專利名稱：光存儲(chǔ)介質(zhì)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光存儲(chǔ)介質(zhì)，其依次包含i)襯底ii)凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案iii)鄰接第一數(shù)據(jù)圖案的第一堆層iv)間隔物v)第二堆層vi)凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案，以及vii)覆蓋物這樣一個(gè)光存儲(chǔ)介質(zhì)可以從，例如，美國(guó)專利說明書5,679,429中獲知。通過注模獲得且包含有數(shù)據(jù)圖案的聚碳酸酯襯底上設(shè)置有以濺射方式形成的無定形碳化硅反射層。具有上述組成結(jié)構(gòu)的圓盤被放置于旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī)上，然后在旋轉(zhuǎn)上述圓盤的過程中設(shè)置UV可固化的光敏聚合物間隔物層。在對(duì)這一間隔物進(jìn)行固化之后，第二光敏聚合物層被設(shè)置于其上并進(jìn)行固化。隨后設(shè)置第三光敏聚合物層，在這之后將包含有第二數(shù)據(jù)圖案負(fù)圖案的壓模，與未固化的第三光敏聚合物層進(jìn)行接觸，隨后再通過UV曝光的方式對(duì)該第三光敏聚合物層進(jìn)行固化，之后再小心地將該壓模移除。反射層被應(yīng)用于如此設(shè)置的第二數(shù)據(jù)圖案上，而該反射層最終設(shè)置有覆蓋物。
光存儲(chǔ)介質(zhì)的一種發(fā)展趨勢(shì)是增加存儲(chǔ)容量。這一目的可以通過減小激光波長(zhǎng)λ和/或增大數(shù)值孔徑(NA)來實(shí)現(xiàn)，這是因?yàn)榧す恻c(diǎn)的大小和(λ/NA)2成正比?；蛘?，這一目的也可以通過應(yīng)用多重記錄層來實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明的目的之一是特別地提供一種光存儲(chǔ)介質(zhì)，該介質(zhì)可以被認(rèn)為是由互相連接的元件組成，而這些元件是分別制造的。
根據(jù)本發(fā)明，這一目的可以實(shí)現(xiàn)，因?yàn)樯鲜龉獯鎯?chǔ)介質(zhì)的元件依次是a)設(shè)置有凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案的襯底，在第一數(shù)據(jù)圖案上面設(shè)置有第一堆層，b)間隔物，c)設(shè)置有凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案的覆蓋物，在第二數(shù)據(jù)圖案上面設(shè)置有第二堆層，該第二堆層對(duì)著間隔物b)。
在本發(fā)明一特定實(shí)施例中，存儲(chǔ)介質(zhì)可以被認(rèn)為是由互相連接的元件組成，上述元件依次是a)設(shè)置有凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案的襯底，在第一數(shù)據(jù)圖案上面設(shè)置有第一堆層，d)設(shè)置有第二堆層的間隔物，在第二堆層上面設(shè)置有凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案，該第二數(shù)據(jù)圖案通過間隔物與第一數(shù)據(jù)圖案分開，e)覆蓋物。
根據(jù)一個(gè)不同的優(yōu)選實(shí)施例，正被討論的存儲(chǔ)介質(zhì)可以被認(rèn)為是由互相連接的元件組成，上述元件依次是f)襯底，g)設(shè)置有第一堆層的間隔物，在第一堆層上面設(shè)置有凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案，該第一數(shù)據(jù)圖案對(duì)著襯底，c)設(shè)置有具有凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案的覆蓋物，在第二數(shù)據(jù)圖案上面設(shè)置有第二堆層，該第二堆層對(duì)著間隔物g)。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，光存儲(chǔ)介質(zhì)可以被認(rèn)為是由互相連接的元件組成，上述元件依次是f)襯底，h)間隔物，其中一面上設(shè)置有第一堆層，在第一堆層上面設(shè)置有凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案，而在另一面上設(shè)置有第二堆層，在第二堆層上面設(shè)置有凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案，以及e)覆蓋物。
應(yīng)用于正被討論的光存儲(chǔ)介質(zhì)的透明襯底可以由能夠在其中形成凹坑/凹槽以形成數(shù)據(jù)圖案的任何聚合材料構(gòu)成，諸如聚碳酸酯或無定形聚烯烴化合物?；蛘咭部梢允褂美绮ＡЩ蛴袡C(jī)玻璃的平襯底，在這種情況下，凹坑/凹槽的數(shù)據(jù)圖案是通過光敏聚合物復(fù)制的方式形成的。
應(yīng)用于正被討論的光存儲(chǔ)介質(zhì)的間隔物可以是聚合物，例如輻射線可固化聚合物。透明的間隔物層必須足夠厚，以使得激光源不但能夠聚焦于第一數(shù)據(jù)圖案，還能夠聚焦于第二數(shù)據(jù)圖案，由此干涉必須被減小到最低程度。用于正被討論的光存儲(chǔ)介質(zhì)的反射層特別是一個(gè)金屬層，它對(duì)用于再生數(shù)據(jù)圖案的激光波長(zhǎng)具有高反射率。適合的金屬的例子有鋁、金、銀、銅及其合金。
本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種制造光存儲(chǔ)介質(zhì)的方法，這種方法的特征在于正被討論的元件c)是通過下述步驟獲得的c1)為覆蓋物材料提供輔助襯底，c2)在覆蓋物材料上涂敷光聚合漆，c3)在光聚合漆放置壓模，c4)進(jìn)行聚合反應(yīng)并移除壓模，c5)在構(gòu)造的光聚合漆上濺射堆層，以及c6)移除輔助襯底。
在一特定實(shí)施例中，最好利用下列步驟來獲得上述元件d)d1)在壓模上涂敷光聚合漆，d2)進(jìn)行聚合處理，并且d3)將步驟d2)中聚合的漆連接至間隔物，d4)去除壓模，d5)在構(gòu)造的光聚合漆上濺射堆層。
在另一實(shí)施例中，正被討論的方法的特征在于上述元件d)或g)是通過下述步驟獲得的d6)在壓模上涂敷堆層，d7)在堆層上涂敷光聚合漆，并且d8)進(jìn)行聚合反應(yīng)以使得形成設(shè)置有堆層的構(gòu)造的光聚合漆。
在另一實(shí)施例中，正被討論的方法的特征在于上述元件d)是通過下述步驟獲得的d9)在元件a)上設(shè)置間隔物，d10)在步驟d9)中的間隔物上放置UV輻射透明的壓模，d11)進(jìn)行聚合反應(yīng)，d12)去除壓模，并且最后d13)在步驟d11)之后獲得的構(gòu)造的光聚合漆上濺射堆層。
在對(duì)最后提及的實(shí)施例的改進(jìn)中，步驟d9)-d10)被分為4個(gè)子步驟，即d14)在元件a)上設(shè)置間隔物，d15)進(jìn)行聚合反應(yīng)，d16)在步驟d15)上聚合的間隔物上放置附加的間隔物，并且d17)在步驟d16)中所述附加的間隔物上放置UV輻射透明的壓模。
透明的壓模可能是，例如，透明的合成樹脂襯底，它可以通過噴射模塑工藝使用已知的鎳壓模來制造。透明的襯底可能包含與上述光存儲(chǔ)介質(zhì)描述中提到的那些材料一樣的材料。
另外，上述元件a)-g)中的一個(gè)或幾個(gè)可能是通過壓敏粘合劑(PSA)或光聚合漆(2p)互相連接的。
參照接下來描述的本發(fā)明的實(shí)施例，本發(fā)明的各個(gè)方面將得到說明并更加清楚。
在附圖中附

圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明的完成的光存儲(chǔ)介質(zhì)，附圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明的光存儲(chǔ)介質(zhì)的特定實(shí)施例，附圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明的光存儲(chǔ)介質(zhì)的不同實(shí)施例，附圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明的光存儲(chǔ)介質(zhì)的另一實(shí)施例，以及附圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的光存儲(chǔ)介質(zhì)的進(jìn)一步的實(shí)施例。
附圖1中，光存儲(chǔ)介質(zhì)1依次包含襯底2、凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案3、鄰接第一數(shù)據(jù)圖案3的第一堆層4、間隔物5、第二堆層6、凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案7和最后的覆蓋物8。
根據(jù)本發(fā)明的光存儲(chǔ)介質(zhì)1的特定實(shí)施例如附圖2所示，該圖可以被認(rèn)為由三個(gè)分開的部分組合而成，即，設(shè)置有具有凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案3的襯底2，在第一數(shù)據(jù)圖案3上面設(shè)置有第一堆層4，間隔物5，和最后設(shè)置有凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案7的覆蓋物8，在第二數(shù)據(jù)圖案7上面設(shè)置有第二堆層6。
附圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明的光存儲(chǔ)介質(zhì)1的一個(gè)特定實(shí)施例，其中光存儲(chǔ)介質(zhì)1被認(rèn)為由三個(gè)單獨(dú)的部分構(gòu)成，即，設(shè)置有凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案3的襯底2，在第一數(shù)據(jù)圖案3上面設(shè)置有第一堆層4，設(shè)置有第二堆層6和凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案7的間隔物5，和覆蓋物8。利用UV輻射透明的壓模9通過進(jìn)行投射通過透明壓模9的UV輻射10引起的聚合反應(yīng)來提供凹坑/凹槽的數(shù)據(jù)圖案7。
附圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明的光存儲(chǔ)介質(zhì)1的一個(gè)特定實(shí)施例，其中光存儲(chǔ)介質(zhì)1被認(rèn)為由三個(gè)單獨(dú)的部分構(gòu)成，即，襯底2，設(shè)置有第一堆層4和凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案3的間隔物5，和設(shè)置有凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案7和第二堆層6的覆蓋物8。
附圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的光存儲(chǔ)介質(zhì)1的另一實(shí)施例，其中光存儲(chǔ)介質(zhì)1被認(rèn)為由三個(gè)單獨(dú)的部分構(gòu)成，即，襯底2，間隔物5，其中一面上設(shè)置有凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案3，在它上面設(shè)置有第一堆層4，而在另一面上設(shè)置有凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案7，在它上面設(shè)置有第二堆層6。
權(quán)利要求
1.一種光存儲(chǔ)介質(zhì)(1)，其依次包含i)襯底(2)ii)凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案(3)iii)鄰接第一數(shù)據(jù)圖案(3)的第一堆層(4)iv)間隔物(5)v)第二堆層(6)vi)凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案(7)，以及vii)覆蓋物(8)，其特征在于所述存儲(chǔ)介質(zhì)(1)可以被認(rèn)為是由互相連接的元件組成的，上述元件依次是a)設(shè)置有凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案(3)的襯底(2)，在第一數(shù)據(jù)圖案(3)上面設(shè)置有第一堆層(4)，b)間隔物(5)，c)設(shè)置有凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案(7)的覆蓋物(8)，在第二數(shù)據(jù)圖案(7)上面設(shè)置有第二堆層(6)，該第二堆層(6)對(duì)著間隔物(b)，(5)。
2.一種光存儲(chǔ)介質(zhì)(1)，其依次包含i)襯底(2)，ii)凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案(3)，iii)鄰接第一數(shù)據(jù)圖案(3)的第一堆層(4)，iv)間隔物(5)，v)第二堆層(6)，vi)凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案(7)，vii)覆蓋物(8)，其特征在于所述存儲(chǔ)介質(zhì)(1)可以被認(rèn)為是由互相連接的元件組成的，上述元件依次是a)設(shè)置有凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案(3)的襯底(2)，在第一數(shù)據(jù)圖案上面設(shè)置有第一堆層(4)，d)設(shè)置有第二堆層(6)的間隔物(5)，在第二堆層(6)上面設(shè)置有凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案(7)，該第二數(shù)據(jù)圖案(7)通過間隔物(5)與第一數(shù)據(jù)圖案(3)分開，e)覆蓋物(8)。
3.一種光存儲(chǔ)介質(zhì)(1)，其依次包含i)襯底(2)ii)凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案(3)iii)鄰接第一數(shù)據(jù)圖案(3)的第一堆層(4)iv)間隔物(5)v)第二堆層(6)vi)凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案(7)，以及vii)覆蓋物(5)，其特征在于所述存儲(chǔ)介質(zhì)(1)可以被認(rèn)為是由互相連接的元件組成的，上述元件依次是f)襯底(2)，g)設(shè)置有第一堆層(4)的間隔物(5)，在第一堆層(4)上面設(shè)置有凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案(3)，該第一數(shù)據(jù)圖案對(duì)著襯底(2)，c)設(shè)置有凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案(7)的覆蓋物(5)，在第二數(shù)據(jù)圖案(7)上面設(shè)置有第二堆層(6)，該第二堆層(6)對(duì)著間隔物(g)，5)。
4.一種光存儲(chǔ)介質(zhì)(1)，其依次包含i)襯底(2)ii)凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案(3)iii)鄰接第一數(shù)據(jù)圖案(3)的第一堆層(4)iv)間隔物(5)v)第二堆層(6)vi)凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案(7)，以及vii)覆蓋物(5)，其特征在于所述存儲(chǔ)介質(zhì)(1)可以被認(rèn)為是由互相連接的元件組成的，上述元件依次是f)襯底(2)，h)間隔物(5)，其中一面上設(shè)置有凹坑/凹槽的第一數(shù)據(jù)圖案(3)，在第一數(shù)據(jù)圖案(3)上面設(shè)置有第一堆層(4)，而在另一面上設(shè)置有凹坑/凹槽的第二數(shù)據(jù)圖案(7)，在第二數(shù)據(jù)圖案(7)上面設(shè)置有第二堆層(6)，以及e)覆蓋物(8)。
5.一種制造如權(quán)利要求1，3中所述的光存儲(chǔ)介質(zhì)(1)的方法，其特征在于元件c)是通過下述步驟獲得的c1)為覆蓋物材料提供輔助襯底，c2)在覆蓋物材料上涂敷光聚合漆，c3)在光聚合漆上放置壓模，c4)進(jìn)行聚合反應(yīng)并移除壓模，c5)在構(gòu)造的光聚合漆上濺射堆層，以及c6)移除輔助襯底。
6.一種制造如權(quán)利要求2中所述的光存儲(chǔ)介質(zhì)(1)的方法，其特征在于元件d)是通過下述步驟獲得的d1)在壓模上涂敷光聚合漆，d2)進(jìn)行聚合處理，以及d3)將步驟d2)中聚合的漆連接至間隔物(5)，d4)去除壓模，d5)在構(gòu)造的光聚合漆上濺射堆層。
7.一種制造如權(quán)利要求2-3中所述的光存儲(chǔ)介質(zhì)(1)的方法，其特征在于元件d)或g)是通過下述步驟獲得的d6)在壓模上涂敷堆層(6)，d7)在堆層(6)上涂敷光聚合漆，并且d8)進(jìn)行聚合反應(yīng)以形成設(shè)置有堆層(6)的構(gòu)造的光聚合漆。
8.一種制造如權(quán)利要求2中所述的光存儲(chǔ)介質(zhì)(1)的方法，其特征在于元件d)是通過下述步驟獲得的d9)在元件a)上設(shè)置間隔物(5)，d10)在步驟d9)中的間隔物(5)上放置UV輻射(10)透明壓模(9)，d11)進(jìn)行聚合反應(yīng)，d12)移除透明壓模(9)，以及最后d13)在步驟d11)之后獲得的構(gòu)造的光聚合漆上濺射堆層(6)。
9.一種如權(quán)利要求8中所述的光存儲(chǔ)介質(zhì)(1)的制造方法，其特征在于步驟d9)-d10)分為下列四個(gè)子步驟d14)在元件a)上設(shè)置間隔物(5)，d15)進(jìn)行聚合反應(yīng)，d16)在步驟d15)的聚合的間隔物上放置附加的間隔物，以及d17)在步驟d16)的所述附加的間隔物上放置UV輻射(10)透明壓模(9)。
10.一種制造如權(quán)利要求1-4中所述的光存儲(chǔ)介質(zhì)(1)的方法，其特征在于上述元件a)-g)中的一個(gè)或多個(gè)是通過壓敏粘合劑或光聚合漆互相連接的。
全文摘要
本發(fā)明描述了光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，它包含襯底(2)，間隔物(5)和覆蓋物層(8)。該介質(zhì)包含兩層信息層(3，4)和(6，7)。本發(fā)明進(jìn)一步描述了制造這樣的信息介質(zhì)的方法，它涉及到為信息層設(shè)置數(shù)據(jù)圖案的方式。本發(fā)明進(jìn)一步公開了一種將紫外光(10)透明的壓模(9)與光聚合漆和/或壓敏粘合劑結(jié)合使用的方法。
文檔編號(hào)G11B7/24GK1550005SQ02816936
公開日2004年11月24日 申請(qǐng)日期2002年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月29日
發(fā)明者P·H·G·M·韋羅曼斯, P H G M 韋羅曼斯, D 烏本斯, I·P·D·烏本斯, J 德雷, M·M·J·德雷 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司