔ)介質(zhì)的表面(投射距離)，一般來(lái)說(shuō)，需要的密度越大，讀/寫(xiě)設(shè)備應(yīng)該越靠近于存儲(chǔ)介質(zhì)的表面。在這些距離中，投射距離一般小于0.3毫米(mm)，和常常小于大約760納米(nm)。對(duì)于非常高的密度，讀/寫(xiě)設(shè)備通常非常接近所述表面，例如，小于大約0.064微米(μ)，常常小于大約0.013μ。因此，基底的軸向位移應(yīng)該足夠地小于容許的系統(tǒng)軸向位移距離，以便使讀/寫(xiě)設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)表面在振動(dòng)、沖擊或它們的組合過(guò)程中免受損害，例如，對(duì)于經(jīng)受大約1G(重力加速度)的正弦重量負(fù)載和大約170赫茲(Hz)的共振頻率的盤(pán)(外徑130mm、內(nèi)徑為40mm，和厚度為1.2mm)，常常測(cè)量峰到峰間的軸向位移小于大約250μ，例如在主要問(wèn)題是對(duì)基底、讀/寫(xiě)設(shè)備或它們的組合的損壞時(shí)，軸向位移小于大約125μ是特別常見(jiàn)的。典型地，對(duì)于作用時(shí)間在大約2毫秒和大約10毫秒之間、在沖擊最大為25G，保持峰到峰測(cè)量中的軸向位移大約500μ或更小，優(yōu)選為大約250μ或更小。優(yōu)選地在大約35G時(shí)保持這樣的位移。然而，在其它情況下，例如，那些具有大一些的投射距離(例如，投射距離大約為0.30μ或更大一些)，則對(duì)于讀寫(xiě)頭的損害并不是一個(gè)主要問(wèn)題，優(yōu)選地具有非常小的軸向位移、磁盤(pán)傾斜、或它們的組合，使光學(xué)裝置保持焦點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)，因?yàn)樗鼈儗?duì)焦矩的快速變化不能響應(yīng)。放置在基底上的數(shù)據(jù)讀取系統(tǒng)常常在1Hz到500Hz頻率范圍工作，更典型地在100Hz到200Hz頻率范圍內(nèi)工作。典型地，在靜止?fàn)顟B(tài)下測(cè)量(例如不是在旋轉(zhuǎn)狀態(tài))的最大徑向傾斜和切線(xiàn)傾斜獨(dú)立地分別僅僅為大約1°，和更典型地分別小于大約0.3°。
基底軸向位移是盤(pán)尺寸規(guī)格(內(nèi)徑和外徑和厚度)、其剛度(撓曲模量)和密度、泊松比、損耗模量、和存儲(chǔ)模量的函數(shù)。當(dāng)盤(pán)的外徑增大時(shí)，盤(pán)的軸向位移在沖擊下會(huì)增大。當(dāng)盤(pán)的厚度減小時(shí)，它的剖面剛度降低而其軸向位移增大。目前，存儲(chǔ)介質(zhì)的尺寸是由工業(yè)規(guī)定的，使它們能用于目前可用的存儲(chǔ)介質(zhì)讀/寫(xiě)設(shè)備。存儲(chǔ)介質(zhì)典型的內(nèi)徑在大約15mm到大約40mm的范圍內(nèi)，外徑在大約65mm到大約130mm的范圍內(nèi)?？偤穸仍诖蠹s0.8mm到大約2.5mm范圍內(nèi)，通常優(yōu)選的厚度達(dá)到大約1.2mm。如果必要，也可以使用其它尺寸的直徑和厚度以得到更硬的結(jié)構(gòu)。
在此描述的存儲(chǔ)介質(zhì)可以用于常規(guī)光學(xué)、磁光、和磁系統(tǒng)，以及用于需要更高質(zhì)量的存儲(chǔ)介質(zhì)、高面密度或它們的組合的先進(jìn)系統(tǒng)中。在使用中，存儲(chǔ)介質(zhì)的放置與讀/寫(xiě)設(shè)備的關(guān)系使得能量(例如，磁、光、電或它們的組合)以入射在存儲(chǔ)介質(zhì)上的能量場(chǎng)形式與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層接觸。能量場(chǎng)接觸放置在存儲(chǔ)介質(zhì)上的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層。能量場(chǎng)引起存儲(chǔ)介質(zhì)的一些物理或化學(xué)變化，以致在數(shù)據(jù)層上的那個(gè)點(diǎn)記錄能量的入射。例如，入射磁場(chǎng)可能改變了層內(nèi)磁疇的取向或入射光束可能在光加熱材料的地方造成相變。
可以使用各種方法來(lái)制備存儲(chǔ)介質(zhì)，包括但并不局限于注塑法、發(fā)泡法、濺射、等離子體氣相沉積、真空淀積、電沉積、旋涂、彎液面涂布、數(shù)據(jù)沖壓、模壓加工壓花、表面拋光、夾緊、層壓、轉(zhuǎn)臺(tái)模塑、二次注塑、共注塑、膜的覆蓋注塑(over-molding)、微孔成型、和它們的組合。典型地，使用的技術(shù)能原位制備含有所需要特性的基底，例如凹坑和凹槽。這樣的一個(gè)方法包含注塑-壓制技術(shù)，它的模子里充滿(mǎn)了在此定義的聚合物熔體。模子可能包含預(yù)型件、嵌件等等。聚合物體系被冷卻，但是仍至少部分地處于熔融狀態(tài)，在基底的所需要部分上壓制得到所需要的表面特性，排列成螺旋形、同心的、或其它形式的取向，例如在所需要區(qū)域的單面或雙面?；兹缓罄鋮s到室溫。
對(duì)于在基底上的磁性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，所存儲(chǔ)的信息以至少一個(gè)數(shù)據(jù)層的形式存儲(chǔ)在基底表面上。這個(gè)信息可能以凹坑和凹槽、或它們的組合(象在壓縮磁盤(pán)的情況下)的形式直接壓印在表面上或存儲(chǔ)在可以用光-、熱-、或磁性確定的介質(zhì)上，其中所述介質(zhì)已經(jīng)沉積在基底表面上。
本發(fā)明的聚碳酸酯可以通過(guò)界面法、熔融法、或固態(tài)法制備。如果使用界面法，可選地加入各種相傳遞催化劑。合適的相傳遞催化劑包括，但并不局限于叔胺例如三乙胺；銨鹽例如四丁基溴化銨、六乙基氯化胍；或它們的組合；單官能苯酚，例如對(duì)異丙苯基苯酚和4-丁基苯酚；長(zhǎng)鏈烷基苯酚，例如腰果酚和壬基酚；和做為鏈終止劑使用的雙官能苯酚。任選地，鏈終止劑可以引入到聚碳酸酯中，以重復(fù)單元的總摩爾量為基準(zhǔn)，鏈終止劑用量在大約0.1mol％到大約10mol％的范圍內(nèi)，更典型地在大約1mol％到大約5mol％范圍內(nèi)。
界面法包括使用諸如光氣的碳酸鹽前體，在用界面法的一些例子中，必須調(diào)整光氣化作用條件。特別地，在與單體在反應(yīng)介質(zhì)中的溶解度和單體結(jié)構(gòu)有關(guān)的單體的特征反應(yīng)性促進(jìn)不需要的環(huán)狀低聚物形成的情況下，應(yīng)當(dāng)調(diào)節(jié)光氣化條件。
本發(fā)明的聚碳酸酯也可以通過(guò)熔融或酯基轉(zhuǎn)移法來(lái)制備。這個(gè)方法不需要使用光氣或溶劑，并使低分子量污染物的形成最少，例如在最終聚合物中環(huán)狀或線(xiàn)性低分子量低聚物。單體與諸如二芳基碳酸酯的碳酸酯源以及少量的催化劑混合，催化劑例如堿金屬氫氧化物或氫氧化銨，根據(jù)操作規(guī)程在真空下加熱，溫度經(jīng)過(guò)一系列階段上升，同時(shí)反應(yīng)混合物頂部空間的壓力從環(huán)境壓力降低到大約1torr。
合適的碳酸酯源、催化劑、和反應(yīng)條件見(jiàn)于U.S.5,880,248和Kirk-othmer Encyclopedia of Chemical Technology，F(xiàn)ourth Edition，Volume 19，pp.585-600中。每段時(shí)間和溫度使得可以避免材料在經(jīng)過(guò)起泡時(shí)的機(jī)械損失等等。苯酚和過(guò)量的碳酸二苯基酯從頂部移走來(lái)完成聚合過(guò)程。然后分離熔體形式的高聚合物產(chǎn)品，該熔體可以與諸如穩(wěn)定劑和脫模劑的其它添加劑在制粒過(guò)程前混合在一起。相對(duì)于界面方法制備的產(chǎn)品，通過(guò)熔融法制備的產(chǎn)品已經(jīng)降低了不溶性顆粒的數(shù)量和降低了低分子量污染物的含量，低分子量污染物例如環(huán)狀低聚物。
實(shí)施例給出下面的實(shí)施例是為了向本領(lǐng)域技術(shù)人員提供如何制備和評(píng)價(jià)這里所要求保護(hù)的組合物和方法的完整公開(kāi)內(nèi)容和描述，但是發(fā)明人不欲限制其發(fā)明范圍。已經(jīng)努力確保有關(guān)數(shù)字的準(zhǔn)確性(例如數(shù)量、溫度等等)，但是應(yīng)當(dāng)說(shuō)明存在一些錯(cuò)誤和偏差。如果不另外說(shuō)明，份是按重量計(jì)的，溫度是攝氏度(℃)或在室溫，以及壓力是在大氣壓或接近大氣壓。
這里所示結(jié)果所用的材料和檢測(cè)程序如下所示DMCD均聚碳酸酯的制備在500亳升(mL)的莫頓瓶中放入DMCD(19.0g，50mmol)、90ml二氯甲烷和90ml水。用50wt％氫氧化鈉(NaOH)調(diào)整pH值到10.5-11.0。光氣按0.6克每分鐘(g/min)的速率加入，在加入5.0g(50mmol)時(shí)，加入對(duì)異丙苯基苯酚(0.43g，4mol％)，并且繼續(xù)加入光氣直到共加入6.0g(過(guò)量20mol％)。pH降低到10.5(用光氣)，在此時(shí)加入50μl三乙胺(TEA)，接著在3分鐘之后再加入50μl的TEA。氯甲酸酯除去后，再加入額外的3.5g光氣。對(duì)反應(yīng)混合物的氯甲酸酯進(jìn)行檢測(cè)，如果存在，加入DMBA(10μl)(二甲基丁胺)使它水解。將聚合物溶液與鹽水分離、用鹽酸(HCl)的水溶液洗滌、用水洗滌和在攪拌機(jī)里用蒸氣搗碎。Mw＝39300(聚苯乙烯標(biāo)樣)，Tg＝197℃。
DMBPI均聚碳酸酯的制備在500亳升(mL)的莫頓瓶中放入DMBPI(16.9g，50mmol)、100ml二氯甲烷和80ml水。用50wt％NaOH調(diào)整pH值到12.5。光氣按0.6g/min的速率加入，在加入5.0g(50mmol)時(shí)，加入對(duì)異丙苯基苯酚(0.21g，2mol％)，并且繼續(xù)加入光氣直到共加入6.0g(過(guò)量20mol％)。pH降低到10.5(用光氣)，在此時(shí)加入25μl的TEA，接著在5分鐘之后再加入25μl的TEA。在氯甲酸酯除去后，再加入25μl TEA(總共125μl，大約1mol％)，再加額外的3.5g光氣。對(duì)反應(yīng)混合物中的氯甲酸酯進(jìn)行檢測(cè)，如果存在，加入DMBA(5μl)(二甲基丁胺)使它水解。將聚合物溶液與鹽水分離、用HCl的水溶液洗滌、用水洗滌和在攪拌機(jī)里用蒸氣搗碎。Mw＝46100(聚苯乙烯標(biāo)樣)，Tg＝196℃。
DMBPF均聚碳酸酯的制備在500亳升(ml)的莫頓瓶中放入DMBPF(18.9g，50mmol)、90ml二氯甲烷和90ml水。用50wt％NaOH調(diào)整pH值到11.5。光氣按0.6g/min的速率加入，在加入5.0g(50mmol)時(shí)，加入對(duì)異丙苯基苯酚(0.43g，4mol％)，并且繼續(xù)加入光氣直到共加入6.0g(過(guò)量20mol％)。pH降低到10.5(用光氣)，在此時(shí)加入50μl TEA，接著在3分鐘之后再加入50μl TEA。在氯甲酸酯除去后，再加入額外的2.25g光氣。對(duì)反應(yīng)混合物中的氯甲酸酯進(jìn)行檢測(cè)。如果存在，加入DMBA(5μl)(二甲基丁胺)使它水解。將聚合物溶液與鹽水分離、用HCl的水溶液洗滌、用水洗滌和在攪拌機(jī)里用蒸氣搗碎。Mw＝29400(聚苯乙烯標(biāo)樣)，Tg＝237℃。
DMP均聚碳酸酯的制備在500亳升(ml)的莫頓瓶中放入DMP(34.6g，100mmol)、90ml二氯甲烷和90ml水。用50wt％NaOH調(diào)整pH值到10.0。光氣按0.6g/min的速率加入，在加入9.5g(95mmol)時(shí)，加入對(duì)異丙苯基苯酚(0.64g，3mol％)，并且繼續(xù)加入光氣直到共加入12.1g(過(guò)量20mol％)。pH降低到10.5(用光氣)，在此時(shí)加入75μl TEA，接著在3分鐘之后再加入73μl TEA。在氯甲酸酯除去后，再加入額外的3.5g光氣。對(duì)反應(yīng)混合物中的氯甲酸酯進(jìn)行檢測(cè)，如果存在，加入DMBA(5μl)(二甲基丁胺)使它水解。將聚合物溶液與鹽水分離、用HCl的水溶液洗滌、用水洗滌和在攪拌機(jī)里用蒸氣搗碎。Mw＝61300(聚苯乙烯標(biāo)樣)，Tg＝218℃。
圖1和圖2是由幾種聚碳酸酯的扭轉(zhuǎn)動(dòng)力學(xué)機(jī)械測(cè)量所測(cè)得的損耗和存儲(chǔ)模量的測(cè)試結(jié)果曲線(xiàn)。在接近室溫時(shí)損耗模量大的β松馳表明它們是有用的減振材料(峰和峰之間的軸向位移與損耗模量的倒數(shù)成正比)。
上面給出的各種材料體系的扭轉(zhuǎn)模量測(cè)定是在流變動(dòng)力學(xué)分光計(jì)(model 7700)上進(jìn)行的，使用扭矩矩形夾具。這些檢測(cè)使用的樣品一般為2.5英寸長(zhǎng)、0.5英寸寬和0.125英寸厚。通過(guò)壓模法制備樣品。用經(jīng)過(guò)在頻率為1 0弧度每秒的0.1％應(yīng)變的樣品進(jìn)行所有測(cè)試。樣品須經(jīng)過(guò)從-150℃到150℃的熱掃描循環(huán)，加熱速率為2℃每分鐘。在測(cè)試過(guò)程中持續(xù)檢測(cè)施加的應(yīng)變和負(fù)載，從該數(shù)據(jù)計(jì)算存儲(chǔ)模量(G’)，損耗模量(G”)和損耗角正切(tanδ)。
通過(guò)傳遞函數(shù)確定由高模量和阻尼得到的增益，傳遞函數(shù)預(yù)測(cè)峰和峰之間的軸向位移δmaxPeak-Peak=ncγ(1-υ)2E′′h2,]]>和

其中b和c是從有限元分析獲得的與材料性質(zhì)無(wú)關(guān)的常數(shù)，E’是存儲(chǔ)模量，E”(損耗模量)是材料阻尼的測(cè)度，υ是泊松比，γ是比重，h是盤(pán)厚度，ωm1是第一階眾數(shù)頻率，和n是峰到峰的‘g’(加速度)載荷。從圖表中得到的E’、E”、和損耗角正切δ的值來(lái)決定各個(gè)材料的分散和頻率。表1是25℃時(shí)扭轉(zhuǎn)測(cè)量中得到的基于G’和G”的軸向位移和固有頻率的預(yù)測(cè)值的結(jié)果匯總。
表1

從120mm盤(pán)預(yù)期的振動(dòng)響應(yīng)的這些結(jié)果可以清楚地看出，與BPA-PC和CD-PC相比，DMCD-PC、DMP-PC、DMBPI-PC、和DMBPF-PC在振動(dòng)負(fù)荷下盤(pán)的最大的軸向位移明顯地降低。
雖然已經(jīng)為了說(shuō)明的目的描述了典型的實(shí)施方案，但是前述的描述不應(yīng)該被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明范圍的限制。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員也會(huì)想到各種各樣的更改、改進(jìn)和比較方案，而不會(huì)脫離本發(fā)明的范圍和實(shí)質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，該存儲(chǔ)介質(zhì)包含1)有至少一個(gè)聚碳酸酯部分的基底，和2)在基底上的至少一個(gè)數(shù)據(jù)層；所述聚碳酸酯含有結(jié)構(gòu)(I)、(II)、(III)、(IV)的至少一種化合物，或它們的組合 其中聚碳酸酯的玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)介質(zhì)，其中聚碳酸酯包含結(jié)構(gòu)(I)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)介質(zhì)，其中聚碳酸酯包含結(jié)構(gòu)(II)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)介質(zhì)，其中聚碳酸酯包含結(jié)構(gòu)(III)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)介質(zhì)，其中聚碳酸酯包含結(jié)構(gòu)(IV)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)介質(zhì)，其中聚碳酸酯在溫度大約24℃時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.04。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的存儲(chǔ)介質(zhì)，其中聚碳酸酯在溫度大約24℃時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.1。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的存儲(chǔ)介質(zhì)，其中聚碳酸酯在溫度大約24℃時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.5。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲(chǔ)介質(zhì)，其中相對(duì)于聚苯乙烯，聚碳酸酯的重均分子量在大約10000到大約100000之間的范圍內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的存儲(chǔ)介質(zhì)，其中相對(duì)于聚苯乙烯，聚碳酸酯的重均分子量在大約10000到大約50000之間的范圍內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的存儲(chǔ)介質(zhì)，其中相對(duì)于聚苯乙烯，聚碳酸酯的重均分子量在大約12000到大約40000之間的范圍內(nèi)。
12.一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，該存儲(chǔ)介質(zhì)包含1)含有至少一個(gè)聚碳酸酯部分的基底，和2)在基底上的至少一個(gè)數(shù)據(jù)層；聚碳酸酯部分含有結(jié)構(gòu)(I)的殘基 其中聚碳酸酯的玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃和在大約24℃溫度時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.04。
13.一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，該存儲(chǔ)介質(zhì)包含1)含有至少一個(gè)聚碳酸酯部分的基底，和2)基底上的至少一個(gè)數(shù)據(jù)層；聚碳酸酯部分含有結(jié)構(gòu)(II)的殘基 其中聚碳酸酯的玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃和在大約24℃溫度時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.04。
14.一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，該存儲(chǔ)介質(zhì)包含1)含有至少一個(gè)聚碳酸酯部分的基底，和2)在基底上的至少一個(gè)數(shù)據(jù)層；聚碳酸酯部分含有結(jié)構(gòu)(III)的殘基 其中聚碳酸酯的玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃和在大約24℃溫度時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.04。
15.一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，該存儲(chǔ)介質(zhì)包含1)含有至少一個(gè)聚碳酸酯部分的基底，和2)在基底上的至少一個(gè)數(shù)據(jù)層；聚碳酸酯部分含有結(jié)構(gòu)(IV)的剩余基 其中聚碳酸酯的玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃和在大約24℃溫度時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.04。
16.具有改進(jìn)的減振特性的聚碳酸酯組合物，它含有結(jié)構(gòu)(I)、(II)、(III)、(IV)的至少一種化合物，或它們的組合 其中，聚碳酸酯在大約24℃溫度時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.04和玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的聚碳酸酯組合物，它含有結(jié)構(gòu)式(I)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的聚碳酸酯組合物，它含有結(jié)構(gòu)式(II)。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的聚碳酸酯組合物，它含有結(jié)構(gòu)式(III)。
20.根據(jù)權(quán)利要求16的聚碳酸酯組合物，它含有結(jié)構(gòu)式(IV)。
21.根據(jù)權(quán)利要求16的聚碳酸酯組合物，其中相對(duì)于聚苯乙烯，聚碳酸酯的重均分子量在大約10000到大約100000之間的范圍內(nèi)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的聚碳酸酯組合物，其中相對(duì)于聚苯乙烯，聚碳酸酯的重均分子量在大約10000到大約50000之間的范圍內(nèi)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的聚碳酸酯組合物，其中相對(duì)于聚苯乙烯，聚碳酸酯的重均分子量在大約12000到大約40000之間的范圍內(nèi)。
24.根據(jù)權(quán)利要求16的聚碳酸酯組合物，其中聚碳酸酯在24℃溫度時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.1。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的聚碳酸酯組合物，其中聚碳酸酯在24℃溫度時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.5。
26.具有改進(jìn)的減振特性的聚碳酸酯組合物，它包含結(jié)構(gòu)(I)的化合物 其中聚碳酸酯在24℃溫度時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.04和玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃。
27.具有改進(jìn)的減振特性的聚碳酸酯組合物，它包含結(jié)構(gòu)(II)的化合物 其中聚碳酸酯在24℃溫度時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.04和玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃。
28.具有改進(jìn)的減振特性的聚碳酸酯組合物，它包含結(jié)構(gòu)(III)的化合物 其中聚碳酸酯在24℃溫度時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.04和玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃。
29.具有改進(jìn)的減振特性的聚碳酸酯組合物，它包含結(jié)構(gòu)(IV)的化合物 其中聚碳酸酯在24℃溫度時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.04和玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃。
30.提高物品減振特性的方法，該方法包含用結(jié)構(gòu)(I)、(II)、(III)、(IV)的至少一種化合物或它們的組合構(gòu)造聚碳酸酯物品 其中聚碳酸酯在24℃溫度時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.04和玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中聚碳酸酯含有結(jié)構(gòu)(I)。
32.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中聚碳酸酯含有結(jié)構(gòu)(II)。
33.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中聚碳酸酯含有結(jié)構(gòu)(III)。
34.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中聚碳酸酯含有結(jié)構(gòu)(IV)。
35.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中聚碳酸酯在24℃溫度時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.1。
36.根據(jù)權(quán)利要求35的方法，其中聚碳酸酯在24℃溫度時(shí)的機(jī)械阻尼系數(shù)高于大約0.5。
37.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中相對(duì)于聚苯乙烯，聚碳酸酯的重均分子量在大約10000到大約100000之間的范圍內(nèi)。
38.根據(jù)權(quán)利要求37的方法，其中相對(duì)于聚苯乙烯，聚碳酸酯的重均分子量在大約10000到大約50000之間的范圍內(nèi)。
39.根據(jù)權(quán)利要求38的方法，其中相對(duì)于聚苯乙烯，聚碳酸酯的重均分子量在大約12000到大約40000之間的范圍內(nèi)。
40.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中所述物品包含數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。
41.用于提高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的減振特性的方法，該方法包含用結(jié)構(gòu)(I)的化合物構(gòu)造聚碳酸酯存儲(chǔ)介質(zhì) 其中聚碳酸酯的機(jī)械阻尼系數(shù)在24℃溫度時(shí)高于大約0.04和玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃。
42.用于提高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的減振特性的方法，該方法包含用結(jié)構(gòu)(II)的化合物構(gòu)造聚碳酸酯存儲(chǔ)介質(zhì) 其中聚碳酸酯的機(jī)械阻尼系數(shù)在24℃溫度時(shí)高于大約0.04和玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃。
43.用于提高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的減振特性的方法，該方法包含用結(jié)構(gòu)(III)的化合物構(gòu)造聚碳酸酯存儲(chǔ)介質(zhì)。 其中聚碳酸酯的機(jī)械阻尼系數(shù)在24℃溫度時(shí)高于大約0.04和玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃。
44.用于提高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的減振特性的方法，該方法包含用結(jié)構(gòu)(IV)的化合物構(gòu)造聚碳酸酯存儲(chǔ)介質(zhì)。 其中聚碳酸酯的機(jī)械阻尼系數(shù)在24℃溫度時(shí)高于大約0.04和玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃。
全文摘要
提高了物品和聚碳酸酯組合物的阻尼特性，提供了玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于大約150℃的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)。
文檔編號(hào)G11B7/24GK1550010SQ02817121
公開(kāi)日2004年11月24日 申請(qǐng)日期2002年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月2日
發(fā)明者R·哈里哈蘭, K·L·龍利, G·C·達(dá)維斯, G·海, R 哈里哈蘭, 達(dá)維斯, 龍利 申請(qǐng)人:通用電氣公司