專利名稱：光學(xué)記錄介質(zhì)及其生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其中光從層壓在一基片上的疊層薄膜的最上層上形成的保護(hù)膜一側(cè)照射，以便實(shí)現(xiàn)信息信號的記錄和/或再現(xiàn)。
背景技術(shù)：
作為光學(xué)記錄介質(zhì)，有專用于再現(xiàn)的ROM(只讀存儲器)型光盤，其中預(yù)先在光盤基片上形成相應(yīng)于信息信號的壓印凹痕(下面稱之為ROM型光盤)；和RAM(隨機(jī)存取存儲器)型光盤，其中在形成于光盤基片上的記錄薄膜處記錄信號，并且可以在需要時進(jìn)行信號的再現(xiàn)、附加寫入或重新寫入操作(下面稱之為RAM型光盤)。
同時，在這些光盤中，改進(jìn)了安裝于記錄/再現(xiàn)裝置上的光拾取裝置的再現(xiàn)分辨率，從而獲得高記錄密度。在更實(shí)際的意義上，實(shí)現(xiàn)了縮短照射在光盤上的激光束的波長λ，或者增大物鏡的數(shù)值孔徑NA，以便減小照射在光盤上的激光束的光斑直徑的方法。
不過，在增大物鏡NA的情況下，必須使光盤基片的厚度進(jìn)一步變薄。這是因?yàn)楣獗P表面相對于光拾取裝置光軸的垂直偏移的角度(傾斜角)的容限變小，并且該傾斜角易于受到基于光盤基片厚度的象差或雙折射的影響。即，在該光盤中，為了適應(yīng)實(shí)現(xiàn)物鏡的高NA，必須使光盤基片的厚度變薄，以便使傾斜角盡可能小。
例如，在數(shù)字聲盤中，要使光盤基片的厚度為大約1.2mm。相反，在記錄容量比數(shù)字聲盤大6至8倍的DVD(數(shù)字通用盤)中，要使該光盤基片的厚度為大約0.6mm。
不過在這種光盤中，相信未來要求實(shí)現(xiàn)更高的記錄密度，并且相信需要實(shí)現(xiàn)更薄的光盤基片。
鑒于上面所述，作為適應(yīng)實(shí)現(xiàn)高記錄密度的光學(xué)記錄介質(zhì)，提出了一種光盤，其中光從層壓在光盤基片上的疊層的最上層上形成的保護(hù)膜一側(cè)照射，以便實(shí)現(xiàn)信息信號的記錄和/或再現(xiàn)。在這種光盤中，要使保護(hù)膜為薄膜結(jié)構(gòu)，使其可能適應(yīng)實(shí)現(xiàn)物鏡的更高NA。
同時，上述光盤中的ROM型光盤，具有如

圖1所示的結(jié)構(gòu)，其中在光盤基片100上順序?qū)盈B反射膜101和保護(hù)膜102，預(yù)先形成相應(yīng)于信息信號的壓印凹痕。
在這種ROM型光盤中，當(dāng)由物鏡會聚的激光束L從光盤基片100一側(cè)進(jìn)行照射時，在壓印凹痕處發(fā)生的光的干涉，改變了反射膜101處反射的激光束L的反射系數(shù)。另外，探測激光束L的該反射系數(shù)的改變，結(jié)果，實(shí)現(xiàn)了信息信號的再現(xiàn)。
不過，在ROM型光盤中，如圖2所示，當(dāng)由物鏡會聚的激光束L從保護(hù)層102一側(cè)照射時，在反射膜101處形成相應(yīng)于壓印凹痕的反射表面，而該反射表面的形狀不同于在光盤基片100上形成的壓印凹痕。由此，可降低激光束L的反射系數(shù)的改變。即，由于在該反射膜101處更加平緩地形成了相應(yīng)于壓印凹痕的反射表面，不可能使其邊緣部分清晰，其導(dǎo)致當(dāng)激光束L從保護(hù)膜102一側(cè)照射時其反射系數(shù)改變的降低。
具體說來，在與光盤基片100上形成的壓印凹痕相比，反射膜101的膜層厚度足夠厚的情況下，很難進(jìn)行控制，來使相應(yīng)于該反射膜101的壓印凹痕的形狀產(chǎn)生相應(yīng)于光盤基片100上所形成的壓印凹痕的形狀。
由于這個原因，在傳統(tǒng)的ROM型光盤中，存在當(dāng)由物鏡會聚的激光束L從保護(hù)膜102一側(cè)照射時，不能獲得令人滿意的光學(xué)特性，即令人滿意的再現(xiàn)輸出的問題。
另一方面，可寫入RAM型光盤具有如圖3所示的結(jié)構(gòu)，其中在光盤基片200上順序?qū)盈B一記錄膜201，一反射膜202和一保護(hù)膜203，其中沿軌跡方向形成凹槽200a。另外，在這種RAM型光盤中，由物鏡會聚的激光束L從光盤基片200一側(cè)照射到形成在凹槽200a上的記錄膜201上，結(jié)果，實(shí)現(xiàn)信息信號的記錄/再現(xiàn)。
同時，在由物鏡會聚的激光束L從保護(hù)膜203一側(cè)照射的情況下，RAM型光盤具有如圖4所示的結(jié)構(gòu)，依次在沿軌跡方向形成有凹槽200a的光盤基片200上層疊有反射膜202，記錄膜201和保護(hù)膜203。
在這種情形中，與上述ROM型光盤相似，在反射膜202處形成相應(yīng)于凹槽200a的反射表面，而該反射表面的形狀與光盤基片200上形成的凹槽200a不同。即，由于在反射膜202處平緩地形成相應(yīng)于凹槽200a的反射表面，故難以使其邊緣部分清晰。因此，相應(yīng)于該反射膜202上所形成的記錄膜201的凹槽200a的形狀，也將產(chǎn)生不同于光盤基片200上所形成的凹槽200a的形狀。
實(shí)際上，由于記錄膜201的膜層厚度等于大約幾十到幾百nm，故相應(yīng)于該記錄膜201的凹槽200a的形狀將產(chǎn)生愈加不同于光盤基片200上所形成的凹槽200a的形狀。
由于這個原因，在傳統(tǒng)的RAM型光盤中，存在著當(dāng)由物鏡會聚的激光束L從保護(hù)膜203一側(cè)照射到記錄膜201上時，不能獲得令人滿意的記錄特性和/或光學(xué)特性等的問題。
而且，在RAM型光盤中，如圖5所示，有一種所謂的平臺凹槽的記錄系統(tǒng)，使得由物鏡會聚的激光束L從光盤基片200一側(cè)照射在凹槽200a上的記錄膜201上，以及相鄰凹槽200a之間形成的平臺200b上的記錄膜201上，從而實(shí)現(xiàn)信息信號的記錄/再現(xiàn)。
不過，還是在這種情形中，如圖6所示，當(dāng)由物鏡會聚的激光束L從保護(hù)膜203一側(cè)進(jìn)行照射時，相應(yīng)于記錄膜201處所形成的平臺200b的形狀，產(chǎn)生了不同于光盤基片200上所形成的平臺200b的形狀。由此，很難獲得令人滿意的記錄特性和/或光學(xué)特性等。
實(shí)際上，在這種情形中，重要的是控制相應(yīng)于記錄膜201的凹槽200a和平臺200b的形狀，使凹槽200a與平臺200b之比具有一一對應(yīng)的關(guān)系。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于這種傳統(tǒng)情形提出了本發(fā)明，且其目的在于提供一種高質(zhì)量的光學(xué)記錄介質(zhì)和一種再現(xiàn)它的方法，以便適應(yīng)實(shí)現(xiàn)高記錄密度，即使是在光從保護(hù)膜一側(cè)進(jìn)行照射的情形中，可以實(shí)現(xiàn)信息信號的適當(dāng)記錄和/或再現(xiàn)。
為了達(dá)到這個目的，本發(fā)明涉及一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其中在一基片上順序?qū)盈B至少一反射膜和一保護(hù)膜，從而光從保護(hù)膜一側(cè)照射，以便實(shí)現(xiàn)信息信號的再現(xiàn)，其中在反射膜處沿軌跡方向形成一些相應(yīng)于信息信號的壓印凹痕。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)中，由于在反射膜處沿軌跡方向形成一些相應(yīng)于信息信號的壓印凹痕，故即使是在光從保護(hù)膜一側(cè)進(jìn)行照射的情形中，也可能實(shí)現(xiàn)信息信號的適當(dāng)再現(xiàn)。
注意在該反射膜處，可以與壓印凹痕一起，沿軌跡方向形成一些起導(dǎo)向槽(a guide groove)作用的凹槽。
此外，本發(fā)明涉及一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其中在一基片上順序?qū)盈B至少一反射膜、一記錄膜和一保護(hù)膜，從而光從保護(hù)膜一側(cè)照射，以及實(shí)現(xiàn)信息信號的記錄和/或再現(xiàn)，其中在反射膜處沿軌跡形成一些用作導(dǎo)向槽的凹槽。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)中，由于在反射膜處沿軌跡方向形成了用作導(dǎo)向槽的凹槽，并在該反射膜上形成該記錄膜，故即使是在光從保護(hù)膜一側(cè)照射在記錄膜上的情形中，也可能實(shí)現(xiàn)信息信號的適當(dāng)記錄和/或再現(xiàn)。
另外，本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中順序?qū)盈B至少一反射膜和一保護(hù)膜，從而光從保護(hù)膜一側(cè)照射，以便實(shí)現(xiàn)信息信號的再現(xiàn)，其中在形成反射膜時，通過模壓形成相應(yīng)于信息信號的壓印凹痕。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法中，有可能相當(dāng)精確并且很容易地在反射膜處形成相應(yīng)于信息信號的壓印凹痕。從而，即使是在光從保護(hù)膜一側(cè)進(jìn)行照射的情形中，也可能很容易地制造出一種能實(shí)現(xiàn)信息信號適當(dāng)再現(xiàn)的光學(xué)記錄介質(zhì)。
注意在形成該反射膜時，可以與壓印凹痕一起，通過模壓沿軌跡方向形成一些用作導(dǎo)向槽的凹槽。
另外，本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中在一基片上順序?qū)盈B至少一反射膜，一記錄膜和一保護(hù)膜，從而光從保護(hù)膜一側(cè)照射，以便實(shí)現(xiàn)信息信號的記錄和/或再現(xiàn)，其中在形成該反射膜時，通過模壓沿軌跡方向形成一些用作導(dǎo)向槽的凹槽。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法中，可能相當(dāng)精確并且很容易地在反射膜處沿軌跡形成一些用作導(dǎo)向槽的凹槽，并且在其上形成記錄膜。因而，即使是在光從保護(hù)膜一側(cè)照射在記錄膜上的情形中，也可能很容易地制造出可以實(shí)現(xiàn)信息信號適當(dāng)?shù)挠涗浐?或再現(xiàn)的光學(xué)記錄介質(zhì)。
從下面將要給出的實(shí)施例的描述中，本發(fā)明的其它目的和所獲得的更加實(shí)際的優(yōu)點(diǎn)將更加明顯。
附圖的簡要說明圖1為基本部分橫截面圖，表示在傳統(tǒng)的ROM型光盤中，激光束從光盤基片一側(cè)進(jìn)行照射的狀態(tài)。
圖2為基本部分橫截面圖，表示在傳統(tǒng)的ROM型光盤中，激光束從保護(hù)膜一側(cè)進(jìn)行照射的狀態(tài)。
圖3為基本部分橫截面圖，表示在傳統(tǒng)的RAM型光盤中，激光束從光盤基片一側(cè)進(jìn)行照射的狀態(tài)。
圖4為基本部分橫截面圖，表示在傳統(tǒng)的RAM型光盤中，激光束從保護(hù)膜一側(cè)進(jìn)行照射的狀態(tài)。
圖5為基本部分橫截面圖，表示在傳統(tǒng)的RAM型光盤中，激光束從光盤基片一側(cè)相對光盤基片的平臺上所形成的記錄膜進(jìn)行照射的狀態(tài)。
圖6為基本部分橫截面圖，表示在傳統(tǒng)的RAM型光盤中，激光束從保護(hù)膜一側(cè)相對光盤基片的平臺上所形成的記錄膜進(jìn)行照射的狀態(tài)。
圖7為應(yīng)用本發(fā)明的ROM型光盤的基本部分橫截面圖。
圖8為橫截面透視圖，表示ROM型光盤中在光盤基片上形成反射膜的狀態(tài)。
圖9為示意性透視圖，表示壓力機(jī)的結(jié)構(gòu)的一個例子。
圖10為示意性透視圖，表示壓力機(jī)的結(jié)構(gòu)的另一個例子。
圖11為示意性透視圖，表示壓力機(jī)的結(jié)構(gòu)的又一個例子。
圖12為示意性透視圖，表示壓力機(jī)的結(jié)構(gòu)的再一個例子。
圖13為基本部分橫截面圖，表示激光束L從保護(hù)膜一側(cè)相對ROM型光盤中反射膜的平臺上所形成的壓印凹痕進(jìn)行照射的狀態(tài)。
圖14為橫截面透視圖，表示在ROM型光盤中，在反射膜的平臺上形成壓印凹痕的狀態(tài)。
圖15為應(yīng)用本發(fā)明的RAM型光盤的基本部分橫截面圖。
圖16為橫截面透視圖，表示RAM型光盤中在光盤基片上形成反射膜的狀態(tài)。
圖17為基本部分橫截面圖，表示激光束L從保護(hù)膜一側(cè)相對RAM型光盤中反射膜的平臺上所形成的記錄膜進(jìn)行照射的狀態(tài)。
實(shí)施本發(fā)明的最佳方式現(xiàn)在將參照附圖，在更加實(shí)際的意義上描述應(yīng)用本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)和其生產(chǎn)方法。
首先，將描述圖7中所示應(yīng)用本發(fā)明的專用于再現(xiàn)的ROM(只讀存儲器)型光盤(下面稱之為ROM型光盤)。在這種情形中，圖7為表示這種ROM型光盤1結(jié)構(gòu)的基本部分橫截面圖。
這種ROM型光盤1大體上為圓盤形，具有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中在中心部分處鉆有一中心孔的光盤基片2的主表面上順序?qū)盈B一反射膜3和一保護(hù)膜4。
在這種ROM型光盤1中，當(dāng)由光盤裝置進(jìn)行信息信號的再現(xiàn)時，由安裝在該光盤裝置上的光拾取裝置的物鏡對激光束L進(jìn)行會聚，所會聚的激光束L從保護(hù)膜一側(cè)照射。因而，有可能適應(yīng)實(shí)現(xiàn)更高NA的物鏡。
在這種ROM型光盤1中，光盤基片2由，例如注塑塑料材料組成，如聚碳酸酯(PC)，聚甲基丙烯酸酯(PMMA)，丙烯酸樹脂或環(huán)氧樹脂等。而且，可以使用滿足強(qiáng)度和機(jī)械尺度要求的任何材料作為光盤基片2的材料。例如，可以使用玻璃，金屬或整體模壓的紙等。
另外，使該光盤基片2的厚度為例如大約0.1至1.1mm，具有作為支撐體的足夠強(qiáng)度，并且經(jīng)濟(jì)有利。
反射膜3由例如金屬材料如Al、Ag、Au、Cu、Pt等，或者介電材料等組成，并通過薄膜形成技術(shù)如沉積方法或?yàn)R射方法等，形成在光盤基片2上。另外，該反射膜3可以是預(yù)先將上述材料形成或模壓成片形，并通過粘合劑等粘附在光盤基片2上的薄膜。
另外，使該反射膜3的厚度為例如大約0.05至10μm，這是經(jīng)濟(jì)有利的，并且足以滿足作為反射膜的功能。
此外，在該反射膜3處，如圖7和8所示，用作導(dǎo)向槽的凹槽5和由凹槽5上大量壓印凹痕6組成的凹痕串(圖7中未示出)，被螺旋或同心地形成在預(yù)定軌跡間距的每個軌跡上。在這種情形中，圖8為橫截面透視圖，表示在光盤基片2上形成反射膜3的狀態(tài)。
注意，作為凹槽5，除了直線凹槽以外，還可指出形成擺動的凹槽，以便預(yù)定周期擺動。
此外，在這種技術(shù)中，使用圖9中所示的壓力機(jī)10相對其上形成有反射膜3的光盤基片2進(jìn)行模壓，從而在反射膜3處形成凹槽5和壓印凹痕6。注意，在下面的描述中，在需要時，假定將形成有反射膜3的光盤基片2作為光盤基片20共同進(jìn)行處理。
該壓力機(jī)10包括一基座11，其上固定有光盤基片20；以及一設(shè)置在該基座11上面的金屬模具12。
以與金屬模具12相對的方式設(shè)置基座11，并且在與該金屬模具12相對的表面處形成相當(dāng)于光盤基片20外形的凹進(jìn)部分13。另外，使該光盤基片20裝配到該凹進(jìn)部分13中，以便實(shí)現(xiàn)相對金屬模具12的定位。
另一方面，在金屬模具12的與基座11相對的表面處，形成相應(yīng)于反射膜3的凹槽5和壓印凹痕6的不均勻圖案(未示出)。而且，金屬模具12通過主軸14與液壓機(jī)械(未示出)相連，且通過該液壓機(jī)械能夠沿圖9中箭頭A所示方向與基座11相接觸，或者遠(yuǎn)離基座。
在如上所述構(gòu)成的壓力機(jī)10中，當(dāng)光盤基片20以反射膜3與金屬模具12相對的方式固定在基座11上時，從上方降下金屬模具12，以對于已經(jīng)定位在該基座11上的光盤基片20，以預(yù)定的壓力進(jìn)行模壓。
因而，有可能相當(dāng)精確并且很容易地相對于光盤基片2上形成的反射膜3，形成凹槽5和壓印凹痕6。
另外，使用圖10中所示的壓力機(jī)30相對光盤基片20連續(xù)地進(jìn)行模壓，從而使之有可能在反射膜3處形成凹槽5和壓印凹痕6。
該壓力機(jī)30包括一基座31；一壓力施加輥32，用于移動或支撐壓力施加輥32與該基座31之間的光盤基片20；和一傳送機(jī)構(gòu)33，用于傳送基座31與壓力施加輥32之間的光盤基片20。
以與壓力施加輥32相對的方式設(shè)置基座31，并且在與壓力施加輥32相對的平面上移動下面將要描述的傳送機(jī)構(gòu)33的傳送帶36。
壓力施加輥32基本上為圓柱形，其中在其外圍表面上形成有相應(yīng)于凹槽5和壓印凹痕6的不均勻圖案34。而且，裝配壓力施加輥32，使其通過與其主軸35相連的驅(qū)動馬達(dá)(未示出)，可沿圖10中箭頭B所示的方向旋轉(zhuǎn)。另外，配置壓力施加輥32，使得它通過對其主軸35進(jìn)行支撐的支撐機(jī)構(gòu)(未示出)，可以相對基座31沿圖10中箭頭C所示的方向運(yùn)動。從而，有可能調(diào)節(jié)對光盤基片20施加的壓力。
傳送機(jī)構(gòu)33用于沿圖10中箭頭D所示的方向移動被保持或放置在基座31與壓力施加輥32之間細(xì)長的傳送帶36，且光盤基片20以預(yù)定的間隔裝在該傳送帶36上。
在如上所述構(gòu)成的壓力機(jī)30中，在基座31和壓力施加輥32將傳送帶36放置或保持在其間的同時，通過傳送機(jī)構(gòu)33，使裝在傳送帶36上的光盤基片20朝向壓力施加輥32傳送或移動。這時，在與基座31相接觸的位置，沿與傳送帶36的運(yùn)動方向相同的方向，同步旋轉(zhuǎn)驅(qū)動壓力施加輥32，使得在其外圍表面上提供的不均勻圖案34與以預(yù)定間隔裝在傳送帶36上的光盤基片20彼此相對應(yīng)。另外，該壓力施加輥32連續(xù)地以預(yù)定的壓力相對這些光盤基片20進(jìn)行模壓，同時該壓力施加輥32依次將光盤基片20放置或保持在壓力施加輥32與基座31之間。
從而，有可能相當(dāng)精確并且很容易地相對形成在光盤基片2上的反射膜3形成凹槽5和壓印凹痕6。而且，由于連續(xù)地相對光盤基片20進(jìn)行模壓，故可以極大地提高生產(chǎn)率。
另外，在這種技術(shù)中，可以使用圖11中所示的壓力機(jī)40連續(xù)地相對片形反射膜3進(jìn)行模壓，從而在通過粘合劑等粘附在光盤基片2上的片形反射膜3處形成凹槽5和壓印凹痕6，由此形成具有凹槽5和壓印凹痕6的片形反射膜3。
該壓力機(jī)40包括一基座43和一位于該基座43上方的金屬模具44，處于通過用于傳送用作片形反射膜3的細(xì)長反射膜片50的進(jìn)料輥41，以及一用于纏繞經(jīng)過模壓的反射膜片50的纏繞輥42，沿圖11中箭頭E所示的方向移動反射膜片50的移動路徑中心位置處。
以與金屬模具44相對的方式設(shè)置基座43，并且反射膜片50在與該金屬模具44相對的平面上移動。
另一方面，在金屬模具44的與基座43相對的表面上，形成相應(yīng)于反射膜3的凹槽5和壓印凹痕6的不均勻圖案45。另外，金屬模具44通過主軸46與液壓機(jī)構(gòu)(未示出)相連，且被設(shè)置成通過該液壓機(jī)構(gòu)，可沿圖11中箭頭F所示的方向與基座43相接觸或遠(yuǎn)離基座43。
在如上所述構(gòu)成的壓力機(jī)40中，反射膜片50在基座43與金屬模具44之間移動，并從上面的方向降下金屬模具44，使得該金屬模具44將反射膜片50推動或保持在其與基座43之間。此時，一旦停止反射膜片50的傳送操作，同時以預(yù)定的壓力相對反射膜片50進(jìn)行模壓。另外，當(dāng)金屬模具44離開基座43時，反射膜片50開始第二次移動。金屬模具44連續(xù)地重復(fù)這種升起和下降操作，結(jié)果，便以預(yù)定的間隔連續(xù)地相對反射膜片50進(jìn)行模壓。
因而，有可能相當(dāng)精確并且很容易地相對片形反射膜3形成凹槽5和壓印凹痕6。而且，由于連續(xù)地相對片形反射膜3進(jìn)行模壓，故能極大地提高生產(chǎn)率。
另外，使用圖12中所示的壓力機(jī)60連續(xù)地相對反射片50進(jìn)行模壓，從而也可能在片形反射膜3處形成凹槽5和壓印凹痕6。
這種壓力機(jī)60包括一基座63和一壓力施加輥64，用于將反射膜片50放置或保持在壓力施加輥64和該基座63之間，處于通過用于輸送反射膜片50的進(jìn)料輥61和用于纏繞模壓過的反射膜片50的纏繞輥62沿圖12中箭頭G所示的方向移動的反射膜片50傳送路徑的中間位置。
以與壓力施加輥64相對的方式設(shè)置基座63，并且在與壓力施加輥64相對的平面上移動反射膜片50。
壓力施加輥64基本為圓柱形，其中在其外圍表面上形成有相當(dāng)于反射膜3的凹槽5和壓印凹痕6的不均勻圖案65。而且，配置壓力施加輥64，使其通過與其主軸66相連的驅(qū)動馬達(dá)(未示出)可沿圖12中箭頭H所示的方向旋轉(zhuǎn)。另外，配置壓力施加輥64，使其通過對其主軸66進(jìn)行支撐的支撐機(jī)構(gòu)(未示出)，可相對基座63沿圖12中箭頭J所示的方向移動。從而，有可能調(diào)節(jié)施加給反射膜片50的壓力。
在如上所述構(gòu)成的壓力機(jī)60中，反射膜片50在基座63與壓力施加輥64之間移動，且沿與反射膜片50的移動方向相同的方向，以預(yù)定的旋轉(zhuǎn)頻率旋轉(zhuǎn)驅(qū)動壓力施加輥64。從而，以預(yù)定的間隔連續(xù)地相對該反射膜片50進(jìn)行模壓。
因而，有可能相當(dāng)精確地并且很容易地相對片形反射膜3形成凹槽5和壓印凹痕6。而且，由于相對片形反射膜3連續(xù)地進(jìn)行模壓，故能極大地提高生產(chǎn)率。
另外，在這種技術(shù)中，從以預(yù)定間隔形成有凹槽5和壓印凹痕6的反射膜片50沿光盤基片2的外形切下片形反射膜3，到通過粘合劑等將所切下的該片形反射膜3粘附在光盤基片2上。
因而，有可能相當(dāng)精確并且很容易地在粘附在光盤基片2上的片形反射膜3處形成凹槽5和壓印凹痕6。
在ROM型光盤1中，保護(hù)膜4由具有透光性等的樹脂材料等組成。實(shí)際上，用旋轉(zhuǎn)涂覆方法通過在反射膜3上涂覆例如紫外固化樹脂，用紫外線照射該紫外固化樹脂使之固化，而形成該保護(hù)膜4。而且，可以預(yù)先形成或模制該保護(hù)層4，使之成為片形，并且可通過粘合劑等粘附在反射膜3上。
另外，使該保護(hù)膜4的厚度為大約10至300μm，能獲得令人滿意的光學(xué)性質(zhì)，是對記錄部分進(jìn)行機(jī)械保護(hù)所要求的。
在如上所述構(gòu)成的ROM型光盤1中，當(dāng)由物鏡會聚的激光束L從保護(hù)膜4一側(cè)進(jìn)行照射時，在反射膜3處所形成的壓印凹痕6處發(fā)生的光的干涉，改變了該反射膜3處所反射的激光束的反射系數(shù)。另外，通過探測激光束L的反射系數(shù)改變，可實(shí)現(xiàn)信息信號的再現(xiàn)。
另外，在這種ROM型光盤1中，在從反射膜3處所形成的凹槽5處反射和衍射的激光束L獲得的推挽信號的基礎(chǔ)上執(zhí)行跟蹤伺服。此處，通過由相對軌跡中心對稱設(shè)置的兩個光探測器探測凹槽5處反射和衍射的激光束L，以得到這兩個光探測器輸出之間的差別，而獲得推挽信號。
同時，在這種ROM型光盤1中，由于上述的凹槽5或壓印凹痕6是形成在反射膜3處的，故與現(xiàn)有技術(shù)中在形成有凹槽或壓印凹痕的光盤基片上形成反射膜的情形相比，有可能使反射膜3處形成的凹槽5或壓印凹痕6的邊緣部分清晰。結(jié)果，即使是在從保護(hù)膜4一側(cè)照射激光束L的情形中，也可能防止激光束L的反射系數(shù)改變的減小。
因此，在這種ROM型光盤1中，有可能適應(yīng)實(shí)現(xiàn)高記錄密度。即使是在激光束L從保護(hù)膜4一側(cè)照射的情況下，也可能獲得令人滿意的光學(xué)特性。從而，能極大地提高再現(xiàn)信號和跟蹤伺服信號等的質(zhì)量。
另外，在這種ROM型光盤1中，在反射膜3處形成凹槽5或壓印凹痕6，并且從保護(hù)膜4一側(cè)照射激光束L。由此，不需要光盤基片2具有透光性，并且具有不存在凹槽或壓印凹痕的平坦的大體上圓盤形狀。因而，在這種ROM型光盤1中，可以使用金屬或者整體模壓的紙等作為光盤基片2的材料。因此，便于使用和/或回收之后的處理。
另外，在該技術(shù)中，由于上述凹槽5或壓印凹痕6是通過模壓形成在反射膜3處，可以很容易地在該反射膜3處形成凹槽5或壓印凹痕6，故有可能高度精確地控制這些凹槽5或壓印凹痕6的形狀。
因此，根據(jù)這種技術(shù)，即使是在激光束L從保護(hù)膜4一側(cè)進(jìn)行照射的情形中，也可能很容易并且大量地制造高質(zhì)量ROM型光盤1，其中可以進(jìn)行信息信號的適當(dāng)再現(xiàn)。
此外，如圖13和14所示，這種ROM型光盤1也可以適應(yīng)所謂的平臺凹槽記錄，其中包含上述大量壓印凹痕6的凹痕串(圖13中未示出)形成在反射膜3處所形成的相鄰凹槽5之間的平臺7上，從而激光束L從保護(hù)膜4一側(cè)相對于平臺7上所形成的壓印凹痕6進(jìn)行照射，以實(shí)現(xiàn)信息信號的再現(xiàn)。另外，也是在這種情形中，有可能高度精確地控制反射膜3處形成的壓印凹痕6、凹槽5和平臺7的形成。
注意，也可以使ROM型光盤1具有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中在反射膜3處預(yù)定軌跡間距的每個軌跡處，僅螺旋地或同心地形成包含上述壓印凹痕6的凹痕串。
然后，將描述圖15中所示應(yīng)用本發(fā)明的可寫入RAM(隨機(jī)存取存儲器)型光盤(下面稱之為RAM型光盤)80。在這種情形中，圖15是基本部分橫截面圖，表示這種RAM型光盤80的結(jié)構(gòu)。
該RAM型光盤80大體為圓盤形，且具有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中在中心部分鉆有一個中心孔的光盤基片81的主表面上順序?qū)盈B一反射膜82、一記錄膜83和一保護(hù)膜84。
另外，在這種RAM型光盤80中，當(dāng)由光盤裝置進(jìn)行信息信號的記錄/再現(xiàn)時，由安裝在光盤裝置上的光拾取裝置的物鏡對激光束L進(jìn)行會聚，且所會聚的激光束L從保護(hù)膜84一側(cè)照射。從而，有可能適應(yīng)實(shí)現(xiàn)高NA的物鏡。
在這種RAM型光盤80中，光盤基片81由例如注模的塑料材料組成，如聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸酯(PMMA)、丙烯酸樹脂或環(huán)氧樹脂等。而且，可以使用玻璃、金屬或整體模壓紙等作為光盤基片81的材料。
另外，使該光盤基片30的厚度為例如大約0.1至1.1mm，其作為支撐體具有足夠的強(qiáng)度，并且是經(jīng)濟(jì)有利的。
反射膜82由例如金屬材料，如Al、Ag、Au、Cu、Pt等，或介電材料等組成，并且通過諸如沉積方法或?yàn)R射方法等薄膜形成工藝形成在光盤基片81上。另外，可以預(yù)先將該反射膜82成膜或模壓成片形，并用粘合劑等將其粘附在光盤基片81上。
另外，使該反射膜82的厚度為例如大約0.05至10μm，是經(jīng)濟(jì)有利的，并足以滿足作為反射膜的功能。
另外，在該反射膜82處，如圖15和16所示，在預(yù)定軌跡間隔的每個軌跡處旋轉(zhuǎn)或同心地形成用作導(dǎo)向槽的凹槽85。在這種情形中，圖16為橫截面透視圖，表示在光盤基片81上形成有反射膜83的狀態(tài)。
應(yīng)該注意，作為凹槽85可以提及的是，除了直線凹槽以外，形成波動凹槽，使其以預(yù)定的周期波動。
此處，在該技術(shù)中，使用上面描述的圖9中所示的壓力機(jī)10和圖10中所示的壓力機(jī)30，相對其上形成有反射膜82的光盤基片81進(jìn)行模壓，從而在反射膜82處形成凹槽85。
從而，有可能相當(dāng)精確并且很容易地相對光盤基片81上形成的反射膜82形成凹槽85。另外，當(dāng)使用壓力機(jī)30連續(xù)地對光盤基片81上所形成的反射膜82進(jìn)行模壓時，可以極大地提高生產(chǎn)率。
另外，在該技術(shù)中，可以使用前面描述的圖11中所示的壓力機(jī)40和圖12中所示的壓力機(jī)60對片形反射膜82進(jìn)行模壓，從而在片形反射膜82處形成凹槽85，通過粘合劑等，將形成有凹槽85的片形反射膜82粘附在光盤基片81上。
因此，有可能相當(dāng)精確并且很容易地在粘附在光盤基片81上的片形反射膜82處形成凹槽5。另外，當(dāng)使用這些壓力機(jī)40、60連續(xù)地對片形反射膜82進(jìn)行模壓時，能極大地提高生產(chǎn)率。
在RAM型光盤80中，在例如磁光盤的情形中，記錄膜83具有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中通過濺射等，連續(xù)地層疊一由SiN等組成的透明介質(zhì)膜，一由諸如TbFeCo等磁性材料組成的磁記錄膜和一由SiN等組成的透明介質(zhì)膜。在這種情形中，當(dāng)由物鏡會聚的激光束L從保護(hù)膜84一側(cè)照射在記錄膜83上時，通過使用磁頭，將根據(jù)記錄信息調(diào)制的外磁場施加到被局部加熱到高于該記錄膜83的居里溫度的部分。從而實(shí)現(xiàn)信息信號的記錄或擦除，并探測由克耳效應(yīng)導(dǎo)致的相應(yīng)于磁化方向的光的反射系數(shù)改變，從而實(shí)現(xiàn)信息信號的再現(xiàn)。
另一方面，在例如相變型光盤的情形中，記錄膜83具有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中通過濺射等連續(xù)地層疊一由ZnS-SiO2等組成的透明介質(zhì)膜，一由諸如GeSbTe等相變材料組成的相變記錄膜，和一由ZnS-SiO2等組成的透明介電膜。在這種情形中，通過產(chǎn)生從晶態(tài)到非晶態(tài)的相變，同時由物鏡會聚的激光束L從保護(hù)膜84一側(cè)照射記錄膜83，實(shí)現(xiàn)信息的記錄或擦除。通過隨后探測光反射系數(shù)的改變，實(shí)現(xiàn)信息的再現(xiàn)。
注意，介質(zhì)膜的目的在于防止磁記錄膜或相變記錄膜的氧化，并通過多重干涉實(shí)現(xiàn)磁光信號的增強(qiáng)效果。
另一方面，在例如一次寫入型光盤的情形中，采用記錄膜83，使得通過濺射或旋轉(zhuǎn)涂覆等，形成諸如菁藍(lán)系或酞菁系的有機(jī)染料物質(zhì)膜。在這種情形中，由記錄能量在激光束L照射該記錄膜83的位置形成記錄標(biāo)記，同時由物鏡會聚的激光束L從保護(hù)膜84一側(cè)照射在記錄膜83上，從而實(shí)現(xiàn)信息信號的記錄。由再現(xiàn)能量用激光束L照射形成有該記錄標(biāo)記的記錄膜83，通過探測相應(yīng)于存在或不存在記錄標(biāo)記的返回光的反射系數(shù)改變，實(shí)現(xiàn)信息信號的再現(xiàn)。
保護(hù)膜84由具有透光性等的樹脂材料組成。實(shí)際上，通過旋轉(zhuǎn)涂覆方法在反射膜82上涂覆例如紫外固化樹脂，并將紫外線照射在該紫外固化樹脂上使之固化，從而形成該保護(hù)膜84。另外，可以采用該保護(hù)膜84，使之預(yù)先形成或模壓成片形，并通過粘合劑等將其粘附在記錄膜83上。
另外，使該保護(hù)膜84的厚度為例如大約10至300μm，可以獲得令人滿意的光學(xué)性質(zhì)，是對記錄部分進(jìn)行機(jī)械保護(hù)所要求的。
在如上所述構(gòu)成的RAM型光盤80中，由物鏡會聚的激光束L從光盤基片81一側(cè)照射在形成于凹槽5上的記錄膜83上，從而相應(yīng)于上述記錄膜83實(shí)現(xiàn)信息信號的記錄/再現(xiàn)。
另外，在RAM型光盤80中，在從反射膜82處所形成的凹槽85處反射和衍射的激光束L所獲得的推挽信號的基礎(chǔ)上，執(zhí)行跟蹤伺服。
同時，在這種RAM型光盤80中，由于在反射膜82處形成有凹槽85，故與現(xiàn)有技術(shù)中在形成有凹槽的光盤基片上層疊反射膜或記錄膜的情形相比，有可能使反射膜82處形成的凹槽85的邊緣部分清晰。另外，相對于與該反射膜82上形成的記錄膜83的凹槽85相應(yīng)的形狀，其邊緣部分也是清晰的。從而，即使是在激光束L從保護(hù)膜84一側(cè)照射在記錄膜83上的情形中，也可能防止激光束L的反射系數(shù)改變的降低。
因此，在這種RAM型光盤80中，有可能適應(yīng)實(shí)現(xiàn)高記錄密度。即使是在激光束L從保護(hù)膜84一側(cè)進(jìn)行照射的情形中，可也能獲得令人滿意的記錄特性或光學(xué)性質(zhì)等。從而，能極大地提高再現(xiàn)信號和跟蹤伺服信號等的質(zhì)量。
此外，在這種RAM型光盤80中，由于凹槽85形成在反射膜82處，并從保護(hù)膜84一側(cè)照射激光束L，故不需要光盤基片81具有透光性，且光盤基片具有不存在凹槽的平坦的大體上圓盤形狀。因此，在這種RAM型光盤80中，可以使用金屬或整體模壓紙等作為光盤基片81的材料，便于使用和/或回收之后的處理。
另外，在該技術(shù)中，由于通過模壓在反射膜82處形成上述凹槽85，故有可能很容易地在反射膜82處形成凹槽85，并且可能高度精確地控制凹槽85的形狀。
因此，根據(jù)該技術(shù)，即使是在激光束L從保護(hù)膜84一側(cè)進(jìn)行照射的情形中，也可能很容易并且大量地制造高質(zhì)量RAM型光盤80，其可實(shí)現(xiàn)信息信號的適當(dāng)記錄/再現(xiàn)。
另外，如圖17所示，這種RAM型光盤80也能適用于所謂的平臺凹槽記錄，其中激光束L從保護(hù)膜84一側(cè)照射反射膜82處形成的相鄰凹槽85之間所形成的平臺86上的記錄膜83，從而實(shí)現(xiàn)信息信號的記錄/再現(xiàn)。另外，也是在這種情形中，有可能高度精確地控制反射膜82處所形成的凹槽85和平臺86的形狀。
工業(yè)適用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)，即使是在光從保護(hù)膜一側(cè)進(jìn)行照射的情形中，也可能實(shí)現(xiàn)信息信號的適當(dāng)記錄和/或再現(xiàn)。從而，有可能適應(yīng)實(shí)現(xiàn)高記錄密度。
另外，根據(jù)對本發(fā)明光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行再現(xiàn)的方法，即使是在光從保護(hù)膜一側(cè)進(jìn)行照射的情形中，也可能很容易并且大量地制造可實(shí)現(xiàn)信息信號適當(dāng)再現(xiàn)的高質(zhì)量光學(xué)記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其中在一基片上連續(xù)地層疊至少一反射膜和一保護(hù)膜，并且光從保護(hù)膜一側(cè)進(jìn)行照射，以便實(shí)現(xiàn)信息信號的再現(xiàn)，其中在反射膜處沿軌跡方向形成與信息信號相應(yīng)的壓印凹痕。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中作為對反射膜進(jìn)行模壓的結(jié)果，形成該壓印凹痕。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中在反射膜處沿軌跡形成用作導(dǎo)向槽的凹槽。
4.如權(quán)利要求3所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中作為對反射膜進(jìn)行模壓的結(jié)果，形成凹槽。
5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該基片包括塑料材料，金屬或紙。
6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該基片的厚度為0.1至1.1mm。
7.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該反射膜的厚度為0.05至10μm。
8.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該保護(hù)膜的厚度為10至300μm。
9.一種光學(xué)記錄介質(zhì)，被配置為使得在一基片上連續(xù)地層疊至少一反射膜，一記錄膜和一保護(hù)膜，并且光從保護(hù)膜一側(cè)進(jìn)行照射，以便實(shí)現(xiàn)信息信號的記錄和/或再現(xiàn)，其中在反射膜處沿軌跡形成用作導(dǎo)向槽的凹槽。
10.如權(quán)利要求9所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中作為對反射膜進(jìn)行模壓的結(jié)果，形成凹槽。
11.如權(quán)利要求9所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該基片包括塑料材料，金屬或紙。
12.如權(quán)利要求9所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該基片的厚度為0.1至1.1mm。
13.如權(quán)利要求9所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該反射膜的厚度為0.05至10μm。
14.如權(quán)利要求9所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中該保護(hù)膜的厚度為10至300μm。
15.一種生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，該光學(xué)記錄介質(zhì)被配置成在一基片上連續(xù)地層疊至少一反射膜和一保護(hù)膜，并且光從保護(hù)膜一側(cè)進(jìn)行照射，以便實(shí)現(xiàn)信息信號的再現(xiàn)，其中在形成反射膜時，通過模壓形成相應(yīng)于信息信號的壓印凹痕。
16.如權(quán)利要求15所述的生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中將一反射膜形成在該基片上，以對其上形成有反射膜的該基片進(jìn)行模壓，以便在該反射膜處形成該壓印凹痕。
17.如權(quán)利要求15所述的生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中相對一片形反射膜進(jìn)行模壓，從而在該片形反射膜處形成該壓印凹痕，將形成有壓印凹痕的該片形反射膜粘附到基片上。
18.如權(quán)利要求15所述的生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中在形成該反射膜時，通過模壓沿軌跡形成用作導(dǎo)向槽的凹槽。
19.如權(quán)利要求18所述的生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中將一反射膜形成在該基片上，以對其上形成有反射膜的該基片進(jìn)行模壓，從而在該反射膜處形成該凹槽。
20.如權(quán)利要求18所述的生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中相對一片形反射膜進(jìn)行模壓，從而在該片形反射膜處形成該凹槽，將形成有凹槽的該片形反射膜粘附到基片上。
21.如權(quán)利要求15所述的生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中將塑料材料、金屬或紙用作基片的材料。
22.如權(quán)利要求15所述的生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中使該基片的厚度為0.1至1.1mm。
23.如權(quán)利要求15所述的生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中使該反射膜的厚度為0.05至10μm。
24.如權(quán)利要求15所述的生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中使該保護(hù)膜的厚度為10至300μm。
25.一種生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，該光學(xué)記錄介質(zhì)被配置成在一基片上連續(xù)地層疊至少一反射膜、一記錄膜和一保護(hù)膜，并且光從保護(hù)膜一側(cè)進(jìn)行照射，從而實(shí)現(xiàn)信息信號的記錄和/或再現(xiàn)，其中在形成該反射膜時，通過模壓沿軌跡形成用作導(dǎo)向槽的凹槽。
26.如權(quán)利要求25所述的生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中將一反射膜形成在該基片上，以對其上形成有反射膜的該基片進(jìn)行模壓，從而在該反射膜處形成該凹槽。
27.如權(quán)利要求25所述的生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中相對一片形反射膜進(jìn)行模壓，從而在該片形反射膜處形成該凹槽，將形成有凹槽的該片形反射膜粘附到基片上。
28.如權(quán)利要求25所述的生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中將塑料材料、金屬或紙用作基片的材料。
29.如權(quán)利要求25所述的生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中使該基片的厚度為0.1至1.1mm。
30.如權(quán)利要求25所述的生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中使該反射膜的厚度為0.05至10μm。
31.如權(quán)利要求25所述的生產(chǎn)光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，其中使該保護(hù)膜的厚度為10至300μm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光學(xué)記錄介質(zhì)(1)，該光學(xué)記錄介質(zhì)被配置成在一基片(2)上連續(xù)地層疊至少一反射膜(3)和一保護(hù)膜(4)，并且光從保護(hù)膜(4)一側(cè)進(jìn)行照射，從而實(shí)現(xiàn)信息信號的再現(xiàn)，其中在反射膜(3)處沿軌跡形成凹槽(5)或相應(yīng)于信息信號的壓印凹痕(6)。
文檔編號G11B7/007GK1460256SQ02800776
公開日2003年12月3日 申請日期2002年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月22日
發(fā)明者飯村紳一郎, 小川博司 申請人:索尼株式會社