專利名稱：磁光記錄介質(zhì)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁光記錄介質(zhì)及制造制造方法，尤其涉及適用于其中能夠執(zhí)行磁感應(yīng)超清晰度再現(xiàn)的磁光盤、磁光帶以及磁光卡的一種磁光記錄介質(zhì)及制造制造方法。
背景技術(shù)：
迄今，與實(shí)現(xiàn)磁光盤中的高密度記錄標(biāo)記相關(guān)，進(jìn)一步增加了磁光盤的記錄容量。為了如上所述地增加記錄容量，使用的一種實(shí)現(xiàn)高密度記錄的方法是降低記錄標(biāo)記的長度、縮窄軌跡間距和微型化記錄凹坑。
作為有效地實(shí)現(xiàn)這種高密度的手段，已經(jīng)建議了一種能夠再現(xiàn)小于激光束光點(diǎn)直徑的記錄標(biāo)記的磁感應(yīng)超級(jí)清晰度技術(shù)(MSR)(例如日本專利JP-A-2000-200448)。按照該MSR技術(shù)，在主磁層積薄膜包括第一磁層、第二磁層和第三磁層的情況中，通過使得該第二磁層具有在室溫下的該激光束點(diǎn)的共面磁化，使在低溫度部分中的這種磁化指向初始磁場(chǎng)方向，從而切斷記錄在第三磁層中的信息信號(hào)的轉(zhuǎn)移。在中溫部分中，由于執(zhí)行垂直磁化，該信號(hào)轉(zhuǎn)移得到該磁層的切換連接力的幫助。而且，在高溫部分中，通過在居里溫度Tc消除該磁化而切斷到該第一磁層的轉(zhuǎn)移，從而使小于該激光束光點(diǎn)直徑的信號(hào)能夠被再現(xiàn)。
具體地說，在如圖1所示的磁光盤100中，假設(shè)第一磁層是再現(xiàn)層101、第二磁層是中間層102而第三磁層是記錄層103，當(dāng)磁光盤100被轉(zhuǎn)動(dòng)并且用于再現(xiàn)的激光束照射在該磁層積薄膜之上時(shí)，將在該磁光盤100中引起溫度分布。圖1中的箭頭表示當(dāng)再現(xiàn)時(shí)該磁光盤的磁化狀態(tài)。
在已經(jīng)引起溫度分布狀態(tài)的低溫區(qū)中，當(dāng)再現(xiàn)磁場(chǎng)大于作用于中間層102和記錄層103之間的一部分上的切換連接力時(shí)，該中間層102的磁化方向?qū)⒈粚?duì)準(zhǔn)到與再現(xiàn)磁場(chǎng)相同的方向。已經(jīng)切換連接到中間層102的該再現(xiàn)層101的磁化方向被對(duì)準(zhǔn)到與該再現(xiàn)磁場(chǎng)的相反的方向而與該記錄標(biāo)記無關(guān)。因此形成一前掩膜。在一高溫區(qū)中，作用于在再現(xiàn)層101和中間層102之間部分上的切換連接力被切斷，并且該再現(xiàn)層101的磁化方向?qū)?zhǔn)到與該再現(xiàn)磁場(chǎng)相同的方向，使得形成一后掩膜。在中溫區(qū)中，該切換連接力大于作用于在每一再現(xiàn)層101、中間層102和記錄層103之間的再現(xiàn)磁場(chǎng)，使得該記錄層103的磁化方向被轉(zhuǎn)移到該再現(xiàn)層101。
如上所述，當(dāng)檢測(cè)該磁光盤100的一磁光輸出時(shí)，在該激光束點(diǎn)中的低溫度區(qū)和高溫區(qū)中形成掩膜。因此，只能從中溫區(qū)再現(xiàn)磁光信號(hào)而不能再現(xiàn)已經(jīng)形成掩膜的區(qū)域的磁信號(hào)。
但是，為了實(shí)現(xiàn)如上所述的記錄標(biāo)記的微型化，讀出信號(hào)中的幅度的突然降低將成為一個(gè)問題。因此，為了實(shí)現(xiàn)未來更高的密度，在該磁光盤中需要提高信號(hào)檢測(cè)中的磁清晰度。
在來自光拾取器照射的激光束的強(qiáng)度中存在一種變化。而且，由于磁感應(yīng)超清晰度操作(MSR操作)對(duì)激光束的光強(qiáng)非常敏感，所以不僅需要改善磁清晰度，而且需要抑制抵消記錄功率邊緣的縮窄。
因此，特別需要開發(fā)一種磁光記錄介質(zhì)的技術(shù)，使得即使在記錄標(biāo)記被微型化和軌跡間距縮窄的情況下，抵消該記錄功率的邊緣也不被縮窄，而且改進(jìn)該磁清晰度以及滿足再現(xiàn)所需求的光學(xué)特征。
因此本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種具有高可靠性的磁光記錄介質(zhì)及其制造方法，能夠在執(zhí)行記錄和/或再現(xiàn)中保證大范圍的激光束的功率裕量，使得記錄在其上記錄標(biāo)記長度被微型化并且軌跡間距被縮窄的該磁光記錄介質(zhì)上的信息信號(hào)被再現(xiàn)的同時(shí)保持良好的信號(hào)特性，能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度，并且實(shí)現(xiàn)大容量的記錄。

發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，根據(jù)本發(fā)明的第一發(fā)明提供一種磁光記錄介質(zhì)，其中在一基片上提供順序?qū)臃e的在室溫下具有垂直磁各向異性的第一磁層、在室溫下具有共面磁各向異性的第二磁層以及在室溫下具有垂直磁各向異性的第三磁層的一多層磁膜，并且能夠通過將一激光束照射在該多層磁膜上而記錄和/或再現(xiàn)一信息信號(hào)，其中該第二磁層的磁飽和大于8.80×10-2Wb/m2并且小于1.76×10-1Wb/m2。
在該第一發(fā)明中，該第二磁層的膜厚度通常等于或大于25nm并且等于或小于60nm，最好是等于或大于28nm并且等于或小于35nm。
在該第一發(fā)明中，該第一磁層的磁飽和通常等于或小于8.80×10-2Wb/m2，并且最好等于或大于1.00×10-2Wb/m2。
在該第一發(fā)明中，通常該多層的磁膜提供在該基片上的一主平面上，其上形成有凹和凸槽紋軌跡，并且該基片具有一平面環(huán)形狀。
在本發(fā)明的第二發(fā)明中提供一種磁光記錄介質(zhì)的制造方法，其中在一基片的主平面上提供順序?qū)臃e的在室溫下具有垂直磁各向異性的第一磁層、在室溫下具有共面磁各向異性的第二磁層以及在室溫下具有垂直磁各向異性的第三磁層的一多層磁膜，并且能夠通過將一激光束照射在該多層磁膜上而記錄和/或再現(xiàn)一信息信號(hào)，其中在形成該第二磁層時(shí)的氣壓大于0.6Pa并且等于或小于3.0Pa。
在該第二發(fā)明中，通常該第一磁層被形成使得該第一磁層的磁飽和等于或小于8.80×10-2Wb/m2，并且最好是等于或大于1.00×10-2Wb/m2。
在該第二發(fā)明中，通常該第二磁層被形成作為一薄膜，使得該第二磁層的磁飽和大于8.80×10-2Wb/m2并且小于1.76×10-1Wb/m2。
在本發(fā)明中，通常在第三磁層中的Co的含量比等于或大于15atom％并且等于或小于17atom％。
在本發(fā)明中，通常該多層的磁膜提供在該基片上的一主平面上，其上形成有凹和凸槽紋軌跡，并且該基片具有一平面環(huán)形狀。而且，在該基片的一主平面上的槽紋軌跡的軌跡間距等于或大于0.47·λ/NAμm并且等于或小于0.83·λ/NAμm。
在本發(fā)明中，通常該第二磁層中的居里溫度小于該第一和第三磁層的居里溫度的較小的一個(gè)。在本發(fā)明中，通常該第二磁層的形成使得膜厚度等于或大于30nm并且等于或小于60nm。
通常，使用所謂的一種凸凹槽記錄系統(tǒng)將本發(fā)明應(yīng)用到一磁光記錄介質(zhì)，其中將信息信號(hào)記錄在其上形成有凹和凸槽紋軌跡的一主平面上的凸面和凹槽上。但是，本發(fā)明也可以使用所謂的一種凸面記錄系統(tǒng)應(yīng)用到一種磁光記錄介質(zhì)，其中將信息信號(hào)記錄在該凸面部分，或使用所謂的一種凹槽記錄系統(tǒng)，將信息信號(hào)記錄在凹槽上。
通常，本發(fā)明被用于稱為RAD(后孔檢測(cè)Rear Aperture Detection)的再現(xiàn)方法，其中在該再現(xiàn)光點(diǎn)中的后部高溫部分中檢測(cè)信號(hào)。具體地說，使用一種雙掩膜型RAD系統(tǒng)將本發(fā)明應(yīng)用到一種磁光記錄介質(zhì)，其中在稱為D-RAD的光點(diǎn)的前進(jìn)方向中的正向和反向部分形成掩膜。根據(jù)該RAD系統(tǒng)，與其中光點(diǎn)的低溫區(qū)C用作檢測(cè)區(qū)的FAD系統(tǒng)相比較，由于具有的寬度小于該光點(diǎn)中的光點(diǎn)的寬度的一高溫區(qū)成為該記錄標(biāo)記的檢測(cè)區(qū)，所以在該檢測(cè)區(qū)的軌跡方向中的寬度被縮窄，來自相鄰軌跡的串?dāng)_較小，并且本發(fā)明對(duì)于實(shí)現(xiàn)高記錄密度的貢獻(xiàn)比例較大。
根據(jù)如上所述構(gòu)成的本發(fā)明，在提供有在室溫下具有共面磁各向異性的第二磁層的該多層磁膜的該磁光記錄介質(zhì)中，當(dāng)薄膜創(chuàng)建時(shí)該第二磁層的壓力高于0.6Pa并且等于或低于3.0Pa，并且在室溫下該第二磁層的磁飽和大于8.80×10-2Wb/m2并且小于1.76×10-1Wb/m2。因此，能夠在保證在一個(gè)足夠大的范圍中的該激光束記錄功率裕量和再現(xiàn)功率裕量的同時(shí)改進(jìn)抖動(dòng)特性。


圖1是說明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的磁感應(yīng)超清晰度操作的示意圖。
圖2是表示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的磁光盤的截面示意圖。
圖3是表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁光盤的外緣部分的一凸面中的抖動(dòng)相關(guān)記錄功率裕量的曲線圖。
圖4是表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁光盤的外緣部分的一凹槽中的抖動(dòng)相關(guān)記錄功率裕量的曲線圖。
圖5是表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁光盤的內(nèi)緣部分的一凸面中的抖動(dòng)相關(guān)記錄功率裕量的曲線圖。
圖6是表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁光盤的外緣部分的一凸面中的抖動(dòng)相關(guān)記錄功率裕量的曲線圖。
圖7是表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁光盤的內(nèi)緣部分的一凹槽中的抖動(dòng)相關(guān)記錄功率裕量的曲線圖。
圖8是表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁光盤的外緣部分的一凹槽中的抖動(dòng)相關(guān)記錄功率裕量的曲線圖。
圖9是表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例當(dāng)薄膜創(chuàng)建時(shí)該第二磁層中的磁飽和Ms2的氣壓相關(guān)性的曲線圖。
圖10是表示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例當(dāng)薄膜創(chuàng)建時(shí)該第二磁層中的飽和磁場(chǎng)Hs的氣壓相關(guān)性的曲線圖。
圖11是表示當(dāng)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁光盤的第三磁層中的Co組分被改變時(shí)在該凹槽中的抖動(dòng)再現(xiàn)功率相關(guān)性的曲線圖。
圖12是表示當(dāng)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁光盤的第三磁層中的Co組分被改變時(shí)在該凸面中的抖動(dòng)再現(xiàn)功率相關(guān)性的曲線圖。
圖13是表示當(dāng)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁光盤的第三磁層中的Co組分被改變時(shí)在該凸面中的記錄功率相關(guān)性的曲線圖。
圖14是表示當(dāng)該第二磁層被形成作為一薄膜時(shí)，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁光盤的內(nèi)緣部分和外緣部分中的凸面和凹槽中的抖動(dòng)氣壓相關(guān)性的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖描述本發(fā)明的一實(shí)施例。在全部隨后的實(shí)施例的示意圖中，相同或相應(yīng)的部分由相同的參考數(shù)字表示。
首先描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一磁光盤。圖2示出根據(jù)該第一實(shí)施例的磁光盤。
如圖2所示，根據(jù)本實(shí)施例的磁光盤1通過順序地在盤基2的一主平面上層積第一介電層3、第一磁層4、第二磁層5、第三磁層6、第二介電層7、反射層8和保護(hù)層9而構(gòu)成。
通過把樹脂材料鑄模到一盤形中，例如通過一種注射鑄模方法而制作盤基2。例如，玻璃2P等或例如聚碳酸酯(PC)的合成樹脂材料等被用作樹脂材料。在本實(shí)施例中，使用例如由PC制成的PC基片。在盤基2的主平面上形成包括凸面和凹面的凹凸槽紋軌跡。在此提到該盤基2的一個(gè)尺寸實(shí)例。假定厚度t等于1.2mm，直徑等于86mm(3.5英寸)，軌跡間距Tp等于0.67μm，凹槽深度等于50nm。當(dāng)信息信號(hào)記錄在磁光盤1上和/或從該磁光盤1再現(xiàn)該信息信號(hào)時(shí)，只要其由能夠至少發(fā)送一使用的激光束的一種材料制成，任何基片都能被用作盤基2。厚度t、直徑、軌跡間距Tp和凹槽深度的值也可設(shè)置為不同于上述值。在激光束照射的該盤基2的一側(cè)的表面上，還可以形成例如紫外線固化樹脂之類的保護(hù)層。
盤基2的主平面上形成的第一介電層3由例如具有80nm膜厚度的氮化硅(Si3N4)制成。提供第一介電層3是為了保護(hù)第一磁層4、第二磁層5和第三磁層6免受濕氣的損害，并且在光學(xué)上增強(qiáng)該第一磁層4中的磁光效應(yīng)。
在第一介電層3上形成的第一磁層4是具有例如大約40nm膜厚度并且由作為稀土金屬的Gd和作為過渡金屬的Fe和Co制成的一種稀土合金(GdFeCo)薄膜。第一磁層4是過渡金屬磁主成分(在下文稱作富TM)并且在垂直方向上，即在層積方向上具有一易磁化軸。根據(jù)本發(fā)明人試驗(yàn)獲得的知識(shí)，在室溫下(10℃至35℃)該第一磁層4的磁飽和Ms必須等于或小于8.8×10-2Wb/m2，以便抑制再現(xiàn)信號(hào)中的劣變。因此，磁飽和Ms是從等于或小于8.8×10-2Wb/m2(70emu/cc)的值中選擇的。在本實(shí)施例中，選擇的值大約是3.8×10-2Wb/m2(30emu/cc)。按照需要，還可能將其設(shè)置為等于或大于1.0×10-2Wb/m2(8emu/cc)的一個(gè)值。磁飽和Ms1隨同溫度上升到大約170℃而增加。居里溫度Tc1幾乎等于大約為300℃。室溫下的矯頑磁力Hc1等于或小于例如1.19×105A/m。
提供在第一磁層4上的第二磁層5由例如GdFeCoSi薄膜制成。作為非磁性成分的Si是用于把居里溫度Tc2設(shè)置為低值的一種成分，也能夠添加例如Al、Cr之類的成分來代替Si。第二磁層5中的居里溫度Tc2等于大約為200℃。第二磁層5是稀土磁主成分(在下文稱作富RE)，其中直到居里溫度Tc2看不到補(bǔ)償溫度，并且在室溫(10℃至35℃)在共面方向上具有一易磁化軸。當(dāng)該溫度上升到等于或高于一比室溫更高的預(yù)定溫度時(shí)，該易磁化軸從共面方向改變至垂直方向。
具體地說，由于磁疇壁的厚度等于大約25nm，所以必須設(shè)置該第二磁層5的膜厚度為5至25nm或更大的值，最好是28nm或更大的值。根據(jù)發(fā)明人的知識(shí)，如果該第二磁層5的膜厚度太大，則該靈敏度下降或抖動(dòng)上升，使得再現(xiàn)信號(hào)的質(zhì)量劣變。因此，該第二磁層5的膜厚度通常被選擇為從25到60nm的范圍，最好是從28到35nm的范圍中選擇。在本實(shí)施例中，其被選擇為例如32nm。
為了執(zhí)行磁感應(yīng)超級(jí)清晰度(MSR)操作，第二磁層5在室溫(10℃至35℃)下的磁飽和Ms2必須等于或大于第一磁層4的磁飽和Ms1(Ms2≥Ms1)。由于第一磁層4的磁飽和Ms1和第二磁層5的磁飽和Ms2之間的差對(duì)于在MSR操作中的前掩膜的形成產(chǎn)生一影響，所以希望該磁飽和大于8.80×10-2Wb/m2(70emu/cc)。為了抑制抖動(dòng)的增加或記錄功率裕量的減小，希望該磁飽和小于1.76×10-1Wb/m2。因此，通常從8.80×10-2至1.76×10-1Wb/m2(70至140emu/cc)的一個(gè)范圍中選擇該第二磁層5的磁飽和Ms2，最好是從1.13×10-1至1.34×10-1Wb/m(90到107emu/cc)的一個(gè)范圍中選擇該第二磁層5的磁飽和Ms2。例如在本實(shí)施例中，選擇1.22×10-1Wb/m2(97emu/cc)或1.34×10-1Wb/m2(107emu/cc)。該磁飽和Ms2單調(diào)地降低至居里溫度Tc2。有關(guān)第二磁層5的磁飽和Ms2的細(xì)節(jié)將稍后解釋。
在第二磁層5之上形成的第三磁層6由包括作為稀土金屬的Tb和作為過渡金屬Fe和Co的稀土合金(TbFeCo)薄膜制成。該第三磁層6是富TM磁層并且具有在垂直方向上的一易磁化軸。該第三磁層6引起一磁光效應(yīng)并且被用于記錄信息信號(hào)。在第三磁層6中，在室溫的磁飽和Ms3是在從8.80×10-2至1.88×10-2Wb/m2(70至150emu/cc)的范圍之內(nèi)，并且隨同溫度上升而增加，直到溫度達(dá)到大約150℃。居里溫度Tc3大約等于300℃。室溫下的矯頑磁力Hc3的值等于或大于7.96×105A/m(10kOe)。第三磁層6的膜厚度等于例如45nm。
容許該MSR操作的一多層磁膜10由上面提到的該第一磁層4、第二磁層5和第三磁層6構(gòu)成。在第一磁層4、第二磁層5和第三磁層6中的居里溫度Tc1、Tc2、Tc3滿足關(guān)系Tc2＜Tc1以及Tc2＜Tc3。第一磁層4和第三磁層6在室溫的矯頑磁力Hc1和Hc3滿足關(guān)系Hc3＞Hc1。
在第三磁層6上形成的第二介電層7由例如具有30nm膜厚的Si3N4制成。第二介電層7是以類似于第一介電層3的方式光學(xué)地增強(qiáng)第三磁層6的磁光效應(yīng)的一層，并且保護(hù)該第三磁層6免受濕氣之類的損害。
在第二介電層7上形成的反射層8由具有大約10nm膜厚的Al、銀(Ag)等合金制成。在本實(shí)施例中，反射層8由例如鋁鈦合金(AlTi)制成。反射層8被提供來擴(kuò)散傳播至該第三磁層6的熱。通過在反射層8中的散熱，控制該第三磁層6中的記錄標(biāo)記的大小并且控制多層磁膜10中的溫度分布。因此，記錄和再現(xiàn)特性保持在一個(gè)良好狀態(tài)。
在反射層8上形成的保護(hù)層9由例如紫外線固化樹脂制成。該保護(hù)層9被用于保護(hù)形成在該盤基2上的第一介電層3、第一磁層4、第二磁層5、第三磁層6、第二介電層7和反射層8。
通過從現(xiàn)存的盤基2的一側(cè)把激光束L1照射到磁光盤1執(zhí)行如上所述構(gòu)成的磁光盤1的記錄/再現(xiàn)。
隨后，將描述根據(jù)上述實(shí)施例構(gòu)成的磁光盤1的制造方法。
在制造根據(jù)該實(shí)施例的磁光盤1的方法中，首先通過一種注射鑄模方法形成由例如PC制成的盤基2。此時(shí)，在盤基2的一主平面上形成用于光軌跡的凸凹槽。在本實(shí)施例中，假設(shè)磁光盤1的再現(xiàn)光是波長等于大約635nm的激光束，使用的光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑(NA)等于大約0.58，在此情況中，軌跡間距Tp是從0.47·λ/NAμm至0.83·λ/NAμm的范圍中選擇的。在此該軌跡間距Tp被設(shè)置為大約0.67μm。
隨后，盤基2被傳送到真空容腔中并且放在其中的預(yù)定位置。隨后使用例如氬(Ar)和氮(N2)的混合氣體，并且通過使用一種Si目標(biāo)的反應(yīng)濺射方法在盤基2上形成一SiN薄膜。因此在盤基2上形成由SiN制成的第一介電層3。在該反應(yīng)濺射方法中的氣壓等于例如1.5Pa。
隨后，其上已經(jīng)形成第一介電層3的盤基2被傳送到其中已經(jīng)放置了由GdFeCo制成的目標(biāo)的真空容腔中，并且安置在其中的一預(yù)定位置。在此之后，通過例如濺射方法在第一介電層3上形成一GdFeCo薄膜。因此，形成由GdFeCo制成的第一磁層4。在陳述第一磁層4的形成條件的實(shí)例時(shí)，是把氬氣用作環(huán)境氣體，并且壓力設(shè)置為4.0Pa。
隨后，已經(jīng)形成有第一磁層4的盤基2被傳送到其中已經(jīng)放置了由GdFeCoSi制成的目標(biāo)的真空容腔中，并且安置在其中的一預(yù)定位置。在此之后，通過濺射方法在該第一磁層4上形成一GdFeCoSi薄膜。因此，形成由GdFeCoSi制成的第二磁層5。在該第二磁層5的薄膜的形成中，氬氣被用作環(huán)境氣體。根據(jù)發(fā)明人通過試驗(yàn)獲得的知識(shí)，所希望的是把氣壓設(shè)置為3Pa或小于3Pa，以便削弱第二磁層5中的垂直磁各向異性，并且使得能夠容易地執(zhí)行從第三磁層6至第一磁層4的復(fù)制轉(zhuǎn)移。根據(jù)發(fā)明人在氣壓設(shè)置為低壓所做的試驗(yàn)，如果氣壓被設(shè)置為等于或小于0.6Pa，則引起異常放電。因此，所希望的是把氣壓P設(shè)置大于0.6Pa。因此，在形成第二磁層5的薄膜時(shí)的氣壓P的選擇使得其大于0.6Pa并且等于或小于3Pa(0.6Pa＜P≤3Pa)。而且，從保證該特性的角度看，最理想的是接近P＝1Pa的一個(gè)值。
隨后，已經(jīng)形成有第二磁層5的盤基2被傳送到其中已經(jīng)放置了由TbFeCo制成的目標(biāo)的真空容腔中，并且安置在其中的一預(yù)定位置。在此之后，通過例如濺射方法在第二磁層5上形成一TbFeCo薄膜。因此在第二磁層5上形成由TbFeCo制成的第三磁層6。在陳述第三磁層6的形成條件的實(shí)例時(shí)，是把氬氣用作環(huán)境氣體，并且壓力設(shè)置為4.5Pa。能夠使用DyFeCo或GdFeCo而不是TbFeCo作為構(gòu)成第三磁層6的材料。該第三磁層6還能夠替換為通過層積那些合金薄膜而獲得的一多層結(jié)構(gòu)。
隨后，己經(jīng)形成有第三磁層6的盤基2被傳送到其中已經(jīng)放置了由Si制成的目標(biāo)的真空容腔中，并且安置在其中的一預(yù)定位置。隨后，通過使用例如氬氣和N2氣的混合氣并且通過使用該Si目標(biāo)的反應(yīng)濺射方法在盤基2上形成一SiN薄膜。因此在盤基2上形成由SiN制成的第二介電層7。在該反應(yīng)濺射方法中的氣壓等于例如1.0Pa。
隨后，已經(jīng)形成有第二介電層7的盤基2被傳送到其中已經(jīng)放置了一AlTi目標(biāo)的真空容腔中，并且安置在其中的一預(yù)定位置。隨后，通過使用例如氬氣作為環(huán)境氣體并且通過使用由AlTi制成的目標(biāo)的濺射方法在第一介電層3上形成一AlTi薄膜。因此，在該第二介電層7上形成由AlTi制成的反射層8。當(dāng)陳述反射層8的形成中的濺射條件的實(shí)例時(shí)，把氬氣用作環(huán)境氣體并且氣壓設(shè)置為1.0Pa。
在此之后，形成有全部薄膜的盤基2被移出該濺射容腔。
隨后，形成有全部層的盤基2以一種有機(jī)樹脂材料涂覆，具體地說通過例如旋涂方法涂覆紫外線固化樹脂，并且使用紫外線固化該有機(jī)樹脂材料，從而形成保護(hù)層9。
因此制成根據(jù)實(shí)施例的一個(gè)期望的磁光盤1。
隨后，評(píng)價(jià)上述的磁光盤1的記錄和再現(xiàn)特性。即，根據(jù)上述制造方法制成其中第二磁層5的磁飽和Ms2設(shè)置為0.122Wb/m2、0.134Wb/m2和0.188Wb/m2的磁光盤1。通過使用評(píng)估裝置來評(píng)估磁光盤1的記錄和再現(xiàn)特性。在該評(píng)估裝置中使用的激光束的波長等于635nm，并且物鏡的NA等于0.58。首先，最短標(biāo)記的長度設(shè)置為0.3μm，并且被1-7調(diào)制的隨機(jī)模式記錄在每一磁光盤1的主平面上各個(gè)凸凹槽上。
隨后，通過適當(dāng)?shù)脑佻F(xiàn)功率執(zhí)行再現(xiàn)，并且評(píng)估在該再現(xiàn)中的抖動(dòng)的功率裕量相關(guān)性。在該評(píng)估中該抖動(dòng)特性在凸面中的評(píng)估結(jié)果在圖3中示出，而在凹槽中的評(píng)估結(jié)果在圖4中示出。
從圖3中將理解到，在其中該第二磁層5的磁飽和Ms2等于0.188Wb/m2的磁光盤1的凸面中，抖動(dòng)的最小值等于11.0％、在其中該第二磁層5的磁飽和Ms2等于0.134Wb/m2的磁光盤1的凸面中，抖動(dòng)的最小值大約等于9.4％，和在其中該第二磁層5的磁飽和Ms2等于0.122Wb/m2的磁光盤1的凸面中，抖動(dòng)的最小值大約等于9.2％。即，將被理解到，通過把該第二磁層5的磁飽和Ms2設(shè)置到0.134Wb/m2或0.122Wb/m2，與該第二磁層5的磁飽和Ms2等于0.188Wb/m2的磁光盤1相比較，在不縮窄記錄功率裕量的條件下該抖動(dòng)能夠被改進(jìn)大約1.5％。
從圖4中將理解到，在其中該第二磁層5的磁飽和Ms2等于0.188Wb/m2的磁光盤1的凹槽中，抖動(dòng)的最小值等于10.3％、在其中該第二磁層5的磁飽和Ms2等于0.134Wb/m2的磁光盤1的凹槽中，抖動(dòng)的最小值大約等于8.5％，和在其中該第二磁層5的磁飽和Ms2等于0.122Wb/m2的磁光盤1的凹槽中，抖動(dòng)的最小值大約等于9.0％。即，將被理解到，通過把該第二磁層5的磁飽和Ms2設(shè)置到0.134Wb/m2，與該第二磁層5的磁飽和Ms2等于0.188Wb/m2的磁光盤1相比較，在不縮窄記錄功率裕量的條件下該抖動(dòng)能夠被改進(jìn)大約1.8％，而通過把該第二磁層5的磁飽和Ms2設(shè)置到0.122Wb/m2，與該第二磁層5的磁飽和Ms2等于0.188Wb/m2的磁光盤1相比較，在不縮窄記錄功率裕量的條件下該抖動(dòng)能夠被改進(jìn)大約1.3％本發(fā)明的發(fā)明人評(píng)估了在根據(jù)本發(fā)明的磁光盤1(實(shí)施例)以及傳統(tǒng)磁光盤(比較實(shí)例)中的抖動(dòng)的記錄功率裕量相關(guān)性。對(duì)抖動(dòng)的記錄功率裕量相關(guān)性所做的評(píng)估分別考慮到根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)和根據(jù)本發(fā)明磁光盤的內(nèi)緣(半徑r＝24.5mm)部分和外緣(半徑r＝40.5mm)部分的凸面和凹槽的情況。
圖5示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例和現(xiàn)有技術(shù)的磁光盤的內(nèi)緣部分的一凸面中抖動(dòng)的記錄功率裕量相關(guān)性。圖6示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例和現(xiàn)有技術(shù)的磁光外側(cè)的外緣部分的一凸面中抖動(dòng)的記錄功率裕量相關(guān)性。圖7示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例和現(xiàn)有技術(shù)的磁光盤的內(nèi)緣部分的一凹槽中抖動(dòng)的記錄功率裕量相關(guān)性。圖8示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例和現(xiàn)有技術(shù)的磁光盤的外緣部分的一凹槽中抖動(dòng)的記錄功率裕量相關(guān)性。
從圖5中將理解到，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的磁光盤(比較實(shí)例)的內(nèi)緣部分的凸面中，抖動(dòng)的最小值大約等于11％，而在根據(jù)本發(fā)明的磁光盤(實(shí)施例)的內(nèi)緣部分的凸面中，抖動(dòng)的最小值等于9.3％。因此，與傳統(tǒng)的磁光盤相比，將理解到根據(jù)本發(fā)明的磁光盤1的抖動(dòng)改進(jìn)了1.7％。從圖6中將理解到，在磁光盤的外緣部分中，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的磁光盤中和根據(jù)本發(fā)明的磁光盤1中的該抖動(dòng)的記錄功率相關(guān)性的趨向幾乎類似，而該抖動(dòng)的最小值的改進(jìn)的提高比例大約等于0.1％。因此，從上述圖5和圖6中將理解到，在根據(jù)本發(fā)明的磁光盤中，該內(nèi)緣部分中的凸面的抖動(dòng)特性能夠被做得逼近該外緣的抖動(dòng)特性，并且，能夠降低由記錄功率引起的在該磁光盤的內(nèi)緣部分和外緣部分的每一部分中的抖動(dòng)的改變。
從圖7中將理解到，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的磁光盤(比較實(shí)例)的內(nèi)緣部分的凹槽中，抖動(dòng)的最小值大約等于10.2％，而在根據(jù)本發(fā)明的磁光盤(實(shí)施例)的內(nèi)緣部分的凹槽中，抖動(dòng)的最小值等于8.6％。因此，與傳統(tǒng)的磁光盤相比，將理解到根據(jù)本發(fā)明的磁光盤1的內(nèi)緣凹槽中的抖動(dòng)改進(jìn)了大約1.6％。從圖8中將理解到，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的磁光盤中和根據(jù)本發(fā)明的磁光盤中，外緣部分凹槽中的抖動(dòng)的記錄功率相關(guān)性的趨向幾乎類似，而該抖動(dòng)的最小值幾乎不變。從上述圖7和圖8將理解到，在根據(jù)本發(fā)明的磁光盤1中，在內(nèi)緣部分中的凸面的抖動(dòng)特性能夠被做得逼近該外緣部分的抖動(dòng)特性。因此將理解到，能夠降低由記錄功率引起的在該磁光盤的內(nèi)緣部分和外緣部分的每一部分中的抖動(dòng)的改變。
因此從圖5到圖8中可見，根據(jù)本發(fā)明的磁光盤1的內(nèi)緣部分的抖動(dòng)特性能夠被做得逼近外緣部分的抖動(dòng)特性，并且該磁光盤的記錄和再現(xiàn)特性在盤的整個(gè)表面上幾乎可以是均衡的。因此能夠改進(jìn)該磁光盤的可靠性。
本發(fā)明的發(fā)明人完成了涉及第二磁層5的薄膜形成的各種試驗(yàn)。圖9示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例當(dāng)薄膜形成時(shí)該第二磁層中的磁飽和Ms2的氣壓相關(guān)性。圖10示出在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例當(dāng)薄膜形成時(shí)該第二磁層5的飽和磁場(chǎng)HS2的氣壓相關(guān)性。圖9示出的磁飽和Ms2表示通過一種方法所獲得的一值，從而形成具有300nm膜厚度的GdFeCoSi薄膜，測(cè)量其磁飽和并且隨后將其轉(zhuǎn)換成大約34nm的膜厚度。圖10示出的飽和磁場(chǎng)Hs2表示在形成40nm的膜厚度的GdFeCoSi薄膜以后測(cè)量的值。
從圖9和圖10將理解到，隨著第二磁層5的薄膜形成時(shí)的氣壓的降低和真空度的增加，該第二磁層5中的磁飽和Ms2和飽和磁場(chǎng)Hs分別地增加。具體地說，將從圖9中理解到，當(dāng)?shù)诙艑?的薄膜形成時(shí)的氣壓設(shè)置為4Pa時(shí)，第二磁層5的磁飽和Ms2大約等于0.113Wb/m2(90emu/cc)，其中當(dāng)氣壓設(shè)置為1Pa時(shí)，該第二磁層5的磁飽和Ms2增加到大約0.134Wb/m2(107emu/cc)，即增加了大約0.21Wb/m2(17emu/cc)。從圖10中還將理解到，當(dāng)該第二磁層5的薄膜形成時(shí)的氣壓設(shè)置為4Pa時(shí)，飽和磁場(chǎng)Hs大約等于7.32×104A/m(0.92kOe)，而當(dāng)氣壓設(shè)置為1Pa時(shí)，飽和磁場(chǎng)Hs增加到大約1.29×105A/m(1.62kOe)，即增加了大約5.6×104A/m(0.7kOe)。而且已經(jīng)確認(rèn)的是，即使在當(dāng)該第二磁層5的薄膜形成時(shí)的氣壓被改變到各種值，該居里溫度Tc2將被保持在大約190℃。從上述實(shí)驗(yàn)將理解到，能夠通過改變?cè)谛纬傻诙艑?的薄膜時(shí)的氣壓來控制該垂直磁各向異性。因此將理解到，在如上所述的本實(shí)施例中，為了抑制異常放電而將第二磁層5的薄膜形成時(shí)的氣壓設(shè)置為大于0.6Pa，而為了獲得期望的特性，該氣壓設(shè)置為等于或小于3Pa，最好設(shè)置為一個(gè)接近1Pa的值。
圖14示出當(dāng)該第二磁層5被形成為一薄膜時(shí)，在根據(jù)本實(shí)施例的磁光盤的內(nèi)緣部分和外緣部分中的凸面和凹槽中的氣壓相關(guān)性。將從圖14中理解到，在根據(jù)本實(shí)施例的磁光盤中，通過把在該第二磁層5的薄膜形成時(shí)的氣壓設(shè)置為5至3Pa或更小而改進(jìn)抖動(dòng)特性。還將理解到，尤其是在凹槽中，通過把在該第二磁層5的薄膜形成時(shí)的氣壓設(shè)置為5至3Pa或更小，則該磁光盤的內(nèi)緣和外緣部分中的抖動(dòng)將等于或小于9.5％。將進(jìn)一步理解到，以類似于上述方式，凸面中的抖動(dòng)將等于或小于11％，并且能夠制造適于實(shí)用的磁光盤。還將理解到，為了保證良好的抖動(dòng)特性，該氣壓最好被設(shè)置為一個(gè)接近1Pa的值。
在進(jìn)行檢驗(yàn)再現(xiàn)和記錄靈敏度的實(shí)驗(yàn)的步驟中，本發(fā)明的發(fā)明人做了涉及在第三磁層6中的Co成分含量比例的各種實(shí)驗(yàn)。即在第三磁層6是由TbFeCo制成的情況中，Tb的含量比固定在22.5atom％，Co的含量比設(shè)置為15atom％、16atom％和17atom％，并且改變和調(diào)整Fe的含量比，換句話說在第三磁層6是由Tb22.5Fe77.5-xCox，x＝15、x＝16和x＝17)，所制成的情況下，評(píng)估在磁光盤的凹槽和凸面中的抖動(dòng)的再現(xiàn)功率Pr相關(guān)性。圖11示出凹槽中的抖動(dòng)的再現(xiàn)功率Pr相關(guān)性。圖12示出凸面中的抖動(dòng)的再現(xiàn)功率Pr相關(guān)性。
從關(guān)于在磁光盤的凹槽中的抖動(dòng)特性的圖11中將理解到，當(dāng)Co的含量比例x從x＝15增加到x＝17時(shí)，再現(xiàn)功率裕量也增加。從涉及磁光盤的凸面中的抖動(dòng)特性的圖12中將理解到，當(dāng)Co的含量比例x從x＝15增加到x＝17時(shí)，再現(xiàn)功率裕量也增加。因此，對(duì)于磁光盤的凸面和凹槽來說，為了保證有足夠大的再現(xiàn)功率裕量，所需的是把Co的含量比設(shè)置為15atom％或更多，并且設(shè)置Co的含量比是大值。
另一方面，與上述評(píng)估的方式類似，在該第三磁層6是由Tb22.5Fe77.5-xCox，x＝15、x＝16和x＝17，所制成的情況中，本發(fā)明的發(fā)明人評(píng)估了在磁光盤1的凸面中的抖動(dòng)的記錄功率Pw相關(guān)性。該抖動(dòng)的記錄功率Pw相關(guān)性的評(píng)估結(jié)果在圖13中示出。
將從圖13中理解到，當(dāng)Co的含量比x從x＝15增加到x＝17時(shí)，抖動(dòng)等于最小值時(shí)的記錄功率Pw的值將增加。即，當(dāng)Co的含量比設(shè)置為15atom％(x＝15)時(shí)，該抖動(dòng)等于最小值時(shí)的記錄功率Pw等于8.3mW。即，當(dāng)Co的含量比設(shè)置為16atom％(x＝16)時(shí)，該抖動(dòng)等于最小值時(shí)的記錄功率Pw等于8.6mW。當(dāng)Co的含量比設(shè)置為17atom％(x＝17)時(shí)，該抖動(dòng)等于最小值時(shí)的記錄功率Pw增加到9.2mW。這是因?yàn)橛蒀o的含量比的增加引起居里溫度上升所造成的。通過如上所述地增加Co的含量比，對(duì)該信息信號(hào)的記錄來說是最佳的記錄功率Pw將增加。當(dāng)增加記錄功率Pw時(shí)，將增加對(duì)于鄰接軌跡的泄漏，并且有產(chǎn)生串?dāng)_的情況。因此，從記錄功率Pw降低的角度將理解到，為了提高靈敏度，希望Co的含量比較小。
從上述圖11至圖13示出的結(jié)果將理解到，期望從15atom％到17atom％的范圍中選擇Co的含量比，優(yōu)先從大于15atom％而小于17atom％的范圍中選擇，最好把Co的含量比設(shè)置為接近16atom％的一個(gè)值。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例的磁光盤，由于第二磁層5的磁飽和大于8.80×10-2Wb/m2并且小于1.76×10-1Wb/m2，所以在其中保持良好信號(hào)特性的同時(shí)降低記錄標(biāo)記長度以及縮窄軌跡間距的磁光盤中，能夠再現(xiàn)該信息信號(hào)，并且能夠?qū)崿F(xiàn)磁光盤的高記錄密度。由于第三磁層6中的Co的含量比被設(shè)置為在15atom％到17atom％范圍中的一個(gè)值，所以能夠保證有足以大的記錄功率裕量和足以大的再現(xiàn)功率裕量。因此，能夠通過使用針對(duì)傳統(tǒng)磁光盤或光盤的記錄和再現(xiàn)裝置來記錄和再現(xiàn)該信息信號(hào)。能夠保證在該再現(xiàn)功率中容許大的變化以及容許激光束的記錄功率中的大的偏差。因此，能夠獲得這樣的磁光盤，其中已經(jīng)以高密度記錄的信息信號(hào)能夠被最佳地再現(xiàn)，并且在外緣和內(nèi)緣的每一整體表面上都能夠獲得進(jìn)一步增加的容量和高可靠性。
根據(jù)本實(shí)施例的磁光盤的制造方法，由于第二磁層5的薄膜形成時(shí)的氣壓被設(shè)置為大于0.6Pa和等于或小于3Pa的一個(gè)值，所以能夠控制第二磁層5的磁飽和Ms2。因此能夠制造這樣的磁光盤，其中保證有適合把在第一磁層4中記錄的信息信號(hào)高效轉(zhuǎn)移到第三磁層6中的磁飽和Ms2和飽和磁場(chǎng)Hs。因此，能夠制造這樣的磁光盤，其中改進(jìn)了信號(hào)檢測(cè)中的磁清晰度并且能夠以高可靠性執(zhí)行磁感應(yīng)超清晰度操作(MSR操作)。
雖然上面已經(jīng)具體地描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但是本發(fā)明不局限于上述實(shí)施例，而可根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)思想有各種修改。
例如，上述實(shí)施例中提到的數(shù)值和材料僅作為實(shí)例示出，不同于上述實(shí)施例的數(shù)值和材料也能夠按照需要使用。
例如，在本實(shí)施例中雖然把濺射方法用作在盤基2上形成每一層的薄膜形成方法，但是不同于該濺射方法的任何薄膜形成方法都能被使用。具體地說，能夠使用真空蒸發(fā)淀積方法、分子束外延(MBE)方法、化學(xué)汽相淀積生長(CVD)方法、等離子體CVD方法、高密度等離子體CVD(HDP-CVD)方法等。
例如，在上述實(shí)施例中已經(jīng)作出涉及實(shí)例的說明中是將本發(fā)明應(yīng)用到磁光盤1，而磁光盤1的構(gòu)成方式是使得通過把激光束L1從盤基2的一側(cè)照射到磁光盤1來實(shí)現(xiàn)信息信號(hào)的記錄和/或再現(xiàn)。但是本發(fā)明也可以應(yīng)用到其它方式構(gòu)成的磁光盤，其使得通過把激光束L1從該盤基的現(xiàn)存的一側(cè)的相反的一側(cè)照射到該磁光盤1來實(shí)現(xiàn)信息信號(hào)的記錄和/或再現(xiàn)。在此情況中，通過從靠近盤基2一側(cè)開始順序地層積第三磁層、第二磁層、第一磁層，即通過所謂的降序來構(gòu)成該多層磁膜10。此時(shí)，取代該盤基2，一種發(fā)光板，一種具有大約70至170μm厚度的發(fā)光固化型樹脂等被用作發(fā)光層。
例如，雖然該多層磁膜10是由三層，即在本實(shí)施例中作為記錄層的第一磁層4、作為中間層或切割層的第二磁層以及作為再現(xiàn)層的第三磁層構(gòu)成，但是該多層磁膜10也能夠由四層或更多層構(gòu)成。
例如，雖然在本實(shí)施例中已經(jīng)把GdFeCosi薄膜用作第二磁層5，但是也能夠使用其它成分。具體地說，該第二磁層5也能夠由例如GdFe、GdFeCo、GdFesi等材料構(gòu)成。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠保證激光束以一大范圍的功率裕量記錄和/或再現(xiàn)信號(hào)。因此，在保持良好信號(hào)特性的同時(shí)能夠再現(xiàn)記錄標(biāo)記長度減小且軌跡間距縮窄的磁光記錄介質(zhì)上記錄的信息信號(hào)。因此能夠獲得其中能夠?qū)崿F(xiàn)高記錄密度、實(shí)現(xiàn)大容量和高可靠性的磁光記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種磁光記錄介質(zhì)，其中在一基片上提供順序?qū)臃e在室溫下具有垂直磁各向異性的第一磁層，在室溫下具有共面磁各向異性的第二磁層，以及在室溫下具有垂直磁各向異性的第三磁層的一多層磁膜，并且能夠通過將一激光束照射在所述的多層磁膜上而記錄和/或再現(xiàn)一信息信號(hào)，其中所述的第二磁層的磁飽和大于8.80×10-2Wb/m2并且小于1.76×10-1Wb/m2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁光記錄介質(zhì)，其中在所述的第二磁層中的居里溫度低于所述的第一磁層的居里溫度和所述的第三磁層的居里溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的磁光記錄介質(zhì)，其中所述的第二磁層的膜厚度等于或大于25nm并且等于或小于60nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的磁光記錄介質(zhì)，其中所述的第一磁層的磁飽和等于或小于8.80×10-2Wb/m2。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的磁光記錄介質(zhì)，其中所述的第一磁層的磁飽和等于或大于1.00×10-2Wb/m2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的磁光記錄介質(zhì)，其中在所述的第三磁層中的Co的含量比等于或大于15atom％并且等于或小于17atom％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的磁光記錄介質(zhì)，其中所說多層磁膜提供在以所述的基片的凹凸槽紋軌跡形成的一主平面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的磁光記錄介質(zhì)，其中所說基片具有一平面環(huán)形。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的磁光記錄介質(zhì)，其中當(dāng)假設(shè)把所述的信息信號(hào)記錄到所述的磁光記錄介質(zhì)以及從所說磁光記錄介質(zhì)再現(xiàn)所述的信息信號(hào)的一種光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑被設(shè)置為NA并且所述的激光束的波長被設(shè)置為λ時(shí)，在所述的基片的一主平面上的槽紋軌跡的軌跡間距等于或大于0.47·λ/NAμm并且等于或小于0.83·λ/NAμm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的磁光記錄介質(zhì)，其中根據(jù)一種凸面/凹槽記錄系統(tǒng)記錄所說信息信號(hào)。
11.一種磁光記錄介質(zhì)的制造方法，其中在一基片的主平面上提供順序?qū)臃e在室溫下具有垂直磁各向異性的第一磁層，在室溫下具有共面磁各向異性的第二磁層，以及在室溫下具有垂直磁各向異性的第三磁層的一多層磁膜，并且能夠通過將一激光束照射在該多層磁膜上而記錄和/或再現(xiàn)一信息信號(hào)，其中在形成該第二磁層時(shí)的氣壓大于0.6Pa并且等于或小于3.0Pa。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的磁光記錄介質(zhì)的制造方法，其中在所述的第二磁層中的居里溫度低于所述的第一磁層的居里溫度和所述的第三磁層的居里溫度中的較低的一個(gè)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的磁光記錄介質(zhì)的制造方法，其中形成的所述的第二磁層的膜厚度等于或大于25nm并且等于或小于60nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的磁光記錄介質(zhì)的制造方法，其中所述的第一磁層被形成為一薄膜，使得所說第一磁層的磁飽和等于或小于8.80×10-2Wb/m2。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的磁光記錄介質(zhì)的制造方法，其中所述的第一磁層被形成為一薄膜，使得所說第一磁層的磁飽和等于或大于1.00×10-2Wb/m2。
16.根據(jù)權(quán)利要求11的磁光記錄介質(zhì)的制造方法，其中所述的第二磁層被形成為一薄膜，使得所說第二磁層的磁飽和大于8.80×10-2Wb/m2并且小于1.76×10-1Wb/m2。
17.根據(jù)權(quán)利要求11的磁光記錄介質(zhì)的制造方法，其中在所述的第三磁層中的Co的含量比等于或大于15atom％并且等于或小于17atom％。
18.根據(jù)權(quán)利要求11的磁光記錄介質(zhì)的制造方法，其中所說多層磁膜提供在以所述的基片的凹凸槽紋軌跡形成的一主平面上。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的磁光記錄介質(zhì)的制造方法，其中所說基片具有一平面環(huán)形。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的磁光記錄介質(zhì)的制造方法，其中當(dāng)假設(shè)把所述的信息信號(hào)記錄到所述的磁光記錄介質(zhì)以及從所說磁光記錄介質(zhì)再現(xiàn)所述的信息信號(hào)的一種光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑被設(shè)置為NA并且所述的激光束的波長被設(shè)置為λ時(shí)，在所述的基片的一主平面上的槽紋軌跡的軌跡間距等于或大于0.47·λ/NAμm并且等于或小于0.83·λ/NAμm。
21.根據(jù)權(quán)利要求11的磁光記錄介質(zhì)的制造方法，其中根據(jù)一種凸面/凹槽記錄系統(tǒng)記錄所說信息信號(hào)。
全文摘要
一磁光盤(1)順包括有在主表面上存在有凸面和凹槽的一盤基(2)；第一介電層(3)；包含有在室溫下具有垂直磁各向異性的第一磁層(4)、在室溫下具有共面磁各向異性的第二磁層(5)、以及在室溫下具有垂直磁各向異性的第三磁層(6)的一多層磁膜(10)；第二介電層7；反射層8和保護(hù)層9，其中該層和膜是順序?qū)臃e在盤基(2)上所形成的。第二磁層(5)的磁飽和被設(shè)置為從8.80×10
文檔編號(hào)G11B7/00GK1543645SQ02816048
公開日2004年11月3日 申請(qǐng)日期2002年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月29日
發(fā)明者和田豐, 中山比呂史, 呂史 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社