專利名稱：對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)減小力矩接觸的磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在將數(shù)據(jù)寫入諸如磁盤或磁光盤的記錄介質(zhì)或者從諸如磁盤或磁光盤的記錄介質(zhì)內(nèi)讀取數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)讀寫設(shè)備內(nèi)使用的磁頭。在此說明書中，將“磁頭”定義為任何一種設(shè)置了磁場(chǎng)生成線圈的讀寫頭。根據(jù)此定義，將磁光頭簡稱為“磁頭”。本發(fā)明還涉及包含這種磁頭的數(shù)據(jù)讀寫設(shè)備。
背景技術(shù)：
圖7示出包括襯底93和成型在襯底93上的線圈92的傳統(tǒng)磁頭。線圈92被透明介質(zhì)層94全部包圍，透明介質(zhì)層94具有均勻厚度并覆蓋襯底93的整個(gè)上表面。在襯底93之下設(shè)置大直徑物鏡91a和小直徑物鏡91b。從所示光源發(fā)出后，激光束被這兩個(gè)物鏡91a、91b會(huì)聚并通過襯底93和介質(zhì)層94在磁盤D的記錄層形成聚束點(diǎn)。為了通過進(jìn)行磁場(chǎng)調(diào)制來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)記錄過程，在產(chǎn)生聚束點(diǎn)的點(diǎn)，將線圈92產(chǎn)生的磁場(chǎng)施加到記錄層。為了實(shí)現(xiàn)聚焦控制，利用致動(dòng)器(未示出)支持磁頭，這樣它就可以移動(dòng)到接近或遠(yuǎn)離磁盤D。
盡管傳統(tǒng)磁頭的優(yōu)勢(shì)在于，均勻厚度介質(zhì)層94可以使線圈92免受外部機(jī)械損傷，但是它仍具有如下缺點(diǎn)。
通常，磁光盤D包括在其上成型了記錄層的薄襯底。由于支持結(jié)構(gòu)非常脆弱，所以磁光盤D易彎曲，以致接觸介質(zhì)層94的邊緣94a。即使磁光盤D本身不彎曲，也會(huì)因?yàn)橹С衷摯殴獗PD的轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)不穩(wěn)定導(dǎo)致傾斜，如圖7中的點(diǎn)劃線所示。還是在此例中，磁光盤D會(huì)接觸介質(zhì)層94的邊緣94a。
不幸的是，磁光盤D會(huì)因?yàn)榻佑|介質(zhì)層94而被損傷。此外，與磁頭相連的致動(dòng)器也可能被損傷，因?yàn)樵诖殴獗PD撞擊介質(zhì)層94時(shí)會(huì)對(duì)磁頭產(chǎn)生非常大的力矩M。

發(fā)明內(nèi)容
在上述描述的情況下建議本發(fā)明。因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種被配置以減小記錄介質(zhì)與磁頭接觸產(chǎn)生的力矩的磁頭。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種引入了這種磁頭的數(shù)據(jù)讀寫設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種磁頭，對(duì)該磁頭設(shè)置線圈，用于產(chǎn)生施加到記錄介質(zhì)的磁場(chǎng)；襯底，其主表面對(duì)著記錄介質(zhì)，該主表面包括內(nèi)部區(qū)域和圍繞該內(nèi)部區(qū)域的外部區(qū)域；以及接觸部件，對(duì)著記錄介質(zhì)，在記錄介質(zhì)傾斜時(shí)，該接觸部件接觸記錄介質(zhì)。僅將該接觸部件設(shè)置在主表面的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)以防止傾斜的記錄介質(zhì)接觸主表面的外部區(qū)域。
接觸部件最好是成型在襯底上封閉該線圈的介質(zhì)層。
介質(zhì)層最好包括朝著襯底中心的、與襯底的外部邊緣分開的邊緣部分。該邊緣部分接觸傾斜記錄介質(zhì)。
介質(zhì)層最好包括下子層和成型在下子層的內(nèi)部區(qū)域上的上子層。在此例中，上子層可以包括接觸傾斜記錄介質(zhì)的邊緣部分。
線圈最好包括第一導(dǎo)電螺旋線和第二導(dǎo)電螺旋線，其中將第一導(dǎo)電螺旋線設(shè)置在上子層內(nèi)，而將第二導(dǎo)電螺旋線設(shè)置在下子層內(nèi)。
最好使介質(zhì)層邊緣部分成圓角，或者對(duì)介質(zhì)層邊緣部分進(jìn)行倒角，這樣就不會(huì)因?yàn)榻佑|介質(zhì)層而損壞記錄介質(zhì)。
為了防止記錄介質(zhì)被接觸部件損壞，最好對(duì)接觸部件涂敷潤滑劑。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種磁頭，對(duì)該磁頭設(shè)置襯底，包括對(duì)著記錄介質(zhì)的主表面；磁場(chǎng)生成線圈，成型在襯底的主表面上，并且包括第一導(dǎo)體和比第一導(dǎo)體更靠近記錄介質(zhì)的第二導(dǎo)體；以及介質(zhì)層，成型在襯底的主表面上，并且封閉該線圈。第二導(dǎo)體的外徑小于第一導(dǎo)體的外徑。介質(zhì)層具有階梯配置。具體地說，該介質(zhì)層包括封閉第一導(dǎo)體的第一部分和封閉第二導(dǎo)體的第二部分。第二部分的尺寸小于第一部分的尺寸。
該磁頭最好進(jìn)一步包括圍繞線圈的第一導(dǎo)體的第一冷卻金屬環(huán)和圍繞線圈的第二導(dǎo)體的第二冷卻金屬環(huán)。第二冷卻金屬環(huán)的直徑小于第一冷卻金屬環(huán)的直徑。
該磁頭最好進(jìn)一步包括設(shè)置在襯底主表面的對(duì)側(cè)用于會(huì)聚光源發(fā)出的激光束的物鏡。會(huì)聚光束通過襯底和介質(zhì)層傳播到記錄介質(zhì)。
該磁頭最好進(jìn)一步包括對(duì)著記錄介質(zhì)的防反射層，其中將防反射層設(shè)置在成型在介質(zhì)層中的槽內(nèi)。物鏡會(huì)聚的光束通過防反射層傳播到記錄介質(zhì)。
致動(dòng)器支持襯底以通過致動(dòng)器使襯底移動(dòng)到更靠近記錄介質(zhì)和遠(yuǎn)離記錄介質(zhì)。


根據(jù)以下參考附圖所做的詳細(xì)說明，本發(fā)明的其它特征和優(yōu)勢(shì)將變得更加明顯。
圖1示出引入了根據(jù)本發(fā)明磁頭的數(shù)據(jù)讀寫設(shè)備的各主要部件；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明磁頭的細(xì)節(jié)的剖視圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明磁頭的透視圖；圖4A和4B示出根據(jù)本發(fā)明磁頭的介質(zhì)層的圓角邊緣和倒角邊緣；圖5A和5B示出如何生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明磁頭；圖6示出傾斜磁光盤如何接觸模型磁頭；以及圖7示出傳統(tǒng)磁頭和在磁頭上傾斜的磁光盤。
具體實(shí)施例方式
以下將參考

本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖1示出引入了根據(jù)本發(fā)明磁頭的數(shù)據(jù)讀寫設(shè)備A的各主要部件。具體地說，所示實(shí)施例的磁頭H是磁光頭，因此設(shè)備A可以將數(shù)據(jù)寫入磁光盤D，并且可以將它從該磁光盤D中讀出。
通過致動(dòng)器10由滑架20支持的磁頭H包括透鏡固定器11，透鏡固定器11上固定了兩個(gè)物鏡5a、5b。致動(dòng)器10使透鏡固定器11在聚焦方向Fs和跟蹤方向Tg(磁光盤D的徑向方向)移動(dòng)。
利用主軸馬達(dá)90，磁光盤D可以繞軸C高速旋轉(zhuǎn)。如圖2所示，磁光盤D包括在其上成型了記錄層99和用于保護(hù)記錄層99的透明涂層97的底板98。這兩層99、97設(shè)置在底板98的下側(cè)。因此，將磁頭H相應(yīng)地設(shè)置在磁光盤D的下方并與記錄層99保持直接相對(duì)關(guān)系。利用這種配置，可以減小在在記錄層99上形成聚束點(diǎn)時(shí)因?yàn)橥该魍繉?7的厚度變化觀察到的像差。
如圖1所示，在滑架20上設(shè)置傾斜反射鏡23，用于向上反射固定光學(xué)單元4發(fā)出的激光束。光學(xué)單元4設(shè)置有激光二極管40、準(zhǔn)直透鏡41、射束分裂器42、射束擴(kuò)展器43以及電流鏡44。透鏡41使激光二極管40發(fā)出的激光束準(zhǔn)直。然后，激光束通過射束分裂器42和射束擴(kuò)展器43，并被電流鏡反射到傾斜反射鏡23。反射鏡23反射的向上光束被物鏡5a、5b會(huì)聚，從而在磁光盤D的記錄層上形成聚束點(diǎn)。會(huì)聚光束被記錄層99反射以回掃先前路徑。最后，激光束被射束分裂器42分裂，然后被光檢測(cè)器45檢測(cè)。
射束擴(kuò)展器43包含兩個(gè)透鏡43a、43b，用于減小激光束的有效直徑。減小有效直徑使得物鏡5a、5b的尺寸可以減小，這樣就可以降低磁頭H的總重量。如果慣性小，則磁頭H就可以在外力作用下快速移動(dòng)。設(shè)置在磁光盤D下方的滑架20可以在跟蹤方向Tg移動(dòng)以完成要求查找動(dòng)作。代替滑架20，可以使用旋臂以在磁光盤D的徑向移動(dòng)，磁頭H被安裝在此旋臂上。
除了上述物鏡5a、5b之外，磁頭H還包括透明襯底6、磁性層80、線圈3、介質(zhì)層7、一對(duì)冷卻金屬層81以及防反射層82，如圖2所示。
將襯底6安裝到透鏡固定器11的頂部以支持磁性層80、線圈3、介質(zhì)層7等。透明襯底6可以由玻璃制成。將物鏡5b的平透鏡面50安裝在襯底6的下表面。介質(zhì)層7可以由透明礬土制成。在此配置中，物鏡5b、襯底6以及介質(zhì)層7組合在一起作為一個(gè)透鏡。
設(shè)置磁性層80是為了將線圈3產(chǎn)生的磁場(chǎng)有效施加到磁光盤D上的聚束點(diǎn)區(qū)域。磁性層80可以由Ni-Fe合金、基于鈷(Co)的非晶合金、Fe-Al-Si合金、Fe-C合金與Ni-Fe合金的組合、Fe-Ta-N合金或Mn-Zn鐵氧體。磁性層80的厚度可以是8μm，并對(duì)磁性層80成型中心孔80a以使激光束通過。介質(zhì)層7填充孔80a。
例如，通過使金屬層形成圖形來成型線圈3。利用傳統(tǒng)電鍍技術(shù)形成金屬層(通常是銅層)。所示的線圈3是雙層結(jié)構(gòu)，包括上導(dǎo)電螺旋線30a和與上螺旋線30a相連的下導(dǎo)電螺旋線30b。電流以同一個(gè)方向通過這兩個(gè)螺旋線30a、30b。線圈3的中心線L對(duì)準(zhǔn)透鏡5a的中心線和透鏡5b的中心線。為了從介質(zhì)層7的外部對(duì)線圈3供電，設(shè)置從介質(zhì)層7的邊緣部分延伸到線圈3的電源線(未示出)。如圖2所示，線圈3的中心內(nèi)填充介質(zhì)層7。為了降低線圈3的電感，標(biāo)號(hào)31表示的這部分(光傳輸部分)應(yīng)該盡可能小，但是也不能小到不能通過激光束。
設(shè)置環(huán)形冷卻層81是為了防止線圈3過熱。如圖2所示，上冷卻層81圍繞上導(dǎo)電螺旋線30a，而下冷卻層81圍繞下導(dǎo)電螺旋線30b。上螺旋線30a的直徑小于下螺旋線30b的直徑。因此，上冷卻層81的直徑也應(yīng)該相應(yīng)地小于下冷卻層81的直徑。為了實(shí)現(xiàn)要求的冷卻效果，利用其熱導(dǎo)率比介質(zhì)層7高的材料制造冷卻層81。在所示的實(shí)施例中，冷卻層81和線圈3由同一種材料制成，因此可以在同一個(gè)制造過程制造它們。
成型在襯底6上的介質(zhì)層7封閉磁性層80、線圈3以及冷卻層81。如圖2和圖3所示，介質(zhì)層7包括厚度為h2的下部70a和厚度為h1的上部70b。上部70b的直徑小于下部70a的直徑。因此，下部70a的周邊部分70’從上部70b橫向伸出。
參考圖3，襯底6是矩形，而介質(zhì)層的上部70b和下部70a是同心的圓形(L表示公共中心線)。圓形下部70a的面積小于矩形襯底6的面積，因此出現(xiàn)了襯底6的邊緣區(qū)域6a。如圖4A和4B所示，最好使上部70b邊緣區(qū)域70b’的邊緣成圓角，或?qū)ζ溥M(jìn)行倒角(chamfer)。最好對(duì)此圓角邊緣或倒角邊緣涂敷潤滑劑(例如氟樹脂)。以下將說明這些特征的技術(shù)意義。
參考圖2，在其間插入空氣層情況下，介質(zhì)層7的上表面73a對(duì)著磁光盤D。對(duì)上表面73a成型其中心線對(duì)準(zhǔn)中心線L的圓形槽73b。槽73b的直徑大于在激光束通過槽73b的底部時(shí)測(cè)量的激光束的直徑。
設(shè)置在槽73b內(nèi)的防反射層82允許激光束通過。層82可以由氧化硅、氧化鎢、氟化鎂或氮化硅制成。在所示的例子中，層82是單層結(jié)構(gòu)。作為一種選擇，層82還可以是包括兩個(gè)或更多個(gè)由上述不同材料制成的子層的多層結(jié)構(gòu)。層82的厚度應(yīng)該小于槽73b的深度，這樣層82就不會(huì)從介質(zhì)層7的上表面73a上凸出。
可以以如下方式生產(chǎn)上述描述的磁頭H。
參考圖5A，制備其大小足以生產(chǎn)規(guī)定數(shù)量的矩形襯底6的母襯底6A(例如，參考圖3)。因此，根據(jù)待生產(chǎn)的襯底6，對(duì)母襯底6A設(shè)置同樣數(shù)量的“磁頭構(gòu)造位置”。
在每個(gè)構(gòu)造位置，與此后將被去除的假(dummy)金屬層89一起，成型磁性層80、導(dǎo)電螺旋線30a-30b、冷卻層81和介質(zhì)層7，如圖5A所示。在該圖中，省略了上述防反射層82和槽73b。
象假金屬層89那樣，介質(zhì)層7由幾個(gè)互相層疊的子層7a構(gòu)成。從圖5A中可以看出，在母襯底6A上，介質(zhì)層7的子層7a與假金屬層89互補(bǔ)。可以以幾種方式構(gòu)造此結(jié)構(gòu)。例如，利用同一種材料成型磁性層80和最下面的假金屬層89a。然后，成型最下面子層7a以覆蓋母襯底6A上未設(shè)置磁性層和假金屬層的明面。然后，在第一最下面假金屬層89a上成型第二最下面假金屬層89。成型第二假金屬層89的材料與成型第一假金屬層89a的材料可以相同也可以不同。然后，在磁性層80和第一最下面子層7a上成型第二最下面子層7a。這樣，磁性層80被介質(zhì)材料完全封閉。對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，圖5A所示的完成該結(jié)構(gòu)的剩余步驟是顯而易見的，因此不對(duì)它們進(jìn)行解釋。
參考圖5B，完成要求結(jié)構(gòu)后，例如，利用蝕刻過程消除假金屬層89。這樣，就在母襯底6A上產(chǎn)生空隙S。在此蝕刻過程中，不消除磁性層80、螺旋線30a、30b以及冷卻層81，因?yàn)樗鼈儽唤橘|(zhì)層7封閉。
最后，將母襯底6A切割為矩形片以提供大量相同產(chǎn)品，如圖3所示。以下說明這樣生產(chǎn)的磁頭H的特性。
例如，利用磁場(chǎng)調(diào)制過程可以將數(shù)據(jù)寫入磁光盤D。根據(jù)此方法，物鏡5a、5b會(huì)聚激光束以在磁光盤D的記錄層99上產(chǎn)生聚束點(diǎn)，從而將記錄層99加熱到接近居里溫度的規(guī)定溫度。在這種情況下，將線圈3產(chǎn)生的磁場(chǎng)施加到記錄層99。這樣，控制記錄層99內(nèi)的磁化方向，從而將要求數(shù)據(jù)寫入磁光盤D。
與現(xiàn)有技術(shù)情況相同，在寫入數(shù)據(jù)過程中，磁光盤D會(huì)發(fā)生傾斜。然而，在本實(shí)施例中，以這樣的方式進(jìn)行配置，即傾斜磁光盤D接觸介質(zhì)層7的上邊緣部分70b’，但是不接觸下邊緣部分70a’，也不接觸介質(zhì)層7的邊緣6a(參考圖2內(nèi)的點(diǎn)劃線)。從圖2中可以看出，接觸邊緣部分70b’的位置比下邊緣部分70a’和邊緣6a的位置更靠近磁頭H的中心。因此，在接觸到傾斜的磁光盤D時(shí)，磁頭H接收的力矩比介質(zhì)層7的下邊緣部分70a或襯底6的邊緣6a接觸傾斜磁光盤D時(shí)接收的力矩相對(duì)較小。因此，可以防止損壞支持磁頭H的致動(dòng)器。
圖6示出為了說明傾斜的磁光盤D如何接觸類似于本發(fā)明磁頭H的模型磁頭He的模擬情況。
如圖6所示，在磁光盤D傾斜θ角并接觸介質(zhì)層7的邊緣部分70b’時(shí)，等式d1＝2×WD/tanθ成立，其中d1是介質(zhì)層7的上圓形部分70b的直徑，WD是磁光盤D與介質(zhì)層7之間的工作距離。
在磁光盤D接觸介質(zhì)層7的下圓形部分70a的邊緣部分70a’時(shí)，另一個(gè)等式d2＝2×(WD+h1)/tanθ成立，其中d2是下部70a的直徑。因此，為了防止下邊緣部分70a’接觸傾斜磁光盤D(傾角為θ)，將下部70a的直徑設(shè)置得小于2×(WD+h1)/tanθ。
同樣，在磁光盤D接觸襯底6的邊緣6a時(shí)，等式d3＝2×(WD+h1+h2)/tanθ成立，其中d3是襯底6的最大長度。因此，為了防止邊緣6a接觸傾斜磁光盤D(傾角為θ)，將襯底6的最大長度設(shè)置得小于2×(WD+h1+h2)/tanθ。
如上所述，致動(dòng)器10使本發(fā)明的磁頭H在聚焦方向Fs移動(dòng)。與被設(shè)計(jì)成利用介入空氣流在旋轉(zhuǎn)磁光盤上浮動(dòng)的滑塊型磁頭相比，利用這種配置，可以將磁頭H與磁光盤D之間的間距設(shè)置得較大(例如，約30μm)。然而，不應(yīng)該將此數(shù)值(即30μm)代入上述等式內(nèi)的參數(shù)WD來確定直徑d2或最大長度d3，因?yàn)橹聞?dòng)器10移動(dòng)的磁頭H實(shí)際上正在靠近磁光盤D。因?yàn)榇嗽?，為了更安全，例如，WD的輸入值應(yīng)該為7μm。例如，傾角應(yīng)該在10-20mrad。
在本實(shí)施例中，如圖3所示，介質(zhì)層7的上部70b是圓形的。此圓邊緣配置的優(yōu)勢(shì)在于可以防止傾斜磁光盤D在接觸介質(zhì)層7的上部70b時(shí)被損壞。為了提供更安全的防損壞保護(hù)，可以使邊緣部分70b’的邊緣成為圓角，或者對(duì)其進(jìn)行倒角，如圖4A和4B所示，并進(jìn)一步涂敷氟潤滑劑。
在磁頭H內(nèi)，光源發(fā)出的激光束通過物鏡5a和5b、介質(zhì)層7以及防反射層82傳播到記錄層99。防反射層82的折射率低于介質(zhì)層7的折射率，但是高于空氣的折射率。這樣做的優(yōu)勢(shì)在于，可以減少激光束通過介質(zhì)層7與防反射層82之間的界面以及防反射層82與空氣之間的界面時(shí)產(chǎn)生的反射。因此，激光束可以有效照射記錄層99。
防反射層82不凸出地容納在介質(zhì)層7的槽73b內(nèi)，因此即使在磁光盤D靠近介質(zhì)層7時(shí)，也不會(huì)損傷磁光盤D。此外，將防反射層82固定安裝在槽73b內(nèi)。這樣，在傾斜磁光盤D撞擊磁頭H時(shí)，就可以防止防反射層82不適當(dāng)?shù)貜慕橘|(zhì)層7出來。
本發(fā)明并不局限于附圖所示的特定特征。例如，線圈3可以只有一個(gè)導(dǎo)電螺旋線，或者多于兩個(gè)導(dǎo)電螺旋線。同樣，介質(zhì)層7可以只有一個(gè)子層，或者多于兩個(gè)子層。此外，可以對(duì)介質(zhì)層7的上表面73a設(shè)置可以接觸磁光盤D的圓形凸出。此接觸凸出可以由介質(zhì)材料制成也可以不是由介質(zhì)材料制成。
盡管對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是，顯然，可以以許多方式來對(duì)其進(jìn)行變化。這些變化均屬于本發(fā)明的實(shí)質(zhì)范圍，并且對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員顯而易見的所有調(diào)整均包含在如下權(quán)利要求所述的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種磁頭，該磁頭包括線圈，用于產(chǎn)生施加到記錄介質(zhì)的磁場(chǎng)；襯底，其主表面對(duì)著記錄介質(zhì)，該主表面包括內(nèi)部區(qū)域和圍繞該內(nèi)部區(qū)域的外部區(qū)域；以及接觸部件，對(duì)著記錄介質(zhì)，在記錄介質(zhì)傾斜時(shí)，該接觸部件接觸記錄介質(zhì)；其中僅將該接觸部件設(shè)置在主表面的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)以防止傾斜的記錄介質(zhì)接觸主表面的外部區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其中接觸部件包括封閉所述線圈的介質(zhì)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁頭，其中介質(zhì)層包括朝著襯底中心的、與襯底的外部邊緣分開的邊緣部分，該邊緣部分接觸傾斜記錄介質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁頭，其中介質(zhì)層包括下子層和成型在下子層的內(nèi)部區(qū)域上的上子層，上子層包括接觸傾斜記錄介質(zhì)的邊緣部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁頭，其中線圈包括第一導(dǎo)電螺旋線和第二導(dǎo)電螺旋線，第一導(dǎo)電螺旋線被設(shè)置在上子層內(nèi)，第二導(dǎo)電螺旋線被設(shè)置在下子層內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁頭，其中介質(zhì)層邊緣部分成圓角。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁頭，其中介質(zhì)層邊緣部分被倒角。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其中接觸部件被涂敷潤滑劑。
9.一種磁頭，該磁頭包括襯底，包括對(duì)著記錄介質(zhì)的主表面；磁場(chǎng)生成線圈，成型在襯底的主表面上，并且包括第一導(dǎo)體和比第一導(dǎo)體更靠近記錄介質(zhì)的第二導(dǎo)體；以及介質(zhì)層，成型在襯底的主表面上，并且封閉該線圈；其中第二導(dǎo)體的外徑小于第一導(dǎo)體的外徑，并且其中介質(zhì)層具有階梯配置，它包括封閉第一導(dǎo)體的第一部分和封閉第二導(dǎo)體的第二部分，第二部分的尺寸小于第一部分的尺寸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁頭，該磁頭進(jìn)一步包括圍繞第一導(dǎo)體的第一冷卻金屬環(huán)和圍繞第二導(dǎo)體的第二冷卻金屬環(huán)，第二冷卻金屬環(huán)的直徑小于第一冷卻金屬環(huán)的直徑。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁頭，該磁頭進(jìn)一步包括設(shè)置在襯底主表面的相對(duì)側(cè)用于會(huì)聚光源發(fā)出的激光束的物鏡，其中會(huì)聚光束通過襯底和介質(zhì)層傳播到記錄介質(zhì)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁頭，該磁頭進(jìn)一步包括對(duì)著記錄介質(zhì)的防反射層，其中防反射層被設(shè)置在成型在介質(zhì)層中的槽內(nèi)，并且其中會(huì)聚光束通過防反射層，然后傳播到記錄介質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁頭，其中襯底由致動(dòng)器支持以通過致動(dòng)器使襯底移動(dòng)到更靠近記錄介質(zhì)和遠(yuǎn)離記錄介質(zhì)。
14.一種包括根據(jù)權(quán)利要求9所述磁頭的數(shù)據(jù)讀寫設(shè)備。
全文摘要
磁頭設(shè)置有襯底和成型在該襯底上的磁場(chǎng)生成線圈。該襯底具有對(duì)著存儲(chǔ)磁盤的主表面，并將該襯底分割為內(nèi)部區(qū)域和圍繞該內(nèi)部區(qū)域的外部區(qū)域。該磁頭還包括封閉該線圈并對(duì)著存儲(chǔ)磁盤的介質(zhì)層。介質(zhì)層被成型在襯底主表面的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)，而不是成型在外部區(qū)域內(nèi)。傾斜時(shí)，存儲(chǔ)磁盤接觸介質(zhì)層，從而避免了撞擊襯底主表面的外部區(qū)域。
文檔編號(hào)G11B5/187GK1434444SQ0215268
公開日2003年8月6日 申請(qǐng)日期2002年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月25日
發(fā)明者藤巻徹, 松本剛 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社